JP2003008394A

JP2003008394A - 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置

Info

Publication number: JP2003008394A
Application number: JP2001185436A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yamato; 秀司大和; Toshiaki Takada; 俊明高田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-19
Filing date: 2001-06-19
Publication date: 2003-01-10

Abstract

(57)【要約】【課題】低ロスで安定してインダクタンスを付加する
ことができ、当該インダクタンスを容易に調整できる弾
性表面波装置を提供する。【解決手段】弾性表面波装置は、圧電基板上に少なく
とも一つの櫛形電極が形成された弾性表面波素子と、該
弾性表面波素子がフェイスダウン工法でバンプ１２ａ〜
１２ｆにより接合されるベース基板１４とを備え、上記
ベース基板１４は、上記弾性表面波素子が載置されるダ
イアタッチ部Ｓａの内に、上記バンプ１２ａ〜１２ｆが
形成される電極パッド５１〜５３を有し、かつ、上記ダ
イアタッチ部Ｓａの外に、上記電極パッド５１〜５３と
導通された中継パッド７１〜７４と、弾性表面波装置の
外部と導通された外部電極６１〜６４と、を有するとと
もに、上記中継パッド７１〜７４と上記外部電極６１〜
６４とが所定の周波数でインダクタンス成分として働く
ワイヤ１５ａ〜１５ｄによって接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面に弾性表面波
素子が形成された圧電基板をフリップチップ工法によっ
て実装した弾性表面波装置、および、これを搭載した通
信装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】複数の一端子対弾性表面波共振子が並列
腕共振子および直列腕共振子として用いられている梯子
型回路構成を有するバンドパスフィルタが知られてい
る。この種のバンドパスフィルタでは、並列腕共振子と
直列腕共振子とが入力側から出力側に向かって交互に配
置されている。このような梯子型回路構成を有する弾性
表面波フィルタは、挿入損失の低減および広帯域化を図
ることができるため、携帯電話機におけるバンドパスフ
ィルタなどに広く用いられている。

【０００３】従来、弾性表面波素子をパッケージ化する
際には、パッケージの電極と弾性表面波素子の電極とを
ボンディングワイヤによって接続していた。

【０００４】これに対して、公開特許公報「特開平４−
６５９０９号公報（公開日：平成４年（１９９２）３月
２日）」には、弾性表面波素子をファイスダウン工法に
よりパッケージに接続した弾性表面波装置が記載されて
いる。

【０００５】図７は、上記公報に記載された弾性表面波
装置６０１の断面図である。弾性表面波装置６０１で
は、パッケージ６０２内に弾性表面波素子６０３が収納
されている。パッケージ６０２は、ベース基板６０２
ａ，側壁６０２ｂおよびキャップ６０２ｃを有する。

【０００６】べース基板６０２ａ上には、弾性表面波素
子６０３の電極に対応する位置に、該電極に電気的に接
続される複数の電極パッドを有するダイアタッチ部６０
２ｄが形成されている。弾性表面波素子６０３は、圧電
基板６０３ａを有し、圧電基板６０３ａの下面に弾性表
面波共振子を構成するための電極等が形成されている。
そして、圧電基板６０３ａの下面に形成されている電極
がバンプ６０４により、ダイアタッチ部６０２ｄの電極
パッドに電気的に接続されるとともに、該バンプ６０４
により、弾性表面波素子６０３がダイアタッチ部６０２
ｄに機械的に固定されている。

【０００７】このように、弾性表面波素子の実装にフェ
イスダウン工法、すなわち弾性表面波共振子を構成する
電極等が形成されている圧電基板面側からバンプ６０４
により弾性表面波素子６０３をパッケージ６０２に接合
する方法によれば、ボンディングワイヤを必要としない
ため、弾性表面波装置を小型化できる。

【０００８】ところで、梯子型回路構成を有する弾性表
面波フィルタでは、直列腕共振子または並列腕共振子に
インダクタンスを付加することにより、広帯域化および
通過帯域近傍における減衰量の拡大を図って、フィルタ
特性を向上させることができる。

【０００９】上記のようなインダクタンス成分は、ボン
ディングワイヤにより弾性表面波素子とパッケージの電
極とを接続する場合には、該ボンディングワイヤを利用
して付加することができる。しかしながら、フェイスダ
ウン工法によりパッケージ化される上記弾性表面波装置
６０１では、ボンディングワイヤを有しないので、ボン
ディングワイヤによりインダクタンス成分を付加するこ
とはできない。

【００１０】この点、図８に示すように、上記弾性表面
波装置６０１では、ダイアタッチ部６０２ｄに、入力パ
ッド６１１とアースパッド６１３、出力パッド６１２と
アースパッド６１３をそれぞれ接続するインダクタンス
パターン６１５・６１５が形成されている。ここで、上
記のパッド６１１，６１２，６１３は、所定の導電率を
有する導体から形成されている。また、上記の入力パッ
ド６１１とアースパッド６１３、出力パッド６１２とア
ースパッド６１３の間には、導体が被覆せずパッド間を
絶縁区画するギャップ６１４が設けられている。さら
に、上記インダクタンスパターン６１５は、入力インピ
ーダンスまたは出力インピーダンスを外部回路とマッチ
ングさせる値のインダクタンスを有するように、ダイア
タッチ部６０２ｄの表面に被着形成されたパターンであ
る。

【００１１】このように、上記弾性表面波装置６０１で
は、インダクタンスパターン６１５を設けることによっ
て、外部に特別の素子を用いることなく、マッチングを
とることを可能としている。すなわち、入力パッド６１
１とアースパッド６１３、出力パッド６１２とアースパ
ッド６１３をリアクタンスパターンにより所定のインダ
クタンスまたはキャパシタンスで接続することにより、
入力側あるいは出力側のインピーダンスを弾性表面波装
置６０１内部でマッチングできる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構造では、パッケージに設けられた外部電極とダイ
アタッチ部とを接続するマイクロストリップライン（図
８ではインダクタンスパターン６１５）によってインダ
クタンス成分を付加するため、大きなインダクタンス成
分を得ることができない。したがって、従来の弾性表面
波装置では、インダクタンスを付加して、広帯域化およ
び通過帯域近傍における減衰量の増大を図ることが困難
であった。また、マイクロストリップラインでインダク
タンス成分を付加する場合、インピーダンスを大きくす
る必要があるため、線幅が狭くなりロスが大きくなる。

【００１３】しかも、マイクロストリップラインの線幅
にパッケージのロット間でバラツキが生じた場合、弾性
表面波素子に付加されるインダクタンスにバラツキが生
じる。そして、パッケージが同一金型で成型されたもの
である場合、このインダクタンスのバラツキを調整する
ことはできない。

【００１４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、低ロスで安定してインダ
クタンスを付加することができ、当該インダクタンスを
容易に調整できる弾性表面波装置、および、これを搭載
した通信装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、上記の課題を解決するために、圧電基板上に少なく
とも一つの櫛形電極が形成された弾性表面波素子と、該
弾性表面波素子がフェイスダウン工法でバンプにより接
合されるベース基板とを備え、上記ベース基板は、上記
弾性表面波素子が載置される載置領域の内に、上記バン
プが形成される電極パッドを有し、かつ、上記載置領域
の外に、上記電極パッドと導通された中継パッドと、外
部と導通された外部電極と、を有するとともに、上記中
継パッドと上記外部電極とが所定の周波数でインダクタ
ンス成分として働くワイヤによって接続されていること
を特徴としている。

【００１６】上記の構成により、上記弾性表面波装置の
ベース基板では、弾性表面波素子が載置される載置領域
の外において、弾性表面波素子とバンプを介して接合さ
れた電極パッドと導通された中継パッドと、弾性表面波
装置の外部と導通された外部電極との間に、所定の周波
数でインダクタンス成分として働くワイヤが形成されて
いる。

【００１７】これにより、弾性表面波素子をフェイスダ
ウン工法で実装した弾性表面波装置において、ワイヤで
インダクタンス成分を付加することができる。

【００１８】よって、マイクロストリップラインに比べ
て、ワイヤはロスが小さくインピーダンスも高いため、
通過域近傍の減衰量が大きく、また通過帯域幅の広い良
好なフィルタ特性が得られる。また、ワイヤでインダク
タンス成分を付加することができるので、パッケージの
製造バラツキによらず、低ロスで安定したインダクタン
ス成分を付加することが可能となる。

【００１９】また、中継パッドを載置領域から引き出す
ことにより、中継パッド、外部電極、およびワイヤを、
ベース基板の弾性表面波素子が載置される載置領域の外
に形成できるため、載置領域に形成する電極パッドおよ
びバンプの位置や個数が制限されない。この点、フェイ
スダウン工法では、バンプが弾性表面波素子の電気的接
続および機械的固定の双方の機能を有するため、バンプ
の位置や個数に制限が加わると、電気的接続および機械
的固定が十分に行われず、信頼性が低下することとな
る。

【００２０】本発明の弾性表面波装置は、上記の課題を
解決するために、さらに、上記の中継パッドおよび外部
電極の少なくとも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能
な位置を複数有する形状に形成されていることを特徴と
している。

【００２１】上記の構成により、さらに、中継パッドお
よび外部電極の少なくとも何れか一方が複数の位置でワ
イヤと接続可能であるため、ボンディングする位置を変
更することによって、ワイヤの長さすなわちインダクタ
ンス成分を調整することが可能となる。ワイヤと接続可
能な位置を複数有する形状としては、例えば、電極の面
積を大きくすればよい。

【００２２】本発明の弾性表面波装置は、上記の課題を
解決するために、さらに、上記ワイヤが樹脂で封止され
ているとともに、該樹脂が導電膜によって被覆されてい
ることを特徴としている。

【００２３】上記の構成により、さらに、ベース基板の
弾性表面波素子が載置される載置領域の外に形成され
た、中継パッド、外部電極、およびワイヤは、樹脂で封
止されて、ワイヤが固定される。そして、樹脂の表面に
は導電膜が形成されている。

【００２４】これにより、導電膜によって電気的にシー
ルド効果が得られるため、ワイヤのインダクタンスを一
定に保つことが可能となる。もちろん、上記樹脂によっ
て、載置領域の外だけでなく、載置領域の弾性表面波素
子も一体として封止してもよい。

【００２５】本発明の通信装置は、上記の課題を解決す
るために、上記の弾性表面波装置を搭載したことを特徴
としている。

【００２６】上記の構成により、フリップチップ工法で
製造された弾性表面波装置を搭載した通信装置におい
て、広帯域化および通過帯域近傍の減衰量を拡大した優
れたフィルタ特性を、低ロスで実現できる。よって、弾
性表面波装置がフリップチップ工法によって製造できる
ため、弾性表面波装置の小型化、低背化を実現できる。
したがって、このような弾性表面波装置を搭載すること
により、通信装置のフィルタ特性の向上と小型化とを両
立することが可能となる。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
１から図８に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。

【００２８】図２は、本実施の形態に係る弾性表面波装
置１０の概略を示す断面図である。図１は、上記弾性表
面波装置１０のパッケージ内の電極パターンの概略を示
す模式図である。図３は、上記弾性表面波装置１０が備
える弾性表面波素子１１の電極パターンの概略を示す模
式図である。

【００２９】図２に示すように、上記弾性表面波装置１
０は、ベース基板１４と封止樹脂（樹脂）１６とからな
る、板状のパッケージ内に弾性表面波素子１１を収納し
ている。なお、図２では、弾性表面波素子１１はその外
形のみが示されている。

【００３０】上記弾性表面波装置１０では、平板状のベ
ース基板１４の電極形成面のダイアタッチ部（載置領
域）Ｓａ（図１）上に、弾性表面波素子１１が電極形成
面をベース基板１４に対向させて配置され、両者の対応
する電極同士（電極パッド５１〜５３（図１）と電極ラ
ンド２６〜３０（図２））がバンプ１２…（１２ａ〜１
２ｆ（図１））により接合されて、固定されている。ま
た、ベース基板１４の封止部Ｓｂ（図１）の電極同士
（外部電極６１〜６４と中継パッド７１〜７４（図
１））を接続するワイヤ１５（１５ａ〜１５ｄ（図
１））が形成されている。上記の弾性表面波素子１１お
よびワイヤ１５は、これらを覆うようにベース基板１４
上に供給された封止樹脂１６によって封止固定されてい
る。さらに、封止樹脂１６の表面には、電磁シールド性
を付与して、ワイヤ１５のインダクタンスを一定に保つ
ために、金属等の導電膜１７が形成されている。

【００３１】図３に示すように、上記弾性表面波素子１
１は、圧電基板２０の電極形成面上に電極パターンが形
成されている。

【００３２】上記圧電基板２０は、本実施の形態では、
３６°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板により構成され
ている。ただし、上記弾性表面波素子１１は、圧電基板
２０の素材に依存せず、圧電基板２０が他の圧電単結晶
（３８．５°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板，３８〜
４６°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板，６４〜７２°
ＬｉＮｂＯ₃基板等）、あるいはチタンジルコン酸鉛系
セラミックスのような圧電セラミックスなどによって構
成されていてもよい。また、圧電基板２０として、圧電
基板や絶縁基板上にＺｎＯ等からなる圧電性薄膜を形成
した圧電性基板を用いてもよい。

【００３３】また、上記圧電基板２０の電極パターン
は、電極形成面の全面に金属膜を形成した後、フォトリ
ソグラフィ工程およびエッチング工程によって形成され
ている。なお、電極パターンを形成する材料についても
特に限定されないが、本実施の形態ではＡｌを使用して
いる。また、電極形成はフォトリソグラフィー−リフト
オフ法で行ってもよい。

【００３４】上記圧電基板２０の電極形成面には、梯子
型回路構成が実現されている。具体的には、それぞれが
一端子対弾性表面波素子からなる直列腕共振子（櫛形電
極）２１，２２および並列腕共振子（櫛形電極）２３，
２４，２５が形成されている。直列腕共振子２１，２２
および並列腕共振子２３〜２５は、いずれも、１つのＩ
ＤＴ（interdigital transducer （インターデジタル変
換器））と、ＩＤＴの表面波伝搬方向両側に配置された
反射器とを有する。直列腕共振子２１を代表して説明す
ると、直列腕共振子２１は、ＩＤＴ２１ａと、反射器２
１ｂ，２１ｃとを有する。

【００３５】また、圧電基板２０の電極形成面には、電
極ランド２６〜３０が形成されている。電極ランド２６
〜３０は、弾性表面波素子１１を外部と電気的に接続す
るための部分であり、ある程度の面積を有する金属膜に
より構成されている。なお、図３中、電極ランド２６〜
３０上に描かれている円形は、バンプ１２ａ〜１２ｆに
よりベース基板１４と接合される部分を示す。

【００３６】さらに、上記電極ランド２６は、弾性表面
波素子１１の入力端子として用いられる。電極ランド２
６は、導電路３１により第１の直列腕共振子２１の一端
に接続されている。導電路３１は、電極ランド２６と、
直列腕共振子２１の一端と、第１の並列腕共振子２３の
一端とを電気的に接続している。並列腕共振子２３の導
電路３１が接続されている側とは反対側の端部は、導電
路３２を介して電極ランド２７に接続されている。電極
ランド２７は、アース電位に接続される端子である。

【００３７】また、直列腕共振子２１の導電路３１が接
続されている側とは反対側の端部は、導電路３３に接続
されている。導電路３３は、第２の直列腕共振子２２の
一端および第２の並列腕共振子２４の一端にも接続され
ている。第２の並列腕共振子２４の導電路３３が接続さ
れている側とは反対側の端部は、電極ランド２８に接続
されている。電極ランド２８はアース電位に接続される
端子である。

【００３８】また、第２の直列腕共振子２２の導電路３
３が接続されている側とは反対側の端部は、導電路３４
が接続されている。導電路３４は、電極ランド３０およ
び第３の並列腕共振子２５の一端に接続されている。電
極ランド３０は、弾性表面波素子１１の出力端子として
用いられる。並列腕共振子２５の導電路３４に接続され
ている側とは反対側の端部は、導電路３５を介して電極
ランド２９に接続されている。電極ランド２９はアース
電位に接続される端子である。

【００３９】なお、並列腕共振子２３〜２５は、弾性表
面波素子１１上では電気的に分離されているが、ベース
基板１４のダイアタッチ部Ｓａ（図３の電極パッド５
３）において導通がとられるようになっている。

【００４０】このように、弾性表面波素子１１の電極形
成面には、上記第１，第２の直列腕共振子２１，２２お
よび第１〜第３の並列腕共振子２３〜２５が、図４に示
す梯子型回路を構成するように接続されている。なお、
図４におけるインダクタンスＬ１〜Ｌ４については後述
する。

【００４１】図１に示すように、図２に示したベース基
板１４の上面（電極形成面）には電極パターンが形成さ
れている。なお、図１中、電極パッド５１〜５３上に描
かれている円形は、バンプ１２ａ〜１２ｆにより弾性表
面波素子１１と接合される部分を示す。

【００４２】上記ベース基板１４の電極形成面には、上
記電極パターンが例えば電極ペーストを印刷・焼成する
ことにより形成されている。上記べース基板１４の電極
形成面の図１中破線で示す部分が、弾性表面波素子１１
が搭載されるダイアタッチ部Ｓａである。また、破線の
外側の部分、すなわちベース基板１４の電極形成面のう
ち、ダイアタッチ部Ｓａの外周部が封止部Ｓｂである。
なお、弾性表面波素子１１は、当該弾性表面波素子１１
の電極形成面をベース基板１４のダイアタッチ部Ｓａに
対向させて、対応する電極をバンプ１２ａ〜１２ｆで接
合することにより固定される。

【００４３】具体的には、上記ベース基板１４の電極形
成面に形成された電極パターンのうち、電極パッド５
１、５２、５３がダイアタッチ部Ｓａを構成する。電極
パッド５１〜５３は、互いに分離して形成されている。
上記電極パッド５１〜５３のうち、電極パッド５１，５
２は外部の信号ラインに接続される電極パッドであり、
電極パッド５３は外部のアースラインに接続される電極
パッドである。

【００４４】ここで、上記電極パッド５１は、バンプ１
２ａにより、弾性表面波素子１１の電極ランド２６（図
３）に電気的に接続されるとともに、機械的に接合され
る。また、上記電極パッド５２は、バンプ１２ｂを介し
て、弾性表面波素子１１の電極ランド３０（図３）に電
気的に接続されるとともに、機械的に接合される。

【００４５】また、上記電極パッド５３は、バンプ１２
ｃ〜１２ｆを介して、弾性表面波素子１１の電極ランド
２７〜２９（図３）に電気的に接続されるとともに、機
械的に接合される。なお、上記電極パッド５３は、電極
ランド２７〜２９に対応して、互いに分離されていても
よい。

【００４６】また、上記ベース基板１４の電極形成面の
封止部Ｓｂには、外部電極６１，６２，６３，６４が形
成されている。外部電極６１〜６４は、べース基板１４
の電極形成面だけでなく、図２では図示されていない部
分において、ベース基板１４の側面および下面に至るよ
うに形成されている。すなわち、外部電極６１〜６４
は、弾性表面波装置１０（図２）をパッケージの外部と
電気的に接続するための電極として機能する。

【００４７】また、上記ベース基板１４の電極形成面の
封止部Ｓｂには、中継パッド７１，７２，７３，７４が
形成されている。さらに、上記ベース基板１４の電極形
成面には、ダイアタッチ部Ｓａの電極パッド５１と封止
部Ｓｂの中継パッド７１とを電気的に接続する接続配線
８１が形成されている。同様に、電極パッド５２と中継
パッド７２とを電気的に接続する接続配線８２が形成さ
れている。また、電極パッド５３と中継パッド７３，７
４とをそれぞれ電気的に接続する接続配線８３，８４が
形成されている。なお、外部電極６１〜６４および中継
パッド７１〜７４は、互いに分離して形成されている。
また、接続配線８１〜８４は、電極パッド５１〜５４と
中継パッド７１〜７４とを、低ロスで電気的に接続でき
れば良く、上記弾性表面波装置１０においても十分に広
い幅の配線で形成されている。

【００４８】そして、外部電極６１と中継パッド７１と
がワイヤボンディングで形成されたワイヤ１５ａによっ
て接続されている。同様に、外部電極６２と中継パッド
７２とがワイヤ１５ｂによって接続されている。外部電
極６３と中継パッド７３とがワイヤ１５ｃによって接続
されている。外部電極６４と中継パッド７４とがワイヤ
１５ｄによって接続されている。

【００４９】以上より、ベース基板１４の電極形成面で
は、外部電極６１が、ワイヤ１５ａ，中継パッド７１，
接続配線８１を順に介して電極パッド５１に電気的に接
続されている。同様に、外部電極６２が、ワイヤ１５
ｂ，中継パッド７２，接続配線８２を順に介して電極パ
ッド５２に電気的に接続されている。外部電極６３が、
ワイヤ１５ｃ，中継パッド７３，接続配線８３を順に介
して電極パッド５３に電気的に接続されている。外部電
極６４が、ワイヤ１５ｄ，中継パッド７４，接続配線８
４を順に介して電極パッド５３に電気的に接続されてい
る。

【００５０】そして、外部電極６１，６２は、弾性表面
波装置１０の外部の信号端子に接続されている。また、
外部電極６３，６４は、弾性表面波装置１０の外部のア
ース端子に接続されている。

【００５１】ここで、上記ワイヤ１５ａ〜１５ｄは、高
周波においてインダクタンスとして動作するように形成
されている。よって、弾性表面波装置１０では、図４に
示すように、ワイヤ１５ａによりインダクタンスＬ１
が、ワイヤ１５ｂによりインダクタンスＬ２が、ワイヤ
１５ｃによりインダクタンスＬ３が、ワイヤ１５ｄによ
りインダクタンスＬ４が構成されることになる。

【００５２】言い換えれば、上記弾性表面波装置１０で
は、梯子型回路構成を有する各並列腕共振子２３〜２５
とアースラインに接続される外部電極６３，６４との間
に、それぞれ、インダクタンス成分として働くワイヤ１
５ｃ，１５ｄが接続されている。同様に、直列腕共振子
２１，２２と、外部の信号ラインに接続される外部電極
６１，６２との間にも、それぞれ、インダクタンス成分
として働くワイヤ１５ａ，１５ｂが接続されている。

【００５３】ここで、図１および図２に示したように、
上記ベース基板１４では、外部電極６１〜６４および中
継パッド７１〜７４が封止部Ｓｂに形成されている。す
なわち、上記弾性表面波装置１０では、パッケージの封
止面とパッドの形成領域とが共通化されている。したが
って、上記弾性表面波装置１０の構造によれば、パッケ
ージの小型化が可能である。この点、従来のパッケージ
では、封止面とパッドとがそれぞれ独立していたため、
パッケージの小型化が困難であった。

【００５４】つづいて、上記弾性表面波装置１０の具体
的な実施例について説明する。

【００５５】本実施例として、弾性表面波装置１０と同
一の構成を備えた、中心周波数が１８４２．５ＭＨｚ帯
の梯子型フィルタである弾性表面波フィルタ装置を考え
る。具体的には、本実施例は、２個の直列腕共振子２
１，２２および３個の並列腕共振子２３〜２５からなる
梯子型のフィルタ回路（弾性表面波素子１１）を含み、
並列腕共振子２３〜２５を３素子ともダイアタッチ部Ｓ
ａで導通を取り、パッケージの封止部Ｓｂに形成された
中継パッド７１〜７４と、パッケージの外部とつながる
外部電極６１〜６４とをワイヤ１５ａ〜１５ｄで電気的
に接続している。なお、圧電基板２０は３８．５°Ｙｃ
ｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板である。

【００５６】また、本実施例と比較するための比較例と
して、中継パッド７１〜７４およびワイヤ１５ａ〜１５
ｄの代わりに、マイクロストリップラインを使用した弾
性表面波フィルタ装置を考える。

【００５７】なお、上記実施例および比較例において用
いた弾性表面波素子１１の仕様は以下のとおりである。

【００５８】直列腕共振子２１，２２………電極指交差
幅＝３９μｍ、ＩＤＴにおける電極指の対数＝１００、
反射器の電極指の本数＝１００、電極指ピッチ１．０５
μｍ（弾性表面波の波長λ＝２．１１μｍ）。

【００５９】並列腕共振子２３，２５………電極指交差
幅＝４７．５μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝５０、反射
器の電極指の本数＝１００、電極指ピッチ１．１０μｍ
（弾性表面波の波長λ＝２．２０μｍ）。

【００６０】並列腕共振子２４………電極指交差幅＝８
５μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝５０、反射器の電極指
の本数＝１００、電極指ピッチ＝１．１０μｍ（弾性表
面波の波長λ＝２．２０μｍ）。

【００６１】また、実施例において、信号端子に接続さ
れるワイヤ１５ａ，１５ｂによるインダクタンスは１．
０ｎＨであり、アース端子に接続されるワイヤ１５ｃ，
１５ｄによるインダクタンスは０．５ｎＨ程度である。
なお、アース端子に接続されるワイヤ１５ｃ，１５ｄ
は、外部のアース端子に対して並列に接続されているた
め、実際には０．１５ｎＨ程度の共通インダクタンスが
入る計算になる。

【００６２】図５は、本実施例（実線）および比較例
（破線）の弾性表面波フィルタ装置の減衰量−周波数特
性である。

【００６３】図５から明らかなように、減衰量が４ｄＢ
である通過帯域の幅は、比較例では９２ＭＨｚであるの
に対し、本実施例では９７ＭＨｚと広がっている。ま
た、通過帯域近傍の減衰量も、本実施例では低周波側で
大きくなっている。

【００６４】以上のように、上記弾性表面波装置１０
は、弾性表面波素子１１をフェイスダウン工法でパッケ
ージに収納した弾性表面波フィルタであって、弾性表面
波素子１１の端子と、パッケージの外部とつながる端子
との間に、インダクタンスとして動作するワイヤ１５
（１５ａ〜１５ｄ）を挿入したものである。これによ
り、上記弾性表面波装置１０は、通過域近傍の減衰量が
大きく、かつ、通過帯域幅が広い良好なフィルタ特性を
実現している。

【００６５】ここで、ワイヤ１５のインダクタンス成分
は、ワイヤ１５の長さを変更することで調整することが
できる。そこで、上記弾性表面波装置１０では、ワイヤ
１５の長さの変更可能な範囲を広げるために、中継パッ
ド７１〜７４のように、封止部Ｓｂに設ける電極の面積
を大きくすることにより、ボンディングする位置を変更
可能にしている。

【００６６】例えば、図１では、中継パッド７１は、電
極パッド５１の近傍である接続配線８１との接続位置か
ら、ベース基板１４の角部に配設された外部電極６１の
近傍まで延設されている。これにより、ワイヤ１５ａの
中継パッド７１上でのボンディング位置を、中継パッド
７１の延設された長さの範囲で変更することができる。
もちろん、中継パッド７１を延設せずに接続配線８１と
の接続位置のみに設け、外部電極６１をベース基板１４
の角部から中継パッド７１の近傍まで延設しても同様で
ある。また、大面積の中継パッド７１を１つ形成する代
わりに、複数箇所に、外部電極６１との間に形成される
ワイヤ１５ａの長さが互いに異るように、それぞれ電極
パッド５１に接続して形成してもよい。

【００６７】このように、パッケージの封止部Ｓｂに複
数もしくは広い面積の中継パッド７１〜７４を形成する
ことにより、ワイヤ１５ａ〜１５ｄの長さを調整するこ
とができる。なお、図２に示したワイヤ１５のように、
弾性表面波素子１１をまたぐように形成してもよい。例
えば、矩形状の弾性表面波素子１１を対角方向にまたぐ
ようにワイヤ１５を形成すれば、インダクタンス成分を
最大にできる。その際、弾性表面波素子１１の厚みを薄
くすることにより、ワイヤ１５のループを低くすること
ができるので、パッケージの低背化が可能となる。

【００６８】さらに、弾性表面波素子１１のパッケージ
を板状のパッケージすることにより、中継パッド７１〜
７４および外部電極６１〜６４をパッケージの封止領域
に設けることができ、弾性表面波素子１１のパッケージ
すなわち弾性表面波装置１０の小型化が可能となる。

【００６９】また、ワイヤ１５は、ダイアタッチ部Ｓａ
の外側である封止部Ｓｂに、空中に形成されているた
め、弾性表面波素子１１との電磁界的な結合がなく、マ
イクロストリップラインに比べ理想的なインダクタンス
成分を得ることができる。よって、良好なフィルタ特性
が得られる。

【００７０】なお、従来（図８）のように、弾性表面波
素子の載置領域内にインダクタンス成分を構成した構造
では、弾性表面波素子の圧電基板上の配線等とベース基
板の電極とに電磁界的な結合が生じ、フィルタ特性が低
下していた。

【００７１】また、ワイヤ１５は、封止部Ｓｂにダイア
タッチ部Ｓａから外側に引き出されて形成されたワイヤ
ボンディングパッド（中継パッド７１〜７４）上に形成
されるため、ダイアタッチ部Ｓａのバンプ１２…の位置
や個数に全く制限を与えない。よって、十分なバンプ接
合強度を得ることができる。

【００７２】また、封止樹脂１６で封止することによ
り、ワイヤ１５を固定することができる。さらに、ワイ
ヤ１５を封止・固定する封止樹脂１６の表面に導電膜１
７が形成することにより、電気的にシールド効果が得ら
れ、ワイヤ１５のインダクタンスを一定に保つことがで
きる。

【００７３】また、本発明の弾性表面波装置は、少なく
とも一つの櫛形電極を有する圧電基板をフリップチップ
実装してなる弾性表面波装置において、ワイヤボンディ
ングを行うことにより、インダクタンス成分を付加して
構成されていてもよい。

【００７４】また、本発明の弾性表面波装置は、パッケ
ージが板状パッケージであってもよい。

【００７５】また、本発明の弾性表面波装置は、ワイヤ
ボンディングのワイヤが圧電基板の上部をまたいで形成
されていてもよい。

【００７６】また、本発明の弾性表面波装置は、複数の
一端子対弾性表面波素子を交互に並列腕共振子、直列腕
共振子となるように梯子型に構成されたラダー型フィル
タであってもよい。

【００７７】また、本発明の弾性表面波装置は、インダ
クタンス成分として働くワイヤが、圧電基板上の少なく
とも一つの直列腕共振子の信号端子にバンプボンドによ
って接続されるパッケージ側の電極パッドから電気的に
引き出された電極パッド（中継パッド）と、パッケージ
外部の信号端子につながる電極パッド（外部電極）との
間に設けられていてもよい。

【００７８】また、本発明の弾性表面波装置は、インダ
クタンス成分として働くワイヤが、圧電基板上の少なく
とも一つの並列腕共振子のアース端子にバンプボンドに
よって接続されるパッケージ側の電極パッドから電気的
に引き出された電極パッド（中継パッド）と、パッケー
ジ外部のアースにつながる電極パッド（外部電極）との
間に設けられていてもよい。

【００７９】ここで、特にラダー型フィルタは、他のフ
ィルタと異なり、直列共振子（信号ライン）や並列共振
子（アースライン）に理想的なインダクタンス成分を入
れることにより、帯域幅が改善されるという特徴を有す
る。

【００８０】最後に、図６を参照しながら、上記弾性表
面波装置１０を搭載した通信装置１００について説明す
る。

【００８１】上記通信装置１００は、受信を行うレシー
バとして、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏ
ｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１
０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキ
サ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄ
ローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature
compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振
器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１
４を備えて構成されている。また、上記通信装置１００
は、送信を行うトランシーバとして、上記アンテナ１０
１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０
２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキ
サ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カ
プラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic
power control （自動出力制御））１２７を備えて構成
されている。

【００８２】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した弾性表面波装置
１０が好適に利用できる。ここで、上記弾性表面波装置
１０は、フリップチップ工法で製造された弾性表面波装
置であって、インダクタンス成分をワイヤ１５で付加す
ることにより、広帯域化および通過帯域近傍の減衰量を
拡大した優れたフィルタ特性を低ロスで実現している。
よって、このような弾性表面波装置１０を搭載すること
により、上記通信装置１００のフィルタ特性の向上と小
型化、低背化とを両立することが可能となる。したがっ
て、上記弾性表面波装置１０は、特に移動体通信に最適
である。

【００８３】

【発明の効果】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、圧電基板上に少なくとも一つの櫛形電極が形成され
た弾性表面波素子と、該弾性表面波素子がフェイスダウ
ン工法でバンプにより接合されるベース基板とを備え、
上記ベース基板は、上記弾性表面波素子が載置される載
置領域の内に、上記バンプが形成される電極パッドを有
し、かつ、上記載置領域の外に、上記電極パッドと導通
された中継パッドと、外部と導通された外部電極と、を
有するとともに、上記中継パッドと上記外部電極とが所
定の周波数でインダクタンス成分として働くワイヤによ
って接続されている構成である。

【００８４】それゆえ、弾性表面波素子をフェイスダウ
ン工法で実装した弾性表面波装置において、ワイヤでイ
ンダクタンス成分を付加することができる。したがっ
て、通過域近傍の減衰量が大きく、通過帯域幅の広い良
好なフィルタ特性が得られるという効果を奏する。ま
た、パッケージの製造バラツキによらず、低ロスで安定
したインダクタンス成分を付加することが可能となると
いう効果を奏する。

【００８５】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、さらに、上記の中継パッドおよび外部電極の少なく
とも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能な位置を複数
有する形状に形成されている構成である。

【００８６】それゆえ、さらに、中継パッドおよび外部
電極の少なくとも何れか一方が複数の位置でワイヤと接
続可能であるため、ボンディングする位置を変更するこ
とによって、ワイヤの長さすなわちインダクタンス成分
を調整できるという効果を奏する。

【００８７】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、さらに、上記ワイヤが樹脂で封止されているととも
に、該樹脂が導電膜によって被覆されている構成であ
る。

【００８８】それゆえ、さらに、導電膜によって電気的
にシールド効果が得られるため、ワイヤのインダクタン
スを一定に保つことができるという効果を奏する。

【００８９】本発明の通信装置は、以上のように、上記
弾性表面波装置を搭載した構成である。

【００９０】それゆえ、フリップチップ工法で製造され
た弾性表面波装置を搭載した通信装置において、広帯域
化および通過帯域近傍の減衰量を拡大した優れたフィル
タ特性を、低ロスで実現できる。よって、弾性表面波装
置がフリップチップ工法によって製造できるため、弾性
表面波装置の小型化、低背化を実現できる。したがっ
て、このような弾性表面波装置を搭載することにより、
通信装置のフィルタ特性の向上と小型化とを両立するこ
とが可能となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
ベース基板に形成される電極パターンの概略を示す模式
図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
断面図である。

【図３】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
弾性表面波素子に形成される電極パターンの概略を示す
模式図である。

【図４】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
回路図である。

【図５】実施例および比較例の電気的特性を示す説明図
である。

【図６】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置を
搭載した通信装置の概略を示すブロック図である。

【図７】従来の弾性表面波装置の断面図である。

【図８】従来の弾性表面波装置のベース基板に形成され
る電極パターンの概略を示す模式図である。

【符号の説明】

１０弾性表面波装置１１弾性表面波素子１２（１２ａ〜１２ｆ）バンプ１４ベース基板１５（１５ａ〜１５ｄ）ワイヤ１６封止樹脂（樹脂）１７導電膜２０圧電基板２１，２２直列腕共振子（櫛形電極）２３，２４，２５並列腕共振子（櫛形電極）５１，５２，５３電極パッド６１，６２，６３，６４外部電極７１，７２，７３，７４中継パッド１００通信装置Ｓａダイアタッチ部（載置領域）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5J097 AA16 AA19 AA29 AA33 CC05 DD25 FF02 GG03 GG04 JJ03 JJ08 JJ09 KK04 KK10 LL01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に少なくとも一つの櫛形電極が
形成された弾性表面波素子と、該弾性表面波素子がフェイスダウン工法でバンプにより
接合されるベース基板とを備え、上記ベース基板は、上記弾性表面波素子が載置される載置領域の内に、上記
バンプが形成される電極パッドを有し、かつ、上記載置領域の外に、上記電極パッドと導通され
た中継パッドと、外部と導通された外部電極と、を有す
るとともに、上記中継パッドと上記外部電極とが所定の周波数でイン
ダクタンス成分として働くワイヤによって接続されてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】上記の中継パッドおよび外部電極の少なく
とも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能な位置を複数
有する形状に形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】上記ワイヤが樹脂で封止されているととも
に、該樹脂が導電膜によって被覆されていることを特徴
とする請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】請求項１から３の何れか１項に記載の弾性
表面波装置を搭載したことを特徴とする通信装置。