JP2003004566A - 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 任意の圧力範囲の測定に最適な感度を有する
静電容量型圧力センサを、１組のフォトマスクにより種
々製造可能な製造方法を提供するとともに、量産性に優
れ、測定精度の高い静電容量型圧力センサを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 対向配置された固定電極とダイヤフラム
電極を有する静電容量型圧力センサ及びその製造方法に
おいて、開口を有し該開口を塞ぐ導電性部材が絶縁体を
介して取り付けられた導電性の支持体と、凹部が形成さ
れ該凹部内に固定電極が形成された絶縁性基板とが、前
記凹部及び前記開口が重なり合うように接合され、前記
導電性部材と前記支持体とが電気的に連結されるととも
に、前記固定電極と前記支持体とにそれぞれ接続する配
線が前記絶縁性基板を貫通して形成され、前記開口部の
導電性部材がダイヤフラム電極として作用する構成とし
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は静電容量型圧力セン
サ及びその製造方法に係り、特にマイクロマシニング技
術を用いた圧力センサの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロマシニング技術の発展に
より様々なマイクロマシンの開発が進められている。こ
の技術は、例えば半導体デバイスの製造技術である成
膜、フォトリソグラフィ、接合などを組み合わせ、種々
のデバイス、部品等の作製に応用する技術であり、静電
容量型圧力センサもこの技術を用いて作製することがで
きる。以下、図６及び図７を参照して従来の静電容量型
圧力センサについて説明する。

【０００３】この圧力センサは、ガラス基板１と、ダイ
ヤフラム電極３及びその支持体４からなるシリコン基板
２とが、支持体４上面部で接合されており、ガラス基板
１、ダイヤフラム電極３及び支持体４によって密封され
た空間（基準圧力室）５が形成されている。基準圧力室
５内には、ダイヤフラム電極３と対向した位置にダイヤ
フラム電極３とほぼ同一面積の固定電極６が配置され、
また、支持体４上方に基準圧力室５内を低圧に維持する
ためのゲッタ７が配置されている。電極パッド１０ａ、
１０ｂは、ガラス基板１を貫通して設けられた第一配線
１１ａ、第二配線１１ｂを介して固定電極６、支持体４
の夫々と電気的に接続されている。圧力センサは、ケー
シング８内にＯリングなどのシール部材９を介してガラ
ス基板１の周縁部で圧接されるように取り付けられる。
また、電極パッド１０ａ、１０ｂを図示しない計測器に
接続される。基準圧力室５と測定領域１２との圧力差に
応じてダイヤフラム電極３が変形し、この変形に伴うダ
イヤフラム電極３と固定電極６の両電極間の静電容量が
変化して、その変化量から測定領域１２の圧力を求める
ことができる。

【０００４】上記圧力センサのダイヤフラム電極３及び
支持体４は一枚のシリコン基板２を加工して作製される
ため一体型の構成である。その加工方法の一例を図７に
示す。すなわち、シリコン基板２の第一面側に例えばボ
ロン（Ｂ）などの不純物をドープし、通常のシリコン
（Ｓｉ）とはエッチング選択比が異なる拡散層２２を形
成する。この拡散層２２は例えば２〜８μｍ程度の厚さ
である（図７（ａ））。このシリコン基板２の第二面上
に、フォトリソグラフィ手段を用いてマスク２３を形成
する（図７（ｂ））。次に、シリコン基板２の第二面側
をエチレンジアミンピロカテコール水溶液（ＥＰＷ）な
どのエッチング液に浸して異方性エッチングを施す。シ
リコン基板２はマスク２３が形成された部分以外でエッ
チングが進み、このエッチングされた部分で第一面側に
形成された拡散層２２を露出させる（図７（ｃ））。そ
して、マスク２３を除去する（図７（ｄ））。このダイ
ヤフラム電極３と支持体４が一体となったシリコン基板
２は、支持体４の拡散層２２側で図６のごとく構成され
たガラス基板１と陽極接合される。

【０００５】ここで、上記のような圧力センサは、単一
のガラス基板とシリコン基板から一度に複数個の圧力セ
ンサを製造することができる。この場合、例えばボロン
（Ｂ）などの不純物をドープする前に、フォトリソグラ
フィ手段を用いてダイヤフラム電極となる領域以外の領
域にマスクを形成し、その後、第一面側からボロンなど
をドープして所定の領域内に拡散層を形成する。なお、
このマスクの除去はガラス基板とシリコン基板を陽極接
合する前に適宜行えばよい。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】静電容量型圧力センサ
の測定可能な圧力範囲は、その圧力センサのダイヤフラ
ム電極の厚みや面積によって決まる。低い圧力範囲を測
定対象とする場合には、ダイヤフラム電極を薄くする
か、その面積を大きくすればよい。逆に、高い圧力範囲
を測定対象とする場合には、ダイヤフラム電極を厚くす
るか、その面積を小さくすればよい。

【０００７】しかし、ダイヤフラム電極の面積によって
測定対象となる圧力範囲を決める場合、低い圧力範囲の
ものはダイヤフラム電極を大きくするために圧力センサ
自身も大型化する。これは、単一のガラス基板とシリコ
ン基板から一度に製造できる圧力センサが少なくなるな
どの問題がある。また、高い圧力範囲を測定対象とする
ものはダイヤフラム電極及びこれと対向配置された固定
電極の面積を小さくするために両電極間の静電容量の絶
対値及び圧力変化に応じて変化する静電容量の値が小さ
くなる。これは、感度低下を招き、高い精度での圧力測
定が困難となるなどの問題があった。面積によって測定
対象とする圧力範囲を決める圧力センサは、いずれの場
合においても、その測定対象とする圧力範囲に合わせて
その都度フォトマスクや個々の圧力センサの寸法を変更
しなければならならず、この変更により設計コスト或い
は製造コストの上昇を余儀なくされていた。

【０００８】一方、ダイヤフラム電極の厚みを変更して
測定対象とする圧力範囲を決める圧力センサは、高い圧
力を測定対象とする場合、シリコン基板の拡散層を厚く
するためにその拡散時間を長くする必要がある。ボロン
拡散層を形成する方法は、窒化ホウ素（ＢＮ）を高温加
熱してボロン（Ｂ）のみを気化（放出）させ、これをシ
リコンウェハ上層に堆積、拡散する方法が代表的であ
る。例えば１０μｍ程度のボロン拡散層を形成には１４
時間程度の拡散時間を要し、２０μｍ程度のボロン拡散
層に至っては６０時間程度の拡散時間を必要とする。し
かし、実際に２０μｍ以上のボロン拡散層を形成するこ
とは、ボロンなどの拡散源を長時間供給することの安定
性や、拡散装置（拡散炉）の耐久性などの点から非常に
困難である。

【０００９】本発明は上述の問題を鑑み、任意の圧力範
囲の測定に最適な感度を有する静電容量型圧力センサ
を、１組のフォトマスクにより種々製造可能な製造方法
を提供するとともに、量産性に優れ、測定精度の高い静
電容量型圧力センサを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、次
のように構成される。即ち、対向配置された固定電極と
ダイヤフラム電極を有し、当該ダイヤフラム電極が外力
によって変形され、この変形に応じて変化する前記固定
電極と前記ダイヤフラム電極の間の静電容量によって圧
力を求める静電容量型圧力センサの製造方法において、
絶縁性基板に凹部を形成し、該凹部内に固定電極を形成
する工程と、第一導電層、絶縁層及び第二導電層が積層
された構造を有する積層型基板における所定の領域の前
記第一導電層及び前記絶縁層の周辺を除去する工程と、
前記領域内における前記第二導電層を周縁部を残して除
去する工程と、前記領域の第一導電層と前記第二導電層
を電気的に接続する配線を形成する工程と、前記領域の
第一導電層と前記固定電極とを向い合せかつ前記凹部を
塞ぐように、前記絶縁性基板と前記第二導電層とを接合
する工程と、からなることを特徴とする。あるいは、絶
縁性基板に凹部を形成し、該凹部内に固定電極を形成す
る工程と、第一導電層、絶縁層及び第二導電層が積層さ
れた構造を有する積層型基板の所定の領域の前記第二導
電層を除去する工程と、前記第二導電層の除去された領
域と前記凹部とを重なり合わせかつ前記凹部を塞ぐよう
に、前記第一導電層と前記絶縁性基板とを接合する工程
と、からなることを特徴とする。

【００１１】積層型基板を用いることにより、ダイヤフ
ラムとして働く第一導電層の厚みは、研磨等によりを容
易に変えることができるため、測定対象とする圧力範囲
に合わせた種々の静電容量型圧力センサを簡単に作製す
ることが可能となる。従って、拡散層を形成する工程を
省くことができるため生産性が大幅に向上する。このよ
うな積層型基板としては、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏ
ｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型の基板が好適に用いられ
る。これは、２枚の単結晶シリコンを、その酸化膜を介
して結合した構造のシリコン基板であり、半導体製造プ
ロセスを利用するマイクロマシニング技術にとっても有
効な材料である。

【００１２】以上の方法において、前記第二導電層が除
去された領域の前記絶縁層を除去する工程を付加すると
よい。これにより、一層感度の高い圧力測定が可能とな
るとともに、例えば、ダイヤフラム電極の変形が大きい
場合でも、絶縁層の剥離に起因する測定精度の低下を抑
え、より信頼性の高い圧力測定が可能となる。さらに、
アウトガスの低減を図ることができる。

【００１３】また、本発明の製造方法は、対向配置され
た固定電極とダイヤフラム電極を有し、当該ダイヤフラ
ム電極が外力によって変形され、この変形に応じて変化
する前記固定電極と前記ダイヤフラム電極の間の静電容
量によって圧力を求める静電容量型圧力センサの製造方
法において、第一の絶縁性基板と導電性基板とを接合す
る工程と、前記導電性基板を中央部の固定電極と、これ
を囲む周辺部に分離する工程と、第二の絶縁性基板に凹
部を形成する工程と、第一導電層、絶縁層及び第二導電
層が積層された構造を有する積層型基板の前記第一導電
層と、前記第二の絶縁性基板の前記凹部の反対側の面と
を接合する工程と、前記第二導電層を除去し、続いて前
記凹部上部の第一導電層を残して前記絶縁層及び前記第
一導電層を除去する工程と、前記第一導電層に接続し、
周辺に延びる配線を形成する工程と、前記第二の絶縁性
基板と前記導電性基板とを、前記固定電極と前記第一導
電層とを向かい合わせ、かつ前記導電性基板と前記配線
とが接触するように、接合する工程と、からなることを
特徴とする。

【００１４】一方、本発明に係る静電容量型圧力センサ
は次のように構成される。すなわち、対向配置された固
定電極とダイヤフラム電極を有し、このダイヤフラム電
極が外力によって変形され、この変形に応じて変化する
固定電極とダイヤフラム電極の間の静電容量によって圧
力を求める静電容量型圧力センサにおいて、ダイヤフラ
ム電極は、少なくとも固定電極との対向面が導電性を有
する部材であって、かつこの圧力センサを構成する各部
材と独立した弾性部材からなることで特徴づけられる。

【００１５】具体的には、開口を有し該開口を塞ぐ導電
性部材が絶縁体を介して取り付けられた導電性の支持体
と、凹部が形成され該凹部内に固定電極が形成された絶
縁性基板とが、前記凹部及び前記開口が重なり合いかつ
前記凹部を塞ぐように接合され、前記導電性部材と前記
支持体とが電気的に連結されるとともに、前記固定電極
と前記支持体とにそれぞれ接続する配線が前記絶縁性基
板を貫通して形成され、前記開口部の導電性部材がダイ
ヤフラム電極として作用することを特徴とする。

【００１６】また、他の構成としては、開口を有し該開
口を塞ぐ導電性部材が絶縁体を介して取り付けられた導
電性の支持体と、凹部が形成され該凹部内に固定電極が
形成された絶縁性基板とからなり、前記導電性部材と前
記絶縁性基板とが前記凹部及び前記開口が重なり合いか
つ前記凹部を塞ぐように接合され、前記固定電極と前導
電性部材とにそれぞれ接続する配線が前記絶縁性基板を
貫通して形成され、前記開口部の導電性部材がダイヤフ
ラム電極として作用することを特徴とする。

【００１７】さらにまた、固定電極が形成された第一の
絶縁性基板と、開口を有し該開口を塞ぐ導電性部材が取
り付けられた第二の絶縁性基板とが、該第二の絶縁性基
板の開口よりも大きい開口を有する導電性基板を介し
て、前記固定電極と前記導電性部材と向い合うように接
合され、前記導電性基板と前記導電性部材とが電気的に
接続されるとともに、前記固定電極と前記導電性基板と
にそれぞれ接続する配線が前記第一の絶縁性基板を貫通
して形成され、前記開口部の導電性部材がダイヤフラム
電極として作用することを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
実施の形態について説明する。なお、図６及び図７で説
明した実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明
を省略する。

【００１９】図１（ａ）は本発明に係る静電容量型圧力
センサの一例を示す概略斜視図であり、図１（ｂ）はそ
の断面図である。図１に示すごとく、この圧力センサ
は、第一配線１１ａと第二配線１１ｂを備えた絶縁性基
板（パイレックス（登録商標）ガラス等）１と、シリコ
ン基板からなる導電性の支持体４とを接合した構成であ
る。支持体４は開口を有し、この開口は絶縁物３１を介
して接合された弾性を有する導電性部材３０によって閉
塞されている。この支持体４の開口から露出している導
電性部材３０がダイヤフラム電極３である。また、導電
性部材３０とシリコン基板３２は配線部材３３によって
電気的に接続されている。一方、絶縁性基板１には凹部
が形成されており、この凹部は導電性部材３０及び支持
体４によって密封され、基準圧力室５を形成している。
基準圧力室５内には、ダイヤフラム電極３と対向した位
置にダイヤフラム電極３とほぼ同一面積の固定電極６が
配置され、また、支持体４上に基準圧力室５内を低圧に
維持するためのゲッタ７が配置されている。電極パッド
１０ａ、１０ｂは、絶縁性基板１を貫通して設けられた
第一配線１１ａ、第二配線１１ｂを介して固定電極６、
支持体４の夫々と電気的に接続されている。このセンサ
は、ケーシング８内にＯリングなどのシール部材９を介
して絶縁性基板１の周縁部で圧接されるように取り付け
られる。また、電極パッド１０ａ、１０ｂを図示しない
計測器に接続する。これにより、基準圧力室５と測定領
域１２との圧力差に応じてダイヤフラム電極３が変形
し、この変形に伴うダイヤフラム電極３と固定電極６の
両電極間の静電容量が変化し、その変化量から測定領域
１２の圧力を求めることができる。

【００２０】上記圧力センサの製造には、第一導電層及
び第二導電層の２枚の導電層が絶縁層を介して結合され
た積層型基板が用いられる。好適には、第一導電層及び
第二導電層を単結晶シリコンとし、絶縁層をその酸化膜
で構成したＳＯＩ基板などを用いるとよい。以下、その
製造方法を図２を参照して説明する。第一導電層３０及
び第二導電層３２は単結晶シリコンであり、その間に介
在する絶縁層はシリコン酸化膜である（図２（ａ））。
このようなＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板と表面に酸化膜が形
成されたＳｉ基板とを接合した後、一方のＳｉ基板をＣ
ＭＰ（化学的機械研磨法）等により測定圧力範囲に応じ
て所定の厚さに研磨して作製される。また、導電層の比
抵抗としては、０．０１Ω・ｃｍ以下のものが好適に用
いられる。第一導電層３０と第二導電層３２の表面にシ
リコン酸化膜３４及び３５を形成し、第一導電層３０上
のシリコン酸化膜３４を、通常のフォトリソグラフィ手
段を用いてパターニングする（図２（ｂ））。このシリ
コン酸化膜３４をマスクとし、水酸化テトラメチルアン
モニウム（ＴＭＡＨ）などの酸化膜に対するシリコンの
エッチング選択比が高いエッチング液を使用して第一導
電層３０の一部をエッチング除去する（図２（ｃ））。
第二導電層３２上のシリコン酸化膜３５のパターニング
後、第一導電層３０上のマスク３４、及び絶縁層３１の
露出した部分をエッチング除去する（図２（ｄ））。第
一導電層３０と第二導電層３２を電気的に接続するため
に配線３３を形成し、これらを凹部内部に挿入し、固定
電極６、第一配線１１ａ、第二配線１１ｂ、電極１０
ａ、１０ｂを備えた絶縁性基板１と、その間にゲッタ７
を挿入しながら真空中で陽極接合して、真空封止された
基準圧力室５を形成する（図２（ｅ））。第二導電層３
２をエチレンジアミンピロカテコール水溶液（ＥＰＷ）
や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などに浸し、第二導電層３
２の一部をエッチング除去した後、これをフッ酸などに
浸して第二導電層３２上のマスク３５及び露出した絶縁
層３１をエッチング除去する（図２（ｆ））。

【００２１】この方法によれば、測定対象とする圧力範
囲が高く、例えばボロン（Ｂ）拡散法では困難であった
ダイヤフラム電極の厚い静電容量型圧力センサを、容易
に作製することができる。即ち、ダイヤフラム電極の厚
みは設計時に任意に選択可能であり、その測定対象とす
る圧力範囲ごとに製造工程を変更するなどのコスト上昇
の要因を取除き、量産性を向上させることができる。な
お、図２では、第二導電層のエッチングは接合後に行っ
たが、接合前に行っても良い。また、図１のセンサで
は、導電性部材（第一導電層）３０をパターニングし、
支持体４と絶縁性基板１とを接合する構成としたが、導
電性部材３０のパターニングを行わず、図３に示すよう
に、導電性部材３０と絶縁性基板１を接合する構成とし
ても良い。

【００２２】図４に本発明の第二の実施形態を示す。本
実施形態の圧力センサは、固定電極６が形成された第一
の絶縁性基板１ａと、導電性基板３２と、ダイヤフラム
３０が形成された第二の絶縁性基板１ｂとにより基準圧
力室５を形成する構成としたものである、このセンサの
製造方法を図５に示す。第二の絶縁性基板（パイレック
ス（登録商標）ガラス等）１ｂに金属膜３７を形成し、
パターニングする（図５（ａ））。続いて、金属膜３７
をマスクとして絶縁性基板を所定の厚さエッチングした
後、上面の金属膜を除去する（図５（ｂ））。所定の厚
さの第一導電層（Ｓｉ）３０、絶縁層（ＳｉＯ_２）３１
及び第二導電層（Ｓｉ）からなるＳＯＩ基板を、第一導
電層３０と第二の絶縁性基板１ｂの上面とを重ね、陽極
接合法により接合する（図５（ｃ））。第二導電層３２
の全てをエッチングにより除去した後、絶縁層３１及び
第一導電層３０のパターニングを行う（図５（ｄ））。
続いて、絶縁層３１を除去し、周辺に延びる配線３３を
形成する（図５（ｅ））。一方、導電性基板（Ｓｉ）３
２に酸化膜を形成し、酸化膜３９のパターニングを行う
（図５（ｆ））。酸化膜３９をマスクとして、Ｓｉの異
方性エッチングを行った後、再び酸化膜の形成・パター
ニングにより、固定電極となるＳｉ上に酸化膜のパター
ン４０を形成する（図５（ｇ））。次に、導電性基板３
２上に、配線用孔が形成された第一の絶縁性基板（パイ
レックス（登録商標）ガラス等）１ａを陽極接合する
（図５（ｈ））。配線１１ａ，１１ｂの埋め込み、電極
パッド１０ａ、１０ｂの形成を行った後（図５
（ｉ））、Ｓｉのエッチングを行って、固定電極６とそ
れを囲む導電性基板３２とを分離する（図５（ｊ））。
続いて、第二の絶縁性基板１ｂの上に、導電性基板３２
を重ね、陽極接合法により接合する（図５（ｋ））。最
後に、絶縁性基板１ｂのダイヤフラム真下の部分を除去
し、さらに金属膜３７を除去してセンサを完成する（図
５（ｌ））。

【００２３】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、各構成及び配置関係は本発明が理解できる程度に
概略的に示したものに過ぎず、また各構成の組成（材
質）については例示に過ぎない。従って、本発明は上述
の実施の形態に限定されず、特許請求の範囲の記載に基
づいて様々な形態に変更可能である。

【００２４】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よると、ダイヤフラム電極の厚みを変更して設計するこ
とで所望な測定対象とする圧力範囲を容易に得ることが
でき、この圧力範囲に応じた静電容量型圧力センサの量
産性を向上させることができる。また、この圧力センサ
の製造工程を簡略化するなどの効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の静電容量型圧力センサの一例を示す概
略図である。

【図２】図１に示した静電容量型圧力センサの製造工程
の一例を示す概略図である。

【図３】本発明の静電容量型圧力センサ他の例を示す概
略図である。

【図４】本発明の静電容量型圧力センサ他の例を示す概
略図である。

【図５】図４に示した静電容量型圧力センサの製造工程
の一例を示す概略図である。

【図６】従来の静電容量型圧力センサを示す概略断面図
である。

【図７】従来の静電容量型圧力センサの製造工程を示す
概略図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板、 ２ シリコン基板、 ３ ダイヤフラム電極、 ４ 支持体、 ５ 基準圧力室、 ６ 固定電極、 ７ ゲッタ、 ８ ケース、 ９ シール部材、 １０ａ、１０ｂ 電極パッド、 １１ａ、１１ｂ 配線、 ２２ 拡散層、 ２３ マスク、 ３０ 第一導電層、 ３１ 絶縁層、 ３２ 第二導電層、 ３３ 配線部材、 ３４、３５ マスク、 ３７ 金属膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB01 CC02 DD05 EE25 FF43 GG01 4M112 AA01 CA03 CA04 CA05 CA06 CA11 CA13 CA15 DA04 DA05 DA07 DA12 EA03 EA06 EA11 EA13 FA01

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向配置された固定電極とダイヤフラム
   電極を有し、当該ダイヤフラム電極が外力によって変形
   され、この変形に応じて変化する前記固定電極と前記ダ
   イヤフラム電極の間の静電容量によって圧力を求める静
   電容量型圧力センサにおいて、 前記ダイヤフラム電極は、少なくとも前記固定電極との
   対向面が導電性を有する部材であって、かつ当該圧力セ
   ンサを構成する各部材と独立した弾性部材からなること
   を特徴とする静電容量型圧力センサ。
2. 【請求項２】 開口を有し該開口を塞ぐ導電性部材が絶
   縁体を介して取り付けられた導電性の支持体と、凹部が
   形成され該凹部内に固定電極が形成された絶縁性基板と
   が、前記凹部及び前記開口が重なり合いかつ前記凹部を
   塞ぐように接合され、前記導電性部材と前記支持体とが
   電気的に連結されるとともに、前記固定電極と前記支持
   体とにそれぞれ接続する配線が前記絶縁性基板を貫通し
   て形成され、前記開口部の導電性部材がダイヤフラム電
   極として作用することを特徴とする請求項１に記載の静
   電容量型圧力センサ。
3. 【請求項３】 開口を有し該開口を塞ぐ導電性部材が絶
   縁体を介して取り付けられた導電性の支持体と、凹部が
   形成され該凹部内に固定電極が形成された絶縁性基板と
   からなり、前記導電性部材と前記絶縁性基板とが前記凹
   部及び前記開口が重なり合いかつ前記凹部を塞ぐように
   接合され、前記固定電極と前導電性部材とにそれぞれ接
   続する配線が前記絶縁性基板を貫通して形成され、前記
   開口部の導電性部材がダイヤフラム電極として作用する
   ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力セン
   サ。
4. 【請求項４】 固定電極が形成された第一の絶縁性基
   板と、開口を有し該開口を塞ぐ導電性部材が取り付けら
   れた第二の絶縁性基板とが、該第二の絶縁性基板の開口
   よりも大きい開口を有する導電性基板を介して、前記固
   定電極と前記導電性部材と向い合うように接合され、前
   記導電性基板と前記導電性部材とが電気的に接続される
   とともに、前記固定電極と前記導電性基板とにそれぞれ
   接続する配線が前記第一の絶縁性基板を貫通して形成さ
   れ、前記開口部の導電性部材がダイヤフラム電極として
   作用することを特徴とする請求項１に記載の静電容量型
   圧力センサ。
5. 【請求項５】 対向配置された固定電極とダイヤフラム
   電極を有し、当該ダイヤフラム電極が外力によって変形
   され、この変形に応じて変化する前記固定電極と前記ダ
   イヤフラム電極の間の静電容量によって圧力を求める静
   電容量型圧力センサの製造方法において、 絶縁性基板に凹部を形成し、該凹部内に固定電極を形成
   する工程と、 第一導電層、絶縁層及び第二導電層が積層された構造を
   有する積層型基板における所定の領域の前記第一導電層
   及び前記絶縁層の周辺を除去する工程と、 前記領域内における前記第二導電層を周縁部を残して除
   去する工程と、 前記領域の第一導電層と前記第二導電層を電気的に接続
   する配線を形成する工程と、 前記領域の第一導電層と前記固定電極とを向い合せかつ
   前記凹部を塞ぐように、前記絶縁性基板と前記第二導電
   層とを接合する工程と、からなることを特徴とする静電
   容量型圧力センサの製造方法。
6. 【請求項６】 対向配置された固定電極とダイヤフラム
   電極を有し、当該ダイヤフラム電極が外力によって変形
   され、この変形に応じて変化する前記固定電極と前記ダ
   イヤフラム電極の間の静電容量によって圧力を求める静
   電容量型圧力センサの製造方法において、 絶縁性基板に凹部を形成し、該凹部内に固定電極を形成
   する工程と、 第一導電層、絶縁層及び第二導電層が積層された構造を
   有する積層型基板の所定の領域の前記第二導電層を除去
   する工程と、 前記第二導電層の除去された領域と前記凹部とを重なり
   合わせかつ前記凹部を塞ぐように、前記第一導電層と前
   記絶縁性基板とを接合する工程と、からなることを特徴
   とする静電容量型圧力センサの製造方法。
7. 【請求項７】 前記第二導電層が除去された領域の前記
   絶縁層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項５
   又は６に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
8. 【請求項８】 対向配置された固定電極とダイヤフラム
   電極を有し、当該ダイヤフラム電極が外力によって変形
   され、この変形に応じて変化する前記固定電極と前記ダ
   イヤフラム電極の間の静電容量によって圧力を求める静
   電容量型圧力センサの製造方法において、 第一の絶縁性基板と導電性基板とを接合する工程と、 前記導電性基板を中央部の固定電極と、これを囲む周辺
   部に分離する工程と、第二の絶縁性基板に凹部を形成す
   る工程と、 第一導電層、絶縁層及び第二導電層が積層された構造を
   有する積層型基板の前記第一導電層と、前記第二の絶縁
   性基板の前記凹部の反対側の面とを接合する工程と、 前記第二導電層を除去し、続いて前記凹部上部の第一導
   電層を残して前記絶縁層及び前記第一導電層を除去する
   工程と、 前記第一導電層に接続し、周辺に延びる配線を形成する
   工程と、 前記第二の絶縁性基板と前記導電性基板とを、前記固定
   電極と前記第一導電層とを向かい合わせ、かつ前記導電
   性基板と前記配線とが接触するように、接合する工程
   と、からなることを特徴とする静電容量型圧力センサの
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記積層型基板がＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
   ｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であることを特
   徴とする請求項５〜８いずれか1項に記載の静電容量型
   圧力センサの製造方法。