JP2003060009A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing methodInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】占有面積が小さくしかも稼働効率が高い基板処
理装置を提供する。
【解決手段】カセットローダ室10に連結モジュール3
00を取り外し可能に取り付ける。連結モジュール30
0を互いに離間して鉛直方向に積み重ねる。各連結モジ
ュール300では、外ゲートバルブ62、ロードロック
室52、ゲートバルブ64、搬送室54、ゲートバルブ
66及び反応処理室56をカセットローダ室10からこ
の順に連結配置する。複数の連結モジュール300を鉛
直方向に積み重ねて設けているから、占有面積を増加さ
せない。複数の連結モジュール300を、互いに離間し
て、それぞれが取り外し可能に取り付けられているか
ら、あるモジュールをメンテナンスのために容易に取り
外すことができ、その間他の連結モジュール300を稼
働させることができ、装置1の稼働効率が大幅に向上す
る。
(57) [Problem] To provide a substrate processing apparatus having a small occupied area and high operating efficiency. A connecting module (3) is provided in a cassette loader room (10).
00 is removably attached. Connection module 30
0 are stacked vertically apart from each other. In each connection module 300, the outer gate valve 62, the load lock chamber 52, the gate valve 64, the transfer chamber 54, the gate valve 66, and the reaction processing chamber 56 are connected and arranged in this order from the cassette loader chamber 10. Since the plurality of connection modules 300 are provided in a stack in the vertical direction, the occupied area is not increased. Since the plurality of connection modules 300 are separated from each other and are removably mounted, a certain module can be easily removed for maintenance, and the other connection modules 300 can be operated during that time. The operation efficiency of the device 1 is greatly improved.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置および
基板処理方法に関し、特に半導体ウェーハ処理装置に関
し、そのなかでも特に、プラズマエッチング装置、プラ
ズマCVD(Chemical Vapor Deposition )装置、プラ
ズマアッシング装置等、プラズマを利用して半導体ウェ
ーハを処理する半導体ウェーハ処理装置および半導体ウ
ェーハ処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a semiconductor wafer processing apparatus, among which a plasma etching apparatus, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, a plasma ashing apparatus, etc. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method for processing a semiconductor wafer using the semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】図20は、従来のプラズマを利用した半
導体ウェーハ処理装置のうち、プラズマCVD装置50
0の一例を示したものである。2. Description of the Related Art FIG. 20 shows a plasma CVD apparatus 50 of a conventional semiconductor wafer processing apparatus utilizing plasma.
0 is an example.
【0003】搬送ロボット570を内蔵したロードロッ
ク室510の周辺にゲート弁562、564、566、
542をそれぞれ介して反応室552、554、冷却室
556、カセット室520の各ユニットが設けられてい
る。それぞれのユニットは気密構造になっている。ロー
ドロック室510にはカセット530を出し入れするた
めの外ゲート弁544が別に設けられている。このプラ
ズマCVD装置500では、反応室552、554が2
個設けられているが、これは時間当たりのウェハ処理枚
数つまりスループットを大きくするためである。Gate valves 562, 564, 566 are provided around a load lock chamber 510 containing a transfer robot 570.
Respective reaction chambers 552 and 554, a cooling chamber 556, and a cassette chamber 520 are provided via the respective units 542. Each unit has an airtight structure. An external gate valve 544 for loading / unloading the cassette 530 is separately provided in the load lock chamber 510. In this plasma CVD apparatus 500, the number of reaction chambers 552 and 554 is 2
The number of wafers to be processed, that is, the throughput is increased.
【0004】図中ハッチングしてある部分は、反応室5
52、554等のメンテナンススペース580である。The hatched portion in the figure is the reaction chamber 5.
A maintenance space 580 such as 52 and 554.
【0005】次に動作を説明する。Next, the operation will be described.
【0006】ロードロック室510、反応室552、5
54、冷却室556は図示しない排気ポンプで排気し、
常時減圧状態に保たれている。Load lock chamber 510, reaction chambers 552, 5
54 and the cooling chamber 556 are exhausted by an exhaust pump (not shown),
It is always kept under reduced pressure.
【0007】カセット室520が大気圧状態の時に外ゲ
ート弁544を開き、ウェーハ5が複数枚セットされた
カセット530をセットし、外ゲート弁544を閉じた
後、図示しない排気ポンプで排気する。When the cassette chamber 520 is in the atmospheric pressure state, the outer gate valve 544 is opened, the cassette 530 in which a plurality of wafers 5 are set is set, the outer gate valve 544 is closed, and then exhaust is performed by an exhaust pump (not shown).
【0008】カセット室520とロードロック室510
の圧力がほぼ同圧力になった時点で、ロードロック室5
10と反応室552(554)間のゲート弁562(5
64)を開き、ロードロック室510内の搬送ロボット
570でカセット530内のウェーハ5を反応室552
または554に搬送してウェーハ5を処理する。Cassette chamber 520 and load lock chamber 510
Load lock chamber 5
10 and the reaction chamber 552 (554) between the gate valve 562 (5
64) is opened, and the wafer 5 in the cassette 530 is moved to the reaction chamber 552 by the transfer robot 570 in the load lock chamber 510.
Alternatively, the wafer 5 is transferred to 554 and processed.
【0009】反応室552または554における処理が
終了した後、ウェーハ5は搬送ロボット570を用いて
カセット室520のカセット530に戻すが、プラズマ
CVDの場合は、通常反応室552(554)の中で3
00℃前後に昇温してウェーハ5を処理するため、カセ
ット530の材質によってはウェーハ5をそのままカセ
ット530に収納することができない場合が多い。この
ため、処理が終わったウェーハ5を冷却室556に挿入
して、その温度を下げる必要がある。After the processing in the reaction chamber 552 or 554 is completed, the wafer 5 is returned to the cassette 530 in the cassette chamber 520 by using the transfer robot 570. In the case of plasma CVD, in the normal reaction chamber 552 (554). Three
Since the wafer 5 is processed by raising the temperature to around 00 ° C., the wafer 5 cannot be stored in the cassette 530 as it is in many cases depending on the material of the cassette 530. Therefore, it is necessary to lower the temperature of the processed wafer 5 by inserting it into the cooling chamber 556.
【0010】冷却室556内のウェーハ5の温度がカセ
ット530へのウェーハ5の収納に支障がない温度以下
になったら、搬送ロボット570を用いてウェーハ5を
カセット室520のカセット530に戻す。When the temperature of the wafer 5 in the cooling chamber 556 becomes lower than the temperature that does not hinder the storage of the wafer 5 in the cassette 530, the wafer 5 is returned to the cassette 530 in the cassette chamber 520 by using the transfer robot 570.
【0011】これら一連の動作を繰り返してカセット5
30のウェーハ5を順次処理する。By repeating these series of operations, the cassette 5
30 wafers 5 are sequentially processed.
【0012】図20に示した装置構成では冷却室1個、
カセット室1個の他に反応室2個を設けることができ
る。スループットをさらに高くするためには、ロードロ
ック室510の角数を増やして反応室552、554の
数を増やす必要がある。In the apparatus configuration shown in FIG. 20, one cooling chamber,
Two reaction chambers can be provided in addition to one cassette chamber. In order to further increase the throughput, it is necessary to increase the number of load lock chambers 510 to increase the number of reaction chambers 552 and 554.
【0013】この場合、ロードロック室510が大きく
なり、反応室552、554が増加した分と、それらの
メンテナンススペースを含めて、装置の占有面積が増大
する。In this case, the load lock chamber 510 becomes large, the reaction chambers 552 and 554 increase, and the area occupied by the apparatus increases, including the maintenance space for them.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】クリーンルームを必要
とする半導体製造工場の設備には莫大な費用がかかる。
生産設備として導入する装置の大きさに応じて工場の床
面積が決まるが、各装置が占有する床面積が小さければ
工場の設備費用も小さくできるため、占有面積の小さな
装置が求められている。また、このように占有面積を小
さくした場合においても、装置の稼働効率を高くするこ
とが求められている。The equipment of a semiconductor manufacturing plant which requires a clean room is very expensive.
The floor area of the factory is determined according to the size of the equipment to be introduced as production equipment. However, if the floor area occupied by each equipment is small, the equipment cost of the factory can be reduced, and thus equipment with a small occupied area is required. Further, even when the occupied area is reduced in this way, it is required to increase the operating efficiency of the device.
【0015】従って、本発明の目的は、占有面積が小さ
くしかも稼働効率が高い基板処理装置を提供することに
ある。Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which occupies a small area and has high operating efficiency.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板搬
送部と、前記基板搬送部にそれぞれが取り外し可能に取
り付けられた複数のモジュールと、前記基板搬送部内に
設けられた第1の基板搬送手段であって、基板を前記複
数のモジュールに搬送可能な第1の基板搬送手段と、を
備える基板処理装置であって、前記複数のモジュール
が、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、
前記複数のモジュールのそれぞれが、前記基板を処理す
る気密構造の基板処理室と、前記基板処理室と前記基板
搬送部との間に設けられた気密構造の中間室と、前記基
板処理室と前記中間室との間に設けられた第1のバルブ
であって閉じた場合には前記基板処理室と前記中間室と
の間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板
がその内部を通って移動可能な第1のバルブと、前記中
間室と前記基板搬送部との間に設けられた第2のバルブ
であって閉じた場合には前記中間室と前記基板搬送部と
の間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板
がその内部を通って移動可能な第2のバルブとを備え、
前記中間室には前記基板を前記基板処理室に搬送可能な
第2の基板搬送手段が設けられていることを特徴とする
第1の基板処理装置が提供される。According to the present invention, a substrate transfer section, a plurality of modules each detachably attached to the substrate transfer section, and a first substrate provided in the substrate transfer section. 1. A substrate processing apparatus comprising: a transfer unit, which is capable of transferring a substrate to the plurality of modules, wherein the plurality of modules are separated from each other and stacked in a substantially vertical direction. The
Each of the plurality of modules has an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, an airtight intermediate chamber provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer unit, the substrate processing chamber and the A first valve provided between the substrate and the intermediate chamber can be made airtight between the substrate processing chamber and the intermediate chamber when closed, and the substrate can be opened inside when opened. A first valve movable between the intermediate chamber and the substrate transfer section, and a second valve provided between the intermediate chamber and the substrate transfer section between the intermediate chamber and the substrate transfer section when closed. And a second valve through which the substrate can move when opened,
A first substrate processing apparatus is provided, wherein the intermediate chamber is provided with a second substrate transfer means capable of transferring the substrate to the substrate processing chamber.
【0017】本発明のこの第1の基板処理装置において
は、複数のモジュールを実質的に鉛直方向に積み重ねて
設けているから、モジュールを複数使用して基板の処理
効率を高くしても、基板処理装置によるクリーンルーム
の占有面積を増加させることがなく、また、装置のメン
テナンス領域も増加させることがない。In this first substrate processing apparatus of the present invention, since a plurality of modules are provided in a substantially vertical stack, even if a plurality of modules are used to increase the processing efficiency of the substrate, the substrate is processed. The area occupied by the processing apparatus in the clean room is not increased, and the maintenance area of the apparatus is not increased.
【0018】さらに、本発明の第1の基板処理装置にお
いては、このように鉛直方向に積み重ねられた複数のモ
ジュールが、互いに離間して、それぞれが取り外し可能
に基板搬送部に取り付けられているから、いずれかのモ
ジュールにメンテナンスが必要となった場合に、メンテ
ナンスが必要なモジュールのみを容易に取り外すことが
でき、そのモジュールのメンテナンスを行っている際に
も他のモジュールを稼働させることができ、その結果、
基板処理装置の稼働効率が大幅に向上する。さらに、本
発明の第1の基板処理装置においては、このように鉛直
方向に積み重ねられた複数のモジュールが、互いに離間
して、それぞれが取り外し可能に基板搬送部に取り付け
られているから、いずれかのモジュールにメンテナンス
が必要となった場合に、メンテナンスが必要なモジュー
ルのみを取り外し、そのモジュールのメンテナンスを行
い、メンテナンスが終了すると、そのモジュール内にお
いて基板処理室と第2の基板搬送手段との間で基板搬送
が可能なように、第2の基板搬送手段と基板処理室との
間における平行度や高さ方向の調整等を予め行ってお
き、調整後に、そのモジュールを基板搬送部に再び取り
付けることができる。このように、モジュール内で基板
処理室と第2の基板搬送手段との間での基板搬送に関す
る調整を予め行っておくことができるので、その調整作
業が容易かつ正確に行える。そして、その後、メンテナ
ンスを行ったモジュールを基板搬送部に取り付けた場合
には、もはや、そのモジュール内における基板処理室と
第2の基板搬送手段との間の基板搬送に関する調整を行
う必要がなくなるから、基板処理装置の稼働効率を大幅
に向上させることができる。Further, in the first substrate processing apparatus of the present invention, the plurality of modules vertically stacked in this manner are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section. If any module needs maintenance, you can easily remove only the module that needs maintenance, and you can operate other modules while performing maintenance on that module. as a result,
The operating efficiency of the substrate processing apparatus is significantly improved. Further, in the first substrate processing apparatus of the present invention, the plurality of vertically stacked modules are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section. When maintenance is required for a module of the above, only the module requiring maintenance is removed, the maintenance of the module is performed, and when the maintenance is completed, between the substrate processing chamber and the second substrate transfer means in the module. So that the substrate can be transferred by adjusting the parallelism and the height direction between the second substrate transfer means and the substrate processing chamber in advance, and after the adjustment, the module is reattached to the substrate transfer section. be able to. In this way, the adjustment regarding the substrate transfer between the substrate processing chamber and the second substrate transfer means can be performed in advance in the module, so that the adjustment work can be performed easily and accurately. Then, after that, when the module that has undergone maintenance is attached to the substrate transfer unit, it is no longer necessary to make adjustments regarding the transfer of the substrate between the substrate processing chamber and the second substrate transfer unit in the module. The operating efficiency of the substrate processing apparatus can be greatly improved.
【0019】また、複数のモジュールが、互いに離間し
て、それぞれが取り外し可能に基板搬送部に取り付けら
れているから、基板搬送部に取り付けるモジュールの数
を、時間当たりの必要処理枚数や処理の種類に応じて適
宜選択できる。Further, since the plurality of modules are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section, the number of modules to be attached to the substrate transfer section depends on the number of required processings per hour and the kind of processing. Can be appropriately selected according to.
【0020】さらに、複数のモジュールのそれぞれが、
基板を処理する気密構造の基板処理室と、基板処理室と
基板搬送部との間に設けられた気密構造の中間室と、基
板処理室と中間室との間に設けられた第1のバルブであ
って、閉じた場合には基板処理室と中間室との間を気密
にすることができ、開いた場合には基板がその内部を通
って移動可能な第1のバルブと、中間室と基板搬送部と
の間に設けられた第2のバルブであって閉じた場合には
中間室と基板搬送部との間を気密にすることができ、開
いた場合には基板がその内部を通って移動可能な第2の
バルブとを備えているから、各モジュールの中間室と基
板処理室とをそれぞれ独立して気密に保つことができ
て、各モジュール内および各モジュール間において中間
室と基板処理室とを独立して所定のガス雰囲気や真空雰
囲気にすることができ、しかも、基板処理室と中間室と
の間および中間室と基板搬送部との間をそれぞれ基板が
移動できる。そして、このように中間室と基板処理室と
を独立して気密に保つことができるので、中間室はロー
ドロック室として機能させることができる。なお、この
ような第1のバルブとしては、好ましくはゲートバルブ
が用いられる。Further, each of the plurality of modules
A substrate processing chamber having an airtight structure for processing a substrate, an intermediate chamber having an airtight structure provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer section, and a first valve provided between the substrate processing chamber and the intermediate chamber. In the closed state, the space between the substrate processing chamber and the intermediate chamber can be made airtight, and in the opened state, the substrate can move through the first valve, and the intermediate chamber and It is a second valve provided between the substrate transfer section and when closed, it is possible to make the space between the intermediate chamber and the substrate transfer section airtight, and when opened, the substrate passes through it. Since the second chamber is provided with a movable second valve, the intermediate chamber and the substrate processing chamber of each module can be independently kept airtight, and the intermediate chamber and the substrate can be kept in each module and between the modules. It is possible to create a specified gas atmosphere or vacuum atmosphere independently of the processing chamber. , Moreover, it is a substrate respectively moves and between the intermediate chamber and the substrate transfer section of the substrate processing chamber and the intermediate chamber. Since the intermediate chamber and the substrate processing chamber can be independently kept airtight in this way, the intermediate chamber can function as a load lock chamber. A gate valve is preferably used as such a first valve.
【0021】さらに、各モジュールの中間室には基板を
基板処理室に搬送可能な第2の基板搬送手段が設けられ
ているので、他のモジュールの基板処理室における処理
状態とは無関係に基板処理室に基板を搬入でき基板処理
室から基板を搬出できる。基板として、例えば半導体ウ
ェーハを使用する場合には、基板処理室内における基板
の加熱時間は、半導体ウェーハ内の不純物の分布状態等
に影響を与え、それがひいては半導体デバイスの特性に
影響を与えるので、一定にする必要があるが、本発明に
おいては、各モジュールに基板処理室と基板搬送手段と
がそれぞれ設けられているから、他の基板処理室での処
理状態とは無関係に基板を搬出でき、その結果、各モジ
ュールにおいて基板が加熱される時間をそれぞれ一定に
保つことができる。Further, since the second substrate transfer means capable of transferring the substrate to the substrate processing chamber is provided in the intermediate chamber of each module, the substrate processing is performed regardless of the processing state in the substrate processing chamber of another module. Substrates can be loaded into the chamber and loaded from the substrate processing chamber. As a substrate, for example, when using a semiconductor wafer, the heating time of the substrate in the substrate processing chamber affects the distribution state of impurities in the semiconductor wafer, which in turn affects the characteristics of the semiconductor device, Although it is necessary to keep constant, in the present invention, since each module is provided with the substrate processing chamber and the substrate transfer means, respectively, the substrate can be carried out regardless of the processing state in the other substrate processing chamber, As a result, the time for heating the substrate in each module can be kept constant.
【0022】好ましくは、前記複数のモジュールのそれ
ぞれが、前記基板を処理する前記基板処理室であって真
空的に気密な構造の前記基板処理室と、前記基板処理室
と前記基板搬送部との間に設けられた中間室であって真
空的に気密な構造の中間室と、前記基板処理室と前記中
間室との間に設けられた前記第1のバルブであって閉じ
た場合には前記基板処理室と前記中間室との間を真空的
に気密にすることができ、開いた場合には前記基板がそ
の内部を通って移動可能な前記第1のバルブと、前記中
間室と前記基板搬送部との間に設けられた前記第2のバ
ルブであって閉じた場合には前記中間室と前記基板搬送
部との間を真空的に気密にすることができ、開いた場合
には前記基板がその内部を通って移動可能な前記第2の
バルブとを備える。Preferably, each of the plurality of modules is the substrate processing chamber for processing the substrate and has a vacuum-tight structure, the substrate processing chamber, and the substrate transfer section. The intermediate chamber, which is provided between the substrate processing chamber and the intermediate chamber and has a vacuum-tight structure, and the first valve which is closed when the intermediate valve is closed. Between the substrate processing chamber and the intermediate chamber, a vacuum can be made airtight, and when opened, the substrate is movable through the first valve; the intermediate chamber and the substrate. The second valve provided between the transfer section and the transfer section can be vacuum-tightly sealed between the intermediate chamber and the substrate transfer section when closed, and the second valve can be opened when opened. A second valve through which the substrate can move
【0023】このようにすれば、各モジュールの中間室
と基板処理室とをそれぞれ独立して真空的に気密に保つ
ことができて、各モジュール内および各モジュール間に
おいて中間室と基板処理室とを独立して所定の真空雰囲
気にすることができ、しかも、基板処理室と中間室との
間および中間室と基板搬送部との間をそれぞれ基板が移
動できる。そして、このように中間室と基板処理室とを
独立して真空的に気密に保つことができるので、中間室
を真空用のロードロック室として機能させることができ
る。With this configuration, the intermediate chamber and the substrate processing chamber of each module can be kept vacuum-tight independently of each other, and the intermediate chamber and the substrate processing chamber can be provided in each module and between the modules. The substrate can be independently made into a predetermined vacuum atmosphere, and the substrate can be moved between the substrate processing chamber and the intermediate chamber and between the intermediate chamber and the substrate transfer section. Since the intermediate chamber and the substrate processing chamber can be kept vacuum-tight in this way independently, the intermediate chamber can function as a vacuum load lock chamber.
【0024】そして、このような真空的に気密な構造の
中間室には基板を基板処理室に搬送可能な第2の基板搬
送手段が設けられているので、鉛直方向に積み重ねられ
た各モジュールへの基板の搬送は基板搬送部に設けられ
た第1の基板搬送手段によって大気圧下で行い、真空中
での基板の搬送は各モジュールの中間室に設けられた第
2の基板搬送手段で行うようにすることができる。従っ
て、基板を搬送する機構を設ける領域を全て真空的に気
密な構造とする必要がなくなり、各モジュールに基板を
搬送する基板搬送部は大気圧下で搬送を行う領域とする
ことができ、真空的に気密な構造の領域は各モジュール
の中間室に分割することができる。その結果、基板搬送
部の構造や第1の基板搬送手段の構造を簡単なものとす
ることができ、安価に製作できるようになる。また、各
モジュールの中間室のそれぞれの容積も小さくなり、そ
の壁の厚みを薄くしても強度が保てるようになり、その
結果、安価に製作できるようになる。さらに、中間室に
設けられた第2の基板搬送手段においても、その鉛直方
向の昇降動作を必要最小限に抑えることができるので、
その制作費も安価なものとなり、また、真空的に気密な
構造の中間室内において第2の基板搬送手段の駆動部か
ら発生する可能性のあるパーティクルも最小限に抑える
ことができる。Further, since the second substrate transfer means capable of transferring the substrate to the substrate processing chamber is provided in the intermediate chamber having such a vacuum-tight structure, it is possible to connect the modules vertically stacked. Of the substrate is carried out under the atmospheric pressure by the first substrate carrying means provided in the substrate carrying section, and the substrate is carried in vacuum by the second substrate carrying means provided in the intermediate chamber of each module. You can Therefore, it is not necessary to form a vacuum-tight structure in all areas where the mechanism for transferring the substrate is provided, and the substrate transfer section that transfers the substrate to each module can be an area where the transfer is performed under atmospheric pressure. The area of structurally airtight structure can be divided into the intermediate chambers of each module. As a result, the structure of the substrate transfer section and the structure of the first substrate transfer means can be simplified, and the cost can be reduced. In addition, the volume of the intermediate chamber of each module is also reduced, and the strength can be maintained even if the wall thickness is reduced, and as a result, it can be manufactured at low cost. Further, also in the second substrate transfer means provided in the intermediate chamber, the vertical ascending / descending operation can be suppressed to the necessary minimum.
The production cost is also low, and particles that may be generated from the drive unit of the second substrate transfer unit in the intermediate chamber having a vacuum-tight structure can be minimized.
【0025】また、このように基板処理室と中間室が共
に真空的に気密な構造であるので、基板処理室と中間室
とが減圧可能であることが好ましいが、その場合には、
さらに好ましくは、基板処理室と中間室とを互いに独立
して減圧可能とする。Since both the substrate processing chamber and the intermediate chamber are vacuum-tight in this way, it is preferable that the substrate processing chamber and the intermediate chamber can be depressurized. In that case,
More preferably, the substrate processing chamber and the intermediate chamber can be depressurized independently of each other.
【0026】また、好ましくは、前記複数のモジュール
のそれぞれの前記中間室には、前記基板を保持可能な基
板保持手段がさらに設けられ、前記基板保持手段が前記
第2の基板搬送手段よりも前記基板搬送部側に位置して
いる。Further, preferably, a substrate holding means capable of holding the substrate is further provided in the intermediate chamber of each of the plurality of modules, and the substrate holding means is more than the second substrate transfer means. It is located on the substrate transfer section side.
【0027】このように、第2の基板搬送手段に加えて
基板保持手段をさらに設けることにより、基板の保持機
能と搬送機能とを分離することができるようになり、例
えば、ある基板を基板保持手段で保持して冷却等を行っ
ている間に他の基板を基板搬送手段で基板処理室に搬送
することができるようになり、より効率的に基板の処理
を行うことができるようになる。As described above, by further providing the substrate holding means in addition to the second substrate carrying means, it becomes possible to separate the substrate holding function and the carrying function, for example, holding a certain substrate. While the substrate is held and cooled by the means, another substrate can be transferred to the substrate processing chamber by the substrate transfer means, and the substrate can be processed more efficiently.
【0028】そして、基板保持手段が第2の基板搬送手
段よりも基板搬送部側に位置しているので、基板搬送部
の第1の基板搬送手段と中間室の第2の基板搬送手段と
の間にこの基板保持手段が位置することになり、この基
板保持手段を介して、第1の基板搬送手段と第2の基板
搬送手段との間で効率的に基板の受け渡しができるよう
になる。このように、モジュール内の中間室に基板保持
手段がさらに設けられている場合においても、このよう
な複数のモジュールが、互いに離間して、それぞれが取
り外し可能に鉛直方向に積み重ねられて基板搬送部に取
り付けられているから、いずれかのモジュールにメンテ
ナンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要なモ
ジュールのみを取り外し、そのモジュールのメンテナン
スを行い、メンテナンスが終了すると、そのモジュール
内において基板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持
手段との間で基板搬送が可能なように、第2の基板搬送
手段と基板処理室との間や第2の基板搬送手段と基板保
持手段との間における平行度や高さ方向の調整等を予め
行っておき、調整後に、そのモジュールを基板搬送部に
再び取り付けることができる。このように、モジュール
内で基板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持手段と
の間での基板搬送に関する調整を予め行っておくことが
できるので、その調整作業が容易かつ正確に行える。そ
して、その後、メンテナンスを行ったモジュールを基板
搬送部に取り付けた場合には、もはや、そのモジュール
内における基板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持
手段との間の基板搬送に関する調整を行う必要がなくな
るから、基板処理装置の稼働効率を大幅に向上させるこ
とができる。Since the substrate holding means is located closer to the substrate carrying portion than the second substrate carrying means, the first substrate carrying means of the substrate carrying part and the second substrate carrying means of the intermediate chamber are arranged. This substrate holding means is located in between, and the substrate can be efficiently transferred between the first substrate carrying means and the second substrate carrying means via this substrate holding means. As described above, even when the substrate holding means is further provided in the intermediate chamber in the module, a plurality of such modules are separated from each other and each is detachably stacked in the vertical direction, and the substrate transfer unit is detached. If any of the modules requires maintenance, remove only the module requiring maintenance, perform maintenance on that module, and when maintenance is complete, move the module to the substrate processing chamber inside the module. Between the second substrate carrying means and the substrate processing chamber, or between the second substrate carrying means and the substrate holding means, so that the substrate can be carried between the second substrate carrying means and the substrate holding means. The parallelism and height can be adjusted in advance, and after the adjustment, the module can be reattached to the board transfer section. . In this way, the adjustment regarding the substrate transfer between the substrate processing chamber, the second substrate transfer unit, and the substrate holding unit can be performed in advance in the module, so that the adjustment work can be performed easily and accurately. Then, after that, when the module that has undergone maintenance is attached to the substrate transfer unit, adjustment regarding substrate transfer between the substrate processing chamber, the second substrate transfer unit, and the substrate holding unit in the module is no longer performed. Since there is no need, the operating efficiency of the substrate processing apparatus can be greatly improved.
【0029】また、本発明によれば、基板搬送部と、前
記基板搬送部にそれぞれが取り外し可能に取り付けられ
た複数のモジュールと、前記基板搬送部内に設けられた
第1の基板搬送手段であって、基板を前記複数のモジュ
ールに搬送可能な第1の基板搬送手段と、を備える基板
処理装置であって、前記複数のモジュールが、互いに離
間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、前記複数のモ
ジュールのそれぞれが、前記基板を処理する気密構造の
基板処理室と、前記基板処理室と前記基板搬送部との間
に設けられた気密構造の第1および第2の中間室であっ
て、前記基板処理室側の前記第1の中間室と、前記基板
搬送部側の前記第2の中間室と、前記基板処理室と前記
第1の中間室との間に設けられた第1のバルブであって
閉じた場合には前記基板処理室と前記第1の中間室との
間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板が
その内部を通って移動可能な第1のバルブと、前記第1
の中間室と前記第2の中間室との間に設けられた第2の
バルブであって閉じた場合には前記第1の中間室と前記
第2の中間室との間を気密にすることができ、開いた場
合には前記基板がその内部を通って移動可能な第2のバ
ルブと、前記第2の中間室と前記基板搬送部との間に設
けられた第3のバルブであって閉じた場合には前記第2
の中間室と前記基板搬送部との間を気密にすることがで
き、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可
能な第3のバルブとを備え、前記第2の中間室には、前
記基板を保持可能な基板保持手段が設けられ、前記第1
の中間室には、前記基板を前記基板保持手段と前記基板
処理室との間で搬送可能な第2の基板搬送手段が設けら
れていることを特徴とする第2の基板処理装置が提供さ
れる。Further, according to the present invention, there are provided a substrate transfer section, a plurality of modules each detachably attached to the substrate transfer section, and a first substrate transfer means provided in the substrate transfer section. And a first substrate transfer means capable of transferring a substrate to the plurality of modules, wherein the plurality of modules are separated from each other and stacked in a substantially vertical direction. Each of the modules is an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, and an airtight first and second intermediate chamber provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer section, A first valve provided between the first intermediate chamber on the substrate processing chamber side, the second intermediate chamber on the substrate transfer unit side, and the substrate processing chamber and the first intermediate chamber. And if closed then forward Between said substrate processing chamber first intermediate chamber can be hermetically a first valve movable through the interior of the substrate when opened, the first
Second valve provided between the intermediate chamber and the second intermediate chamber, and when the valve is closed, the first intermediate chamber and the second intermediate chamber are made airtight. And a third valve provided between the second intermediate chamber and the substrate transfer section, the second valve allowing the substrate to move therethrough when opened. When closed, the second
Between the substrate and the substrate transfer section can be made airtight, and when the substrate is opened, the substrate is provided with a third valve through which the substrate can move. Is provided with a substrate holding means capable of holding the substrate,
A second substrate processing apparatus is provided in which a second substrate transfer unit capable of transferring the substrate between the substrate holding unit and the substrate processing chamber is provided in the intermediate chamber of It
【0030】本発明のこの第2の基板処理装置において
は、複数のモジュールを実質的に鉛直方向に積み重ねて
設けているから、モジュールを複数使用して基板の処理
効率を高くしても、基板処理装置によるクリーンルーム
の占有面積を増加させることがなく、また、装置のメン
テナンス領域も増加させることがない。In this second substrate processing apparatus of the present invention, since a plurality of modules are provided in a substantially vertical stack, even if a plurality of modules are used to improve the processing efficiency of the substrate, the substrate is processed. The area occupied by the processing apparatus in the clean room is not increased, and the maintenance area of the apparatus is not increased.
【0031】さらに、本発明の第2の基板処理装置にお
いては、このように鉛直方向に積み重ねられた複数のモ
ジュールが、互いに離間して、それぞれが取り外し可能
に基板搬送部に取り付けられているから、いずれかのモ
ジュールにメンテナンスが必要となった場合に、メンテ
ナンスが必要なモジュールのみを容易に取り外すことが
でき、そのモジュールのメンテナンスを行っている際に
も他のモジュールを稼働させることができ、その結果、
基板処理装置の稼働効率が大幅に向上する。さらに、本
発明の第2の基板処理装置においては、このように鉛直
方向に積み重ねられた複数のモジュールが、互いに離間
して、それぞれが取り外し可能に基板搬送部に取り付け
られているから、いずれかのモジュールにメンテナンス
が必要となった場合に、メンテナンスが必要なモジュー
ルのみを取り外し、そのモジュールのメンテナンスを行
い、メンテナンスが終了すると、そのモジュール内にお
いて基板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持手段と
の間で基板搬送が可能なように、第2の基板搬送手段と
基板処理室との間や第2の基板搬送手段と基板保持手段
との間における平行度や高さ方向の調整等を予め行って
おき、調整後に、そのモジュールを基板搬送部に再び取
り付けることができる。このように、モジュール内で基
板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持手段との間で
の基板搬送に関する調整を予め行っておくことができる
ので、その調整作業が容易かつ正確に行える。そして、
その後、メンテナンスを行ったモジュールを基板搬送部
に取り付けた場合には、もはや、そのモジュール内にお
ける基板処理室と第2の基板搬送手段と基板保持手段と
の間の基板搬送に関する調整を行う必要がなくなるか
ら、基板処理装置の稼働効率を大幅に向上させることが
できる。Further, in the second substrate processing apparatus of the present invention, the plurality of modules vertically stacked in this manner are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section. If any module needs maintenance, you can easily remove only the module that needs maintenance, and you can operate other modules while performing maintenance on that module. as a result,
The operating efficiency of the substrate processing apparatus is significantly improved. Further, in the second substrate processing apparatus of the present invention, the plurality of vertically stacked modules are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section. When maintenance is required for the module in question, only the module requiring maintenance is removed, the maintenance of the module is performed, and when the maintenance is completed, the substrate processing chamber, the second substrate transfer means, and the substrate holding are held in the module. Adjustment of parallelism and height direction between the second substrate transfer means and the substrate processing chamber or between the second substrate transfer means and the substrate holding means so that the substrate can be transferred between the means and the like. In advance, after adjustment, the module can be reattached to the substrate transfer unit. In this way, the adjustment regarding the substrate transfer between the substrate processing chamber, the second substrate transfer unit, and the substrate holding unit can be performed in advance in the module, so that the adjustment work can be performed easily and accurately. And
After that, when the module that has undergone maintenance is attached to the substrate transfer unit, it is no longer necessary to make adjustments regarding the transfer of the substrate between the substrate processing chamber, the second substrate transfer unit, and the substrate holding unit in the module. Since it is eliminated, the operating efficiency of the substrate processing apparatus can be greatly improved.
【0032】また、複数のモジュールが、互いに離間し
て、それぞれが取り外し可能に基板搬送部に取り付けら
れているから、基板搬送部に取り付けるモジュールの数
を、時間当たりの必要処理枚数や処理の種類に応じて適
宜選択できる。Further, since the plurality of modules are separated from each other and are detachably attached to the substrate transfer section, the number of modules to be attached to the substrate transfer section can be determined by the required number of processings per hour and the type of processing. Can be appropriately selected according to.
【0033】さらに、複数のモジュールのそれぞれが、
基板を処理する気密構造の基板処理室と、基板処理室と
基板搬送部との間に設けられた気密構造の第1および第
2の中間室であって、基板処理室側の第1の中間室と、
基板搬送部側の第2の中間室と、基板処理室と第1の中
間室との間に設けられた第1のバルブであって閉じた場
合には基板処理室と第1の中間室との間を気密にするこ
とができ、開いた場合には基板がその内部を通って移動
可能な第1のバルブと、第1の中間室と第2の中間室と
の間に設けられた第2のバルブであって閉じた場合には
第1の中間室と第2の中間室との間を気密にすることが
でき、開いた場合には基板がその内部を通って移動可能
な第2のバルブと、第2の中間室と基板搬送部との間に
設けられた第3のバルブであって閉じた場合には第2の
中間室と基板搬送部との間を気密にすることができ、開
いた場合には基板がその内部を通って移動可能な第3の
バルブとを備えているから、各モジュールの第1の中間
室と第2の中間室と基板処理室とをそれぞれ独立して気
密に保つことができて、各モジュール内および各モジュ
ール間において第1の中間室と第2の中間室と基板処理
室とを独立して所定のガス雰囲気や真空雰囲気にするこ
とができ、しかも、基板処理室と第1の中間室との間、
第1の中間室と第2の中間室との間および第2の中間室
と基板搬送部との間をそれぞれ基板が移動できる。そし
て、このように第1および第2の中間室と基板処理室と
を独立して気密に保つことができるので、第2の中間室
はロードロック室として機能させることができる。な
お、このような第1および第2のバルブとしては、好ま
しくはゲートバルブが用いられる。Further, each of the plurality of modules
An airtight substrate processing chamber for processing a substrate, and first and second intermediate chambers having an airtight structure provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer section, the first intermediate on the substrate processing chamber side. Room and
A second intermediate chamber on the substrate transfer section side, and a first valve provided between the substrate processing chamber and the first intermediate chamber, and when closed, the substrate processing chamber and the first intermediate chamber Between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber, and the first valve is movable between the first valve and the second valve when the substrate is opened. A second valve, which when closed allows an airtight seal between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber, and when open, a second valve through which the substrate can move. And a third valve provided between the second intermediate chamber and the substrate transfer part, which when closed can make the space between the second intermediate chamber and the substrate transfer part airtight. The first intermediate chamber and the second intermediate chamber of each module, since the substrate is provided with a third valve that can be moved through the inside of the module when opened. The substrate processing chamber and the substrate processing chamber can be kept airtight independently of each other, and the first intermediate chamber, the second intermediate chamber, and the substrate processing chamber can be independently operated in a predetermined gas atmosphere or in each module. A vacuum atmosphere can be created, and moreover, between the substrate processing chamber and the first intermediate chamber,
The substrate can be moved between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber and between the second intermediate chamber and the substrate transfer section, respectively. Since the first and second intermediate chambers and the substrate processing chamber can be independently kept airtight in this way, the second intermediate chamber can function as a load lock chamber. Gate valves are preferably used as the first and second valves.
【0034】さらに、各モジュールの第1の中間室には
基板を基板保持手段と基板処理室との間で搬送可能な第
2の基板搬送手段が設けられているので、他のモジュー
ルの基板処理室における処理状態とは無関係に基板処理
室に基板を搬入でき基板処理室から基板を搬出できる。
このように、各モジュールに基板処理室と基板搬送手段
とがそれぞれ設けられているから、他の基板処理室での
処理状態とは無関係に基板を搬出でき、その結果、各モ
ジュールにおいて基板が加熱される時間をそれぞれ一定
に保つことができる。Further, since the second substrate transfer means capable of transferring the substrate between the substrate holding means and the substrate processing chamber is provided in the first intermediate chamber of each module, the substrate processing of other modules is performed. The substrate can be loaded into and unloaded from the substrate processing chamber regardless of the processing state in the chamber.
In this way, since each module is provided with the substrate processing chamber and the substrate transfer means, respectively, the substrate can be carried out regardless of the processing state in the other substrate processing chamber, and as a result, the substrate is heated in each module. Each time can be kept constant.
【0035】また、第2の中間室には、基板を保持可能
な基板保持手段が設けられているので、基板の保持機能
と搬送機能とを分離することができるようになり、例え
ば、ある基板を基板保持手段で保持して冷却等を行って
いる間に他の基板を第2の基板搬送手段で基板処理室に
搬送することができるようになり、より効率的に基板の
処理を行うことができるようになる。Further, since the substrate holding means capable of holding the substrate is provided in the second intermediate chamber, it becomes possible to separate the substrate holding function and the substrate carrying function. While the substrate is held by the substrate holding means to perform cooling or the like, another substrate can be transferred to the substrate processing chamber by the second substrate transfer means, and the substrate can be processed more efficiently. Will be able to.
【0036】そして、この第2の基板処理装置において
は、第2の中間室には基板保持手段は設けるが、第2の
基板搬送手段は設けないので、第2の中間室の容積を小
さくすることができ、その結果、この第2の中間室の雰
囲気の置換時間、例えば大気圧状態と減圧状態の状態移
行時間を短縮することができる。In the second substrate processing apparatus, the second intermediate chamber is provided with the substrate holding means, but the second substrate transfer means is not provided. Therefore, the volume of the second intermediate chamber is reduced. As a result, the replacement time of the atmosphere in the second intermediate chamber, for example, the state transition time between the atmospheric pressure state and the reduced pressure state can be shortened.
【0037】この第2の基板処理装置において、好まし
くは、前記複数のモジュールのそれぞれが、前記基板を
処理する前記基板処理室であって真空的に気密な構造の
前記基板処理室と、前記基板処理室と前記基板搬送部と
の間に設けられ、真空的に気密な構造の前記第1および
第2の中間室であって、前記基板処理室側の前記第1の
中間室と、前記基板搬送部側の前記第2の中間室と、前
記基板処理室と前記第1の中間室との間に設けられた前
記第1のバルブであって閉じた場合には前記基板処理室
と前記第1の中間室との間を真空的に気密にすることが
でき、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動
可能な前記第1のバルブと、前記第1の中間室と前記第
2の中間室との間に設けられた前記第2のバルブであっ
て閉じた場合には前記第1の中間室と前記第2の中間室
との間を真空的に気密にすることができ、開いた場合に
は前記基板がその内部を通って移動可能な前記第2のバ
ルブと、前記第2の中間室と前記基板搬送部との間に設
けられた前記第3のバルブであって閉じた場合には前記
第2の中間室と前記基板搬送部との間を真空的に気密に
することができ、開いた場合には前記基板がその内部を
通って移動可能な前記第3のバルブとを備える。In this second substrate processing apparatus, preferably, each of the plurality of modules is the substrate processing chamber for processing the substrate and has a vacuum-tight structure, and the substrate. The first and second intermediate chambers, which are provided between the processing chamber and the substrate transfer section and have a vacuum-tight structure, the first intermediate chamber on the substrate processing chamber side, and the substrate. The first intermediate valve provided between the second intermediate chamber on the transfer unit side and the substrate processing chamber and the first intermediate chamber, and when closed, the substrate processing chamber and the first intermediate valve are closed. A first intermediate chamber, and the first intermediate chamber and the first intermediate chamber can be vacuum-tight with respect to the first intermediate chamber, and when opened, the substrate can move therethrough. When the second valve provided between the second intermediate chamber and the second intermediate chamber is closed, The second valve, which can form a vacuum-tight seal between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber, and is movable through the substrate when the substrate is opened, The third valve provided between the second intermediate chamber and the substrate transfer section is closed in a vacuum manner between the second intermediate chamber and the substrate transfer section when closed. And a third valve through which the substrate is movable when opened.
【0038】このようにすれば、各モジュールの第1の
中間室と第2の中間室と基板処理室とをそれぞれ独立し
て真空的に気密に保つことができて、各モジュール内お
よび各モジュール間において第1の中間室と第2の中間
室と基板処理室とを独立して所定の真空雰囲気にするこ
とができ、しかも、基板処理室と第1の中間室との間、
第1の中間室と第2の中間室との間および第2の中間室
と基板搬送部との間をそれぞれ基板が移動できる。そし
て、このように第1、第2の中間室と基板処理室とを独
立して真空的に気密に保つことができるので、第2の中
間室を真空用のロードロック室として機能させることが
できる。With this configuration, the first intermediate chamber, the second intermediate chamber, and the substrate processing chamber of each module can be independently kept vacuum-tight, and each module and each module can be kept airtight. The first intermediate chamber, the second intermediate chamber, and the substrate processing chamber can be independently made into a predetermined vacuum atmosphere in the space, and moreover, between the substrate processing chamber and the first intermediate chamber,
The substrate can be moved between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber and between the second intermediate chamber and the substrate transfer section, respectively. Since the first and second intermediate chambers and the substrate processing chamber can be independently kept airtight in a vacuum in this manner, the second intermediate chamber can function as a vacuum load lock chamber. it can.
【0039】そして、このような真空的に気密な構造の
第1の中間室には基板を基板保持手段と基板処理室との
間で搬送可能な第2の基板搬送手段が設けられているの
で、鉛直方向に積み重ねられた各モジュールへの基板の
搬送は基板搬送部に設けられた第1の基板搬送手段によ
って大気圧下で行い、真空中での基板の搬送は各モジュ
ールの第1の中間室に設けられた第2の基板搬送手段で
行うようにすることができる。従って、基板を搬送する
機構を設ける領域を全て真空的に気密な構造とする必要
がなくなり、各モジュールに基板を搬送する基板搬送部
は大気圧下で搬送を行う領域とすることができ、真空的
に気密な構造の領域は各モジュールの第1の中間室に分
割することができる。その結果、基板搬送部の構造や第
1の基板搬送手段の構造を簡単なものとすることがで
き、安価に製作できるようになる。また、各モジュール
の第1の中間室のそれぞれの容積も小さくなり、その壁
の厚みを薄くしても強度が保てるようになり、その結
果、安価に製作できるようになる。さらに、第1の中間
室に設けられた第2の基板搬送手段においても、その鉛
直方向の昇降動作を必要最小限に抑えることができるの
で、その制作費も安価なものとなり、また、真空的に気
密な構造の第1の中間室内において第2の基板搬送手段
の駆動部から発生する可能性のあるパーティクルも最小
限に抑えることができる。The first intermediate chamber having such a vacuum-tight structure is provided with the second substrate transfer means capable of transferring the substrate between the substrate holding means and the substrate processing chamber. The substrates are transferred to the vertically stacked modules by the first substrate transfer means provided in the substrate transfer section under atmospheric pressure, and the substrates are transferred in a vacuum at the first intermediate position of each module. It can be performed by the second substrate transfer means provided in the chamber. Therefore, it is not necessary to form a vacuum-tight structure in all areas where the mechanism for transferring the substrate is provided, and the substrate transfer section that transfers the substrate to each module can be an area where the transfer is performed under atmospheric pressure. The area of structurally airtight structure can be divided into a first intermediate chamber of each module. As a result, the structure of the substrate transfer section and the structure of the first substrate transfer means can be simplified, and the cost can be reduced. Further, the volume of the first intermediate chamber of each module is also reduced, and the strength can be maintained even if the thickness of the wall is reduced, and as a result, it can be manufactured at low cost. Further, also in the second substrate transfer means provided in the first intermediate chamber, the vertical ascending / descending operation can be suppressed to the necessary minimum, so that the production cost is also low and the vacuum operation is also possible. Particles that may be generated from the drive unit of the second substrate transfer unit in the first intermediate chamber having a very airtight structure can also be minimized.
【0040】なお、同じく真空的に気密な構造である第
2の中間室も各モジュールにそれぞれ設けられているの
で、それぞれの容積も小さくなり、その壁の厚みも薄く
しても強度が保てるようになり、その結果、安価に製作
できるようになる。Since the second intermediate chamber, which is also vacuum-tight, is also provided in each module, the volume of each module is reduced, and the strength can be maintained even if the wall thickness is reduced. As a result, it becomes possible to manufacture at low cost.
【0041】また、本発明の第2の基板処理装置におい
ては、基板処理室と第1の中間室と第2の中間室が共に
真空的に気密な構造である場合には、基板処理室と第1
の中間室と第2の中間室とが減圧可能であることが好ま
しいが、その場合には、さらに好ましくは、基板処理室
と第1の中間室と第2の中間室とを互いに独立して減圧
可能とする。Further, in the second substrate processing apparatus of the present invention, when the substrate processing chamber, the first intermediate chamber and the second intermediate chamber are both vacuum-tight, the substrate processing chamber First
It is preferable that the intermediate chamber and the second intermediate chamber can be decompressed, but in that case, more preferably, the substrate processing chamber, the first intermediate chamber, and the second intermediate chamber are independent of each other. Decompression is possible.
【0042】本発明の第1および第2の基板処理装置
は、前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基
板搬送部である場合に好適に使用される。The first and second substrate processing apparatuses of the present invention are preferably used when the substrate transfer section is a substrate transfer section that transfers the substrate under atmospheric pressure.
【0043】基板搬送部が大気圧下で基板を搬送する基
板搬送部であると、基板搬送部に設けられる第1の基板
搬送手段の構造が簡単なものとなり、安価に製造できる
ようになる。加えて、基板搬送部も気密構造のチャンバ
ーの中に設ける必要がなく、筺体で覆えばよくなるの
で、構造が簡単となり、製造費も低減することができ
る。When the substrate transfer section is a substrate transfer section for transferring a substrate under atmospheric pressure, the structure of the first substrate transfer means provided in the substrate transfer section becomes simple and can be manufactured at low cost. In addition, the substrate transfer unit does not need to be provided in the airtight chamber, and can be covered with a housing, so that the structure is simple and the manufacturing cost can be reduced.
【0044】そして、本発明の第1および第2の基板処
理装置は、前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送
する基板搬送部であって、前記基板処理室が減圧下で前
記基板の処理を行う基板処理室である場合に、特に有効
に機能する。In the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, the substrate transfer section is a substrate transfer section for transferring the substrate under atmospheric pressure, and the substrate processing chamber is under reduced pressure. The function is particularly effective in the case of a substrate processing chamber for performing the above processing.
【0045】本発明の第1および第2の基板処理装置に
おいては、好ましくは、前記基板保持手段が耐熱性の基
板保持手段である。In the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, the substrate holding means is preferably a heat resistant substrate holding means.
【0046】このようにすれば、本発明の第1の基板処
理装置における中間室、第2の基板処理装置における第
1の中間室をそれぞれ、基板処理室で処理が終わった高
温の基板を冷却する基板冷却室として使用できる。In this way, the high temperature substrate, which has been processed in the substrate processing chamber, is cooled in each of the intermediate chamber in the first substrate processing apparatus and the first intermediate chamber in the second substrate processing apparatus of the present invention. It can be used as a substrate cooling chamber.
【0047】なお、耐熱性の基板保持手段は、石英、ガ
ラス、セラミックスまたは金属からなることが好まし
く、このような材料から構成すれば、中間室や第1の中
間室を真空にしても、基板保持手段からアウトガス等の
不純物が発生することはないので、中間室や第1の中間
室の雰囲気を清浄に保つことができる。なお、セラミッ
クスとしては、焼結させたSiCや焼結させたSiCの
表面にSiO2 膜等をCVDコートしたものやアルミ
ナ等が好ましく用いられる。The heat-resistant substrate holding means is preferably made of quartz, glass, ceramics or metal. If it is made of such a material, the substrate can be vacuumed in the intermediate chamber or the first intermediate chamber. Since the holding means does not generate impurities such as outgas, the atmosphere in the intermediate chamber and the first intermediate chamber can be kept clean. As the ceramics, it is preferable to use sintered SiC, one obtained by coating the surface of sintered SiC with a SiO 2 film or the like, alumina, or the like.
【0048】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置においては、好ましくは、複数の前記基板を収容可
能なカセットを保持するカセット保持手段が前記基板搬
送部にさらに設けられ、前記第1の基板搬送手段が前記
カセット保持手段に保持される前記カセットと前記複数
のモジュールとの間で前記基板を搬送可能である。Further, in the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, preferably, the substrate carrying section is further provided with a cassette holding means for holding a cassette capable of accommodating a plurality of the substrates, and One substrate transfer means can transfer the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the plurality of modules.
【0049】この場合に、好ましくは、前記第1の基板
搬送手段が前記カセットを搬送可能な構造を有してい
る。In this case, preferably, the first substrate carrying means has a structure capable of carrying the cassette.
【0050】このようにすれば、第1の基板搬送手段で
基板搬送手段とカセット搬送手段を兼ねることができる
ので、基板搬送手段の昇降手段とカセット搬送手段の昇
降手段とを共通化することができ、昇降装置の制作費が
低減でき、また、基板搬送部の占有床面積を小さくで
き、ひいては基板処理装置の占有面積を小さくできる。In this way, since the first substrate carrying means can serve as the substrate carrying means and the cassette carrying means, the elevating means of the substrate carrying means and the elevating means of the cassette carrying means can be shared. Therefore, the production cost of the lifting device can be reduced, the floor area occupied by the substrate transfer section can be reduced, and the area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced.
【0051】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置においては、好ましくは、前記第1の基板搬送手段
を昇降可能な昇降機をさらに前記基板搬送部に備えるこ
とによって、各モジュールに第1の基板搬送手段が対応
可能とする。Further, in the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, preferably, each module is provided with an elevator for raising and lowering the first substrate transfer means, so that each module is provided with a first elevator. One substrate transfer means can be used.
【0052】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置においては、好ましくは、前記基板搬送部が、前記
カセット保持手段と異なる所定の高さに設けられたカセ
ット投入部であって、前記カセットを前記基板搬送部内
に投入および/または前記基板搬送部外に前記カセット
を搬出する前記カセット投入部をさらに備える。In the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, preferably, the substrate transfer section is a cassette loading section provided at a predetermined height different from that of the cassette holding means, It further comprises the cassette loading unit for loading the cassette into the substrate transport unit and / or unloading the cassette to the outside of the substrate transport unit.
【0053】半導体製造工場においては、自動搬送ロボ
ットに対応するために、各装置においては、カセットの
投入高さが決められている場合が多い。本発明の基板処
理装置においては、これに対応できるように、上記のよ
うに、カセット投入部を所定の高さに設けている。この
場合に、カセット投入部に投入されたカセットから各モ
ジュール内に基板を搬送する必要が生じるが、本発明に
おいては、第1の基板搬送手段にカセットを搬送可能な
構造を設け、第1の基板搬送手段を昇降可能な昇降機を
基板搬送部に備え、また、カセットを保持するカセット
保持手段を基板搬送部に設けることにより、まず、複数
の基板を収容するカセットを所定のカセット保持手段ま
で昇降機と第1の基板搬送手段によって搬送し、その
後、第1の基板搬送手段によってカセットから各モジュ
ールまで基板をそれぞれ搬送できるので、カセット投入
部と各モジュールとの間の基板の搬送効率が高くなる。In a semiconductor manufacturing factory, in order to support an automatic transfer robot, a cassette loading height is often determined in each device. In the substrate processing apparatus of the present invention, the cassette loading section is provided at a predetermined height as described above so as to accommodate this. In this case, it is necessary to transfer the substrate into each module from the cassette loaded in the cassette loading unit. In the present invention, however, the first substrate transporting means is provided with a structure capable of transporting the cassette. By providing the substrate transfer unit with an elevator capable of moving the substrate transfer unit up and down, and by providing the substrate transfer unit with the cassette holding unit, a cassette for storing a plurality of substrates is first moved to a predetermined cassette holding unit. The substrate can be transported from the cassette to each module by the first substrate transporting means, and then the substrate can be transported from the cassette to each module. Therefore, the efficiency of transporting the substrate between the cassette loading section and each module is increased.
【0054】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置においては、好ましくは、前記基板処理装置が、複
数の前記基板を同時に処理可能であり、前記第2の基板
搬送手段が前記基板処理装置で同時に処理される前記複
数の基板と同一枚数の前記基板を同時に搬送可能であ
る。このようにすれば、基板の処理効率が向上する。In the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, preferably, the substrate processing apparatus is capable of processing a plurality of the substrates at the same time, and the second substrate transfer means is the substrate. The same number of substrates as the plurality of substrates simultaneously processed by the processing apparatus can be simultaneously transported. By doing so, the processing efficiency of the substrate is improved.
【0055】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置の基板処理室においては、好ましくは、プラズマC
VD法、ホットウォールCVD法、光CVD法等の各種
CVD法等による絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコン等の成膜や、エッチング、ア
ニール等の熱処理、エピタキシャル成長、拡散等が行わ
れるが、特に好ましくは、プラズマエッチング、プラズ
マCVD、プラズマアッシング等、プラズマを利用して
基板を処理するプラズマ処理が行われ、この場合には、
好ましくは、前記基板処理装置が複数の前記基板を横に
並べて保持可能な第2の基板保持手段を備え、前記基板
搬送手段が前記複数の基板を横に並べて同時に搬送可能
である。In the substrate processing chamber of the first and second substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the plasma C be used.
Film formation of insulating films, metal films for wiring, polysilicon, amorphous silicon, etc. by various CVD methods such as VD method, hot wall CVD method, photo CVD method, heat treatment such as etching, annealing, epitaxial growth, diffusion, etc. However, it is particularly preferable to perform plasma processing such as plasma etching, plasma CVD, plasma ashing, etc., in which the substrate is processed using plasma. In this case,
Preferably, the substrate processing apparatus includes second substrate holding means capable of holding a plurality of the substrates side by side, and the substrate transfer means can transfer the plurality of substrates side by side at the same time.
【0056】このようにすれば、プラズマ処理装置の電
極との距離が複数の基板間でほぼ等しくでき、その結
果、複数の基板がさらされるプラズマの密度が基板間で
均一となり、基板間でプラズマ処理が均一に行えるよう
になる。By doing so, the distance from the electrodes of the plasma processing apparatus can be made substantially equal among the plurality of substrates, and as a result, the density of the plasma to which the plurality of substrates are exposed becomes uniform between the substrates, and the plasma between the substrates can be increased. Processing can be performed uniformly.
【0057】また、本発明の第1および第2の基板処理
装置の基板処理室においては、好ましくは、前記基板処
理装置が、複数の前記基板を同時に処理可能であり、前
記第2の基板搬送手段が前記基板処理装置で同時に処理
される前記複数の基板のそれぞれの処理位置に前記基板
を1枚ずつ搬送可能である。In the substrate processing chamber of the first and second substrate processing apparatuses of the present invention, preferably, the substrate processing apparatus can process a plurality of substrates at the same time, and the second substrate transfer is possible. The means can convey the substrates one by one to the respective processing positions of the plurality of substrates that are simultaneously processed by the substrate processing apparatus.
【0058】このようにすれば、基板処理装置において
同時に処理可能な基板の枚数に応じて第2の基板搬送手
段の構造を変える必要がなくなり、第2の基板搬送手段
の汎用性が増す。By doing so, it is not necessary to change the structure of the second substrate carrying means in accordance with the number of substrates that can be simultaneously processed in the substrate processing apparatus, and the versatility of the second substrate carrying means is increased.
【0059】なお、本発明において処理される基板とし
ては、好ましくは半導体ウェーハが用いられ、その場合
には、基板処理装置は半導体ウェーハ処理装置として機
能する。A semiconductor wafer is preferably used as the substrate to be processed in the present invention. In that case, the substrate processing apparatus functions as a semiconductor wafer processing apparatus.
【0060】また、基板としては、液晶表示素子用のガ
ラス基板等を使用することもできる。Further, as the substrate, a glass substrate for a liquid crystal display element or the like can be used.
【0061】[0061]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0062】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明するた
めの図であり、図1Aは平面図、図1Bは断面図であ
り、図2、図3は、本発明の本発明の第1の実施の形態
の半導体ウェーハ処理装置を説明するための断面図であ
り、図4、図5は、本発明の本発明の第1の実施の形態
の半導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図であ
る。図6、図8は、本発明の本発明の第1の実施の形態
の半導体ウェーハ処理装置におけるロードロック室を説
明するための平面図であり、図7、図9は、本発明の本
発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置にお
けるロードロック室を説明するための断面図である。(First Embodiment) FIGS. 1A and 1B are views for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a sectional view. 2 and 3 are sectional views for explaining the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 show the first embodiment of the present invention. It is a top view for explaining the semiconductor wafer processing device of one embodiment. 6 and 8 are plan views for explaining the load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 9 show the present invention of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus of the first embodiment of FIG.
【0063】この半導体ウェーハ処理装置1として、プ
ラズマCVD装置を例として説明する。A plasma CVD apparatus will be described as an example of the semiconductor wafer processing apparatus 1.
【0064】半導体ウェーハ処理装置1は、カセットロ
ーダユニット100と、2つの連結モジュール300と
を備えている。The semiconductor wafer processing apparatus 1 comprises a cassette loader unit 100 and two connecting modules 300.
【0065】カセットローダユニット100は、カセッ
トローダ室10を備え、カセットローダ室10の室壁1
2に、2つの連結モジュール300がそれぞれ取り外し
可能に取り付けられている。また、2つの連結モジュー
ル300は、互いに離間して鉛直方向に積み重ねられて
いる。The cassette loader unit 100 includes a cassette loader chamber 10, and the cassette loader chamber 10 has a chamber wall 1
Two connection modules 300 are detachably attached to each of the two. Further, the two connection modules 300 are vertically separated from each other and stacked.
【0066】このように、複数の連結モジュール300
を鉛直方向に積み重ねて設けているから、連結モジュー
ル300を複数使用してウェーハ5の処理効率を高くし
ても、半導体ウェーハ処理装置1によるクリーンルーム
の占有面積を増加させることがない。As described above, the plurality of connection modules 300
Since they are stacked vertically, the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 does not increase even if the processing efficiency of the wafer 5 is increased by using a plurality of connection modules 300.
【0067】また、半導体ウェーハ処理装置1のメンテ
ナンス領域は、カセットローダユニット100側のメン
テナンス領域112と反応処理室56側のメンテナンス
領域114のみであるので、連結モジュール300を複
数使用してウェーハ5の処理効率を高くしても、半導体
ウェーハ処理装置1のメンテナンス領域を増加させるこ
とがない。Further, since the maintenance area of the semiconductor wafer processing apparatus 1 is only the maintenance area 112 on the cassette loader unit 100 side and the maintenance area 114 on the reaction processing chamber 56 side, a plurality of connection modules 300 are used to transfer the wafer 5 to the wafer 5. Even if the processing efficiency is increased, the maintenance area of the semiconductor wafer processing apparatus 1 is not increased.
【0068】さらに、このように鉛直方向に積み重ねら
れた複数の連結モジュール300が、互いに離間して、
それぞれが取り外し可能にカセットローダ室10の室壁
12に取り付けられているから、いずれかの連結モジュ
ール300にメンテナンスが必要となった場合に、メン
テナンスが必要な連結モジュール300のみを容易に取
り外すことができ、その連結モジュール300のメンテ
ナンスを行っている際にも他の連結モジュール300を
稼働させることができ、その結果、半導体ウェーハ処理
装置1の稼働効率が大幅に向上する。また、このように
鉛直方向に積み重ねられた複数の連結モジュール300
が、互いに離間して、それぞれが取り外し可能にカセッ
トローダ室10の室壁12に取り付けられているから、
いずれかの連結モジュール300にメンテナンスが必要
となった場合に、メンテナンスが必要な連結モジュール
300のみを取り外し、その連結モジュール300のメ
ンテナンスを行い、メンテナンスが終了すると、その連
結モジュール300内において反応処理室56内のサセ
プタ90とウェーハ搬送ロボット80とウェーハボート
70との間でウェーハ5の搬送が可能なように、ウェー
ハ搬送ロボット80と反応処理室56内のサセプタ90
との間やウェーハ搬送ロボット80とウェーハボート7
0との間における平行度や高さ方向の調整等を予め行っ
ておき、調整後に、連結モジュール300をカセットロ
ーダ室10の室壁12に再び取り付けることができる。
このように、連結モジュール300内で反応処理室56
内のサセプタ90とウェーハ搬送ロボット80とウェー
ハボート70との間でのウェーハ5の搬送に関する調整
を予め行っておくことができるので、その調整作業が容
易かつ正確に行える。そして、その後、メンテナンスを
行った連結モジュール300をカセットローダ室10の
室壁12に取り付けた場合には、もはや、その連結モジ
ュール300内における反応処理室56内のサセプタ9
0とウェーハ搬送ロボット80とウェーハボート70と
の間のウェーハ5の搬送に関する調整を行う必要がなく
なるから、半導体ウェーハ処理装置1の稼働効率を大幅
に向上させることができる。なお、連結モジュール30
0のメンテナンスとしては、例えば、反応処理室56を
取り外して反応処理室56の洗浄を行いその後反応処理
室56を再び取り付けたり、ウェーハ搬送ロボット80
が故障等した際にウェーハ搬送ロボット80を修理また
は取り替えたりすることが行われるが、このようなメン
テナンスを行った後には、ウェーハ搬送ロボット80と
反応処理室56内のサセプタ90との間やウェーハ搬送
ロボット80とウェーハボート70との間における平行
度や高さ方向の調整等が必要となる。本実施の形態にお
いては、上述のように、予め連結モジュール300単位
でこれらの間の調整を行っておくことができるので、そ
の調整作業が容易かつ正確に行え、また、半導体ウェー
ハ処理装置1の稼働効率を大幅に向上させることができ
る。Further, the plurality of connection modules 300 vertically stacked in this manner are separated from each other,
Since each of them is detachably attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10, if any one of the connection modules 300 needs maintenance, it is possible to easily remove only the connection module 300 requiring maintenance. Therefore, the other connection modules 300 can be operated even when the connection module 300 is being maintained, and as a result, the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 1 is significantly improved. In addition, a plurality of connection modules 300 vertically stacked in this manner.
However, since they are separated from each other and are detachably attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10,
When maintenance is required for any of the connection modules 300, only the connection module 300 requiring maintenance is removed, the connection module 300 is maintained, and when the maintenance is completed, the reaction processing chamber in the connection module 300 is completed. The wafer transfer robot 80 and the susceptor 90 in the reaction processing chamber 56 are arranged so that the wafer 5 can be transferred between the susceptor 90 inside the wafer 56, the wafer transfer robot 80, and the wafer boat 70.
Between the wafer transfer robot 80 and the wafer boat 7
It is possible to previously adjust the parallelism with respect to 0 and the height direction, and after that, the connection module 300 can be reattached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10.
In this way, the reaction processing chamber 56 in the connection module 300 is
Since the adjustment regarding the transfer of the wafer 5 among the susceptor 90, the wafer transfer robot 80, and the wafer boat 70 in the inside can be performed in advance, the adjustment work can be performed easily and accurately. Then, after that, when the maintenance connection module 300 is attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10, the susceptor 9 in the reaction processing chamber 56 in the connection module 300 is no longer present.
0, the wafer transfer robot 80, and the wafer boat 70 need not be adjusted for the transfer of the wafer 5, so that the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be significantly improved. The connection module 30
As the maintenance of 0, for example, the reaction processing chamber 56 is removed, the reaction processing chamber 56 is washed, and then the reaction processing chamber 56 is attached again, or the wafer transfer robot 80 is used.
When the wafer transfer robot 80 is repaired or replaced when the wafer is broken, the wafer transfer robot 80 and the susceptor 90 in the reaction processing chamber 56 and the wafer are transferred after performing such maintenance. It is necessary to adjust the parallelism and the height direction between the transfer robot 80 and the wafer boat 70. In the present embodiment, as described above, the adjustment between them can be performed in advance in units of the connection module 300, so that the adjustment work can be performed easily and accurately, and the semiconductor wafer processing apparatus 1 The operating efficiency can be greatly improved.
【0069】また、複数の連結モジュール300が、互
いに離間して、それぞれが取り外し可能にカセットロー
ダ室10の室壁12に取り付けられているから、カセッ
トローダ室10の室壁12に取り付けるモジュールの数
を、時間当たりの必要処理枚数や処理の種類に応じて適
宜選択でき、例えば、図2に示すように1段の構成や図
3に示すように3段の構成とすることもできる。Since the plurality of connecting modules 300 are separated from each other and are detachably attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10, the number of modules to be attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10 is large. Can be appropriately selected according to the required number of sheets to be processed per hour and the type of processing. For example, a one-stage configuration as shown in FIG. 2 or a three-stage configuration as shown in FIG. 3 can be employed.
【0070】それぞれの連結モジュール300において
は、外ゲートバルブ62、ロードロック室52、ゲート
バルブ64、搬送室54、ゲートバルブ66および反応
処理室56がカセットローダ室10から離れるに従って
この順に連結配置されている。In each connection module 300, the outer gate valve 62, the load lock chamber 52, the gate valve 64, the transfer chamber 54, the gate valve 66, and the reaction processing chamber 56 are connected and arranged in this order as they move away from the cassette loader chamber 10. ing.
【0071】ロードロック室52、搬送室54および反
応処理室56はそれぞれ真空的に気密な構造であって、
それぞれ独立して所定の真空雰囲気にすることができ
る。The load lock chamber 52, the transfer chamber 54, and the reaction processing chamber 56 each have a vacuum-tight structure.
A predetermined vacuum atmosphere can be created independently of each other.
【0072】反応処理室56にはサセプタ90が設けら
れている。反応処理室56においてはプラズマCVDが
行われる。サセプタ90は、図4に示すように、2枚の
半導体ウェーハ5を横に並べて保持する構造である。A susceptor 90 is provided in the reaction processing chamber 56. Plasma CVD is performed in the reaction processing chamber 56. As shown in FIG. 4, the susceptor 90 has a structure that holds two semiconductor wafers 5 side by side.
【0073】このように2枚の半導体ウェーハ5を横に
並べて保持するようにすれば、プラズマ処理装置の電極
との距離が2枚のウェーハ5間でほぼ等しくでき、その
結果、2枚のウェーハ5がさらされるプラズマの密度が
基板間で均一となり、ウェーハ5間でプラズマ処理が均
一に行えるようになる。By thus holding the two semiconductor wafers 5 side by side, the distance from the electrodes of the plasma processing apparatus can be made substantially equal between the two wafers 5, and as a result, the two wafers 5 can be held. The density of the plasma to which the wafers 5 are exposed becomes uniform between the substrates, and the plasma processing can be performed uniformly between the wafers 5.
【0074】また、反応処理室56においては2枚同時
に処理するのでウェーハ5の処理効率が向上するが、反
応処理室56において同時に処理するウェーハ5の枚数
はウェーハ5のサイズや処理形態によって適宜選択可能
であり、例えば、図5に示すように3枚のウェーハ5を
横に並べて3枚同時処理とすることもできる。Further, since two wafers are simultaneously processed in the reaction processing chamber 56, the processing efficiency of the wafers 5 is improved, but the number of wafers 5 to be processed simultaneously in the reaction processing chamber 56 is appropriately selected depending on the size of the wafers 5 and the processing mode. This is possible, and for example, as shown in FIG. 5, three wafers 5 can be arranged side by side so that three wafers can be simultaneously processed.
【0075】搬送室54には、ウェーハ搬送ロボット8
0と、ウェーハ搬送ロボット80を駆動する駆動部55
とが設けられている。このウェーハ搬送ロボット80は
ウェーハ5をウェーハボート70とサセプタ90との間
で搬送可能である。In the transfer chamber 54, the wafer transfer robot 8
0, and a drive unit 55 that drives the wafer transfer robot 80.
And are provided. The wafer transfer robot 80 can transfer the wafer 5 between the wafer boat 70 and the susceptor 90.
【0076】このように、各連結モジュール300の搬
送室54にウェーハ5をウェーハボート70とサセプタ
90との間で搬送可能なウェーハ搬送ロボット80が設
けられているので、他の連結モジュール300の反応処
理室56における処理状態とは無関係に反応処理室56
にウェーハ5を搬入でき反応処理室56からウェーハ5
を搬出できる。このように、各連結モジュール300に
反応処理室56とウェーハ搬送ロボット80とがそれぞ
れ設けられているから、他の反応処理室56での処理状
態とは無関係にウェーハ5を搬出でき、その結果、各連
結モジュール300においてウェーハが加熱される時間
をそれぞれ一定に保つことができる。As described above, since the wafer transfer robot 80 capable of transferring the wafer 5 between the wafer boat 70 and the susceptor 90 is provided in the transfer chamber 54 of each connection module 300, the reaction of other connection modules 300 is performed. The reaction processing chamber 56 regardless of the processing state in the processing chamber 56.
Wafer 5 can be loaded into wafer 5 from reaction processing chamber 56
Can be carried out. As described above, since the reaction processing chamber 56 and the wafer transfer robot 80 are provided in each connection module 300, the wafer 5 can be unloaded regardless of the processing state in the other reaction processing chamber 56, and as a result, The time during which the wafer is heated in each connection module 300 can be kept constant.
【0077】ロードロック室52には、ウェーハボート
70と、このウェーハボート70を昇降する昇降機53
が設けられている。ウェーハボート70には図6乃至8
に示すように4つのスロットが設けられている。このス
ロットは、上側の2つが反応処理前のウェーハ用であ
り、下側の2つが反応処理後のウェーハ用である。この
ように、ウェーハボート70には、搬送方向に対応した
スロットの位置が割り当てられている。ウェーハボート
70は、反応処理室56で同時に処理されるウェーハの
枚数の2倍の枚数のウェーハ保持可能である。図6、図
7は、反応処理前の2枚のウェーハ5が上側の2つのス
ロットに保持され、反応処理後の2枚のウェーハ5が下
側の2つのスロットに保持されている様子を示してい
る。図8、図9は上側の2枚のウェーハ5が反応処理室
56に搬送される途中の状態を示している。In the load lock chamber 52, a wafer boat 70 and an elevator 53 for raising and lowering the wafer boat 70.
Is provided. The wafer boat 70 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 4, four slots are provided. The upper two slots are for wafers before the reaction process, and the lower two slots are for wafers after the reaction process. As described above, the wafer boat 70 is assigned with the position of the slot corresponding to the carrying direction. The wafer boat 70 can hold twice as many wafers as the number of wafers simultaneously processed in the reaction processing chamber 56. 6 and 7 show a state in which two wafers 5 before the reaction treatment are held in the upper two slots and two wafers 5 after the reaction treatment are held in the lower two slots. ing. 8 and 9 show a state in which the upper two wafers 5 are being transferred to the reaction processing chamber 56.
【0078】このように、ロードロック室52に設けら
れるウェーハボート70が反応処理室56で同時に処理
されるウェーハ5の枚数の2倍の枚数のウェーハ5を保
持可能であるので、反応処理室56でウェーハ5を処理
している間に予めロードロック室52のウェーハボート
70の上側の2つのスロットに次に処理すべきウェーハ
5を保持しておくことができ、反応処理室56からウェ
ーハボート70の下側の2つのスロットに処理後のウェ
ーハ5を取り出した後、すぐに次の処理のためのウェー
ハ5を反応処理室56に供給できる。その結果、ウェー
ハ5を効率よく処理することができ、スループットを高
くすることができる。As described above, since the wafer boat 70 provided in the load lock chamber 52 can hold twice as many wafers 5 as the number of wafers 5 simultaneously processed in the reaction processing chamber 56, the reaction processing chamber 56 can be held. The wafer 5 to be processed next can be held in advance in the two slots above the wafer boat 70 in the load lock chamber 52 while the wafer 5 is being processed in the load lock chamber 52. After taking out the processed wafer 5 into the lower two slots, the wafer 5 for the next processing can be immediately supplied to the reaction processing chamber 56. As a result, the wafer 5 can be efficiently processed and throughput can be increased.
【0079】ウェーハ搬送ロボット80は、2枚のウェ
ーハ5をウェーハボート70とサセプタ90との間で同
時に搬送可能である。従って、反応処理室で同時に処理
されるウェーハ5の枚数と同じ枚数のウェーハ5を同時
に搬送可能である。このようにウェーハ搬送ロボット8
0は複数のウェーハ5を同時に搬送可能であり、そして
反応処理室で同時に処理されるウェーハ5の枚数と同じ
枚数のウェーハ5を同時に搬送可能であるので、ウェー
ハ5の搬送効率が向上し、スループットが向上する。The wafer transfer robot 80 can simultaneously transfer two wafers 5 between the wafer boat 70 and the susceptor 90. Therefore, the same number of wafers 5 as the number of wafers 5 to be processed simultaneously in the reaction processing chamber can be simultaneously carried. In this way, the wafer transfer robot 8
0 is capable of transporting a plurality of wafers 5 at the same time, and is capable of transporting the same number of wafers 5 as the number of wafers 5 processed in the reaction processing chamber at the same time. Is improved.
【0080】ロードロック室52には、ウェーハボート
70を昇降する昇降機53が設けられているので、ウェ
ーハ搬送ロボット80には昇降機能を設けなくとも、ウ
ェーハボート70の所定のスロットにウェーハ5を搬送
でき、その結果、ウェーハ搬送ロボット80の構造が簡
単となり、安価に製造できるようになる。Since the load lock chamber 52 is provided with the elevator 53 for raising and lowering the wafer boat 70, the wafer 5 can be transferred to a predetermined slot of the wafer boat 70 without the wafer transfer robot 80 having an elevating function. As a result, the structure of the wafer transfer robot 80 is simplified and can be manufactured at low cost.
【0081】また、ロードロック室52にはウェーハボ
ート70を設け、搬送室54にはウェーハ搬送ロボット
80を設けているから、ウェーハ5の保持機能と搬送機
能とを分離することができるようになり、例えば、ある
ウェーハ5をウェーハボート70で保持して冷却等を行
っている間に他のウェーハ5をウェーハ搬送ロボット8
0で反応処理室56に搬送することができるようにな
り、より効率的にウェーハ5の処理を行うことができる
ようになる。Further, since the wafer boat 70 is provided in the load lock chamber 52 and the wafer transfer robot 80 is provided in the transfer chamber 54, the holding function and the transfer function of the wafer 5 can be separated. For example, while a wafer 5 is held by the wafer boat 70 and is being cooled, another wafer 5 is transferred to the wafer transfer robot 8
When it is 0, the wafer 5 can be transferred to the reaction processing chamber 56, and the wafer 5 can be processed more efficiently.
【0082】また、ウェーハボート70は耐熱性であ
り、反応処理室56で処理が終わった高温のウェーハ5
をウェーハボート70に保持して冷却することができ
る。Further, the wafer boat 70 is heat-resistant, and the high temperature wafers 5 processed in the reaction processing chamber 56 have been processed.
Can be held in the wafer boat 70 and cooled.
【0083】なお、ウェーハボート70は、石英、ガラ
ス、セラミックスまたは金属からなることが好ましく、
このような材料から構成すれば、真空中においても、ウ
ェーハボート70からアウトガス等の不純物が発生する
ことはないので、雰囲気を清浄に保つことができる。な
お、セラミックスとしては、焼結させたSiCや焼結さ
せたSiCの表面にSiO2 膜等をCVDコートした
ものやアルミナ等が好ましく用いられる。The wafer boat 70 is preferably made of quartz, glass, ceramics or metal,
If such a material is used, impurities such as outgas will not be generated from the wafer boat 70 even in a vacuum, so that the atmosphere can be kept clean. As the ceramics, it is preferable to use sintered SiC, one obtained by coating the surface of sintered SiC with a SiO 2 film or the like, alumina, or the like.
【0084】カセットローダ室10の内部には、カセッ
トを保持するカセット棚が複数設けられており、複数の
カセット40を保持可能である。カセットローダ室10
の外部下方にはカセットローダ44が設置され、カセッ
トローダ44は半導体ウェーハ処理装置1の外部との間
でカセット40の授受が可能な機構を有する。カセット
40はカセットローダ44によってカセットローダ室1
0に設けた所定の投入口(図示せず。)から投入され
る。また、このカセットローダ44には必要に応じ、カ
セット40に収納されたウェーハ5のオリエンテーショ
ンフラットを合わせる機構部を内蔵することが可能であ
る。A plurality of cassette shelves for holding cassettes are provided inside the cassette loader chamber 10, and a plurality of cassettes 40 can be held. Cassette loader room 10
A cassette loader 44 is installed below the outside of the cassette loader 44, and the cassette loader 44 has a mechanism capable of exchanging the cassette 40 with the outside of the semiconductor wafer processing apparatus 1. The cassette 40 is loaded into the cassette loader chamber 1 by the cassette loader 44.
It is charged from a predetermined charging port (not shown) provided at 0. Further, the cassette loader 44 can have a built-in mechanism unit for aligning the orientation flat of the wafer 5 stored in the cassette 40, if necessary.
【0085】カセットローダ室10の内部には、さら
に、カセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20と、この
カセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20を昇降させる
エレベータ30が設けられている。エレベータ30は、
ねじ軸32と昇降部34とを備え、昇降部34内のナッ
ト(図示せず。)とねじ軸32とによってボールねじを
構成している。ねじ軸32を回転させると、昇降部34
が昇降し、それに応じて昇降部34に取り付けられたカ
セット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20が、カセット投
入口および2つの連結モジュール300にアクセス可能
になるように昇降する。カセット搬送兼ウェーハ搬送ロ
ボット20は、後に図6を参照して説明するように、カ
セット搬送機21とウェーハ搬送機23とを備えてい
る。Inside the cassette loader chamber 10, there are further provided a cassette transfer / wafer transfer robot 20 and an elevator 30 for moving the cassette transfer / wafer transfer robot 20 up and down. Elevator 30
The screw shaft 32 and the elevating part 34 are provided, and a nut (not shown) in the elevating part 34 and the screw shaft 32 constitute a ball screw. When the screw shaft 32 is rotated, the elevating part 34
Moves up and down, and accordingly, the cassette transfer / wafer transfer robot 20 attached to the elevating part 34 moves up and down so that the cassette loading port and the two connecting modules 300 can be accessed. The cassette transfer / wafer transfer robot 20 includes a cassette transfer device 21 and a wafer transfer device 23, as described later with reference to FIG.
【0086】このように、カセットローダ室10の内部
にカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20を設け、2
つの連結モジュール300にウェーハ5を搬送可能と
し、連結モジュール300の搬送室54にウェーハ搬送
ロボット80を設け、反応処理室56へウェーハ5を搬
送可能としているから、各連結モジュール300へのウ
ェーハ5の搬送と、各モジュール300内でのウェーハ
5の搬送とを独立したものとすることができ、その結
果、ウェーハの搬送を効率よく行えるようにできる。As described above, the cassette transfer / wafer transfer robot 20 is provided inside the cassette loader chamber 10.
Since the wafer 5 can be transferred to one connection module 300 and the wafer transfer robot 80 is provided in the transfer chamber 54 of the connection module 300 to transfer the wafer 5 to the reaction processing chamber 56, the wafer 5 can be transferred to each connection module 300. The transfer and the transfer of the wafer 5 in each module 300 can be independent, and as a result, the transfer of the wafer can be efficiently performed.
【0087】そして、このように、真空的に気密な構造
の搬送室54にはウェーハ搬送ロボット80を設け、ま
た、カセットローダ室10の内部にはカセット搬送兼ウ
ェーハ搬送ロボット20を設けているので、各連結モジ
ュール300へのウェーハ5の搬送はカセットローダ室
10のカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20によっ
て大気圧下で行い、真空中でのウェーハ5の搬送は各連
結モジュール300のウェーハ搬送ロボットで行うよう
にすることができる。従って、ウェーハ5を搬送する機
構を設ける領域を全て真空的に気密な構造とする必要が
なくなり、各連結モジュール300に基板を搬送するカ
セット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20が設けられてい
るカセットローダ室10は大気圧下で搬送を行う領域と
することができ、真空的に気密な構造の領域は各連結モ
ジュール300に分割することができる。その結果、カ
セットローダ室10やカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボ
ット20の構造を簡単なものとすることができ、安価に
製作できるようになる。また、各連結モジュール300
のロードロック室52や搬送室54のそれぞれの容積も
小さくなり、その壁の厚みを薄くしても強度が保てるよ
うになり、その結果、安価に製作できるようになる。さ
らに、搬送室54に設けられたウェーハ搬送ロボット8
0においても、その鉛直方向の昇降動作を必要最小限に
抑えることができるので、その制作費も安価なものとな
り、また、真空的に気密な構造の搬送室54においてウ
ェーハ搬送ロボット80の駆動部から発生する可能性の
あるパーティクルも最小限に抑えることができる。As described above, since the wafer transfer robot 80 is provided in the transfer chamber 54 having a vacuum-tight structure, and the cassette transfer / wafer transfer robot 20 is provided in the cassette loader chamber 10. The wafer 5 is transferred to each connection module 300 under atmospheric pressure by the cassette transfer and wafer transfer robot 20 in the cassette loader chamber 10, and the wafer 5 is transferred in vacuum by the wafer transfer robot in each connection module 300. You can Therefore, it is not necessary to form a vacuum-tight structure in all the regions where the mechanism for transferring the wafer 5 is provided, and the cassette loader chamber 10 in which the cassette transfer / wafer transfer robot 20 that transfers the substrate to each connection module 300 is installed is provided. Can be a region for carrying under atmospheric pressure, and a region having a vacuum-tight structure can be divided into each connection module 300. As a result, the structure of the cassette loader chamber 10 and the cassette transfer / wafer transfer robot 20 can be simplified and can be manufactured at low cost. In addition, each connection module 300
The volume of each of the load lock chamber 52 and the transfer chamber 54 becomes small, and the strength can be maintained even if the wall thickness is made thin, and as a result, it can be manufactured at low cost. Further, the wafer transfer robot 8 provided in the transfer chamber 54
Even in the case of 0, the vertical ascending / descending operation can be suppressed to the necessary minimum, so that the production cost is also low, and the drive unit of the wafer transfer robot 80 in the transfer chamber 54 having a vacuum-tight structure. It is possible to minimize the particles that may be generated from.
【0088】次に、ウェーハ5の搬送および処理方法を
説明する。Next, a method of transporting and processing the wafer 5 will be described.
【0089】カセットローダ44によってカセットロー
ダ室10に投入されたカセット40は、カセット搬送兼
ウェーハ搬送ロボット20上に載置されて、エレベータ
30によって上側に運ばれ、その後カセット棚42上に
載置される。次に、カセット搬送兼ウェーハ搬送ロボッ
ト20によりロードロック室52のウェーハボート70
にウェーハ5を搭載する。本実施の形態では、2枚のウ
ェーハを一度にカセット40からウェーハボート70の
上側2つのスロットにカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボ
ット20により搬送する。なお、カセット搬送兼ウェー
ハ搬送機20によってウェーハ5をロードロック室52
内に搬送する際には、ゲートバルブ64は閉じておき、
外ゲートバルブ62は開けておく。The cassette 40 loaded into the cassette loader chamber 10 by the cassette loader 44 is placed on the cassette carrying / wafer carrying robot 20, carried to the upper side by the elevator 30, and then placed on the cassette shelf 42. It Next, the wafer boat 70 in the load lock chamber 52 is moved by the robot 20 that also transports the cassette and the wafer.
The wafer 5 is mounted on. In this embodiment, two wafers are transferred from the cassette 40 to the upper two slots of the wafer boat 70 by the cassette transfer / wafer transfer robot 20 at a time. In addition, the wafer 5 is transferred by the cassette transfer and wafer transfer machine 20 to the load lock chamber 52.
The gate valve 64 should be closed before transporting inside.
The outer gate valve 62 is left open.
【0090】ロードロック室52内のウェーハボート7
0にウェーハ5を搭載した後、外ゲートバルブ62を閉
じ、ロードロック室52内を真空引きする。Wafer boat 7 in load lock chamber 52
After mounting the wafer 5 on 0, the outer gate valve 62 is closed and the load lock chamber 52 is evacuated.
【0091】真空引き後、ゲートバルブ64を開ける。
なお、搬送室54は予め真空引きされている。After evacuation, the gate valve 64 is opened.
The transfer chamber 54 is evacuated in advance.
【0092】その後、2枚のウェーハ5は、真空中で、
搬送室54内のウェーハ搬送ロボット80によりロード
ロック室52内のウェーハボート70から反応処理室5
6内のサセプタ90に搬送される。なお、この際には、
ゲートバルブ66は開けられており、反応処理室56も
真空引きされている。After that, the two wafers 5 are
From the wafer boat 70 in the load lock chamber 52 to the reaction processing chamber 5 by the wafer transfer robot 80 in the transfer chamber 54.
6 is conveyed to the susceptor 90. At this time,
The gate valve 66 is opened, and the reaction processing chamber 56 is also evacuated.
【0093】搬送後、ゲートバルブ66を閉じ、反応処
理室56を所定の雰囲気として反応処理室56のサセプ
タ90に搭載された2枚のウェーハ5にプラズマCVD
により成膜処理を同時に行う。After the transfer, the gate valve 66 is closed, the reaction processing chamber 56 is set to a predetermined atmosphere, and plasma CVD is performed on the two wafers 5 mounted on the susceptor 90 of the reaction processing chamber 56.
Thus, the film forming process is simultaneously performed.
【0094】このプラズマCVDにより成膜処理を行っ
ている間に、上記と同様にして、ロードロック室52内
のウェーハボート70の上側2つのスロットに未処理の
ウェーハ5を搭載しておく。During the film forming process by the plasma CVD, the unprocessed wafers 5 are loaded in the upper two slots of the wafer boat 70 in the load lock chamber 52 in the same manner as described above.
【0095】所定の成膜が行われた後は、反応処理室5
6を真空引きし、その後ゲートバルブ66を開ける。2
枚のウェーハ5は、真空中で、ウェーハ搬送ロボット8
0によりロードロック室52内のウェーハボート70の
下側の2つのスロットに移載される。このとき、ウェー
ハボート70の上側2つのスロットには未処理のウェー
ハ5が搭載されているので、2枚の未処理のウェーハ5
は、ウェーハ搬送室54内のウェーハ搬送ロボット80
により反応処理室56内のサセプタ90にすぐに搬送さ
れる。After the predetermined film formation, the reaction processing chamber 5
6 is evacuated and then the gate valve 66 is opened. Two
The wafer 5 is transferred to the wafer transfer robot 8 in vacuum.
It is transferred to the two lower slots of the wafer boat 70 in the load lock chamber 52 by 0. At this time, since the unprocessed wafers 5 are mounted in the upper two slots of the wafer boat 70, two unprocessed wafers 5 are loaded.
Is a wafer transfer robot 80 in the wafer transfer chamber 54.
Thus, it is immediately conveyed to the susceptor 90 in the reaction processing chamber 56.
【0096】このようにして、予め、未処理のウェーハ
5をロードロック室52に供給して、真空雰囲気に保持
しておくことにより、未処理のウェーハ5の搬送時間が
短縮できる。In this way, the unprocessed wafer 5 is previously supplied to the load lock chamber 52 and kept in the vacuum atmosphere, whereby the transfer time of the unprocessed wafer 5 can be shortened.
【0097】その後、ゲートバルブ64を閉じ、ロード
ロック室52内を窒素等で大気圧にし、ここでウェーハ
5を所定の温度になるまで冷却する。After that, the gate valve 64 is closed, and the inside of the load lock chamber 52 is brought to atmospheric pressure with nitrogen or the like, where the wafer 5 is cooled to a predetermined temperature.
【0098】その後、外ゲートバルブ62を開け、カセ
ット搬送兼ウェーハ搬送機20のウェーハ搬送機23に
よってウェーハ5はカセット40内に移載される。After that, the outer gate valve 62 is opened, and the wafer 5 is transferred into the cassette 40 by the wafer transfer device 23 of the cassette transfer / wafer transfer device 20.
【0099】所定枚数のウェーハ5がカセット40内に
搬入されると、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のカ
セット搬送機21によってカセット10が下側に運ば
れ、その後、カセットローダ室10から搬出される。When a predetermined number of wafers 5 are loaded into the cassette 40, the cassette carrier 21 of the cassette carrier / wafer carrier 20 carries the cassette 10 to the lower side, and then it is carried out of the cassette loader chamber 10. .
【0100】図10は、本発明の本発明の第1乃至第2
の実施の形態において使用するカセット搬送兼ウェーハ
搬送ロボット20を説明するための概略斜視図である。FIG. 10 shows the first and second aspects of the present invention.
3 is a schematic perspective view for explaining a cassette transfer / wafer transfer robot 20 used in the embodiment of FIG.
【0101】ベース25、26上にカセット搬送機21
とウェーハ搬送機23が設けられており、カセット搬送
機21とウェーハ搬送機23とは、独立に矢印の方向に
平行移動することができる。カセット搬送機21はカセ
ット搬送アーム22を備えており、カセット搬送アーム
22の先に取り付けられたカセットホルダー27上にカ
セット10を載置してカセット10を搬送する。ウェー
ハ搬送機23は複数のツィーザ24を備えており、この
ツィーザ24上にウェーハ5をそれぞれ搭載してウェー
ハ5を搬送する。The cassette carrier 21 is mounted on the bases 25 and 26.
A wafer carrier 23 is provided, and the cassette carrier 21 and the wafer carrier 23 can be independently moved in parallel in the direction of the arrow. The cassette carrying machine 21 includes a cassette carrying arm 22, and the cassette 10 is carried by mounting the cassette 10 on a cassette holder 27 attached to the tip of the cassette carrying arm 22. The wafer carrier 23 is provided with a plurality of tweezers 24, and the wafers 5 are mounted on the tweezers 24 to carry the wafers 5.
【0102】図11は、本発明の本発明の第1乃至第2
の実施の形態において使用するカセット搬送兼ウェーハ
搬送ロボット20のピッチ変換機構を説明するための図
であり、図11Aは側面図、図11Bは図11AのY−
Y線より見た背面図である。FIG. 11 shows the first and second aspects of the present invention.
11A is a side view, FIG. 11B is a side view, and FIG. 11B is a view for explaining the pitch conversion mechanism of the cassette / cumulative wafer transfer robot 20 used in the embodiment of FIG.
It is the rear view seen from the Y line.
【0103】本実施の形態では、ウェーハ搬送機23
は、5枚のツィーザ241乃至245を備えている。ツ
ィーザ241はブロック260と一体化されている。ツ
ィーザ242、243、244、245にはナット23
2、233、234、235がそれぞれ固着されてい
る。ナット232とナット234はねじ軸210と噛み
合わせられておりナット232とナット234はねじ軸
210とそれぞれボールねじを構成している。ナット2
33とナット235はねじ軸211と噛み合わせられて
おりナット233とナット235はねじ軸211とそれ
ぞれボールねじを構成している。ねじ軸210の上端お
よびねじ軸211の上端はモータ220と歯車機構(図
示せず。)を介して接続されており、ねじ軸210の下
端およびねじ軸211の下端は、ブロック250に回転
自在に取り付けられている。ブロック250とブロック
260にはナット270が取り付けられており、ナット
270はねじ軸280と噛み合って設けられており、ナ
ット270とねじ軸280とによりボールねじを構成し
ている。ねじ軸280が回転すると、ナット270が左
右に動いてツイーザ241乃至245を左右に移動させ
る。In the present embodiment, the wafer transfer machine 23
Includes five tweezers 241 to 245. The tweezers 241 are integrated with the block 260. Nuts 23 are provided on the tweezers 242, 243, 244, and 245.
2, 233, 234 and 235 are fixed to each other. The nut 232 and the nut 234 are engaged with the screw shaft 210, and the nut 232 and the nut 234 form a ball screw with the screw shaft 210, respectively. Nut 2
The nut 33 and the nut 235 are meshed with the screw shaft 211, and the nut 233 and the nut 235 form a ball screw with the screw shaft 211. The upper end of the screw shaft 210 and the upper end of the screw shaft 211 are connected to the motor 220 via a gear mechanism (not shown), and the lower end of the screw shaft 210 and the lower end of the screw shaft 211 are rotatably attached to the block 250. It is installed. A nut 270 is attached to the blocks 250 and 260, and the nut 270 is provided so as to mesh with the screw shaft 280, and the nut 270 and the screw shaft 280 form a ball screw. When the screw shaft 280 rotates, the nut 270 moves left and right to move the tweezers 241 to 245 left and right.
【0104】ナット232と噛み合っているねじ軸21
0の領域212には1倍ピッチのねじが形成されてお
り、ナット233と噛み合っているねじ軸211の領域
213には2倍ピッチのねじが形成されており、ナット
234と噛み合っているねじ軸210の領域214には
3倍ピッチのねじが形成されており、ナット235と噛
み合っているねじ軸211の領域215には4倍ピッチ
のねじが形成されている。また、ブロック250とブロ
ック260との間の上下方向の相対位置は変化しない。
モータ220によってねじ軸210とねじ軸211を回
転させると、ブロック250とブロック260とは昇降
せず、ナット232は所定の距離昇降し、ナット233
はナット232の2倍の距離昇降し、ナット234はナ
ット232の3倍の距離昇降し、ナット235はナット
232の4倍の距離昇降する。従って、ツィザー241
は昇降せず、ツィーザ242は所定の距離昇降し、ツィ
ーザ243はツィーザ242の2倍の距離昇降し、ツィ
ーザ244はツィーザ242の3倍の距離昇降し、ツィ
ーザ245はツィーザ242の4倍の距離昇降する。そ
の結果、ツィーザ241乃至245間のピッチを均等に
保ったまま、ツィーザ241乃至245間のピッチを変
換できる。The screw shaft 21 meshing with the nut 232.
A zero-pitch screw is formed in the region 212 of 0, and a double-pitch screw is formed in the region 213 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 233, and a screw shaft that meshes with the nut 234. A region 214 of 210 is formed with a triple pitch screw, and a region 215 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 235 is formed with a four pitch screw. Further, the vertical relative position between the block 250 and the block 260 does not change.
When the screw shaft 210 and the screw shaft 211 are rotated by the motor 220, the block 250 and the block 260 do not move up and down, but the nut 232 moves up and down by a predetermined distance, and the nut 233.
Moves up and down twice as much as the nut 232, the nut 234 moves up and down three times as much as the nut 232, and the nut 235 moves up and down four times as much as the nut 232. Therefore, the tweezers 241
Does not move up and down, the tweezers 242 move up and down a predetermined distance, the tweezers 243 move up and down twice as long as the tweezers 242, the tweezers 244 move up and down three times as long as the tweezers 242, and the tweezers 245 four times longer than the tweezers 242. Move up and down. As a result, the pitch between the tweezers 241 to 245 can be converted while keeping the pitch between the tweezers 241 to 245 uniform.
【0105】反応処理室56において、例えば、プラズ
マを利用せずに成膜等を行う場合にあっては、占有床面
積を小さくするためにウェーハ5を積層してウェーハ5
の処理を行うことが行われるが、この場合には、複数枚
のウェーハ5の間隔を反応処理室56内でのガスの流れ
等を考慮して膜厚均一性等を維持することができる間隔
にする必要がある。一方、工場内においてウェーハ5を
搬送する場合には、カセット等が用いられることが多い
が、通常は、このカセットの溝間隔は上記膜厚均一性等
を維持することができる間隔とは異なっている。そのた
めに、いずれかの場所でウェーハ5間のピッチを変換す
ることが必要となる。In the reaction processing chamber 56, for example, when film formation is performed without using plasma, the wafers 5 are stacked in order to reduce the occupied floor area.
However, in this case, the interval between the plurality of wafers 5 can be maintained in consideration of the gas flow in the reaction processing chamber 56 and the like to maintain the film thickness uniformity and the like. Need to On the other hand, a cassette or the like is often used to transfer the wafer 5 in the factory, but normally, the groove interval of this cassette is different from the interval at which the film thickness uniformity and the like can be maintained. There is. Therefore, it is necessary to convert the pitch between the wafers 5 at any place.
【0106】従って、上述のように、カセット搬送兼ウ
ェーハ搬送ロボット20がピッチ変換機構を備えるよう
にすれば、大気圧下でピッチを可変とでき、真空下での
場合と比較すれば構造が簡単であり、安価に製造でき、
また、パーティクルの発生を抑えることができる。そし
て、このようにカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット2
0でウェーハ5間のピッチを変換できるので、ウェーハ
搬送ロボットはピッチ可変な構造とする必要がなくな
り、その構造が簡単となり、安価に製造できる。なお、
この場合には、ロードロック室52のウェーハボート7
0に保持されるウェーハ5間の間隔を反応処理室56内
でのウェーハ5間の間隔と実質的に等しくしておくこと
が好ましい。Therefore, as described above, if the cassette transfer / wafer transfer robot 20 is provided with the pitch conversion mechanism, the pitch can be changed under the atmospheric pressure, and the structure is simple as compared with the case under vacuum. And can be manufactured cheaply,
Further, it is possible to suppress the generation of particles. Then, in this way, the cassette transfer and wafer transfer robot 2
Since the pitch between the wafers 5 can be changed by 0, the wafer transfer robot does not need to have a variable pitch structure, the structure is simple, and the manufacturing cost is low. In addition,
In this case, the wafer boat 7 in the load lock chamber 52
It is preferable that the distance between the wafers 5 held at 0 is substantially equal to the distance between the wafers 5 in the reaction processing chamber 56.
【0107】(第2の実施の形態)図12は、本発明の
第2の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置を説明する
ための図であり、図12Aは平面図、図12Bは断面図
である。(Second Embodiment) FIG. 12 is a view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 12A is a plan view and FIG. 12B is a sectional view. is there.
【0108】上述した第1の実施の形態においては、ロ
ードロック室52と搬送室54との間にゲートバルブ6
4を設けたが、本実施の形態においては、そのようなゲ
ートバルブを設けず、ウェーハボート70とウェーハ搬
送ロボット80を同一のロードロック兼搬送室58に設
けた点が第1の実施の形態と異なるが他の点は同様であ
る。In the first embodiment, the gate valve 6 is provided between the load lock chamber 52 and the transfer chamber 54.
4 is provided, but in the present embodiment, such a gate valve is not provided, and the wafer boat 70 and the wafer transfer robot 80 are provided in the same load lock / transfer chamber 58 in the first embodiment. However, the other points are the same.
【0109】(第3の実施の形態)本実施の形態におい
ては、半導体ウェーハ処理装置2として、ウェーハに窒
化膜や酸化膜を成膜するプラズマCVD装置を例にして
説明する。(Third Embodiment) In the present embodiment, as the semiconductor wafer processing apparatus 2, a plasma CVD apparatus for forming a nitride film or an oxide film on a wafer will be described as an example.
【0110】図13は、本発明の第3の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための図であり、図1
3Aは平面図、図13Bは断面図である。図14、図1
5は本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体ウェー
ハ処理装置を説明するための断面図である。図16乃至
図19は、本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
3A is a plan view and FIG. 13B is a sectional view. 14 and 1
FIG. 5 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. 16 to 19 are plan views for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
【0111】半導体ウェーハ処理装置2は、ウェーハ5
を上下左右に搬送可能なカセット搬送兼ウェーハ搬送ロ
ボット20およびエレベータ30を内蔵するカセットロ
ーダユニット100と、各連結モジュール400のゲー
トを開閉するためのゲートバルブ462、464と、ウ
ェーハ搬送用のウェーハ搬送ロボット480を内蔵し、
反応処理室454の圧力を変えずにカセットローダユニ
ット100と反応処理室454間のウェーハ搬送を可能
とするためのロードロック兼搬送室452と、ウェーハ
5を処理する反応処理室454で構成され、各連結モジ
ュール400が気密に連結されている。The semiconductor wafer processing apparatus 2 has the wafer 5
A cassette loader unit 100 that incorporates a cassette / wafer transfer robot 20 and an elevator 30 that can transfer up and down, left and right, gate valves 462 and 464 for opening and closing the gate of each connection module 400, and wafer transfer for wafer transfer Built-in robot 480,
A load lock / transfer chamber 452 for enabling wafer transfer between the cassette loader unit 100 and the reaction process chamber 454 without changing the pressure of the reaction process chamber 454, and a reaction process chamber 454 for processing the wafer 5, The connection modules 400 are airtightly connected.
【0112】以下、連結されたゲートバルブ462、ロ
ードロック兼搬送室452、ゲートバルブ464、反応
処理室454を連結モジュール400と呼ぶ。Hereinafter, the connected gate valve 462, load lock / transfer chamber 452, gate valve 464, and reaction processing chamber 454 will be referred to as a connection module 400.
【0113】連結モジュール400は多段に配設され、
反応処理室454の数を増やしても、装置の占有面積を
小さくするように構成されている。The connection modules 400 are arranged in multiple stages,
Even if the number of reaction processing chambers 454 is increased, the area occupied by the apparatus is reduced.
【0114】また装置のメンテナンススペース116、
118を、装置の前後、ここでは装置の左右にのみ設け
ることにより、さらに占有面積を小さくすることができ
る。Further, the maintenance space 116 of the apparatus,
By arranging 118 only in the front and rear of the device, here in the left and right of the device, the occupied area can be further reduced.
【0115】次に、カセットローダユニット100を説
明する。Next, the cassette loader unit 100 will be described.
【0116】カセットローダユニット100にはカセッ
トローダ46が設けられ、装置本体外部とのカセット4
0の授受が可能となっている。必要に応じてカセット4
0内収納されたウェーハ5のオリエンテーションフラッ
トを合わせる機構部を内蔵している。The cassette loader unit 100 is provided with a cassette loader 46, and the cassette 4 is provided outside the apparatus main body.
It is possible to give and receive 0. Cassette 4 as required
It has a built-in mechanism for aligning the orientation flats of the wafers 5 housed in 0.
【0117】カセットローダ46の上部には複数のカセ
ット棚42が設けられ、複数のカセット40を収納する
ことが可能になっている。A plurality of cassette shelves 42 are provided on the top of the cassette loader 46 so that a plurality of cassettes 40 can be stored.
【0118】カセットローダユニット100の片隅に
は、ウェーハ5及びカセット40を搬送するためのカセ
ット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20を昇降する、エレ
ベータ30が設けられている。At one corner of the cassette loader unit 100, there is provided an elevator 30 for raising and lowering the cassette carrying / wafer carrying robot 20 for carrying the wafer 5 and the cassette 40.
【0119】カセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20
はウェーハ搬送機構部とカセット搬送機構部で構成され
ている。A wafer transfer robot 20 for both cassette transfer and wafer transfer.
Is composed of a wafer transfer mechanism section and a cassette transfer mechanism section.
【0120】次に、ロードロック兼搬送室452を説明
する。Next, the load lock / transfer chamber 452 will be described.
【0121】ロードロック兼搬送室452には、ウェー
ハ5を載置して反応処理室454に対してウェーハ5の
搬出入を行うフィンガ470とその駆動部484で構成
される一軸のウェーハ搬送ロボット480が内蔵されて
いる。フィンガ470の動作方向を図中の矢印で示して
ある。A uniaxial wafer transfer robot 480 including a finger 470 for loading / unloading the wafer 5 into / from the reaction processing chamber 454 and a drive unit 484 thereof is placed in the load lock / transfer chamber 452. Is built in. The operating direction of the finger 470 is indicated by the arrow in the figure.
【0122】ロードロック兼搬送室452に内蔵するウ
ェーハ搬送ロボット480は、図19の矢印で示すよう
に、フィンガ470の動作が回転と前進及び後退できる
ロボットでも良い。The wafer transfer robot 480 built in the load lock / transfer chamber 452 may be a robot in which the operation of the finger 470 can rotate, move forward and backward, as shown by the arrow in FIG.
【0123】図13では連結モジュール400が2段構
成であるが、スループットを上げるために図14に示す
ように3段構成にしても良い。段数を増やしても、装置
の占有面積は変わらないのが本実施の形態の特徴であ
る。Although the connection module 400 has a two-stage configuration in FIG. 13, it may have a three-stage configuration as shown in FIG. 14 in order to increase throughput. The feature of the present embodiment is that the area occupied by the device does not change even if the number of stages is increased.
【0124】図15には連結モジュール400が1段構
成が示してあるが、これは図13に示した2段構成の装
置から上部の連結モジュール400を取り去った状態で
ある。FIG. 15 shows the connecting module 400 having a one-stage structure. This is a state in which the upper connecting module 400 is removed from the apparatus having the two-stage structure shown in FIG.
【0125】要求される処理能力に応じて、連結モジュ
ール400の段数は決定し、図示しない装置の筐体に設
けられた連結モジュール取付け機構により、容易に着脱
を可能とすることにより、最適のシステム構成が可能と
なっている。The number of stages of the connection module 400 is determined according to the required processing capacity, and the connection module attachment mechanism provided in the casing of the device (not shown) allows easy attachment / detachment, thereby providing an optimum system. Can be configured.
【0126】反応処理室454で1度に処理するウェー
ハ5の枚数は図16に示すように1枚の場合、図17に
示すように2枚の場合、図18に示すように3枚にする
ことが可能であり、その枚数はウェーハ5の大きさや、
要求されるプロセス条件に応じて、適宜決定する。The number of wafers 5 processed at once in the reaction processing chamber 454 is one as shown in FIG. 16, two as shown in FIG. 17, and three as shown in FIG. The number of wafers depends on the size of the wafer 5,
It is decided as appropriate according to the required process conditions.
【0127】ウェーハ径が8インチの場合は、1枚また
は2枚が適切である。When the wafer diameter is 8 inches, one or two wafers are suitable.
【0128】反応処理室454で1度に処理するウェー
ハ5の枚数によって、ロードロック兼搬送室452のウ
ェーハ搬送ロボット480の構成も変わる。The structure of the wafer transfer robot 480 in the load lock / transfer chamber 452 also changes depending on the number of wafers 5 processed at one time in the reaction processing chamber 454.
【0129】反応処理室454で一度に処理するウェー
ハ5の枚数が1枚の場合、図16に示すようにフィンガ
472に載置するウェーハ5の枚数は1枚であるが、図
17に示すように反応処理室454で一度に処理するウ
ェーハ5の枚数が2枚の場合は、図17に示すようにフ
ィンガ474に載置するウェーハ5の枚数は、搬送時間
を短くするために2枚が最適である。When the number of wafers 5 processed at one time in the reaction processing chamber 454 is one, the number of wafers 5 placed on the fingers 472 is one as shown in FIG. 16, but as shown in FIG. When the number of wafers 5 to be processed at one time in the reaction processing chamber 454 is two, the optimum number of wafers 5 to be placed on the fingers 474 is two in order to shorten the transfer time, as shown in FIG. Is.
【0130】同様に、反応処理室454で一度に処理す
るウェーハ5の枚数が3枚の場合は、フィンガ476に
載置するウェーハ5の枚数は図18に示すように、3枚
が最適である。Similarly, when the number of wafers 5 to be processed at one time in the reaction processing chamber 454 is three, the optimum number of wafers 5 to be placed on the fingers 476 is three, as shown in FIG. .
【0131】ロードロック兼搬送室452に内蔵したウ
ェーハ搬送ロボット480のフィンガ478の動作が図
19に示すように、回転と前進及び後退が可能ならば、
反応処理室454で一度に処理するウェーハ5の枚数が
2枚の場合でも3枚の場合でも、フィンガ478に載置
するウェーハ5の枚数が1枚で対応可能である。If the operation of the finger 478 of the wafer transfer robot 480 incorporated in the load lock / transfer chamber 452 can rotate, move forward and backward, as shown in FIG.
Whether the number of wafers 5 processed at one time in the reaction processing chamber 454 is two or three, the number of wafers 5 placed on the finger 478 can be one.
【0132】ロードロック兼搬送室452に内蔵するウ
ェーハ搬送ロボット480の共通化を図るには、図19
に示すような1枚載置型が良い。In order to standardize the wafer transfer robot 480 built in the load lock / transfer chamber 452, FIG.
The one-sheet mounting type as shown in FIG.
【0133】以下、動作を説明する。The operation will be described below.
【0134】装置外部より、手動あるいは自動カセット
搬送機構により、ウェーハ5を収納したカセット40を
カセットローダユニット100内部のカセットローダ4
6に載置し、カセット40の位置を合わせる。From the outside of the apparatus, the cassette 40 containing the wafer 5 is loaded into the cassette loader unit 100 by the manual or automatic cassette transfer mechanism.
6 and the cassette 40 is aligned.
【0135】ウェーハ5のオリエンテーションフラット
を合わせる場合は、図示しないオリエンテーションフラ
ットアライメント機構部を動作させ、オリエンテーショ
ンフラットを合わせる。When aligning the orientation flat of the wafer 5, the orientation flat alignment mechanism section (not shown) is operated to align the orientation flat.
【0136】カセットローダ46に載置されたカセット
40の位置合わせが終了したら、カセット搬送兼ウェー
ハ搬送ロボット20とエレベータ30とを利用して、カ
セットローダ46上のカセット40を上部のカセット棚
42に移載する。When the positioning of the cassette 40 placed on the cassette loader 46 is completed, the cassette 40 on the cassette loader 46 is moved to the upper cassette shelf 42 by utilizing the cassette transfer / wafer transfer robot 20 and the elevator 30. Reprint.
【0137】カセット棚42が複数設けられているの
で、カセット40を複数個収納できるが、最大6個あれ
ば十分と考えられ、その数は必要に応じて適宜決定す
る。生産ラインの能力に応じて、装置稼働時のカセット
40の収納数はばらつくが、通常、装置稼働時は処理済
と処理前のカセット40が混在した状態で収納される。Since a plurality of cassette shelves 42 are provided, a plurality of cassettes 40 can be accommodated, but it is considered that a maximum of six is sufficient, and the number thereof is appropriately determined as needed. Depending on the capacity of the production line, the number of cassettes 40 stored when the device is operating varies, but normally, when the device is operating, processed and unprocessed cassettes 40 are stored in a mixed state.
【0138】カセット棚42上のカセット40に収納さ
れている未処理のウェーハ5は、カセット搬送兼ウェー
ハ搬送ロボット20とエレベータ30の協働により、ロ
ードロック兼搬送室452内のウェーハ搬送ロボット4
80のフィンガ470上に搬送される。The unprocessed wafers 5 stored in the cassette 40 on the cassette shelf 42 are processed by the cassette transfer / wafer transfer robot 20 and the elevator 30 in cooperation with each other.
It is transported onto 80 fingers 470.
【0139】このときロードロック兼搬送室452は大
気圧状態で、カセットローダユニット100とロードロ
ック兼搬送室452間のゲートバルブ462は開いた状
態になっており、カセットローダユニット100のカセ
ット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20によってロードロ
ック兼搬送室452に対してウェーハ5の搬出入が可能
となっている。At this time, the load lock / conveyance chamber 452 is in the atmospheric pressure state, and the gate valve 462 between the cassette loader unit 100 and the load lock / conveyance chamber 452 is in the open state, and the cassette loader / conveyor unit 100 in the cassette conveyance / conveyance unit 452 is opened. The wafer transfer robot 20 allows the wafer 5 to be loaded and unloaded into and from the load lock / transfer chamber 452.
【0140】ロードロック兼搬送室452内のウェーハ
搬送ロボット480のフィンガ470上にウェーハ5の
載置が終了したら、カセットローダユニット100とロ
ードロック兼搬送室452間のゲートバルブ462を閉
じて、ロードロック兼搬送室462を反応処理室454
とほぼ同圧になるまで図示しないポンプで排気する。After the wafer 5 is placed on the fingers 470 of the wafer transfer robot 480 in the load lock / transfer chamber 452, the gate valve 462 between the cassette loader unit 100 and the load lock / transfer chamber 452 is closed to load the wafer. The lock / transfer chamber 462 is replaced with the reaction processing chamber 454.
Exhaust with a pump (not shown) until the pressure is almost the same.
【0141】ロードロック兼搬送室452の排気が完了
したら、ロードロック兼搬送室452と反応処理室45
4間のゲートバルブ464を開き、フィンガ470を反
応処理室454側に移動して反応処理室454内のサセ
プタ490上にウェーハ5を載置する。サセプタ490
上にウェーハ5を載置する方法は種々あるが、通常サセ
プタ5に設けられたウェーハ授受用ピン491とフィン
ガ470との協働で行われるのが一般的である。When the exhaust of the load lock / transfer chamber 452 is completed, the load lock / transfer chamber 452 and the reaction processing chamber 45 are completed.
The gate valve 464 between the four is opened, the finger 470 is moved to the reaction processing chamber 454 side, and the wafer 5 is placed on the susceptor 490 in the reaction processing chamber 454. Susceptor 490
There are various methods of mounting the wafer 5 on the wafer, but generally, the wafer transfer pins 491 and the fingers 470 provided on the susceptor 5 cooperate with each other.
【0142】サセプタ490上にウェーハ5が載置され
たらロードロック兼搬送室452と反応処理室454間
のゲートバルブ464を閉じ、反応処理室454内にプ
ロセスガスを供給し、所定の圧力にした後、高周波電力
によりプラズマを生成してウェーハ5を処理する。When the wafer 5 is placed on the susceptor 490, the gate valve 464 between the load lock / transfer chamber 452 and the reaction processing chamber 454 is closed, and the process gas is supplied into the reaction processing chamber 454 to a predetermined pressure. After that, plasma is generated by the high frequency power to process the wafer 5.
【0143】ウェーハ5の処理が完了したら、ロードロ
ック兼搬送室452と反応処理室454間のゲートバル
ブ464を開きロードロック兼搬送室452内のウェー
ハ搬送ロボット480のフィンガ470と反応処理室4
54内のサセプタ490に設けられたウェーハ授受用ピ
ン491の協働によってウェーハ5をフィンガ470上
に受け取り、フィンガ470をロードロック兼搬送室4
52へ戻す。When the processing of the wafer 5 is completed, the gate valve 464 between the load lock / transfer chamber 452 and the reaction process chamber 454 is opened, and the fingers 470 of the wafer transfer robot 480 in the load lock / transfer chamber 452 and the reaction process chamber 4 are opened.
The wafer 5 is received on the finger 470 by the cooperation of the wafer transfer pins 491 provided on the susceptor 490 in the 54, and the finger 470 is loaded into the load lock / transfer chamber 4 as well.
Return to 52.
【0144】その後ロードロック兼搬送室452と反応
処理室454間のゲートバルブ464を閉じ、ロードロ
ック兼搬送室452には通常窒素を導入して大気圧にす
る。この間、反応処理室454では反応処理室454内
部をプラズマを用いてクリーニングを実施する。After that, the gate valve 464 between the load lock / transfer chamber 452 and the reaction processing chamber 454 is closed, and nitrogen is normally introduced into the load lock / transfer chamber 452 to bring it to atmospheric pressure. In the meantime, in the reaction processing chamber 454, the inside of the reaction processing chamber 454 is cleaned using plasma.
【0145】ロードロック兼搬送室452が大気圧にな
ったら、カセットローダユニット100とロードロック
兼搬送室452間のゲートバルブ462を開き、フィン
ガ470上のウェーハ5をカセットローダユニット10
0のカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット20を用い
て、カセット棚42上の所定のカセット40の所定のス
リットに収納する。When the load lock / transfer chamber 452 reaches the atmospheric pressure, the gate valve 462 between the cassette loader unit 100 and the load lock / transfer chamber 452 is opened to move the wafer 5 on the finger 470 to the cassette loader unit 10.
The cassette transfer / wafer transfer robot 20 of 0 is used to store the cassette in the predetermined slit of the predetermined cassette 40 on the cassette shelf 42.
【0146】これら一連の動作を繰り返して、カセット
棚42上のカセット40に収納されたウェーハ5を処理
する。By repeating these series of operations, the wafers 5 accommodated in the cassette 40 on the cassette shelf 42 are processed.
【0147】以上説明したように、本実施の形態では、
スループットを高める為に、反応処理室を含む連結モジ
ュールの数を増やしても、装置の占有床面積が大きくな
らない。また装置のメンテナンススペースを装置の対向
する前後方向に設けることにより、装置の占有床面積を
さらに小さくできる。As described above, in the present embodiment,
Even if the number of connecting modules including the reaction processing chamber is increased to increase the throughput, the floor space occupied by the apparatus does not increase. Further, by providing the maintenance space of the device in the front-rear direction facing the device, the floor area occupied by the device can be further reduced.
【0148】また、本実施の形態では、反応処理室で一
度に処理するウェーハ枚数を2枚以上にする事により、
スループットを高めることができる。Further, in the present embodiment, the number of wafers processed at one time in the reaction processing chamber is set to 2 or more,
Throughput can be increased.
【0149】さらに、本実施の形態では、ロードロック
兼搬送室に内蔵したロボットが一度に搬送するウェーハ
等の被処理基板の数を、反応処理室で一度に処理する被
処理基板の数と同一にすることにより、ロードロック兼
搬送室と反応処理室間のウェーハ搬送時間を短縮でき
る。したがってスループットを向上できる。さらに、こ
のように鉛直方向に積み重ねられた複数の連結モジュー
ル400が、互いに離間して、それぞれが取り外し可能
にカセットローダユニット100のカセットローダ室1
0の室壁12に取り付けられているから、いずれかの連
結モジュール400にメンテナンスが必要となった場合
に、メンテナンスが必要な連結モジュール400のみを
容易に取り外すことができ、その連結モジュール400
のメンテナンスを行っている際にも他の連結モジュール
400を稼働させることができ、その結果、半導体ウェ
ーハ処理装置2の稼働効率が大幅に向上する。また、こ
のように鉛直方向に積み重ねられた複数の連結モジュー
ル400が、互いに離間して、それぞれが取り外し可能
にカセットローダ室10の室壁12に取り付けられてい
るから、いずれかの連結モジュール400にメンテナン
スが必要となった場合に、メンテナンスが必要な連結モ
ジュール400のみを取り外し、その連結モジュール4
00のメンテナンスを行い、メンテナンスが終了する
と、その連結モジュール400内において反応処理室4
54内のサセプタ490とウェーハ搬送ロボット480
との間でウェーハ5の搬送が可能なように、ウェーハ搬
送ロボット480と反応処理室454内のサセプタ49
0との間における平行度や高さ方向の調整等を予め行っ
ておき、調整後に、連結モジュール400をカセットロ
ーダ室10の室壁12に再び取り付けることができる。
このように、連結モジュール400内で反応処理室45
4内のサセプタ490とウェーハ搬送ロボット480と
の間でのウェーハ5の搬送に関する調整を予め行ってお
くことができるので、その調整作業が容易かつ正確に行
える。そして、その後、メンテナンスを行った連結モジ
ュール400をカセットローダ室10の室壁12に取り
付けた場合には、もはや、その連結モジュール400内
における反応処理室454内のサセプタ490とウェー
ハ搬送ロボット480との間のウェーハ5の搬送に関す
る調整を行う必要がなくなるから、半導体ウェーハ処理
装置2の稼働効率を大幅に向上させることができる。な
お、連結モジュール400のメンテナンスとしては、例
えば、反応処理室454を取り外して反応処理室454
の洗浄を行いその後反応処理室454を再び取り付けた
り、ウェーハ搬送ロボット480が故障等した際にウェ
ーハ搬送ロボット480を修理または取り替えたりする
ことが行われるが、このようなメンテナンスを行った後
には、ウェーハ搬送ロボット480と反応処理室454
内のサセプタ490との間における平行度や高さ方向の
調整等が必要となる。本実施の形態においては、上述の
ように、予め連結モジュール400単位でこれらの間の
調整を行っておくことができるので、その調整作業が容
易かつ正確に行え、また、半導体ウェーハ処理装置2の
稼働効率を大幅に向上させることができる。Further, in the present embodiment, the number of substrates to be processed such as wafers transferred at one time by the robot built in the load lock / transfer chamber is the same as the number of substrates to be processed at one time in the reaction processing chamber. By doing so, the wafer transfer time between the load lock / transfer chamber and the reaction processing chamber can be shortened. Therefore, the throughput can be improved. Further, the plurality of connection modules 400 vertically stacked in this manner are separated from each other, and each of them is detachable so that the cassette loader chamber 1 of the cassette loader unit 100 can be detached.
Since it is attached to the chamber wall 12 of No. 0, when maintenance is required for any of the coupling modules 400, only the coupling module 400 requiring maintenance can be easily removed.
Other connection modules 400 can be operated even during the maintenance described above, and as a result, the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 2 is significantly improved. In addition, since the plurality of connection modules 400 vertically stacked in this manner are separated from each other and are detachably attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10, When maintenance becomes necessary, only the connection module 400 requiring maintenance is removed and the connection module 4
00, and when the maintenance is completed, the reaction processing chamber 4
54 and wafer transfer robot 480
The wafer transfer robot 480 and the susceptor 49 in the reaction processing chamber 454 can transfer the wafer 5 to and from the wafer.
It is possible to previously adjust the parallelism and the height direction with respect to 0, and after the adjustment, the connection module 400 can be attached again to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10.
As described above, in the connection module 400, the reaction processing chamber 45
Since the adjustment of the transfer of the wafer 5 between the susceptor 490 in the wafer No. 4 and the wafer transfer robot 480 can be performed in advance, the adjustment work can be performed easily and accurately. After that, when the maintenance connection module 400 is attached to the chamber wall 12 of the cassette loader chamber 10, the susceptor 490 in the reaction processing chamber 454 and the wafer transfer robot 480 in the connection module 400 are no longer connected. Since it is not necessary to adjust the transfer of the wafer 5 between them, the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 2 can be significantly improved. As the maintenance of the connection module 400, for example, the reaction processing chamber 454 is removed and the reaction processing chamber 454 is removed.
After that, the reaction processing chamber 454 is reattached, or the wafer transfer robot 480 is repaired or replaced when the wafer transfer robot 480 fails, but after performing such maintenance, Wafer transfer robot 480 and reaction processing chamber 454
The parallelism with the inner susceptor 490 and adjustment in the height direction are required. In the present embodiment, as described above, the adjustment between them can be performed in advance in units of the connection module 400, so that the adjustment work can be performed easily and accurately, and the semiconductor wafer processing apparatus 2 The operating efficiency can be greatly improved.
【0150】[0150]
【発明の効果】本発明によれば、基板の処理効率が高
く、装置の稼働効率も高く、しかも、占有面積が小さ
く、メンテナンス領域も小さい基板処理装置が得られ
る。According to the present invention, it is possible to obtain a substrate processing apparatus having a high substrate processing efficiency, a high operating efficiency of the apparatus, a small occupied area, and a small maintenance area.
【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための図であり、図1Aは平面図、図
1Bは断面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a sectional view.
【図2】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 4 is a plan view for explaining the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 5 is a plan view for explaining the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置におけるロードロック室を説明するため
の平面図である。FIG. 6 is a plan view for explaining a load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図7】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置におけるロードロック室を説明するため
の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置におけるロードロック室を説明するため
の平面図である。FIG. 8 is a plan view for explaining a load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図9】本発明の本発明の第1の実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置におけるロードロック室を説明するため
の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the load lock chamber in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図10】本発明の本発明の第1乃至第3の実施の形態
において使用するカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット
を説明するための概略斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a cassette transfer / wafer transfer robot used in the first to third embodiments of the present invention.
【図11】本発明の本発明の第1乃至第3の実施の形態
において使用するカセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット
のピッチ変換機構を説明するための図であり、図11A
は側面図、図11Bは図11AのY−Y線より見た背面
図である。FIG. 11 is a view for explaining the pitch conversion mechanism of the cassette transfer / wafer transfer robot used in the first to third embodiments of the present invention.
11B is a side view, and FIG. 11B is a rear view seen from the line YY of FIG. 11A.
【図12】本発明の第2の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための図であり、図12Aは平面
図、図12Bは断面図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 12A is a plan view, and FIG. 12B is a sectional view.
【図13】本発明の第3の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための図であり、図13Aは平面
図、図13Bは断面図である。13A and 13B are views for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, FIG. 13A is a plan view, and FIG. 13B is a sectional view.
【図14】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 14 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図15】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図16】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 16 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図17】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 17 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図18】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 18 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図19】本発明の本発明の第3の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 19 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図20】従来の半導体ウェーハ処理装置を説明するた
めの平面図である。FIG. 20 is a plan view for explaining a conventional semiconductor wafer processing apparatus.
1、2…半導体ウェーハ処理装置
5…ウェーハ
10…カセットローダ室
12…室壁
20…カセット搬送兼ウェーハ搬送ロボット
21…カセット搬送機
22…カセット搬送アーム
23…ウェーハ搬送機
24…ツィーザ
27…カセットホルダー
30…エレベータ
40…カセット
42…カセット棚
44、46…カセットローダ
52…ロードロック室
54…搬送室
56、454…反応処理室
58…ロードロック兼搬送室
62、64、66、462、464…ゲートバルブ
70…ウェーハボート
80…ウェーハ搬送ロボット
90、92、94、490、492、494、496…
サセプタ
100…カセットローダユニット
112、114、116、118…メンテナンス領域
300、400…連結モジュール
452…ロードロック兼搬送室
470、472、474、476、478…フィンガ
480…ウェーハ搬送ロボット
482…駆動部
491…ウェーハ授受用ピン1, 2 ... Semiconductor wafer processing apparatus 5 ... Wafer 10 ... Cassette loader chamber 12 ... Chamber wall 20 ... Cassette transport / wafer transport robot 21 ... Cassette transport machine 22 ... Cassette transport arm 23 ... Wafer transport machine 24 ... Tweeter 27 ... Cassette holder 30 ... Elevator 40 ... Cassette 42 ... Cassette shelf 44, 46 ... Cassette loader 52 ... Load lock chamber 54 ... Transfer chamber 56, 454 ... Reaction processing chamber 58 ... Load lock / transfer chamber 62, 64, 66, 462, 464 ... Gate Valve 70 ... Wafer boat 80 ... Wafer transfer robot 90, 92, 94, 490, 492, 494, 496 ...
Susceptor 100 ... Cassette loader unit 112, 114, 116, 118 ... Maintenance area 300, 400 ... Connection module 452 ... Load lock / transfer chamber 470, 472, 474, 476, 478 ... Finger 480 ... Wafer transfer robot 482 ... Drive unit 491 … Wafer transfer pins
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 巻口 一誠 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 田中 勉 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 鈴木 貞之 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 野村 慎一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 竹下 光徳 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 5F031 CA02 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 FA14 FA15 FA25 GA04 GA32 GA40 GA49 GA60 HA42 KA13 LA12 MA02 MA07 MA09 MA13 MA15 MA28 NA05 NA07 PA03 PA06 PA23 PA25 5F045 BB08 DP02 DQ17 EB05 EB08 EB09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Issei Makiguchi 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Tsutomu Tanaka 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Sadayuki Suzuki 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Shinichi Nomura 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Mitsunori Takeshita 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5F031 CA02 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 FA14 FA15 FA25 GA04 GA32 GA40 GA49 GA60 HA42 KA13 LA12 MA02 MA07 MA09 MA13 MA15 MA28 NA05 NA07 PA03 PA06 PA23 PA25 5F045 BB08 DP02 DQ17 EB05 EB08 EB09
Claims (5)
って、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第1の
基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、 前記複数のモジュールのそれぞれが、 前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、 前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気
密構造の中間室と、 前記基板処理室と前記中間室との間に設けられた第1の
バルブであって閉じた場合には前記基板処理室と前記中
間室との間を気密にすることができ、開いた場合には前
記基板がその内部を通って移動可能な第1のバルブと、 前記中間室と前記基板搬送部との間に設けられた第2の
バルブであって閉じた場合には前記中間室と前記基板搬
送部との間を気密にすることができ、開いた場合には前
記基板がその内部を通って移動可能な第2のバルブとを
備え、 前記中間室には前記基板を前記基板処理室に搬送可能な
第2の基板搬送手段が設けられ、 前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基板搬
送部であることを特徴とする基板処理装置。1. A substrate transfer unit, a plurality of modules attached to the substrate transfer unit, and a first substrate transfer unit provided in the substrate transfer unit, the substrate being transferable to the plurality of modules. A first substrate transfer means, wherein each of the plurality of modules has an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, and the substrate processing chamber and the substrate transfer section. An airtight intermediate chamber provided between the substrate processing chamber and the intermediate chamber when the first valve provided between the substrate processing chamber and the intermediate chamber is closed. And a second valve provided between the intermediate chamber and the substrate transfer section, wherein the first valve allows the substrate to move through the inside when opened. When closed, the intermediate chamber and the base A second valve is provided which can be made airtight with respect to the plate transfer section and is movable through the inside thereof when the substrate is opened, and the intermediate chamber is provided with the substrate. A substrate processing apparatus, wherein a second substrate transfer means capable of transferring the substrate is provided, and the substrate transfer section is a substrate transfer section that transfers the substrate under atmospheric pressure.
れた複数のモジュールと、 前記基板搬送部内に設けられた第1の基板搬送手段であ
って、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第1の
基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、 前記複数のモジュールのそれぞれが、 前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、 前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気
密構造の第1および第2の中間室であって、前記基板処
理室側の前記第1の中間室と、前記基板搬送部側の前記
第2の中間室と、 前記基板処理室と前記第1の中間室との間に設けられた
第1のバルブであって閉じた場合には前記基板処理室と
前記第1の中間室との間を気密にすることができ、開い
た場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第1
のバルブと、 前記第1の中間室と前記第2の中間室との間に設けられ
た第2のバルブであって閉じた場合には前記第1の中間
室と前記第2の中間室との間を気密にすることができ、
開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な
第2のバルブと、 前記第2の中間室と前記基板搬送部との間に設けられた
第3のバルブであって閉じた場合には前記第2の中間室
と前記基板搬送部との間を気密にすることができ、開い
た場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第3
のバルブとを備え、 前記第2の中間室には、前記基板を保持可能な基板保持
手段が設けられ、 前記第1の中間室には、前記基板を前記基板保持手段と
前記基板処理室との間で搬送可能な第2の基板搬送手段
が設けられ、 前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基板搬
送部であることを特徴とする基板処理装置。2. A substrate transfer unit, a plurality of modules each removably attached to the substrate transfer unit, and a first substrate transfer means provided in the substrate transfer unit, wherein the plurality of substrates are provided. And a first substrate transfer means capable of being transferred to the module, wherein each of the plurality of modules has an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, the substrate processing chamber, and the substrate processing chamber. First and second intermediate chambers of an airtight structure provided between the substrate transfer section and the first intermediate chamber on the substrate processing chamber side and the second intermediate chamber on the substrate transfer section side. A chamber and a first valve provided between the substrate processing chamber and the first intermediate chamber, and when closed, provides an airtight seal between the substrate processing chamber and the first intermediate chamber. Can be opened and the substrate will The movable through section 1
And a second valve provided between the first intermediate chamber and the second intermediate chamber, the first intermediate chamber and the second intermediate chamber being closed when closed. Can be airtight between
A second valve through which the substrate can move when opened, and a third valve provided between the second intermediate chamber and the substrate transfer unit that is closed The third intermediate chamber and the substrate transfer section can be made airtight, and when opened, the substrate can move through the third chamber.
A substrate holding means capable of holding the substrate is provided in the second intermediate chamber, and the first intermediate chamber is provided with the substrate holding means and the substrate processing chamber. A substrate processing apparatus, wherein a second substrate transfer unit that can transfer between the two is provided, and the substrate transfer unit is a substrate transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure.
持するカセット保持手段が前記基板搬送部にさらに設け
られ、前記第1の基板搬送手段が前記カセット保持手段
に保持される前記カセットと前記複数のモジュールとの
間で前記基板を搬送可能であることを特徴とする請求項
1または2記載の基板処理装置。3. A cassette holding means for holding a cassette capable of accommodating a plurality of the substrates is further provided in the substrate transfer section, and the first substrate transfer means is held by the cassette holding means and the cassette. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate can be transferred to and from a plurality of modules.
って、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第1の
基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、 前記複数のモジュールのそれぞれが、 前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、 前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気
密構造の中間室とを備え、 前記中間室には前記基板を前記基板処理室に搬送可能な
第2の基板搬送手段が設けられ、 前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基板搬
送部である基板処理装置を用いて、 前記基板を前記第1の基板搬送手段により前記基板搬送
部から所定の前記モジュールの前記中間室に搬送し、次
に前記基板を前記第2の基板搬送手段により前記中間室
から前記基板処理室に搬送し、次に前記基板処理室によ
り前記基板を処理することを特徴とする基板処理方法。4. A substrate transfer part, a plurality of modules attached to the substrate transfer part, and a first substrate transfer means provided in the substrate transfer part, wherein the substrate can be transferred to the plurality of modules. A first substrate transfer means, wherein each of the plurality of modules has an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, and the substrate processing chamber and the substrate transfer section. An intermediate chamber having an airtight structure provided between the second chamber and the second chamber, the second substrate transporting unit capable of transporting the substrate to the substrate processing chamber is provided in the intermediate chamber; Using the substrate processing apparatus which is a substrate transfer unit for transferring a substrate, the substrate is transferred from the substrate transfer unit to the intermediate chamber of a predetermined module by the first substrate transfer unit, and then the substrate is transferred to the intermediate chamber. Second substrate The substrate processing method characterized in that the feed means is conveyed to the substrate processing chamber from the intermediate chamber, then processing the substrate by the substrate processing chamber.
れた複数のモジュールと、 前記基板搬送部内に設けられた第1の基板搬送手段であ
って、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第1の
基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、 前記複数のモジュールのそれぞれが、 前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、 前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気
密構造の第1および第2の中間室であって、前記基板処
理室側の前記第1の中間室と、前記基板搬送部側の前記
第2の中間室とを備え、 前記第2の中間室には、前記基板を保持可能な基板保持
手段が設けられ、 前記第1の中間室には、前記基板を前記基板保持手段と
前記基板処理室との間で搬送可能な第2の基板搬送手段
が設けられ、 前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基板搬
送部である基板処理装置を用いて、 前記基板を前記第1の基板搬送手段により前記基板搬送
部から所定の前記モジュールの前記第2の中間室に設け
られた前記基板保持手段に搬送し、次に前記基板を前記
第2の基板搬送手段により前記第2の中間室の前記基板
保持手段から前記第1の中間室を介して前記基板処理室
に搬送し、次に基板処理室により前記基板を処理するこ
とを特徴とする基板処理方法。5. A substrate transfer part, a plurality of modules each detachably attached to the substrate transfer part, and a first substrate transfer means provided in the substrate transfer part, wherein the plurality of substrates are provided. And a first substrate transfer means capable of being transferred to the module, wherein each of the plurality of modules has an airtight substrate processing chamber for processing the substrate, the substrate processing chamber, and the substrate processing chamber. First and second intermediate chambers of an airtight structure provided between the substrate transfer section and the first intermediate chamber on the substrate processing chamber side and the second intermediate chamber on the substrate transfer section side. A chamber, the second intermediate chamber is provided with substrate holding means capable of holding the substrate, and the first intermediate chamber is provided with the substrate holding means and the substrate processing chamber. The second substrate transfer means that can transfer between A substrate processing apparatus is provided, wherein the substrate transfer unit is a substrate transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure, and the substrate is transferred from the substrate transfer unit to a predetermined module of the module by the first substrate transfer unit. The substrate is conveyed to the substrate holding means provided in the second intermediate chamber, and then the substrate is moved from the substrate holding means of the second intermediate chamber to the first intermediate chamber by the second substrate conveying means. A substrate processing method, wherein the substrate is transferred to the substrate processing chamber via the substrate processing chamber, and then the substrate is processed in the substrate processing chamber.
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|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |