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JP2003046096A - 半導体モジュールとその製造方法および回路基板ならびに半導体装置 - Google Patents

半導体モジュールとその製造方法および回路基板ならびに半導体装置

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JP2003046096A
JP2003046096A JP2002115172A JP2002115172A JP2003046096A JP 2003046096 A JP2003046096 A JP 2003046096A JP 2002115172 A JP2002115172 A JP 2002115172A JP 2002115172 A JP2002115172 A JP 2002115172A JP 2003046096 A JP2003046096 A JP 2003046096A
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semiconductor device
terminal electrode
output terminal
light receiving
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正浩 小野
Minehiro Itagaki
峰広 板垣
Yoshihiro Tomura
善広 戸村
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】実装信頼性ならびに生産性に優れた半導体モジ
ュールの提供。 【解決手段】回路基板１４の入出力端子電極に半導体装
置１１の端子電極１２を位置合わせした状態で、半導体
装置１１を回路基板１４に載置する。半導体装置１１を
回路基板１４に載置する工程の前処理もしくは後処理と
して、半導体装置１１の受光領域部１７と回路基板１４
の貫通孔１８とを除いた少なくとも端子電極１２と入出
力端子電極１５との間の電極接続部に感光性封止樹脂２
０を供給する。感光性封止樹脂２０に光線を照射して感
光性封止樹脂２０の表面を半硬化させる。回路基板１４
に対して半導体装置１１を相対的に加圧することで入出
力端子電極１５に設けた突起電極１３を、入出力端子電
極１５に当接した状態で押圧変形させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光領域部を設け
た撮像素子である半導体モジュールとその製造方法およ
び回路基板ならびに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯用電子機器の小型化、高性能化に伴
い半導体デバイスなどの小型化、高性能化がますます求
められている。そのため端子ピン数が増加し、狭ピッチ
化あるいはエリア配列にすることが重要となる。しか
し、狭ピッチ化にも限界があり、今以上の狭ピッチ化を
進める必要がある一方で、素子あるいは配線上にもパッ
ドを設けて実装することが重要となっている。これが可
能な技術としてＩＢＭで開発された半田バンプによる、
通称Ｃ４（Controlled Collapse ChipConnection）と呼
ばれる実装技術がある。図２８はその半田バンプの概略
断面図である。図２８において、７１はＰｂ−Ｓｎ半
田、７２はＣｕ−Ｓｎ金属間化合物、７３はＣｒ−Ｃ
ｕ、７４はＣｒ、７５はＡｌ、７６はガラス保護膜、７
７はＳｉＯ2膜、７８はＩＣ基板である。
【０００３】文献『エレクトロニクス実装技術８月号
（１９９６年）Ｐ７８〜Ｐ８３』によれば、ＩＣチップ
のパッド電極の材料であるアルミニウムの表面にはアル
ミニウムの酸化膜がついている。この酸化膜の除去処理
を行った後、真空蒸着によりバリアメタルと称する金属
膜を形成した後、半田バンプを形成する。これを回路基
板の入出力端子電極上に当接してリフローすれば半田が
溶融し接続が完了する。
【０００４】その他、半田以外にもバリアメタルを形成
した後、Ａｕめっきバンプを形成する構造などもある。
【０００５】これらの従来技術は、ＩＣチップの能動素
子上に端子電極がきて、そこに突起電極を形成してもＩ
Ｃチップの能動素子へのダメージがないことが期待でき
る。しかし、これらの技術はいずれもめっきもしくはそ
れに付随した処理がなされているため、めっき装置、廃
液処理、洗浄処理などに関係するコスト高の問題、ある
いは環境問題が常につきまとっている。そのため、民生
機器では実用化が難しい。また、エリア配列での実装に
おいては、半田バンプの径が大きいこと、基板などのプ
ロセスの微細化の必要性やパッケージとしての信頼性を
考えると、現在２５０μｍピッチ前後が実装限界となっ
ている。
【０００６】一方、フリップチップ実装として突起電極
が形成された半導体装置を接合層を介して回路基板の入
出力端子電極上に実装する方式がある。図２９には、ワ
イヤボンディング法を用いて端子電極８２上に形成され
た突起電極８３を有する半導体装置８１を、導電性接着
剤８６を介して回路基板８４の入出力端子電極８５上に
実装し、封止樹脂８７により補強された実装構造を示し
ている。この場合、導電性接着剤８６という接合層の存
在により、電極接続部の高信頼性が確保されている。突
起電極８３は、電解めっき、あるいは無電解めっきで生
成された、例えばＡｕ、Ｎｉなどで構成されたものを用
いてもよい。
【０００７】ここで、接合層に導電性接着剤（等方的）
８６を用いる場合には、基板の電極が変形するまでの実
装荷重を必要としない。
【０００８】
【表１】
【０００９】表１には、突起電極８３としてＮｉ−Ａｕ
の無電解めっきバンプ、接合層８６として半田、封止樹
脂８７として紫外線硬化樹脂を用いた場合の半導体装置
８１中の素子の劣化を調べた結果を示している。Ｎｃｈ
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧が実装後、初期に
比べて１０％変動してしまう結果が得られた。
【００１０】
【表２】
【００１１】また、表２には、突起電極８３としてワイ
ヤボンディング法により形成されたＡｕバンプを、導電
性接着剤８６を介して回路基板８４の端子電極８５上に
実装し、一般的なエポキシ系の封止樹脂８７で封止した
場合の結果を示す。表１の場合と違い、Ｎｃｈ ＭＯＳ
トランジスタのしきい値電圧の変化は０．７％以下であ
った。ＳＲＡＭにおいてもビットエラーはなく実装後で
も良好であった。
【００１２】このことから、表１の場合は、封止樹脂８
７が硬化するときに作用する硬化収縮応力が、電極接続
部に緩和できる要素がないため、半導体装置８１に直接
応力が作用したために、しきい値電圧が変動しているこ
とが判った。また、表２においては、導電性接着剤８６
が柔らかいため、封止樹脂８７の硬化収縮応力を緩和す
るために、素子上に応力が作用せず、良好な結果が得ら
れることを見いだした。応力解析でも導電性接着剤８６
を用いた方は、応力がほとんど発生していないことがわ
かった。したがって、応力緩和に導電性接着剤８６が有
効な要素であることを見いだした。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このように、導電性接
着剤８６を用いた熱圧着実装は、応力を緩和でき、信頼
性に優れ、素子の特性劣化や配線の断線などを防ぐこと
ができるという優れた効果を奏するが、撮像素子を備え
た半導体装置の実装には不適であった。また、撮像素子
における実装では、素子に樹脂が接触しないことが前提
なので、導電性接着剤を用いない熱圧着実装も可能であ
るが、これにおいても不適であった。
【００１４】すなわち、撮像素子を備えた半導体装置の
実装は、レンズの組み込みのために、中心に貫通孔を有
した回路基板（場合によっては立体回路基板）やガラス
基板を用いたり（一例として特許第３０９９９１４
号）、撮像素子に樹脂やゴミが接触してはいけないた
め、半導体装置と回路基板の間隙全域を樹脂封止できな
いなど、実装に特別の制約が課され、実装材料およびプ
ロセスの制御・管理が非常に難しく、実装信頼性も懸念
されるという問題があった。
【００１５】また、最近、撮像素子を備えた半導体装置
の携帯関連機器（例えばビデオカメラ、ノ−トパソコ
ン、携帯電話、腕時計など）への組み込み需要が増して
きており、低コスト化のためにも生産タクトおよび生産
性を向上させた実装の開発が必要になっている。生産タ
クトや高生産性には熱圧着実装が有効と考えられるが、
前述のような制約により、撮像素子を備えた半導体装置
の熱圧着実装は、未だ実現されていないのが現状であ
る。 本発明は、撮像素子を備えた半導体装置の熱圧着
実装を可能とし、撮像素子やレンズによる投影のための
貫通孔に封止樹脂が流れ込むのを防ぎ、素子の特性が劣
化せず、かつ低荷重実装が可能となり素子や配線にダメ
ージを与えず、実装信頼性ならびに生産性に優れた半導
体モジュールとその製造方法および回路基板ならびに半
導体装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体モジュー
ルは、端子電極上に突起電極を有しかつ受光領域部を設
けた撮像素子である半導体装置を、前記受光領域部に対
向する位置に貫通孔を有しかつ入出力端子電極を設けた
回路基板に、前記端子電極と前記入出力端子電極との間
に導電性接着剤を介して熱圧着実装してなり、前記半導
体装置を前記回路基板に加熱加圧して突起電極の高さを
回路基板の電極の反りに応じて変化しており、前記受光
領域部と前記貫通孔を除いた少なくとも電極接続部の周
囲を、感光性封止樹脂にて封止したことを特徴とするも
のである。
【００１７】本発明の半導体モジュールの製造方法は、
受光領域部を有する撮像素子を構成するとともに端子電
極が設けられかつこの端子電極には突起電極が設けられ
た半導体装置を、入出力端子電極が設けられかつ前記受
光領域部に対向する位置に基板厚み方向に沿った貫通孔
が設けられた回路基板に熱圧着実装してなる半導体モジ
ュールの製造方法であって、前記入出力端子電極に前記
端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装置を前
記回路基板に載置する工程と、前記半導体装置を前記回
路基板に載置する工程の前処理もしくは後処理として、
前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少なくとも前記
端子電極と前記入出力端子電極との間の電極接続部に感
光性封止樹脂を供給する工程と、前記電極接続部に供給
した前記感光性封止樹脂に光線を照射することにより、
前記感光性封止樹脂の表面を半硬化させる工程と、前記
回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加圧するこ
とで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当接した状
態で押圧変形させる工程と、を含むを特徴とするもので
ある。
【００１８】本発明によれば、受光領域部を設けた撮像
素子である半導体装置の熱圧着実装を可能とし、半導体
装置の受光領域部や回路基板の貫通孔に封止樹脂が流れ
込むのを防ぎ、素子の特性が劣化せず、かつ低荷重実装
が可能となり素子や配線にダメージを与えず、実装信頼
性ならびに生産性に優れた半導体モジュールおよびその
製造方法が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の半導体モジュールの製造
方法は、受光領域部を有する撮像素子を構成するととも
に端子電極が設けられかつこの端子電極には突起電極が
設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設けられか
つ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方向に沿っ
た貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装してなる半
導体モジュールの製造方法において次のような構成を備
えている。
【００２０】すなわち、本発明は、前記入出力端子電極
に前記端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装
置を前記回路基板に載置する工程と、前記半導体装置を
前記回路基板に載置する工程の前処理もしくは後処理と
して、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少なくと
も前記端子電極と前記入出力端子電極との間の電極接続
部に感光性封止樹脂を供給する工程と、前記電極接続部
に供給した前記感光性封止樹脂に光線を照射することに
より、前記感光性封止樹脂の表面を半硬化させる工程
と、前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加
圧することで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当
接した状態で押圧変形させる工程とを含むことを特徴と
するものである。
【００２１】また、本発明は、前記入出力端子電極に前
記端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装置を
前記回路基板に載置する工程と、前記回路基板に対して
前記半導体装置を相対的に加圧することで前記突起電極
を、前記入出力端子電極に当接した状態で押圧変形させ
る工程と、前記端子電極と前記入出力端子電極とを電気
的に接続する工程と、前記半導体装置と前記回路基板と
の間の間隙に光線を照射しながら感光性封止樹脂を充填
することで、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少
なくとも前記端子電極と前記入出力端子電極との間の電
極接続部に、表面が半硬化した前記感光性封止樹脂を供
給する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２２】これらの場合、半導体装置の受光領域部や
回路基板の貫通孔に流れ込まないように、感光性封止樹
脂を供給し、光線照射により少なくとも表面を半硬化さ
せることで、半導体装置の受光領域部と回路基板の貫通
孔を除いた電極接続部の周囲にのみ封止樹脂を設け、素
子の特性劣化を防ぐことができる。また、突起電極の高
さを回路基板の反りに応じて寸法変動させるので、接続
の信頼性が向上すると共に、高生産性を実現できるとい
う作用効果を有する。
【００２３】また、本発明は、前記入出力端子電極に前
記端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装置を
前記回路基板に載置する工程と、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理もしくは後処理とし
て、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少なくとも
前記端子電極と前記入出力端子電極との間の電極接続部
に封止樹脂を供給する工程と、前記封止樹脂を半硬化状
態させる工程と、前記回路基板に対して前記半導体装置
を相対的に加圧することで前記突起電極を、前記入出力
端子電極に当接した状態で押圧変形させる工程とを含む
ことを特徴としている。
【００２４】また、本発明は、前記入出力端子電極に前
記端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装置を
前記回路基板に載置する工程と、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理もしくは後処理とし
て、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少なくとも
前記端子電極と前記入出力端子電極との間の電極接続部
に半硬化状態の封止樹脂を供給する工程と、前記回路基
板に対して前記半導体装置を相対的に加圧することで前
記突起電極を、前記入出力端子電極に当接した状態で押
圧変形させる工程と、を含むことを特徴としている。
【００２５】これらの場合、少なくとも表面が半硬化し
た封止樹脂を供給することで、受光領域部や貫通孔に封
止樹脂が流れ込みにくくなる。これにより、受光領域部
と貫通孔とを除いた電極接続部の周囲にのみ封止樹脂を
設けることが可能となる。したがって、素子の特性劣化
を防ぐことができる。さらには、突起電極の高さを回路
基板の反りに応じて寸法変動させるので、接続の信頼性
が向上すると共に、高生産性を実現できる。
【００２６】また、本発明は、前記入出力端子電極に前
記端子電極を位置合わせした状態で、前記半導体装置を
前記回路基板に載置する工程と、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理もしくは後処理とし
て、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた少なくとも
前記端子電極と前記入出力端子電極との間の電極接続部
に光線照射により少なくとも表面が半硬化した感光性封
止樹脂を供給する工程と、前記回路基板に対して前記半
導体装置を相対的に加熱加圧することで、前記受光領域
部と前記貫通孔とを除いた前記電極接続部の周囲を前記
感光性封止樹脂にて封止する工程とを含むことに特徴を
有している。
【００２７】この場合、少なくとも表面が半硬化した封
止樹脂を供給することで、受光領域部や貫通孔に封止樹
脂が流れ込みにくくなる。これにより、受光領域部と貫
通孔とを除いた電極接続部の周囲にのみ封止樹脂を設け
ることが可能となる。したがって、素子の特性劣化を防
ぐことができる。
【００２８】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する前処理として、前記入出力端子電極
と前記端子電極との少なくとも一方に前記導電性接着剤
を供給する工程をさらに含むのが好ましい。そうすれ
ば、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配線の
断線などを防ぐことができる。しかも、低荷重実装が可
能となる。
【００２９】本発明においては、前記回路基板に対して
前記半導体装置を相対的に加圧する際に、加熱処理を加
えることで、前記感光性封止樹脂と前記導電性接着剤と
を硬化させるのが好ましい。そうすれば、加熱加圧によ
り、モジュールの封止と電気的接続とを一度に行うこと
ができる。
【００３０】本発明においては、前記感光性封止樹脂を
前記入出力端子電極に供給するのが好ましい。そうすれ
ば、感光性封止樹脂を容易に電極接続部に供給すること
ができる。
【００３１】本発明においては、前記回路基板に、前記
入出力端子電極を含む基板表面領域に凹部を形成し、こ
の凹部に前記感光性封止樹脂を供給するのが好ましい。
そうすれば、感光性封止樹脂を容易に電極接続部に供給
することができるうえに、貫通孔に封止樹脂が流れ込む
のをより一層防止できる。
【００３２】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理として、前記貫通孔の
周縁に位置する前記回路基板の基板実装面領域に、前記
周縁以外の基板実装面領域より樹脂成分の接触角が大き
い（濡れが悪い）層を形成するのが好ましい。そうすれ
ば、貫通孔に封止樹脂が流れ込むのをより一層防止でき
る。
【００３３】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理として、前記受光領域
部の周縁に位置する前記半導体装置の装置実装面領域
に、前記周縁以外の装置実装面領域より樹脂成分の接触
角が大きい（濡れが悪い）層を形成するのが好ましい。
そうすれば、受光領域部に封止樹脂が流れ込むのをより
一層防止できる。
【００３４】なお、前記接触角が大きい（濡れが悪い）
層として、撥水処理が施された層を形成するのが好まし
い。そうすれば、さらに、封止樹脂の流れ込み防止効果
が確実となる。
【００３５】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理として、前記貫通孔の
周縁に位置する前記回路基板の基板実装面領域に、前記
貫通孔に向かって基板実装面から遠ざかる向きに傾斜す
る傾斜面を形成するのが好ましい。そうすれば、貫通孔
に封止樹脂が流れ込むのをより一層防止できる。
【００３６】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理として、前記受光領域
部の周縁に位置する前記半導体装置の装置実装面領域
に、前記受光領域部に向かって装置実装面から遠ざかる
向きに傾斜する傾斜面を形成するのが好ましい。そうす
れば、受光領域部に封止樹脂が流れ込むのをより一層防
止できる。
【００３７】本発明においては、前記半導体装置を前記
回路基板に載置する工程の前処理として、前記貫通孔の
内部に、基板実装面側に開いた段部を形成するのが好ま
しい。そうすれば、たとえ、貫通孔内に封止樹脂が流れ
込んだとしても、その封止樹脂は段部により受け止めら
れる。そのため、封止樹脂が受光領域部に達することは
ない。
【００３８】なお、 突起電極の高さを回路基板の反り
に応じて確実に寸法変動させるうえでは、突起電極を先
端の大きさを２０μｍφ以下とするのが好ましい。
【００３９】また、本発明は、半導体モジュールの製造
方法において、前記入出力端子電極に前記端子電極を位
置合わせした状態で、前記半導体装置を前記回路基板に
載置する工程と、前記半導体装置を前記回路基板に載置
する工程の前処理もしくは後処理として、前記受光領域
部と前記貫通孔とを除いた少なくとも前記端子電極と前
記入出力端子電極との間の電極接続部に光線照射により
少なくとも表面が半硬化した感光性封止樹脂を供給する
工程と、前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的
に加熱加圧することで、前記受光領域部と前記貫通孔と
を除いた前記電極接続部の周囲を前記感光性封止樹脂に
て封止する工程とを含むことを特徴としている。
【００４０】この場合、少なくとも表面が半硬化した感
光性封止樹脂を供給することで、受光領域部や貫通孔に
封止樹脂が流れ込みにくくなる。これにより、受光領域
部と貫通孔とを除いた電極接続部の周囲にのみ感光性封
止樹脂を設けることが可能となる。したがって、素子の
特性劣化を防ぐことができる。
【００４１】また、本発明は、受光領域部を有する撮像
素子を構成するとともに端子電極が設けられかつこの端
子電極には突起電極が設けられた半導体装置を、入出力
端子電極が設けられかつ前記受光領域部に対向する位置
に基板厚み方向に沿った貫通孔が設けられた回路基板
に、前記端子電極を前記入出力端子電極を位置合わせし
た状態で熱圧着実装してなる半導体モジュールにおい
て、前記突起電極は、前記端子電極と前記入出力端子電
極との間のそれぞれの隙間の寸法に応じて各隙間を埋め
る高さ寸法を有している、という特徴を有している。こ
れより、突起電極の高さを回路基板の反りに応じて寸法
変動させることで、突起電極と入出力端子電極とが確実
に接続される。したがって、接続の信頼性と高生産性と
が実現される。
【００４２】なお、前記入出力端子電極と前記端子電極
との間にはこれら電極どうしを電気的に接続する導電性
接着剤が設けられているのが好ましい。そうすれば、実
装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配線の断線な
どを防ぐことができる。しかも、低荷重実装が可能とな
る。
【００４３】本発明においては、前記半導体装置と前記
回路基板との間には前記受光領域部と前記貫通孔とを除
いて封止樹脂が充填されており、前記貫通孔の周縁に位
置する前記回路基板の基板実装面領域に、前記貫通孔に
向かって基板実装面から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面
が設けられているのが好ましい。そうすれば、貫通孔に
封止樹脂が流れ込むのを防止できる。
【００４４】本発明においては、前記半導体装置と前記
回路基板との間には前記受光領域部と前記貫通孔とを除
いて封止樹脂が充填されており、前記受光領域部の周縁
に位置する前記半導体装置の装置実装面領域に、前記受
光領域部に向かって装置実装面から遠ざかる向きに傾斜
する傾斜面が設けられているのが好ましい。そうすれ
ば、受光領域部に封止樹脂が流れ込むのを防止できる。
【００４５】本発明においては、前記半導体装置と前記
回路基板との間には前記受光領域部と前記貫通孔とを除
いて封止樹脂が充填されており、前記貫通孔の周縁に位
置する前記回路基板の基板実装面領域に、凸条部または
凹条部が設けられているのが好ましい。そうすれば、貫
通孔に封止樹脂が流れ込むのを防止できる。
【００４６】本発明においては、前記半導体装置と前記
回路基板との間には前記受光領域部と前記貫通孔とを除
いて封止樹脂が充填されており、前記受光領域部の周縁
に位置する前記半導体装置の装置実装面領域に、凸条部
または凹条部が設けられているのが好ましい。そうすれ
ば、受光領域部に封止樹脂が流れ込むのを防止できる。
【００４７】本発明においては、前記凸条部または前記
凹条部が互いに間隔をおいて複数個設けられているのが
好ましく、そうすれば、封止樹脂の流れ込みがさらに確
実に防止できる。
【００４８】本発明においては、前記封止樹脂は光線照
射により少なくともその表面が半硬化状態にされる感光
性樹脂であるのが好ましく、そうすれば、半硬化状態に
することで封止樹脂の流動性をさらに小さくすることが
でき、その分、封止樹脂の流れ込みをさらに確実に防止
できる。
【００４９】本発明においては、前記入出力端子電極を
含む前記回路基板の表面領域に凹部を形成し、この凹部
に前記封止樹脂が設けられているのが好ましい。そうす
れば、封止樹脂を容易に電極接続部に供給することがで
きるうえに、貫通孔に封止樹脂が流れ込むのをより一層
防止できる。
【００５０】本発明においては、前記貫通孔の周縁に位
置する前記回路基板の基板実装面領域に、前記周縁以外
の基板実装面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れ
が悪い）層が設けられているのが好ましい。そうすれ
ば、貫通孔に封止樹脂が流れ込むのをより一層防止でき
る。
【００５１】本発明においては、前記受光領域部の周縁
に位置する前記半導体装置の装置実装面領域に、前記周
縁以外の装置実装面領域より樹脂成分の接触角が大きい
（濡れが悪い）層が設けられているのが好ましい。そう
すれば、受光領域部に封止樹脂が流れ込むのをより一層
防止できる。
【００５２】なお、前記接触角が大きい（濡れが悪い）
層は、撥水処理が施された層であるのが好ましい。そう
すれば、さらに、封止樹脂の流れ込み防止効果が確実と
なる。
【００５３】本発明は、前記貫通孔の内部に、基板実装
面側に開いた段部が設けられているのが好ましい。そう
すれば、たとえ、貫通孔内に封止樹脂が流れ込んだとし
ても、その封止樹脂は段部により受け止められる。その
ため、封止樹脂が受光領域部に達することはない。
【００５４】なお、導電性接着剤の供給は、導電性接着
剤を充填するシリンジと、空気圧により回路基板の入出
力端子電極上に導電性接着剤を押し出すノズルとからな
る導電性接着剤供給治具を用いて、導電性接着剤を各入
出力端子電極上に一括で供給することができる。
【００５５】また、先端にバネで突没自在の周壁と当該
周壁の内部に樹脂溜り凹部を形成した導電性接着剤供給
治具を用い、前記樹脂溜り凹部の深さより深い導電性接
着剤の塗膜に浸漬することにより前記樹脂溜り凹部に導
電性接着剤を充填し、回路基板の入出力端子電極上に前
記周壁を押圧し前記バネの付勢に抗して前記周壁を没入
させ、前記樹脂溜り凹部内の導電性接着剤を各入出力端
子電極上に一括で供給することができる。
【００５６】また、回路基板の入出力端子電極に対向す
る位置に導電性接着剤を有した剥離シ−トを用い、前記
回路基板に加熱加圧することにより、前記導電性接着剤
のみを各入出力端子電極上に一括で供給することができ
る。
【００５７】このように、導電性接着剤供給治具や剥離
シ−トを用いて、導電性接着剤のみを各入出力端子電極
上に一括で供給するので、実装の量産効果がより一層向
上する。
【００５８】なお、導電性接着剤の導電性フィラーは、
例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆ
ｅ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含んでいる。
【００５９】また、突起電極は、例えば、Ａｕ、Ｓｎ、
Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、Ｐ
ｔ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのうち少なくとも１つを含
んでいる。
【００６０】封止樹脂は、例えば、感光性樹脂であり、
無機物の粒子を含んでいる。また、封止樹脂は、例え
ば、感光性樹脂であり、導電性フィラーとしてＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚｎのうち少
なくとも１つを含んでいる。
【００６１】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１６を用いて説明する。
【００６２】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１にかかる半導体モジュール１０の概略断面図であ
る。
【００６３】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１を、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装されている。半導体装置１１は受光領域部１７を
備え、突起電極１３は、例えばワイヤボンディング法に
より金属ワイヤを引きちぎって形成される。また、回路
基板１４の受光領域部１７に対向する位置には、レンズ
による投影のために貫通孔１８が設けられている。貫通
孔１８は回路基板１４の厚み方向に沿って形成されてい
る。また、半導体装置１１の受光領域部１７と回路基板
１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周囲は、封止樹
脂１９により封止されて補強され、突起電極１３の高さ
を回路基板１４の反りに応じて寸法変動している。これ
により、突起電極１３は、端子電極１２と入出力端子電
極１５との間のそれぞれの隙間の寸法に応じて各隙間を
埋める高さ寸法h１、h２を有している。
【００６４】ここで、突起電極１３の先端のつぶれ（先
端の直径）が２０μｍφ程度までであれば、突起電極１
３はワイヤボンディング法を用いて形成された突起電
極、めっき法あるいは無電解めっき法を用いて形成され
た突起電極、溶融した金属から引き上げて作製した突起
電極１３のいずれであっても用いることができる。ただ
し、ワイヤボンディング法を用いて形成された引きちぎ
りバンプからなる突起電極１３であれば、封止樹脂１９
の貫通力が強まり、より低荷重の実装で、突起電極１３
の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて容易に
寸法変動させることが可能となる。そのため、安定した
接続を得ることができる。
【００６５】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【００６６】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【００６７】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの端子電
極１２、１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、端
子電極１２、１５間の導通の補助としての役割を果た
す。
【００６８】このように構成された半導体モジュールに
よると、封止樹脂１９が回路基板１４の貫通孔１８に流
れ込んで漏れ出たり、半導体装置１１の受光領域部１７
に流れ込んだりしないように、半導体装置１１の受光領
域部１７と回路基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続
部の周囲にのみ設けることで、素子の特性劣化を防ぐこ
とができる。
【００６９】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１３を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反
りに応じて寸法変動させることができるので、接続の信
頼性が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【００７０】ここで、突起電極１３の高さ寸法について
さらに詳細に説明する。ここでは、図２に示すように、
ワイヤボンディング法により金属ワイヤを引きちぎって
作製した突起電極１３の場合を例にして説明する。この
場合、次のような形状の突起電極１３を形成することが
可能となる。すなわち、突起電極１３の台座直径ｒを５
０〜１００μｍとし、全高Ｈ1を６０〜９５μｍとし、
全高Ｈ1のうち台座高Ｈ2を除いた頭頂高Ｈ3を４０〜７
０μｍとした突起電極１３を形成することができる。
【００７１】このような形状の突起電極１３を形成した
場合表面に最大３７μｍの凹凸（高低差）が存在する回
路基板１４に対しても、半導体装置１１を確実に実装す
ることができる。そして、このようにして実装した半導
体モジュール１０［チップサイズ７×６ｍｍ、回路基板
１４の熱膨張係数４０ｐｐｍ（１２０℃以下）］に対し
て、温度サイクル試験（−４０〜８５℃）を５００サイ
クル実施してもその電気的接続は良好であった。これ
は、上述したように、突起電極１３（主としてその頭頂
部に相当する部分）か実装時に変形して、回路基板１４
の反り等による入出力端子電極１５の高さばらつきを吸
収するためと考えられる。
【００７２】なお、上述した突起電極１３の形状はその
一例に過ぎない。突起電極１３を構成する金属ワイヤの
径、ワイヤボンディング時の放電条件に起因するワイヤ
ボールサイズ、バンプ形成条件（荷重によるバンプ形成
なのか超音波によるバンプ形成なのか）などにより、上
述した突起電極１３の形状は異なる。そのため、その他
の形状条件であっても同様の作用効果を発揮するのはい
うまでもない。
【００７３】さらに図１（ｂ）に示すような構造も可能
である。これは導電性接着剤を用いることなく、端子電
極１２を入出力端子電極１５に熱圧着した構造である。
この場合、接合層（導電性接着剤１６）を用いるよりも
実装荷重を要するが、ひきちぎりバンプによる突起電極
１３の変形で低荷重で実装でき、実装時の応力を緩和で
きるので、素子の特性劣化や配線の断線などを防ぐこと
ができる。これにより、接続の信頼性が向上すると共
に、高い生産性が実現できる。
【００７４】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。すなわち、図１（ａ）に示した実施の形態１の半導
体モジュール１０の製造方法に関するものである。
【００７５】まず、回路基板１４の入出力端子電極１５
上に、感光性封止樹脂２０をノズル２１から供給する。
次に、感光性封止樹脂２０に紫外線を照射し、少なくと
も表面を半硬化（ゲル化）させ、回路基板１４の貫通孔
１８に流れ込まないようにする。
【００７６】この状態で、突起電極１３の先端に導電性
接着剤１６を供給した半導体装置１１を、回路基板１４
に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路基
板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端子
電極１５に押圧させて接合する。この熱圧着実装時の加
熱により、感光性封止樹脂２０が硬化し、受光領域部１
７と貫通孔１８を除いた少なくとも電極接続部の周囲
が、封止樹脂１９にて封止される。
【００７７】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法によると、感光性封止樹脂２０に紫外線を
照射して少なくとも表面を半硬化させることで、封止樹
脂１９が回路基板１４の貫通孔１８に流れ込んで漏れ出
たり、半導体装置１１の受光領域部１７に流れ込んだり
せず、素子の特性劣化を防ぐことができる。
【００７８】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１６を用いることで、、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに
応じて寸法変動させることができるので、接続の信頼性
が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【００７９】さらに、入出力端子電極１５上に感光性封
止樹脂２０を供給した状態で、半導体装置１１を回路基
板１４に熱圧着実装するので、封止樹脂１９による封止
と、半導体装置１１の実装が同一工程で行え、素子上実
装においてもダメージレスで低コストな実装が可能にな
る。
【００８０】なお、紫外線照射により、感光性封止樹脂
２０の全体を半硬化させてもよい。
【００８１】（実施の形態３）図４は、本発明の実施の
形態３にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。なお、実施の形態１および実施の形態２と同一部分
は、同一符号を付してその説明を省略する。
【００８２】まず、回路基板１４の入出力端子電極１５
上に、少なくとも表面が半硬化した封止樹脂２２を供給
する。封止樹脂２２は、全体が半硬化した樹脂や、フィ
ルム状の樹脂などであってもよい。なお、封止樹脂２２
は、エポキシ系樹脂あるいはアクリル系樹脂を主成分と
して含み、無機物の粒子を含んでいる。あるいは、エポ
キシ系樹脂あるいはアクリル系樹脂を主成分として含
み、導電性フィラーとしてＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含ん
でいる。
【００８３】この状態で、突起電極１３の先端に導電性
接着剤１６を供給した半導体装置１１を、回路基板１４
に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路基
板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端子
電極１５に押圧させて接合する。このとき突起電極１３
の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変
動させることができる。この熱圧着実装時の加熱によ
り、封止樹脂２２が硬化し、受光領域部１７と貫通孔１
８を除いた少なくとも電極接続部の周囲が、封止樹脂２
２にて封止される。
【００８４】このように構成された半導体モジュール１
０の製造法においても、実施の形態２と同様の効果が得
られる。
【００８５】（実施の形態４）図５は、本発明の実施の
形態４にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。なお、実施の形態１および実施の形態２と同一部分
は、同一符号を付してその説明を省略する。
【００８６】まず、突起電極１３の先端に導電性接着剤
１６を供給した半導体装置１１を、回路基板１４に熱圧
着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路基板１４
に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端子電極１
５に押圧させて接合する。
【００８７】次に、ヒータを備えた加熱加圧治具２６に
より、半導体装置１１の裏面から加圧して、実装状態を
保持する。この状態で、ノズル２５から半導体装置１１
と回路基板１４の間隙に感光性封止樹脂２４を注入する
と同時に、感光性封止樹脂２４に紫外線を照射し、少な
くとも表面を半硬化させる。表面が半硬化した感光性封
止樹脂２４は、受光領域部１７と貫通孔１８を除いた少
なくとも電極接続部に供給される。この際、貫通孔１８
からも紫外線を照射し、感光性封止樹脂２４が貫通孔１
８に流れ込んで漏れ出るのを確実に防ぐようにしてもよ
い。
【００８８】さらに、加熱加圧治具２６により加熱し
て、感光性封止樹脂２４を硬化させる。このとき、加熱
加圧治具２６にはさらに大きな荷重をかけてもよい。加
熱加圧治具２６の加熱により、感光性封止樹脂２４が硬
化し、受光領域部１７と貫通孔１８を除いた少なくとも
電極接続部の周囲が、封止樹脂１９にて封止される。
【００８９】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法によると、感光性封止樹脂２４に紫外線を
照射して少なくとも表面を半硬化させることで、封止樹
脂１９が回路基板１４の貫通孔１８に流れ込んで漏れ出
たり、半導体装置１１の受光領域部１７に流れ込んだり
せず、素子の特性劣化を防ぐことができる。
【００９０】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１６を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反
りに応じて寸法変動させることができるので、接続の信
頼性が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【００９１】なお、感光性封止樹脂２４の硬化は、加熱
加圧治具２６によるものに限らず、例えば、乾燥器（オ
−ブン）によって加熱硬化させてもよい。
【００９２】（実施の形態５）図６は、本発明の実施の
形態５にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。
【００９３】この実施の形態５は、図３に示した実施の
形態２における半導体モジュール１０の製造方法の変形
例であり、実施の形態２と同一部分は同一符号を付して
その説明を省略する。
【００９４】すなわち、この実施の形態５は、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を供給
しておき、さらに、入出力端子電極１５ならびに導電性
接着剤１６上に、感光性封止樹脂２０をノズル２１から
供給する。次に、感光性封止樹脂２０に紫外線を照射
し、少なくとも表面を半硬化させる。
【００９５】この状態で、半導体装置１１を回路基板１
４に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路
基板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端
子電極１５に押圧させて接合する。このとき突起電極１
２の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法
変動させることができる。この熱圧着実装時の加熱によ
り、感光性封止樹脂２０が硬化し、受光領域部１７と貫
通孔１８を除いた少なくとも電極接続部の周囲が、封止
樹脂１９にて封止される。
【００９６】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法においても、実施の形態２と同様の効果が
得られる。
【００９７】さらに図７に示すような方法も可能であ
る。この製法は、図７（ｄ）、図７（ｅ）に示すよう
に、接合層（導電性接着剤１６）を用いることなく半導
体装置１１を回路基板１４に熱圧着接合する方法であ
る。この製法は、接合層（導電性接着剤１６）を用いる
方法よりも実装荷重を要するが、突起電極１３の変形に
より実装できる。そのため、低荷重で実装でき、実装時
の応力を緩和できる。これにより、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、低荷重実装
が可能となり、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回路基
板１４の反りに応じて寸法変動させることができる。そ
のため、接続の信頼性が向上すると共に、高生産性を実
現できるという作用効果を有する。突起電極１３を変形
させるうえでは、ひきちぎりバンプにより突起電極１３
を形成するのが好ましい。
【００９８】（実施の形態６）図８は、本発明の実施の
形態６にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。
【００９９】この実施の形態６は、図４に示した実施の
形態３における半導体モジュール１０の製造方法の変形
例であり、実施の形態３と同一部分は同一符号を付して
その説明を省略する。
【０１００】すなわち、この実施の形態６は、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を供給
しておき、さらに、入出力端子電極１５ならびに導電性
接着剤１６上に、少なくとも表面が半硬化した封止樹脂
２２を供給する。
【０１０１】この状態で、半導体装置１１を回路基板１
４に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路
基板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端
子電極１５に押圧させて接合する。この熱圧着実装時の
加熱により、封止樹脂２２が硬化し、受光領域部１７と
貫通孔１８を除いた少なくとも電極接続部の周囲が、封
止樹脂２３にて封止される。
【０１０２】このように構成された半導体モジュールの
製造方法においても、実施の形態２と同様の効果が得ら
れる。
【０１０３】（実施の形態７）図９は、本発明の実施の
形態７にかかる半導体モジュール１０の製造工程図であ
る。
【０１０４】この実施の形態７は、図５に示した実施の
形態４における半導体モジュール１０の製造方法の変形
例であり、実施の形態４と同一部分は同一符号を付して
その説明を省略する。
【０１０５】すなわち、この実施の形態７は、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を供給
しておき、半導体装置１１を回路基板１４に熱圧着実装
する。すなわち、半導体装置１１を回路基板１４に加熱
加圧し、突起電極１３の先端を入出力端子電極１５に押
圧させて接合する。このとき、突起電極１３の高さｈ
１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変動させる
ことができる。
【０１０６】次に、ヒータを備えた加熱加圧治具２６に
より、半導体装置１１の裏面から加圧して、実装状態を
保持する。この状態で、ノズル２５から半導体装置１１
と回路基板１４の間隙に感光性封止樹脂２４を注入する
と同時に、感光性封止樹脂２４に紫外線を照射し、少な
くとも表面を半硬化させる。表面が半硬化した感光性封
止樹脂２４は、受光領域部１７と貫通孔１８を除いた少
なくとも電極接続部に供給される。この際、貫通孔１８
からも紫外線を照射し、感光性封止樹脂２４が貫通孔１
８に流れ込んで漏れ出るのを確実に防ぐようにしてもよ
い。
【０１０７】さらに、加熱加圧治具２６により加熱し
て、感光性封止樹脂２４を硬化させる。このとき、加熱
加圧治具２６にはさらに大きな荷重をかけてもよい。加
熱加圧治具２６の加熱により、感光性封止樹脂２４が硬
化し、受光領域部１７と貫通孔１８を除いた少なくとも
電極接続部の周囲が、封止樹脂１９にて封止される。
【０１０８】このように構成された半導体モジュールの
製造方法においても、実施の形態４と同様の効果が得ら
れる。
【０１０９】（実施の形態８）図１０は、本発明の実施
の形態８における半導体モジュール１０の製造方法に係
り、特に、回路基板１４に導電性接着剤１６を供給する
方法に関するものである。
【０１１０】すなわち、導電性接着剤３３を充填するシ
リンジ３１と、空気圧により回路基板１４の入出力端子
電極１５上に導電性接着剤３３を押し出すノズル３２と
からなる導電性接着剤供給治具３０を用い、ノズル３２
の先端を入出力端子電極１５上に配置し、導電性接着剤
３３を押し出す。なお、導電性接着剤３３の供給量は、
押し出す空気圧によって制御する。
【０１１１】ノズル３２を入出力端子電極１５の個数分
だけ形成しておくことで、導電性接着剤３３を各入出力
端子電極１５上に一括で供給することができ、実装の量
産効果がより一層向上する。
【０１１２】（実施の形態９）図１１および図１２は、
本発明の実施の形態９における半導体モジュール１０の
製造方法に係り、特に、回路基板１４に導電性接着剤１
６を供給する方法に関するものである。
【０１１３】図１１は、先端にバネ４３で突没自在の周
壁４２と、周壁４２の内部に樹脂溜り凹部４１を形成し
た導電性接着剤供給治具４０の概略図を示している。
【０１１４】この導電性接着剤供給治具４０を用い、図
１２に示すように、先端を樹脂溜り凹部４１の深さより
深い導電性接着剤塗膜ステージ４５の導電性接着剤４６
内に浸漬させる。これにより、樹脂溜り凹部４１に導電
性接着剤４６を充填する。次に、回路基板１４の入出力
端子電極１５上に、周壁４２を押圧しバネ４３の付勢に
抗して周壁４２を没入させる。その結果、樹脂溜り凹部
４１内の導電性接着剤４６が各入出力端子電極１５上に
一括で供給され、実装の量産効果がより一層向上する。
【０１１５】（実施の形態１０）図１３は、本発明の実
施の形態１０における半導体モジュール１０の製造方法
に係り、特に、回路基板１４に導電性接着剤１６を供給
する方法に関するものである。
【０１１６】すなわち、回路基板１４の入出力端子電極
１５に対向する位置に導電性接着剤１６を有した剥離シ
−ト５０を用いて導電性接着剤１６を供給するものであ
る。導電性接着剤１６は、ペ−スト状でも硬化された状
態でもよいが、硬化しておく方が形状が安定するので好
ましい。また、剥離シ−ト５０は、導電性接着剤１６が
剥離しやすいように離型処理が施されたものであれば特
に材質は限定されないが、テトラフルオロエチエンやシ
リコンなど樹脂が濡れにくい樹脂シ−トを使用すること
が望ましい。
【０１１７】この剥離シ−ト５０を、導電性接着剤１６
を入出力端子電極１５に対向させて配置し、加熱加圧治
具５１により熱と荷重をかけて押し当てる。その結果、
導電性接着剤１６のみが剥離シ−ト５０から剥がれ、回
路基板１４の入出力端子電極１５上に一括で供給され、
実装の量産効果がより一層向上する。しかも、剥離シ−
ト５０は使い回しが可能なので、生産性にも優れてい
る。
【０１１８】（実施の形態１１）図１４（ａ）は、本発
明の実施の形態１１にかかる半導体モジュール１０の概
略断面図である。
【０１１９】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１が、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装されている。半導体装置１１は受光領域部１７を
備え、突起電極１３は、例えばワイヤボンディング法に
より金属ワイヤを引きちぎって形成される。回路基板１
４の受光領域部１７に対向する位置には、レンズによる
投影のために貫通孔１８が設けられている。半導体装置
１１の受光領域部１７と回路基板１４の貫通孔１８とを
除いた電極接続部の周囲は、封止樹脂１９により封止さ
れて補強されている。突起電極１３の高さｈ１、ｈ２が
回路基板１４の反りに応じて寸法変動している。貫通孔
１８の周縁に位置する回路基板１４の基板実装面領域
に、周縁以外の基板実装面領域より樹脂成分の接触角が
大きい（濡れが悪い）層１４ａが設けられている。
【０１２０】突起電極１３を変形させるうえでは、突起
電極１３の先端のつぶれ（先端の直径）は２０μｍφ程
度までであればよい。このような大きさの突起電極１３
は、ワイヤボンディング法を用いて形成された突起電
極、めっき法あるいは無電解めっき法を用いて形成され
た突起電極、ないしは溶融した金属から引き上げて作製
した突起電極のいずれからも構成することができる。た
だし、ワイヤボンディング法を用いた引きちぎりバンプ
から突起電極１３が構成されれば、封止樹脂１９の貫通
力が強まり、より低荷重の実装で、突起電極１３の高さ
ｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変動させ
ることができるようになり、安定した接続を得ることが
できる。
【０１２１】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【０１２２】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【０１２３】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの端子電
極１２、１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、端
子電極１２、１５間の導通の補助としての役割を果た
す。
【０１２４】また、接触角が大きい層１４ａは撥水処理
が施されている。この撥水処理としては、ピリジニウム
化合物、有機金属複合体（金属セッケン）、ワックス及
びワックス−金属エマルション、樹脂加工、シリコ−
ン、フッ素化合物を用いた被膜形成処理を挙げることが
できる。具体的にいえば、例えば、アスファルト、ポリ
エチレン、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン
−ビニル酢酸共重合体、ポリエチレンテレフタレ−ト、
ポリ塩化ビニリデン、炭化水素系化合物、シロキサン系
化合物、長鎖脂肪酸のクロム錯化合物、ブチルゴム、ネ
オプレン、タ−ル、ラテックスペイント、ステアリン酸
カルシウム、ステアリン酸アルミニウム、鉱物油などあ
るいはこれらの混合物を用いた被膜形成処理を撥水処理
として挙げることができる。
【０１２５】このように構成された半導体モジュールに
よると、封止樹脂１９が回路基板１４の貫通孔１８に流
れ込んで漏れ出たり、半導体装置１１の受光領域部１７
に流れ込んだりしないように、半導体装置１１の受光領
域部１７と回路基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続
部の周囲にのみ設けることで、素子の特性劣化を防ぐこ
とができる。
【０１２６】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１３を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２が回路基板１４の反
りに応じて寸法変動させることができるので、接続の信
頼性が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【０１２７】本実施形態では、さらに図１４（ｂ）に示
すような構造も可能である。図１４（ｂ）では、接合層
（導電性接着剤１６）を用いることなく、突起電極１３
を入出力端子電極１５に熱圧着した構成である。この場
合、接合層（導電性接着剤１６）を用いるよりも実装荷
重を要する。しかしながら、突起電極１３の変形により
低荷重で実装できて実装時の応力を緩和できる。そのた
め、素子の特性劣化や配線の断線などを防ぐことができ
る。これにより、接続の信頼性が向上すると共に、高生
産性を実現できるという作用効果を有する。なお、突起
電極１３を容易に変形させるためには、ひきちぎりバン
プにより突起電極１３を構成するのが好ましい。
【０１２８】（実施の形態１２）図１５（ａ）は、本発
明の実施の形態１２にかかる半導体モジュール１０の概
略断面図である。
【０１２９】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１が、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装されている。半導体装置１１は受光領域部１７を
備え、突起電極１３は、例えばワイヤボンディング法に
より金属ワイヤを引きちぎって形成される。回路基板１
４の受光領域部１７に対向する位置には、レンズによる
投影のために貫通孔１８が設けられている。半導体装置
１１の受光領域部１７と回路基板１４の貫通孔１８とを
除いた電極接続部の周囲は、封止樹脂１９により封止さ
れて補強されている。突起電極１３の高さｈ１、ｈ２が
回路基板１４の反りに応じて寸法変動されている。ま
た、回路基板１４は少なくとも入出力端子電極１５を含
む接続部に凹部１４ｂが設けられている。封止樹脂１９
は凹部１４ｂに設けられている。
【０１３０】突起電極１３を変形させるうえでは、突起
電極１３の先端のつぶれ（先端の直径）は２０μｍφ程
度までであればよい。このような大きさの突起電極１３
は、ワイヤボンディング法を用いて形成された突起電
極、めっき法あるいは無電解めっき法を用いて形成され
た突起電極、溶融した金属から引き上げて作製した突起
電極のいずれからも構成することができる。そして、い
ずれの突起電極１３であっても、容易に変形する。ただ
し、ワイヤボンディング法を用いた引きちぎりバンプか
ら突起電極１３が構成されれば、封止樹脂１９の貫通力
が強まり、より低荷重の実装で、突起電極１３の高さｈ
１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変動させる
ことができるようになる。したがって、安定した接続を
得ることができる。
【０１３１】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【０１３２】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【０１３３】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの端子電
極１２、１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、端
子電極１２、１５間の導通の補助としての役割を果た
す。
【０１３４】なお、凹部１４ｂは、封止樹脂１９を貯留
させるうえで最深部で１〜３０μｍ程度の深さを有する
のが望ましい。
【０１３５】このように構成された半導体モジュールに
よると、凹部１４ｂに封止樹脂１９が供給されるので、
封止樹脂１９が回路基板１４の貫通孔１８に流れ込んで
漏れ出たり、半導体装置１１の受光領域部１７に流れ込
まなくなり、半導体装置１１の受光領域部１７と回路基
板１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周囲にのみ設
けることで、素子の特性劣化を防ぐことができる。さら
に、感光性封止樹脂２０を安定量供給できるので、接続
信頼性がより一層向上する。
【０１３６】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１６を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反
りに応じて寸法変動させることができるので、接続の信
頼性が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【０１３７】本実施形態では、さらに図１５（ｂ）に示
すような構造も可能である。図１５（ｂ）では、接合層
（導電性接着剤１６）を用いることなく、突起電極１３
を入出力端子電極１５に熱圧着した構成である。この場
合、接合層（導電性接着剤１６）を用いるよりも実装荷
重を要する。しかしながら、突起電極１３の変形により
低荷重で実装できて実装時の応力を緩和できる。そのた
め、素子の特性劣化や配線の断線などを防ぐことができ
る。これにより、接続の信頼性が向上すると共に、高生
産性を実現できるという作用効果を有する。なお、突起
電極１３を容易に変形させるためには、ひきちぎりバン
プにより突起電極１３を構成するのが好ましい。
【０１３８】（実施の形態１３）図１６は、本発明の実
施の形態１３にかかる半導体モジュール１０の製造工程
図である。
【０１３９】この実施の形態１３においては、基本的に
は実施の形態２に類似した製造方法である。そのため、
以下の説明や図１６においては、実施の形態２（図３）
と同一部分に同一符号を付してその説明を省略する。
【０１４０】すなわち、この実施の形態１３において
は、まず、回路基板１４の少なくとも入出力端子電極１
５を含む接続部に凹部１４ｂを形成している。この回路
基板１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を
供給しておき、さらに、入出力端子電極１５ならびに導
電性接着剤１６上に、感光性封止樹脂２０をノズル２１
から供給する。次に、感光性封止樹脂２０に紫外線を照
射し、少なくとも樹脂表面を半硬化させる。
【０１４１】この状態で、半導体装置１１を回路基板１
４に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路
基板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端
子電極１５に押圧させて接合する。このとき突起電極１
３は、回路基板１４の反りに応じて変形する。そして、
突起電極１３の高さｈ１、ｈ２が、回路基板１４の反り
に応じて寸法変動する。この熱圧着実装時の加熱によ
り、感光性封止樹脂２０が硬化し、受光領域部１７と貫
通孔１８を除いた少なくとも電極接続部の周囲が、封止
樹脂１９にて封止される。
【０１４２】また、感光性封止樹脂２０が凹部１４ｂに
供給されることにより、樹脂２０を供給した後において
樹脂２０の流動が抑えられる。また、凹部１４ｂの大き
さを調整することにより、感光性封止樹脂２０の供給量
を安定させることができる。これにより、接続信頼性が
より一層向上する。
【０１４３】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法においても、実施の形態２と同様の効果が
得られる。
【０１４４】本実施形態では、接合層（導電性接着剤１
６）がない構成も可能である。この場合、接合層（導電
性接着剤１６）を用いる構成よりも実装荷重を要する
が、突起電極１３の変形で低荷重で実装でき、実装時の
応力を緩和できる。これにより、素子の特性劣化や配線
の断線などを防ぐことができる。しかも、突起電極１３
の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変
動させることができる。そのため、接続の信頼性が向上
すると共に、高生産性を実現できるという作用効果を有
する。突起電極１３を変形させるうえでは、ひきちぎり
バンプにより突起電極１３を形成するのが好ましい。
【０１４５】（実施の形態１４）図１７（ａ）は、本発
明の実施の形態１４にかかる半導体モジュール１０の概
略断面図である。
【０１４６】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１が、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装されている。半導体装置１１は受光領域部１７を
備えている。突起電極１３は、例えばワイヤボンディン
グ法により金属ワイヤを引きちぎって形成されている。
回路基板１４の受光領域部１７に対向する位置には、レ
ンズによる投影のために貫通孔１８が設けられている。
半導体装置１１の受光領域部１７と回路基板１４の貫通
孔１８とを除いた電極接続部の周囲は、封止樹脂１９に
より封止されて補強されている。突起電極１３の高さｈ
１、ｈ２は回路基板１４の反りに応じて寸法変動してい
る。また、貫通孔１８の周縁に位置する回路基板１４の
基板実装面領域には、貫通孔１８に向かって基板実装面
から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面１４ｃが形成されて
いるここで、突起電極１３の先端のつぶれ（先端の直
径）は２０μｍφ程度までであればよい。このような大
きさの突起電極１３は、ワイヤボンディング法を用いて
形成された突起電極、めっき法あるいは無電解めっき法
を用いて形成された突起電極、溶融した金属から引き上
げて作製した突起電極のいずれからも構成することがで
きる。そして、いずれの突起電極１３であっても、容易
に変形する。ただし、ワイヤボンディング法を用いて形
成された引きちぎりバンプから突起電極１３が構成され
れば、封止樹脂１９の貫通力が強まり、より低荷重の実
装で、突起電極の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反り
に応じて寸法変動させることができるようになる。した
がって、安定した接続を得ることができる。
【０１４７】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【０１４８】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【０１４９】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの端子電
極１２、１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、端
子電極１２，１５間の導通の補助としての役割を果た
す。
【０１５０】このように構成された半導体モジュールに
よると、傾斜面１４ｃによって封止樹脂１９が貫通孔１
８に流れ込むのを防ぐことができる。そのため、素子の
特性劣化を防止できる。半導体装置１１の受光領域部１
７と回路基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周
囲にのみ設けることで、素子の特性劣化を防ぐことがで
きる。
【０１５１】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１３を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反
りに応じて寸法変動させることができるので、接続の信
頼性が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【０１５２】本実施の形態では、図１７（ｂ）に示す構
造も可能である。図１７（ｂ）では、接合層（導電性接
着剤１６）を用いることなく、突起電極１３を入出力端
子電極１５に熱圧着した構成である。この場合、接合層
（導電性接着剤１６）を用いるよりも実装荷重を要す
る。しかしながら、突起電極１３の変形により低荷重で
実装できて実装時の応力を緩和できる。そのため、素子
の特性劣化や配線の断線などを防ぐことができる。これ
により、接続の信頼性が向上すると共に、高生産性を実
現できるという作用効果を有する。なお、突起電極１３
を容易に変形させるためには、ひきちぎりバンプにより
突起電極１３を構成するのが好ましい。
【０１５３】（実施の形態１５）図１８は、本発明の実
施の形態１５にかかる半導体モジュール１０の製造工程
図である。
【０１５４】この実施の形態１５においては、基本的に
は実施の形態２に類似した製造方法である。そのため、
以下の説明や図１８においては、実施の形態２（図３）
と同一部分に同一符号を付してその説明を省略する。
【０１５５】すなわち、この実施の形態１５において
は、まず、位置する回路基板１４の基板実装面の貫通孔
１８の周縁には、貫通孔１８に向かって基板実装面から
遠ざかる向きに傾斜する傾斜面１４ｃが形成される。
【０１５６】この回路基板１４の入出力端子電極１５上
に導電性接着剤１６を供給する。さらに、入出力端子電
極１５ならびに導電性接着剤１６上に、感光性封止樹脂
２０をノズル２１から供給する。次に、感光性封止樹脂
２０に紫外線を照射し、少なくとも樹脂表面を半硬化さ
せる。
【０１５７】この状態で、半導体装置１１を回路基板１
４に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路
基板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端
子電極１５に押圧させて接合する。このとき突起電極１
４の高さｈ１、ｈ２が回路基板１４の反りに応じて寸法
変動する。この熱圧着実装時の加熱により、感光性封止
樹脂２０が硬化し、受光領域部１７と貫通孔１８とを除
いた少なくとも電極接続部の周囲が、封止樹脂１９にて
封止される。
【０１５８】また、この構成では、傾斜面１４ｃによっ
て封止樹脂１９が貫通孔１８に流れ込むのを防ぐことが
できる。これにより、半導体装置１１の受光領域部１７
と回路基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周囲
にのみ封止樹脂１９を設けるが可能となり、素子の特性
劣化を防ぐことができる。
【０１５９】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法においても、実施の形態２と同様の効果が
得られる。
【０１６０】本実施形態では、接合層（導電性接着剤１
６）がない構成も可能である。この場合、接合層（導電
性接着剤１６）を用いる構成よりも実装荷重を要する
が、突起電極１３の変形で低荷重で実装でき、実装時の
応力を緩和できる。これにより、素子の特性劣化や配線
の断線などを防ぐことができる。しかも、突起電極１３
の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変
動させることができる。そのため、接続の信頼性が向上
すると共に、高生産性を実現できるという作用効果を有
する。なお、突起電極１３を容易に変形させるために
は、ひきちぎりバンプにより突起電極１３を構成するの
が好ましい。
【０１６１】（実施の形態１６）図１９は、本発明の実
施の形態１６にかかる半導体モジュール１０の概略断面
図である。
【０１６２】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１を、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装している。半導体装置１１は受光領域部１７を備
え、突起電極１３は、例えばワイヤボンディング法によ
り金属ワイヤを引きちぎって形成される。また、回路基
板１４の受光領域部１７に対向する位置には、レンズに
よる投影のために貫通孔１８を設けている。また、半導
体装置１１の受光領域部１７と回路基板１４の貫通孔１
８を除いた電極接続部の周囲は、封止樹脂１９により封
止されて補強され、突起電極１３の高さｈ１、ｈ２を回
路基板１４の反りに応じて寸法変動させている。また、
貫通孔１８の周縁に位置する回路基板１４の基板実装面
領域には、凸状部１４ｄを設けている。これは凹状部で
もよく、また複数有していてもよい。
【０１６３】ここで、突起電極１３の先端のつぶれ（先
端の直径）が２０μｍφ程度までであればよい。このよ
うな大きさの突起電極１３は、ワイヤボンディング法を
用いて形成された突起電極、めっき法あるいは無電解め
っき法を用いて形成された突起電極、溶融した金属から
引き上げて作製した突起電極のいずれからも構成するこ
とができる。そして、いずれの突起電極１３であって
も、容易に変形する。ただし、ワイヤボンディング法を
用いて形成された引きちぎりバンプから突起電極１３が
構成されれば、封止樹脂１９の貫通力が強まり、より低
荷重の実装で、突起電極の高さｈ１、ｈ２を回路基板１
４の反りに応じて寸法変動させることができるようにな
る。したがって、安定した接続を得ることができる。
【０１６４】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【０１６５】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【０１６６】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの電極１
２，１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、電極１
２，１５間の導通の補助としての役割を果たす。
【０１６７】このように構成された半導体モジュールに
よると、凸状部１４ｄによって封止樹脂１９が貫通孔１
８に流れ込むのを防ぐことができる。そのため、素子の
特性劣化を防止、半導体装置１１の受光領域部１７と回
路基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周囲にの
み設けることで、素子の特性劣化を防ぐことができる。
【０１６８】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１３を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに
応じて寸法変動させることができるので、接続の信頼性
が向上し、低コストで高生産性を実現できる。
【０１６９】本実施形態では、図１９（ｂ）に示す構造
も可能である。図１９（ｂ）では、接合層（導電性接着
剤１６）を用いることなく、突起電極１３を入出力端子
電極１５に熱圧着した構成である。この場合、接合層
（導電性接着剤１６）を用いるよりも実装荷重を要す
る。しかしながら、突起電極１３の変形により低荷重で
実装できて実装時の応力を緩和できる。そのため、素子
の特性劣化や配線の断線などを防ぐことができる。これ
により、接続の信頼性が向上すると共に、高生産性を実
現できるという作用効果を有する。なお、突起電極１３
を容易に変形させるためには、ひきちぎりバンプにより
突起電極１３を構成するのが好ましい。
【０１７０】（実施の形態１７）図２０は、本発明の実
施の形態１７にかかる半導体モジュール１０の概略断面
図である。
【０１７１】半導体モジュール１０は、端子電極１２上
に突起電極１３を形成した半導体装置１１を、回路基板
１４の入出力端子電極１５上に導電性接着剤１６を介し
て実装されている。半導体装置１１は受光領域部１７を
備えている。突起電極１３は、例えばワイヤボンディン
グ法により金属ワイヤを引きちぎって形成されている。
回路基板１４の受光領域部１７に対向する位置には、レ
ンズによる投影のために貫通孔１８が設けられている。
半導体装置１１の受光領域部１７と回路基板１４の貫通
孔１８とを除いた電極接続部の周囲は、封止樹脂１９に
より封止されて補強されている。突起電極１３の高さｈ
１、ｈ２は回路基板１４の反りに応じて寸法変動してい
る。また、回路基板１４の貫通孔１８は２段構成をして
いて、貫通孔１８の受光領域部１７側の開口領域を領域
Ａ、他方側の開口領域を領域Ｂとすると、領域Ａの面積
＞領域Ｂの面積＞受光領域１７の面積が成り立つ。これ
により、貫通孔１８には、回路基板１４の基板実装面側
に開いた段部１４ｅが設けられている。
【０１７２】段部１４ｅを設けた場合、レンズの投影の
ための有効面積は領域Ｂの面積分確保されればよい。一
方、貫通孔１８に封止樹脂１９が流れこんだ場合には、
段部１４ｅで受け止めることで領域Ａ内に封止樹脂１９
をとどめることができる。したがって、素子特性の劣化
を抑制することができる。なお、ここでは貫通孔１８は
２段構成の段部１４ｅを設けたが、３段以上の多段構成
にしてもその効果は失わない。
【０１７３】ここで、突起電極１３の先端のつぶれ（先
端の直径）は２０μｍφ程度までであればよい。このよ
うな大きさの突起電極１３は、ワイヤボンディング法を
用いて形成された突起電極、めっき法あるいは無電解め
っき法を用いて形成された突起電極、溶融した金属から
引き上げて作製した突起電極のいずれからも構成するこ
とができる。そして、いずれの突起電極１３であって
も、容易に変形する。ただし、ワイヤボンディング法を
用いて形成された引きちぎりバンプから突起電極１３が
構成されれば、封止樹脂１９の貫通力が強まり、より低
荷重の実装で、突起電極の高さｈ１、ｈ２を回路基板１
４の反りに応じて寸法変動させることができるようにな
る。したがって、安定した接続を得ることができる。
【０１７４】また、突起電極１３は、例えばＡｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｐｄ、Ｃ、
Ｐｔのうちの少なくとも１つを含んでいる。
【０１７５】また、導電性接着剤１６は、エポキシ系樹
脂を主成分とした構成となり、導電性フィラーには、例
えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、
Ｚｎの少なくとも１つを用いることができる。
【０１７６】また、封止樹脂１９は、一般の感光性高分
子であるエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を主成分とし
て含むが、紫外線に感光性のある樹脂であれば特に材料
は限定されない。しかも、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＡｌＮなどの無機物の粒子だけを含んだ絶
縁樹脂を用いることもでき、あるいは導電性粒子、例え
ばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚ
ｎのうち少なくとも１つを含んだ異方性導電樹脂を用い
ることもできる。異方性導電樹脂を用いる場合、導電性
接着剤１６の層があるので、封止樹脂１９中の導電性粒
子が半導体装置１１と回路基板１４のそれぞれの電極１
２，１５間に挟まれるほど実装荷重がなくても、端子電
極１２、１５間の導通の補助としての役割を果たす。
【０１７７】また、接合層に導電性接着剤１６を用いる
ことで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。しかも、導電性接着
剤１３を用いることで、低荷重実装が可能になる。ま
た、突起電極の高さを回路基板の電極の反りに応じて寸
法変動させることができるので、接続の信頼性が向上
し、低コストで高生産性を実現できる。
【０１７８】さらに接合層（導電性接着剤１６）を用い
ない構造も可能である。この場合、接合層（導電性接着
剤１６）を用いるよりも実装荷重を要する。しかしなが
ら、突起電極１３の変形により低荷重で実装できて実装
時の応力を緩和できる。そのため、素子の特性劣化や配
線の断線などを防ぐことができる。これにより、接続の
信頼性が向上すると共に、高生産性を実現できるという
作用効果を有する。なお、突起電極１３を容易に変形さ
せるためには、ひきちぎりバンプにより突起電極１３を
構成するのが好ましい。
【０１７９】（実施の形態１８）図２１は、本発明の実
施の形態１８にかかる半導体モジュール１０の製造工程
図である。
【０１８０】この実施の形態１３においては、基本的に
は実施の形態２に類似した製造方法である。そのため、
以下の説明や図２０においては、実施の形態２（図３）
と同一部分に同一符号を付してその説明を省略する。
【０１８１】すなわち、この実施の形態１８において
は、まず、回路基板１４の入出力端子電極１５上に導電
性接着剤１６を供給しておき、さらに、入出力端子電極
１５ならびに導電性接着剤１６上に、感光性封止樹脂２
０を供給する。次に、感光性封止樹脂２０に紫外線を照
射し、少なくとも樹脂表面を半硬化させる。
【０１８２】この状態で、半導体装置１１を回路基板１
４に熱圧着実装する。すなわち、半導体装置１１を回路
基板１４に加熱加圧し、突起電極１３の先端を入出力端
子電極１５に押圧させて接合する。このとき突起電極１
３の高さｈ１、ｈ２が回路基板１４の反りに応じて寸法
変動する。この熱圧着実装時の加熱により、感光性封止
樹脂２０が硬化し、受光領域部１７と貫通孔１８を除い
た少なくとも電極接続部の周囲が、封止樹脂１９にて封
止される。
【０１８３】このようにして作製される半導体モジュー
ル１０において、封止樹脂１９はフィラ−２７を含む。
フィラ−２７は無機フィラ−でも導電性フィラ−いずれ
でもよく、粒径が平均５μｍ以下で樹脂中に重量比で４
０〜９２％含まれる。こうすることで、封止樹脂１９の
流動性が抑えられ、貫通孔１８に流れ込むのを防ぐこと
ができる。そのため、半導体装置１１の受光領域部１７
と回路基板１４の貫通孔１８とを除いた電極接続部の周
囲にのみ封止樹脂１９を設けることが可能となり、その
ために素子の特性劣化を防ぐことができる。これは次に
ような理由によっている。すなわち、上記した粒径の細
かなフィラー２７では、フィラー２７の表面積が大きく
なる。そのため、フィラー２７に対して封止樹脂１９が
濡れやすくなって、封止樹脂１９に対するフィラー２７
の保持力が強まる。フィラー２７には流動性がないの
で、フィラー２７を含有した封止樹脂１９の流動性が抑
制されることになる。このような知見に基づいて、各種
試験を実施した結果、フィラー２７の粒径および含有比
率を、平均５μｍ以下で樹脂に対して重量比で４０〜９
２％含まれると設定すると、最も、封止樹脂１９の流動
性を抑制することができる。
【０１８４】このように構成された半導体モジュール１
０の製造方法においても、実施の形態２と同様の効果が
得られる。
【０１８５】本実施形態では、接合層（導電性接着剤１
６）がない構成も可能である。この場合、接合層（導電
性接着剤１６）を用いる構成よりも実装荷重を要する
が、突起電極１３の変形で低荷重で実装でき、実装時の
応力を緩和できる。これにより、素子の特性劣化や配線
の断線などを防ぐことができる。しかも、突起電極１３
の高さｈ１、ｈ２を回路基板１４の反りに応じて寸法変
動させることができる。そのため、接続の信頼性が向上
すると共に、高生産性を実現できるという作用効果を有
する。突起電極１３を変形させるうえでは、ひきちぎり
バンプにより突起電極１３を形成するのが好ましい。
【０１８６】（実施の形態１９）図２２は、本発明の実
施の形態１９における回路基板１４に関するものであ
る。
【０１８７】回路基板１４は、貫通孔１８の周縁に位置
する基板実装面領域に、貫通孔１８に向かって基板実装
面から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面１４ｃを有してい
る。
【０１８８】この回路基板１４に、前記各実施の形態に
示したように半導体装置１１を熱圧着実装し、封止樹脂
１９にて封止する。
【０１８９】このように構成された回路基板１４ならび
にそれを用いた半導体モジュール１０によると、傾斜面
１４ｃによって封止樹脂１９が貫通孔１８に流れ込むの
を防ぐことができ、素子の特性劣化を防止できる。
【０１９０】（実施の形態２０）図２３は、本発明の実
施の形態２０における回路基板１４に関するものであ
る。
【０１９１】回路基板１４は、、貫通孔の周縁に位置す
る基板実装面領域に、凸条部１４ｄを有している。な
お、凸条部１４ｄは樹脂や電極、無機物など、いずれで
も形成できる。
【０１９２】この回路基板１４に、前記各実施の形態に
示したように半導体装置１１を熱圧着実装し、封止樹脂
１９にて封止する。このように構成された回路基板１４
ならびにそれを用いた半導体モジュール１０によると、
凸条部６１によって封止樹脂１９の流れがせき止めら
れ、貫通孔１８に流れ込むのを防ぐことができ、素子の
特性劣化を防止できる。なお、凸条部６１の代わりに、
貫通孔１８を囲んで凹条部を形成したものであってもよ
い。
【０１９３】（実施の形態２１）図２４は、本発明の実
施の形態２１における回路基板に関するものである。
【０１９４】回路基板１４は、貫通孔１８の周縁に位置
する基板実装面領域に、複数の凸条部１４ｆを互いに間
隔をおいて形成したものである。なお、凸条部１４ｆは
樹脂や電極、無機物などいずれでも形成できる。
【０１９５】この回路基板１４に、前記各実施の形態に
示したように半導体装置１１を熱圧着実装し、封止樹脂
にて封止する。
【０１９６】このように構成された回路基板１４ならび
にそれを用いた半導体モジュール１０によると、凸条部
１４ｆによって封止樹脂１９の流れがせき止められ、貫
通孔１８に流れ込むのを防ぐことができ、素子の特性劣
化を防止できる。なお、凸条部１４ｆの代わりに、貫通
孔１８を囲んで複数の凹条部を互いに間隔をおいて形成
したものであってもよい。あるいは、凸条部と凹条部を
交互に配置したものであってもよい。
【０１９７】（実施の形態２２）図２５は、本発明の実
施の形態２２における半導体装置１１に関するものであ
る。
【０１９８】半導体装置１１は、受光領域部１７の周縁
に位置する装置実装面領域に、前記周縁以外の装置実装
面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが悪い）層
１１ａが設けられている。
【０１９９】この半導体装置１１を、前記各実施の形態
に示したように回路基板１４に熱圧着実装し、封止樹脂
にて封止する。
【０２００】また、接触角（濡れ角）が大きい層１１ａ
は、好ましくは撥水処理が施されている。この撥水処理
として、ピリジニウム化合物、有機金属複合体（金属セ
ッケン）、ワックス及びワックス−金属エマルション、
樹脂加工、シリコ−ン、フッ素化合物を用いて被膜形成
を行うことができる。例えば、アスファルト、ポリエチ
レン、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−ビ
ニル酢酸共重合体、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリ
塩化ビニリデン、炭化水素系化合物、シロキサン系化合
物、長鎖脂肪酸のクロム錯化合物、ブチルゴム、ネオプ
レン、タ−ル、ラテックスペイント、ステアリン酸カル
シウム、ステアリン酸アルミニウム、鉱物油などあるい
はこれらの混合物を用いて撥水処理することができる。
【０２０１】このように構成された半導体装置１１なら
びにそれを用いた半導体モジュール１０によると、層１
１ａによる樹脂排除作用により、封止樹脂１９が回路基
板１４の貫通孔１８に流れ込んで漏れ出たり、半導体装
置１１の受光領域部１７に流れ込んだりすることはな
い。そのため、半導体装置１１の受光領域部１７と回路
基板１４の貫通孔１８を除いた電極接続部の周囲にのみ
封止樹脂１９を設けることが可能となり、その分、素子
の特性劣化を防ぐことができる。
【０２０２】（実施の形態２３）図２６は、本発明の実
施の形態２３における半導体装置１１に関するものであ
る。
【０２０３】半導体装置１１は、受光領域部１７の周縁
に位置する装置実装面領域に、受光領域部１７に向かっ
て装置実装面から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面１１ｂ
が設けられている、この半導体装置１１を、前記各実施
の形態に示したように回路基板１４に熱圧着実装し、封
止樹脂にて封止する。
【０２０４】このように構成された半導体装置１１なら
びにそれを用いた半導体モジュール１０によると、傾斜
面１１ｂによる樹脂排除作用によって封止樹脂１９が受
光領域部１７に流れ込むのを防ぐことができ、素子の特
性劣化を防止できる。
【０２０５】（実施の形態２４）図２７は、本発明の実
施の形態２４における半導体装置１１に関するものであ
る。
【０２０６】半導体装置１１は、受光領域部１７の周縁
に位置する装置実装面領域に、凸条部１１ｃが設けられ
ている。なお、凸条部１１ｃは、樹脂や電極、無機物な
ど、いずれでも形成できる。
【０２０７】この半導体装置１１を、前記各実施の形態
に示したように回路基板１４に熱圧着実装し、封止樹脂
にて封止する。
【０２０８】このように構成された半導体装置１１なら
びにそれを用いた半導体モジュール１０によると、凸条
部１１ｃによって封止樹脂１９の流れがせき止められ、
受光領域部１７に流れ込むのを防ぐことができ、素子の
特性劣化を防止できる。
【０２０９】なお、凸条部１１ｃは、互いに間隔をおい
て複数個形成してもよく、また凸条部１１ｃの代わりに
凹条部を形成したものや、凸条部と凹条部を交互に形成
したものであってもよい。
【０２１０】
【発明の効果】以上のよ うに本発明によれば、半導体
装置の受光領域部や回路基板の貫通孔に流れ込まないよ
うに、感光性封止樹脂を供給し表面を半硬化させること
で、半導体装置の受光領域部と回路基板の貫通孔を除い
た電極接続部の周囲にのみ封止樹脂を設け、素子の特性
劣化を防ぐことができる。また、接合層に導電性接着剤
を用いることで、実装時の応力を緩和でき、素子の特性
劣化や配線の断線などを防ぐことができる。しかも、導
電性接着剤を用いることで、低荷重実装が可能となり、
突起電極の高さを回路基板の電極の反りに応じて寸法変
動させるので、接続の信頼性が向上すると共に、高生産
性を実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施の形態１における半
導体モジュールの断面図であり、図１（ｂ）はその変形
例の断面図である。
【図２】突起電極の形状の例を示す拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態２における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図７】実施の形態５の変形例である半導体モジュール
の製造工程のそれぞれを示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態６における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態７における半導体モジュー
ルの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態８における半導体モジュ
ールの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態９における導電性接着剤
供給用治具の概略図
【図１２】本発明の実施の形態９における導電性接着剤
の供給工程をそれぞれ示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１０における導電性接着
剤の供給工程のそれぞれを示す断面図である。
【図１４】 図１４（ａ）は本発明の実施の形態１１に
おける半導体モジュールの断面図であり、図１４（ｂ）
はその変形例の断面図である。
【図１５】 図１５（ａ）は本発明の実施の形態１２に
おける半導体モジュールの断面図であり、図１５（ｂ）
はその変形例の断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１３における半導体モジ
ュールの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は本発明の実施の形態１４にお
ける半導体モジュールの断面図であり、図１７（ｂ）は
その変形例の断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１５における半導体モジ
ュールの製造工程をそれぞれ示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は本発明の実施の形態１６にお
ける半導体モジュールの断面図であり、図１９（ｂ）は
その変形例の断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態１７における半導体モジ
ュールの断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態１８にかかる半導体モジ
ュール１０の製造工程図である。
【図２２】本発明の実施の形態１９における回路基板の
断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２０における回路基板の
断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態２１における回路基板の
断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２２における半導体装置
の断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態２３における半導体装置
の断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態２４における半導体装置
の断面図である。
【図２８】半田バンプの断面図である。
【図２９】熱圧着実装の断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体モジュール １１ 半導体装置 １１ａ 接触角が大きい層 １１ｂ 傾斜面 １２ 端子電極 １３ 突起電極 １４ 回路基板 １４ａ 接触角が大きい層 １４ｂ 凹部 １４ｃ 傾斜面 １４ｄ 凸状部 １４ｅ 段部 １４ｆ 凸状部（複数） １５ 入出力端子電極 １６ 導電性接着剤 １７ 受光領域部 １８ 貫通孔 １９ 封止樹脂 ２０ 感光性封止樹脂 ｈ１、ｈ２ 高さ寸法 ２２ 封止樹脂 ２４ 感光性封止樹脂 ２５ ノズル ２６ 加熱加圧治具 ２７ フィラー ３０ 導電性接着剤供給治具 ３１ シリンジ ３２ ノズル ３３ 導電性接着剤 ４０ 導電性接着剤治具 ４１ 樹脂溜まり凹部 ４２ 周壁 ４３ バネ ４５ 導電性接着剤塗膜ステージ ４６ 導電性接着剤 ５０ 剥離シート ５１ 加熱加圧治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸村 善広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB10 GA09 HA24 HA31 HA33 5F044 KK01 LL11 RR16 5F088 BA16 BA18 BB03 EA04 EA20 JA03 JA20 KA10

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 受光領域部を有する撮像素子を構成する
    とともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突起
    電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設け
    られかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方向
    に沿った貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装して
    なる半導体モジュールの製造方法であって、 前記入出力端子電極に前記端子電極を位置合わせした状
    態で、前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程
    と、 前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程の前処理
    もしくは後処理として、前記受光領域部と前記貫通孔と
    を除いた少なくとも前記端子電極と前記入出力端子電極
    との間の電極接続部に感光性封止樹脂を供給する工程
    と、 前記電極接続部に供給した前記感光性封止樹脂に光線を
    照射することにより、前記感光性封止樹脂の表面を半硬
    化させる工程と、 前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加圧す
    ることで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当接し
    た状態で押圧変形させる工程と、 を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体装置を前記回路基板に載置す
    る前処理として、前記入出力端子電極と前記端子電極と
    の少なくとも一方に前記導電性接着剤を供給する工程
    を、 さらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体モ
    ジュールの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記回路基板に対して前記半導体装置を
    相対的に加圧する際に、加熱処理を加えることで、前記
    感光性封止樹脂と前記導電性接着剤とを硬化させる、 ことを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュールの
    製造方法。
  4. 【請求項４】 受光領域部を有する撮像素子を構成する
    とともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突起
    電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設け
    られかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方向
    に沿った貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装して
    なる半導体モジュールの製造方法であって、 前記入出力端子電極に前記端子電極を位置合わせした状
    態で、前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程
    と、 前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加圧す
    ることで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当接し
    た状態で押圧変形させる工程と、 前記端子電極と前記入出力端子電極とを電気的に接続す
    る工程と、 前記半導体装置と前記回路基板との間の間隙に光線を照
    射しながら感光性封止樹脂を充填することで、前記受光
    領域部と前記貫通孔とを除いた少なくとも前記端子電極
    と前記入出力端子電極との間の電極接続部に、表面が半
    硬化した前記感光性封止樹脂を供給する工程と、 を含む半導体モジュールの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記感光性封止樹脂を前記入出力端子電
    極に供給する、 ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
    半導体モジュールの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記回路基板に、前記入出力端子電極を
    含む基板表面領域に凹部を形成し、この凹部に前記感光
    性封止樹脂を供給する、 ことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュ−ルの
    製造方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体装置を前記回路基板に載置す
    る工程の前処理として、前記貫通孔の周縁に位置する前
    記回路基板の基板実装面領域に、前記周縁以外の基板実
    装面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが悪い）
    層を形成する、 ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
    半導体モジュールの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記半導体装置を前記回路基板に載置す
    る工程の前処理として、前記受光領域部の周縁に位置す
    る前記半導体装置の装置実装面領域に、前記周縁以外の
    装置実装面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが
    悪い）層を形成する、 ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の
    半導体モジュールの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記接触角が大きい（濡れが悪い）層と
    して、撥水処理が施された層を形成する、ことを特徴と
    する請求項７または８に記載の半導体モジュールの製造
    方法。
  10. 【請求項１０】 前記半導体装置を前記回路基板に載置
    する工程の前処理として、 前記貫通孔の周縁に位置する前記回路基板の基板実装面
    領域に、前記貫通孔に向かって基板実装面から遠ざかる
    向きに傾斜する傾斜面を形成する、 ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の
    半導体モジュールの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記半導体装置を前記回路基板に載置
    する工程の前処理として、 前記受光領域部の周縁に位置する前記半導体装置の装置
    実装面領域に、前記受光領域部に向かって装置実装面か
    ら遠ざかる向きに傾斜する傾斜面を形成する、 ことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載
    の半導体モジュールの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記半導体装置を前記回路基板に載置
    する工程の前処理として、 前記貫通孔の内部に、基板実装面側に開いた段部を形成
    する、 ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載
    の半導体モジュールの製造方法。
  13. 【請求項１３】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    るとともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突
    起電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設
    けられかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方
    向に沿った貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装し
    てなる半導体モジュールの製造方法であって、 前記入出力端子電極に前記端子電極を位置合わせした状
    態で、前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程
    と、 前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程の前処理
    もしくは後処理として、前記受光領域部と前記貫通孔と
    を除いた少なくとも前記端子電極と前記入出力端子電極
    との間の電極接続部に封止樹脂を供給する工程と、 前記封止樹脂を半硬化状態にする工程と、 前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加圧す
    ることで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当接し
    た状態で押圧変形させる工程と、 を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
  14. 【請求項１４】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    るとともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突
    起電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設
    けられかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方
    向に沿った貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装し
    てなる半導体モジュールの製造方法であって、 前記入出力端子電極に前記端子電極を位置合わせした状
    態で、前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程
    と、 前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程の前処理
    もしくは後処理として、前記受光領域部と前記貫通孔と
    を除いた少なくとも前記端子電極と前記入出力端子電極
    との間の電極接続部に半硬化状態の封止樹脂を供給する
    工程と、 前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加圧す
    ることで前記突起電極を、前記入出力端子電極に当接し
    た状態で押圧変形させる工程と、 を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記半導体装置を前記回路基板に載置
    する前処理として、前記入出力端子電極と前記端子電極
    との少なくとも一方に前記導電性接着剤を供給する工程
    を、 さらに含むことを特徴とする請求項１３または１４に記
    載の半導体モジュールの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記回路基板に対して前記半導体装置
    を相対的に加圧する際に、加熱処理を加えることで、前
    記封止樹脂と前記導電性接着剤とを硬化させる、 ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記半導体装置を前記回路基板に載置
    する前処理として、 先端の大きさが２０μｍφ以下である前記突起電極を、
    前記端子電極に形成する、ことを特徴とする請求項１な
    いし１６のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    るとともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突
    起電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設
    けられかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方
    向に沿った貫通孔が設けられた回路基板に熱圧着実装し
    てなる半導体モジュールの製造方法であって、 前記入出力端子電極に前記端子電極を位置合わせした状
    態で、前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程
    と、 前記半導体装置を前記回路基板に載置する工程の前処理
    もしくは後処理として、前記受光領域部と前記貫通孔と
    を除いた少なくとも前記端子電極と前記入出力端子電極
    との間の電極接続部に光線照射により少なくとも表面が
    半硬化した感光性封止樹脂を供給する工程と、 前記回路基板に対して前記半導体装置を相対的に加熱加
    圧することで、前記受光領域部と前記貫通孔とを除いた
    前記電極接続部の周囲を前記感光性封止樹脂にて封止す
    る工程と、 を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
  19. 【請求項１９】 導電性接着剤を充填するシリンジと、
    空気圧により回路基板の入出力端子電極上に導電性接着
    剤を押し出すノズルとからなる導電性接着剤供給治具を
    用いて、導電性接着剤を各入出力端子電極上に一括で供
    給する、 ことを特徴とする請求項１ないし１８のいずれかに記載
    の半導体モジュールの製造方法。
  20. 【請求項２０】 先端にバネで突没自在の周壁と当該周
    壁の内部に樹脂溜り凹部を形成した導電性接着剤供給治
    具を用い、前記樹脂溜り凹部の深さより深い導電性接着
    剤の塗膜に浸漬することにより前記樹脂溜り凹部に導電
    性接着剤を充填し、回路基板の入出力端子電極上に前記
    周壁を押圧し前記バネの付勢に抗して前記周壁を没入さ
    せ、前記樹脂溜り凹部内の導電性接着剤を各入出力端子
    電極上に一括で供給することを特徴とする請求項１ない
    し１８のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 回路基板の入出力端子電極に対向する
    位置に導電性接着剤を有した剥離シ−トを用い、前記回
    路基板に加熱加圧することにより、前記導電性接着剤の
    みを各入出力端子電極上に一括で供給することを特徴と
    する請求項１ないし１８のいずれか記載の半導体モジュ
    ールの製造方法。
  22. 【請求項２２】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    るとともに端子電極が設けられかつこの端子電極には突
    起電極が設けられた半導体装置を、入出力端子電極が設
    けられかつ前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方
    向に沿った貫通孔が設けられた回路基板に、前記端子電
    極を前記入出力端子電極を位置合わせした状態で熱圧着
    実装してなる半導体モジュールであって、 前記突起電極は、前記端子電極と前記入出力端子電極と
    の間のそれぞれの隙間の寸法に応じて各隙間を埋める高
    さ寸法を有している、ことを特徴とする半導体モジュー
    ル。
  23. 【請求項２３】 前記入出力端子電極と前記端子電極と
    の間にはこれら電極どうしを電気的に接続する導電性接
    着剤が設けられている、 ことを特徴とする請求項２２に記載の半導体モジュー
    ル。
  24. 【請求項２４】 前記半導体装置と前記回路基板との間
    には前記受光領域部と前記貫通孔とを除いて封止樹脂が
    充填されており、前記貫通孔の周縁に位置する前記回路
    基板の基板実装面領域に、前記貫通孔に向かって基板実
    装面から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面が設けられてい
    る、 ことを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体
    モジュール。
  25. 【請求項２５】 前記半導体装置と前記回路基板との間
    には前記受光領域部と前記貫通孔とを除いて封止樹脂が
    充填されており、前記受光領域部の周縁に位置する前記
    半導体装置の装置実装面領域に、前記受光領域部に向か
    って装置実装面から遠ざかる向きに傾斜する傾斜面が設
    けられている、 ことを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体
    モジュール。
  26. 【請求項２６】 前記半導体装置と前記回路基板との間
    には前記受光領域部と前記貫通孔とを除いて封止樹脂が
    充填されており、前記貫通孔の周縁に位置する前記回路
    基板の基板実装面領域に、凸条部または凹条部が設けら
    れている、 ことを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体
    モジュール。
  27. 【請求項２７】 前記半導体装置と前記回路基板との間
    には前記受光領域部と前記貫通孔とを除いて封止樹脂が
    充填されており、前記受光領域部の周縁に位置する前記
    半導体装置の装置実装面領域に、凸条部または凹条部が
    設けられている、 ことを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体
    モジュール。
  28. 【請求項２８】 前記凸条部または前記凹条部が互いに
    間隔をおいて複数個設けられている、 ことを特徴とする請求項２６または２７に記載の半導体
    モジュール。
  29. 【請求項２９】 前記封止樹脂は光線照射により少なく
    ともその表面が半硬化状態にされる感光性樹脂である、 ことを特徴とする請求項２４ないし２８のいずれかに記
    載の半導体モジュール。
  30. 【請求項３０】 前記入出力端子電極を含む前記回路基
    板の表面領域に凹部を形成し、この凹部に前記封止樹脂
    が設けられている、 ことを特徴とする請求項２４ないし２９のいずれかに記
    載の半導体モジュ−ル。
  31. 【請求項３１】 前記貫通孔の周縁に位置する前記回路
    基板の基板実装面領域に、前記周縁以外の基板実装面領
    域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが悪い）層が設
    けられている、 ことを特徴とする請求項２４ないし３０のいずれかに記
    載の半導体モジュール。
  32. 【請求項３２】 前記受光領域部の周縁に位置する前記
    半導体装置の装置実装面領域に、前記周縁以外の装置実
    装面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが悪い）
    層が設けられている、 ことを特徴とする請求項２４ないし３１のいずれかに記
    載の半導体モジュール。
  33. 【請求項３３】 前記接触角が大きい（濡れが悪い）層
    は、撥水処理が施された層である、 ことを特徴とする請求項３２に記載の半導体モジュー
    ル。
  34. 【請求項３４】 前記受光領域部は前記貫通孔に対向配
    置されている、 ことを特徴とする請求項２２ないし３３のいずれかに記
    載の半導体モジュール。
  35. 【請求項３５】 前記貫通孔の内部に、基板実装面側に
    開いた段部が設けられている。ことを特徴とする請求項
    ２２ないし３４のいずれかに記載の半導体モジュール
  36. 【請求項３６】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    る半導体装置が熱圧着実装される回路基板であって、 前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方向に沿った
    貫通孔が設けられ、この貫通孔の周縁に位置する基板実
    装面領域に、前記貫通孔に向かって基板実装面から遠ざ
    かる向きに傾斜する傾斜面が設けられている、 ことを特徴とする回路基板。
  37. 【請求項３７】 受光領域部を有する撮像素子を構成す
    る半導体装置が熱圧着実装される回路基板であって、 前記受光領域部に対向する位置に基板厚み方向に沿った
    貫通孔が設けられ、この貫通孔の周縁に位置する前記回
    路基板の基板実装面領域に、凸条部または凹条部が設け
    られている、 ことを特徴とする回路基板。
  38. 【請求項３８】 前記凸条部または前記凹条部は互いに
    間隔をおいて複数個設けられている、 ことを特徴とする請求項３６または３７に記載の回路基
    板。
  39. 【請求項３９】 前記入出力端子電極を含む前記回路基
    板の表面領域に凹部が設けられている、 ことを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれかに記
    載の回路基板。
  40. 【請求項４０】 前記貫通孔の周縁に位置する基板実装
    面領域に、前記周縁以外の基板実装面領域より樹脂成分
    の接触角が大きい（濡れが悪い）層が設けられている、 ことを特徴とする請求項３６ないし３９のいずれかに記
    載の回路基板。
  41. 【請求項４１】 前記接触角が大きい（濡れが悪い）層
    は、撥水処理が施された層である、 ことを特徴とする請求項４０に記載の回路基板。
  42. 【請求項４２】 前記貫通孔の内部に、基板実装面側に
    開いた段部が設けられている、 ことを特徴とする請求項３６ないし４１のいずれかに記
    載の回路基板。
  43. 【請求項４３】 受光領域部を有する撮像素子を構成し
    かつ回路基板に熱圧着実装される半導体装置であって、 前記受光領域部の周縁に位置する装置実装面領域に、前
    記受光領域部に向かって装置実装面から遠ざかる向きに
    傾斜する傾斜面が設けられている、 ことを特徴とする半導体装置。
  44. 【請求項４４】 受光領域部を有する撮像素子を構成し
    かつ回路基板に熱圧着実装される半導体装置であって、 前記受光領域部の周縁に位置する前記半導体装置の装置
    実装面領域に、凸条部または凹条部が設けられている、 ことを特徴とする半導体装置。
  45. 【請求項４５】 凸条部または凹条部が互いに間隔をお
    いて複数個設けられている、 ことを特徴とする請求項４４に記載の半導体装置。
  46. 【請求項４６】 前記受光領域部の周縁に位置する前記
    半導体装置の装置実装面領域に、前記周縁以外の装置実
    装面領域より樹脂成分の接触角が大きい（濡れが悪い）
    層が設けられている、 ことを特徴とする請求項４３ないし４５のいずれかに記
    載の半導体装置。
  47. 【請求項４７】 前記接触角が大きい（濡れが悪い）層
    は、撥水処理が施された層である、 ことを特徴とする請求項４６に記載の半導体装置。
  48. 【請求項４８】 前記突起電極は、先端の大きさが２０
    μｍφ以下である、 ことを特徴とする請求項４３ないし４７のいずれかに記
    載の半導体装置。
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