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JP2002513011A - フェノキシプロピオン酸誘導体の高融点型結晶の製造方法 - Google Patents

フェノキシプロピオン酸誘導体の高融点型結晶の製造方法

Info

Publication number
JP2002513011A
JP2002513011A JP2000545845A JP2000545845A JP2002513011A JP 2002513011 A JP2002513011 A JP 2002513011A JP 2000545845 A JP2000545845 A JP 2000545845A JP 2000545845 A JP2000545845 A JP 2000545845A JP 2002513011 A JP2002513011 A JP 2002513011A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type crystal
ethyl
crystal
quizalofop
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000545845A
Other languages
English (en)
Inventor
真巳 安川
慎治 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority claimed from PCT/JP1999/001979 external-priority patent/WO1999055685A1/en
Publication of JP2002513011A publication Critical patent/JP2002513011A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 低融点型結晶、又は低融点型結晶と高融点型結晶とからなるエチル=(R)−2−[4−(6−クロロ−2−キノキザリルオキシ)フェノキシ]プロピオン酸を50℃から低融点型結晶の融解温度未満の範囲で加熱することを特徴とする高融点型結晶の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 技術分野 本発明は、エチル=(R)−2−[4−(6−クロロ−2−キノキザリルオキ
シ)フェノキシ]プロピオン酸(以下、キザロホップ−P−エチルと称する)の
高融点型結晶(以下、β型結晶と称する)の製造方法及び製造されるβ型結晶に
関する。
【0002】 背景技術 除草剤の有効成分として使用されているキザロホップ−P−エチルは低融点型
結晶(以下、α型結晶と称する)及びβ型結晶の2種の結晶形が知られている。
特公平4−76721号公報には、β型結晶がキザロホップ−P−エチルを溶媒
に溶解した溶液を攪拌しながら徐冷して晶析温度に保つことにより製造され、製
造されたβ型結晶は1μ以下の微結晶が凝集したものであり、溶媒スラリーの移
動、晶出した結晶の濾過及び乾燥が困難な場合があると記載されている。
【0003】 発明の開示 本発明の目的は、工業的に取り扱いの容易なβ型結晶及びその製造方法を提供
する。 本発明は、α型結晶、又はα型結晶及びβ型結晶からなるキザロホップ−P−
エチルを50℃からα型結晶の融解温度未満の範囲で加熱することを特徴とする
β型結晶の製造方法、及びその製造方法によって製造されるβ型結晶を提供する
【0004】 加熱を高温不活性気体との接触による加熱(以下、気固加熱法)、固体混合下
での加熱(以下、固体加熱法)又は難溶解性溶媒との懸濁下での加熱(以下、懸
濁加熱法と称する)にて行うことができる。
【0005】 気固加熱法としては、気流乾燥機、流動床乾燥機、通気乾燥機、熱風乾燥機な
どの気固接触機能をそなえた装置にキザロホップ−P−エチルを仕込み、加熱空
気又は加熱窒素等の高温気体を吹き込み、加熱処理する方法があげられる。
【0006】 固体加熱法としては、ジャケット付きニーダ、攪拌乾燥機、ジャケット付きス
クリューコンベア、コニカルドライヤーなどの加熱設備が付属し、かつ混合機能
をそなえた装置にキザロホップ−P−エチルを仕込み、所定の時間加熱混合する
方法があげられる。
【0007】 懸濁加熱法としては、水又はエチレングリコールなどの難溶解性溶媒にキザロ
ホップ−P−エチルを仕込み、懸濁させながら加熱する方法があげられる。
【0008】 加熱は通常50℃からα型結晶の融解温度未満、好ましくは65℃からα型結
晶の融解温度未満で行うことができる。
【0009】 加熱時間は、通常加熱温度に依存し、α型結晶が実質上消失するまでの時間を
要する。例えば、60℃で加熱する場合には100時間以上で、70℃で加熱す
る場合には数時間でβ型結晶にすることができる。
【0010】 加熱により、α型結晶がβ型結晶に転移した後に冷却、さらに懸濁加熱法にお
いては濾取することにより、β型結晶が得られる。 気固加熱法及び固体加熱法においてはβ型結晶を固体のまま得ることができ、
そのまま、又は粉砕して、例えば水性懸濁濃縮物の製造に使用することができる
【0011】 また、気固加熱法及び固体加熱法においては、晶析法で製造される主としてα
型結晶からなるキザロホップ−P−エチルを用いると、生成するβ型結晶は上記
の装置内で塊状の固体とならず、粉体として得られるため、高い生産性を保持で
きる。その際、晶析溶媒を実質上含まない主としてα型結晶からなるキザロホッ
プ−P−エチルを使用することが望ましい。特公平2−214504号公報には
、晶析法によって得られる湿品のα型結晶は70℃を超える温度で5時間以上乾
燥すると、β型結晶に変化する場合があると記載されている。しかし、晶析溶媒
を含む湿品を使用すると、加熱時に晶析溶媒による溶解が起き、装置内で塊状の
固体となる場合があるため、工業上、実施が困難である。
【0012】 懸濁加熱法においては難溶解性溶媒の除去が必要となる場合がある。例えば、
難溶解性溶媒が水である場合には乾燥の工程が必要となることがある。しかしな
がら、水性懸濁農薬組成物を得る場合、懸濁重量濃度によっては、乾燥が不要で
ある。また、懸濁加熱法は、加熱操作において、装置内での分散状態が良好に保
てるため、キザロホップ−P−エチルの温度制御が容易であり、均一なβ型結晶
を効率よく製造できる。さらに、懸濁加熱法で生成するβ型結晶は濾過性に優れ
、乾燥が容易である。
【0013】 以下、難溶解性溶媒であり、かつ工業的に安価な水に懸濁させて所望のβ型結
晶を得る方法について述べる。 すなわち、水にα型結晶、又はα型結晶及びβ型結晶からなるキザロホップ−
P−エチルを通常0.1〜60重量パーセント、好ましくは1〜60重量パーセ
ント懸濁した液を、50℃以上からα型結晶融解温度未満の温度でα型結晶が実
質上消失するまでの時間、好ましくは65℃からα型結晶融解温度未満で10分
〜48時間保持する。その後、普通の濾過ができる温度、通常50℃以下、好ま
しくは40℃以下に冷却した後、濾取する。結晶の乾燥は完全にβ型結晶に転移
している場合は、β型結晶の融解温度未満、通常はα型結晶の融解温度未満、好
ましくは65℃以下で行うことができる。
【0014】 発明を実施するための最良の形態 以下、実施例をあげ、本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明はこれ
らの特定の実施例に限定して解釈されるべきではない。なお、α型結晶とβ型結
晶の重量比率は示差走査熱量測定によって得られるそれぞれの吸熱ピークの面積
比と近似するため、それぞれの吸熱ピークの面積比から求めた。
【0015】 〔実施例1〕 20Lの2軸Uトラフ型ジャケット付きニーダにβ型結晶を0.2重量パーセ
ント含有するキザロホップ−P−エチルのα型結晶を20kg仕込み、混合した
。ジャケットに温水を通じ、70℃に加温した。4時間後、キザロホップ−P−
エチルの示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した
【0016】 〔実施例2〕 実施例1に準じて、65℃で16時間加熱した後、キザロホップ−P−エチル
の示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0017】 〔実施例3〕 10Lの攪拌乾燥機にβ型結晶を0.2重量パーセント含有するキザロホップ
−P−エチルのα型結晶を5kg仕込み、混合した。ジャケットに温水を通じ、
72.5℃に加温した。2時間後、キザロホップ−P−エチルの示差走査熱量測
定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0018】 〔実施例4〕 5Lのコニカルドライヤーにβ型結晶を0.2重量パーセント含有するキザロ
ホップ−P−エチルのα型結晶を1kg仕込み、混合した。ジャケットに温水を
通じ、55℃に加温した。2ヶ月後、キザロホップ−P−エチルの示差走査熱量
測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0019】 〔実施例5〕 10Lの円錐型気流乾燥機にβ型結晶を0.2重量パーセント含有するキザロ
ホップ−P−エチルのα型結晶を3kg仕込み、加熱空気を吹き込み、70℃に
加温した。4時間後、キザロホップ−P−エチルの示差走査熱量測定を実施し、
全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0020】 〔実施例6〕 実施例5に準じて、65℃で16時間加熱した後、キザロホップ−P−エチル
の示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0021】 〔実施例7〕 5L流動乾燥機にβ型結晶を0.2重量パーセント含有するキザロホップ−P
−エチルのα型結晶を1kg仕込み、加熱空気を吹き込み、70℃に加温した。
4時間後、キザロホップ−P−エチルの示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型
結晶に変化したことを確認した。
【0022】 〔実施例8〕 2Lのジャケット付き反応フラスコにβ型結晶を0.2重量パーセント含有す
るキザロホップ−P−エチルのα型結晶を60g及び水を240g仕込み、20
重量パーセント懸濁溶液を調製した。ジャケットに温水を通じ、攪拌下、72.
5℃に加温した。2時間後、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルの一部
を濾取、乾燥後、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを
確認した。
【0023】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、室
温下、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、約55℃で乾燥し
た。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていること
を確認した。
【0024】 〔実施例9〕 2Lのジャケット付き反応フラスコにβ型結晶を0.2重量パーセント含有す
るキザロホップ−P−エチルのα型結晶を120g及び水を180g仕込み、4
0重量パーセント懸濁溶液を調製した。ジャケットに温水を通じ、攪拌下、70
℃に加温した。20時間後、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルの一部
を濾取し、約45℃で乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ
型結晶に変化したことを確認した。
【0025】 〔実施例10〕 2Lのジャケット付き反応フラスコにβ型結晶を10重量パーセント含有する
キザロホップ−P−エチルのα型結晶を40g及び水を240g仕込み、約14
重量パーセント懸濁溶液を調製した。ジャケットに温水を通じ、攪拌下、70℃
に加温した。4時間後、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルの一部を濾
取、乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化した
ことを確認した。
【0026】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、溶
液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、約50℃で乾燥した。次い
で、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていることを確認し
た。
【0027】 〔実施例11〕 2Lのジャケット付き反応フラスコにβ型結晶を10重量パーセント含有する
キザロホップ−P−エチルのα型結晶を15g及び水を240g仕込み、約6重
量パーセント懸濁溶液を調製した。ジャケットに温水を通じ、この懸濁溶液を攪
拌下に70℃に加温した。6時間後、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチ
ルの一部を濾取、乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結
晶に変化したことを確認した。
【0028】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、溶
液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、約55℃で乾燥した。次い
で、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていることを確認し
た。
【0029】 〔実施例12〕 実施例11に準じて、65℃で16時間加温した後、溶液中に懸濁するキザロ
ホップ−P−エチルの一部を濾取、乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を実施
し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0030】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、室
温下、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、60℃で乾燥後、
示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていることを確認した。
【0031】 〔実施例13〕 実施例11に準じて、60℃で3日間加温した。次いで、溶液中に懸濁するキ
ザロホップ−P−エチルの一部を濾取、乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を
実施し、全量β型結晶への変化を確認した。
【0032】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、室
温下、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、約45℃で乾燥し
た。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていること
を確認した。
【0033】 〔実施例14〕 実施例11に準じて、67.5℃で10時間加温した。次いで、溶液中に懸濁
するキザロホップ−P−エチルの一部を濾取、乾燥した。次いで、示差走査熱量
測定を実施し、全量がβ型結晶に変化したことを確認した。
【0034】 その後、ジャケットの温水を抜き出し、上記懸濁溶液を冷却した。冷却後、室
温下、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルを濾取し、60℃で乾燥した
。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に維持されていることを
確認した。
【0035】 〔実施例15〕 1000Lのジャケット付き攪拌槽にβ型結晶を0.2重量パーセント含有す
るキザロホップ−P−エチルのα型結晶を25kg及び水を475kg仕込み、
5重量パーセント懸濁溶液を調製した。ジャケットに温水を循環し、攪拌下70
℃に加温した。8時間後、溶液中に懸濁するキザロホップ−P−エチルの一部を
濾取、乾燥した。次いで、示差走査熱量測定を実施し、全量がβ型結晶に変化し
たことを確認した。
【0036】 その後、65Lの遠心分離機にて、上記懸濁溶液を濾過した。真空下、600
Lのコニカルドライヤーにて60℃で乾燥し、キザロホップ−P−エチルのβ型
結晶の乾品を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ,BA ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,G E,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS ,JP,KE,KG,KR,KZ,LC,LK,LR, LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,M W,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD ,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR, TT,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZA,Z W

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 低融点型結晶、又は低融点型結晶及び高融点型結晶からなる
    エチル=(R)−2−[4−(6−クロロ−2−キノキザリルオキシ)フェノキ
    シ]プロピオン酸を50℃から低融点型結晶の融解温度未満の範囲で加熱するこ
    とを特徴とする高融点型結晶の製造方法。
  2. 【請求項2】 加熱が高温不活性気体との接触による加熱、固体混合下での
    加熱又は難溶解性溶媒との懸濁下での加熱である請求項1の製造方法。
  3. 【請求項3】 加熱が難溶解性溶媒との懸濁下での加熱である請求項1の製
    造方法。
  4. 【請求項4】 難溶解性溶媒が水である請求項3の製造方法。
  5. 【請求項5】 水に対して1〜60重量パーセントのエチル=(R)−2−
    [4−(6−クロロ−2−キノキザリルオキシ)フェノキシ]プロピオン酸を懸
    濁する請求項4の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1の製造方法によって製造される高融点型結晶。
JP2000545845A 1999-04-14 1999-04-14 フェノキシプロピオン酸誘導体の高融点型結晶の製造方法 Pending JP2002513011A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1999/001979 WO1999055685A1 (en) 1998-04-28 1999-04-14 Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Publications (1)

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