JP2002324743A - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002324743A JP2002324743A JP2001126777A JP2001126777A JP2002324743A JP 2002324743 A JP2002324743 A JP 2002324743A JP 2001126777 A JP2001126777 A JP 2001126777A JP 2001126777 A JP2001126777 A JP 2001126777A JP 2002324743 A JP2002324743 A JP 2002324743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- illumination
- mask
- light
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅
を持ち、各種パターンや、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び
複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マス
クを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 所望のパターンと、当該パターンに重ね
られた周期性のあるダミーのパターンとを有する位相シ
フトマスクを、前記所望のパターンのうち前記ダミーの
パターンの効果で解像させるべき部分を前記ダミーのパ
ターンの線幅よりも太くすることによって形成し、光軸
近傍に強度分布のピークを有する照明光を利用して前記
位相シフトマスクを照明し、前記位相シフトマスクを経
た光を被露光面に投影光学系を介して投影することによ
って、前記所望のパターンを前記被露光面に転写するこ
とを特徴とする。
を持ち、各種パターンや、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び
複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マス
クを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 所望のパターンと、当該パターンに重ね
られた周期性のあるダミーのパターンとを有する位相シ
フトマスクを、前記所望のパターンのうち前記ダミーの
パターンの効果で解像させるべき部分を前記ダミーのパ
ターンの線幅よりも太くすることによって形成し、光軸
近傍に強度分布のピークを有する照明光を利用して前記
位相シフトマスクを照明し、前記位相シフトマスクを経
た光を被露光面に投影光学系を介して投影することによ
って、前記所望のパターンを前記被露光面に転写するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、露光に
関し、特に、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パ
ネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣ
Ｄなどの撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカ
ニクスで用いる広域なパターンの製造に用いられる露光
装置及び方法、デバイス製造方法、及び、前記被処理体
から製造されるデバイスに関する。ここで、マイクロメ
カニクスは半導体集積回路製造技術を微細構造体の製作
に応用し、ミクロン単位の高度な機能を持った機械シス
テムを作る技術をいう。
関し、特に、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パ
ネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣ
Ｄなどの撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカ
ニクスで用いる広域なパターンの製造に用いられる露光
装置及び方法、デバイス製造方法、及び、前記被処理体
から製造されるデバイスに関する。ここで、マイクロメ
カニクスは半導体集積回路製造技術を微細構造体の製作
に応用し、ミクロン単位の高度な機能を持った機械シス
テムを作る技術をいう。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ工程は、マスクパタ
ーンをシリコンウェハ、ガラスプレート等（以下、単に
「ウェハ」という。）に塗布した感光性物質（レジス
ト）に露光装置を使用して転写する工程であり、レジス
ト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去の工程
を含む。このうち露光では、解像度、重ね合わせ精度、
スループットの３つのパラメータが重要である。解像度
は正確に転写できる最小寸法、重ね合わせ精度はウェハ
にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度、スループッ
トは単位時間当たり処理される枚数である。
ーンをシリコンウェハ、ガラスプレート等（以下、単に
「ウェハ」という。）に塗布した感光性物質（レジス
ト）に露光装置を使用して転写する工程であり、レジス
ト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去の工程
を含む。このうち露光では、解像度、重ね合わせ精度、
スループットの３つのパラメータが重要である。解像度
は正確に転写できる最小寸法、重ね合わせ精度はウェハ
にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度、スループッ
トは単位時間当たり処理される枚数である。
【０００３】フォトリソグラフィ技術を用いてデバイス
を製造する際に、マスク又はレチクル（本出願ではこれ
らの用語を交換可能に使用する）に描画されたパターン
を投影光学系によってウェハに投影してパターンを転写
する投影露光装置が従来から使用されている。投影光学
系はパターンからの回折光をウェハ上に干渉及び結像さ
せ、通常の露光ではパターンからの０次及び±１次の回
折光（即ち、三光束）を干渉させる。
を製造する際に、マスク又はレチクル（本出願ではこれ
らの用語を交換可能に使用する）に描画されたパターン
を投影光学系によってウェハに投影してパターンを転写
する投影露光装置が従来から使用されている。投影光学
系はパターンからの回折光をウェハ上に干渉及び結像さ
せ、通常の露光ではパターンからの０次及び±１次の回
折光（即ち、三光束）を干渉させる。
【０００４】マスクパターンは、近接した周期的なライ
ンアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パターン、近接及び周期的
なコンタクトホールパターン、近接せずに孤立した孤立
パターンを含むが、高解像度でパターンを転写するため
には、パターンの種類に応じて最適な露光条件（照明条
件や露光量など）を選択する必要がある。
ンアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パターン、近接及び周期的
なコンタクトホールパターン、近接せずに孤立した孤立
パターンを含むが、高解像度でパターンを転写するため
には、パターンの種類に応じて最適な露光条件（照明条
件や露光量など）を選択する必要がある。
【０００５】投影露光装置の解像度Ｒは、光源の波長λ
と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて以下のレーリー
の式で与えられる。
と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて以下のレーリー
の式で与えられる。
【０００６】
【数１】
【０００７】ここで、ｋ1は現像プロセスなどによって
定まる定数であり、通常露光の場合にはｋ1は約０．５
〜０．７である。
定まる定数であり、通常露光の場合にはｋ1は約０．５
〜０．７である。
【０００８】近年のデバイスの高集積化に対応して、転
写されるパターンの微細化、即ち、高解像度化が益々要
求されている。高解像力を得るには、上式から開口数Ｎ
Ａを大きくすること、及び、波長λを小さくすることが
有効であるが、これらの改善は現段階では限界に達して
おり、通常露光の場合にウェハに０．１５μｍ以下のパ
ターンを形成することは困難である。そこで、パターン
を経た回折光の中で二光束を干渉及び結像させる位相シ
フトマスク技術が従来から提案されている。位相シフト
マスクは、マスクの隣接する光透過部分の位相を１８０
°反転することによって０次回折光を相殺し、２つの±
１次回折光を干渉させて結像するものである。かかる技
術によれば、上式のｋ1を実質的に０．２５にするでき
るので、解像度Ｒを改善してウェハに０．１５μｍ以下
のパターンを形成することができる。
写されるパターンの微細化、即ち、高解像度化が益々要
求されている。高解像力を得るには、上式から開口数Ｎ
Ａを大きくすること、及び、波長λを小さくすることが
有効であるが、これらの改善は現段階では限界に達して
おり、通常露光の場合にウェハに０．１５μｍ以下のパ
ターンを形成することは困難である。そこで、パターン
を経た回折光の中で二光束を干渉及び結像させる位相シ
フトマスク技術が従来から提案されている。位相シフト
マスクは、マスクの隣接する光透過部分の位相を１８０
°反転することによって０次回折光を相殺し、２つの±
１次回折光を干渉させて結像するものである。かかる技
術によれば、上式のｋ1を実質的に０．２５にするでき
るので、解像度Ｒを改善してウェハに０．１５μｍ以下
のパターンを形成することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の位相シ
フトマスク技術は、周期的なＬ＆Ｓパターンのような単
純なパターンには効果的であるが、孤立パターンや任意
の複雑なパターンを露光性能（即ち、解像度、重ね合わ
せ精度及びスループット）良く露光することは困難であ
った。特に、近年の半導体産業は、より高付加価値な、
多種多様なパターンが混在するシステムチップに生産が
移行しつつあり、マスクにも複数種類のパターンを混在
させる必要が生じてきている。
フトマスク技術は、周期的なＬ＆Ｓパターンのような単
純なパターンには効果的であるが、孤立パターンや任意
の複雑なパターンを露光性能（即ち、解像度、重ね合わ
せ精度及びスループット）良く露光することは困難であ
った。特に、近年の半導体産業は、より高付加価値な、
多種多様なパターンが混在するシステムチップに生産が
移行しつつあり、マスクにも複数種類のパターンを混在
させる必要が生じてきている。
【００１０】これに対して、公開特許平成１１年第１４
３０８５号公報にあるように、２枚のマスクを用いて異
なる種類のパターンを別々に露光する二重露光（又は多
重露光）を使用することが考えられるが、従来の二重露
光は、２枚のマスクを必要とするのでコストアップを招
き、２回の露光のためにスループットが低下し、２回の
露光の高い重ね合わせ精度を必要とするため実用上解決
すべき問題が多い。
３０８５号公報にあるように、２枚のマスクを用いて異
なる種類のパターンを別々に露光する二重露光（又は多
重露光）を使用することが考えられるが、従来の二重露
光は、２枚のマスクを必要とするのでコストアップを招
き、２回の露光のためにスループットが低下し、２回の
露光の高い重ね合わせ精度を必要とするため実用上解決
すべき問題が多い。
【００１１】そこで、微細な（例えば、０．１５μｍ以
下の）線幅を持ち、各種パターンやＬ＆Ｓパターンから
孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターン
を、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方
法及び装置を提供することを本発明の例示的目的とす
る。
下の）線幅を持ち、各種パターンやＬ＆Ｓパターンから
孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターン
を、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方
法及び装置を提供することを本発明の例示的目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としての露光方法は、所望のパター
ンと、当該パターンに重ねられた周期性のあるダミーの
パターンとを有する位相シフトマスクを、前記所望のパ
ターンのうち前記ダミーパターンの効果で解像させるべ
き部分を前記ダミーパターンの線幅より太くすることに
よって形成し、光軸近傍に強度分布のピークを有する照
明光により前記位相シフトマスクを照明し、前記位相シ
フトマスクを経た光を被露光面に投影光学系を介して投
影することによって、前記所望のパターンを前記被露光
面に転写することを特徴とする。
に、本発明の一側面としての露光方法は、所望のパター
ンと、当該パターンに重ねられた周期性のあるダミーの
パターンとを有する位相シフトマスクを、前記所望のパ
ターンのうち前記ダミーパターンの効果で解像させるべ
き部分を前記ダミーパターンの線幅より太くすることに
よって形成し、光軸近傍に強度分布のピークを有する照
明光により前記位相シフトマスクを照明し、前記位相シ
フトマスクを経た光を被露光面に投影光学系を介して投
影することによって、前記所望のパターンを前記被露光
面に転写することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の別の側面としての露光方法
は、マスク上のパターンを投影レンズにより被露光面上
に露光する露光方法において、所望のパターン領域及び
近傍に微細周期パターンを重ねた位相シフトマスクを用
い、照明光として、小σ照明と大σ照明に相当する有効
光源により多重照明を行うことを特徴とする。
は、マスク上のパターンを投影レンズにより被露光面上
に露光する露光方法において、所望のパターン領域及び
近傍に微細周期パターンを重ねた位相シフトマスクを用
い、照明光として、小σ照明と大σ照明に相当する有効
光源により多重照明を行うことを特徴とする。
【００１４】光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光（又は小σ照明）は、例えば、有効光源形状が円形で
σが０．３以下であり、０次回折光と±１次回折光の干
渉をもたらす。前者の露光方法は、このように、光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光のみでその効果を
発揮する。
光（又は小σ照明）は、例えば、有効光源形状が円形で
σが０．３以下であり、０次回折光と±１次回折光の干
渉をもたらす。前者の露光方法は、このように、光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光のみでその効果を
発揮する。
【００１５】大σ照明は、例えば、有効光源形状が輪帯
又は四重極でσが０．６以上であり、０次回折光と＋１
次又は−１次回折光からなる二光束の干渉をもたらす。
これらの照明は、（投影光学系の瞳面と共役な位置に配
置されて）前記有効光源形状を開口として有する絞りに
より達成することができる。
又は四重極でσが０．６以上であり、０次回折光と＋１
次又は−１次回折光からなる二光束の干渉をもたらす。
これらの照明は、（投影光学系の瞳面と共役な位置に配
置されて）前記有効光源形状を開口として有する絞りに
より達成することができる。
【００１６】上述の露光方法は、（１）所望のパターン
の一部を太らせることによってダミーのパターンと露光
量との差を設け、（２）光軸近傍のピークの部分の照明
光により前記周期性のあるパターンを露光し、（３）前
記ピークの部分の外側の部分の照明光により前記所望の
パターンを露光し、（４）被露光面の（レジストの）閾
値を適当に選択することによって所望のパターンを被露
光面に形成する。
の一部を太らせることによってダミーのパターンと露光
量との差を設け、（２）光軸近傍のピークの部分の照明
光により前記周期性のあるパターンを露光し、（３）前
記ピークの部分の外側の部分の照明光により前記所望の
パターンを露光し、（４）被露光面の（レジストの）閾
値を適当に選択することによって所望のパターンを被露
光面に形成する。
【００１７】前記所望のパターンは、少なくとも２つの
第１の線が所定の間隔で整列する第１のパターン部と、
第１の線よりも線幅が大きな第２の線を有する第２のパ
ターン部とを有し、前記第１のパターン部の前記第１の
線を前記ダミーのパターンの暗線部と重ね、前記第２の
パターン部の前記第２の線を前記ダミーのパターンに重
ねてもよい。微細な第１の線及びその近傍を周期構造に
することによって解像性能を向上させることができる。
前記所望のパターンの前記一部は前記第１のパターン部
の前記第１の線であり、当該第１の線の線幅を前記ダミ
ーのパターンの暗線部の線幅よりも大きくしてもよい。
所望のパターンの微細部分を少し太らせることによりダ
ミーのパターンとの露光量に差をつけて強調することが
できる。
第１の線が所定の間隔で整列する第１のパターン部と、
第１の線よりも線幅が大きな第２の線を有する第２のパ
ターン部とを有し、前記第１のパターン部の前記第１の
線を前記ダミーのパターンの暗線部と重ね、前記第２の
パターン部の前記第２の線を前記ダミーのパターンに重
ねてもよい。微細な第１の線及びその近傍を周期構造に
することによって解像性能を向上させることができる。
前記所望のパターンの前記一部は前記第１のパターン部
の前記第１の線であり、当該第１の線の線幅を前記ダミ
ーのパターンの暗線部の線幅よりも大きくしてもよい。
所望のパターンの微細部分を少し太らせることによりダ
ミーのパターンとの露光量に差をつけて強調することが
できる。
【００１８】前記所望のパターンには遮光部を設け、前
記ダミーのパターンには遮光部を設けなくてもよい。所
望のパターンとダミーにパターンの露光量に差をつける
ことができるのでコントラストの高いパターンを形成す
ることができる。前記所望のパターンを遮光部とハーフ
トーン位相シフト形の光透過部として構成してもよい。
かかる構成によっても所望のパターンをダミーのパター
ンとの露光量に差をつけて強調することができる。
記ダミーのパターンには遮光部を設けなくてもよい。所
望のパターンとダミーにパターンの露光量に差をつける
ことができるのでコントラストの高いパターンを形成す
ることができる。前記所望のパターンを遮光部とハーフ
トーン位相シフト形の光透過部として構成してもよい。
かかる構成によっても所望のパターンをダミーのパター
ンとの露光量に差をつけて強調することができる。
【００１９】本発明の一側面としての露光装置は、上述
の露光方法を行う露光モードを有することを特徴とす
る。また、本発明の別の側面としての露光装置は、マス
ク、該マスク上のパターンを照明する照明系、及び被露
光面上に投影する投影光学系からなる露光装置におい
て、該マスクは所望のパターン領域及び近傍に微細周期
パターンを重ねた位相シフトマスクからなり、照明系は
小σ照明と大σ照明に相当する多重有効光源を有し、こ
れら小σ照明と大σ照明の組み合わされた多重照明系を
有することを特徴とする。これらの露光装置も上述の露
光方法の作用を奏することができる。
の露光方法を行う露光モードを有することを特徴とす
る。また、本発明の別の側面としての露光装置は、マス
ク、該マスク上のパターンを照明する照明系、及び被露
光面上に投影する投影光学系からなる露光装置におい
て、該マスクは所望のパターン領域及び近傍に微細周期
パターンを重ねた位相シフトマスクからなり、照明系は
小σ照明と大σ照明に相当する多重有効光源を有し、こ
れら小σ照明と大σ照明の組み合わされた多重照明系を
有することを特徴とする。これらの露光装置も上述の露
光方法の作用を奏することができる。
【００２０】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、例えば、Ｌ
ＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、
磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
造方法は、上述の露光装置を用いて前記被処理体を投影
露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体
に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露
光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の
請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にも
その効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、例えば、Ｌ
ＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、
磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００２１】本発明の別の側面としてのマスク製造方法
は、マスクに所望のパターンを形成し、当該パターンに
周期性のあるダミーのパターンを重ね合わせ、前記所望
のパターンの一部を前記ダミーのパターンよりも太くす
ることによって前記マスクを位相シフトマスクとして製
造することを特徴とする。本方法によって製造されたマ
スクは上述の作用を奏する。
は、マスクに所望のパターンを形成し、当該パターンに
周期性のあるダミーのパターンを重ね合わせ、前記所望
のパターンの一部を前記ダミーのパターンよりも太くす
ることによって前記マスクを位相シフトマスクとして製
造することを特徴とする。本方法によって製造されたマ
スクは上述の作用を奏する。
【００２２】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の例示的な露光装置について説明する。ここで、図１
は、本発明の露光装置１の概略ブロック図である。図１
に示すように、露光装置１は、照明装置１００と、マス
ク２００と、投影光学系３００と、プレート４００と、
ステージ４５０と、結像位置調節装置５００とを有す
る。
の例示的な露光装置について説明する。ここで、図１
は、本発明の露光装置１の概略ブロック図である。図１
に示すように、露光装置１は、照明装置１００と、マス
ク２００と、投影光学系３００と、プレート４００と、
ステージ４５０と、結像位置調節装置５００とを有す
る。
【００２４】本実施形態の露光装置１は、ステップアン
ドスキャン方式でマスク２００に形成された回路パター
ンをプレート４００に露光する投影露光装置であるが、
本発明はステップアンドリピート方式その他の露光方式
を適用することができる。ここで、ステップアンドスキ
ャン方式は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン
してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショ
ットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショ
ットの露光領域に移動する露光法である。また、ステッ
プアンドリピート方式は、ウェハのショットの一括露光
ごとにウェハをステップ移動して次のショットを露光領
域に移動する露光法である。
ドスキャン方式でマスク２００に形成された回路パター
ンをプレート４００に露光する投影露光装置であるが、
本発明はステップアンドリピート方式その他の露光方式
を適用することができる。ここで、ステップアンドスキ
ャン方式は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン
してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショ
ットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショ
ットの露光領域に移動する露光法である。また、ステッ
プアンドリピート方式は、ウェハのショットの一括露光
ごとにウェハをステップ移動して次のショットを露光領
域に移動する露光法である。
【００２５】照明装置１００は転写用の回路パターンが
形成されたマスク２００を照明し、光源部１１０と照明
光学系１２０とを有する。
形成されたマスク２００を照明し、光源部１１０と照明
光学系１２０とを有する。
【００２６】光源部１１０は、光源としてのレーザー１
１２と、ビーム整形系１１４とを含む。
１２と、ビーム整形系１１４とを含む。
【００２７】レーザー１１２は、波長約１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ2エキシマレーザ
ーなどのパルスレーザーからの光を使用することができ
る。レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、
例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、そのレー
ザーの個数も限定されない。例えば、独立に動作する２
個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー相互間のコ
ヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックル
はかなり低減する。さらにスペックルを低減するために
光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、
光源部１１０に使用可能な光源はレーザー１１２に限定
されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノ
ンランプなどのランプも使用可能である。
ｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ2エキシマレーザ
ーなどのパルスレーザーからの光を使用することができ
る。レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、
例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、そのレー
ザーの個数も限定されない。例えば、独立に動作する２
個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー相互間のコ
ヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックル
はかなり低減する。さらにスペックルを低減するために
光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、
光源部１１０に使用可能な光源はレーザー１１２に限定
されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノ
ンランプなどのランプも使用可能である。
【００２８】ビーム整形系１１４は、例えば、複数のシ
リンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダ等を使
用することができ、レーザー１１２からの平行光の断面
形状の寸法の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、
断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビ
ーム形状を所望のものに成形する。ビーム成形系１１４
は、後述するオプティカルインテグレータ１４０を照明
するのに必要な大きさと発散角を持つ光束を形成する。
リンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダ等を使
用することができ、レーザー１１２からの平行光の断面
形状の寸法の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、
断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビ
ーム形状を所望のものに成形する。ビーム成形系１１４
は、後述するオプティカルインテグレータ１４０を照明
するのに必要な大きさと発散角を持つ光束を形成する。
【００２９】また、図１には示されていないが、光源部
１１０は、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレ
ント化するインコヒーレント化光学系を使用することが
好ましい。インコヒーレント化光学系は、例えば、公開
特許平成３年第２１５９３０号公報の図１に開示されて
いるような、入射光束を光分割面で少なくとも２つの光
束（例えば、ｐ偏光とｓ偏光）に分岐した後で一方の光
束を光学部材を介して他方の光束に対してレーザー光の
コヒーレンス長以上の光路長差を与えてから分割面に再
誘導して他方の光束と重ね合わせて射出されるようにし
た折り返し系を少なくとも一つ備える光学系を用いるこ
とができる。
１１０は、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレ
ント化するインコヒーレント化光学系を使用することが
好ましい。インコヒーレント化光学系は、例えば、公開
特許平成３年第２１５９３０号公報の図１に開示されて
いるような、入射光束を光分割面で少なくとも２つの光
束（例えば、ｐ偏光とｓ偏光）に分岐した後で一方の光
束を光学部材を介して他方の光束に対してレーザー光の
コヒーレンス長以上の光路長差を与えてから分割面に再
誘導して他方の光束と重ね合わせて射出されるようにし
た折り返し系を少なくとも一つ備える光学系を用いるこ
とができる。
【００３０】照明光学系１２０は、マスク２００を照明
する光学系であり、本実施形態では、集光光学系１３０
と、オプティカルインテグレータ１４０と、開口絞り１
５０と、コンデンサーレンズ１６０とを含む。照明光学
系１２０は、軸上光、軸外光を問わず使用することがで
きる。なお、本実施形態の照明光学系１２０は、プレー
ト４００上の転写領域の寸法を変更するためのマスキン
グブレードやスキャンブレードを有してもよい。本実施
形態の照明光学系１２０は、複数のレンズ及び必要なミ
ラーを有し、射出側でテレセントリックとなるアフォー
カル系を構成している。
する光学系であり、本実施形態では、集光光学系１３０
と、オプティカルインテグレータ１４０と、開口絞り１
５０と、コンデンサーレンズ１６０とを含む。照明光学
系１２０は、軸上光、軸外光を問わず使用することがで
きる。なお、本実施形態の照明光学系１２０は、プレー
ト４００上の転写領域の寸法を変更するためのマスキン
グブレードやスキャンブレードを有してもよい。本実施
形態の照明光学系１２０は、複数のレンズ及び必要なミ
ラーを有し、射出側でテレセントリックとなるアフォー
カル系を構成している。
【００３１】集光光学系１３０は、まず、必要な折り曲
げミラーやレンズ等を含み、それを通過した光束をオプ
ティカルインテグレータ１４０に効率よく導入する。例
えば、集光光学系１３０は、ビーム成形系１１４の出射
面と後述するハエの目レンズとして構成されたオプティ
カルインテグレータ１４０の入射面とが光学的に物体面
と瞳面（又は瞳面と像面）の関係（かかる関係を本出願
ではフーリエ変換の関係と呼ぶ場合がある）になるよう
に配置されたコンデンサーレンズを含み、それを通過し
た光束の主光線をオプティカルインテグレータ１４０の
中心及び周辺のどのレンズ素子１４２に対しても平行に
維持する。
げミラーやレンズ等を含み、それを通過した光束をオプ
ティカルインテグレータ１４０に効率よく導入する。例
えば、集光光学系１３０は、ビーム成形系１１４の出射
面と後述するハエの目レンズとして構成されたオプティ
カルインテグレータ１４０の入射面とが光学的に物体面
と瞳面（又は瞳面と像面）の関係（かかる関係を本出願
ではフーリエ変換の関係と呼ぶ場合がある）になるよう
に配置されたコンデンサーレンズを含み、それを通過し
た光束の主光線をオプティカルインテグレータ１４０の
中心及び周辺のどのレンズ素子１４２に対しても平行に
維持する。
【００３２】集光光学系１３０は、マスク２００への照
明光の露光量を照明毎に変更可能な露光量調整部１３２
を更に含む。露光量調整部１３２は、アフォーカル系の
各倍率を変えることにより入射光束のビーム断面形状を
変化させることができる。代替的に、露光量調整部１３
２はズームレンズ等からなり、レンズを光軸方向に移動
させ角倍率を変えられるようにしてもよい。必要があれ
ば、露光量調整部１３２は、入射光束をハーフミラーに
より分割してセンサにより光量を検出してかかる検出結
果に基づいてレーザー１１２の出力及び／又は光学系の
一部を調整することができる。露光量調整部１３２は、
光学素子（例えば、光量調整（ＮＤ）フィルター）を入
れ替えたり、及び／又は、ズームレンズにより結像倍率
を変えたりすることにより、後述する開口絞り１５０の
中央部と周辺部との光量比を調整することもできる。後
述するように、露光量調節部１３２は、前記所望のパタ
ーン及び／又は前記プレート４００において求められる
コントラストに基づいて、露光量を調節することができ
る。例えば、パターン形状を重視するものであれば光軸
にピークを有する照明光の露光量の比を相対的に大きく
すればよいし、コントラストを重視するものであれば軸
外に強度分布のピークを有する照明光の露光量の比を相
対的に大きくすればよい。本実施形態の露光量調整部１
３２は、軸外に強度分布を有する照明光（大σ照明）の
前記ピーク位置を調節する機能も有する。
明光の露光量を照明毎に変更可能な露光量調整部１３２
を更に含む。露光量調整部１３２は、アフォーカル系の
各倍率を変えることにより入射光束のビーム断面形状を
変化させることができる。代替的に、露光量調整部１３
２はズームレンズ等からなり、レンズを光軸方向に移動
させ角倍率を変えられるようにしてもよい。必要があれ
ば、露光量調整部１３２は、入射光束をハーフミラーに
より分割してセンサにより光量を検出してかかる検出結
果に基づいてレーザー１１２の出力及び／又は光学系の
一部を調整することができる。露光量調整部１３２は、
光学素子（例えば、光量調整（ＮＤ）フィルター）を入
れ替えたり、及び／又は、ズームレンズにより結像倍率
を変えたりすることにより、後述する開口絞り１５０の
中央部と周辺部との光量比を調整することもできる。後
述するように、露光量調節部１３２は、前記所望のパタ
ーン及び／又は前記プレート４００において求められる
コントラストに基づいて、露光量を調節することができ
る。例えば、パターン形状を重視するものであれば光軸
にピークを有する照明光の露光量の比を相対的に大きく
すればよいし、コントラストを重視するものであれば軸
外に強度分布のピークを有する照明光の露光量の比を相
対的に大きくすればよい。本実施形態の露光量調整部１
３２は、軸外に強度分布を有する照明光（大σ照明）の
前記ピーク位置を調節する機能も有する。
【００３３】例えば、露光調整部１３２は、図２に示す
ような中央部が周辺部よりも光強度の高い照明光を作成
することによって、後述する開口絞り１５０が図３
（Ｆ）に示すような円形開口絞り１５０Ｆを使用するこ
とを可能にする。ここで、図２は中央部が周辺部よりも
光強度の高い照明光の光強度分布である。図３（Ｆ）は
円形開口絞り１５０Ｆの概略平面図である。なお、本出
願では、「光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光
を利用した照明光」は図２に示すような照明光を含むも
のとする。開口絞り１５０Ｆは、透過率１の円形光透過
部１５５と透過率０の輪帯状の遮光部１５２Ｆから構成
される。
ような中央部が周辺部よりも光強度の高い照明光を作成
することによって、後述する開口絞り１５０が図３
（Ｆ）に示すような円形開口絞り１５０Ｆを使用するこ
とを可能にする。ここで、図２は中央部が周辺部よりも
光強度の高い照明光の光強度分布である。図３（Ｆ）は
円形開口絞り１５０Ｆの概略平面図である。なお、本出
願では、「光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光
を利用した照明光」は図２に示すような照明光を含むも
のとする。開口絞り１５０Ｆは、透過率１の円形光透過
部１５５と透過率０の輪帯状の遮光部１５２Ｆから構成
される。
【００３４】オプティカルインテグレータ１４０はマス
ク２００に照明される照明光を均一化し、本実施形態で
は、入射光の角度分布を位置分布に変換して出射するハ
エの目レンズとして構成される。ハエの目レンズは、そ
の入射面１４０ａと出射面１４０ｂとがフーリエ変換の
関係に維持されている。但し、後述するように、本発明
が使用可能なオプティカルインテグレータ１４０はハエ
の目レンズに限定されるものではない。
ク２００に照明される照明光を均一化し、本実施形態で
は、入射光の角度分布を位置分布に変換して出射するハ
エの目レンズとして構成される。ハエの目レンズは、そ
の入射面１４０ａと出射面１４０ｂとがフーリエ変換の
関係に維持されている。但し、後述するように、本発明
が使用可能なオプティカルインテグレータ１４０はハエ
の目レンズに限定されるものではない。
【００３５】ハエの目レンズ１４０は互いの焦点位置が
それと異なるもう一方の面にあるレンズ（レンズ素子）
１４２を複数個並べたものである。また、ハエの目レン
ズを構成する各レンズ素子の断面形状は、各レンズ素子
のレンズ面が球面である場合、照明装置の照明領域と略
相似である方が照明光の利用効率が高い。これは、ハエ
の目レンズの光入射面と照明領域が物体と像との関係
（共役関係）であるからである。
それと異なるもう一方の面にあるレンズ（レンズ素子）
１４２を複数個並べたものである。また、ハエの目レン
ズを構成する各レンズ素子の断面形状は、各レンズ素子
のレンズ面が球面である場合、照明装置の照明領域と略
相似である方が照明光の利用効率が高い。これは、ハエ
の目レンズの光入射面と照明領域が物体と像との関係
（共役関係）であるからである。
【００３６】ハエの目レンズは、本実施形態ではマスク
２００の形状に合わせて正方形断面のレンズ素子を多数
組み合わせて構成されているが、本発明は、断面円形、
長方形、六角形その他の断面形状を有するレンズ素子を
排除するものではない。ハエの目レンズの出射面１４０
ｂ又はその近傍に形成された複数の点光源（有効光源）
からの各光束をコンデンサーレンズ１６０によりマスク
２００に重畳している。これにより、多数の点光源（有
効光源）によりマスク２００全体が均一に照明される。
２００の形状に合わせて正方形断面のレンズ素子を多数
組み合わせて構成されているが、本発明は、断面円形、
長方形、六角形その他の断面形状を有するレンズ素子を
排除するものではない。ハエの目レンズの出射面１４０
ｂ又はその近傍に形成された複数の点光源（有効光源）
からの各光束をコンデンサーレンズ１６０によりマスク
２００に重畳している。これにより、多数の点光源（有
効光源）によりマスク２００全体が均一に照明される。
【００３７】本発明で適用可能なオプティカルインテグ
レータ１４０はハエの目レンズに限定されず、例えば、
図１６に示すオプティカルインテグレータ１４０Ａに置
換されてもよい。ここで、図１６は、オプティカルイン
テグレータ１４０Ａの拡大斜視図である。オプティカル
インテグレータ１４０Ａは２組のシリンドリカルレンズ
アレイ（又はレンチキュラーレンズ）板１４４及び１４
６を重ねることによって構成される。１枚目と４枚目の
組のシリンドリカルレンズアレイ板１４４ａ及び１４４
ｂはそれぞれ焦点距離ｆ１を有し、２枚目と３枚目の組
のシリンドリカルレンズアレイ板１４６ａ及び１４６ｂ
はｆ１とは異なる焦点距離ｆ２を有する。同一組のシリ
ンドリカルレンズアレイ板は相手の焦点位置に配置され
る。２組のシリンドリカルレンズアレイ板１４４及び１
４６は直角に配置され、直交方向でＦナンバー（即ち、
レンズの焦点距離／有効口径）の異なる光束を作る。な
お、オプティカルインテグレータ１４０Ａの組数が２に
限定されないことはいうまでもない。
レータ１４０はハエの目レンズに限定されず、例えば、
図１６に示すオプティカルインテグレータ１４０Ａに置
換されてもよい。ここで、図１６は、オプティカルイン
テグレータ１４０Ａの拡大斜視図である。オプティカル
インテグレータ１４０Ａは２組のシリンドリカルレンズ
アレイ（又はレンチキュラーレンズ）板１４４及び１４
６を重ねることによって構成される。１枚目と４枚目の
組のシリンドリカルレンズアレイ板１４４ａ及び１４４
ｂはそれぞれ焦点距離ｆ１を有し、２枚目と３枚目の組
のシリンドリカルレンズアレイ板１４６ａ及び１４６ｂ
はｆ１とは異なる焦点距離ｆ２を有する。同一組のシリ
ンドリカルレンズアレイ板は相手の焦点位置に配置され
る。２組のシリンドリカルレンズアレイ板１４４及び１
４６は直角に配置され、直交方向でＦナンバー（即ち、
レンズの焦点距離／有効口径）の異なる光束を作る。な
お、オプティカルインテグレータ１４０Ａの組数が２に
限定されないことはいうまでもない。
【００３８】ハエの目レンズ１４０は光学ロッドに置換
される場合もある。光学ロッドは、入射面で不均一であ
った照度分布を出射面で均一にし、ロッド軸と垂直な断
面形状が照明領域とほぼ同一な縦横比を有する矩形断面
を有する。なお、光学ロッドはロッド軸と垂直な断面形
状にパワーがあると出射面での照度が均一にならないの
で、そのロッド軸に垂直な断面形状は直線のみで形成さ
れる多角形である。その他、ハエの目レンズ１３０は、
拡散作用をもった回折素子に置換されてもよい。
される場合もある。光学ロッドは、入射面で不均一であ
った照度分布を出射面で均一にし、ロッド軸と垂直な断
面形状が照明領域とほぼ同一な縦横比を有する矩形断面
を有する。なお、光学ロッドはロッド軸と垂直な断面形
状にパワーがあると出射面での照度が均一にならないの
で、そのロッド軸に垂直な断面形状は直線のみで形成さ
れる多角形である。その他、ハエの目レンズ１３０は、
拡散作用をもった回折素子に置換されてもよい。
【００３９】オプティカルインテグレータ１４０の出射
面１４０ｂの直後には、形状及び径が固定された開口絞
り１５０が設けられている。本実施形態の開口絞り１５
０は、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光と軸
外に強度分布のピークを有する照明光を利用して（即
ち、これらを順次投射するか合成した状態で投射するこ
とによって）マスク２００を照明するための開口形状を
有する。このように、本発明は、光軸近傍に強度分布の
ピークを有する照明光をもたらす開口絞りと、軸外に強
度分布のピークを有する照明光をもたらす開口絞りを用
意して、そのうちの一方を先にマスク２００に投射し
て、その後、他方をマスク２００に投射する場合も含
む。本発明の特徴の一つはマスク２００の交換に伴う諸
問題を解決することであり、マスク２００が交換されな
い限り、開口絞り１５０の交換は問題ではないからであ
る。開口絞り１５０は投影光学系３００の瞳面３２０と
共役な位置に設けられており、開口絞りの１５０の開口
形状は投影光学系３００の瞳面３２０の有効光源形状に
相当する。
面１４０ｂの直後には、形状及び径が固定された開口絞
り１５０が設けられている。本実施形態の開口絞り１５
０は、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光と軸
外に強度分布のピークを有する照明光を利用して（即
ち、これらを順次投射するか合成した状態で投射するこ
とによって）マスク２００を照明するための開口形状を
有する。このように、本発明は、光軸近傍に強度分布の
ピークを有する照明光をもたらす開口絞りと、軸外に強
度分布のピークを有する照明光をもたらす開口絞りを用
意して、そのうちの一方を先にマスク２００に投射し
て、その後、他方をマスク２００に投射する場合も含
む。本発明の特徴の一つはマスク２００の交換に伴う諸
問題を解決することであり、マスク２００が交換されな
い限り、開口絞り１５０の交換は問題ではないからであ
る。開口絞り１５０は投影光学系３００の瞳面３２０と
共役な位置に設けられており、開口絞りの１５０の開口
形状は投影光学系３００の瞳面３２０の有効光源形状に
相当する。
【００４０】光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光はσが０．３以下であり、０次回折光と±１次回折光
の干渉をもたらす。また、軸外に強度分布のピークを有
する照明光はσが０．６以上であり、０次回折光と＋１
次又は−１次回折光からなる二光束の干渉をもたらす。
ここで、σは投影光学系３００のマスク２００側の開口
数（ＮＡ）に対する照明光学系１２０のマスク２００側
のＮＡである。光軸近傍に強度分布のピークを有する照
明は、小σ照明、通常の照明などと呼ばれる場合もあ
る。軸外に強度分布のピークを有する照明は、大σ照
明、斜入射照明、変形照明などと呼ばれる場合もある。
光はσが０．３以下であり、０次回折光と±１次回折光
の干渉をもたらす。また、軸外に強度分布のピークを有
する照明光はσが０．６以上であり、０次回折光と＋１
次又は−１次回折光からなる二光束の干渉をもたらす。
ここで、σは投影光学系３００のマスク２００側の開口
数（ＮＡ）に対する照明光学系１２０のマスク２００側
のＮＡである。光軸近傍に強度分布のピークを有する照
明は、小σ照明、通常の照明などと呼ばれる場合もあ
る。軸外に強度分布のピークを有する照明は、大σ照
明、斜入射照明、変形照明などと呼ばれる場合もある。
【００４１】図３乃至図６を参照して、開口絞り１５０
に適用可能な例示的な形状を説明する。ここで、図３乃
至図６は、開口絞り１５０の例示的形状の概略平面図で
ある。図３（Ａ）は、光軸近傍に強度分布のピークを有
する照明光をもたらすための、比較的半径の小さな円形
開口１５１を有する開口絞り１５０Ａの概略平面図であ
る。開口絞り１５０Ａは、円１５１から構成される透過
率１の光透過部と遮光部１５２Ａとを有する。
に適用可能な例示的な形状を説明する。ここで、図３乃
至図６は、開口絞り１５０の例示的形状の概略平面図で
ある。図３（Ａ）は、光軸近傍に強度分布のピークを有
する照明光をもたらすための、比較的半径の小さな円形
開口１５１を有する開口絞り１５０Ａの概略平面図であ
る。開口絞り１５０Ａは、円１５１から構成される透過
率１の光透過部と遮光部１５２Ａとを有する。
【００４２】図３（Ｂ）は、軸外に強度分布のピークを
有する照明光をもたらすための、四重極の円１５３から
なる透過率１の光透過部と遮光部１５２Ｂとを有する開
口絞り１５０Ｂの概略平面図である。円形開口１５３
は、中心位置がσ＝１以下の照明光をもたらし、それぞ
れ、±４５度と±１３５度に配置されている。好ましく
は、各円１５３がもたらす照明光のσは等しい。
有する照明光をもたらすための、四重極の円１５３から
なる透過率１の光透過部と遮光部１５２Ｂとを有する開
口絞り１５０Ｂの概略平面図である。円形開口１５３
は、中心位置がσ＝１以下の照明光をもたらし、それぞ
れ、±４５度と±１３５度に配置されている。好ましく
は、各円１５３がもたらす照明光のσは等しい。
【００４３】図３（Ｃ）は、軸外に強度分布のピークを
有する照明光をもたらすための、輪帯開口１５４からな
る透過率１の光透過部と遮光部１５２Ｃとを有する開口
絞り１５０Ｃの概略平面図である。
有する照明光をもたらすための、輪帯開口１５４からな
る透過率１の光透過部と遮光部１５２Ｃとを有する開口
絞り１５０Ｃの概略平面図である。
【００４４】図３（Ｄ）は、図３（Ａ）に示す円形開口
１５１と図３（Ｂ）に示す円形開口１５３とを有する５
重極照明用絞りとして構成された開口絞り１５０Ｄの概
略平面図である。開口絞り１５０Ｄは、従って、光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光と軸外に強度分布
のピークを有する照明光とが合成された照明光をもたら
す。開口絞り１５０Ｄの円１５１及び１５３は同一の大
きさを有する。開口絞り１５０Ｄは、円１５１及び１５
３からなる透過率１の光透過部と、透過率０の遮光部１
５２Ｄとを有する。
１５１と図３（Ｂ）に示す円形開口１５３とを有する５
重極照明用絞りとして構成された開口絞り１５０Ｄの概
略平面図である。開口絞り１５０Ｄは、従って、光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光と軸外に強度分布
のピークを有する照明光とが合成された照明光をもたら
す。開口絞り１５０Ｄの円１５１及び１５３は同一の大
きさを有する。開口絞り１５０Ｄは、円１５１及び１５
３からなる透過率１の光透過部と、透過率０の遮光部１
５２Ｄとを有する。
【００４５】図３（Ｅ）は、図３（Ａ）に示す円形開口
１５１と図３（Ｃ）に示す輪帯開口１５３とを有する開
口絞り１５０Ｅの概略平面図である。従って、開口絞り
１５０Ｅも、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光と軸外に強度分布のピークを有する照明光とが合成さ
れた照明光をもたらす。開口絞り１５０Ｅは、円１５１
及び１５４からなる透過率１の光透過部と、透過率０の
遮光部１５２Ｄとを有する。
１５１と図３（Ｃ）に示す輪帯開口１５３とを有する開
口絞り１５０Ｅの概略平面図である。従って、開口絞り
１５０Ｅも、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光と軸外に強度分布のピークを有する照明光とが合成さ
れた照明光をもたらす。開口絞り１５０Ｅは、円１５１
及び１５４からなる透過率１の光透過部と、透過率０の
遮光部１５２Ｄとを有する。
【００４６】また、開口１５１及び１５３の形状は、四
角形その他の多角形、扇形の一部など種々の変更が可能
である。また、σが１を超えてもよい。かかる変形例を
図４及び図５を参照して説明する。ここで、図４（Ａ）
及び（Ｂ）は図３（Ｄ）に示す開口絞り１５０Ｄの変形
例である開口絞り１５０Ｇ及び１５０Ｈの概略平面図で
ある。図４（Ｃ）は図３（Ｅ）に示す開口絞り１５０Ｅ
の変形例である開口絞り１５０Ｉの概略平面図である。
角形その他の多角形、扇形の一部など種々の変更が可能
である。また、σが１を超えてもよい。かかる変形例を
図４及び図５を参照して説明する。ここで、図４（Ａ）
及び（Ｂ）は図３（Ｄ）に示す開口絞り１５０Ｄの変形
例である開口絞り１５０Ｇ及び１５０Ｈの概略平面図で
ある。図４（Ｃ）は図３（Ｅ）に示す開口絞り１５０Ｅ
の変形例である開口絞り１５０Ｉの概略平面図である。
【００４７】開口絞り１５０Ｇは、円形開口１５１より
も幾分大きな円形開口１５１Ａとσσが１を部分的に超
えた矩形開口１５３Ａからなる透過率１の光透過部と、
透過率０の遮光部１５２Ｇとを有する。本発明者はσが
１を部分的に超えた照明光を利用するとプレート４００
に形成されるパターン像が明確になることを発見した。
開口絞り１５０Ｈは、開口絞り１５０Ｃは、σが１以下
の円形開口１５１と扇形開口１５３Ｂからなる透過率１
の光透過部と、透過率０の遮光部１５２Ｈとを有する。
扇形開口１５３Ｂの寸法は任意に調節することができ
る。開口絞り１５０Ｉは、円形開口１５１とσ＝１を部
分的に超えた輪帯（又は矩形帯）１５４Ａからなる透過
率１の光透過部と、透過率０の遮光部１５２Ｉとを有す
る。開口絞り１５０Ｇ乃至Ｉの機能は上述の開口絞り１
５０Ｄ等と同一であるので、ここでは詳しい説明は省略
する。
も幾分大きな円形開口１５１Ａとσσが１を部分的に超
えた矩形開口１５３Ａからなる透過率１の光透過部と、
透過率０の遮光部１５２Ｇとを有する。本発明者はσが
１を部分的に超えた照明光を利用するとプレート４００
に形成されるパターン像が明確になることを発見した。
開口絞り１５０Ｈは、開口絞り１５０Ｃは、σが１以下
の円形開口１５１と扇形開口１５３Ｂからなる透過率１
の光透過部と、透過率０の遮光部１５２Ｈとを有する。
扇形開口１５３Ｂの寸法は任意に調節することができ
る。開口絞り１５０Ｉは、円形開口１５１とσ＝１を部
分的に超えた輪帯（又は矩形帯）１５４Ａからなる透過
率１の光透過部と、透過率０の遮光部１５２Ｉとを有す
る。開口絞り１５０Ｇ乃至Ｉの機能は上述の開口絞り１
５０Ｄ等と同一であるので、ここでは詳しい説明は省略
する。
【００４８】図５に、開口絞り１５０に適用可能な別の
変形例としての九重極照明用絞りとして構成された開口
絞り１５０Ｊの概略平面図を示す。開口絞り１５０Ｊ
は、円形開口１５１よりも幾分大きな円形開口１５１Ｂ
と、開口位置のσが１以下の円形開口１５３Ｃと、σが
１を部分的に超えて円形開口１５１Ｂと同一の大きさを
有する円形開口１５３Ｄからなる透過率１の光透過部
と、透過率０の遮光部１５２Ｊとを有する。円形開口１
５３Ｃは、０度、９０度、１８０度及び２７０度の位置
に、円形開口１５３Ｄは、±４５度及び±１３５度の位
置に設けられている。開口絞り１５０Ｊの機能も上述の
開口絞り１５０Ｄ等と同一であるので、ここでは詳しい
説明は省略する。
変形例としての九重極照明用絞りとして構成された開口
絞り１５０Ｊの概略平面図を示す。開口絞り１５０Ｊ
は、円形開口１５１よりも幾分大きな円形開口１５１Ｂ
と、開口位置のσが１以下の円形開口１５３Ｃと、σが
１を部分的に超えて円形開口１５１Ｂと同一の大きさを
有する円形開口１５３Ｄからなる透過率１の光透過部
と、透過率０の遮光部１５２Ｊとを有する。円形開口１
５３Ｃは、０度、９０度、１８０度及び２７０度の位置
に、円形開口１５３Ｄは、±４５度及び±１３５度の位
置に設けられている。開口絞り１５０Ｊの機能も上述の
開口絞り１５０Ｄ等と同一であるので、ここでは詳しい
説明は省略する。
【００４９】複数種類の開口絞り１５０の中から所望の
開口絞り１５０を選択するためには、開口絞り１５０Ａ
乃至１５０Ｊを、例えば、図示しない円盤状ターレット
に配置して切り替えの際にターレットを回転させればよ
い。これにより、照明装置１２０は、まず、光軸にピー
クを有する照明光及び軸外に強度分布のピークを有する
照明光のうちの一方によりマスク２００を照明し、その
後、他方によりマスク２００を照明することができる。
また、光軸にピークを有する照明光と軸外に強度分布の
ピークを有する照明光とが合成された照明光において、
上述の露光量調整部１３２は、それぞれの露光量比を変
化させることができる。
開口絞り１５０を選択するためには、開口絞り１５０Ａ
乃至１５０Ｊを、例えば、図示しない円盤状ターレット
に配置して切り替えの際にターレットを回転させればよ
い。これにより、照明装置１２０は、まず、光軸にピー
クを有する照明光及び軸外に強度分布のピークを有する
照明光のうちの一方によりマスク２００を照明し、その
後、他方によりマスク２００を照明することができる。
また、光軸にピークを有する照明光と軸外に強度分布の
ピークを有する照明光とが合成された照明光において、
上述の露光量調整部１３２は、それぞれの露光量比を変
化させることができる。
【００５０】コンデンサーレンズ１６０はハエの目レン
ズ１４０から出た光をできるだけ多く集めて主光線が平
行、すなわちテレセントリックになるようにマスク２０
０をケーラー照明する。マスク２００とハエの目レンズ
１４０の出射面１４０ｂとはフーリエ変換の関係に配置
されている。
ズ１４０から出た光をできるだけ多く集めて主光線が平
行、すなわちテレセントリックになるようにマスク２０
０をケーラー照明する。マスク２００とハエの目レンズ
１４０の出射面１４０ｂとはフーリエ変換の関係に配置
されている。
【００５１】露光装置１は、必要があれば、照度ムラ制
御用の幅可変スリットや走査中の露光領域制限用のマス
キングブレード（絞り又はスリット）等を有する。マス
キングブレードが設けられる場合には マスキングブレ
ードとハエの目レンズ１４０の出射面１４０ｂとはフー
リエ変換の関係に配置され、マスク２００面と工学的に
略共役な位置に設けられる。マスキングブレードの開口
部を透過した光束をマスク２００の照明光として使用す
る。マスキングブレードは開口幅を自動可変できる絞り
であり、後述するプレート４００の（開口スリットの）
転写領域を縦方向で変更可能にする。また、露光装置
は、プレート４００の（１ショットのスキャン露光領域
としての）転写領域の横方向を変更可能にする、上述の
マスキングブレードと類似した構造のスキャンブレード
を更に有してもよい。スキャンブレードも開口幅が自動
可変できる絞りであり、マスク２００面と光学的にほぼ
共役な位置に設けられる。これにより露光装置１は、こ
れら二つの可変ブレードを用いることによって露光を行
うショットの寸法に合わせて転写領域の寸法を設定する
ことができる。
御用の幅可変スリットや走査中の露光領域制限用のマス
キングブレード（絞り又はスリット）等を有する。マス
キングブレードが設けられる場合には マスキングブレ
ードとハエの目レンズ１４０の出射面１４０ｂとはフー
リエ変換の関係に配置され、マスク２００面と工学的に
略共役な位置に設けられる。マスキングブレードの開口
部を透過した光束をマスク２００の照明光として使用す
る。マスキングブレードは開口幅を自動可変できる絞り
であり、後述するプレート４００の（開口スリットの）
転写領域を縦方向で変更可能にする。また、露光装置
は、プレート４００の（１ショットのスキャン露光領域
としての）転写領域の横方向を変更可能にする、上述の
マスキングブレードと類似した構造のスキャンブレード
を更に有してもよい。スキャンブレードも開口幅が自動
可変できる絞りであり、マスク２００面と光学的にほぼ
共役な位置に設けられる。これにより露光装置１は、こ
れら二つの可変ブレードを用いることによって露光を行
うショットの寸法に合わせて転写領域の寸法を設定する
ことができる。
【００５２】マスク２００は、例えば、石英製で、その
上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成さ
れ、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。
マスク２００から発せられた回折光は投影光学系３００
を通りプレート４００上に投影される。プレート４００
は、被処理体でありレジストが塗布されている。マスク
２００とプレート４００とは光学的に共役の関係に配置
される。本実施形態の露光装置１はステップアンドスキ
ャン方式の露光装置（即ち、スキャナー）であるため、
マスク２００とプレート４００を走査することによりマ
スク２００のパターンをプレート４００上に転写する。
なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（即ち、
「ステッパー」）であれば、マスク２００とプレート４
００とを静止させた状態で露光を行う。
上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成さ
れ、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。
マスク２００から発せられた回折光は投影光学系３００
を通りプレート４００上に投影される。プレート４００
は、被処理体でありレジストが塗布されている。マスク
２００とプレート４００とは光学的に共役の関係に配置
される。本実施形態の露光装置１はステップアンドスキ
ャン方式の露光装置（即ち、スキャナー）であるため、
マスク２００とプレート４００を走査することによりマ
スク２００のパターンをプレート４００上に転写する。
なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（即ち、
「ステッパー」）であれば、マスク２００とプレート４
００とを静止させた状態で露光を行う。
【００５３】マスクステージは、マスク２００を支持し
て図示しない移動機構に接続されている。マスクステー
ジ及び投影光学系３００は、例えば、床等に載置された
ベースフレームにダンパ等を介して支持されるステージ
鏡筒定盤上に設けられる。マスクステージは、当業界周
知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構
はリニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にマスクステ
ージを駆動することでマスク２００を移動することがで
きる。露光装置１は、マスク２００とプレート４００を
図示しない制御機構によって同期した状態で走査する。
て図示しない移動機構に接続されている。マスクステー
ジ及び投影光学系３００は、例えば、床等に載置された
ベースフレームにダンパ等を介して支持されるステージ
鏡筒定盤上に設けられる。マスクステージは、当業界周
知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構
はリニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にマスクステ
ージを駆動することでマスク２００を移動することがで
きる。露光装置１は、マスク２００とプレート４００を
図示しない制御機構によって同期した状態で走査する。
【００５４】本発明の一側面としてのマスク２００は、
所望のパターンと、当該パターンに重ねられた周期性の
あるダミーのパターンとを有し、所望のパターンのうち
ダミーのパターンの効果で解像させるべき部分は前記ダ
ミーのパターンの線幅よりも太くされた位相シフトマス
クとして形成されている。当該マスクは、例えば、所望
のパターンを形成し、当該パターンに周期性のあるダミ
ーのパターンを重ね合わせ、前記所望のパターンの一部
を前記ダミーのパターンよりも太くすることによって位
相シフトマスクとして製造される。後述するように、所
望のパターンの一部が太くされるのはダミーのパターン
との露光量に差を設けるためである。
所望のパターンと、当該パターンに重ねられた周期性の
あるダミーのパターンとを有し、所望のパターンのうち
ダミーのパターンの効果で解像させるべき部分は前記ダ
ミーのパターンの線幅よりも太くされた位相シフトマス
クとして形成されている。当該マスクは、例えば、所望
のパターンを形成し、当該パターンに周期性のあるダミ
ーのパターンを重ね合わせ、前記所望のパターンの一部
を前記ダミーのパターンよりも太くすることによって位
相シフトマスクとして製造される。後述するように、所
望のパターンの一部が太くされるのはダミーのパターン
との露光量に差を設けるためである。
【００５５】本発明のマスク２００のパターン構成を説
明するために、まず、所望のパターンを説明する。ここ
で、所望のパターンを、例えば、図６に示すようなゲー
トパターン２０とする。ここで、図６は、所望のパター
ン２０の概略平面図である。
明するために、まず、所望のパターンを説明する。ここ
で、所望のパターンを、例えば、図６に示すようなゲー
トパターン２０とする。ここで、図６は、所望のパター
ン２０の概略平面図である。
【００５６】ゲートパターン２０は、一対のパターン部
２１ａ及び２１ｂ（特に断らない限り、参照番号２１は
両者を総括する。）から構成され、各パターン部２１
は、Ｂ断面を通る微細なゲート部２２と、Ａ断面を通る
２つのコンタクト部２４とから構成される。ゲートパタ
ーン２０は、例えば、クロムなどによって構成される。
２１ａ及び２１ｂ（特に断らない限り、参照番号２１は
両者を総括する。）から構成され、各パターン部２１
は、Ｂ断面を通る微細なゲート部２２と、Ａ断面を通る
２つのコンタクト部２４とから構成される。ゲートパタ
ーン２０は、例えば、クロムなどによって構成される。
【００５７】図６に示すように、両ゲート部２２は、そ
れぞれ微細な線幅Ｌを有する長方形であり、微細な間隔
Ｌで平行に整列している。換言すれば、ゲート部２２は
Ｌ＆Ｓパターンを部分的に構成している。本実施形態で
はＬは０．１２μｍである。
れぞれ微細な線幅Ｌを有する長方形であり、微細な間隔
Ｌで平行に整列している。換言すれば、ゲート部２２は
Ｌ＆Ｓパターンを部分的に構成している。本実施形態で
はＬは０．１２μｍである。
【００５８】コンタクト部２４は、それぞれ例示的に線
幅３Ｌを有する長方形であり、二対のコンタクト部２４
は微細な間隔Ｌを介して平行に整列している。また、各
パターン部２１には２つのコンタクト部２４がゲート部
２２の両端に設けられている。本発明は、このように微
細な線幅と間隔が（Ｌに）等しいゲート部２２と微細な
間隔Ｌを隔てて（ゲート部２２の）最小線幅Ｌに比べて
大きい線幅（即ち、３Ｌ）が並んだコンタクト部２４を
同時に解像することを目的としている。本発明に好適な
線幅Ｌは、数式１に示すｋ1と光源の波長λと投影光学
系のＮＡに依存する。例えば、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザーとＮＡ＝０．６の投影光学系を使用し
た場合、数式１から理論解像Ｒはｋ1＝０．２５として
１０３ｎｍとなり、ＮＡ＝０．８５であればＲ＝７３ｎ
ｍとなり、これがＬとなる。付近までまた、波長１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用してＮＡ＝０．８
５であれば、Ｒ＝５７ｎｍとなり、これがＬとなる。な
お、ｋ1は０．２５から約０．５（あるいはそれ以上）
まで変化することができる。
幅３Ｌを有する長方形であり、二対のコンタクト部２４
は微細な間隔Ｌを介して平行に整列している。また、各
パターン部２１には２つのコンタクト部２４がゲート部
２２の両端に設けられている。本発明は、このように微
細な線幅と間隔が（Ｌに）等しいゲート部２２と微細な
間隔Ｌを隔てて（ゲート部２２の）最小線幅Ｌに比べて
大きい線幅（即ち、３Ｌ）が並んだコンタクト部２４を
同時に解像することを目的としている。本発明に好適な
線幅Ｌは、数式１に示すｋ1と光源の波長λと投影光学
系のＮＡに依存する。例えば、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザーとＮＡ＝０．６の投影光学系を使用し
た場合、数式１から理論解像Ｒはｋ1＝０．２５として
１０３ｎｍとなり、ＮＡ＝０．８５であればＲ＝７３ｎ
ｍとなり、これがＬとなる。付近までまた、波長１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用してＮＡ＝０．８
５であれば、Ｒ＝５７ｎｍとなり、これがＬとなる。な
お、ｋ1は０．２５から約０．５（あるいはそれ以上）
まで変化することができる。
【００５９】まず２つのゲート部２２を解像するため
に、同一ピッチを持つ微細線と微細間隔の周期的なダミ
ーのパターンを２つのゲート部２２の両側に複数形成し
て周期的な構造を有するパターンを形成する。ダミーの
パターンを付加して周期的な構造を形成することによっ
て、解像性能の向上と線幅の精度良い制御が可能にな
る。この周期的なパターンは位相シフトマスクによって
極限の解像力を得る。
に、同一ピッチを持つ微細線と微細間隔の周期的なダミ
ーのパターンを２つのゲート部２２の両側に複数形成し
て周期的な構造を有するパターンを形成する。ダミーの
パターンを付加して周期的な構造を形成することによっ
て、解像性能の向上と線幅の精度良い制御が可能にな
る。この周期的なパターンは位相シフトマスクによって
極限の解像力を得る。
【００６０】所望のパターン２０にダミーパターン３０
を重ねることによって形成されたマスクパターン４０を
有する位相シフトマスク５０の一例を図７に示す。同図
に示すように、所望のパターン２０は、上述したよう
に、一対のパターン部２１から構成される。ダミーパタ
ーン３０は、互いに平行な光透過部３２及び３４と遮光
部３６とを有し、光透過部と遮光部３６とは交互に整列
する。光透過部３２及び３４と遮光部３６のそれぞれの
Ｙ方向の幅は図６に示すＬ（本実施形態では０．１２μ
ｍ）に等しい。光透過部３２と３４とは位相が０度及び
１８０度に設定されて互いに１８０度反転しており、光
透過部３２及び３４はＹ方向に交互に整列している。光
透過部３２及び３４は透過率１（又は１００％）を有
し、遮光部３６は透過率０を有する。遮光部３６は、例
えば、クロム等により構成される。
を重ねることによって形成されたマスクパターン４０を
有する位相シフトマスク５０の一例を図７に示す。同図
に示すように、所望のパターン２０は、上述したよう
に、一対のパターン部２１から構成される。ダミーパタ
ーン３０は、互いに平行な光透過部３２及び３４と遮光
部３６とを有し、光透過部と遮光部３６とは交互に整列
する。光透過部３２及び３４と遮光部３６のそれぞれの
Ｙ方向の幅は図６に示すＬ（本実施形態では０．１２μ
ｍ）に等しい。光透過部３２と３４とは位相が０度及び
１８０度に設定されて互いに１８０度反転しており、光
透過部３２及び３４はＹ方向に交互に整列している。光
透過部３２及び３４は透過率１（又は１００％）を有
し、遮光部３６は透過率０を有する。遮光部３６は、例
えば、クロム等により構成される。
【００６１】各パターン部２１のゲート部２２はダミー
パターン３０の遮光部３６に重ね合わされている。２つ
のゲート部２２の間は所望のパターン２０の一部として
把握されてもよいが、ここでは位相が１８０度に設定さ
れた光透過部３４として把握されている。また、各コン
タクト部２４は、遮光部２４ａ及び２４ｃと、光透過部
３２が重ねられた光透過部２４ｂとを有する。即ち、領
域２４ｂは、図６と図７を参照すると、ダミーパターン
３０を重ねられたことによって遮光部から光透過部に変
化されていることが理解される。光透過部２４ｂの透過
率は１（１００％）であり、遮光部２２、２４ａ及び２
４ｃの透過率は０である。
パターン３０の遮光部３６に重ね合わされている。２つ
のゲート部２２の間は所望のパターン２０の一部として
把握されてもよいが、ここでは位相が１８０度に設定さ
れた光透過部３４として把握されている。また、各コン
タクト部２４は、遮光部２４ａ及び２４ｃと、光透過部
３２が重ねられた光透過部２４ｂとを有する。即ち、領
域２４ｂは、図６と図７を参照すると、ダミーパターン
３０を重ねられたことによって遮光部から光透過部に変
化されていることが理解される。光透過部２４ｂの透過
率は１（１００％）であり、遮光部２２、２４ａ及び２
４ｃの透過率は０である。
【００６２】次に、（例えば、図３（Ａ）に示す開口絞
り１５０Ａがもたらす照明光のような）光軸近傍に強度
分布のピークを有する照明光を使用する照明と、（例え
ば、図３（Ｂ）に示す開口絞り１５０Ｂがもたらす照明
光のような）軸外に強度分布のピークを有する照明光と
の和として生じる多重照明光（例えば、図３（Ｄ）に示
す開口絞り１５０Ｄがもたらす照明光）利用して位相シ
フトマスク５０を露光した。このとき、後述するプレー
ト４００上に生じる光強度分布の結果を図８に示す。
り１５０Ａがもたらす照明光のような）光軸近傍に強度
分布のピークを有する照明光を使用する照明と、（例え
ば、図３（Ｂ）に示す開口絞り１５０Ｂがもたらす照明
光のような）軸外に強度分布のピークを有する照明光と
の和として生じる多重照明光（例えば、図３（Ｄ）に示
す開口絞り１５０Ｄがもたらす照明光）利用して位相シ
フトマスク５０を露光した。このとき、後述するプレー
ト４００上に生じる光強度分布の結果を図８に示す。
【００６３】図８（Ａ）は、図６に示すＡ断面を含む断
面に関するプレート４００上の光強度分布である。図８
（Ｂ）は、図６に示すＡ断面を含む断面に関するプレー
ト４００上の光強度分布である。プレート４００上の強
度分布はプレート４００のレジストの露光量分布と解釈
できる。図８（Ａ）を参照するに、Ａ断面に関して、光
透過部２４ｂの光強度が高すぎてコンタクト部２４が正
しくプレート４００に転写されないことが理解される。
図８（Ｂ）を参照するに、Ｂ断面に関して、後述するプ
レート４００のレジストの閾値を色々振っても、ダミー
パターン３０が残ってしまってゲート部２２が正しくプ
レート４００に転写されないことが理解される。
面に関するプレート４００上の光強度分布である。図８
（Ｂ）は、図６に示すＡ断面を含む断面に関するプレー
ト４００上の光強度分布である。プレート４００上の強
度分布はプレート４００のレジストの露光量分布と解釈
できる。図８（Ａ）を参照するに、Ａ断面に関して、光
透過部２４ｂの光強度が高すぎてコンタクト部２４が正
しくプレート４００に転写されないことが理解される。
図８（Ｂ）を参照するに、Ｂ断面に関して、後述するプ
レート４００のレジストの閾値を色々振っても、ダミー
パターン３０が残ってしまってゲート部２２が正しくプ
レート４００に転写されないことが理解される。
【００６４】そこで、所望のパターン２０のゲート部２
２（即ち、微細部分）を少し太らせることにより、ダミ
ーパターン３０との露光量に差をつけて所望のパターン
２０を強調し、所望のパターン２０がプレート４００に
解像されるようにした。このときの位相シフトマスクが
本発明の一側面としてのマスク２００である。以下、図
９を参照して、位相シフトマスク２００を説明する。こ
こで、図９（Ａ）は、位相シフトマスク２００の概略平
面図である。図９（Ｂ）は位相シフトマスク２００の部
分拡大図である。図９（Ｃ）は図９（Ｂ）に示す位相シ
フトマスク２００の変形例である。同図に示すように、
位相シフトマスク２００は、一部が太くされた所望のパ
ターン２１０と、ダミーパターン２４０とから構成され
るマスクパターン２６０を有する。
２（即ち、微細部分）を少し太らせることにより、ダミ
ーパターン３０との露光量に差をつけて所望のパターン
２０を強調し、所望のパターン２０がプレート４００に
解像されるようにした。このときの位相シフトマスクが
本発明の一側面としてのマスク２００である。以下、図
９を参照して、位相シフトマスク２００を説明する。こ
こで、図９（Ａ）は、位相シフトマスク２００の概略平
面図である。図９（Ｂ）は位相シフトマスク２００の部
分拡大図である。図９（Ｃ）は図９（Ｂ）に示す位相シ
フトマスク２００の変形例である。同図に示すように、
位相シフトマスク２００は、一部が太くされた所望のパ
ターン２１０と、ダミーパターン２４０とから構成され
るマスクパターン２６０を有する。
【００６５】所望のパターン２１０はゲートパターン２
０に類似するが一部が太くされている点で相違する。所
望のパターン２１０は、一対のパターン部２１２ａ及び
２１２ｂ（特に断らない限り、参照番号２１２は両者を
総括する。）から構成され、各パターン部２１２は、Ｄ
断面を通る微細なゲート部２２０と、Ｃ断面を通る２つ
のコンタクト部２３０とから構成される。
０に類似するが一部が太くされている点で相違する。所
望のパターン２１０は、一対のパターン部２１２ａ及び
２１２ｂ（特に断らない限り、参照番号２１２は両者を
総括する。）から構成され、各パターン部２１２は、Ｄ
断面を通る微細なゲート部２２０と、Ｃ断面を通る２つ
のコンタクト部２３０とから構成される。
【００６６】両ゲート部２２０は、それぞれ微細な線幅
（Ｌよりも多少大きい線幅Ｌ１）を有する長方形であ
り、微細な間隔（Ｌよりも多少小さい間隔）で平行に整
列している。本実施形態ではＬは０．１２μｍである。
（Ｌよりも多少大きい線幅Ｌ１）を有する長方形であ
り、微細な間隔（Ｌよりも多少小さい間隔）で平行に整
列している。本実施形態ではＬは０．１２μｍである。
【００６７】一方、コンタクト部２３０は、それぞれ例
示的に線幅３Ｌよりも多少大きな線幅を有する長方形で
あり、二対のコンタクト部が微細な間隔（Ｌよりも多少
小さい間隔）を介して平行に整列している。各パターン
部２１２には２つのコンタクト部２３０がゲート部２２
０の両端に設けられている。本発明は、このように微細
な線幅と間隔がほぼ等しいゲート部２２０と微細な間隔
（Ｌよりも多少小さい間隔）を隔てて（ゲート部２２０
の）最小線幅Ｌに比べて大きい線幅（即ち、３Ｌよりも
多少大きな線幅）が並んだコンタクト部２３０を同時に
解像することを目的としている。
示的に線幅３Ｌよりも多少大きな線幅を有する長方形で
あり、二対のコンタクト部が微細な間隔（Ｌよりも多少
小さい間隔）を介して平行に整列している。各パターン
部２１２には２つのコンタクト部２３０がゲート部２２
０の両端に設けられている。本発明は、このように微細
な線幅と間隔がほぼ等しいゲート部２２０と微細な間隔
（Ｌよりも多少小さい間隔）を隔てて（ゲート部２２０
の）最小線幅Ｌに比べて大きい線幅（即ち、３Ｌよりも
多少大きな線幅）が並んだコンタクト部２３０を同時に
解像することを目的としている。
【００６８】ダミーパターン２４０は、２つのゲート部
２２０を解像するために、２つのゲート部２２０の両側
に複数形成され、同一ピッチＬを有する微細線と微細間
隔の周期的な構造を有する。ダミーパターン２４０を付
加して周期的な構造を形成することによって、解像性能
の向上と線幅の精度良い制御が可能になる。この周期的
なパターンは位相シフトマスクによって極限の解像力を
得る。
２２０を解像するために、２つのゲート部２２０の両側
に複数形成され、同一ピッチＬを有する微細線と微細間
隔の周期的な構造を有する。ダミーパターン２４０を付
加して周期的な構造を形成することによって、解像性能
の向上と線幅の精度良い制御が可能になる。この周期的
なパターンは位相シフトマスクによって極限の解像力を
得る。
【００６９】ダミーパターン２４０は、互いに平行な光
透過部２４２及び２４４と遮光部２４６とを有し、光透
過部と遮光部２４６とは交互に整列する。光透過部２４
２及び２４４と遮光部２４６のそれぞれのＹ方向の幅は
Ｌ（本実施形態では０．１２μｍ）に等しい。光透過部
２４２と２４４とは位相が０度及び１８０度に設定され
て互いに１８０度反転しており、光透過部２４２及び２
４４はＹ方向に交互に整列している。遮光部２４６は、
例えば、クロム等により構成される。光透過部２４２及
び２４４の透過率は１（１００％）であり、遮光部２４
６の透過率は０である。
透過部２４２及び２４４と遮光部２４６とを有し、光透
過部と遮光部２４６とは交互に整列する。光透過部２４
２及び２４４と遮光部２４６のそれぞれのＹ方向の幅は
Ｌ（本実施形態では０．１２μｍ）に等しい。光透過部
２４２と２４４とは位相が０度及び１８０度に設定され
て互いに１８０度反転しており、光透過部２４２及び２
４４はＹ方向に交互に整列している。遮光部２４６は、
例えば、クロム等により構成される。光透過部２４２及
び２４４の透過率は１（１００％）であり、遮光部２４
６の透過率は０である。
【００７０】各パターン部２１２のゲート部２２０はダ
ミーパターン２４０の遮光部２４６に重ね合わされてい
る。２つのゲート部２２０の間は所望のパターン２１０
の一部として把握されてもよいが、ここでは位相が１８
０度に設定された光透過部２４４として把握されてい
る。また、各コンタクト部２３０は、遮光部２３２及び
２３６と、光透過部２４２が重ねられた光透過部２３４
とを有する。即ち、領域２３４はダミーパターン２４０
が重ねられたことによって遮光部から光透過部に変化さ
れている。光透過部２３４の透過率は１（１００％）で
あり、遮光部２２０、２３２及び２３６の透過率は０で
ある。
ミーパターン２４０の遮光部２４６に重ね合わされてい
る。２つのゲート部２２０の間は所望のパターン２１０
の一部として把握されてもよいが、ここでは位相が１８
０度に設定された光透過部２４４として把握されてい
る。また、各コンタクト部２３０は、遮光部２３２及び
２３６と、光透過部２４２が重ねられた光透過部２３４
とを有する。即ち、領域２３４はダミーパターン２４０
が重ねられたことによって遮光部から光透過部に変化さ
れている。光透過部２３４の透過率は１（１００％）で
あり、遮光部２２０、２３２及び２３６の透過率は０で
ある。
【００７１】図９（Ａ）に示すように、ゲート部２２０
と、コンタクト部２３０の遮光部２３２及び２３６の線
幅は、本来、それぞれＬであったものがＬ１（＞Ｌ）に
大きくされている。また、図９（Ｂ）を参照するに、遮
光部２３２及び２３６のそれぞれが、遮光部２４６の中
心線Ｕ１及びＵ２に関して、等しくＬ２だけ外側に太く
されている。この結果、Ｌ１はＬ＋２×Ｌ２であること
が理解される。また、領域２３４の線幅はＬ−２×Ｌ２
であることが理解される。本実施形態と異なり、遮光部
２３２及び２３６は、それぞれ中心線Ｕ１及びＵ２に関
して左右異なる幅で太くされてもよいし、例えば、図９
（Ｃ）に示すように左右の一方で太くされてもよい。ま
た、遮光部２３２が太くされる線幅と遮光部２３６が太
くされる線幅は異なってもよい。遮光部２３２及び２３
６をこのように太くする理由は所望のパターン２１０を
ダミーパターン２４０から露光量に関して差を設けるた
めである。線幅Ｌに対して太くされるべき線幅Ｌ１の比
は、例えば、数十％程度（例えば、約１７％）である。
と、コンタクト部２３０の遮光部２３２及び２３６の線
幅は、本来、それぞれＬであったものがＬ１（＞Ｌ）に
大きくされている。また、図９（Ｂ）を参照するに、遮
光部２３２及び２３６のそれぞれが、遮光部２４６の中
心線Ｕ１及びＵ２に関して、等しくＬ２だけ外側に太く
されている。この結果、Ｌ１はＬ＋２×Ｌ２であること
が理解される。また、領域２３４の線幅はＬ−２×Ｌ２
であることが理解される。本実施形態と異なり、遮光部
２３２及び２３６は、それぞれ中心線Ｕ１及びＵ２に関
して左右異なる幅で太くされてもよいし、例えば、図９
（Ｃ）に示すように左右の一方で太くされてもよい。ま
た、遮光部２３２が太くされる線幅と遮光部２３６が太
くされる線幅は異なってもよい。遮光部２３２及び２３
６をこのように太くする理由は所望のパターン２１０を
ダミーパターン２４０から露光量に関して差を設けるた
めである。線幅Ｌに対して太くされるべき線幅Ｌ１の比
は、例えば、数十％程度（例えば、約１７％）である。
【００７２】本実施形態では、ゲート部２２０の線幅は
遮光部２３２と同様であるので（即ち、本実施例ではＬ
＋２×Ｌ２）、ここでは説明は省略する。選択的に、ゲ
ート部２２０の線幅を遮光部２３２と異なるものにして
もよいし、中央線Ｕ１に関してゲート部２２０は左右非
対称に太くされてもよい。
遮光部２３２と同様であるので（即ち、本実施例ではＬ
＋２×Ｌ２）、ここでは説明は省略する。選択的に、ゲ
ート部２２０の線幅を遮光部２３２と異なるものにして
もよいし、中央線Ｕ１に関してゲート部２２０は左右非
対称に太くされてもよい。
【００７３】次に、（例えば、図３（Ａ）に示す照明光
の開口絞り１５０Ａがもたらす照明光のような）光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光を使用する照明
と、（例えば、図３（Ｂ）に示す開口絞り１５０Ｂがも
たらす照明光のような）軸外に強度分布のピークを有す
る照明光との和として生じる多重照明光（例えば、図３
（Ｄ）に示す開口絞り１５０Ｄがもたらす照明光）利用
して位相シフトマスク２００を露光した。このとき、後
述するプレート４００上に生じる光強度分布の結果を図
１０に示す。
の開口絞り１５０Ａがもたらす照明光のような）光軸近
傍に強度分布のピークを有する照明光を使用する照明
と、（例えば、図３（Ｂ）に示す開口絞り１５０Ｂがも
たらす照明光のような）軸外に強度分布のピークを有す
る照明光との和として生じる多重照明光（例えば、図３
（Ｄ）に示す開口絞り１５０Ｄがもたらす照明光）利用
して位相シフトマスク２００を露光した。このとき、後
述するプレート４００上に生じる光強度分布の結果を図
１０に示す。
【００７４】図１０（Ａ）は、図９（Ａ）に示すＣ断面
を含む断面に関するプレート４００上の光強度分布であ
る。図１０（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すＤ断面を含む断
面に関するプレート４００上の光強度分布である。プレ
ート４００上の強度分布はプレート４００のレジストの
露光量分布と解釈できる。図１０（Ａ）を図８（Ａ）と
比較すると、Ｃ断面に関して、光透過部２３４の光強度
が光透過部２４ｂよりも減少していることが理解され
る。これは光透過部２３４の線幅がＬよりも小さくなっ
た（Ｌ−２×Ｌ２）ためである。このため、レジストの
閾値を適当に振ると、コンタクト部２３０がプレート４
００に転写できることが理解される。図１０（Ｂ）を図
８（Ｂ）と比較すると、Ｄ断面に関して、ゲート部２２
０の間の光透過部２４４の光強度がゲート部２２の間の
光透過部３４よりも減少していることが理解される。こ
れはゲート部２２０の間の光透過部２４４の線幅がＬよ
りも小さくなった（Ｌ−２×Ｌ２）ためである。このた
め、レジストの閾値を適当に振ると、ゲート部２２０が
プレート４００に転写できることが理解される。以上か
ら、レジストの閾値を適当に振ると所望のパターン２１
０が正しくプレート４００に転写できることが理解され
る。
を含む断面に関するプレート４００上の光強度分布であ
る。図１０（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すＤ断面を含む断
面に関するプレート４００上の光強度分布である。プレ
ート４００上の強度分布はプレート４００のレジストの
露光量分布と解釈できる。図１０（Ａ）を図８（Ａ）と
比較すると、Ｃ断面に関して、光透過部２３４の光強度
が光透過部２４ｂよりも減少していることが理解され
る。これは光透過部２３４の線幅がＬよりも小さくなっ
た（Ｌ−２×Ｌ２）ためである。このため、レジストの
閾値を適当に振ると、コンタクト部２３０がプレート４
００に転写できることが理解される。図１０（Ｂ）を図
８（Ｂ）と比較すると、Ｄ断面に関して、ゲート部２２
０の間の光透過部２４４の光強度がゲート部２２の間の
光透過部３４よりも減少していることが理解される。こ
れはゲート部２２０の間の光透過部２４４の線幅がＬよ
りも小さくなった（Ｌ−２×Ｌ２）ためである。このた
め、レジストの閾値を適当に振ると、ゲート部２２０が
プレート４００に転写できることが理解される。以上か
ら、レジストの閾値を適当に振ると所望のパターン２１
０が正しくプレート４００に転写できることが理解され
る。
【００７５】次に、図１２を参照して、マスク２００の
変形例としてのマスク２００Ａを説明する。ここで、図
１２は、マスク２００Ａの概略平面図である。マスク２
００Ａは、同図に示すように、所望のパターン２１０
と、ダミーパターン２４０Ａとから構成されるマスクパ
ターン２６０Ａを有する。所望のパターン２１０は、図
９と同様であるため、説明は省略する。
変形例としてのマスク２００Ａを説明する。ここで、図
１２は、マスク２００Ａの概略平面図である。マスク２
００Ａは、同図に示すように、所望のパターン２１０
と、ダミーパターン２４０Ａとから構成されるマスクパ
ターン２６０Ａを有する。所望のパターン２１０は、図
９と同様であるため、説明は省略する。
【００７６】ダミーパターン２４０Ａは光透過部２４２
Ａ及び２４４Ａから構成され、両者は位相が０度と１８
０度に設定されて１８０度反転している。光透過部２４
２Ａ及び２４４Ａは、Ｙ方向にそれぞれ幅２Ｌを有し、
Ｙ方向に交互に平行に整列している。このように、本実
施形態のダミーパターン２４０Ａは、図９に示すダミー
パターン２４０とは異なり、遮光部を有しない。従っ
て、クロムなどから構成される遮光部を有するのは所望
のパターン２１０のみとなる。このようなクロムレス構
成により、所望のパターン２１０とダミーパターン２４
０Ａとの露光量に差をつけることが可能である。
Ａ及び２４４Ａから構成され、両者は位相が０度と１８
０度に設定されて１８０度反転している。光透過部２４
２Ａ及び２４４Ａは、Ｙ方向にそれぞれ幅２Ｌを有し、
Ｙ方向に交互に平行に整列している。このように、本実
施形態のダミーパターン２４０Ａは、図９に示すダミー
パターン２４０とは異なり、遮光部を有しない。従っ
て、クロムなどから構成される遮光部を有するのは所望
のパターン２１０のみとなる。このようなクロムレス構
成により、所望のパターン２１０とダミーパターン２４
０Ａとの露光量に差をつけることが可能である。
【００７７】即ち、光透過部２３４の幅が光透過部２４
２Ａ及び２４４Ａの幅よりも小さいので、図８（Ａ）の
中央部の露光量は図１０（Ａ）の中央部に示す露光量と
同じように減少することが理解されるであろう。同様
に、二対の遮光部２３２によって挟まれた光透過部２４
４Ａ（及び一対のゲート部２２０によって挟まれた光透
過部２４４Ａ）の幅が光透過部２４２Ａ及び２４４Ａの
幅よりも小さいので、図８（Ｂ）の中央部の露光量は図
１０（Ｂ）の中央部に示す露光量と同じように減少する
ことが理解されるであろう。この結果、所望のパターン
２１０をコントラスト良くプレート４００に転写するこ
とができる。
２Ａ及び２４４Ａの幅よりも小さいので、図８（Ａ）の
中央部の露光量は図１０（Ａ）の中央部に示す露光量と
同じように減少することが理解されるであろう。同様
に、二対の遮光部２３２によって挟まれた光透過部２４
４Ａ（及び一対のゲート部２２０によって挟まれた光透
過部２４４Ａ）の幅が光透過部２４２Ａ及び２４４Ａの
幅よりも小さいので、図８（Ｂ）の中央部の露光量は図
１０（Ｂ）の中央部に示す露光量と同じように減少する
ことが理解されるであろう。この結果、所望のパターン
２１０をコントラスト良くプレート４００に転写するこ
とができる。
【００７８】なお、所望のパターン２１０において位相
が反転する境界部の線幅を適宜設定し、所望のパターン
２１０とダミーパターン２４０との露光量を最適に制御
しても同様の効果が得られることが理解されるであろ
う。
が反転する境界部の線幅を適宜設定し、所望のパターン
２１０とダミーパターン２４０との露光量を最適に制御
しても同様の効果が得られることが理解されるであろ
う。
【００７９】次に、図１４を参照して、マスク２００の
変形例としてのマスク２００Ｂを説明する。ここで、図
１４は、マスク２００Ｂの概略平面図である。マスク２
００Ｂは、同図に示すように、所望のパターン２１０Ａ
と、ダミーパターン２４０Ａとから構成されるマスクパ
ターン２６０Ｂを有する。ダミーパターン２４０Ａは、
図１２と同様であるため、説明は省略する。
変形例としてのマスク２００Ｂを説明する。ここで、図
１４は、マスク２００Ｂの概略平面図である。マスク２
００Ｂは、同図に示すように、所望のパターン２１０Ａ
と、ダミーパターン２４０Ａとから構成されるマスクパ
ターン２６０Ｂを有する。ダミーパターン２４０Ａは、
図１２と同様であるため、説明は省略する。
【００８０】図１４に示すように、所望のパターン２１
０は、一対のパターン部２１４ａ及び２１４ｂ（特に断
らない限り、参照番号「２１４」はこれらを総括するも
のとする。）からなり、各パターン部２１４は、ゲート
部２２０と一対のコンタクト部２３０Ａから構成され
る。各コンタクト部２３０Ａは、光透過部２３４Ａと遮
光部２３２及び２３６とを有する。ゲート部２２０及び
遮光部２３２及び２３６は図９を参照して上述したもの
と同様であるのでここでは説明は省略する。
０は、一対のパターン部２１４ａ及び２１４ｂ（特に断
らない限り、参照番号「２１４」はこれらを総括するも
のとする。）からなり、各パターン部２１４は、ゲート
部２２０と一対のコンタクト部２３０Ａから構成され
る。各コンタクト部２３０Ａは、光透過部２３４Ａと遮
光部２３２及び２３６とを有する。ゲート部２２０及び
遮光部２３２及び２３６は図９を参照して上述したもの
と同様であるのでここでは説明は省略する。
【００８１】光透過部２３４Ａは透過率が１（１００
％）ではなく０．７（７０％）に設定されている。これ
により、所望のパターン２１０Ａとダミーパターン２４
０Ａとの露光量に差をつけることが可能である。即ち、
光透過部２３４Ａの幅が光透過部２４２Ａ及び２４４Ａ
の幅よりも小さく透過率も低いので、図８（Ａ）の中央
部の露光量は図１０（Ａ）の中央部に示す露光量と同じ
ように減少することが理解されるであろう。
％）ではなく０．７（７０％）に設定されている。これ
により、所望のパターン２１０Ａとダミーパターン２４
０Ａとの露光量に差をつけることが可能である。即ち、
光透過部２３４Ａの幅が光透過部２４２Ａ及び２４４Ａ
の幅よりも小さく透過率も低いので、図８（Ａ）の中央
部の露光量は図１０（Ａ）の中央部に示す露光量と同じ
ように減少することが理解されるであろう。
【００８２】なお、光透過部２３４Ａを使用すれば、ダ
ミーパターン２４０Ａはダミーパターン２４０であって
もよいことが理解されるであろう。また、二対の遮光部
２３２によって挟まれた光透過部２４４Ａ（及び一対の
ゲート部２２０によって挟まれた光透過部２４４Ａ）の
透過率を同様に０．７（７０％）に設定してよいことは
もちろんである。
ミーパターン２４０Ａはダミーパターン２４０であって
もよいことが理解されるであろう。また、二対の遮光部
２３２によって挟まれた光透過部２４４Ａ（及び一対の
ゲート部２２０によって挟まれた光透過部２４４Ａ）の
透過率を同様に０．７（７０％）に設定してよいことは
もちろんである。
【００８３】このように、所望のパターンの一部（パタ
ーン部２１２の間を含む）の光透過率を制御することに
より、所望のパターン２１０をコントラスト良くプレー
ト４００に転写することができる。
ーン部２１２の間を含む）の光透過率を制御することに
より、所望のパターン２１０をコントラスト良くプレー
ト４００に転写することができる。
【００８４】投影光学系３００は、マスク２００に形成
されたマスクパターン２６０を経た回折光をプレート４
００上に結像するための開口絞り３２０を有する。投影
光学系３００は、複数のレンズ素子のみからなる光学
系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有
する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレ
ンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光
学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用
することができる。色収差の補正が必要な場合には、互
いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数
のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子
と逆方向の分散が生じるように構成したりする。上述し
たように、投影光学系３００の瞳面３２０に形成される
有効光源の形状は図３乃至図５に示す形状と同様であ
る。
されたマスクパターン２６０を経た回折光をプレート４
００上に結像するための開口絞り３２０を有する。投影
光学系３００は、複数のレンズ素子のみからなる光学
系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有
する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレ
ンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光
学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用
することができる。色収差の補正が必要な場合には、互
いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数
のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子
と逆方向の分散が生じるように構成したりする。上述し
たように、投影光学系３００の瞳面３２０に形成される
有効光源の形状は図３乃至図５に示す形状と同様であ
る。
【００８５】プレート４００は、本実施形態ではウェハ
であるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。プレ
ート４００にはフォトレジストが塗布されている。フォ
トレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処
理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを
含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗
布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるた
めの表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）
処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓ
ｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理す
る。プリベークはベーキング（焼成）工程であるが現像
後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
であるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。プレ
ート４００にはフォトレジストが塗布されている。フォ
トレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処
理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを
含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗
布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるた
めの表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）
処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓ
ｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理す
る。プリベークはベーキング（焼成）工程であるが現像
後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００８６】プレート４００はウェハステージ４５０に
支持される。ステージ４５０は、当業界で周知のいかな
る構成をも適用することができるので、ここでは詳しい
構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ４５
０はリニアモータを利用してＸＹ方向にプレート４００
を移動する。マスク２００とプレート４００は、例え
ば、同期して走査され、図示しないマスクステージとウ
ェハステージ４５０の位置は、例えば、レーザー干渉計
などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動され
る。ステージ４５０は、例えば、ダンパを介して床等の
上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステ
ージ及び投影光学系３００は、例えば、鏡筒定盤は床等
に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持
される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
支持される。ステージ４５０は、当業界で周知のいかな
る構成をも適用することができるので、ここでは詳しい
構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ４５
０はリニアモータを利用してＸＹ方向にプレート４００
を移動する。マスク２００とプレート４００は、例え
ば、同期して走査され、図示しないマスクステージとウ
ェハステージ４５０の位置は、例えば、レーザー干渉計
などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動され
る。ステージ４５０は、例えば、ダンパを介して床等の
上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステ
ージ及び投影光学系３００は、例えば、鏡筒定盤は床等
に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持
される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００８７】結像位置調節装置５００は、ステージ４５
０に接続されてステージ４５０と共にプレート４００を
焦点深度の範囲内で図１に示すＺ方向に移動させ、プレ
ート４００の結像位置を調節する。露光装置１は、必要
があれば、Ｚ方向において異なる位置に配置されたプレ
ート４００に対して露光を複数回行うことにより、焦点
深度内における結像性能のばらつきをなくすこともでき
る。結像位置調節装置５００は、Ｚ方向に伸びる図示し
ないラックと、ステージ４５０に接続されてラック上を
移動可能な図示しないピニオンと、ピニオンを回転させ
る手段など、当業界で周知のいかなる技術をも適用する
ことができるので、ここでは詳しい説明は省略する。
０に接続されてステージ４５０と共にプレート４００を
焦点深度の範囲内で図１に示すＺ方向に移動させ、プレ
ート４００の結像位置を調節する。露光装置１は、必要
があれば、Ｚ方向において異なる位置に配置されたプレ
ート４００に対して露光を複数回行うことにより、焦点
深度内における結像性能のばらつきをなくすこともでき
る。結像位置調節装置５００は、Ｚ方向に伸びる図示し
ないラックと、ステージ４５０に接続されてラック上を
移動可能な図示しないピニオンと、ピニオンを回転させ
る手段など、当業界で周知のいかなる技術をも適用する
ことができるので、ここでは詳しい説明は省略する。
【００８８】露光において、レーザー１１２から発せら
れた光束は、ビーム成形系１１４によりそのビーム形状
が所望のものに成形された後で、照明光学系１２０に入
射する。集光光学系１３０は、それを通過した光束をオ
プティカルインテグレータ１４０に効率よく導入する。
その際、露光量調節部１３２が照明光の露光量を調節す
る。オプティカルインテグレータ１４０は照明光を均一
化し、開口絞り１５０は、光軸近傍に強度分布のピーク
を有する照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明
光とが合成された照明光を形成する。かかる照明光はコ
ンデンサーレンズ１６０を介して位相シフトマスク２０
０を最適な照明条件で照明する。
れた光束は、ビーム成形系１１４によりそのビーム形状
が所望のものに成形された後で、照明光学系１２０に入
射する。集光光学系１３０は、それを通過した光束をオ
プティカルインテグレータ１４０に効率よく導入する。
その際、露光量調節部１３２が照明光の露光量を調節す
る。オプティカルインテグレータ１４０は照明光を均一
化し、開口絞り１５０は、光軸近傍に強度分布のピーク
を有する照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明
光とが合成された照明光を形成する。かかる照明光はコ
ンデンサーレンズ１６０を介して位相シフトマスク２０
０を最適な照明条件で照明する。
【００８９】マスク２００には、一部の線幅が太くされ
た所望のパターン２１０と、パターン２１０に重ねられ
たダミーパターン２４０とから構成されたマスクパター
ン２６０が形成されている。ゲート部２２０は、ダミー
パターン２４０の遮光部（暗線部）２３６に重ねられて
Ｌ＆Ｓパターンをダミーパターン２４０と共に形成し、
位相シフトマスクにより解像性能が高められている。ま
た、ゲート部２２０は、ダミーパターン２４０よりも太
くされてその間の光透過部はダミーパターン２４０より
も露光量が減少している。コンタクト部２３０は、ダミ
ーパターン２４０に重ねられて一部（即ち、領域２３
４）が光透過部に変化され、一部（即ち、遮光部２３２
及び２３６）がダミーパターン２４０の線幅よりも太く
され、その結果、光透過部２３４がダミーパターン２４
０よりも露光量が減少している。
た所望のパターン２１０と、パターン２１０に重ねられ
たダミーパターン２４０とから構成されたマスクパター
ン２６０が形成されている。ゲート部２２０は、ダミー
パターン２４０の遮光部（暗線部）２３６に重ねられて
Ｌ＆Ｓパターンをダミーパターン２４０と共に形成し、
位相シフトマスクにより解像性能が高められている。ま
た、ゲート部２２０は、ダミーパターン２４０よりも太
くされてその間の光透過部はダミーパターン２４０より
も露光量が減少している。コンタクト部２３０は、ダミ
ーパターン２４０に重ねられて一部（即ち、領域２３
４）が光透過部に変化され、一部（即ち、遮光部２３２
及び２３６）がダミーパターン２４０の線幅よりも太く
され、その結果、光透過部２３４がダミーパターン２４
０よりも露光量が減少している。
【００９０】マスク２００を通過した光束は投影光学系
３００の結像作用によって、プレート４００上に所定倍
率で縮小投影される。ステップアンドスキャン方式の露
光装置１であれば、光源部１１０と投影光学系３００は
固定して、マスク２００とプレート４００の同期走査し
てショット全体を露光する。更に、プレート４００のス
テージ４５０をステップして、次のショットに移り、プ
レート４００上に多数のショットを露光転写する。な
お、露光装置１がステップアンドリピート方式であれ
ば、マスク２００とプレート４００を静止させた状態で
露光を行う。
３００の結像作用によって、プレート４００上に所定倍
率で縮小投影される。ステップアンドスキャン方式の露
光装置１であれば、光源部１１０と投影光学系３００は
固定して、マスク２００とプレート４００の同期走査し
てショット全体を露光する。更に、プレート４００のス
テージ４５０をステップして、次のショットに移り、プ
レート４００上に多数のショットを露光転写する。な
お、露光装置１がステップアンドリピート方式であれ
ば、マスク２００とプレート４００を静止させた状態で
露光を行う。
【００９１】光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光は位相シフトマスク２００を照明して微細な周期パタ
ーンの強度分布をプレート４００上に形成する。軸外に
強度分布のピークを有する照明光はマスク２００を照明
して粗く露光する。位相シフトマスク２００のゲート部
２２０の間の光透過部２４４と２３４はパターン幅が狭
いために露光量が減少し、所望のパターン２１０をダミ
ーパターン２４０から分離するのに寄与する。この結
果、プレート４００のレジストの閾値を適当に選択する
ことによって所望のコンタクトホール２１０のパターン
をプレート４００上に形成することができる。これによ
り、露光装置１はレジストへのパターン転写を高精度に
行って高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮
像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供す
ることができる。
光は位相シフトマスク２００を照明して微細な周期パタ
ーンの強度分布をプレート４００上に形成する。軸外に
強度分布のピークを有する照明光はマスク２００を照明
して粗く露光する。位相シフトマスク２００のゲート部
２２０の間の光透過部２４４と２３４はパターン幅が狭
いために露光量が減少し、所望のパターン２１０をダミ
ーパターン２４０から分離するのに寄与する。この結
果、プレート４００のレジストの閾値を適当に選択する
ことによって所望のコンタクトホール２１０のパターン
をプレート４００上に形成することができる。これによ
り、露光装置１はレジストへのパターン転写を高精度に
行って高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮
像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供す
ることができる。
【００９２】次に、図１７及び図１８を参照して、上述
の露光装置１を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。図１７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半
導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するため
のフローチャートである。ここでは、半導体チップの製
造を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ス
テップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用い
てウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は
前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソ
グラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
の露光装置１を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。図１７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半
導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するため
のフローチャートである。ここでは、半導体チップの製
造を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ス
テップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用い
てウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は
前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソ
グラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９３】図１８は、ステップ４のウェハプロセスの
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
はウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
はウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。
【００９４】
【実施例１】実施例１では図９に示す位相シフトマスク
２００と、レーザー１１２にＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）と、図４（Ａ）に示す開口絞り１５
０Ｇと、ＮＡ０．６０の投影光学系３００とを露光装置
１に使用した。位相シフトマスク２００において、図９
（Ｂ）に示すＬはウェハ（プレート４００）面上換算で
１２０ｎｍでＬ１は１４０ｎｍ（即ち、Ｌ２＝１０ｎ
ｍ）とした。ダミーパターン２４０は１２０ｎｍのＬ＆
Ｓパターンとした。
２００と、レーザー１１２にＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）と、図４（Ａ）に示す開口絞り１５
０Ｇと、ＮＡ０．６０の投影光学系３００とを露光装置
１に使用した。位相シフトマスク２００において、図９
（Ｂ）に示すＬはウェハ（プレート４００）面上換算で
１２０ｎｍでＬ１は１４０ｎｍ（即ち、Ｌ２＝１０ｎ
ｍ）とした。ダミーパターン２４０は１２０ｎｍのＬ＆
Ｓパターンとした。
【００９５】かかる露光装置１を、（図３（Ａ）に示す
開口絞り１５０Ａが与える照明光のような）光軸近傍に
強度分布のピークを有する照明光、（図３（Ｂ）に示す
開口絞り１５０Ｂが与える照明光のような）軸外に強度
分布のピークを有する四重極照明光（各円形開口の中心
位置のσをｘ、ｙ方向それぞれ０．６の位置に、各円形
開口の大きさのσを０．３とする。）、及び、光軸近傍
に強度分布のピークを有する照明光と軸外に強度分布の
ピークを有する照明光が合成された、（図３（Ｄ）に示
す開口絞り１５０Ｄが与える照明光のような）五重極照
明光（中心部のσは０．３、他は四重極照明光と同じ）
でそれぞれ露光した。また、露光量調整部１３２によっ
て五重極照明光の光軸近傍に強度分布のピークを有する
照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明光との強
度比は０．９対１に設定した。
開口絞り１５０Ａが与える照明光のような）光軸近傍に
強度分布のピークを有する照明光、（図３（Ｂ）に示す
開口絞り１５０Ｂが与える照明光のような）軸外に強度
分布のピークを有する四重極照明光（各円形開口の中心
位置のσをｘ、ｙ方向それぞれ０．６の位置に、各円形
開口の大きさのσを０．３とする。）、及び、光軸近傍
に強度分布のピークを有する照明光と軸外に強度分布の
ピークを有する照明光が合成された、（図３（Ｄ）に示
す開口絞り１５０Ｄが与える照明光のような）五重極照
明光（中心部のσは０．３、他は四重極照明光と同じ）
でそれぞれ露光した。また、露光量調整部１３２によっ
て五重極照明光の光軸近傍に強度分布のピークを有する
照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明光との強
度比は０．９対１に設定した。
【００９６】これらの露光の結果を図１１に示す。図１
１（Ａ）を参照するに、光軸近傍に強度分布のピークを
有する照明光を使用した場合には微小周期構造のみが露
光されている。図１１（Ｂ）を参照するに、四重極照明
光を使用した場合には、大きなパターン部のみが露光さ
れて微細周期パターンは解像されていない。図１１
（Ｃ）を参照するに、これらを多重した五重極照明光を
使用した場合には所望のゲートパターン２１０全体が解
像されている。図１１（Ａ）乃至（Ｃ）は、解像位置調
節装置５００によって横方向に焦点深度内の焦点からの
距離を−０．４μｍ〜＋０．４μｍまで振った場合の露
光パターン特性である。これらは、図１０を参照して説
明したものと同様の結果となった。
１（Ａ）を参照するに、光軸近傍に強度分布のピークを
有する照明光を使用した場合には微小周期構造のみが露
光されている。図１１（Ｂ）を参照するに、四重極照明
光を使用した場合には、大きなパターン部のみが露光さ
れて微細周期パターンは解像されていない。図１１
（Ｃ）を参照するに、これらを多重した五重極照明光を
使用した場合には所望のゲートパターン２１０全体が解
像されている。図１１（Ａ）乃至（Ｃ）は、解像位置調
節装置５００によって横方向に焦点深度内の焦点からの
距離を−０．４μｍ〜＋０．４μｍまで振った場合の露
光パターン特性である。これらは、図１０を参照して説
明したものと同様の結果となった。
【００９７】五重極照明光を使用した場合、図１１
（Ｃ）に示すように、微細なパターンの解像性が非常に
よい０．１２μｍパターンが形成された。数式１におけ
る線幅Ｒを（λ／ＮＡ）で割ってｋ1で規格化すると、
ｋ1＝０．２９のパターンが解像されたことになる。
（Ｃ）に示すように、微細なパターンの解像性が非常に
よい０．１２μｍパターンが形成された。数式１におけ
る線幅Ｒを（λ／ＮＡ）で割ってｋ1で規格化すると、
ｋ1＝０．２９のパターンが解像されたことになる。
【００９８】
【実施例２】実施例２では図１２に示す位相シフトマス
ク２００Ａを使用し、開口絞り１５０には、開口絞り１
５０Ｄを使用する等して、光軸近傍に強度分布のピーク
を有する照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明
光とを両方使用した。その他の露光条件は実施例１と同
様にした。このときの結果を図１３に示す。図１１
（Ｃ）と同様の結果が得られていることが理解されるで
あろう。
ク２００Ａを使用し、開口絞り１５０には、開口絞り１
５０Ｄを使用する等して、光軸近傍に強度分布のピーク
を有する照明光と軸外に強度分布のピークを有する照明
光とを両方使用した。その他の露光条件は実施例１と同
様にした。このときの結果を図１３に示す。図１１
（Ｃ）と同様の結果が得られていることが理解されるで
あろう。
【００９９】
【実施例３】実施例３では図１４に示す位相シフトマス
ク２００Ｂを使用した。その他の露光条件は実施例２と
同様にした。このときの結果を図１５に示す。図１１
（Ｃ）と同様の結果が得られていることが理解されるで
あろう。
ク２００Ｂを使用した。その他の露光条件は実施例２と
同様にした。このときの結果を図１５に示す。図１１
（Ｃ）と同様の結果が得られていることが理解されるで
あろう。
【０１００】本発明によれば、最小線幅が０．１５μｍ
以下の微細な複雑なパターンが、マスク２００を交換せ
ずにプレート４００面上に焦点深度内の異なる位置で結
像特性良く転写することができた。本実施例では、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー、ＮＡ＝０．６の露光装置１で最小
線幅と最小間隔がともに０．１２μｍのパターンが解像
された。なお、解像線幅をｋ1で規格化するとｋ1＝０．
２９、ピッチ０．２９×２＝０．５８である。従って、
微細な線幅とそれより大きな線幅からなる複雑なパター
ンの解像がマスクを交換することなく露光することが可
能になり、ウェハ面上に所定のパターンの形成が可能に
なった。
以下の微細な複雑なパターンが、マスク２００を交換せ
ずにプレート４００面上に焦点深度内の異なる位置で結
像特性良く転写することができた。本実施例では、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー、ＮＡ＝０．６の露光装置１で最小
線幅と最小間隔がともに０．１２μｍのパターンが解像
された。なお、解像線幅をｋ1で規格化するとｋ1＝０．
２９、ピッチ０．２９×２＝０．５８である。従って、
微細な線幅とそれより大きな線幅からなる複雑なパター
ンの解像がマスクを交換することなく露光することが可
能になり、ウェハ面上に所定のパターンの形成が可能に
なった。
【０１０１】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずにその趣旨の範囲内で
様々な変形や変更が可能である。
が、本発明はこれらに限定されずにその趣旨の範囲内で
様々な変形や変更が可能である。
【０１０２】
【発明の効果】本発明のマスク、露光方法及び装置によ
れば、微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅を持
ち、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び複雑なパターンまでが
混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、高解
像度に露光することができる。また、かかる露光方法及
び装置を使用したデバイス製造方法は高品位なデバイス
を製造することができる。
れば、微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅を持
ち、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び複雑なパターンまでが
混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、高解
像度に露光することができる。また、かかる露光方法及
び装置を使用したデバイス製造方法は高品位なデバイス
を製造することができる。
【図１】 本発明の露光装置の概略ブロック図である。
【図２】 図１に示す露光装置の露光量調整部が調整可
能な照明光の一例を示す光強度分布である。
能な照明光の一例を示す光強度分布である。
【図３】 図１に示す露光装置の開口絞りの例示的形状
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【図４】 図１に示す開口絞りの別の例示的形状の概略
平面図である。
平面図である。
【図５】 図１に示す開口絞りの更に別の例示的形状の
概略平面図である。
概略平面図である。
【図６】 所望のパターンの概略平面図である。
【図７】 図６に示すパターンにダミーのパターンを重
ねることによって形成された位相シフトマスクの一例で
ある。
ねることによって形成された位相シフトマスクの一例で
ある。
【図８】 光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光
と軸外に強度分布のピークを有する照明光とを利用して
図７に示す位相シフトマスクを照明した場合の図１に示
すプレートに生じる光強度分布である。
と軸外に強度分布のピークを有する照明光とを利用して
図７に示す位相シフトマスクを照明した場合の図１に示
すプレートに生じる光強度分布である。
【図９】 本発明の位相シフトマスクの概略平面図であ
る。
る。
【図１０】 光軸近傍に強度分布のピークを有する照明
光と軸外に強度分布のピークを有する照明光とを利用し
て図９に示すマスクを照明した場合に図１に示す露光装
置のプレートに現れる光強度分布である。
光と軸外に強度分布のピークを有する照明光とを利用し
て図９に示すマスクを照明した場合に図１に示す露光装
置のプレートに現れる光強度分布である。
【図１１】 実施例１の露光結果として、図９に示す位
相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプレ
ートに転写されたパターンである。
相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプレ
ートに転写されたパターンである。
【図１２】 図９に示す位相シフトマスクの変形例の概
略平面図である。
略平面図である。
【図１３】 実施例２の露光結果として、図１２に示す
位相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプ
レートに転写されたパターンである。
位相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプ
レートに転写されたパターンである。
【図１４】 図９に示す位相シフトマスクの別の変形例
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【図１５】 実施例３の露光結果として、図１４に示す
位相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプ
レートに転写されたパターンである。
位相シフトマスクを異なる照明条件で照明した場合のプ
レートに転写されたパターンである。
【図１６】 図１に示す露光装置のオプティカルインテ
グレータの変形例の拡大斜視図である。
グレータの変形例の拡大斜視図である。
【図１７】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方
法を説明するためのフローチャートである。
法を説明するためのフローチャートである。
【図１８】 図１７に示すステップ４の詳細なフローチ
ャートである。
ャートである。
１ 露光装置 １００ 照明装置 １２０ 照明光学系 １３２ 露光量調整部 １５０ 開口絞り ２００ マスク ２１０ 所望のパターン ２４０ ダミーのパターン ２６０ マスクパターン ３００ 投影光学系 ３２０ 瞳 ４００ プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ ５１４Ｃ ５１５Ｄ
Claims (29)
- 【請求項１】 所望のパターンと、当該パターンに重ね
られた周期性のあるダミーのパターンとを有する位相シ
フトマスクを、前記所望のパターンのうち前記ダミーの
パターンの効果で解像させるべき部分を前記ダミーのパ
ターンの線幅よりも太くすることによって形成し、 光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光を利用して
前記位相シフトマスクを照明し、 前記位相シフトマスクを経た光を被露光面に投影光学系
を介して投影することによって、前記所望のパターンを
前記被露光面に転写することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 マスク上のパターンを投影レンズにより
被露光面上に露光する露光方法において、 所望のパターン領域及び近傍に微細周期パターンを重ね
た位相シフトマスクを用い、照明光として、小σ照明と
大σ照明に相当する有効光源により多重照明を行うこと
を特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 前記所望のパターンは、少なくとも２つ
の第１の線が所定の間隔で整列する第１のパターン部
と、第１の線よりも線幅が大きな第２の線を有する第２
のパターン部とを有し、 前記位相シフトマスクを形成するステップは、 前記第１のパターン部の前記第１の線を前記ダミーのパ
ターンの暗線部と重ね、 前記第２のパターン部の前記第２の線を前記ダミーのパ
ターンに重ねることを特徴とする請求項１記載の露光方
法。 - 【請求項４】 前記所望のパターンは、少なくとも２つ
の第１の線が所定の間隔で整列する第１のパターン部
と、第１の線よりも線幅が大きな第２の線を有する第２
のパターン部とを有し、 前記所望のパターンの前記一部は前記第１のパターン部
の前記第１の線であり、当該第１の線の線幅を前記ダミ
ーのパターンの暗線部の線幅よりも大きくすることを特
徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項５】 前記位相シフトマスクを形成するステッ
プは、前記所望のパターンには遮光部を設け、前記ダミ
ーのパターンには遮光部を設けないことを特徴とする請
求項１記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記位相シフトマスクを形成するステッ
プは、前記所望のパターンを遮光部とハーフトーン位相
シフト形の光透過部として構成することを特徴とする請
求項１記載の露光方法。 - 【請求項７】 前記光軸近傍に強度分布のピークを有す
る照明光は、円形の有効光源形状を有することを特徴と
する請求項１記載の露光方法。 - 【請求項８】 前記小σ照明は、円形の有効光源形状を
有することを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項９】 前記光軸近傍に強度分布のピークを有す
る照明光は、σが０．３以下であることを特徴とする請
求項１記載の露光方法。 - 【請求項１０】 前記小σ照明は、σが０．３以下であ
ることを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項１１】 前記大σ照明は、四重極の有効光源形
状を有することを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項１２】 前記大σ照明は、σが０．６以上であ
ることを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項１３】 前記大σ照明は、σが１よりも大きな
有効光源形状を有することを特徴とする請求項２記載の
露光方法。 - 【請求項１４】 前記四重極の各照明光は等しいσを有
することを特徴とする請求項１１記載の露光方法。 - 【請求項１５】 前記大σ照明は、輪帯の有効光源形状
を有することを特徴とする請求項２記載の露光方法。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５のうちいずれか一項
記載の露光方法を行うことができる露光モードを有する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１７】 マスク、該マスク上のパターンを照明
する照明系、及び被露光面上に投影する投影光学系から
なる露光装置において、該マスクは所望のパターン領域
及び近傍に微細周期パターンを重ねた位相シフトマスク
からなり、照明系は小σ照明と大σ照明に相当する多重
有効光源を有し、これら小σ照明と大σ照明の組み合わ
された多重照明系を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１８】 前記多重有効光源形状が五重極になる
ように五重極の開口を有する絞りを含むことを特徴とす
る請求項１７記載の露光装置。 - 【請求項１９】 前記大σ照明はσが１よりも大きな有
効光源形状を有することを特徴とする請求項１７記載の
露光装置。 - 【請求項２０】 前記大σ照明は四重極の有効光源形状
を有し、前記四重極の各照明光のσは等しいことを特徴
とする請求項１７記載の露光装置。 - 【請求項２１】 前記大σ照明は輪帯の有効光源形状を
形成し、前記小σ照明は前記輪帯の内側に設けられた円
形の有効光源形状を形成することを特徴とする請求項１
７記載の露光装置。 - 【請求項２２】 前記照明装置は、前記小σ照明と前記
大σ照明のそれぞれの露光量を調整する機能及び／又は
前記大σ照明のピークの位置を調整する機能を有する装
置を有することを特徴とする請求項１７記載の露光装
置。 - 【請求項２３】 請求項１６乃至２２記載のうちいずれ
か一項記載の露光装置を用いて被処理体を投影露光する
ステップと、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
うステップとを有するデバイス製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１６乃至２２記載のうちいずれ
か一項記載の露光装置を用いて投影露光された前記被処
理体より製造されるデバイス。 - 【請求項２５】 所望のパターンと、当該パターンに重
ねられた周期性のあるダミーのパターンとを有し、前記
所望のパターンのうち前記ダミーのパターンの効果で解
像されるべき部分が前記ダミーのパターンの線幅よりも
太くされていることを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２６】 前記所望のパターンは、少なくとも２
つの第１の線が所定の間隔で整列する第１のパターン部
と、第１の線よりも線幅が大きな第２の線を有する第２
のパターン部とを有し、 前記所望のパターンの前記一部は前記第１のパターン部
の前記第１の線であり、当該第１の線の線幅は前記ダミ
ーのパターンの暗線部の線幅よりも大きいことを特徴と
する請求項２５記載のマスク。 - 【請求項２７】 前記所望のパターンには遮光部を設
け、前記ダミーのパターンには遮光部を設けないことを
特徴とする請求項２５記載のマスク。 - 【請求項２８】 前記位相シフトマスクの前記所望のパ
ターンは遮光部と、ハーフトーン位相シフト形の光透過
部から構成されることを特徴とする請求項２５記載のマ
スク。 - 【請求項２９】 マスクに所望のパターンを形成し、 当該パターンに周期性のあるダミーのパターンを重ね合
わせ、 前記所望のパターンの一部を前記ダミーのパターンより
も太くすることによって前記マスクを位相シフトマスク
として製造する前記マスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126777A JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 露光方法及び装置 |
| US10/128,707 US6991877B2 (en) | 2001-04-24 | 2002-04-23 | Exposure method and apparatus |
| US11/255,559 US7402378B2 (en) | 2001-04-24 | 2005-10-21 | Exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126777A JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324743A true JP2002324743A (ja) | 2002-11-08 |
| JP2002324743A5 JP2002324743A5 (ja) | 2008-06-19 |
Family
ID=18975758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001126777A Pending JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 露光方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6991877B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002324743A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090952A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2006259381A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Nec Electronics Corp | パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法 |
| JP2008166777A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2010092079A (ja) * | 2010-01-27 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 液晶表示素子の製造方法及び露光装置 |
| US7898644B2 (en) | 2004-10-12 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7916391B2 (en) | 2004-05-25 | 2011-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus for providing a pattern of polarization |
| US8259393B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US8279524B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8576377B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2016139143A (ja) * | 2016-02-15 | 2016-08-04 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR102902254B1 (ko) | 2021-03-17 | 2025-12-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 |
Families Citing this family (89)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088843A2 (en) | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| TW516098B (en) * | 2001-12-20 | 2003-01-01 | Nanya Technology Corp | Light source generation apparatus and exposure method of contact hole |
| JP2004251969A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | 位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 |
| US6842223B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-01-11 | Nikon Precision Inc. | Enhanced illuminator for use in photolithographic systems |
| JP4540327B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスクのパターン形成方法 |
| US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
| TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
| US20050225740A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Padlyar Sushil D | Light source for photolithography |
| US7384725B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for fabricating contact holes |
| DE102004032401A1 (de) * | 2004-07-03 | 2005-09-29 | Infineon Technologies Ag | Projektionsbelichtungseinrichtung, Illuminatorgeometrie, Hybridmaske und Verfahren zu deren Einsatz |
| JP4425239B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-03-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| DE102005023714A1 (de) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsmikrolithographieanlage und Verfahren zur Erzielung eines verbesserten Auflösungsvermögens in einer Projektionsmikrolithographieanlage |
| US20060256311A1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7528934B2 (en) * | 2005-05-16 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100817064B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | 미세패턴을 형성하기 위한 마스크 및 그 형성방법 |
| US8054449B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-11-08 | Asml Holding N.V. | Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool |
| US8318536B2 (en) * | 2007-12-31 | 2012-11-27 | Intel Corporation | Utilizing aperture with phase shift feature in forming microvias |
| US20090180088A1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Uwe Paul Schroeder | Illumination Sources for Lithography Systems |
| JP2011523538A (ja) | 2008-05-20 | 2011-08-11 | ペリカン イメージング コーポレイション | 異なる種類の撮像装置を有するモノリシックカメラアレイを用いた画像の撮像および処理 |
| US11792538B2 (en) | 2008-05-20 | 2023-10-17 | Adeia Imaging Llc | Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array |
| US8866920B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-10-21 | Pelican Imaging Corporation | Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers |
| JP4888599B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-02-29 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線撮像装置 |
| US20100060871A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-11 | Powership Semiconductor Corp. | Off-axis light source, light screen plate, and method of defining different types of patterns with single exposure |
| WO2011063347A2 (en) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Pelican Imaging Corporation | Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers |
| SG10201503516VA (en) | 2010-05-12 | 2015-06-29 | Pelican Imaging Corp | Architectures for imager arrays and array cameras |
| US8878950B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-11-04 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for synthesizing high resolution images using super-resolution processes |
| CN103765864B (zh) | 2011-05-11 | 2017-07-04 | 派力肯影像公司 | 用于传送和接收阵列照相机图像数据的系统和方法 |
| US20130265459A1 (en) | 2011-06-28 | 2013-10-10 | Pelican Imaging Corporation | Optical arrangements for use with an array camera |
| JP2014521117A (ja) | 2011-06-28 | 2014-08-25 | ペリカン イメージング コーポレイション | アレイカメラで使用するための光学配列 |
| WO2013043761A1 (en) | 2011-09-19 | 2013-03-28 | Pelican Imaging Corporation | Determining depth from multiple views of a scene that include aliasing using hypothesized fusion |
| WO2013049699A1 (en) | 2011-09-28 | 2013-04-04 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for encoding and decoding light field image files |
| TWI632400B (zh) * | 2011-11-16 | 2018-08-11 | 成洛勳 | 線光源發生裝置及其柱狀透鏡板系統 |
| EP2817955B1 (en) | 2012-02-21 | 2018-04-11 | FotoNation Cayman Limited | Systems and methods for the manipulation of captured light field image data |
| US9210392B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-12-08 | Pelican Imaging Coporation | Camera modules patterned with pi filter groups |
| WO2014005123A1 (en) | 2012-06-28 | 2014-01-03 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for detecting defective camera arrays, optic arrays, and sensors |
| US20140002674A1 (en) | 2012-06-30 | 2014-01-02 | Pelican Imaging Corporation | Systems and Methods for Manufacturing Camera Modules Using Active Alignment of Lens Stack Arrays and Sensors |
| KR102111181B1 (ko) | 2012-08-21 | 2020-05-15 | 포토내이션 리미티드 | 어레이 카메라를 사용하여 포착된 영상에서의 시차 검출 및 보정을 위한 시스템 및 방법 |
| WO2014032020A2 (en) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Pelican Imaging Corporation | Feature based high resolution motion estimation from low resolution images captured using an array source |
| US9214013B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-12-15 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for correcting user identified artifacts in light field images |
| EP4307659A1 (en) | 2012-09-28 | 2024-01-17 | Adeia Imaging LLC | Generating images from light fields utilizing virtual viewpoints |
| US9143711B2 (en) | 2012-11-13 | 2015-09-22 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for array camera focal plane control |
| WO2014130849A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-28 | Pelican Imaging Corporation | Generating compressed light field representation data |
| US9374512B2 (en) | 2013-02-24 | 2016-06-21 | Pelican Imaging Corporation | Thin form factor computational array cameras and modular array cameras |
| US9638883B1 (en) | 2013-03-04 | 2017-05-02 | Fotonation Cayman Limited | Passive alignment of array camera modules constructed from lens stack arrays and sensors based upon alignment information obtained during manufacture of array camera modules using an active alignment process |
| WO2014138697A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for high dynamic range imaging using array cameras |
| US8866912B2 (en) | 2013-03-10 | 2014-10-21 | Pelican Imaging Corporation | System and methods for calibration of an array camera using a single captured image |
| US9521416B1 (en) | 2013-03-11 | 2016-12-13 | Kip Peli P1 Lp | Systems and methods for image data compression |
| US9124831B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-01 | Pelican Imaging Corporation | System and methods for calibration of an array camera |
| US9106784B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-08-11 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for controlling aliasing in images captured by an array camera for use in super-resolution processing |
| WO2014165244A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for synthesizing images from image data captured by an array camera using restricted depth of field depth maps in which depth estimation precision varies |
| US9888194B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-02-06 | Fotonation Cayman Limited | Array camera architecture implementing quantum film image sensors |
| WO2014153098A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Pelican Imaging Corporation | Photmetric normalization in array cameras |
| US9578259B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-02-21 | Fotonation Cayman Limited | Systems and methods for reducing motion blur in images or video in ultra low light with array cameras |
| US9445003B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-13 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for synthesizing high resolution images using image deconvolution based on motion and depth information |
| WO2014150856A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Pelican Imaging Corporation | Array camera implementing quantum dot color filters |
| US10122993B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-11-06 | Fotonation Limited | Autofocus system for a conventional camera that uses depth information from an array camera |
| US9633442B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-04-25 | Fotonation Cayman Limited | Array cameras including an array camera module augmented with a separate camera |
| US9497429B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Pelican Imaging Corporation | Extended color processing on pelican array cameras |
| EP2973476B1 (en) | 2013-03-15 | 2025-02-26 | Adeia Imaging LLC | Systems and methods for stereo imaging with camera arrays |
| US9898856B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-02-20 | Fotonation Cayman Limited | Systems and methods for depth-assisted perspective distortion correction |
| US9264592B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-02-16 | Pelican Imaging Corporation | Array camera modules incorporating independently aligned lens stacks |
| WO2015074078A1 (en) | 2013-11-18 | 2015-05-21 | Pelican Imaging Corporation | Estimating depth from projected texture using camera arrays |
| US9456134B2 (en) | 2013-11-26 | 2016-09-27 | Pelican Imaging Corporation | Array camera configurations incorporating constituent array cameras and constituent cameras |
| US20170030842A1 (en) * | 2013-12-27 | 2017-02-02 | Sensofar Medical, S.L. | Device and method for optically inspecting and analyzing stent-like objects |
| WO2015134996A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Pelican Imaging Corporation | System and methods for depth regularization and semiautomatic interactive matting using rgb-d images |
| US9247117B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-01-26 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for correcting for warpage of a sensor array in an array camera module by introducing warpage into a focal plane of a lens stack array |
| US9318574B2 (en) * | 2014-06-18 | 2016-04-19 | International Business Machines Corporation | Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates |
| US9521319B2 (en) | 2014-06-18 | 2016-12-13 | Pelican Imaging Corporation | Array cameras and array camera modules including spectral filters disposed outside of a constituent image sensor |
| CN107077743B (zh) | 2014-09-29 | 2021-03-23 | 快图有限公司 | 用于阵列相机的动态校准的系统和方法 |
| US9942474B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-04-10 | Fotonation Cayman Limited | Systems and methods for performing high speed video capture and depth estimation using array cameras |
| KR102079181B1 (ko) * | 2016-03-04 | 2020-02-19 | 주식회사 고영테크놀러지 | 패턴광 조사 장치 및 방법 |
| US10482618B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-11-19 | Fotonation Limited | Systems and methods for hybrid depth regularization |
| US20210063889A1 (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Innolux Corporation | Method for manufacturing electronic device |
| WO2021055585A1 (en) | 2019-09-17 | 2021-03-25 | Boston Polarimetrics, Inc. | Systems and methods for surface modeling using polarization cues |
| MX2022004163A (es) | 2019-10-07 | 2022-07-19 | Boston Polarimetrics Inc | Sistemas y metodos para la deteccion de estandares de superficie con polarizacion. |
| DE112020005932T5 (de) | 2019-11-30 | 2023-01-05 | Boston Polarimetrics, Inc. | Systeme und verfahren zur segmentierung von transparenten objekten mittels polarisationsmerkmalen |
| KR20220132620A (ko) | 2020-01-29 | 2022-09-30 | 인트린식 이노베이션 엘엘씨 | 물체 포즈 검출 및 측정 시스템들을 특성화하기 위한 시스템들 및 방법들 |
| CN115428028A (zh) | 2020-01-30 | 2022-12-02 | 因思创新有限责任公司 | 用于合成用于在包括偏振图像的不同成像模态下训练统计模型的数据的系统和方法 |
| WO2021243088A1 (en) | 2020-05-27 | 2021-12-02 | Boston Polarimetrics, Inc. | Multi-aperture polarization optical systems using beam splitters |
| US12069227B2 (en) | 2021-03-10 | 2024-08-20 | Intrinsic Innovation Llc | Multi-modal and multi-spectral stereo camera arrays |
| US12020455B2 (en) | 2021-03-10 | 2024-06-25 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range image reconstruction |
| US11290658B1 (en) | 2021-04-15 | 2022-03-29 | Boston Polarimetrics, Inc. | Systems and methods for camera exposure control |
| US11954886B2 (en) | 2021-04-15 | 2024-04-09 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for six-degree of freedom pose estimation of deformable objects |
| US12067746B2 (en) | 2021-05-07 | 2024-08-20 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for using computer vision to pick up small objects |
| US12175741B2 (en) | 2021-06-22 | 2024-12-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for a vision guided end effector |
| US12340538B2 (en) | 2021-06-25 | 2025-06-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for generating and using visual datasets for training computer vision models |
| US12172310B2 (en) | 2021-06-29 | 2024-12-24 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for picking objects using 3-D geometry and segmentation |
| US11689813B2 (en) | 2021-07-01 | 2023-06-27 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers |
| US12293535B2 (en) | 2021-08-03 | 2025-05-06 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for training pose estimators in computer vision |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179958A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Nikon Corp | 投影露光装置および投影露光方法 |
| JPH06163364A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Fujitsu Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
| JPH07168342A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスク、その位相シフトマスクの製造方法およびその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| JPH097937A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Samsung Electron Co Ltd | 露光装置及びこの装置を用いた露光方法 |
| JPH09219358A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH1070070A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| JPH11135402A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nec Corp | フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法 |
| JP2000021760A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2000021762A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2000349011A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2001135570A (ja) * | 1999-03-26 | 2001-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | アパーチャ、及びそれを用いた露光方法 |
| JP2003234285A (ja) * | 2001-04-24 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2969718B2 (ja) | 1990-01-20 | 1999-11-02 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた回路の製造方法 |
| US5153773A (en) | 1989-06-08 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination device including amplitude-division and beam movements |
| US5087537A (en) * | 1989-10-11 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Lithography imaging tool and related photolithographic processes |
| JPH0547628A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| KR970003593B1 (en) * | 1992-09-03 | 1997-03-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Projection exposure method and device using mask |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| KR0183720B1 (ko) * | 1995-06-30 | 1999-04-01 | 김광호 | 보조 마스크를 이용한 투영 노광장치 |
| KR0147665B1 (ko) | 1995-09-13 | 1998-10-01 | 김광호 | 변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법 |
| JP3101594B2 (ja) | 1997-11-06 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| EP0939343A1 (en) | 1998-02-26 | 1999-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and exposure apparatus |
| US6930754B1 (en) | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
| JP3353744B2 (ja) | 1999-06-23 | 2002-12-03 | 日本電気株式会社 | パターンの形成方法 |
-
2001
- 2001-04-24 JP JP2001126777A patent/JP2002324743A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-23 US US10/128,707 patent/US6991877B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-21 US US11/255,559 patent/US7402378B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179958A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Nikon Corp | 投影露光装置および投影露光方法 |
| JPH06163364A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Fujitsu Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
| JPH07168342A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスク、その位相シフトマスクの製造方法およびその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| JPH097937A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Samsung Electron Co Ltd | 露光装置及びこの装置を用いた露光方法 |
| JPH09219358A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH1070070A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| JPH11135402A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nec Corp | フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法 |
| JP2000021760A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2000021762A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001135570A (ja) * | 1999-03-26 | 2001-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | アパーチャ、及びそれを用いた露光方法 |
| JP2000349011A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2003234285A (ja) * | 2001-04-24 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101547077B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-08-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101503992B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| JP2008072129A (ja) * | 2003-04-09 | 2008-03-27 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR101346406B1 (ko) | 2003-04-09 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7446858B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-11-04 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| KR101484435B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| JP4735258B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2011-07-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2004090952A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR101532824B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US8259393B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US8279524B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US8861084B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarization-modulating optical element |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| TWI494972B (zh) * | 2004-02-06 | 2015-08-01 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US7916391B2 (en) | 2004-05-25 | 2011-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus for providing a pattern of polarization |
| US7898644B2 (en) | 2004-10-12 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006259381A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Nec Electronics Corp | パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法 |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US8576377B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008166777A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2010092079A (ja) * | 2010-01-27 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 液晶表示素子の製造方法及び露光装置 |
| JP2016139143A (ja) * | 2016-02-15 | 2016-08-04 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| KR102902254B1 (ko) | 2021-03-17 | 2025-12-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060033900A1 (en) | 2006-02-16 |
| US20020177054A1 (en) | 2002-11-28 |
| US6991877B2 (en) | 2006-01-31 |
| US7402378B2 (en) | 2008-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002324743A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| US6894764B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus having the same, and device fabricating method | |
| JP3937903B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| KR100538362B1 (ko) | 노광방법 및 장치 | |
| JP5500454B2 (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
| JP3634782B2 (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2002359176A (ja) | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス | |
| JP2006019702A (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| JP3950732B2 (ja) | 照明光学系、照明方法及び露光装置 | |
| US6897944B2 (en) | Illumination optical system, exposure method and apparatus using the same | |
| JP4474121B2 (ja) | 露光装置 | |
| TW200839460A (en) | Exposure apparatus and semiconductor device fabrication method | |
| JP3870093B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US20040218164A1 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2009130091A (ja) | 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2007109969A (ja) | 露光方法 | |
| US20050099814A1 (en) | Illumination optical system and exposure apparatus having the same | |
| JP2003173956A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2004311742A (ja) | 光学系の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
| KR102731783B1 (ko) | 노광 장치, 및 물품제조 방법 | |
| JP2005142599A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2002353098A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2004289172A (ja) | 照明光学系、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
| HK1165019A1 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080423 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110201 |