JP2002373849A

JP2002373849A - 露光装置

Info

Publication number: JP2002373849A
Application number: JP2001182456A
Authority: JP
Inventors: Takayasu Hasegawa; 敬恭長谷川; Shigeru Terajima; 茂寺島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-06-15
Filing date: 2001-06-15
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】投影光学系と感光性基板間の露光光の強度低下
を抑制し、且つ、その間の気体の濃度の不均一性を最低
限に抑える。【解決手段】投影光学系６とウエハＷとの間の空間に
は、投影光学系６からウエハＷの近傍までの露光光の光
路のほぼ全域を外部雰囲気から遮蔽する遮蔽部材９が設
けられている。遮蔽部材９は投影光学系６に取り付けら
れ、ウエハＷの水平方向に駆動することが可能な駆動機
構８a，８ｂおよび垂直方向に駆動することが可能な駆
動機構７ａ，７ｂが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他
のマイクロデバイスを製造するために用いられる露光装
置に関し、詳しくは、短波長の光を用いて露光を行う露
光装置において露光光の強度低下を抑制する露光装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子などを製造するためのフォト
リソグラフィ工程において、フォトレチクル（レチクル
含む）のパターン像を投影光学系を介して感光性基板上
に露光する露光装置が使用されている。近年、半導体集
積回路は、微細化の方向で開発が進み、フォトリソグラ
フィ工程においては、フォトリソグラフィ光源の短波長
化が進んでいる。

【０００３】しかしながら、真空紫外線、特に２５０ｎ
ｍよりも短い波長の光、たとえばＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長１５７ｎｍ）、またはＹＡ
Ｇレーザなどの高調波などの光を露光光として用いる場
合、酸素による吸収などの影響で、光の強度が低下する
などの課題が生じていた。

【０００４】そこで、従来では、Ｆ₂エキシマレーザの
ような光源を有する露光装置において、光路部分のみを
遮蔽し、たとえば窒素のような酸素を含まない気体に内
部のガスを置換し、光の透過率の低下を回避しようとし
ていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光路部
分のみの遮蔽は、いわゆるステップ・アンド・リピート
（ステップ毎に一括露光を繰り返す）方式の露光装置な
どのようにウエハステージやレチクルステージなどの可
動部が光路中に存在する装置では困難であり、部分的に
露光光が空気に曝されることは避けられなかった。

【０００６】また、感光性基板のステージを容器で包囲
することなく、投影光学系から感光性基板への露光光の
出射部分に配設された光学部材と感光性基板との間の空
間に不活性ガスを供給することによって形成された所要
の不活性ガス雰囲気中で露光することのできる露光装置
においても、露光領域周辺から不活性ガスを供給するた
めに、露光中心と周辺で不活性ガスの濃度分布が不均一
になり、露光領域の雰囲気の透過率が不均一になること
で均一な露光が困難であった。また、上記投影光学系の
光学部材と感光性基板との間に不活性ガスを供給する供
給部を取り付けることは、光学部材から感応性基板まで
の空間における保守作業を困難にしていた。

【０００７】本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その
目的は、短波長の光を用いて露光する露光装置におい
て、露光光の光路に配設された光学部材周辺における露
光光の強度低下を抑制し、且つ、その濃度分布の不均一
性を最低限に抑えることができ、且つ光学部材と感光性
基板又はマスクの空間の保守作業を容易にできる露光装
置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決し、目
的を達成するために、本発明の露光装置は、マスクパタ
ーンの投影像を露光光により感光性基板に転写する露光
装置であって、前記露光光の光路に配設された光学部材
周辺を取り囲み、当該光学部材周辺の雰囲気を高濃度の
気体に置換し所定濃度に保持する遮蔽部材を有する露光
装置において、前記光学部材に対して水平方向及び垂直
方向の少なくともどちらかに移動可能な駆動機構を前記
遮蔽部材に設けた。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る実施の形態
について、添付図面を参照して詳細に説明する。［第１実施形態］図１は、本発明に係る第１実施形態の
露光装置の全体構成図であり、図２は、図１に示す投影
光学系、遮蔽部材、感光性基板の周辺を示す断面図であ
る。

【００１０】図１に示す露光装置は、例えばＦ₂エキシ
マレーザのような短波長レーザ光を射出する光源１を備
える。

【００１１】光源１から発した光ビームの一部は、ビー
ムスプリッタＭ１を透過し、露光量検出器１４で光量が
測定される。光源制御系２は、露光量検出器１４の測定
結果に基づいて光源１の光量制御を行う。ビームスプリ
ッタＭ１で反射された光ビームはミラーＭ２、Ｍ３で反
射され、適当な光学部材１５を介してレチクルＲを均一
に照明する。光源１からレチクルＲに至る光路は照明光
学系４を構成している。レチクルＲを透過した光は、投
影光学系６を構成する種々の光学部材１０，１６を介し
てウエハステージＷＳＴに載置されたウエハＷの表面上
に到達し、レチクルＲ上のパターンを結像する。

【００１２】ウエハＷは、３次元方向（ＸＹＺ方向）に
移動可能なウエハステージＷＳＴ上に載置され、ステッ
ピング移動される。そして、ウエハＷは、ステッピング
移動と露光とが繰り返し行われて、所謂ステップ・アン
ド・リピート方式で、ウエハＷ上にレチクルＲのパター
ンが逐次投影露光される。

【００１３】主制御系は光源１、ウエハステージＷＳＴ
のＸＹ方向の移動、レチクルステージＲＳＴの移動等を
統括的に制御する。

【００１４】光源１から投影光学系６の露光光をウエハ
Ｗに出射する光学部材１０までの露光光の光路は遮蔽部
材５によって遮蔽され、照明光学系４、遮蔽部材５、投
影光学系６はバルブＶｎ１，Ｖｎ２，Ｖｎ３を介して温
度調節された不活性ガス、例えば、窒素ガスが供給さ
れ、バルブＶｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３により排気される。

【００１５】投影光学系６とウエハＷとの間の空間に
は、投影光学系６からウエハＷの近傍までの露光光の光
路のほぼ全域を外部雰囲気から遮蔽する遮蔽部材９が設
けられている。

【００１６】図２に投影光学系を拡大して示すように、
遮蔽部材９は投影光学系６に取り付けられ、ウエハＷの
水平方向に駆動することが可能な駆動機構８a，８ｂお
よび垂直方向に駆動することが可能な駆動機構７が設け
られている。また、遮蔽部材９と投影光学系６の接合部
分は蛇腹状の部品で接合されその位置関係が変化して
も、遮蔽部材９と投影光学系６が密着した状態を維持で
きる構造とする。

【００１７】遮蔽部材９は露光光を通過させるための硝
子５０を有している。また、遮蔽部材９により取り囲ま
れた空間にはバルブＶｎ４を介して温度調節された窒素
ガスが供給される。遮蔽された空間の圧力は圧力計ＰＧ
４−２で測定される。Ｖｎ４を介して供給された窒素ガ
スは、遮蔽部材９内部を満たし、バルブＶｏ４を介して
排気される。

【００１８】温度調節された窒素ガスは、バルブＶｎ５
を介して遮蔽部材９とウエハＷ面との間に供給される。
供給された窒素ガスはバルブＶｏ５を介して排気され
る。この時、バルブＶｏ５で供給される窒素ガスの圧力
は圧力系ＰＧ４−１で測定され、露光装置を格納する容
器３０内の圧力は圧力計ＰＧ５で測定される。通常ＰＧ
４−１の値がＰＧ５以上になるように調整されている。

【００１９】遮蔽部材９に取り付けた駆動機構７，８
ａ，８ｂにより水平方向及び垂直方向に駆動される。ウ
エハ交換や保守メンテナンス時には遮蔽部材９をＺ軸プ
ラス方向に駆動することでウエハＷから離間させ、ウエ
ハ交換や保守メンテナンス作業を容易にする。そして、
ウエハ交換後など露光開始時には、まず、遮蔽部材をＺ
軸プラス方向に移動させた状態、すなわち、遮蔽部材９
と投影光学系６で囲まれた空間をできるだけ狭くした状
態で、バルブＶｎ４を介して温度調節された窒素ガスの
供給を開始する。これにより、遮蔽部材９と投影光学系
６で囲まれた空間の不活性ガス濃度を短時間で高濃度に
することが可能である。次に、所定の圧力を維持しつ
つ、遮蔽部材９をウエハＷから所定の高さの位置までＺ
軸マイナス方向に駆動し、ウエハＷ、レチクルＲのアラ
イメントを行いつつ露光を行う。この場合、遮蔽部材９
とウエハＷの間の距離を例えば１ｍｍに配置すること
で、投影光学系６の周辺からの雰囲気が侵入することに
よる露光領域の不活性ガス濃度の低下を抑え、均一な濃
度分布を得ることが可能である。また、ウエハステージ
ＷＳＴとレチクルステージＲＳＴに同期して、遮蔽部材
９とウエハＷ間の距離を測定し、その間の距離を一定に
保ちつつ露光を行うことで、より均一な濃度分布を得る
ことが可能である。［第２実施形態］図３乃至図５は本発明に係る第２実施
形態の露光装置における投影光学系の拡大図である。

【００２０】第１実施形態では遮蔽部材９に露光光を透
過する硝子５０を使用し、ウエハＷと硝子５０の間の空
間に温度調節された窒素ガスを供給することで、露光領
域の窒素ガス濃度の低下を抑え、均一な濃度分布を得る
ことができた。

【００２１】この第１実施形態に対して、第２実施形態
では、図３乃至図５に示すように、投影光学系６に取り
付けられた遮蔽部材９のウエハＷに対向する部位に開口
２０を設け、開口２０から露光光を通過させると共に、
その開口２０からウエハＷに温度調節された窒素ガスを
供給することで、露光領域の窒素ガス濃度の低下を抑
え、均一な濃度分布を得るものである。

【００２２】第１実施形態と同様に、遮蔽部材９に取り
付けた駆動機構７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂにより水平方向
及び垂直方向に駆動される。ウエハ交換や保守メンテナ
ンス時には遮蔽部材９をＺ軸プラス方向に駆動すること
でウエハＷから離間させ、ウエハ交換や保守メンテナン
ス作業を容易にする。そして、ウエハ交換後など露光開
始時には、まず、遮蔽部材９をＺ軸プラス方向に移動さ
せた状態、すなわち、遮蔽部材９と投影光学系６で囲ま
れた空間をできるだけ狭くした状態で、バルブＶｎ４を
介して温度調節された窒素ガスの供給を開始する。これ
により、遮蔽部材９と投影光学系６で囲まれた空間の不
活性ガス濃度を短時間で高濃度にすることが可能であ
る。次に、所定の圧力を維持しつつ、遮蔽部材９をウエ
ハＷから所定の高さの位置までＺ軸マイナス方向に駆動
し、ウエハＷ、レチクルＲのアライメントを行いつつ、
ウエハステージとレチクルステージに同期して、遮蔽部
材９とウエハＷ間の距離を測定し、その間の距離を一定
に保ちつつ露光を行うことで、より均一な濃度分布を得
ることが可能である。

【００２３】また、図５に示すように遮蔽部材９を遮蔽
部材９の外側に排気口４０を設けることで開口２０から
ウエハＷと遮蔽部材９の間に供給した窒素ガスを効率良
く回収しても良い。この時、排気口４０の圧力をＰＧ４
−３で測定し、遮蔽部材９で囲まれた空間の圧力ＰＧ４
−２よりも、ＰＧ４−３の圧力が低くなるように排気量
を制御することでも、遮蔽部材９から開口２０を通過し
てウエハ面上に窒素ガスを供給することが可能である。［第３実施形態］図６は走査型露光装置において感光性
基板の周辺を露光する際の開口と照明域を示す図であ
る。

【００２４】以下に、本発明の露光装置を第３実施形態
として走査型露光装置に適用し、ウエハＷの周辺を露光
する場合の遮蔽部材９の駆動方法について説明する。

【００２５】図６（ａ）に示すように、ウエハＷの周辺
を露光する場合、〜の領域を順次露光することにな
る。この場合、照明光が照射される照明域と遮蔽部材９
に設けた開口２０の位置はそれぞれの中心が一致するよ
うに配置されているために、開口２０の一部がウエハＷ
の外側に出ることになる。この場合、ウエハＷと周辺の
段差から周辺の雰囲気の拡散とステージの駆動時の巻き
込みにより、露光領域であり且つウエハ面上に存在する
領域の窒素ガス濃度を低下させることになる。窒素ガス
濃度が低下した部分に関しては透過率が低下するため
に、露光光量不足になり、露光ムラを生じる。そこで、
開口２０を図６（ｂ）に示すように、ウエハ周辺に沿っ
て遮蔽部材９をｙ方向にウエハステージ及びレチクルス
テージに同期させつつ駆動する。このように駆動させる
ことで、開口２０をウエハＷの内側に配置することがで
き、ウエハＷとその周辺の段差から周辺の雰囲気の侵入
を抑え、均一な濃度分布をより広い空間で達成すること
が可能である。

【００２６】上記と同様なことがステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置においても適用可能である。ま
た、開口の大きさを変える機構を追加することで、ウエ
ハＷの周辺を露光する際には開口の大きさを小さくする
ことになり、遮蔽部材内部に供給する窒素の消費量が同
じ場合には開口が小さい場合のほうが開口から噴出する
窒素の流速が大きくなるので、より開口部の窒素濃度の
劣化を抑えることが可能となる。［第４実施形態］図７は本発明に係る第４実施形態の露
光装置における投影光学系の拡大図である。

【００２７】上記各実施形態では、レチクルＲ周辺を密
閉空間にしていたが、この第４実施形態ではレチクル側
にも遮蔽部材７２，７３を使用し、露光光が通過する部
分に開口を設け、各開口から温度調節された窒素ガスを
レチクルＲに向かって吹き付ける。

【００２８】遮蔽部材７２は、照明光学系７の照明光を
照明する光学部材７７を覆うように照明光学系７１に取
り付けられ、接合部分は蛇腹状の部品で接合されその位
置関係が変化しても、遮蔽部材７２と照明光学系７１と
が密着した状態を維持できる構造とする。同じく、遮蔽
部材７３は照明光学系７１の照明光を入射する光学部材
１６を覆うように投影光学系６に取り付けられ、接合部
分は蛇腹状の部品で接合されその位置関係が変化して
も、遮蔽部材７３と投影光学系6が密着した状態を維持
できる構造とする。

【００２９】前記遮蔽部材７２，７３はレチクルＲに対
して水平方向及び垂直方向に駆動される駆動機構７ｃ，
７ｄ，８ｃ，８ｄを有し、レチクル交換や保守メンテナ
ンス時には遮蔽部材７２，７３をレチクルＲから離間さ
せる方向へ駆動することで、レチクル交換や保守メンテ
ナンス作業を容易にする。そして、レチクル交換後など
露光開始時には、まず、遮蔽部材７２，７３をレチクル
Ｒから離れるようＺ軸プラス或いはマイナス方向に移動
させた状態、すなわち、遮蔽部材７２と照明光学系７１
で囲まれた空間をできるだけ狭くした状態で、温度調節
された窒素ガスの供給を開始する。これにより、遮蔽部
材７３と照明光学系７１で囲まれた空間の不活性ガス濃
度を短時間で高濃度にすることが可能である。同様に、
遮蔽部材７３と投影光学系６で囲まれた空間をできるだ
け狭くした状態で、温度調節された窒素ガスの供給を開
始する。これにより、遮蔽部材７３と投影光学系６で囲
まれた空間の不活性ガス濃度を短時間で高濃度にするこ
とが可能である。次に、所定の圧力を維持しつつ、遮蔽
部材７２，７３をレチクルＲから所定の高さの位置まで
に駆動し、ウエハＷ、レチクルＲのアライメントを行い
つつ、ウエハステージとレチクルステージに同期して、
遮蔽部材７２，７３とレチクルＲ間の距離を測定し、そ
の間の距離を一定に保ちつつ露光を行うことで、より均
一な濃度分布を得ることが可能である。

【００３０】本実施形態では、窒素ガスの供給圧力はＰ
Ｇ７１，ＰＧ７２で測定し、所定の圧力を維持できるよ
う窒素ガスを供給する。また、遮蔽部材に給気口圧力を
測定する測定部を設けているが、給気口に流量計を有
し、流量計の値を一定にするよう給気口から窒素ガスを
供給することで開口からレチクル面上に窒素ガスを供給
しても良い。供給された窒素ガスは排気口７４，７５か
ら回収される。また、排気口を第２実施形態に示すよう
に遮蔽部材を囲うように取り付けることで、供給した窒
素ガスを効率良く回収しても良い。

【００３１】尚、以上説明した実施の形態は、本発明の
実現手段としての一例であり、本発明は、その趣旨を逸
脱しない範囲で上記実施形態を修正又は変形したものに
も適用可能である。

【００３２】また、本実施形態の露光装置は、投影光学
系の遮蔽部材９と照明光学系の遮蔽部材７２，７３との
少なくとも一方を設けて構成してもよい。［製造プロセス］次に、上記の露光装置を利用した半導
体デバイスの製造プロセスを説明する。

【００３３】図８は半導体デバイスの全体的な製造プロ
セスのフローを示す。ステップ1（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（マスク作
製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製
する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ6（検査）
ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ
7）する。

【００３４】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を
成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極
を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）
ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト
処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露
光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ
に転写する。ステップ17（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
短波長の光を用いて露光を行う露光装置において、露光
領域の不活性ガス濃度分布の均一化と高濃度維持による
露光ムラの低減を実現すると共に、保守・メンテナンス
や感光性基板やマスクの交換を容易にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施形態の露光装置の全体構
成図である。

【図２】図１に示す投影光学系、遮蔽部材、感光性基板
の周辺を示す断面図である。

【図３】本発明に係る第２実施形態の露光装置における
投影光学系の拡大図である。

【図４】本発明に係る第２実施形態の露光装置における
投影光学系の拡大図である。

【図５】本発明に係る第２実施形態の露光装置における
投影光学系の拡大図である。

【図６】走査型露光装置において感光性基板の周辺を露
光する際の開口と照明域を示す図である。

【図７】本発明に係る第４実施形態の露光装置における
投影光学系の拡大図である。

【図８】半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示す
フローチャートである。

【図９】図８のウエハプロセスの詳細を示すフローチャ
ートである。

【符号の説明】

１光源２光源制御系３ステージ制御系４照明光学系５レチクルステージ遮蔽部材６投影光学系７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ遮蔽部材の垂直方向への駆動
機構８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ遮蔽部材の水平方向への駆動
機構９，７２，７３遮蔽部材１０，１５，１６，７７光学部材１１主制御系１４露光量検出器３０露光装置を囲う容器５０露光光透過硝子５２窒素ガス給気ダクトＶｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３，Ｖｏ４，Ｖｏ５排気バルブＶｎ１，Ｖｎ２，Ｖｎ３，Ｖｎ４，Ｖｎ５窒素供給バ
ルブ７１照明光学系７４，７５排気口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクパターンの投影像を露光光により
感光性基板に転写する露光装置であって、前記露光光の光路に配設された光学部材周辺を取り囲
み、当該光学部材周辺の雰囲気を高濃度の気体に置換し
所定濃度に保持する遮蔽部材を有する露光装置におい
て、前記光学部材に対して水平方向及び垂直方向の少な
くともどちらかに移動可能な駆動機構を前記遮蔽部材に
設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記マスクパターンを投影した露光光の
光路を形成する投影光学系を更に含み、前記遮蔽部材は
当該投影光学系から前記感光性基板への露光光の出射部
分に配設された光学部材周辺を取り囲むように設けられ
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】前記マスクパターンを投影した露光光の
光路を形成する投影光学系を更に含み、前記遮蔽部材は
当該投影光学系への露光光の入射部分に配設された光学
部材周辺を取り囲むように設けられることを特徴とする
請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】前記投影光学系の前段に設けられ、マス
クパターンを照明して投影像を生成する照明光の光路を
形成する照明光学系を更に含み、前記遮蔽部材は当該照
明光学系に保持されたマスクへの照明光の出射部分に配
設された光学部材周辺を取り囲むように設けられること
を特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】前記遮蔽部材は、不活性ガスを前記光学
部材周辺に供給する供給部と、前記供給部から供給され
た不活性ガスを排出する排出部とを有することを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】前記遮蔽部材は露光光を透過する透明部
材を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
１項に記載の露光装置。
【請求項７】前記遮蔽部材は、当該遮蔽部材と前記感
光性基板の間に不活性ガスを吹き付けることを特徴とす
る請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】前記遮蔽部材は、当該遮蔽部材と前記マ
スクの間に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする請
求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】前記遮蔽部材は不活性ガスを通過させる
開口を有し、前記投影光学系の光軸中心を通り且つ当該
光軸中心に略平行な方向から前記感光性基板に不活性ガ
スを供給し、前記投影光学系は当該不活性ガス雰囲気中
で露光光を出射することを特徴とする請求項１乃至７の
いずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】前記遮蔽部材は不活性ガスを通過させ
る開口を有し、前記照明光学系の光軸中心を通り且つ当
該光軸中心に略平行な方向から前記マスクに不活性ガス
を供給し、前記照明光学系は当該不活性ガス雰囲気中で
照明光を出射することを特徴とする請求項１乃至７のい
ずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】前記供給部は、前記遮蔽部材へ供給さ
れる不活性ガス流量を測定し、所定流量以上の不活性ガ
スを供給することを特徴とする請求項５に記載の露光装
置。
【請求項１２】前記投影光学系と前記遮蔽部材との間
の空間の圧力を、前記感光性基板と前記遮蔽部材の空間
の圧力よりも高くする圧力調整部を更に備え、当該設定
された圧力で前記感光性基板へ不活性ガスを供給するこ
とを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載
の露光装置。
【請求項１３】前記照明光学系と前記遮蔽部材との間
の空間の圧力を、前記マスクと前記遮蔽部材の空間の圧
力よりも高くする圧力調整部を更に備え、当該設定され
た圧力で前記マスクへ不活性ガスを供給することを特徴
とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光装
置。
【請求項１４】前記遮蔽部材と前記感光性基板の空間
から不活性ガスを排気する排気部を更に備え、当該感光
性基板と前記遮蔽部材の空間の圧力が前記投影光学系と
前記遮蔽部材との間の空間の圧力よりも低い状態で、前
記感光性基板へ不活性ガスが供給されることを特徴とす
る請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１５】前記遮蔽部材と前記マスクの空間から
不活性ガスを排気する排気部を更に備え、当該マスクと
前記遮蔽部材の空間の圧力が前記照明光学系と前記遮蔽
部材との間の空間の圧力よりも低い状態で、前記マスク
へ不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項１３
に記載の露光装置。
【請求項１６】前記遮蔽部材は、当該遮蔽部材と前記
感光性基板との距離を所定距離に保持され、前記投影光
学系から当該感光性基板までの前記不活性ガスの濃度を
所定濃度に保持することを特徴とする請求項１乃至１５
のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１７】前記遮蔽部材と前記感光性基板との距
離を測定する測定部を更に備え、当該測定部の測定結果
に基づいて前記遮蔽部材と前記感光性基板との距離が所
定距離に保持されて露光が行われることを特徴とする請
求項１乃至１６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１８】前記遮蔽部材と前記マスクとの距離を
測定する測定部を更に備え、当該測定部の測定結果に基
づいて前記遮蔽部材と前記マスクとの距離が所定距離に
保持されて露光が行われることを特徴とする請求項１乃
至１６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１９】前記露光時に、前記投影光学系の遮蔽
部材の開口は前記感光性基板に沿って水平に移動される
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記
載の露光装置。
【請求項２０】前記遮蔽部材は、前記感光性基板及び
／又はマスクの交換時や保守メンテナンス時に当該感光
性基板及び／又はマスクからの距離を大きく離間させる
ように移動されることを特徴とする請求項１乃至１９の
いずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２１】前記供給される不活性ガスは温度調節
された窒素ガス又はヘリウムガスであることを特徴とす
る請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２２】請求項１乃至２１のいずれか１項に記
載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導
体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複
数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程と
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。