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JP2002372928A - タイリング型表示装置及びその製造方法 - Google Patents

タイリング型表示装置及びその製造方法

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Publication number
JP2002372928A
JP2002372928A JP2001179148A JP2001179148A JP2002372928A JP 2002372928 A JP2002372928 A JP 2002372928A JP 2001179148 A JP2001179148 A JP 2001179148A JP 2001179148 A JP2001179148 A JP 2001179148A JP 2002372928 A JP2002372928 A JP 2002372928A
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JP
Japan
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layer
display panel
organic
type display
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001179148A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Chiba
安浩 千葉
Tetsuo Urabe
哲夫 占部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Priority to TW091111686A priority patent/TW540021B/zh
Priority to PCT/JP2002/005698 priority patent/WO2002103663A1/ja
Priority to US10/344,434 priority patent/US20030173891A1/en
Priority to EP02736030A priority patent/EP1396836A4/en
Priority to KR10-2003-7002041A priority patent/KR20030051617A/ko
Priority to SG200407055A priority patent/SG127742A1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブラックマトリックスによってコントラスト
が向上した有機ＥＬ表示パネルを利用した、高品位で境
目の目立たないタイリング型表示装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 タイリング型表示パネル６０の主面上
に、ＵＶ硬化樹脂６２を塗布するとともに、封止用基板
６６を樹脂塗布面に貼り合せる。この際、ＵＶ硬化樹脂
６２と封止用基板６６との間に気泡などが混入しないよ
うに注意する。次に、タイリング型表示パネル６０と、
貼り合せた封止用基板６６の相対位置関係を調整する。
この位置調整は、ブラックマトリックス６４がリブ２２
の補助配線２３の直上であって、かつ、表示パネル５０
〜５６間の境目６８の直上となるように行う。その後、
ＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂６２を硬化させ、タイリ
ング型表示パネル６０と封止用基板６６との相対位置を
固定し、タイリング型表示装置７０を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の表示パネル
ないし表示ユニットを配列したタイリング型の表示装置
及びその製造方法に関し、特に、上面発光型の有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセント）表示パネルを利用したタ
イリング型表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【背景技術】有機ＥＬ素子を利用した表示装置は、次世
代のフラットパネルディスプレイとして実用化が期待さ
れている。この有機ＥＬ表示装置の駆動は、有機ＥＬ素
子の応答速度が１μsec以下であるため、単純マトリッ
クス方式によるデューティ駆動も可能であるが、ＯＮ・
ＯＦＦが高デューテイ比となった場合には、十分な輝度
を確保するために有機ＥＬ素子に対して瞬間的に大電流
を流す必要があり、素子に対するダメージが大きい。一
方、アクティブマトリックス駆動方式では、通常ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）回路とコンデンサを接続し、該コ
ンデンサによって素子に対する印加電圧を維持される。
このため、画面の１フレームの間、常に同じ電圧を有機
ＥＬ素子に印加することができ、瞬間的に大電流を流す
必要がなく、素子に対するダメージが少ない。
【０００３】しかしながら、以上のようなＴＦＴによる
アクティブマトリックス駆動方式でディスプレイパネル
を設計する場合、ＴＦＴが一定の面積を占有するため、
実効的な画素部分の面積が小さくなり、開口率が低下し
てしまう。このような不都合を回避するには、上面発光
型の素子構造が有効である。
【０００４】図１０には、従来型と上面発光型の有機Ｅ
Ｌ表示パネル構造が示されており、同図（Ａ）は従来
型，（Ｂ）は上面発光型である。まず、同図（Ａ）の従
来型から説明すると、ＴＦＴ９００がマトリックス状に
配列された基板（以下単に「ＴＦＴ基板」という）９０
２上には、ＴＦＴ９００に接続するための電極配線９０
４が層間絶縁膜９０６を介して形成されており、更に平
坦化絶縁膜９０８を介して、透明導電材料によりアノー
ド電極９１０が形成されている。アノード電極９１０
は、電極配線９０４のうちの該当するものに接続されて
いる。
【０００５】アノード電極９１０上であってリブ９１２
に囲まれた領域には有機ＥＬ層９１４が形成されてい
る。例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光材料
が順に設けられている。なお、有機ＥＬ層９１４は、例
えば電子輸送層，発光層，正孔輸送層が積層された構造
となっている（図示せず）。そして、リブ９１２及び有
機ＥＬ層９１４が形成された主面全体に金属によるカソ
ード電極９１６が形成されている。有機ＥＬ層９１４か
ら出力された光は、アノード電極９１０が透明であり、
カソード電極９１６が金属で光を反射するため、矢印Ｆ
ｂ方向に出力される。
【０００６】一方、図１０（Ｂ）の上面発光型は、アノ
ード電極９２０が金属によって形成されており、有機Ｅ
Ｌ層９１４上に透明導電材料によるカソード電極９２６
が形成されている。これは、同図（Ａ）の従来型とちょ
うど逆の関係となっている。そして、リブ９１２及びカ
ソード電極９２６が形成された主面全体に保護層９３０
及び透明シール９３２が順に積層形成されている。有機
ＥＬ層９１４から出力された光は、アノード電極９２０
が金属で光を反射し、カソード電極９２６が透明である
ため、矢印Ｆｆで示す上面方向に出力される。両者を比
較すると、図１０（Ａ）の従来型の場合はＴＦＴ９００
のパターンが光出力側に存在するが、同図（Ｂ）の上面
発光型の場合はそれがなく、開口率が増大する。
【０００７】ところで、開口率の点で優れている上面発
光型の有機ＥＬ表示パネルの場合、上部電極側から光が
取り出されるため、カソード電極９２６はいわゆる透明
電極（光透過性の導電性膜）となっている。しかしなが
ら、透明電極は一般的にシート抵抗の値が高く、これを
表示パネルの主面全体に形成すると、表示面内で電圧勾
配が発生し、画面中央部の電圧が低下して輝度も低下す
るようになる。この傾向は、大画面化する程顕著にな
り、表示品位が著しく低下することとなる。これを回避
する方法として、図１０（Ｃ）に示すように、前記リブ
９１２上に金属による補助電極９５０を形成し、これと
カソード電極９２６とを組み合わせることで、電圧勾配
による表示ムラを回避する方法が提案されている。
【０００８】しかし、このような補助配線を形成した構
造では、矢印Ｆｒで示すように、補助電極９５０による
外光の反射が大きくなり、表示画像のコントラストが著
しく低下してしまう。そこで、図１０（Ｄ）に示すよう
に、補助配線９５０上にブラックマトリックス９６０を
重ねることで、コントラストの低下を防止する方法が提
案されている。ブラックマトリックス９６０は封止基板
９６２に予め形成されており、これをＵＶ硬化樹脂９６
４を挟んで図１０（Ｃ）の基板上面側に張り合わせる。
補助配線９５０をブラックマトリックス９６０が覆うよ
うになるため、外光の反射が低減され、コントラストが
向上する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ディスプレ
イを大型化する一つの手法として、タイリング技術が知
られている。これは、ユニット化した平面表示パネルを
複数用意し、これらをタイル状に複数枚配列することに
よって、全体としてディスプレイの大型化を図る方法で
ある。このようなタイリングによる大画面ディスプレイ
では、隣合う表示パネルユニットの境目が目立たないよ
うにすることが重要である。
【００１０】本発明は、以上の点に着目したもので、ブ
ラックマトリックスによってコントラストが向上した有
機ＥＬ表示パネルを利用した、高品位で境目の目立たな
いタイリング型表示装置及びその製造方法を提供するこ
とを、その目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、複数の表示パネルを接合して大画面のデ
ィスプレイを得るタイリング型表示装置であって、前記
複数の表示パネルに共通に設けた封止用基板と、該封止
用基板上に形成したコントラスト向上のためのブラック
マトリックスとをそれぞれ備えており、前記複数の表示
パネルの境目上に前記ブラックマトリックスが位置する
ことを特徴とする。
【００１２】主要な形態の一つは、前記表示パネルは、
基板上に下部電極，有機ＥＬ層，上部透明電極が順次積
層されており、前記有機ＥＬ層から出力された光が前記
上部透明電極から取り出されることを特徴とする。他の
形態は、前記電極及び有機ＥＬ層の劣化を防止するため
の封止層を更に積層形成したことを特徴とする。更に他
の形態は、前記有機ＥＬ層を囲むようにリブを配置し、
このリブに前記上部透明電極に電気的に接続する補助配
線を設け、該補助配線上に前記ブラックマトリックスが
位置することを特徴とする。更に他の形態は、前記表示
パネル間の境目における前記補助配線の幅を、他の補助
配線の幅の略１／２としたことを特徴とする。
【００１３】他の発明は、前記タイリング型表示装置の
製造方法であって、前記表示パネルの端面のうち、他の
表示パネルと接合する端面側を、リブ外側に沿って割断
することを特徴とする。主要な形態の一つは、レーザを
使用して前記リブ外側を割断することを特徴とする。他
の形態は、前記表示パネルが有機ＥＬ層を含んでおり、
該有機ＥＬ層の形成前に、前記レーザによる割断を行う
ことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特徴，
利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろ
う。
【００１４】
【発明の実施の形態】＜実施形態１＞……以下、本発明
の実施形態１について詳細に説明する。最初に、主要な
製造工程を順に説明する。本例はアクティブマトリック
ス駆動型の例であり、まず図１（Ａ）に示すようなＴＦ
Ｔ基板１０を用意する。なお、ＴＦＴ基板１０は、ＴＦ
Ｔ１２が各画素毎にマトリックス配列された基板であ
り、各種のものが公知である。その製造方法も各種知ら
れており、いずれを適用してもよい。各ＴＦＴ１２のゲ
ート電極は、走査回路に接続されている（図示せず）。
【００１５】ＴＦＴ基板１０の上面には、ＴＦＴ１２を
覆うように、第１層間絶縁膜１４を形成する。第１層間
絶縁膜１４は、例えば、酸化シリコンあるいは酸化シリ
コンにリンを含有させてなるＰＳＧ（Phospho-Silicate
Glass）などの酸化シリコン系の材料が使用される。該
第１層間絶縁膜１４上には、アルミニウムやアルミニウ
ム−銅合金などによって配線１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ
パターン形成する。これらの配線１６Ａ，１６Ｂは、駆
動用の信号線として用いられるもので、前記第１層間絶
縁膜１４に形成された接続穴（図示せず）を介して前記
ＴＦＴ１２のソース又はドレインに接続される。
【００１６】次に、図１（Ｂ）に示すように、配線１６
Ａ，１６Ｂを覆うための第２層間絶縁膜１８を形成す
る。この第２層間絶縁膜１８としては、パターン加工さ
れた配線１６Ａ，１６Ｂを覆う必要性から、平坦性の高
い材料を使用するのが望ましい。また、後の工程で蒸着
成膜される有機材料は、水分により劣化して十分な輝度
が得られなくなる恐れがあることから、吸水率の低い材
料を使用するのが望ましい。本実施形態では、例えばポ
リイミドによって第２層間絶縁膜１８が基板主面全体に
形成され、その後配線１６Ａに接続するための接続穴１
８Ａが形成される。
【００１７】次に、図１（Ｃ）に示すように、前記第２
層間絶縁膜１８上に有機ＥＬ層のアノード電極（下部電
極）２０を形成する。本例のような上面発光型の表示パ
ネルの場合は、クロム，鉄，コバルト，ニッケル，銅，
タンタル，タングステン，プラチナ，金などのような仕
事関数が大きくかつ光の反射率も高い導電性材料を用い
る。本例では、クロムによって形成されている。このア
ノード電極２０は、各画素毎にパターニングされるとと
もに、前記第２層間絶縁膜１８に形成された接続穴１８
Ａを介して配線１６Ａに接続される。
【００１８】次に、図２（Ａ）に示すように、リブ２２
を各画素（有機ＥＬ層）を囲むように形成する。リブ２
２は、その表面高さが以後の工程で蒸着成膜される有機
ＥＬ層の表面高さよりも十分高く形成する。このように
することで、アノード電極２０上に有機ＥＬ層をパター
ン形成する際に用いるマスクのスペーサとして、リブ２
２を利用することができる。本実施形態では、酸化シリ
コン膜２２Ａ，２２Ｂによってリブ２２を形成し、その
上に補助配線となるアルミニウム層２３を積層してい
る。すなわち、最初に前記接続穴１８Ａ付近を埋めるよ
うに酸化シリコン膜２２Ａを形成し、次に酸化シリコン
膜２２Ｂを積層形成する。このような積層構造とするこ
とで、十分な高さを有するリブ２２を形成することがで
きる。なお、酸化シリコン膜２２Ａは層間絶縁膜であ
り、酸化シリコン膜２２Ｂがリブであると考えることも
できる。
【００１９】更に、リブ２２は、図示のように側壁が順
テーパ形状に形成されており、これによって相当程度の
高さを有するリブ２２を覆う上部共通電極（カソード電
極）のカバレッジが確保される。
【００２０】以上のようなリブ２２形成後の表示パネル
５０の外観を概略示すと、図２（Ｂ）のようになる。こ
こで、図２（Ｃ）に示すように、表示パネル５０〜５６
を接合してタイリング型の表示装置を得る場合、表示パ
ネル５０の周囲のうち、他の表示パネルと接合する端面
５０Ａ，５０Ｂの部分のＴＦＴ基板１０を割断する必要
がある。そこで、本実施形態では、レーザカッタを使用
して図２（Ｂ）に点線で示すようにリブ２２の外側（あ
るいは補助配線２３の外側）を切断する。レーザカッタ
を使用することで、高精度の割断が可能であり、かつ、
冷却に水などの液体を使用しない。従って、水分を嫌う
有機ＥＬデバイスには好都合である。
【００２１】レーザカッタとしては、例えば二酸化炭素
レーザなどのような高出力の赤外線レーザが好適であ
る。レーザ発信装置から出力されたレーザ光を表示パネ
ル端部の所定部位に照射することで、局部的に急激に温
度を上昇させるとともに、その直後に圧縮エアを吹き付
けることで急冷する。このときに発生する応力で基板の
割断が進行する。図３には、端面５０Ａ，５０Ｂの交差
部分が拡大して示されている。このレーザによる切断を
行うと、一時的に表示パネル５０の温度が上昇する。後
述する有機ＥＬ層は熱に弱く、特性が劣化してしまう。
従って、有機ＥＬ層を形成する前に、レーザ切断の作業
を行うようにする。
【００２２】なお、表示パネル５０の端面５０Ａ，５０
ＢがＴＦＴ基板１０の端面と一致するように予め電極層
や有機ＥＬ層を形成すれば、ＴＦＴ基板１０のレーザ割
断を行う必要はない。また、タイリング用の基板を別途
用意し、これの上に表示パネル５０〜５６を接合配置す
るようにしてもよい。
【００２３】次に、図４に示すように、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）に発光する有機ＥＬ層を蒸着形成す
る。本例では、Ｇ→Ｂ→Ｒの順で蒸着を行う。図４
（Ａ）に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか一色に相当
する開口部を有するメタルマスク２４を用意し、最初に
開口部２４ＡがＧの画素のアノード電極上に位置するよ
うにアライメント（位置合わせ）する。そして、抵抗過
熱によってＧのアノード電極２０上にＧの有機ＥＬ層２
６Ｇを蒸着形成する。 まず、ホール（正孔）注入層２６Ｇａとして、4,4',
4''-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine
(m-MTDATA)を２５nm蒸着する。 次に、ホール輸送層２６Ｇｂととして、4,4'-bis[N-1
-naphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)を３０nm蒸
着する。 次に、発光層２６Ｇｃとして、tris(8-quinolinolat
o)aluminium(III)(Alq3)を５０nm蒸着する。以上の各層
の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２４】次に、図４（Ｂ）に示すように、メタルマ
スク２４の開口部２４ＡをＢの画素のアノード電極上に
アライメントする。そして、抵抗過熱によってＢのアノ
ード電極２０上にＢの有機ＥＬ層２６Ｂを蒸着形成す
る。 まず、ホール注入層２６Ｂａとして、4,4',4''-tris
(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDAT
A)を１８nm蒸着する。 次に、ホール輸送層２６Ｂｂとして、4,4'-bis[N-1-n
aphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)を３０nm蒸着
する。 次に、ホールブロック層としての機能を有する発光層
２６Ｂｃとして、2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phe
nanthroline(bathocuproine)を１４nm成膜する。 更に、発光層２６Ｂｄとして、tris(8-quinolinolat
o)aluminium(III)(Alq3)を３０nm蒸着する。以上の各層
の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２５】次に、図４（Ｃ）に示すように、メタルマ
スク２４の開口部２４ＡをＲの画素のアノード電極上に
アライメントする。そして、抵抗過熱によってＲのアノ
ード電極２０上にＲの有機ＥＬ層２６Ｒを蒸着形成す
る。 まず、ホール注入層２６Ｒａとして、4,4',4'-tris(3
-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)
を５５nm蒸着する。 次に、ホール輸送層２６Ｒｂとして、4,4'-bis[N-1-n
aphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)を３０nm蒸着
する。 次に、発光層２６Ｒｃとして、2,5-bis[4-(N-methoxy
phenyl-N-phenylamino)styryl]benzene-1,4-dicarbonit
rile(BSB-BCN)を３０nm蒸着する。 次に、電子輸送層２６Ｒｄとして、tris(8-quinolino
lato)aluminium(III)(Alq3)を３０nm蒸着する。以上の
各層の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２６】次に、以上の有機ＥＬ層２６の蒸着後、図
５（Ａ）に示すようにカソード電極（上部電極）２８を
各画素の共通電極として形成する。カソード電極２８
は、前記有機ＥＬ層２６の劣化を防止するため、同一の
装置内でマスク交換を行って形成する。カソード電極２
８の材料としては、電子を効率的に有機ＥＬ層２６に注
入できるように、仕事関数の小さい材料，例えばマグネ
シウムと銀を用いる。そして、共蒸着により例えば１４
nmの厚さに形成する。このカソード電極２８は、リブ２
２上に形成されたアルミニウムによる補助配線２３と電
気的に接続する。
【００２７】次に、図５（Ｂ）に示すようにパッシベー
ション膜（保護膜）３０を主面全体に形成する。パッシ
ベーション膜３０は、カソード電極２８の形成後、大気
暴露することなく、同一装置内で成膜する。例えば、Ｃ
ＶＤ法によりチッ化シリコン膜を、成膜温度を室温とし
て形成する。これは、有機ＥＬ層２６が１００℃以上で
急激に劣化し、発光輝度が低下するためであり、更に膜
はがれの発生を防止をするため、膜のストレスが最小に
なる条件で成膜するのが望ましいためである。
【００２８】以上のようにして得た表示パネルを複数枚
用意し、タイル状に並べて接合部分を接着剤で接合す
る。例えば、図２（Ｃ）に示すように４枚の表示パネル
５０〜５６を接合し、タイリング型表示パネル６０を得
る。もちろん、上述したように、表示パネル５０〜５６
は、レーザ切断を行った面で接合する。なお、Ｒ，Ｇ，
Ｂの画素の２次元配列が各表示パネル間で連続するよう
に、各表示パネル５０〜５６におけるＲ，Ｇ，Ｂの画素
配列を考慮する。
【００２９】次に、以上のようなタイリング型表示パネ
ル６０の主面上に、図６（Ａ）に示すようにＵＶ硬化樹
脂６２を塗布する。この樹脂塗布は、注射機型もしくは
スリットノズル型のディスペンサから樹脂を吐き出して
行う。他に、ロールコート法，スクリーン印刷法など各
種の公知の方法を用いてよい。次に、図６（Ｂ）に示す
ように、ブラックマトリックス６４が形成された封止用
基板６６を用意する。封止用基板６６は、表示パネル５
０〜５６に対して個別に用意されるのではなく、タイリ
ング型表示パネル６０の全体に対して１つ用意され、タ
イリング型表示パネル６０の樹脂塗布面に貼り合せる。
この際、ＵＶ硬化樹脂６２と封止用基板６６との間に気
泡などが混入しないように注意する。図７には、タイリ
ング型表示パネル６０と封止用基板６６との貼り合わせ
の様子が示されている（ＵＶ硬化樹脂６２は図示せ
ず）。
【００３０】次に、図６（Ｃ）に示すように、タイリン
グ型表示パネル６０の画素と、貼り合せた封止用基板６
６のブラックマトリックス６４との相対位置関係が合致
するように整合する。ＵＶ硬化樹脂６２が未硬化の状態
であれば、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６
６との相対位置を数１００μm程度位置調整することは
十分可能である。この位置調整は、図６（Ｃ）に示すよ
うに、ブラックマトリックス６４がリブ２２の補助配線
２３の直上であって、かつ、表示パネル５０〜５６間の
境目６８の直上となるように行う。最後に、図６（Ｃ）
に矢印で示すようにＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂６２
を硬化させ、タイリング型表示パネル６０と封止用基板
６６との相対位置を固定し、タイリング型表示装置７０
を得る。
【００３１】以上のようにして得たタイリング型表示装
置７０では、補助配線２３による外光の反射がブラック
マトリックス６４によって良好に防止される。また、表
示パネル５０〜５６の境目６８が、ブラックマトリック
ス６４によって良好に隠されている。このため、境目が
目だたない良好なコントラストの高品位大画面ディスプ
レイを得ることができる。
【００３２】＜実施形態２＞……次に、本発明の実施形
態２について説明する。上述した実施形態では、図６に
示すように、表示パネル５０〜５６間の境目６８でリブ
２２が２つ並ぶようになる。これらのリブ２２の補助配
線２３を完全に覆うようにブラックマトリックス６４を
形成すると、図６のように有機ＥＬ層２６がブラックマ
トリックス６４で必要以上に覆われるようになり、輝度
が低下してしまう。逆に、良好な輝度を得ようとする
と、境目６８で補助配線２３がブラックマトリックス６
４から露出するようになり、境目が表示画面上に現れる
ようになる。
【００３３】そこで、一つの方法として、境目６８でリ
ブ２２を切断する方法が考えられるが、リブ２２の表面
には金属による補助配線２３が設けられている。割断を
行うにはレーザ光の吸収による急激な温度上昇が必要で
あるが、赤外領域における金属の光反射率は高い。この
ため、リブ２２の部分ではレーザ照射によって温度を上
昇させることができない。
【００３４】そこで、本実施形態では、図８（Ａ）に示
すように、表示パネル５０の周囲のうち、他の表示パネ
ルと接合する端面５０Ａ，５０Ｂにおける補助配線１２
３の幅ＷＡを、他の所定ピッチで規則的に形成されたリ
ブ２２上の補助配線２３の幅ＷＢと比較して狭く形成す
る。例えば、ＷＡ＜（ＷＢ／２）とする。このように、
補助配線１２３の幅を狭くすることで、該部位における
レーザ光の反射が低減され、リブ１２２の幅を狭くした
割断が可能となる。図８（Ｂ）は、上述した図３に相当
するもので、本実施形態における表示パネル端部の様子
が示されており、点線で示す補助配線エッジに沿ってレ
ーザによる割断が行われる。割断後、有機ＥＬ層２６，
カソード電極２８，パッシベーション膜３０を、前記実
施形態と同様に順次主面上に形成する。
【００３５】次に、図２（Ｃ）に示したように４枚の表
示パネル５０〜５６を接合し、タイリング型表示パネル
６０を得る。図９（Ａ）に示すように、本実施形態で
は、境目６８において略ＷＢ／２の幅のリブ１２２が接
合する。このため、全体としてＷＢのリブとなり、他の
リブ２２と略同等の幅となる。次に、タイリング型表示
パネル６０の主面上に、図９（Ｂ）に示すようにＵＶ硬
化樹脂６２を塗布する。そして、図９（Ｃ）に示すよう
に、ブラックマトリックス１６４が形成された封止用基
板６６を用意し、タイリング型表示パネル６０の樹脂塗
布面に貼り合せる。次に、図９（Ｄ）に示すように、タ
イリング型表示パネル６０の画素と、貼り合せた封止用
基板６６のブラックマトリックス１６４との相対位置関
係が合致するように整合する。最後に、図９（Ｄ）に矢
印で示すようにＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂６２を硬
化させ、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６６
との相対位置を固定し、タイリング型表示装置１７０を
得る。以上の図９（Ｂ）〜（Ｄ）の作業は、前記実施形
態１と基本的に同様である。
【００３６】以上のようにして得たタイリング型表示装
置１７０では、パネル接合部においてリブ１２２が中央
で接するようになり、境目部分における補助配線が他の
部分におる補助配線と略同等の幅となる。このため、境
目を完全に隠すことができるとともに、良好な輝度も得
ることができるようになる。なお、実際のレーザ加工に
おいては、使用する材料やレーザなどを考慮した切りし
ろを設けるようにするとよい。
【００３７】＜他の実施形態＞……本発明には数多くの
実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変する
ことが可能である。例えば、次のようなものも含まれ
る。 （１）カソードとアノードの関係は、前記説明と逆でも
よい。カソード電極としては、電子輸送層に対して電子
を効率的に注入できるように、仕事関数の低い金属，又
は合金，更には金属化合物を用いる。アノード電極とし
ては、ホール輸送層に対してホールの注入が効率的にで
きるように、仕事関数の大きい金属，又は合金，更には
金属化合物を用いる。 （２）表示パネル５０の積層構造としては、前記実施形
態に示したものの他、上面発光型であればどのような構
造としてもよい。例えば、図１０（Ｃ）もしくは（Ｄ）
に示した構造のものにも適用可能である。また、有機Ｅ
Ｌデバイスに用いられている有機材料は、一般的に、水
分や酸素に触れるとその発光特性が急激に劣化すること
が知られている。更に、カソード電極やアノード電極
も、空気中では酸化によって電子やホ−ルの注入能力が
急激に劣化する。このため、有機ＥＬ層や電極の外気と
の接触を遮断する封止層があるとより好都合である。そ
こで、図１０（Ｃ）の保護層９３０と透明シール９３２
との間に有機樹脂層を封止層として形成したものが提案
されている。このようなものにも、同様に本発明は適用
可能である。 （３）更に、前記実施形態は、いずれも有機ＥＬ表示パ
ネルに本発明を適用したものであるが、プラズマ型ディ
スプレイパネルなど、タイリング型の表示装置全般に適
用することを妨げるものではない。また、駆動方法も公
知の各種の方法を用いてよい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果がある。 （１）複数の表示パネルの境目上にブラックマトリック
スが位置するようにしたので、境目が目立たない大型デ
ィスプレイを得ることができる。 （２）表示パネル間の境目において、リブ中央で接合す
るようにしたので、ブラックマトリックスで完全に境目
が覆われるようになり、境目のない高品位の大型ディス
プレイを得ることができる。 （３）パネル接合面の割断を、レーザを用いて有機ＥＬ
層の形成前に行うこととしたので、加工精度が高く、か
つ、有機ＥＬ層の劣化も生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図２】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図３】図２の一部を拡大して示す概略の斜視図であ
る。
【図４】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図５】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図６】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図７】タイリング後の表示パネルの様子とブラックマ
トリックスとの重なりの様子を示す概略の斜視図であ
る。
【図８】本発明の実施形態２の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図９】本発明の実施形態２の製造プロセスを示す主要
端面図である。
【図１０】本発明の背景技術における表示パネルを示す
主要端面図である。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴ基板 １２…ＴＦＴ １４，１８…層間絶縁膜 １６Ａ，１６Ｂ…配線 １８Ａ…接続穴 ２０…アノード電極 ２２…リブ ２２Ａ，２２Ｂ…酸化シリコン膜 ２３…アルミニウム層（補助配線） ２４…メタルマスク ２４Ａ…開口部 ２６，２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ…有機ＥＬ層 ２６Ｂａ…ホール注入層 ２６Ｂｂ…ホール輸送層 ２６Ｂｃ…発光層 ２６Ｂｄ…発光層 ２６Ｇａ…ホール注入層 ２６Ｇｂ…ホール輸送層 ２６Ｇｃ…発光層 ２６Ｒａ…ホール注入層 ２６Ｒｂ…ホール輸送層 ２６Ｒｃ…発光層 ２６Ｒｄ…電子輸送層 ２８…カソード電極 ３０…パッシベーション膜 ５０〜５６…表示パネル ５０Ａ，５０Ｂ…端面 ６０…タイリング型表示パネル ６２…ＵＶ硬化樹脂 ６４…ブラックマトリックス ６６…封止用基板 ６８…境目 ７０…タイリング型表示装置 １２２…リブ １２３…補助配線 １６４…ブラックマトリックス １７０…タイリング型表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３６５ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３６５Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ 33/26 33/26 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB17 AB18 BA00 BA06 BB01 CB01 CB02 CC01 DA01 DB03 EA00 EB00 FA02 5C094 AA04 AA06 AA08 AA10 AA14 AA43 AA47 AA48 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA02 DA12 DB01 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 EC02 EC03 ED15 FA01 FB01 FB20 GB10 JA01 5G435 AA02 AA04 AA16 AA17 BB05 CC09 EE11 EE37 FF13 HH12 HH14 KK05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の表示パネルを接合して大画面のデ
    ィスプレイを得るタイリング型表示装置であって、 前記複数の表示パネルに共通に設けた封止用基板と、 該封止用基板上に形成したコントラスト向上のためのブ
    ラックマトリックスと、をそれぞれ備えており、 前記複数の表示パネルの境目上に前記ブラックマトリッ
    クスが位置することを特徴とするタイリング型表示装
    置。
  2. 【請求項２】 前記表示パネルは、基板上に下部電極，
    有機ＥＬ層，上部透明電極が順次積層されており、前記
    有機ＥＬ層から出力された光が前記上部透明電極から取
    り出されることを特徴とする請求項１記載のタイリング
    型表示装置。
  3. 【請求項３】 前記電極及び有機ＥＬ層の劣化を防止す
    るための封止層を更に積層形成したことを特徴とする請
    求項２記載のタイリング型表示装置。
  4. 【請求項４】 前記有機ＥＬ層を囲むようにリブを配置
    し、このリブに前記上部透明電極に電気的に接続する補
    助配線を設け、該補助配線上に前記ブラックマトリック
    スが位置することを特徴とする請求項２記載のタイリン
    グ型表示装置。
  5. 【請求項５】 前記表示パネル間の境目における前記補
    助配線の幅を、他の補助配線の幅の略１／２としたこと
    を特徴とする請求項４記載のタイリング型表示装置。
  6. 【請求項６】 複数の表示パネルを接合して大画面のデ
    ィスプレイを得るタイリング型表示装置の製造方法であ
    って、 前記表示パネルの端面のうち、他の表示パネルと接合す
    る端面側を、リブ外側に沿って割断することを特徴とす
    るタイリング型表示装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 レーザを使用して前記リブ外側を割断す
    ることを特徴とする請求項６記載のタイリング型表示装
    置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記表示パネルが有機ＥＬ層を含んでお
    り、該有機ＥＬ層の形成前に、前記レーザによる割断を
    行うことを特徴とする請求項７記載のタイリング型表示
    装置の製造方法。
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