JP2002368398A

JP2002368398A - プリント配線板およびその製造方法

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Publication number: JP2002368398A
Application number: JP2001169855A
Authority: JP
Inventors: Kazuhito Yamada; 和仁山田; Akiyoshi Mochida; 晶良持田
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-06-05
Filing date: 2001-06-05
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】挟ピッチ化の要請に応じた半田バンプ形成の
歩留まりを向上させること。【解決手段】最外層の導体層を覆うソルダーレジスト
層に開口部を設け、そのソルダーレジスト層の開口部側
壁と導体層表面とで規定される空間内にめっき充填によ
りめっきポストを形成し、そのめっきポスト表面に半田
体を形成してなるプリント配線板およびその製造方法を
提案する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンプ等の半
田体を支持するめっきポストを最外層の導体層に形成し
てなる多層プリント配線板およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層プリント配線板は、例えば、
特開平９−１３００５０号に開示されるような方法で製
造されている。その方法によれば、まずプリント配線板
の内層の回路パターンの表面に無電解めっきやエッチン
グにより、粗化層を形成させ、その後、ロールコーター
や印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層
間導通のためのバイアホール開口部を形成させ、ＵＶ硬
化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、
その層間樹脂絶縁層に、酸や酸化剤などからなる粗化液
による粗化処理を施して粗化面を形成し、その粗化面に
パラジウムなどの触媒を付け、その後、粗化面上に薄い
無電解めっき膜を形成する。次いで、無電解めっき膜上
にドライフィルムにてパターン形成し、電解めっきで厚
付けしたのち、アルカリ液でドライフィルムを剥離除去
し、エッチングして外層の回路パターンを形成する。こ
のような処理を繰り返すことにより、ビルドアップ配線
層を有する多層プリント配線板が得られ、この多層プリ
ント配線板の最も外層の回路パターン上に半田バンプ
や、外部端子としてのＢＧＡおよびＰＧＡが形成されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体チップの
高周波化および高機能化の要請に応じて、配線幅を０．
２μｍ以下とするような超微細配線技術が開発され、半
導体チップと外部との電気的接続を行なうために、半導
体チップ上に配設されるバンプ間距離も、配線幅の微細
化に伴って狭ピッチ化されるようになった。

【０００４】そのようなバンプ間距離の狭ピッチ化に応
じてプリント配線板に設ける導体パッド間距離も狭ピッ
チ化されるようになってきた。しかしながら、そのよう
な挟ピッチ化の要請に応えるべく、半田バンプ形成用の
パッドのサイズ（ソルダーレジスト開口径）を１００μ
ｍ以下に小さくした場合には、半田ペーストをパッド上
に印刷する際に用いるメタルマスクの開口径も小さくな
る。そのために、ソルダーレジストと半田ペーストとの
密着性が悪くなり、半田ペーストの未転写が多くなって
しまう。その結果、電気的接続性や接続信頼性の低下を
招いて、半田バンプ形成の歩留まりが低下するという問
題があった。

【０００５】そこで、本発明は、先行技術の抱える上記
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、半田バンプ形成の歩留まりを向上させ
たプリント配線板を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向けて鋭意研究した結果、ソルダーレジスト開口
内に露出する導体パッド上にめっきポストを形成し、半
導体チップに接続される半田バンプをそのめっきポスト
上に形成するような構成を採用することによって、ソル
ダーレジスト開口径の微細化に起因する半田ペーストの
未転写の問題が解決され、半田バンプ形成歩留まりを向
上させることができることを知見し、以下のような内容
を要旨とする本発明の完成に至った。

【０００７】すなわち、本発明は、（１）最外層の導
体層を覆うソルダーレジスト層に開口部を設け、その開
口部内に露出する導体層上に半田体を供給してなるプリ
ント配線板において、前記ソルダーレジスト層の開口部
側壁と導体層表面とで規定される空間内に、めっきポス
トが形成され、前記半田体はそのめっきポスト上に形成
されていることを特徴とするプリント配線板である。

【０００８】上記多層プリント配線板において、上記め
っきポストは、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔか
ら選ばれる少なくとも一種からなるめっき膜で形成され
ていることが望ましく、特に、無電解Ｃｕめっきまたは
無電解Ｓｎめっきであることが望ましい。

【０００９】また、上記めっきポストの表面には、耐蝕
性皮膜が形成されていることが望ましく、その皮膜は、
Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄから選ばれる少な
くとも一種からなるめっき膜で形成されていることが望
ましい。

【００１０】さらに、上記ソルダーレジスト層の表面と
前記めっきポストの表面または耐蝕性皮膜の表面との段
差は、−５μｍ〜＋５μｍであることが望ましい。

【００１１】また、本発明は、（２）絶縁性基板上に
導体層と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最外層の
導体層を覆ってソルダーレジスト層が設けられ、そのソ
ルダーレジスト層に設けた開口部内に露出する導体層上
に半田体が形成されてなる多層プリント配線板の製造方
法において、前記ソルダーレジスト層に設けた開口内
に、めっき処理によってめっき膜を充填してポストを形
成した後、そのポスト上に半田体を形成することを特徴
とする多層プリント配線板の製造方法である。

【００１２】上記製造方法において、ポストは、Ｃｕ、
Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる少な
くとも一種からなるめっきによって形成されることが望
ましく、特に、無電解銅めっきまたは無電解スズめっき
によって形成されるのが、最も好ましい実施の形態であ
る。

【００１３】上記ポストの上面に、耐蝕性皮膜を形成す
ることが望ましく、その皮膜は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｂ、Ｐｔから選ばれる少なくとも一種からなるめ
っき処理によって形成されることが望ましい。また、上
記ソルダーレジスト層の表面と前記ポストの表面または
耐蝕性皮膜の表面との段差が、−５μｍ〜＋５μｍとな
るように制御されることが望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明のプリント配線板は、ソル
ダーレジスト層の開口部側壁と導体層表面とで規定され
る空間内に、めっきポストが形成され、そのめっきポス
ト上に半田体が形成されていることを特徴とする。

【００１５】上記ソルダーレジスト層は、基板上に設け
た最も外側の導体層を覆って形成され、その厚みは、１
０〜３０μmであることが望ましく、またそのソルダー
レジスト層に設けた開口部の口径は、その開口部に半田
バンプを設ける場合には、５０〜１５０μｍ、BGAまた
はPGAを設ける場合には、３００〜６００μｍであるこ
とが望ましく、バンプピッチがファインになるに従っ
て、開口径も小さく形成される。

【００１６】このような開口部内に露出する導体層表面
に形成されるめっきポストは、ソルダーレジスト層の開
口縁近くまで充填され、その表面がほぼ平坦になるよう
に、無電解めっきによって形成されるのが望ましい。特
に、無電解銅めっきまたは無電解スズめっきを用いるの
が望ましい。その理由は、電気的特性が低下せずかつ経
済的であるからである。

【００１７】また、これらの他に、Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｐｄ，Ｐｔから選ばれるいずれか１種を用いた無電解め
っきによって形成することもできる。

【００１８】上記めっきポストの表面を覆って耐蝕性皮
膜が形成され、その耐蝕性皮膜の表面に半田バンプや、
BGA、PGA等の半田体が形成されることが望ましい。

【００１９】上記耐蝕性皮膜は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Pd、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種のめっき処理
により形成されるのが望ましく、特に、Ｎｉ膜とＡｕ膜
の組み合わせが好ましい。このような耐蝕性皮膜の厚み
は、Ｎｉ膜の場合には２〜５μｍ、Ａｕ膜の場合には、
０．０１〜０．０５μｍの範囲が望ましい。その理由
は、めっき膜を厚くするとコスト高となるため、下層の
めっきポストを形成する銅等の無電解めっき膜が酸化さ
れずに、半田が十分に濡れる程度の厚さを確保できるか
らである。

【００２０】上記ソルダーレジスト層の表面とめっきポ
ストの表面あるいは被膜表面との段差は、−５μｍ〜＋
５μｍであることが望ましく、−２μｍ〜＋２μｍであ
ることがより好ましく、必要によっては、めっきポスト
の表面を研磨することによって平坦化することが好まし
い。その理由は、めっきポスト表面がソルダーレジスト
表面から突出し過ぎる場合には、基板上にメタルマスク
を載置する際に、メタルマスクと基板との間にギャップ
が生じて、半田ペーストの滲みが発生し、逆に、めっき
ポスト表面がソルダーレジスト表面下にへこみ過ぎる場
合には、半田ペーストの未転写の問題が残り、半田バン
プ形成の歩留まりが悪くなるからである。

【００２１】上記耐蝕皮膜上に形成される半田バンプ、
BGA,PGA等の半田体は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ
／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎか
ら選ばれる少なくとも一種の半田から形成されることが
望ましい。すなわち、上記各種半田の中から選ばれる一
種類で形成させてもよいし、２種類以上を混合して用い
てもよい。

【００２２】そのような半田の例を上げると、組成比が
Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７であるスズ／鉛半田、同じくＳ
ｎ：Ｐｂ：Ａｇ＝６２：３６：２であるスズ／鉛／銀半
田、同じくＳｎ：Ａｇ＝９６．５：３．５であるスズ／
銀半田等がある。特に、スズ／鉛半田としては、配合比
がＳｎ：Ｐｂ＝９：１〜４：６の範囲のものを用いるの
が望ましい。

【００２３】半田バンプの形成は、上記導電性ポストの
表面に形成された半田パッド上に円形の開口を有するマ
スクを載置して、印刷法により形成されることが望まし
い。

【００２４】本発明にかかる半田体形成用の半田は、一
般的なプリント配線板の製造で使用されている半田のほ
とんど全ての種類を単独で、あるいは組み合わせて用い
ることができる。

【００２５】上記半田パッド上に形成された半田バンプ
の高さは、５〜５０μｍの範囲となり、高さおよび形状
を均一化することができる。そして最後に、半田バンプ
にリフロー処理を施して硬化させる。

【００２６】そのリフロー条件は、窒素等の不活性ガス
を用いて温度１００〜３００℃の範囲で行われる。リフ
ロー温度は、用いる半田の融点に応じて最適な温度プロ
フィールを設定する。上記リフロー処理によって形成さ
れた半田バンプは、全てがほぼ半球状となり、その高さ
も５〜５０μｍの範囲で均一形成され、ソルダーレジス
ト層は半田ペーストに汚染されることがなくなる。その
後、フラックス洗浄を行なう。

【００２７】

【実施例】（実施例１） (1) 厚さ 0.8ｍｍのガラスエポキシ樹脂（FR4,FR5）、
またはBT(ビスマレイミドートリアジン)樹脂からなる基
板１の両面に、厚さ18μｍの銅箔２がラミネートされて
なる銅張積層板を出発材料とした（第１図(a) 参照）。
まず、この銅張積層板をドリル削孔し、内壁面を有機金
属ナトリウムからなる改質剤で処理して表面の濡れ性を
改善した（第１図(b) 参照）。

【００２８】(2) 次に、パラジウム−スズコロイドを
付着させ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面
に２μｍの無電解めっき膜を形成した。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ｍｌ／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 ｍｇ／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００２９】さらに、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜を形成した（第１図
(c) 参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm^２時間 30分温度室温

【００３０】(3) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅め
っき膜からなる導体層（スルーホール３を含む）を形成
した基板１を、水洗いし、乾燥した後、第二銅錯体と有
機酸とを含有するエッチング液を、スプレーやバブリン
グ等の酸素共存条件で作用させて、導体層の銅を溶解さ
せボイドを形成する処理により、スルーホール３を含む
導体層の全表面に粗化層４を設けた（第１図(d) 参
照）。

【００３１】このようなエッチングによる粗化処理以外
にも、酸化−還元処理や無電解めっきの合金によって粗
化層を設けてもよく、形成される粗化層は、０．１〜５
μｍの範囲にあるものが望ましい。その範囲であれば、
導体回路パターンと層間樹脂絶縁層の剥離が起きにく
く、エッチングで金属層を除去しても残留しにくいから
である。上記第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体が
好ましく、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。

【００３２】上記アゾール類としては、ジアゾール、ト
リアゾール、テトラゾールがよい。中でも、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチレイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール等がよ
い。アゾール類の第二銅錯体の添加量は、１〜１５重量
％がよい。溶解性及び安定性に優れるからである。

【００３３】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。有機酸の具体例
としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、
カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、
グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からな
る群より選ばれる少なくとも１種がよい。有機酸の含有
量は、０．１〜３０重量％がよい。酸化された銅の溶解
性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。発
生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合し
て第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。

【００３４】また、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、０．０１〜２０重量％がよい。形成された
粗化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからであ
る。

【００３５】上記アゾール類の第二銅錯体と有機酸（必
要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解してエッチン
グ液を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、
メック社製、商品名「メックエッチボンド」を使用し
て粗化面を形成することもできる。

【００３６】（4）次に、以下のような樹脂組成物
と硬化剤組成物とを混合させてなる樹脂充填材５を、
スルーホール３にスクリーン印刷によって充填し、乾燥
炉内の温度１００℃で、２０分間乾燥させた。〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのＳｉＯ_２球状粒子（アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは、後述する内層
銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、
レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重
量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23
±１℃で36,000〜49,000cps に調整して得た。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (5) そして、導体層上面の粗化層４およびスルーホー
ル３からはみ出した充填材５を、＃600 のベルト研磨紙
（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除
去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除
くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化した。この
ような一連の研磨を基板の他面についても同様に行った
後、100 ℃で１時間、150℃で１時間の加熱処理を行っ
て樹脂充填剤を完全に硬化した。なお、研磨の際、半硬
化状態にして行っているが、完全に硬化した後に行って
もよい。（第１図(e) 参照）。

【００３７】上記樹脂充填材は、金属粒子、熱硬化性の
樹脂および硬化剤からなるか、あるいは金属粒子および
熱可塑性の樹脂からなることが好ましく、必要に応じて
溶剤を添加してもよい。このような充填材は、金属粒子
が含まれていると、その表面を研磨することにより金属
粒子が露出し、この露出した金属粒子を介してその上に
形成される導体層のめっき膜と一体化するため、ＰＣＴ
（pressure cooker test）のような過酷な高温多湿条件
下でも導体層との界面で剥離が発生しにくくなる。ま
た、この充填材は、壁面に金属膜が形成されたスルーホ
ールに充填されるので、金属イオンのマイグレーション
が発生しない。

【００３８】金属粒子としては、銅、金、銀、アルミニ
ウム、ニッケル、チタン、クロム、すず／鉛、パラジウ
ム、プラチナなどが使用できる。

【００３９】なお、この金属粒子の粒子径は、0.1〜50
μｍがよい。この理由は、 0.1μｍ未満であると、銅表
面が酸化して樹脂に対する濡れ性が悪くなり、一方、50
μｍを超えると、印刷性が悪くなるからである。

【００４０】上記金属粒子の配合量は、全体量に対して
30〜90wt％がよい。この理由は、30wt％より少ないと、
フタめっき（スルーホールからの露出面を覆って形成さ
れる導体層）との密着性が悪くなり、一方、90wt％を超
えると、印刷性が悪化するからである。

【００４１】使用される樹脂としては、ビスフェノール
Ａ型、ビスフェノールＦ型などのエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン（ＢＴ）樹脂、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＰＳ、ＰＥＮ、
ＰＥＳ、ナイロン、アラミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＫＫ、Ｐ
ＥＴなどが使用できる。硬化剤としては、イミダゾール
系、フェノール系、アミン系などの硬化剤が使用でき
る。溶剤としては、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリド
ン）、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）、グリセリン、水、１−又は２−又は３−のシクロ
ヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、
メチルセロソルブアセテート、メタノール、エタノー
ル、ブタノール、プロパノールなどが使用できる。

【００４２】特に、この充填材の最適組成としては、重
量比で６：４〜９：１のCu粉とビスフェノールＦ型の無
溶剤エポキシ（油化シェル製、商品名：Ｅ-807）の混合
物と硬化剤の組合せ、あるいは重量比で８：２：３のCu
粉とＰＰＳとＮＭＰの組合せが好ましい。この充填材
は、非導電性であることが望ましい。非導電性の方が硬
化収縮が小さく、導体層やバイアホールとの剥離が起こ
りにくいからである。

【００４３】(6) 上記(5)で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒（アトテック製）を付与し、常法に従って
無電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電
解銅めっき膜６を形成した（第１図(f) 参照）。無電解
銅めっき膜に代えて、スパッタによる銅またはニッケル
皮膜を形成することもできる。

【００４４】(7) ついで、以下の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、内層
の導体回路となる部分およびスルーホール３に充填され
た充填材５を覆うスルーホール被覆導体層となる部分を
厚付けした。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm^２時間 30分温度室温

【００４５】(8) 内層の導体回路およびスルーホール
被覆導体層となる部分を形成した基板の両面に、市販の
感光性ドライフィルムを張り付け、マスク載置して、10
0 mJ／cm^２で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ15μｍのエッチングレジスト８を形成した（第
２図(a) 参照）。

【００４６】(9) そして、エッチングレジスト８を形
成してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチ
ングレジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した
内層の導体回路９および充填材５を覆うスルーホール被
覆導体層１０（以下、「ふためっき層」と言う）を形成
した（第２図(b) 参照）。

【００４７】(10) 〔樹脂充填剤の調製〕．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310,YL983U）100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍでSi
O₂球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、
最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み以下
とする)170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレ
ノールＳ4) 1.5重量部を３本ロールにて混練して、その
混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整し
た。．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。これらを混合して層内樹脂絶縁材１２を調製
し、その調製した層間樹脂絶縁材１２を、基板の片面に
スクリーン印刷にて塗布することにより、導体回路パタ
ーン９間の隙間や、導体回路パターン９とふためっき層
１０との間の隙間に充填し、70℃, 20分間で乾燥させ、
他方の面についても同様に、樹脂充填材１２を導体回路
パターン９間の隙間や、導体回路パターン９とふためっ
き層との間の隙間に充填し、70℃, 20分間で乾燥させ
た。即ち、この工程により、この層間樹脂絶縁材１２が
内層の導体回路パターン９とふためっき層１０からなる
内層銅パターン相互間の凹部に充填される。

【００４８】(11) 前記(10) の処理を終えた基板の片
面を、＃400 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターンの表面に層
間樹脂絶縁材が残らないように研磨し、次いで、前記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。このようにして、導体回路パターン
９またはふためっき層１０の間に充填された層間樹脂絶
縁材１２の表層部および導体回路パターン９またはふた
めっき層１０上面の粗化層１１を除去して基板両面を平
滑化し、層間樹脂絶縁材１２と導体回路パターン９また
はふためっき層１０の側面とが粗化層１１を介して強固
に密着した基板を得た。即ち、この工程により、層間樹
脂絶縁材１２の表面と内層銅パターンの表面が同一平面
となる。

【００４９】(12) 次に、内層の導体回路パターン９お
よびふためっき層１０の表面に、工程(3)と同様の処理
を施して、厚さ 2.5μｍの粗化層を形成した（第２図
(c) 参照）。

【００５０】(13) 上記(12)の粗化処理を行なった基板
の両面に、層間樹脂絶縁層となるべき、半硬化状態にし
た樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温しなが
ら圧力５ｋｇf／ｃｍ^２で真空圧着ラミネートして貼り
付ける。もしくは、予め粘度を調整し、塗布できる状態
にした樹脂を、ロールコーター、カテーンコーターなど
で塗布して形成してもよい。

【００５１】上記樹脂フィルムは、難溶性樹脂、可溶性
樹脂粒子、硬化剤、その他の成分を含有していることが
望ましい。以下、それぞれについて説明する。上記樹脂
フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可
溶性粒子という）を酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散させてなる接着剤を樹
脂フィルム上に貼付形成したものである。

【００５２】なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶
性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に
同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いもの
を便宜上「可溶性」と言い、相対的に溶解速度の遅いも
のを便宜上「難溶性」と言う。

【００５３】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破
砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、
一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を
有する粗化面を形成することができるからである。上記
可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望
ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる
粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が
０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μ
ｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、よ
り複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密
着性にも優れる。なお、可溶性粒子の粒径とは、可溶性
粒子の一番長い部分の長さのことである。

【００５４】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリエーテルスルフォン、フェノキシ樹
脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが
挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであっても
よいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであって
もよい。

【００５５】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。

【００５６】つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解
する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸
化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的
酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができ
る。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解す
ることができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残
留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩
化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与され
なたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。

【００５７】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００５８】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００５９】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００６０】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００６１】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。

【００６２】これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有し
ているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは
種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持すること
ができるからである。

【００６３】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹
脂、ポリエーテルスルフォン、フェノキシ樹脂等が挙げ
られる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以
上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上
のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前
述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱
性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下において
も、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離など
が起きにくいからである。

【００６４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００６５】上記層間樹脂絶縁層の形成に用いられる樹
脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、難溶性樹脂中
にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗
さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フ
ィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、そ
の上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保するこ
とができるからである。

【００６６】また、粗化面を形成する表層部だけに可溶
性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それに
よって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤に
さらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導
体回路間の絶縁性が確実に保たれる。上記樹脂フィルム
において、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配
合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ま
しい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の
凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があ
り、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可
溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解
してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介
した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因とな
る場合がある。

【００６７】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００６８】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００６９】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り、プリント配線板
の性能を向上させることができる。

【００７０】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００７１】(14) 次いで、炭酸ガスレーザ、エキシマ
レーザ、ＹＡＧレーザ又はＵＶレーザによって、上記(1
1)で形成した樹脂フィルムに対して、直径６０〜８０μ
ｍのバイアホール形成用開口（非貫通孔）１３を設ける
（図２(e)参照）。

【００７２】このようなバイアホール形成用開口１３を
設けた樹脂フィルムを、熱硬化処理により硬化させて層
間樹脂絶縁層を形成する。上記バイアホールは、レーザ
照射によるエリア加工、あるいは、マスクを載置させた
状態でのレーザ照射によるエリア加工によって形成させ
てもよい。又、混在レーザ（炭酸レーザとエキシマレー
ザといった組み合わせを意味する）を用いた加工によっ
て形成してもよい。

【００７３】(15) 次に、上記(14)で形成したバイアホ
ール内のデスミア処理を行なう。このデスミア処理は、
クロム酸又は過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム、
過マンガン酸ナトリウム）から成る酸化剤によって行な
われ、バイアホール用非貫通孔内をクリーニングすると
ともに、非貫通孔内壁を含んだ層間樹脂絶縁層の表面に
粗化層が形成される。

【００７４】(16) 上記(15)の粗化処理を施した層間樹
脂絶縁層表面に、パラジウム触媒を付与した後、以下の
ような条件で無電解めっきを施して、粗化面上に無電解
銅めっき膜１４を形成する（図３(a)参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ：１５０ｇ／ｌ硫酸銅：２０ｇ／ｌＨＣＨＯ：３０ ml／ｌＮａＯＨ：４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル：８０ mg／ｌＰＥＧ：０．１ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００７５】この実施例では、金属膜を無電解銅めっき
膜を形成しているが、スパッタを用いて、銅又はニッケ
ル皮膜を形成することも可能である。また、金属層を形
成する前に、表層にドライ処理として、プラズマ処理、
ＵＶ処理、コロナ処理等を行って表面を改質してもよ
い。

【００７６】(17) 前記(16)で無電解めっき膜１４を形
成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張
り付け、フォトマスクフィルムを載置して、100mJ／cm
^２で露光、 0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μｍのめっきレジスト１６を設けた（図３(b) 参照）。

【００７７】(18) さらに、以下のような条件で電解め
っきを施して、厚さ15μｍの電解めっき膜１５を形成
し、導体回路９の部分の厚付け、およびバイアホール１
７をめっき充填した（図３(c) 参照）。〔電解メッキ水溶液〕硫酸：１５０ g/l 硫酸銅：１６０ g/l レベリング剤：３０ ml/l （ポリオキシエチレン系化合物）光沢剤：０．８ ml/l （スルホン酸アミン系化合物）〔電解メッキ条件〕電流密度：１Ａ/ｄｍ^２時間：７８ min 温度：２３±２ ℃

【００７８】(19) そして、めっきレジスト１６を５％
ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電
解めっき膜１４を硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエ
ッチングにて溶解除去し、無電解銅めっき膜１４と電解
銅めっき膜１５とからなる厚さ16μｍの導体回路パター
ン９ (フィルドビア１７を含む)を形成した（図４(d)参
照）。

【００７９】(20) 上記(19)の工程にて得たバイアホー
ル表面、導体回路パターン表面（いずれも側面を含んだ
全表面）に、エッチング（第二銅錯体と有機酸とを含有
するエッチング液）を施して、それらの表面に粗化層を
形成する。このようなエッチング処理に代わって、無電
解めっき（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ）により、あるいは酸化―還
元処理により粗化層を形成してもよい。

【００８０】(21) 次いで、上記粗化面を形成した基板
上に、上記（13）〜(19)の工程を繰り返すことで、２層
目の層間樹脂絶縁層を形成し、その層間樹脂絶縁層上に
無電解銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなる最外層の
導体回路パターン９と、無電解銅めっき膜及び電解銅め
っき膜によって充填されたバイアホール１７を形成する
（図４(a)参照）。

【００８１】(22) 次いで、ＤＭＤＧに溶解させた60重
量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ
604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学
製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2
ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。

【００８２】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。特に、ソルダーレ
ジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合に
は、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレート」からなり「イミダゾール
硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。

【００８３】(23) 上記(21)で得られた多層回路基板の
両面に、上記(22)で調整したソルダーレジスト組成物を
３０μｍの厚さで塗布する。市販のソルダーレジスト組
成物を用いることもできる。

【００８４】(24) 次いで、８０℃で20分間、１００℃
で30分間の乾燥処理を行った後、直径が１００μｍの円
形パターンが描画された厚さ５mmのフォトマスクフィル
ムを多層回路基板の一方の面に、直径が６００μｍの円
形パターンが描画された厚さ５mmのフォトマスクフィル
ムを多層回路基板の他方の面に密着させて載置し、1000
mJ／cm^２の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。

【００８５】そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１
時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処
理し、多層回路基板の一方の側に口径が１００μｍであ
るような開口部１９ａと、多層回路基板の他方の側に口
径が６００μｍであるような開口部１９ｂとを有するソ
ルダーレジスト層（厚み20μｍ）をそれぞれ形成する。

【００８６】すなわち、多層回路基板は、その最も外側
の樹脂絶縁層上に導体回路パターンおよび導体パッドが
形成され、その導体回路パターンを覆ってソルダーレジ
スト層が形成され、ソルダーレジスト層の導体パッドに
対応した位置には、それぞれ開口部１９ａおよび１９ｂ
が形成される。

【００８７】(25) その後、多層プリント配線板に以下
のような条件で無電解めっきを施して、ソルダーレジス
ト層の開口部１９ａ,１９ｂ内にそれぞれ、厚さ１０〜
１５μｍの無電解銅めっきからなるめっきポスト２０が
充填形成される。（図５(a)参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ：１５０ｇ／ｌ硫酸銅：２０ｇ／ｌＨＣＨＯ：３０ml／ｌＮａＯＨ：４０ｇ／ｌ反応安定剤：５０mg／ｌ〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で７５分

【００８８】(26) 次いで、多層プリント配線板を塩化
ニッケル2.3 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム2.8 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×
10⁻ ^１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッ
ケルめっき液に、２０分間浸漬して、ソルダーレジスト
層の開口部１９ａ，１９ｂ内に形成しためっきポスト２
０の表面に、厚さ５μｍのニッケルめっき膜２１を設け
る。

【００８９】さらにシアン化金カリウム7.6 ×10^−３ｍ
ｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、
クエン酸ナトリウム1.2 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン
酸ナトリウム1.7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金
めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、厚さ５μ
ｍのニッケルめっき膜２１上に厚さ0.03μｍの金めっき
膜２２を形成する。このようなニッケルめっき膜２１上
に金めっき膜２２が形成されたものは耐蝕皮膜として機
能し、半田バンプ２３や、ＢＧＡ、ＰＧＡ等の半田体を
形成するための半田パッドを形成している。

【００９０】上記ニッケル以外の金属としては、パラジ
ウム、チタンなどを用いることができ、また上記金以外
の貴金属としては、銀、白金などを用いることもでき
る。また、貴金属層を２層以上で形成してもよい。表面
処理としてドライ処理、プラズマ、ＵＶ、コロナ処理を
行ってもよい。それにより、アンダーフィルの充填性が
向上させることができるからである。

【００９１】(27) そして、ソルダーレジスト層の開口
部１９ａ，１９ｂから露出する半田パッド上に、以下の
ような組成の半田ペーストを、円錐面形態の開口（ソル
ダーレジスト層側の下部開口径１１０μｍと半田ペース
トが充填される側の上部開口径１０５μｍ）を有し、厚
みが４０μｍのマスクをソルダーレジスト層の表面に密
着させた状態で、スキージを用いて印刷し、２３０℃で
リフローすることにより、基板上面側のバイアホール表
面および導体パッド表面に、半田バンプ２３を１５０μ
ｍピッチで形成し、また、基板下面側のバイアホール表
面および導体パッド表面に半田を介して、１．２７ｍｍ
ピッチで半田ボール（図示を省略した）を形成してなる
多層プリント配線板を製造した（図５(b)参照）。

【００９２】上記はんだバンプ２３を形成するための半
田ペーストは、溶融温度が約１８３℃のＳｎ６３／Ｐｂ
３７半田を用い、その半田成分としての半田の粒子径の
範囲は、５−２０μｍであることが望ましく、１−２０
μｍの範囲であることがより望ましい。また、そのよう
な半田はフラックスによってその粘度（２３℃）が１５
０−３５０Ｐａ・ｓの範囲に調整され、より好ましく
は、２３０−２９０Ｐａ・ｓの粘度に調整される。上記
半田ペーストのスキージによる印刷は、例えば、以下の
条件にて行なわれる。即ち、アディティブ製ノメタルマ
スクと硬度８０°の樹脂製平スキージを角度６０°で、
半田ペースト粘度：２３０Pa・ｓ、スキージ速度：２
０mm／secの条件で印刷する。

【００９３】このような多層回路基板を構成する最も外
側の回路基板のうち、基板上面側の導体パッド上には、
高さ３５μｍの半田バンプを形成した。この多層回路基
板の最も外側の層回路基板に電子部品を載置した状態
で、Ｓｎ／Ｐｂ半田の溶融点近傍の雰囲気内でリフロー
させて、はんだバンプに電子部品のはんだボールを溶融
固着させることによって、多層回路基板と電子部品とを
電気的に接続する。

【００９４】なお、上記実施例では、基板上面側の導体
パッド上にめっきポストを介して半田バンプを設ける共
に、基板下面側の導体パッド上にもめっきポストを介し
て半田ボールを設けたが、半田バンプ側のみにめっきポ
ストを形成した実施の形態にしても良いことは勿論のこ
とである。

【００９５】このような実施形態では、無電解めっきに
よってめっきポストを形成する前に、半田ボールが形成
されるべき基板下面側に予めめっきレジストを形成し
て、半田ボールが形成されるべき導体パッドにめっき形
成されないように開口部を設けないでおく。半田バンプ
が形成されるべき基板上面側の導体パッド上のみに、無
電解めっき処理によってめっきポストを形成した後、基
板下面側に形成しためっきレジストを剥離させ、その
後、無電解Ｎｉめっきおよび無電解Ａｕめっきを順次行
って、半田バンプの表面にＮｉ／Ａｕ膜を形成するとと
もに、半田ボールが形成されるべき導体パッド上にもＮ
ｉ／Ａｕ膜を形成する。

【００９６】また、上記実施例では、基板下面側の導体
パッド上に、マザーボードとの接続用に半田ボール（Ｂ
ＧＡ）を設けたが、その代わりに接続用Ｔピン（ＰＧ
Ａ）を形成することも可能である。

【００９７】（比較例１）ソルダーレジスト層の開口部
内に露出する導体層上に導電性ポストを形成しないで、
Ni膜とAu膜から形成した耐蝕皮膜上に半田ペーストを印
刷して半田バンプを形成した他は、実施例１と同様にし
て、多層プリント配線板を得た。

【００９８】このようにして製造した実施例１および比
較例１の多層プリント配線板について、半田ペースト
印刷時に転写されなかったバンプの割合（未転写バンプ
数）を、光学顕微鏡（×２０倍）によって検査し、印
刷によって形成した半田バンプ内に気泡が存在するかど
うかを、Ｘ線検査機によって観察し、さらに半田バン
プの高さをレーザー測定機によって検査し、ソルダーレ
ジスト表面からの高さのばらつき（μｍ）を算出した。

【００９９】上記の検査に際して、の未転写率は、１
ピース当りのバンプ数が５０００個（１５０μｍピッ
チ）のものを１５０ピースについて検査し、１ピース中
に1ヶ所でも不良個所があれば不良とし、１５０ピース
中の不良ピース数で算出し、のＸ線検査は、３ピース
１５０００個のバンプについて気泡残留率（％）を算出
した。

【０１００】その結果、実施例１のプリント配線板によ
れば、半田ペーストの未転写率は４％、半田バンプ内へ
の気泡残留率は０．２％で、バンプの高さのばらつきも
２μｍ程度であった。

【０１０１】これに対し、比較例１のプリント配線板で
は、半田ペーストの未転写率は１２．７％、半田バンプ
内への気泡残留率は１．５％で、半田バンプの高さのば
らつきも３．６μｍと悪かった。

【０１０２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプリント
配線板によれば、最も外側の導体層を覆うソルダーレジ
スト層に開口を設け、その開口から露出する導体層上
に、導電性のめっきポストを形成し、そのめっきポスト
上に半田バンプ等の半田体が形成されるので、ソルダー
レジスト開口径の微細化に起因する半田ペーストとソル
ダーレジストとの密着力の低下が抑えられる。従って、
従来のような半田ペーストの未転写率を最小限に抑える
ことができ、電気的接続性や接続信頼性も改善されて、
半田バンプ形成の歩留まりを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)〜(f)は、本発明にかかる実施例１によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。

【図２】(a)〜(e)は、本発明にかかる実施例１によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。

【図３】(a)〜(d)は、本発明にかかる実施例１によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。

【図４】(a)〜(b)は、本発明にかかる実施例１によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。

【図５】(a)〜(b)は、本発明にかかる実施例１によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。

【符号の説明】

１基板２銅箔３スルーホール４、１１粗化層５スルーホール充填材６、１４無電解銅めっき膜７、１５電解銅めっき膜８エッチングレジスト９導体回路パターン１０ふためっき層１２層間樹脂絶縁層１３バイアホール形成用開口１６めっきレジスト１７充填バイアホール１８ソルダーレジスト層１９開口部２０導電性ポスト２１ニッケル層２２金層２３半田バンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E319 AC02 AC17 BB04 GG15 5E346 AA12 AA15 AA43 BB16 CC09 CC13 FF15 FF17 GG27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】最外層の導体層を覆うソルダーレジスト
層に開口部を設け、その開口部内に露出する導体層上に
半田体が形成されてなるプリント配線板において、前記ソルダーレジスト層の開口部側壁と導体層表面とで
規定される空間内に、めっきポストが形成され、前記半
田体はそのめっきポスト上に形成されていることを特徴
とするプリント配線板。
【請求項２】前記めっきポストは、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎ
ｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる少なくとも一
種からなるめっき膜で形成されていることを特徴とする
請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】前記めっきポストは、銅めっき膜または
スズめっき膜から形成されていることを特徴とする請求
項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】前記めっきポストの表面には、耐蝕性皮
膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載のプリント配線板。
【請求項５】前記耐蝕性皮膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも一種からなる
めっき膜で形成されていることを特徴とする請求項４に
記載のプリント配線板。
【請求項６】前記ソルダーレジスト層の表面と前記ポ
ストの表面または耐蝕性皮膜の表面との段差は、−５μ
ｍ〜＋５μｍであることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれかに記載のプリント配線板。
【請求項７】絶縁性基板上に導体層と層間樹脂絶縁層
とが交互に設けられ、最外層の導体層を覆ってソルダー
レジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層に設け
た開口部内に露出する導体層上に半田体が形成されてな
るプリント配線板の製造方法において、前記ソルダーレジスト層に設けた開口内に、めっき処理
によってめっき膜を充填してポストを形成し、その後、
前記ポスト上に半田体を形成することを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項８】前記めっきは、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも一種から
なる無電解めっきであることを特徴とする請求項７に記
載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】前記ポストの上面に、耐蝕性皮膜を形成
し、その後、耐蝕性皮膜上に半田体を形成することを特
徴とする請求項７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】前記耐蝕性皮膜は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも一種から
なるめっき処理によって形成されることを特徴とする請
求項９に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】前記ソルダーレジスト層の表面と前記
ポストの表面または耐蝕性皮膜の表面との段差が、−５
μｍ〜＋５μｍとなるように制御されることを特徴とす
る請求項７〜１０のいずれかに記載のプリント配線板。