[go: up one dir, main page]

JP2002368224A - 機能性デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

機能性デバイスおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2002368224A
JP2002368224A JP2001168756A JP2001168756A JP2002368224A JP 2002368224 A JP2002368224 A JP 2002368224A JP 2001168756 A JP2001168756 A JP 2001168756A JP 2001168756 A JP2001168756 A JP 2001168756A JP 2002368224 A JP2002368224 A JP 2002368224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
functional
organic polymer
inorganic heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001168756A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Machida
暁夫 町田
Durham Pal Gosain
パル ゴサイン ダラム
Setsuo Usui
節夫 碓井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001168756A priority Critical patent/JP2002368224A/ja
Priority to KR1020037015840A priority patent/KR100896666B1/ko
Priority to US10/478,888 priority patent/US6953754B2/en
Priority to CNB028112830A priority patent/CN100380681C/zh
Priority to PCT/JP2002/005489 priority patent/WO2002099892A1/ja
Publication of JP2002368224A publication Critical patent/JP2002368224A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
    • H10D30/0314—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral top-gate TFTs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
    • H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0321—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] comprising silicon, e.g. amorphous silicon or polysilicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6731—Top-gate only TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H10D30/6745—Polycrystalline or microcrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6758—Thin-film transistors [TFT] characterised by the insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 亀裂がなく、良好な機能特性を発揮できる機
能性デバイスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】機能層１４は、前駆体層である非晶質シリ
コン層をレーザビームの照射により結晶化して形成され
る。レーザビームを照射すると基板１１まで熱が伝達さ
れ、基板１１は膨張しようとするが、基板１１と機能層
１４との膨張率の差により発生する応力は、基板１１よ
りも熱膨張係数が小さな有機高分子層１２によって遮断
され、機能層１４には亀裂や剥離が発生しない。有機高
分子層１２は、光学的もしくは熱的なプロセスにより変
形して３次元縮重合を起こし高い緻密性と硬度を有する
に至る、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、あるいはこれら
を含む高分子材料により構成されることが好ましい。金
属層や無機耐熱層を、基板１１と機能層１４との間に適
宜挿入すれば、より高強度のレーザを照射することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジス
タ，誘電体キャパシタまたは太陽電池など、機能層を有
する機能性デバイスおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９７６年に水素化アモルファス（非晶
質）シリコンのｐｎ接合が開発されて以来、水素化アモ
ルファスシリコンの研究が盛んに行われている。この水
素化アモルファスシリコンは、水素またはフッ素がシリ
コンよりなるネットワークの末結合手を終端する構造を
有しており、３００℃以下の低温で成膜することができ
る。そのため、安価なガラス基板上に形成することがで
き、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transisto
r）や、太陽電池や、あるいは光センサなどの機能性デ
バイスに応用すべく研究がなされている。
【０００３】しかし、水素化アモルファスシリコンをそ
のまま用いると、ＴＦＴの場合には、０．１〜０．５ｃ
ｍ2 ／Ｖ・ｓ程度の低いキャリア移動度（モビリティ）
しか得ることができず、太陽電池の場合には、多結晶シ
リコンを用いる場合に比べて、ドーピング効率が低下し
てしまったり、シリーズ抵抗の増大により光電変換効率
が劣化してしまうという不都合があった。そこで、近年
では、ガラス基板上に形成したアモルファスシリコンに
エキシマレーザビームなどのエネルギービームを照射し
て結晶化することにより、これらの問題を解決する方法
が研究されている。また、最近では、半導体に限らず、
酸化物についても、エネルギービームの照射により結晶
化を行う研究が始められつつある。
【０００４】ところで、これらの機能性デバイスにおい
て、シリコンあるいは酸化物などよりなる機能層を支持
する基板としては、重量が小さいこと、衝撃に強いこ
と、多少の応力が加えられても破損しない柔軟性を有す
ることなどが要求される。従来は、シリコン基板あるい
はガラス基板などが用いられてきたが、最近では、より
軽量で衝撃に強いポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ；Polyethylene Terephthalate）などの有機材料より
なる基板を用いることが提案されている（特開平８−１
８６２６７号公報，特開平１０−１４４９３０号公報お
よび特開平１０−１４４９３１号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機材
料基板はガラス基板やシリコン基板に比べて熱膨張係数
が大きいので、例えば図９に示したように、エネルギー
ビームとしてレーザビームＬＢを照射して機能層１０３
を結晶化すると、無機耐熱層１０２を介して基板１０１
に伝わった熱により基板１０１が膨張してしまい、機能
層１０３に瞬間的に非常に大きな応力が働いて亀裂が生
じ、著しい場合には剥離も生じてしまうという問題があ
った。この場合、機能層１０３からの熱伝導を抑制する
無機耐熱層１０２を５００ｎｍ以上の膜厚で形成する
と、基板１０１の膨張が抑えられ、機能層１０３の剥離
をある程度までは抑止することができるが、基板１０１
の僅かな変形によっても基板１０１上の無機耐熱層１０
２にクラックが入り、この界面から剥離が生じてしま
う。よって、有機材料基板を用いて機能性デバイスを作
製した場合には、十分な特性および信頼性が得られなか
った。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、亀裂がなく、良好な機能特性を発揮
できる機能性デバイスおよびその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による機能性デバ
イスは、基板の一面側に機能層が設けられたものであっ
て、基板と機能層との間に設けられた１または複数の層
からなる無機耐熱層と、この無機耐熱層と基板との間に
設けられ、基板よりも熱膨張係数が小さな有機高分子層
とを備えたものである。
【０００８】本発明による他の機能性デバイスは、基板
の一面側に機能層が設けられた後に、この基板が除去さ
れたものであって、機能層の一面側に設けられ、基板よ
りも熱膨張係数が小さな有機高分子層と、この有機高分
子層と前記機能層との間に設けられた１または複数の層
からなる無機耐熱層とを備えたものである。
【０００９】本発明による機能性デバイスの製造方法
は、基板の上に機能層が設けられた機能性デバイスを製
造するものであって、基板の上に、この基板よりも熱膨
張係数が小さな有機高分子層を形成する工程と、この有
機高分子層の上に１または複数の層からなる無機耐熱層
を形成する工程と、この無機耐熱層の上に機能層を形成
する工程とを含むものである。
【００１０】本発明による機能性デバイスおよびその製
造方法では、基板と機能層との間の、基板よりも熱膨張
係数が小さな有機高分子層により、基板が熱膨張して生
じる応力が遮断され、機能層に亀裂や剥離が発生するこ
とが防止される。
【００１１】本発明による他の機能性デバイスでは、基
板よりも熱膨張係数が小さな有機高分子層を備えている
ので、熱膨張係数の差によって機能層に亀裂が生じるこ
とが防止される。
【００１２】更に、本発明による機能性デバイスおよび
その製造方法では、基板の機能層が設けられた面とは反
対側の面に、基板の熱変形に伴って生ずる反りを抑制す
るために反り抑制層を設けることが好ましい。反り抑制
層としては、有機高分子材料により形成された高分子層
と、１または２以上の層からなる無機耐熱層との複合層
としてもよく、あるいは有機高分子材料により形成され
た高分子層のみにより構成するようにしてもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０の断面構成
を表すものである。この薄膜トランジスタ１０は、例え
ば、基板１１の上に、有機高分子層１２および無機耐熱
層１３がこの順に形成されている。なお、無機耐熱層１
３、有機高分子層１２および基板１１の各膜厚はこの順
に厚くしてある。無機耐熱層１３の上に機能層１４とし
てのチャネル領域１４ａ，ソース領域１４ｂおよびドレ
イン領域１４ｃが形成されている。ソース領域１４ｂお
よびドレイン領域１４ｃは、互いに離間しかつチャネル
領域１４ａに隣接してそれぞれ設けられている。チャネ
ル領域１４ａの上には絶縁膜１５を介してゲート電極１
６が形成されており、ソース領域１４ｂにはソース電極
１７が電気的に接続され、ドレイン領域１４ｃにはドレ
イン電極１８が電気的に接続されている。
【００１５】基板１１は、例えば、有機材料により構成
されている。基板１１を構成する有機材料としては、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ポリエチレンナ
フタレートあるいはポリカーボネートなどのポリエステ
ル類、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、ポリフ
ェニリンスルフィドなどのポリフェニリンスルフィド
類、ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリエーテル
ケトン類またはポリイミド類、アクリル系樹脂、ＰＭＭ
Ａ（ポリメタクリル酸メチル）などの高分子材料が好ま
しく、特に、ポリエチレンテレフタレート，アセテー
ト，ポリフェニリンスルフィド，ポリカーボネート，Ｐ
ＥＳ（ポリエーテルサルフォン），ポリスチレン，ナイ
ロン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，アクリル系樹
脂、ＰＭＭＡなどの汎用的なプラスチック基板は好適に
用いることができる。
【００１６】基板１１の厚さは薄い方が好ましく、例え
ば２００μｍ程度となっている。デバイスに柔軟性を付
与すると共に、デバイスを小型化するためである。
【００１７】有機高分子層１２は、例えば、厚さが１０
μｍ程度であり、基板１１よりも熱膨張係数が小さな有
機材料により構成されている。例えば、基板１１として
プラスチック基板が用いられる場合には、プラスチック
基板に対して所謂ハードコーティング材料といわれるよ
うな、比較的高温の２００℃まである程度の硬化を維持
し、高い緻密性と大きい硬度を有するものが好ましい。
このようなコーティング材料としては、光学的もしくは
熱的なプロセスにより変形して生じる３次元縮重合によ
って結合している、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ある
いはこれらを含む高分子材料が挙げられる。
【００１８】アクリル樹脂を含むコーティング材料とし
ては、アクリル樹脂系の高分子材料もしくはアクリル系
樹脂と他の樹脂を含むような複合高分子系プラスチック
材料が挙げられる。このようなコーティング材料とし
て、例えば、各種の多官能性アクリレート化合物、例え
ばエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノ
ール−Ａジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロ
パントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
トリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストール等
や、或いは2,2-ビス（４´−ヒドロキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパンまたはそのアルキレングリコールエ
ーテルとイソシアナートアルキル（メタ）アクリレート
とを反応させることによって製造する二官能性アクリレ
ート化合物等などが好適に使われる。このとき共重合さ
せられるコモノマーの種類は用途分野により異なり、共
重合可能なモノマーはすべて使用できる。
【００１９】これらのコーティング材料は通常、約１０
０〜１０００の分子量をもち単一の不飽和または二、三
もしくはそれ以上の多不飽和部位を有するモノマーから
なる。コーティング材料の組成は、９９〜１００重量パ
ーセントが反応性成分と固体材料から成っているとよ
く、９９．９〜１００重量パーセントが反応性成分およ
び固体材料から成っていると更によく、１００重量パー
セントが反応性成分および固体材料から成っていると最
もよい。固体材料としてはポリマー性物質やコロイダル
シリカのような非揮発性の固体材料がある。適切なポリ
マー材料としてはセルロースアセテートブチレートがあ
る。また、これらのコーティング材料としては、紫外線
に露出されると１００％が固形分に変換できるものが好
ましい。これらの材料には、光照射による、コーティン
グ材料の硬化を可能にするために必要な量の光開始剤を
含有させてある。なお、レゾルシノールモノベンゾエー
トのような潜在性紫外線遮断材を一定量含有していても
よい。
【００２０】一方、エポキシ樹脂を含むコーティング材
料としては、有機ケイ素化合物およびその加水分解物の
エポキシシランと総称される物質ならびに、その加水分
解物からなるものが挙げられる。このようなコーティン
グ材料として、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシエト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリアセトキシ
シラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロ
ヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β−（３、４−
エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシエトキシ
シラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジ
メトキシメチルシラン、γ−グリシドキシプロピルジエ
トキシメチルシラン、γ−グリシドキシプロピルジメト
キシエトキシメチルシラン、γ−グリシドキシプロピル
ジアセトキシメチルシラン、β−（３、４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルジメトキシメチルシラン、β−
（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルジエトキシ
メチルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルジメトキシエトキシメチルシラン、β−
（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルジアセトキ
シメチルシラン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシ
エチルシラン、γ−グリシドキシプロピルジエトキシエ
チルシラン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシエト
キシエチルシラン、γ−グリシドキシプロピルジアセト
キシエチルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルジメトキシエチルシラン、β−（３、４−
エポキシシクロヘキシル）エチルジエトキシエチルシラ
ン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルジ
メトキシエトキシエチルシラン、β−（３、４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルジアセトキシエチルシラン、
γ−グリシドキシプロピルジメトキシイソプロピルシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルジエトキシイソプロピル
シラン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシエトキシ
イソプロピルシラン、γ−グリシドキシプロピルジアセ
トキシイソプロピルシラン、β−（３、４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルジエトキシイソプロピルシラン、
β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルジエト
キシイソプロピルシラン、β−（３、４−エポキシシク
ロヘキシル）エチルジメトキシエトキシイソプロピルシ
ラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチル
ジアセトキシイソプロピルシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメトキシジメチルシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルエトキシジメチルシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメトキシエトキシジメチルシラン、γ−グリシドキシ
プロピルアセトキシジメチルシラン、β−（３、４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルメトキシジメチルシラ
ン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルエ
トキシジメチルシラン、β−（３、４−エポキシシクロ
ヘキシル）エチルメトキシエトキシジメチルシラン、β
−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルアセトキ
シジメチルシラン、γ−グリシドキシプロピルメトキシ
ジエチルシラン、γ−グリシドキシプロピルエトキシジ
エチルシラン、γ−グリシドキシプロピルメトキシエト
キシジエチルシラン、γ−グリシドキシプロピルアセト
キシジエチルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルメトキシジエチルシラン、β−（３、４
−エポキシシクロヘキシル）エチルエトキシジエチルシ
ラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチル
メトキシエトキシジエチルシラン、β−（３、４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルアセトキシジエチルシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメトキシジイソプロピル
シラン、γ−グリシドキシプロピルエトキシジイソプロ
ピルシラン、γ−グリシドキシプロピルメトキシエトキ
シジイソプロピルシラン、γ−グリシドキシプロピルア
セトキシジイソプロピルシラン、β−（３、４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルメトキシジイソプロピルシラ
ン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルエ
トキシジイソプロピルシラン、β−（３、４−エポキシ
シクロヘキシル）エチルメトキシエトキシジイソプロピ
ルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エ
チルアセトキシジイソプロピルシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメトキシエトキシメチルシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルアセトキシメトキシメチルシラン、γ−
グリシドキシプロピルアセトキシエトキシメチルシラ
ン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルメ
トキシエトキシメチルシラン、β−（３、４−エポキシ
シクロヘキシル）エチルメトキシアセトキシメチルシラ
ン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルエ
トキシアセトキシメチルシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメトキシエトキシエチルシラン、γ−グリシドキシ
プロピルアセトキシメトキシエチルシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルアセトキシエトキシエチルシラン、β−
（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルメトキシエ
トキシエチルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルメトキシアセトキシエチルシラン、β−
（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルエトキシア
セトキシエチルシラン、γ−グリシドキシプロピルメト
キシエトキシイソプロピルシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルアセトキシメトキシイソプロピルシラン、γ−グ
リシドキシプロピルアセトキシエトキシイソプロピルシ
ラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチル
メトキシエトキシイソプロピルシラン、β−（３、４−
エポキシシクロヘキシル）エチルメトキシアセトキシイ
ソプロピルシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルエトキシアセトキシイソプロピルシラン、
グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシ
メチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルト
リメトキシシラン、α−グリシドキシメチルトリメトキ
シシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラ
ン、β−グリシドキシメチルトリメトキシシラン、α−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
プロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシ
シラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、
α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリ
シドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシ
ブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキ
シシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル
トリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）メチルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプトキ
シシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリフェノキシシラン、γ−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエト
キシシラン、δ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）
ブチルトリメトキシシラン、δ−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）ブチルトリエトキシシラン、グリシドキ
シメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチル
メチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチ
ルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジ
エトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメト
キシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジエトキシ
シラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシ
ラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、β−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジプロポキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン
等が挙げられる。
【００２１】これらのコーティング材料は、１種で使用
してもよいが、目的に応じて２種以上を混合して使用し
てもよい。これらコーティング材料は、他のシラン化合
物と混合して使用することも可能である。例えば、メチ
ルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシエト
キシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、アメノメチルトリメトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、フエニルトリメトキシシラン、フエニ
ルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、３、３、３−トリフルオロプロピルトリメトキシシ
ランなどの各種トリアルコキシシラン、トリアシロキシ
シランあるいはトリアルコキシアルコキシシラン化合
物、ジメチルジメトキシシラン、ジフエニルジメトキシ
シラン、メチルフエニルジメトキシシラン、メチルビニ
ルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどの
ジアルコキシシラン化合物、メチルシリケート、エチル
シリケート、イソプロピルシリケート、ｎ−プロピルシ
リケート、ｎ−ブチルシリケート、ｔ−ブチルシリケー
ト、ｓｅｃ−ブチルシリケートなど４官能のシラン化合
物などが挙げられる。
【００２２】以上、所謂ハードコーティング材料といわ
れるような、３次元的な縮重合による結合により高い緻
密性と高い高度をもつようなアクリル系樹脂の高分子材
料、またはアクリル系樹脂と他の樹脂を含むような複合
高分子系プラスチック材料や、有機ケイ素化合物および
その加水分解物のエポキシ系樹脂ならびに、その加水分
解物からなるハードコーティング材料は無数に存在し、
前述の材料群が一例に過ぎないことはいうまでもない。
【００２３】有機高分子層１２の形成方法としては、上
述したアクリル樹脂、エポキシ樹脂、あるいはこれらを
含む高分子材料に、必要に応じてフィラー、水あるいは
有機溶媒を混合し、これをペイントシェーカー、サンド
ミル、パールミル、ボールミル、アトライター、ロール
ミル、高速インペラー分散機、ジェットミル、高速衝撃
ミル、超音波分散機等によって分散し、コーティング材
料とする。
【００２４】次に、このコーティング材料を、エアドク
ターコーティング法、ブレードコーティング法、ナイフ
コーティング法、リバースコーティング法、トランスフ
ァロールコーティング、グラビアロールコーティング、
キスコーティング、キャストコーティング法、スプレー
コーティング法、スロットオリフィスコーティング法、
カレンダーコーティング法、電着コーティング法、ディ
ップコーティング法、ダイコーティング法等のコーティ
ング法や、フレキソ印刷法等の凸版印刷法、ダイレクト
グラビア印刷法やオフセットグラビア印刷法等の凹版印
刷法、オフセット印刷法等の平板印刷法、スクリーン印
刷法等の孔版印刷法などの印刷手法を用いて、基板１１
の片面または両面上に単層もしくは多層に分けて塗付す
る。なお、コーティング材料が溶媒を含んでいる場合
は、塗付後に熱乾燥を行う。続いて、加熱、あるいはエ
ネルギービーム、例えば紫外線ランプにより紫外線を照
射することにより、基板上に塗付されたコーティング材
料を硬化させる。なお、このエネルギービームとして紫
外線を用いる場合は、光重合開始剤が必要である。
【００２５】無機耐熱層１３は、例えば、厚さが３００
ｎｍ程度であり、機能層１４よりも熱伝導率が低く、有
機高分子層１２よりも熱膨張係数が小さな材料で構成さ
れている。ここでは、酸化物、例えば酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏx ）、窒化物、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮx ）、ある
いは酸化窒化物、例えば酸化窒化ケイ素（ＳｉＯ
x Ｎ y ）などにより構成されており、これらの多層構造
としてもよい。また、無機炭化物、例えば炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）や炭素材料、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライ
ク・カーボン）などを用いてもよい。
【００２６】なお、上述したように、無機耐熱層１３、
有機高分子層１２および基板１１の熱膨張係数は、この
順で大きくなっている。
【００２７】チャネル領域１４ａ，ソース領域１４ｂお
よびドレイン領域１４ｃは、例えば、多結晶シリコンに
よりそれぞれ構成されており、高いキャリア移動度を得
ることができるようになっている。なお、多結晶には、
特願平９−３０５５２号明細書において説明されている
いわゆる準単結晶も含まれる。ちなみに、この準単結晶
というのは、ほぼ単結晶の複数の結晶粒からなると共
に、各結晶粒は一面方位に優先配向しており、互いに隣
接する各結晶粒は少なくともその粒界の一部で互いにほ
ぼ格子整合しているものを言う。
【００２８】また、ソース領域１４ｂおよびドレイン領
域１４ｃには、例えば、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が
それぞれ添加されている。チャネル領域１４ａ，ソース
領域１４ｂおよびドレイン領域１４ｃの厚さは、例え
ば、各々３０ｎｍ程度とされている。絶縁膜１５は例え
ば酸化ケイ素により構成されており、ゲート電極１６，
ソース電極１７およびドレイン電極１８は例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）によりそれぞれ構成されている。
【００２９】次に、図２（Ａ）〜（Ｃ）を参照して上記
薄膜トランジスタ１０の製造方法について説明する。
【００３０】まず、図２（Ａ）に示したように、基板１
１の上に、アクリル樹脂を含む高分子材料、例えばジペ
ンタエリストールをペイントシェーカーによって分散
し、コーティング材料としたものを、エアドクターコー
ティング法により塗付する。次に、加熱、あるいはエネ
ルギービーム、例えば光重合開始剤を用いて紫外線ラン
プにより紫外線を照射し、基板上に塗付されたコーティ
ング材料を硬化させることにより、有機高分子層１２を
形成する。次いで、例えば、有機高分子層１２を形成し
た基板１１を所定形状に打ち抜き、洗浄したのち、乾燥
させる。続いて、例えば、リアクティブスパッタ法によ
り、有機高分子層１２の上に無機耐熱層１３を形成す
る。そののち、例えば、スパッタ法により、無機耐熱層
１３の上に機能層１４の前駆体層としてアモルファスシ
リコン層２１を形成する。
【００３１】アモルファスシリコン層２１を形成したの
ち、例えば、図２（Ｂ）に示したように、アモルファス
シリコン層２１の上に、ソース領域１４ｂおよびドレイ
ン領域１４ｃとなる領域にそれぞれ対応して開口を設け
たフォトレジスト膜２２を形成する。そののち、例え
ば、フォトレジスト膜２２をマスクとしてアモルファス
シリコン層２１をホスフィン（ＰＨ3 ）の電離気体含有
雰囲気中に曝し、ソース領域１４ｂおよびドレイン領域
１４ｃとなる領域にリンを添加する。リンを添加したの
ち、フォトレジスト膜２２を除去する。
【００３２】フォトレジスト膜２２を除去したのち、例
えば、図２（Ｃ）に示したように、窒素ガス（Ｎ2 ）雰
囲気中においてアモルファスシリコン層２１にレーザビ
ームＬＢを照射して加熱する。これにより、アモルファ
スシリコン層２１は結晶化し、機能層１４すなわちチャ
ネル領域１４ａ，ソース領域１４ｂおよびドレイン領域
１４ｃが形成される。その際、レーザビームＬＢとして
は、エキシマレーザビームを用いることが好ましい。波
長は、ＸｅＦの３５０ｎｍ，ＸｅＣｌの３０８ｎｍ，Ｋ
ｒＦの２４８ｎｍあるいはＡｒＦの１９３ｎｍなどのい
ずれでもよい。エネルギー密度は、エキシマレーザビー
ムなどの短波長レーザビームを用いる場合には、８０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 以上とすることが好ましい。アモルファスシ
リコン層２１を十分に加熱することができ、良好な結晶
性を有する機能層１４を得ることができるからである。
【００３３】なお、レーザビームＬＢの照射によりアモ
ルファスシリコン層２１すなわち機能層１４において発
生した熱は、基板１１の方に拡散しようとする。但し、
ここでは、機能層１１と基板１１との間に熱伝導率の低
い無機耐熱層１３が設けられているので、この無機耐熱
層１３により基板１１への熱伝達が抑制される。
【００３４】また、無機耐熱層１３を介して伝達された
熱により基板が熱膨張して応力が生じるが、無機耐熱層
１３と基板１１との間に基板１１より熱膨張係数が小さ
な有機高分子層１２が設けられているのでその応力は遮
断される。しかも、有機高分子の上に設けられている無
機耐熱層１３は、有機高分子層１２よりも熱膨張係数が
小さいので、更にその応力は減じられることになる。こ
れにより、機能層１４に亀裂が生じたり、機能層１４が
剥離することが防止される。
【００３５】機能層１４を形成したのち、図１に示した
ように、例えばリアクティブスパッタ法により機能層１
４の上に絶縁膜１５を形成する。この絶縁膜１５にソー
ス・ドレインに対するコンタクトホールを形成したの
ち、例えば蒸着法によりゲート電極１６，ソース電極１
７およびドレイン電極１８をそれぞれ形成する。
【００３６】このように本実施の形態では、基板１１と
機能層１４との間に有機高分子層１２を形成するように
したので、機能層１４を形成する際にレーザビームＬＢ
を照射しても、基板１１の熱膨張により生じる応力を有
機高分子層１２が遮断するので、機能層１４に亀裂や剥
離が発生することを防止することができる。よって、有
機材料よりなる基板１１の上に、良好な多結晶シリコン
よりなる機能層１４を歩留り良く形成することができ
る。
【００３７】更に、本実施の形態では、無機耐熱層１
３、有機高分子層１２および基板１１の各膜厚はこの順
に厚くしてある。特に、無機耐熱層１３はできるだけ薄
く、有機高分子層１２は無機耐熱層１３よりは厚いが基
板１１より薄い構造としたので、可撓性を損なわずに衝
撃に強い構造となっている。以上により、軽量で衝撃に
強く、かつ優れた特性を有する薄膜トランジスタ１０を
得ることができる。
【００３８】なお、上記実施の形態では、基板１１の側
からチャネル領域１４ａ，絶縁膜１５およびゲート電極
１６をこの順に設けた薄膜トランジスタ１０について説
明したが、図３の薄膜トランジスタ１０Ａに示したよう
に、基板１１の側からゲート電極１６，絶縁膜１５およ
びチャネル領域１４ａをこの順に設けるようにしてもよ
く、この場合も上記実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
【００３９】（第２の実施の形態）図４は、本発明の第
２の実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０Ｂの断面構
成を表すものである。この薄膜トランジスタ１０Ｂは、
例えば、基板６１と機能層６６との間に無機耐熱層６
４，有機高分子層６２，金属層６５，無機耐熱層６３が
順に積層されている。ここで、無機耐熱層６３は第１の
実施の形態と同じく有機高分子層６２の上面に設けられ
るのに対し、無機耐熱層６４はその下面に設けられてい
る。無機耐熱層６３，６４は、例えば同様の材料で形成
されている。また、機能層６６は、チャネル領域６６
ａ，ソース領域６６ｂおよびドレイン領域６６ｃを備え
ている。チャネル領域６６ａの上には絶縁膜６７を介し
てゲート電極６８が形成されており、ソース領域６６ｂ
にはソース電極６９が電気的に接続され、ドレイン領域
６６ｃにはドレイン電極７０が電気的に接続されてい
る。このような機能層６６と各電極６８〜７０、および
隣り合う機能層６６は、層間絶縁膜７１を介して互いに
電気的絶縁性を保っている。
【００４０】ここで、基板６１，有機高分子層６２，無
機耐熱層６３，６４は、第１の実施の形態における基板
１１，有機高分子層１２，無機耐熱層１３に対応してい
るので、その詳細な説明は省略する。
【００４１】金属層６５は、例えば、熱伝導性の良好な
金属により構成されている。金属層６５を構成する金属
材料としては、例えばＡｌが好適に用いられ、その他に
もＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等を
用いることができる。なお、金属層６５もまた、前述の
無機耐熱層６３，６４のように２層以上の多層構造とし
てもよい。また、有機高分子層６２の上に複数設けられ
た無機耐熱層６３の層間に複数の金属層６５が適宜挿入
されていてもよい。
【００４２】なお、無機耐熱層６４および金属層６５
は、どちらか一方を設けるようにすることもできる。
【００４３】機能層６６およびチャネル領域６６ａ〜ド
レイン領域６６ｃは、第１の実施の形態における機能層
１４およびチャネル領域１４ａ〜ドレイン領域１４ｃに
対応している。また、絶縁膜６７，ゲート電極６８，ソ
ース電極６９，およびドレイン電極７０についても第１
の実施の形態における絶縁膜１５，ゲート電極１６，ソ
ース電極１７およびドレイン電極１８に対応している。
これらに加え、本実施の形態においては、隣り合う電極
６８〜７０の間、および、互いに隣り合う機能層６６の
間の電気的絶縁性を保つために、図４に示したように層
間絶縁膜７１が設けられる。層間絶縁膜７１は、例え
ば、酸化ケイ素またはポリイミド等の樹脂材料により構
成される。
【００４４】このような構成を有する薄膜トランジスタ
１０Ｂは、第１の実施の形態に準じた次のような方法に
より製造することができる。
【００４５】まず、基板６１の上に、無機耐熱層１３と
同様にして無機耐熱層６４を形成し、有機高分子層１２
と同様にして有機高分子層６２を形成する。続いて、有
機高分子層６２の上に、例えば、ＤＣスパッタ法により
金属層６５を形成する。さらに無機耐熱層６３，機能層
６６を、それぞれ無機耐熱層１３，機能層１４と同様に
して形成する。
【００４６】なお、レーザビームＬＢの照射により機能
層６６において発生した熱は、基板６１の方に拡散しよ
うとするが、ここでは、機能層６６と基板６１との間に
熱伝導率の低い無機耐熱層６３，６４が設けられている
ので、この無機耐熱層６３，６４により基板６１への熱
伝達は二重に抑制される。更に、本実施の形態では、有
機高分子層６２と無機耐熱層６３との間には熱伝導率の
高い金属層６５が設けられているので、無機耐熱層６
３，６４に蓄積された熱がここから放散される。
【００４７】機能層６６を形成した後は、公知の方法に
より、チャネル領域６６ａ上に絶縁膜６７，ゲート電極
６８を形成する。そののち、例えば層間絶縁膜７１を一
面に形成し、これにコンタクトホールを形成する。最後
に、ソース電極６９およびドレイン電極７０をそれぞれ
形成する。これにより、図４に示した薄膜トランジスタ
１０Ａが得られる。
【００４８】このように本実施の形態では、機能層６６
と基板６１との間に熱伝導率の低い無機耐熱層６３，６
４が設けられているので、基板６１への熱伝達が二重に
抑制され、基板６１の熱膨張を確実に防止することがで
きる。さらに、有機高分子層６２と無機耐熱層６３との
間には熱伝導率の高い金属層６５が設けられているの
で、無機耐熱層６３，６４に蓄積された熱がここから放
散され、基板６１への熱伝達を防ぐことができる。この
ように、基板６１の熱膨張をより強く抑えることによ
り、第１の実施の形態と同様の効果をより大きくするこ
とができる。換言すると、より高いエネルギー密度のエ
ネルギービームによる加熱が可能となる。
【００４９】（第３の実施の形態）図５は、本発明の第
２の実施の形態に係る誘電体キャパシタ３０の断面構成
を表すものである。この誘電体キャパシタ３０は、第１
の実施の形態の薄膜トランジスタ１０と同様に、基板１
１，有機高分子層１２および無機耐熱層１３をそれぞれ
備えている。よって、これら第１の実施の形態と同一の
構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略
する。
【００５０】無機耐熱層１３の上には、例えば、インジ
ウム・スズ酸化物（ＩＴＯ；IndiumTin Oxide）よりな
る下部電極３１，機能層である誘電体層３２およびＩＴ
Ｏよりなる上部電極３３が無機耐熱層１３の側からこの
順に積層されている。誘電体層３２は、例えば、多結晶
状であり、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ）とジルコン酸鉛
（ＰｂＺｒＯ3 ）との固溶体（ＰＺＴ）、チタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ3 ）、あるいはビスマス（Ｂｉ）を含
有する層状構造酸化物などの強誘電体材料を含んでい
る。なお、これら強誘電体材料は化学量論組成でなくて
もよい。
【００５１】次に、図５を参照して、このような構成を
有する誘電体キャパシタ３０の製造方法を説明する。
【００５２】まず、第１の実施の形態と同様にして、基
板１１の上に、有機高分子層１２および無機耐熱層１３
を順次形成する。次いで、無機耐熱層１３の上に、例え
ばスパッタ法により下部電極３１を形成したのち、この
下部電極３１の上に、例えばスパッタ法により、誘電体
層３２の前駆体層として図示しない主にアモルファス状
態の酸化物層を形成する。続いて、図示しない酸化物層
の上に、例えばスパッタ法により上部電極３３を形成す
る。
【００５３】そののち、例えば、窒素ガス雰囲気中にお
いて上部電極３３の側からレーザビームを照射して図示
しない酸化物層を加熱し、結晶化させて誘電体層３２を
形成する。レーザビームの条件は、第１の実施の形態と
同様である。また、その際、本実施の形態においても、
第１の実施の形態において説明したように、無機耐熱層
１３により基板１１への熱伝達が抑制されると共に、有
機高分子層１２により基板１１の熱膨張によって発生す
る応力が遮断され、誘電体層３２における亀裂や剥離の
発生が防止される。
【００５４】このように本実施の形態でも、基板１１と
誘電体層３２との間に有機高分子層１２を形成するよう
にしたので、第１の実施の形態と同様に、誘電体層３２
における亀裂および剥離の発生を防止することができ、
有機材料よりなる基板１１の上に良好な誘電体膜３２を
歩留り良く形成することができる。よって、軽量で衝撃
に強く、かつ優れた特性を有する誘電体キャパシタ３０
を得ることができる。
【００５５】（第４の実施の形態）図６は、本発明の第
４の実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０Ｃの断面構
成を表すものである。本実施の形態では、第１の実施の
形態における薄膜トランジスタ１０の基板１１の裏面側
に、熱膨張に伴う基板１１の反りを抑制するための反り
抑制層８１を設けたものである。なお、第１の実施の形
態と同一構成部分については同一符号を付してその説明
を省略し、異なる点のみについて説明する。
【００５６】本実施の形態において、反り抑制層８１
は、有機高分子材料により形成された高分子層８１Ａ
と、１または２以上の層からなる無機耐熱層８１Ｂとの
複合層により構成されている。
【００５７】高分子層８１Ａは、前述した有機高分子層
１２と同じ高分子材料で、同じ厚さに形成することが望
ましい。また、無機耐熱層８１Ｂについても前述した無
機耐熱層１３とと同様に、酸化物，窒化物および酸化窒
化物からなる群のうちの少なくとも１種を含む材料で、
同じ厚さに形成することが望ましい。勿論、高分子層８
１Ａおよび無機耐熱層８１Ｂのいずれについても、前述
の材料であれば、有機高分子層１２や無機耐熱層１３と
異なる材料としてもよい。
【００５８】ここで、重要なことは、その後の機能層作
製工程において、反り抑制層８１により、熱応力による
基板１１の反りの発生を抑制することであるので、以下
の条件を満たす必要がある。すなわち、基板１１の裏面
に反り抑制層８１、基板１１の表面に有機高分子層１２
および無機耐熱層１３を形成した時点での、室温から１
５０°Ｃまでの間の熱的な変位率、また、その後基板１
１の表面に機能層１４を形成した時点での、同じく室温
から１５０°Ｃまでの間の熱的な変位率を、それぞれ５
％以内とするものである。熱的な変位率がそれぞれ５％
以内であれば、その後の各プロセスにおいて問題なく目
的を達成することができるからである。
【００５９】熱的な変位率は、本明細書においては、
「基板の一端を基準面に固定したときの各温度での最大
の反りをａ、そのときの基板の最大長をｂとしたとき
に、（ａ／ｂ）×１００で算出した値」とする。なお、
１５０°Ｃとしたのは、基板１１がプラスチック材料で
形成されている場合には、この温度がプロセス上の上限
であるからである。
【００６０】本実施の形態の薄膜トランジスタ１０Ｃ
は、第１の実施の形態で説明した基板１１の上に有機高
分子層１２および無機耐熱層１３を形成する工程（図２
（Ａ）参照）において、裏面にも同じものを同時に形成
すれば、反り抑制層８１を形成することができる。その
後、アモルファスシリコン層２１および機能層１４を形
成を形成し、レーザビームＬＢを照射する等の工程は、
第１の実施の形態と同様である。
【００６１】本実施の形態では、上記のように構成した
ことにより、第１の実施の形態の効果に加え、基板１１
および機能層１４などの層間の熱膨張係数の相違に基づ
く基板１１の反り（弯曲）を更に抑制することができる
という効果が得られる。なお、本実施の形態では、反り
抑制層８１を高分子層８１Ａおよび無機耐熱層８１Ｂか
らなるものとしたが、無機耐熱層８１Ｂは省略して高分
子層８１Ａのみで構成するようにしてもよい。
【００６２】（第５の実施の形態）図７は、本発明の第
５の実施の形態に係る太陽電池４０の断面構成を表すも
のである。この太陽電池４０は、第１の実施の形態の薄
膜トランジスタ１０と同様に、基板１１，有機高分子層
１２および無機耐熱層１３をそれぞれ備えている。よっ
て、これら第１の実施の形態と同一の構成要素には同一
の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０６３】無機耐熱層１３の上には、例えば、多結晶シ
リコンよりなる機能層４１が形成されている。機能層４
１は、例えば、ｐ型領域４１ａと、このｐ型領域４１ａ
の上側に隣接して設けられたｎ+ 型領域４１ｂと、ｐ型
領域４１ａの上側に隣接しかつｎ+ 型領域４１ｂと離間
して設けられたｐ+ 型領域４１ｃとを有している。ｐ型
領域４１ａは、例えば、厚さが１μｍ〜４９μｍ程度で
あり、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を１×１０15〜１
×１０18原子／ｃｍ3 含んでいる。ｎ+ 型領域４１ｂ
は、例えば、０．０５μｍ〜１μｍ程度であり、リンな
どのｎ型不純物を高濃度に１×１０19原子／ｃｍ3 程度
含んでいる。ｐ+ 型領域４１ｃは、例えば、厚さが０．
０５μｍ〜１μｍ程度であり、ホウ素などのｐ型不純物
を高濃度に１×１０19原子／ｃｍ3 程度含んでいる。
【００６４】機能層４１は、また例えば、ｐ型領域４１
ａの下側に、厚さが約１μｍであり、ホウ素などのｐ型
不純物を高濃度に１×１０19原子／ｃｍ3 程度含むｐ+
型領域４１ｄを有している。このｐ+ 型領域４１ｄは、
ｐ型領域４１ａで発生した電子を反射して光電変換効率
を高めるためのものである。なお、この機能層４１は、
多結晶シリコンによって構成されることにより、高いド
ーピング効率が得られると共に、シリーズ抵抗を小さく
することができ、光電変換効率を高くできるようになっ
ている。
【００６５】機能層４１の上には、例えば、酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）よりなる反射防止膜４２が形成されてい
る。反射防止膜４２にはｎ+ 型領域４１ｂに対応して開
口が形成されており、ｎ+ 型領域４１ｂにはこの開口を
介して例えばアルミニウムよりなる陰極４３が電気的に
接続されている。反射防止膜４２には、また、ｐ+ 型領
域４１ｃに対応して開口が形成されており、ｐ+ 型領域
４１ｃにはこの開口を介して例えばアルミニウムよりな
る陽極４４が電気的に接続されている。反射防止膜４
２，陰極４３および陽極４４の上には、例えば、エチレ
ンビニルアセテートなどよりなる接着層４５を介してポ
リエチレンテレフタレートなどよりなる保護基板４６が
配設されている。
【００６６】次に、図７，図８を参照して、上記太陽電
池４０の製造方法について説明する。
【００６７】まず、図８に示したように、第１の実施の
形態と同様にして、基板１１の上に有機高分子層１２お
よび無機耐熱層１３を順次形成する。次に、無機耐熱層
１３上に、例えばスパッタ法により、機能層４１の前駆
体層としてアモルファスシリコン層５１を形成する。こ
のアモルファスシリコン層５１を、例えばジボラン（Ｂ
2 Ｈ6 ）の電離気体含有雰囲気中に曝し、ホウ素（Ｂ）
を添加する。
【００６８】次に、アモルファスシリコン層５１の上
に、例えばスパッタ法により、機能層４１の前駆体層と
してさらにアモルファスシリコン層５２を形成する。そ
ののち、例えば、窒素ガス雰囲気中においてアモルファ
スシリコン層５２の側からレーザビームＬＢを照射して
アモルファスシリコン層５１，５２を加熱する。これに
より、アモルファスシリコン層５１，５２は結晶化して
機能層４１となる。このとき、アモルファスシリコン層
５１に対応する部分がｐ+ 型領域４１ｄとなる。レーザ
ビームの条件は、第１の実施の形態と同様である。ま
た、その際、本実施の形態においても、第１の実施の形
態において説明したように、無機耐熱層１３により基板
１１への熱伝達が抑制されると共に、有機高分子層１２
により基板１１の熱膨張によって発生する応力が遮断さ
れ、亀裂および剥離の発生が防止される。
【００６９】次に、図７に示したように、例えばジボラ
ンの電離気体含有雰囲気中に曝し、機能層４１のアモル
ファスシリコン層５２に対応した部分にｐ型領域４１ａ
を形成する。こののち、例えば、リソグラフィ技術を用
い、ｐ型領域４１ａの一部をジボランの電離気体含有雰
囲気中に曝して、ｐ+ 型領域４１ｃを形成する。さら
に、例えば、リソグラフィ技術を用い、ｐ型領域４１ａ
の一部をホスフィンの電離気体含有雰囲気中に曝して、
ｎ+ 型領域４１ｂを形成する。
【００７０】このようにして機能層４１を形成したの
ち、機能層４１の上に、例えば、スパッタ法により反射
防止膜４２を形成し、ｎ+ 型領域４１ｂおよびｐ+ 型領
域４１ｃに対応して開口をそれぞれに形成する。そのの
ち、例えばスパッタ法により、ｎ+ 型領域４１ｂおよび
ｐ+ 型領域４１ｃに対応して陰極４３および陽極４４を
それぞれ形成する。最後に、反射防止膜４２の上に、保
護基板４６を接着層４５により接着する。
【００７１】このように本実施の形態でも、基板１１と
機能層４１との間に有機高分子層１２を形成するように
したので、第１の実施の形態と同様に、機能層４１にお
ける亀裂および剥離の発生を防止することができ、有機
材料よりなる基板１１の上に良好な多結晶シリコンより
なる機能層４１を歩留り良く形成することができる。従
って、軽量で衝撃に強く、かつ優れた特性を有する太陽
電池４０を容易に得ることができる。
【００７２】更に、本発明の具体的な実施例について詳
細に説明する。
【００７３】（実施例１）本実施例では、まず、ポリエ
チレンテレフタレートよりなる厚さ２００μｍの基板を
用意し、この基板の上に、ジペンタエリストールを約６
μｍの厚さで塗布し、紫外光を照射し３次元構造に縮重
合させることにより有機高分子層を形成した。次いで、
有機高分子層を形成した基板を直径約１０ｃｍの円板状
に打ち抜き、洗浄したのち、乾燥させた。
【００７４】続いて、この基板を真空チャンバ内に配置
し、真空ポンプを用いてチャンバ内の圧力を約１．３×
１０-5Ｐａとした。そののち、チャンバ内に酸素ガス
（Ｏ2）とアルゴンガス（Ａｒ）とを流し、リアクティ
ブスパッタ法により、有機高分子層の上に酸化ケイ素よ
りなる無機耐熱層を約３００ｎｍの厚さで形成した。無
機耐熱層を形成したのち、チャンバ内にアルゴンガスを
流し、スパッタ法により、無機耐熱層の上に前駆体層と
してのアモルファスシリコン層を約３０ｎｍの厚さで形
成した。なお、無機耐熱層およびアモルファスシリコン
層の形成には、基板の片側に配置されたターゲット間に
電圧を印加するいわゆる対向ターゲット型の装置を用い
た。
【００７５】アモルファスシリコン層を形成したのち、
真空チャンバから基板を取り出し、窒素ガス雰囲気中に
おいて、アモルファスシリコン層にＸｅＣｌエキシマレ
ーザのラインビームを最大２８０ｍＪ／ｃｍ2 のエネル
ギー密度で照射し、結晶化して機能層としての多結晶シ
リコン層を形成した。そののち、この多結晶シリコン層
を光学顕微鏡により９０倍で観察した。多結晶シリコン
層に亀裂および剥離は認められず、良好な結晶層が形成
されていた。
【００７６】なお、実施例１に対する比較例として、有
機高分子層を形成しないことを除き、実施例１と同様に
して多結晶シリコン層を形成した。この多結晶シリコン
層についても、実施例１と同様にして観察した。多結晶
シリコン層には無数の亀裂が認められ、一部は完全に剥
離していた。
【００７７】すなわち、基板とアモルファスシリコン層
との間に有機高分子層を形成するようにすれば、アモル
ファスシリコン層にレーザビームを照射しても、亀裂お
よび剥離を生じることなく有機材料よりなる基板の上に
良好な多結晶シリコン層を形成できることが分かった。
【００７８】（実施例２）本実施例では、無機耐熱層と
アモルファスシリコン層との間に、ＩＴＯよりなる電極
を形成したことを除き、実施例１と同様にして多結晶シ
リコン層を形成した。この多結晶シリコン層について
も、実施例１と同様にして観察した。多結晶シリコン層
に亀裂および剥離は認められず、良好な結晶層が形成さ
れていた。
【００７９】（実施例３）本実施例では、アモルファス
シリコン層を形成したのち、レーザビームを照射するに
先立ち、アモルファスシリコン層にリンを高濃度添加し
たことを除き、実施例１と同様にして多結晶シリコン層
を形成した。リンの添加は、ロードロックを用いて基板
をＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Depos
ition ）チャンバ内に搬送したのち、１体積％のホスフ
ィンガスを含むホスフィンガスと水素ガス（Ｈ2 ）との
混合ガスを流しながら、アモルファスシリコン層をプラ
ズマに曝すことにより行った。この多結晶シリコン層に
ついても実施例１と同様にして観察したところ、亀裂お
よび剥離は認められなかった。すなわち、有機材料より
なる基板の上に良好なｎ+ 型の多結晶シリコン層を形成
できることが分かった。
【００８０】（実施例４）本実施例では、アモルファス
シリコン層を形成したのち、レーザビームを照射するに
先立ち、アモルファスシリコン層にホウ素を高濃度添加
したことを除き、実施例１と同様にして多結晶シリコン
層を形成した。ホウ素の添加は、ホスフィンガスに代え
てジボランガスを用いたことを除き実施例３と同様にし
て行った。この多結晶シリコン層についても実施例１と
同様にして観察したところ、亀裂および剥離は認められ
なかった。すなわち、有機材料よりなる基板の上に良好
なｐ + 型の多結晶シリコン層を形成できることが分かっ
た。
【００８１】（実施例５）本実施例では、まず、実施例
１と同様にして、基板の上に有機高分子層および無機耐
熱層を順次形成した。次いで、スパッタ法によりアルゴ
ンガス雰囲気中において、無機耐熱層の上にＩＴＯより
なる下部電極を形成した。続いて、スパッタ法により室
温におけるアルゴンガス雰囲気中において、下部電極の
上に、鉛（Ｐｂ）とチタン（Ｔｉ）とジルコニウム（Ｚ
ｒ）とを含む主としてアモルファス状の酸化物層を前駆
体層として形成した。そののち、スパッタ法によりアル
ゴンガス雰囲気中において、酸化物層の上にＩＴＯより
なる上部電極を形成した。なお、下部電極，酸化物層お
よび上部電極の形成には、対向ターゲット型の装置を用
いた。
【００８２】上部電極を形成したのち、窒素ガス雰囲気
中において、上部電極の側からＸｅＣｌエキシマレーザ
のラインビームを最大２８０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー
密度で照射し、酸化物層を結晶化して多結晶状のＰＺＴ
を含む機能層としての誘電体層を形成した。この誘電体
層についても実施例１と同様にして観察したところ、亀
裂および剥離は認められなかった。すなわち、有機材料
よりなる基板の上に良好な誘電体層を形成できることが
分かった。
【００８３】（実施例６）本実施例では、ＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）よりなる厚さ２００μｍ，長
さ１０ｃｍの基板の裏面にジペンタエリストール（反り
抑制層）を６μｍ塗布することを除き、実施例４と同様
にしてｐ+ 型の多結晶シリコン層を形成した。この多結
晶シリコン層についても、実施例１と同様にして観察し
たところ、亀裂および剥離は認められなかった。すなわ
ち、基板の裏に反り抑制層を形成しても実施例４と同様
の効果が得られることを確認することができた。
【００８４】（実施例７）本実施例では、ポリアクリル
酸エステルとフェノキシジレンの複合高分子材料を約８
μｍの厚さで塗布することを除き、実施例１と同様にし
て多結晶シリコン層を形成した。この多結晶シリコン層
についても、実施例１と同様にして観察したところ、亀
裂および剥離は認められなかった。すなわち、有機高分
子層を他の材料により構成しても実施例１と同様の効果
が得られることを確認することができた。
【００８５】（実施例８）本実施例では、ポリアクリル
酸エステルとフェノキシジレンの複合高分子材料を約８
μｍの厚さで塗布することを除き、実施例２と同様にし
て多結晶シリコン層を形成した。この多結晶シリコン層
についても、実施例１と同様にして観察したところ、亀
裂および剥離は認められなかった。すなわち、有機高分
子層を他の材料により構成しても実施例２と同様の効果
が得られることを確認することができた。
【００８６】（実施例９）本実施例では、ポリアクリル
酸エステルとフェノキシジレンの複合高分子材料を約８
μｍの厚さで塗布することを除き、実施例３と同様にし
てｎ+ 型の多結晶シリコン層を形成した。この多結晶シ
リコン層についても、実施例１と同様にして観察したと
ころ、亀裂および剥離は認められなかった。すなわち、
有機高分子層を他の材料により構成しても実施例３と同
様の効果が得られることを確認することができた。
【００８７】（実施例１０）本実施例では、ポリアクリ
ル酸エステルとフェノキシジレンの複合高分子材料を約
８μｍの厚さで塗布することを除き、実施例４と同様に
してｐ+ 型の多結晶シリコン層を形成した。この多結晶
シリコン層についても、実施例１と同様にして観察した
ところ、亀裂および剥離は認められなかった。すなわ
ち、有機高分子層を他の材料により構成しても実施例４
と同様の効果が得られることを確認することができた。
【００８８】（実施例１１）本実施例では、ＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）よりなる厚さ２００μｍ，
長さ１０ｃｍの基板の裏面にポリアクリル酸エステルと
フェノキシジレンの複合高分子材料（反り抑制層）を８
μｍ塗布することを除き、実施例１０と同様にしてｐ+
型の多結晶シリコン層を形成した。この多結晶シリコン
層についても、実施例１と同様にして観察したところ、
亀裂および剥離は認められなかった。すなわち、基板の
裏に反り抑制層を形成しても実施例１０と同様の効果が
得られることを確認することができた。
【００８９】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例
えば、上記第１の実施の形態および第３の実施の形態で
は、機能層１４，４１をシリコンにより構成する場合に
ついて説明したが、シリコン・ゲルマニウムなどのシリ
コンを含む他の半導体により構成ようにしてもよい。ま
た、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体などの他の半導体により
構成する場合についても、本発明を適用することができ
る。
【００９０】更に、上記第２の実施の形態では、誘電体
層３２を強誘電体材料により構成する例について説明し
たが、高誘電体材料により構成するようにしてもよい。
更にまた、上記実施の形態および実施例では、機能層を
多結晶により構成する例について説明したが、本発明
は、機能層が単結晶あるいは微結晶等の結晶状態である
場合についても広く適用することができる。すなわち、
機能層が結晶性を有する場合についても広く適用するこ
とができ、多結晶と非晶質（アモルファス）との複合体
のように少なくとも一部に結晶性を有していてもよい。
【００９１】加えてまた、上記実施の形態および実施例
では、無機耐熱層が酸化ケイ素，窒化ケイ素あるいは酸
化窒化ケイ素により構成される例について説明したが、
これらに代えて、またはこれらと共に、例えばアルミニ
ウムあるいはジルコニウムなどの酸化物，窒化物あるい
は酸化窒化物のうちの少なくとも１種を含むようにして
もよい。
【００９２】更にまた、上記実施の形態および実施例で
は、機能層の前駆体層にレーザビームを照射するように
したが、電子ビームなどの他のエネルギービームを用い
るようにしてもよい。
【００９３】加えてまた、上記実施の形態では、機能性
デバイスについて具体的に例を挙げて説明したが、本発
明は、基板と機能層との間に無機耐熱層が設けられ、か
つ無機無機耐熱層と基板との間に有機高分子層が設けら
れた機能性デバイスであれば、他の構成を有するものに
ついても広く適用することができる。例えば、ＦｅＲＡ
Ｍ（Ferroelectric Random Access Memories）などのメ
モリにも適用することができ、酸化物を含む機能層が設
けられた誘電体キャパシタ以外の機能性デバイスについ
ても適用することができる。
【００９４】更にまた、上記実施の形態では、基板１１
を備えた機能性デバイスについて説明したが、機能性デ
バイスを作製した後で基板１１を取り除いてもよく、基
板１１を備えない機能性デバイスについても本発明を適
用することができる。
【００９５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る機能性
デバイス、またはその製造方法によれば、機能層と基板
との間に、基板よりも熱膨張係数が小さな有機高分子層
を設けるようにしたので、例えば、機能層を形成する際
にエネルギービームを照射しても、基板の熱膨張により
生じる応力を有機高分子層によって遮断することがで
き、機能層に亀裂および剥離が発生することを防止でき
る。よって、例えば有機材料よりなる基板を用いること
ができ、軽量で衝撃に強く、かつ優れた特性を有する機
能性デバイスを得ることができるという効果を奏する。
【００９６】更に、本発明では、基板の機能層が設けら
れた面とは反対側の面に反り抑制層を設けることによ
り、基板の熱変形に伴って生ずる反りを効果的に抑制す
ることができる。
【００９７】また、本発明の他の局面に係る機能性デバ
イスによれば、機能層の一面側に有機高分子層を備える
ようにしたので、機能層を形成する際にエネルギービー
ムを照射しても、熱膨張により生じる応力を有機高分子
層によって遮断することができ、機能層に亀裂および剥
離が生じることを防止できる。よって、製造の際に熱膨
張係数が大きい有機材料よりなる基板を用いることもで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜トランジ
スタの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜トランジスタの製造工程を表
す断面図である。
【図３】図１に示した薄膜トランジスタの変形例を表す
断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜トランジ
スタの構成を表す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る誘電体キャパ
シタの構成を表す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜トランジ
スタの構成を表す断面図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態に係る太陽電池の構
成を表す断面図である。
【図８】図７に示した太陽電池の製造工程を説明するた
めの断面図である。
【図９】従来の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・ 薄膜トランジスタ、
１１，６１・・・ 基板、１２，６２・・・ 有機高分子層、１
３，６３，６４・・・ 無機耐熱層、１４，４１，６６・・・
機能層、１４ａ，６６ａ・・・ チャネル領域、１４ｂ，６
６ｂ・・・ ソース領域、１４ｃ，６６ｃ・・・ ドレイン領
域、１５，６７・・・ 絶縁膜、１６，６８・・・ ゲート電
極、１７，６９・・・ ソース電極、１８，７０・・・ ドレイ
ン電極、２１，５１，５２・・・ アモルファスシリコン
層、２２・・・ フォトレジスト層、３０・・・ 誘電体キャパ
シタ、３１・・・ 下部電極、３２・・・ 誘電体層、３３・・・
上部電極、４０・・・ 太陽電池、４２・・・ 反射防止膜、４
３・・・ 陰極、４４・・・ 陽極、４５・・・ 接着層、４６・・・
保護基板、６５・・・ 金属層、７１・・・ 層間絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ 31/04 27/04 Ｃ (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AA00B AA12B AA15B AA17B AA37B AB01D AB11C AK01C AK25C AK53C AT00A BA03 BA04 BA07 BA10A BA10B BA26 GB41 JA02A JA02C JA11C JJ01B JJ03B 5F038 AC15 AC18 EZ03 EZ14 EZ17 EZ20 5F051 AA03 AA05 GA03 GA06 GA20 5F052 AA02 BB07 CA01 CA09 DA02 DB07 EA11 EA12 JA01 JA09 5F110 AA30 CC02 CC08 DD01 DD12 DD13 DD14 DD15 DD17 EE03 EE43 FF02 FF28 GG02 GG13 GG25 GG43 HJ01 HJ04 HJ18 HK03 HK32 PP03

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の一面側に機能層が設けられた機能
    性デバイスであって、 この基板と前記機能層との間に設けられた１または複数
    の無機化合物層からなる無機耐熱層と、 この無機耐熱層と前記基板との間に設けられた、前記基
    板よりも熱膨張係数が小さな有機高分子層とを備えたこ
    とを特徴とする機能性デバイス。
  2. 【請求項２】 前記無機耐熱層、前記有機高分子層およ
    び前記基板の各膜厚は、前記無機耐熱層、前記有機高分
    子層、前記基板の順に厚くなっていることを特徴とする
    請求項１記載の機能性デバイス。
  3. 【請求項３】 前記基板と前記有機高分子層との間に、
    前記無機耐熱層と異なる１または複数の層からなる他の
    無機耐熱層を備えたことを特徴とする請求項１記載の機
    能性デバイス。
  4. 【請求項４】 前記無機耐熱層および前記他の無機耐熱
    層は、前記機能層よりも熱伝導率が低いことを特徴とす
    る請求項３記載の機能性デバイス。
  5. 【請求項５】 前記無機耐熱層および前記他の無機耐熱
    層は、前記有機高分子層よりも熱膨張係数が小さいこと
    を特徴とする請求項３記載の機能性デバイス。
  6. 【請求項６】 前記無機耐熱層および前記他の無機耐熱
    層は、酸化物，窒化物および酸化窒化物からなる群のう
    ちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項３項
    記載の機能性デバイス。
  7. 【請求項７】 前記無機耐熱層および前記他の無機耐熱
    層は、無機炭化物または炭素材料により形成されている
    ことを特徴とする請求項３項記載の機能性デバイス。
  8. 【請求項８】 前記有機高分子層と前記無機耐熱層との
    間に、１または複数の層からなる金属層を備えたことを
    特徴とする請求項１記載の機能性デバイス。
  9. 【請求項９】 前記有機高分子層は、アクリル樹脂また
    はエポキシ樹脂、あるいはこれらを含む高分子材料より
    なることを特徴とする請求項１記載の機能性デバイス。
  10. 【請求項１０】 前記機能層は、結晶性を有することを
    特徴とする請求項１記載の機能性デバイス。
  11. 【請求項１１】 前記機能層は、半導体または酸化物を
    含むことを特徴とする請求項１記載の機能性デバイス。
  12. 【請求項１２】 前記機能層は、シリコンを含むことを
    特徴とする請求項１記載の機能性デバイス。
  13. 【請求項１３】 更に、前記機能層と前記無機耐熱層と
    の間に、前記機能層に対する電極を備えたことを特徴と
    する請求項１記載の機能性デバイス。
  14. 【請求項１４】 基板の一面側に機能層が設けられた後
    に、この基板が除去された機能性デバイスであって、 この機能層の一面側に設けられ、前記基板よりも熱膨張
    係数が小さな有機高分子層と、 この有機高分子層と前記機能層との間に設けられた１ま
    たは複数の層からなる無機耐熱層とを備えたことを特徴
    とする機能性デバイス。
  15. 【請求項１５】 前記基板と前記有機高分子層との間
    に、前記無機耐熱層と異なる１または複数の層からなる
    他の無機耐熱層を備えたことを特徴とする請求項１４記
    載の機能性デバイス。
  16. 【請求項１６】 前記有機高分子層と前記無機耐熱層と
    の間に、１または複数の層からなる金属層を備えたこと
    を特徴とする請求項１４記載の機能性デバイス。
  17. 【請求項１７】 基板の上に機能層が設けられた機能性
    デバイスの製造方法であって、 この基板の上に、基板よりも熱膨張係数が小さな有機高
    分子層を形成する工程と、 前記有機高分子層の上に１または複数の層からなる無機
    耐熱層を形成する工程と、 前記無機耐熱層の上に前記機能層を形成する工程とを含
    むことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記有機高分子層を形成する前に、前
    記基板の上に前記耐熱層と異なる１または複数の層から
    なる他の耐熱層を形成する工程を含むことを特徴とする
    請求項１７記載の機能性デバイスの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記耐熱層を形成する前に、前記有機
    高分子層の上に１または複数の層からなる金属層を形成
    する工程を含むことを特徴とする請求項１７機能性デバ
    イスの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記有機高分子層を形成する工程は、 この有機高分子層の前駆体を形成する工程と、 前記前駆体にエネルギービームを照射して有機高分子層
    を縮重合させることにより有機高分子層を形成する工程
    とを含むことを特徴とする請求項１７記載の機能性デバ
    イスの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記エネルギービームは、紫外領域の
    波長を含む紫外線ランプによるものであることを特徴と
    する請求項２０記載の機能性デバイスの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記機能層を形成する工程は、 機能層の前駆体を形成する工程と、 前記前駆体にエネルギービームを照射して機能層を形成
    する工程とを含むことを特徴とする請求項１７記載の機
    能性デバイスの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記エネルギービームを照射すること
    により、前駆体層を結晶化することを特徴とする請求項
    ２２記載の機能性デバイスの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記エネルギービームとして、レーザ
    ビームを用いることを特徴とする請求項２２記載の機能
    性デバイスの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記レーザビームとして、８０ｍＪ／
    ｃｍ2 以上のエネルギー密度を有する短波長レーザビー
    ムを照射することを特徴とする請求項２４記載の機能性
    デバイスの製造方法。
  26. 【請求項２６】 基板の一面側に機能層が設けられた機
    能性デバイスであって、 前記基板と前記機能層との間に設けられた１または複数
    の層からなる無機耐熱層と、 この無機耐熱層と前記基板との間に設けられ、前記基板
    よりも熱膨張係数が小さな有機高分子層と、 前記基板の前記機能層が設けられた面に対向する面側に
    設けられた前記基板の反りを抑制するための反り抑制層
    とを備えたことを特徴とする機能性デバイス。
  27. 【請求項２７】 前記反り抑制層は有機高分子材料によ
    り形成されていることを特徴とする請求項２６記載の機
    能性デバイス。
  28. 【請求項２８】 前記反り抑制層は、有機高分子材料に
    より形成された高分子層と、１または２以上の層からな
    る無機耐熱層との複合層からなることを特徴とする請求
    項２６記載の機能性デバイス。
  29. 【請求項２９】 前記反り抑制層は、アクリル樹脂また
    はエポキシ樹脂、あるいはこれらを含む高分子材料より
    なることを特徴とする請求項２７または請求項２８記載
    の機能性デバイス。
  30. 【請求項３０】 前記無機耐熱層は、酸化物，窒化物お
    よび酸化窒化物からなる群のうちの少なくとも１種を含
    むことを特徴とする請求項２８記載の機能性デバイス。
  31. 【請求項３１】 前記無機耐熱層は、無機炭化物または
    炭素材料により形成されていることを特徴とする請求項
    ２８項記載の機能性デバイス。
  32. 【請求項３２】 基板の上に機能層が設けられた機能性
    デバイスの製造方法であって、 前記基板の裏面に前記基板の反りを抑制するための反り
    抑制層を形成する工程と、 前記基板の表面に、前記基板よりも熱膨張係数が小さな
    有機高分子層を形成する工程と、 前記有機高分子層の上に１または複数の層からなる無機
    耐熱層を形成する工程と、 前記無機耐熱層の上に前記機能層を形成する工程とを含
    むことを特徴とする機能性デバイスの製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記基板の裏面に前記反り抑制層、前
    記基板の表面に前記有機高分子層および前記無機耐熱層
    を形成した時点での、室温から１５０°Ｃまでの間の熱
    的な変位率を５％以内とすることを特徴とする請求項３
    ２記載の機能性デバイスの製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記基板の裏面に前記反り抑制層、前
    記基板の表面に前記有機高分子層、前記無機耐熱層およ
    び前記機能層を形成した時点での、室温から１５０°Ｃ
    までの間の熱的な変位率を５％以内とすることを特徴と
    する請求項３２記載の機能性デバイスの製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記無機耐熱層を形成する前に、前記
    有機高分子層の上に１または複数の層からなる金属層を
    形成する工程を含むことを特徴とする請求項３２記載の
    機能性デバイスの製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記有機高分子層を形成する工程は、 この有機高分子層の前駆体を形成する工程と、 前記前駆体にエネルギービームを照射して有機高分子を
    縮重合させることにより有機高分子層を形成する工程と
    を含むことを特徴とする請求項３２記載の機能性デバイ
    スの製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記エネルギービームは紫外領域の波
    長を含む紫外線ランプによるものであることを特徴とす
    る請求項３６記載の機能性デバイスの製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記機能層を形成する工程は、 無機耐熱層の上に機能層の前駆体層を形成する工程と、 前記前駆体層にエネルギービームを照射して機能層を形
    成する工程とを含むことを特徴とする請求項３２記載の
    機能性デバイスの製造方法。
  39. 【請求項３９】 前記エネルギービームを照射すること
    により、前記前駆体層を結晶化することを特徴とする請
    求項３８記載の機能性デバイスの製造方法。
  40. 【請求項４０】 前記エネルギービームとして、レーザ
    ビームを用いることを特徴とする請求項３９記載の機能
    性デバイスの製造方法。
  41. 【請求項４１】 前記レーザビームとして、８０ｍＪ／
    ｃｍ2 以上のエネルギー密度を有する短波長レーザビー
    ムを照射することを特徴とする請求項４０記載の機能性
    デバイスの製造方法。
  42. 【請求項４２】 更に、 前記無機耐熱層と前記機能層との間に、前記機能層に対
    する電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
    ３２記載の機能性デバイスの製造方法。
JP2001168756A 2001-06-04 2001-06-04 機能性デバイスおよびその製造方法 Pending JP2002368224A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001168756A JP2002368224A (ja) 2001-06-04 2001-06-04 機能性デバイスおよびその製造方法
KR1020037015840A KR100896666B1 (ko) 2001-06-04 2002-06-04 기능성 디바이스 및 그 제조방법
US10/478,888 US6953754B2 (en) 2001-06-04 2002-06-04 Functional device and method of manufacturing the same
CNB028112830A CN100380681C (zh) 2001-06-04 2002-06-04 功能装置及其制造方法
PCT/JP2002/005489 WO2002099892A1 (en) 2001-06-04 2002-06-04 Functional device and production method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001168756A JP2002368224A (ja) 2001-06-04 2001-06-04 機能性デバイスおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002368224A true JP2002368224A (ja) 2002-12-20

Family

ID=19010934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001168756A Pending JP2002368224A (ja) 2001-06-04 2001-06-04 機能性デバイスおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6953754B2 (ja)
JP (1) JP2002368224A (ja)
KR (1) KR100896666B1 (ja)
CN (1) CN100380681C (ja)
WO (1) WO2002099892A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1732362A4 (en) * 2004-03-31 2009-02-25 Dainippon Printing Co Ltd BASIC FILM FOR USE IN A LIQUID CRYSTAL PANEL, FUNCTIONAL FILM FOR USE IN A LIQUID CRYSTAL PANEL, PRODUCTION METHOD FOR A FUNCTIONAL FILM, MANUFACTURING DEVICE FOR A FUNCTIONAL FILM
JP2014126574A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器
CN108369897A (zh) * 2015-12-19 2018-08-03 应用材料公司 用于钨原子层沉积工艺的作为成核层的共形非晶硅

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619242B2 (en) * 2005-02-25 2009-11-17 Xerox Corporation Celluloses and devices thereof
US8784336B2 (en) 2005-08-24 2014-07-22 C. R. Bard, Inc. Stylet apparatuses and methods of manufacture
DE602006018272D1 (de) * 2006-06-05 2010-12-30 St Microelectronics Srl DELTA E-E-Strahlungsdetektor mit Isolationsgräben und seine Herstellungsmethode
US8388546B2 (en) 2006-10-23 2013-03-05 Bard Access Systems, Inc. Method of locating the tip of a central venous catheter
US7794407B2 (en) 2006-10-23 2010-09-14 Bard Access Systems, Inc. Method of locating the tip of a central venous catheter
US10449330B2 (en) 2007-11-26 2019-10-22 C. R. Bard, Inc. Magnetic element-equipped needle assemblies
ES2651898T3 (es) 2007-11-26 2018-01-30 C.R. Bard Inc. Sistema integrado para la colocación intravascular de un catéter
US9521961B2 (en) 2007-11-26 2016-12-20 C. R. Bard, Inc. Systems and methods for guiding a medical instrument
US9649048B2 (en) 2007-11-26 2017-05-16 C. R. Bard, Inc. Systems and methods for breaching a sterile field for intravascular placement of a catheter
US8781555B2 (en) 2007-11-26 2014-07-15 C. R. Bard, Inc. System for placement of a catheter including a signal-generating stylet
US10524691B2 (en) 2007-11-26 2020-01-07 C. R. Bard, Inc. Needle assembly including an aligned magnetic element
US10751509B2 (en) 2007-11-26 2020-08-25 C. R. Bard, Inc. Iconic representations for guidance of an indwelling medical device
US8849382B2 (en) 2007-11-26 2014-09-30 C. R. Bard, Inc. Apparatus and display methods relating to intravascular placement of a catheter
US8478382B2 (en) 2008-02-11 2013-07-02 C. R. Bard, Inc. Systems and methods for positioning a catheter
JP4575966B2 (ja) * 2008-02-27 2010-11-04 株式会社沖データ 半導体装置
US9901714B2 (en) 2008-08-22 2018-02-27 C. R. Bard, Inc. Catheter assembly including ECG sensor and magnetic assemblies
US8437833B2 (en) 2008-10-07 2013-05-07 Bard Access Systems, Inc. Percutaneous magnetic gastrostomy
EP2440122B1 (en) 2009-06-12 2019-08-14 Bard Access Systems, Inc. Apparatus, computer-based data processing algorithm and computer storage medium for positioning an endovascular device in or near the heart
US9532724B2 (en) 2009-06-12 2017-01-03 Bard Access Systems, Inc. Apparatus and method for catheter navigation using endovascular energy mapping
KR200454270Y1 (ko) * 2009-07-23 2011-06-24 주식회사 유라코퍼레이션 차량용 그로밋 장치
EP2464407A4 (en) 2009-08-10 2014-04-02 Bard Access Systems Inc DEVICES AND METHODS FOR ENDOVASCULAR ELECTROGRAPHY
AU2010300677B2 (en) 2009-09-29 2014-09-04 C.R. Bard, Inc. Stylets for use with apparatus for intravascular placement of a catheter
WO2011044421A1 (en) 2009-10-08 2011-04-14 C. R. Bard, Inc. Spacers for use with an ultrasound probe
US10639008B2 (en) 2009-10-08 2020-05-05 C. R. Bard, Inc. Support and cover structures for an ultrasound probe head
US8211782B2 (en) * 2009-10-23 2012-07-03 Palo Alto Research Center Incorporated Printed material constrained by well structures
EP2531098B1 (en) 2010-02-02 2020-07-15 C.R. Bard, Inc. Apparatus and method for catheter navigation and tip location
EP2575611B1 (en) 2010-05-28 2021-03-03 C. R. Bard, Inc. Apparatus for use with needle insertion guidance system
EP2913000B1 (en) 2010-05-28 2020-02-12 C.R. Bard, Inc. Apparatus for use with needle insertion guidance system
EP2605699A4 (en) 2010-08-20 2015-01-07 Bard Inc C R ECG ASSISTED CATHETER END POSITIONING RECONFIRMATION
US8801693B2 (en) 2010-10-29 2014-08-12 C. R. Bard, Inc. Bioimpedance-assisted placement of a medical device
CN102763213A (zh) * 2011-02-23 2012-10-31 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置
KR102057430B1 (ko) 2011-07-06 2019-12-18 씨. 알. 바드, 인크. 삽입 유도 시스템을 위한 바늘 길이 결정 및 교정
USD699359S1 (en) 2011-08-09 2014-02-11 C. R. Bard, Inc. Ultrasound probe head
USD724745S1 (en) 2011-08-09 2015-03-17 C. R. Bard, Inc. Cap for an ultrasound probe
US9211107B2 (en) 2011-11-07 2015-12-15 C. R. Bard, Inc. Ruggedized ultrasound hydrogel insert
US10820885B2 (en) 2012-06-15 2020-11-03 C. R. Bard, Inc. Apparatus and methods for detection of a removable cap on an ultrasound probe
US9839372B2 (en) 2014-02-06 2017-12-12 C. R. Bard, Inc. Systems and methods for guidance and placement of an intravascular device
JP2015161876A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 セイコーエプソン株式会社 光フィルター、光学モジュールおよび電子機器
JP6669077B2 (ja) * 2014-11-12 2020-03-18 ソニー株式会社 光源装置、画像表示装置、及び光学ユニット
CN104576751A (zh) * 2014-12-02 2015-04-29 信利（惠州）智能显示有限公司 非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法
CN104409330B (zh) 2014-12-02 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 衬底基板和显示基板及其制作方法、显示装置
US10973584B2 (en) 2015-01-19 2021-04-13 Bard Access Systems, Inc. Device and method for vascular access
US10349890B2 (en) 2015-06-26 2019-07-16 C. R. Bard, Inc. Connector interface for ECG-based catheter positioning system
US11000207B2 (en) 2016-01-29 2021-05-11 C. R. Bard, Inc. Multiple coil system for tracking a medical device
CN112867443B (zh) 2018-10-16 2024-04-26 巴德阿克塞斯系统股份有限公司 用于建立电连接的安全装备连接系统及其方法
JP6787385B2 (ja) * 2018-12-06 2020-11-18 カシオ計算機株式会社 膨張装置、造形システム及び造形物の製造方法
US11239182B2 (en) 2020-01-23 2022-02-01 Rockwell Collins, Inc. Controlled induced warping of electronic substrates
US11236436B2 (en) 2020-01-23 2022-02-01 Rockwell Collins, Inc. Controlled induced warping of electronic substrates via electroplating

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01309385A (ja) * 1988-06-08 1989-12-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 太陽電池
JPH05326402A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10144930A (ja) * 1997-10-30 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH10144606A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Sharp Corp 半導体薄膜及びその製造方法
JPH10150200A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH11102867A (ja) * 1997-07-16 1999-04-13 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板
WO2001039258A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif fonctionnel et procede de fabrication de ce dispositif

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3501152A (en) * 1966-10-24 1970-03-17 Brunswick Corp Golf game
US3712624A (en) * 1967-11-22 1973-01-23 Brunswick Corp Golf game
US3769894A (en) * 1967-11-22 1973-11-06 Brunswich Corp Golf game
DE1720791C3 (de) * 1968-02-24 1978-04-13 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur Herstellung von Polymeren des Cyclopentens
US3529831A (en) * 1968-10-11 1970-09-22 Brunswick Corp Indexible tee for golf games
US3563553A (en) * 1969-04-29 1971-02-16 Brunswick Corp Automatic indexing of indexible tee for automatic lie selection
US3633917A (en) * 1970-07-06 1972-01-11 Brunswick Corp Golf tee
US3729315A (en) * 1970-10-01 1973-04-24 Brunswick Corp Method of making scenes for a golf game
US5358251A (en) * 1989-08-14 1994-10-25 Ashton James T Golf training aid/simulator
JPH0433327A (ja) 1990-05-30 1992-02-04 Kyocera Corp 半導体結晶化膜の形成方法
US5133557A (en) * 1990-08-20 1992-07-28 Akitoshi Sugimoto Golf practicing apparatus
JPH05152204A (ja) 1991-11-29 1993-06-18 Fujitsu Ltd Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体
JPH05152205A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Kyocera Corp 半導体結晶化膜の形成方法
JP2821830B2 (ja) * 1992-05-14 1998-11-05 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法
US5313707A (en) * 1993-04-29 1994-05-24 Tarafdar Martin A Watermelon seed remover
US5333876A (en) * 1993-06-22 1994-08-02 Kaisei Engineering Co., Ltd. Golf practice apparatus
US5419565A (en) * 1993-08-20 1995-05-30 Gordon; Theodore J. Electrical device for detecting the location and speed or force of impact with a target
JP2900229B2 (ja) 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
JP3381443B2 (ja) * 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびｓｏｉ基板の製造方法
US5822549A (en) * 1996-07-15 1998-10-13 Micron Electronics, Inc. Computer system and bus controller for controlling access to a computer bus
US5846139A (en) * 1996-11-13 1998-12-08 Carl J. Bair Golf simulator
US5820478A (en) * 1997-07-11 1998-10-13 Slopemaster Golf, Inc. Powered tiltable platform
JPH11163363A (ja) * 1997-11-22 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6033317A (en) * 1998-10-26 2000-03-07 Beam; David H. Golfing aid
WO2000069529A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 Stipan Arthur R Tiltable golf platform
JP4776766B2 (ja) 1999-10-26 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4341124B2 (ja) * 1999-11-25 2009-10-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20010034272A1 (en) * 2000-02-03 2001-10-25 Sobol Raymond J. Portable, weather resistant golf practice device
US6595863B2 (en) * 2000-10-03 2003-07-22 Par Action Golf, Inc. Golf simulator
JP2002263235A (ja) * 2001-02-23 2002-09-17 Amuse World Co Ltd 傾斜角調節可能なゴルフ練習装置
US20030054327A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-20 Evensen Mark H. Repetitive motion feedback system and method of practicing a repetitive motion

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01309385A (ja) * 1988-06-08 1989-12-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 太陽電池
JPH05326402A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10144606A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Sharp Corp 半導体薄膜及びその製造方法
JPH10150200A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH11102867A (ja) * 1997-07-16 1999-04-13 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板
JPH10144930A (ja) * 1997-10-30 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2001039258A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif fonctionnel et procede de fabrication de ce dispositif

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1732362A4 (en) * 2004-03-31 2009-02-25 Dainippon Printing Co Ltd BASIC FILM FOR USE IN A LIQUID CRYSTAL PANEL, FUNCTIONAL FILM FOR USE IN A LIQUID CRYSTAL PANEL, PRODUCTION METHOD FOR A FUNCTIONAL FILM, MANUFACTURING DEVICE FOR A FUNCTIONAL FILM
JP2014126574A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器
CN108369897A (zh) * 2015-12-19 2018-08-03 应用材料公司 用于钨原子层沉积工艺的作为成核层的共形非晶硅
CN108369897B (zh) * 2015-12-19 2022-09-16 应用材料公司 用于钨原子层沉积工艺的作为成核层的共形非晶硅

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040006010A (ko) 2004-01-16
US6953754B2 (en) 2005-10-11
KR100896666B1 (ko) 2009-05-14
WO2002099892A1 (en) 2002-12-12
CN100380681C (zh) 2008-04-09
CN1543678A (zh) 2004-11-03
US20040157470A1 (en) 2004-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100896666B1 (ko) 기능성 디바이스 및 그 제조방법
JP4478268B2 (ja) 薄膜デバイスの製造方法
US9359505B2 (en) Gas barrier film, process for production of gas barrier film, and electronic device
US7342354B2 (en) Organic EL display device, electronic equipment, and method for manufacturing the same
US7335539B2 (en) Method for making thin-film semiconductor device
CN100392860C (zh) 半导体器件，显示器件，发光器件以及其制作方法
JP5216724B2 (ja) ガスバリアフィルムおよびデバイス
JP3648756B2 (ja) 半導体素子用コーテイング材
CN1157764C (zh) 功能器件及其制造方法
US7621794B2 (en) Method of encapsulating an organic light-emitting device
TWI818439B (zh) 用於製造經改善的石墨烯基板的方法及其應用
JP5334900B2 (ja) ガスバリアフィルムおよびデバイス
WO2014129479A1 (ja) バリア性積層体およびガスバリアフィルム
CN102365169A (zh) 阻气膜以及电子器件
JP2012191025A (ja) 薄膜トランジスタアレー基板、薄膜集積回路装置及びそれらの製造方法
EP2086014B1 (en) Method for producing conductive oxide-deposited substrate and MIS laminated structure
JP2018525257A (ja) 多層バリアアセンブリを含む複合材物品及びその製造方法
JP5194718B2 (ja) 積層体
JP5757170B2 (ja) ガスバリア性フィルムの製造方法
JP4715149B2 (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP2013000977A (ja) ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JP6909780B2 (ja) 多層バリアアセンブリを含む複合材物品及びその製造方法
JP6255806B2 (ja) ゲート絶縁膜、感放射線性樹脂組成物、硬化膜、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体素子および表示装置
JP2000294822A (ja) 太陽電池モジュ−ル用表面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル
WO2013047634A1 (ja) バリア性積層体、ガスバリアフィルムおよびこれらを用いたデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110816

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111227