JP2002365016A - 干渉計を用いた位置測定方法、干渉式位置測定装置、露光装置及び露光方法 - Google Patents
干渉計を用いた位置測定方法、干渉式位置測定装置、露光装置及び露光方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より高精度な計測を行うことができる干渉計
を用いた位置測定方法等を提供する。 【解決手段】 ウェハテーブル２７上に定義された直交
座標系に対し、鏡面２９ａ、２９ｂの曲線を最小二乗近
似した直線を、それぞれＬu、Ｌvとする。直線Ｌ u、Ｌv
と座標軸ｕ、ｖとのなす角をそれぞれψu、ψvとし、座
標軸ｕ、ｖとの交点をそれぞれ（Ｂu，０）、（０，
Ｂv）とする。また、直線Ｌu、Ｌvに対し、鏡面２９
ａ、２９ｂ上の点Ｕ１、Ｖ１との距離をそれぞれβ
u（ｖ）、βv（ｕ）とし、点Ｕ１、Ｖ１の接線との角を
それぞれωu（ｖ）、ωv（ｕ）とする。このとき、鏡面
２９ａ、２９ｂの方程式は、ｕ＝（ψu＋ωu（ｖ））ｖ
＋Ｂu＋βu（ｖ）、ｖ＝（ψv＋ωv（ｕ））ｕ＋Ｂv＋
βv（ｕ）となる。
を用いた位置測定方法等を提供する。 【解決手段】 ウェハテーブル２７上に定義された直交
座標系に対し、鏡面２９ａ、２９ｂの曲線を最小二乗近
似した直線を、それぞれＬu、Ｌvとする。直線Ｌ u、Ｌv
と座標軸ｕ、ｖとのなす角をそれぞれψu、ψvとし、座
標軸ｕ、ｖとの交点をそれぞれ（Ｂu，０）、（０，
Ｂv）とする。また、直線Ｌu、Ｌvに対し、鏡面２９
ａ、２９ｂ上の点Ｕ１、Ｖ１との距離をそれぞれβ
u（ｖ）、βv（ｕ）とし、点Ｕ１、Ｖ１の接線との角を
それぞれωu（ｖ）、ωv（ｕ）とする。このとき、鏡面
２９ａ、２９ｂの方程式は、ｕ＝（ψu＋ωu（ｖ））ｖ
＋Ｂu＋βu（ｖ）、ｖ＝（ψv＋ωv（ｕ））ｕ＋Ｂv＋
βv（ｕ）となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
のリソグラフィーに用いられる露光装置、露光方法に関
する。また、露光装置のステージ位置等を計測する干渉
計を用いた位置測定方法等に関する。特には、ミラーの
歪みを補正し、より精度の高い測定を行うことができる
干渉計を用いた位置測定方法等に関する。
のリソグラフィーに用いられる露光装置、露光方法に関
する。また、露光装置のステージ位置等を計測する干渉
計を用いた位置測定方法等に関する。特には、ミラーの
歪みを補正し、より精度の高い測定を行うことができる
干渉計を用いた位置測定方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線露光装置を用いて、半導体デバイ
スパターンをウェハ（感応基板）上に形成する手法の一
つとして、このデバイスパターンを多数の小パターン領
域（サブフィールド）に分割し、ウェハにこのサブフィ
ールドのパターンを一括的に転写する方式がある。この
方式においては、原版パターンとして用いるマスクの一
例として、電子ビームの通る孔を多数有するステンシル
マスクが用いられる。前記孔の形状は、転写すべきパタ
ーンの個別要素図形の形状に対応している。このステン
シルマスクを電子光学系中に配置し、マスクを通過した
電子ビームをウェハ上に投影する。その際、電子ビーム
を偏向させる、あるいは、マスクステージやウェハステ
ージを移動させるなどして、マスク上の各サブフィール
ドに順次電子ビームを照明し、ウェハ上に各サブフィー
ルドのパターンを一括的に転写する。そして、ウェハ上
では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせる
ことにより、デバイスパターン全体を転写する。
スパターンをウェハ（感応基板）上に形成する手法の一
つとして、このデバイスパターンを多数の小パターン領
域（サブフィールド）に分割し、ウェハにこのサブフィ
ールドのパターンを一括的に転写する方式がある。この
方式においては、原版パターンとして用いるマスクの一
例として、電子ビームの通る孔を多数有するステンシル
マスクが用いられる。前記孔の形状は、転写すべきパタ
ーンの個別要素図形の形状に対応している。このステン
シルマスクを電子光学系中に配置し、マスクを通過した
電子ビームをウェハ上に投影する。その際、電子ビーム
を偏向させる、あるいは、マスクステージやウェハステ
ージを移動させるなどして、マスク上の各サブフィール
ドに順次電子ビームを照明し、ウェハ上に各サブフィー
ルドのパターンを一括的に転写する。そして、ウェハ上
では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせる
ことにより、デバイスパターン全体を転写する。
【０００３】ここで、分割されたサブフィールドの像を
ウェハ上において高精度でつなぎ合わせるためには、マ
スクステージやウェハステージを高精度で位置合せをし
なければならない。
ウェハ上において高精度でつなぎ合わせるためには、マ
スクステージやウェハステージを高精度で位置合せをし
なければならない。
【０００４】この位置計測は、マスクステージやウェハ
ステージ等に設けられたミラー（干渉計の反射鏡）に向
けてレーザ光を射出し、ミラーからの反射光と射出光と
を干渉させる、いわゆる干渉式位置測定装置により行わ
れる。特に、マスクステージ上における照明ビームの照
射位置や、ウェハステージにおける投影ビームの投影位
置を正確に計測するため、各ステージの位置や回転量
（Ｙａｗｉｎｇ、Ｐｉｔｃｈｉｎｇ、Ｒｏｌｌｉｎｇ）
等を計測できるような複数本の干渉計軸を持つ装置が用
いられる。
ステージ等に設けられたミラー（干渉計の反射鏡）に向
けてレーザ光を射出し、ミラーからの反射光と射出光と
を干渉させる、いわゆる干渉式位置測定装置により行わ
れる。特に、マスクステージ上における照明ビームの照
射位置や、ウェハステージにおける投影ビームの投影位
置を正確に計測するため、各ステージの位置や回転量
（Ｙａｗｉｎｇ、Ｐｉｔｃｈｉｎｇ、Ｒｏｌｌｉｎｇ）
等を計測できるような複数本の干渉計軸を持つ装置が用
いられる。
【０００５】ところで、干渉計システムを大気中で使用
した場合には、空気揺らぎから干渉計光路に誤差が生じ
る。ただし、電子線露光装置の干渉計システムは、マス
クステージ、ウェハステージが通常真空容器内にあるた
め、干渉計システムの光路をこの容器内に入れること
で、この空気揺らぎの問題は解消される。
した場合には、空気揺らぎから干渉計光路に誤差が生じ
る。ただし、電子線露光装置の干渉計システムは、マス
クステージ、ウェハステージが通常真空容器内にあるた
め、干渉計システムの光路をこの容器内に入れること
で、この空気揺らぎの問題は解消される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、露光装置の干
渉計システムには、さらにミラーの面精度不良や、各干
渉計の計測値からステージの位置や回転量を算出するた
めの近似計算式の不備等から誤差が生じる。
渉計システムには、さらにミラーの面精度不良や、各干
渉計の計測値からステージの位置や回転量を算出するた
めの近似計算式の不備等から誤差が生じる。
【０００７】そこで、最近では、ミラーの歪みを予め計
測して位置測定値を補正する方法がある。現在提案され
ている位置方法によれば、マスクステージやウェハステ
ージ等に設けられたミラー面上の複数点の位置計測を行
なって計測値を外挿することでミラー面の理想平面から
の位置ずれ（外装線の傾きを含む）を求め、この値を位
置・回転量を算出する計算に取り込むことで、計測誤差
の軽減を図る方法である。しかし、この方法でも、ミラ
ーの局所的な歪みが例えば１０μｒａｄ程度生じると、
干渉計の読み値には、数〜１０数ｎｍの差異が生じる。
測して位置測定値を補正する方法がある。現在提案され
ている位置方法によれば、マスクステージやウェハステ
ージ等に設けられたミラー面上の複数点の位置計測を行
なって計測値を外挿することでミラー面の理想平面から
の位置ずれ（外装線の傾きを含む）を求め、この値を位
置・回転量を算出する計算に取り込むことで、計測誤差
の軽減を図る方法である。しかし、この方法でも、ミラ
ーの局所的な歪みが例えば１０μｒａｄ程度生じると、
干渉計の読み値には、数〜１０数ｎｍの差異が生じる。
【０００８】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、ミラーの歪みを補正し、より高精度な
位置測定を行うことができる干渉計を用いた位置測定方
法等を提供することを目的とする。
たものであって、ミラーの歪みを補正し、より高精度な
位置測定を行うことができる干渉計を用いた位置測定方
法等を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の干渉計を用いた位置測定方法は、 移動す
る被測定物に干渉ビーム反射部材（ミラー）を配置し、
該ミラーに対向させて複数の干渉計を配置し、 該複
数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 該複
数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を得、
該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、前記
被測定物の位置や回転量等を算出する干渉計を用いた位
置測定方法であって、 前記各干渉計の軸と前記ミラー
表面との交点における該ミラー表面の局所的な歪み情報
を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを特徴とす
る。
め、本発明の干渉計を用いた位置測定方法は、 移動す
る被測定物に干渉ビーム反射部材（ミラー）を配置し、
該ミラーに対向させて複数の干渉計を配置し、 該複
数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 該複
数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を得、
該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、前記
被測定物の位置や回転量等を算出する干渉計を用いた位
置測定方法であって、 前記各干渉計の軸と前記ミラー
表面との交点における該ミラー表面の局所的な歪み情報
を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを特徴とす
る。
【００１０】干渉計のミラーの歪み情報のうち、従来の
理想平面からの位置ずれだけでなく、例えば、ミラー表
面の角度誤差等の局所的な歪み誤差を考慮して、マスク
ステージあるいはウェハステージ等の位置や各種回転量
（Ｙａｗｉｎｇ、Ｐｉｔｃｈｉｎｇ、Ｒｏｌｌｉｎｇ）
の計算を行うので、より精度の高い測定を行うことがで
きる。
理想平面からの位置ずれだけでなく、例えば、ミラー表
面の角度誤差等の局所的な歪み誤差を考慮して、マスク
ステージあるいはウェハステージ等の位置や各種回転量
（Ｙａｗｉｎｇ、Ｐｉｔｃｈｉｎｇ、Ｒｏｌｌｉｎｇ）
の計算を行うので、より精度の高い測定を行うことがで
きる。
【００１１】前記干渉計を用いた位置測定方法において
は、 前記局所的な歪み情報として、前記ミラー表面の
角度誤差をも取り込むことが好ましい。
は、 前記局所的な歪み情報として、前記ミラー表面の
角度誤差をも取り込むことが好ましい。
【００１２】本発明の干渉式位置測定装置は、 移動す
る被測定物に配置された干渉ビーム反射部材（ミラー）
と、 該ミラーに対向して配置された複数の干渉計と、
該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報
を得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつ
つ、前記被測定物の位置や回転量等を算出する演算手段
と、を具備する干渉式位置測定装置であって、 前記複
数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 前記
各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該ミラ
ー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結果の
補正を行うことを特徴とする。
る被測定物に配置された干渉ビーム反射部材（ミラー）
と、 該ミラーに対向して配置された複数の干渉計と、
該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報
を得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつ
つ、前記被測定物の位置や回転量等を算出する演算手段
と、を具備する干渉式位置測定装置であって、 前記複
数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 前記
各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該ミラ
ー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結果の
補正を行うことを特徴とする。
【００１３】本発明の露光装置は、 感応基板等を載置
するステージ及び露光光学系を備える露光装置であっ
て、 前記ステージに配置された干渉ビーム反射部材
（ミラー）と、 該ミラーに対向させて配置された複数
の干渉計と、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラ
ーの歪み情報を得、該歪み情報に基づいて前記計測結果
を補正しつつ、前記被測定物の位置や回転量等を算出す
る演算手段と、を具備し、前記各干渉計の軸と前記ミラ
ー表面との交点における該ミラー表面の局所的な歪み情
報を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを特徴と
する。
するステージ及び露光光学系を備える露光装置であっ
て、 前記ステージに配置された干渉ビーム反射部材
（ミラー）と、 該ミラーに対向させて配置された複数
の干渉計と、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラ
ーの歪み情報を得、該歪み情報に基づいて前記計測結果
を補正しつつ、前記被測定物の位置や回転量等を算出す
る演算手段と、を具備し、前記各干渉計の軸と前記ミラ
ー表面との交点における該ミラー表面の局所的な歪み情
報を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを特徴と
する。
【００１４】本発明の露光方法は、 所望のデバイスパ
ターンを感応基板上に形成する露光方法であって、 前
記感応基板を載置するステージ等に干渉ビーム反射部材
（ミラー）を配置し、 該ミラーに対向させて複数の干
渉計を配置し、 該複数の干渉計によって前記ミラーの
位置を計測し、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミ
ラーの歪み情報を得、該歪み情報に基づいて前記計測結
果を補正しつつ、前記被測定物の位置や回転量等を算出
し、該算出結果に基づいて前記ステージを制御しつつ、
露光を行う露光方法であって、 前記各干渉計の軸と前
記ミラー表面との交点における該ミラー表面の局所的な
歪み情報を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを
特徴とする。
ターンを感応基板上に形成する露光方法であって、 前
記感応基板を載置するステージ等に干渉ビーム反射部材
（ミラー）を配置し、 該ミラーに対向させて複数の干
渉計を配置し、 該複数の干渉計によって前記ミラーの
位置を計測し、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミ
ラーの歪み情報を得、該歪み情報に基づいて前記計測結
果を補正しつつ、前記被測定物の位置や回転量等を算出
し、該算出結果に基づいて前記ステージを制御しつつ、
露光を行う露光方法であって、 前記各干渉計の軸と前
記ミラー表面との交点における該ミラー表面の局所的な
歪み情報を取り込んで前記計測結果の補正を行うことを
特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。まず、本発明の実施の形態に係る電子線露光装置の
概要を図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、電
子線等の荷電粒子線をエネルギ線に用いる露光技術に限
定されるわけではなく、紫外線やＸ線等を用いる露光に
も適用できるが、ここでは、電子線露光を例にとって説
明する。また、以下では、レチクル転写露光方式の場合
で説明を進めるが、本発明の基本的手法は、レチクルを
用いずに直接露光する方式にも適用される。
る。まず、本発明の実施の形態に係る電子線露光装置の
概要を図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、電
子線等の荷電粒子線をエネルギ線に用いる露光技術に限
定されるわけではなく、紫外線やＸ線等を用いる露光に
も適用できるが、ここでは、電子線露光を例にとって説
明する。また、以下では、レチクル転写露光方式の場合
で説明を進めるが、本発明の基本的手法は、レチクルを
用いずに直接露光する方式にも適用される。
【００１６】図２は、本発明の実施の形態に係る露光装
置を模式的に示す図である。図２に示す電子線露光装置
の上部には、光学鏡筒（真空チャンバ）１が示されてい
る。光学鏡筒１には真空ポンプ２が接続されており、光
学鏡筒１内を真空排気している。
置を模式的に示す図である。図２に示す電子線露光装置
の上部には、光学鏡筒（真空チャンバ）１が示されてい
る。光学鏡筒１には真空ポンプ２が接続されており、光
学鏡筒１内を真空排気している。
【００１７】光学鏡筒１の上部には、電子銃３が配置さ
れており、下方に向けて電子線を放射する。電子銃３の
下方には、コンデンサレンズ４や電子線偏向器５等を含
む照明光学系、及びマスクＭが配置されている。電子銃
３から放射された電子線は、コンデンサレンズ４によっ
て収束される。続いて、偏向器５により図の横方向に順
次走査（スキャン）され、光学系の視野内にあるマスク
Ｍの各小領域（サブフィールド）の照明が行われる。な
お、図ではコンデンサレンズ４は一段であるが、実際に
は、照明光学系には数段のレンズやビーム成形開口等が
設けられている。
れており、下方に向けて電子線を放射する。電子銃３の
下方には、コンデンサレンズ４や電子線偏向器５等を含
む照明光学系、及びマスクＭが配置されている。電子銃
３から放射された電子線は、コンデンサレンズ４によっ
て収束される。続いて、偏向器５により図の横方向に順
次走査（スキャン）され、光学系の視野内にあるマスク
Ｍの各小領域（サブフィールド）の照明が行われる。な
お、図ではコンデンサレンズ４は一段であるが、実際に
は、照明光学系には数段のレンズやビーム成形開口等が
設けられている。
【００１８】マスクＭは、マスクステージ１１の上部に
設けられたチャック１０に静電吸着等により固定されて
いる。マスクステージ１１は、定盤１６に載置されてい
る。マスクステージ１１の端面の２箇所には、図示せぬ
ミラーが設置されている。ミラーの外側の側面は高精度
に研磨されており、レーザ干渉計１３の反射面として利
用される。
設けられたチャック１０に静電吸着等により固定されて
いる。マスクステージ１１は、定盤１６に載置されてい
る。マスクステージ１１の端面の２箇所には、図示せぬ
ミラーが設置されている。ミラーの外側の側面は高精度
に研磨されており、レーザ干渉計１３の反射面として利
用される。
【００１９】マスクステージ１１には、図の左方に示す
駆動装置１２が接続されている。駆動装置１２は、ドラ
イバ１４を介して、制御装置１５に接続されている。ま
た、マスクステージ１１の側方（図の右方）には、例え
ば、レーザ干渉計１３が設置されている。レーザ干渉計
１３は、制御装置１５に接続されている。
駆動装置１２が接続されている。駆動装置１２は、ドラ
イバ１４を介して、制御装置１５に接続されている。ま
た、マスクステージ１１の側方（図の右方）には、例え
ば、レーザ干渉計１３が設置されている。レーザ干渉計
１３は、制御装置１５に接続されている。
【００２０】定盤１６の下方には、ウェハチャンバ（真
空チャンバ）２１が示されている。ウェハチャンバ２１
の側方（図の右側）には、真空ポンプ２２が接続されて
おり、ウェハチャンバ２１内を真空排気している。ウェ
ハチャンバ２１内には、上方からコンデンサレンズ（投
影レンズ）２４や偏向器２５を含む投影光学系、及びウ
ェハWが配置されている。
空チャンバ）２１が示されている。ウェハチャンバ２１
の側方（図の右側）には、真空ポンプ２２が接続されて
おり、ウェハチャンバ２１内を真空排気している。ウェ
ハチャンバ２１内には、上方からコンデンサレンズ（投
影レンズ）２４や偏向器２５を含む投影光学系、及びウ
ェハWが配置されている。
【００２１】マスクＭを通過した電子線は、コンデンサ
レンズ２４により収束される。コンデンサレンズ２４を
通過した電子線は、偏向器２５により偏向され、ウェハ
W上の所定の位置にマスクＭの像が結像される。なお、
図ではコンデンサレンズ２４は一段であるが、実際に
は、投影光学系中には複数段のレンズや収差補正用のレ
ンズやコイルが設けられている。
レンズ２４により収束される。コンデンサレンズ２４を
通過した電子線は、偏向器２５により偏向され、ウェハ
W上の所定の位置にマスクＭの像が結像される。なお、
図ではコンデンサレンズ２４は一段であるが、実際に
は、投影光学系中には複数段のレンズや収差補正用のレ
ンズやコイルが設けられている。
【００２２】ウェハWは、詳しくは図３を参照して後述
するが、ウェハステージ３１の上部に設けられたウェハ
テーブル２７に固定されている。ウェハステージ３１
は、定盤３６に載置されている。
するが、ウェハステージ３１の上部に設けられたウェハ
テーブル２７に固定されている。ウェハステージ３１
は、定盤３６に載置されている。
【００２３】ウェハステージ３１には、図の左方に示す
駆動装置３２が接続されている。駆動装置３２は、ドラ
イバ３４を介して、制御装置１５に接続されている。ま
た、ウェハステージ３１の側方（図の右方）には、例え
ば、レーザ干渉計３３が設置されている。レーザ干渉計
３３は、制御装置１５に接続されている。
駆動装置３２が接続されている。駆動装置３２は、ドラ
イバ３４を介して、制御装置１５に接続されている。ま
た、ウェハステージ３１の側方（図の右方）には、例え
ば、レーザ干渉計３３が設置されている。レーザ干渉計
３３は、制御装置１５に接続されている。
【００２４】制御装置１５には、レーザ干渉計１３、３
３で計測されたマスクステージ１１、ウェハステージ３
１の正確な位置情報を計測する計測部１５ａと、位置情
報から種々の演算（詳しくは図１を参照して後述）を行
う演算部１５ｂと、演算結果からステージを制御する指
令をドライバ１４、３４に伝送する指令部１５ｃと、が
設けられている。
３で計測されたマスクステージ１１、ウェハステージ３
１の正確な位置情報を計測する計測部１５ａと、位置情
報から種々の演算（詳しくは図１を参照して後述）を行
う演算部１５ｂと、演算結果からステージを制御する指
令をドライバ１４、３４に伝送する指令部１５ｃと、が
設けられている。
【００２５】マスクステージ１１、ウェハステージ３１
の正確な位置情報がレーザ干渉計１３、３３で計測され
ると、制御装置１５の計測部１５ａに入力される。この
位置情報から演算部１５ｂで種々の演算がなされ、ステ
ージの位置を目標位置とすべく、制御装置１５の指令部
１５ｃからドライバ１４、３４に指令が送出され、駆動
装置１２、３２が駆動される。その結果、マスクステー
ジ１１、ウェハステージ３１の位置をリアルタイムで正
確にフィードバック制御することができる。
の正確な位置情報がレーザ干渉計１３、３３で計測され
ると、制御装置１５の計測部１５ａに入力される。この
位置情報から演算部１５ｂで種々の演算がなされ、ステ
ージの位置を目標位置とすべく、制御装置１５の指令部
１５ｃからドライバ１４、３４に指令が送出され、駆動
装置１２、３２が駆動される。その結果、マスクステー
ジ１１、ウェハステージ３１の位置をリアルタイムで正
確にフィードバック制御することができる。
【００２６】図３は、本発明の実施の形態に係る露光装
置のウェハテーブルの構成を示す斜視図である。図３に
は、ウェハＷを載置するウェハテーブル２７が示されて
いる。ウェハテーブル２７上には、図示はしていない
が、静電チャック等のウェハ保持装置があり、ウェハＷ
を固定している。ウェハテーブル２７の端面の２箇所に
は、ミラー２９ａ、２９ｂが設置されている。ミラー２
９ａ、２９ｂの外側の側面は高精度に研磨されており、
図２に示したレーザ干渉計３３の反射面として利用され
る。
置のウェハテーブルの構成を示す斜視図である。図３に
は、ウェハＷを載置するウェハテーブル２７が示されて
いる。ウェハテーブル２７上には、図示はしていない
が、静電チャック等のウェハ保持装置があり、ウェハＷ
を固定している。ウェハテーブル２７の端面の２箇所に
は、ミラー２９ａ、２９ｂが設置されている。ミラー２
９ａ、２９ｂの外側の側面は高精度に研磨されており、
図２に示したレーザ干渉計３３の反射面として利用され
る。
【００２７】次に、上述のウェハテーブルに設けられた
ミラーの位置や回転量を計測する方法について説明す
る。ここでは、簡単のため、２次元平面における計測方
法を説明する。
ミラーの位置や回転量を計測する方法について説明す
る。ここでは、簡単のため、２次元平面における計測方
法を説明する。
【００２８】以下の説明においては、次の手順で説明し
ていく。 （１）ウェハテーブル上に、マークプレート２８上のマ
ークを原点とする直交座標系（ｕ，ｖ）と、露光光学系
中心位置を原点とする干渉計座標系（ｘ，ｙ）を定義す
る。 （２）直交座標系（ｕ，ｖ）において、ミラーのある点
での方程式を求める。このとき、方程式にミラーの局所
的な曲がり角ψu＋ωu（ｖi）、ψv＋ωv（ｕi）を盛り
込む。 （３）上記の方程式に、ウェハテーブルの回転誤差を盛
り込む。 （４）上記の方程式を干渉計座標系（ｘ，ｙ）に換算す
る。 （５）上記の方程式に、４本の干渉計軸とそれぞれのミ
ラーとの交点を代入し、交点の座標値（ｘ1、ｘ2、
ｙ1、ｙ2）を算出する。 （６）干渉計座標系（ｘ，ｙ）において、ミラーが回転
した際の干渉計の光路長を求める。 （７）上記の光路長に、上記の座標の値（ｘ1、ｘ2、ｙ
1、ｙ2）を代入する。 （８）干渉計の計測値を上式に代入して最終的な露光目
標位置を求め、ウェハテーブルをその位置に制御する。
ていく。 （１）ウェハテーブル上に、マークプレート２８上のマ
ークを原点とする直交座標系（ｕ，ｖ）と、露光光学系
中心位置を原点とする干渉計座標系（ｘ，ｙ）を定義す
る。 （２）直交座標系（ｕ，ｖ）において、ミラーのある点
での方程式を求める。このとき、方程式にミラーの局所
的な曲がり角ψu＋ωu（ｖi）、ψv＋ωv（ｕi）を盛り
込む。 （３）上記の方程式に、ウェハテーブルの回転誤差を盛
り込む。 （４）上記の方程式を干渉計座標系（ｘ，ｙ）に換算す
る。 （５）上記の方程式に、４本の干渉計軸とそれぞれのミ
ラーとの交点を代入し、交点の座標値（ｘ1、ｘ2、
ｙ1、ｙ2）を算出する。 （６）干渉計座標系（ｘ，ｙ）において、ミラーが回転
した際の干渉計の光路長を求める。 （７）上記の光路長に、上記の座標の値（ｘ1、ｘ2、ｙ
1、ｙ2）を代入する。 （８）干渉計の計測値を上式に代入して最終的な露光目
標位置を求め、ウェハテーブルをその位置に制御する。
【００２９】図１は、ウェハテーブルに設けられたミラ
ーの位置や回転量を計測する方法を説明するための図で
ある。図１には、図２に示したウェハテーブル２７が示
されている。ウェハテーブル２７の中央付近には、ウェ
ハＷ（図２参照）が示されている。ウェハＷの脇には、
マークプレート２８が示されている。ウェハテーブル２
７の図の右側の端面と上側の端面には、ミラー２９ａ、
２９ｂの外側の側面（以下、ミラー面２９ａ、２９ｂと
呼ぶ）が模式的に示されている。ミラー面２９ａ、２９
ｂにわずかな歪みがあり、この実施の形態の図では大袈
裟に示してある。
ーの位置や回転量を計測する方法を説明するための図で
ある。図１には、図２に示したウェハテーブル２７が示
されている。ウェハテーブル２７の中央付近には、ウェ
ハＷ（図２参照）が示されている。ウェハＷの脇には、
マークプレート２８が示されている。ウェハテーブル２
７の図の右側の端面と上側の端面には、ミラー２９ａ、
２９ｂの外側の側面（以下、ミラー面２９ａ、２９ｂと
呼ぶ）が模式的に示されている。ミラー面２９ａ、２９
ｂにわずかな歪みがあり、この実施の形態の図では大袈
裟に示してある。
【００３０】図１のウェハテーブル２７上には、ウェハ
テーブル２７上に設けられたマークプレート２８の中心
を原点とする直交座標系（ｕ，ｖ）と、露光光学系中心
位置を原点とする干渉計座標系（ｘ，ｙ）が示されてい
る。
テーブル２７上に設けられたマークプレート２８の中心
を原点とする直交座標系（ｕ，ｖ）と、露光光学系中心
位置を原点とする干渉計座標系（ｘ，ｙ）が示されてい
る。
【００３１】図１において、ウェハテーブル２７上に定
義された直交座標系に対し、ミラー面２９ａ、２９ｂの
曲線を最小二乗近似した直線を、それぞれＬu、Ｌvとす
る。なお、この直線が従来の干渉計を用いた位置測定方
法で用いられていた外挿線である。直線Ｌu、Ｌvと座標
軸ｕ、ｖとのなす角をそれぞれψu、ψvとし、座標軸
ｕ、ｖとの交点をそれぞれ（Ｂu，０）、（０，Ｂv）と
する。また、直線Ｌu、Ｌvに対し、ミラー面２９ａ、２
９ｂ上のある点（例えば、点Ｕ１、Ｖ１）との距離をそ
れぞれβu（ｖ）、βv（ｕ）とし、ミラー面２９ａ、２
９ｂ上の点Ｕ１、Ｖ１の接線との角をそれぞれω
u（ｖ）、ωv（ｕ）とする。ただし、ミラー面２９ａ、
２９ｂの歪みは実際には微小であり、ψu、ψv、ω
u（ｖ）、ωv（ｕ）は十分小さい値となる。また、ψu
はｖ軸からＬuに測り、ωuはＬuから反射面に測り、ψv
はＬvからｕ軸に測り、ωvは反射面からＬvに測り、時
計回り方向を正方向とする。
義された直交座標系に対し、ミラー面２９ａ、２９ｂの
曲線を最小二乗近似した直線を、それぞれＬu、Ｌvとす
る。なお、この直線が従来の干渉計を用いた位置測定方
法で用いられていた外挿線である。直線Ｌu、Ｌvと座標
軸ｕ、ｖとのなす角をそれぞれψu、ψvとし、座標軸
ｕ、ｖとの交点をそれぞれ（Ｂu，０）、（０，Ｂv）と
する。また、直線Ｌu、Ｌvに対し、ミラー面２９ａ、２
９ｂ上のある点（例えば、点Ｕ１、Ｖ１）との距離をそ
れぞれβu（ｖ）、βv（ｕ）とし、ミラー面２９ａ、２
９ｂ上の点Ｕ１、Ｖ１の接線との角をそれぞれω
u（ｖ）、ωv（ｕ）とする。ただし、ミラー面２９ａ、
２９ｂの歪みは実際には微小であり、ψu、ψv、ω
u（ｖ）、ωv（ｕ）は十分小さい値となる。また、ψu
はｖ軸からＬuに測り、ωuはＬuから反射面に測り、ψv
はＬvからｕ軸に測り、ωvは反射面からＬvに測り、時
計回り方向を正方向とする。
【００３２】このとき、ミラー面２９ａ、２９ｂの方程
式は、
式は、
【数１】
【数２】 で表される。
【００３３】ここで、曲がり角（歪み）（ψu＋ω
u（ｖ））及び（ψv＋ωv（ｕ））は十分小さな値であ
るので、数１、数２は、以下のように近似できる。
u（ｖ））及び（ψv＋ωv（ｕ））は十分小さな値であ
るので、数１、数２は、以下のように近似できる。
【数３】
【数４】
【００３４】続いて、数３、数４に、ウェハテーブル２
７の回転誤差を盛り込む。ここで、直交座標系（ｕ，
ｖ）におけるウェハＷ上の露光位置（干渉計座標系
（ｘ，ｙ）の原点）の座標を（ｕs，ｖs）とし、ウェハ
テーブル２７の回転量を示す行列をＲとすると、
７の回転誤差を盛り込む。ここで、直交座標系（ｕ，
ｖ）におけるウェハＷ上の露光位置（干渉計座標系
（ｘ，ｙ）の原点）の座標を（ｕs，ｖs）とし、ウェハ
テーブル２７の回転量を示す行列をＲとすると、
【数５】 となる。
【００３５】ここで、ウェハテーブル２７の回転量をθ
とすると、
とすると、
【数６】 であるので、これを数５に代入すると、
【数７】 となる。
【００３６】また、数５を変形すると、
【数８】 となる。数８に数５を代入すると、
【数９】 となる。
【００３７】ここで、マクローリンの定理より、
【数１０】
【数１１】 であり、実際には、θは微小であるので、３次以上の項
を省略すると、
を省略すると、
【数１２】
【数１３】 となる。
【００３８】数１２、数１３を数９に代入すると、数９
は以下のように近似できる。
は以下のように近似できる。
【数１４】
【００３９】数１４を数３、数４に代入すると、
【数１５】
【数１６】 となる。
【００４０】続いて、干渉計軸とミラーとの交点につい
て説明する。図４は、干渉計軸のレイアウト例を示す図
である。図４には、ウェハテーブル２７（図１、図２参
照）が模式的に示されている。ウェハテーブル２７上に
は、干渉計座標系（ｘ，ｙ）が示されている。ウェハテ
ーブル２７には、マークプレート２８が示されている。
マークプレート２８上には、直交座標系（ｕ，ｖ）が示
されており、直交座標系（ｕ，ｖ）は干渉計座標系
（ｘ，ｙ）からθだけ傾きを持っている。ウェハテーブ
ル２７の端面の２箇所には、ミラー面２９ａ、２９ｂ
（図２参照）が示されている。
て説明する。図４は、干渉計軸のレイアウト例を示す図
である。図４には、ウェハテーブル２７（図１、図２参
照）が模式的に示されている。ウェハテーブル２７上に
は、干渉計座標系（ｘ，ｙ）が示されている。ウェハテ
ーブル２７には、マークプレート２８が示されている。
マークプレート２８上には、直交座標系（ｕ，ｖ）が示
されており、直交座標系（ｕ，ｖ）は干渉計座標系
（ｘ，ｙ）からθだけ傾きを持っている。ウェハテーブ
ル２７の端面の２箇所には、ミラー面２９ａ、２９ｂ
（図２参照）が示されている。
【００４１】ミラー面２９ａ、２９ｂには、それぞれレ
ーザ干渉計３３（図２参照）から２本ずつのレーザ光が
照射されている。各々の干渉計軸（レーザ光の光軸）と
ミラー面２９ａ、２９ｂとの交点を、それぞれＸ１（ｘ
1，−ａ／２）、Ｘ２（ｘ2，ａ／２）、Ｙ１（−ａ／
２，ｙ1）、Ｙ２（ａ／２，ｙ2）とする。
ーザ干渉計３３（図２参照）から２本ずつのレーザ光が
照射されている。各々の干渉計軸（レーザ光の光軸）と
ミラー面２９ａ、２９ｂとの交点を、それぞれＸ１（ｘ
1，−ａ／２）、Ｘ２（ｘ2，ａ／２）、Ｙ１（−ａ／
２，ｙ1）、Ｙ２（ａ／２，ｙ2）とする。
【００４２】ここで、数１５にＸ１を代入して変形する
と、
と、
【数１７】 となる。
【００４３】ここで、
【数１８】
【数１９】 とおくと、数１７は、
【数２０】 となり、さらに変形すると、
【数２１】 となる。
【００４４】ここで、数１５にＸ２を、数１６にＹ１、
Ｙ２を代入して変形すると、
Ｙ２を代入して変形すると、
【数２２】
【数２３】
【数２４】 となる。
【００４５】ここで、干渉計座標系（ｘ，ｙ）におい
て、ミラーが回転した際の干渉計の光路長を求める。図
５は、ミラーが回転した際の干渉計の光路長を求めるた
めの図である。図５には、特開平１１−４４５０３に開
示したようなコーナーキューブを用いた干渉式位置測定
装置の光路が示されている。図５には、Ｘ方向の偏光方
位を有するｐ偏光を透過させ、Ｙ方向の偏光方位を有す
るｓ偏光を反射する特性を有する偏光ビームスプレッタ
１０１と、直角２等辺三角形で示すコーナーキューブプ
リズム１０２と、フレネルロム等の光学素子からなる１
／４波長板１０３と、が示されている。図５には、ま
た、ウェハテーブルのミラー面２９ａが模式的に示され
ており、レーザ干渉計３３（図２、図４参照）の干渉位
置が破線で示されている。光源から入射されるレーザ光
をレーザ光Ｌaとし、レーザ干渉計３３で測定される反
射レーザ光を反射レーザ光Ｌbとする。
て、ミラーが回転した際の干渉計の光路長を求める。図
５は、ミラーが回転した際の干渉計の光路長を求めるた
めの図である。図５には、特開平１１−４４５０３に開
示したようなコーナーキューブを用いた干渉式位置測定
装置の光路が示されている。図５には、Ｘ方向の偏光方
位を有するｐ偏光を透過させ、Ｙ方向の偏光方位を有す
るｓ偏光を反射する特性を有する偏光ビームスプレッタ
１０１と、直角２等辺三角形で示すコーナーキューブプ
リズム１０２と、フレネルロム等の光学素子からなる１
／４波長板１０３と、が示されている。図５には、ま
た、ウェハテーブルのミラー面２９ａが模式的に示され
ており、レーザ干渉計３３（図２、図４参照）の干渉位
置が破線で示されている。光源から入射されるレーザ光
をレーザ光Ｌaとし、レーザ干渉計３３で測定される反
射レーザ光を反射レーザ光Ｌbとする。
【００４６】図５において、偏光ビームスプレッタ１０
１にレーザ光Ｌaが入射されると、ｐ偏光が透過され
る。このｐ偏光の光１１１は、波長板１０３を介して円
偏光１１２の光となり、ミラー面２９ａに当たる。ミラ
ー面２９ａで反射された円偏光の光１１３は、波長板１
０３を介してｓ偏光１１４となり、偏光ビームスプレッ
タ１０１に戻る。この光１１４はｓ偏光であるので、光
１１４は偏光ビームスプレッタ１０１で反射され、図の
上方に進む（光１１５）。この光１１５は、コーナーキ
ューブプリズム１０２に入射され、コーナーキューブプ
リズム１０２内で２回反射された後、図の下方に反射さ
れる（光１１６）。この光１１６はｓ偏光であるので、
光１１６は偏光ビームスプレッタ１０１で反射され、図
の左方に進む（光１１７）。このｓ偏光の光１１７は、
波長板１０３を介して円偏光１１８の光となり、ミラー
面２９ａに当たる。ミラー面２９ａで反射された円偏光
の光１１９は、波長板１０３を介してｐ偏光１２０とな
り、偏光ビームスプレッタ１０１に戻る。この光１２０
はｐ偏光であるので、光１２０は偏光ビームスプレッタ
１０１を透過し、図の右方に進む（反射レーザ光
Ｌb）。
１にレーザ光Ｌaが入射されると、ｐ偏光が透過され
る。このｐ偏光の光１１１は、波長板１０３を介して円
偏光１１２の光となり、ミラー面２９ａに当たる。ミラ
ー面２９ａで反射された円偏光の光１１３は、波長板１
０３を介してｓ偏光１１４となり、偏光ビームスプレッ
タ１０１に戻る。この光１１４はｓ偏光であるので、光
１１４は偏光ビームスプレッタ１０１で反射され、図の
上方に進む（光１１５）。この光１１５は、コーナーキ
ューブプリズム１０２に入射され、コーナーキューブプ
リズム１０２内で２回反射された後、図の下方に反射さ
れる（光１１６）。この光１１６はｓ偏光であるので、
光１１６は偏光ビームスプレッタ１０１で反射され、図
の左方に進む（光１１７）。このｓ偏光の光１１７は、
波長板１０３を介して円偏光１１８の光となり、ミラー
面２９ａに当たる。ミラー面２９ａで反射された円偏光
の光１１９は、波長板１０３を介してｐ偏光１２０とな
り、偏光ビームスプレッタ１０１に戻る。この光１２０
はｐ偏光であるので、光１２０は偏光ビームスプレッタ
１０１を透過し、図の右方に進む（反射レーザ光
Ｌb）。
【００４７】ここで、ミラー面２９ａは、干渉座標系の
ｙ軸に対してΘだけ傾いているとする。レーザ干渉計３
３からミラー面２９ａの点Ｘaに向けて、レーザ光Ｌa、
光１１１、１１２がｘ軸と平行に照射されると、ミラー
面２９ａの点Ｘaに当って反射したレーザ光１１３′
は、ｘ軸と２Θの角度を持って反射される。その後、こ
のレーザ光１１３′は、上述したように、偏光ビームス
プレッタ１０１やコーナーキューブプリズム１０２等を
介して、干渉計３３に到達する。
ｙ軸に対してΘだけ傾いているとする。レーザ干渉計３
３からミラー面２９ａの点Ｘaに向けて、レーザ光Ｌa、
光１１１、１１２がｘ軸と平行に照射されると、ミラー
面２９ａの点Ｘaに当って反射したレーザ光１１３′
は、ｘ軸と２Θの角度を持って反射される。その後、こ
のレーザ光１１３′は、上述したように、偏光ビームス
プレッタ１０１やコーナーキューブプリズム１０２等を
介して、干渉計３３に到達する。
【００４８】ここで、干渉計の光路長をＸi、露光位置
（ｘ軸とｙ軸の原点）からミラー面２９ａの点Ｘ１まで
の距離をｘi、露光位置から干渉計３３の干渉位置まで
の距離をＬxとすると、
（ｘ軸とｙ軸の原点）からミラー面２９ａの点Ｘ１まで
の距離をｘi、露光位置から干渉計３３の干渉位置まで
の距離をＬxとすると、
【数２５】 となる。
【００４９】ここで、Θには、ウェハテーブルの回転誤
差θとミラーの局所的な曲がり角ψ ui、ψviが含まれ
る。そのため、Ｘaが図４に示したＸ１である場合に
は、
差θとミラーの局所的な曲がり角ψ ui、ψviが含まれ
る。そのため、Ｘaが図４に示したＸ１である場合に
は、
【数２６】 となる。
【００５０】数２６を数２５に代入して、
【数２７】 となる。ここで、数２７に数２１を代入して整理する
と、
と、
【数２８】 となる。
【００５１】さらに、Ｘaが図４のＸ２、Ｙ１、Ｙ２で
ある場合には、同様に計算して、それぞれ、
ある場合には、同様に計算して、それぞれ、
【数２９】
【数３０】
【数３１】 となる。
【００５２】上述の数２８〜数３１を用いて、干渉計の
読み値（Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2）を代入するとともに、
θ、ｕs、ｖsを解くことにより、（Ｌx，Ｌy）の値を求
めてウェハステージ２７を露光位置に制御することがで
きる。
読み値（Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2）を代入するとともに、
θ、ｕs、ｖsを解くことにより、（Ｌx，Ｌy）の値を求
めてウェハステージ２７を露光位置に制御することがで
きる。
【００５３】ここで、上述の数２８〜数３１はレーザ光
の当たる位置での局所的なミラーの歪みを考慮したもの
であり、上式には既に局所的な曲がり角のパラメータが
ｕ、ｖの関数として取り込まれているため、計測時のミ
ラーとレーザ光との交点の位置は一義的には決まらな
い。これに関しては、以下の方法で近似的に解決でき
る。
の当たる位置での局所的なミラーの歪みを考慮したもの
であり、上式には既に局所的な曲がり角のパラメータが
ｕ、ｖの関数として取り込まれているため、計測時のミ
ラーとレーザ光との交点の位置は一義的には決まらな
い。これに関しては、以下の方法で近似的に解決でき
る。
【００５４】ステージを連続移動させる時などの干渉計
情報を短周期で読み出す場合には、直前の位置情報から
得られる予想位置でのミラー曲がり角ψui、ψviを用い
る。これにより、レーザ光の予想位置は、真の値に対し
て数１０nm内の精度で得られ、ミラーの曲がり周期がせ
いぜい数１０μｍ程度以上であれば十分な精度を得るこ
とができる。
情報を短周期で読み出す場合には、直前の位置情報から
得られる予想位置でのミラー曲がり角ψui、ψviを用い
る。これにより、レーザ光の予想位置は、真の値に対し
て数１０nm内の精度で得られ、ミラーの曲がり周期がせ
いぜい数１０μｍ程度以上であれば十分な精度を得るこ
とができる。
【００５５】上述のように、干渉計の計測式（数２８〜
数３１）にミラーの局所的な曲がり角ψui、ψviを盛り
込むことで、計測精度を飛躍的に向上させることができ
る。
数３１）にミラーの局所的な曲がり角ψui、ψviを盛り
込むことで、計測精度を飛躍的に向上させることができ
る。
【００５６】この実施の形態では、２次元に関して説明
したが、当然３次元に干渉計軸をレイアウトした場合に
もミラーの局所的な曲がり角を考慮することで精度を向
上できる。また、この実施の形態においては、ウェハテ
ーブルに設けたミラーの計測を行う例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、鏡筒等に
固定された固定鏡筒を計測する場合にも適応できる。
したが、当然３次元に干渉計軸をレイアウトした場合に
もミラーの局所的な曲がり角を考慮することで精度を向
上できる。また、この実施の形態においては、ウェハテ
ーブルに設けたミラーの計測を行う例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、鏡筒等に
固定された固定鏡筒を計測する場合にも適応できる。
【００５７】以上図１〜図５を参照しつつ、本発明の実
施の形態に係る干渉計を用いた位置測定方法等について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
様々な変更を加えることができる。
施の形態に係る干渉計を用いた位置測定方法等について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
様々な変更を加えることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ミラーの歪みを補正し、より高精度な計測を
行うことができる。
によれば、ミラーの歪みを補正し、より高精度な計測を
行うことができる。
【図１】ウェハテーブルに設けられたミラーの位置や回
転量を計測する方法を説明するための図である。
転量を計測する方法を説明するための図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る露光装置を模式的に
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る露光装置のウェハテ
ーブルの構成を示す斜視図である。
ーブルの構成を示す斜視図である。
【図４】干渉計軸のレイアウト例を示す図である。
【図５】ミラーが回転した際の干渉計の光路長を求める
ための図である。
ための図である。
Ｗ ウェハ ２７ ウェハテーブル ２８ マークプレート ２９ａ、２９ｂ ミラー、ミラー面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｚ Ｆターム(参考） 2F064 AA02 BB01 CC10 FF01 GG12 GG15 GG23 GG37 2F065 AA03 AA07 AA31 BB03 BB24 BB27 CC20 FF51 GG04 HH04 LL04 LL12 LL17 LL33 LL37 LL47 MM03 MM04 PP12 PP22 QQ03 QQ18 QQ21 QQ23 UU01 5F046 CC03 CC16 DA07 DB05 5F056 BA10 BB10 CB22 EA14
Claims (5)
- 【請求項１】 移動する被測定物に干渉ビーム反射部材
（ミラー）を配置し、 該ミラーに対向させて複数の干渉計を配置し、 該複数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を
得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、
前記被測定物の位置や回転量等を算出する干渉計を用い
た位置測定方法であって、 前記各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該
ミラー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結
果の補正を行うことを特徴とする干渉計を用いた位置測
定方法。 - 【請求項２】 前記局所的な歪み情報として、前記ミラ
ー表面の角度誤差をも取り込むことを特徴とする請求項
１記載の干渉計を用いた位置測定方法。 - 【請求項３】 移動する被測定物に配置された干渉ビー
ム反射部材（ミラー）と、 該ミラーに対向して配置された複数の干渉計と、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を
得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、
前記被測定物の位置や回転量等を算出する演算手段と、
を具備する干渉式位置測定装置であって、 前記複数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 前記各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該
ミラー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結
果の補正を行うことを特徴とする干渉式位置測定装置。 - 【請求項４】 感応基板等を載置するステージ及び露光
光学系を備える露光装置であって、 前記ステージに配置された干渉ビーム反射部材（ミラ
ー）と、 該ミラーに対向させて配置された複数の干渉計と、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を
得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、
前記被測定物の位置や回転量等を算出する演算手段と、
を具備し、 前記各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該
ミラー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結
果の補正を行うことを特徴とする露光装置。 - 【請求項５】 所望のデバイスパターンを感応基板上に
形成する露光方法であって、 前記感応基板を載置するステージ等に干渉ビーム反射部
材（ミラー）を配置し、 該ミラーに対向させて複数の干渉計を配置し、 該複数の干渉計によって前記ミラーの位置を計測し、 該複数の干渉計の計測結果から前記ミラーの歪み情報を
得、該歪み情報に基づいて前記計測結果を補正しつつ、
前記被測定物の位置や回転量等を算出し、該算出結果に
基づいて前記ステージを制御しつつ、露光を行う露光方
法であって、 前記各干渉計の軸と前記ミラー表面との交点における該
ミラー表面の局所的な歪み情報を取り込んで前記計測結
果の補正を行うことを特徴とする露光方法。
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