JP2002363775A - Etching method and etching system - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常に所望の割合に混合されたエッチング液を
生成して半導体ウェーハの裏面のエッチングを行うよう
にする。
【解決手段】 ２以上の薬液を混合してエッチング液を
生成し、エッチング液を用いて被加工物の面をエッチン
グする場合において、２以上の薬液を所望の混合割合で
混合してエッチング液を生成した後にエッチング液の混
合割合を液体濃度計３１、３２を用いて検査し、混合割
合が所望の混合割合でない場合は、エッチング液を所望
の混合割合となるように調整する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To always produce an etching solution mixed in a desired ratio and to etch the back surface of a semiconductor wafer. SOLUTION: In the case where an etchant is generated by mixing two or more chemicals and the surface of a workpiece is etched using the etchant, the etchant is mixed by mixing the two or more chemicals at a desired mixing ratio. After the generation, the mixture ratio of the etching solution is inspected using the liquid densitometers 31 and 32, and if the mixture ratio is not the desired mixture ratio, the etching solution is adjusted to the desired mixture ratio.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
裏面の研削後に研削面を化学的にエッチングする方法及
びその方法の実施に用いるエッチングシステムに関す
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for chemically etching a ground surface after grinding a back surface of a semiconductor wafer and an etching system used for carrying out the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の回路が表面に複数形成
された半導体ウェーハは、ダイシングによって個々のチ
ップに分割される前に、放熱性を良くするために、また
は、携帯電話等の機器の小型化、薄型化のために、その
裏面を研削砥石を用いて所定量研削することにより所定
の厚さに形成される。2. Description of the Related Art A semiconductor wafer having a plurality of circuits, such as ICs and LSIs, formed on a surface thereof, before being divided into individual chips by dicing, in order to improve heat radiation, or to improve the performance of devices such as mobile phones. In order to reduce the size and thickness, the back surface is ground to a predetermined thickness by using a grinding wheel to form a predetermined thickness.
【０００３】しかし、上記の研削は研削砥石による微細
な脆性破壊によって行われるため、研削面には複数の微
細な歪みが生じて分割後の個々のチップの抗折強度が低
下するという問題がある。[0003] However, since the above-mentioned grinding is performed by minute brittle fracture by a grinding wheel, there is a problem that a plurality of fine distortions are generated on the ground surface, and the bending strength of individual chips after division is reduced. .
【０００４】また、半導体ウェーハの表面のストリート
にチップ厚さに相当する深さのダイシング溝を形成した
後、ダイシング溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面
を研削して個々のチップに分割する技術（先ダイシン
グ）においても上記と同様の問題が生じる。[0004] Further, after dicing grooves having a depth corresponding to the chip thickness are formed in the streets on the front surface of the semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground to separate the individual chips until the dicing grooves are exposed. (Pre-dicing) also causes the same problem as described above.
【０００５】そこで、半導体ウェーハの裏面を研削した
後に、研削面をエッチング液によって例えば２０μｍ程
エッチングすることにより歪みを除去することとしてい
る。このエッチングを行う際は、硝酸とフッ化水素酸と
を適宜の割合で混合してエッチング液を生成し、そのエ
ッチング液を用いてエッチングを行うが、経済性を考慮
して使用後のエッチング液を循環させて再利用する場合
がある。Therefore, after grinding the back surface of the semiconductor wafer, the ground surface is etched by, for example, about 20 μm with an etchant to remove distortion. When performing this etching, nitric acid and hydrofluoric acid are mixed at an appropriate ratio to generate an etching solution, and the etching is performed using the etching solution. May be circulated and reused.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、硝酸と
フッ化水素酸とをエッチングに適した所望の割合で混合
してエッチング液を生成したつもりでも、実際には予定
した混合割合とならない場合があり、この場合は高価な
半導体ウェーハを必要以上にエッチングしてしまう等し
て廃棄しなければならないことがある。However, even if it is intended to produce an etching solution by mixing nitric acid and hydrofluoric acid at a desired ratio suitable for etching, the mixing ratio may not actually be the expected ratio. In this case, the expensive semiconductor wafer may have to be discarded, for example, by being etched more than necessary.
【０００７】また、使用後のエッチング液を循環させて
再利用する場合は、硝酸とフッ化水素酸との混合割合が
変化するためにエッチング能力が低下し、それに伴いチ
ップの品質が低下するという問題がある。[0007] Further, when the used etchant is circulated and reused, the mixing ability of nitric acid and hydrofluoric acid is changed, so that the etching ability is reduced and the quality of the chip is reduced accordingly. There's a problem.
【０００８】このように、半導体ウェーハの裏面のエッ
チングにおいては、常に所望の割合に混合されたエッチ
ング液を生成してエッチングを行うことに課題を有して
いる。As described above, in etching the back surface of a semiconductor wafer, there is a problem that etching is always performed by generating an etching solution mixed at a desired ratio.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、２以上の薬液を混合して
エッチング液を生成し、エッチング液を用いて被加工物
の面をエッチングするエッチング方法であって、２以上
の薬液を所望の混合割合で混合してエッチング液を生成
した後にエッチング液の混合割合を液体濃度計を用いて
検査し、混合割合が所望の混合割合でない場合は、エッ
チング液を所望の混合割合となるように調整するエッチ
ング方法を提供する。As a specific means for solving the above-mentioned problems, the present invention is to produce an etching solution by mixing two or more chemicals, and to etch a surface of a workpiece using the etching solution. An etching method in which two or more chemicals are mixed at a desired mixing ratio to generate an etching solution, and then the mixing ratio of the etching solution is inspected using a liquid densitometer, and the mixing ratio is not the desired mixing ratio. Provides an etching method for adjusting an etching solution to a desired mixing ratio.
【００１０】そしてこのエッチング方法は、２以上の薬
液がフッ化水素酸と硝酸であり、液体濃度計が液体中を
伝わる超音波の速度に基づいて液体の濃度を測定する超
音波液体濃度計であること、超音波液体濃度計には、考
えられるあらゆる濃度の薬液を混合させた液体中を伝わ
る超音波の速度の実データを予め記憶するデータ記憶部
と、エッチング液中を伝わる超音波の速度の実測値を記
憶する検出値記憶部と、超音波の速度の実測値とデータ
記憶部に記憶された実データとを比較する比較部とを備
え、データ記憶部には、フッ化水素酸の濃度として０重
量％〜１４重量％、硝酸の濃度として０重量％〜６０重
量％を想定し、これらの濃度のあらゆる組み合わせによ
って生成されたサンプル液中を伝わる超音波の実データ
を予め記憶させ、検出値記憶部に記憶された実測値とデ
ータ記憶部に記憶された実データとを比較部において比
較し、実測値と一致する実データに対応する濃度をエッ
チング液の濃度として求めることを付加的要件とする。In this etching method, two or more chemicals are hydrofluoric acid and nitric acid, and the liquid densitometer is an ultrasonic liquid densitometer that measures the concentration of the liquid based on the speed of ultrasonic waves propagating in the liquid. In fact, the ultrasonic liquid densitometer has a data storage unit that stores in advance the actual data of the speed of the ultrasonic wave propagating in the liquid mixed with the chemical solution of all conceivable concentrations, and the speed of the ultrasonic wave propagating in the etching solution. A detection value storage unit that stores the actual measurement value of the ultrasonic wave; and a comparison unit that compares the actual measurement value of the ultrasonic velocity with the actual data stored in the data storage unit. Assuming a concentration of 0% by weight to 14% by weight and a concentration of nitric acid of 0% by weight to 60% by weight, actual data of ultrasonic waves transmitted through the sample liquid generated by any combination of these concentrations is stored in advance, The comparison unit compares the actual measurement value stored in the output value storage unit with the actual data stored in the data storage unit, and obtains the concentration corresponding to the actual data that matches the actual measurement value as the concentration of the etchant. Requirements.
【００１１】また本発明は、２以上の薬液を混合してエ
ッチング液を生成し、エッチング液を用いて被加工物の
面をエッチングするエッチングシステムであって、２以
上の薬液を混合する混合部と、被加工物を保持して被加
工物の面にエッチング液を供給するエッチング部と、混
合部とエッチング部とを連結するパイプ部とを少なくと
も含み、混合部、エッチング部、パイプ部のいずれかに
薬液の混合割合を検出する液体濃度計が配設されると共
に、薬液の混合割合を所望の値に調整する混合割合調整
部が混合部に連結されて配設されるエッチングシステム
を提供する。Further, the present invention is an etching system for generating an etchant by mixing two or more chemicals, and etching the surface of a workpiece using the etchant, wherein the mixing unit mixes two or more chemicals. And an etching unit for holding the workpiece and supplying an etchant to the surface of the workpiece, and at least a pipe unit connecting the mixing unit and the etching unit, any one of the mixing unit, the etching unit, and the pipe unit. Provided is an etching system in which a liquid concentration meter that detects a mixing ratio of a crab is provided and a mixing ratio adjusting unit that adjusts the mixing ratio of the chemical to a desired value is connected to the mixing unit. .
【００１２】そしてこのエッチングシステムは、２以上
の薬液がフッ化水素酸と硝酸であり、液体濃度計は液体
中を伝わる超音波の速度に基づいて液体の濃度を測定す
る超音波液体濃度計であること、超音波液体濃度計に
は、考えられるあらゆる濃度の薬液を混合させた液体中
を伝わる超音波の速度の実データを予め記憶するデータ
記憶部と、エッチング液中を伝わる超音波の速度の実測
値を記憶する検出値記憶部と、超音波の速度の実測値と
データ記憶部に記憶された実データとを比較する比較部
とを備え、データ記憶部には、フッ化水素酸の濃度とし
て０重量％〜１４重量％、硝酸の濃度として０重量％〜
６０重量％を想定し、これらの濃度のあらゆる組み合わ
せによって生成されたサンプル液中を伝わる超音波の実
データを予め記憶させ、検出値記憶部に記憶された実測
値とデータ記憶部に記憶された実データとを比較部にお
いて比較し、実測値と一致する実データに対応する濃度
をエッチング液の濃度として求めることを付加的要件と
する。In this etching system, two or more chemicals are hydrofluoric acid and nitric acid, and the liquid densitometer is an ultrasonic liquid densitometer that measures the concentration of the liquid based on the speed of ultrasonic waves propagating in the liquid. In fact, the ultrasonic liquid densitometer has a data storage unit that stores in advance the actual data of the speed of the ultrasonic wave propagating in the liquid mixed with the chemical solution of all conceivable concentrations, and the speed of the ultrasonic wave propagating in the etching solution. A detection value storage unit that stores an actual measurement value of the ultrasonic wave; and a comparison unit that compares the actual measurement value of the ultrasonic wave with the actual data stored in the data storage unit. 0% to 14% by weight as concentration, 0% by weight as nitric acid concentration
Assuming 60% by weight, the actual data of the ultrasonic wave transmitted in the sample liquid generated by any combination of these concentrations was stored in advance, and the actual measurement value stored in the detection value storage unit and the actual data were stored in the data storage unit. It is an additional requirement that the actual data is compared with the actual data in the comparing section, and that the concentration corresponding to the actual data matching the actual measured value is obtained as the concentration of the etching solution.
【００１３】このように構成されるエッチング方法及び
エッチングシステムによれば、薬液の混合割合を液体濃
度計で検出し、混合割合が所望の値でない場合は薬液を
混入させて当該所望の値としてからエッチングするよう
にしたため、エッチングを常に精度良く行うことができ
る。According to the etching method and the etching system configured as described above, the mixing ratio of the chemical is detected by the liquid concentration meter, and when the mixing ratio is not the desired value, the chemical is mixed to obtain the desired value. Since the etching is performed, the etching can always be performed with high accuracy.
【００１４】また、液体濃度計として超音波液体濃度計
を用い、考えられるあらゆる濃度の薬液を混合させた液
体のサンプルを生成し、すべてのサンプルの濃度を検出
してその実データをを記憶し、当該実データとの比較に
おいて実際に使用するエッチング液の混合割合を求める
こととしたので、検出値の精度が高い。Further, an ultrasonic liquid densitometer is used as a liquid densitometer, a liquid sample is prepared by mixing all possible concentrations of a drug solution, the concentrations of all the samples are detected, and the actual data is stored. Since the mixing ratio of the etchant actually used is determined in comparison with the actual data, the accuracy of the detected value is high.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、フッ化水素酸と硝酸とを混合してエッチング液を生
成してエッチングを行うエッチングシステム１０につい
て図１を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an example of an embodiment of the present invention, an etching system 10 in which hydrofluoric acid and nitric acid are mixed to generate an etching solution and perform etching will be described with reference to FIG.
【００１６】第一タンク１１には濃度が４０％のフッ化
水素酸が蓄えられ、第二タンク１２には濃度が６０％の
硝酸が蓄えられており、第一のタンク１１はバルブ１３
を介して、第二のタンク１２はバルブ１４を介して、共
に混合部１５に連結されている。バルブ１３、１４は、
流量制御手段３０による制御の下で流量を調整すること
により、混合部１５において所望の混合割合（例えば、
フッ化水素酸７重量％、硝酸４５重量％）のエッチング
液を生成する。The first tank 11 stores hydrofluoric acid having a concentration of 40%, the second tank 12 stores nitric acid having a concentration of 60%, and the first tank 11 stores a valve 13.
The second tank 12 is connected to the mixing unit 15 via a valve 14. Valves 13 and 14 are
By adjusting the flow rate under the control of the flow rate control means 30, the desired mixing ratio (for example,
An etching solution of hydrofluoric acid (7% by weight, nitric acid 45% by weight) is generated.
【００１７】混合部１５はバルブ１６を介して循環タン
ク１７に連結されており、混合部１５において生成され
たエッチング液は、バルブ１６において流量制御手段３
０による制御の下で流量を調整して循環タンク１７に供
給される。The mixing section 15 is connected to a circulation tank 17 via a valve 16, and the etching liquid generated in the mixing section 15 is supplied to the flow control means 3 by the valve 16.
The flow rate is adjusted under the control of 0 and supplied to the circulation tank 17.
【００１８】循環タンク１７は、バルブ１８、パイプ部
１９を介してエッチング部２０に連結されており、流量
制御手段３０による制御の下でバルブ１８において流量
を調整し、エッチング液を循環タンク１７からエッチン
グ部２０に供給する。The circulating tank 17 is connected to the etching section 20 via a valve 18 and a pipe section 19, and controls the flow rate in the valve 18 under the control of the flow rate control means 30 so that the etching liquid flows from the circulating tank 17. It is supplied to the etching unit 20.
【００１９】エッチング部２０においては、スピンナー
テーブル２１において被加工物、例えば半導体ウェーハ
Ｗの裏面を上にして保持し、スピンナーテーブル２１を
例えば６００ＲＰＭで回転させながら、エッチング液を
半導体ウェーハＷの裏面に例えば２リットル／分の割合
で供給してエッチングを行う。In the etching unit 20, the workpiece, for example, the back surface of the semiconductor wafer W is held on the spinner table 21 while the spinner table 21 is rotated at, for example, 600 RPM, and the etching solution is applied to the back surface of the semiconductor wafer W. For example, etching is performed by supplying at a rate of 2 liters / minute.
【００２０】使用済みのエッチング液は、排出部２２か
ら脱ガス部２３に流れ込む。また、エアー供給源２４か
ら脱ガス部２３にガスが導入され、ここでＮＯXをＮＯX
回収排出部２５に排出して除去してエッチング液を再利
用可能な状態としてから再生部２６に流し込む。なお、
再利用できなくなったエッチング液はバルブ２７を介し
て廃液処理手段２８に排出される。The used etching solution flows into the degassing section 23 from the discharge section 22. Also, gas is introduced from the air supply source 24 to the degassing unit 23, here NO X NO X
The etching liquid is discharged to the collecting / discharging section 25 and removed to make the etching liquid reusable, and then poured into the reproducing section 26. In addition,
The etching liquid that cannot be reused is discharged to the waste liquid processing means 28 via the valve 27.
【００２１】再生部２６は、バルブ２９を介して循環タ
ンク１７に連結されており、再利用するエッチング液
は、バルブ２９において流量制御手段３０による制御の
下で流量を調整してバルブ循環タンク１７に供給され
る。The regenerating section 26 is connected to the circulation tank 17 via a valve 29, and the amount of the etching liquid to be reused is adjusted by controlling the flow rate of the valve 29 under the control of the flow rate control means 30. Supplied to
【００２２】混合部１５及び循環タンク１７には液体濃
度計３１、３２がそれぞれ設けられており、これらは流
量制御手段３０に接続されている。液体濃度計３１、３
２としては、例えば液体中を伝わる超音波の速度に基づ
いてその液体の濃度を測定することができる超音波液体
濃度計３３を用いる。なお液体濃度計は必ずしも循環タ
ンク１７に設ける必要はなく、パイプ部１９またはエッ
チング部２０のいずれかに設けてもよい。The mixing section 15 and the circulation tank 17 are provided with liquid densitometers 31 and 32, respectively, which are connected to a flow control means 30. Liquid concentration meter 31, 3
As 2, for example, an ultrasonic liquid densitometer 33 capable of measuring the concentration of the liquid based on the velocity of the ultrasonic wave propagating in the liquid is used. Note that the liquid concentration meter does not necessarily need to be provided in the circulation tank 17, and may be provided in either the pipe section 19 or the etching section 20.
【００２３】図２に示すように、超音波液体濃度計３３
にはデータ記憶部３４と検出値記憶部３５と比較部３６
とを備え、データ記憶部３４には考えられるあらゆる濃
度の薬液の組み合わせからなるサンプル液中を伝わる超
音波の速度の実データを予め記憶させてある。例えば、
フッ化水素酸の濃度としては０重量％〜１４重量％、硝
酸の濃度としては０重量％〜６０重量％を想定し、これ
らの濃度のあらゆる組み合わせによって生成されたサン
プル液中を伝わる超音波の実データが記憶されている。As shown in FIG. 2, the ultrasonic liquid densitometer 33
Includes a data storage unit 34, a detection value storage unit 35, and a comparison unit 36
The data storage unit 34 stores in advance the actual data of the speed of the ultrasonic wave propagating in the sample liquid, which is composed of combinations of chemical solutions of all possible concentrations. For example,
Assuming that the concentration of hydrofluoric acid is 0% to 14% by weight and the concentration of nitric acid is 0% to 60% by weight, the ultrasonic wave transmitted through the sample liquid generated by any combination of these concentrations is used. Actual data is stored.
【００２４】一方、検出値記憶部３５には、実際の測定
により検出した混合部１５または循環タンク１７のエッ
チング液中を伝わる超音波の速度の実測値がリアルタイ
ムに記憶される。そして、比較部３６においては、検出
値記憶部３５に記憶された実測値がデータ記憶部３４に
記憶された実データの値のうちどれと合致するかを比較
し、実測値と一致する実データに対応する濃度をそのエ
ッチング液の濃度として求める。この超音波液体濃度計
３３としては、例えば富士工業（株）のＦＵＤ−１を使
用することができる。On the other hand, the detected value storage section 35 stores, in real time, an actual measured value of the speed of the ultrasonic wave transmitted through the etching solution in the mixing section 15 or the circulation tank 17 detected by actual measurement. Then, the comparing unit 36 compares the measured value stored in the detected value storage unit 35 with which of the values of the real data stored in the data storage unit 34, and compares the measured data with the measured value. Is determined as the concentration of the etching solution. As the ultrasonic liquid densitometer 33, for example, FUD-1 manufactured by Fuji Industry Co., Ltd. can be used.
【００２５】流量制御手段３０は、液体濃度計３１、３
２において求めた濃度を読み出し、所望の濃度になって
いない場合は、適宜バルブ１３、１４を調節して混合部
１５において補助液を生成し、更にバルブ１６を調節す
ることにより循環タンク１７にその補助液を適宜混入さ
せることにより再利用するエッチング液の濃度を調節す
る。そして、補助液が混入したエッチング液についても
液体濃度計３２でその濃度を測定し、測定結果に基づき
何度でもバルブ１３、１４において流量を調節して任意
の濃度の補助液を生成して循環タンク１７に混入するこ
とができるため、再利用するエッチング液を所望の濃度
とすることができる。即ち図１の構成では循環タンク１
７が混合割合調整部となる。例えば、フッ化水素酸の濃
度が循環により低下した場合は、第一タンク１１からフ
ッ化水素酸を多めに補充して（例えばフッ化水素酸１０
重量％、硝酸４０重量％に調整して）補助液を生成し、
循環タンク１７に送り込む。The flow rate control means 30 includes liquid concentration meters 31 and 3
2 and read out the concentration obtained. The concentration of the reused etching solution is adjusted by appropriately mixing the auxiliary solution. The concentration of the etching liquid mixed with the auxiliary liquid is also measured by the liquid concentration meter 32, and the flow rate is adjusted by the valves 13 and 14 as many times as necessary based on the measurement result to generate an auxiliary liquid having an arbitrary concentration and circulate. Since it can be mixed into the tank 17, the etching solution to be reused can have a desired concentration. That is, in the configuration of FIG.
7 is a mixing ratio adjusting section. For example, when the concentration of hydrofluoric acid is reduced by circulation, a large amount of hydrofluoric acid is replenished from the first tank 11 (for example, hydrofluoric acid 10).
% By weight, adjusted to 40% by weight nitric acid) to produce an auxiliary liquid,
It is sent to the circulation tank 17.
【００２６】こうして循環タンク１７のエッチング液を
一定の濃度の保つことにより、エッチング部２０には一
定の濃度のエッチング液を供給することができるため、
常に安定したエッチングを行うことが可能となる。By maintaining the concentration of the etching solution in the circulation tank 17 at a constant concentration in this manner, the etching portion 20 can be supplied with the etching solution at a constant concentration.
It is possible to always perform stable etching.
【００２７】なお、本実施の形態においては、フッ化水
素酸と硝酸とを混合する場合を例に挙げて説明したが、
混合する薬液はこれらには限定されない。また、混合す
る薬液の数は３以上であってもよい。In this embodiment, the case where hydrofluoric acid and nitric acid are mixed has been described as an example.
The chemicals to be mixed are not limited to these. Further, the number of chemicals to be mixed may be three or more.
【００２８】更に、エッチング液を循環させず、再利用
しない場合にも本発明を適用することができる。この場
合は循環タンク１７は不要となるため、これに対応して
液体濃度計も混合タンク１５のみに設ければよい。Further, the present invention can be applied to a case where the etching liquid is not circulated and reused. In this case, the circulation tank 17 becomes unnecessary, and accordingly, a liquid concentration meter may be provided only in the mixing tank 15.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るエッ
チング方法及びエッチングシステムによれば、薬液の混
合割合を液体濃度計で検出し、混合割合が所望の値でな
い場合は薬液を混入させて当該所望の値としてからエッ
チングするようにしたため、エッチングを常に精度良く
行うことができ、被加工物を損傷させることがない。As described above, according to the etching method and the etching system according to the present invention, the mixing ratio of the chemical is detected by the liquid concentration meter, and when the mixing ratio is not the desired value, the chemical is mixed. Since the etching is performed after setting the desired value, the etching can always be performed with high accuracy, and the workpiece is not damaged.
【００３０】また、液体濃度計として超音波液体濃度計
を用い、考えられるあらゆる濃度の薬液を混合させた液
体のサンプルを生成し、すべてのサンプルの濃度を検出
してその実データをを記憶し、当該実データとの比較に
おいて実際に使用するエッチング液の混合割合を求める
こととしたので、検出値の精度が高く、エッチング液を
精度良く所望の混合割合に調整することができる。Further, an ultrasonic liquid densitometer is used as a liquid densitometer, a liquid sample is prepared by mixing all possible concentrations of a drug solution, the concentrations of all the samples are detected, and the actual data is stored. Since the mixing ratio of the etching solution actually used is determined in comparison with the actual data, the accuracy of the detected value is high, and the etching solution can be accurately adjusted to a desired mixing ratio.
【図１】本発明に係るエッチングシステムの構成の一例
を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a configuration of an etching system according to the present invention.
【図２】超音波液体濃度計の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of an ultrasonic liquid densitometer.
１０…エッチングシステム １１…第一タンク １２…第二タンク １３、１４…バルブ １５…混合部 １６…バルブ １７…循環タンク １８…バルブ １９…パイプ部 ２０…エッチング部 ２１…スピンナーテーブル ２２…排出部 ２３…脱ガス部 ２４…エアー供給源 ２５…ＮＯX回収排出部 ２６…再生部 ２７…バルブ ２８…廃液処理手段 ２９…バルブ ３０…流量制御手段 ３１、３２…液体濃度計 ３３…超音波液体濃度計 ３４…データ記憶部 ３５…検出値記憶部 ３６…比較部DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Etching system 11 ... First tank 12 ... Second tank 13, 14 ... Valve 15 ... Mixing part 16 ... Valve 17 ... Circulation tank 18 ... Valve 19 ... Pipe part 20 ... Etching part 21 ... Spinner table 22 ... Discharge part 23 ... degassing section 24 ... air supply source 25 ... NO X recovery ejection unit 26 ... reproduction part 27 ... valve 28 ... waste liquid treatment unit 29 ... valve 30 ... flow rate control means 31, 32 liquid densitometer 33 ... ultrasonic liquid densitometer 34 data storage unit 35 detected value storage unit 36 comparison unit
Claims (6)
生成し、該エッチング液を用いて被加工物の面をエッチ
ングするエッチング方法であって、 ２以上の薬液を所望の混合割合で混合してエッチング液
を生成した後に該エッチング液の混合割合を液体濃度計
を用いて検査し、該混合割合が該所望の混合割合でない
場合は、該エッチング液を該所望の混合割合となるよう
に調整するエッチング方法。An etching method in which two or more chemicals are mixed to generate an etching liquid, and the surface of a workpiece is etched using the etching liquid, wherein the two or more chemicals are mixed at a desired mixing ratio. After the etching liquid is generated, the mixing ratio of the etching liquid is inspected using a liquid densitometer. If the mixing ratio is not the desired mixing ratio, the etching liquid is adjusted to the desired mixing ratio. Etching method to adjust.
り、液体濃度計は液体中を伝わる超音波の速度に基づい
て該液体の濃度を測定する超音波液体濃度計である請求
項１に記載のエッチング方法。2. The liquid densitometer according to claim 2, wherein the two or more chemical liquids are hydrofluoric acid and nitric acid, and the liquid densitometer is an ultrasonic liquid densitometer for measuring the concentration of the liquid based on the speed of ultrasonic waves propagating in the liquid. 2. The etching method according to 1.
ゆる濃度の薬液を混合させた液体中を伝わる超音波の速
度の実データを予め記憶するデータ記憶部と、エッチン
グ液中を伝わる超音波の速度の実測値を記憶する検出値
記憶部と、該超音波の速度の実測値と該データ記憶部に
記憶された実データとを比較する比較部とを備え、 該データ記憶部には、フッ化水素酸の濃度として０重量
％〜１４重量％、硝酸の濃度として０重量％〜６０重量
％を想定し、これらの濃度のあらゆる組み合わせによっ
て生成されたサンプル液中を伝わる超音波の実データを
予め記憶させ、 該検出値記憶部に記憶された該実測値と該データ記憶部
に記憶された該実データとを該比較部において比較し、 該実測値と一致する実データに対応する濃度を該エッチ
ング液の濃度として求める請求項２に記載のエッチング
方法。3. An ultrasonic liquid densitometer includes a data storage unit for storing in advance actual data of the speed of an ultrasonic wave propagating in a liquid mixed with a chemical solution of any conceivable concentration, an ultrasonic wave propagating in an etchant. A detection value storage unit that stores the actual measurement value of the velocity, and a comparison unit that compares the actual measurement value of the ultrasonic velocity with the actual data stored in the data storage unit. Assuming that the concentration of hydrofluoric acid is 0% by weight to 14% by weight and the concentration of nitric acid is 0% by weight to 60% by weight, actual data of ultrasonic waves transmitted through the sample liquid generated by any combination of these concentrations Is stored in advance, and the actual measurement value stored in the detection value storage unit is compared with the actual data stored in the data storage unit in the comparison unit, and the density corresponding to the actual data that matches the actual measurement value is stored. The etching solution The etching method according to claim 2, wherein the concentration is determined as a concentration of the silicon.
生成し、該エッチング液を用いて被加工物の面をエッチ
ングするエッチングシステムであって、 ２以上の薬液を混合する混合部と、被加工物を保持して
該被加工物の面にエッチング液を供給するエッチング部
と、該混合部と該エッチング部とを連結するパイプ部と
を少なくとも含み、 少なくとも該混合部、該エッチング部、該パイプ部のい
ずれかに薬液の混合割合を検出する液体濃度計が配設さ
れると共に、該薬液の混合割合を所望の値に調整する混
合割合調整部が該混合部に連結されて配設されるエッチ
ングシステム。4. An etching system for generating an etchant by mixing two or more chemicals and etching a surface of a workpiece using the etchant, wherein a mixing unit for mixing the two or more chemicals, An etching unit that holds the workpiece and supplies an etching solution to the surface of the workpiece, and at least a pipe unit that connects the mixing unit and the etching unit, at least the mixing unit, the etching unit, A liquid concentration meter for detecting the mixing ratio of the chemical solution is provided in any of the pipe portions, and a mixing ratio adjusting portion for adjusting the mixing ratio of the chemical solution to a desired value is provided in connection with the mixing portion. Etching system.
り、液体濃度計は液体中を伝わる超音波の速度に基づい
て該液体の濃度を測定する超音波液体濃度計である請求
項４に記載のエッチングシステム。5. The liquid densitometer according to claim 1, wherein the two or more liquid chemicals are hydrofluoric acid and nitric acid, and the liquid densitometer is an ultrasonic liquid densitometer for measuring the concentration of the liquid based on the speed of the ultrasonic wave propagating in the liquid. 5. The etching system according to 4.
ゆる濃度の薬液を混合させた液体中を伝わる超音波の速
度の実データを予め記憶するデータ記憶部と、エッチン
グ液中を伝わる超音波の速度の実測値を記憶する検出値
記憶部と、該超音波の速度の実測値と該データ記憶部に
記憶された実データとを比較する比較部とを備え、 該データ記憶部には、フッ化水素酸の濃度として０重量
％〜１４重量％、硝酸の濃度として０重量％〜６０重量
％を想定し、これらの濃度のあらゆる組み合わせによっ
て生成されたサンプル液中を伝わる超音波の実データを
予め記憶させ、 該検出値記憶部に記憶された該実測値と該データ記憶部
に記憶された該実データとを該比較部において比較し、 該実測値と一致する実データに対応する濃度を該エッチ
ング液の濃度として求める請求項５に記載のエッチング
システム。6. An ultrasonic liquid densitometer includes a data storage unit for storing in advance actual data of the speed of an ultrasonic wave transmitted through a liquid mixed with a chemical solution of any conceivable concentration, an ultrasonic wave transmitted through an etchant. A detection value storage unit that stores the actual measurement value of the velocity, and a comparison unit that compares the actual measurement value of the ultrasonic velocity with the actual data stored in the data storage unit. Assuming that the concentration of hydrofluoric acid is 0% by weight to 14% by weight and the concentration of nitric acid is 0% by weight to 60% by weight, actual data of ultrasonic waves transmitted through the sample liquid generated by any combination of these concentrations Is stored in advance, and the actual measurement value stored in the detection value storage unit is compared with the actual data stored in the data storage unit in the comparison unit, and the density corresponding to the actual data that matches the actual measurement value is stored. The etching solution The etching system according to claim 5, wherein the concentration is determined as a concentration.
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| JP2013065614A (en) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Pre-Tech At:Kk | Wet etching method of silicon wafer and wet etching device |
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2001
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| US11881417B2 (en) | 2017-01-18 | 2024-01-23 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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