JP2002270365A - El素子 - Google Patents
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- JP2002270365A JP2002270365A JP2001068589A JP2001068589A JP2002270365A JP 2002270365 A JP2002270365 A JP 2002270365A JP 2001068589 A JP2001068589 A JP 2001068589A JP 2001068589 A JP2001068589 A JP 2001068589A JP 2002270365 A JP2002270365 A JP 2002270365A
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- electrode layer
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の干渉が原因で生じる視野角に対する輝度
および発光色の変化を低減することが可能なEL素子を
提供すること。 【解決手段】 発光層を介在した一対の第1の電極層と
第2の電極層とを基板上に備え、前記第1もしくは第2
の電極層を介して前記発光層からの発光を取り出すEL
素子において、前記発光層からの発光を取り出す側に、
前記発光層からの光を散乱させる粒子を散乱体として含
む層を設けた。
および発光色の変化を低減することが可能なEL素子を
提供すること。 【解決手段】 発光層を介在した一対の第1の電極層と
第2の電極層とを基板上に備え、前記第1もしくは第2
の電極層を介して前記発光層からの発光を取り出すEL
素子において、前記発光層からの発光を取り出す側に、
前記発光層からの光を散乱させる粒子を散乱体として含
む層を設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子(以下、EL素子と記す)に関し、特に、
複数のEL素子を平面上に二次元配置して形成したEL
素子を用いた表示装置に適用して有効な技術に関するも
のである。
ッセンス素子(以下、EL素子と記す)に関し、特に、
複数のEL素子を平面上に二次元配置して形成したEL
素子を用いた表示装置に適用して有効な技術に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】通常用いられる従来の無機EL素子の二
重絶縁構造を図1(a)に示す。発光層3はマンガン添
加硫化亜鉛(ZnS:Mn)、希土類元素(Rn)を添
加した硫化亜鉛(ZnS:Rn)をはじめとする無機蛍
光体、絶縁層2、4は二酸化硅素、窒化硅素などから成
っていた。この従来の無機EL素子は、上下電極1、5
間に交流電圧を印加することで発光が得られていた。基
板6には透明ガラスが使用され、上部電極1はアルミニ
ウム金属、下部電極5はインジウム・すず酸化物(IT
O)などの透明導電性材料からなり、発光層からの発光
を下部透明電極側を介して透明ガラス基板側から取り出
すようにしていた。
重絶縁構造を図1(a)に示す。発光層3はマンガン添
加硫化亜鉛(ZnS:Mn)、希土類元素(Rn)を添
加した硫化亜鉛(ZnS:Rn)をはじめとする無機蛍
光体、絶縁層2、4は二酸化硅素、窒化硅素などから成
っていた。この従来の無機EL素子は、上下電極1、5
間に交流電圧を印加することで発光が得られていた。基
板6には透明ガラスが使用され、上部電極1はアルミニ
ウム金属、下部電極5はインジウム・すず酸化物(IT
O)などの透明導電性材料からなり、発光層からの発光
を下部透明電極側を介して透明ガラス基板側から取り出
すようにしていた。
【0003】図1(b)は、基板6にセラミック、また
はガラスを使用し、上部電極1にはITOなどの透明導
電性材料、下部電極5に金属材料あるいは透明導電性材
料を用い、発光層からの発光を基板を介せずに上部透明
電極側から取り出す反転構造型のEL素子である。
はガラスを使用し、上部電極1にはITOなどの透明導
電性材料、下部電極5に金属材料あるいは透明導電性材
料を用い、発光層からの発光を基板を介せずに上部透明
電極側から取り出す反転構造型のEL素子である。
【0004】この反転構造型のEL素子では、カラーフ
ィルタ14を直接透明電極に積層し、フルカラー無機E
L表示装置が実現されていた。文献“Full Col
our Solid State EL DIspla
y”D.Seale andX.Wu,IDW99 P
roceedings,p.861(1999)では、
赤色フィルターと黄橙色発光ZnMgS:Mnの組み合
わせによる赤色発光、緑色フィルターと黄橙色発光Zn
MgS:Mnの組み合わせによる緑色発光、および青色
フィルターと青緑色発光SrS:Ceの組み合わせによ
る青色発光を三原色として採用していた。
ィルタ14を直接透明電極に積層し、フルカラー無機E
L表示装置が実現されていた。文献“Full Col
our Solid State EL DIspla
y”D.Seale andX.Wu,IDW99 P
roceedings,p.861(1999)では、
赤色フィルターと黄橙色発光ZnMgS:Mnの組み合
わせによる赤色発光、緑色フィルターと黄橙色発光Zn
MgS:Mnの組み合わせによる緑色発光、および青色
フィルターと青緑色発光SrS:Ceの組み合わせによ
る青色発光を三原色として採用していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。従来
のEL素子を用いた表示装置すなわち薄膜ELディスプ
レイにおいては、積層した薄膜による光干渉が原因とな
り、視野角に対して輝度および発光色が変化してしまう
という間題があった。テルビウム(Tb)などの希土類
イオンを発光層に使用したEL素子では、発光スペクト
ル幅が狭いためにその変化は著しいものであった。ま
た、カラーフィルタを併用したEL素子では、すべての
視野角に対して正しく赤色、緑色および青色の発光を取
り出すことが困難であった。
技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。従来
のEL素子を用いた表示装置すなわち薄膜ELディスプ
レイにおいては、積層した薄膜による光干渉が原因とな
り、視野角に対して輝度および発光色が変化してしまう
という間題があった。テルビウム(Tb)などの希土類
イオンを発光層に使用したEL素子では、発光スペクト
ル幅が狭いためにその変化は著しいものであった。ま
た、カラーフィルタを併用したEL素子では、すべての
視野角に対して正しく赤色、緑色および青色の発光を取
り出すことが困難であった。
【0006】EL素子からの発光は、EL素子が光の波
長程度の厚みの薄膜から構成されていたために、光の干
渉による変調を受けていた。その結果、発光スペクトル
には波長30から50nmの振動がみられていた。そし
て、薄膜の厚みのばらつき、および視野角の違い、或い
は波長の違いに依る光路長の変化が干渉条件を変えるた
めに、図2に示すように、視野角に対して輝度の変化を
生じていた。このために、発光スペクトル幅が10〜2
0nm程度と狭いEL素子では輝度および発光色が大き
く変化していた。また、カラーフィルタを併用して特定
のスペクトルをもつ光を取り出すようにしたEL素子で
は、すべての視野角に対して、発光部から所望の色をも
つ光を取り出すことができない。
長程度の厚みの薄膜から構成されていたために、光の干
渉による変調を受けていた。その結果、発光スペクトル
には波長30から50nmの振動がみられていた。そし
て、薄膜の厚みのばらつき、および視野角の違い、或い
は波長の違いに依る光路長の変化が干渉条件を変えるた
めに、図2に示すように、視野角に対して輝度の変化を
生じていた。このために、発光スペクトル幅が10〜2
0nm程度と狭いEL素子では輝度および発光色が大き
く変化していた。また、カラーフィルタを併用して特定
のスペクトルをもつ光を取り出すようにしたEL素子で
は、すべての視野角に対して、発光部から所望の色をも
つ光を取り出すことができない。
【0007】光の干渉を防ぐために、例えば、特開平1
−315992号に開示される技術があった。この特開
平1−315992号に開示の技術では、図3に示すよ
うに、基板あるいは積層する薄膜のうち少なくとも1つ
の表面を凹凸に加工することでEL発光を散乱させ、薄
膜による光干渉を防止する構造となっていた。しかしな
がら、このようにして作製されたEL素子は、凹凸エッ
ジ部への電界集中による薄膜の絶縁破壊を招き、動作の
安定性を欠くため実用化が困難であった。
−315992号に開示される技術があった。この特開
平1−315992号に開示の技術では、図3に示すよ
うに、基板あるいは積層する薄膜のうち少なくとも1つ
の表面を凹凸に加工することでEL発光を散乱させ、薄
膜による光干渉を防止する構造となっていた。しかしな
がら、このようにして作製されたEL素子は、凹凸エッ
ジ部への電界集中による薄膜の絶縁破壊を招き、動作の
安定性を欠くため実用化が困難であった。
【0008】本発明の目的は、光の干渉が原因で生じる
視野角に対する輝度および発光色の変化を低減すること
が可能なEL素子を提供することにある。本発明の前記
ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述
及び添付図面によって明らかになるであろう。
視野角に対する輝度および発光色の変化を低減すること
が可能なEL素子を提供することにある。本発明の前記
ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述
及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】発光層を介在した一対の第1の電極層と第
2の電極層とを基板上に備え、前記第1もしくは第2の
電極層を介して前記発光層からの発光を取り出すEL素
子において、前記発光層からの発光を取り出す側に、前
記発光層からの光を散乱させる粒子を散乱体として含む
層を設けた。
2の電極層とを基板上に備え、前記第1もしくは第2の
電極層を介して前記発光層からの発光を取り出すEL素
子において、前記発光層からの発光を取り出す側に、前
記発光層からの光を散乱させる粒子を散乱体として含む
層を設けた。
【0011】前述した手段によれば、発光層で発光され
た光(EL光)は、発光層から取り出し側の電極層とし
て例えば第1の電極層に直接向かうEL光(直接波成分
のEL光)と、取り出し側の電極層と反対の側の電極層
として例えば第2の電極層に向かうEL光とに大別され
る。特に、第2の電極層に向かったEL光は、発光層と
第2の電極層との境界あるいは基板と第2の電極層との
境界で反射されて、その大半は第1の電極層に向かうE
L光(反射波成分のEL光)となる。この反射波成分の
EL光は、直接波成分のEL光と共に第1の電極層を介
して取り出されることとなる。従って、第1の電極層を
介して取り出されるEL光は、直接波成分のEL光と反
射波成分のEL光とが合成されたEL光として取り出さ
れることとなる、すなわち進んできた光路により位相が
異なる直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とが一
緒すなわち合成されて取り出されることとなる。
た光(EL光)は、発光層から取り出し側の電極層とし
て例えば第1の電極層に直接向かうEL光(直接波成分
のEL光)と、取り出し側の電極層と反対の側の電極層
として例えば第2の電極層に向かうEL光とに大別され
る。特に、第2の電極層に向かったEL光は、発光層と
第2の電極層との境界あるいは基板と第2の電極層との
境界で反射されて、その大半は第1の電極層に向かうE
L光(反射波成分のEL光)となる。この反射波成分の
EL光は、直接波成分のEL光と共に第1の電極層を介
して取り出されることとなる。従って、第1の電極層を
介して取り出されるEL光は、直接波成分のEL光と反
射波成分のEL光とが合成されたEL光として取り出さ
れることとなる、すなわち進んできた光路により位相が
異なる直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とが一
緒すなわち合成されて取り出されることとなる。
【0012】このとき、本願発明では、発光層からの発
光を取り出す側に、発光層からの光を散乱させるための
粒子からなる散乱体を含む散乱層が形成されているの
で、直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とは共
に、散乱層を通過(透過)することとなる。このとき、
直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とは共に、散
乱層を通過する際に散乱体によってその進行方向が散乱
されることとなり、直接波成分のEL光と反射波成分の
EL光との進行方向依存性は、大幅に低減されることと
なる。また、散乱体による散乱によって、散乱層内での
EL光の光路長も変化することとなるので、直接波成分
のEL光と反射波成分のEL光とではその位相差も様々
なものとなる。
光を取り出す側に、発光層からの光を散乱させるための
粒子からなる散乱体を含む散乱層が形成されているの
で、直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とは共
に、散乱層を通過(透過)することとなる。このとき、
直接波成分のEL光と反射波成分のEL光とは共に、散
乱層を通過する際に散乱体によってその進行方向が散乱
されることとなり、直接波成分のEL光と反射波成分の
EL光との進行方向依存性は、大幅に低減されることと
なる。また、散乱体による散乱によって、散乱層内での
EL光の光路長も変化することとなるので、直接波成分
のEL光と反射波成分のEL光とではその位相差も様々
なものとなる。
【0013】すなわち、合成光として取り出されるEL
光における直接波成分のEL光と反射波成分のEL光と
の進行方向及び位相差は様々に変化したものとなるの
で、干渉による発光色の変化や輝度の変化を大幅に低減
させることができる。
光における直接波成分のEL光と反射波成分のEL光と
の進行方向及び位相差は様々に変化したものとなるの
で、干渉による発光色の変化や輝度の変化を大幅に低減
させることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、発明の実
施の形態(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明
する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
施の形態(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明
する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【0015】図4は本発明の一実施の形態であるEL素
子を用いた表示装置の概略構成を説明するための図であ
る。ただし、以下の説明では、発光層3の材料として、
黄橙色発光が得られるマンガン添加硫化亜鉛(ZnS:
Mn)を用いた場合について説明するが、発光層3の材
料としては多数挙げられるが、硫化亜鉛にテルビウムを
付活した緑色発光が得られるZnS:Tb、ZnS:C
u、SrS:Cu、ZnS:Sm、CaS:Eu、Sr
S:Ce、SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce、
CaS:Pb、BaAl2S4:Eu等の他の発光色の材
料でもよいことはいうまでもない。
子を用いた表示装置の概略構成を説明するための図であ
る。ただし、以下の説明では、発光層3の材料として、
黄橙色発光が得られるマンガン添加硫化亜鉛(ZnS:
Mn)を用いた場合について説明するが、発光層3の材
料としては多数挙げられるが、硫化亜鉛にテルビウムを
付活した緑色発光が得られるZnS:Tb、ZnS:C
u、SrS:Cu、ZnS:Sm、CaS:Eu、Sr
S:Ce、SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce、
CaS:Pb、BaAl2S4:Eu等の他の発光色の材
料でもよいことはいうまでもない。
【0016】図4において、1は上部電極層、2は第1
の絶縁層、3は発光層、4は第2の絶縁層、5は下部電
極層、6は基板、9光散乱層、15はカバーガラス、1
6は不活性ガス、17は駆動回路を示す。
の絶縁層、3は発光層、4は第2の絶縁層、5は下部電
極層、6は基板、9光散乱層、15はカバーガラス、1
6は不活性ガス、17は駆動回路を示す。
【0017】図4から明らかなように、本実施の形態の
EL素子の基本構造は、上部電極層1と下部電極層5と
によって挟まれるEL素子の基本構造は、従来のEL素
子と同様となる。
EL素子の基本構造は、上部電極層1と下部電極層5と
によって挟まれるEL素子の基本構造は、従来のEL素
子と同様となる。
【0018】例えば絶縁基板であるセラミックやガラス
等を基板6とし、この基板6上にEL素子が形成される
構造となっている。この基板6上にイオンプレーティン
グ法によりITOを堆積あるいは真空蒸着法によりアル
ミニウム等の金属を堆積し成膜した下部電極層5が形成
される構造となっている。この下部電極層5上にスパッ
タ法によって二酸化硅素(SiO2)と酸化タンタル
(Ta2O5)とを堆積して成膜した第2の絶縁層4が形
成されている。なお、第2の絶縁層4は、窒化硅素(S
i3N4)等でもよい。
等を基板6とし、この基板6上にEL素子が形成される
構造となっている。この基板6上にイオンプレーティン
グ法によりITOを堆積あるいは真空蒸着法によりアル
ミニウム等の金属を堆積し成膜した下部電極層5が形成
される構造となっている。この下部電極層5上にスパッ
タ法によって二酸化硅素(SiO2)と酸化タンタル
(Ta2O5)とを堆積して成膜した第2の絶縁層4が形
成されている。なお、第2の絶縁層4は、窒化硅素(S
i3N4)等でもよい。
【0019】第2の絶縁層4の上部には、マンガン添加
硫化亜鉛(ZnS:Mn)を真空蒸着法によって堆積し
成膜した発光層3が形成されている。この発光層3の上
部には、窒化硅素(Si3N4)を堆積して成膜した第1
の絶縁層2が形成され、第1の絶縁層2の上部に、イオ
ンプレーティング法によりITO等の透明電極材料を堆
積して成膜した上部電極層1が形成されている。この上
部電極層1の上部には、本願発明のEL素子に特徴的な
構造である光散乱層9が成膜された構成となっている。
このように、本実施の形態のEL素子は、周知の反転構
造型のEL素子の上部電極層1上に光散乱層9が形成さ
れた構造となっている。なお、光散乱層9の詳細につい
ては後述する。
硫化亜鉛(ZnS:Mn)を真空蒸着法によって堆積し
成膜した発光層3が形成されている。この発光層3の上
部には、窒化硅素(Si3N4)を堆積して成膜した第1
の絶縁層2が形成され、第1の絶縁層2の上部に、イオ
ンプレーティング法によりITO等の透明電極材料を堆
積して成膜した上部電極層1が形成されている。この上
部電極層1の上部には、本願発明のEL素子に特徴的な
構造である光散乱層9が成膜された構成となっている。
このように、本実施の形態のEL素子は、周知の反転構
造型のEL素子の上部電極層1上に光散乱層9が形成さ
れた構造となっている。なお、光散乱層9の詳細につい
ては後述する。
【0020】また、本実施の形態のEL素子を用いた表
示装置では、EL素子の封止には、光散乱層9と密着し
てカバーガラス15を設けられており、このカバーガラ
ス15を介して本実施の形態のEL素子から発射された
光(EL光)が放射される構成となっている。ただし、
光散乱層9とカバーガラス15との間で光干渉が発生す
る場合があるので、例えば光散乱層9を保護するための
カバーガラス15と光散乱層9との間に、無色透明な不
活性ガス16で充填した構造とすることによって、光干
渉の発生を防止することができる。
示装置では、EL素子の封止には、光散乱層9と密着し
てカバーガラス15を設けられており、このカバーガラ
ス15を介して本実施の形態のEL素子から発射された
光(EL光)が放射される構成となっている。ただし、
光散乱層9とカバーガラス15との間で光干渉が発生す
る場合があるので、例えば光散乱層9を保護するための
カバーガラス15と光散乱層9との間に、無色透明な不
活性ガス16で充填した構造とすることによって、光干
渉の発生を防止することができる。
【0021】本実施の形態のEL素子を用いた表示装置
は、例えば基板6の上面に形成された縦方向の複数本の
下部電極層5と、複数本の横方向の上部電極層1とに駆
動回路17から駆動電力を供給することによって、下部
電極層5と上部電極層1とが交差する領域の発光層3か
らEL光を放射する単純マトリクス方式のEL表示装置
となる。さらには、表示用データに基づいて、本実施の
形態のEL素子に印加する電力を制御するスイッチング
素子であるTFTを基板6に形成することによって、い
わゆるアクティブマトリクス方式のEL表示装置を構成
できることはいうまでもない。
は、例えば基板6の上面に形成された縦方向の複数本の
下部電極層5と、複数本の横方向の上部電極層1とに駆
動回路17から駆動電力を供給することによって、下部
電極層5と上部電極層1とが交差する領域の発光層3か
らEL光を放射する単純マトリクス方式のEL表示装置
となる。さらには、表示用データに基づいて、本実施の
形態のEL素子に印加する電力を制御するスイッチング
素子であるTFTを基板6に形成することによって、い
わゆるアクティブマトリクス方式のEL表示装置を構成
できることはいうまでもない。
【0022】図5は本実施の形態のEL素子の基本構造
を説明するための図である。ただし、図5において、7
は光散乱体(散乱体)、8はバインダ、10はEL光、
11は直接波成分、12は反射波成分、13は出射光を
示す。
を説明するための図である。ただし、図5において、7
は光散乱体(散乱体)、8はバインダ、10はEL光、
11は直接波成分、12は反射波成分、13は出射光を
示す。
【0023】図5に示すように、本実施の形態のEL素
子は、バインダ8と光散乱体7とから構成される光散乱
層9が上部電極層1の上面部(表面部)すなわち発光層
3から発射されたEL光10の出射面側(取り出し面
側)に形成される構造となっている。
子は、バインダ8と光散乱体7とから構成される光散乱
層9が上部電極層1の上面部(表面部)すなわち発光層
3から発射されたEL光10の出射面側(取り出し面
側)に形成される構造となっている。
【0024】この光散乱体7の材料としては、可視光す
なわちEL光10に対して透明であることが望ましい。
また、光散乱体7の大きさは、大き過ぎると表示装置の
輝度むらとして認識されることとなり、一方、EL光1
0の発光波長と同じ程度に細かくなると光散乱機能が消
失してしまうので、1から10ミクロン程度の大きさが
適当である。また、光散乱体7の材質としては、無機材
料および有機材料のいずれでもよく、さらには粒子の形
状は球状以外であってもよい。
なわちEL光10に対して透明であることが望ましい。
また、光散乱体7の大きさは、大き過ぎると表示装置の
輝度むらとして認識されることとなり、一方、EL光1
0の発光波長と同じ程度に細かくなると光散乱機能が消
失してしまうので、1から10ミクロン程度の大きさが
適当である。また、光散乱体7の材質としては、無機材
料および有機材料のいずれでもよく、さらには粒子の形
状は球状以外であってもよい。
【0025】一方、バインダ8に使用する材料も、可視
光すなわちEL光10に対して透明であることが望まし
い。なお、本実施の形態のEL素子では、発光層3とし
てZnS:Mnのみを用いる構造としているので、カラ
ー表示を実現するために、例えばバインダ8に顔料を混
合することによって、光散乱層9にカラーフィルタの機
能をもたせる構造としている。なお、光散乱層9にカラ
ーフィルタ機能を持たせない場合には、光散乱層9と上
部電極層1との間にカラーフィルタ層を設ける構造とし
てもよいことはいうまでもない。また、発光層3にRG
Bのそれぞれの色で発光する材料を用いた場合には、カ
ラーフィルタ層は不要となる。
光すなわちEL光10に対して透明であることが望まし
い。なお、本実施の形態のEL素子では、発光層3とし
てZnS:Mnのみを用いる構造としているので、カラ
ー表示を実現するために、例えばバインダ8に顔料を混
合することによって、光散乱層9にカラーフィルタの機
能をもたせる構造としている。なお、光散乱層9にカラ
ーフィルタ機能を持たせない場合には、光散乱層9と上
部電極層1との間にカラーフィルタ層を設ける構造とし
てもよいことはいうまでもない。また、発光層3にRG
Bのそれぞれの色で発光する材料を用いた場合には、カ
ラーフィルタ層は不要となる。
【0026】次に、図5に基づいて、本実施の形態のE
L素子における光散乱層9によるEL光の散乱作用につ
いて説明する。
L素子における光散乱層9によるEL光の散乱作用につ
いて説明する。
【0027】発光層3で発光された後に上部電極層1を
介在して光散乱層9に入射するEL光10には、図5中
の紙面右側の矢印で示すように直接波成分(実線)11
と反射波成分(破線)12とがほぼ同位相のEL光と、
紙面左側の矢印で示すように直接波成分11と反射波成
分12との位相差が大きいEL光とがそれぞれ上部電極
層1に入射することとなる。このとき、積層された薄膜
によって光干渉を受けたEL光10は、進んできた光路
により干渉光の直接波成分11と反射波成分12の位相
差が異なるため、EL光10が受ける干渉は進行方向依
存性を持っている。
介在して光散乱層9に入射するEL光10には、図5中
の紙面右側の矢印で示すように直接波成分(実線)11
と反射波成分(破線)12とがほぼ同位相のEL光と、
紙面左側の矢印で示すように直接波成分11と反射波成
分12との位相差が大きいEL光とがそれぞれ上部電極
層1に入射することとなる。このとき、積層された薄膜
によって光干渉を受けたEL光10は、進んできた光路
により干渉光の直接波成分11と反射波成分12の位相
差が異なるため、EL光10が受ける干渉は進行方向依
存性を持っている。
【0028】上部電極層1に入射したEL光10は、透
明電極である上部電極層1を通過した後に、本発明の光
散乱層9に入射し、光散乱層9中の光散乱体7によって
多重散乱され進行方向が変えられることとなる。その後
に、光散乱層9から放射面側すなわち発光層3と反対の
側に出射されたEL光すなわち出射光13は、多重散乱
に伴って進行方向依存性が見かけ上なくなることとなる
ので、干渉がなくなることとなる。その結果、視野角に
対するELの輝度および発光色の変化が低減される。
明電極である上部電極層1を通過した後に、本発明の光
散乱層9に入射し、光散乱層9中の光散乱体7によって
多重散乱され進行方向が変えられることとなる。その後
に、光散乱層9から放射面側すなわち発光層3と反対の
側に出射されたEL光すなわち出射光13は、多重散乱
に伴って進行方向依存性が見かけ上なくなることとなる
ので、干渉がなくなることとなる。その結果、視野角に
対するELの輝度および発光色の変化が低減される。
【0029】図6は従来のEL素子を用いた表示装置に
おけるEL発光スペクトルの計測結果を示した図であ
り、図7は本実施の形態のEL素子を用いた表示装置に
おけるEL発光スペクトルの計測結果を示した図であ
る。特に、図6,7の(a)は視野角が0(ゼロ)度で
のEL発光スペクトルであり、図6,7の(b)は視野
角が30度でのEL発光スペクトルであり、図6,7の
(c)は視野角が60度でのEL発光スペクトルであ
る。
おけるEL発光スペクトルの計測結果を示した図であ
り、図7は本実施の形態のEL素子を用いた表示装置に
おけるEL発光スペクトルの計測結果を示した図であ
る。特に、図6,7の(a)は視野角が0(ゼロ)度で
のEL発光スペクトルであり、図6,7の(b)は視野
角が30度でのEL発光スペクトルであり、図6,7の
(c)は視野角が60度でのEL発光スペクトルであ
る。
【0030】この計測に使用したEL素子は、光散乱に
よるEL発光の視野角に対する輝度および発光色の変化
の低減を確認するために、バインダ8に透明なセルロー
スを用い、このバインダ8に光散乱体7として粒径1か
ら10ミクロンの透明な硫化亜鉛粉末を混合した光散乱
層9を形成した単色発光のEL素子であり、このEL素
子によって表示装置を構成した場合のEL発光スペクト
ルを計測している。ただし、バインダ8であるセルロー
スに対する光散乱体7の重量比は、セルロール1に対し
て硫化亜鉛粉末が0.8の割合で混合し、特に、EL素
子の上部電極層1の上にスクリーン印刷で10〜15ミ
クロン程度の膜厚に塗布することによって光散乱層9を
成膜した。
よるEL発光の視野角に対する輝度および発光色の変化
の低減を確認するために、バインダ8に透明なセルロー
スを用い、このバインダ8に光散乱体7として粒径1か
ら10ミクロンの透明な硫化亜鉛粉末を混合した光散乱
層9を形成した単色発光のEL素子であり、このEL素
子によって表示装置を構成した場合のEL発光スペクト
ルを計測している。ただし、バインダ8であるセルロー
スに対する光散乱体7の重量比は、セルロール1に対し
て硫化亜鉛粉末が0.8の割合で混合し、特に、EL素
子の上部電極層1の上にスクリーン印刷で10〜15ミ
クロン程度の膜厚に塗布することによって光散乱層9を
成膜した。
【0031】図6に示すように、従来のEL素子を用い
た表示装置では、視野角が0度、30度、及び60度の
何れにおいても、複数のピークが存在することからも明
らかなように、EL発光が大きく干渉を受けている。
た表示装置では、視野角が0度、30度、及び60度の
何れにおいても、複数のピークが存在することからも明
らかなように、EL発光が大きく干渉を受けている。
【0032】これに対して、図7に示す本実施の形態の
EL素子を用いた表示装置におけるEL発光スペクトル
の計測結果では、視野角が0度、30度、及び60度の
何れにおいても、波長範囲550〜650ナノメートル
において、ピークが1個所となるすなわち干渉に伴う減
衰のないEL発光スペクトルとなる。従って、光散乱層
9によって、EL光10の進行方向依存性を大きく低減
でき、干渉を防止できるので、発光色の変化を大幅に低
減した表示装置を実現できる。
EL素子を用いた表示装置におけるEL発光スペクトル
の計測結果では、視野角が0度、30度、及び60度の
何れにおいても、波長範囲550〜650ナノメートル
において、ピークが1個所となるすなわち干渉に伴う減
衰のないEL発光スペクトルとなる。従って、光散乱層
9によって、EL光10の進行方向依存性を大きく低減
でき、干渉を防止できるので、発光色の変化を大幅に低
減した表示装置を実現できる。
【0033】よって、一の表示装置を形成する複数のE
L素子毎における各層の膜厚の均一性に対する要求を緩
和することができることとなり、その結果として表示装
置の大画面化を容易に実現することができる。また、一
の表示装置を形成する複数のEL素子毎における各層の
膜厚の均一性に対する要求を緩和することができるの
で、EL素子を用いた表示装置の量産性を向上させるこ
とができる。
L素子毎における各層の膜厚の均一性に対する要求を緩
和することができることとなり、その結果として表示装
置の大画面化を容易に実現することができる。また、一
の表示装置を形成する複数のEL素子毎における各層の
膜厚の均一性に対する要求を緩和することができるの
で、EL素子を用いた表示装置の量産性を向上させるこ
とができる。
【0034】図8は、本実施の形態のEL素子と従来の
EL素子とを用いた表示装置における異なる視野角にお
ける輝度の相対変化を示した図である。ただし、丸で示
す計測結果は従来のEL素子を用いた表示装置の輝度の
計測結果を示しており、三角で示す計測結果は本実施の
形態のEL素子を用いた表示装置の輝度の計測結果を示
している。また、図8は視野角が0(ゼロ)度における
輝度を基準としている。
EL素子とを用いた表示装置における異なる視野角にお
ける輝度の相対変化を示した図である。ただし、丸で示
す計測結果は従来のEL素子を用いた表示装置の輝度の
計測結果を示しており、三角で示す計測結果は本実施の
形態のEL素子を用いた表示装置の輝度の計測結果を示
している。また、図8は視野角が0(ゼロ)度における
輝度を基準としている。
【0035】図8から明らかなように、従来のEL素子
を用いた表示装置は、視野角が大きくなるに従って、輝
度が大きく低下することとなる。この輝度の低下は、視
野角が30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比
較して、30パーセント弱程度低下し、視野角が60度
の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比較して、35
パーセント程度低下している。すなわち、従来のEL素
子を用いた表示装置では、視野角に応じて輝度が35パ
ーセント程度変化してしまっていた。
を用いた表示装置は、視野角が大きくなるに従って、輝
度が大きく低下することとなる。この輝度の低下は、視
野角が30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比
較して、30パーセント弱程度低下し、視野角が60度
の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比較して、35
パーセント程度低下している。すなわち、従来のEL素
子を用いた表示装置では、視野角に応じて輝度が35パ
ーセント程度変化してしまっていた。
【0036】これに対して、本願発明のEL素子を用い
た表示装置は、視野角が大きくなった場合であっても、
輝度が低下することなく大きくなる。この輝度の変化
は、視野角が30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場
合に比較して、20パーセント弱程度向上し、視野角が
30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比較し
て、10パーセント程度向上している。すなわち、本実
施の形態のEL素子を用いた表示装置では、視野角が変
化した場合であっても輝度の変化を最大20パーセント
以内に抑えることができる。
た表示装置は、視野角が大きくなった場合であっても、
輝度が低下することなく大きくなる。この輝度の変化
は、視野角が30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場
合に比較して、20パーセント弱程度向上し、視野角が
30度の場合は視野角が0(ゼロ)度の場合に比較し
て、10パーセント程度向上している。すなわち、本実
施の形態のEL素子を用いた表示装置では、視野角が変
化した場合であっても輝度の変化を最大20パーセント
以内に抑えることができる。
【0037】従って、従来のEL素子を用いた表示装置
に比較して本実施の形態のEL素子を用いた表示装置で
は、視野角変化に対する輝度変化の割合を30%から2
0%に低減できるので、表示部にブラウン管等を用いた
表示装置と同様に広視野角の表示装置を実現できる。
に比較して本実施の形態のEL素子を用いた表示装置で
は、視野角変化に対する輝度変化の割合を30%から2
0%に低減できるので、表示部にブラウン管等を用いた
表示装置と同様に広視野角の表示装置を実現できる。
【0038】以上説明したように、本実施の形態のEL
素子では、発光層3で発光されたEL光10は、発光層
3から第1の絶縁層2を介在して上部電極層1に直接向
かう直接波成分11のEL光10と、発光層3から第2
の絶縁層4の側に向かうEL光10とに大別される。特
に、第2の絶縁層4に向かったEL光10は、発光層3
と第2の絶縁層4との境界あるいは第2の絶縁層4と下
部電極層5との境界もしくは下部電極層5と基板6との
境界でそれぞれ反射されて、その大半は発光層3を介在
して上部電極層1に向かう反射波成分12のEL光10
となる。この反射波成分12のEL光10は、直接波成
分11のEL光10と共に上部電極層1から光散乱層9
を介して取り出されることとなる。すなわち、光散乱層
9を介して取り出されるEL光10は、進んできた光路
により位相が異なる直接波成分11のEL光10と反射
波成分12のEL光10とが一緒すなわち合成されたE
L光10として取り出されることとなる。
素子では、発光層3で発光されたEL光10は、発光層
3から第1の絶縁層2を介在して上部電極層1に直接向
かう直接波成分11のEL光10と、発光層3から第2
の絶縁層4の側に向かうEL光10とに大別される。特
に、第2の絶縁層4に向かったEL光10は、発光層3
と第2の絶縁層4との境界あるいは第2の絶縁層4と下
部電極層5との境界もしくは下部電極層5と基板6との
境界でそれぞれ反射されて、その大半は発光層3を介在
して上部電極層1に向かう反射波成分12のEL光10
となる。この反射波成分12のEL光10は、直接波成
分11のEL光10と共に上部電極層1から光散乱層9
を介して取り出されることとなる。すなわち、光散乱層
9を介して取り出されるEL光10は、進んできた光路
により位相が異なる直接波成分11のEL光10と反射
波成分12のEL光10とが一緒すなわち合成されたE
L光10として取り出されることとなる。
【0039】このとき、本願発明のEL素子では、上部
電極層1の上部に光散乱層9が形成されているので、直
接波成分11のEL光10と反射波成分12のEL光1
0とは共に、光散乱層9を通過した後に、EL素子の出
射光13として出射されることとなる。
電極層1の上部に光散乱層9が形成されているので、直
接波成分11のEL光10と反射波成分12のEL光1
0とは共に、光散乱層9を通過した後に、EL素子の出
射光13として出射されることとなる。
【0040】光散乱層9は、上部電極1からのEL光1
0を散乱させる光散乱体7を含む構造となっているの
で、直接波成分11のEL光13と反射波成分12のE
L光10とは共に、光散乱層9を通過する際に光散乱体
7により、その進行方向が散乱されることとなり、直接
波成分11のEL光10と反射波成分12のEL光10
との進行方向依存性は、大幅に低減されることとなる。
0を散乱させる光散乱体7を含む構造となっているの
で、直接波成分11のEL光13と反射波成分12のE
L光10とは共に、光散乱層9を通過する際に光散乱体
7により、その進行方向が散乱されることとなり、直接
波成分11のEL光10と反射波成分12のEL光10
との進行方向依存性は、大幅に低減されることとなる。
【0041】また、光散乱体7による散乱によって、光
散乱層9内でのEL光10の光路長も変化することとな
るので、直接波成分11のEL光10と反射波成分12
のEL光10とではその位相差も様々なものとなる。
散乱層9内でのEL光10の光路長も変化することとな
るので、直接波成分11のEL光10と反射波成分12
のEL光10とではその位相差も様々なものとなる。
【0042】すなわち、合成光である出射光13として
取り出されるEL光における直接波成分11のEL光1
0と反射波成分12のEL光10との進行方向及び位相
差は様々に変化したものとなるので、干渉による発光色
の変化や輝度の変化を大幅に低減させることができる。
取り出されるEL光における直接波成分11のEL光1
0と反射波成分12のEL光10との進行方向及び位相
差は様々に変化したものとなるので、干渉による発光色
の変化や輝度の変化を大幅に低減させることができる。
【0043】なお、本実施の形態では、基板6にセラミ
ックまたはガラスを使用し、上部電極層1にはITOな
どの透明導電性材料、下部電極層5に金属材料あるいは
透明導電性材料を用い、発光層3からの発光を基板を介
せずに上部電極層1の側から取り出すいわゆる反転構造
型のEL素子に本願発明を適用した場合について説明し
たが、本願発明の適用範囲は反転構造型のEL素子の限
定されるものではなく、例えば基板6にガラス基板を使
用し、上部電極層1には金属材料あるいは透明導電性材
料等の導電性材料、下部電極層5に透明導電性材料を用
い、発光層3からの発光を基板6を介して下部電極層5
の側から取り出すEL素子等に適用した場合であって
も、前述した効果を得ることが可能なことはいうまでも
ない。
ックまたはガラスを使用し、上部電極層1にはITOな
どの透明導電性材料、下部電極層5に金属材料あるいは
透明導電性材料を用い、発光層3からの発光を基板を介
せずに上部電極層1の側から取り出すいわゆる反転構造
型のEL素子に本願発明を適用した場合について説明し
たが、本願発明の適用範囲は反転構造型のEL素子の限
定されるものではなく、例えば基板6にガラス基板を使
用し、上部電極層1には金属材料あるいは透明導電性材
料等の導電性材料、下部電極層5に透明導電性材料を用
い、発光層3からの発光を基板6を介して下部電極層5
の側から取り出すEL素子等に適用した場合であって
も、前述した効果を得ることが可能なことはいうまでも
ない。
【0044】また、本実施の形態では、EL素子を直接
表示装置として用いる場合について説明したが、これに
限定されることはなく、例えば本実施の形態のEL素子
を複数個形成し液晶表示装置等のバックライトして用い
た場合にも、前述した効果を得られることはいうまでも
ない。
表示装置として用いる場合について説明したが、これに
限定されることはなく、例えば本実施の形態のEL素子
を複数個形成し液晶表示装置等のバックライトして用い
た場合にも、前述した効果を得られることはいうまでも
ない。
【0045】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。
前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。
【0046】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 (1)光の干渉が原因で生じる視野角に対する輝度およ
び発光色の変化を低減することができる。 (2)同一の表示装置を構成するEL素子における各層
毎の膜厚の均一性に対する要求を緩和することができ
る。 (3)EL素子を複数形成した表示装置の大画面化を容
易とすることができる。 (4)EL素子を発光素子とした表示装置の量産性を向
上させることができる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 (1)光の干渉が原因で生じる視野角に対する輝度およ
び発光色の変化を低減することができる。 (2)同一の表示装置を構成するEL素子における各層
毎の膜厚の均一性に対する要求を緩和することができ
る。 (3)EL素子を複数形成した表示装置の大画面化を容
易とすることができる。 (4)EL素子を発光素子とした表示装置の量産性を向
上させることができる。
【図1】従来の無機EL素子の概略構成を説明するため
の図である。
の図である。
【図2】従来の無機EL素子における視野角に対する輝
度の変化を説明するための図である。
度の変化を説明するための図である。
【図3】基板に凹凸を形成した従来の無機EL素子の概
略構成を説明するための図である。
略構成を説明するための図である。
【図4】本発明の一実施の形態である薄膜EL素子を用
いた表示装置の概略構成を説明するための図である。
いた表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図5】本実施の形態のEL素子の基本構造を説明する
ための図である。
ための図である。
【図6】従来のEL素子を用いた表示装置におけるEL
発光スペクトルの計測結果を示した図である。
発光スペクトルの計測結果を示した図である。
【図7】本実施の形態のEL素子を用いた表示装置にお
けるEL発光スペクトルの計測結果を示した図である。
けるEL発光スペクトルの計測結果を示した図である。
【図8】本実施の形態のEL素子と従来のEL素子とを
用いた表示装置における異なる視野角における輝度の相
対変化を示した図である。
用いた表示装置における異なる視野角における輝度の相
対変化を示した図である。
1…上部電極層 2…第1の絶縁
層 3…発光層 4…第2の絶縁
層 5…下部電極層 6…基板 7…光散乱体 8…バインダ 9光散乱層 10…EL光 11…直接波成分 12…反射波成
分 13…出射光 14…カラーフ
ィルタ 15…カバーガラス 16…不活性ガ
ス 17…駆動回路
層 3…発光層 4…第2の絶縁
層 5…下部電極層 6…基板 7…光散乱体 8…バインダ 9光散乱層 10…EL光 11…直接波成分 12…反射波成
分 13…出射光 14…カラーフ
ィルタ 15…カバーガラス 16…不活性ガ
ス 17…駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 功 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 井上 陽司 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 田中 克 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB04 AB17 BB01 BB04 BB06 CA00 CB01 DA05 DB02 EA01
Claims (6)
- 【請求項1】 発光層を介在した一対の第1の電極層と
第2の電極層とを基板上に備え、前記第1もしくは第2
の電極層を介して前記発光層からの発光を取り出すEL
素子において、前記発光層からの発光を取り出す側に、
前記発光層からの光を散乱させる粒子を散乱体として含
む層を設けたことを特徴とするEL素子。 - 【請求項2】 請求項1に記載のEL素子において、前
記粒子は可視光領域の光を通過させることを特徴とする
EL素子。 - 【請求項3】 請求項2に記載のEL素子において、前
記発光層からの光を散乱させる粒子は、粒径が1から1
0ミクロンであることを特徴とするEL素子。 - 【請求項4】 請求項1乃至3の内の何れかに記載のE
L素子において、前記散乱層は、前記散乱体をバインダ
に混合した層からなることを特徴とするEL素子。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の内の何れかに記載のE
L素子において、前記散乱層は、顔料をバインダに混合
した層からなることを特徴とするEL素子。 - 【請求項6】 請求項1乃至5の内の何れかに記載のE
L素子において、前記基板の素子形成面側は、前記第1
及び第2の電極層並びに前記発光層を保護する保護カバ
ーが形成され、前記保護カバーと前記基板との間に不活
性ガスが充填されていることを特徴とするEL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068589A JP2002270365A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | El素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068589A JP2002270365A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | El素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270365A true JP2002270365A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18926754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001068589A Pending JP2002270365A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | El素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072002A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 有機発光ディスプレイ装置とその製造方法 |
| JP2007027042A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
| JP2007204685A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 無機エレクトロルミネッセンス材料、無機エレクトロルミネッセンス素子および画像表示装置 |
| JP2008538155A (ja) * | 2005-02-24 | 2008-10-09 | イーストマン コダック カンパニー | 光出力が改善されたoledデバイス |
| US7511420B2 (en) | 2003-07-09 | 2009-03-31 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display suppressing color variations due to viewing angle |
| JP2010182449A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
| CN101814560A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 涂爱国 | 一种光电器件用光学介质、发光器件和太阳能电池 |
| US7960908B2 (en) | 2005-07-15 | 2011-06-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic EL display |
| US8040046B2 (en) | 2007-08-21 | 2011-10-18 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent display having light scattering film |
| US8872415B2 (en) | 2012-09-21 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Substrate, display panel, and display apparatus |
| US9373818B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-06-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03163794A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | 厚膜印刷による薄形ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH0883688A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el装置 |
| JPH0963766A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
| JPH11500584A (ja) * | 1996-09-20 | 1999-01-12 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法 |
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| JP2000277259A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elランプおよびこれを用いたelランプユニット |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068589A patent/JP2002270365A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03163794A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | 厚膜印刷による薄形ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH0883688A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el装置 |
| JPH0963766A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
| JPH11500584A (ja) * | 1996-09-20 | 1999-01-12 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法 |
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| JP2000277259A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elランプおよびこれを用いたelランプユニット |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7511420B2 (en) | 2003-07-09 | 2009-03-31 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display suppressing color variations due to viewing angle |
| US8274218B1 (en) | 2003-07-09 | 2012-09-25 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display |
| US8183770B2 (en) | 2003-07-09 | 2012-05-22 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display |
| US7977875B2 (en) | 2003-07-09 | 2011-07-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Light emitting display |
| JP2005072002A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 有機発光ディスプレイ装置とその製造方法 |
| JP2008538155A (ja) * | 2005-02-24 | 2008-10-09 | イーストマン コダック カンパニー | 光出力が改善されたoledデバイス |
| US7960908B2 (en) | 2005-07-15 | 2011-06-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic EL display |
| JP2007027042A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
| JP2007204685A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 無機エレクトロルミネッセンス材料、無機エレクトロルミネッセンス素子および画像表示装置 |
| US8040046B2 (en) | 2007-08-21 | 2011-10-18 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent display having light scattering film |
| JP2010182449A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
| US8890402B2 (en) | 2009-02-03 | 2014-11-18 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescence display device |
| CN101814560A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 涂爱国 | 一种光电器件用光学介质、发光器件和太阳能电池 |
| US9373818B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-06-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
| US8872415B2 (en) | 2012-09-21 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Substrate, display panel, and display apparatus |
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