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JP2002116715A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JP2002116715A
JP2002116715A JP2001189397A JP2001189397A JP2002116715A JP 2002116715 A JP2002116715 A JP 2002116715A JP 2001189397 A JP2001189397 A JP 2001189397A JP 2001189397 A JP2001189397 A JP 2001189397A JP 2002116715 A JP2002116715 A JP 2002116715A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
insulating layer
display device
substrate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001189397A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4982928B2 (en
JP2002116715A5 (en
Inventor
Ryoji Okuda
良治 奥田
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Tetsuo Oka
哲雄 岡
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2001189397A priority Critical patent/JP4982928B2/en
Publication of JP2002116715A publication Critical patent/JP2002116715A/en
Publication of JP2002116715A5 publication Critical patent/JP2002116715A5/ja
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Publication of JP4982928B2 publication Critical patent/JP4982928B2/en
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To pattern an insulation layer consisting of polybezoxazole with a simple process and further to easily obtain a normal tapered sectional shape desirable for the insulation layer. SOLUTION: In the display device comprises a first electrode formed on a substrate, the insulation layer formed on the first electrode so as to partly expose the first electrode and a second electrode placed opposite to the first electrode, the insulation layer consists essentially of a polymer having a structural unit expressed by a general formula (1) and a photo acid generating agent. In the formula (1), R1 expresses a divalent organic group with at least two or more carbon atoms, R2 expresses a di- to tetravalent organic group with at least two or more carbon atoms and m expresses an integer of 3 to 100,000.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】基板上に形成された第一電極
とそれに対向して設けられた第二電極とを有する表示装
置に関する。
The present invention relates to a display device having a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided opposite to the first electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】大きく重いブラウン管に代わる画像表示
装置(ディスプレイ)として、軽い薄型のいわゆるフラ
ットパネルディスプレイが注目されている。
2. Description of the Related Art As an image display device (display) replacing a large and heavy cathode ray tube, a light and thin so-called flat panel display has attracted attention.

【0003】フラットパネルディスプレイとして液晶デ
ィスプレイ(LCD)が普及しているが、同様の非発光
型ディスプレイとしてエレクトロクロミックディスプレ
イ(ECD)があり、最近注目されている発光型ディス
プレイとしてはプラズマディスプレイパネル(PDP)
や電界発光ディスプレイ(ELD)などがある。電界発
光ディスプレイの中でも特に有機電界発光装置は高輝度
が得られ、フルカラーディスプレイが可能なことで研究
開発が盛んである。
A liquid crystal display (LCD) has become widespread as a flat panel display. An electrochromic display (ECD) has been used as a similar non-emissive display, and a plasma display panel (PDP) has recently been attracting attention. )
And an electroluminescent display (ELD). Among the electroluminescent displays, organic electroluminescent devices are particularly active in research and development because of their high luminance and the possibility of full-color displays.

【0004】これらのフラットパネルディスプレイは、
対向する第一電極と第二電極との間に電圧を印加するこ
とで、あるいは、電流を流すことで動作するものであ
る。この際、曲率半径の小さい電極のエッジ部分には電
界が集中しやすいため、エッジ部分では絶縁破壊やリー
ク電流の発生など、望ましくない現象が起きやすい。
[0004] These flat panel displays are:
It operates by applying a voltage between the opposing first and second electrodes or by passing a current. At this time, since an electric field tends to concentrate on the edge portion of the electrode having a small radius of curvature, undesirable phenomena such as dielectric breakdown and generation of leak current are likely to occur at the edge portion.

【0005】これら現像を抑制するために、第一電極の
エッジ部分を絶縁層で覆うことが知られている。これに
より、電極のエッジ部分における電界集中を緩和するこ
とが可能となる。また、特開平11−97182号公報
では、絶縁層の形成後に成膜される有機絶縁層や第二電
極がスムーズに堆積されるように、絶縁層が第一電極を
露出せしめる境界部分における絶縁層の厚さを、境界か
ら離れるに従って徐々に厚くする、すなわち断面を順テ
ーパー形状にすることにより、上記問題をさらに抑制す
る技術が開示されている。
[0005] In order to suppress such development, it is known to cover the edge portion of the first electrode with an insulating layer. This makes it possible to reduce the electric field concentration at the edge of the electrode. Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-97182 discloses an insulating layer at a boundary portion where the insulating layer exposes the first electrode so that an organic insulating layer and a second electrode formed after the formation of the insulating layer are smoothly deposited. A technique has been disclosed in which the above problem is further suppressed by gradually increasing the thickness as the distance from the boundary increases, that is, by forming the cross section into a forward tapered shape.

【0006】一般に、絶縁層としてはポリイミドやポリ
ベンゾオキサゾールが用いられ、非感光性、ネガ型感光
性、ポジ型感光性が知られている。
Generally, polyimide or polybenzoxazole is used for the insulating layer, and non-photosensitive, negative photosensitive, and positive photosensitive are known.

【0007】非感光性ポリイミドを使用する場合、絶縁
層のパターニングには、基板上へのポリイミド前駆体の
塗布、ポリイミド前駆体のプリベーク(乾燥もしくはセ
ミキュアとも言う)、ポリイミド前駆体上へのフォトレ
ジストの塗布、フォトレジストのベーク(乾燥もしくは
プリベークとも言う)、フォトレジストの露光、フォト
レジストの現像、ポリイミド前駆体のエッチング、フォ
トレジストの除去、ポリイミド前駆体のキュア(ポスト
ベークとも言う)という、多くのフォトリソ工程を必要
とした。従って、工程が煩雑になり、歩留まりも悪いと
いう問題があった。さらに、絶縁層の断面を順テーパー
形状にするためには、フォトレジストの現像条件やポリ
イミド前駆体のエッチング条件など多くのパラメーター
を最適化する必要があり、条件設定も煩雑であるという
問題があった。
When a non-photosensitive polyimide is used, the insulating layer is patterned by coating a polyimide precursor on a substrate, pre-baking the polyimide precursor (also called drying or semi-curing), and photoresist on the polyimide precursor. Coating, photoresist baking (also called drying or pre-baking), photoresist exposure, photoresist development, polyimide precursor etching, photoresist removal, and polyimide precursor curing (also called post-baking). Photolithography process was required. Therefore, there is a problem that the process is complicated and the yield is poor. Furthermore, in order for the cross section of the insulating layer to have a forward tapered shape, it is necessary to optimize many parameters such as a developing condition of the photoresist and an etching condition of the polyimide precursor, and there is a problem that setting the conditions is complicated. Was.

【0008】ネガ型感光性ポリイミドやポジ型感光性ポ
リイミドなどの感光性タイプを使用すると、フォトレジ
ストを使用することなく絶縁層のパターニングができる
ため、工程の煩雑さ、歩留まりの悪さも解消することが
できる。しかし、ネガ型感光性ポリイミドでは、順テー
パー形状よりも逆テーパー形状もしくは矩形になりやす
く、エッジ部分の電界集中を緩和する効果が得られな
い。また、ポジ型感光性ポリイミドについては、ポリア
ミック酸のカルボキシル基にo−ニトロベンジルエステ
ル基を導入した技術が、特開平8−171989号公報
に開示されている。しかし、このポジ型感光性ポリイミ
ドは、現像液に汎用の2.38%TMAH水溶液を用い
るとパターン加工性が悪いなどの問題があり、本発明に
おけるような微細なパターニングを行うことができな
い。
When a photosensitive type such as a negative photosensitive polyimide or a positive photosensitive polyimide is used, the insulating layer can be patterned without using a photoresist, so that the process is complicated and the yield is reduced. Can be. However, the negative photosensitive polyimide tends to have a reverse tapered shape or a rectangular shape rather than a forward tapered shape, and cannot obtain the effect of reducing the electric field concentration at the edge portion. As for the positive photosensitive polyimide, a technique in which an o-nitrobenzyl ester group is introduced into a carboxyl group of a polyamic acid is disclosed in JP-A-8-171989. However, when a general-purpose 2.38% TMAH aqueous solution is used as a developer, this positive photosensitive polyimide has problems such as poor pattern workability, and cannot perform fine patterning as in the present invention.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリベンゾ
オキサゾールからなる絶縁層を簡単な工程でパターニン
グすることを目的とする。さらに、絶縁層の望ましい断
面である順テーパー形状を容易に得ることを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to pattern an insulating layer made of polybenzoxazole by a simple process. It is another object of the present invention to easily obtain a forward tapered shape which is a desirable cross section of the insulating layer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、基
板上に形成された第一電極と、第一電極を部分的に露出
せしめるように第一電極上に形成された絶縁層と、第一
電極に対向して設けられた第二電極とを含む表示装置で
あって、前記絶縁層が下記一般式(1)で表される構造
単位を主成分とするポリマーと光酸発生剤を必須成分と
することを特徴とする表示装置。
According to the present invention, there is provided a display device comprising: a first electrode formed on a substrate; an insulating layer formed on the first electrode so as to partially expose the first electrode; A display device comprising: a second electrode provided to face a first electrode, wherein the insulating layer comprises a polymer having a structural unit represented by the following general formula (1) as a main component and a photoacid generator. A display device characterized as being an essential component.

【0011】[0011]

【化2】 Embedded image

【0012】(R1は少なくとも2個以上の炭素原子を
有する2価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭素
原子を有する2価から4価の有機基を示す。mは3から
100000までの整数を示す。)
(R 1 represents a divalent organic group having at least two or more carbon atoms, and R 2 represents a divalent to tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms. M represents 3 to 100,000 Indicates an integer up to.)

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明は、基板上に形成された第
一電極と、前記第一電極に対向して設けられた第二電極
とを含む表示装置に関するものであり、具体的には例え
ば、LCD、ECD、ELD、有機電界発光素子を用い
た表示装置(有機電界発光装置)などが該当する。有機
電界発光装置とは、基板上に形成された第一電極と、第
一電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発
光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極と
を含む有機電界発光素子からなる表示装置である。LC
DやELDでは第一電極と第二電極との間隔は数μm程
度あるが、有機電界発光装置では薄膜層の厚さが0.1
〜0.5μm程度であり、第一電極と第二電極との間隔
はサブμm程度しかない。したがって、電極エッジ部分
での電界集中による絶縁破壊やリーク電流の発生などの
望ましくない現象がLCDやELDに比べてより起こり
やすく、また、絶縁層の断面形状が表示装置の特性によ
り影響を与えやすいので、絶縁層の存在がますます重要
となる。本発明のポジ型感光性ポリイミドからなる絶縁
層は、有機電界発光装置のように第一電極と第二電極と
の間隔が比較的狭い表示装置において、より効果的に機
能する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a display device including a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided opposite to the first electrode. For example, an LCD, an ECD, an ELD, a display device using an organic electroluminescent element (organic electroluminescent device), and the like are applicable. An organic electroluminescent device includes a first electrode formed on a substrate, a thin film layer including a light emitting layer formed of at least an organic compound formed on the first electrode, and a second electrode formed on the thin film layer. Is a display device comprising an organic electroluminescent element including: LC
In the case of D or ELD, the distance between the first electrode and the second electrode is about several μm, but in the case of an organic electroluminescent device, the thickness of the thin film layer is 0.1 μm.
And the distance between the first electrode and the second electrode is only about sub-μm. Therefore, undesired phenomena such as dielectric breakdown and generation of leak current due to electric field concentration at the electrode edge are more likely to occur than in LCDs and ELDs, and the cross-sectional shape of the insulating layer is more likely to affect the characteristics of the display device. As such, the presence of an insulating layer becomes increasingly important. The insulating layer made of the positive photosensitive polyimide of the present invention functions more effectively in a display device in which the distance between the first electrode and the second electrode is relatively small, such as an organic electroluminescent device.

【0014】本発明の絶縁層とは、少なくとも第一電極
の一部を覆い、第一電極を部分的に露出せしめるように
形成されるものであり、絶縁層が第一電極のエッジ部分
を覆うように形成されることが好ましい。絶縁層の特に
好適な形状の例を図1および図2に示す。基板10上に
ストライプ状に形成された第一電極11が露出した開口
部15があり、この露出部以外は絶縁層14によって覆
われている。すなわち、絶縁層14が第一電極11のエ
ッジ部分を覆うように形成されている。さらに、絶縁層
は必要に応じて第一電極と対向する第二電極のエッジ部
分をも遮るように形成されることが好ましい。開口部1
5は、例えば有機電界発光装置では、1つの発光領域、
すなわち画素に対応させることができる。
The insulating layer of the present invention is formed so as to cover at least a part of the first electrode and to partially expose the first electrode, and the insulating layer covers an edge portion of the first electrode. It is preferable to form it. An example of a particularly suitable shape of the insulating layer is shown in FIGS. There is an opening 15 on the substrate 10 where the first electrode 11 formed in a stripe shape is exposed, and the portion other than the exposed portion is covered with the insulating layer 14. That is, the insulating layer 14 is formed so as to cover the edge of the first electrode 11. Further, it is preferable that the insulating layer is formed so as to block an edge portion of the second electrode facing the first electrode as needed. Opening 1
5 is, for example, one light emitting region in an organic electroluminescent device,
That is, it can correspond to a pixel.

【0015】本発明では、図3に示すように、絶縁層1
4が第一電極11を露出せしめる境界部分16における
絶縁層の断面が順テーパー形状であることが好ましい。
ここで、順テーパー形状とは図中の角度θが90°未満
であることに対応する。有機電界発光装置を例に説明す
ると、絶縁層の断面が順テーパー形状の場合には、絶縁
層形成後に有機薄膜層および第二電極を成膜する場合で
も、境界部分においてこれらの膜が滑らかに形成され、
段差に起因する膜厚ムラなどを低減させることができ、
安定な特性を有する発光装置を得ることができる。テー
パー角度θは80°以下、さらに60°以下、さらに4
5°以下であることが好ましい。
In the present invention, as shown in FIG.
It is preferable that the cross section of the insulating layer at the boundary portion 16 where the first electrode 11 is exposed has a forward tapered shape.
Here, the forward tapered shape corresponds to the angle θ in the figure being less than 90 °. Taking an organic electroluminescent device as an example, when the cross section of the insulating layer has a forward tapered shape, even when the organic thin film layer and the second electrode are formed after the formation of the insulating layer, these films are smoothly formed at the boundary portion. Formed,
It is possible to reduce unevenness in film thickness caused by steps,
A light-emitting device having stable characteristics can be obtained. The taper angle θ is 80 ° or less, further 60 ° or less, and 4
It is preferable that it is 5 ° or less.

【0016】絶縁層は第一電極に接して、その直上に形
成されることが多い。しかしながら、第一電極の低抵抗
化のために第一電極にガイド電極を付設するような場合
には、ガイド電極に接するようにして形成することもで
きる。この場合は、第一電極だけでなくガイド電極のエ
ッジ部分を覆うように絶縁層を形成することで、電界集
中を効果的に抑制することができる。
The insulating layer is often formed in contact with and directly on the first electrode. However, when a guide electrode is attached to the first electrode to reduce the resistance of the first electrode, the first electrode may be formed so as to be in contact with the guide electrode. In this case, the electric field concentration can be effectively suppressed by forming the insulating layer so as to cover not only the first electrode but also the edge portion of the guide electrode.

【0017】絶縁層の厚さは特に限定されるものではな
いが、成膜やパターニングの容易性を考えると、0.1
〜50μm、また0.2〜50μmの範囲であることが
好ましく、さらに、0.5〜10μmの範囲であること
が好ましい。絶縁層を比較的薄くすると、高精度のパタ
ーニングが可能となる。また、絶縁層を比較的厚くする
と、例えば有機電界発光装置の製造時にマスク蒸着法に
より発光層や第二電極をパターニングする際に、シャド
ーマスクが基板上へ既に成膜した層を傷つけること(マ
スク傷)を防止するスペーサーとしての役割を付加させ
ることができる。
The thickness of the insulating layer is not particularly limited.
It is preferably in the range of from 50 to 50 µm, and more preferably in the range of from 0.2 to 50 µm, and more preferably in the range of from 0.5 to 10 µm. When the insulating layer is relatively thin, high-precision patterning becomes possible. In addition, when the insulating layer is relatively thick, a shadow mask may damage a layer already formed on a substrate, for example, when patterning a light emitting layer or a second electrode by a mask vapor deposition method in manufacturing an organic electroluminescent device. A role as a spacer for preventing scratches) can be added.

【0018】絶縁層は隣り合う第一電極をまたがるよう
形成されるので、良好な電気絶縁性が要求される。絶縁
層の体積抵抗率は5×106Ωcm以上、さらには、5
×107Ωcm以上であることが好ましい。なお、表示
装置のコントラスト向上のために、絶縁層を黒色化する
こともできるが、その際には、電気絶縁性を損なわない
ように注意すべきである。
Since the insulating layer is formed so as to straddle the adjacent first electrodes, good electrical insulation is required. The volume resistivity of the insulating layer is 5 × 10 6 Ωcm or more.
It is preferably at least 10 7 Ωcm. Note that the insulating layer can be blackened in order to improve the contrast of the display device; however, in that case, care must be taken so as not to impair the electrical insulation.

【0019】本発明において、第一電極材料としては透
明な導電性材料が好ましく、酸化錫、酸化亜鉛、酸化バ
ナジウム、酸化インジウム、酸化錫インジウム(IT
O)などを用いることができる。パターニングを行うデ
ィスプレイ用途においては、加工性に優れたITOをベ
ース電極に用いることが好ましい。導電性向上のために
ITOには少量の銀や金などの金属が含有されていても
よい。
In the present invention, as the first electrode material, a transparent conductive material is preferable, and tin oxide, zinc oxide, vanadium oxide, indium oxide, indium tin oxide (IT
O) can be used. In display applications where patterning is performed, it is preferable to use ITO having excellent workability for the base electrode. ITO may contain a small amount of metal such as silver or gold to improve conductivity.

【0020】本発明では絶縁層がポジ型感光性ポリベン
ゾオキサゾールからなることを特徴とする。感光性ポリ
ベンゾオキサゾールとは、ポリベンゾオキサゾール前駆
体のエネルギー照射部分の現像液に対する溶解度が、非
照射部分のそれと異なることを利用して直接的にパター
ニングを行うことが可能なものの総称である。その後キ
ュアすることでポリベンゾオキサゾールを得ることがで
きる。照射するエネルギーとしては電子線なども利用で
きるが、多くの場合には電磁波、特に青色から紫外(U
V)領域の光が利用されるので、エネルギー照射のこと
を露光と呼ぶ。また、溶解度の差を利用して、ポリベン
ゾオキサゾール前駆体膜の所望の部分を除去することを
現像と呼ぶ。絶縁層を感光性ポリベンゾオキサゾールと
することで、従来必要であった、非感光性ポリイミド前
駆体上へのレジストの塗布・露光・現像や、非感光性ポ
リイミド前駆体をエッチングした後のレジスト除去の工
程などが不要となり、絶縁層のパターニングに必要な工
程を大幅に減らすことができる。
The present invention is characterized in that the insulating layer is made of a positive photosensitive polybenzoxazole. The photosensitive polybenzoxazole is a general term for a material that can be directly patterned by utilizing the fact that the solubility of a polybenzoxazole precursor in a developer in an energy-irradiated portion is different from that in a non-irradiated portion. After curing, polybenzoxazole can be obtained. As the energy for irradiation, an electron beam or the like can be used, but in many cases, electromagnetic waves, particularly from blue to ultraviolet (U
V) Since the light in the region is used, the energy irradiation is called exposure. In addition, removing a desired portion of the polybenzoxazole precursor film using the difference in solubility is referred to as development. By using a photosensitive polybenzoxazole for the insulating layer, coating, exposing and developing a resist on a non-photosensitive polyimide precursor and removing the resist after etching the non-photosensitive polyimide precursor, which were conventionally required Is unnecessary, and the number of steps required for patterning the insulating layer can be greatly reduced.

【0021】感光性ポリベンゾオキサゾールには、露光
することで溶解性が増大し、露光部分を除去するタイプ
のポジ型と、露光することで硬化し、非露光部分を除去
するタイプのネガ型の2種類がある。感光性ポリベンゾ
オキサゾール前駆体を露光した場合には、膜の表面部分
で光が強く吸収され、内部になるに従って吸光量は少な
くなる傾向にある。つまり、ポジ型では膜の表面部分の
溶解性の方が内部のそれよりも大きくなり、ネガ型では
その逆になる傾向にある。本発明では絶縁層が原理的に
順テーパー形状が得られやすいポジ型感光性ポリベンゾ
オキサゾール前駆体からなることが好ましい。
The photosensitive polybenzoxazole has two types: a positive type in which the solubility is increased by exposure to light, and a type in which an exposed portion is removed; and a negative type in which light exposure cures and removes an unexposed portion. There are two types. When the photosensitive polybenzoxazole precursor is exposed, light is strongly absorbed at the surface portion of the film, and the amount of light absorbed tends to decrease toward the inside. That is, in the positive type, the solubility of the surface portion of the film tends to be larger than that in the inner portion, and in the negative type, the solubility tends to be opposite. In the present invention, it is preferable that the insulating layer is made of a positive photosensitive polybenzoxazole precursor from which a forward tapered shape is easily obtained in principle.

【0022】本発明の樹脂組成物としては、ポリベンゾ
オキサゾールおよびその前駆体であるポリヒドロキシア
ミド、イミド環、その他の環状構造を有するポリマーと
なり得るものが挙げられるが、これらに限定されない。
好ましくは上記に挙げた一般式(1)で表されるポリマ
ーが用いられる。
Examples of the resin composition of the present invention include, but are not limited to, polybenzoxazole and its precursor polyhydroxyamide, imide ring, and other polymers having a cyclic structure.
Preferably, the polymer represented by the above general formula (1) is used.

【0023】本発明に用いられる溶媒とは、N−メチル
−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメ
チルフォルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシドなどの極性の非プロトン性溶媒、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン
類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などの溶剤を単
独、または混合して使用することができる。
The solvent used in the present invention includes N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide,
Polar aprotic solvents such as dimethyl sulfoxide,
Ethers such as tetrahydrofuran, dioxane and propylene glycol monomethyl ether; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and diisobutyl ketone; esters such as ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate; and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene Such solvents can be used alone or as a mixture.

【0024】基板との接着性を高めるために、シランカ
ップリング剤、チタンキレート剤などを併用することも
できる。メチルメタクリロキシジメトキシシラン、3−
アミノプロピルトリメトキシシランなどのシランカップ
リング剤、チタンキレート剤、アルミキレート剤をポリ
マーに対して0.5から10重量部添加することが好ま
しい。
In order to enhance the adhesiveness to the substrate, a silane coupling agent, a titanium chelating agent and the like can be used in combination. Methyl methacryloxydimethoxysilane, 3-
It is preferable to add 0.5 to 10 parts by weight of a silane coupling agent such as aminopropyltrimethoxysilane, a titanium chelating agent, or an aluminum chelating agent to the polymer.

【0025】基板を処理することによって、さらに接着
性を向上させることも可能である。上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に0.5から20重量部溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後50℃から300℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。
By treating the substrate, it is possible to further improve the adhesiveness. Solution obtained by dissolving 0.5 to 20 parts by weight of the above-described coupling agent in a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, and diethyl adipate. Is subjected to surface treatment by spin coating, dipping, spray coating, steam treatment, or the like. In some cases, then 50 ° C to 300 ° C
The reaction between the substrate and the coupling agent proceeds by applying a temperature up to.

【0026】本発明における基板の材質は、例えば、金
属、ガラス、半導体、金属酸化絶縁膜、窒化ケイ素、ポ
リマーフィルムなど、表面に電極用金属を設けることが
できるあらゆる材質が挙げられる。好ましくはガラスが
用いられる。ガラスの材質については、特に限定される
ものではないが、アルカリ亜鉛ホウケイ酸ガラス、ナト
リウムホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、低アル
カリホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、ホ
ウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、溶融石英ガラ
ス、合成石英ガラスなどが用いられ、通常ガラスからの
溶出イオンが少ない、無アルカリガラスやSiO2など
のバリアコートを施したソーダライムガラスが使用され
る。また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあ
ればよいので、0.1mm以上、好ましくは0.5mm
以上である。
The material of the substrate in the present invention includes, for example, all materials on which metal for an electrode can be provided on the surface, such as metal, glass, semiconductor, metal oxide insulating film, silicon nitride, and polymer film. Preferably, glass is used. The material of the glass is not particularly limited, but alkali zinc borosilicate glass, sodium borosilicate glass, soda lime glass, low alkali borosilicate glass, barium borosilicate glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, molten Quartz glass, synthetic quartz glass, or the like is used. Usually, soda lime glass, which has a small amount of ions eluted from glass and is provided with a barrier coat such as alkali-free glass or SiO 2, is used. In addition, since the thickness may be any thickness that is sufficient to maintain mechanical strength, the thickness is 0.1 mm or more, preferably 0.5 mm
That is all.

【0027】また、必要に応じて本発明組成物と基板と
の塗れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルや
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートな
どのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シク
ロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類
を混合してもよい。また、二酸化ケイ素、二酸化チタン
などの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加
することもできる。
If necessary, surfactants, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, alcohols such as ethanol, cyclohexanone, methyl for the purpose of improving the wettability between the composition of the present invention and the substrate. Ketones such as isobutyl ketone and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be mixed. In addition, inorganic particles such as silicon dioxide and titanium dioxide, or powder of polyimide can also be added.

【0028】一般式(1)で表される構造単位を主成分
とするポリマーは、水酸基を有しており、アルカリ水溶
液に対する溶解性が水酸基を有さないポリアミド酸より
も良好となる。特に、水酸基の中でもフェノール性の水
酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性の観点より好まし
い。
The polymer having the structural unit represented by the general formula (1) as a main component has a hydroxyl group, and has higher solubility in an aqueous alkali solution than polyamic acid having no hydroxyl group. In particular, among the hydroxyl groups, phenolic hydroxyl groups are preferable from the viewpoint of solubility in an aqueous alkaline solution.

【0029】本発明において、一般式(1)で表される
ポリマーは、加熱あるいは適当な触媒により、オキサゾ
ール環、イミド環、その他の環状構造を有するポリマー
となり得るものである。環構造となることで、耐熱性、
耐溶剤性が飛躍的に向上する。
In the present invention, the polymer represented by the general formula (1) can be a polymer having an oxazole ring, an imide ring or another cyclic structure by heating or an appropriate catalyst. By having a ring structure, heat resistance,
The solvent resistance is dramatically improved.

【0030】本発明の感光性ポリベンゾオキサゾール
は、一般式(1)で表される構造単位のみからなるもの
であっても良いし、他の構造単位との共重合体あるいは
ブレンド体であってもよい。その際、一般式(1)で表
される構造単位を90モル%以上含有していることが好
ましい。共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位
の種類および量は。最終加熱処理温度によって得られる
ポリマーの耐熱性を損なわない範囲で選択することが好
ましい。
The photosensitive polybenzoxazole of the present invention may be composed of only the structural unit represented by the general formula (1), or may be a copolymer or a blend with another structural unit. Is also good. In that case, it is preferable that the structural unit represented by the general formula (1) is contained in an amount of 90 mol% or more. What are the types and amounts of structural units used for copolymerization or blending? It is preferable to select the range within a range that does not impair the heat resistance of the polymer obtained by the final heat treatment temperature.

【0031】一般式(1)において、R1は少なくとも
2個以上の炭素原子を有する2価の有機基を示す。本発
明におけるポリマーの耐熱性から、R1は芳香族または
芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の2価の有
機基であることが好ましい。R1の好ましい具体例とし
ては、ジフェニルエーテル−3,3’−ジカルボン酸、
ジフェニルエーテル−3,4’−ジカルボン酸、ジフェ
ニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸、イソフタル
酸、ベンゾフェノン−3,3’−ジカルボン酸、ベンゾ
フェノン−3,4’−ジカルボン酸、ベンゾフェノン−
4,4’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−3,
3’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−3,4’−
ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−4,4’−ジカル
ボン酸などの残基が挙げられるが、これらに限定されな
い。また、R1はこれらのうち1種から構成されていて
も良いし、2種以上から構成される共重合体であっても
構わない。
In the general formula (1), R 1 represents a divalent organic group having at least two carbon atoms. In view of the heat resistance of the polymer according to the invention, R 1 is preferably a divalent organic group containing an aromatic or aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms. Preferred specific examples of R 1 include diphenyl ether-3,3′-dicarboxylic acid,
Diphenyl ether-3,4'-dicarboxylic acid, diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid, isophthalic acid, benzophenone-3,3'-dicarboxylic acid, benzophenone-3,4'-dicarboxylic acid, benzophenone-
4,4′-dicarboxylic acid, diphenylsulfone-3,
3'-dicarboxylic acid, diphenylsulfone-3,4'-
Residues such as, but not limited to, dicarboxylic acids, diphenylsulfone-4,4'-dicarboxylic acids. In addition, R 1 may be composed of one of these, or may be a copolymer composed of two or more.

【0032】一般式(1)において、R2は少なくとも
2個以上の炭素原子を有する2価から4価の有機基を示
す。本発明におけるポリマーの耐熱性から、R2は芳香
族または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の
4価の有機基であることが好ましい。R2の好ましい具
体例としては、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒド
ロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノ−3,
3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,4’−ジ
アミノ−3,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテルな
どの残基が挙げられる。このような例として、下記に示
すような構造のものがあげられるが、本発明はこれらに
限定されない。また、R2はこれらのうち1種から構成
されていても良いし、2種以上から構成される共重合体
であっても構わない。
In the general formula (1), R 2 represents a divalent to tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms. In view of the heat resistance of the polymer in the present invention, R 2 is preferably a tetravalent organic group containing an aromatic or aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms. Preferred specific examples of R 2 include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-diamino-3,
Residues such as 3′-dihydroxydiphenyl ether and 3,4′-diamino-3,4′-dihydroxydiphenyl ether are exemplified. Such examples include those having the following structures, but the present invention is not limited thereto. Further, R 2 may be composed of one of these, or may be a copolymer composed of two or more.

【0033】[0033]

【化3】 Embedded image

【0034】一般式(1)で表されるポリベンゾオキサ
ゾール前駆体は、ジヒドロキシジアミンとハロゲン化ジ
カルボン酸との縮合、あるいはジヒドロキシジアミンと
ジカルボン酸をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの
脱水縮合剤の存在下での縮合などの方法によって得るこ
とができる。
The polybenzoxazole precursor represented by the general formula (1) is obtained by condensation of dihydroxydiamine and halogenated dicarboxylic acid or condensation of dihydroxydiamine and dicarboxylic acid in the presence of a dehydrating condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide. And the like.

【0035】一般式(1)で表されるポリマーは露光す
る化学線に対してできるだけ透明であることが望まし
い。そのため、365nmにおけるポリマーの吸光度は
1μmあたり0.1以下であることが好ましい。より好
ましくは0.08以下である。0.1を超えると365
nmの化学線での露光に対する感度が低下する。
It is desirable that the polymer represented by the general formula (1) is as transparent as possible to the actinic radiation to be exposed. Therefore, the absorbance of the polymer at 365 nm is preferably 0.1 or less per 1 μm. It is more preferably 0.08 or less. It is 365 when it exceeds 0.1
The sensitivity to exposure to nm actinic radiation is reduced.

【0036】一般式(1)で表される構造単位を主成分
とするポリマーは、光酸発生剤を添加することで感光性
を付与することができる。
The polymer having a structural unit represented by the general formula (1) as a main component can be imparted with photosensitivity by adding a photoacid generator.

【0037】本発明で用いる光酸発生剤としては、ジア
ゾニウム塩、ジアゾキノンスルホン酸アミド、ジアゾキ
ノンスルホン酸エステル、ジアゾキノンスルホン酸塩、
ニトロベンジルエステル、オニウム塩、ハロゲン化物、
ハロゲン化イソシアネート、ハロゲン化トリアジン、ビ
スアリールスルホニルジアゾメタン、ジスルホン等の光
照射により分解し酸を発生する化合物が挙げられる。特
にo−キノンジアジド化合物は未露光部の水溶性を抑制
する効果を有するために望ましい。このような化合物と
しては、1,2−ベンゾキノン−2−アジド−4−スル
ホン酸エステル又はスルホン酸アミド、1,2−ナフト
キノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル又はス
ルホン酸アミド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−4−スルホン酸エステル又はスルホン酸アミド等があ
る。これらは、例えば、1,2−ベンゾキノン−2−ア
ジド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノン
−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、1,2−ナ
フトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロリド等
のo−キノンジアジドスルホニルクロリド類とポリヒド
ロキシ化合物又はポリアミノ化合物を脱塩酸触媒の存在
下で縮合反応することによって得ることができる。
The photoacid generator used in the present invention includes diazonium salts, diazoquinonesulfonic acid amides, diazoquinonesulfonic acid esters, diazoquinonesulfonic acid salts, and the like.
Nitrobenzyl esters, onium salts, halides,
Halogenated isocyanates, halogenated triazines, bisarylsulfonyldiazomethanes, disulfones, and other compounds that decompose upon irradiation with light to generate an acid are exemplified. In particular, an o-quinonediazide compound is desirable because it has an effect of suppressing the water solubility of an unexposed portion. Such compounds include 1,2-benzoquinone-2-azido-4-sulfonic acid ester or sulfonic acid amide, 1,2-naphthoquinone-2-diazido-5-sulfonic acid ester or sulfonic acid amide, -Naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid ester or sulfonic acid amide. These include, for example, 1,2-benzoquinone-2-azido-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride and the like. By subjecting o-quinonediazidosulfonyl chlorides to a polyhydroxy compound or a polyamino compound in the presence of a dehydrochlorination catalyst.

【0038】ポリヒドロキシ化合物としては、ヒドロキ
ノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノール
A、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ト
リス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−
トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1−[1−
(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−
[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベ
ンゼン、4−フェニルメチル−1,2,3−ベンゼント
リオール、4−エチル−1,3−ベンゼンジオール、4
−フェニルメチル−1,3−ベンゼンジオール、4−
(1−メチル−1−フェニルエチル)−1,3−ベンゼ
ンジオール、(2,4−ジヒドロキシフェニル)フェニ
ルメタノン、4−ジフェニルメチル−1,2,3−ベン
ゼントリオール、2,4’、4”−トリヒドロキシトリ
フェニルメタン、2,6−ビス[(2−ヒドロキシ−5
−メチルフェニル)メチル]−4−メチルフェノール、
4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビス
フェノール、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェ
ニル)エタン、4,6−ビス[(4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル]−1,3−ベンゼンジオール、4,4’,
4”,4'”−(1,2−エタンジイリデン)テトラキ
スフェノール、2,6−ビス[(4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル]−4−メチルフェノール、4,4’−[4
−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシリデン]ビ
スフェノール、2,4−ビス[(4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル]−6−シクロヘシルフェノール、2,2’
−メチレンビス[6−[(2/4−ヒドロキシフェニ
ル)メチル]−4−メチルフェノール]、2,2’−ビ
フェノール、4,4’−シクロヘシリデンビスフェノー
ル4,4’−シクロペンチリデンビスフェノール2,
2’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−[1,4−
フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビス[ベン
ゼン−1,2−ジオール]、5,5’−[1,4−フェ
ニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビス[ベンゼン
−1,2,3−トリオール]4−[1−(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ベンゼン
ジオール、4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキシル]−1,2−ベンゼンジオール、4−[1−
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]−1,3
−ベンゼンジオール、4−[(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキシリデン]−1,2,3−ベンゼントリ
オール没食子酸メチル、没食子酸エチル等が挙げられ
る。
Examples of the polyhydroxy compound include hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-
Bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,
3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-
Tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1- [1-
(4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4-
[1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, 4-phenylmethyl-1,2,3-benzenetriol, 4-ethyl-1,3-benzenediol,
-Phenylmethyl-1,3-benzenediol, 4-
(1-methyl-1-phenylethyl) -1,3-benzenediol, (2,4-dihydroxyphenyl) phenylmethanone, 4-diphenylmethyl-1,2,3-benzenetriol, 2,4 ′, 4 "-Trihydroxytriphenylmethane, 2,6-bis [(2-hydroxy-5
-Methylphenyl) methyl] -4-methylphenol,
4,4 '-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 4,6 -Bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -1,3-benzenediol, 4,4 ′,
4 ", 4 '"-(1,2-ethanediylidene) tetrakisphenol, 2,6-bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -4-methylphenol, 4,4'-[4
-(4-hydroxyphenyl) cyclohexylidene] bisphenol, 2,4-bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -6-cyclohexylphenol, 2,2 ′
-Methylenebis [6-[(2 / 4-hydroxyphenyl) methyl] -4-methylphenol], 2,2′-biphenol, 4,4′-cyclohexylidenebisphenol 4,4′-cyclopentylidenebisphenol 2,
2'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4 '-[1,4-
Phenylenebis (1-methylethylidene)] bis [benzene-1,2-diol], 5,5 '-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bis [benzene-1,2,3-triol ] 4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-benzenediol, 4- [1- (4-hydroxyphenyl) cyclohexyl] -1,2-benzenediol, 4- [ 1-
(4-hydroxyphenyl) cyclohexyl] -1,3
-Benzenediol, 4-[(4-hydroxyphenyl) cyclohexylidene] -1,2,3-benzenetriol methyl gallate, ethyl gallate and the like.

【0039】ポリアミノ化合物としては、1,4−フェ
ニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド等が
挙げられる。
Examples of the polyamino compound include 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine,
4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide and the like.

【0040】また、ポリヒドロキシポリアミノ化合物と
しては、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジヒドロ
キシベンジジン等が挙げられる。
Examples of the polyhydroxypolyamino compound include 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 3,3'-dihydroxybenzidine.

【0041】本発明で用いられる光酸発生剤の具体的例
としては、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸メチ
ル、4,4'−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェ
ノール、4,4',4"−エチリデントリスフェノール、
4,6−ビス[(4−ヒドロキシフェニル)メチル]−1,
3−ベンゼンジオール、4,4,4',4'−テトラキス
[(1−メチルエチリデン)ビス(1,4−シクロヘキシリ
デン)]フェノール、4,4’−[4−(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキシリデン]ビスフェノールであっ
て、かつ少なくとも一つのヒドロキシル基が1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホニル基または1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基であるo−キ
ノンジアジド化合物が挙げられる。
Specific examples of the photoacid generator used in the present invention include methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate and 4,4 '-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl). ) -1-Methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, 4,4 ′, 4 ″ -ethylidenetrisphenol,
4,6-bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -1,
3-benzenediol, 4,4,4 ', 4'-tetrakis
[(1-methylethylidene) bis (1,4-cyclohexylidene)] phenol, 4,4 ′-[4- (4-hydroxyphenyl) cyclohexylidene] bisphenol, wherein at least one hydroxyl group is 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group or 1,2-
An o-quinonediazide compound which is a naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is exemplified.

【0042】o−キノンジアジド化合物は、一般式
(1)で表されるポリマー100重量部に対して好まし
くは5から100重量部、より好ましくは5から40重
量部の範囲で配合される。配合量が5重量部未満では十
分な感度が得られず、また、100重量部を超えると、
光照射およびそれに続く現像によるパターンの形成が難
しく、また樹脂組成物の耐熱性が低下する可能性があ
る。
The o-quinonediazide compound is blended in an amount of preferably 5 to 100 parts by weight, more preferably 5 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer represented by the general formula (1). If the amount is less than 5 parts by weight, sufficient sensitivity cannot be obtained, and if the amount exceeds 100 parts by weight,
It is difficult to form a pattern by light irradiation and subsequent development, and the heat resistance of the resin composition may be reduced.

【0043】また、未露光部と露光部の溶解速度比を調
整する目的で、溶解調整剤を用いることもできる。溶解
調整剤としては、ポリヒドロキシ化合物、スルホンアミ
ド化合物、ウレア化合物など、いずれの化合物でも好ま
しく用いることができる。とくに、キノンジアジド化合
物を合成する際の原料であるポリヒドロキシ化合物が好
ましく用いられる。具体的には、3,4,5−トリヒド
ロキシ安息香酸メチル、4,4'−[1−[4−[1−(4
−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]
エチリデン]ビスフェノール、4,4',4"−エチリデ
ントリスフェノール、4,6−ビス[(4−ヒドロキシフ
ェニル)メチル]−1,3−ベンゼンジオール、4,4,
4',4'−テトラキス[(1−メチルエチリデン)ビス
(1,4−シクロヘキシリデン)]フェノールが挙げられ
る。
For the purpose of adjusting the dissolution rate ratio between the unexposed portion and the exposed portion, a dissolution regulator can be used. As the dissolution regulator, any compound such as a polyhydroxy compound, a sulfonamide compound, and a urea compound can be preferably used. In particular, a polyhydroxy compound which is a raw material for synthesizing a quinonediazide compound is preferably used. Specifically, methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate, 4,4 ′-[1- [4- [1- (4
-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl]
Ethylidene] bisphenol, 4,4 ′, 4 ″ -ethylidene trisphenol, 4,6-bis [(4-hydroxyphenyl) methyl] -1,3-benzenediol, 4,4
4 ', 4'-tetrakis [(1-methylethylidene) bis
(1,4-cyclohexylidene)] phenol.

【0044】溶解調整剤は、一般式(1)で表されるポ
リマー100重量部に対して好ましくは1から100重
量部、より好ましくは5から40重量部の範囲で配合さ
れる。配合量が1重量部未満では十分な効果が得られ
ず、また、100重量部を越えると樹脂組成物の耐熱性
が低下する可能性がある。
The dissolution regulator is preferably blended in an amount of 1 to 100 parts by weight, more preferably 5 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer represented by the general formula (1). If the amount is less than 1 part by weight, sufficient effects cannot be obtained, and if it exceeds 100 parts by weight, the heat resistance of the resin composition may be reduced.

【0045】ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを用
いた絶縁層のパターニングは、次のような工程で実施す
ることができる。第一電極11がパターニングされた基
板10上に(図4)、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体膜を全面に塗布する(図5)。塗布方法は、
スピンコート法、スリットダイコート法、スプレー法、
ロールコート法、ディップ法など公知の技術を利用でき
る。また、塗布膜厚は、乾燥後の膜厚が0.1〜150
μmになるように塗布される。好ましくは、0.5〜2
0μmである。
The patterning of the insulating layer using the positive photosensitive polybenzoxazole can be carried out in the following steps. On the substrate 10 on which the first electrode 11 is patterned (FIG. 4), a positive photosensitive polybenzoxazole precursor film is applied on the entire surface (FIG. 5). The application method is
Spin coating, slit die coating, spraying,
Known techniques such as a roll coating method and a dipping method can be used. Further, the coating film thickness is 0.1 to 150 after drying.
It is applied to a thickness of μm. Preferably, 0.5 to 2
0 μm.

【0046】塗布したポリベンゾオキサゾール前駆体膜
を必要に応じてプリベークした後に、フォトマスク18
を介して露光を行う(図6)。露光部分17は溶解性が
増大するので、基板を現像液に浸して露光部分を溶解・
除去せしめ、必要に応じてキュアすることで所望のポリ
ベンゾオキサゾールのパターンを得ることができる(図
7)。
After pre-baking the applied polybenzoxazole precursor film as required, the photomask 18
Exposure is carried out through (FIG. 6). As the solubility of the exposed portion 17 increases, the substrate is immersed in a developing solution to dissolve the exposed portion.
By removing and curing as necessary, a desired polybenzoxazole pattern can be obtained (FIG. 7).

【0047】本発明のポジ型感光性ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体のプリベークは、オーブン、ホットプレー
ト、赤外線などを使用し、50℃から150℃の範囲で
1分から数時間行うのが好ましい。必要に応じて、80
℃で2分の後、120℃で2分など、2段あるいはそれ
以上で乾燥することもできる。
The prebaking of the positive photosensitive polybenzoxazole precursor of the present invention is preferably carried out at 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to several hours using an oven, a hot plate, infrared rays or the like. 80 if necessary
After drying at 2 ° C. for 2 minutes, drying at 120 ° C. for 2 minutes or two or more stages can be used.

【0048】露光に用いられる化学線としては紫外線、
可視光線、電子線、X線などがあるが、水銀灯のi線
(365nm)、h線(405nm)、g線(436n
m)を用いるのが好ましい。これらの波長の光は単独で
も、2種類以上混合して用いても好ましく用いられる。
As the actinic radiation used for exposure, ultraviolet rays,
There are visible light, electron beam, X-ray, etc., but i-line (365 nm), h-line (405 nm), and g-line (436n) of mercury lamp.
It is preferred to use m). Light of these wavelengths is preferably used singly or as a mixture of two or more.

【0049】現像時のパターンの解像度が向上したり、
現像条件の許容幅が増大する場合には、現像前にベーク
処理をする工程を取り入れても差し支えない。この温度
としては50〜180℃の範囲が好ましく、特に60〜
150℃の範囲がより好ましい。時間は10秒〜数時間
が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行しなかっ
たり、すべての領域が溶解しなくなるなどの恐れがある
ので注意を要する。
The resolution of the pattern at the time of development is improved,
When the allowable range of the developing conditions increases, a step of performing a baking process before the development may be adopted. This temperature is preferably in the range of 50 to 180 ° C., particularly 60 to 180 ° C.
A range of 150 ° C. is more preferred. The time is preferably from 10 seconds to several hours. If the ratio is out of this range, the reaction may not proceed or all the regions may not be dissolved.

【0050】現像液としては、テトラメチルアンモニウ
ムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタ
ノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルア
ミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルア
ミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミ
ノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ
性を示す化合物の水溶液が好ましい。テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液は特に好適な
現像液である。
As a developing solution, an aqueous solution of tetramethylammonium, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethyl An aqueous solution of an alkaline compound such as ethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, or hexamethylenediamine is preferred. An aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is a particularly suitable developer.

【0051】また場合によっては、これらのアルカリ水
溶液にN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、γ−ブチロラクロン、ジメチルアクリ
ルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの
エステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イ
ソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加し
てもよい。
In some cases, a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, dimethylacrylamide, or the like may be added to these aqueous alkali solutions. Addition of alcohols such as ethanol, ethanol, isopropanol, esters such as ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, methyl isobutyl ketone, alone or in combination of several kinds May be.

【0052】現像後は水にてリンス処理をする。ここで
もエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリ
ンス処理をしても良い。現像やリンスには超音波処理を
施すこともできる。
After the development, a rinsing treatment is performed with water. Here, rinsing treatment may be performed by adding alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate to water. Ultrasonic treatment can be applied to development and rinsing.

【0053】キュア温度は200℃から500℃の範囲
で行うことが好ましく、250℃から350℃の範囲が
さらに好ましい。この加熱処理は温度を選び、段階的に
昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら
5分から5時間実施する。一例としては、140℃、2
00℃、350℃で各30分ずつ熱処理する。あるいは
室温より400℃まで2時間かけて直線的に昇温するな
どの方法が挙げられる。 本発明の感光性ポリベンゾオ
キサゾールのガラス転移温度は250℃以上350℃以
下、また280℃以上350℃以下であることがより好
ましい。また、5%熱重量減少温度は350℃以上であ
ることが好ましい。屈折率は特に限定されないが、1.
8以下であることが好ましい。
The curing temperature is preferably in the range of 200 ° C. to 500 ° C., more preferably in the range of 250 ° C. to 350 ° C. This heat treatment is carried out for 5 minutes to 5 hours while selecting the temperature and increasing the temperature stepwise or while selecting a certain temperature range and continuously increasing the temperature. As an example, 140 ° C., 2
Heat treatment is performed at 00 ° C. and 350 ° C. for 30 minutes each. Alternatively, a method of linearly raising the temperature from room temperature to 400 ° C. over 2 hours may be used. The glass transition temperature of the photosensitive polybenzoxazole of the present invention is more preferably from 250 ° C to 350 ° C, and more preferably from 280 ° C to 350 ° C. The 5% thermal weight loss temperature is preferably 350 ° C. or higher. The refractive index is not particularly limited.
It is preferably 8 or less.

【0054】[0054]

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.
The present invention is not limited by these.

【0055】合成例1 ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物の合成 BAHF18.3g(0.05モル)をアセトン100
ml、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に
溶解させ、−15℃に冷却した。ここに3−ニトロベン
ゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン
100mlに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、
−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。溶液
をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた固体を
テトラヒドロフランとエタノールの混合溶液で再結晶し
た。
Synthesis Example 1 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine compound 18.3 g (0.05 mol) of BAHF was added to 100 parts of acetone.
and propylene oxide (17.4 g, 0.3 mol), and cooled to -15 ° C. A solution obtained by dissolving 20.4 g (0.11 mol) of 3-nitrobenzoyl chloride in 100 ml of acetone was added dropwise. After dropping,
The reaction was carried out at −15 ° C. for 4 hours, and then returned to room temperature. The solution was concentrated with a rotary evaporator, and the obtained solid was recrystallized with a mixed solution of tetrahydrofuran and ethanol.

【0056】再結晶して集めた固体30gを300ml
のステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ
250mlに分散させ、5%パラジウム−炭素を2g加
えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で
行った。約4時間後、風船がこれ以上しぼまないことを
確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒
であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレー
ターで濃縮し、ジアミン化合物を得た。これを下記に示
す。得られた固体をそのまま反応に使用した。
30 g of the recrystallized solid collected was 300 ml
Was dispersed in 250 ml of methyl cellosolve, and 2 g of 5% palladium-carbon was added. Here, hydrogen was introduced by a balloon, and the reduction reaction was performed at room temperature. After about 4 hours, it was confirmed that the balloon did not deflate any more, and the reaction was terminated. After completion of the reaction, the mixture was filtered to remove the palladium compound as a catalyst, and concentrated by a rotary evaporator to obtain a diamine compound. This is shown below. The obtained solid was directly used for the reaction.

【0057】[0057]

【化4】 Embedded image

【0058】合成例2 キノンジアジド化合物(1)の
合成 乾燥窒素気流下、BisRS−2P(商品名、本州化学
工業(株)製)16.1g(0,05モル)と5−ナフ
トキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.9g
(0.1モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解さ
せ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと
混合させたトリエチルアミン10.1gを系内が35℃
以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間
攪拌した。トリエチルアミン塩をろ過し、ろ液を水に投
入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この
沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物
(1)を得た。
Synthesis Example 2 Synthesis of quinonediazide compound (1) 16.1 g (0.05 mol) of BisRS-2P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) and 5-naphthoquinonediazidosulfonyl chloride in a dry nitrogen stream 26.9g
(0.1 mol) was dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. Here, 10.1 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was charged at 35 ° C.
It dripped so that it might not become above. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 30 ° C. for 2 hours. The triethylamine salt was filtered, and the filtrate was poured into water. Thereafter, the deposited precipitate was collected by filtration. The precipitate was dried with a vacuum drier to obtain a quinonediazide compound (1).

【0059】[0059]

【化5】 Embedded image

【0060】合成例3 キノンジアジド化合物(2)の
合成 乾燥窒素気流下、TrisP−HAP(商品名、本州化
学工業(株)製)、15.3g(0.05モル)と5−
ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド40.3g
(0.15モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解
させ、室温にした。ここに、1.4−ジオキサン50g
と混合させたトリエチルアミン15.2gを用い、合成
例3と同様にしてキノンジアジド化合物(2)を得た。
Synthesis Example 3 Synthesis of quinonediazide compound (2) 15.3 g (0.05 mol) of TrisP-HAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) and 5-
Naphthoquinone diazide sulfonyl chloride 40.3g
(0.15 mol) was dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. Here, 50 g of 1.4-dioxane
Quinonediazide compound (2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3 using 15.2 g of triethylamine mixed with the above.

【0061】[0061]

【化6】 Embedded image

【0062】合成例4 乾燥窒素気流下、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカ
ルボン酸43g(0.17モル)と1−ヒドロキシベン
ゾトリアゾール44.7g(0.33モル)とをN,N
−ジメチルアセトアミド300g中で反応させた。得ら
れたジカルボン酸誘導体73.9g(0.15モル)と
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン61.1g(0.17モル)
とを、NMP500gに乾燥窒素気流下で溶解させた。
その後、80℃で10時間攪拌させた。得られた溶液4
0gに合成例2で得られたキノンジアジド化合物(1)
2gを溶解させて感光性樹脂組成物ワニスAを得た。
Synthesis Example 4 43 g (0.17 mol) of diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid and 44.7 g (0.33 mol) of 1-hydroxybenzotriazole were mixed with N, N under a stream of dry nitrogen.
-Reacted in 300 g of dimethylacetamide. 73.9 g (0.15 mol) of the obtained dicarboxylic acid derivative and 61.1 g (0.17 mol) of hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane
Was dissolved in 500 g of NMP under a stream of dry nitrogen.
Thereafter, the mixture was stirred at 80 ° C. for 10 hours. The resulting solution 4
0 g of the quinonediazide compound (1) obtained in Synthesis Example 2
2 g were dissolved to obtain a photosensitive resin composition varnish A.

【0063】合成例5 合成例4において、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンの代わり
に、合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン1
02.7g(0.17モル)を用い、キノンジアジド化
合物(1)の代わりに合成例2で得られたキノンジアジ
ド化合物(2)2gを溶解させた以外は、合成例4と同
様に行い、ワニスBを得た。
Synthesis Example 5 In Synthesis Example 4, hexafluoro-2,2-bis (3
Instead of (-amino-4-hydroxyphenyl) propane, the hydroxyl group-containing diamine 1 obtained in Synthesis Example 1
Varnish B was prepared in the same manner as in Synthesis Example 4 except that 22.7 g (0.17 mol) of the quinonediazide compound (2) obtained in Synthesis Example 2 was dissolved instead of the quinonediazide compound (1). Got.

【0064】実施例1 厚さ1.1mmの無アルカリガラス表面にスパッタリン
グ蒸着法によって厚さ130nmのITO透明電極膜が
形成されたガラス基板を120×100mmの大きさに
切断した。ITO基板上にフォトレジストを塗布して、
通常のフォトリソグラフィ法による露光・現像によって
パターニングした。ITOの不要部分をエッチングして
除去した後、フォトレジストを除去することで、ITO
膜を長さ90mm、幅80μmのストライプ形状にパタ
ーニングした。このストライプ状第一電極は100μm
ピッチで816本配置されている。
Example 1 A glass substrate having a 130-nm-thick ITO transparent electrode film formed on a 1.1-mm-thick non-alkali glass surface by sputtering was cut into a size of 120 × 100 mm. Apply photoresist on the ITO substrate,
Patterning was performed by exposure and development using a normal photolithography method. After removing unnecessary portions of the ITO by etching, the photoresist is removed, so that the ITO is removed.
The film was patterned into a stripe shape having a length of 90 mm and a width of 80 μm. This striped first electrode is 100 μm
816 are arranged at a pitch.

【0065】次に、ワニスAの濃度調整を行い、スピン
コート法により第一電極を形成した基板上に塗布し、ホ
ットプレート上で120℃で2分間プリベークした。こ
の膜にフォトマスクを介してUV露光した後、2.38
%TMAH水溶液で露光部分のみを溶解させることで現
像し、純水でリンスした。得られたポリイミド前駆体パ
ターンをクリーンオーブン中の窒素雰囲下で170℃、
30分、さらに、320℃で60分加熱してキュアし
た。このようにして、幅70μm、長さ250μmの開
口部が幅方向にピッチ100μmで816個、長さ方向
にピッチ300μmで200個配置され、それぞれの開
口部が図1に示したように第一電極の中央部を露出せし
め、しかも、第一電極のエッジ部分を覆うような形状の
感光性ポリイミドからなる絶縁層を形成した。絶縁層の
厚さは約1μmであり、体積抵抗率は少なくとも5×1
710Ωcmあることを確認した。絶縁層の境界部分の
断面は図3に示したような順テーパー形状であり、テー
パー角度θは約45°であった。また、絶縁層の赤外吸
収スペクトルを反射配置で測定したところ、オキザゾー
ル構造の1477cm-1付近の吸収ピークが検出され
た。
Next, the concentration of varnish A was adjusted, applied to the substrate on which the first electrode was formed by spin coating, and prebaked on a hot plate at 120 ° C. for 2 minutes. After UV exposure of this film through a photomask, 2.38
Developing by dissolving only the exposed portion with a% TMAH aqueous solution, and rinsing with pure water. 170 ° C. under a nitrogen atmosphere in a clean oven the obtained polyimide precursor pattern,
It was cured by heating at 320 ° C. for 60 minutes and further for 30 minutes. In this manner, 816 openings having a width of 70 μm and a length of 250 μm are arranged in the width direction at a pitch of 100 μm, and 200 openings are arranged at a pitch of 300 μm in the length direction. As shown in FIG. An insulating layer made of photosensitive polyimide was formed so as to expose the center of the electrode and to cover the edge of the first electrode. The thickness of the insulating layer is about 1 μm and the volume resistivity is at least 5 × 1
0 710 Ωcm was confirmed. The cross section of the boundary portion of the insulating layer had a forward tapered shape as shown in FIG. 3, and the taper angle θ was about 45 °. When the infrared absorption spectrum of the insulating layer was measured in a reflection configuration, an absorption peak near 1477 cm −1 of the oxazole structure was detected.

【0066】次に、絶縁層を形成した基板を用いて有機
電界発光装置の作製を行った。発光層を含む薄膜層は、
抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成した。な
お、蒸着時の真空度は2×10-4Pa以下であり、蒸着
中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、銅フタロ
シアニンを15nm、ビス(N−エチルカルバゾール)
を60nm、基板有効エリア全面に蒸着して正孔輸送層
を形成した。
Next, an organic electroluminescent device was manufactured using the substrate on which the insulating layer was formed. The thin film layer including the light emitting layer,
It was formed by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to the vapor deposition source during vapor deposition. First, copper phthalocyanine was converted to 15 nm bis (N-ethylcarbazole).
Was deposited over the entire effective area of the substrate to form a hole transport layer.

【0067】発光層パターニング用として、図8に模式
的に示すように、マスク部分と補強線とが同一平面内に
形成されたシャドーマスクを用いた。シャドーマスクの
外形は120×84mm、マスク部分31の厚さは25
μmであり、長さ64mm、幅100μmのストライプ
状開口部がピッチ300μmで272本配置されてい
る。各ストライプ状開口部32には、開口部と直交する
幅20μm、厚さ25μmの補強線33が1.8mm間
隔に形成されている。シャドーマスクは外形が等しい幅
4mmのステンレス鋼製フレーム34に固定されてい
る。
For patterning the light emitting layer, a shadow mask in which a mask portion and a reinforcing line were formed in the same plane was used as schematically shown in FIG. The outline of the shadow mask is 120 × 84 mm, and the thickness of the mask portion 31 is 25.
μm, 272 stripe-shaped openings having a length of 64 mm and a width of 100 μm are arranged at a pitch of 300 μm. Reinforcing lines 33 each having a width of 20 μm and a thickness of 25 μm, which are orthogonal to the openings, are formed in each stripe-shaped opening 32 at 1.8 mm intervals. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0068】発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
(日立金属社製、YBM−1B)を配置した。この際、
ストライプ状第一電極がシャドーマスクのストライプ状
開口部の中心に位置し、補強線が絶縁層上に位置し、か
つ補強線と絶縁層が接触するように配置される。シャド
ーマスクは膜厚の厚い絶縁層と接触して、先に形成した
有機層とは接触しないので、マスク傷が防止される。こ
の状態で0.3重量%の1,3,5,7,8−ペンタメ
チル−4,4−ジフロロ−4−ボラ−3a,4a−ジア
ザ−s−インダセン(PM546)をドーピングした8
−ヒドロキシキノリン−アルミニウム錯体(Alq3)
を21nm蒸着し、緑色発光層をパターニングした。
A shadow mask for a light emitting layer was arranged in front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a ferrite plate magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was arranged behind the substrate. On this occasion,
The stripe-shaped first electrode is located at the center of the stripe-shaped opening of the shadow mask, the reinforcing line is located on the insulating layer, and the reinforcing line and the insulating layer are arranged to be in contact with each other. Since the shadow mask comes into contact with the thick insulating layer and does not come into contact with the previously formed organic layer, mask flaws are prevented. In this state, 0.3% by weight of 1,3,5,7,8-pentamethyl-4,4-difluoro-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene (PM546) was doped.
-Hydroxyquinoline-aluminum complex (Alq3)
Was deposited to a thickness of 21 nm to pattern a green light-emitting layer.

【0069】次に、シャドーマスクを1ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせして、1重量%
の4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(ジュ
ロリジルスチリル)ピラン(DCJT)をドーピングし
たAlq3を15nm蒸着して、赤色発光層をパターニ
ングした。
Next, the shadow mask was aligned with the first electrode pattern at a position shifted by one pitch, and
Alq3 doped with 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (julolidylstyryl) pyran (DCJT) was deposited to a thickness of 15 nm to pattern the red light emitting layer.

【0070】さらにシャドーマスクを1ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせして、4,4’
−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ジフェニル(D
PVBi)を20nm蒸着して、青色発光層をパターニ
ングした。緑色、赤色、青色それぞれの発光層は、スト
ライプ状第一電極の3本ごとに配置され、第一電極の露
出部分を完全に覆っている。
Further, the shadow mask is aligned with the first electrode pattern at a position shifted by one pitch, and 4,4 ′
-Bis (2,2'-diphenylvinyl) diphenyl (D
PVBi) was deposited to a thickness of 20 nm to pattern the blue light-emitting layer. The green, red, and blue light emitting layers are arranged for every three stripe-shaped first electrodes, and completely cover the exposed portions of the first electrodes.

【0071】次に、DPVBiを35nm、Alq3を
10nm、基板有効エリア全面に蒸着した。この後、薄
膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング(膜厚換算量
0.5nm)した。
Next, DPVBi was deposited to a thickness of 35 nm and Alq3 was deposited to a thickness of 10 nm over the entire effective area of the substrate. Thereafter, the thin film layer was exposed to lithium vapor to dope (0.5 nm in film thickness conversion).

【0072】第二電極パターニング用として、図9に模
式的に示すように、マスク部分の一方の面と補強線との
間に隙間が存在する構造のシャドーマスクを用いた。シ
ャドーマスクの外形は120×84mm、マスク部分3
1の厚さは100μmであり、長さ100mm、幅25
0μmのストライプ状開口部32がピッチ300μmで
200本配置されている。マスク部分の上には、幅40
μm、厚さ35μm、対向する二辺の間隔が200μm
の正六角形構造からなるメッシュ状の補強線33が形成
されている。隙間の高さはマスク部分の厚さと等しく1
00μmである。シャドーマスクは外形が等しい幅4m
mのステンレス鋼製フレーム34に固定されている。
For patterning the second electrode, a shadow mask having a structure in which a gap exists between one surface of the mask portion and the reinforcing line as shown schematically in FIG. 9 was used. The outline of the shadow mask is 120 x 84 mm, mask part 3
1, the thickness is 100 μm, the length is 100 mm, and the width is 25.
200 stripe-shaped openings 32 of 0 μm are arranged at a pitch of 300 μm. On the mask part, width 40
μm, thickness 35 μm, interval between two opposing sides is 200 μm
The mesh-shaped reinforcing wire 33 having a regular hexagonal structure is formed. The height of the gap is equal to the thickness of the mask part and 1
00 μm. Shadow mask is 4m in width with the same outer shape
m is fixed to a stainless steel frame 34.

【0073】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着
法によって形成した。なお、蒸着時の真空度は3×10
-4Pa以下であり、蒸着中は2つの蒸着源に対して基板
を回転させた。発光層のパターニングと同様に、第二電
極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着さ
せ、基板後方には磁石を配置した。この際、絶縁層がマ
スク部分の位置と一致するように両者を配置する。この
状態でアルミニウムを240nmの厚さに蒸着して、第
二電極をパターニングした。第二電極は、間隔をあけて
配置された複数のストライプ状第一電極と直交する配置
で、間隔をあけて配置されたストライプ状にパターニン
グされている。
The second electrode was formed by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10
−4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to two evaporation sources during the evaporation. Similarly to the patterning of the light emitting layer, a shadow mask for the second electrode was arranged on the front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a magnet was arranged on the rear of the substrate. At this time, both are arranged such that the insulating layer matches the position of the mask portion. In this state, aluminum was deposited to a thickness of 240 nm to pattern the second electrode. The second electrode is patterned in a stripe pattern arranged at an interval in a direction orthogonal to the plurality of striped first electrodes arranged at an interval.

【0074】本基板を蒸着機から取り出し、ロータリー
ポンプによる減圧雰囲気下で20分間保持した後、露点
−90℃以下のアルゴン雰囲気下に移した。この低湿雰
囲気下にて、基板と封止用ガラス板とを硬化性エポキシ
樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。
The substrate was taken out of the vapor deposition machine, kept in a reduced pressure atmosphere by a rotary pump for 20 minutes, and then transferred to an argon atmosphere having a dew point of -90 ° C. or less. Under this low humidity atmosphere, the substrate and the glass plate for sealing were sealed by bonding using a curable epoxy resin.

【0075】このようにして幅80μm、ピッチ100
μm、本数816本のITOストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅2
50μm、ピッチ300μmのストライプ状第二電極が
200本配置された単純マトリクス型カラー有機電界発
光装置を作製した。赤、緑、青の3つの発光領域が1画
素を形成するので、本発光装置は300μmピッチで2
72×200画素を有する。絶縁層が第一電極を露出せ
しめる部分のみが発光するので、1つの発光領域は幅7
0μm、長さ250μmの長方形である。
Thus, the width of 80 μm and the pitch of 100
A patterned green light emitting layer, a red light emitting layer and a blue light emitting layer are formed on a 816 ITO stripe-shaped first electrode having a width of 2 μm and a width of 2 μm perpendicular to the first electrode.
A simple matrix type color organic electroluminescent device in which 200 stripe-shaped second electrodes having a pitch of 50 μm and a pitch of 300 μm were arranged was fabricated. Since the three light emitting regions of red, green and blue form one pixel, the light emitting device of the present invention has two light emitting regions at a pitch of 300 μm.
It has 72 × 200 pixels. Since only the portion where the insulating layer exposes the first electrode emits light, one light emitting region has a width of 7
It is a rectangle having a length of 0 μm and a length of 250 μm.

【0076】本表示装置を線順次駆動したところ、良好
な表示特性を得ることができた。第一電極のエッジ部分
が絶縁層で覆われているために、電界集中による短絡は
認められなかった。また、断面が順テーパー形状である
ことから、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、薄
くなったり段切れを起こすようなこともなく、スムーズ
に成膜されたので、発光領域内での輝度ムラは認められ
ず、安定な発光が得られた。また、耐久性試験として、
85℃で250時間保持した後の発光特性を評価したと
ころ、初期と比べて発光領域が小さくなることなく良好
な発光を示した。
When this display was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained. Since the edge portion of the first electrode was covered with the insulating layer, no short circuit due to electric field concentration was observed. In addition, since the cross section is a forward tapered shape, the thin film layer and the second electrode are formed smoothly without thinning or disconnection at the boundary portion of the insulating layer. No luminance unevenness was observed, and stable light emission was obtained. In addition, as a durability test,
When the light emission characteristics after holding at 85 ° C. for 250 hours were evaluated, good light emission was exhibited without a light emission region becoming smaller than in the initial stage.

【0077】実施例2 ワニスAからなる絶縁層を形成するまでは実施例1と同
様にした。次に、第一電極および絶縁層が形成された基
板上にネガ型感光性ポリイミド前駆体(東レ(株)製、
UR−3100)をスピンコートし、クリーンオーブン
中の窒素雰囲気下で80℃、1時間プリベークした。こ
の膜にフォトマスクを介してUV露光した後、現像液
(東レ(株)製、DV−505)で非露光部分のみを溶
解させることで現像し、純水でリンスした。その後クリ
ーンオーブン中の窒素雰囲気下で180℃、30分間、
さらに220℃で30分間加熱してキュアした。第一電
極と直交する隔壁を形成した。この電気絶縁性の隔壁は
絶縁層上に位置しており、長さ104mm、幅30μ
m、高さ4μmであり、300μmピッチで201本配
置されている。
Example 2 The procedure was the same as in Example 1 until an insulating layer made of varnish A was formed. Next, a negative photosensitive polyimide precursor (manufactured by Toray Industries, Inc.) is formed on the substrate on which the first electrode and the insulating layer are formed.
(UR-3100) was spin-coated and prebaked at 80 ° C. for 1 hour in a clean oven under a nitrogen atmosphere. After this film was exposed to UV through a photomask, it was developed by dissolving only the non-exposed portion with a developer (DV-505, manufactured by Toray Industries, Inc.) and rinsed with pure water. Then, under nitrogen atmosphere in a clean oven at 180 ° C for 30 minutes,
It was further heated at 220 ° C. for 30 minutes to cure. A partition orthogonal to the first electrode was formed. This electrically insulating partition is located on the insulating layer and has a length of 104 mm and a width of 30 μm.
m, the height is 4 μm, and 201 are arranged at a pitch of 300 μm.

【0078】薄膜層の形成は実施例1と同様にした。第
二電極の形成には隔壁法を用いた。すなわち、基板を蒸
着源に対して傾けて設置した状態で斜め蒸着を行い、2
40nmのアルミニウムを蒸着した。蒸着物に対して隔
壁の陰となる部分には蒸着物が付着しないので、これに
より、ストライプ状の第二電極をパターニングした。封
止については実施例1と同様にした。
The formation of the thin film layer was the same as in the first embodiment. The partitioning method was used to form the second electrode. That is, oblique deposition is performed in a state where the substrate is installed at an angle to the deposition source, and 2
40 nm of aluminum was deposited. Since the deposited material did not adhere to the portion of the partition wall which was shaded with respect to the deposited material, the stripe-shaped second electrode was patterned. Sealing was performed in the same manner as in Example 1.

【0079】このようにして、幅80μm、ピッチ10
0μm、本数816本のITOストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅約
270μm、ピッチ300μmのストライプ状第二電極
が200本配置された単純マトリクス型カラー有機電界
発光装置を作製した。実施例1と同様に、本発光装置も
300μmピッチで272×200画素を有し、1つの
発光領域は幅70μm、長さ250μmの長方形であ
る。
Thus, the width of 80 μm and the pitch of 10
A patterned green light-emitting layer, a red light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are formed on a 0 μm, 816 ITO stripe-shaped first electrode, and have a width of about 270 μm and a pitch of 300 μm perpendicular to the first electrode. A simple matrix type color organic electroluminescent device in which 200 second electrodes were arranged was produced. As in the first embodiment, this light emitting device also has 272 × 200 pixels at a pitch of 300 μm, and one light emitting region is a rectangle having a width of 70 μm and a length of 250 μm.

【0080】本表示装置を線順次駆動したところ、実施
例1と同様に良好な表示特性を得ることができた。第一
電極のエッジ部分が絶縁層で覆われているために、電界
集中による短絡は認められなかった。また、断面が順テ
ーパー形状であることから、絶縁層の境界部分で薄膜層
や第二電極が、薄くなったり段切れを起こすようなこと
もなく、スムーズに成膜されたので、発光領域内での輝
度ムラは認められず、安定な発光が得られた。また、耐
久性試験として、85℃で250時間保持した後の発光
特性を評価したところ、初期と比べて発光領域が小さく
なることなく良好な発光を示した。
When this display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained as in the first embodiment. Since the edge portion of the first electrode was covered with the insulating layer, no short circuit due to electric field concentration was observed. In addition, since the cross section is a forward tapered shape, the thin film layer and the second electrode are formed smoothly without thinning or disconnection at the boundary portion of the insulating layer. No luminance unevenness was observed, and stable light emission was obtained. In addition, as a durability test, the light emission characteristics after holding at 85 ° C. for 250 hours were evaluated. As a result, good light emission was obtained without reducing the light emission region compared to the initial stage.

【0081】実施例3 第一電極のパターニングまでは実施例1と同様にした。
次に、ワニスAの濃度調整を行い、実施例1と同様にパ
ターニングを行うことで、厚さが約3μmであること以
外は実施例1と同様の感光性ポリイミドからなる絶縁層
を形成した。
Example 3 The procedure was the same as in Example 1 up to the patterning of the first electrode.
Next, the concentration of the varnish A was adjusted, and patterning was performed in the same manner as in Example 1, whereby an insulating layer made of photosensitive polyimide was formed in the same manner as in Example 1 except that the thickness was about 3 μm.

【0082】その後は実施例1と同様にして単純マトリ
クス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置
を線順次駆動したところ、実施例1と同様の良好な表示
特性を得ることができた。第一電極のエッジ部分が絶縁
層で覆われているために、電界集中による短絡は認めら
れなかった。また、断面が順テーパー形状であることか
ら、実施例1よりも絶縁層の厚さが厚くなったにも関わ
らず、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、薄くな
ったり段切れを起こすようなこともなくスムーズに成膜
され、発光領域内での輝度ムラは認められず、安定な発
光が得られた。さらに、絶縁層がより厚くなったため
に、実施例1に比べてマスク蒸着におけるマスク傷の影
響をさらに受けにくくなり、マスク傷により発光が不安
定になった発光領域はほとんど認められなかった。ま
た、耐久性試験として、85℃で250時間保持した後
の発光特性を評価したところ、初期と比べて発光領域が
小さくなることなく良好な発光を示した。
Thereafter, a simple matrix type color organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1. When the present display device was driven line-sequentially, the same good display characteristics as in Example 1 could be obtained. Since the edge portion of the first electrode was covered with the insulating layer, no short circuit due to electric field concentration was observed. Further, since the cross section is a forward tapered shape, the thin film layer and the second electrode are thinned or cut off at the boundary between the insulating layers, even though the thickness of the insulating layer is thicker than in the first embodiment. The film was formed smoothly without occurrence of unevenness, and no luminance unevenness was observed in the light emitting region, and stable light emission was obtained. Further, since the thickness of the insulating layer was larger, the influence of mask flaws in mask deposition was less likely than in Example 1, and a light emitting region where light emission became unstable due to mask flaws was hardly observed. In addition, as a durability test, the light emission characteristics after holding at 85 ° C. for 250 hours were evaluated. As a result, good light emission was obtained without reducing the light emission region compared to the initial stage.

【0083】実施例4 ワニスAのかわりに、ワニスBを用いた以外は、実施例
1と同様に行った。本表示装置を線順次駆動したとこ
ろ、良好な表示特性を得ることができた。第一電極のエ
ッジ部分が絶縁層で覆われているために、電界集中によ
る短絡は認められなかった。また、断面が順テーパー形
状であることから、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電
極が、薄くなったり段切れを起こすようなこともなく、
スムーズに成膜されたので、発光領域内での輝度ムラは
認められず、安定な発光が得られた。また、耐久性試験
として、85℃で250時間保持した後の発光特性を評
価したところ、初期と比べて発光領域が小さくなること
なく良好な発光を示した。
Example 4 Example 4 was repeated, except that varnish B was used instead of varnish A. When this display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained. Since the edge portion of the first electrode was covered with the insulating layer, no short circuit due to electric field concentration was observed. Further, since the cross section is a forward tapered shape, the thin film layer and the second electrode at the boundary portion of the insulating layer do not become thin or cause disconnection,
Since the film was formed smoothly, no luminance unevenness was observed in the light emitting region, and stable light emission was obtained. In addition, as a durability test, the light emission characteristics after holding at 85 ° C. for 250 hours were evaluated. As a result, good light emission was obtained without reducing the light emission region compared to the initial stage.

【0084】実施例5 ワニスAのかわりに、ワニスBを用いた以外は、実施例
3と同様に行った。本表示装置を線順次駆動したとこ
ろ、実施例3と同様に良好な表示特性を得ることができ
た。
Example 5 The same procedure as in Example 3 was carried out except that varnish B was used instead of varnish A. When this display was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained as in Example 3.

【0085】比較例1 絶縁層をネガ型感光性ポリイミド前駆体(東レ(株)
製、UR−3100)を用い、実施例2において隔壁を
形成したのと同様にして、ネガ型感光性ポリイミドから
なる絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは実施例3と同じ
約3μmであり、境界部分の断面のテーパー角度θが約
90°になったこと以外は、実施例3と同様の絶縁層を
得ることができた。
Comparative Example 1 A negative photosensitive polyimide precursor (Toray Industries, Inc.)
UR-3100), and an insulating layer made of negative photosensitive polyimide was formed in the same manner as in the formation of the partition wall in Example 2. The thickness of the insulating layer was about 3 μm, the same as in Example 3, and the same insulating layer as in Example 3 was obtained except that the taper angle θ of the cross section at the boundary was about 90 °.

【0086】その後は実施例1と同様にして単純マトリ
クス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置
を線順次駆動したところ、第一電極のエッジ部分が絶縁
層で覆われているために、電界集中による短絡は認めら
れなかったが、絶縁層の断面がほとんど矩形形状である
ことから、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が薄く
なる傾向にあり、発光領域内で輝度ムラが認められた。
Thereafter, a simple matrix type color organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1. When this display device was driven line-sequentially, no short circuit due to electric field concentration was observed because the edge portion of the first electrode was covered with the insulating layer, but since the cross section of the insulating layer was almost rectangular, In addition, the thin film layer and the second electrode tended to be thinner at the boundary between the insulating layers, and luminance unevenness was observed in the light emitting region.

【0087】比較例2 ワニスAの代わりにo−ニトロベンジル基を持つポリイ
ミド系ポジ型フォトレジストを用いた以外は、実施例1
と同様に絶縁層のパターン加工を行った。しかし、パタ
ーン加工性が不良で、所望の絶縁層パターンが得られな
かった。
Comparative Example 2 Example 1 was repeated except that a varnish A was replaced with a polyimide-based positive photoresist having an o-nitrobenzyl group.
The pattern processing of the insulating layer was performed in the same manner as described above. However, the pattern workability was poor, and a desired insulating layer pattern could not be obtained.

【0088】その後は実施例1と同様にして単純マトリ
クス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置
を線順次駆動したところ、絶縁層パターンが不良のた
め、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が薄くなった
り段切れを起こし、電界集中による短絡、発光領域の形
状不良、発光領域内で輝度ムラが認められた。
Thereafter, a simple matrix type color organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1. When the display device was driven line-sequentially, the insulating layer pattern was defective, so that the thin film layer and the second electrode were thinned or cut off at the boundary of the insulating layer, short-circuiting due to electric field concentration, poor shape of the light emitting region, Brightness unevenness was observed in the light emitting region.

【0089】比較例3 ワニスAの代わりにポジ型レジスト OFPR−800
(東京応化工業製)を用い、スピンコート法により第一
電極を形成した基板上に塗布し、ホットプレート上で8
0℃で2分間プリベークし、露光、現像、リンスした
後、ホットプレートで180℃で8分間キュアをした以
外は、実施例1と同様に絶縁層のパターン加工を行っ
た。
Comparative Example 3 Positive resist OFPR-800 instead of varnish A
(Manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), spin-coating is applied to the substrate on which the first electrode is formed, and 8
The pattern processing of the insulating layer was performed in the same manner as in Example 1 except that the film was prebaked at 0 ° C. for 2 minutes, exposed, developed and rinsed, and then cured at 180 ° C. for 8 minutes on a hot plate.

【0090】その後は実施例1と同様にして単純マトリ
クス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置
を線順次駆動したところ、初期は良好な発光を示した
が、耐久性試験として85℃で250時間保持した後の
発光特性を評価したところ、発光領域が初期に比べて約
80%に小さくなった。
Thereafter, a simple matrix type color organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1. When this display device was driven line-sequentially, good light emission was shown at the initial stage. However, when the light-emitting characteristics after holding at 85 ° C. for 250 hours were evaluated as a durability test, the light-emitting region was found to be about 80% as compared with the initial state. Has become smaller.

【0091】[0091]

【表1】 [Table 1]

【0092】[0092]

【発明の効果】本発明の、絶縁層がポジ型感光性ポリベ
ンゾオキサゾールからなることを特徴とする表示装置
は、従来技術のようにフォトレジストを使用する必要が
なく、ポリベンゾオキサゾールからなる絶縁層を簡単
で、より少ない工程でパターニングすることができる。
さらに、絶縁層の境界部分の断面を容易に順テーパー形
状とすることができるので、例えばその上に形成される
薄膜層などがスムーズに形成され、表示装置の動作の安
定性を損なうことがない。
According to the present invention, the display device in which the insulating layer is made of a positive photosensitive polybenzoxazole does not require the use of a photoresist unlike the prior art, and the insulating layer made of polybenzoxazole is used. The layers can be patterned in a simpler and fewer steps.
Furthermore, since the cross section of the boundary portion of the insulating layer can be easily formed into a forward tapered shape, for example, a thin film layer formed thereon can be formed smoothly, and the operation stability of the display device is not impaired. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の絶縁層の形状の一例を示す平面図FIG. 1 is a plan view showing an example of the shape of an insulating layer of the present invention.

【図2】図2のX−X’断面図FIG. 2 is a sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 2;

【図3】図2における絶縁層の境界部分を拡大した断面
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a boundary portion of an insulating layer in FIG. 2;

【図4】第一電極がパターニングされた基板を示す断面
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a substrate on which a first electrode is patterned.

【図5】基板上にポジ型感光性ポリイミドを塗布した様
子を示す断面図
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where a positive photosensitive polyimide is applied on a substrate.

【図6】ポリイミド前駆体膜に露光する様子を示す断面
FIG. 6 is a cross-sectional view showing how a polyimide precursor film is exposed.

【図7】露光後のポリイミド前駆体膜を現像した様子を
示す断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where the polyimide precursor film after exposure is developed.

【図8】発光層パターニング用シャドーマスクを模式的
に示す平面図
FIG. 8 is a plan view schematically showing a shadow mask for patterning a light emitting layer.

【図9】第二電極パターニング用シャドーマスクを模式
的に示す平面図
FIG. 9 is a plan view schematically showing a shadow mask for patterning a second electrode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 11 第一電極 14 絶縁層 15 開口部 16 境界部分 17 露光部分 18 フォトマスク 31 マスク部分 32 シャドーマスクの開口部 33 補強線 34 フレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 11 1st electrode 14 Insulating layer 15 Opening 16 Boundary part 17 Exposure part 18 Photomask 31 Mask part 32 Shadow mask opening 33 Reinforcement line 34 Frame

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 Z (72)発明者 富川 真佐夫 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株 式会社滋賀事業場内 Fターム(参考) 2H090 HA03 HB07X HC05 3K007 AB02 AB04 AB15 AB17 AB18 CA01 CA03 CA04 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA43 BA03 BA27 CA19 DA15 EA04 EA07 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/22 H05B 33/22 Z (72) Inventor Masao Tomikawa 1-1-1 Sonoyama, Otsu-shi, Shiga No. Toray Co., Ltd. Shiga Plant F-term (reference) 2H090 HA03 HB07X HC05 3K007 AB02 AB04 AB15 AB17 AB18 CA01 CA03 CA04 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA43 BA03 BA27 CA19 DA15 EA04 EA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と、第一電極
を部分的に露出せしめるように第一電極上に形成された
絶縁層と、第一電極に対向して設けられた第二電極とを
含む表示装置であって、前記絶縁層が下記一般式(1)
で表される構造単位を主成分とするポリマーと光酸発生
剤を必須成分とすることを特徴とする表示装置。 【化1】 (R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価の
有機基、R2は少なくとも2個以上の炭素原子を有する
2価から4価の有機基を示す。mは3から100000
までの整数を示す。)
A first electrode formed on the substrate, an insulating layer formed on the first electrode so as to partially expose the first electrode, and a first electrode provided opposite to the first electrode. A display device comprising two electrodes, wherein the insulating layer has the following general formula (1)
A display device comprising, as essential components, a polymer having a structural unit represented by the following as a main component and a photoacid generator. Embedded image (R 1 represents a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 represents a divalent to tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, and m represents 3 to 100,000.
Indicates an integer up to. )
【請求項2】上記光酸発生剤がo−キノンジアジド化合
物であることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
2. The display device according to claim 1, wherein said photoacid generator is an o-quinonediazide compound.
【請求項3】絶縁層が第一電極のエッジ部分を覆うよう
に形成されることを特徴とする請求項1記載の表示装
置。
3. The display device according to claim 1, wherein the insulating layer is formed so as to cover an edge portion of the first electrode.
【請求項4】絶縁層が第一電極を露出せしめる境界部分
における前記絶縁層の断面が順テーパー形状であること
を特徴とする請求項1記載の表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein a section of the insulating layer at a boundary where the insulating layer exposes the first electrode has a forward tapered shape.
【請求項5】表示装置が、基板上に形成された第一電極
と、第一電極上に形成された少なくとも有機化合物から
なる発光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二
電極とを含む有機電界発光素子からなる表示装置である
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
5. A display device comprising: a first electrode formed on a substrate; a thin film layer formed on the first electrode, the light emitting layer including at least an organic compound; and a second electrode formed on the thin film layer. 2. The display device according to claim 1, wherein the display device comprises an organic electroluminescent element including an electrode.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004109403A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-16 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, and electronic component and display using same
JP2005227519A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp Manufacturing method for display device
JP2010262943A (en) * 2008-12-18 2010-11-18 Panasonic Corp Organic EL light emitting device
JP2012059470A (en) * 2010-09-07 2012-03-22 Kobe Steel Ltd Reflecting anodic electrode for organic el display
US8212258B2 (en) 2009-10-22 2012-07-03 Sony Corporation Display device and method for manufacturing display device
KR20170063707A (en) 2014-09-26 2017-06-08 도레이 카부시키가이샤 Organic el display device
KR20170123626A (en) 2015-03-11 2017-11-08 도레이 카부시키가이샤 Organic EL display device and manufacturing method thereof
KR20180121873A (en) 2016-03-18 2018-11-09 도레이 카부시키가이샤 The cured film and the positive photosensitive resin composition
KR20220146440A (en) 2020-02-25 2022-11-01 도레이 카부시키가이샤 An organic EL display device, a method for manufacturing a cured product, and a manufacturing method for an organic EL display device
KR20230051766A (en) 2020-08-17 2023-04-18 도레이 카부시키가이샤 Photosensitive resin composition, cured product, display device, semiconductor device, and method for producing cured product
KR20250076526A (en) 2022-09-27 2025-05-29 도레이 카부시키가이샤 Resin composition, cured product and organic EL display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627140A (en) * 1979-08-01 1981-03-16 Siemens Ag Thermally stabilized positive resist and preparation of thermally stable relief structure using same
JPH03250583A (en) * 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd Electroluminescent device and its manufacturing method
JPH0431860A (en) * 1990-05-29 1992-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Positive type photosensitive resin composition
JPH1197182A (en) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp Luminous display panel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627140A (en) * 1979-08-01 1981-03-16 Siemens Ag Thermally stabilized positive resist and preparation of thermally stable relief structure using same
JPH03250583A (en) * 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd Electroluminescent device and its manufacturing method
JPH0431860A (en) * 1990-05-29 1992-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Positive type photosensitive resin composition
JPH1197182A (en) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp Luminous display panel

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ROLAND RUBNER, ALBERT HAMMERSCHMIDT, RAINER LEUSCHNER, HALLMUT AHNE: "Photopatternable Organic Dielectrics: Polybenzoxazoles versus Polyimides", POLYMERS FOR MICROELECTRONICS -SCIENCE AND TECHNOLOGY-, JPN6011064637, 1990, pages 801 - 803, ISSN: 0002091287 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004109403A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-16 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, and electronic component and display using same
US7476476B2 (en) 2003-06-02 2009-01-13 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, electronic component using the same, and display unit using the same
JP2005227519A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp Manufacturing method for display device
JP2010262943A (en) * 2008-12-18 2010-11-18 Panasonic Corp Organic EL light emitting device
US8389315B2 (en) 2009-10-22 2013-03-05 Sony Corporation Method for manufacturing display device
US8212258B2 (en) 2009-10-22 2012-07-03 Sony Corporation Display device and method for manufacturing display device
US8653532B2 (en) 2009-10-22 2014-02-18 Sony Corporation Display device and method for manufacturing display device
JP2012059470A (en) * 2010-09-07 2012-03-22 Kobe Steel Ltd Reflecting anodic electrode for organic el display
KR20170063707A (en) 2014-09-26 2017-06-08 도레이 카부시키가이샤 Organic el display device
KR20170123626A (en) 2015-03-11 2017-11-08 도레이 카부시키가이샤 Organic EL display device and manufacturing method thereof
KR20180121873A (en) 2016-03-18 2018-11-09 도레이 카부시키가이샤 The cured film and the positive photosensitive resin composition
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