JP2002167438A - ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料と
して、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが
小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成に有用な
ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材
料に関を得る。 【解決手段】 （Ａ−１）下記一般式（１）で表される
化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物
を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれ
か一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 Ｒ¹¹ _fＸ_3-fＳｉ−（Ｒ¹³）_h−ＳｉＸ_3-gＲ¹² _g ・・・・・（１） 〔式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は同一または異なり、それぞれ１価
の有機基、ｆ〜ｇは同一または異なり、０〜２の整数、
Ｒ¹³は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n−で
表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、Ｘは
ハロゲン原子、ｈは０または１を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ケイ素ポリマー膜
形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子など
における層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さ
く、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れた
シリカ系膜が形成に有用なケイ素ポリマー、膜形成用組
成物および絶縁膜形成用材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの真空プロセスで形成された
シリカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近
年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的とし
て、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれ
るテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とす
る塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。ま
た、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼
ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電
率の層間絶縁膜が開発されている。特に半導体素子など
のさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間
の電気絶縁性が要求されており、したがって、より比誘
電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強
度に優れた層間絶縁膜材料が求められるようになってい
る。

【０００３】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物（特開平５−２６３０４５、同５−３１５
３１９）や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液（特開平１１−３４０２１９、同１１−３４０２２
０）が提案されているが、これらの方法で得られる材料
は、反応の生成物の性質が安定せず、塗膜の比誘電率、
残留ストレス、機械的強度に優れたなどのバラツキも大
きいため、工業的生産には不向きであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するためのケイ素ポリマーの製造方法および膜形
成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などに
おける層間絶縁膜として、塗膜の比誘電率が小さく、塗
膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れた膜形成
用組成物および該組成物から得られる絶縁膜形成用材料
を提供することを目的とする。

【０００５】

〔式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｆ〜ｇは同一または異なり、０〜２の整数、Ｒ¹³は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、Ｘはハロゲン原子、ｈは０または１を示す。〕

Ｒ¹⁰ _eＳｉＸ_4-e ・・・・・（２） （式中、Ｒ¹⁰は水素原子または１価の有機基、Ｘはハロ
ゲン原子、ｅは１〜２の整数を示す。） ＳｉＸ₄ ・・・・・（３） （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）ならびに（Ａ）前
記ケイ素ポリマーと（Ｂ）下記一般式（４）で表される
化合物、下記一般式（５）で表される化合物および下記
一般式（６）で表される化合物の群から選ばれた少なく
とも１種のシラン化合物を加水分解し、縮合した加水分
解縮合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（４） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（５） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-c Ｒ⁶ _c ・・・・（６ ） 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
の有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、
Ｒ⁷は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂） _m−で
表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である）、ｄは
０または１を示す。〕を提供するものである。

【０００６】（Ａ−１）成分 本発明において、（Ａ−１）成分であるケイ素ポリマー
は、前記一般式（１）で表される化合物を金属リチウム
および金属マグネシウムもしくはいずれか一方の存在下
に反応させることにより得られる。一般式（１）で表される化合物 一般式（１）で表される化合物としては、一般式（１）
において、Ｒ¹¹およびＲ¹²は１価の有機基である。その
具体例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基などの炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状脂肪
族基；シクロアルキル基、シクロアルケニル基、ビシク
ロアルキル基などの炭素数が３〜２０脂環式基；炭素数
が６〜２０のアリール基；および炭素数が６〜２０のア
ラルキル基を挙げることができる。アルキル基の具体例
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、テキシル基などが挙げられる。アルケニル基として
は、例えばプロペニル基、３−ブテニル基、３−ペンテ
ニル基、３−ヘキセニル基を挙げることができる。アル
キニル基としては、例えばプロパギル基、３−メチルプ
ロパギル基、３−エチルプロパギル基などを挙げること
ができる。シクロアルキル基としては、例えばシクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、ノルボルニル基などを挙げることができ
る。アリール基としては、例えばフェニル基、トリル
基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、α
−チオフェン基、β−チオフェン基などを挙げることが
できる。アラルキル基としては、例えばベンジル基、フ
ェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基な
どを挙げることができる。また、一般式（１）のＸとし
ては、塩素原子、フッ素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子を挙げることができる。一般式（１）のうち、Ｒ
¹³が酸素原子の化合物としては、ヘキサクロロジシロキ
サン、ヘキサブロモジシロキサン、ヘキサヨードジシロ
キサン、１，１，１，３，３−ペンタクロロ−３−メチ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタブロモ−
３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタ
ヨード−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタクロロ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタブロモ−３−エチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタヨード−３−エチルジシロ
キサン、１，１，１，３，３−ペンタクロロ−３−フェ
ニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタブロモ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタヨード−３−フェニルジシロキサン、１，１，３，
３−テトラクロロ−１，３−ジメチルジシロキサン、
１，１，３，３−テトラブロモ−１，３−ジメチルジシ
ロキサン、１，１，３，３−テトラヨード−１，３−ジ
メチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラクロロ−
１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラブロモ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラヨード−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジフェニ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラブロモ−１，
３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
ヨード−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３
−トリクロロ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリブロモ−１，３，３−トリメチルジシ
ロキサン、１，１，３−トリヨード−１，３，３−トリ
メチルジシロキサン、１，１，３−トリクロロ−１，
３，３−トリエチルジシロキサン、、１，１，３−トリ
ブロモ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，
１，３−トリヨード−１，３，３−トリエチルジシロキ
サン、１，１，３−トリクロロ−１，３，３−トリフェ
ニルジシロキサン、１，１，３−トリブロモ−１，３，
３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリヨー
ド−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−
ジクロロ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジブロモ−１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン、１，３−ジヨード−１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン、１，３−ジクロロ−１，１，
３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジブロモ
−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３
−ジヨード−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサ
ン、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトラフェニ
ルジシロキサン、１，３−ジブロモ−１，１，３，３−
テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジヨード−１，
１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを挙げる
ことができる。

【０００７】また、一般式（１）において、ｈが０の化
合物としては、ヘキサクロロジシラン、ヘキサブロモジ
シラン、ヘキサヨードジシラン、１，１，１，２，２−
ペンタクロロ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，
２−ペンタブロモ−２−メチルジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタヨード−２−メチルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタクロロ−２−エチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタブロモ−２−エチルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタヨード−２−エチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタクロロ−２−フェニル
ジシラン、１，１，１，２，２−ペンタブロモ−２−フ
ェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタヨード−
２−フェニルジシラン、１，１，２，２−テトラクロロ
−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラ
ブロモ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−
テトラヨード−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラクロロ−１，２−ジエチルジシラン、
１，１，２，２−テトラブロモ−１，２−ジエチルジシ
ラン、１，１，２，２−テトラヨード−１，２−ジエチ
ルジシラン、１，１，２，２−テトラクロロ−１，２−
ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラブロモ−
１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラ
ヨード−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２−ト
リクロロ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，
２−トリブロモ−１，２，２−トリメチルジシラン、
１，１，２−トリヨード−１，２，２−トリメチルジシ
ラン、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリエチ
ルジシラン、１，１，２−トリブロモ−１，２，２−ト
リエチルジシラン、１，１，２−トリヨード−１，２，
２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリクロロ−
１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリ
ブロモ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，
２−トリヨード−１，２，２−トリフェニルジシラン、
１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラメチルジシ
ラン、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジヨード−１，１，２，２−テト
ラメチルジシラン、１，２−ジクロロ−１，１，２，２
−テトラエチルジシラン、１，２−ジブロモ−１，１，
２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジヨード−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジク
ロロ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，
２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラ
ン、１，２−ジヨード−１，１，２，２−テトラフェニ
ルジシランなどを挙げることができる。

【０００８】さらに、一般式（１）において、Ｒ¹³が−
（ＣＨ₂ ）_n−で表される基の化合物としては、ビス
（トリクロロシリル）メタン、ビス（トリブロモシリ
ル）メタン、ビス（トリヨードシリル）メタン、１，２
−ビス（トリクロロシリル）エタン、１，２−ビス（ト
リブロモシリル）エタン、１，２−ビス（トリヨードシ
リル）エタン、１−（ジクロロメチルシリル）−１−
（トリクロロシリル）メタン、１−（ジブロモメチルシ
リル）−１−（トリブロモシリル）メタン、１−（ジヨ
ードメチルシリル）−１−（トリヨードシリル）メタ
ン、１−（ジクロロメチルシリル）−２−（トリクロロ
シリル）エタン、１−（ジブロモメチルシリル）−２−
（トリブロモシリル）エタン、１−（ジヨードメチルシ
リル）−２−（トリヨードシリル）エタン、ビス（ジク
ロロメチルシリル）メタン、ビス（ジブロモメチルシリ
ル）メタン、ビス（ジヨードメチルシリル）メタン、
１，２−ビス（ジクロロメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジブロモメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジヨードメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリ
クロロシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリブロモシ
リル）ベンゼン、１，２−ビス（トリヨードシリル）ベ
ンゼン、１，３−ビス（トリクロロシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリブロモシリル）ベンゼン、１，３−
ビス（トリヨードシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ト
リクロロシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリブロモ
シリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリヨードシリル）
ベンゼンなど挙げることができる。これらは、１種ある
いは２種以上を同時に使用してもよい。

【０００９】（Ａ−２）成分 一般式（２）において、 Ｒ¹⁰は一般式（１）における
Ｒ¹¹およびＲ¹²と同様の基を挙げることができ、Ｘも一
般式（１）におけるＸと同様の基を挙げることができ
る。かかる一般式（２）で表される化合物の具体例とし
ては、例えばトリクロロシラン、トリブロモシラン、ト
リヨードシラン、フルオロトリクロロシラン、フルオロ
トリブロモシラン、フルオロトリヨードシランなど；メ
チルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、メチ
ルトリヨードシラン、エチルトリクロロシシラン、エチ
ルトリブロモシラン、エチルトリヨードシラン、ビニル
トリクロロシラン、ビニルトリブロモシラン、ビニルト
リヨードシラン、ｎ−プロピルトリクロロシラン、ｎ−
プロピルトリブロモシラン、ｎ−プロピルトリヨードシ
ラン、ｉ−プロピルトリクロロシラン、ｉ−プロピルト
リブロモシラン、ｉ−プロピルトリヨードシラン、ｎ−
ブチルトリクロロシラン、ｎ−ブチルトリブロモシラ
ン、ｎ−ブチルトリヨードシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ
クロロシラン、ｓｅｃ−ブチルトリブロモシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリヨードシラン、ｔ−ブチルトリクロロシ
ラン、ｔ−ブチルトリブロモシラン、ｔ−ブチルトリヨ
ードシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリ
ブロモシラン、フェニルトリヨードシラン、γ−アミノ
プロピルトリクロロシラン、γ−アミノプロピルトリブ
ロモシラン、γ−アミノプロピルトリヨードシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリクロロシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルブロモシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルヨードシシラン、γ−トリフロロプロピルトリクロ
ロシラン、γ−トリフロロプロピルトリブロモシラン、
γ−トリフロロプロピルトリヨードシラン、シクロヘキ
シルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリブロモシラ
ン、シクロヘキシルトリヨードシラン、フェネチルトリ
クロロシラン、フェネチルトリブロモシラン、フェネチ
ルトリヨードシラン、２−ノルボルニルトリクロロシラ
ン、２−ノルボルニルトリブロモシラン、２−ノルボル
ニルトリヨードシランなど；

【００１０】ジメチルジクロロシラン、ジメチルジブロ
モシラン、ジメチルジヨードシラン、ジエチルジクロロ
シラン、ジエチルジブロモシラン、ジエチルジヨードシ
ラン、ジ−ｎ−プロピルジクロロシラン、ジ−ｎ−プロ
ピルジブロモシラン、ジ−ｎ−プロピルジヨードシラ
ン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジクロロシラン、ジ−ｉｓｏ
−プロピルジブロモシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジヨ
ードシラン、ジ−ｎ−ブチルジクロロシラン、ジ−ｎ−
ブチルジブロモシラン、ジ−ｎ−ブチルジヨードシラ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジクロロシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチルジブロモシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジヨードシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロシラン、ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジブロモシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
ヨードシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニル
ジブロモシラン、ジフェニルジヨードシランなどを挙げ
ることができる。これらは、１種あるいは２種以上を同
時に使用してもよい。

【００１１】上記一般式（３）で表される化合物の具体
例としては、例えばテトラクロロシラン、テトラブロモ
シラン、テトラヨードシランを挙げることができる。こ
れらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよ
い。本発明のケイ素ポリマーにおいては、一般式（１）
で表される化合物と必要に応じてさらに一般式（２）お
よび（３）の群から選ばれる少なくとも１種の化合物と
を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれ
か一方との存在下に反応させることにより、ケイ素ポリ
マーを得ることができる。この際反応させる金属リチウ
ムおよび金属マグネシウムは、一般式（１）〜（３）で
表される化合物から還元的にハロゲン原子を脱離させハ
ロゲン化リチウムまたはハロゲン化マグネシウムにさせ
るために使用するもので、その使用量は好ましくは一般
式（１）〜（３）で表される化合物の総量と当量であ
る。

【００１２】また、本発明において、ケイ素ポリマーの
製造の際、必要に応じて外部から超音波を照射すること
により反応を促進することができる。ここで使用される
超音波の振動数としては１０〜７０ＫＨｚ程度のものが
望ましい。ケイ素ポリマーの製造において、使用する溶
媒としてはエーテル系溶媒を好ましいものとして使用す
ることができる。通常のＫｉｐｐｉｎｇ反応で使用する
炭化水素系溶媒では目的とする可溶性ポリシランオリゴ
マーの収率が低くなり易い。エーテル系溶媒としては、
例えばジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、
ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチル
プロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ジフェ
ニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコール
メチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリ
コールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチル
エーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリ
コールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチ
ルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、
プロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどを挙げることができる。こ
れらのうち、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなど
が好ましい。

【００１３】これらのエーテル系溶媒は水分を予め除去
しておくことが望ましい。水分の除去法としては、ナト
リウム−ベンゾフェノンケチルの存在下での脱気蒸留法
などが好ましい。これらの溶媒の使用量は特に限定され
ないが、上記一般式（１）〜（３）で表される化合物の
総量に対して好ましくは１〜３０重量部であり、より好
ましくは２〜２０重量部である。この際の反応の温度
は、好ましくは−７８℃〜＋１００℃である。反応温度
が−７８℃以下では反応速度が遅く生産性が上がらず、
また反応温度が＋１００℃より大きい場合には、反応が
複雑になり得られるケイ素ポリマーの溶解性が低下し易
くなる。さらに、反応は通常、アルゴンや窒素などの不
活性ガス中で行うことが好ましい。

【００１４】本発明においては、分子末端に未反応の加
水分解性ハロゲン原子を有するケイ素ポリマーを、還元
剤で還元することで加水分解性ハロゲン原子を安定な水
素原子に置換処理しても良い。かかる還元剤としては、
例えばＬｉＡｌＨ₄、ＮａＨ、ＬｉＢｕ₃ＢＨ、（Ｃ₅Ｈ
₁₁）₂ＢＨ、Ｂ₂Ｈ₆、ＮａＢＨ₄、Ｚｎ（ＢＨ₄）₂、Ｎａ
ＢＨ₃ＣＮ、Ｂｕ₂ＡｌＨ、Ｌｉ（ＯＢｕ）₃ＡｌＨなど
を挙げることができ、ＬｉＡｌＨ₄、ＮａＨ、Ｂ ₂Ｈ₆、
ＮａＢＨ₄をより好ましい例として挙げることができ
る。還元剤の使用量は、還元剤中の水素原子が残留する
ハロゲン原子に対して少なくとも当量であり、好ましく
は１.０〜４.０倍当量必要である。また、この際に使用
する溶媒としては還元剤と反応しない溶媒であれば特に
限定されないが、通常エーテル系溶媒が好ましく、先に
例示したエーテル系溶媒と同じものを使用することがで
きる。これらは単独であるいは２種以上を混合して使用
することができる。この際の反応温度は、好ましくは−
７８℃〜＋６０℃である。−７８℃以下では反応が遅く
生産性が上がらず、また＋６０℃より高い場合には反応
生成物の溶解性が下がり本発明のケイ素ポリマーの生成
収率が下がり易い。さらに、反応は通常、アルゴンや窒
素などの不活性ガス中で行うことが好ましい。

【００１５】（Ｂ）成分 本発明において、（Ｂ）成分は下記一般式（４）で表さ
れる化合物（以下、「化合物（４）」という）、下記一
般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」
という）および下記一般式（６）で表される化合物（以
下、「化合物（６）」という）の群から選ばれた少なく
とも１種のシラン化合物を加水分解し、縮合した加水分
解縮合物である。 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（４） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（５） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） Ｒ³ _b（Ｒ⁴ ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・（６） 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
の有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、
Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_m −
で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である）、ｄ
は０または１を示す。〕

【００１６】化合物（４）；上記一般式（４）におい
て、ＲおよびＲ¹ の１価の有機基としては、アルキル
基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを挙げる
ことができる。また、一般式（４）において、Ｒは１価
の有機基、特にアルキル基またはフェニル基であること
が好ましい。ここで、アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ま
しくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状
でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原
子などに置換されていてもよい。一般式（４）におい
て、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メ
チルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げ
ることができる。

【００１７】一般式（４）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど；

【００１８】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ
−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−
プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ
−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−
ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；

【００１９】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど；を挙げることができる。

【００２０】化合物（４）として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用して
もよい。

【００２１】化合物（５）；上記一般式（５）におい
て、Ｒ² で表される１価の有機基としては、先の一般式
（４）と同様な有機基を挙げることができる。一般式
（５）で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。

【００２２】化合物（６）；上記一般式（６）におい
て、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ で表される１価の有機基としては、先の
一般式（４）と同様な有機基を挙げることができる。一
般式（６）のうち、Ｒ⁷ が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシ
ロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３
−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメ
トキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−
１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエ
チルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジ
シロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−
トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−
１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−ト
リフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジ
シロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−
トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ
−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−
トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサ
ン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリフェ
ニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，
３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロ
キサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テト
ラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，
３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシ
ロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，
１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジ
フェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキ
サンなどを挙げることができる。

【００２３】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００２４】また、一般式（６）において、ｄが０の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチ
ルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２
−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタ
フェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２
−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニル
ジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−
ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−
１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフ
ェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２
−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，
１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエ
チルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，
２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエト
キシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−
テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，
１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチ
ルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−
１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリエ
トキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２
−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、
１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリフェニル
ジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−ト
リフェニルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−
１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２−ジメトキ
シ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−
ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、
１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラメチル
ジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テト
ラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，
２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジメ
トキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、
１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニル
ジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テ
トラフェニルジシランなどを挙げることができる。

【００２５】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメト
キシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。

【００２６】さらに、一般式（６）において、Ｒ⁷ が−
（ＣＨ₂ ）_m −で表される基の化合物としては、ビス
（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシ
リル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メ
タン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビ
ス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−
ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブ
トキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメト
キシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）
−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−
プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキ
シシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシ
リル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、
１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−
ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブト
キシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
リル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）
−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ
メトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）
エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリ
エトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメ
チルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−
（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ
−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシ
シリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシ
リル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（ト
リ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメ
チルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）
メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ
−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、
１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，２−ビス（トリ-t- ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ンなど挙げることができる。

【００２７】これらのうち、ビス（トリメトキシシリ
ル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，
２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス
（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチ
ルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−
（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリ
ル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−
（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチ
ルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス
（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシ
メチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチ
ルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベ
ンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス
（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。本発明において、化合物（４）
〜（６）としては、１種もしくは２種以上を用いること
ができる。

【００２８】なお、上記化合物（４）〜（６）の群から
選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解、縮
合させる際に、化合物（４）〜（６）１モル当たり０．
５モルを越え１５０モル以下の水を用いることが好まし
く、０．５モルを越え１３０モルの水を加えることが特
に好ましい。本発明の（Ｂ）加水分解縮合物を製造する
に際しては、上記化合物（４）〜（６）の群から選ばれ
た少なくとも１種のシラン化合物を加水分解、縮合させ
る際に、特定の触媒を用いることが特徴であり、アルカ
リ触媒、金属キレート触媒、酸触媒の群から選ばれる少
なくとも１種を使用する。

【００２９】アルカリ触媒としては、例えば、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジ
ン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、
ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロ
オクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウン
デセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、
メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチル
アミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチルア
ミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリ
メチルイミジン、１−アミノ−３−メチルブタン、ジメ
チルグリシン、３−アミノ−３−メチルアミンなどを挙
げることができ、アミンあるいはアミン塩が好ましく、
有機アミンあるいは有機アミン塩が特に好ましく、アル
キルアミン、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキ
サイドが最も好ましい。これらのアルカリ触媒は１種あ
るいは２種以上を同時に使用しても良い。

【００３０】金属キレート触媒としては、例えば、トリ
エトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ
−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタ
ン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モ
ノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ
・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロ
ポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ
−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ
−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チ
タン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナ
ート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチ
ルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキ
シ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタ
ン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタ
ン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チ
タン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセ
テート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ
−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタ
ン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセト
アセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチル
アセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビ
ス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキ
シ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエト
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ
−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エ
チルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキ
シ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−
ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モ
ノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセ
テート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチル
アセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン
などのチタンキレート化合物；トリエトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポ
キシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ト
リ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モ
ノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−
ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナ
ート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニ
ウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・ト
リス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ
−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−
ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・
モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−
ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ
・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−
ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・
トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキ
シ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（ア
セチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ
（エチルアセトアセテート）ジルコニウムなどのジルコ
ニウムキレート化合物；トリス（アセチルアセトナー
ト）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）
アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物；など
を挙げることができ、好ましくはチタンまたはアルミニ
ウムのキレート化合物、特に好ましくはチタンのキレー
ト化合物を挙げることができる。これらの金属キレート
触媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用しても良
い。

【００３１】酸触媒としては、例えば、例えば、塩酸、
硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸などの
無機酸；酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、
ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカ
ン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピ
ン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラ
キドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコ
ン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解
物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水
分解物などの有機酸を挙げることができ、有機カルボン
酸をより好ましい例として挙げることができる。これら
の酸触媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用しても
よい。

【００３２】上記触媒の使用量は、化合物（４）〜
（６）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ ⁴ Ｏ−基および
Ｒ⁵ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対して、通常、
０．００００１〜１０モル、好ましくは０．００００５
〜５モルである。触媒の使用量が上記範囲内であれば、
反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少ない。ま
た、本発明において、化合物（４）〜（６）を加水分解
するときの温度は通常０〜１００℃、好ましくは１５〜
８０℃である。

【００３３】なお、化合物（４）〜（６）を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物（５）は、化合物
（４）〜（６）の総量中、５〜７５重量％、好ましくは
１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０重量％
である。また、化合物（４）および／または（６）は、
化合物（４）〜（６）の総量中、９５〜２５重量％、好
ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましくは８５〜３
０重量％である。化合物（５）が、化合物（４）〜
（６）の総量中、５〜７５重量％であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物（４）〜（６）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ
−基およびＲ⁵ Ｏ−基が１００％加水分解してＳｉＯＨ
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、（Ｂ）成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物（４）およ
び化合物（５）の加水分解縮合物であることが好まし
い。

【００３４】本発明において、ケイ素ポリマーに対する
（Ｂ）成分の使用量は、ケイ素ポリマー１００重量部に
対して（Ｂ）成分０〜４０００重量部、より好ましくは
０〜３０００重量部である。

【００３５】本発明において、上記（Ａ）成分単独で、
または（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを組み合わせて膜形成
用組成物とすることができるが、その際、β−ジケト
ン、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリ
マー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル発
生剤などの成分を添加してもよい。β−ジケトンとして
は、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，
４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，４
−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−
ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、５−メチル−
２，４−ヘキサンジオン、２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオンなどを挙げ
ることができ、より好ましくはアセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオンである。これらは１種あるいは２種以
上を同時に使用しても良い。

【００３６】コロイド状シリカとは、例えば、高純度の
無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜
２０ｎｍ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、
同１００、同２００；川研ファインケミカル（株）製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２な
どが挙げられる。有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖
構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、（メタ）
アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、デンドリマ
ー、ポリイミド，ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポ
リアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、
フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有す
る化合物などを挙げることができる。

【００３７】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙
げられる。 −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ− −（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ−（Ｘ）l- （式中、Ｘは−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−で表される基を、Ｙは−
ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−で表される基を示し、ｊは１〜
９０、ｋは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す） これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、
などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げる
ことができる。これらは１種あるいは２種以上を同時に
使用しても良い。

【００３８】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。

【００３９】フッ素系界面活性剤としては、例えば１，
１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−
テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）
エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，
２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロ
ロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフ
ロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロ
デカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンア
ミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル
−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１
８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフト
ップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成
（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−
１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１
０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０
００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５
（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１
００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。

【００４０】シリコーン系界面活性剤としては、例えば
ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４Ｐ
Ａ（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）
製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記Ｓ
Ｈ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特に好ましい。界面活性剤
の使用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物）に対し
て通常０．０００１〜１０重量部である。これらは１種
あるいは２種以上を同時に使用しても良い。

【００４１】シランカップリング剤としては、例えば３
−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ア
ミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリ
シジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルト
リメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシ
リルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキ
シシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリ
メトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−
トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９
−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテー
ト、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルア
セテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシ
エチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランな
どが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時
に使用しても良い。

【００４２】ラジカル発生剤としては、例えばイソブチ
リルパーオキサイド、α、α’ビス（ネオデカノイルパ
ーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシ
ネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ
ーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチル
ヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル
パーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチ
ルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキ
シ２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキ
サノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−
１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエー
ト、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、
ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス
（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−
ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブ
チルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパ
ーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブ
チルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α、α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプ
ロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等を
挙げることができる。ラジカル発生剤の配合量は、重合
体１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好まし
い。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても
良い。本発明の膜形成用組成物では、上記（Ａ）成分ま
たは（Ａ）成分と（Ｂ）成分ならびに必要に応じて上記
添加剤を溶剤に溶解あるいは分散してなる。

【００４３】この際使用できる溶剤としては、アルコー
ル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶
媒および非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも
１種が挙げられる。ここで、アルコール系溶媒として
は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−
プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅ
ｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、
ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペ
ンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノー
ル、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅ
ｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘ
プタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２
−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノ
ニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、
ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリ
メチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコ
ール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、
シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，
３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアル
コール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系
溶媒；

【００４４】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００４５】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−
オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナ
ンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時
に使用してもよい。

【００４６】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００４７】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１
種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。

【００４８】非プロトン系溶媒としては、アセトニトリ
ル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テト
ラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、Ｎ−メチルモルホロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−
エチルピロール、Ｎ−メチル−Δ3 −ピロリン、Ｎ−メ
チルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチル
−４−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピペリドン、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノン、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１
Ｈ）−ピリミジノンなどを挙げることができる。これら
非プロトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使
用してもよい。

【００４９】このようにして得られる本発明の膜形成用
組成物の全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％
であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全
固形分濃度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適
当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。
なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮
および上記有機溶剤による希釈によって行われる。本発
明の組成物を、シリコンウエハ、ＳｉＯ₂ウエハ、Ｓｉ
Ｎウエハなどの基材に塗布する際には、スピンコート、
浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が
用いられる。

【００５０】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜２．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜５．０μｍ程度の塗膜を形成することができ
る。その後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００
℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥
することにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を
形成することができる。この際の加熱方法としては、ホ
ットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用するこ
とが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、
アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした
減圧下などで行うことができる。また、電子線や紫外線
を照射することによっても塗膜を形成させることができ
る。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に
応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧
などの雰囲気を選択することができる。このようにして
得られる本発明のシリカ系膜は、膜密度が、通常、０．
３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、好ましくは０．４〜１．１ｇ
／ｃｍ³ 、さらに好ましくは０．５〜１．０ｇ／ｃｍ³
である。膜密度が０．３５ｇ／ｃｍ³ 未満では、塗膜の
機械的強度が低下し、一方、１．２ｇ／ｃｍ³ を超える
と低比誘電率が得られない。さらに、本発明のシリカ系
膜の比誘電率は、通常、３．２〜１．２、好ましくは
３．０〜１．５、さらに好ましくは２．７〜１．８であ
る。

【００５１】このようにして得られる層間絶縁膜は、塗
膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、
機械的強度に優れることから、ＬＳＩ、システムＬＳ
Ｉ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡ
Ｍなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパ
ー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レ
ジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板
の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの
用途に有用である。

【００５２】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。

【００５３】慣性半径 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）（屈折率，粘度，光散乱測定）法により測
定した。試料溶液：シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が０．２５％となるように、１０ｍＭのＬｉ
Ｂｒを含むメタノールで希釈し、ＧＰＣ（屈折率，粘
度，光散乱測定）用試料溶液とした。 装置：東ソー（株）製、ＧＰＣシステム モデル ＧＰ
Ｃ−８０２０ 東ソー（株）製、カラム Ａｌｐｈａ５０００／３００
０ ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル Ｔ−６０ デュアルメーター キャリア溶液：１０ｍＭのＬｉＢｒを含むメタノール キャリア送液速度：１ｍｌ／ｍｉｎ カラム温度：４０℃

【００５４】重量平均分子量（Ｍｗ） 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）法により測定した。 試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分
解縮合物１ｇを、１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶
解して調製した。 標準ポリスチレン：米国プレッシャーケミカル社製の標
準ポリスチレンを使用した。 装置：米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム（モデル１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ） カラム：昭和電工（株）製のＳＨＯＤＥＸ Ａ−８０Ｍ
（長さ５０ｃｍ） 測定温度：４０℃ 流速：１ｃｃ／分

【００５５】比誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で９０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
４４５℃の窒素雰囲気ホットプレートで２５分間基板を
焼成した。得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウ
ム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作
成した。該サンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、
横河・ヒューレットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５
１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメー
タを用いてＣＶ法により室温における当該塗膜の比誘電
率を測定した。

【００５６】残留ストレス ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で９０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
４４５℃の窒素雰囲気ホットプレートで２５分間基板を
焼成した。該サンプルをテンコール（株）製、ＦＬＸ−
２３２０薄膜ストレス測定装置を用いて当該塗膜の残留
ストレスを測定し、以下の基準で評価した。 ○：塗膜の残留ストレスが６０ＭＰａ未満 ×：塗膜の残留ストレスが６０ＭＰａを越える

【００５７】機械的強度（弾性率） ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で９０℃で３分
間、窒素雰囲気２００℃で３分間基板を乾燥し、さらに
４４５℃の窒素雰囲気ホットプレートで２５分間基板を
焼成した。得られた膜を、ナノインデンターＸＰ（ナノ
インスツルメント社製）を用いて、連続剛性測定法によ
り測定した。

【００５８】合成例１ 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン２７６．０１ｇ、テトラメトキシシラン８６．１４
ｇおよびテトラキス（アセチルアセトナート）チタン
０．００９２ｇを、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル１０１ｇに溶解させたのち、スリーワンモーター
で攪拌させ、溶液温度を５５℃に安定させた。次に、イ
オン交換水２２５．５２ｇとプロピレングリコールモノ
エチルエーテル２６３．００ｇの混合溶液を１時間かけ
て溶液に添加した。その後、５５℃で４時間反応させた
のち、アセチルアセトン４８．１２ｇを添加し、さらに
３０分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。５０℃
で反応液からメタノールと水を含む溶液を２２７ｇエバ
ポレーションで除去し、反応液Ａを得た。このようにし
て得られた縮合物等の重量平均分子量は、１，２３０で
あった。

【００５９】合成例２ 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン２０５．５０ｇとテトラメトキシシラン８５．５１
ｇを、プロピレングリコールモノエチルエーテル４２６
ｇに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、
溶液温度５０℃に安定させた。次に、コハク酸０．６３
ｇを溶解させたイオン交換水１８２ｇを１時間かけて溶
液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させたの
ち、反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液からメ
タノールを含む溶液を３６０ｇエバポレーションで除去
し、反応液Ｂを得た。このようにして得られた縮合物等
の重量平均分子量は、１，４００であった。

【００６０】合成例３ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール３７０
ｇ、蒸留プロピレングリコールモノプロピルエーテル２
００ｇ、イオン交換水１６０ｇと１０％メチルアミン水
溶液９０ｇを入れ、均一に攪拌した。この溶液にメチル
トリメトキシシラン１３６ｇとテトラエトキシシラン２
０９ｇの混合物を添加した。溶液を５５℃に保ったま
ま、２時間反応を行った。この溶液にプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル３００ｇを加え、その後、５
０℃のエバポレーターを用いて溶液を１０％（完全加水
分解縮合物換算）となるまで濃縮し、その後、酢酸の１
０％プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液１
０ｇを添加し、反応液Ｃを得た。このようにして得られ
た縮合物等の慣性半径は、１５．４ｎｍであった。

【００６１】合成例４ 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール４２８
ｇ、イオン交換水２１５ｇと２５％テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド水溶液１５．６ｇを入れ、均
一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシラン４
０．８ｇとテトラエトキシシラン６１．４ｇの混合物を
添加した。溶液を６０℃に保ったまま、２時間反応を行
った。この溶液にプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル３００ｇを加え、その後、５０℃のエバポレータ
ーを用いて溶液を１０％（完全加水分解縮合物換算）と
なるまで濃縮し、その後、マレイン酸の１０％プロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル溶液２０ｇを添加
し、反応液Ｄを得た。このようにして得られた縮合物等
の慣性半径は、２０．４ｎｍであった。

【００６２】実施例１ 温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置
を取り付けた内容量が３Ｌの４つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン１Ｌ
とマグネシウム金属３０ｇを仕込み、アルゴンガスでバ
ブリングした。これに２０℃で攪拌しながらヘキサクロ
ロジシロキサン１５０ｇとを滴下ロートよりゆっくり添
加した。滴下終了後、室温下でさらに３時間攪拌を続け
た。１５Ｌの氷水に注ぎ、生成ポリマーを沈殿させた。
生成ポリマーを水で良く洗浄し真空乾燥することにより
ポリマー６０ｇを得た。このようにして得られたケイ
素ポリマーの重量平均分子量は、７００であった。

【００６３】実施例２ 合成例１で得られたポリマー２０ｇに、ＬｉＡｌＨ₄
１０ｇを乾燥したテトラヒドロフラン３００ｍｌに懸濁
させた溶液に加え、室温下で５時間反応させた。次に、
反応混合物を１５Ｌの氷水に注ぎ、生成ポリマーを沈殿
させた。生成ポリマーを水で良く洗浄し真空乾燥するこ
とにより褐色の固体のポリマー１２ｇを得た。このよ
うにして得られたケイ素ポリマーの重量平均分子量は、
６８０であった。

【００６４】実施例３ 温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置
を取り付けた内容量が３Ｌの４つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン１Ｌ
とマグネシウム金属６０ｇを仕込み、アルゴンガスでバ
ブリングした。これに２０℃で攪拌しながらヘキサクロ
ロジシロキサン１１３ｇとテトラクロロシラン８５ｇの
混合液を滴下ロートよりゆっくり添加した。滴下終了
後、室温下でさらに３時間攪拌を続けた。次いで、この
溶液にＬｉＡｌＨ₄１０ｇを乾燥したテトラヒドロフラ
ン３００ｍｌに懸濁させた溶液に加え、室温下で５時間
反応させた。次に、反応混合物を１５Ｌの氷水に注ぎ、
生成ポリマーを沈殿させた。生成ポリマーを水で良く洗
浄し真空乾燥することにより褐色の固体のポリマー６
５ｇを得た。このようにして得られたケイ素ポリマーの
重量平均分子量は、１，１００であった。

【００６５】実施例４ 実施例１で得られたポリマー０．５ｇをテトラヒドロ
フラン９．５ｇに溶解した。この溶液に反応液Ａ１００
ｇを添加し十分攪拌した。この溶液を０．２μｍ孔径の
テフロン（登録商標）製フィルターでろ過を行い本発明
の膜形成用組成物を得た。得られた組成物をスピンコー
ト法でシリコンウエハ上に塗布した。塗膜の室温での比
誘電率は２．６４であり、塗膜の残留ストレスを評価し
たところ４５ＭＰａと低い値であった。また、塗膜の弾
性率を測定したところ、７．８ＧＰａと機械的強度に優
れていた。

【００６６】実施例５〜９ 実施例４において、表１に示すケイ素ポリマーと反応液
を使用した以外は実施例４と同様に評価を行った。評価
結果を表１に併せて示す。

【００６７】

【表１】

【００６８】比較例１ 合成例１で得られた反応液Ａのみを使用した以外は実施
例１と同様にして塗膜の評価を行った。評価結果を表２
に示す。

【００６９】比較例２ 合成例２で得られた反応液Ｂのみを使用した以外は実施
例１と同様にして塗膜の評価を行った。評価結果を表２
に示す。

【００７０】

【表２】

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、特定のケイ素ポリマー
を含有する膜形成用組成物を使用することで、塗膜の比
誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的
強度に優れた膜形成用組成物（層間絶縁膜用材料）を提
供することが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83/16 Ｃ０８Ｌ 83/16 Ｃ０９Ｄ 183/02 Ｃ０９Ｄ 183/02 183/04 183/04 183/08 183/08 183/14 183/14 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ Ｆターム(参考） 4F071 AA65 AA67 AF40 AH13 BB02 BC01 4J002 CP03X CP19W CP19X CP21W GQ01 GQ05 4J035 BA06 CA022 CA152 HA01 HA02 HB03 JA02 JB03 LB01 4J038 DL021 DL031 DL041 DL071 DL161 GA01 GA07 GA12 HA066 HA096 HA176 HA336 HA376 JA35 JA37 JA40 JB09 JB27 JB29 JB30 JC37 KA04 MA08 MA10 NA11 NA21 PA19 PB09 PC02 5F058 AA02 AC03 AF04 AH02 AH03 BA04 BF46 BH01 BJ02 BJ03

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ−１）下記一般式（１）で表される
   化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物
   を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれ
   か一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 Ｒ¹¹ _fＸ_3-fＳｉ−（Ｒ¹³）_h−ＳｉＸ_3-gＲ¹² _g ・・・・・（１） 〔式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｆ〜ｇは同一または異なり、０〜２の整数、
   Ｒ¹³は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n−で
   表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、Ｘは
   ハロゲン原子、ｈは０または１を示す。〕
2. 【請求項２】 （Ａ−１）下記一般式（１）で表される
   化合物と（Ａ−２）下記一般式（２）で表される化合物
   および下記一般式（３）で表される化合物から選ばれる
   少なくとも１種とを金属リチウムおよび金属マグネシウ
   ムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポ
   リマー。 Ｒ¹¹ _fＸ_3-fＳｉ−（Ｒ¹²）_h−ＳｉＸ_3-gＲ¹² _g ・・・・・（１） 〔式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｆ〜ｇは同一または異なり、０〜２の整数、
   Ｒ¹³は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂）_n−で
   表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、Ｘは
   ハロゲン原子、ｈは０または１を示す。〕 Ｒ¹⁰ _eＳｉＸ_4-e ・・・・・（２） （式中、Ｒ¹⁰は水素原子または１価の有機基、Ｘはハロ
   ゲン原子、ｅは１〜２の整数を示す。） ＳｉＸ₄ ・・・・・（３） （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）
3. 【請求項３】 （Ａ）請求項１または２記載のケイ素ポ
   リマーと（Ｂ）下記一般式（４）で表される化合物、下
   記一般式（５）で表される化合物および下記一般式
   （６）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１
   種のシラン化合物を加水分解し、縮合した加水分解縮合
   物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。 Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（４） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
   基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（５） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-c Ｒ⁶ _c ・・・・（６ ） 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｂ〜ｃは同一または異なり、０〜２の整数、
   Ｒ⁷は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂） _m−で
   表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である）、ｄは
   ０または１を示す。〕を含有することを特徴とする膜形
   成用組成物。
4. 【請求項４】 請求項３記載の膜形成用組成物からなる
   ことを特徴とする絶縁膜形成用材料。