JP2002033275A - 荷電粒子リソグラフィ装置用の照明システム - Google Patents
荷電粒子リソグラフィ装置用の照明システムInfo
- Publication number
- JP2002033275A JP2002033275A JP2001158456A JP2001158456A JP2002033275A JP 2002033275 A JP2002033275 A JP 2002033275A JP 2001158456 A JP2001158456 A JP 2001158456A JP 2001158456 A JP2001158456 A JP 2001158456A JP 2002033275 A JP2002033275 A JP 2002033275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire mesh
- charged particle
- outer wire
- particle beam
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 68
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 9
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000935040 Homo sapiens Integrin beta-2 Proteins 0.000 description 1
- 102100025390 Integrin beta-2 Human genes 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/14—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J3/18—Electrostatic lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/063—Geometrical arrangement of electrodes for beam-forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/065—Source emittance characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/1205—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照明システム構成要素のドリフト空間内に四
重極レンズアレイを配置することによって、ビーム放射
を制御する方法および装置を提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、照明システム構成要素
は、電子銃、あるいは電子銃に取り付け可能なライナ・
チューブまたはドリフト・チューブとすることができ、
四重極レンズ・アレイは、３つ以上のメッシュ・グリッ
ド、またはグリッドと連続箔の組合せとすることができ
る。四重極レンズ・アレイは、光学的「フライズアイ」
レンズに似た多数のマイクロレンズを形成する。四重極
レンズ・アレイは、入射するソリッド電子ビームを多数
のサブビームに分割し、それによって出射ビーム放射が
入射ビーム放射と異なり、一方、ビーム総電流は変化し
ない。この方法および装置は、ビーム電流とビーム放射
の個別制御を可能にする。
重極レンズアレイを配置することによって、ビーム放射
を制御する方法および装置を提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、照明システム構成要素
は、電子銃、あるいは電子銃に取り付け可能なライナ・
チューブまたはドリフト・チューブとすることができ、
四重極レンズ・アレイは、３つ以上のメッシュ・グリッ
ド、またはグリッドと連続箔の組合せとすることができ
る。四重極レンズ・アレイは、光学的「フライズアイ」
レンズに似た多数のマイクロレンズを形成する。四重極
レンズ・アレイは、入射するソリッド電子ビームを多数
のサブビームに分割し、それによって出射ビーム放射が
入射ビーム放射と異なり、一方、ビーム総電流は変化し
ない。この方法および装置は、ビーム電流とビーム放射
の個別制御を可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子リソグラ
フィ装置用の照明システムに関するものであり、そのよ
うな装置は、例えば半導体集積回路や他の集積デバイス
の製造に用いることができる。本発明は、さらに、その
ような照明システムを有するリソグラフィ装置に関する
ものである。そのようなリソグラフィ装置は、一般に、
放射線の投影ビームを供給するための照明システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン付けする
ように働く、マスクを保持するためのマスク・テーブル
と、基板を保持するための基板テーブルと、基板のター
ゲット部分上にパターン付けされたビームを投影するた
めの投影システムと、を有する。
フィ装置用の照明システムに関するものであり、そのよ
うな装置は、例えば半導体集積回路や他の集積デバイス
の製造に用いることができる。本発明は、さらに、その
ような照明システムを有するリソグラフィ装置に関する
ものである。そのようなリソグラフィ装置は、一般に、
放射線の投影ビームを供給するための照明システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン付けする
ように働く、マスクを保持するためのマスク・テーブル
と、基板を保持するための基板テーブルと、基板のター
ゲット部分上にパターン付けされたビームを投影するた
めの投影システムと、を有する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ投影装置は、例えば集積回
路（ＩＣ）の製造に使用することができる。そのような
場合には、マスクが、ＩＣの個々の層に対応する回路パ
ターンを含み、このパターンは、放射線感光材料（レジ
スト）の層で被覆された基板（シリコン・ウェハ）上の
ターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイからな
る）にイメージ（写像）される。一般に、１つのウェハ
が、１度に１つずつ投影システムによって連続的に照射
される隣接ターゲット部分の回路網全体を含んでいる。
あるタイプのリソグラフィ投影装置では、マスク・パタ
ーン全体を一括してターゲット部分に露光することによ
って各ターゲット部分を照射する。そのような装置は一
般にウェハ・ステッパと呼ばれる。代替の装置（一般に
ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる）では、投
影ビームの下でマスク・パターンを所与の基準方向
（「スキャン」方向）に漸次スキャンし、それと同時に
この方向に平行に、または反平行に基板テーブルを同期
してスキャンすることによって各ターゲット部分を照射
する。一般に、投影システムが倍率Ｍ（通常Ｍ＜１）を
有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、
マスク・テーブルがスキャンされる速度のＭ倍となる。
ここに記述したリソグラフィ・デバイスに関するより多
くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国
特許第６０４６７９２号から得ることができる。
路（ＩＣ）の製造に使用することができる。そのような
場合には、マスクが、ＩＣの個々の層に対応する回路パ
ターンを含み、このパターンは、放射線感光材料（レジ
スト）の層で被覆された基板（シリコン・ウェハ）上の
ターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイからな
る）にイメージ（写像）される。一般に、１つのウェハ
が、１度に１つずつ投影システムによって連続的に照射
される隣接ターゲット部分の回路網全体を含んでいる。
あるタイプのリソグラフィ投影装置では、マスク・パタ
ーン全体を一括してターゲット部分に露光することによ
って各ターゲット部分を照射する。そのような装置は一
般にウェハ・ステッパと呼ばれる。代替の装置（一般に
ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる）では、投
影ビームの下でマスク・パターンを所与の基準方向
（「スキャン」方向）に漸次スキャンし、それと同時に
この方向に平行に、または反平行に基板テーブルを同期
してスキャンすることによって各ターゲット部分を照射
する。一般に、投影システムが倍率Ｍ（通常Ｍ＜１）を
有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、
マスク・テーブルがスキャンされる速度のＭ倍となる。
ここに記述したリソグラフィ・デバイスに関するより多
くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国
特許第６０４６７９２号から得ることができる。
【０００３】リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テー
ブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を
有するタイプのものであってよいことに留意されたい。
そのような「多段」デバイスでは、追加のテーブルを並
列して使用することができ、あるいは１つまたは複数の
テーブルに関して予備ステップを行い、その一方で１つ
または複数の他のテーブルを露光に用いることもでき
る。２段リソグラフィ装置は、例えば米国特許第５９６
９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号に記載されて
いる。
ブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を
有するタイプのものであってよいことに留意されたい。
そのような「多段」デバイスでは、追加のテーブルを並
列して使用することができ、あるいは１つまたは複数の
テーブルに関して予備ステップを行い、その一方で１つ
または複数の他のテーブルを露光に用いることもでき
る。２段リソグラフィ装置は、例えば米国特許第５９６
９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号に記載されて
いる。
【０００４】リソグラフィ投影装置を用いた製造プロセ
スでは、マスク・パターンが、レジストの層によって少
なくとも部分的にカバーされた基板上にイメージされ
る。このイメージング・ステップの前に、基板にプライ
ミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベークなど
様々な処置を施すことができる。露光後に、露光後ベー
ク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、およびイメージ
したフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）の測定／検査など他
の処置を基板に施すこともできる。この一連の処置は、
例えばＩＣといったデバイスの個々の層をパターン付け
する基礎として使用される。次いで、そのようなパター
ン付き層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、
メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨など様々な
プロセスを施すことができる。これらは全て個々の層を
完成させるためのものである。複数の層が必要な場合、
処置全体、またはその変形が、それぞれの新たな層ごと
に繰り返されなければならない。最終的に、多くのデバ
イスが基板（ウェハ）上に存在することになる。次い
で、これらのデバイスを、ダイシングやソーイングなど
の技法によって互いに分離し、個々のデバイスを、例え
ばキャリアに取り付けたり、あるいはピンに接続するこ
とができる。そのようなプロセスに関する別の情報が、
例えば参照により本明細書に組み込むピーター・ファン
・ツァント（Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ）の著書
「マイクロチップの製造；半導体処理のための実用ガイ
ド（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ
Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」第３版，
マグローヒル出版社，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４から得られる。
スでは、マスク・パターンが、レジストの層によって少
なくとも部分的にカバーされた基板上にイメージされ
る。このイメージング・ステップの前に、基板にプライ
ミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベークなど
様々な処置を施すことができる。露光後に、露光後ベー
ク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、およびイメージ
したフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）の測定／検査など他
の処置を基板に施すこともできる。この一連の処置は、
例えばＩＣといったデバイスの個々の層をパターン付け
する基礎として使用される。次いで、そのようなパター
ン付き層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、
メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨など様々な
プロセスを施すことができる。これらは全て個々の層を
完成させるためのものである。複数の層が必要な場合、
処置全体、またはその変形が、それぞれの新たな層ごと
に繰り返されなければならない。最終的に、多くのデバ
イスが基板（ウェハ）上に存在することになる。次い
で、これらのデバイスを、ダイシングやソーイングなど
の技法によって互いに分離し、個々のデバイスを、例え
ばキャリアに取り付けたり、あるいはピンに接続するこ
とができる。そのようなプロセスに関する別の情報が、
例えば参照により本明細書に組み込むピーター・ファン
・ツァント（Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ）の著書
「マイクロチップの製造；半導体処理のための実用ガイ
ド（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ
Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」第３版，
マグローヒル出版社，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４から得られる。
【０００５】荷電粒子露光ツール（例えば電子ビームを
使用する）が、２０年以上の間、半導体処理におけるリ
ソグラフィのために用いられてきた。第１のそのような
露光ツールは、オブジェクト上をラスタ・スキャン（ラ
スタ走査）される高度集束ビームの飛点概念に基づいて
いた。そのようなツールの（電子）ビームはスキャンす
る際に変調され、それによってビーム自体がリソグラフ
ィ・パターンを生じる。これらのツールはリソグラフィ
のマスク作成といった高精度タスクに広く使用されてい
るが、ラスタ・スキャン・モードは、半導体ウェハ処理
に必要な高いスループット（処理能力）を実現するには
遅すぎることが判明している。この機器における荷電粒
子源は、電子マイクロスコープで使用されるもの、すな
わち小さなスポット・ビームに焦点合わせされた高明度
源と同様である。
使用する）が、２０年以上の間、半導体処理におけるリ
ソグラフィのために用いられてきた。第１のそのような
露光ツールは、オブジェクト上をラスタ・スキャン（ラ
スタ走査）される高度集束ビームの飛点概念に基づいて
いた。そのようなツールの（電子）ビームはスキャンす
る際に変調され、それによってビーム自体がリソグラフ
ィ・パターンを生じる。これらのツールはリソグラフィ
のマスク作成といった高精度タスクに広く使用されてい
るが、ラスタ・スキャン・モードは、半導体ウェハ処理
に必要な高いスループット（処理能力）を実現するには
遅すぎることが判明している。この機器における荷電粒
子源は、電子マイクロスコープで使用されるもの、すな
わち小さなスポット・ビームに焦点合わせされた高明度
源と同様である。
【０００６】近年、ＳＣＡＬＰＥＬ（ＳＣａｔｔｅｒｉ
ｎｇ ｗｉｔｈ ＡｎｇｕｌａｒＬｉｍｉｔａｔｉｏｎ
Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の技法に基づく新たなＥビー
ム露光ツール（リソグラフィ装置）が（Ｌｕｃｅｎｔに
よって）開発された。このツールでは、広域電子ビーム
がリソグラフィ・マスクを介してオブジェクト面上に投
影される。半導体ウェハまたは他の基板の比較的広い面
積（例えば１ｍｍ2）を一度に露光することができるの
で、スループットが許容できるようになる。このツール
の高分解能が、ツールを、超精密線路リソグラフィ（す
なわちサブミクロン）にとって魅力あるものにする。Ｓ
ＣＡＬＰＥＬ技法は、例えば米国特許第５０７９１１２
号や５２５８２４６号により詳細に記述されている。
ｎｇ ｗｉｔｈ ＡｎｇｕｌａｒＬｉｍｉｔａｔｉｏｎ
Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の技法に基づく新たなＥビー
ム露光ツール（リソグラフィ装置）が（Ｌｕｃｅｎｔに
よって）開発された。このツールでは、広域電子ビーム
がリソグラフィ・マスクを介してオブジェクト面上に投
影される。半導体ウェハまたは他の基板の比較的広い面
積（例えば１ｍｍ2）を一度に露光することができるの
で、スループットが許容できるようになる。このツール
の高分解能が、ツールを、超精密線路リソグラフィ（す
なわちサブミクロン）にとって魅力あるものにする。Ｓ
ＣＡＬＰＥＬ技法は、例えば米国特許第５０７９１１２
号や５２５８２４６号により詳細に記述されている。
【０００７】いわゆる可変軸レンズ（ＶＡＬ）または可
変軸液浸レンズ（ＶＡＩＬ）を利用した、代替のＥビー
ム・リソグラフィ露光ツール（ＩＢＭが開発）が存在す
る。これらのツールは、背面焦点面フィルタと共に拡散
ステンシル・マスクを採用する。これらのシステムに関
するより多くの情報は、例えば米国特許第５５４５９０
２号、５４６６９０４号、５７４７８１４号、５７９３
０４８号、および５５３２４９６号から得ることができ
る。
変軸液浸レンズ（ＶＡＩＬ）を利用した、代替のＥビー
ム・リソグラフィ露光ツール（ＩＢＭが開発）が存在す
る。これらのツールは、背面焦点面フィルタと共に拡散
ステンシル・マスクを採用する。これらのシステムに関
するより多くの情報は、例えば米国特許第５５４５９０
２号、５４６６９０４号、５７４７８１４号、５７９３
０４８号、および５５３２４９６号から得ることができ
る。
【０００８】別のタイプのＥビーム・リソグラフィ装置
（Ｎｉｋｏｎが開発）が、例えば米国特許第５５６７９
４９号、５７７０８６３号、５７４７８１９号、５７９
８１９６号に記述されている。
（Ｎｉｋｏｎが開発）が、例えば米国特許第５５６７９
４９号、５７７０８６３号、５７４７８１９号、５７９
８１９６号に記述されている。
【０００９】Ｅビーム・リソグラフィ露光ツールでのビ
ーム源に関する要件は、従来の集束ビーム露光ツール、
または従来のＴＥＭもしくはＳＥＭの要件と大きく異な
る。主要な目標は、やはり高分解能のイメージング（結
像）であるが、経済的なウェハ・スループットを実現す
るために、それを比較的高い（１０〜１００μＡ）銃電
流で達成しなければならない。必要とされる軸方向明度
は、典型的な集束ビーム源に関する値１０6〜１０9Ａｃ
ｍ-2ｓｒ-1と比べると比較的小さく、例えば１０2〜１
０4Ａｃｍ-2ｓｒ-1である。ただし、より大きな面積に
わたるビーム・フラックス（ビーム束）は、必要なリソ
グラフィ線量許容範囲およびＣＤ制御を得るために非常
に均一でなければならない。
ーム源に関する要件は、従来の集束ビーム露光ツール、
または従来のＴＥＭもしくはＳＥＭの要件と大きく異な
る。主要な目標は、やはり高分解能のイメージング（結
像）であるが、経済的なウェハ・スループットを実現す
るために、それを比較的高い（１０〜１００μＡ）銃電
流で達成しなければならない。必要とされる軸方向明度
は、典型的な集束ビーム源に関する値１０6〜１０9Ａｃ
ｍ-2ｓｒ-1と比べると比較的小さく、例えば１０2〜１
０4Ａｃｍ-2ｓｒ-1である。ただし、より大きな面積に
わたるビーム・フラックス（ビーム束）は、必要なリソ
グラフィ線量許容範囲およびＣＤ制御を得るために非常
に均一でなければならない。
【００１０】Ｅビーム・リソグラフィ・ツールの開発で
の大きな障害は、比較的大きな領域にわたって均一な電
子フラックスを提供し、比較的低い明度を有し、Ｄ＊α
ミクロン＊ミリラジアンとして定義される高い「放射」
を有する電子源の開発である。ここでＤはビーム直径で
あり、αは広がり角である。従来、現況技術電子ビーム
源は０．１〜４００ミクロン＊ミリラジアン範囲内の放
射を有するビームを発生し、一方、例えばＳＣＡＬＰＥ
Ｌ様式のツールは、１０００〜５０００ミクロン＊ミリ
ラジアン範囲内の放射を必要とする。
の大きな障害は、比較的大きな領域にわたって均一な電
子フラックスを提供し、比較的低い明度を有し、Ｄ＊α
ミクロン＊ミリラジアンとして定義される高い「放射」
を有する電子源の開発である。ここでＤはビーム直径で
あり、αは広がり角である。従来、現況技術電子ビーム
源は０．１〜４００ミクロン＊ミリラジアン範囲内の放
射を有するビームを発生し、一方、例えばＳＣＡＬＰＥ
Ｌ様式のツールは、１０００〜５０００ミクロン＊ミリ
ラジアン範囲内の放射を必要とする。
【００１１】さらに、従来のＥビーム・リソグラフィ照
明システムの設計は、ガウス銃ベースの、またはグリッ
ド制御銃ベースのものであった。両タイプに共通の欠点
は、ビーム放射が実際のウェーネルト・バイアスに依存
し、ビーム電流制御に避けられない放射の変更が結び付
くことである。システムの点からは、ビーム電流および
ビーム放射の独立制御がはるかに有利である。
明システムの設計は、ガウス銃ベースの、またはグリッ
ド制御銃ベースのものであった。両タイプに共通の欠点
は、ビーム放射が実際のウェーネルト・バイアスに依存
し、ビーム電流制御に避けられない放射の変更が結び付
くことである。システムの点からは、ビーム電流および
ビーム放射の独立制御がはるかに有利である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、荷電粒子露
光装置用の照明システム構成要素と、照明システム構成
要素において「放射制御装置」として働くレンズ・アレ
イを配置することによって独立した放射制御を提供する
荷電粒子リソグラフィ露光ツールとを対象とする。一実
施形態では、負バイアス下の導電メッシュが、接地電位
で維持されたリソグラフィ装置内に配置されて、光学的
「フライズアイ（ｆｌｙ‘ｓ ｅｙｅ；昆虫の目）」レ
ンズに似た多数のマイクロレンズを形成する。メッシュ
は、入射する固体電子ビームを多数のサブビームに分割
する多数の静電レンズレット（ｌｅｎｓｌｅｔ）を形成
し、それによって出射ビームの放射が入射ビームの放射
と異なるが、総ビーム電流は変わらず維持される。メッ
シュは、ビーム電流に影響を及ぼすことなくビーム放射
制御を可能にする。別の実施形態では、照明システム構
成要素が電子銃である。別の実施形態では、照明システ
ム構成要素は、従来の電子銃に接続可能なライナ・チュ
ーブである。
光装置用の照明システム構成要素と、照明システム構成
要素において「放射制御装置」として働くレンズ・アレ
イを配置することによって独立した放射制御を提供する
荷電粒子リソグラフィ露光ツールとを対象とする。一実
施形態では、負バイアス下の導電メッシュが、接地電位
で維持されたリソグラフィ装置内に配置されて、光学的
「フライズアイ（ｆｌｙ‘ｓ ｅｙｅ；昆虫の目）」レ
ンズに似た多数のマイクロレンズを形成する。メッシュ
は、入射する固体電子ビームを多数のサブビームに分割
する多数の静電レンズレット（ｌｅｎｓｌｅｔ）を形成
し、それによって出射ビームの放射が入射ビームの放射
と異なるが、総ビーム電流は変わらず維持される。メッ
シュは、ビーム電流に影響を及ぼすことなくビーム放射
制御を可能にする。別の実施形態では、照明システム構
成要素が電子銃である。別の実施形態では、照明システ
ム構成要素は、従来の電子銃に接続可能なライナ・チュ
ーブである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】メッシュのグリッドの光
学的効果は、幾何学の点から記述することができる。メ
ッシュにある各開口は、マイクロレンズまたはレンズレ
ットとして働き、メッシュ・グリッドの片側に、直径ｄ
を有する独自の仮想源またはクロスオーバを作成する。
各個別サブビームはＬに近い幾何学空間を取り、ここで
Ｌはメッシュ・ピッチに等しい。メッシュ・グリッド後
のビーム放射と、電子銃によって作成されたビーム放射
との比（ｒ）は、 ｒ＝（Ｌ／ｄ）2 に等しい。
学的効果は、幾何学の点から記述することができる。メ
ッシュにある各開口は、マイクロレンズまたはレンズレ
ットとして働き、メッシュ・グリッドの片側に、直径ｄ
を有する独自の仮想源またはクロスオーバを作成する。
各個別サブビームはＬに近い幾何学空間を取り、ここで
Ｌはメッシュ・ピッチに等しい。メッシュ・グリッド後
のビーム放射と、電子銃によって作成されたビーム放射
との比（ｒ）は、 ｒ＝（Ｌ／ｄ）2 に等しい。
【００１４】本発明の別の実施形態では、メッシュ・グ
リッドが複数の（例えば２つ、３つ、またはそれより多
い）メッシュを含む。奇数個（１よりも大きい）の構成
では、外側の２つのメッシュが曲線形状を有することが
できる。そのようなレンズはビーム放射制御を可能に
し、また球面収差を低減する。
リッドが複数の（例えば２つ、３つ、またはそれより多
い）メッシュを含む。奇数個（１よりも大きい）の構成
では、外側の２つのメッシュが曲線形状を有することが
できる。そのようなレンズはビーム放射制御を可能に
し、また球面収差を低減する。
【００１５】本発明の別の実施形態では、レンズ・アレ
イは箔からなる連続レンズである。
イは箔からなる連続レンズである。
【００１６】本発明の別の態様では、ビーム制御装置
が、四重極静電レンズレットのアレイを提供する。１つ
の好ましい実施形態では、四重極静電レンズレットは、
平行に離隔された３つの平坦なメッシュによって形成さ
れる。これらのメッシュはそれぞれ、複数の平行ワイヤ
によって形成される。
が、四重極静電レンズレットのアレイを提供する。１つ
の好ましい実施形態では、四重極静電レンズレットは、
平行に離隔された３つの平坦なメッシュによって形成さ
れる。これらのメッシュはそれぞれ、複数の平行ワイヤ
によって形成される。
【００１７】本発明は主に、四重極静電場パターンのア
レイにビームを通すことによって荷電粒子ビームの放射
を制御する方法を対象とする。本発明のこの態様はま
た、集積デバイスを製造する方法に関するものであり、
この方法は、四重極静電場パターンのアレイにビームを
通すことを含む。
レイにビームを通すことによって荷電粒子ビームの放射
を制御する方法を対象とする。本発明のこの態様はま
た、集積デバイスを製造する方法に関するものであり、
この方法は、四重極静電場パターンのアレイにビームを
通すことを含む。
【００１８】本発明の他の目的および利点は、以下の概
略図および添付の記述を用いて説明される。
略図および添付の記述を用いて説明される。
【００１９】
【発明の実施の形態】図中、対応する参照符号が対応す
る部分を示す。
る部分を示す。
【００２０】図１を参照すると、基部１１と、カソード
支持アーム１２と、カソード・フィラメント１３と、ウ
ェーネルト水平方向支持アーム１５を含むウェーネルト
電極と、従来のウェーネルト・アパーチャ１６とを備え
る従来のウェーネルト電子銃アセンブリが示されてい
る。基部１１はセラミックとすることができ、支持部材
１２は例えばタンタル、鋼、またはモリブデンを含んで
いてもよい。フィラメント１３はタングステン・ワイヤ
とすることができ、ウェーネルト支持アーム１５を形成
する材料は鋼またはタンタルとすることができ、電子エ
ミッタ１４は例えばタンタル・ディスクとすることがで
きる。電子エミッタの実効面積は通常０．１〜５．０ｍ
ｍ2の範囲にある。電子エミッタ１４は、直径が０．０
５〜３．０ｍｍの範囲にあるディスクであることが好ま
しい。アノードが参照番号１７で概略的に示され、アノ
ード・アパーチャ１７ａと、参照番号１８での電子ビー
ムと、参照番号１９でのドリフト空間とを含む。図を見
やすくするために、従来の、当業者に周知のビーム制御
装置は図示していない。図での寸法が必ずしも一律の縮
尺ではないことを当業者は理解されたい。Ｅビーム（例
えばＳＣＡＬＰＥＬ）露光ツールの電子源の重要な特徴
は、前述したように、電子ビーム明度が比較的低いこと
である。最も効果的な露光では、ビーム明度が１０5Ａ
ｃｍ-2ｓｒ-1未満の値に制限されていることが好まし
い。これは、通常は最大明度で最適化される従来のスキ
ャン電子ビーム露光ツールと対照的である。例えば、米
国特許第４５８８９２８号を参照されたい。
支持アーム１２と、カソード・フィラメント１３と、ウ
ェーネルト水平方向支持アーム１５を含むウェーネルト
電極と、従来のウェーネルト・アパーチャ１６とを備え
る従来のウェーネルト電子銃アセンブリが示されてい
る。基部１１はセラミックとすることができ、支持部材
１２は例えばタンタル、鋼、またはモリブデンを含んで
いてもよい。フィラメント１３はタングステン・ワイヤ
とすることができ、ウェーネルト支持アーム１５を形成
する材料は鋼またはタンタルとすることができ、電子エ
ミッタ１４は例えばタンタル・ディスクとすることがで
きる。電子エミッタの実効面積は通常０．１〜５．０ｍ
ｍ2の範囲にある。電子エミッタ１４は、直径が０．０
５〜３．０ｍｍの範囲にあるディスクであることが好ま
しい。アノードが参照番号１７で概略的に示され、アノ
ード・アパーチャ１７ａと、参照番号１８での電子ビー
ムと、参照番号１９でのドリフト空間とを含む。図を見
やすくするために、従来の、当業者に周知のビーム制御
装置は図示していない。図での寸法が必ずしも一律の縮
尺ではないことを当業者は理解されたい。Ｅビーム（例
えばＳＣＡＬＰＥＬ）露光ツールの電子源の重要な特徴
は、前述したように、電子ビーム明度が比較的低いこと
である。最も効果的な露光では、ビーム明度が１０5Ａ
ｃｍ-2ｓｒ-1未満の値に制限されていることが好まし
い。これは、通常は最大明度で最適化される従来のスキ
ャン電子ビーム露光ツールと対照的である。例えば、米
国特許第４５８８９２８号を参照されたい。
【００２１】本発明が図２に示されている。メッシュ・
グリッド２３が、ドリフト空間１９内の電子放射１８の
経路内に配置されている。図２によれば、メッシュ・グ
リッド２３は、静電場自由ドリフト空間１９内に配置さ
れ、ドリフト・チューブまたはライナ２０から隔離さ
れ、指定された電位Ｕｍにバイアスされる。メッシュ・
グリッド２３とライナ２０の電位差が、メッシュ・グリ
ッド２３の各開口の外にマイクロレンズを作成する。電
子ビーム１８は、個別サブビーム（ビームレット）に分
割され、各ビームレットが、その当該メッシュ・セルま
たはマイクロレンズを介して進みながら集束される。メ
ッシュ・グリッド２３は、絶縁体２４によってライナ２
０から離隔されている。メッシュ・グリッド２３と絶縁
体２４はどちらもメッシュ・ホルダの一部分とすること
ができる。
グリッド２３が、ドリフト空間１９内の電子放射１８の
経路内に配置されている。図２によれば、メッシュ・グ
リッド２３は、静電場自由ドリフト空間１９内に配置さ
れ、ドリフト・チューブまたはライナ２０から隔離さ
れ、指定された電位Ｕｍにバイアスされる。メッシュ・
グリッド２３とライナ２０の電位差が、メッシュ・グリ
ッド２３の各開口の外にマイクロレンズを作成する。電
子ビーム１８は、個別サブビーム（ビームレット）に分
割され、各ビームレットが、その当該メッシュ・セルま
たはマイクロレンズを介して進みながら集束される。メ
ッシュ・グリッド２３は、絶縁体２４によってライナ２
０から離隔されている。メッシュ・グリッド２３と絶縁
体２４はどちらもメッシュ・ホルダの一部分とすること
ができる。
【００２２】ドリフト空間１９の１つの特徴は、実質的
に電場が存在しないことである。実質的に電場が存在し
ないため電子の加速または減速が生じず、したがって電
子は、場合によっては磁場の存在下で、「ドリフト」す
ることが可能になる。これは、強い電場を有する真空ギ
ャップ１９ａと対照的である。
に電場が存在しないことである。実質的に電場が存在し
ないため電子の加速または減速が生じず、したがって電
子は、場合によっては磁場の存在下で、「ドリフト」す
ることが可能になる。これは、強い電場を有する真空ギ
ャップ１９ａと対照的である。
【００２３】図２Ａおよび図２Ｂは、図２に対する変形
例を例示する。特に、図２Ａと図２Ｂは共に、電子銃ア
センブリ１に取り付けられたライナ２０の内部にあるメ
ッシュ・グリッド２３を示している。図２Ｂでは、ライ
ナ２０は、ライナ・フランジ２１および電子銃フランジ
１６によって電子銃アセンブリ１に取り付けられてい
る。図２Ａでは、ライナ２０は、溶接部２２で電子銃ア
センブリ１に取り付けられている。ライナ２０と電子銃
アセンブリ１は、その取り付けが真空気密である限り、
当業者に知られている他の技法によって取り付けること
もできる。別法として、メッシュ・グリッド２３がドリ
フト空間１９内部に留まっている限り、メッシュ・グリ
ッド２３を、ライナ・フランジ２１と電子銃フランジ１
６の境界の下方、または溶接部２２の下方の、電子銃ア
センブリ１内部に配置することができる。
例を例示する。特に、図２Ａと図２Ｂは共に、電子銃ア
センブリ１に取り付けられたライナ２０の内部にあるメ
ッシュ・グリッド２３を示している。図２Ｂでは、ライ
ナ２０は、ライナ・フランジ２１および電子銃フランジ
１６によって電子銃アセンブリ１に取り付けられてい
る。図２Ａでは、ライナ２０は、溶接部２２で電子銃ア
センブリ１に取り付けられている。ライナ２０と電子銃
アセンブリ１は、その取り付けが真空気密である限り、
当業者に知られている他の技法によって取り付けること
もできる。別法として、メッシュ・グリッド２３がドリ
フト空間１９内部に留まっている限り、メッシュ・グリ
ッド２３を、ライナ・フランジ２１と電子銃フランジ１
６の境界の下方、または溶接部２２の下方の、電子銃ア
センブリ１内部に配置することができる。
【００２４】図２Ａおよび図２Ｂに例示された実施形態
の１つの利点は、それらが従来の非最適電子銃の使用を
可能にしていることである。従来の電子銃は、リソグラ
フィ・ツールで最適に使用するには一般に狭すぎ、且つ
不均一すぎるビームを発生する。図２Ａおよび図２Ｂで
の配置構成は、従来の電子銃を利用して高い性能を可能
にする。これは、ライナ２０内部に含まれるメッシュ・
グリッド２３が、ビーム放射をより広く、且つより均一
にすることによって改良し、リソグラフィ適用例に、よ
り適したものにするからである。メッシュ・グリッド２
３の効果は、図２Ｃにさらに明確に例示されており、こ
こでＩＢは入射ビームを指し、ＯＢは出射ビームであ
る。
の１つの利点は、それらが従来の非最適電子銃の使用を
可能にしていることである。従来の電子銃は、リソグラ
フィ・ツールで最適に使用するには一般に狭すぎ、且つ
不均一すぎるビームを発生する。図２Ａおよび図２Ｂで
の配置構成は、従来の電子銃を利用して高い性能を可能
にする。これは、ライナ２０内部に含まれるメッシュ・
グリッド２３が、ビーム放射をより広く、且つより均一
にすることによって改良し、リソグラフィ適用例に、よ
り適したものにするからである。メッシュ・グリッド２
３の効果は、図２Ｃにさらに明確に例示されており、こ
こでＩＢは入射ビームを指し、ＯＢは出射ビームであ
る。
【００２５】図１のウェーネルト銃からの電子放射パタ
ーンが図３に示されている。ウェーネルト・エミッタか
らの比較的不均一で、釣鐘形曲線状の出力が明らかであ
る。図４は、メッシュ・グリッド２３を介する電子ビー
ム放射を例示する。メッシュ・グリッド２３の左側での
放射は小さく、メッシュ・グリッド２３を通過した後、
電子ビームの放射がはるかに大きくなる。
ーンが図３に示されている。ウェーネルト・エミッタか
らの比較的不均一で、釣鐘形曲線状の出力が明らかであ
る。図４は、メッシュ・グリッド２３を介する電子ビー
ム放射を例示する。メッシュ・グリッド２３の左側での
放射は小さく、メッシュ・グリッド２３を通過した後、
電子ビームの放射がはるかに大きくなる。
【００２６】メッシュ・グリッド２３を形成するスクリ
ーン要素は、様々な形状を有していてもよい。最も簡単
なものは、正方形アパーチャを有する従来の編組みスク
リーンである。しかし、スクリーンは、例えば三角形状
アパーチャ、六方稠密アパーチャ、さらには円形アパー
チャを有していてもよい。編組み状であっても、編組み
状でなくてもよい。連続層から適切なスクリーンを形成
するための技法を当業者は想定できる。例えば、連続金
属シートまたは箔の複数の開口を、例えばレーザ穴開け
などの技法によって形成することができる。電鋳技法に
よってファイン・メッシュを形成することもできる。メ
ッシュ・グリッド２３は導電性を有するべきであるが、
メッシュの材料は、他の点はあまり重要でない。例えば
当業者に知られているように、いくつかの合金と同様
に、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、さ
らには鋼も適切な材料である。メッシュ・グリッド２３
は、４０〜９０％の範囲の透明度を有することが好まし
く、透明度は、２次元間隙空間を全メッシュ・グリッド
面積によって割った値として定義される。
ーン要素は、様々な形状を有していてもよい。最も簡単
なものは、正方形アパーチャを有する従来の編組みスク
リーンである。しかし、スクリーンは、例えば三角形状
アパーチャ、六方稠密アパーチャ、さらには円形アパー
チャを有していてもよい。編組み状であっても、編組み
状でなくてもよい。連続層から適切なスクリーンを形成
するための技法を当業者は想定できる。例えば、連続金
属シートまたは箔の複数の開口を、例えばレーザ穴開け
などの技法によって形成することができる。電鋳技法に
よってファイン・メッシュを形成することもできる。メ
ッシュ・グリッド２３は導電性を有するべきであるが、
メッシュの材料は、他の点はあまり重要でない。例えば
当業者に知られているように、いくつかの合金と同様
に、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、さ
らには鋼も適切な材料である。メッシュ・グリッド２３
は、４０〜９０％の範囲の透明度を有することが好まし
く、透明度は、２次元間隙空間を全メッシュ・グリッド
面積によって割った値として定義される。
【００２７】図４Ａを参照すると、メッシュ・グリッド
は、幅が約５０μｍのバー「ｂ」と、幅「Ｃ」が約２０
０μｍの正方形セルとを有する。このメッシュ・グリッ
ドは、約６５％の透明度を有する。適切であることが判
明したメッシュ・グリッド構造の例を、以下の表に例と
して表す。
は、幅が約５０μｍのバー「ｂ」と、幅「Ｃ」が約２０
０μｍの正方形セルとを有する。このメッシュ・グリッ
ドは、約６５％の透明度を有する。適切であることが判
明したメッシュ・グリッド構造の例を、以下の表に例と
して表す。
【表１】
【００２８】セル寸法「Ｃ」は、正方形開口を有するメ
ッシュでの開口の幅である。長方形メッシュ・グリッド
では、寸法「Ｃ」は、ほぼ開口の面積の平方根になる。
開口は正方形や円形などほぼ対称であることが好まし
い。
ッシュでの開口の幅である。長方形メッシュ・グリッド
では、寸法「Ｃ」は、ほぼ開口の面積の平方根になる。
開口は正方形や円形などほぼ対称であることが好まし
い。
【００２９】メッシュ・グリッドの厚さｔは、開口のア
スペクト比Ｃ／ｔが好ましくは１よりも大きいことを除
き、それほど重要ではない。メッシュ・グリッド・パラ
メータ間の望ましい関係は以下の式によって与えられ
る。 Ｃ：ｔ＞１．５
スペクト比Ｃ／ｔが好ましくは１よりも大きいことを除
き、それほど重要ではない。メッシュ・グリッド・パラ
メータ間の望ましい関係は以下の式によって与えられ
る。 Ｃ：ｔ＞１．５
【００３０】別の実施形態では、レンズ・アレイが複数
のメッシュを含むことができる。一実施形態では、レン
ズ・アレイは３つのメッシュを含む。外側の２つのメッ
シュは、曲線形状を有するように準備することができ
る。そのようなレンズはビーム放射制御を提供すると共
に、球面収差を低減する。
のメッシュを含むことができる。一実施形態では、レン
ズ・アレイは３つのメッシュを含む。外側の２つのメッ
シュは、曲線形状を有するように準備することができ
る。そのようなレンズはビーム放射制御を提供すると共
に、球面収差を低減する。
【００３１】さらに、外側の２つのメッシュを、厚さ約
０．１μｍのＳｉＮ箔などの箔で置き換えることもでき
る。そのような被膜（箔）は、物理的な相互作用（非弾
性衝突）をほぼなくすることができ、それにより透明度
が１００％に近づく。レンズ・アレイ（メッシュまたは
連続被膜）を大きな電流が通過するため、透明度は重要
である。高いパーセンテージのビームがメッシュまたは
連続被膜の構造に衝撃する場合、高電流がメッシュまた
は連続被膜を溶融する可能性が高い。
０．１μｍのＳｉＮ箔などの箔で置き換えることもでき
る。そのような被膜（箔）は、物理的な相互作用（非弾
性衝突）をほぼなくすることができ、それにより透明度
が１００％に近づく。レンズ・アレイ（メッシュまたは
連続被膜）を大きな電流が通過するため、透明度は重要
である。高いパーセンテージのビームがメッシュまたは
連続被膜の構造に衝撃する場合、高電流がメッシュまた
は連続被膜を溶融する可能性が高い。
【００３２】図５は、本発明の光学系の、より一般的な
表現である。参照番号８１は、標準的な高明度電子銃、
例えばＷ「ヘアピン」、または例えば陰極線管で使用さ
れるＬａＢ6結晶またはＢａＯ銃のカソードである。参
照番号８２は、ウェーネルト電極および抽出場によって
形成される銃レンズである。参照番号８３は、直径ｄ g
を有する銃クロスオーバである。参照番号８４は、銃か
ら発する電子ビームであり、ビームが１００ｋＶまで加
速された点から後退する半アパーチャ角αgを有する。
ここで、銃の放射は、
表現である。参照番号８１は、標準的な高明度電子銃、
例えばＷ「ヘアピン」、または例えば陰極線管で使用さ
れるＬａＢ6結晶またはＢａＯ銃のカソードである。参
照番号８２は、ウェーネルト電極および抽出場によって
形成される銃レンズである。参照番号８３は、直径ｄ g
を有する銃クロスオーバである。参照番号８４は、銃か
ら発する電子ビームであり、ビームが１００ｋＶまで加
速された点から後退する半アパーチャ角αgを有する。
ここで、銃の放射は、
【数１】 である。個々のレンズレット８５の直径よりもかなり大
きい直径までビームが拡大された後ろに、レンズ・アレ
イ８０が位置決めされる。各レンズレット８５が、サイ
ズｄiを有する銃クロスオーバの像８６を作成する。こ
こで、各サブビーム８７は半開口角αiを有する。
きい直径までビームが拡大された後ろに、レンズ・アレ
イ８０が位置決めされる。各レンズレット８５が、サイ
ズｄiを有する銃クロスオーバの像８６を作成する。こ
こで、各サブビーム８７は半開口角αiを有する。
【００３３】レンズ・アレイ８０によって生ずる放射の
増大は導出することができる。Ｌｉｏｕｖｉｌｌｅの理
論は、例えばレンズに存在する保存力を用いて６次元位
相空間における粒子密度が変えられないことを述べてい
る。これは、１つのレンズレットを通過する各サブビー
ム内部の放射が保存されることを意味し、したがって、
増大は導出することができる。Ｌｉｏｕｖｉｌｌｅの理
論は、例えばレンズに存在する保存力を用いて６次元位
相空間における粒子密度が変えられないことを述べてい
る。これは、１つのレンズレットを通過する各サブビー
ム内部の放射が保存されることを意味し、したがって、
【数２】 となる。ここでＮはサブビームの数である。
【００３４】ビームの放射は、
【数３】 と表すことができ、ここで、Ｌはレンズレット８５のピ
ッチであり、したがって
ッチであり、したがって
【数４】 は、レンズ・アレイ８０の総面積である。新たなビーム
放射を実効放射と呼ぶ。放射の増大は、Ｅeff／Ｅgun＝
Ｌ2／ｄi 2である。
放射を実効放射と呼ぶ。放射の増大は、Ｅeff／Ｅgun＝
Ｌ2／ｄi 2である。
【００３５】レンズレット・アレイと共に実際のクロス
オーバを作成する必要はない。このとき放射の増大の計
算は異なる形で進められるが、依然としてこの原理が働
く。
オーバを作成する必要はない。このとき放射の増大の計
算は異なる形で進められるが、依然としてこの原理が働
く。
【００３６】大きな放射増大では、大きなピッチのメッ
シュ・グリッド２３を使用するのが有利である。しか
し、新たに形成されるビームは、かなり大きな数のサブ
ビームを含み、それによってサブビームがマスクなどシ
ステム内の重要な位置で重なり合う。実施例１は、典型
的な値を例示する。
シュ・グリッド２３を使用するのが有利である。しか
し、新たに形成されるビームは、かなり大きな数のサブ
ビームを含み、それによってサブビームがマスクなどシ
ステム内の重要な位置で重なり合う。実施例１は、典型
的な値を例示する。
【００３７】（実施例１）直径０．２ｍｍのＬａＢ6銃
が使用される。銃レンズ後のクロスオーバは６０μｍと
することができ、したがって放射の増大は、表１のグリ
ッド＃１を使用すると８倍である。
が使用される。銃レンズ後のクロスオーバは６０μｍと
することができ、したがって放射の増大は、表１のグリ
ッド＃１を使用すると８倍である。
【００３８】レンズ・アレイ８０は、図６に示されるよ
うに、電位Ｖ0のライナ２０間にある電位Ｖ1のメッシュ
・グリッド２３とすることができ、あるいは図６Ａに例
示される電位での２つのグリッド２３および２３’、も
しくは図６Ｂに例示される電位での３つのグリッド２
３、２３’、２３”、またはグリッド面に垂直な静電場
を有するグリッド・メッシュを含む任意の他の構成を含
むことができる。
うに、電位Ｖ0のライナ２０間にある電位Ｖ1のメッシュ
・グリッド２３とすることができ、あるいは図６Ａに例
示される電位での２つのグリッド２３および２３’、も
しくは図６Ｂに例示される電位での３つのグリッド２
３、２３’、２３”、またはグリッド面に垂直な静電場
を有するグリッド・メッシュを含む任意の他の構成を含
むことができる。
【００３９】図５におけるレンズレット８５の焦点距離
は通常、４×Ｖａｃｃ／Ｅｆｉｅｌｄ程度であり、ここ
でＶａｃｃは電子ビームの加速電位であり、Ｅｆｉｅｌ
ｄは静電場の強さである。実施例１では、銃クロスオー
バとレンズ・アレイとの距離を通常１００ｍｍにするこ
とができ、縮小された像を形成するために約５０ｍｍの
焦点距離を必要とする。したがって１００ｋＶ加速で
は、場を１０ｋＶ／ｍｍとすべきである。
は通常、４×Ｖａｃｃ／Ｅｆｉｅｌｄ程度であり、ここ
でＶａｃｃは電子ビームの加速電位であり、Ｅｆｉｅｌ
ｄは静電場の強さである。実施例１では、銃クロスオー
バとレンズ・アレイとの距離を通常１００ｍｍにするこ
とができ、縮小された像を形成するために約５０ｍｍの
焦点距離を必要とする。したがって１００ｋＶ加速で
は、場を１０ｋＶ／ｍｍとすべきである。
【００４０】１つの代替実施形態では、特定の構成が強
い場を必要とする場合、カソードとアノードの間にある
銃の加速ユニット内にメッシュ・グリッド２３を組み込
むことができる。これは、ビームがその点で完全に１０
０ｋＶまで加速されていないという追加の利点を有す
る。
い場を必要とする場合、カソードとアノードの間にある
銃の加速ユニット内にメッシュ・グリッド２３を組み込
むことができる。これは、ビームがその点で完全に１０
０ｋＶまで加速されていないという追加の利点を有す
る。
【００４１】１つの代替実施形態では、図２のウェーネ
ルト・アパーチャ１６において電子銃内にメッシュ・グ
リッド２３を組み込むこともできる。メッシュ・ピッチ
は、ここでも、カソード直径よりもはるかに小さくなけ
ればならない。これにより、レンズレット・サイズはμ
ｍ程度になる。
ルト・アパーチャ１６において電子銃内にメッシュ・グ
リッド２３を組み込むこともできる。メッシュ・ピッチ
は、ここでも、カソード直径よりもはるかに小さくなけ
ればならない。これにより、レンズレット・サイズはμ
ｍ程度になる。
【００４２】本発明は、Ｃｈａｒｇｅｄ Ｐａｒｔｉｃ
ｌｅ Ｏｐｔｉｃｓ（ＣＰＯ，Ｂｏｗｒｉｎｇ Ｃｏｎ
ｓｕｌｔａｎｔ，Ｌｔｄ．，およびＭａｎｃｈｅｓｔｅ
ｒＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ）およびＳＯＵＲＣＥ（ＭＥＢ
Ｓ，Ｌｔｄ．による）モデルを用いたコンピュータ・シ
ミュレーションによって確認されている。ＳＯＵＲＣＥ
モデルでは、メッシュ・グリッド２３が、一連の円形ス
リットによって近似される。ＣＰＯプログラムとＳＯＵ
ＲＣＥプログラムのどちらにおいても、２つの接地シリ
ンダであってバイアスされたメッシュがシリンダ間のギ
ャップ内に設けられた接地シリンダを含むレンズがシミ
ュレートされる。図７は、ＳＯＵＲＣＥモデルの詳細を
場を用いて示す。レンズ場は、メッシュの開口内に明ら
かに見ることができる。
ｌｅ Ｏｐｔｉｃｓ（ＣＰＯ，Ｂｏｗｒｉｎｇ Ｃｏｎ
ｓｕｌｔａｎｔ，Ｌｔｄ．，およびＭａｎｃｈｅｓｔｅ
ｒＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ）およびＳＯＵＲＣＥ（ＭＥＢ
Ｓ，Ｌｔｄ．による）モデルを用いたコンピュータ・シ
ミュレーションによって確認されている。ＳＯＵＲＣＥ
モデルでは、メッシュ・グリッド２３が、一連の円形ス
リットによって近似される。ＣＰＯプログラムとＳＯＵ
ＲＣＥプログラムのどちらにおいても、２つの接地シリ
ンダであってバイアスされたメッシュがシリンダ間のギ
ャップ内に設けられた接地シリンダを含むレンズがシミ
ュレートされる。図７は、ＳＯＵＲＣＥモデルの詳細を
場を用いて示す。レンズ場は、メッシュの開口内に明ら
かに見ることができる。
【００４３】さらに、３次元シミュレーション・プログ
ラムＣＰＯ３ｄを用いてモデル化を行った。図８は、メ
ッシュの平面で取り得る分布を例示する。ここでも、メ
ッシュ・グリッドの複数レンズ効果を明らかに見ること
ができる。
ラムＣＰＯ３ｄを用いてモデル化を行った。図８は、メ
ッシュの平面で取り得る分布を例示する。ここでも、メ
ッシュ・グリッドの複数レンズ効果を明らかに見ること
ができる。
【００４４】上述したように、本発明の電子銃は、電子
ビーム・リソグラフィ機械で電子源として利用するのが
最も有利である。現行の業界に適用される方法における
半導体ウェハ上での半導体デバイスの製造は、光化学放
射線、この場合は電子ビーム放射線の微細線路パターン
によるポリマー・レジスト材料の露光を企図している。
これは、リソグラフィ・マスクを介してレジスト被覆基
板に光化学放射線を向けることによって従来の適用方法
で達成される。マスクのイメージは基板に投影されて、
投影印刷される。
ビーム・リソグラフィ機械で電子源として利用するのが
最も有利である。現行の業界に適用される方法における
半導体ウェハ上での半導体デバイスの製造は、光化学放
射線、この場合は電子ビーム放射線の微細線路パターン
によるポリマー・レジスト材料の露光を企図している。
これは、リソグラフィ・マスクを介してレジスト被覆基
板に光化学放射線を向けることによって従来の適用方法
で達成される。マスクのイメージは基板に投影されて、
投影印刷される。
【００４５】電子ビーム・リソグラフィ・ツールは、非
常に小さな線幅、すなわち０．１μｍ以下での高コント
ラスト・パターンを特徴とする。それらのツールは、光
学投影システムの高いスループットと共に、広いプロセ
ス許容範囲を有する高分解能イメージを生成する。高ス
ループットは、電子のフラッド・ビームを使用してウェ
ハの比較的広い面積を露光することによって可能にな
る。標準的な磁場ビーム操舵および集束を備える電子ビ
ーム光学系を使用して、フラッド・ビームをリソグラフ
ィ・マスク上にイメージし、その後、基板すなわちレジ
スト被覆ウェハ上にイメージする。リソグラフィ・マス
クは、高電子散乱の区域と、低電子散乱の区域とからな
り、これらの区域がマスク・パターン内に所望のフィー
チャを画定する。適切なマスク構造の詳細は、例えば米
国特許第５０７９１１２号および５２５８２４６号で見
ることができる。
常に小さな線幅、すなわち０．１μｍ以下での高コント
ラスト・パターンを特徴とする。それらのツールは、光
学投影システムの高いスループットと共に、広いプロセ
ス許容範囲を有する高分解能イメージを生成する。高ス
ループットは、電子のフラッド・ビームを使用してウェ
ハの比較的広い面積を露光することによって可能にな
る。標準的な磁場ビーム操舵および集束を備える電子ビ
ーム光学系を使用して、フラッド・ビームをリソグラフ
ィ・マスク上にイメージし、その後、基板すなわちレジ
スト被覆ウェハ上にイメージする。リソグラフィ・マス
クは、高電子散乱の区域と、低電子散乱の区域とからな
り、これらの区域がマスク・パターン内に所望のフィー
チャを画定する。適切なマスク構造の詳細は、例えば米
国特許第５０７９１１２号および５２５８２４６号で見
ることができる。
【００４６】ＳＣＡＬＰＥＬ（およびＶＡＬ／ＶＡＩ
Ｌ）ツールの重要な特徴は、リソグラフィ・マスクと基
板との間に配置された背面焦点面フィルタである。背面
焦点面フィルタは、大きく散乱された電子を阻止し、弱
く散乱された電子を通し、それにより基板上にイメージ
・パターンを形成するように機能する。このとき、阻止
フィルタが、イメージ中の望ましくない放射線を吸収す
る。これは、イメージ中の望ましくない放射線がマスク
自体によって吸収され、マスクの加熱および歪曲、なら
びにマスク寿命の低減の原因となる従来のリソグラフィ
・ツールと対照的である。
Ｌ）ツールの重要な特徴は、リソグラフィ・マスクと基
板との間に配置された背面焦点面フィルタである。背面
焦点面フィルタは、大きく散乱された電子を阻止し、弱
く散乱された電子を通し、それにより基板上にイメージ
・パターンを形成するように機能する。このとき、阻止
フィルタが、イメージ中の望ましくない放射線を吸収す
る。これは、イメージ中の望ましくない放射線がマスク
自体によって吸収され、マスクの加熱および歪曲、なら
びにマスク寿命の低減の原因となる従来のリソグラフィ
・ツールと対照的である。
【００４７】Ｅビーム・リソグラフィ・システム操作に
関する原理が図９に例示される。リソグラフィ・マスク
５２が、図２の電子銃によって生成される１００ｋｅＶ
電子の均一なフラッド・ビーム５１と共に例示されてい
る。膜マスク５２は、高散乱材料の区域５３と、低散乱
材料の区域５４とからなる。ビームの弱く散乱された部
分、すなわち放射線５１ａが、磁気レンズ５５によっ
て、背面焦点面阻止フィルタ５６のアパーチャ５７を介
して集束される。背面焦点面フィルタ５６は、電子を遮
るのに適したシリコン・ウェハまたは他の材料であって
よい。放射線５１ｂおよび５１ｃによってここに表され
る電子ビームの大きく散乱された部分は、背面焦点面フ
ィルタ５６によって阻止される。背面焦点面阻止フィル
タ５６を通過する電子ビーム・イメージは、参照番号５
９によって表される光学面に位置するレジスト被覆基板
（すなわち「ワークピース」）上に集束される。区域６
０は、リソグラフィ・マスク５２のフィーチャ５４、す
なわち露光すべき区域を複製し、区域６１は、リソグラ
フィ・マスクのフィーチャ５３、すなわち露光しない区
域を複製する。これらの区域は、当技術分野で周知のよ
うに交換可能であり、負または正のレジスト・パターン
を生成する。
関する原理が図９に例示される。リソグラフィ・マスク
５２が、図２の電子銃によって生成される１００ｋｅＶ
電子の均一なフラッド・ビーム５１と共に例示されてい
る。膜マスク５２は、高散乱材料の区域５３と、低散乱
材料の区域５４とからなる。ビームの弱く散乱された部
分、すなわち放射線５１ａが、磁気レンズ５５によっ
て、背面焦点面阻止フィルタ５６のアパーチャ５７を介
して集束される。背面焦点面フィルタ５６は、電子を遮
るのに適したシリコン・ウェハまたは他の材料であって
よい。放射線５１ｂおよび５１ｃによってここに表され
る電子ビームの大きく散乱された部分は、背面焦点面フ
ィルタ５６によって阻止される。背面焦点面阻止フィル
タ５６を通過する電子ビーム・イメージは、参照番号５
９によって表される光学面に位置するレジスト被覆基板
（すなわち「ワークピース」）上に集束される。区域６
０は、リソグラフィ・マスク５２のフィーチャ５４、す
なわち露光すべき区域を複製し、区域６１は、リソグラ
フィ・マスクのフィーチャ５３、すなわち露光しない区
域を複製する。これらの区域は、当技術分野で周知のよ
うに交換可能であり、負または正のレジスト・パターン
を生成する。
【００４８】米国特許第５２５８２４６号は、図９Ａに
例示される電子ビーム・リソグラフィ装置２００の一般
的な構成を記述する。電子ビーム・リソグラフィ装置２
００は、加速電子源２０２と、集光レンズ系２０４と、
マスク・ホルダに取り付けられたマスク２０６と、オブ
ジェクトレンズ系２０８と、背面焦点面フィルタ２１０
と、投影レンズ系２１２と、基板ホルダに取り付けられ
た露光媒体（基板）２１４とを、電子ビーム経路に沿っ
てこの順序で有する。電子ビーム・リソグラフィ装置２
００は通常、位置合わせおよび配列システム２１６を含
む。チャンバは、電子ビームの経路に沿って全ての構成
要素を含み、真空ポンプ２１８の使用によって真空に維
持される。
例示される電子ビーム・リソグラフィ装置２００の一般
的な構成を記述する。電子ビーム・リソグラフィ装置２
００は、加速電子源２０２と、集光レンズ系２０４と、
マスク・ホルダに取り付けられたマスク２０６と、オブ
ジェクトレンズ系２０８と、背面焦点面フィルタ２１０
と、投影レンズ系２１２と、基板ホルダに取り付けられ
た露光媒体（基板）２１４とを、電子ビーム経路に沿っ
てこの順序で有する。電子ビーム・リソグラフィ装置２
００は通常、位置合わせおよび配列システム２１６を含
む。チャンバは、電子ビームの経路に沿って全ての構成
要素を含み、真空ポンプ２１８の使用によって真空に維
持される。
【００４９】本発明の別の実施形態が図１０に例示さ
れ、図２〜図９を参照して記述した本発明の他の実施形
態に関して上述した構成と同一の多くの構成を含む。し
かし、本発明のこの実施形態は、メッシュ・グリッドで
はなく、複数の静電四重極パターンを形成する構造を有
する荷電粒子ビーム放射制御装置１００を使用する。本
明細書における教示に鑑みて、静電荷を形成することが
できる導体の使用により、四重極場パターンを生成する
ことができるいくつかの方法があることを当業者は理解
できよう。特定の実施形態では、放射制御装置１００の
構造が、図１０に参照番号１０２、１０３、および１０
４として示される複数（好ましくは３つ）の平坦なメッ
シュを備える。外側メッシュ１０２および１０４のワイ
ヤはｙ軸方向に延在し、内側メッシュ１０３のワイヤは
ｘ軸方向に延在する。荷電粒子ビーム放射制御装置の基
本原理は、荷電粒子ビームが電子ビームであれ、原子イ
オンのビームなど他のタイプの荷電粒子ビームであれ同
じである。本出願では電子のビームが好ましい。しか
し、本発明の一般的な概念は、単なる電子ビーム以外の
荷電粒子ビームヘの適用も企図している。
れ、図２〜図９を参照して記述した本発明の他の実施形
態に関して上述した構成と同一の多くの構成を含む。し
かし、本発明のこの実施形態は、メッシュ・グリッドで
はなく、複数の静電四重極パターンを形成する構造を有
する荷電粒子ビーム放射制御装置１００を使用する。本
明細書における教示に鑑みて、静電荷を形成することが
できる導体の使用により、四重極場パターンを生成する
ことができるいくつかの方法があることを当業者は理解
できよう。特定の実施形態では、放射制御装置１００の
構造が、図１０に参照番号１０２、１０３、および１０
４として示される複数（好ましくは３つ）の平坦なメッ
シュを備える。外側メッシュ１０２および１０４のワイ
ヤはｙ軸方向に延在し、内側メッシュ１０３のワイヤは
ｘ軸方向に延在する。荷電粒子ビーム放射制御装置の基
本原理は、荷電粒子ビームが電子ビームであれ、原子イ
オンのビームなど他のタイプの荷電粒子ビームであれ同
じである。本出願では電子のビームが好ましい。しか
し、本発明の一般的な概念は、単なる電子ビーム以外の
荷電粒子ビームヘの適用も企図している。
【００５０】荷電粒子放射制御装置１００が荷電粒子、
好ましくは電子のビーム内に配置されて、「放射」が変
更された荷電粒子の出射ビームを生み出す。荷電粒子の
ビームを、放射制御装置によって生成される四重極場パ
ターンに通して、荷電粒子ビームの一部分を集束させ、
それにより複数の２次荷電粒子源（実効源）を形成す
る。１つの好ましい実施形態では、荷電粒子ビーム放射
制御装置１００は、絶縁体２４によってライナ２０に接
続されたドリフト空間１９内に配置される（図２参
照）。この好ましい実施形態では、荷電粒子ビーム放射
制御装置１００が、図２に例示されたメッシュ・グリッ
ド２３の代わりとなる。同様に、荷電粒子ビーム放射制
御装置１００は、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、６、６Ａ、およ
び６Ｂに例示される他の好ましい実施形態でのメッシュ
・グリッド２３，２３’，２３”の代わりとなる。メッ
シュ・グリッド２３，２３’，２３”と同様に、荷電粒
子ビーム放射制御装置１００も、図２に例示されるウェ
ーネルト・アパーチャ１６において電子銃内に組み込む
ことができる。
好ましくは電子のビーム内に配置されて、「放射」が変
更された荷電粒子の出射ビームを生み出す。荷電粒子の
ビームを、放射制御装置によって生成される四重極場パ
ターンに通して、荷電粒子ビームの一部分を集束させ、
それにより複数の２次荷電粒子源（実効源）を形成す
る。１つの好ましい実施形態では、荷電粒子ビーム放射
制御装置１００は、絶縁体２４によってライナ２０に接
続されたドリフト空間１９内に配置される（図２参
照）。この好ましい実施形態では、荷電粒子ビーム放射
制御装置１００が、図２に例示されたメッシュ・グリッ
ド２３の代わりとなる。同様に、荷電粒子ビーム放射制
御装置１００は、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、６、６Ａ、およ
び６Ｂに例示される他の好ましい実施形態でのメッシュ
・グリッド２３，２３’，２３”の代わりとなる。メッ
シュ・グリッド２３，２３’，２３”と同様に、荷電粒
子ビーム放射制御装置１００も、図２に例示されるウェ
ーネルト・アパーチャ１６において電子銃内に組み込む
ことができる。
【００５１】図１１Ａは、本発明の１つの好ましい実施
形態における荷電粒子ビーム放射制御装置１００の一部
を例示する。図１１Ａは、上から見た荷電粒子ビーム放
射制御装置の一部の断面図（Ｘ，Ｚ平面）である。
形態における荷電粒子ビーム放射制御装置１００の一部
を例示する。図１１Ａは、上から見た荷電粒子ビーム放
射制御装置の一部の断面図（Ｘ，Ｚ平面）である。
【００５２】図１１Ｂは、図１１Ａに例示される荷電粒
子ビーム放射制御装置１００の一部に対応する断面側面
図（Ｙ，Ｚ平面）である。図示されるように、第１の外
側ワイヤ・メッシュ１０２と第２の外側ワイヤ・メッシ
ュ１０４は平坦であり、互いにほぼ平行に配列されてい
る。内部ワイヤ・メッシュ１０３もほぼ平坦な形態を有
し、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と第２の外側ワ
イヤ・メッシュ１０４との間に、ほぼ平行に配列されて
いる。好ましくは、内側ワイヤ・メッシュ１０３と第１
の外側ワイヤ・メッシュ１０２との距離が、内側ワイヤ
・メッシュ１０３と第２の外側ワイヤ・メッシュ１０４
との距離にほぼ等しい。
子ビーム放射制御装置１００の一部に対応する断面側面
図（Ｙ，Ｚ平面）である。図示されるように、第１の外
側ワイヤ・メッシュ１０２と第２の外側ワイヤ・メッシ
ュ１０４は平坦であり、互いにほぼ平行に配列されてい
る。内部ワイヤ・メッシュ１０３もほぼ平坦な形態を有
し、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と第２の外側ワ
イヤ・メッシュ１０４との間に、ほぼ平行に配列されて
いる。好ましくは、内側ワイヤ・メッシュ１０３と第１
の外側ワイヤ・メッシュ１０２との距離が、内側ワイヤ
・メッシュ１０３と第２の外側ワイヤ・メッシュ１０４
との距離にほぼ等しい。
【００５３】この好ましい実施形態では、第１の外側ワ
イヤ・メッシュ１０２が複数の導電部材を有し、そのう
ちの２つのみが例示され、参照番号１１２および１１４
を付されている。好ましくは、導電部材１１２および１
１４は長方形断面を有する金属ワイヤまたはバーであ
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２の
金属ワイヤまたはバーは、（図示されるバー１１２およ
び１１４に関しては図１１Ａの紙面に鉛直な）中心に沿
って延在する長手方向軸線をそれぞれ有する。第１の外
側ワイヤ・メッシュ１０２のワイヤまたは金属バーの長
手方向軸線は、図１１Ｂに例示されたバー１１２および
１１４に関しては紙面の平面内で縦方向に沿って延在す
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２内
の金属ワイヤは、寸法がほぼ等しく、ほぼ等しい距離だ
け離隔されている。
イヤ・メッシュ１０２が複数の導電部材を有し、そのう
ちの２つのみが例示され、参照番号１１２および１１４
を付されている。好ましくは、導電部材１１２および１
１４は長方形断面を有する金属ワイヤまたはバーであ
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２の
金属ワイヤまたはバーは、（図示されるバー１１２およ
び１１４に関しては図１１Ａの紙面に鉛直な）中心に沿
って延在する長手方向軸線をそれぞれ有する。第１の外
側ワイヤ・メッシュ１０２のワイヤまたは金属バーの長
手方向軸線は、図１１Ｂに例示されたバー１１２および
１１４に関しては紙面の平面内で縦方向に沿って延在す
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２内
の金属ワイヤは、寸法がほぼ等しく、ほぼ等しい距離だ
け離隔されている。
【００５４】この好ましい実施形態では、第２の外側メ
ッシュ１０４が第１の外側メッシュ１０２とほぼ同じ構
成および配列を有する。この好ましい実施形態では、内
側ワイヤ・メッシュ１０３は、第１および第２の外側ワ
イヤ・メッシュ１０２，１０４の構成とほぼ同一の構成
を有し、しかし図１１Ａおよび図１１Ｂに例示されるよ
うに、第１および第２の外側ワイヤ・メッシュ１０２，
１０４に関して９０度回転されている。
ッシュ１０４が第１の外側メッシュ１０２とほぼ同じ構
成および配列を有する。この好ましい実施形態では、内
側ワイヤ・メッシュ１０３は、第１および第２の外側ワ
イヤ・メッシュ１０２，１０４の構成とほぼ同一の構成
を有し、しかし図１１Ａおよび図１１Ｂに例示されるよ
うに、第１および第２の外側ワイヤ・メッシュ１０２，
１０４に関して９０度回転されている。
【００５５】１つまたは複数の電圧源（図示せず）が、
第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と、第２の外側ワイ
ヤ・メッシュ１０４と、内側ワイヤ・メッシュ１０３と
のそれぞれにおいて金属バーに電気的に接続されてい
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と
第２の外側ワイヤ・メッシュ１０４はどちらも接地電位
にあり、内側ワイヤ・メッシュ１０３は、その接地に対
して電圧ΔＶを有する。好ましくは、電圧ΔＶは負の電
圧である。
第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と、第２の外側ワイ
ヤ・メッシュ１０４と、内側ワイヤ・メッシュ１０３と
のそれぞれにおいて金属バーに電気的に接続されてい
る。好ましくは、第１の外側ワイヤ・メッシュ１０２と
第２の外側ワイヤ・メッシュ１０４はどちらも接地電位
にあり、内側ワイヤ・メッシュ１０３は、その接地に対
して電圧ΔＶを有する。好ましくは、電圧ΔＶは負の電
圧である。
【００５６】図１１Ａおよび図１１Ｂは、荷電粒子ビー
ム放射制御装置１００の局所区域内にある四重極電場パ
ターン１１６の一例を例示する。局所的な四重極場パタ
ーン１１６を発生する導電部材（「電極」）１１２、１
１７、および１１９の近傍の空間が静電四重極レンズレ
ット１１８を提供する。
ム放射制御装置１００の局所区域内にある四重極電場パ
ターン１１６の一例を例示する。局所的な四重極場パタ
ーン１１６を発生する導電部材（「電極」）１１２、１
１７、および１１９の近傍の空間が静電四重極レンズレ
ット１１８を提供する。
【００５７】図１２は、メッシュ１０２と１０３の間の
スペーシング（空間）、およびメッシュ１０３と１０４
の間のスペーシングが０．５ｍｍであり、各メッシュ内
部の金属バーが幅２０μｍであり、且つ２００μｍ離隔
されている四重極アレイに関してＣＰＯ３ｄコンピュー
タ・モデルから得られた結果を例示する。外側メッシュ
は接地され、中心メッシュは−４ｋＶである。図１２に
例示される向きでの焦点距離は５ｍｍ未満である。
スペーシング（空間）、およびメッシュ１０３と１０４
の間のスペーシングが０．５ｍｍであり、各メッシュ内
部の金属バーが幅２０μｍであり、且つ２００μｍ離隔
されている四重極アレイに関してＣＰＯ３ｄコンピュー
タ・モデルから得られた結果を例示する。外側メッシュ
は接地され、中心メッシュは−４ｋＶである。図１２に
例示される向きでの焦点距離は５ｍｍ未満である。
【００５８】静電四重極レンズレットの集束作用は、ア
パーチャ・レンズ・アレイの場合とは異なり非回転対称
である。放射制御装置１００と成形アパーチャとの距離
に関してレンズレットの焦点距離が小さいとき、電荷ビ
ーム放射制御装置１００の四重極レンズレットのアレイ
の集束動作が非回転対称であることによる不利な効果が
十分に小さくなることが判明した。ここで成形アパーチ
ャは、電子ビームによって照明される平面と定義され
る。制御装置１００と成形アパーチャとの距離は、制御
装置１００から出る個々のビームレットが互いに重なり
合い、混ざり合うことができるようにするのに十分な長
さであるべきであり、これがソリッドで均一なビームを
生成する。
パーチャ・レンズ・アレイの場合とは異なり非回転対称
である。放射制御装置１００と成形アパーチャとの距離
に関してレンズレットの焦点距離が小さいとき、電荷ビ
ーム放射制御装置１００の四重極レンズレットのアレイ
の集束動作が非回転対称であることによる不利な効果が
十分に小さくなることが判明した。ここで成形アパーチ
ャは、電子ビームによって照明される平面と定義され
る。制御装置１００と成形アパーチャとの距離は、制御
装置１００から出る個々のビームレットが互いに重なり
合い、混ざり合うことができるようにするのに十分な長
さであるべきであり、これがソリッドで均一なビームを
生成する。
【００５９】動作中、四重極レンズレットは、中央電極
での電位ΔＶとレンズの向きとに応じて、一方向（ビー
ム軸線に向かう方向、またはそこから離れる方向）に常
に作用する力を荷電粒子に加える。有利には、１次効果
として、四重極レンズレットの焦点距離が電場に依存
し、２次効果として、アパーチャ・レンズが荷電粒子に
対する集束作用を生み出す。その結果、レンズレットの
四重極アレイは、効率をより良くし、レンズ領域内部に
ある異なる電極間での電圧破壊に関する問題を低減す
る。
での電位ΔＶとレンズの向きとに応じて、一方向（ビー
ム軸線に向かう方向、またはそこから離れる方向）に常
に作用する力を荷電粒子に加える。有利には、１次効果
として、四重極レンズレットの焦点距離が電場に依存
し、２次効果として、アパーチャ・レンズが荷電粒子に
対する集束作用を生み出す。その結果、レンズレットの
四重極アレイは、効率をより良くし、レンズ領域内部に
ある異なる電極間での電圧破壊に関する問題を低減す
る。
【００６０】この記述と共に含まれている図は概略的な
ものであり、必ずしも一律の縮尺ではないことを理解さ
れたい。デバイス構成などは、本明細書に記述したデバ
イス構造に何らかの制限を与えることを意図していな
い。
ものであり、必ずしも一律の縮尺ではないことを理解さ
れたい。デバイス構成などは、本明細書に記述したデバ
イス構造に何らかの制限を与えることを意図していな
い。
【００６１】本明細書での定義のために、且つ頭記の特
許請求の範囲において、ウェーネルト・エミッタは、実
質的に平坦な放射面を有する固体金属体を定義するもの
と意図し、前記平坦な放射面は対称的であり、すなわち
円形または正多角形の形状を有する。また、定義のため
に、用語「基板」は、本明細書では、電子ビーム露光シ
ステムのオブジェクト面を定義するものとして使用し、
その平面上に存在する（半導体）ワークピースがあるか
どうかに関わらない。用語「電子光学面」は、電子銃内
の空間でｘ−ｙ平面を記述するために使用することがで
き、その面に電子ビーム・イメージが集束される。すな
わち半導体ウェハが位置されるオブジェクト面である。
許請求の範囲において、ウェーネルト・エミッタは、実
質的に平坦な放射面を有する固体金属体を定義するもの
と意図し、前記平坦な放射面は対称的であり、すなわち
円形または正多角形の形状を有する。また、定義のため
に、用語「基板」は、本明細書では、電子ビーム露光シ
ステムのオブジェクト面を定義するものとして使用し、
その平面上に存在する（半導体）ワークピースがあるか
どうかに関わらない。用語「電子光学面」は、電子銃内
の空間でｘ−ｙ平面を記述するために使用することがで
き、その面に電子ビーム・イメージが集束される。すな
わち半導体ウェハが位置されるオブジェクト面である。
【００６２】上述したように、本発明では、電子光学レ
ンズ・アレイが荷電粒子露光ツールの照明光学系内に挿
入される。このレンズ・アレイ、すなわちフライズアイ
・レンズの位置は、各レンズレットが、レンズレット間
の距離Ｌよりも小さな直径ｄを有するビーム・クロスオ
ーバを作成するようになっており、それが、ビームの実
効放射を（Ｌ／ｄ）2倍に高める。電子光学レンズ・ア
レイは、グリッドに垂直な静電場を有するメッシュ・グ
リッドである。従来のシステムに勝る１つの利点は、本
発明が標準的な高明度電子銃の使用を可能にすることで
ある。別の利点は、ビーム成形アパーチャで電子流の大
部分を止めることなく実効放射を変えることができるこ
とであり、これは現在、放射を変更するための唯一の方
法である。別の利点は、マスクの一様な照明を得ること
ができることである。
ンズ・アレイが荷電粒子露光ツールの照明光学系内に挿
入される。このレンズ・アレイ、すなわちフライズアイ
・レンズの位置は、各レンズレットが、レンズレット間
の距離Ｌよりも小さな直径ｄを有するビーム・クロスオ
ーバを作成するようになっており、それが、ビームの実
効放射を（Ｌ／ｄ）2倍に高める。電子光学レンズ・ア
レイは、グリッドに垂直な静電場を有するメッシュ・グ
リッドである。従来のシステムに勝る１つの利点は、本
発明が標準的な高明度電子銃の使用を可能にすることで
ある。別の利点は、ビーム成形アパーチャで電子流の大
部分を止めることなく実効放射を変えることができるこ
とであり、これは現在、放射を変更するための唯一の方
法である。別の利点は、マスクの一様な照明を得ること
ができることである。
【００６３】本明細書では、ＩＣ製造において本発明に
よる装置を使用することに特に言及する場合があった
が、そのような装置が多くの他の可能な適用例を有する
ことを明確に理解されたい。例えば、それらを集積光学
系、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示
パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することがで
きる。そのような代替適用例の文脈では、この本文にお
ける用語「焦点板」、「ウェハ」、または「ダイ」の使
用を、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および
「ターゲット部分」でそれぞれ置き代えることができる
ことを当業者は理解されよう。
よる装置を使用することに特に言及する場合があった
が、そのような装置が多くの他の可能な適用例を有する
ことを明確に理解されたい。例えば、それらを集積光学
系、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示
パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することがで
きる。そのような代替適用例の文脈では、この本文にお
ける用語「焦点板」、「ウェハ」、または「ダイ」の使
用を、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および
「ターゲット部分」でそれぞれ置き代えることができる
ことを当業者は理解されよう。
【００６４】本明細書では、特にＥビーム装置で存在す
る状況に多くの記述を当てているが、本発明を一般的に
荷電粒子リソグラフィに適用することができるとみなせ
ることを明確に留意されたい。したがってイオンビーム
・リソグラフィを包含する。
る状況に多くの記述を当てているが、本発明を一般的に
荷電粒子リソグラフィに適用することができるとみなせ
ることを明確に留意されたい。したがってイオンビーム
・リソグラフィを包含する。
【００６５】本発明の様々な追加の変更が当業者によっ
て想定され得る。従来技術を発達させる上記原理および
その等価のものに基本的に依拠した、本明細書の特定の
教示からの全ての逸脱が、ここに記述および請求する本
発明の範囲内にあると適切にみなすことができる。
て想定され得る。従来技術を発達させる上記原理および
その等価のものに基本的に依拠した、本明細書の特定の
教示からの全ての逸脱が、ここに記述および請求する本
発明の範囲内にあると適切にみなすことができる。
【図１】タンタル・ディスク・エミッタを有する１つの
従来のウェーネルト電子銃の概略図。
従来のウェーネルト電子銃の概略図。
【図２】本発明によって修正された電子銃の概略図。
【図２Ａ】本発明の変形形態を例示する図。
【図２Ｂ】本発明の変形形態を例示する図。
【図２Ｃ】電子ビームに対するメッシュ・グリッドの効
果を例示する図。
果を例示する図。
【図３】従来のウェーネルト電子銃からの電子放射プロ
ファイルの概略図。
ファイルの概略図。
【図４】本発明の一実施形態におけるメッシュ・グリッ
ドの効果を例示する図。
ドの効果を例示する図。
【図４Ａ】関連寸法を示す本発明のメッシュ・グリッド
の概略図。
の概略図。
【図５】本発明の光学系の、より一般的な図。
【図６】メッシュ・グリッドの両端間での電位を例示す
る図。
る図。
【図６Ａ】代替メッシュ・グリッド構成の両端間での電
位を例示する図。
位を例示する図。
【図６Ｂ】代替メッシュ・グリッド構成の両端間での電
位を例示する図。
位を例示する図。
【図７】−４０ｋＶのバイアス電圧で、ＳＯＵＲＣＥコ
ンピュータ・シミュレーション・モデルによって計算さ
れた、メッシュ・グリッドの周りの等電位場を例示する
図。
ンピュータ・シミュレーション・モデルによって計算さ
れた、メッシュ・グリッドの周りの等電位場を例示する
図。
【図８】−４０ｋＶのバイアス電圧で、ＣＰＯ３ｄコン
ピュータ・シミュレーション・モデルを使用して計算さ
れた、メッシュ・グリッドの複数レンズ効果を例示する
図。
ピュータ・シミュレーション・モデルを使用して計算さ
れた、メッシュ・グリッドの複数レンズ効果を例示する
図。
【図９】ＳＣＡＬＰＥＬ露光システムの原理を例示する
概略図。
概略図。
【図９Ａ】本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ
装置の一般的な特徴の概略図。
装置の一般的な特徴の概略図。
【図１０】本発明による荷電粒子ビーム放射制御装置の
１つの好適な実施形態の概略図。
１つの好適な実施形態の概略図。
【図１１Ａ】本発明の１つの好適な実施形態による荷電
粒子ビーム放射制御装置の一部分の上面断面図。
粒子ビーム放射制御装置の一部分の上面断面図。
【図１１Ｂ】図１１Ａに対応する側面断面図。
【図１２】本発明の特定の実施例での電子ビームに対す
る荷電粒子ビーム放射制御装置の効果に関するコンピュ
ータ・モデルからの結果を例示する図。
る荷電粒子ビーム放射制御装置の効果に関するコンピュ
ータ・モデルからの結果を例示する図。
１ 電子銃アセンブリ １１ 基部 １２ カソード支持アーム １３ カソード・フィラメント １４ 電子エミッタ １５ ウェーネルト水平方向支持アーム １６ ウェーネルト・アパーチャ、電子銃フランジ １７ａ アノード・アパーチャ １８ 電子ビーム １９ ドリフト空間 ２０ ドリフト・チューブ、ライナ ２１ ライナ・フランジ ２２ 溶接部 ２３ メッシュ・グリッド ２４ 絶縁体 １００ 放射制御装置 １０２、１０３、１０４ 平坦メッシュ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｅ (72)発明者 ビクター キャットサップ アメリカ合衆国 ニュージャージー、ベル ミード、イーステイト ロード ９ (72)発明者 ピーター クルーイット オランダ国 デルフト、コールンマルクト 49 (72)発明者 ダニエル モーネン オランダ国 デルフト、ボスボーム トウ サイントプライン 214 (72)発明者 ウォーレン ケイ、ヴァスキーヴィクツ アメリカ合衆国 ニュージャージー、クリ ントン、レイ ストリート 114 Ｆターム(参考） 5C030 BB05 BB17 5C033 CC02 5C034 BB01 BB02 5F056 AA22 CB01 CB31 CD18 EA02 EA04 FA05
Claims (19)
- 【請求項１】 加速荷電粒子源と、 前記粒子源に近接して配置された集光レンズ系であっ
て、荷電粒子のビームを形成するために前記粒子源から
発せられた粒子の経路を変えるようになっている集光レ
ンズ系と、 前記ビームの経路内にマスクを保持するように構成およ
び配置されたマスク・ホルダと、 前記マスクを通過した荷電粒子の経路内に配置された基
板とを有する荷電粒子リソグラフィ装置において、 前記粒子源が、カソードと、該カソードに近接して配置
されたアノードと、前記カソードと前記アノードの間の
荷電粒子経路内に配置された荷電粒子ビーム放射制御装
置とを有し、 前記荷電粒子ビーム放射制御装置が複数の静電四重極レ
ンズレットを有することを特徴とする荷電粒子リソグラ
フィ装置。 - 【請求項２】 前記アノードがドリフト・チューブを画
定しており、前記荷電粒子ビーム放射制御装置が、前記
ドリフト・チューブによって画定されたドリフト空間内
に配置され、且つ前記荷電粒子ビーム放射制御装置と前
記ドリフト・チューブの間の導電接続から自由である請
求項１に記載のリソグラフィ装置。 - 【請求項３】 前記粒子源が、前記アノードと前記カソ
ードの間に配置されたウェーネルト電極をさらに有し、 前記荷電粒子ビーム放射制御装置が、前記ウェーネルト
電極によって画定されたアパーチャ内に配置され、且つ
前記荷電粒子ビーム放射制御装置と前記ウェーネルト電
極の間の導電接続から自由である請求項１に記載のリソ
グラフィ装置。 - 【請求項４】 前記マスクと前記基板との間に配置され
たオブジェクト・レンズ系と、 前記オブジェクト・レンズ系と前記基板との間に配置さ
れた投影レンズ系と、 前記オブジェクト・レンズ系と前記投影レンズ系との間
に配置された背面焦点面フィルタと、をさらに有するこ
とを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１
項に記載のリソグラフィ装置。 - 【請求項５】 前記荷電粒子ビーム放射制御装置が、 実質的に平坦な形状を有する第１の外側ワイヤ・メッシ
ュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュに実質的に平行に配置された第２の外側ワイ
ヤ・メッシュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュと第２の外側ワイヤ・メッシュとの間に実質
的に平行に配置された内側ワイヤ・メッシュと、 前記内側ワイヤ・メッシュと前記第１の外側ワイヤ・メ
ッシュとの第１の電圧差が前記内側ワイヤ・メッシュと
前記第２の外側ワイヤ・メッシュとの第２の電圧差にほ
ぼ等しくなるように、前記内側ワイヤ・メッシュ、前記
第１の外側ワイヤ・メッシュ、および前記第２の外側ワ
イヤ・メッシュのうちの少なくとも１つに接続された電
圧源とを有し、 前記第１および第２のワイヤ・メッシュと、前記内側ワ
イヤ・メッシュとが、前記複数の実質的に共面の静電レ
ンズレットを画定しており、前記複数の実質的に共面の
静電レンズレットが、該複数の実質的に共面の静電レン
ズレットの各レンズレットそれぞれに近接する局所区域
に、実質的に四重極の電場パターンを発生する請求項１
から請求項４までのいずれか１項に記載のリソグラフィ
装置。 - 【請求項６】 前記第１の外側ワイヤ・メッシュが、そ
れぞれが長手方向軸を有する第１の複数の導電部材を備
え、前記第１の複数の導電部材が、全ての長手方向軸が
互いに実質的に平行になるように位置合わせされ、 前記第２の外側ワイヤ・メッシュが、それぞれが長手方
向軸を有する第２の複数の導電部材を備え、前記第２の
複数の導電部材が、前記第２の複数の導電部材の全ての
長手方向軸が互いに実質的に平行であり、且つ前記第１
の外側ワイヤ・メッシュの前記長手方向軸に実質的に平
行であるように位置合わせされており、 前記内側ワイヤ・メッシュが、それぞれが長手方向軸を
有する第３の複数の導電部材を備え、前記第３の複数の
導電部材が、前記第３の複数の導電部材の全ての長手方
向軸が互いに実質的に平行であり、且つ前記第１および
第２の外側ワイヤ・メッシュの前記長手方向軸に実質的
に垂直であるように位置合わせされている請求項５に記
載のリソグラフィ装置。 - 【請求項７】 前記第１および第２の外側ワイヤ・メッ
シュが接地されている請求項５または請求項６に記載の
リソグラフィ装置。 - 【請求項８】 前記内側ワイヤ・メッシュが負の電圧に
ある請求項７に記載のリソグラフィ装置。 - 【請求項９】 前記第１、第２、および第３の複数の導
電部材が、実質的に均一な幅および間隔を有する金属ワ
イヤである請求項６から請求項８までのいずれか１項に
記載のリソグラフィ装置。 - 【請求項１０】 前記第１の外側ワイヤ・メッシュと前
記内側ワイヤ・メッシュとの距離が、前記第２の外側ワ
イヤ・メッシュと前記内側ワイヤ・メッシュとの距離に
実質的に等しい請求項５から請求項９までのいずれか１
項に記載のリソグラフィ装置。 - 【請求項１１】 カソードと、 前記カソードに近接して配設されたアノードと、 前記カソードから放射されて前記アノードに向かって加
速される電子の経路内に配設された荷電粒子ビーム放射
制御装置とを有する、電子ビーム・リソグラフィ装置用
の電子源であって、 前記荷電粒子ビーム放射制御装置が複数の静電四重極レ
ンズレットを有することを特徴とする電子源。 - 【請求項１２】 実質的に平坦な形状を有する第１の外
側ワイヤ・メッシュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュに実質的に平行に配置された第２の外側ワイ
ヤ・メッシュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュと第２の外側ワイヤ・メッシュとの間に実質
的に平行に配置された内側ワイヤ・メッシュと、 前記内側ワイヤ・メッシュと前記第１の外側ワイヤ・メ
ッシュとの第１の電圧差が、前記内側ワイヤ・メッシュ
と前記第２の外側ワイヤ・メッシュとの第２の電圧差に
実質的に等しくなるように、前記内側ワイヤ・メッシ
ュ、前記第１の外側ワイヤ・メッシュ、および前記第２
の外側ワイヤ・メッシュのうちの少なくとも１つに接続
された電圧源とを有する荷電粒子ビーム放射制御装置に
おいて、 前記第１および第２のワイヤ・メッシュと、前記内側ワ
イヤ・メッシュとが、各レンズレットのそれぞれに近接
する局所区域に実質的に四重極の電場パターンを発生す
る複数の静電レンズレットを画定することを特徴とする
荷電粒子ビーム放射制御装置。 - 【請求項１３】 （ａ）放射線感光材料の層によって少
なくとも部分的に被覆された基板を提供するステップ
と、 （ｂ）荷電粒子の投影ビームを提供するステップと、 （ｃ）投影ビームをパターン付けするためにマスクを使
用するステップと、 （ｄ）前記パターン付けした放射線のビームを、前記放
射線感光材料層のターゲット部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法であって、 ステップ（ｃ）の前に、投影ビームが四重極静電場パタ
ーンのアレイを通ることを特徴とするデバイス製造方
法。 - 【請求項１４】 前記基板に到達する前に、前記マスク
を通過した複数の前記荷電粒子を集束させるステップ
と、 前記荷電粒子ビームのビーム軸線からの当該荷電粒子の
ずれに基づく前記集束ステップによって生ずる集束面
で、前記複数の前記荷電粒子を実質的にフィルタするス
テップと、 前記マスクのフィルタされた像を前記基板上に投影する
ステップとをさらに含む請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記荷電粒子ビームが電子ビームであ
る請求項１３または請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 四重極静電場パターンの前記アレイ
が、前記荷電粒子ビームのビーム軸線に実質的に垂直に
配置された、実質的に共面の静電レンズレット・アレイ
である請求項１３から請求項１５までのいずれか１項に
記載の方法。 - 【請求項１７】 前記実質的に共面の静電レンズレット
・アレイが、前記荷電粒子ビーム内に配設されたワイヤ
・メッシュ・アセンブリを備え、前記ワイヤ・メッシュ
・アセンブリが、第１の外側ワイヤ・メッシュと第２の
外側ワイヤ・メッシュとの間に配置された内側ワイヤ・
メッシュを備える請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 集積デバイスの製造において荷電粒子
ビームの放射を制御する方法であって、 荷電粒子ビームを発生するステップと、 前記荷電粒子ビームを四重極静電場パターンのアレイを
通すステップと、を含む制御方法。 - 【請求項１９】 カソードと、 前記カソードに近接して配設されたアノードと、 前記アノードと前記カソードとの間に配設されたビーム
制御装置とを有する荷電粒子ビーム源および制御装置に
おいて、 前記ビーム制御装置が、 実質的に平坦な形状を有する第１の外側ワイヤ・メッシ
ュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュに実質的に平行に配置された第２の外側ワイ
ヤ・メッシュと、 実質的に平坦な形状を有し、且つ前記第１の外側ワイヤ
・メッシュと第２の外側ワイヤ・メッシュとの間に実質
的に平行に配置された内側ワイヤ・メッシュとを備え、 前記ワイヤ・メッシュがそれぞれ、離隔された複数の平
行ワイヤを備え、前記第１の外側ワイヤ・メッシュの前
記平行ワイヤと前記第２の外側ワイヤ・メッシュの前記
平行ワイヤとが第１の軸線方向に延び、前記内側ワイヤ
・メッシュの前記平行ワイヤが、前記第１の軸線方向に
実質的に垂直な第２の軸線方向に延び、 前記第１および第２の外側ワイヤ・メッシュが第１の電
位にあり、前記内側ワイヤ・メッシュが、前記第１の電
位とは異なる第２の電位にあることを特徴とする荷電粒
子ビーム源および制御装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/580,530 US6333508B1 (en) | 1999-10-07 | 2000-05-30 | Illumination system for electron beam lithography tool |
| US580530 | 2000-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033275A true JP2002033275A (ja) | 2002-01-31 |
| JP4416962B2 JP4416962B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=24321471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001158456A Expired - Lifetime JP4416962B2 (ja) | 2000-05-30 | 2001-05-28 | 荷電粒子リソグラフィ装置用の照明システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6333508B1 (ja) |
| EP (1) | EP1160824B1 (ja) |
| JP (1) | JP4416962B2 (ja) |
| KR (1) | KR100597037B1 (ja) |
| DE (1) | DE60140918D1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011071280A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 |
| US8841866B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-09-23 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
| US8896239B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-11-25 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam injection method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
| US8901509B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-12-02 | Vladimir Yegorovich Balakin | Multi-axis charged particle cancer therapy method and apparatus |
| US9058910B2 (en) | 2008-05-22 | 2015-06-16 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam acceleration method and apparatus as part of a charged particle cancer therapy system |
| JP2023138870A (ja) * | 2018-10-17 | 2023-10-02 | ケーエルエー コーポレイション | テレセントリック照明を有するマルチビーム電子特性評価ツール |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1105914B1 (en) * | 1999-06-22 | 2007-03-07 | Fei Company | Particle-optical apparatus including a particle source that can be switched between high brightness and large beam current |
| JP3348779B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | パターン露光マスク、パターン露光方法及び装置、回路製造方法及びシステム、マスク製造方法 |
| US7345290B2 (en) * | 1999-10-07 | 2008-03-18 | Agere Systems Inc | Lens array for electron beam lithography tool |
| US6528799B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-04 | Lucent Technologies, Inc. | Device and method for suppressing space charge induced aberrations in charged-particle projection lithography systems |
| US6822248B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | Spatial phase locking with shaped electron beam lithography |
| JP2002299207A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画装置 |
| KR20050044369A (ko) | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마스크없는 광자-전자 스팟-그리드 어레이 프린터 |
| JP2006502558A (ja) | 2001-11-07 | 2006-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 光学式スポット格子アレイ印刷装置 |
| US6822241B2 (en) | 2002-10-03 | 2004-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Emitter device with focusing columns |
| JP5053514B2 (ja) | 2002-10-30 | 2012-10-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 電子ビーム露光システム |
| US7057353B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-06-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic device with wide lens for small emission spot size |
| US7816655B1 (en) | 2004-05-21 | 2010-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reflective electron patterning device and method of using same |
| US6870172B1 (en) | 2004-05-21 | 2005-03-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Maskless reflection electron beam projection lithography |
| US7456491B2 (en) * | 2004-07-23 | 2008-11-25 | Pilla Subrahmanyam V S | Large area electron emission system for application in mask-based lithography, maskless lithography II and microscopy |
| DE102004048892A1 (de) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Korpuskularstrahleinrichtung und Verfahren zur Beleuchtung mit einem Korpuskularstrahl |
| KR100702479B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-04-03 | 한국원자력연구소 | 회전형 슬릿을 이용한 단일 스캔 빔 에미턴스 측정기 |
| US7358512B1 (en) | 2006-03-28 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator for controllably reflecting charged-particles |
| US20070228922A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Mamora Nakasuji | Electron gun and electron beam apparatus field of invention |
| US7928381B1 (en) * | 2006-05-19 | 2011-04-19 | Apparati, Inc. | Coaxial charged particle energy analyzer |
| US7692167B1 (en) | 2006-10-26 | 2010-04-06 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High-fidelity reflection electron beam lithography |
| US7566882B1 (en) | 2006-12-14 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reflection lithography using rotating platter |
| EP1975972A3 (de) * | 2007-03-29 | 2010-06-23 | Osram Gesellschaft mit Beschränkter Haftung | Elektrische Lampe mit einer Laserstrukturierten Metalleinschmelzung |
| US7755061B2 (en) * | 2007-11-07 | 2010-07-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
| US9040942B1 (en) | 2008-01-11 | 2015-05-26 | Kla-Tencor Corporation | Electron beam lithography with linear column array and rotary stage |
| US8253119B1 (en) | 2009-07-27 | 2012-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Well-based dynamic pattern generator |
| US8089051B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Electron reflector with multiple reflective modes |
| US8373144B1 (en) | 2010-08-31 | 2013-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Quasi-annular reflective electron patterning device |
| JP6462720B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2019-01-30 | インテル・コーポレーション | 電子ビームの３ビームアパーチャアレイ |
| WO2015191104A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Intel Corporation | Ebeam staggered beam aperture array |
| US10216087B2 (en) | 2014-06-13 | 2019-02-26 | Intel Corporation | Ebeam universal cutter |
| JP6779788B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2020-11-04 | インテル・コーポレーション | リアルタイムアラインメント方法、カラム、コンピュータプログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
| DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018202428B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| WO2019166331A2 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle beam system and method |
| US10811215B2 (en) | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
| DE102018115012A1 (de) | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| DE102018007455B4 (de) | 2018-09-21 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt |
| DE102018007652B4 (de) | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
| DE102018124044B3 (de) | 2018-09-28 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018124219A1 (de) | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
| US10573481B1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-02-25 | Nuflare Technology, Inc. | Electron guns for electron beam tools |
| CN111477530B (zh) | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
| TWI743626B (zh) | 2019-01-24 | 2021-10-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品 |
| DE102019004124B4 (de) | 2019-06-13 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System |
| DE102019005362A1 (de) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem |
| KR102610829B1 (ko) | 2019-09-30 | 2023-12-07 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 화소센싱회로 |
| DE102019008249B3 (de) | 2019-11-27 | 2020-11-19 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System mit einer Multistrahl-Ablenkeinrichtung und einem Strahlfänger, Verfahren zum Betreiben des Teilchenstrahl-Systems und zugehöriges Computerprogrammprodukt |
| JP7406642B2 (ja) | 2020-02-04 | 2023-12-27 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | マルチビームデジタル走査及び画像取得 |
| TW202220012A (zh) | 2020-09-30 | 2022-05-16 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 在可調工作距離附近具快速自動對焦之多重粒子束顯微鏡及相關方法 |
| DE102021200799B3 (de) | 2021-01-29 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop |
| DE102021116969B3 (de) | 2021-07-01 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion |
| US11651934B2 (en) | 2021-09-30 | 2023-05-16 | Kla Corporation | Systems and methods of creating multiple electron beams |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258246A (en) | 1989-08-07 | 1993-11-02 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5260151A (en) | 1991-12-30 | 1993-11-09 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving step-and-scan delineation |
| JPH08124834A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写装置 |
| US7345290B2 (en) * | 1999-10-07 | 2008-03-18 | Agere Systems Inc | Lens array for electron beam lithography tool |
-
2000
- 2000-05-30 US US09/580,530 patent/US6333508B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-25 DE DE60140918T patent/DE60140918D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-25 EP EP01304634A patent/EP1160824B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-28 JP JP2001158456A patent/JP4416962B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-28 KR KR1020010029472A patent/KR100597037B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8841866B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-09-23 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
| US8896239B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-11-25 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam injection method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
| US8901509B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-12-02 | Vladimir Yegorovich Balakin | Multi-axis charged particle cancer therapy method and apparatus |
| US9058910B2 (en) | 2008-05-22 | 2015-06-16 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam acceleration method and apparatus as part of a charged particle cancer therapy system |
| JP2011071280A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 |
| JP2023138870A (ja) * | 2018-10-17 | 2023-10-02 | ケーエルエー コーポレイション | テレセントリック照明を有するマルチビーム電子特性評価ツール |
| JP7587649B2 (ja) | 2018-10-17 | 2024-11-20 | ケーエルエー コーポレイション | テレセントリック照明を有するマルチビーム電子特性評価ツール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1160824A3 (en) | 2004-12-15 |
| JP4416962B2 (ja) | 2010-02-17 |
| EP1160824B1 (en) | 2009-12-30 |
| US6333508B1 (en) | 2001-12-25 |
| KR20010109127A (ko) | 2001-12-08 |
| DE60140918D1 (de) | 2010-02-11 |
| KR100597037B1 (ko) | 2006-07-04 |
| EP1160824A2 (en) | 2001-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4416962B2 (ja) | 荷電粒子リソグラフィ装置用の照明システム | |
| JP4835897B2 (ja) | 帯電粒子マルチビーム露光装置 | |
| JP2002541623A (ja) | 高速大規模並列マスクレスデジタル電子ビーム直接描画リソグラフィおよび走査型電子顕微鏡のための静電集束アドレス可能電界放出アレイチップ（ＡＦＥＡ’ｓ） | |
| JP3492977B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP3986792B2 (ja) | 荷電粒子投射リソグラフィ・システムにおける空間電荷に起因する収差を抑制する装置 | |
| US6326633B2 (en) | Device fabrication methods using charged-particle-beam image-transfer apparatus exhibiting reduced space-charge effects | |
| JP2000285840A (ja) | 電子銃および電子銃を用いた描画装置および電子線応用装置 | |
| KR100757215B1 (ko) | 전자빔 리소그라피 도구용 조명 시스템 | |
| JP2002343714A (ja) | 粒子光学レンズ構成およびこのレンズ構成を用いた素子製造方法 | |
| JP2003045789A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
| WO2000075954A2 (en) | Apparatus and method for forming a charged particle beam of arbitrary shape | |
| KR100850034B1 (ko) | 리소그래피 툴용 전자 에미터 | |
| KR100582813B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 집적 전자 회로 제조 방법 | |
| KR20010031926A (ko) | 충전 입자를 활용하는 투사형 리소그래피 장치 | |
| JP2001007010A (ja) | 荷電粒子線転写装置及びこれを用いるデバイス製造方法 | |
| JPH10214778A (ja) | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 | |
| JP2000067792A (ja) | 荷電粒子線露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070115 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070308 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070313 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070521 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090814 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091013 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091119 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4416962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |