JP2002032256A

JP2002032256A - Terminal device

Info

Publication number: JP2002032256A
Application number: JP2000218536A
Authority: JP
Inventors: Hideki Kanegae; 秀樹鐘ケ江
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-07-19
Filing date: 2000-07-19
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上の特定の領域
に書換えが集中するのを防ぎ、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリ全体に書換え頻度を分散させることができ、また書
換えが発生した際には、ブロックの書換え回数を極力減
少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向上で
きる端末装置を提供すること。【解決手段】論理セクタ番号をＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ペー
ジ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段７と、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態を管理するブロック状態管理手段８と、不良ブロック
管理手段９と、ブロック内の不要なデータを一定のタイ
ミングで消去するガーベッジコレクション手段１０とを
備え、ブロック内の不要なデータを消去するようにガー
ベッジコレクション手段を構成する。 (57) [Summary] [PROBLEMS] To prevent rewriting from concentrating on a specific area on a NAND flash memory, disperse the rewriting frequency over the entire NAND flash memory, and when rewriting occurs, And a terminal device capable of reducing the number of times of block rewriting as much as possible and improving the processing speed relating to data rewriting of a product. SOLUTION: A mapping management means 7 for converting a logical sector number into a physical sector number which is a sequential number assigned to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit (page),
The ND type flash memory includes a block state management unit 8 that manages a state of a block, which is an erase unit, a bad block management unit 9, and a garbage collection unit 10 that erases unnecessary data in the block at a predetermined timing. The garbage collection means is configured to erase unnecessary data in the block.

Description

DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリを搭載した端末装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a terminal device equipped with a NAND flash memory.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、端末装置の記憶装置としてフラッ
シュメモリの一種であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリが
注目を集めている。2. Description of the Related Art In recent years, a NAND flash memory, which is a kind of flash memory, has attracted attention as a storage device of a terminal device.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリはデータの上書きが不可能であり、データ書換え
の際にはブロックと呼ばれる単位で一括消去した上で、
変更したデータを再度書き込みしなければならないとい
う特徴がある。また、ブロックの消去保証回数の制限
（一般的には１００万回）があり、これを上回ると、不
良ブロックと呼ばれる、データへのアクセスが不可能と
なるブロックに変化してしまう特性も存在する。そのた
め、データ管理用としてＦＡＴ（ＦｉｌｅＡｌｌｏｃ
ａｔｉｏｎＴａｂｌｅ）ファイルシステムなどの一般的
なファイルシステムを用いた場合、ファイルの管理領域
などのある一部の領域に対する書換えが頻繁に発生して
しまい、その結果、書換えが集中したブロックのみがい
ち早く消去保証回数に達し、製品寿命が短くなってしま
う。また、ブロック消去には非常に長い処理時間が必要
であるため、データの変更ごとにブロック消去を実行し
ていると、製品のデータ書換えに関する処理速度が悪化
してしまう。In a NAND flash memory, data cannot be overwritten. When data is rewritten, data is collectively erased in units called blocks.
There is a feature that changed data must be written again. In addition, there is a limit on the number of guaranteed erasures of a block (generally 1 million times). If the number is exceeded, there is a characteristic that the block is changed to a block called a bad block, in which data cannot be accessed. . Therefore, FAT (File Alloc) is used for data management.
When a general file system such as a file system is used, rewriting of a certain area such as a file management area frequently occurs, and as a result, only blocks in which rewriting is concentrated are quickly erase-guaranteed. The number of times is reached and the product life is shortened. In addition, since a very long processing time is required for block erasure, if block erasure is performed every time data is changed, the processing speed related to data rewriting of a product deteriorates.

【０００４】そこで本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供することを目的とす
る。また、書換えが発生した際には、そのブロック内の
空き領域に逐次データを書き込むことにより、ブロック
の書換え回数を極力減少させ、製品のデータ書換えに関
する処理速度を向上させることができる端末装置を提供
することを目的とする。Accordingly, the present invention prevents a rewrite from being concentrated on a specific area on a NAND flash memory in a terminal device equipped with the NAND flash memory.
It is an object of the present invention to provide a terminal device capable of dispersing the rewriting frequency over the entire NAND flash memory. Also, when a rewrite occurs, a terminal device is provided which can sequentially reduce the number of rewrites of a block by writing data sequentially to an empty area in the block and improve the processing speed related to data rewrite of a product. The purpose is to do.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、ＦＡＴファイ
ルシステムなどの一般的なファイルシステムがデータア
クセスの際に用いるデータの単位を論理セクタ番号を、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対し
て書き込み単位ごとに割り振られたシーケンシャルな番
号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段
と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロ
ックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、システムがアイドルの
間にブロック内の不要なデータを消去するようにガーベ
ッジコレクション手段を構成することにより、システム
使用中の負荷を削減するようにした。According to the present invention, a unit of data used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is a logical sector number.
Mapping management means for converting a data storage area on the NAND flash memory into a physical sector number which is a sequential number assigned for each writing unit; and a state of a block which is an erasing unit of the NAND flash memory, that is, in the block Block status management means for managing the status such as the number of free sectors in each sector and whether each sector holds valid data, bad block management means for managing inaccessible bad blocks, and unnecessary data in the blocks Garbage collection means for erasing the terminal at a fixed timing, and a control device comprising a program, a processor, and the like, and having a control means for controlling the behavior of the entire terminal device. Garbage collection to erase data By configuring the stage, and so as to reduce the load on the system used.

【０００６】本発明によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリを搭載した端末装置において、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散さ
せることができる端末装置を提供できる。また、書換え
が発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デ
ータを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極
力減少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向
上させることができる端末装置を提供できる。According to the present invention, in a terminal device equipped with a NAND flash memory, rewriting is prevented from being concentrated on a specific area on the NAND flash memory.
It is possible to provide a terminal device capable of distributing the rewriting frequency throughout the NAND flash memory. Also, when a rewrite occurs, a terminal device is provided which can sequentially reduce the number of rewrites of a block by writing data sequentially to an empty area in the block and improve the processing speed related to data rewrite of a product. it can.

【０００７】[0007]

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、ＦＡＴ
ファイルシステムなどの一般的なファイルシステムがデ
ータアクセスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込
み単位（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな
番号である物理セクタ番号に変換するマッピング管理手
段と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブ
ロックの状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物
理セクタが有効なデータを保持しているかどうかなどの
状態を管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可
能な不良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、
ブロック内の不要なデータを一定のタイミングで消去す
るガーベッジコレクション手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有する端末装置であって、システムがアイ
ドルの間にブロック内の不要なデータを消去するように
ガーベッジコレクション手段を構成することにより、シ
ステム使用中の負荷を極力削減することが可能となる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A logical sector number used by a general file system such as a file system at the time of data access is set to NAND.
Management means for converting a data storage area on the flash memory into a physical sector number which is a sequential number allocated for each writing unit (page), and a state of a block which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, Block state management means for managing states such as the number of empty sectors in the block and whether each physical sector holds valid data; bad block management means for managing inaccessible bad blocks;
A terminal device comprising a garbage collection unit for erasing unnecessary data in a block at a fixed timing, and a control unit configured of a program, a processor, and the like, and controlling a behavior of the entire terminal device. By configuring the garbage collection means so that unnecessary data in the block is erased, the load during use of the system can be reduced as much as possible.

【０００８】請求項２に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリ内の空きブロックに変
更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレクション手
段を構成することにより、毎回ガーベッジコレクション
が発生することを避けることが可能となる。According to a second aspect of the present invention, a logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is written into a data storage area on a NAND flash memory in a unit of writing (page). ) A mapping management means for converting to a physical sector number, which is a sequential number assigned to each
Block state management means for managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of empty sectors in the block and whether or not each physical sector holds valid data; A terminal having a bad block management unit for managing a block, a garbage collection unit for erasing unnecessary data in the block at a fixed timing, and a control unit configured by a program, a processor, and the like, and controlling the behavior of the entire terminal device. When valid data in a block that requires garbage collection exists above a specified value in a device, a garbage collection unit that writes a changed physical sector to a free block in a flash memory is configured each time. That garbage collection occurs You can kick it to become.

【０００９】請求項３に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、プログラムやプロセッサ等
で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手
段とを有する端末装置であって、ガーベッジコレクショ
ンが必要なブロック内の有効なデータがある規定値以上
存在する場合、フラッシュメモリに空きブロックが存在
する際にはその空きブロックに、また空きブロックが存
在しない場合には書き込みセクタ数が最小のブロックに
対して、変更後の物理セクタを書きこむガーベッジコレ
クション手段を構成することにより、毎回ガーベッジコ
レクションが発生することを極力避けることが可能とな
る。According to a third aspect of the present invention, a logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is written to a data storage area on a NAND flash memory in a unit of writing (page). ) A mapping management means for converting to a physical sector number, which is a sequential number assigned to each
Block state management means for managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of empty sectors in the block and whether or not each physical sector holds valid data; A terminal having a bad block management unit for managing a block, a garbage collection unit for erasing unnecessary data in the block at a fixed timing, and a control unit configured by a program, a processor, and the like, and controlling the behavior of the entire terminal device. If the device has valid data in a block requiring garbage collection exceeding a certain specified value, if there is an empty block in the flash memory, the empty block is used. For the block with the smallest number of write sectors, By configuring the garbage collection means to write the management sector, it is possible to avoid as much as possible that every time garbage collection occurs.

【００１０】請求項４に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、プログラムやプロセッサ等で
構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段
とを有することにより、ガーベッジコレクションの際は
消去回数が最小のブロックを用いることで、ブロックの
消去回数を平均化するものであり、ガーベッジコレクシ
ョンの際は、ガーベッジコレクションの対象となったブ
ロックの消去回数が予め設定された規定値以上になった
場合に、消去回数が最小のブロックを用いることで、ブ
ロックの消去回数を平均化することが可能となる。According to a fourth aspect of the present invention, a logical sector number used when a general file system such as a FAT file system accesses data is written to a data storage area on a NAND flash memory in a unit of writing (page). ) A mapping management means for converting to a physical sector number, which is a sequential number assigned to each
Block state management means for managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of empty sectors in the block and whether or not each physical sector holds valid data; A terminal comprising: a bad block management unit for managing a block; a garbage collection unit for erasing unnecessary data in the block at a fixed timing; an erasure number management unit for managing the number of erasures of the block; By having control means for controlling the behavior of the entire apparatus, the number of erasures of blocks is averaged by using a block having the smallest number of erasures during garbage collection, and garbage collection is performed at the time of garbage collection. Number of erases of blocks targeted for collection If it becomes more than a preset specified value, the erase count by using the minimum of the block, it is possible to average the erase count block.

【００１１】請求項５に記載の発明は、ＦＡＴファイル
システムなどの一般的なファイルシステムがデータアク
セスの際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位
（ページ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号で
ある物理セクタ番号に変換するマッピング管理手段と、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロック
の状態すなわちブロック内の空きセクタ数や各物理セク
タが有効なデータを保持しているかどうかなどの状態を
管理するブロック状態管理手段と、アクセス不可能な不
良ブロックを管理する不良ブロック管理手段と、ブロッ
ク内の不要なデータを一定のタイミングで消去するガー
ベッジコレクション手段と、ブロックの消去回数を管理
する消去回数管理手段と、論理セクタの書換え回数をカ
ウントする書換え回数管理手段と、プログラムやプロセ
ッサ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する
制御手段とを有することにより、ガーベッジコレクショ
ンの際に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多い
ブロックに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の
少ないブロックに配置することで、ブロックの消去回数
を平均化するものであり、ガーベッジコレクションの際
に書換え頻度の低い論理セクタは消去回数の多いブロッ
クに、書換え頻度の高い論理セクタは消去回数の少ない
ブロックに配置することで、ブロックの消去回数を平均
化することが可能となる。According to a fifth aspect of the present invention, a logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is written into a data storage area on a NAND flash memory in a unit of writing (page). ) A mapping management means for converting to a physical sector number, which is a sequential number assigned to each
Block state management means for managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of empty sectors in the block and whether or not each physical sector holds valid data; Bad block management means for managing blocks, garbage collection means for erasing unnecessary data in blocks at a certain timing, erasure number management means for managing the number of erasures of blocks, and rewriting for counting the number of rewriting of logical sectors By having the number-of-times management means and the control means configured with a program, a processor, and the like and controlling the behavior of the entire terminal device, a logical sector having a low rewriting frequency at the time of garbage collection is replaced with a block having a high rewriting frequency by a block having a high rewriting frequency Logical sectors with higher number of erases This means that the number of erasures of the block is averaged, and logical sectors with low rewrite frequency are placed in blocks with high erase frequency and logical sectors with high rewrite frequency in blocks with low erase frequency during garbage collection. By doing so, it becomes possible to average the number of times of erasure of the block.

【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、アクセス頻度の多い管理領域をＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリと比較してアクセススピードの速い揮発性メモ
リ上に保持することが可能となり、製品のデータ書換え
に関する処理速度が向上する。According to a sixth aspect of the present invention, in the terminal device according to the first to third aspects, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means are stored in the NAND flash memory. By storing them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after turning on the power, a management area having a high access frequency is compared with a NAND flash memory to improve an access speed. The data can be stored on the volatile memory at high speed, and the processing speed for data rewriting of the product is improved.

【００１３】請求項７に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭ
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成する
ことにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を
高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速
度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの
使用効率が向上する。According to a seventh aspect of the present invention, in the terminal device according to the first to third aspects, data required for generating the mapping management means and the block state management means is stored in a redundant cell array of a NAND flash memory called a redundant cell array. And store them in RAM when the system is initialized after turning on the power.
By increasing the efficiency of use of the NAND flash memory by generating the data on the storage means constituted by a volatile memory such as a flash memory, the processing speed for rewriting data of the product is improved, and the use efficiency of the NAND flash memory is improved. Is improved.

【００１４】請求項８に記載の発明は、請求項１〜３に
記載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ等）上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。According to an eighth aspect of the present invention, in the terminal device according to the first to third aspects, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means is stored in a memory other than the NAND flash memory. By storing them on a non-volatile memory (for example, a NOR flash memory for storing programs), and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. It improves the processing speed and the efficiency of use of the NAND flash memory.
The use efficiency of the AND type flash memory is improved.

【００１５】請求項９に記載の発明は、請求項４に記載
の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲ
ＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
することにより、処理速度を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上する。According to a ninth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fourth aspect, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, the bad block management means, and the erase count management means is stored in a NAND flash memory. Store them in memory and store them in R during system initialization after power-on.
The processing speed is increased by generating the data on a storage unit including a volatile memory such as an AM, and the processing speed for rewriting data of a product is improved.

【００１６】請求項１０に記載の発明は、請求項４に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの使用効率を高めるものであり、製品の
データ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。According to a tenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fourth aspect, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the erase count management means are stored in a redundant cell array of a NAND flash memory. By increasing the processing speed and the use efficiency of the NAND flash memory by storing them in a redundant section called a redundant section and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. And the processing speed for data rewriting of the product is improved,
The use efficiency of the AND type flash memory is improved.

【００１７】請求項１１に記載の発明は、請求項４に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモリ（例えばプログラム
格納用のＮＯＲ型フラッシュメモリ等）上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成することによ
り、処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率
を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理
速度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の使用効率が向上する。According to an eleventh aspect of the present invention, in the terminal device according to the fourth aspect, data required for generating the mapping management means, the block state management means, the bad block management means, and the erase count management means are stored in a NAND type. It is stored in a non-volatile memory other than a flash memory or a DRAM (for example, a NOR type flash memory for storing a program) and is stored on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM when the system is initialized after power is turned on. By generating, the processing speed and the use efficiency of the NAND flash memory are increased, and the processing speed related to data rewriting of the product is improved, and at the same time, the use efficiency of the NAND flash memory is improved.

【００１８】請求項１２に記載の発明は、請求項１０に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率
が向上する。According to a twelfth aspect of the present invention, in the terminal device according to the tenth aspect, data required for generating the erase count managing means is not stored in the NAND flash memory but the system is initialized after power is turned on. The efficiency of use of the NAND flash memory is increased by generating the information on the storage memory composed of a volatile memory such as a RAM every time, thereby improving the efficiency of use of the NAND flash memory.

【００１９】請求項１３に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成することにより、処理速度を高
めるものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度
が向上する。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fifth aspect, it is necessary to generate mapping management means, block state management means, bad block management means, erase count management means, and rewrite count management means. NAN data
The processing speed is increased by storing the data on a D-type flash memory and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after turning on the power, thereby rewriting data of the product. Processing speed is improved.

【００２０】請求項１４に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成することにより、処
理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率を高め
るものであり、製品のデータ書換えに関する処理速度が
向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用
効率が向上する。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fifth aspect, data necessary for generation of the mapping management means, the block state management means, the erasure count management means, and the rewrite count management means are stored in a NAND type. By storing them in a redundant section called a redundant cell array of a flash memory and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on, the processing speed and the NAND flash memory The use efficiency is improved, and the processing speed related to data rewriting of the product is improved, and at the same time, the use efficiency of the NAND flash memory is improved.

【００２１】請求項１５に記載の発明は、請求項５に記
載の端末装置において、マッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモ
リ上（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュメ
モリ等）に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成することにより、処理速度とＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリの使用効率を高めるものであり、製品のデー
タ書換えに関する処理速度が向上すると同時に、ＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリの使用効率が向上する。According to a fifteenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fifth aspect, it is necessary to generate mapping management means, block state management means, bad block management means, erase count management means, and rewrite count management means. Data
Storage means for storing on a non-volatile memory other than an ND type flash memory or a DRAM (for example, a NOR type flash memory for storing a program), and by using a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. By generating the above data, the processing speed and the use efficiency of the NAND flash memory are improved.
The use efficiency of the D-type flash memory is improved.

【００２２】請求項１６に記載の発明は、請求項１４に
記載の端末装置において、消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成すること
により、処理速度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用
効率を高めるものであり、製品のデータ書換えに関する
処理速度が向上すると同時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの使用効率が向上する。According to a sixteenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fourteenth aspect, data required for generation of the number-of-erases management means is not stored in the NAND flash memory, and system initialization after power-on is performed. The processing speed and the use efficiency of the NAND flash memory are improved by generating the data on a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM at each time. The use efficiency of the flash memory is improved.

【００２３】請求項１７に記載の発明は、請求項１４に
記載の端末装置において、書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回ＲＡＭなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成するこ
とにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの使用効率が向
上する。According to a seventeenth aspect of the present invention, in the terminal device according to the fourteenth aspect, data required for generating the rewrite number management means is not stored in the NAND flash memory, but the system is initialized after power is turned on. Occasionally, the efficiency of use of the NAND flash memory is improved by generating the data on the storage memory including the volatile memory such as the RAM each time.

【００２４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１〜１７におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構
成図であって、一般的なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを
示すものである。１はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全
体、２はＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去単位
であるブロック、３はアクセスが不可能な不良ブロッ
ク、４はデータの書き込み単位であるページ（セク
タ）、５はページ内の実データが書き込まれる部分であ
るデータ部、６はエラー訂正符号等が格納される冗長セ
ルアレイである。(Embodiment 1) FIG. 1 is a configuration diagram of a NAND flash memory according to Embodiments 1 to 17 of the present invention, and shows a general NAND flash memory. 1 is the entire NAND flash memory, 2 is a block which is a data erase unit of the NAND flash memory, 3 is an inaccessible defective block, 4 is a page (sector) which is a data write unit, and 5 is a page in the page. A data portion 6 where the actual data is written is a redundant cell array for storing an error correction code and the like.

【００２５】図２は本発明の実施の形態１〜３における
端末装置の機能ブロック図である。７はＦＡＴ（Ｆｉｌ
ｅＡｌｌｏｃａｔｉｏｎＴａｂｌｅ）ファイルシス
テムなどの一般的なファイルシステムがデータアクセス
の際に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ペー
ジ）ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物
理セクタ番号に変換するマッピング管理手段、８はＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状
態（ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効な
データを保持しているかどうかなど）を管理するブロッ
ク状態管理手段、９は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、１０はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、１１はプログラムやプロセッサ等で構成され、
端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段である。FIG. 2 is a functional block diagram of the terminal device according to the first to third embodiments of the present invention. 7 is FAT (Fil
e Allocation Table) A sequential number assigned to a data storage area on a NAND flash memory for each write unit (page) in a logical sector number used by a general file system such as a file system for data access. Mapping management means for converting to a physical sector number
A block state management unit that manages the state of a block, which is an erase unit of the ND type flash memory (the number of empty sectors in the block, whether each physical sector holds valid data, and the like), and 9 an impossible bad block Garbage collection means for erasing unnecessary data in a block at a fixed timing, 11 comprises a program, a processor, etc.
Control means for controlling the behavior of the entire terminal device.

【００２６】図３は本発明の実施の形態１〜１７におけ
る端末装置のハードウェア構成を示す装置ブロック図で
ある。入力デバイス１２は、ペンやマウス等のポインテ
ィングデバイスや、キーボード、テンキー等を使用した
ユーザによるデータの入力を可能にするものである。出
力デバイス１３はＬＣＤやディスプレイ等で構成され、
文字や図形等のデータの表示を行う。ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリ１４はユーザデータや工場設定値等の不揮発
性データが格納される。また、それに加えて中央処理装
置１５によって処理実行されるプログラムが格納される
場合もある。プログラム格納メモリ１６は各種リードオ
ンリメモリやＮＯＲ型フラッシュメモリ等で構成され、
端末装置起動時のハードウェア初期化プログラムである
ブートプログラム等が格納される。ランダムアクセスメ
モリ１７には入力装置から読み込んだデータや、プログ
ラムの実行によって作成されるデータ等が格納される。
また、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１４に格納され
ているプログラムが実行処理のために、ランダムアクセ
スメモリ１７上に展開される場合もある。FIG. 3 is a device block diagram showing a hardware configuration of the terminal device according to Embodiments 1 to 17 of the present invention. The input device 12 enables a user to input data using a pointing device such as a pen or a mouse, a keyboard, a numeric keypad, or the like. The output device 13 includes an LCD, a display, and the like.
Displays data such as characters and figures. The NAND flash memory 14 stores nonvolatile data such as user data and factory setting values. In addition, a program executed by the central processing unit 15 may be stored in addition to the above. The program storage memory 16 is composed of various read only memories, NOR type flash memories, etc.
A boot program, which is a hardware initialization program at the time of starting the terminal device, is stored. The random access memory 17 stores data read from an input device, data created by executing a program, and the like.
Further, the program stored in the NAND flash memory 14 may be loaded on the random access memory 17 for execution processing.

【００２７】以下、本発明の実施の形態１の動作につい
て説明する。図４は本発明の実施の形態１〜１７におけ
るデータリード手順を示すフローチャート、図５は本発
明の実施の形態１〜１７におけるデータライト手順を示
すフローチャート、図６は本発明の実施の形態１におけ
るガーベッジコレクション手順を示すフローチャートで
ある。Hereinafter, the operation of the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a flowchart showing a data read procedure in the first to 17th embodiments of the present invention, FIG. 5 is a flowchart showing a data write procedure in the first to 17th embodiments of the present invention, and FIG. 6 is a first embodiment of the present invention. 6 is a flowchart showing a garbage collection procedure in FIG.

【００２８】図４は端末装置がＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリからデータをリードする手順である。ステップＳ１
では、論理セクタのリードが生じた場合、マッピング管
理手段７で実現されるマッピングテーブルを参照する。
ステップＳ２では、マッピングテーブルを参照すること
により、指定された論理セクタが格納されている物理セ
クタが存在しているかどうか判断する。もし存在してい
る場合はステップＳ３に進むが、そうでない場合はステ
ップＳ４に進み、エラーをセットして処理を終了する。FIG. 4 shows a procedure in which the terminal device reads data from the NAND flash memory. Step S1
Then, when a logical sector read occurs, the mapping table realized by the mapping management means 7 is referred to.
In step S2, by referring to the mapping table, it is determined whether there is a physical sector storing the specified logical sector. If it exists, the process proceeds to step S3; otherwise, the process proceeds to step S4, where an error is set and the process ends.

【００２９】図５は端末装置がＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリからデータをライトする手順である。論理セクタの
ライトが生じた場合、ステップＳ５では指定された論理
セクタが範囲内かどうかチェックする。論理セクタが範
囲内であればステップＳ６に進むが、そうでない場合は
ステップＳ７に進み、エラーをセットした後で処理を終
了する。FIG. 5 shows a procedure in which the terminal device writes data from the NAND flash memory. If a logical sector has been written, it is checked in step S5 whether the specified logical sector is within the range. If the logical sector is within the range, the process proceeds to step S6; otherwise, the process proceeds to step S7, where an error is set and the process ends.

【００３０】ステップＳ６では、指定された論理セクタ
に対応する物理セクタが、すでにマッピングテーブル内
に存在しているかどうか、すなわちデータの更新か、そ
れともデータの新規作成かを判定する。もし存在してい
る場合はステップＳ８に進み、そうでない場合はステッ
プＳ１７に進む。In step S6, it is determined whether a physical sector corresponding to the specified logical sector already exists in the mapping table, that is, whether data is to be updated or data is to be newly created. If it exists, the process proceeds to step S8; otherwise, the process proceeds to step S17.

【００３１】ステップＳ８では、マッピングテーブルを
参照し、対応する物理セクタ数取得する。ステップＳ９
では、ステップＳ８で取得した物理セクタ数から、その
物理セクタがどのブロックに存在するものなのか、ブロ
ックの特定を行う。ステップＳ１０では、特定されたブ
ロック内に空き物理セクタが存在するかどうか、ブロッ
ク状態管理手段８で実現されるブロック状態管理テーブ
ルの探索を行う。ステップＳ１１では、ステップＳ１０
の結果、空き物理セクタが存在するかどうかの判定を行
う。空き物理セクタが発見された場合にはステップＳ１
２に、そうでない場合にはステップＳ１３のガーベッジ
コレクション処理を実行する。In step S8, the corresponding physical sector number is obtained by referring to the mapping table. Step S9
Then, based on the number of physical sectors acquired in step S8, a block is specified which block the physical sector is in. In step S10, a search is made of a block state management table realized by the block state management means 8 to determine whether there is a free physical sector in the specified block. In step S11, step S10
As a result, it is determined whether or not there is a free physical sector. If a free physical sector is found, step S1
If not, the garbage collection process of step S13 is executed.

【００３２】ステップＳ１２では、発見された空き物理
セクタに、実際にデータを書きこむ。ステップＳ１４で
は、ブロック状態管理テーブル内の、前の物理セクタの
不要フラグをセットする。ステップＳ１５では、ブロッ
ク内の物理セクタの状態などを管理する、ブロック状態
管理テーブルの変更を行う。ステップＳ１６では、マッ
ピングテーブルの変更を行い、処理を終了する。In step S12, data is actually written in the found free physical sector. In step S14, the unnecessary flag of the previous physical sector in the block state management table is set. In step S15, the block status management table for managing the status of the physical sector in the block is changed. In step S16, the mapping table is changed, and the process ends.

【００３３】一方、ステップＳ１７では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ１８では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ２０に進み、空きブロックの物理セクタに対しデータ
の書込みを行う。空きブロックが発見されなかった場合
には、ステップＳ１９に進む。ステップＳ１９では、空
き物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップ
Ｓ２１では、空き物理セクタが存在するブロックが発見
されたかどうかの判定を、ブロック状態管理テーブルを
用いて行う。もし、空き物理セクタが存在するブロック
が発見された場合にはステップＳ２２にすすむが、そう
でない場合にはステップＳ２３に進み、エラーセット後
に処理を終了する。ステップＳ２２では、ブロック状態
管理テーブルにより、発見されたブロック内で空き物理
セクタを探索する。ステップＳ２４では、ステップＳ２
２で検出された空き物理セクタにデータの書込みを行
い、ステップＳ１５に進む。On the other hand, in step S17, a search is made for a free block in which no data has been written. In step S18, it is determined whether an empty block has been found. If an empty block is found, the process proceeds to step S20, and data is written to the physical sector of the empty block. If no empty block is found, the process proceeds to step S19. In step S19, a search is made for a block in which a free physical sector exists. In step S21, it is determined whether or not a block in which an empty physical sector exists is found using the block state management table. If a block in which a free physical sector exists is found, the process proceeds to step S22; otherwise, the process proceeds to step S23, and the process ends after an error set. In step S22, a free physical sector is searched for in the found block by using the block state management table. In step S24, step S2
The data is written to the free physical sector detected in step 2, and the process proceeds to step S15.

【００３４】図６はガーベッジコレクション処理の手順
である。ステップＳ２５は、システムがアイドル状態か
どうか判定する。もしアイドル状態であればステップＳ
２６に進むが、アイドル状態でなければ、ステップＳ２
５に戻り、システムがアイドル状態になるのを待つ。ス
テップＳ２６では、ブロック状態管理テーブルを参照
し、ガーベッジコレクションが行われるブロック内の物
理セクタのうち、不要フラグがセットされていないセク
タを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーす
る。ステップＳ２７では、必要に応じてＲＡＭのバッフ
ァの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クにデータを書きこむ。ステップＳ２８では、ガーベッ
ジコレクションの対象となったブロックをイレースす
る。ステップＳ２９では、マッピングテーブルの変更を
行う。FIG. 6 shows the procedure of the garbage collection process. A step S25 decides whether or not the system is in an idle state. If idle, step S
The process proceeds to step S2, but if not in the idle state, step S2
Return to step 5 and wait for the system to become idle. In step S26, by referring to the block state management table, among the physical sectors in the block where the garbage collection is performed, a sector in which the unnecessary flag is not set is detected, and the sector is copied to a buffer in the RAM. In step S27, after appropriately rewriting the contents of the RAM buffer as needed, the data is written into the replacement block for garbage collection on the NAND flash memory. In step S28, the block targeted for garbage collection is erased. In step S29, the mapping table is changed.

【００３５】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２を説明する。図７は本発明の実施の形態２における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップＳ３０では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ（不要フラグ
がセットされていない物理セクタ）が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップＳ３２へ、そうで
ない場合にはステップＳ３１へ進む。(Embodiment 2) Hereinafter, Embodiment 2 of the present invention will be described. FIG. 7 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to Embodiment 2 of the present invention. In step S30, it is determined whether or not valid physical sectors (physical sectors for which the unnecessary flag is not set) exist in the block targeted for garbage collection at a predetermined value or more. If the value is equal to or more than the specified value, the process proceeds to step S32;

【００３６】ステップＳ３１では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッフ
ァにコピーする。ステップＳ３３では、必要に応じてＲ
ＡＭのバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ３４で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップＳ３５では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。In step S31, the CPU refers to the block state management table, detects a sector in which the unnecessary flag is not set among the physical sectors in the block where the garbage collection is performed, and copies the sector to a buffer on the RAM. In step S33, R
After appropriately rewriting the contents of the AM buffer, the NAND
Writes data to the replacement block for garbage collection on the flash memory. In step S34, the block targeted for garbage collection is erased. In step S35, the mapping table is changed.

【００３７】一方、ステップＳ３２では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ３６では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ３７に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップＳ３１に進む。ステップＳ３７では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップＳ３８では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。On the other hand, in step S32, a search is made for a free block in which no data has been written. In step S36, it is determined whether an empty block has been found. If an empty block is found, the process proceeds to step S37. If no empty block is found, the process proceeds to step S31. In step S37, only the data to be written is written to the physical sector of the empty block. In step S38, the unnecessary flag of the physical sector in which this logical sector has been stored before is set.

【００３８】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３を説明する。図８は本発明の実施の形態３における
ガーベッジコレクション手順を示すフローチャートであ
る。ステップＳ３９では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロック内で有効な物理セクタ（不要フラグ
がセットされていない物理セクタ）が予め設定された規
定値以上存在しているかどうかを判断する。もし、規定
値以上存在している場合にはステップＳ４１へ、そうで
ない場合にはステップＳ４０へ進む。(Embodiment 3) Hereinafter, Embodiment 3 of the present invention will be described. FIG. 8 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to Embodiment 3 of the present invention. In step S39, it is determined whether or not valid physical sectors (physical sectors for which the unnecessary flag is not set) in the block targeted for garbage collection are equal to or greater than a preset specified value. If the value is equal to or more than the specified value, the process proceeds to step S41. Otherwise, the process proceeds to step S40.

【００３９】ステップＳ４０では、ブロック状態管理テ
ーブルを参照し、ガーベッジコレクションが行われるブ
ロック内の物理セクタのうち、不要フラグがセットされ
ていないセクタを検出、そのセクタをＲＡＭ上のバッフ
ァにコピーする。ステップＳ４２では、必要に応じてＲ
ＡＭのバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入
れ替えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ４３で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックを
イレースする。ステップＳ４４では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。In step S40, the CPU refers to the block state management table, detects a sector in which the unnecessary flag is not set among the physical sectors in the block where the garbage collection is performed, and copies the sector to a buffer on the RAM. In step S42, R
After appropriately rewriting the contents of the AM buffer, the NAND
Writes data to the replacement block for garbage collection on the flash memory. In step S43, the garbage collection target block is erased. In step S44, the mapping table is changed.

【００４０】一方、ステップＳ４１では、全くデータが
書き込まれていない空きブロックの探索を行う。ステッ
プＳ４５では、空きブロックが発見されたかどうかの判
定を行う。空きブロックが発見された場合にはステップ
Ｓ４６に進み、空きブロックが発見されなかった場合に
は、ステップＳ４７に進む。ステップＳ４６では、空き
ブロックの物理セクタに対して、書込み対象となってい
るデータのみを書きこむ。ステップＳ４８では、この論
理セクタが以前に格納されていた物理セクタの不要フラ
グをセットする。一方、ステップＳ４７では、書き込み
セクタ数が最小のブロックを探索する。ステップＳ４９
では、探索の結果、検出されたブロックに対して書き込
み対象となっているデータのみを書きこむ。On the other hand, in step S41, a search is made for a free block in which no data has been written. In step S45, it is determined whether an empty block has been found. If an empty block is found, the process proceeds to step S46. If no empty block is found, the process proceeds to step S47. In step S46, only the data to be written is written to the physical sector of the empty block. In step S48, the unnecessary flag of the physical sector in which this logical sector has been stored before is set. On the other hand, in step S47, a block with the minimum number of write sectors is searched. Step S49
Then, only the data to be written is written to the block detected as a result of the search.

【００４１】（実施の形態４）図９は本発明の実施の形
態４における端末装置の機能を示す機能ブロック図、図
１０は本発明の実施の形態４におけるガーベッジコレク
ション手順を示すフローチャートである。(Embodiment 4) FIG. 9 is a functional block diagram showing functions of a terminal device in Embodiment 4 of the present invention, and FIG. 10 is a flowchart showing a garbage collection procedure in Embodiment 4 of the present invention.

【００４２】図９において、１８はＦＡＴ（Ｆｉｌｅ
ＡｌｌｏｃａｔｉｏｎＴａｂｌｅ）ファイルシステム
などの一般的なファイルシステムがデータアクセスの際
に用いる論理セクタ番号を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リ上のデータ記憶領域に対して書き込み単位（ページ）
ごとに割り振られたシーケンシャルな番号である物理セ
クタ番号に変換するマッピング管理手段、１９はＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリの消去単位であるブロックの状態
（ブロック内の空きセクタ数や各物理セクタが有効なデ
ータを保持しているかどうかなど）を管理するブロック
状態管理手段、２０は不可能な不良ブロックを管理する
不良ブロック管理手段、２１はブロック内の不要なデー
タを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクショ
ン手段、２２は各ブロックの消去回数を管理する消去回
数管理手段、２３はプログラムやプロセッサ等で構成さ
れ、端末装置全体の振る舞いを制御する制御手段であ
る。In FIG. 9, reference numeral 18 denotes a FAT (File
Allocation Table) A logical sector number used by a general file system such as a file system at the time of data access is written to a data storage area on the NAND flash memory in units of writing (pages).
Mapping management means for converting to a physical sector number, which is a sequential number assigned to each
A block state management means for managing the state of a block as an erase unit of the D-type flash memory (such as the number of free sectors in the block and whether each physical sector holds valid data). , Garbage collection means for erasing unnecessary data in a block at a fixed timing, 22 erasing number managing means for managing the erasing number of each block, and 23 comprising a program or a processor. And control means for controlling the behavior of the entire terminal device.

【００４３】以下、本発明の実施の形態４の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図１０をもとに説明する。ステップＳ４５では、
ブロック状態管理テーブルを参照し、ガーベッジコレク
ションが行われるブロック内の物理セクタのうち、不要
フラグがセットされていないセクタを検出、そのセクタ
をＲＡＭ上のバッファにコピーする。ステップＳ４６で
は、必要に応じてＲＡＭのバッファの内容を適切に書き
換えた後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上のガーベッジ
コレクション用の入れ替えブロックにデータを書きこ
む。ステップＳ４７では、ガーベッジコレクションの対
象となったブロックをイレースする。ステップＳ４８で
は、ガーベッジコレクションの対象となったブロックの
消去回数をインクリメントする。ステップＳ４９では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックの消去
回数が、予め設定された規定値を上回ったかどうか判定
する。もし規定値以上である場合はステップＳ５０に進
み、そうでない場合はステップＳ５１に進む。検出され
たブロックに対して書き込み対象となっているデータの
みを書きこむ。ステップＳ５１では、マッピングテーブ
ルの変更を行う。Hereinafter, the operation of the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 which is a flowchart showing a garbage collection procedure. In step S45,
With reference to the block state management table, a sector in which an unnecessary flag is not set among physical sectors in a block where garbage collection is performed is detected, and the sector is copied to a buffer on a RAM. In step S46, after appropriately rewriting the contents of the buffer of the RAM as necessary, the data is written into the replacement block for garbage collection on the NAND flash memory. In step S47, the block targeted for garbage collection is erased. In step S48, the number of erasures of the block targeted for garbage collection is incremented. In step S49,
It is determined whether the number of erasures of the block targeted for garbage collection has exceeded a predetermined value. If the value is equal to or more than the specified value, the process proceeds to step S50; otherwise, the process proceeds to step S51. Only the data to be written is written to the detected block. In step S51, the mapping table is changed.

【００４４】一方、ステップＳ５０では消去回数管理手
段２２を用いて、消去回数が最低のブロックを探索す
る。ステップＳ５２では、ブロック状態管理テーブルを
参照し、消去回数が最低のブロック内の物理セクタのう
ち、不要フラグがセットされていないセクタを検出、そ
のセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーする。ステップ
Ｓ５３では、必要に応じてＲＡＭのバッファの内容を適
切に書き換えた後、ステップＳ４７においてイレースさ
れたブロックにデータを書きこむ。ステップＳ５４で
は、消去回数が最低のブロックのイレースを行い、この
ブロックをガーベッジコレクション用の入れ替えブロッ
クとする。ステップＳ５５では、このブロックの消去回
数をインクリメントする。On the other hand, in step S50, the block having the smallest number of erases is searched for using the erase number manager 22. In step S52, by referring to the block state management table, a sector in which the unnecessary flag is not set among the physical sectors in the block having the lowest number of erases is detected, and the sector is copied to a buffer in the RAM. In step S53, the contents of the RAM buffer are appropriately rewritten as necessary, and then data is written in the block erased in step S47. In step S54, the block having the lowest number of erases is erased, and this block is set as a replacement block for garbage collection. In step S55, the number of erasures of this block is incremented.

【００４５】（実施の形態５）図１１は本発明の実施の
形態５における端末装置の機能を示す機能ブロック図、
図１２は本発明の実施の形態５におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートである。(Embodiment 5) FIG. 11 is a functional block diagram showing functions of a terminal device according to Embodiment 5 of the present invention.
FIG. 12 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to Embodiment 5 of the present invention.

【００４６】２４はマッピング管理手段、２５はブロッ
ク状態管理手段、２６は不可能な不良ブロックを管理す
る不良ブロック管理手段、２７はブロック内の不要なデ
ータを一定のタイミングで消去するガーベッジコレクシ
ョン手段、２８は各ブロックの消去回数を管理する消去
回数管理手段、２９は各論理セクタの書換え回数を管理
する書換え回数管理手段、３０はプログラムやプロセッ
サ等で構成され、端末装置全体の振る舞いを制御する制
御手段である。24 is a mapping management means, 25 is a block state management means, 26 is a bad block management means for managing impossible bad blocks, 27 is a garbage collection means for erasing unnecessary data in the blocks at a certain timing, 28 is an erasure number management means for managing the number of erasures of each block, 29 is a rewrite number management means for managing the number of rewrites of each logical sector, 30 is a control comprising a program, a processor, etc., for controlling the behavior of the entire terminal device Means.

【００４７】以下、本発明の実施の形態５の動作につい
て、ガーベッジコレクション手順を示すフローチャート
である図１２をもとに説明する。ステップＳ５６では、
書換え回数管理手段２９により、対象となる論理セクタ
の書換え頻度が高いかどうかを判定する。書換え頻度が
高い場合にはステップＳ５７に進むが、そうでない場合
にはステップＳ５８に進む。ステップＳ５８では、対象
となる論理セクタの書換え頻度が低いかどうかを判定す
る。書換え頻度が低い場合にはステップＳ５９に進む
が、そうでない場合にはステップＳ６０に進む。ステッ
プＳ６０では、ブロック状態管理テーブルを参照し、ガ
ーベッジコレクションが行われるブロック内の物理セク
タのうち、不要フラグがセットされていないセクタを検
出、そのセクタをＲＡＭ上のバッファにコピーする。Hereinafter, the operation of the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12 which is a flowchart showing a garbage collection procedure. In step S56,
The rewrite frequency management unit 29 determines whether the frequency of rewriting of the target logical sector is high. If the rewriting frequency is high, the process proceeds to step S57; otherwise, the process proceeds to step S58. In step S58, it is determined whether or not the target logical sector has a low rewrite frequency. If the rewriting frequency is low, the process proceeds to step S59; otherwise, the process proceeds to step S60. In step S60, by referring to the block state management table, among the physical sectors in the block where the garbage collection is performed, a sector in which the unnecessary flag is not set is detected, and the sector is copied to a buffer on the RAM.

【００４８】ステップＳ６１では、必要に応じてＲＡＭ
のバッファの内容を適切に書き換えた後、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリ上のガーベッジコレクション用の入れ替
えブロックにデータを書きこむ。ステップＳ６２では、
ガーベッジコレクションの対象となったブロックをイレ
ースする。ステップＳ６３では、ガーベッジコレクショ
ンの対象となったブロックの消去回数をインクリメント
する。ステップＳ６４では、マッピングテーブルの変更
を行う。In step S61, if necessary, the RAM
, The data is written into the garbage collection replacement block on the NAND flash memory. In step S62,
Erase the blocks targeted for garbage collection. In step S63, the number of erasures of the block targeted for garbage collection is incremented. In step S64, the mapping table is changed.

【００４９】一方、ステップＳ５７では、消去回数が低
く、かつ、空き物理セクタが存在するブロックを探索す
る。ステップＳ５９では、消去回数が高く、かつ、空き
物理セクタが存在するブロックを探索する。ステップＳ
６５では、それぞれ検出されたブロックの空き物理セク
タに対してデータの書込みを行う。ステップＳ６６で
は、対象となった論理セクタの書換え回数をインクリメ
ントする。ステップＳ６７では、この論理セクタが以前
に格納されていた物理セクタの不要フラグをセットす
る。On the other hand, in step S57, a search is made for a block in which the number of erasures is low and an empty physical sector exists. In step S59, a block in which the number of times of erasure is high and an empty physical sector exists is searched for. Step S
At 65, data is written to a free physical sector of each detected block. In step S66, the number of rewrites of the target logical sector is incremented. In step S67, the unnecessary flag of the physical sector in which this logical sector has been stored before is set.

【００５０】（実施の形態６）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源
投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発
性メモリで構成される記憶手段上に生成する。(Sixth Embodiment) In the terminal device according to the first to third embodiments, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means are stored in the NAND flash memory. Then, when the system is initialized after the power is turned on, they are generated on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM.

【００５１】（実施の形態７）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリの冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記
憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭ
などの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成す
る。(Embodiment 7) In the terminal device according to the first to third embodiments, in particular, data necessary for generating the mapping management means and the block state management means is stored in a redundant section called a redundant cell array of a NAND flash memory. And store them in RAM at system initialization after power-on.
It is generated on a storage means composed of a volatile memory such as the above.

【００５２】（実施の形態８）実施の形態１〜３に記載
の端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロッ
ク状態管理手段、不良ブロック管理手段の生成に必要な
データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ以外の不揮発性
メモリ（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュ
メモリ等）上に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。(Eighth Embodiment) In the terminal device according to the first to third embodiments, in particular, data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means are stored in a memory other than the NAND flash memory. It is stored on a non-volatile memory (for example, a NOR flash memory for storing a program), and is generated on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

【００５３】（実施の形態９）実施の形態４に記載の端
末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック状
態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手段
の生成に必要なデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上
に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそれらをＲ
ＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段上に生成
する。(Ninth Embodiment) In the terminal device according to the fourth embodiment, in particular, data necessary for generating mapping management means, block state management means, bad block management means and erase count management means is stored in a NAND flash memory. And store them at system initialization after power-on.
It is generated on a storage unit composed of a volatile memory such as an AM.

【００５４】（実施の形態１０）実施の形態４に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段の生成に必要なデータ
を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの冗長セルアレイと呼
ばれる冗長部に記憶し、電源投入後のシステム初期化時
にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶
手段上に生成する。(Embodiment 10) In the terminal device described in Embodiment 4, in particular, data necessary for generating mapping management means, block state management means, and erase count management means is stored in a redundant cell array of a NAND flash memory. These are stored in a redundant unit called, and are generated on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

【００５５】（実施の形態１１）実施の形態４に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモ
リやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモリ（例えばプログラム
格納用のＮＯＲ型フラッシュメモリ等）上に記憶し、電
源投入後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮
発性メモリで構成される記憶手段上に生成する。(Eleventh Embodiment) In the terminal device according to the fourth embodiment, data necessary for generating mapping management means, block state management means, bad block management means, and erase count management means is stored in a NAND flash memory. It is stored on a non-volatile memory other than a memory or a DRAM (for example, a NOR flash memory for storing a program), and is generated on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM when the system is initialized after power-on. I do.

【００５６】（実施の形態１２）実施の形態１０に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。(Twelfth Embodiment) In the terminal device according to the tenth embodiment, particularly, data necessary for generation of the number-of-times-of-erase management means is not stored in the NAND flash memory, but is used during system initialization after power-on. Each time it is generated on a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM.

【００５７】（実施の形態１３）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータをＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリ上に記憶し、電源投入後のシステ
ム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成
される記憶手段上に生成する。(Thirteenth Embodiment) In the terminal device according to the fifth embodiment, in particular, data necessary for generating mapping management means, block state management means, bad block management means, erase count management means, and rewrite count management means. NAN
The data is stored on a D-type flash memory, and is generated on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

【００５８】（実施の形態１４）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、消去回数管理手段、書換え回数管理手段
の生成に必要なデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
の冗長セルアレイと呼ばれる冗長部に記憶し、電源投入
後のシステム初期化時にそれらをＲＡＭなどの揮発性メ
モリで構成される記憶手段上に生成する。Fourteenth Embodiment In the terminal device according to the fifth embodiment, data necessary for generating mapping management means, block state management means, erase count management means, and rewrite count management means is stored in a NAND flash memory. The data is stored in a redundant section called a redundant cell array of the memory, and is generated on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

【００５９】（実施の形態１５）実施の形態５に記載の
端末装置において、特にマッピング管理手段、ブロック
状態管理手段、不良ブロック管理手段、消去回数管理手
段、書換え回数管理手段の生成に必要なデータを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ以外の不揮発性メモ
リ上（例えばプログラム格納用のＮＯＲ型フラッシュメ
モリ等）に記憶し、電源投入後のシステム初期化時にそ
れらをＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される記憶手段
上に生成する。(Fifteenth Embodiment) In the terminal device according to the fifth embodiment, in particular, data necessary for generating mapping management means, block state management means, bad block management means, erase count management means, and rewrite count management means. And NA
Storage means for storing on a non-volatile memory other than an ND type flash memory or a DRAM (for example, a NOR type flash memory for storing a program), and by using a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. Generate on top.

【００６０】（実施の形態１６）実施の形態１４に記載
の端末装置において、特に消去回数管理手段の生成に必
要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に毎回ＲＡＭなどの
揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。Sixteenth Embodiment In the terminal device according to the fourteenth embodiment, in particular, data necessary for generation of the number-of-erasures management means is not stored in the NAND flash memory, but is used when the system is initialized after power is turned on. Each time it is generated on a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM.

【００６１】（実施の形態１７）実施の形態１４に記載
の端末装置において、特に書換え回数管理手段の生成に
必要なデータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ上に置かず
に、電源投入後のシステム初期化時に、毎回ＲＡＭなど
の揮発性メモリで構成される記憶メモリ上に生成する。(Embodiment 17) In the terminal device according to the fourteenth embodiment, in particular, data necessary for generation of the number-of-times-of-rewriting management means is not stored in the NAND-type flash memory, but at the time of system initialization after power-on. Is generated every time on a storage memory constituted by a volatile memory such as a RAM.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＮＡＮＤ
型フラッシュメモリを搭載した端末装置において、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリ上の特定の領域に書換えが集中
するのを防ぎ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体に書換
え頻度を分散させることが可能となる。また、書換えが
発生した際には、そのブロック内の空き領域に逐次デー
タを書き込むことにより、ブロックの書換え回数を極力
減少させる。これにより、製品のデータ書換えに関する
処理速度を向上させることが可能となる。As described above, according to the present invention, the NAND
Terminal device equipped with a flash memory
It is possible to prevent rewriting from concentrating on a specific area on the ND type flash memory and to distribute the rewriting frequency throughout the NAND type flash memory. Further, when rewriting occurs, the number of times of rewriting of the block is reduced as much as possible by sequentially writing data to a free area in the block. As a result, it is possible to improve the processing speed related to data rewriting of a product.

[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１〜１７におけるＮＡＮＤ
型フラッシュメモリの構成図FIG. 1 shows a NAND according to Embodiments 1 to 17 of the present invention.
Of flash memory

【図２】本発明の実施の形態１〜３における端末装置の
機能ブロック図FIG. 2 is a functional block diagram of a terminal device according to the first to third embodiments of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態１〜１７における端末装置
のハードウェア構成を示す装置ブロック図FIG. 3 is a device block diagram illustrating a hardware configuration of a terminal device according to Embodiments 1 to 17 of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態１〜１７におけるデータリ
ード手順を示すフローチャートFIG. 4 is a flowchart showing a data read procedure according to Embodiments 1 to 17 of the present invention.

【図５】本発明の実施の形態１〜１７におけるデータラ
イト手順を示すフローチャートFIG. 5 is a flowchart showing a data write procedure according to Embodiments 1 to 17 of the present invention.

【図６】本発明の実施の形態１におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートFIG. 6 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to the first embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施の形態２におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートFIG. 7 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to the second embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施の形態３におけるガーベッジコレ
クション手順を示すフローチャートFIG. 8 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to the third embodiment of the present invention.

【図９】本発明の実施の形態４における端末装置の機能
を示す機能ブロック図FIG. 9 is a functional block diagram showing functions of a terminal device according to Embodiment 4 of the present invention.

【図１０】本発明の実施の形態４におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャートFIG. 10 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to the fourth embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施の形態５における端末装置の機
能を示す機能ブロック図FIG. 11 is a functional block diagram showing functions of a terminal device according to Embodiment 5 of the present invention.

【図１２】本発明の実施の形態５におけるガーベッジコ
レクション手順を示すフローチャートFIG. 12 is a flowchart showing a garbage collection procedure according to the fifth embodiment of the present invention.

[Explanation of symbols]

１ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ全体２ブロック３不良ブロック４ページ（セクタ）５データ部６冗長セルアレイ７マッピング管理手段８ブロック状態管理手段９不良ブロック管理手段１０ガーベッジコレクション手段１１制御手段１２入力デバイス１３出力デバイス１４ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５中央処理装置１６プログラム格納メモリ１７ランダムアクセスメモリ１８マッピング管理手段１９ブロック状態管理手段２０不良ブロック管理手段２１ガーベッジコレクション手段２２消去回数管理手段２３制御手段２４マッピング管理手段２５ブロック状態管理手段２６不良ブロック管理手段２７ガーベッジコレクション手段２８消去回数管理手段２９書換え回数管理手段３０制御手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Entire NAND type flash memory 2 Block 3 Bad block 4 Page (sector) 5 Data part 6 Redundant cell array 7 Mapping management means 8 Block state management means 9 Bad block management means 10 Garbage collection means 11 Control means 12 Input device 13 Output device 14 NAND flash memory 15 Central processing unit 16 Program storage memory 17 Random access memory 18 Mapping management unit 19 Block state management unit 20 Bad block management unit 21 Garbage collection unit 22 Erase count management unit 23 Control unit 24 Mapping management unit 25 Block state management Means 26 Bad block management means 27 Garbage collection means 28 Erase count management means 29 Rewrite count management means 30 Control means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｃ 16/04 Ｇ１１Ｃ 17/00 ６０１Ｃ 29/00 ６０１６１２Ｚ６２２Ｅ ──────────────────────────────────────────────────続き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11C 16/04 G11C 17/00 601C 29/00 601 612Z 622E

Claims

[Claims]

1. A logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is a sequential number assigned to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit. Mapping management means for converting to a certain physical sector number, and managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of free sectors in the block and whether each sector holds valid data. The terminal device includes a block state management unit, a bad block management unit that manages a bad block that is inaccessible, a garbage collection unit that erases unnecessary data in the block at a certain timing, a program, a processor, and the like. Control means for controlling the behavior of A terminal device that, by configuring the garbage collection means so that the system to erase the unnecessary data in the block during idle, the terminal apparatus characterized by reducing the load on the system used.

2. A logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is a sequential number allocated to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit. Mapping management means for converting to a certain physical sector number and managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of free sectors in the block and whether each physical sector holds valid data, etc. A terminal state device comprising: a block state management unit for performing the operation; a bad block management unit for managing an inaccessible bad block; a garbage collection unit for erasing unnecessary data in the block at a predetermined timing; Control means for controlling the overall behavior Garbage collection means for writing a changed physical sector to a free block in a flash memory when valid data in a block requiring garbage collection exists above a certain specified value. A terminal device that prevents garbage collection from occurring each time.

3. A logical sector number used by a general file system such as an FAT file system at the time of data access is a sequential number assigned to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit. Mapping management means for converting to a certain physical sector number and managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of free sectors in the block and whether each physical sector holds valid data, etc. A terminal state device comprising: a block state management unit for performing the operation; a bad block management unit for managing an inaccessible bad block; a garbage collection unit for erasing unnecessary data in the block at a predetermined timing; Control means for controlling the overall behavior If valid data in a block that requires garbage collection exists above a certain specified value and there is a free block in the flash memory, the free block does not exist in the free block. In this case, the terminal device is characterized in that garbage collection means for writing a changed physical sector to a block having the smallest number of write sectors is configured to avoid occurrence of garbage collection every time.

4. A logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is a sequential number allocated to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit. Mapping management means for converting to a certain physical sector number and managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of free sectors in the block and whether each physical sector holds valid data, etc. Block status management means, bad block management means for managing inaccessible bad blocks, garbage collection means for erasing unnecessary data in blocks at a certain timing, and erasure count management for managing the number of erasures of blocks Means, programs, processors, etc. Is, by a control means for controlling the behavior of the entire terminal device, by the erase count is the time of garbage collection using a minimum block, the terminal apparatus characterized by averaging the erase count block.

5. A logical sector number used by a general file system such as a FAT file system at the time of data access is a sequential number assigned to a data storage area on a NAND flash memory for each writing unit. Mapping management means for converting to a certain physical sector number and managing the state of a block, which is an erase unit of the NAND flash memory, that is, the number of free sectors in the block and whether each physical sector holds valid data, etc. Block status management means, bad block management means for managing inaccessible bad blocks, garbage collection means for erasing unnecessary data in blocks at a certain timing, and erasure count management for managing the number of erasures of blocks Means and the number of logical sector rewrites The number of times of rewriting, and the control means which is composed of a program or a processor and controls the behavior of the entire terminal device. A terminal device characterized in that a logical sector with a high rewrite frequency is arranged in a block with a small number of erases, thereby averaging the number of block erases.

6. The terminal device according to claim 1, wherein
Data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means are stored in the NAND flash memory, and are stored in a volatile memory such as a RAM when the system is initialized after power-on. A terminal device generated on a means.

7. The terminal device according to claim 1, wherein
Data necessary for generation of the mapping management means and the block state management means is stored in a redundant part called a redundant cell array of the NAND flash memory, and is constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. A terminal device characterized in that the efficiency of use of a NAND flash memory is increased by generating it on a storage means.

8. The terminal device according to claim 1, wherein
Data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the bad block management means is stored in a non-volatile memory other than the NAND flash memory, and is stored in a volatile memory such as a RAM when the system is initialized after power-on. By generating it on the storage means composed of a memory,
A terminal device for improving processing speed and use efficiency of a NAND flash memory.

9. The terminal device according to claim 4, wherein data necessary for generation of the mapping management means, the block state management means, the bad block management means, and the erasure count management means are stored in N.
A terminal device characterized in that the processing speed is increased by storing them in an AND flash memory and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

10. The terminal device according to claim 4, wherein data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, and the erase count management means are stored in a redundant part called a redundant cell array of the NAND flash memory. A terminal device characterized by increasing the processing speed and the use efficiency of a NAND flash memory by generating them on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on.

11. The terminal device according to claim 4, wherein data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, the bad block management means, and the erase count management means are stored in a non-volatile memory other than the NAND flash memory and the DRAM. By storing them on a volatile memory and generating them on a storage means composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on, it is possible to improve the processing speed and the efficiency of use of the NAND flash memory. Characteristic terminal device.

12. The terminal device according to claim 10, wherein
The data necessary for generation of the number-of-erasers management means is not stored in the NAND flash memory, but is generated in a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM each time the system is initialized after power is turned on. A terminal device characterized by increasing the use efficiency of a flash memory.

13. A terminal device according to claim 5, wherein data necessary for generating mapping management means, block state management means, bad block management means, erase count management means, and rewrite count management means is stored in a NAND flash memory. At the time of system initialization after power-on.
A terminal device, wherein the processing speed is increased by generating the data on a storage unit including a volatile memory such as M.

14. The terminal device according to claim 5, wherein data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, the erasure count management means, and the rewrite count management means are stored in the terminal device.
The processing speed and the NAND flash memory are stored in a redundant section called a redundant cell array of the NAND flash memory and generated on a storage unit constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. A terminal device for improving memory use efficiency.

15. The terminal device according to claim 5, wherein data necessary for generating the mapping management means, the block state management means, the bad block management means, the erase count management means, and the rewrite count management means are stored in a NAND flash memory. Or on a non-volatile memory other than the DRAM (for example, a NOR flash memory for storing a program) and generate them on a storage means constituted by a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. By doing
A terminal device for improving processing speed and use efficiency of a NAND flash memory.

16. The terminal device according to claim 14, wherein:
The data required for generation of the number-of-erase management unit is not stored in the NAND flash memory, but is generated in a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM each time the system is initialized after the power is turned on. Speed and NAND
A terminal device characterized by increasing the use efficiency of a flash memory.

17. The terminal device according to claim 14, wherein
The data required to generate the rewrite frequency management means is not stored in the NAND flash memory, but is generated each time on a storage memory composed of a volatile memory such as a RAM at the time of system initialization after power-on. A terminal device for improving the use efficiency of a NAND flash memory.