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JP2002031525A - 半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置 - Google Patents

半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置

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Publication number
JP2002031525A
JP2002031525A JP2000214847A JP2000214847A JP2002031525A JP 2002031525 A JP2002031525 A JP 2002031525A JP 2000214847 A JP2000214847 A JP 2000214847A JP 2000214847 A JP2000214847 A JP 2000214847A JP 2002031525 A JP2002031525 A JP 2002031525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaluation
pattern
data
semiconductor wafer
line segment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000214847A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Matsuoka
良一 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2000214847A priority Critical patent/JP2002031525A/ja
Priority to TW090116058A priority patent/TW502280B/zh
Priority to KR1020010041182A priority patent/KR20020007998A/ko
Priority to US09/903,601 priority patent/US20020015518A1/en
Priority to DE10134240A priority patent/DE10134240A1/de
Publication of JP2002031525A publication Critical patent/JP2002031525A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
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    • G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
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    • G—PHYSICS
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    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ上に形成されたパターンの任意の箇所
の仕上がり具合を２次元的に評価すること。 【解決手段】 評価すべき対象パターンのＳＥＭ画像デ
ータＤＢＬに基づき対象パターンの線分抽出を行ってＳ
ＥＭ線分データＤＣを得、対象パターンに対応するＣＡ
Ｄ線分図形データＤＤとＳＥＭ線分データＤＣとに基づ
いて重ねずれ距離を求め対象パターンの２次元での評価
を行い、これにより得られた評価値データＤＥをグラフ
ィック表示するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのパ
ターン形状評価方法及び装置に関し、さらに詳細に述べ
ると、半導体ウエハ上に実際に形成されたパターンと予
定のパターン形状との比較によりパターン形状を２次元
的に評価するための方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においてウエハに形成さ
れたパターンの形状が予定通りの形状となっているか否
かを検査する必要が生じた場合、従来では、寸法測長Ｓ
ＥＭを用い、これによりパターンの幅やパターンの間隔
を長さ測定し、それらの長さ測定結果に基づいて仕上が
ったパターン形状の評価を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術は、
ウエハ上に形成されたパターンの幅や間隔の長さを捉え
て評価する１次元レベルでの仕上がり評価のための技術
であり、実際問題としては、所望のパターン形状の仕上
がり具合は、出来上がったパターンの崩れ具合を評価す
るなど２次元での形状評価が求められている。しかし、
ウエハ上に形成されたパターンの仕上がり具合を２次元
的に評価することができる信頼性の高い技術はまだ確立
されていない。
【０００４】さらに、寸法測長ＳＥＭによるパターンの
評価はウエハ上のごく限られた部分にしか適用すること
ができず、したがって、パターンの仕上がり検査をウエ
ハ上の任意の場所について行うことができないという問
題点も有している。
【０００５】本発明の目的は、ウエハ上に形成されたパ
ターンの任意の箇所の仕上がり具合を２次元的に評価す
ることができる、半導体ウエハのパターン形状評価方法
及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の特徴は、ＣＡＤデータに従って半導体ウエハ
上に形成されたパターンの形状を評価するための装置で
あって、評価対象とすべき対象パターンをＣＡＤデータ
上で指定するための指定手段と、該指定手段に応答し前
記対象パターンのＳＥＭ画像データ及び前記対象パター
ンに対応するＣＡＤ線分データを得るための手段と、前
記ＳＥＭ画像データに基づき前記対象パターンの線分抽
出を行ってＳＥＭ線分データを得る手段と、前記ＣＡＤ
線分データと前記ＳＥＭ線分データとに基づいて前記対
象パターンの２次元評価処理を行う評価処理手段と、該
評価処理手段からの評価結果を表示する表示手段とを備
えた点にある。
【０００７】評価項目は、パターンの端点、幅、間隔、
面積等とすることができる。そして、前記２次元評価処
理は対象パターンの着目した線分についてＣＡＤ線分デ
ータとＳＥＭ線分データとの間の重ねずれ距離を計算す
る処理を含む構成とすることもできる。この場合、得ら
れた重ねずれ距離を所定の基準値と比較してその重ねず
れ距離に対応する評価値を得るようにすることもでき、
評価値は段階付けされたものであってもよい。
【０００８】評価処理手段において段階付けされた評価
値が得られた場合、各段階毎に定められた色、模様等に
よってその評価値を表示手段において表示するようにす
ることもできる。この場合、対象パターンの各箇所につ
いての評価値をウエハマップ上の対応箇所に表示させる
ようにすることもできる。この構成によれば、問題箇所
とその評価値とを一度に分かりやすく表示することがで
きる。
【０００９】また、本発明によれば、ＣＡＤデータに従
って半導体ウエハ上に形成されたパターンの形状を評価
するための方法において、評価対象とすべき対象パター
ンのＳＥＭ画像データに基づき前記対象パターンの線分
抽出を行ってＳＥＭ線分データを得、前記対象パターン
に対応するＣＡＤ線分データと前記ＳＥＭ線分データと
に基づいて前記対象パターンの２次元での評価を行うよ
うにしたことを特徴とする半導体ウエハのパターン形状
評価方法が提案される。
【００１０】評価項目は、パターンの端点、幅、間隔、
面積等とすることができる。そして、前記２次元での評
価は、対象パターンの着目した線分についてＣＡＤ線分
データとＳＥＭ線分データとの間における重ねずれ距離
に基づく評価とすることもできる。この場合、得られた
重ねずれ距離を所定の基準値と比較してその重ねずれ距
離に対応する評価値を得るようにすることもできる。
【００１１】上述の如くして得られた評価値を段階付け
し、各段階毎に定められた色又は模様等によってその評
価値を表示するようにすることもできる。この場合、対
象パターンの各箇所についての評価値をウエハマップ上
の対応箇所に表示させるようにすることもできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明による半導体ウエハのパタ
ーン形状評価装置の実施の形態の一例を示すブロック図
である。パターン形状評価装置１は、ステージ２の上に
セットされた半導体ウエハ３上にＣＡＤデータに基づい
て形成されたパターン（図示せず）の形状が該ＣＡＤデ
ータに従ってどの程度正確に形成されているかの仕上が
り具合を評価するための装置である。
【００１４】符号４で示されるのは半導体ウエハ３のパ
ターンのうち評価対象となる対象パターンを指定するた
めの指定データを入力する入力装置であり、入力装置４
によって入力された指定データＤＡはＣＡＤナビゲーシ
ョン装置５に送られる。ＣＡＤナビゲーション装置５
は、パターン観察装置６の観察視野を指定データＤＡに
よって指定された半導体ウエハ３上の対象パターンに位
置合わせして、パターン観察装置６から対象パターンの
ＳＥＭ画像データを得るためのものであり、マイクロコ
ンピュータを含んで成る公知のコンピュータ装置に所定
のナビゲーションプログラムをセットして成っている。
ＣＡＤナビゲーション装置５はこのナビゲーションプロ
グラムに従って動作し、これにより半導体ウエハ３上に
形成されている対象パターンを高倍率に拡大して観察す
るのに必要なパターン観察装置６の観察視野の自動位置
合わせが高精度にて行われるようになっている。
【００１５】図２はこのナビゲーションプログラムのフ
ローチャートを示すものであり、以下、図２を参照して
ＣＡＤナビゲーション装置５による観察視野の自動位置
合わせのためのナビゲーション動作について説明する。
【００１６】半導体ウエハ３のパターンのうちの対象パ
ターンを入力装置４によって指定すると、ＣＡＤナビゲ
ーション装置５からは、この対象パターンの指定に応答
して位置設定信号Ｓ１が出力される（ステップ１１）。
ステップ１２では、位置制御ユニット７が位置設定信号
Ｓ１に応答してステージ２を移動させ、これにより、パ
ターン観察装置６の観察視野の中心がこのときの指定さ
れた対象パターンの観察中心と一致するよう半導体ウエ
ハ３がパターン観察装置６に対して相対的に位置決めさ
れる。
【００１７】次のステップ１３では、ＣＡＤナビゲーシ
ョン装置５から出力される倍率設定信号Ｓ３による指令
によって、パターン観察装置６の観察倍率が、指定され
た対象パターンの観察中心がパターン観察装置６の観察
視野に入るような適宜の低倍率に設定される。この低倍
率は、例えば、ステージ２のステージ精度を考慮し、ス
テージ２の位置決めにおいて予見される位置設定誤差が
あっても指定された対象パターンの観察中心がパターン
観察装置６の観察視野に入るような倍率に定めることが
できる。
【００１８】ステップ１４では、ＣＡＤナビゲーション
装置５にパターン観察装置６によって上述した観察条件
の下で得られた対象パターンの低倍率のＳＥＭ画像を示
す画像データＤＢＳを取り込み、得られた画像データＤ
ＢＳはＣＡＤナビゲーション装置５内のバッファメモリ
５１内に格納される。
【００１９】ステップ１５では、バッファメモリ５１内
に格納された画像データＤＢＳを公知の方法で処理して
そのエッジ抽出を行い、これにより画像データＤＢＳに
基づく対象パターンのエッジ線分データを得る。
【００２０】次のステップ１６では、ステップ１４で得
られた画像データＤＢＳに対応するＣＡＤ図形データを
ＣＡＤデータが格納されているメモリＭ１から読み出し
てバッファメモリ５１に格納する。このＣＡＤ図形デー
タはパターン観察装置６の観察中心を中心点としている
パターンの設計図形を表すデータとなっており、この読
み出されたＣＡＤ図形データに基づいてＣＡＤ線分デー
タを得る。このＣＡＤ線分データはＣＡＤデータに従う
パターンの線分を示すデータである。
【００２１】そして、ステップ１７でエッジ線分データ
とＣＡＤ線分データとを比較するマッチング処理を行
い、これにより、観察中心とパターン観察装置６の観察
視野の中心との間のずれ量を演算する。このずれ量は観
察平面内でのイメージシフト量として計算される。
【００２２】ステップ１８では、ステップ１７で得られ
たずれ量に従い、観察中心とパターン観察装置６の観察
視野の中心とを一致させるようステージ２を移動させる
ための位置補正信号Ｓ２を出力し、位置制御ユニット７
を位置補正信号Ｓ２に従って動作させ、これにより観察
中心とパターン観察装置６の観察視野の中心とを一致さ
せる。
【００２３】以上の通り、ＣＡＤナビゲーション装置５
によって、先ず低倍率のＳＥＭ画像における観察中心と
パターン観察装置６の実際の観察視野の中心とのずれ量
を演算し、このずれ量がステージ精度に従う位置決め誤
差であるとして、そのずれ量だけステージ２を移動させ
ることにより、パターン観察装置６の観察視野を半導体
ウエハ３のパターンのうちの対象パターンに正確に位置
合わせすることができる。なお、上述した位置合わせの
ための各動作は、パターン観察装置６を移動させて行う
こともできる。
【００２４】ＣＡＤナビゲーション装置５は、以上のよ
うにしてパターン観察装置６の観察視野を半導体ウエハ
３のパターンのうちの対象パターンに正確に位置合わせ
した後、倍率設定信号Ｓ３によりパターン観察装置６の
観察倍率を所要の高倍率に設定し、この状態にて対象パ
ターンのＳＥＭ画像データＤＢＬをパターン観察装置６
から出力させ、ＳＥＭ画像データＤＢＬをＳＥＭ画像線
分抽出部８に送る。
【００２５】ＳＥＭ画像線分抽出部８に入力されたＳＥ
Ｍ画像データＤＢＬは、ここで、ＳＥＭ画像データＤＢ
Ｌによって示される対象パターンの線分抽出処理が実行
され、対象パターンの線分データであるＳＥＭ線分デー
タＤＣが出力される。
【００２６】ＣＡＤナビゲーション装置５は、また、メ
モリＭ１内に格納されているＣＡＤデータを読み出し、
このＣＡＤデータに基づいて対象パターンに対応するＣ
ＡＤ線分データＤＤを演算し、出力する。ＳＥＭ線分デ
ータＤＣとＣＡＤ線分データＤＤとは評価演算部９に入
力され、ここで対象パターンを２次元的に評価するため
の２次元評価処理が実行される。
【００２７】図３には、評価演算部９の構成がブロック
図に示されている。評価演算部９は、ＣＡＤ線分データ
ＤＤとＳＥＭ線分データＤＣとを受け取ってＣＡＤ線分
とＳＥＭ線分との重ね合わせ処理を行う線分重ね処理部
９１と、線分重ね処理部９１からの重ね合わせデータＳ
９１に基づき、対象パターンの端点、幅、隣のパターン
との間隔を評価項目として、各項目について重ねずれ距
離を演算する重ねずれ距離演算部９２とを有している。
【００２８】重ねずれ距離演算部９２からは各評価項目
についての評価演算結果を数値として示した評価結果デ
ータＳ９２が出力され、評価値演算部９３に入力され
る。メモリＭ２には、数値として入力されてくる評価結
果データＳ９２を５段階で評価するためのずれ量評価値
テーブルが格納されており、評価演算部９においては、
入力された数値をこのずれ量評価値テーブルを参照する
ことにより、対象パターンの各評価項目についてその仕
上がり具合を５段階評価し、この評価結果を示す評価値
データＤＥを出力する構成となっている。
【００２９】図１に戻ると、評価演算部９において上述
の如くして得られた評価値データＤＥは表示部１０に送
られ、表示部１０では評価値データＤＥに基づいて半導
体ウエハ３のパターン評価の結果がグラフィック表示さ
れる。
【００３０】図４は表示部１０での表示画面の一例を示
すもので、２１は半導体ウエハ３の表面のパターン形状
を模式的に表すパターン模式図であり、パターン模式図
２１では半導体ウエハ３上に２６個のセグメントが区劃
されている場合の例が示されている。各セグメントには
ＣＡＤデータに従って所定のパターンが形成されている
が、図４ではこれらのパターンを表示するのを省略して
いる。半導体ウエハ３の各セグメントに形成されている
パターンの評価結果は、図４中に示されている５段階の
評価に対応して用意された５種類の模様のうちその評価
に対応する模様がパターン模式図２１内の該当箇所に表
示されるようになっている。なお、５種類の模様に代え
て、５種類の色を用いた適宜の形状のマークによって表
示する構成としてもよい。
【００３１】図５には、表示部１０における別の表示形
態の一例が示されている。ここでは、対象パターンＰの
各部Ｐ１〜Ｐ４においての評価結果を図４の５段階表示
模様を用いて表示したもので、各部Ｐ１〜Ｐ４に評価結
果を示す模様を付した表示形態となっている。ここで、
細線ＬはＣＡＤデータに従う設計上の形状を示してい
る。
【００３２】図４又は図５の表示形態によれば、問題箇
所とその評価値とを一度に分かりやすく表示することが
できるという利点が得られる。この結果、欠陥の見落と
しや誤認を大幅に減少させることができる。
【００３３】パターン形状評価装置１によれば、ウエハ
上に形成されているパターンの崩れなどを定量的に評価
できるので、生産工程における品質管理の信頼性を向上
させることができるほか、この評価結果を用いて設計、
マスク製造、露出装置、欠陥検査装置、プロセス等の各
工程への改善指示を行うことができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、上述の如く、半導体ウ
エハ３上に形成されているパターンの崩れなどを定量的
に評価できるので、生産工程における品質管理の信頼性
を向上させることができるほか、この評価結果を用いて
設計、マスク製造、露出装置、欠陥検査装置、プロセス
等の各工程への改善指示を行うことができる。
【００３５】また、評価結果の表示を模様や色を用いて
分かりやすく表示することにより、問題箇所とその評価
値とを一度に理解させることができるので、使い勝手が
よく、欠陥の見落としや誤認を大幅に減少させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウエハのパターン形状評価
装置の実施の形態の一例を示すブロック図。
【図２】図１に示すナビゲーションプログラムを示すフ
ローチャート。
【図３】図１に示す評価演算部の構成を示すブロック
図。
【図４】図１に示す表示部における表示形態の一例を示
す図。
【図５】図１に示す表示部における別の表示形態の一例
を示す図。
【符号の説明】
１ パターン形状評価装置 ２ ステージ ３ 半導体ウエハ ４ 入力装置 ５ ＣＡＤナビゲーション装置 ６ パターン観察装置 ７ 位置制御ユニット ８ ＳＥＭ画像線分抽出部 ９ 評価演算部 １０ 表示部 ５１ バッファメモリ ９１ 線分重ね処理部 ９２ 重ねずれ距離演算部 ９３ 評価値演算部 ＤＡ 指定データ ＤＢＬ ＳＥＭ画像データ ＤＢＳ 画像データ ＤＣ ＳＥＭ線分データ ＤＤ ＣＡＤ線分データ ＤＥ 評価値データ Ｍ１ メモリ Ｍ２ メモリ Ｓ１ 位置設定信号 Ｓ２ 位置補正信号 Ｓ３ 倍率設定信号 Ｓ９１ 重ね合わせデータ Ｓ９２ 評価結果データ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F067 AA15 AA25 AA26 AA54 AA57 BB01 BB04 CC17 GG08 HH06 JJ05 LL00 RR24 RR30 2F069 AA17 AA44 AA49 AA64 AA96 BB15 GG04 GG07 GG72 HH30 NN00 2G001 AA03 BA07 CA03 FA01 FA06 GA01 GA06 HA07 HA13 JA11 KA03 LA11 MA05 4M106 AA01 BA02 CA39 DA15 DB05 DB21 DJ03 DJ18 DJ20 DJ21 DJ23

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＣＡＤデータに従って半導体ウエハ上に
    形成されたパターンの形状を評価するための装置であっ
    て、 評価対象とすべき対象パターンをＣＡＤデータ上で指定
    するための指定手段と、 該指定手段に応答し前記対象パターンのＳＥＭ画像デー
    タ及び前記対象パターンに対応するＣＡＤ線分データを
    得るための手段と、 前記ＳＥＭ画像データに基づき前記対象パターンの線分
    抽出を行ってＳＥＭ線分データを得る手段と、 前記ＣＡＤ線分データと前記ＳＥＭ線分データとに基づ
    いて前記対象パターンの２次元評価処理を行う評価処理
    手段と、 該評価処理手段からの評価結果を表示する表示手段とを
    備えたことを特徴とする半導体ウエハのパターン形状評
    価方法及び装置。
  2. 【請求項２】 前記ＣＡＤ線分データが、前記ＣＡＤデ
    ータの前記対象パターンに対応するデータに基づいて作
    成される請求項１記載の半導体ウエハのパターン形状評
    価装置。
  3. 【請求項３】 前記２次元評価処理おける評価項目は、
    パターンの端点、幅、間隔、面積のうちから選ばれた少
    なくとも１つである請求項１記載の半導体ウエハのパタ
    ーン形状評価装置。
  4. 【請求項４】 前記２次元評価処理は対象パターンの着
    目した線分についてＣＡＤ線分データとＳＥＭ線分デー
    タとの間の重ねずれ距離を計算する処理を含んでいる請
    求項１記載の半導体ウエハのパターン形状評価装置。
  5. 【請求項５】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比較
    してその重ねずれ距離に対応する評価値を前記表評価結
    果とした請求項１記載の半導体ウエハのパターン形状評
    価装置。
  6. 【請求項６】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比較
    してその重ねずれ距離に対応する評価値を段階付けした
    ものを前記表評価結果とした請求項１記載の半導体ウエ
    ハのパターン形状評価装置。
  7. 【請求項７】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比較
    してその重ねずれ距離に対応する評価値を段階付けし、
    各段階毎に定められた色、模様等によってその評価値を
    表示手段において表示するようにした請求項１記載の半
    導体ウエハのパターン形状評価装置。
  8. 【請求項８】 前記対象パターンの各箇所についての評
    価値をウエハマップ上の対応箇所に表示させるようにし
    た請求項７記載の半導体ウエハのパターン形状評価装
    置。
  9. 【請求項９】 ＣＡＤデータに従って半導体ウエハ上に
    形成されたパターンの形状を評価するための方法におい
    て、 評価対象とすべき対象パターンのＳＥＭ画像データに基
    づき前記対象パターンの線分抽出を行ってＳＥＭ線分デ
    ータを得、前記対象パターンに対応するＣＡＤ線分デー
    タと前記ＳＥＭ線分データとに基づいて前記対象パター
    ンの２次元での評価を行うようにしたことを特徴とする
    半導体ウエハのパターン形状評価方法。
  10. 【請求項１０】 前記ＣＡＤ線分データが、前記ＣＡＤ
    データの前記対象パターンに対応するデータに基づいて
    作成される請求項９記載の半導体ウエハのパターン形状
    評価方法。
  11. 【請求項１１】 前記２次元での評価のための評価項目
    は、パターンの端点、幅、間隔、面積のうちから選ばれ
    た少なくとも１つである請求項１０記載の半導体ウエハ
    のパターン形状評価方法。
  12. 【請求項１２】 前記２次元での評価のための処理は、
    前記対象パターンの着目した線分についてＣＡＤ線分デ
    ータとＳＥＭ線分データとの間の重ねずれ距離を計算す
    る処理を含んでいる請求項１０記載の半導体ウエハのパ
    ターン形状評価方法。
  13. 【請求項１３】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比
    較してその重ねずれ距離に対応する評価値を表評価結果
    とした請求項１２記載の半導体ウエハのパターン形状評
    価方法。
  14. 【請求項１４】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比
    較してその重ねずれ距離に対応する評価値を段階付けし
    たものを前記表評価結果とした請求項１２記載の半導体
    ウエハのパターン形状評価方法。
  15. 【請求項１５】 前記重ねずれ距離を所定の基準値と比
    較してその重ねずれ距離に対応する評価値を段階付け
    し、各段階毎に定められた色、模様等によってその評価
    値を表示するようにした請求項１２記載の半導体ウエハ
    のパターン形状評価方法。
  16. 【請求項１６】 前記対象パターンの各箇所についての
    評価値をウエハマップ上の対応箇所に表示させるように
    した請求項９記載の半導体ウエハのパターン形状評価方
    法。
JP2000214847A 2000-07-14 2000-07-14 半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置 Pending JP2002031525A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000214847A JP2002031525A (ja) 2000-07-14 2000-07-14 半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置
TW090116058A TW502280B (en) 2000-07-14 2001-06-29 Semiconductor wafer pattern shape evaluation method and device
KR1020010041182A KR20020007998A (ko) 2000-07-14 2001-07-10 반도체 웨이퍼의 패턴형상 평가방법 및 장치
US09/903,601 US20020015518A1 (en) 2000-07-14 2001-07-12 Semiconductor wafer pattern shape evaluation method and device
DE10134240A DE10134240A1 (de) 2000-07-14 2001-07-13 Verfahren und Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer Strukturform

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TW (1) TW502280B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004163420A (ja) * 2002-10-22 2004-06-10 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
JP2006119927A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Toshiba Corp パターンマッチング方法およびプログラム
JP2006275952A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp パターン評価方法、パターン位置合わせ方法およびプログラム
US7177480B2 (en) 2003-06-27 2007-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Graphic processing method and device
JP2007248087A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置
JP2008164593A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
US7412671B2 (en) 2003-09-25 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for verifying an integrated circuit pattern
JP2008256541A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子システム
US7449689B2 (en) 2004-10-29 2008-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Dimension measuring SEM system, method of evaluating shape of circuit pattern and a system for carrying out the method
JP2010044091A (ja) * 2002-10-22 2010-02-25 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
US7679055B2 (en) 2006-08-31 2010-03-16 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern displacement measuring method and pattern measuring device
US7800060B2 (en) 2007-07-31 2010-09-21 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measurement method and pattern measurement system
WO2011118745A1 (ja) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム
JP2011232359A (ja) * 2011-08-23 2011-11-17 Hitachi High-Technologies Corp パターン測定方法、及びパターン測定装置
US8295584B2 (en) 2008-03-18 2012-10-23 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measurement methods and pattern measurement equipment
US8705841B2 (en) 2008-06-12 2014-04-22 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern inspection method, pattern inspection apparatus and pattern processing apparatus
JP2014139537A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置用の検査データ処理装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101051370B1 (ko) 2003-09-05 2011-07-22 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 입자광 시스템 및 장치와 이와 같은 시스템 및 장치용입자광 부품
JP2006234588A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Hitachi High-Technologies Corp パターン測定方法、及びパターン測定装置
WO2006091913A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Nanometrics Incorporated Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry
JP4634289B2 (ja) * 2005-11-25 2011-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法
US9595091B2 (en) 2012-04-19 2017-03-14 Applied Materials Israel, Ltd. Defect classification using topographical attributes
US9858658B2 (en) * 2012-04-19 2018-01-02 Applied Materials Israel Ltd Defect classification using CAD-based context attributes

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600734A (en) * 1991-10-04 1997-02-04 Fujitsu Limited Electron beam tester
US5604819A (en) * 1993-03-15 1997-02-18 Schlumberger Technologies Inc. Determining offset between images of an IC
US5561293A (en) * 1995-04-20 1996-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method of failure analysis with CAD layout navigation and FIB/SEM inspection
US6246787B1 (en) * 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
JPH11214462A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Hitachi Ltd 回路パターン検査における欠陥致命性判定方法、レビュー対象とする欠陥選択方法、およびそれらに関連する回路パターンの検査システム
JP3961657B2 (ja) * 1998-03-03 2007-08-22 株式会社東芝 パターン寸法測定方法
JP3350477B2 (ja) * 1999-04-02 2002-11-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 ウエハ検査装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004163420A (ja) * 2002-10-22 2004-06-10 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
JP2010044091A (ja) * 2002-10-22 2010-02-25 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
US7177480B2 (en) 2003-06-27 2007-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Graphic processing method and device
US7412671B2 (en) 2003-09-25 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for verifying an integrated circuit pattern
JP2006119927A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Toshiba Corp パターンマッチング方法およびプログラム
US7449689B2 (en) 2004-10-29 2008-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Dimension measuring SEM system, method of evaluating shape of circuit pattern and a system for carrying out the method
JP2006275952A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp パターン評価方法、パターン位置合わせ方法およびプログラム
JP2007248087A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置
US7679055B2 (en) 2006-08-31 2010-03-16 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern displacement measuring method and pattern measuring device
US8173962B2 (en) 2006-08-31 2012-05-08 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern displacement measuring method and pattern measuring device
JP2008164593A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
US7772554B2 (en) 2007-04-05 2010-08-10 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle system
JP2008256541A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子システム
US7800060B2 (en) 2007-07-31 2010-09-21 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measurement method and pattern measurement system
US8295584B2 (en) 2008-03-18 2012-10-23 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measurement methods and pattern measurement equipment
US8705841B2 (en) 2008-06-12 2014-04-22 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern inspection method, pattern inspection apparatus and pattern processing apparatus
WO2011118745A1 (ja) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム
JP2011203080A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム
US8687921B2 (en) 2010-03-25 2014-04-01 Hitachi High-Technologies Corporation Image processing apparatus, image processing method, and image processing program
JP2011232359A (ja) * 2011-08-23 2011-11-17 Hitachi High-Technologies Corp パターン測定方法、及びパターン測定装置
JP2014139537A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置用の検査データ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020007998A (ko) 2002-01-29
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TW502280B (en) 2002-09-11

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