JP2001500570A - 貴金属塩で核層形成した支持体、その製造方法およびその使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 均等な核層で被覆された支持体を調製するため、貴金属塩で核層形成し、貴金属塩が支持体に化学的に結合している支持体、および貴金属塩を支持体に化学的に結合するための方法を提案し、金属化粉末を調製するため貴金属塩で核層形成し、核層が金属層で被覆されている粉末、および粉末表面に貴金属塩で核層形成し、この貴金属塩を支持体に化学的に結合し、引き続き自体公知の方法で無電解金属化する方法を提案する。

Description

【発明の詳細な説明】 貴金属塩で核層形成した支持体、その製造方法およびその使用 本発明は、請求項１の部類による支持体、請求項７の部類による核層形成方法 、請求項１５の部類による粉末および請求項２１の部類による金属化方法に関す る。 技術水準 電気工業および電子工業における適用のために、多種多様の支持体上に金属層 が設けられる。支持体の形状寸法および導電率に依存しない、かかる支持体上に 金属層を設ける低廉な方法は、無電解金属化またはめつき（ｓｔｒｏｍｌｏｓｅ Ｍｅｔａｌｌｉｓｉｅｒｕｎｇ）である。この方法は、たとえばローエンハイ ム（Ｆｒｅｄｅｒｉｃ Ａ．Ｌｏｗｅｎｈｅｉｍ）：“Ｍｏｄｅｒｎ Ｅｌｅｃ ｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ”、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ出版、ニューヨーク およびデトナー（Ｈｅｉｎｚ Ｗ．Ｄｅｔｔｎｅｒ）、エルツ（Ｊ．Ｅｌｚｅ） ：“Ｈａｎｄｂｕｃｈ ｄｅｒ Ｇａｌｖａｎｏｔｅｃｈｎｉｋ、ＩＩ巻”、Ｃ ａｒｌ Ｈａｕｓｅｒ出版、ミュンヘンに記載されている。 無電解金属化の場合、金属化（またはめっき）すべ き支持体の表面に貴金属核（Ｅｄｅｌｍｅｔａｌｌｋｅｉｍｅｎ）が設けられる 。技術水準により、これは殊に次式によるＳｎ²⁺含有化合物とＰｄ²⁺含有化合物 との反応によって行われる： Ｓｎ²⁺＋Ｐｄ²⁺→Ｓｎ⁴⁺＋Ｐｄ その際、パラジウムはＰｄＣｌ₂水溶液として存在するかまたは有機パラジウ ム溶液として存在することができ、この溶液中に支持体を浸潰するかまたは支持 体に溶液を噴霧するかまたはプリントする。パラジウムは、支持体に吸着により 結合されている。パラジウムのほかに、核金属として白金も使用されるが、パラ ジウムはその低価格のため好ましい。次に、核層上に化学的に少なくとも１種の 金属を、析出すべき金属の１種の塩ないしは析出すべき数種の金属の塩を還元す ることにより析出させる。 公知方法における欠点は、均等な核層形成（Ｂｅｋｅｉｍｕｎｇ）を達成する のが困難なことである。核層が閉じられていることを確保するためには、それぞ れの場合に支持体表面に対して大量の核金属（Ｋｅｉｍｍｅｔａｌｌ）が必要で ある。さらに、粉末の無電解金属化はこれまで不知である。本発明者は実験にお いて、粉末に公知の核層形成および次いで無電解金属化を適用する場合、被膜は 非常に不均等であることを確認した。 本発明の利点 貴金属塩が支持体表面に化学的に結合している請求項１の部類による支持体は 、均等に十分に閉じた核層で覆われている。その厚さは、最大で数原子層である 。そのため、単位面積当たりの核材料の必要性は僅かである。後続する金属化の 場合、均等で十分に閉じた金属層を確保するためには相応に比較的僅かな金属が 必要であるにすぎない。核層の結合のためには、残基Ｘを有する結合性原子団Ｘ −（Ｋ）_mが少なくとも１個の酸素橋を介して支持体表面に結合していて、基Ｋ は貴金属塩を錯化することができ、その際ｍが１および３の間の整数、好ましく は１であるのが有利である。Ｘは、好ましくはシラニル基、炭化水素基、ジルコ ニル基、チタニル基およびアルミニウム含有基の群から選択されている。官能基 Ｋとしては、場合により置換されているアルケニル基、アルキニル基またはアリ ール基のようなπ官能基またはアミノ基がとくに適当である。本発明は、有利に 酸化物支持体および表面に酸化物皮膜を形成しうる支持体材料、殊にガラス、セ ラミック、窒化物、オキシ窒化物、炭化物、ケイ化物、酸化ジルコニウム、酸化 ニッケル、アルミン酸塩、酸化アルミニウム、プラスチックおよびこれら材料の ２種または数種の組合せの群から選択されている支持体材料に適用できる。本発 明は核層形成した支持体が約１００ｎｍおよび約３００μｍの間の範囲内の粒度 を有する粉末として存在する場合にも適用できること がとくに有利である。本発明の特別な利点は、完全平面の支持体だけでなく、粉 末にも意図的に核層形成し、これにより意図的に金属化することができることで ある。殊に錯化により、支持体表面上に貴金属核の微細で均等な分布が達成でき る。貴金属は、好ましくはパラジウムまたは白金であり、その際パラジウムが、 白金よりも廉価であるので最も好ましい。 殊に核層形成した本発明による支持体の製造のためには、請求項７の部類によ る、貴金属塩を支持体表面に化学的に結合する方法が適当である。その際、貴金 属塩を、一方で支持体表面と、他方で貴金属塩と反応することのできる少なくと も二官能性化合物の媒介により支持体に結合するのが有利である。酸化物の支持 体表面または酸化物皮膜で覆われた支持体表面を一般式（Ａ）_n−Ｘ−（Ｋ）_m［ 式中Ａは酸化物上の水和物皮膜と酸素橋の形成下に基Ｘに反応することのできる 反応性基であり、Ｋは貴金属錯化性基であり、ｎおよびｍは１および３の間の整 数であり、その際ｎおよびｍは最も好ましくはそれぞれ１である、つまり化合物 は二官能性である］の化合物と反応させるのが有利であり、引き続き基Ｋとリガ ンド交換できる可溶性錯貴金属化合物と反応させ、塩を場合により自体公知の方 法で還元するのがとくに有利である。その際、ＸおよびＫは原子団Ｘ−（Ｋ）_m （上記参照）におけるものと同じ意味を有し、およびＡがハロゲン、エステル基 、カルボキシル基および酸ハロゲン化物基の群から選択されているのが好ましい 。記述した化合物の有利な代表例は、アリルジメチルクロルシラン、オレイン酸 またはリノール酸、ナフテン酸およびアミノプロピルメチルジエトキシシランの 群から選択されている。 方法を実施する場合、使用される貴金属塩がシクロオクタジエンまたはベンゾ ニトリルのような、官能基Ｋとリガンド交換できる錯生成剤で錯化されているの が有利である。核層形成材料の付着改善のためおよび支持体表面と二官能性化合 物との反応を容易にするために、支持体を核層形成する前に、アルカリ金属水酸 化物、殊に水酸化ナトリウムのような溶解試薬（Ａｕｆｓｃｈｌｕｓｓａｇｅｎ ｚｉｅｎ）またはフッ化水素酸溶液のようなフッ化水素酸含有溶液またはＨＦ／ ＮＨ₄Ｆ混合物含有溶液で処理するのが推奨される。本発明による方法は、支持 体材料が上記に記載した材料から選択されている場合に、とくに有利に適用され る。 本発明により、請求項１５の部類による、金属層で覆われている核層形成した 粉末が提供される。本発明による粉末は、核層が粉末表面に化学的に結合してい る場合にとくに有利な性質を有し、その際形成核層の結合のために結合性原子団 Ｘ−（Ｋ）_mは基Ｘで少なくとも１個の酸素橋を介して支持体表面に結合してい て、官能基Ｋは貴金属塩を錯化することができ、その 際ｍは１および３の間の整数、好ましくは１であるのが有利である。その際、Ｘ はシラニル基、炭化水素基、ジルコニル基、チタニル基およびアルミニウム含有 基の群から選択されているのが有利である。官能基Ｋとしては、場合により置換 されているアルケニル基、アルキニル基またはアリール基のようなπ官能基（π −Ｆｕｎｋｔｉｏｎ）またはアミノ基がとくに適当である。粉末材料が、ガラス 、セラミック、窒化物、オキシ窒化物、炭化物、ケイ化物、酸化ジルコニウム、 酸化ニッケル、アルミン酸塩、酸化アルミニウム、プラスチックのような材料ま たはこれら材料の２つ以上の組合せからなり、水和物皮膜で覆われている場合が 有利であり、その際ガラスおよびセラミックがとくに好ましい。金属層がＮｉ／ Ｗ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｃｏ／ＷおよびＣｏ／Ｍｏのような合金、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、 Ａｕのような個々の金属および白金族金属、またはＣｕＯおよびＣｕ₂Ｏのよう な金属酸化物を含有するのが有利である。 本発明による金属化粉末の焼結の際、その導電性相が連続的である２相材料が 生じる。その際、電気抵抗は網目細工様に構成された導電性金属相の体積割合に より調節される。これにより、材料の抵抗率は狭い範囲内で再現可能に調節でき る。これに反して、公知の金属−セラミック複合材料（サーメット）の場合、電 気抵抗は金属粒子間のパーコレーション（Ｐｅｒｋｏ ｌａｔｉｏｎ）により調節される。その際、粉末および金属は大割合で共存する 。パーコレーションを確保するために、たとえば白金での粉末金属化の場合金属 粉末混合物中の白金の重量割合は３０重量％以上である。 本発明により、粉末表面に貴金属塩を核層形成し、その際貴金属塩は支持体に 化学的に結合されている、請求項２０の部類による金属化法を、粉末表面を無電 解金属化するために使用することができる。その際、上記に記載した方法におけ るように核層形成するのが有利である、それというのもこの場合とくに均等な核 層形成だけでなく、それに基づき相応に均等な金属化が得られるからである。引 き続き、設けるべき１種の金属の塩ないしは数種の金属の塩、および還元電位が １種ないしは数種の塩および場合により貴金属塩に調整されている還元剤を含有 する浴中で無電解金属化する。その際、錯化により粉末表面上に非常に微細で均 等、つまり閉じた金属層が生じる。核層は本発明による核層形成法で粉末粒子の 表面上に設けることもできるので、従来不可能であったが、粉末表面を均等な金 属層で被覆することもできる。 実施例の記述 次の記述において、ガラス板またはガラス粉末の形のガラス支持体にパラジウ ムで核層形成し、次いでニッケル／タングステンからなる層で被覆する。しかし 、パラジウムで核層形成し、ニッケル／タングステンで被覆されたガラス支持体 に対する本発明の適用は実際に有利であるが、この材料の組合せに制限されてい ないことを明らかにする。 支持体として、ガラス板または１００ｎｍおよび３００μｍの間の範囲内の粒 度を有するガラス粉末から出発する。支持体表面を、好ましくは水酸化ナトリウ ム、フッ化水素酸のような溶解剤またはＨＦ／ＮＨ₄Ｆ混合物で処理する。処理 は、殊に後で設けられる核層の付着を改善するため粗面化するのに役立つ。しか し、この処理を省略する場合、設けられた核層はそれにも拘わらずかなりの付着 を有する。支持体は、クロロホルムのような固有溶剤中の有機ケイ素化合物の５ ％〜３０％、好ましくは約１０％溶液中に０℃および４０℃の間の温度、好まし くは室温で浸漬し、撹拌しながら数時間放置する。有機ケイ素化合物は好ましく は一般式（Ａ）_n−Ｘ−（Ｋ）_mを有し、式中ｎおよびｍはそれぞれ１〜３の整数 、好ましくは１であり、Ａはガラス表面−正確には水和物皮膜−と反応する反応 性基であり、Ｘは好ましくはシラニル基であり、Ｋはアリル基のようなπ官能基 またはアミノ基を表わす。典型的な代表例は、アリルジメチルクロルシランであ り、このものはガラス表面と、ＨＣＩの脱離および酸素橋の形成下に反応する。 引き続き、支持体を溶液から引出し、乾燥する。 第１反応工程において活性化されたガラス表面に、官能基Ｋとリガンド交換し うる貴金属塩の有機錯体、たとえばＰｄＣｌ₂．ベンゾニトリルまたはＰｄＣｌ₂ シクロオクタジエンを反応させる。このために、ガラス表面を、第１反応工程に おいて使用されたと同じ種類のものであってもよい溶剤中の有機錯体の溶液中に 浸潰する。反応温度および反応時間も第１反応工程におけると類似であってもよ い。リガンド交換が行われ、貴金属錯体の錯生成剤が支持体に結合した官能基Ｋ と交換される。引き続き、支持体を溶液から引出し、乾燥する。それにより、ガ ラス支持体はＰｄＣｌ₂で核層形成される。ＰｄＣｌ₂は後続する金属化工程前に 、たとえばＮａＢＨ₄またはたの錯ボランとの反応によりまたは無電解金属化の 間に初めて還元することができる。 支持体材料１ｇあたりＰｄＣｌ₂の析離量を測定するためには支持体を秤量し 、引き続きＰｄＣｌ₂を溶解し、溶液中のパラジウム量を原子吸光分光分析また は原子発光分光分析により測定する。鏡検は支持体表面の均等な着色を示し、こ れは均等な核層形成を推論させる。ＰｄＣｌ₂ないしはＰｄでの表面の均等な被 覆を基礎にする場合、支持体上に固着されたＰｄ量または付加的に確かめられた 支持体表面積から、被覆は１〜１０分子層の大きさであることが判明する。 核層形成したガラス粉末上にニッケル／タングステ ン合金からなる層を設けるために、この粉末にタングステン塩、好ましくはタン グステン酸塩、ニッケル塩、好ましく硫酸ニッケルおよびジアルキルアミンボラ ンのような還元剤および場合により湿潤剤のような他の添加物を含有する水溶液 を作用させる。設けられた層の厚さの制御は、反応温度および反応時間によって 行われる。反応温度は、とくに約６０℃および約１００℃の間の範囲内であり、 好ましくは約８０℃である。反応は、アルカリ性条件下、好ましくは７．５およ び１０．５の間のｐＨ値、とくに好ましくは約９で実施され、約１０分および約 ３０分の間継続する。 製造された金属層は非常に均等であり、これは金属化されたガラス粉末から焼 結することにより製造したプレートでの組織分析および互いに垂直な２方向にお ける４点抵抗測定（４−Ｐｕｎｋｔ−Ｗｉｄｅｒｓｔａｎｄｓｍｅｓｓｕｎｇｅ ｎ）によって確かめられる。設けられた層の厚さは、析離金属量ないしは反応時 間次第でナノメーターおよびマイクロメーターの間にある。それを確かめるため に、支持体上に析離し、次に剥離した金属量を原子発光分光分析ないしは原子吸 光分光分析によりおよび粉末表面積を通常の方法により測定する。 ガラス支持体に対すると同様に、本発明は酸化物であるかまたは表面に酸化物 皮膜を形成する他の支持体、たとえばセラミック、窒化物、オキシ窒化物、炭化 物、ケイ化物、アルミン酸塩、酸化ジルコニウム、酸化ニッケル、酸化アルミニ ウム、プラスチック、たとえばポリイミド、ポリエステル、ウレタン、ポリアミ ド、シリコーン、アクリレート、スチロール等およびこれら材料の２種または数 種の組合せからなる支持体に対しても適用できる。 一般に、好ましくは、一般式（Ａ）_n−Ｘ−（Ｋ）_mの二官能性化合物［式中基 Ｘはシラニル基、炭化水素基、たとえば２〜１０個の炭素原子を有する炭化水素 基、ジルコニル基、チタニル基およびアルミニウム含有基の群から選択されおよ び場合により置換されているアルケニル基、アルキニル基またはアリール基のよ うな少なくとも１個の官能基Ｋまたはアミノ基、およびハロゲン、エステル基、 カルボキシル基および酸ハロゲン化物基の群から選択されている少なくとも１個 の反応性基と組合されている］が核層形成の第１反応工程における反応体として 適当である。該反応体は支持体材料次第で、支持体および基Ｘの間に、たとえば Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ結合、Ｚｒ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｚｒ−Ｏ−Ｃ結 合、Ｔｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｔｉ−Ｏ−Ｃ結合、Ｔｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｃ−Ｏ−Ｃ 結合、Ｃ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｔｉ−Ｏ−Ｔｉ結合、Ｚｒ−Ｏ−Ｚｒ結合、Ａｌ−Ｏ −Ｓｉ結合またはＡｌ−Ｏ−Ａｌ結合を形成する。市場で入手できおよび／また は容易に製造できるこれら反応体の代表例には、アリ ルジメチルクロルシランのほかに、ビニルクロルシラン、オレイン酸またはリノ ール酸、ナフテン酸およびアミノプロピルメチルジエトキシシランが所属する。 核層形成の際の溶剤としては、クロロホルムのほかに、ＴＨＦ、アルカン、ジ エチルエーテルのような容易に乾燥できる他の溶剤および他の固有の溶剤が使用 できる。 パラジウムのほかに、他の貴金属、殊に白金のようなＶＩＩＩｂ族の貴金属が 、核層形成のために適当である。官能基Ｋとリガンド交換できる貴金属塩に対す る錯生成剤には、シクロオクタジエンおよびベンゾニトリルのほかに、殊にブタ ジエンおよびその誘導体およびアルキンが所属する。 Ｎｉ／Ｗ合金のほかに、類似の有利な性質を有するＮｉ／Ｓｎ、Ｃｏ／Ｗおよ びＣｏ／Ｍｏのような合金、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕおよび白金族金属のような 個々の金属、またはＣｕＯおよびＣｕ₂Ｏのような他の金属酸化物の層も、本発 明による核層上に設けることができる。銅で被覆する場合、粉末を核層形成後ま ず酸素化合物生成のためにＵＶ光線で照射し、次に銅浴を用い室温で金属化する 。 次に、本発明を２つの特殊な例に基づいてなお詳細に記載する。 例１ ガラス支持体（ガラス粉末）の核層形成 核層形成の２つの工程を次の２つの反応式につき説明する： 式中、垂直の長い線は支持体表面を表わし、浴槽状の構造はシクロオクタジエン を表わす。約６０μｍおよび２００μｍの間の範囲内の粒度を有するガラス粉末 を、表面を粗面化するために希フッ化水素酸で溶解し、中性に洗浄し、乾燥した 。粉末５ｇを、室温でクロロホルム中のアリルジメチルクロルシランの１０％溶 液０．５１に加える。混合物を一晩中室温で撹拌する、その際最初の図示反応式 により説明した反応が経過した。次に、溶液を分離し、粉末をクロロホルムで洗 浄し、次いで乾燥した。 乾燥した粉末を、クロロホルム中の塩化パラジウム のシクロオクタジエン錯体の１０％溶液０．５１で、室温で１２時間撹拌しなが ら処理した。その際、二番目の図示反応式により説明した反応が経過した。引き 続き、溶液を分離し、粉末をクロロホルムで洗浄し、その後乾燥した。 顕微鏡下の試験は、粉末表面が単一に着色されたことを示し、これは核層形成 が均等である、つまり単一な厚さで十分に閉じていることを示唆する。粉末表面 および析離した塩化パラジウム量を確かめ、これから塩化パラジウムの層厚を計 算し、その際単一な厚さの閉じた核層を基礎にした。計算した層厚は５分子層で あった。 例２ 核層形成したガラス粉末の金属化 例１で得たガラス粉末１０ｇを、 Ｎａ₂ＷＯ₄ ４９．５ｇ グルコン酸Ｎａ ６５．４ｇ ＮｉＳＯ₄．６Ｈ₂Ｏ ６．５７ｇ ジメチルアミンボラン ５．１３ｇ チオ尿素 ５０ｍｇ Ｈ₂Ｏ 約５００ｍｌおよび ２５％のアンモニア溶液 約７５ｍｌ から構成された溶液中へ入れた。溶液は、９のｐＨ値を有し、８０℃に加熱し、 撹拌した。１０分後、溶液を冷却し、引き続きガラス粉末から分離した。ガラス 粉末を水で洗浄し、次いで乾燥した。 光学顕微鏡下で、粉末粒子は均等に金属層で被覆されていたことが認められた 。原子吸光分光分析により、金属層は重量比８０：２０のＮｉ／Ｗ合金からなっ ていて、析離量は０．２ｇであることが確かめられた。これは、金属化粉末の重 量に対して合金２重量％の割合になる。金属化粉末を、保護ガス下でプレートに 焼結した。このプレートでの互いに垂直な２方向における４点法による抵抗測定 は、単一な抵抗値を生じた（測定値は２０□Ωであった）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリッヒ アイゼレ ドイツ連邦共和国 Ｄ―70199 シユツツ トガルト ベックラーシュトラーセ ６ベ ー (72)発明者 ドロテー クリング ドイツ連邦共和国 Ｄ―71229 レオンベ ルク ビュースナウアー シュトラーセ 24

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．貴金属塩が、基Ｘを有する結合性原子団Ｘ−（Ｋ）_mにより少なくとも１つ の酸素橋を介して化学的に支持体表面に結合していて、基Ｋは貴金属塩を錯化で き、ｍは１および３の間の整数である、貴金属塩で核層形成した支持体において 、Ｘが炭化水素基、ジルコニル基、チタニル基およびアルミニウム含有基の群か ら選択されていて、およびＫは場合により置換されているアルケニル基、アルキ ニル基またはアリール基のようなπ官能基であることを特徴とする、貴金属塩で 核層形成した支持体。 ２．基Ｘを有する結合性原子団Ｘ−（Ｋ）_mは少なくとも１つの酸素橋を介して 支持体表面に結合していて、基Ｋは貴金属塩を錯化でき、ｍは１および３の間の 整数、好ましくは１であることを特徴とする請求項１記載の支持体。 ３．Ｘがシラニル基、炭化水素基、ジルコニル基、チタニル基およびアルミニウ ム含有基の群から選択されていて、Ｋは場合により置換されているアルケニル基 、アルキニル基、アリール基のようなπ官能基またはアミノ基であることを特徴 とする請求項１または２記載の支持体。 ４．支持体材料が酸化物材料であるかまたは表面に酸化物皮膜を形成でき、好ま しくはガラス、セラミッ ク、窒化物、オキシ窒化物、炭化物、ケイ化物、酸化ジルコニウム、酸化ニッケ ル、アルミン酸塩、酸化アルミニウムおよびプラスチックの群からまたは記述し た材料の２種または数種の組合せから選択されていることを特徴とする請求項１ から３までのいずれか１項記載の支持体。 ５．支持体が、約１００ｎｍおよび約３００μｍの間の範囲内の粒度を有する粉 末として存在することを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の支 持体。 ６．記述した貴金属がＶＩＩＩｂ族の金属、好ましくはパラジウムまたは白金で あることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項記載の支持体。 ７．支持体が酸化物の支持体であるか、または酸化物皮膜で被覆された支持体表 面を有し、貴金属塩を、一方で酸化物の支持体表面または酸化物皮膜で被覆され た支持体表面および他方で貴金属塩と化合することのできる一般式（Ａ）−Ｘ− （Ｋ）_m［式中Ａは酸化物上の水和物皮膜と酸素橋の形成下に基Ｘに反応するこ とができ、Ｋは貴金属塩を錯化する基であり、ｎおよびｍは１および３の間の整 数である］の少なくとも二官能性化合物の媒介によって、化学反応により化学的 に支持体表面に結合し、引き続き官能基Ｋとリガンド交換しうる可溶性の錯貴金 属化合物と反応させ、塩を場合により自体公知の方法で 還元する、支持体を貴金属塩で核層形成する方法において、ＸおよびＫは請求項 １において定義したように記載されていることを特徴とする支持体を貴金属塩で 核層形成する方法。 ８．貴金属塩を、一方で支持体表面および他方で貴金属塩と反応することのでき る少なくとも二官能性化合物の媒介により支持体に結合することを特徴とする請 求項７記載の方法。 ９．酸化物の支持体表面または酸化物皮膜で被覆された支持体表面を、一般式（ Ａ）_n−Ｘ−（Ｋ）_m［式中Ａは酸化物上の水和物皮膜と酸素橋の形成下に基Ｘに 反応することのできる反応性基であり、Ｋは貴金属錯化性基であり、ｎおよびｍ は１および３の間の整数、好ましくはそれぞれ１である］の少なくとも二官能性 化合物と反応させ、引き続き官能基Ｋとリガンド交換しうる可溶性錯貴金属化合 物と反応させ、塩を場合により自体公知の方法で還元することを特徴とする請求 項７または８記載の方法。 １０．ＸおよびＫが請求項３に記載したように定義され、Ａがハロゲン、エステ ル基、カルボキシル基および酸ハロゲン化物基の群から選択されていることを特 徴とする請求項７から９までのいずれか１項記載の方法。 １１．少なくとも二官能性化合物が、アリルジメチルクロルシラン、オレイン酸 またはリノール酸、ナフ テン酸およびアミノプロピルメチルジエトキシシランの群から選択されているこ とを特徴とする請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法。 １２．使用した貴金属塩を、シクロペンタジエンまたはベンゾニトリルのような 錯生成剤で錯化することを特徴とする請求項７から１１までのいずれか１項記載 の方法。 １３．支持体材料を請求項４に記載した材料の１つから選択することを特徴とす る請求項７から１２までのいずれか１項記載の方法。 １４．支持体を核層形成前に、アルカリ金属水酸化物、殊に水酸化ナトリウムの ような溶解剤、またはフッ化水素酸溶液のようなフッ化水素酸含有溶液またはＨ Ｆ／ＮＨ₄Ｆ混合物含有溶液で処理することを特徴とする請求項７から１３まで のいずれか１項記載の方法。 １５．核層が化学的に請求項１または６により粉末表面に結合されていることを 特徴とする、核層が金属層で被覆されている、貴金属塩で核層形成された粉末。 １６．核層が化学的に粉末表面に結合されていることを特徴とする請求項１５記 載の粉末。 １７．核層が化学的に請求項１から３および６のいずれか１項により粉末表面に 結合されていることを特徴とする請求項１６記載の粉末。 １８．粉末が、請求項４に開示された材料の１つ、好ましくはガラスまたはセラ ミックからなることを特徴とする請求項１６または１７記載の粉末。 １９．金属層が、Ｎｉ／Ｗ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｃｏ／ＷおよびＣｏ／Ｍｏのような合 金、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕおよび白金族金属のような個々の金属、またはＣｕ ＯおよびＣｕ₂Ｏのような金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１５か ら１８までのいずれか１項記載の粉末。 ２０．約１００ｎｍおよび約３００μｍの間の範囲内の粒度を有することを特徴 とする請求項１５から１９までのいずれか１項記載の粉末。 ２１．粉末表面を貴金属塩で核層形成し、粉末表面に化学的に結合させ、引き続 き自体公知の方法で無電流金属化する、粉末の金属化方法において、粉末を、請 求項７から１４のいずれか１項の開示されているように核層形成し、引き続き設 けるべき１種の金属の塩ないしは設けるべき数種の金属の塩および還元電位が１ 種の塩ないしは数種の塩および場合により貴金属塩に調整されている還元剤を含 有する浴中で無電流金属化することを特徴とする粉末の金属化方法。 ２２．粉末を、請求項７から１４までのいずれか１項に開示されているように核 層形成し、引き続き設けるべき１種の金属の塩ないしは設けるべき数種の金 属の塩、および還元電位が１種の塩ないしは数種の塩および場合により貴金属塩 に調整されている還元剤を含有する浴中で無電解金属化することを特徴とする請 求項２１記載の方法。