JP2001326169A - ステンシルマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細化され且つ薄膜化されたステンシルマス
クに於いても、所定の強度を保持すると同時に熱応力に
よる変形を有効に防止すると共に、精密な加工精度を有
するパターンを有するステンシルマスクを提供する。 【解決手段】 一つ或いは複数個の開口１５を有する開
口部１４を有するマクス部層１３、当該開口部１４以外
の部分１６からなるマクス部層１３を支持する支持台部
１１及び当該マスク部層１３と当該支持台部１１との間
に設けられている金属を含んだシリコン酸化膜層部１２
とで構成されているステンシルマスク１０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ステンシルマスク
及びステンシルマスクの製造方法に関するものであり、
特に詳しくは、微細化されたマスクパターンを有するス
テンシルマスクに於て、精密なマスクパターンが得られ
ると共に、温度依存性の無い、然も転写精度の大きなス
テンシルマスク及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電子ビームを所定の形状に成
形し、電子レンズ等で構成された光学系を使用して所定
の倍率に縮小した上で所定のウェハ等に照射させ、所望
のパターンを当該ウェハ上に形成する場合に、ステンシ
ルマスクを使用する事は、良く知られている事である。

【０００３】例えば、図４は、従来に於けるステンシル
マスクの製造方法の一具体例を説明する工程断面図であ
って、先ず、図４（ａ）に示すように、直径２００ｍｍ
のシリコンウェハ（支柱側シリコン基板）４１の表面上
に厚さ１μｍ程度のシリコン酸化膜４２を、熱酸化法も
しくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。

【０００４】次に、図４（ｂ）に示すように、マスクが
形成される表面側シリコン基板４３を張り合わせ、ＣＭ
Ｐ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌ
ｉｓｈｉｎｇ）技術により厚さ２μｍ程度に研磨して薄
膜化する。

【０００５】次に、図４（ｃ）に示すように、表面側シ
リコン基板４３上にレジストを回転塗布し、電子ビーム
リソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成
し、このレジストをマスクとしてレジスト開口部のシリ
コン基板４３をドライエッチング技術によりエッチング
し、表面側シリコン基板４３をパターニングする。

【０００６】最後に、図４（ｄ）に示すように、支持台
側シリコン基板４１の裏面側の所定の部分のみ開口した
マスクを形成し、シリコンウェットエッチングを行う
（以下、これを「バックエッチ」と呼ぶ）。

【０００７】シリコン酸化膜４２をエッチストッパとし
て表面側シリコン酸化膜４２が露出するまで、当該支持
台側シリコン基板４１に対してバックエッチを行い、続
いて表面側シリコン基板４３をエッチストッパとして、
表面側シリコン基板４３が露出するまでシリコン酸化膜
４２をバックエッチを行い、ステンシルマスクを形成す
る。

【０００８】本発明を適用しようとしている、電子ビー
ムリソグラフィ用シリコンステンシルマスクにおいて
は、高い転写精度を提供することが重要な要素の一つと
なっている。

【０００９】しかしながら、従来のステンシルマスク製
造方法においては、パターン領域のシリコン酸化膜は除
去されるが、支柱領域のシリコン酸化膜は最後まで残っ
ているために、シリコン基板とシリコン酸化膜の熱膨張
係数の違いに起因して応力が発生し、転写精度が低下す
る。

【００１０】また、シリコン酸化膜の熱伝導性が低いた
めステンシルマスク全体として温度が均一にならず、局
所的に温度が上昇した部分において応力が発生し、転写
精度が低下する。

【００１１】また、シリコン酸化膜の電気伝導性が低い
ため、局所的にチャージアップが発生し、電子ビームの
軸線が変化して、転写精度が低下すると言う問題も有っ
た。

【００１２】そこで、例えば、特開昭６２−０８９０５
３号公報には、フォトマスクの形成方法に関して、石英
ガラスからなるマスク基板の全面にイオン注入法により
ナトリウムイオンをイオン注入してその表面にクロム膜
をパターニングすることで、熱応力に強く、転写精度の
高いフォトマスクを形成できることが 開示されてい
る。

【００１３】この技術は、熱応力の緩和やチャージアッ
プ防止という点に関しては一応の効果を奏している。

【００１４】しかしながら、この発明では、石英ガラス
からなるマスク基板全面に金属イオンをイオン注入して
おり、ステンシルマスクにおいて、この発明をそのまま
適用すると、支柱領域のみならず、パターン領域にも金
属イオンが注入されることになり、そのため、パターン
領域のシリコン基板やシリコン酸化膜に結晶欠陥を発生
させる。この結晶欠陥はドライエッチ法やウェットエッ
チ法によるパターンの加工精度を劣化させる。

【００１５】また、パターン領域のシリコン酸化膜やシ
リコン基板に存在する金属原子や金属イオン注入に起因
して発生する結晶欠陥によって、バックエッチング工程
におけるストッパーとしての機能が低下する為、精密な
マスクパターンを形成する事が不可能となる。

【００１６】又、特開昭６２−３１８５３号公報には、
石英マスクに関して記載されており、その表面層にイオ
ン注入を行って面積抵抗を低下させたマスクに関して記
載されている。

【００１７】然しながら、係る従来例は、ガラス基板に
直接形成されたマスクであって、本発明に於ける様なス
テンシルマスクでは無いと同時に、その目的が、石英基
板に帯電する電荷を放電させる為に当該石英基板全面に
クロムイオンを注入した例が示されているが、ステンシ
ルマスクに於ける本発明の様な構成に関しては、全く記
載も示唆も無い。

【００１８】一方、特許第２９７９６３１号公報には、
ステンシルマスクの形成方法に関して記載されており、
シリコン基板にボロンを注入した後、更にボロン層の上
にタングステンを堆積させ、係るボロン層とタングステ
ン層とをエッチングして所定の開口パターンを形成し、
更にボロン層をタングステン層で被覆してステンシルマ
スクが開示されている。

【００１９】然しながら、本公知例に於いては、シリコ
ンとボロンドープシリコンとはエッチングレートの差が
大きくないので、当該シリコン層をエッチングする際、
当該ボロンドープシリコンがエッチングストッパーとし
て十分機能する事が出来ず、従って、微細化の進むステ
ンシルマスクに於ける高精度なマスクバターンを形成す
る事が困難となると言う問題があると同時に、ボロンを
ドープしたシリコン層は、結晶欠陥が多く発生する為、
マスクパターン形成時に精密なパターンを形成する事が
不可能である。

【００２０】一方、本公知例に於けるタングステン層に
於いては、タングステンは一般にグレインサイズが大き
い為、当該グレインとグレイン間に大きな隙間を発生さ
せることから、当該タングステン層をエッチングする際
にも、マスクパターンの加工精度を低下させると言う欠
点がある。

【００２１】更に、本公知例に於いては、ボロンドープ
シリコン層とタングステン層とが接触して積層形成され
るものであるが、ボロンドープシリコン層とタングステ
ン層との間に、熱膨張係数の差が存在することから、製
造時、及び使用時に発生する熱の影響によって、両者の
層間に応力が発生し、マスクの配置位置の精度を低下さ
せると言う問題があり、係る問題は、当該ステンシルマ
スクの微細化、薄膜化が進むにつれてより大きな問題と
してクローズアップされる様になって来ている。

【００２２】然しながら、本公知例では、係る問題点を
解決する為の技術的な開示は全く見られない。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、微細化され且つ
薄膜化されたステンシルマスクに於いても、所定の強度
を保持すると同時に熱応力による変形を有効に防止する
と共に、精密な加工精度を有するパターンを有するステ
ンシルマスク及びステンシルマスクの製造方法を提供す
るものである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に於ける第１の態様は、開
口部を有するマクス部層、当該開口部以外のマクス部層
を支持する支持台部及び当該マスク部層と当該支持台部
との間に設けられている金属を含んだシリコン酸化膜層
部とで構成されているステンシルマスクであり、又、本
発明に於ける第２の態様としては、少なくとも支持台部
が形成されるシリコン膜層と当該支持台部の一部を構成
するシリコン酸化膜層とを積層して形成する工程、当該
シリコン酸化膜層上にレジスト膜を形成し、所定のパタ
ーンが形成される様にパターンニングする工程、当該パ
ターン化された当該レジスト膜をマスクとして、当該シ
リコン酸化膜層中に金属イオン注入する工程、当該シリ
コン酸化膜層上に設けられたマスク形成用のシリコン膜
層にパターニング処理を行って、当該金属イオンが注入
されていない当該シリコン酸化膜層上に配置されている
当該シリコン膜層に電子ビームが通過しうる開口部を形
成する工程、当該支持台部が形成されるシリコン膜層に
於ける、当該シリコン酸化膜層が形成されていない主面
からエッチングを行って、当該支持台部を構成する部分
を除く当該シリコン膜層及び当該金属が含まれていない
シリコン酸化膜層部とを除去する工程、とから構成され
ているステンシルマスクの製造方法である。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明に係る当該ステンシルマス
ク及びステンシルマスクの製造方法は、上記した様な技
術構成を採用しているので、微細化され且つ薄膜化され
たステンシルマスクに於いても、所定の強度を保持する
と同時に熱応力による変形を有効に防止すると共に、精
密な加工精度を有するパターンを有するステンシルマス
クを得る事が出来る。

【００２６】

【実施例】以下に、本発明に係るステンシルマスク及び
ステンシルマスクの製造方法に関する一具体例の構成を
図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２７】即ち、図１は、本発明に係るステンシルマ
スクの一具体例の構成の概要を示す断面図であって、図
中、一つ或いは複数個の開口１５を有する開口部１４を
有するマクス部層１３、当該開口部１４以外の部分１６
からなるマクス部層１３を支持する支持台部１１及び当
該マスク部層１３と当該支持台部１１との間に設けられ
ている金属を含んだシリコン酸化膜層部１２とで構成さ
れているステンシルマスク１０が示されている。

【００２８】本発明に係る当該ステンシルマスク１０に
於いては、当該支持台部１１は、シリコン膜層によって
形成されている事が望ましい。

【００２９】又、本発明に於ける当該マクス部層１３
は、シリコン膜層によって形成されている事が望まし
い。

【００３０】一方、本発明に於ける当該ステンシルマス
ク１０に於て使用される金属を含んだシリコン酸化膜層
部１２は、例えば、リン原子、ボロン原子、タングステ
ン原子等から選択された、少なくとも一つの金属原子が
含まれている事が好ましい。

【００３１】勿論、本発明に於て使用可能な金属として
は、上記以外のものでも使用可能である。

【００３２】本発明に於ける当該ステンシルマスク１０
は、上記し示した様に、電子ビームリソグラフィに用い
るステンシルマスクに関するものであり、ステンシルマ
スク１０の支柱１１とマクス部層１３との間の領域のシ
リコン酸化膜１２中に限定してリン原子、ボロン原子等
の金属原子をイオン注入等の公知の手段を使用して混入
させる事によって、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハを用いてステンシル
マスクを作製することが可能となる様に構成されてい
る。

【００３３】より具体的には、本発明に係る当該ステン
シルマスク１０は、表面側シリコン基板１３と支持台側
シリコン基板１１の間にシリコン酸化膜１２が存在する
という構成であって、ステンシルマスク１０の支柱１１
となる領域に相当するシリコン酸化膜１２中にリン原
子、ボロン原子等の金属原子含むことを特徴としてい
る。

【００３４】従って、本発明に於ける当該ステンシルマ
スク１０に於いては、このシリコン酸化膜１２中の金属
原子の存在により、シリコン酸化膜１２の熱伝導率が大
きくなり、ステンシルマスクの局所的温度上昇を抑える
ことが出来るため、ステンシルマスクの熱応力による変
形を防ぐことが出来る。

【００３５】本発明に係る当該ステンシルマスク１０
は、微細で薄膜化されたタングステンに於て、所定の強
度と耐応力変形を有するステンシルマスクとするもので
ある。

【００３６】つまり、当該ステンシルマスク１０が、薄
膜化されればされる程、熱応力により当該ステンシルマ
スク１０は変形し易くなるので、その対策が必要となる
が、本発明に於いては、上記した様に、シリコン酸化膜
層１２中に金属イオンを注入する事によって、係る問題
を解決する事が可能となったのである。

【００３７】また、このリン原子やボロン原子等の金属
原子がシリコン酸化膜１２に粘性を与え、シリコン酸化
膜１２と表面側シリコン基板１３の熱膨張係数の違いに
起因して生ずる応力を吸収し、ステンシルマスクの変形
を防ぐことが出来る。

【００３８】そして同様にシリコン酸化膜１２と支持台
側シリコン基板１１の熱膨張係数の違いに起因して生ず
る応力を吸収し、ステンシルマスクの変形を防ぐことが
出来る。更に、本発明に於ける当該ステンシルマスク１
０に於いては、係る金属原子の存在により、シリコン酸
化膜１２の電気伝導性が大きくなり、ステンシルマスク
の局所的なチャージアップを防ぐことが出来る。

【００３９】したがって、ステンシルマスク１０を通過
するレーザービームの光軸が、当該ステンシルマスク１
０の開口部１５を通過する際に、当該シリコン酸化膜１
２の電荷によって、変位する事が防止される事になるの
で、転写されるマスクパターンの形状は、精密なものと
なる。

【００４０】なお、本発明に於ける当該金属原子は、ス
テンシルマスク１０の支柱領域のシリコン酸化膜１２中
にのみ存在し、パターン領域である開口部１４に対応す
るシリコン酸化膜１２中には金属原子は存在しない。

【００４１】すなわち、支柱領域に対応する部分のシリ
コン酸化膜１２中にのみ金属イオンを注入し、パターン
領域１４に相当するシリコン酸化膜１２中には金属イオ
ンの注入を行わない。

【００４２】従って、金属イオンの存在自体や金属イオ
ン注入によって発生する結晶欠陥によって、パターン加
工精度を劣化させることがない。

【００４３】また、パターン領域のシリコン酸化膜１２
中には金属イオンや金属イオン注入に起因して発生する
結晶欠陥が存在しないため、バックエッチング工程にお
けるシリコン酸化膜のストッパーとしての機能は低下し
ない。

【００４４】つまり、当該開口部１４に対応する当該シ
リコン酸化膜層１２の部分には、金属が混入されていな
いので、当該シリコン層１１との間に於けるエッチング
レートは、必要なレベルの相違が存在しているので、当
該支持台部１１を残す為に、当該シリコン層１１を当該
シリコン酸化膜層１２が設けられていない面から２段エ
ッチング処理する際に、第１段のエッチング処理に於
て、当該シリコン酸化膜層１２の下面に於て当該シリコ
ン層１１のエッチングを確実にストップさせる事が出
来、又、第２段目のエッチングに於いては、当該シリコ
ン酸化膜層１２を当該開口部１４を有する表面側シリコ
ン基板１３の表面で当該シリコン酸化膜層１２のエッチ
ングをストップさせる事ができ、その結果、当該ステン
シルマスク１に於けるパターニングは、極めて精密に行
う事が可能となる。

【００４５】次に、本発明に係るステンシルマスクの製
造方法の具体的を図面を参照しながら詳細に説明する。

【００４６】即ち、図２を参照すると、本発明の一実施
例としてのステンシルマスク製造方法に関するフローチ
ャートが示されている。

【００４７】先ず、図２（ａ）に示すように、直径２０
０ｍｍのシリコン（Ｓｉ）ウェハ（支持台側シリコン基
板）２１の表面上に厚さ１μｍ程度のシリコン酸化膜２
２を、熱酸化法もしくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する。次
に、図２（ｂ）に示すように、支持台側シリコン基板２
１上のシリコン酸化膜２２の表面上に、レジストを回転
塗布し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジス
トパターン２３の形成を行う。

【００４８】ここで、レジストパターン２３は、後に当
該シリコン酸化膜層１２に於ける、支柱として残る部分
１７が開口するようにパターニングを行う。

【００４９】次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト
パターン２３をマスクとしてリンイオン、または、ボロ
ンイオン、或いはタングステンなどの金属イオンをシリ
コン酸化膜２２中に注入して、金属イオン注入領域２４
を形成した後、レジスト２３を除去する。

【００５０】なお、ここでイオン注入を行う金属イオン
は、シリコン酸化膜中に存在した場合に、シリコン酸化
膜と比較して、電気伝導性、熱伝導性が高くなるような
金属イオンを用いることが望ましい。

【００５１】次に、図２（ｄ）に示すように、当該シリ
コン酸化膜層２２の当該シリコン基板２１２とは反対側
の面に、マスクパターンが形成される表面側シリコン基
板２５を張り合わせ、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅ
ｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術により厚
さ２μｍ程度に研磨して薄膜化する。

【００５２】次に、図２（ｅ）に示すように、表面側シ
リコン基板２５上にレジスト１８を回転塗布し、電子ビ
ームリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形
成し、このレジスト１８をマスクとしてレジスト開口部
のシリコン基板２５をドライエッチング技術によりエッ
チングし、表面側シリコン基板２５をパターニングす
る。

【００５３】最後に、図２（ｆ）に示すように、支持台
側シリコン基板２１の裏面側の所定の部分のみ開口した
マスクを形成し、シリコンウェットエッチングを行う
（以下、これを「バックエッチ」と呼ぶ）。

【００５４】シリコン酸化膜２２をエッチストッパとし
てシリコン酸化膜２２が露出するまでバックエッチを行
い、続いて表面側シリコン基板２５をエッチストッパと
して表面側シリコン基板２５が露出するまでバックエッ
チを行い、ステンシルマスクを形成する。

【００５５】なお、このバックエッチはウェットエッチ
ングに限らず、ドライエッチングによっても可能であ
る。

【００５６】図３を参照すると、本発明に係るステンシ
ルマスク１０の製造方法の他の実施例を示すフローチャ
ートが示されている。

【００５７】先ず、図３（ａ）に示すような、直径２０
０ｍｍのＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ）ウェハを準備する。

【００５８】このＳＯＩウェハの製造方法は、張り合わ
せ法、ＳＩＭＯＸ法など種々の製造方法があるが、本発
明では、いずれの方法によるＳＯＩウェハでもかまわな
い。

【００５９】ここで、図３（ａ）に示すように、このＳ
ＯＩウェハは、支持台側シリコン基板３１とシリコン酸
化膜３２と、表面側シリコン基板３３からなる。

【００６０】次に、図３（ｂ）に示すように、表面側シ
リコン基板３３の表面上に、 レジスト３４を回転塗布
し、電子ビームリソグラフィ技術を用いて、レジスト
パターン３４の形成を行う。ここで、レジストパターン
３４は、後に支柱として残る部分１７が開口するように
パターニングを行う。

【００６１】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
パターン３４をマスクとして リンイオン、ボロンイオ
ンまたは、タングステンなどの金属イオンをシリコン酸
化膜３２中に注入して、金属イオン注入領域３５を形成
した後、レジストを除去する。

【００６２】なお、ここでイオン注入を行う金属イオン
は、シリコン酸化膜中に存在した場合に、シリコン酸化
膜と比較して、電気伝導性、熱伝導性が高くなるような
金属イオンを用いることが望ましい。

【００６３】次に、図３（ｄ）に示すように、表面側シ
リコン基板３３上にレジスト１９を回転塗布し、電子ビ
ームリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形
成し、このレジスト１９をマスクとしてレジスト開口部
のシリコン基板３３をドライエッチング技術によりエッ
チングし、表面側シリコン基板３３をパターニングす
る。

【００６４】最後に、図２（ｅ）に示すように、支持台
側シリコン基板３１の裏面側の所定の部分のみ開口した
マスクを形成し、シリコンウェットエッチングを行う
（以下、これを「バックエッチ」と呼ぶ）。

【００６５】シリコン酸化膜３２をエッチストッパとし
てシリコン酸化膜３２が露出するまでバックエッチを行
い、続いて表面側シリコン基板３３をエッチストッパと
して表面側シリコン基板３３が露出するまでバックエッ
チを行い、ステンシルマスクを形成する。

【００６６】なお、このバックエッチはウェットエッチ
ングに限らず、ドライエッチングによっても可能であ
る。

【００６７】本発明に係る当該ステンシルマスクの製造
方法と別の例としては、以下の示す様な構成を有するも
のであっても良い。

【００６８】即ち、上記した実施例では、先に表面側シ
リコン基板３３のパターニングを行い、その後支持台側
シリコン基板３１の裏面からバックエッチを行うという
バックエッチ後行プロセスを示したが、先に支持台側シ
リコン基板３１のバックエッチを行い、その後表面側シ
リコン基板のパターニングを行うバックエッチ先行プロ
セスにおいても、本発明の効果が得られる。

【００６９】更に、本発明に於ける当該ステンシルマス
クの製造方法に係る更に別の具体的としては、上記した
実施例では、電子線リソグラフィ用シリコンステンシル
マスクにおいて本発明を適用したが、これをＸ線リソグ
ラフィ用、イオン線リソグラフィ用としても、本発明の
効果が得られる。

【００７０】上記したステンシルマスク１０の製造方法
の具体例から明らかな様に、係る各具体例を集約した本
発明に係るステンシルマスクの製造方法としては、基本
的には、少なくとも支持台部が形成されるシリコン膜層
と当該支持台部の一部を構成するシリコン酸化膜層とを
積層して形成する工程、当該シリコン酸化膜層上にレジ
スト膜を形成し、所定のパターンが形成される様にパタ
ーンニングする工程、当該パターン化された当該レジス
ト膜をマスクとして、当該シリコン酸化膜層中に金属イ
オン注入する工程、当該シリコン酸化膜層上に設けられ
たマスク形成用のシリコン膜層にパターニング処理を行
って、当該金属イオンが注入されていない当該シリコン
酸化膜層上に配置されている当該シリコン膜層に電子ビ
ームが通過しうる開口部を形成する工程、当該支持台部
が形成されるシリコン膜層に於ける、当該シリコン酸化
膜層が形成されていない主面からエッチングを行って、
当該支持台部を構成する部分を除く当該シリコン膜層及
び当該金属が含まれていないシリコン酸化膜層部とを除
去する工程、とから構成されているステンシルマスクの
製造方法である。

【００７１】本発明に係る当該ステンシルマスクの製造
方法に於いては、当該シリコン酸化膜層部に注入される
金属は、リン原子、ボロン原子、タングステン原子から
選択された、少なくとも一つの金属原子である事が望ま
しい。

【００７２】更には、当該シリコン酸化膜層上に設けら
れるマスク形成用のシリコン膜層は、当該シリコン酸化
膜層に当該金属イオンを注入する工程以前に、当該シリ
コン酸化膜層上に形成しておく事も望ましい。

【００７３】一方、本発明に係る当該ステンシルマスク
の製造方法に於いては、当該シリコン酸化膜層上に設け
られるマスク形成用のシリコン膜層は、当該シリコン酸
化膜層に当該金属イオンを注入する工程以降に、当該シ
リコン酸化膜層上に形成する様に構成されている事も望
ましい。

【００７４】同様に、本発明に係る当該ステンシルマス
クの製造方法に於いては、当該シリコン酸化膜層に金属
イオンを注入する工程に於いては、当該金属イオンは、
後に当該支持台部が形成される当該シリコン層の部分と
対向する当該シリコン酸化膜層部位に注入される様に構
成される事も好ましい。

【００７５】又、本発明に係る当該ステンシルマスクの
製造方法に於いては、当該支持台部が形成されるシリコ
ン膜層に於けエッチング処理は、２段エッチング処理を
行う事も好ましい。

【００７６】

【発明の効果】本発明に係る当該ステンシルマスク及び
ステンシルマスクの製造方法は、上記した様な技術構成
を採用しているので、従来技術の欠点を改良し、微細化
され且つ薄膜化されたステンシルマスクに於いても、所
定の強度を保持すると同時に熱応力による変形を有効に
防止すると共に、精密な加工精度を有するパターンを有
するステンシルマスク及びステンシルマスクの製造方法
を得る事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明によるステンシルマスクの一具
体例の構成の概要を示す断面図である。

【図２】図２は、本発明に係るステンシルマスクの製造
方法の一具体例に於ける操作手順を説明するフローチャ
ートである。

【図３】図３は、本発明に係るステンシルマスクの製造
方法の他の具体例に於ける操作手順を説明するフローチ
ャートである。

【図４】図４は、従来のステンシルマスクの製造方法の
一例に於ける操作手順を説明するフローチャートであ
る。

【符号の説明】 １０…ステンシルマスク １１…支持台部 １２…シリコン酸化膜層部 １３…マクス部層 １４…開口部 １５…開口 １６…開口部以外の部分 １７…後に支柱として残る部分 １８、１９…レジスト ３１…支持台側シリコン基板 ３２…シリコン酸化膜 ３３…表面側シリコン基板 ３４…レジスト ３５…金属イオン注入領域 ４１…シリコンウェハ（支柱側シリコン基板） ４２…シリコン酸化膜 ４３…表面側シリコン基板

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 開口部を有するマクス部層、当該開口部
   以外のマクス部層を支持する支持台部及び当該マスク部
   層と当該支持台部との間に設けられている金属を含んだ
   シリコン酸化膜層部とで構成されている事を特徴とする
   ステンシルマスク。
2. 【請求項２】 当該支持台部は、シリコン膜層によって
   形成されている事を特徴とする請求項１記載のステンシ
   ルマスク。
3. 【請求項３】 当該マクス部層は、シリコン膜層によっ
   て形成されている事を特徴とする請求項１又は２に記載
   のステンシルマスク。
4. 【請求項４】 当該金属を含んだシリコン酸化膜層部
   は、リン原子、ボロン原子、タングステン原子から選択
   された、少なくとも一つの金属原子が含まれている事を
   特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のステンシル
   マスク。
5. 【請求項５】 少なくとも支持台部が形成されるシリコ
   ン膜層と当該支持台部の一部を構成するシリコン酸化膜
   層とを積層して形成する工程、 当該シリコン酸化膜層上にレジスト膜を形成し、所定の
   パターンが形成される様にパターンニングする工程、 当該パターン化された当該レジスト膜をマスクとして、
   当該シリコン酸化膜層中に金属イオン注入する工程、 当該シリコン酸化膜層上に設けられたマスク形成用のシ
   リコン膜層にパターニング処理を行って、当該金属イオ
   ンが注入されていない当該シリコン酸化膜層上に配置さ
   れている当該シリコン膜層に電子ビームが通過しうる開
   口部を形成する工程、 当該支持台部が形成されるシリコン膜層に於ける、当該
   シリコン酸化膜層が形成されていない主面からエッチン
   グを行って、当該支持台部を構成する部分を除く当該シ
   リコン膜層及び当該金属が含まれていないシリコン酸化
   膜層部とを除去する工程、 とから構成されている事を特徴とするステンシルマスク
   の製造方法。
6. 【請求項６】 当該シリコン酸化膜層部に注入される金
   属は、リン原子、ボロン原子、タングステン原子から選
   択された、少なくとも一つの金属原子である事を特徴と
   する請求項５記載のステンシルマスクの製造方法。
7. 【請求項７】 当該シリコン酸化膜層上に設けられるマ
   スク形成用のシリコン膜層は、当該シリコン酸化膜層に
   当該金属イオンを注入する工程以前に、当該シリコン酸
   化膜層上に形成しておく事を特徴とする請求項５又は６
   記載のステンシルマスクの製造方法。
8. 【請求項８】 当該シリコン酸化膜層上に設けられるマ
   スク形成用のシリコン膜層は、当該シリコン酸化膜層に
   当該金属イオンを注入する工程以降に、当該シリコン酸
   化膜層上に形成する事を特徴とする請求項５又は６記載
   のステンシルマスクの製造方法。
9. 【請求項９】 当該シリコン酸化膜層に金属イオンを注
   入する工程に於いては、当該金属イオンは、後に当該支
   持台部が形成される当該シリコン層の部分と対向する当
   該シリコン酸化膜層部位に注入される様に構成される事
   を特徴とする請求項５乃至８の何れかに記載のステンシ
   ルマスクの製造方法。
10. 【請求項１０】 当該支持台部が形成されるシリコン膜
    層に於けエッチング処理は、２段エッチング処理を行う
    ものである事を特徴とする請求項５乃至９の何れかに記
    載のステンシルマスクの製造方法。