[go: up one dir, main page]

JP2001351997A - 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 - Google Patents

受光センサーの実装構造体およびその使用方法

Info

Publication number
JP2001351997A
JP2001351997A JP2000173845A JP2000173845A JP2001351997A JP 2001351997 A JP2001351997 A JP 2001351997A JP 2000173845 A JP2000173845 A JP 2000173845A JP 2000173845 A JP2000173845 A JP 2000173845A JP 2001351997 A JP2001351997 A JP 2001351997A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
receiving sensor
light receiving
light
mounting structure
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000173845A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Hata
文夫 畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000173845A priority Critical patent/JP2001351997A/ja
Publication of JP2001351997A publication Critical patent/JP2001351997A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度位置決めと小型化を実現する受光センサ
ーの実装構造体の提供。 【解決手段】半導体ウエハーと、前記半導体ウエハーの
第一の面上に形成された受光センサーと、前記半導体ウ
エハーを貫通して前記受光センサー自体または前記受光
センサーに接続する配線から前記第一の面に対向する前
記半導体ウエハーの裏面に達する貫通電極と、前記受光
センサーから間隔配置された光透過性保護部材とおよ
び、前記受光センサー以外の領域で前記保護部材と前記
第一の面とを接着固定する封止材とから受光センサーの
実装構造体を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光センサ
ーの実装構造体およびその使用方法に関する。詳しく
は、本発明は、半導体受光素子を応用した受光センサ
ー、特にビデオカメラ、ディジタルカメラなどの映像機
器（以下、機器という）に広く利用されるＣＣＤやＣ−
ＭＯＳなどの半導体受光センサーの実装構造体およびそ
の使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体受光センサーの実装には、
セラミック、樹脂などで形成された封止容器内部に収
納、封止する方法が広く用いられてきた。図６にその一
例を示す。
【０００３】受光センサー４ａなどを搭載した半導体ウ
エハー１は、所定のチップ状に切断され、予め金属製リ
ード８ｂと一体に成形された封止容器８ａに接着固定す
る。半導体の配線回路４ｃと、金属製リード８ｂとを金
属製ワイヤー９で接続したのち、おもにガラス板からな
る光透過性保護部材６を封止容器に接着し、受光センサ
ーを気密封止する。
【０００４】しかしながら上述の従来の実装方式では次
のような問題点がある。
【０００５】１．半導体チップの周辺に封止容器、保護
部材などを配置する必要があり、これらは受光センサー
を応用する機器の小型化を制約する。
【０００６】２．半導体ウエハーを予め所定のチップ状
に切断し、封止容器に接着、ワイヤー接続の工程を経る
ため、取り扱い中に受光センサーにゴミが付着しやす
い。個々の受光センサーは数マイクロメートル程度の大
きさであるため、わずかなゴミも画像不良を引き起こ
し、これが歩留りの低下と製造コストの上昇に結びつ
く。
【０００７】３．保護部材や封止容器の外形と受光セン
サーとの相対位置精度としては、各部材の成形精度と接
着などによる組立精度との組み合せから、一般的には±
０．１〜０．０１ミリメートル程度になる。これに対し
て、受光センサーと光学系の相対位置精度としては±
０．０１〜０．００１ミリメートル程度を要求される場
合が多い。
【０００８】受光センサーは保護部材の中に収納、封止
されているため、直接これに触れることはできない。従
って、一般的に光学系の部材と封止容器などとの間に調
整機構を設け、受光センサーの出力を参照しながら位置
合わせを行う。
【０００９】図４のａに光学系と調整機構の例を示す。
光学系の代表であるレンズ１０１と、受光センサーの相
対位置を調整するために封止容器を支える保持部材１０
４と、ネジを介してこれに係合するレンズ保持用鏡筒１
０２との距離をネジ止めなどの手段により微調整する。
また、鏡筒１０２と光透過性保護部材６の間にパッキン
１０３を設けて、保護部材の表面に異物が付着するのを
防止することも必要である。
【００１０】このような機構と工程も機器の小型化と低
コスト化を著しく妨げる要因となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
したような問題点のない受光センサーの実装構造体およ
びその使用方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる不具合
を解消する目的でなされたものであり、半導体ウエハー
の切断前に配線工程および保護部材の接着工程などを行
うウエハーレベルＣＳＰ（チップ サイズ パッケー
ジ）を実現することとしている。
【００１３】従って本発明により、半導体ウエハーと、
前記半導体ウエハーの第一の面上に形成された受光セン
サーと、前記半導体ウエハーを貫通して前記受光センサ
ー自体または前記受光センサーに接続する配線から前記
第一の面に対向する前記半導体ウエハーの裏面に達する
貫通電極と、前記受光センサーから間隔配置された光透
過性保護部材とおよび、前記受光センサー以外の領域で
前記保護部材と前記第一の面とを接着固定する封止材と
からなることを特徴とする受光センサーの実装構造体が
提供される。
【００１４】さらに本発明により、前記した受光センサ
ーの実装構造体の使用方法が提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１のａには本発明の第一実施例
の断面図を示し、また、図１のｂにはその平面図を示
す。
【００１６】ここで１は切断済みのチップ状半導体ウエ
ハー（チップ）、５ｂは貫通電極、４ａは受光センサ
ー、４ｂは受光センサー上に設けられたマイクロレンズ
である。マイクロレンズにより受光センサーの集光効率
が向上する。
【００１７】板ガラスなどの光透過性保護部材６は、受
光センサー、及びマイクロレンズには触れないように、
封止剤７を介してチップ上に接着固定する。また封止剤
７は、受光センサーの周囲を切れ目なく囲い、かつ、受
光センサーを覆わず、そして保護部材がセンサー及びマ
イクロレンズに接しないように、塗布後、硬化してい
る。この封止剤は前述のように光透過性保護部材を固定
して、受光センサーやマイクロレンズを機械的に保護す
ると共に、雰囲気から遮断する機能も持つ。
【００１８】図２に上記実施例の加工工程を示す。
【００１９】ａ（断面図）及びｂ（平面図）：半導体ウ
エハー１に、受光センサー４ａ、受光センサーの駆動回
路や出力の処理回路（不図示）、配線回路４ｃなどを、
通常の半導体形成手段により形成する。
【００２０】ｃ（断面図）：配線回路部に非貫通の深孔
５ａを異方性エッチングなどにより穿ち、深孔内面に絶
縁層と、配線回路部に接続する導電層を堆積する。
【００２１】ｄ（断面図）及びｅ（平面図）：個々の受
光センサーの周囲を切れ目なく囲み、かつ、これを覆わ
ないように封止剤７をスクリーン印刷、ディスペンスな
どの手段により半導体ウエハーの第一の面２に塗布す
る。
【００２２】ｆ（断面図）：半導体ウエハーとほぼ同じ
平面寸法を有する光透過性保護部材６を圧着し、熱、紫
外線などを作用させて封止剤７を硬化させる。
【００２３】ｇ（断面図）：半導体ウエハーの裏面３側
からｃ（断面図）で形成した導電層が露出するまでエッ
チングを行う。
【００２４】ｈ（断面図）：鎖線１２で示す所定のチッ
プ寸法にダイシングする。
【００２５】このようにして得られたＣＳＰ（チップ
サイズ パッケージ）は、図３に示すように通常のプリ
ント配線基板１０５に、異方性導電接着剤（ＡＣＰ）１
０６などを用いて搭載することができる。
【００２６】以上の説明の中で、封止剤７は、半導体ウ
エハーの第一の面２ではなく、保護部材６側に塗布して
もよい。また、光透過性保護部材６は、各種の光学フィ
ルター機能、或いは結像などレンズ機能を持つものでも
よい。
【００２７】このような実装形態では、従来の形態に比
べて著しく寸法が小さくなるばかりでなく、光透過性保
護部材６の外形と受光センサーの相対位置精度も向上す
る。
【００２８】従って図４ｂに示すように、鏡筒１０２に
直接接着固定することも可能であり、この場合は機器の
小型化、低価格化に大きく貢献する。
【００２９】図５に第二実施例を示す。光透過性保護部
材６と受光センサー４ａをより高い精度で位置決めする
ために、その保護部材に凸部６ａを設け、この凸部のみ
が封止剤７を介して半導体ウエハーの第一の面２ないし
配線回路４ｃと接触する。これにより厚さ方向の位置決
め精度をより高く保つことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば受
光センサーの実装構造体を小型化し、また、その構造体
を多くの部材を介さずに構成することができるため、映
像機器などの飛躍的な小型化が実現する。
【００３１】また、半導体ウエハーの切断精度が外形精
度になるため、極めて精度の高い位置決めが実現でき、
機器の小型化と同時に組立調整コストの削減も達成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の製造工程を示す図。
【図３】本発明の製造工程を示す図。
【図４】受光センサーの機器組込形態を示す断面図。ａ
はネジを介して組み込む例であり、ｂは接着固定により
組み込む例である。
【図５】本発明の第二実施例を示す断面図。
【図６】従来の受光センサーの実装形態を示す断面図。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハー ２ 半導体ウエハーの第一の面 ３ 半導体ウエハーの裏面 ４ａ 受光センサー ５ｂ 貫通電極 ６ 光透過性保護部材 ７ 封止剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｄ Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA10 FA06 GC11 GC20 GD03 GD04 GD07 HA01 HA12 HA24 HA33 5C024 CY47 CY48 EX21 EX42 EX43 EX51 GY01 GY31 5F088 BA15 BA18 BA20 BB03 GA03 JA01 JA03 JA05 JA09 JA12 JA13

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハーと、 前記半導体ウエハーの第一の面上に形成された受光セン
    サーと、 前記半導体ウエハーを貫通して前記受光センサー自体ま
    たは前記受光センサーに接続する配線から前記第一の面
    に対向する前記半導体ウエハーの裏面に達する貫通電極
    と、 前記受光センサーから間隔配置された光透過性保護部材
    とおよび、 前記受光センサー以外の領域で前記保護部材と前記第一
    の面とを接着固定する封止材とからなることを特徴とす
    る受光センサーの実装構造体。
  2. 【請求項２】 前記受光センサーの表面にはマイクロレ
    ンズが形成されていることを特徴とする請求項１に記載
    の受光センサーの実装構造体。
  3. 【請求項３】 前記保護部材は赤外線カットフィルター
    および光学ローパスフィルターのうち少なくとも一方の
    機能を持つことを特徴とする請求項１に記載の受光セン
    サーの実装構造体。
  4. 【請求項４】 前記封止材の面に対向する前記保護部材
    の面が平面であることを特徴とする請求項１に記載の受
    光センサーの実装構造体。
  5. 【請求項５】 前記封止材の面に対向する前記保護部材
    の面がその縁部全体にわたって凸部を有することを特徴
    とする請求項１に記載の受光センサーの実装構造体。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載され
    た受光センサーの実装構造体を直接的に鏡筒に接合する
    ことを特徴とする受光センサーの実装構造体の使用方
    法。
JP2000173845A 2000-06-09 2000-06-09 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 Pending JP2001351997A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000173845A JP2001351997A (ja) 2000-06-09 2000-06-09 受光センサーの実装構造体およびその使用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000173845A JP2001351997A (ja) 2000-06-09 2000-06-09 受光センサーの実装構造体およびその使用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001351997A true JP2001351997A (ja) 2001-12-21

Family

ID=18675991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000173845A Pending JP2001351997A (ja) 2000-06-09 2000-06-09 受光センサーの実装構造体およびその使用方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001351997A (ja)

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197656A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
JP2003318377A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固定方法
JP2004031939A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Agilent Technol Inc 撮像装置およびその製造方法
EP1389804A2 (en) 2002-08-13 2004-02-18 Agilent Technologies Inc. (a Delaware Corporation) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
JP2004088082A (ja) * 2002-06-24 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2004153260A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP2005501414A (ja) * 2001-08-24 2005-01-13 カール−ツアイス−シュティフツンク コンタクトを形成するための方法およびプリント回路パッケージ
WO2005022631A1 (ja) 2003-08-28 2005-03-10 Fujikura Ltd. 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2005158948A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP2005322851A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JP2005354081A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd イメージセンサーパッケージの組立方法、及びそれにより組立てられたパッケージ構造
JP2006019363A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2006049657A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2006060178A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージ
JP2006073852A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
EP1463120A3 (en) * 2003-03-25 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
KR100699316B1 (ko) * 2004-01-27 2007-03-26 가시오게산키 가부시키가이샤 광센서모듈
US7221051B2 (en) 2004-01-23 2007-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device
JP2007514304A (ja) * 2003-12-03 2007-05-31 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー ２つのウェーハを相互接触させる方法および装置
JP2007134725A (ja) * 2005-01-04 2007-05-31 I Square Research Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
WO2007069750A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-21 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and manufacturing method thereof
CN1329952C (zh) * 2001-12-27 2007-08-01 精工爱普生株式会社 光器件制造方法
JP2007227676A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線デバイス集積装置
US7274101B2 (en) 2004-06-30 2007-09-25 Fujikura Ltd. Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2007282137A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Sharp Corp 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
US7304304B2 (en) 2005-01-14 2007-12-04 Denso Corporation Infrared sensor having no package can
WO2008044580A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-17 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor
WO2008047832A1 (fr) * 2006-10-17 2008-04-24 Tokyo Electron Limited Dispositif à semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, et procédé d'inspection
JP2008109130A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Fujifilm Corp 固体撮像装置
US7411230B2 (en) 2002-04-22 2008-08-12 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
JP2008533733A (ja) * 2005-03-17 2008-08-21 ハイマイト アクティーゼルスカブ マイクロコンポーネント用のパッケージ
US7442642B2 (en) 2004-09-28 2008-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method of forming electrode for semiconductor device
JP2008541434A (ja) * 2005-05-04 2008-11-20 アイスモス テクノロジー コーポレイション ウエハを貫通するビアを有するシリコンウエハ
US7456483B2 (en) 2004-05-10 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device
JP2008288603A (ja) * 2008-06-16 2008-11-27 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
CN100451813C (zh) * 2005-01-28 2009-01-14 三星电机株式会社 具有使由在滤光件上的尘粒引起的缺陷最少的相机模块
US7479659B2 (en) 2002-05-27 2009-01-20 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process
CN100459134C (zh) * 2003-06-18 2009-02-04 三星电子株式会社 固态成像设备
EP1577950A4 (en) * 2002-12-25 2009-04-08 Olympus Corp SOLID BODY IMAGER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US7517734B2 (en) 2003-10-01 2009-04-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing a wafer level package with a cap structure for hermetically sealing a micro device
US7576425B2 (en) 2007-01-25 2009-08-18 Xintec, Inc. Conducting layer in chip package module
US7622810B2 (en) 2002-10-11 2009-11-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN100576556C (zh) * 2002-07-29 2009-12-30 富士胶片株式会社 固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法
WO2010007714A1 (ja) * 2008-07-14 2010-01-21 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2010040621A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Toshiba Corp 固体撮像デバイス及びその製造方法
US7692720B2 (en) 2003-08-01 2010-04-06 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP2010114304A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法
JP2010226146A (ja) * 2004-03-16 2010-10-07 Fujikura Ltd デバイス及びその製造方法
JP2012044091A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ
US8232202B2 (en) 2007-07-13 2012-07-31 Wen-Cheng Chien Image sensor package and fabrication method thereof
US8367454B2 (en) 2009-04-28 2013-02-05 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image capture unit
US8772919B2 (en) 2007-08-08 2014-07-08 Wen-Cheng Chien Image sensor package with trench insulator and fabrication method thereof
JP2018182172A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 日本電信電話株式会社 受光素子およびその作製方法

Cited By (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7700957B2 (en) 2001-08-24 2010-04-20 Schott Ag Process for making contact with and housing integrated circuits
JP2005501414A (ja) * 2001-08-24 2005-01-13 カール−ツアイス−シュティフツンク コンタクトを形成するための方法およびプリント回路パッケージ
US8349707B2 (en) 2001-08-24 2013-01-08 Wafer-Level Packaging Portfolio Llc Process for making contact with and housing integrated circuits
US7880179B2 (en) 2001-08-24 2011-02-01 Wafer-Level Packaging Portfolio Llc Process for making contact with and housing integrated circuits
US7821106B2 (en) 2001-08-24 2010-10-26 Schott Ag Process for making contact with and housing integrated circuits
CN1329952C (zh) * 2001-12-27 2007-08-01 精工爱普生株式会社 光器件制造方法
JP2003197656A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
US7411230B2 (en) 2002-04-22 2008-08-12 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
US7659136B2 (en) 2002-04-22 2010-02-09 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
JP2003318377A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固定方法
US7479659B2 (en) 2002-05-27 2009-01-20 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process
US7592200B2 (en) 2002-06-24 2009-09-22 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
US6930327B2 (en) 2002-06-24 2005-08-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
JP2004088082A (ja) * 2002-06-24 2004-03-18 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
EP1376705A3 (en) * 2002-06-24 2007-01-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
GB2391707B (en) * 2002-06-26 2006-03-15 Agilent Technologies Inc Imaging device
US6794218B2 (en) 2002-06-26 2004-09-21 Agilent Technologies, Inc. Glass attachment over micro-lens arrays
GB2391707A (en) * 2002-06-26 2004-02-11 Agilent Technologies Inc Imaging device
JP2004031939A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Agilent Technol Inc 撮像装置およびその製造方法
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
CN100576556C (zh) * 2002-07-29 2009-12-30 富士胶片株式会社 固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法
US7683961B2 (en) 2002-08-13 2010-03-23 Aptina Imaging Corporation CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
JP2004080039A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Agilent Technol Inc Ｃｍｏｓイメージセンサ構造体及びこれを用いたカメラモジュールを製作する為のプロセス
EP1389804A2 (en) 2002-08-13 2004-02-18 Agilent Technologies Inc. (a Delaware Corporation) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
EP1389804A3 (en) * 2002-08-13 2006-01-11 Agilent Technologies Inc. (a Delaware Corporation) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
US7414661B2 (en) 2002-08-13 2008-08-19 Micron Technology, Inc. CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
US7622810B2 (en) 2002-10-11 2009-11-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2004153260A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP1577950A4 (en) * 2002-12-25 2009-04-08 Olympus Corp SOLID BODY IMAGER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7651881B2 (en) 2003-03-25 2010-01-26 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
EP1463120A3 (en) * 2003-03-25 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
CN100459134C (zh) * 2003-06-18 2009-02-04 三星电子株式会社 固态成像设备
US7692720B2 (en) 2003-08-01 2010-04-06 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7180149B2 (en) 2003-08-28 2007-02-20 Fujikura Ltd. Semiconductor package with through-hole
WO2005022631A1 (ja) 2003-08-28 2005-03-10 Fujikura Ltd. 半導体パッケージおよびその製造方法
US7517734B2 (en) 2003-10-01 2009-04-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing a wafer level package with a cap structure for hermetically sealing a micro device
US7527990B2 (en) 2003-11-25 2009-05-05 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and producing method thereof
US7345349B2 (en) 2003-11-25 2008-03-18 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and producing method thereof
JP2005158948A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US7259438B2 (en) 2003-11-25 2007-08-21 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and producing method thereof
JP2007514304A (ja) * 2003-12-03 2007-05-31 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー ２つのウェーハを相互接触させる方法および装置
KR100755165B1 (ko) * 2004-01-23 2007-09-04 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치, 광학 장치용 모듈 및 반도체 장치의 제조 방법
US7221051B2 (en) 2004-01-23 2007-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device
US7378645B2 (en) 2004-01-27 2008-05-27 Casio Computer Co., Ltd. Optical sensor module with semiconductor device for drive
KR100699316B1 (ko) * 2004-01-27 2007-03-26 가시오게산키 가부시키가이샤 광센서모듈
JP2010226146A (ja) * 2004-03-16 2010-10-07 Fujikura Ltd デバイス及びその製造方法
US7456483B2 (en) 2004-05-10 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device
JP2005322851A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JP2005354081A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd イメージセンサーパッケージの組立方法、及びそれにより組立てられたパッケージ構造
US7274101B2 (en) 2004-06-30 2007-09-25 Fujikura Ltd. Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2006019363A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7368321B2 (en) 2004-06-30 2008-05-06 Fujikura Ltd. Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2006049657A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2006060178A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージ
JP2006073852A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
US7442642B2 (en) 2004-09-28 2008-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method of forming electrode for semiconductor device
JP2007134725A (ja) * 2005-01-04 2007-05-31 I Square Research Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US8368096B2 (en) 2005-01-04 2013-02-05 Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity
US7304304B2 (en) 2005-01-14 2007-12-04 Denso Corporation Infrared sensor having no package can
CN100451813C (zh) * 2005-01-28 2009-01-14 三星电机株式会社 具有使由在滤光件上的尘粒引起的缺陷最少的相机模块
JP2008533733A (ja) * 2005-03-17 2008-08-21 ハイマイト アクティーゼルスカブ マイクロコンポーネント用のパッケージ
JP2008541434A (ja) * 2005-05-04 2008-11-20 アイスモス テクノロジー コーポレイション ウエハを貫通するビアを有するシリコンウエハ
WO2007069750A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-21 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and manufacturing method thereof
US7901973B2 (en) 2005-12-14 2011-03-08 Fujifilm Corporation Solid state imaging device and manufacturing method thereof
JP2007227676A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線デバイス集積装置
JP2007282137A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Sharp Corp 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
US7759751B2 (en) 2006-04-11 2010-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Module for optical apparatus and method of producing module for optical apparatus
WO2008044580A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-17 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor
US8039915B2 (en) 2006-09-28 2011-10-18 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor
EP2573814A1 (en) 2006-09-28 2013-03-27 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor
JP2008109130A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Fujifilm Corp 固体撮像装置
WO2008047832A1 (fr) * 2006-10-17 2008-04-24 Tokyo Electron Limited Dispositif à semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, et procédé d'inspection
US7576425B2 (en) 2007-01-25 2009-08-18 Xintec, Inc. Conducting layer in chip package module
US8232202B2 (en) 2007-07-13 2012-07-31 Wen-Cheng Chien Image sensor package and fabrication method thereof
US8772919B2 (en) 2007-08-08 2014-07-08 Wen-Cheng Chien Image sensor package with trench insulator and fabrication method thereof
JP2008288603A (ja) * 2008-06-16 2008-11-27 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
WO2010007714A1 (ja) * 2008-07-14 2010-01-21 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2010040621A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Toshiba Corp 固体撮像デバイス及びその製造方法
US8742323B2 (en) 2008-11-07 2014-06-03 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor module
JP2010114304A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法
US8367454B2 (en) 2009-04-28 2013-02-05 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image capture unit
WO2012026074A1 (en) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device, image pickup module, and camera
CN103081105A (zh) * 2010-08-23 2013-05-01 佳能株式会社 图像拾取装置、图像拾取模块和照相机
JP2012044091A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ
US9111826B2 (en) 2010-08-23 2015-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device, image pickup module, and camera
CN103081105B (zh) * 2010-08-23 2016-02-10 佳能株式会社 图像拾取装置、图像拾取模块和照相机
JP2018182172A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 日本電信電話株式会社 受光素子およびその作製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001351997A (ja) 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
EP1462839B1 (en) Module for optical image capturing device comprising objective lens and image sensor
JP4236594B2 (ja) 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
CN1985379B (zh) 微电子成像器的覆盖物及微电子成像器的晶片级封装方法
US7494292B2 (en) Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure
KR101026282B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법
US7893514B2 (en) Image sensor package, method of manufacturing the same, and image sensor module including the image sensor package
US20040164981A1 (en) Solid state imaging device, semiconductor wafer, optical device module, method of solid state imaging device fabrication, and method of optical device module fabrication
EP1659781A1 (en) Image pickup module and manufacturing method of image pickup module
JPH07202152A (ja) 固体撮像装置
JP2002329850A (ja) チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2002329851A (ja) 撮像モジュールとその製造方法、および撮像モジュールを備えた撮像機器
JP2008263550A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR100730726B1 (ko) 카메라 모듈
JP2000269472A (ja) 撮像装置
KR100809682B1 (ko) 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법
JP4618639B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4017908B2 (ja) カメラ
JP2000332225A (ja) 撮像装置
US20090315130A1 (en) Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the same
JP2002152606A (ja) 固体撮像装置
KR100840153B1 (ko) 카메라 모듈
JP3022818B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002100751A (ja) 固体撮像装置
JPH01228178A (ja) 固体撮像装置