[go: up one dir, main page]

JP2001298033A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2001298033A
JP2001298033A JP2000115840A JP2000115840A JP2001298033A JP 2001298033 A JP2001298033 A JP 2001298033A JP 2000115840 A JP2000115840 A JP 2000115840A JP 2000115840 A JP2000115840 A JP 2000115840A JP 2001298033 A JP2001298033 A JP 2001298033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
electronic component
solder
lead frame
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000115840A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyotaka Tomiyama
清隆 冨山
Yutaka Maeno
豊 前野
Yasushi Sasaki
康 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000115840A priority Critical patent/JP2001298033A/ja
Publication of JP2001298033A publication Critical patent/JP2001298033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83051—Forming additional members, e.g. dam structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】カーボン治具を用いずに半導体素子及び電子部
品の正確な位置決めを行い、実装工程及びワイヤボンデ
ィング工程の削減かつ電子部品の確実なフィレット形成
を実現する。 【解決手段】図１に示す。任意幅で構成されたリードフ
レーム上にはんだ流れ阻止手段を施し、半導体素子及び
電子部品実装エリアを形成する。はんだ流れ阻止手段は
構造上特に制限しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、任意幅で構成され
たリードフレームを用いた半導体素子及び電子部品を実
装する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】板厚の厚い（ｔ≧0.5）任意幅で構成さ
れたリードフレーム３は金属絶縁基板の様にエッチング
方式による生産ではエッチング時間がかかり量産でもコ
スト高になる。これを用いた一般的な構造を図５に示
す。
【０００３】ベース板１、絶縁層２、該リードフレーム
３により構成されたパワー回路上に半導体素子６及び電
子部品をはんだ４で接続した従来の半導体素子及び電子
部品実装方式である。
【０００４】半導体素子６と該リードフレーム３は、は
んだ４によって電気的接続がされ、かつ位置固定され
る。
【０００５】リフローはんだ時半導体素子６の位置は、
はんだ４が溶融しはんだ流れが発生することで、はんだ
濡れ広がりｃの範囲内で該リードフレーム３上を移動す
る。同時に半導体素子６上に形成されたワイヤーボンデ
ィングパッド８の位置もはんだ流れ発生によりはんだ濡
れ広がりｃの範囲で移動することとなり、この時部材移
動距離ｄがワイヤーボンディング許容差ａ内におさまら
ない場合があり、ボンディングパッドの位置のずれが大
きいため、ワイヤーボンディング時の位置検出に時間を
かけて作業している。
【０００６】また、図６は半導体素子６の搭載位置に部
品サイズ外周に、はんだフィレット成形可能な部材移動
制御距離ｂだけ距離をおき穴あけしたカーボン治具１３
を基板に正確にセットした後、カーボン治具１３の穴に
板はんだ１２と半導体素子６を落とし込み、リフローは
んだする従来の実装方法を用いて、任意幅で構成された
リードフレーム３に半導体素子６をはんだ１４によって
固着するものである。
【０００７】半導体素子６の位置はカーボン治具１３の
穴の内壁までしか移動できない。カーボン治具１３はリ
フローはんだ時に板はんだ１２溶融時に発生するはんだ
流れを阻止し、また半導体素子６は部材移動制御距離ｂ
内で位置決めされる。この時半導体素子６上に形成され
たワイヤーボンディングパッド８がワイヤーボンディン
グ許容値ａ内の位置ずれにおさまる様に部材移動制御距
離ｂを決定することで、リフローはんだ時にはんだ流れ
による半導体素子６の部材移動距離ｄをワイヤーボンデ
ィング許容値ａ以内におさめ、ワイヤーボンディング時
に半導体素子６上に形成されたワイヤーボンディングパ
ッド８にワイヤー７を接合させるボンダー装置のボンデ
ィング位置調整を最小限とすることが出来る。
【０００８】しかし、上記実装方法にはパワー回路パタ
ーン毎に専用のカーボン治具１３が必要であり、またカ
ーボン治具１３のセット及び取り外し、板はんだ１２と
半導体素子６の落し込み工程を要しコスト低減のあい路
となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５において任意幅で
構成されたリードフレーム３上ではんだ４が溶融しはん
だ流れが発生する。
【００１０】この時半導体素子６の位置は、はんだ濡れ
広がりｃの範囲で該リードフレーム３上を移動し同時に
半導体素子６上に形成されたワイヤーボンディングパッ
ド８の位置は、はんだ濡れ広がりｃの範囲で移動するこ
ととなり、はんだ流れによる部材移動距離ｄがワイヤー
ボンディング許容差ａよりも大きくる場合がある。
【００１１】このためボンディングパッドの位置のずれ
が大きくワイヤーボンディング時の位置検出に時間をか
けて作業している。
【００１２】また、前記を解決するため図６に示すよう
に、半導体素子６の搭載位置に部品サイズ外周にはんだ
フィレット形成可能な部材移動制御距離ｂだけ距離をお
いて穴あけしたカーボン治具１３を基板に正確にセット
し、カーボン治具１３の穴に板はんだ１２と半導体素子
６を落し込み、リフローはんだする従来の実装方法を用
いて該リードフレーム３に半導体素子６をはんだ４によ
って固着させ、はんだ流れによる部材移動距離をワイヤ
ーボンディング許容値ａ以内に制御する必要がある。
【００１３】本発明はこれらの問題を解決し、ワイヤー
ボンディング時におけるボンダー装置のワイヤーボンデ
ィング位置調整を最小限とすることができ、また、電子
部品のはんだフィレットも確実に形成できる。
【００１４】半導体素子及び電子部品搭載或いは実装時
においてはカーボン治具使用による実装方法を用いずに
正確な半導体素子位置決めを提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のはんだ流れ阻止
手段を施した半導体素子位置決め構造は任意幅で構成さ
れたリードフレーム上に形成した半導体素子及び電子部
品実装エリアの外周に、はんだフィレット形成可能な部
材移動制御距離をおいたはんだ流れ阻止手段を用いはん
だ流れを抑制するものである。
【００１６】これによりリフローはんだ時における半導
体素子及び電子部品の部材移動距離をワイヤーボンディ
ング許容値内におさめることを可能とし、ワイヤーボン
ディング時におけるボンダー装置のワイヤーボンディン
グ位置調整を最小限とすることができる。また、電子部
品のはんだフィレットも確実に形成できる。
【００１７】半導体素子及び電子部品搭載時、或いは実
装時においてはカーボン治具使用による実装方法を用い
ずに正確な半導体素子及び電子部品の位置決め実装を実
現するものである。
【００１８】本発明の任意幅で構成されたリードフレー
ム上にはんだ流れ阻止手段を施した半導体素子位置決め
構造はこれを有する半導体装置の該リードフレームに固
有の位置決め構造を持ち、はんだ流れを抑制するもので
ある。
【００１９】このことより半導体素子及び電子部品搭載
時或いは実装時にカーボン治具使用による実装方法を用
いずに正確な半導体素子及び電子部品の位置決め実装を
実現できる。また、電子部品のはんだフィレットを確実
に形成できる。
【００２０】リフローはんだ時においては半導体素子及
び電子部品との部材移動距離をワイヤーボンディング許
容値内におさめることを可能とし、ワイヤーボンディン
グ時におけるボンダー装置のワイヤーボンディング位置
調整を最小限とすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１において任意幅で構成された
リードフレーム３上に設けられた半導体素子実装エリア
１１の外周にはんだフィレット形成可能な部材移動制御
距離ｂだけ距離を置いたはんだ流れ阻止手段５を施し、
半導体素子実装エリア１１内にはんだ４を搭載或いは印
刷し、この上に半導体素子６を搭載する。
【００２２】この時部材移動制御距離ｂは半導体素子６
上に形成されたワイヤーボンディングパッド８の移動距
離がワイヤーボンディング許容値ａ以内となるものであ
れば良くｂ≦ａである必要はない。
【００２３】半導体素子実装エリア１１に搭載及び印刷
されたはんだ４は、リフローはんだ時にはんだ流れ阻止
手段５により溶融したはんだが半導体素子実装エリア１
１外へ流れだすことをを阻止され、同時にはんだ４上に
搭載された半導体素子６は半導体素子実装エリア１１外
への移動を阻止される。
【００２４】これにより半導体素子６ははんだ凝固時に
半導体素子実装エリア１１内に留まり、半導体素子６上
に形成されているボンディングパッド８はワイヤボンデ
ィング許容値ａ以内で位置決めされることとなる。
【００２５】また、本発明によるはんだ流れ阻止手段５
は図３に示す様に任意幅で構成されたリードフレーム３
上に半導体素子及び電子部品実装エリア１１を形成し同
一面の他のエリアとの境界線上に凹形状、或いは凸形状
を設けた構造であり、かつ図４に示すように半導体素子
及び電子部品実装エリア１１の外周全体を囲むもの、或
いは部分的に区切るもので実現される。
【００２６】或いは図２に示すように任意幅で構成され
たリードフレーム３上に設けた半導体素子及び電子部品
実装エリア１１に該リードフレーム３と半導体素子６及
び電子部品とのはんだ溶着を促進させるメッキ９を施
し、他のエリアにはんだ濡れ広がりを抑制するメッキ１
０をエリア全体、或いはエリアとの境界線上に施してあ
るか、もしくははんだ濡れ広がりを抑制するメッキ１０
自体を施していないはんだ流れ阻止手段を用いても良
い。
【００２７】或いは図１において任意幅で構成されたリ
ードフレーム３上に設けた半導体素子及び電子部品実装
エリア１１の外周にソルダーレジストを用いてはんだ流
れ阻止手段５を他のエリア全体、或いはエリアとの境界
線上全体、または一部に形成したはんだ流れ阻止手段を
用いても良い。
【００２８】
【発明の効果】本発明の半導体素子及び電子部品の正確
な位置決め構造により、ワイヤーボンディング時におけ
るボンダー装置のワイヤーボンディング位置調整を最小
限とすることができる。また、電子部品のはんだフィレ
ットも確実に形成できる。更にカーボン治具使用を廃止
できはんだ印刷法を適用出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における凸形はんだ流れ阻止
手段を有する半導体素子位置決め構造の断面及び上面視
図である。
【図２】本発明の一実施例におけるメッキによるはんだ
流れ阻止手段を有する半導体素子位置決め構造の断面及
び上面視図である。
【図３】本発明の一実施例における溝、突起を形成した
はんだ流れ阻止手段構造断面図である。
【図４】本発明の一実施例における部分はんだ流れ阻止
手段構造断面図である。
【図５】従来の半導体素子実装構造の断面及び上面視図
である。
【図６】カーボン治具使用により半導体素子実装を制御
する従来の実装方法を用いた半導体実装構造の断面及び
上面視図である。
【符号の説明】
１…ベース板、２…絶縁層、３…−任意幅で構成された
リードフレーム、４…はんだ、５…はんだ流れ阻止手
段、６…半導体素子、７…ワイヤー、８…ボンディング
パッド、９…はんだ溶着を促進させるメッキ、１０…は
んだ溶着を抑制させるメッキ、１１…半導体素子実装エ
リア、 １２…板はんだ、 １３…カーボン治具、ａ…ワ
イヤボンディング許容値、ｂ…部材移動制御距離、ｃ…
はんだの濡れ広がり範囲、ｄ…半導体素子及び電子部品
の部材移動距離。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 康 千葉県習志野市東習志野七丁目１番１号 株式会社日立製作所産業機器グループ内 Ｆターム(参考） 5F047 AA11 AB03 AB06 BA01 5F067 AA16 BE02 DC14

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】任意幅で構成されたリードフレームと、は
    んだによって該リードフレーム上に接続する半導体素子
    及び電子部品を有する半導体装置において、半導体素子
    及び電子部品を該リードフレーム上実装時に所定の位置
    に接続するために施した位置決め構造を有する半導体装
    置。
  2. 【請求項２】請求項１において、実装する半導体素子の
    位置精度をボンダー装置のボンディングデータを変更す
    ること無くワイヤーボンディング許容値内とすることを
    可能にした位置決め構造を有する半導体装置。
  3. 【請求項３】請求項１において、該リードフレーム上に
    設けた半導体素子及び電子部品実装エリアと他のエリア
    との境界線全体、或いは一部分に凹または凸形状のはん
    だ流れ阻止手段を用いたことを特徴とする位置決め構造
    を有する半導体装置。
  4. 【請求項４】請求項１において、該リードフレーム上に
    設けた半導体素子及び電子部品実装エリアに該リードフ
    レームと半導体素子及び電子部品とのはんだ溶着を促進
    させるメッキを施し、他のエリアにはんだ溶着を抑制す
    るメッキをエリア全体或いはエリア境界線上に施してあ
    るかもしくはメッキ自体を施していないはんだ流れ阻止
    手段を用いたことを特徴とする位置決め構造を有する半
    導体装置。
  5. 【請求項５】請求項１において、該リードフレーム上に
    設けた半導体素子及び電子部品実装エリアの外にソルダ
    ーレジストを他のエリア全体、或いはエリア境界線上全
    体または一部分に施したはんだ流れ阻止手段を用いたこ
    とを特徴とする位置決め構造を有する半導体装置。
  6. 【請求項６】請求項１において該リードフレーム上に設
    けた半導体素子及び電子部品実装エリア外周に施したは
    んだ流れ阻止手段により、集積回路や抵抗、コンデンサ
    等の電子部品のはんだフィットが確実に形成する事を特
    徴とした位置決め構造を有する半導体装置。
JP2000115840A 2000-04-12 2000-04-12 半導体装置 Pending JP2001298033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115840A JP2001298033A (ja) 2000-04-12 2000-04-12 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000115840A JP2001298033A (ja) 2000-04-12 2000-04-12 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001298033A true JP2001298033A (ja) 2001-10-26

Family

ID=18627389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000115840A Pending JP2001298033A (ja) 2000-04-12 2000-04-12 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001298033A (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174114A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体回路基板および半導体装置
JP2004071899A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2004119944A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Toyota Industries Corp 半導体モジュールおよび実装基板
JP2006303216A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Denso Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2007103909A (ja) * 2005-09-12 2007-04-19 Denso Corp 半導体装置
EP1975993A1 (de) * 2007-03-29 2008-10-01 ABB Technology AG Lötstoppmittel
JP2008288415A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009253131A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP2010040651A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2010212723A (ja) * 2010-05-17 2010-09-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8069558B2 (en) 2007-06-26 2011-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing substrate having built-in components
JP2012164880A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2012195363A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP2013161854A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置
CN103280438A (zh) * 2013-05-17 2013-09-04 香港应用科技研究院有限公司 具有准确芯片附着层的大功率介电载体
JP2014027214A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Ushio Inc 光源ユニット
JP2014232839A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 新電元工業株式会社 電子部品の接続構造及び接続方法
JP2015032765A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102014115202A1 (de) * 2014-10-20 2016-04-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zum verlöten mindestens eines substrats mit einer trägerplatte
JP2016149516A (ja) * 2015-02-05 2016-08-18 株式会社東芝 半導体装置
US9755126B2 (en) 2012-07-30 2017-09-05 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light source unit
JP2018170348A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
WO2019069744A1 (ja) * 2017-10-06 2019-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 画像表示装置、画像表示装置の製造方法、および部品実装基板
WO2019142320A1 (ja) * 2018-01-19 2019-07-25 三菱電機株式会社 半導体装置、その製造方法及び電力変換装置
WO2019219536A1 (de) * 2018-05-15 2019-11-21 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung, elektronikbaugruppe umfassend die kontaktanordnung und verfahren zur ausbildung der kontaktanordnung
WO2020229090A1 (de) * 2019-05-10 2020-11-19 Robert Bosch Gmbh Hochvoltleistungsmodulfamilie und verfahren zu deren ausbildung
CN112530878A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 深圳市中光工业技术研究院 用于焊接电子元器件的基底及其制备方法、半导体装置
US11145616B2 (en) 2017-06-22 2021-10-12 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, power conversion apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174114A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体回路基板および半導体装置
JP2004071899A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2004119944A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Toyota Industries Corp 半導体モジュールおよび実装基板
JP2006303216A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Denso Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2007103909A (ja) * 2005-09-12 2007-04-19 Denso Corp 半導体装置
EP1975993A1 (de) * 2007-03-29 2008-10-01 ABB Technology AG Lötstoppmittel
JP2008288415A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8069558B2 (en) 2007-06-26 2011-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing substrate having built-in components
JP2009253131A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP2010040651A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2010212723A (ja) * 2010-05-17 2010-09-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012164880A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2012195363A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP2013161854A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置
JP2014027214A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Ushio Inc 光源ユニット
US9755126B2 (en) 2012-07-30 2017-09-05 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light source unit
CN103280438A (zh) * 2013-05-17 2013-09-04 香港应用科技研究院有限公司 具有准确芯片附着层的大功率介电载体
JP2014232839A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 新電元工業株式会社 電子部品の接続構造及び接続方法
JP2015032765A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102014115202B4 (de) * 2014-10-20 2017-08-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum verlöten mindestens eines substrats mit einer trägerplatte
DE102014115202A1 (de) * 2014-10-20 2016-04-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zum verlöten mindestens eines substrats mit einer trägerplatte
JP2016149516A (ja) * 2015-02-05 2016-08-18 株式会社東芝 半導体装置
JP2018170348A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US11145616B2 (en) 2017-06-22 2021-10-12 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, power conversion apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
WO2019069744A1 (ja) * 2017-10-06 2019-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 画像表示装置、画像表示装置の製造方法、および部品実装基板
WO2019142320A1 (ja) * 2018-01-19 2019-07-25 三菱電機株式会社 半導体装置、その製造方法及び電力変換装置
JPWO2019142320A1 (ja) * 2018-01-19 2020-09-03 三菱電機株式会社 半導体装置、その製造方法及び電力変換装置
US11211355B2 (en) 2018-01-19 2021-12-28 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device
US11990447B2 (en) 2018-01-19 2024-05-21 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and power conversion device
DE112018006906B4 (de) 2018-01-19 2025-04-17 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung
WO2019219536A1 (de) * 2018-05-15 2019-11-21 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung, elektronikbaugruppe umfassend die kontaktanordnung und verfahren zur ausbildung der kontaktanordnung
WO2020229090A1 (de) * 2019-05-10 2020-11-19 Robert Bosch Gmbh Hochvoltleistungsmodulfamilie und verfahren zu deren ausbildung
CN112530878A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 深圳市中光工业技术研究院 用于焊接电子元器件的基底及其制备方法、半导体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001298033A (ja) 半導体装置
US5400953A (en) Method of printing a bonding agent
JPH10335795A (ja) プリント基板
KR100836974B1 (ko) 전기 회로 및 기판
JPH05212852A (ja) クリーム半田供給方法
JP2004207287A (ja) はんだ付け用ランド、プリント配線基板
JPH05335438A (ja) リードレスチップキャリア
JP2725646B2 (ja) 半導体部品およびその実装方法
JPH1167945A (ja) 電子回路モジュール
JP2002280681A (ja) 部品実装基板の製造方法、およびプリント配線板
JPH05308179A (ja) 表面実装部品の実装方法
JPH04243187A (ja) プリント基板
JPH09135070A (ja) プリント基板
KR200408838Y1 (ko) 인쇄회로기판
JPH0548257A (ja) プリント基板の製造方法
JP2003179333A (ja) 印刷回路基板
JP2000294914A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH05129370A (ja) チツプ部品取付構造
JPH0617265U (ja) 印刷配線板
JPH04197685A (ja) ハンダ印刷メタルマスク
JPH08255969A (ja) プリント基板装置
JP2003069208A (ja) プリント基板への部品の半田付け構造。
JP2001298264A (ja) はんだチップ
JPH0550777A (ja) 印刷マスク構造
JP2000196229A (ja) プリント基板のランド形状