[go: up one dir, main page]

JP2001291660A - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

膜形成方法及び膜形成装置

Info

Publication number
JP2001291660A
JP2001291660A JP2000109028A JP2000109028A JP2001291660A JP 2001291660 A JP2001291660 A JP 2001291660A JP 2000109028 A JP2000109028 A JP 2000109028A JP 2000109028 A JP2000109028 A JP 2000109028A JP 2001291660 A JP2001291660 A JP 2001291660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
substrate
wafer
film forming
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000109028A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3792986B2 (ja
Inventor
Hiroichi Inada
博一 稲田
Shuichi Nagamine
秀一 長峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000109028A priority Critical patent/JP3792986B2/ja
Priority to US09/827,910 priority patent/US6541376B2/en
Priority to TW090108572A priority patent/TW504735B/zh
Priority to KR1020010018860A priority patent/KR100618261B1/ko
Publication of JP2001291660A publication Critical patent/JP2001291660A/ja
Priority to US10/339,396 priority patent/US6730599B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3792986B2 publication Critical patent/JP3792986B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハ上の温度を調節して，ウェハ上に厚み
の均一な処理液の膜を形成する膜形成装置を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布装置１７内に，スピンチャ
ック６０上に載置されたウェハＷ上の温度を非接触で測
定できるサーモビュワー８５を設ける。レジスト塗布装
置１７上方には，ウェハＷに向けて所定温度の気体を供
給する気体供給手段７０を設ける。この気体供給手段７
０には，複数個の温度調節室７５ａ，７５ｂ，７５ｃが
同心円状に設けられており，各温度調節室７５で個別に
温度調節された気体が，各温度調節室７５の位置に対向
するウェハＷ上の各部分に供給される。各温度調節室７
５の温度は温度制御装置７７により制御されている。そ
して，サーモビュワー８５による測定結果を温度制御装
置７７に送信し，そのデータに基づいて各気体の温度を
調節し，ウェハＷ上の温度を調節する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の膜形成方法
及び膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハ
に所定の回路パターンを形成する。
【０００３】このとき，レジスト塗布処理や現像処理に
おいては，ウェハ上に処理液を供給して，ウェハ上に前
記処理液の膜を形成する膜形成工程が行われる。例え
ば，レジスト塗布処理においては，ウェハをスピンチャ
ックに吸着保持させた状態でウェハを所定速度で回転さ
せ，この回転されたウェハの中心にレジスト液を供給
し，レジスト液が拡散されることにより，ウェハ上にレ
ジスト膜を形成している。
【０００４】ところで，ウェハの歩留まりを向上させる
ためには，前記レジスト膜を所定の膜厚に均一に形成さ
せなくてはならないが，このときの重要な要素として，
レジスト膜の温度やその周辺雰囲気の湿度が挙げられ
る。すなわちレジスト膜の膜厚は，レジスト液の温度や
周辺雰囲気の湿度に影響され，例えばレジスト液の温度
が高いとレジスト液が気化し，その分膜厚が薄くなる。
従って，ウェハ上のレジスト液の温度分布を所定の範囲
に収めることでレジスト膜の膜厚の均一化が図られるこ
とになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
たレジスト塗布処理が実行されるレジスト塗布装置に
は，ウェハの温度を測定する測定装置が設けられておら
ず，温度の測定は行われていなかった。そして，レジス
ト膜の膜厚が均一になるように補正する場合には，ウェ
ハ上に最終的に形成される回路のパターンの線幅等のば
らつきから適切な塗布時の温度分布等を推測し，レジス
ト塗布装置内の温度や雰囲気を調節するようにしてい
た。その結果，膜厚が均一となる温度分布の条件出しに
多大な時間と労力を費やし，その精度も必ずしも高いと
はいえなかった。
【０００６】本発明は，かかる観点からなされたもので
あり，ウェハ等の基板の温度を直接測定し，その結果に
基づいて基板の温度やその周辺雰囲気の湿度を調節し，
ひいては処理液の膜厚を均一にする膜形成方法とこの方
法を実施する膜形成装置とを提供することをその目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば，処理
室内に気体を供給すると共に，前記処理室内の雰囲気を
排気する状態で，前記処理室内の保持部材に載置された
基板に処理液を供給し，基板表面に前記処理液の膜を形
成する膜形成方法であって，前記処理液の供給前に，前
記基板表面の温度を測定する工程を有することを特徴と
する膜形成方法が提供される。
【０００８】このように，前記処理液の供給前に，前記
基板表面の温度を測定すると，基板表面の温度や温度分
布が確認できる。そして，例えば予め求めておいた均一
な膜厚が形成される場合の理想的な温度分布とその測定
結果を比較することにより，その後の処理により形成さ
れる膜の膜厚を予測することができる。また，温度測定
した後，処理膜を形成し，その処理膜の膜厚を評価する
ことにより，そのデータを蓄積して，いわゆる条件出し
を行うことができる。したがって，これらの測定結果に
基づいて，処理液等の温度等を調節し，膜厚が均一にな
るように補正することができる。
【０００９】請求項２の発明によれば，処理室内に気体
を供給すると共に，前記処理室内の雰囲気を排気する状
態で，前記処理室内の保持部材に載置された基板に処理
液を供給し，前記基板表面に前記処理液の膜を形成する
膜形成方法であって，前記処理液の供給前に，前記保持
部材上の温度を測定する工程を有することを特徴とする
膜形成方法が提供される。
【００１０】基板上に供給される処理液の温度は，基板
の温度だけではなく，基板を保持している保持部材の温
度によっても左右されることが確認されている。特に保
持部材は，例えば回転等の駆動機構が取り付けらている
場合が多く，そのモータからの熱により蓄熱しやすくな
っている。したがって，請求項２のように処理液前に保
持部材の温度を測定し，保持部材の温度を確認すること
は，均一な膜が形成されるか否かを判断するにあたり有
用である。
【００１１】さらに請求項２の測定結果に基づき，請求
項３のように前記保持部材の温度を変更することによ
り，前記保持部材に蓄えられた熱の影響を抑制し，より
均一な膜を形成することができる。
【００１２】以上の各膜形成方法において，前記基板の
温度の測定結果に基づいて，請求項４のように前記処理
室内への気体の供給状態を変更してもよいし，請求項５
のように前記排気の排気量を変更してもよいし，請求項
６のように前記基板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付
けるようにしてもよい。
【００１３】特に請求項３においては，気体の供給状
態，すなわち気体の供給方向，温度又は湿度が変更され
るので，その気体によって基板上の温度等を部分的或い
は全体的に変更することができる。これによって，例え
ば前記基板上の処理液の温度分布を均一な膜が形成され
る場合の理想的な温度分布に補正することができ，その
結果基板上に均一な処理膜が形成される。
【００１４】また，請求項５においては，前記排気の排
気量を変更するため，基板上の雰囲気の状態，例えば湿
度又は温度を全面的若しくは部分的に変更することがで
きる。それによって，基板上に供給された処理液の気化
量が変更され，その気化量分の処理液の量が変更され，
その結果処理液の膜厚が均一になるように補正される。
【００１５】また，請求項６においては，前記基板に処
理液の溶剤の蒸気を吹き付けるため，前記基板上の温度
若しくは湿度等を部分的に若しくは全体的に変更させる
ことができる。これによって，例えば基板上の処理液の
温度を膜厚が均一になるため理想的な温度分布に補正す
ることができるため，基板上に均一な処理液の膜が形成
される。
【００１６】さらに，請求項７のように前記基板への処
理液の供給は，基板を回転させた状態で行われるもので
あり，前記温度の測定結果に基づいて，前記前記基板の
回転速度を変更させてもよい。このように，回転速度を
変更させると，例えば回転速度を上げることにより，基
板周辺部上の処理液の気化を促進することができる。し
たがって，基板上の膜厚を補正することができるため，
膜厚の均一な処理膜を形成することが可能となる。
【００１７】以上の各膜形成方法における前記温度測定
は，請求項８のように非接触温度測定装置により行うよ
うにしてもよい。このように，非接触温度測定装置を用
いて行うことにより，従来のように温度計測装置を保持
部材や基板に直接取り付けることが困難であったために
測定できなかった基板等の温度を好適に測定することが
できる。なお，非接触温度測定装置とは，例えばサーモ
ビュワーや熱赤外線測定装置等である。また，基板上の
全面の温度を測定できるものであっても，基板上の一部
の温度を測定できるものであってもよい。
【００１８】請求項９の発明によれば，処理室内におい
て保持部材上に載置された基板に処理液を供給し，前記
基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成装置であっ
て，測定対象物である少なくとも前記基板表面又は前記
保持部材上の温度を測定する非接触温度測定装置を有す
ることを特徴とする膜形成装置が提供される。
【００１９】このように，膜形成装置に非接触温度測定
装置を設けることにより，上述した請求項１〜８の膜形
成方法が好適に実施される。したがって，基板上に供給
された処理液の温度等を補正し，膜厚の均一な処理膜を
形成することができる。
【００２０】かかる請求項９の発明において，請求項１
０のように前記非接触温度計測装置は熱赤外線測定装置
であり，前記測定対象物からの赤外線を前記熱赤外線測
定装置に反射させる反射板を有するようにしてもよい。
このように，反射板を用いることにより，前記測定対象
物からの赤外線を自由な方向に反射させることができる
ため，熱赤外線測定装置の設置位置の自由度が広がる。
したがって，膜形成装置の構成により，前記測定対象物
からの赤外線を直接受けることができない場合において
も，反射板で角度を変えることにより，前記測定対象物
の温度を測定できるようになる。
【００２１】請求項１１の発明によれば，請求項９又は
１０の膜形成装置において前記処理室内に気体を供給す
る気体供給手段と，前記非接触温度測定装置による測定
結果に基づいて，前記気体供給手段からの気体の少なく
とも温度，湿度又は供給方向を制御する制御装置とを有
することを特徴とする膜形成装置が提供される。
【００２２】このように，前記気体供給手段の制御装置
を設けることにより，請求項４に記載の膜形成方法が好
適に実施できる。
【００２３】また，かかる請求項１１の発明において，
請求項１２のように前記気体供給手段は，前記基板上方
に設けられ，かつ前記基板方向に向けられた複数の供給
口を有し，前記供給口毎に，少なくとも温度，湿度又は
供給方向が制御されるようしてもよい。このように複数
の供給口を設けることにより，例えば各供給口毎に温度
の異なった気体を基板上に供給することができるため，
前記基板上の温度等の調節を基板上の部分毎に行うこと
が可能となる。したがって，請求項４の膜形成方法にお
いて，より細かく厳密な温度等の調節ができるため，よ
り均一な膜厚が形成できる。
【００２４】請求項１３によれば，請求項９又は１０に
おいて，前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と，
前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて，前
記排気手段による前記雰囲気の排気量を制御する制御装
置とを有することを特徴とする膜形成装置が提供され
る。
【００２５】このように，前記排気手段と前記排気手段
を制御する制御装置を設けることにより，上述した請求
項５に記載の膜形成方法が好適に実施される。
【００２６】また，請求項１４では，前記基板上の任意
の位置に溶剤蒸気を供給可能な溶剤蒸気供給手段と，前
記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて，前記
溶剤蒸気供給手段の前記溶剤蒸気の供給位置を制御する
制御装置とを有することを特徴とする膜形成装置が提供
され，上述した請求項６に記載の膜形成方法が好適に実
施される。
【００２７】さらに，請求項１５では，請求項９又は１
０において前記保持部材を回転させ，かつその回転速度
を変更可能な回転駆動機構と，前記非接触温度測定装置
による測定結果に基づいて，前記回転駆動機構を制御す
る制御装置を有することを特徴とする膜形成装置が提供
される。この請求項１５によれば，前記保持部材の回転
駆動機構と，その制御装置が設けられ，上述した請求項
７の膜形成方法が好適に実施される。したがって，基板
上に膜厚の均一な膜が形成される。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるレ
ジスト塗布装置を有する塗布現像処理システム１の平面
図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図で
あり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図であ
る。
【００２９】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００３０】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００３１】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【００３２】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されて
おり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理
システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３
は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４
の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して
配置されている。さらにオプションとして破線で示した
第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となって
いる。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１
〜Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対し
て，ウェハＷを搬入出可能である。
【００３３】第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に
示すように，本実施の形態にかかる膜形成装置としての
レジスト塗布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して
処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置さ
れている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジ
スト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に
２段に積み重ねられている
【００３４】第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に
示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。
【００３５】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエク
ステンション・クーリング装置４１，エクステンション
装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理
を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４
５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例
えば８段に積み重ねられている。
【００３６】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４
に属するエクステンション・クーリング装置４１，エク
ステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しな
い露光装置に対してアクセスできるように構成されてい
る。
【００３７】上述したレジスト塗布装置１７の構成につ
いて説明する。図４に示すように，このレジスト塗布装
置１７のケーシング１７ａ内には，上面６０ａが円形で
平坦に形成され，その中央部に図示しない吸引口を有す
るスピンチャック６０が設けられており，レジスト塗布
装置１７内に搬入されたウェハＷがスピンチャック６０
の上面６０ａに水平に吸着保持されるように構成されて
いる。このスピンチャック６０下方には，このスピンチ
ャック６０を回転させ，その回転速度を変更可能とする
回転駆動機構６２が設けられており，スピンチャック６
０に保持されたウェハＷを任意の速度で回転させること
ができる。
【００３８】また，スピンチャック６０の回転駆動機構
６２には，スピンチャック６０を上下に移動自在とする
機能が備えられており，ウェハＷの搬入出時にスピンチ
ャック６０を上下に移動させて，主搬送装置１３との間
でウェハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３９】また，スピンチャック６０の外周外方に
は，この外周を取り囲むようにして，上面が開口した環
状のカップ６５が設けられており，前記スピンチャック
６０上に吸着保持され，回転されたウェハＷから遠心力
によりこぼれ落ちたレジスト液等を受け止め，周辺の装
置が汚染されないようになっている。カップ６５の底部
には，前記ウェハＷ等からこぼれ落ちたレジスト液等を
排液するドレイン管６６が設けられている。
【００４０】スピンチャック６０の上方には，ウェハＷ
にレジスト液を吐出する吐出ノズル６８と，ウェハＷに
レジスト液の溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル６９が備え
られている。この吐出ノズル６８は，ウェハＷ中心の上
方に移動自在である。したがって，上述した回転駆動機
構６２によって回転されているウェハＷの中心に，吐出
ノズル６８からレジスト液が吐出され，いわゆるスピン
コーティング方式によりウェハＷ上に所定のレジスト膜
が形成されように構成されている。
【００４１】また，ケーシング１７ａ上面には，処理室
Ｓに所定の気体，例えば清浄空気を供給し，処理室Ｓ内
の雰囲気を制御する気体供給手段７０が設けられてい
る。この気体供給手段７０は，全体として略筒状に形成
されており，その上面には，ケーシング１７ａ外からの
清浄空気を流入させる主吸引口７２が設けられている。
【００４２】気体供給手段７０内には，図４又は図５に
示すように，主供給口７２からの清浄空気を拡散させる
拡散板７４が水平に設けられている。また，拡散板７４
のウェハＷ側には，拡散板７４を通過した清浄空気が分
配され，個別に温度調節される複数の温度調節室７５
ａ，７５ｂ，７５ｃが設けられている。この温度調節室
７５ａ，７５ｂ，７５ｃは，図６に示すように，同心円
状に区切られており，下方に位置するウェハＷの位置に
対向している。また，それぞれの温度調節室７５ａ，７
５ｂ，７５ｃには，図４に示すように例えばペルチェ素
子のような加熱・冷却手段７６a，７６ｂ，７６ｃが個
々に設けられており，各温度調節室７５ａ，７５ｂ，７
５ｃ内の温度を変更し，ひいてはその中の清浄空気の温
度を変更できるようになっている。なお，各加熱・冷却
手段７６ａ，７６ｂ，７６ｃは，温度制御装置７７によ
りその温度を制御されている。さらに，温度調節室７５
ａ，７５ｂ，７５ｃの下面，すなわち気体供給手段の下
面には，複数の供給口７８が設けられており，各温度調
節室７５ａ，７５ｂ，７５ｃで温度調節された清浄空気
をウェハＷの上面に向けて噴出できるように形成されて
いる。なお，処理室Ｓ内の雰囲気を制御する気体とし
て，窒素ガス等の不活性気体を用いてもよい。
【００４３】一方，ケーシング１７ａの側面には，処理
室Ｓ内の雰囲気を排気する排気口８０が設けられてい
る。そして処理室Ｓ内の雰囲気は，吸引装置８１からの
吸引により排気口８０から排気されるようになってい
る。
【００４４】ケーシング１７ａ外の側方には，赤外線に
より測定対象物であるウェハＷの温度を測定するサーモ
ビュワー８５が設置されており，ケーシング１７ａの好
適な位置に設けられた反射鏡８７を介して間接的にウェ
ハＷの温度を測定できるように構成されている。また，
このサーモビュワー８５の測定結果は，上述した温度制
御装置７７に送信され，さらに温度制御装置７７はその
受信したデータに基づいて各温度調節室７５ａ，７５
ｂ，７５ｃの温度を個別に制御できるように構成されて
いる。
【００４５】次に，以上のように構成されているレジス
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。
【００４６】先ず，未処理のウェハＷがウェハ搬送体７
によってカセットＣから１枚取りだされ，そこで第３の
処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入
され，レジスト液の密着性を向上させる例えばHMDSが表
面に塗布される。次いで，ウェハＷは，主搬送装置１３
によって，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度
に冷却される。その後ウェハＷは，膜形成装置としての
レジスト塗布装置１７又は１９に搬送される。
【００４７】このレジスト塗布装置１７又は１９におい
てレジスト膜が形成されたウェハＷは，その後主搬送装
置１３により，プリベーキング装置３３若しくは３４，
クーリング装置４０に順次搬送される。その後ウェハＷ
は，各処理装置において露光処理，現像処理等の所定の
処理が行われ，一連の塗布現像処理が終了する。
【００４８】上述したレジスト塗布装置１７の作用につ
いて詳しく説明する。先ず処理室Ｓ内は，気体供給手段
７０から供給される所定温度，例えば２３℃に維持され
た気体，例えば清浄空気によって，所定雰囲気に調節さ
れ，維持される。このとき，処理室Ｓ内の雰囲気は排気
口８０から随時排気され，処理室Ｓ内には，気体供給手
段７０から排気口８０に向かう清浄空気の流れが形成さ
れる。
【００４９】そして，レジスト液の塗布処理が開始され
ると主搬送装置１３によって，前処理の終了したウェハ
Ｗが前記処理室Ｓ内に搬入され，スピンチャック６０上
方の所定位置で停止される。そして，主搬送装置１３が
ウェハＷを保持した状態で下降し，回転駆動機構６２に
より予め上昇して待機していたスピンチャック６０にウ
ェハＷが載置されると，そのスピンチャック６０に吸着
保持される。そして，スピンチャック６０が下降し，カ
ップ６５内の所定位置で停止する。
【００５０】次いで，サーモビュワー８５により，ウェ
ハＷ表面全面の温度が測定される。そしてその測定され
たデータと，予め求めておいたウェハＷ上に均一なレジ
スト膜が形成されるためのデータ，例えば図７に示すよ
うなウェハＷ上の温度分布とを比較する。そして，測定
温度が前記理想温度分布に対して許容範囲（図７中の斜
線で示す範囲）から逸脱している部分がある場合には，
そのデータを温度制御装置７７に送信する。
【００５１】その後，上述したいわゆるスピンコーティ
ング法によるウェハＷへのレジスト液の塗布処理が開始
されるが，それと同時に，先に温度制御装置７７に送信
されたデータに基づいてウェハＷの前記逸脱部分に対向
する温度調節室７５の温度が調節され，それによってそ
の温度調節室７５を通過する清浄空気の温度が調節さ
れ，さらにその清浄空気がウェハＷの前記逸脱部分に供
給されると，ウェハＷ上の前記逸脱部分の温度が補正さ
れる。
【００５２】例えば図７に示したようにウェハＷの外周
部の温度が低い場合には，温度制御装置７７によって，
ウェハＷの外周部に向けて清浄空気を供給する温度調節
室７５ｃの温度を所定温度，例えば２℃上昇させる。こ
れによって，温度調節室７５ｃを通る清浄空気の温度が
上昇され，図８に示すようにその清浄空気が供給口７８
からウェハＷ周辺部に供給されると，ウェハＷの周辺部
の温度が上昇され，ウェハＷ上の温度分布が補正され
る。
【００５３】このようにして，ウェハＷ上の温度を補正
するための窒素が供給されている状態のまま，回転駆動
機構６２によりスピンチャック６０上のウェハＷが所定
の回転数，例えば２０００ｒｐｍで高速回転される。そ
して，先ずウェハＷ中心上方に位置する溶剤供給ノズル
６９から所定の溶剤が吐出され，ウェハＷ表面に溶剤が
塗布される。次いで，吐出ノズル６８からレジスト液が
吐出され，このレジスト液はウェハＷの回転によりウェ
ハＷ表面全面に拡散される。その後，さらに高速回転，
例えば３５００ｒｐｍにし，余計なレジスト液を振り切
ってウェハＷ上に所定の厚さでかつ厚みの均一なレジス
ト膜が形成される。そして，ウェハＷの回転が停止さ
れ，ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処
理が終了する。なお，ウェハＷの回転が停止されると同
時に温度調節室７５ｃの温度が他の温度と同じ例えば２
３℃に戻される。
【００５４】その後，ウェハＷは回転駆動機構６２によ
り再び上昇され，主搬送装置１３に受け渡され，その後
レジスト塗布装置１７から搬出される。
【００５５】以上の実施の形態によれば，ウェハＷ上の
温度の測定値に基づいて，レジスト膜の厚みに影響を与
えるウェハＷ上の温度を，予め求められていたレジスト
膜が均一に形成されるための所定範囲の温度分布に調節
することができるので，スピンコーティング法により均
一なレジスト膜が形成できる。
【００５６】また，ウェハＷ上の温度を反射鏡８７を用
いて間接的に測定したため，サーモビュワー８５の設置
位置をケーシング１７ａの側方にすることができ，レジ
スト塗布装置１７自体の高さを低く保つことができる。
なお，高さを考慮する必要がない場合もあるため，反射
鏡８７を用いずに直接ウェハＷ上の温度を測定するよう
にしてもよい。
【００５７】以上の実施の形態では，気体供給手段７０
の供給口７８からの清浄空気の温度を変更させて，レジ
スト膜の膜厚を変更するようにしていたが，温度に変え
て湿度又は清浄空気の供給方向を変更させてもよい。
【００５８】また，上述した実施の形態では，サーモビ
ュワー８５の測定結果に基づいて，清浄空気の温度とそ
の供給位置を変更していたが，ウェハＷ上の雰囲気例え
ば温度や湿度を変えることのできる溶剤蒸気をウェハＷ
上に供給するようにしてもよい。以下，かかる場合を第
２の実施の形態として説明する。
【００５９】第２の実施の形態にかかるレジスト塗布装
置１７の構成は，図９に示すように，ウェハＷ上方に水
平方向に移動可能な溶剤蒸気吐出ノズル９０を設ける。
そして，このよう溶剤蒸気吐出ノズル９０の吐出タイミ
ングと水平移動を制御するノズル制御装置９２が設けら
れ，このノズル制御装置９２には，サーモビュワー８５
からのデータが送信されるように構成されている。
【００６０】そして，ウェハＷがスピンチャック６０に
載置され，第１の実施の形態と同様に，サーモビュワー
８５によりウェハＷ上の温度が測定され，上述した理想
温度分布と比較され，許容範囲から逸脱している部分が
ある場合には，その逸脱部分の位置と温度のデータをノ
ズル制御装置９２に送信する。そして，そのデータに基
づいて，溶剤蒸気吐出ノズル９０の位置が移動され，所
定のタイミング，例えばウェハＷ上にレジスト液が供給
されると同時に所定の溶剤蒸気，例えばシンナーがウェ
ハＷ上の前記逸脱部分に吹き付けられる。
【００６１】こうすることにより，ウェハＷ上の前記逸
脱部分における雰囲気の温度及び湿度が変更され，レジ
スト液の気化量が変更されるため，レジスト膜の膜厚を
補正し，ウェハＷ上に均一なレジスト膜を形成すること
ができる。
【００６２】また，第３の実施の形態として，サーモビ
ュワー８５の測定結果に基づいて，排気口８０からの排
気量を変更することが提案できる。この場合には，図１
０に示すようにサーモビュワー８５のデータを吸引装置
８１に送信可能に構成しておき，上述した第１の実施の
形態と同様に予め求めておいた理想温度分布と測定結果
を比較し，補正が必要な場合にのみそのデータを送信
し，そのデータに基づいて排気口８０からの排気量を変
更させる。それによって，ウェハＷの周辺部付近の雰囲
気がより多く排気されるため，ウェハＷ周辺部の湿度が
変更され，ウェハＷ周辺部からのレジスト液の気化量が
変更される。その結果レジスト膜の厚みが調節され，所
定の均一なレジスト膜が形成できる。
【００６３】さらに，第４の実施の形態として，サーモ
ビュワー８５の測定結果に基づいて，スピンチャック６
０の回転速度を変更することが提案できる。この場合に
は，図１１に示すようにサーモビュワー８５のデータを
回転駆動機構６２に送信可能に構成しておき，上述した
第１の実施の形態同様に，予め求めておいた理想温度分
布と測定結果を比較し，補正が必要な場合にのみ，その
データを回転駆動機構６２に送信し，そのデータに基づ
いて回転速度を変更させる。それによって，ウェハＷ上
の気化量が増減し，ウェハＷ上のレジスト膜の厚みを補
正することにより，所定の均一なレジスト膜が形成され
る。
【００６４】この第４の実施の形態は，レジスト塗布処
理においてウェハＷ上にレジスト膜を形成する場合だけ
でなく，現像処理においてウェハＷ上に現像液の液膜を
形成する際にも応用できる。特に，現像処理では，通
常，初めにウェハＷ上に現像液や純水等の薄膜を形成
し，その後本格的に現像液を供給して，ウェハＷ上に液
盛りして現像処理が行われるが，前記温度の測定値に基
づいて前記薄膜を形成する際のウェハＷの回転速度を調
節するようにしてもよい。すなわち，現像液を供給する
前に，ウェハＷ上の温度を測定し，その測定値と予め求
めておいた理想温度分布とを比較して，例えばあるしき
い値を越えた場合のみ回転速度を調節する。こうするこ
とにより，上述したように，ウェハＷ上の現像液の気化
量が変動され，ウェハＷ上に形成される薄膜がより均一
になるように調節される。したがって，ウェハＷの現像
処理がウェハＷ面内において均一に行われる。
【００６５】また，以上の実施の形態では，スピンチャ
ック６０上に載置されたウェハＷ表面の温度を測定して
いたが，それに加えウェハＷを載置する前に，例えばサ
ーモビュワー８５によってスピンチャック６０の上面６
０ａの温度も測定するようにしてもよい。これは，多数
枚のウェハＷを処理する内に徐々にスピンチャック６０
に摩擦熱等の熱が蓄熱され，スピンチャック６０の温度
が上昇する場合があり，スピンチャック６０の温度上昇
は，その上に載置されるウェハＷの温度上昇に繋がるか
らである。そして，前記測定結果に基づいて，スピンチ
ャック６０の温度を調節するが，その手段については，
前記第１〜第４の実施の形態で記載した何れかの手段を
用いるようにしてもよい。例えば，図１２に示すように
気体供給手段７０を用いてスピンチャック６０の温度を
調節するようにしてもよい。
【００６６】また，以上の実施の形態では，ウェハＷに
レジスト液を供給する際にウェハＷを回転させるスピン
コーティング法を用いた場合について記載したが，ウェ
ハＷを回転させないその他の方法，例えば，レジスト液
若しくはその他の処理液の供給手段をウェハＷ上で移動
させながら，レジスト液等を供給し，ウェハＷ上にレジ
スト膜或いはその他の処理膜を形成する方法を用いた場
合にも適用できる。
【００６７】以上の実施の形態では，ウェハＷにレジス
ト液を塗布し，レジスト膜を形成する膜形成装置であっ
たが，本発明は，絶縁膜等の他の膜形成装置，例えばＳ
ＯＤ，ＳＯＧ膜形成装置，さらにはウェハＷ上に現像液
の液膜を形成する現像処理装置においても適用できる。
また，ウェハＷ以外の基板例えばＬＣＤ基板の膜形成装
置にも適用される。
【００６８】
【発明の効果】請求項１〜１５によれば，基板或いは保
持部材の温度を測定し，その測定値に基づいて，基板上
の温度や湿度等を補正することにより，基板上により均
一な膜が形成され，その結果歩留まりの向上が図られ
る。
【００６９】特に請求項１，２又は９によれば，処理液
の供給前に基板温度を測定できるので，その測定結果に
基づいて，各基板毎に個別に処理環境を補正し，その基
板の膜形成処理を好適に行うことができる。
【００７０】また，請求項８〜１５のように，温度測定
装置として非接触温度測定装置若しくは熱赤外線測定装
置を用いることにより，基板に直接温度測定装置を設け
る必要が無く，非接触で測定できる。特に基板が回転さ
れて処理される場合には，基板の偏心や電線の切断等の
観点から非接触であることに大きな利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置が組み
込まれた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面
図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断
面の説明図である。
【図５】図４で示すレジスト塗布装置内の気体供給手段
の縦断面の説明図である。
【図６】図５で示す気体供給手段の横断面の説明図であ
る。
【図７】測定されたウェハ上の温度分布と理想温度分布
との一例を示す説明図である。
【図８】図４の気体供給手段からウェハ上に気体が供給
される状態を示す説明図である。
【図９】第２の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の
縦断面の説明図である。
【図１０】第３の実施の形態にかかるレジスト塗布装置
の縦断面の説明図である。
【図１１】第４の実施の形態にかかるレジスト塗布装置
の縦断面の説明図である。
【図１２】スピンチャックの上面の温度を測定する場合
の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の一例を示す縦
断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ６０ スピンチャック ７０ 気体供給手段 ７５ａ，７５ｂ，７５ｃ 温度調節室 ７７ 温度制御装置 ８５ サーモビュワー Ｓ 処理室 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６２ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA05 4D075 AC64 AC92 AC93 AC94 AC96 BB57Y CA48 DA08 DB11 DC22 EA45 4F042 AA02 AA07 BA05 BA10 BA13 BA19 BA20 BA25 EB24 EB29 EB30 5F046 CD01 CD05 JA02 JA07 JA08 JA13 JA16 JA22 JA24 KA01 KA07 LA18

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室内に気体を供給すると共に，前記
    処理室内の雰囲気を排気する状態で，前記処理室内の保
    持部材に載置された基板に処理液を供給し，基板表面に
    前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって，前記処
    理液の供給前に，前記基板表面の温度を測定する工程を
    有することを特徴とする，膜形成方法。
  2. 【請求項２】 処理室内に気体を供給すると共に，前記
    処理室内の雰囲気を排気する状態で，前記処理室内の保
    持部材に載置された基板に処理液を供給し，前記基板表
    面に前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって，前
    記処理液の供給前に，前記保持部材上の温度を測定する
    工程を有することを特徴とする，膜形成方法。
  3. 【請求項３】 前記保持部材上の温度の測定結果に基づ
    いて，前記保持部材の温度を変更する工程を有すること
    を特徴とする，請求項２に記載の膜形成方法。
  4. 【請求項４】前記温度の測定結果に基づいて，前記処理
    室内への気体の供給状態が変更される工程を有すること
    を特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の
    膜形成方法。
  5. 【請求項５】 前記温度の測定結果に基づいて，前記排
    気の排気量が変更される工程を有することを特徴とす
    る，請求項１，２又は３のいずれかに記載の膜形成方
    法。
  6. 【請求項６】 前記温度の測定結果に基づいて，前記基
    板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付ける工程を有する
    ことを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記
    載の膜形成方法。
  7. 【請求項７】 前記基板への処理液の供給は，基板を回
    転させた状態で行われるものであり，前記温度の測定結
    果に基づいて，前記前記基板の回転速度を変更させる工
    程を有することを特徴とする，請求項１，２又は３のい
    ずれかに記載の膜形成方法。
  8. 【請求項８】 前記温度測定は，非接触温度測定装置に
    より行われることを特徴とする，請求項１，２，３，
    ４，５，６又は７のいずれかに記載の膜形成方法。
  9. 【請求項９】 処理室内において保持部材上に載置され
    た基板に処理液を供給し，前記基板表面に前記処理液の
    膜を形成する膜形成装置であって，測定対象物である少
    なくとも前記基板表面又は前記保持部材上の温度を測定
    する非接触温度測定装置を有することを特徴とする，膜
    形成装置。
  10. 【請求項１０】 前記非接触温度測定装置は，熱赤外線
    測定装置であり，前記測定対象物からの赤外線を前記熱
    赤外線測定装置に反射させる反射板を有することを特徴
    とする，請求項９に記載の膜形成装置。
  11. 【請求項１１】 前記処理室内に気体を供給する気体供
    給手段と，前記非接触温度測定装置による測定結果に基
    づいて，前記気体供給手段からの気体の少なくとも温
    度，湿度又は供給方向を制御する制御装置とを有するこ
    とを特徴とする，請求項９又は１０のいずれかに記載の
    膜形成装置。
  12. 【請求項１２】 前記気体供給手段は，前記基板上方に
    設けられ，かつ前記基板方向に向けられた複数の供給口
    を有し，前記供給口毎に，少なくとも温度，湿度又は供
    給方向が制御されることを特徴とする，請求項１１に記
    載の膜形成装置。
  13. 【請求項１３】 前記処理室内の雰囲気を排気する排気
    手段と，前記非接触温度測定装置による測定結果に基づ
    いて，前記排気手段による前記雰囲気の排気量を制御す
    る制御装置とを有することを特徴とする，請求項９又は
    １０のいずれかに記載の膜形成装置。
  14. 【請求項１４】 前記基板上の任意の位置に前記処理液
    の溶剤蒸気を供給可能な溶剤蒸気供給手段と，前記非接
    触温度測定装置による測定結果に基づいて，前記溶剤蒸
    気供給手段の前記溶剤蒸気の供給位置を制御する制御装
    置とを有することを特徴とする，請求項９又は１０のい
    ずれかに記載の膜形成装置。
  15. 【請求項１５】 前記保持部材を回転させ，かつその回
    転速度を変更可能な回転駆動機構と，前記非接触温度測
    定装置による測定結果に基づいて，前記回転駆動機構を
    制御する制御装置を有することを特徴とする，請求項９
    又は１０のいずれかに記載の膜形成装置。
JP2000109028A 2000-04-11 2000-04-11 膜形成方法及び膜形成装置 Expired - Fee Related JP3792986B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000109028A JP3792986B2 (ja) 2000-04-11 2000-04-11 膜形成方法及び膜形成装置
US09/827,910 US6541376B2 (en) 2000-04-11 2001-04-09 Film forming method and film forming apparatus
TW090108572A TW504735B (en) 2000-04-11 2001-04-10 Film forming method and film forming apparatus
KR1020010018860A KR100618261B1 (ko) 2000-04-11 2001-04-10 막형성방법 및 막형성장치
US10/339,396 US6730599B2 (en) 2000-04-11 2003-01-10 Film forming method and film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000109028A JP3792986B2 (ja) 2000-04-11 2000-04-11 膜形成方法及び膜形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001291660A true JP2001291660A (ja) 2001-10-19
JP3792986B2 JP3792986B2 (ja) 2006-07-05

Family

ID=18621780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000109028A Expired - Fee Related JP3792986B2 (ja) 2000-04-11 2000-04-11 膜形成方法及び膜形成装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6541376B2 (ja)
JP (1) JP3792986B2 (ja)
KR (1) KR100618261B1 (ja)
TW (1) TW504735B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234278A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Toshiba Corp 液状膜の処理方法及び液状膜の処理装置
JP2004087934A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Nec Corp レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
US7312018B2 (en) 2002-01-30 2007-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP2008177300A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
JP2009510722A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010040921A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
US20120234356A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2013235957A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Lapis Semiconductor Co Ltd レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
JP2014011420A (ja) * 2012-07-03 2014-01-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体
JP2016540246A (ja) * 2013-11-27 2016-12-22 東京エレクトロン株式会社 光学投影を使用する基板チューニングシステム及び方法
JP2017107919A (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
CN107051831A (zh) * 2015-11-16 2017-08-18 东京毅力科创株式会社 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置
JP2017223980A (ja) * 2011-11-17 2017-12-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2023517095A (ja) * 2020-03-10 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 トラックシステムに統合するための長波赤外線熱センサ

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324745A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト膜形成方法
JP3898906B2 (ja) * 2001-05-22 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板の塗布装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100487665B1 (ko) * 2002-10-28 2005-05-03 주식회사 에이디피엔지니어링 Ｌｃｄ셀 접합공정용 압착장치
EP1459887A3 (en) * 2003-03-20 2005-03-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming method and image exposure apparatus
JP2004335750A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd 処理スケジュール作成方法
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4760516B2 (ja) * 2005-12-15 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR100724188B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-31 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 스피너 설비
US8206996B2 (en) 2006-03-28 2012-06-26 Lam Research Corporation Etch tool process indicator method and apparatus
US7951616B2 (en) * 2006-03-28 2011-05-31 Lam Research Corporation Process for wafer temperature verification in etch tools
US7867403B2 (en) * 2006-06-05 2011-01-11 Jason Plumhoff Temperature control method for photolithographic substrate
WO2010053125A1 (ja) * 2008-11-05 2010-05-14 株式会社 東芝 成膜装置、成膜方法及び半導体装置
JP5448536B2 (ja) * 2009-04-08 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびレジスト膜処理方法
JP6255152B2 (ja) * 2012-07-24 2017-12-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
CN103706518B (zh) * 2013-12-17 2016-08-17 深圳众为兴技术股份有限公司 一种点胶方法、装置及系统
KR102483666B1 (ko) * 2014-04-30 2023-01-02 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
US10082461B2 (en) * 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
US9958673B2 (en) * 2014-07-29 2018-05-01 Nanometrics Incorporated Protected lens cover plate for an optical metrology device
JP6072845B2 (ja) * 2015-03-31 2017-02-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
KR102211780B1 (ko) * 2018-11-06 2021-02-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370424A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Pioneer Electronic Corp レジスト塗布装置
JPS63294965A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Toshiba Corp 回転塗布装置
JPH0167734U (ja) * 1987-10-23 1989-05-01
JPH03207467A (ja) * 1989-12-29 1991-09-10 Nec Corp 塗布剤の塗布方法及びその装置
JPH05166712A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布方法
JPH08150368A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液塗布装置
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02234085A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0734890B2 (ja) * 1991-10-29 1995-04-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション スピン・コーティング方法
US5452052A (en) * 1992-03-25 1995-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for exposing chemically amplified resist
US5366757A (en) * 1992-10-30 1994-11-22 International Business Machines Corporation In situ resist control during spray and spin in vapor
TW268905B (ja) * 1993-05-20 1996-01-21 Tokyo Electron Co Ltd
SE505157C2 (sv) * 1995-10-31 1997-07-07 Seco Tools Ab Metod och skär för gängning
US6121579A (en) * 1996-02-28 2000-09-19 Tokyo Electron Limited Heating apparatus, and processing apparatus
JP3695606B2 (ja) * 1996-04-01 2005-09-14 忠弘 大見 半導体装置及びその製造方法
JP3516195B2 (ja) * 1996-05-28 2004-04-05 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
US6291800B1 (en) * 1998-02-20 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and substrate processing system
US6368776B1 (en) * 1998-03-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Treatment apparatus and treatment method
US6040118A (en) * 1998-10-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Critical dimension equalization across the field by second blanket exposure at low dose over bleachable resist
US6169274B1 (en) * 1999-03-01 2001-01-02 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and method, detecting temperatures at plural positions each different in depth in holding plate, and estimating temperature of surface of plate corresponding to detected result
JP2001189373A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370424A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Pioneer Electronic Corp レジスト塗布装置
JPS63294965A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Toshiba Corp 回転塗布装置
JPH0167734U (ja) * 1987-10-23 1989-05-01
JPH03207467A (ja) * 1989-12-29 1991-09-10 Nec Corp 塗布剤の塗布方法及びその装置
JPH05166712A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布方法
JPH08150368A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液塗布装置
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7312018B2 (en) 2002-01-30 2007-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
US7604832B2 (en) 2002-01-30 2009-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
US8071157B2 (en) 2002-01-30 2011-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP2003234278A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Toshiba Corp 液状膜の処理方法及び液状膜の処理装置
JP2004087934A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Nec Corp レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
US8286580B2 (en) 2005-09-26 2012-10-16 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP2009510722A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP4843043B2 (ja) * 2005-09-26 2011-12-21 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008177300A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
KR101361219B1 (ko) 2007-01-17 2014-02-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 온도 조절 장치, 도포, 현상 장치, 온도 조절 방법 및 기억 매체
JP2010040921A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP2012195444A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US20120234356A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
US9305767B2 (en) 2011-03-16 2016-04-05 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2017223980A (ja) * 2011-11-17 2017-12-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2013235957A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Lapis Semiconductor Co Ltd レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
JP2014011420A (ja) * 2012-07-03 2014-01-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体
JP2016540246A (ja) * 2013-11-27 2016-12-22 東京エレクトロン株式会社 光学投影を使用する基板チューニングシステム及び方法
CN107051831A (zh) * 2015-11-16 2017-08-18 东京毅力科创株式会社 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置
US10672606B2 (en) 2015-11-16 2020-06-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium
CN107051831B (zh) * 2015-11-16 2020-12-22 东京毅力科创株式会社 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置
JP2017107919A (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
JP2023517095A (ja) * 2020-03-10 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 トラックシステムに統合するための長波赤外線熱センサ
JP7671558B2 (ja) 2020-03-10 2025-05-02 東京エレクトロン株式会社 トラックシステムに統合するための長波赤外線熱センサ
TWI885080B (zh) * 2020-03-10 2025-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 用於整合進軌徑系統的長波紅外線熱感測器

Also Published As

Publication number Publication date
US20030099776A1 (en) 2003-05-29
JP3792986B2 (ja) 2006-07-05
US20020022377A1 (en) 2002-02-21
KR20010098485A (ko) 2001-11-08
KR100618261B1 (ko) 2006-09-04
US6541376B2 (en) 2003-04-01
US6730599B2 (en) 2004-05-04
TW504735B (en) 2002-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3792986B2 (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
US5939130A (en) Coating film forming method and coating film forming apparatus
US6190063B1 (en) Developing method and apparatus
US7987019B2 (en) Substrate transfer method and substrate transfer apparatus
KR101059309B1 (ko) 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
JP3519669B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JPH11260718A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
US6410194B1 (en) Resist film forming method and resist coating apparatus
JP2003203837A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2003051439A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP4765750B2 (ja) 熱処理装置、熱処理方法、記憶媒体
JP5216713B2 (ja) 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2003218015A (ja) 基板処理装置
US8587763B2 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable recording medium recording program thereon
KR102046872B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3256462B2 (ja) レジスト処理方法及びレジスト処理システム
JP2001232270A (ja) 膜形成装置
JP3909574B2 (ja) レジスト塗布装置
JP3793063B2 (ja) 処理方法及び処理装置
KR101910800B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2000294503A (ja) レジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置
KR20190124679A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2001093830A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001007006A (ja) 温度測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060307

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060406

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees