JP2001273679A

JP2001273679A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2001273679A
Application number: JP2000089615A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Nagase; 俊彦永瀬; Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2000-03-28
Publication date: 2001-10-05

Abstract

(57)【要約】【課題】光照射により消衰係数の増加する超解像再生
膜を用い、ＣＡＤの超解像再生方法を採用できる光記録
媒体の提供。【解決手段】記録層を兼用する透明基板１、所定の閾
値を超える量の光照射により選択的に消衰係数が大きく
なる超解像再生膜２、積層干渉層１１、および反射膜５
を順次積層し、閾値を超える光照射領域を光学開口と
し、この領域のみの反射光を検出し記録情報を読取る。
所定の閾値を超える光照射領域は、前記超解像再生膜が
単層の場合には反射率が低下し光学マスクとなり、この
領域のみの反射光検出が困難であるが、本発明では積層
干渉層１１を設け、多重反射・多重干渉させることで所
定の閾値を超える領域を光学開口とすることを可能にし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に係
り、特に照射光の光径よりも狭い領域の反射光が得られ
る超解像再生膜を用いた光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ビームの照射により情報の再生または
記録・再生を行う光ディスクメモリは、大容量性、高速
アクセス性、媒体可搬性を兼ね備えた記憶装置として音
声、画像、計算機データなど各種ファイルに実用化され
ており、今後もその発展が期待されている。

【０００３】光ディスクの高密度化技術としては原盤カ
ッティング用ガスレーザの短波長化、動作光源である半
導体レーザの短波長化、対物レンズの高開口数化、光デ
ィスクの薄板化が考えられている。さらに、記録可能な
光ディスクにおいてはマーク長記録、ランド・グルーブ
記録など種々のアプローチがある。また、光ディスクの
高密度化の効果が大きい技術として、媒体膜を利用した
超解像再生技術が提案されている。超解像技術は当初・
光磁気ディスクに特有の技術として提案されてきたが、
その後ＲＯＭディスクでも記録層に対して再生光照射側
に、再生光の照射により光の透過率が変化する超解像再
生膜を設けて超解像再生する試みが報告されている。こ
のように、超解像再生技術は光磁気ディスク、ＣＤ−Ｒ
ＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＷＯＲＭ、相変化型光記録媒体など全
ての光ディスクに適用可能であることが分かった。

【０００４】従来の超解像再生技術で提案されている超
解像再生膜はヒートモード方式とフォトンモード方式に
大別される。ヒートモード方式では再生光照射による加
熱で超解像再生膜に相転移などを発生させ、透過率の高
い光学開口を形成する。この光学開口の形状は超解像再
生膜の等温線と同一になる。フォトンモード方式では超
解像再生膜としてフォトクロミック材料を用い、再生光
照射による発色または消色を利用するフォトクロミック
材料は光照射より電子が基底準位から寿命の短い励起状
態へ励起され、さらに励起準位から寿命の非常に長い準
安定励起準位へ遷移して捕捉されることにより光吸収特
性の変化を発現する。したがって、繰り返して再生する
には準安定励起準位に捕捉された電子を基底状態へ脱励
起して、いったん形成された光学開口を閉じる必要があ
る。また、フォトンモード方式の超解像再生膜として吸
収飽和現象を利用した半導体連続膜あるいは半導体微粒
子分散膜を用いた例もある。これらの超解像再生材料は
光照射量が所定の閾値を超えた時に材料自体の透過率が
増加する。すなわち消衰係数が減少する特性を持ってい
る。

【０００５】すなわち、光照射量の多い領域（光学開口
部）の光透過率を高くし、光照射量の少ない領域（光学
マスク部）の光透過率を低くするため、光学開口部を透
過する光の強度と、光学マスク部を透過する光の強度の
差を大きくすることができる。

【０００６】一方、２光子吸収を起こすＫＢｒ、ＣｕＢ
ｒ、ＲｂＢｒ、ＣｕＣｌ等の材料やフォトクロミズムお
よびサーモクロミズムを示す材料で消色状態から発色状
態への変化を利用する場合などは、光照射量が所定の閾
値を超えた時に消衰係数が増加する。

【０００７】たとえば、この材料を超解像再生膜として
用い、通常のレーザー光を用いて光照射した場合、照射
光強度の高い光照射領域の中央部が光学マスク部とな
り、照射光強度の低い光照射領域端部近傍が光学開口と
なる。そのため、超解像再生膜の透過光の強度差を大き
くすることが困難であり、また、照射光強度の強い領域
を情報の読み取りに使用できない。

【０００８】すなわち、閾値を越える光照射によって消
衰係数大きくなる材料は、照射光強度の強い光スポット
中央部が光学開口とならず、光利用効率が低下するとい
う問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、所定
の閾値を超える光を照射した時に、消衰係数が増加する
材料を超解像再生膜として使用した場合には、照射光強
度の強い領域を光学マスク部とするために光利用効率が
低下するという問題があった。

【００１０】本発明は、このような問題に鑑みて為され
たものであり、所定の閾値を超える光照射によって消衰
係数が大きくなる材料を超解像再生膜として用い、か
つ、光照射領域中の照射光強度の高い領域の情報を読取
ることのできる光記録媒体を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
記録層と、この記録層を介して照射光が照射される反射
層と、すくなくとも前記反射層の前記照射光側に形成さ
れ、所定の閾値を超える量の光照射により選択的に消衰
係数が大きくなる超解像再生膜とを具備する光記録媒体
であり、光記録媒体への照射光スポット内で、前記閾値
を超える領域と、前記閾値以下の領域とで、光記録媒体
の反射率が異なる光記録媒体において、前記反射層に対
して少なくとも照射光側に形成され、前記照射光の入射
光および、前記反射層による反射光を多重反射・多重干
渉させる、高屈折率層および低屈折率層を有する積層干
渉層を具備することを特徴とする。

【００１２】すなわち、所定の閾値を超える光照射によ
って消衰係数が増加する（吸収率が増加するため、一般
に光反射率、および光透過率が低減する）超解像再生膜
は、単層で用いると、光照射量の多い領域で吸収率が増
加するため、光透過率や光反射率を低下させるが、反射
層上に、記録層、積層干渉層および超解像再生膜を積層
した光記録媒体においては、所定の閾値を超える光が照
射された領域のみ光記録媒体の反射率が高まることを見
出した。

【００１３】このような本発明の光記録媒体によれば、
所定の閾値を超える光を照射する領域を反射率の高い領
域とすることができ、光の利用効率を高めることができ
る。

【００１４】さらに、本発明の光記録媒体によれば、光
記録媒体の反射率の高い領域（以下、光学開口部と呼
ぶ）と、光反射率の低い領域（以下、光学マスク部と呼
ぶ）との反射率差を大きくすることが可能となり、読取
り誤差などの問題が低減される。

【００１５】前記積層干渉層は、高屈折率層および低屈
折率層が順次積層された３層以上の積層体であることが
望ましい。

【００１６】すなわち、高屈折率層／低屈折率層／高屈
折率層／低屈折率層・・・の積層順、あるいは低屈折率
層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層・・・の積層
順で積層し、多重反射・干渉する機会をより増やすこと
で、前述した効果が顕著になる。

【００１７】なお、高屈折率層とは隣合う干渉層に対し
相対的に屈折率の高い層であり、低屈折率層とは隣合う
干渉層に対し相対的に屈折率の低い層を指す。

【００１８】また、前記超解像再生膜は、前記高屈折率
層および前記低屈折率層のうちの少なくとも１層に兼用
することができる。

【００１９】低屈折率層／高屈折率層からなる積層干渉
層の高屈折率層に隣接して、この高屈折率層よりも屈折
率の小さな超解像再生膜を形成する、あるいは低屈折率
層に隣接してこの低屈折率層よりも屈折率の大きな超解
像再生膜を形成することで、超解像再生膜を積層干渉層
の一部として使用することも可能である。

【００２０】また、前記反射層と前記積層干渉層との間
に、前記閾値を超える照射光に対する光記録媒体の反射
率を実質的に最大にする、あるいは前記閾値以下の照射
光に対する光記録媒体の反射率を実質的に最小にするよ
うに膜厚制御された光学マッチング層を設けることがで
きる。

【００２１】本発明の光記録媒体は、光学開口部の光反
射率が最大の反射率となる、あるいは光学マスク部の光
反射率が最小となるように層構成を調整し、光学マスク
部と、光学開口部との反射光の強度差を大きくすること
が望まれる。超解像再生膜の膜厚や屈折率、あるいは必
要に応じ設けられる透明基板の屈折率や反射率によっ
て、光学開口部の光反射率が最大とならない場合があ
る。所定の屈折率を持つ材料からなる層を反射膜と積層
干渉層との間に配置し、その膜厚を制御することで光学
開口部の光反射率が最大となるように調整することが可
能となる。

【００２２】なお、本発明に用いられる超解像再生膜の
消衰係数は複素屈折率の虚部を、屈折率とは複素屈折率
の実部を指す。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１に本発明に関わる光記録媒体
の断面図の一例を示す。

【００２４】図１の光記録媒体では、記録情報がピット
として形成された記録層となる光ディスク基板１上に低
屈折率層２と高屈折率層３とが複数層順次積層された積
層干渉層１１、超解像再生膜４、反射膜５が順次形成さ
れている。図１の例では低屈折率層２と高屈折率層３は
３組積層されている。

【００２５】次に、本発明に係る超解像再生膜の消衰係
数が変化した時の、光記録媒体の反射率特性について説
明する。

【００２６】図２は、本発明の光記録媒体の照射光波長
と反射率の関係を示す図である。

【００２７】まず、図２においては、超解像再生膜は、
屈折率２．３（照射光による変化はなし）、照射光が閾
値以下の時の消衰係数（以下、初期の消衰係数と呼ぶ）
が０ものを用いる。図１で説明したような低屈折率層と
してＳｉＯ₂、高屈折率層としてＺｎＳを用いた６層の
積層干渉層を用い、それぞれの膜厚を６８．３ｎｍ、４
２．７ｎｍとし、照射光として波長４１０ｎｍのレーザ
ー光を用いた時に、光記録媒体の初期の反射率が最低と
なるように、超解像再生膜の膜厚を７３．５ｎｍとして
ある。

【００２８】図２は、このような光記録媒体に所定の閾
値以下の照射光を照射した時（超解像再生膜の屈折率
２．３、消衰係数０）の光記録媒体の反射率、照射光が
所定の閾値を超え、超解像再生膜の消衰係数が０．１、
０．２、あるいは０．５に変化した場合の反射率の計算
結果を示す。

【００２９】また、図３には、超解像再生膜の消衰係数
が、初期の屈折率の時と、所定の閾値を超え消衰係数が
変化した時との反射率差を示す。

【００３０】図２から明らかなように、照射光４１０ｎ
ｍ近傍では消衰係数が大きくなるにしたがって反射率が
増加することが分かる。すなわち、所定の閾値を超える
光照射領域で超解像再生膜の消衰係数が増加し、その領
域のみ光記録媒体の光反射率が増加し光学開口部とな
り、超解像再生膜が初期の消衰係数のままである所定の
閾値以下の光照射領域では、光記録媒体の反射率が小さ
く光学マスク部となることが分かる。

【００３１】このように超解像再生膜の消衰係数の増加
に伴い反射率が増加するのは、積層干渉層を設けたこと
で、光記録媒体内で、照射光が多重反射し、多重干渉し
たためである。

【００３２】また、図３から、消衰係数の変化率が大き
くなるにしたがって、光学開口部と光学マスク部との反
射率差が大きくなることが分かる。

【００３３】次に、このような光記録媒体を用いた超解
像再生技術について説明する。

【００３４】図４は、超解像再生技術を説明するための
光照射方向から見た光記録媒体の模式図である。

【００３５】光記録媒体４１には、トラックＴ１、Ｔ
２、Ｔ３に沿って、所定ピッチで記録領域４２が形成さ
れており、再生光をトラックＴ１、トラックＴ２、トラ
ックＴ３をそれぞれ順次走査していくことで、各トラッ
クの記録情報を読み出す。

【００３６】図４は、トラックＴ２にレーザー光などを
用いて再生光を照射した時の図面であり、その再生光の
光スポットをＳで示している。超解像再生膜を具備しな
い光記録媒体においては、光スポットＳと同じ領域から
反射光を受けるため、光スポット径よりも小さなピッチ
で記録領域が形成されていると、光スポット内に複数の
記録領域４２、正確に記録情報を読み出すことができな
い。

【００３７】本発明の光記録媒体においては、例えば、
光スポットＳの中心部近傍のみ所定の閾値を超える光照
射量となるレーザー光を用いた場合には、所定の閾値を
超える光照射領域のみ光記録媒体の反射率が高くなり、
光スポットＳより狭い光学開口Ａが形成され、光スポッ
ト内の所定の閾値以下の光が照射される領域は反射率の
低い光学マスクＭとなる。その結果、光スポットＳより
も狭い光学開口Ａ内のみの記録領域を読取ることが可能
になり、光スポットＳよりも狭いピッチで記録領域が形
成された記録情報を正確に読取ることが可能になる。

【００３８】一方比較の為に、図２の構成で積層干渉層
がなく、超解像再生膜と反射膜のみ形成された光記録媒
体において、超解像再生膜の消衰係数が０から０．１、
０．２、０．５に変化したときの各波長における反射率
を図９に、反射率変化量を図１０に示した。ただし、超
解像再生膜が初期の消衰係数の時に光反射率が最低とな
るように、超解像再生膜の膜厚を７３．５ｎｍとした。

【００３９】図９、１０から分かるように、低屈折率層
と高屈折率層の積層構造がない場合、消衰係数の増加に
伴い反射率は低下することが分かる。

【００４０】この記録媒体を用いた超解像再生を図１１
を用いて説明する。

【００４１】光ビームの強い中心部近傍においては、超
解像再生膜の消衰係数が大きくなり吸収率が増加して光
記録媒体の反射率が低下し、光スポットＳの中心部近傍
に光学マスクＭが形成される。また、光スポットＳの境
界域近傍では、消衰係数が小さいので反射率が大きくな
り光学開口Ａが形成される。

【００４２】すなわち、照射光量が多い領域の反射率が
低く、照射光量が少ない領域の反射率が高いため、光学
マスクＭと光学開口Ａとの反射光の強度差が小さくな
り、また、光学開口部Ａ内に複数の記録領域102が含ま
れる可能性が高くなり、記録情報の読取り誤差が生じる
恐れがある。

【００４３】本発明に係る超解像再生膜は、前述のよう
に所定の閾値を超える光照射によって選択的に消衰係数
が大きくなる材料であり、一般にヒートモード系と、フ
ォトンモード系のものが知られている。

【００４４】ヒートモード系の超解像再生膜とは、光ビ
ーム照射による加熱で閾値を超える部分のみを選択的に
相転移などを発生させ、消衰係数を変化させる。例えば
カルコゲン系のＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの
相変化材料、ビアンスロン系、スピロピラン等のサーモ
クロミック材料などが挙げられる。

【００４５】フォトンモード系の超解像再生膜は、例え
ばフォトクロミック材料など光照射により発色又は消色
を利用したものが挙げられる。フォトクロミック材料は
光照射より電子が規定順位から寿命の短い励起状態へ励
起し、さらに励起準位から寿命の非常に長い準安定励起
準位へ遷移して捕捉されることにより屈折率を選択的に
変化させる。具体的にはピロベンゾピラン系分子、フル
ギド系分子、ジアリールエテン系分子、シクロファン系
分子、アゾベンゼンなどが挙げられる。また、吸収飽和
により光学定数が変化する半導体、半導体微粒子分散膜
等が挙げられる。また、吸収飽和により消衰係数が変化
する半導体、半導体微粒子分散膜などが挙げられる。

【００４６】本発明に係る積層干渉層は、干渉効果を出
させるために再生光などの照射光に対して実質的に光学
膜厚λ／４の膜厚にすることが望ましい。また、隣接す
る高屈折率層と低屈折率層の屈折率差を大きくとること
が望ましい。具体的にはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、
ＴｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂等の酸化物、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂等の
弗化物、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物、ＺｎＳ等の硫化
物、或いはそれらの混合物などを使用すればよい。

【００４７】また、本発明に係る積層干渉層を構成する
高屈折率層、あるいは低屈折率層とは、屈折率の異なる
層を積層した積層干渉層において、隣合う層に対して相
対的に高屈折率、あるいは低屈折率の材料からなる層を
指す。例えばその組合わせとして、高屈折率層としてＺ
ｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＳ、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂等を、低屈
折率層としてＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
Ｎａ₃Ａｌ₂Ｆ₆等を用いることができる。

【００４８】また、積層干渉層は、高屈折率層と低屈折
率層とを順次積層してなるが、この積層数は５層〜８層
程度とすることが望ましい。但し、高屈折率層と低屈折
率層の積層順および屈折率によってはこれ以外であって
も、消衰係数の増加に伴ない、記録媒体の反射率が増加
する。図１に示す光記録媒体において、積層数の異なる
積層干渉層について、光照射により消衰係数が０から
０．５に変化する超解像再生膜を用いた場合の反射率差
を図５aに示す。ここでは、低屈折率層、高屈折率層、
高屈折率層、低屈折率層の順で４層積層しており、消衰
係数が０．５まで増加しても、消衰係数が０のときに比
べて反射率が低いが、６層、８層では消衰係数が０のと
きに比べて反射率が高く、光学開口を形成できる。積層
数が１０層では消衰係数が０のときに比べて反射率が低
くなる。一方、図1の層構成で積層干渉層が基板側から
高屈折率層/低屈折率層の順に積層された構成におい
て、積層数の異なる積層干渉層について、光照射により
消衰係数が０から０．５に変化する超解像再生膜を用い
た場合の反射率差を図５bに示す。この場合、4層から１
０層まで積層数を変えても消衰係数が０のときに比べて
反射率が高くなるが、最も反射率差が大きいのは６層の
ときである。このように高屈折率層、低屈折率層の積層
順、各層の屈折率によって、最適な積層数が決まる。い
ずれの場合においても、消衰係数が０のときの設定波長
における反射率が20%以下であることが望ましく、反射
率が小さければ小さいほど好ましい。

【００４９】また、積層干渉層の積層数を多くするため
に、前記超解像再生膜を積層干渉層の一部として機能さ
せることも可能である。例えば、積層干渉層と超解像再
生膜とを隣接して形成し、超解像再生膜と隣接する層が
高屈折率層である場合にはそれよりも屈折率の小さな材
料からなる超解像再生膜を、超解像再生膜と隣接する層
が低屈折率層である場合にはそれよりも屈折率の大きな
材料からなる超解像再生膜を形成すればよい。

【００５０】本発明に係る記録層は、図１に示すよう
に、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ガ
ラスなどからなる光ディスク基板など適当な層を形成
し、ピットを形成したものであっても良いし、例えば、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などの
相変化材料などを記録層とし、この記録層に光ビームを
照射し、その一部の光学特性を変化させることで、記録
情報を作成したものであっても良い。

【００５１】本発明に係る反射層は、前述した記録層、
積層干渉層および超解像再生膜を介して照射される光を
全反射することが好ましく、例えば、Ａｌ及びＡｌ−Ｃ
ｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｍｏ等のＡｌ合金、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕなどを５０ｎｍ以上の平均膜厚を有する層とす
ることが望ましい。

【００５２】また、図１に示す光記録媒体においては、
超解像再生膜の膜厚を調整することで、光記録媒体の光
学マスク部の反射率を最小となるように調整したが、干
渉層と反射膜との間に光学マッチング層を形成し、この
光学マッチング層の屈折率や膜厚を調整することで、超
解像再生膜を任意の値にしても光記録媒体の光学マスク
部の反射率を最小とすることができる。また、光記録媒
体の光学開口部の反射率が最大となるように、光学マッ
チング層の屈折率や膜厚を調整しても良い。

【００５３】前述したような光記録媒体の変形例を図６
に示す。

【００５４】図６においては、透明基板からなる光ディ
スク基板１上に、低屈折率層２および高屈折率層３が順
次積層された６層構造の積層干渉層１１、積層干渉層１
１上には超解像再生膜４が形成されており、この超解像
再生膜は隣接する高屈折率層よりも低い屈折率の材料か
ら形成されている。超解像再生膜上には相変化材料から
なる記録層９、光学マッチング層１０および反射膜５が
順次積層されている。

【００５５】上述したように、本発明の光記録媒体によ
れば、所定の閾値を超える光照射によって消衰係数が大
きくなる超解像再生膜を用い、光強度の強い領域を光学
開口として利用できるために、光利用効率の高い光記録
媒体が得られる。

【００５６】なお、超解像再膜を用いた光記録媒体の再
生技術について説明したが、本発明の光記録媒体は、同
様の技術で光スポットよりも小さな記録領域を形成する
ことも可能である。

【００５７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００５８】実施例１本実施例の層構成は、ＰＣ（ポリカーボネイト）基板／
積層干渉層／超解像再生膜／反射膜を順次積層したもの
である。積層干渉層は、ＰＣ基板側から低屈折率層、高
屈折率層の順で順次６層積層した構造である。

【００５９】ＰＣ基板にトラック別に０．２μｍ〜０．
６μｍの長さ、幅０．３ｕｍ、間隔が長さと同じピット
列がそれぞれ形成されている。再生波長は４１３ｎｍで
ある。低屈折率層及び高屈折率層の屈折率はそれぞれ
１．５，２．４であり、膜厚は光学膜厚がλ／４に相当
する膜厚、低屈折率層６８．８ｎｍ、高屈折率層４３．
０ｎｍである。超解像再生膜の屈折率は２．３、初期の
消衰係数は０．０５である。

【００６０】超解像再生膜の膜厚は、再生光が照射され
ていない初期状態において反射率が最小となるように７
３．５ｎｍとしてある。この超解像再生膜は、再生光が
照射されると消衰係数が０．３に変化する。反射膜には
ＡｌＴｉを用い、その膜厚は５０ｎｍである。

【００６１】また、比較例として、積層干渉層がない以
外は、実施例１と同様の構成のディスクを作製した。

【００６２】実施例１および比較例のディスクをＫｒ⁺
ガスレーザーを光源とした再生評価機でＣＮＲのピット
長依存性を測定した。但し、再生評価機の再生波長４１
３ｎｍ、再生パワー１ｍＷである。その結果を図７に示
した。

【００６３】図７からわかるように、ピット長が０．４
μｍ以上と長い場合は、超解像再生膜が無い比較例の方
がＣＮＲが大きいが、ピット長が０．４μｍよりも短く
なると急激にＣＮＲが減少する。これは十分な超解像効
果が得られていないためである。

【００６４】これに対し、本実施例のディスクはピット
長が０．２μｍと短くなっても高いＣＮＲを維持してい
る。以上のことから、多層誘電体が超解像再生膜の特性
向上に効果があることが確認できた。

【００６５】実施例２本実施例の層構成はＰＣ基板／積層干渉層／低屈折率層
／超解像再生膜／マッチング層／反射膜である。積層干
渉層は、ＰＣ基板側から低屈折率層、高屈折率層の順
で、順次４層積層された構造である。ＰＣ基板には０．
２μｍ〜０．６μｍの長さ、幅０．３ｕｍ、間隔が長さ
と同じピット列がそれぞれ形成されている。再生波長は
４１３ｎｍである。低屈折率層及び高屈折率層の屈折率
はそれぞれ１．５、２．４であり、膜厚は光学膜厚がλ
／４に相当する膜厚、低屈折率層６８．６ｎｍ、高屈折
率層４３．０ｎｍである。超解像再生膜の屈折率は２．
３、初期の消衰係数は０．０５であり、その膜厚は光挙
膜厚がλ／４に相当する膜厚、４４．９ｎｍである。こ
の超解像再生膜は再生光が照射されると消衰係数は０．
３に変化する。

【００６６】マッチング層にはＡｌＮを用いた。ＡｌＮ
の屈折率は１．８である。マッチング層の膜厚は、再生
光が照射されていない初期状態において反射率が最小と
なるように１００ｎｍとしてある。反射膜にはＡｌＴｉ
を用い、その膜厚は５０ｎｍである。

【００６７】実施例1と同様の測定を行い、実施例１と
略同様の効果を確認した。

【００６８】実施例３本実施例の層構成は実施例１と同様の層構成である。但
し、超解像再生膜の屈折率が２．２５、初期の消衰係数
が０．０５である。

【００６９】この超解像再生膜は再生光の照射により、
屈折率が２．３消衰係数が０．２５に変化する。実施例
１と同様の測定を行い、略同様の効果を確認した。

【００７０】実施例４本実施例の層構成はＰＣ基板／積層干渉層／超解像再生
膜／マッチング層／記録層／干渉層／反射膜である。積
層干渉層はＰＣ基板側から低屈折率層、高屈折率層の順
で順次６層積層した積層構造である。

【００７１】すなわち、記録層がＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、２
０ｎｍ、干渉層がＺｎＳ−ＳｉＯ₂、４０ｎｍであるこ
と以外は、実施例１と同様の構成である。

【００７２】また、比較例として積層干渉層の無いディ
スクを作製した。

【００７３】記録・再生波長４１３ｎｍで、本実施例及
び比較例の光ディスクを用いて言己録再生特性を評価し
た。６ｍ／ｓ、記録パワーレベルを９ｍＷ、消去パワー
レベルを４ｍＷに設定し、オーバーライトモードでマー
ク長が０．３μｍの記録マークをマーク間隔を変化させ
ながら単一周波数で記録した。

【００７４】この際、熱干渉の影響を防ぐ目的で記録パ
ルスを分割する記録補償を適用した。

【００７５】上記のようにして記録した光ディスクにつ
いて再生を行った。再生パワー１ｍＷに設定したとき
に、マーク間隔の異なるトラックを再生した高密度記録
特性を評価した。この結果を図８に示す。

【００７６】比較例の光ディスクではマーク間隔が０．
３μｍ未満で符号間干渉の影響が強く、ＣＮＲが低下し
ている。また、隣接トラックからのクロストークも大き
いため、トラック上のマーク間隔が長い場合でもＣＮＲ
のレベルはそれほど高くならない。これに対して、本実
施例のディスクではマーク間隔が０．１５μｍでも高い
ＣＮＲで再生できる。また、クロストークの影響を全く
受けないため、０．１５μｍよりもマーク間隔が長いと
きのＣＮＲも比較例より高い。

【００７７】

【発明の効果】低屈折率層と高屈折率層を積層すること
で、光照射により消衰係数が増加するような超解像再生
膜を用いても、ＣＡＤの超解像再生方法を行なうことが
でき、狭マークピッチ及び狭トラックピッチの記録マー
クを高分解能で再生することができる。超解像膜に適応
できる材料を広げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例を示す断面図。

【図２】本発明の光記録媒体の照射光波長と反射率の
関係を示す図。

【図３】超解像再生膜の消衰係数が、初期の屈折率の
時と、所定の閾値を超え消衰係数が変化した時との反射
率差を示す図。

【図４】超解像再生技術を説明するための図。

【図５】積層干渉層の積層数の違いによる光記録媒体
の反射率差を示す図。

【図６】本発明の光記録媒体の変形例を示す図。

【図７】本発明の実施例の光記録媒体に辛けるＣＮＲ
のピット長依存性を示す図。

【図８】本発明の実施例の光記録媒体におけるＣＮＲ
のマーク間隔依存性を示す図。

【図９】超解像再生膜と反射膜のみ形成された光記録
媒体の超解像再生膜の消衰係数が変化したときの反射率
を示す図。

【図１０】図９の反射率変化量を示す図。

【図１１】積層干渉層のない光記録媒体における超解
像再生技術を説明するための図。

【符号の説明】

１・・・基板２・・・超解像再生膜３・・・停屈折率層４・・・高屈折率層５・・・反射膜１１・・・積層構成

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録層と、この記録層を介して照射光が照
射される反射層と、すくなくとも前記反射層の前記照射
光側に形成され、所定の閾値を超える量の光照射により
選択的に消衰係数が大きくなる超解像再生膜とを具備す
る光記録媒体であり、光記録媒体への照射光スポット内で、前記閾値を超える
領域と、前記閾値以下の領域とで、光記録媒体の反射率
が異なる光記録媒体において、前記反射層に対して少なくとも照射光側に形成され、前
記照射光の入射光および、前記反射層による反射光を多
重反射・多重干渉させる、高屈折率層および低屈折率層
を有する積層干渉層を具備することを特徴とする光記録
媒体。
【請求項２】前記積層干渉層は、高屈折率層および低屈
折率層が順次積層された３層以上の積層体であることを
特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】前記超解像再生膜は、前記高屈折率層およ
び前記低屈折率層のうちの少なくとも１層に兼用したこ
とを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】前記照射光の波長をλとした時に、前記高
屈折率層および低屈折率層の膜厚が実質的にλ／４であ
ることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
【請求項５】前記反射層と前記積層干渉層との間に、前
記閾値を超える照射光に対する光記録媒体の反射率を実
質的に最大にする、あるいは前記閾値以下の照射光に対
する光記録媒体の反射率を実質的に最小にするように膜
厚制御された光学マッチング層を具備することを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。