JP2001188187A - マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法 - Google Patents
マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミラー部の回動に対するヒンジ部の強度を確
保してヒンジ部の破損を有効に抑制すると共に、製造工
程に多様性を持たせ、ヒンジ部を微細に且つ精密に成形
することを可能とし、更に短時間で簡便に製造すること
を可能にする。 【解決手段】 枠体１１及びミラー部１２のミラー基板
を構成する材料とは異なる、例えばＳｉＮX等の材料で
ヒンジ部１３を構成する。
保してヒンジ部の破損を有効に抑制すると共に、製造工
程に多様性を持たせ、ヒンジ部を微細に且つ精密に成形
することを可能とし、更に短時間で簡便に製造すること
を可能にする。 【解決手段】 枠体１１及びミラー部１２のミラー基板
を構成する材料とは異なる、例えばＳｉＮX等の材料で
ヒンジ部１３を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電力により微小
なミラー部を変位可能とするマイクロミラー装置及びこ
のマイクロミラー装置を用いた光ディスク装置並びにマ
イクロミラー装置の製造方法に関する。
なミラー部を変位可能とするマイクロミラー装置及びこ
のマイクロミラー装置を用いた光ディスク装置並びにマ
イクロミラー装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気機械の分野においては、半導
体製造プロセス等における技術を応用して、種々の機械
要素の小型化を実現するＭＥＭＳ（Micro Electro Meca
nicalSyStem）と呼ばれる技術開発が盛んに行われてい
る。このようなＭＥＭＳ技術により、光を反射する機械
要素としてのミラーの小型化を図ったものがマイクロミ
ラー装置と呼ばれている。
体製造プロセス等における技術を応用して、種々の機械
要素の小型化を実現するＭＥＭＳ（Micro Electro Meca
nicalSyStem）と呼ばれる技術開発が盛んに行われてい
る。このようなＭＥＭＳ技術により、光を反射する機械
要素としてのミラーの小型化を図ったものがマイクロミ
ラー装置と呼ばれている。
【０００３】マイクロミラー装置は、枠体と、反射面を
有するミラー部とを備え、これらが少なくとも１つのヒ
ンジ部を介して連結されてなる。ミラー部には、例えば
Ａｌ膜等の電極として機能する部分が設けられている。
また、このミラー部の電極として機能する部分とエアギ
ャップを介して対向する位置には、一対のＡｌ膜等の電
極が設けられている。
有するミラー部とを備え、これらが少なくとも１つのヒ
ンジ部を介して連結されてなる。ミラー部には、例えば
Ａｌ膜等の電極として機能する部分が設けられている。
また、このミラー部の電極として機能する部分とエアギ
ャップを介して対向する位置には、一対のＡｌ膜等の電
極が設けられている。
【０００４】このマイクロミラー装置は、一対のＡｌ膜
等の電極に異なる符号の電圧を交互に印加して、これら
一対の電極とミラー部に設けられた電極として機能する
部分との間に相互に逆向きの静電力を発生させることに
より、ヒンジ部を軸としてミラー部を回動させ、ミラー
部を選択的な方向に傾斜させるようになされている。
等の電極に異なる符号の電圧を交互に印加して、これら
一対の電極とミラー部に設けられた電極として機能する
部分との間に相互に逆向きの静電力を発生させることに
より、ヒンジ部を軸としてミラー部を回動させ、ミラー
部を選択的な方向に傾斜させるようになされている。
【０００５】以上のようなマイクロミラー装置として
は、例えば特開平７−２８７１７７号公報にて開示され
るように、ミラー部とヒンジ部とがそれぞれ基板上に成
膜されたＡｌ合金膜等の金属膜により形成されたものが
提供されている。すなわち、このマイクロミラー装置に
おいては、基板上に成膜された金属膜の表面がミラー部
のミラー面として機能するようになされ、このミラー部
と同様の金属膜でヒンジ部が形成されている。
は、例えば特開平７−２８７１７７号公報にて開示され
るように、ミラー部とヒンジ部とがそれぞれ基板上に成
膜されたＡｌ合金膜等の金属膜により形成されたものが
提供されている。すなわち、このマイクロミラー装置に
おいては、基板上に成膜された金属膜の表面がミラー部
のミラー面として機能するようになされ、このミラー部
と同様の金属膜でヒンジ部が形成されている。
【０００６】このような構造のマイクロミラー装置にお
いては、ミラー部とヒンジ部とが同じ金属材料から形成
されるので、製造が容易となるといった優位性がある。
しかしながら、マイクロミラー装置は、上述したよう
に、ヒンジ部を軸としてミラー部が回動することにより
ミラー部を選択的な方向に傾斜させるようになされてい
るので、ヒンジ部に金属材料を用いた場合、ミラー部の
回動が繰り返されたときに、ヒンジ部がいわゆる金属疲
労を生じて破損してしまう可能性がある。
いては、ミラー部とヒンジ部とが同じ金属材料から形成
されるので、製造が容易となるといった優位性がある。
しかしながら、マイクロミラー装置は、上述したよう
に、ヒンジ部を軸としてミラー部が回動することにより
ミラー部を選択的な方向に傾斜させるようになされてい
るので、ヒンジ部に金属材料を用いた場合、ミラー部の
回動が繰り返されたときに、ヒンジ部がいわゆる金属疲
労を生じて破損してしまう可能性がある。
【０００７】このような不都合を回避することが可能な
マイクロミラー装置として、ミラー部の母体となるミラ
ー基板とヒンジ部とが、枠体を構成するＳｉ基板材料に
作り込まれてなり、ミラー基板上に金属膜が成膜されて
ミラー面とされているマイクロミラー装置が提案されて
いる（Tecnical Digest of The 16th Sensor Symposiu
m,1998.pp.167-170参照）。すなわち、このマイクロミ
ラー装置においては、単一のＳｉ基板材料に対してウェ
ットエッチング法により微細加工が施されることによ
り、ミラー基板とヒンジ部とが枠体と一体に形成されて
いる。そして、このマイクロミラー装置においては、静
電力によりミラー部を変位可能にするために、Ｓｉより
なるミラー基板に高ドーピング層が形成されている。
マイクロミラー装置として、ミラー部の母体となるミラ
ー基板とヒンジ部とが、枠体を構成するＳｉ基板材料に
作り込まれてなり、ミラー基板上に金属膜が成膜されて
ミラー面とされているマイクロミラー装置が提案されて
いる（Tecnical Digest of The 16th Sensor Symposiu
m,1998.pp.167-170参照）。すなわち、このマイクロミ
ラー装置においては、単一のＳｉ基板材料に対してウェ
ットエッチング法により微細加工が施されることによ
り、ミラー基板とヒンジ部とが枠体と一体に形成されて
いる。そして、このマイクロミラー装置においては、静
電力によりミラー部を変位可能にするために、Ｓｉより
なるミラー基板に高ドーピング層が形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ミラー基板とヒンジ部
とが枠体を構成するＳｉ基板材料に作り込まれてなる構
造のマイクロミラー装置においては、ヒンジ部に金属材
料を用いたものに比べて、ミラー部の回動に対するヒン
ジ部の強度が確保され、ヒンジ部の破損が抑制される。
とが枠体を構成するＳｉ基板材料に作り込まれてなる構
造のマイクロミラー装置においては、ヒンジ部に金属材
料を用いたものに比べて、ミラー部の回動に対するヒン
ジ部の強度が確保され、ヒンジ部の破損が抑制される。
【０００９】しかしながら、このような構造のマイクロ
ミラー装置では、上述したように、枠体を構成するＳｉ
基板材料からヒンジ部が形成されているので、Ｓｉ基板
材料の厚みでヒンジ部の形状が制約されてしまうという
問題がある。また、ウェットエッチング法による微細加
工には多大な時間を要するので、このようなウェットエ
ッチングにより枠体やミラー基板、ヒンジ部が成形され
る構造のマイクロミラー装置は、生産効率が悪く製造コ
ストの上昇を招く傾向にある。
ミラー装置では、上述したように、枠体を構成するＳｉ
基板材料からヒンジ部が形成されているので、Ｓｉ基板
材料の厚みでヒンジ部の形状が制約されてしまうという
問題がある。また、ウェットエッチング法による微細加
工には多大な時間を要するので、このようなウェットエ
ッチングにより枠体やミラー基板、ヒンジ部が成形され
る構造のマイクロミラー装置は、生産効率が悪く製造コ
ストの上昇を招く傾向にある。
【００１０】更に、このマイクロミラー装置では、単一
のＳｉ基板材料に対してウェットエッチング法により微
細加工が施されることによりヒンジ部が形成されている
ので、ヒンジ部を更に微細化し、且つ精密に成形するこ
とが困難である。すなわち、ウェットエッチングにより
ヒンジ部を成形しようとした場合、ウェットエッチング
の微細加工に対する限界から、所望の微細寸法のヒンジ
部を精密に成形できない場合がある。
のＳｉ基板材料に対してウェットエッチング法により微
細加工が施されることによりヒンジ部が形成されている
ので、ヒンジ部を更に微細化し、且つ精密に成形するこ
とが困難である。すなわち、ウェットエッチングにより
ヒンジ部を成形しようとした場合、ウェットエッチング
の微細加工に対する限界から、所望の微細寸法のヒンジ
部を精密に成形できない場合がある。
【００１１】特に、近年、マイクロミラー装置を光ディ
スク装置における微動アクチュエータとして用いる技術
が提案されており、このような光ディスク装置の微動ア
クチュエータとして好適なマイクロミラー装置を考えた
場合、ヒンジ部に対しては更なる微細化が要求されるも
のと思われる。また、マイクロミラー装置は、上述した
ように、ヒンジ部を軸としてミラー部が捻れ振動するこ
とによりミラー部が変位するようになされている。した
がって、ミラー部の正確な動作はヒンジ部の形状に大き
く依存し、マイクロミラー装置を微動アクチュエータと
して正確に動作させるためには、ヒンジ部を所望の形状
に精密に成形する必要がある。
スク装置における微動アクチュエータとして用いる技術
が提案されており、このような光ディスク装置の微動ア
クチュエータとして好適なマイクロミラー装置を考えた
場合、ヒンジ部に対しては更なる微細化が要求されるも
のと思われる。また、マイクロミラー装置は、上述した
ように、ヒンジ部を軸としてミラー部が捻れ振動するこ
とによりミラー部が変位するようになされている。した
がって、ミラー部の正確な動作はヒンジ部の形状に大き
く依存し、マイクロミラー装置を微動アクチュエータと
して正確に動作させるためには、ヒンジ部を所望の形状
に精密に成形する必要がある。
【００１２】このような事情から、マイクロミラー装置
としては、ヒンジ部の更なる微細化と精密な成形が可能
で、光ディスク装置の微動アクチュエータとして好適な
新規な構造のものが望まれている。
としては、ヒンジ部の更なる微細化と精密な成形が可能
で、光ディスク装置の微動アクチュエータとして好適な
新規な構造のものが望まれている。
【００１３】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであり、ミラー部の回動に対するヒンジ部の
強度を確保してヒンジ部の破損を有効に抑制すると共
に、ヒンジ部を微細に且つ精密に成形することを可能と
し、更に短時間で簡便に製造することが可能な構造のマ
イクロミラー装置、及びこのマイクロミラー装置を用い
た光ディスク装置、並びにマイクロミラー装置の製造方
法を提供することを目的とする。
されたものであり、ミラー部の回動に対するヒンジ部の
強度を確保してヒンジ部の破損を有効に抑制すると共
に、ヒンジ部を微細に且つ精密に成形することを可能と
し、更に短時間で簡便に製造することが可能な構造のマ
イクロミラー装置、及びこのマイクロミラー装置を用い
た光ディスク装置、並びにマイクロミラー装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロミ
ラー装置は、単一基板材料から作製された枠体とミラー
基板とを備え、ミラー基板上にミラー面が形成されてな
るミラー部がヒンジ部を介して枠体に連結されることに
より、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてな
るマイクロミラー装置である。そして、このマイクロミ
ラー装置は、ヒンジ部が枠体及びミラー基板と異なる材
料よりなることを特徴としている。
ラー装置は、単一基板材料から作製された枠体とミラー
基板とを備え、ミラー基板上にミラー面が形成されてな
るミラー部がヒンジ部を介して枠体に連結されることに
より、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてな
るマイクロミラー装置である。そして、このマイクロミ
ラー装置は、ヒンジ部が枠体及びミラー基板と異なる材
料よりなることを特徴としている。
【００１５】具体的には、本発明に係るマイクロミラー
装置においては、枠体及びミラー基板は、例えば、単一
のＳｉ基板材料等が微細成形されてなる。そして、ヒン
ジ部は、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、或いはこ
れらの材料と金属材料との複合材料よりなる。
装置においては、枠体及びミラー基板は、例えば、単一
のＳｉ基板材料等が微細成形されてなる。そして、ヒン
ジ部は、例えば、ＳｉＮX、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、或いはこ
れらの材料と金属材料との複合材料よりなる。
【００１６】このマイクロミラー装置においては、ヒン
ジ部が枠体及びミラー基板となる基板材料とは異なる材
料よりなるので、ヒンジ部の形状が枠体及びミラー基板
となる基板材料の厚みに制約されることはない。したが
って、このような構造のマイクロミラー装置では、ヒン
ジ部の形状を比較的自由に設定することが可能である。
ジ部が枠体及びミラー基板となる基板材料とは異なる材
料よりなるので、ヒンジ部の形状が枠体及びミラー基板
となる基板材料の厚みに制約されることはない。したが
って、このような構造のマイクロミラー装置では、ヒン
ジ部の形状を比較的自由に設定することが可能である。
【００１７】また、このマイクロミラー装置は、ヒンジ
部の材料として以上のような材料が用いられることによ
り、ヒンジ部に金属材料を用いた場合に比べて、ミラー
部の回動に対するヒンジ部の強度が確保され、ヒンジ部
の破損が有効に抑制されることになる。
部の材料として以上のような材料が用いられることによ
り、ヒンジ部に金属材料を用いた場合に比べて、ミラー
部の回動に対するヒンジ部の強度が確保され、ヒンジ部
の破損が有効に抑制されることになる。
【００１８】また、このマイクロミラー装置では、単一
基板材料に対してドライエッチング法による微細加工を
施すことにより、枠体とミラー基板とを所定の形状に成
形することが可能であるので、単一基板材料に対してウ
ェットエッチング法による微細加工が施されることによ
り枠体とミラー基板及びヒンジ部が形成される構造のマ
イクロミラー装置に比べて、短時間で効率よく製造する
ことが可能である。
基板材料に対してドライエッチング法による微細加工を
施すことにより、枠体とミラー基板とを所定の形状に成
形することが可能であるので、単一基板材料に対してウ
ェットエッチング法による微細加工が施されることによ
り枠体とミラー基板及びヒンジ部が形成される構造のマ
イクロミラー装置に比べて、短時間で効率よく製造する
ことが可能である。
【００１９】また、このマイクロミラー装置では、単一
の基板材料に対してウェットエッチング法により微細加
工が施されることによりヒンジ部が形成される構造のマ
イクロミラー装置に比べて、微細なヒンジ部を精密に成
形することが可能である。
の基板材料に対してウェットエッチング法により微細加
工が施されることによりヒンジ部が形成される構造のマ
イクロミラー装置に比べて、微細なヒンジ部を精密に成
形することが可能である。
【００２０】本発明に係る光ディスク装置は、光源から
出射された光を光ディスクに照射してこの光ディスクに
対する情報の記録及び／又は再生を行う光ディスク装置
である。この光ディスク装置は、光源から出射された光
を反射して光ディスクに照射させるマイクロミラー装置
を備えている。この光ディスク装置において、マイクロ
ミラー装置は、単一基板材料から作製された枠体とミラ
ー基板とを備え、このミラー基板上にミラー面が形成さ
れてなるミラー部が、枠体及びミラー基板と異なる材料
よりなるヒンジ部を介して枠体に連結されることによ
り、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてな
る。そして、このマイクロミラー装置は、ミラー部が変
位することにより光ディスクに照射される光の位置を変
化させるようになされている。
出射された光を光ディスクに照射してこの光ディスクに
対する情報の記録及び／又は再生を行う光ディスク装置
である。この光ディスク装置は、光源から出射された光
を反射して光ディスクに照射させるマイクロミラー装置
を備えている。この光ディスク装置において、マイクロ
ミラー装置は、単一基板材料から作製された枠体とミラ
ー基板とを備え、このミラー基板上にミラー面が形成さ
れてなるミラー部が、枠体及びミラー基板と異なる材料
よりなるヒンジ部を介して枠体に連結されることによ
り、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてな
る。そして、このマイクロミラー装置は、ミラー部が変
位することにより光ディスクに照射される光の位置を変
化させるようになされている。
【００２１】すなわち、この光ディスク装置は、上述し
た本発明に係るマイクロミラー装置を備えた光ディスク
装置であって、本発明に係るマイクロミラー装置によ
り、光源から出射された光を反射して光ディスクに照射
させるようにしたものである。
た本発明に係るマイクロミラー装置を備えた光ディスク
装置であって、本発明に係るマイクロミラー装置によ
り、光源から出射された光を反射して光ディスクに照射
させるようにしたものである。
【００２２】したがって、この光ディスク装置において
は、マイクロミラー装置のミラー部の変位を正確に制御
することにより、光ディスクに照射される光の位置を所
望の位置に適切に導くことが可能である。
は、マイクロミラー装置のミラー部の変位を正確に制御
することにより、光ディスクに照射される光の位置を所
望の位置に適切に導くことが可能である。
【００２３】本発明に係るマイクロミラーの製造方法
は、単一基板材料から作製された枠体とミラー基板とを
備え、このミラー基板上にミラー面が形成されてなるミ
ラー部がヒンジ部を介して枠体に連結されることによ
り、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてなる
マイクロミラー装置の製造方法である。そして、このマ
イクロミラー装置の製造方法は、枠体及びミラー基板と
なる基板材料の一方の主面側にヒンジ部となる材料を成
膜する第１の工程と、基板材料の他方の主面上にミラー
面を形成する第２の工程と、ミラー面が形成された基板
材料の他方の主面上にレジスト層を形成し、このレジス
ト層をマスクとしてドライエッチングを行うことにより
枠体とミラー基板とを分離する第３の工程とを有するこ
とを特徴としている。
は、単一基板材料から作製された枠体とミラー基板とを
備え、このミラー基板上にミラー面が形成されてなるミ
ラー部がヒンジ部を介して枠体に連結されることによ
り、ミラー部が枠体に対して変位可能に支持されてなる
マイクロミラー装置の製造方法である。そして、このマ
イクロミラー装置の製造方法は、枠体及びミラー基板と
なる基板材料の一方の主面側にヒンジ部となる材料を成
膜する第１の工程と、基板材料の他方の主面上にミラー
面を形成する第２の工程と、ミラー面が形成された基板
材料の他方の主面上にレジスト層を形成し、このレジス
ト層をマスクとしてドライエッチングを行うことにより
枠体とミラー基板とを分離する第３の工程とを有するこ
とを特徴としている。
【００２４】なお、このマイクロミラー装置の製造方法
においては、第１の工程において、基板材料の一方の主
面側に成膜されるヒンジ部となる材料として基板材料と
エッチングに対する選択比の異なる材料を用い、第３の
工程において、ヒンジ部となる材料をエッチングストッ
パとしてドライエッチングを行うか、或いは、第１の工
程において、基板材料の一方の主面側に基板材料とエッ
チングに対する選択比の異なる材料を介してヒンジ部と
なる材料を成膜し、第３の工程において、基板材料とエ
ッチングに対する選択比の異なる材料をエッチングスト
ッパとしてドライエッチングを行うことが望ましい。
においては、第１の工程において、基板材料の一方の主
面側に成膜されるヒンジ部となる材料として基板材料と
エッチングに対する選択比の異なる材料を用い、第３の
工程において、ヒンジ部となる材料をエッチングストッ
パとしてドライエッチングを行うか、或いは、第１の工
程において、基板材料の一方の主面側に基板材料とエッ
チングに対する選択比の異なる材料を介してヒンジ部と
なる材料を成膜し、第３の工程において、基板材料とエ
ッチングに対する選択比の異なる材料をエッチングスト
ッパとしてドライエッチングを行うことが望ましい。
【００２５】また、このマイクロミラー装置の製造方法
においては、第１の工程において、ヒンジ部となる材料
をプラズマＣＶＤ法で成膜することが望ましい。
においては、第１の工程において、ヒンジ部となる材料
をプラズマＣＶＤ法で成膜することが望ましい。
【００２６】また、このマイクロミラー装置の製造方法
委おいては、第３の工程において、エッチングガスとし
てＳＦ6ガスとＣＦ4系ガスとを交互に供給してドライエ
ッチングを行うことが望ましい。
委おいては、第３の工程において、エッチングガスとし
てＳＦ6ガスとＣＦ4系ガスとを交互に供給してドライエ
ッチングを行うことが望ましい。
【００２７】このマイクロミラー装置の製造方法によれ
ば、枠体及びミラー基板となる基板材料の厚みに制約さ
れることなくヒンジ部の形状を比較的自由に設定できる
と共に、微細な形状のヒンジ部を精密に成形することが
可能である。
ば、枠体及びミラー基板となる基板材料の厚みに制約さ
れることなくヒンジ部の形状を比較的自由に設定できる
と共に、微細な形状のヒンジ部を精密に成形することが
可能である。
【００２８】また、このマイクロミラー装置の製造方法
によれば、マイクロミラー装置を比較的短時間で効率よ
く製造することが可能である。
によれば、マイクロミラー装置を比較的短時間で効率よ
く製造することが可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００３０】本発明を適用したマイクロミラー装置の一
例を図１乃至図３に示す。このマイクロミラー装置１
は、互いに陽極接合法等により接合される第１の部分１
０と第２の部分２０とを備えている。
例を図１乃至図３に示す。このマイクロミラー装置１
は、互いに陽極接合法等により接合される第１の部分１
０と第２の部分２０とを備えている。
【００３１】第１の部分１０は、Ｓｉ基板材料がドライ
エッチングにより中央部分が開放されたリング状に成形
されてなる枠体１１と、この枠体１１の開放された中央
部分に配設されたミラー部１２と、これら枠体１１とミ
ラー部１２とを連結するヒンジ部１３とを備える。
エッチングにより中央部分が開放されたリング状に成形
されてなる枠体１１と、この枠体１１の開放された中央
部分に配設されたミラー部１２と、これら枠体１１とミ
ラー部１２とを連結するヒンジ部１３とを備える。
【００３２】ミラー部１２は、枠体１１と同様にＳｉ基
板材料がドライエッチングにより所定の形状に成形され
てなるミラー基板１４を有している。すなわち、このミ
ラー基板１４と枠体１１とは共に単一のＳｉ基板材料か
らなるものであり、このＳｉ基板材料に対してドライエ
ッチングが施され、このドライエッチングにより分離さ
れたＳｉ基板材料の中央部分がミラー基板１４とされ、
外周部分が枠体１１とされている。
板材料がドライエッチングにより所定の形状に成形され
てなるミラー基板１４を有している。すなわち、このミ
ラー基板１４と枠体１１とは共に単一のＳｉ基板材料か
らなるものであり、このＳｉ基板材料に対してドライエ
ッチングが施され、このドライエッチングにより分離さ
れたＳｉ基板材料の中央部分がミラー基板１４とされ、
外周部分が枠体１１とされている。
【００３３】ミラー基板１４には、第２の部分２０に対
向する一方の主面側に電極層１５が設けられている。こ
の電極層１５は、例えば、ミラー基板１４の一方の主面
側に形成されたＡｌ層等よりなる。すなわち、この電極
層１５は、ミラー基板１４となるＳｉ基板材料の一方の
主面側に凹部が形成され、この凹部内にＡｌ膜等の金属
膜が形成されてなる。
向する一方の主面側に電極層１５が設けられている。こ
の電極層１５は、例えば、ミラー基板１４の一方の主面
側に形成されたＡｌ層等よりなる。すなわち、この電極
層１５は、ミラー基板１４となるＳｉ基板材料の一方の
主面側に凹部が形成され、この凹部内にＡｌ膜等の金属
膜が形成されてなる。
【００３４】マイクロミラー装置１においては、枠体１
１にその厚み方向に貫通するコンタクトホール１６が設
けられており、このコンタクトホール１６を介してミラ
ー基板１４の一方の主面側に設けられた電極層１５に電
圧を印加することができるようになされている。
１にその厚み方向に貫通するコンタクトホール１６が設
けられており、このコンタクトホール１６を介してミラ
ー基板１４の一方の主面側に設けられた電極層１５に電
圧を印加することができるようになされている。
【００３５】また、ミラー基板１４の他方の主面上に
は、例えばＣｒ／Ａｕ膜等が成膜されており、その表面
が、光を反射するミラー面１７とされている。すなわ
ち、マイクロミラー装置１においては、枠体１１と同じ
材料からなるミラー基板１４と、このミラー基板１４の
一方の主面上に設けられた電極層１５と、ミラー基板１
４の他方の主面上に形成されたミラー面１７とにより、
ミラー部１２が構成されている。
は、例えばＣｒ／Ａｕ膜等が成膜されており、その表面
が、光を反射するミラー面１７とされている。すなわ
ち、マイクロミラー装置１においては、枠体１１と同じ
材料からなるミラー基板１４と、このミラー基板１４の
一方の主面上に設けられた電極層１５と、ミラー基板１
４の他方の主面上に形成されたミラー面１７とにより、
ミラー部１２が構成されている。
【００３６】ミラー部１２の電極層１５となるＡｌ膜等
の金属膜は、その一部がミラー基板１４から外側に突出
して枠体１１に至るように形成されている。また、この
ミラー部１２の電極層１５となる金属膜上には、更にＳ
ｉＮX膜が形成されている。そして、マイクロミラー装
置１においては、この金属膜とＳｉＮX膜との積層膜の
ミラー部１２から突出した部分が、枠体１１とミラー部
１２とを連結するヒンジ部１３とされている。
の金属膜は、その一部がミラー基板１４から外側に突出
して枠体１１に至るように形成されている。また、この
ミラー部１２の電極層１５となる金属膜上には、更にＳ
ｉＮX膜が形成されている。そして、マイクロミラー装
置１においては、この金属膜とＳｉＮX膜との積層膜の
ミラー部１２から突出した部分が、枠体１１とミラー部
１２とを連結するヒンジ部１３とされている。
【００３７】すなわち、ヒンジ部１３は、ミラー部１２
から突出して形成された金属膜とＳｉＮX膜との積層膜
よりなり、その一端部が枠体１１に接合され他端部がミ
ラー部１２に接合されて、枠体１１とミラー１２とを連
結するようになされている。
から突出して形成された金属膜とＳｉＮX膜との積層膜
よりなり、その一端部が枠体１１に接合され他端部がミ
ラー部１２に接合されて、枠体１１とミラー１２とを連
結するようになされている。
【００３８】なお、ヒンジ部１４の材料としては、Ｓｉ
ＮX膜の代わりに、ＳｉＯ2膜やＳｉＣ膜等を用いるよう
にしてもよい。また、ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、ＳｉＣ膜と
金属膜との積層膜ではなく、ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｃ膜等の単層膜によりヒンジ部１４が構成されていても
よい。この場合、電極層１５となる金属膜は、ミラー基
板１４に対応した形状に形成されることになる。但し、
ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、ＳｉＣ膜と金属膜との積層膜によ
りヒンジ部１３を構成した場合は、ＳｉＮX膜やＳｉ
Ｏ2、ＳｉＣ膜等の単層膜によりヒンジ部１４を構成し
た場合に比べて、ヒンジ部１３の強度の向上を図ること
が可能である。
ＮX膜の代わりに、ＳｉＯ2膜やＳｉＣ膜等を用いるよう
にしてもよい。また、ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、ＳｉＣ膜と
金属膜との積層膜ではなく、ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｃ膜等の単層膜によりヒンジ部１４が構成されていても
よい。この場合、電極層１５となる金属膜は、ミラー基
板１４に対応した形状に形成されることになる。但し、
ＳｉＮX膜やＳｉＯ2、ＳｉＣ膜と金属膜との積層膜によ
りヒンジ部１３を構成した場合は、ＳｉＮX膜やＳｉ
Ｏ2、ＳｉＣ膜等の単層膜によりヒンジ部１４を構成し
た場合に比べて、ヒンジ部１３の強度の向上を図ること
が可能である。
【００３９】第２の部分２０は、ガラスが板状に成形さ
れてなるガラス基板２１を備えている。このガラス基板
２１の第１の部分１０と対向する主面上には、第１の部
分１０のミラー部１２に対応した形状の電極形成用凹部
２２が設けられている。そして、この電極形成用凹部２
２内には、ミラー部１２の電極層１５と対向する一対の
対向電極２３ａ，２３ｂが形成されている。これら一対
の対向電極２３ａ，２３ｂは、それぞれ電極形成用凹部
２２内に成膜されたＡｌ膜等よりなる。
れてなるガラス基板２１を備えている。このガラス基板
２１の第１の部分１０と対向する主面上には、第１の部
分１０のミラー部１２に対応した形状の電極形成用凹部
２２が設けられている。そして、この電極形成用凹部２
２内には、ミラー部１２の電極層１５と対向する一対の
対向電極２３ａ，２３ｂが形成されている。これら一対
の対向電極２３ａ，２３ｂは、それぞれ電極形成用凹部
２２内に成膜されたＡｌ膜等よりなる。
【００４０】また、ガラス基板２１の第１の部分１０と
対向する主面上には、電極形成用凹部２２に連通するパ
ッド形成用凹部２４ａ，２４ｂが設けられており、この
パッド形成用凹部２４ａ，２４ｂ内に、一対の対向電極
２３ａ，２３ｂと各々電気的に接続された引き出しパッ
ド２５ａ，２５ｂが形成されている。
対向する主面上には、電極形成用凹部２２に連通するパ
ッド形成用凹部２４ａ，２４ｂが設けられており、この
パッド形成用凹部２４ａ，２４ｂ内に、一対の対向電極
２３ａ，２３ｂと各々電気的に接続された引き出しパッ
ド２５ａ，２５ｂが形成されている。
【００４１】マイクロミラー装置１においては、枠体１
１の引き出しパッド２５ａ，２５ｂに対応する位置に、
厚み方向に貫通するコンタクトホール１８，１９が設け
られており、このコンタクトホール１８，１９を介し
て、引き出しパッド２５ａ，２５ｂ及びこれに接続され
た一対の対向電極２３ａ，２３ｂに電圧を印加すること
ができるようになされている。
１の引き出しパッド２５ａ，２５ｂに対応する位置に、
厚み方向に貫通するコンタクトホール１８，１９が設け
られており、このコンタクトホール１８，１９を介し
て、引き出しパッド２５ａ，２５ｂ及びこれに接続され
た一対の対向電極２３ａ，２３ｂに電圧を印加すること
ができるようになされている。
【００４２】以上のように構成されるマイクロミラー装
置１においては、一対の対向電極２３ａ，２３ｂに異な
る符号の電圧を印加すると、これら一対の対向電極２３
ａ，２３ｂとミラー部１２の電極層１５との間に相互に
逆向きの静電力が発生する。これにより、ミラー部１２
がヒンジ部１２を軸として回動し、ミラー部１２のミラ
ー面１７が所定の方向に傾斜することになる。そして、
このミラー面１７の傾斜は、一対の対向電極２３ａ，２
３ｂに印加する電圧値を制御することにより制御可能で
ある。
置１においては、一対の対向電極２３ａ，２３ｂに異な
る符号の電圧を印加すると、これら一対の対向電極２３
ａ，２３ｂとミラー部１２の電極層１５との間に相互に
逆向きの静電力が発生する。これにより、ミラー部１２
がヒンジ部１２を軸として回動し、ミラー部１２のミラ
ー面１７が所定の方向に傾斜することになる。そして、
このミラー面１７の傾斜は、一対の対向電極２３ａ，２
３ｂに印加する電圧値を制御することにより制御可能で
ある。
【００４３】このように、マイクロミラー装置１は、ミ
ラー面１７を選択的に傾斜させることができるので、例
えば、光ディスク装置の微動アクチュエータとして用い
ることが可能である。このマイクロミラー装置１を微動
アクチュエータとして備えた光ディスク装置の一例を図
４及び図５に示す。
ラー面１７を選択的に傾斜させることができるので、例
えば、光ディスク装置の微動アクチュエータとして用い
ることが可能である。このマイクロミラー装置１を微動
アクチュエータとして備えた光ディスク装置の一例を図
４及び図５に示す。
【００４４】この光ディスク装置１００は、ハードディ
スクドライブの技術を光ディスク装置に応用したもので
あり、アーム１０１の先端に取り付けられたヘッドスラ
イダ１０２を光ディスク１０３上に浮上させて、光ディ
スク１０３に対する信号の記録及び／又は再生を行うよ
うに構成されている。そして、この光ディスク装置１０
０は、ヘッドスライダ１０２上に上記マイクロミラー装
置１が搭載されており、光スイッチングモジュール１０
４から光ファイバ１０５を介してヘッドスライダ１０２
に導かれたレーザ光を、このマイクロミラー装置１のミ
ラー面１７により反射させ、対物レンズ１０６を介して
光ディスク１０３の信号記録面上に照射させるようにな
されている。
スクドライブの技術を光ディスク装置に応用したもので
あり、アーム１０１の先端に取り付けられたヘッドスラ
イダ１０２を光ディスク１０３上に浮上させて、光ディ
スク１０３に対する信号の記録及び／又は再生を行うよ
うに構成されている。そして、この光ディスク装置１０
０は、ヘッドスライダ１０２上に上記マイクロミラー装
置１が搭載されており、光スイッチングモジュール１０
４から光ファイバ１０５を介してヘッドスライダ１０２
に導かれたレーザ光を、このマイクロミラー装置１のミ
ラー面１７により反射させ、対物レンズ１０６を介して
光ディスク１０３の信号記録面上に照射させるようにな
されている。
【００４５】この光ディスク装置１００においては、マ
イクロミラー装置１のミラー面１７の傾斜を制御するこ
とで、対物レンズ１０６を介して光ディスク１０３の信
号記録面上に照射されるレーザ光のスポットの位置を操
作してサーボを行うことができる。すなわち、この光デ
ィスク装置１００においては、アーム１０１を揺動させ
る粗動アクチュエータと、マイクロミラー装置１による
微動アクチュエータとにより二段アクチュエータが構成
され、この二段アクチュエータにより正確なサーボを行
うことができるようになされている。
イクロミラー装置１のミラー面１７の傾斜を制御するこ
とで、対物レンズ１０６を介して光ディスク１０３の信
号記録面上に照射されるレーザ光のスポットの位置を操
作してサーボを行うことができる。すなわち、この光デ
ィスク装置１００においては、アーム１０１を揺動させ
る粗動アクチュエータと、マイクロミラー装置１による
微動アクチュエータとにより二段アクチュエータが構成
され、この二段アクチュエータにより正確なサーボを行
うことができるようになされている。
【００４６】特に、本発明を適用したマイクロミラー装
置１においては、上述したように、ヒンジ部１３が、枠
体１１やミラー基板１４とは異なる材料からなるので、
後述する当該マイクロミラー装置１の製造工程に多様性
をもたせることができ、例えば、ヒンジ部１３を、ウェ
ットエッチング法によらずにドライエッチング法により
形成することが可能となる。したがって、このマイクロ
ミラー装置１においては、ヒンジ部１３を微細寸法で精
密に形成されたものとすることができ、光ディスクの微
動アクチュエータとして優れた性能を発揮することがで
きる。
置１においては、上述したように、ヒンジ部１３が、枠
体１１やミラー基板１４とは異なる材料からなるので、
後述する当該マイクロミラー装置１の製造工程に多様性
をもたせることができ、例えば、ヒンジ部１３を、ウェ
ットエッチング法によらずにドライエッチング法により
形成することが可能となる。したがって、このマイクロ
ミラー装置１においては、ヒンジ部１３を微細寸法で精
密に形成されたものとすることができ、光ディスクの微
動アクチュエータとして優れた性能を発揮することがで
きる。
【００４７】また、上述したマイクロミラー装置１にお
いては、枠体１１及びミラー基板１４の材料としては、
厚板の基板材として化学的安定性に富み、優れた平面度
を有するＳｉ基板材料が用いられ、ヒンジ部１３の材料
としては、厚膜で用いることは困難であるが機械的強度
及び化学的安定性に優れるＳｉＮX膜等が用いられてい
るので、それぞれの材料の長所が有効に活かされ、ミラ
ー部１２の変位に対するヒンジ部１３の強度を確保する
ことができると共に、装置全体を簡便且つ適切に製造す
ることが可能となる。
いては、枠体１１及びミラー基板１４の材料としては、
厚板の基板材として化学的安定性に富み、優れた平面度
を有するＳｉ基板材料が用いられ、ヒンジ部１３の材料
としては、厚膜で用いることは困難であるが機械的強度
及び化学的安定性に優れるＳｉＮX膜等が用いられてい
るので、それぞれの材料の長所が有効に活かされ、ミラ
ー部１２の変位に対するヒンジ部１３の強度を確保する
ことができると共に、装置全体を簡便且つ適切に製造す
ることが可能となる。
【００４８】ここで、以上のように構成されるマイクロ
ミラー装置１を製造する工程について説明する。尚、こ
こで説明する工程は、マイクロミラー装置１を製造する
工程の一例であり、例えば、マイクロミラー装置１を構
成する各部の寸法や材質、その作製方法等は、必要に応
じて適宜変更可能である。
ミラー装置１を製造する工程について説明する。尚、こ
こで説明する工程は、マイクロミラー装置１を製造する
工程の一例であり、例えば、マイクロミラー装置１を構
成する各部の寸法や材質、その作製方法等は、必要に応
じて適宜変更可能である。
【００４９】マイクロミラー装置１を製造する際は、先
ず、図６に示すように、例えば、縦横寸法がそれぞれ約
１ｍｍ、厚みが約２００μｍのＳｉ基板材料３０が準備
される。このＳｉ基板材料３０としては、両主面が精度
よく研磨され、厚みが正確に制御されたものが用いられ
る。
ず、図６に示すように、例えば、縦横寸法がそれぞれ約
１ｍｍ、厚みが約２００μｍのＳｉ基板材料３０が準備
される。このＳｉ基板材料３０としては、両主面が精度
よく研磨され、厚みが正確に制御されたものが用いられ
る。
【００５０】そして、図７に示すように、このＳｉ基板
材料３０の一方の主面３０ａ側に、マスクを用いたドラ
イエッチング等の手法により凹部３１が形成される。こ
の凹部３１は、最終的にマイクロミラー装置１が完成し
たときに、ミラー部１２とヒンジ部１３とを合わせた形
状に形成される。
材料３０の一方の主面３０ａ側に、マスクを用いたドラ
イエッチング等の手法により凹部３１が形成される。こ
の凹部３１は、最終的にマイクロミラー装置１が完成し
たときに、ミラー部１２とヒンジ部１３とを合わせた形
状に形成される。
【００５１】次に、図８に示すように、Ｓｉ基板材料３
０に形成された凹部３１内に、最終的にマイクロミラー
装置１が完成したときにミラー部１２の電極層１５及び
ヒンジ部１３となるＡｌ膜３２が、蒸着法等の手法によ
り、例えば２００ｎｍ程度の膜厚で成膜される。
０に形成された凹部３１内に、最終的にマイクロミラー
装置１が完成したときにミラー部１２の電極層１５及び
ヒンジ部１３となるＡｌ膜３２が、蒸着法等の手法によ
り、例えば２００ｎｍ程度の膜厚で成膜される。
【００５２】次に、図９に示すように、Ｓｉ基板材料３
０の凹部３１内に成膜されたＡｌ膜３２上に、最終的に
マイクロミラー装置１が完成したときにＡｌ膜３２と共
にヒンジ部１３を構成するＳｉＮX膜３３が、プラズマ
ＣＶＤ法（Plasma Enhanced Cemical Vapour Depositio
n）により、例えば１．０μｍ程度の膜厚で成膜され
る。
０の凹部３１内に成膜されたＡｌ膜３２上に、最終的に
マイクロミラー装置１が完成したときにＡｌ膜３２と共
にヒンジ部１３を構成するＳｉＮX膜３３が、プラズマ
ＣＶＤ法（Plasma Enhanced Cemical Vapour Depositio
n）により、例えば１．０μｍ程度の膜厚で成膜され
る。
【００５３】ここで、ＳｉＮX膜３３を、例えば減圧Ｃ
ＶＤ法等により高温で成膜すると、成膜されたＳｉＮX
膜３３の残留応力が大きくなりすぎて、ＳｉＮX膜３３
に反りが生じてしまう場合がある。このように、ＳｉＮ
X膜３３に反りが生じると、ヒンジ部１３としてミラー
部１２を適切に支持し、ミラー部１２を安定的に振動さ
せることが困難になる。したがって、ＳｉＮX膜３３の
成膜には、プラズマＣＶＤ法等の比較的低温で成膜でき
る手法を用いることが望ましい。
ＶＤ法等により高温で成膜すると、成膜されたＳｉＮX
膜３３の残留応力が大きくなりすぎて、ＳｉＮX膜３３
に反りが生じてしまう場合がある。このように、ＳｉＮ
X膜３３に反りが生じると、ヒンジ部１３としてミラー
部１２を適切に支持し、ミラー部１２を安定的に振動さ
せることが困難になる。したがって、ＳｉＮX膜３３の
成膜には、プラズマＣＶＤ法等の比較的低温で成膜でき
る手法を用いることが望ましい。
【００５４】次に、図１０に示すように、Ｓｉ基板材料
３０と同じ寸法、すなわち、縦横寸法がそれぞれ約１ｍ
ｍ、厚みが約２００μｍのガラス基板２１が準備され
る。
３０と同じ寸法、すなわち、縦横寸法がそれぞれ約１ｍ
ｍ、厚みが約２００μｍのガラス基板２１が準備され
る。
【００５５】そして、図１１に示すように、このガラス
板材２１の一方の主面２１ａ側に、ＨＦを用いたウェッ
トエッチング等の手法により、深さが約１０μｍの電極
形成用凹部２２と、パッド形成用凹部２４ａ，２４ｂと
が形成される。
板材２１の一方の主面２１ａ側に、ＨＦを用いたウェッ
トエッチング等の手法により、深さが約１０μｍの電極
形成用凹部２２と、パッド形成用凹部２４ａ，２４ｂと
が形成される。
【００５６】次に、図１２に示すように、ガラス板材２
１に形成された電極形成用凹部２２及びパッド形成用凹
部２４ａ，２４ｂ内に、一対の対向電極２３ａ，２３ｂ
及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂとなるＡｌ膜４０
が、蒸着法等の手法により、例えば２００ｎｍ程度の膜
厚で成膜される。
１に形成された電極形成用凹部２２及びパッド形成用凹
部２４ａ，２４ｂ内に、一対の対向電極２３ａ，２３ｂ
及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂとなるＡｌ膜４０
が、蒸着法等の手法により、例えば２００ｎｍ程度の膜
厚で成膜される。
【００５７】次に、図１３に示すように、このＡｌ膜４
０が反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion E
tching）等の手法により所定の形状にパターニングされ
ることにより、一対の対向電極２３ａ，２３ｂ及び引き
出しパッド２４ａ，２４ｂが形成される。ここで、一対
の対向電極２３ａ，２３ｂは、それぞれ、例えば、縦寸
法が５００μｍ、横寸法が２３０μｍの長方形に形成さ
れる。
０が反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion E
tching）等の手法により所定の形状にパターニングされ
ることにより、一対の対向電極２３ａ，２３ｂ及び引き
出しパッド２４ａ，２４ｂが形成される。ここで、一対
の対向電極２３ａ，２３ｂは、それぞれ、例えば、縦寸
法が５００μｍ、横寸法が２３０μｍの長方形に形成さ
れる。
【００５８】次に、図１４に示すように、一対の対向電
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂが
形成された図１３に示すガラス基板２１と、Ａｌ膜３２
及びＳｉＮX膜３３が成膜された図９に示すＳｉ基板材
料３０とが、それぞれの主面２１ａ，３０ａを突き合わ
せ面として突き合わされ、陽極接合法等の手法により接
合される。
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂが
形成された図１３に示すガラス基板２１と、Ａｌ膜３２
及びＳｉＮX膜３３が成膜された図９に示すＳｉ基板材
料３０とが、それぞれの主面２１ａ，３０ａを突き合わ
せ面として突き合わされ、陽極接合法等の手法により接
合される。
【００５９】次に、図１５に示すように、ガラス基板２
１に接合されたＳｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上
に、最終的にマイクロミラー装置１が完成したときにミ
ラー部１２のミラー面１７となるＣｒ／Ａｕ膜３４が、
蒸着法等の手法により、例えばそれぞれ１０ｎｍ／１０
０ｎｍ程度の膜厚で成膜される。ここで、Ｃｒ膜は、Ａ
ｕ膜のＳｉ基板材料３０に対する密着性を高めるための
ものであり、Ａｕ膜の表面が実質的にミラー面１７とし
て機能する。
１に接合されたＳｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上
に、最終的にマイクロミラー装置１が完成したときにミ
ラー部１２のミラー面１７となるＣｒ／Ａｕ膜３４が、
蒸着法等の手法により、例えばそれぞれ１０ｎｍ／１０
０ｎｍ程度の膜厚で成膜される。ここで、Ｃｒ膜は、Ａ
ｕ膜のＳｉ基板材料３０に対する密着性を高めるための
ものであり、Ａｕ膜の表面が実質的にミラー面１７とし
て機能する。
【００６０】次に、図１６に示すように、Ｓｉ基板材料
３０の他方の主面３０ｂ上に成膜されたＣｒ／Ａｕ膜３
４上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン
３５が形成される。このレジストパターン３５は、Ｃｒ
／Ａｕ膜３４をミラー部１２の形状に成形してミラー面
１７とするためのマスクとして用いられるものである。
３０の他方の主面３０ｂ上に成膜されたＣｒ／Ａｕ膜３
４上に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン
３５が形成される。このレジストパターン３５は、Ｃｒ
／Ａｕ膜３４をミラー部１２の形状に成形してミラー面
１７とするためのマスクとして用いられるものである。
【００６１】次に、このレジストパターン３５をマスク
として、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の手法に
よりＣｒ／Ａｕ膜３４がエッチングされ、図１７に示す
ように、Ｓｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上に、例
えば縦横寸法がそれぞれ約５００μｍのミラー面１７が
形成される。なお、このとき、エッチングガスとして
は、例えばＣ2Ｃｌ2Ｆ4ガス等が用いられる。
として、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の手法に
よりＣｒ／Ａｕ膜３４がエッチングされ、図１７に示す
ように、Ｓｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上に、例
えば縦横寸法がそれぞれ約５００μｍのミラー面１７が
形成される。なお、このとき、エッチングガスとして
は、例えばＣ2Ｃｌ2Ｆ4ガス等が用いられる。
【００６２】次に、図１８に示すように、ミラー面１７
が形成されたＳｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン３６
が形成される。このレジストパターン３６は、Ｓｉ基板
材料３０を枠体１１及びミラー基板１４の形状に成形
し、枠体１１とミラー基板１４とを分離するためのマス
クとして用いられるものである。
が形成されたＳｉ基板材料３０の他方の主面３０ｂ上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン３６
が形成される。このレジストパターン３６は、Ｓｉ基板
材料３０を枠体１１及びミラー基板１４の形状に成形
し、枠体１１とミラー基板１４とを分離するためのマス
クとして用いられるものである。
【００６３】次に、このレジストパターン３６をマスク
として、例えば、ボッシュプロセスと呼ばれる手法によ
りＳｉ基板材料３０がエッチングされ、枠体１１及びミ
ラー基板１４が成形される。
として、例えば、ボッシュプロセスと呼ばれる手法によ
りＳｉ基板材料３０がエッチングされ、枠体１１及びミ
ラー基板１４が成形される。
【００６４】ボッシュプロセスは、エッチングガスとし
て、ＳＦ6ガスとＣＦ4系ガスとを１０秒間隔程度で交互
に供給してドライエッチングを行う手法である。このボ
ッシュプロセスでは、ＳＦ6ガスが供給されたときにエ
ッチングが進行し、このエッチングされた部分の壁面
に、ＣＦ4系ガスが供給されたときに生成される反応生
成物を付着させるようになっており、エッチングされた
部分の壁面を反応生成物で固めながらエッチングを進め
るようにしている。したがって、このボッシュプロセス
によりＳｉ基板材料３０をドライエッチングするように
すれば、高アスペクト比のエッチングが可能であり、サ
イドエッチングが抑制されるので、Ｓｉ基板材料３０を
その厚み方向に略垂直にエッチングすることができる。
て、ＳＦ6ガスとＣＦ4系ガスとを１０秒間隔程度で交互
に供給してドライエッチングを行う手法である。このボ
ッシュプロセスでは、ＳＦ6ガスが供給されたときにエ
ッチングが進行し、このエッチングされた部分の壁面
に、ＣＦ4系ガスが供給されたときに生成される反応生
成物を付着させるようになっており、エッチングされた
部分の壁面を反応生成物で固めながらエッチングを進め
るようにしている。したがって、このボッシュプロセス
によりＳｉ基板材料３０をドライエッチングするように
すれば、高アスペクト比のエッチングが可能であり、サ
イドエッチングが抑制されるので、Ｓｉ基板材料３０を
その厚み方向に略垂直にエッチングすることができる。
【００６５】なお、この工程においては、Ｓｉ基板材料
３０は高速にエッチングされることになるが、このＳｉ
基板材料３０の一方の主面３０ｂ側に形成されたＡｌ膜
３２は殆どエッチングされない。したがって、Ｓｉ基板
材料３０がその厚み方向にエッチングされ、エッチング
された部分がＡｌ膜３２にまで到達すると、このエッチ
ング工程は終了することになる。すなわち、この工程で
は、Ａｌ膜３２をエッチングストッパとして機能させて
いる。
３０は高速にエッチングされることになるが、このＳｉ
基板材料３０の一方の主面３０ｂ側に形成されたＡｌ膜
３２は殆どエッチングされない。したがって、Ｓｉ基板
材料３０がその厚み方向にエッチングされ、エッチング
された部分がＡｌ膜３２にまで到達すると、このエッチ
ング工程は終了することになる。すなわち、この工程で
は、Ａｌ膜３２をエッチングストッパとして機能させて
いる。
【００６６】以上のように、Ａｌ膜３２をエッチングス
トッパとして、Ｓｉ基板材料３０に対してボッシュプロ
セス等によるドライエッチングを行うことにより、図１
９に示すように、枠体１１及びミラー基板１４が互いに
分離した形状に成形され、マイクロミラー装置１が完成
する。ここで、枠体１１及びミラー基板１４が分離され
たときに、Ａｌ膜３２及びＳｉＮX膜３３の外部に露呈
する部分が、枠体１１及びミラー基板１４を連結するヒ
ンジ部１３とされる。このヒンジ部１３は、例えば、長
さが約５０μｍ、幅が約２０μｍ、厚みが約１．２μｍ
となるように形成される。また、Ａｌ膜３２のミラー基
板１４の主面上に位置する部分が電極層１５とされ、こ
の電極層１５とミラー基板１４とミラー面１７とにより
ミラー部１２が構成される。なお、ミラー基板１４は、
縦横寸法がそれぞれ約５００μｍで、厚みが約２０μｍ
となるように形成される。
トッパとして、Ｓｉ基板材料３０に対してボッシュプロ
セス等によるドライエッチングを行うことにより、図１
９に示すように、枠体１１及びミラー基板１４が互いに
分離した形状に成形され、マイクロミラー装置１が完成
する。ここで、枠体１１及びミラー基板１４が分離され
たときに、Ａｌ膜３２及びＳｉＮX膜３３の外部に露呈
する部分が、枠体１１及びミラー基板１４を連結するヒ
ンジ部１３とされる。このヒンジ部１３は、例えば、長
さが約５０μｍ、幅が約２０μｍ、厚みが約１．２μｍ
となるように形成される。また、Ａｌ膜３２のミラー基
板１４の主面上に位置する部分が電極層１５とされ、こ
の電極層１５とミラー基板１４とミラー面１７とにより
ミラー部１２が構成される。なお、ミラー基板１４は、
縦横寸法がそれぞれ約５００μｍで、厚みが約２０μｍ
となるように形成される。
【００６７】以上のような工程を経てマイクロミラー装
置１を製造することにより、以下のような利点が得られ
た。
置１を製造することにより、以下のような利点が得られ
た。
【００６８】まず、枠体１１及びミラー基板１４の材料
として、両主面が精度よく研磨されたＳｉ基板材料３０
が用いられるので、枠体１１の厚みやミラー基板１４の
厚みが所望の値に正確に制御されることになる。また、
Ｓｉ基板材料３０は、化学的安定性や加工性に優れてい
るので、枠体１１やミラー基板１４の成形等が非常に容
易である。更に、このようなＳｉ基板材料３０は、比較
的安価に入手することが可能である。
として、両主面が精度よく研磨されたＳｉ基板材料３０
が用いられるので、枠体１１の厚みやミラー基板１４の
厚みが所望の値に正確に制御されることになる。また、
Ｓｉ基板材料３０は、化学的安定性や加工性に優れてい
るので、枠体１１やミラー基板１４の成形等が非常に容
易である。更に、このようなＳｉ基板材料３０は、比較
的安価に入手することが可能である。
【００６９】また、ヒンジ部１３の材料として、機械的
強度がＳｉよりも優れ、化学的安定性にも優れるＳｉＮ
X等が用いられるので、ミラー部１２の変位に対するヒ
ンジ部１３の強度を確保させることができる。このＳｉ
ＮXはＳｉのように単結晶の板材にすることが困難な材
料であるので、Ｓｉ基板材料３０と組み合わせて用いる
ことが有効である。上述した工程においては、Ｓｉ基板
材料３０とＳｉＮX膜等を組み合わせて用い、Ｓｉ基板
材料３０から枠体１１とミラー基板１４とを形成し、Ｓ
ｉＮX膜等からヒンジ部１３を形成するといったよう
に、それぞれの材料を使い分けるようにしているので、
それぞれの材料の長所を活かし、優れた性能のマイクロ
ミラー装置１を製造することが可能となる。
強度がＳｉよりも優れ、化学的安定性にも優れるＳｉＮ
X等が用いられるので、ミラー部１２の変位に対するヒ
ンジ部１３の強度を確保させることができる。このＳｉ
ＮXはＳｉのように単結晶の板材にすることが困難な材
料であるので、Ｓｉ基板材料３０と組み合わせて用いる
ことが有効である。上述した工程においては、Ｓｉ基板
材料３０とＳｉＮX膜等を組み合わせて用い、Ｓｉ基板
材料３０から枠体１１とミラー基板１４とを形成し、Ｓ
ｉＮX膜等からヒンジ部１３を形成するといったよう
に、それぞれの材料を使い分けるようにしているので、
それぞれの材料の長所を活かし、優れた性能のマイクロ
ミラー装置１を製造することが可能となる。
【００７０】また、以上のように、異なる材料を組み合
わせて用いることにより、製造工程に多様性を持たせる
ことが可能となり、例えば、ヒンジ部１３の形成や枠体
１１とミラー基板１４との分離を、ウェットエッチング
によらずに、ドライエッチングにより行うことが可能と
なる。したがって、この製造方法によれば、ヒンジ部１
３を微細な寸法で且つ精度よく形成することが可能とな
ると共に、ウェットエッチングにより各部を成形する場
合に比べて、マイクロミラー装置１を短時間で効率よく
製造することが可能となる。
わせて用いることにより、製造工程に多様性を持たせる
ことが可能となり、例えば、ヒンジ部１３の形成や枠体
１１とミラー基板１４との分離を、ウェットエッチング
によらずに、ドライエッチングにより行うことが可能と
なる。したがって、この製造方法によれば、ヒンジ部１
３を微細な寸法で且つ精度よく形成することが可能とな
ると共に、ウェットエッチングにより各部を成形する場
合に比べて、マイクロミラー装置１を短時間で効率よく
製造することが可能となる。
【００７１】更に、この製造方法によれば、枠体１１及
びミラー基板１４となるＳｉ基板材料３０の厚み等に制
約されることなくヒンジ部１３を形成することができる
ので、ヒンジ部１３を比較的自由な形状に成形すること
が可能である。
びミラー基板１４となるＳｉ基板材料３０の厚み等に制
約されることなくヒンジ部１３を形成することができる
ので、ヒンジ部１３を比較的自由な形状に成形すること
が可能である。
【００７２】ところで、以上は、ヒンジ部１３にＳｉＮ
X膜等やこれらと金属膜との積層膜を用いたマイクロミ
ラー装置１について説明したが、ヒンジ部１３にリン
（Ｐ）がドーピングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用い
たマイクロミラー装置も、上述したマイクロミラー装置
１の製造工程とほぼ同様の工程により製造することがで
きる。ヒンジ部１３にリン（Ｐ）がドーピングされたｎ
型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いたマイクロミラー装置は、ヒ
ンジ部１３となるｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が、上述したマ
イクロミラー装置１におけるミラー部１２の電極層１５
としても機能するので、電極層１５となるＡｌ膜等の金
属膜を形成する必要がない。但し、上述したマイクロミ
ラー装置１の製造工程では、電極層１５となるＡｌ膜等
の金属膜をエッチングストッパとして用いるようにして
いたので、これに変えて、例えばＳｉＯ2膜等をエッチ
ングストッパとして形成する必要がある。
X膜等やこれらと金属膜との積層膜を用いたマイクロミ
ラー装置１について説明したが、ヒンジ部１３にリン
（Ｐ）がドーピングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用い
たマイクロミラー装置も、上述したマイクロミラー装置
１の製造工程とほぼ同様の工程により製造することがで
きる。ヒンジ部１３にリン（Ｐ）がドーピングされたｎ
型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いたマイクロミラー装置は、ヒ
ンジ部１３となるｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が、上述したマ
イクロミラー装置１におけるミラー部１２の電極層１５
としても機能するので、電極層１５となるＡｌ膜等の金
属膜を形成する必要がない。但し、上述したマイクロミ
ラー装置１の製造工程では、電極層１５となるＡｌ膜等
の金属膜をエッチングストッパとして用いるようにして
いたので、これに変えて、例えばＳｉＯ2膜等をエッチ
ングストッパとして形成する必要がある。
【００７３】以下、ヒンジ部１３にリン（Ｐ）がドーピ
ングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いたマイクロミラ
ー装置の製造工程について説明する。
ングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いたマイクロミラ
ー装置の製造工程について説明する。
【００７４】このマイクロミラー装置を製造する際は、
先ず、図２０に示すように、両主面が精度よく研磨さ
れ、厚みが正確に制御されたＳｉ基板材料５０が準備さ
れる。
先ず、図２０に示すように、両主面が精度よく研磨さ
れ、厚みが正確に制御されたＳｉ基板材料５０が準備さ
れる。
【００７５】そして、図２１に示すように、このＳｉ基
板材料５０の一方の主面５０ａ側に、マスクを用いたド
ライエッチング等の手法により凹部５１が形成される。
この凹部５１は、最終的にマイクロミラー装置が完成し
たときに、ミラー部１２に対応した形状となるように形
成される。
板材料５０の一方の主面５０ａ側に、マスクを用いたド
ライエッチング等の手法により凹部５１が形成される。
この凹部５１は、最終的にマイクロミラー装置が完成し
たときに、ミラー部１２に対応した形状となるように形
成される。
【００７６】次に、図２２に示すように、Ｓｉ基板材料
５０に形成された凹部５１内に、後述する工程において
Ｓｉ基板材料５０に対してドライエッチングを行う際
に、エッチングストッパとして用いられるＳｉＯ2膜５
２が、蒸着法等の手法により、例えば１００ｎｍ程度の
膜厚で成膜される。
５０に形成された凹部５１内に、後述する工程において
Ｓｉ基板材料５０に対してドライエッチングを行う際
に、エッチングストッパとして用いられるＳｉＯ2膜５
２が、蒸着法等の手法により、例えば１００ｎｍ程度の
膜厚で成膜される。
【００７７】次に、図２３に示すように、ＳｉＯ2膜５
２が成膜されたＳｉ基板材料５０上に、最終的にマイク
ロミラー装置１が完成したときにヒンジ部１３を構成す
るリン（Ｐ）がドーピングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
（以下、ドーピングＳｉ膜５３という。）が、プラズマ
ＣＶＤ法により、例えば０．５μｍ程度の膜厚で成膜さ
れ、このドーピングＳｉ膜５３に対して活性化処理が施
される。
２が成膜されたＳｉ基板材料５０上に、最終的にマイク
ロミラー装置１が完成したときにヒンジ部１３を構成す
るリン（Ｐ）がドーピングされたｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
（以下、ドーピングＳｉ膜５３という。）が、プラズマ
ＣＶＤ法により、例えば０．５μｍ程度の膜厚で成膜さ
れ、このドーピングＳｉ膜５３に対して活性化処理が施
される。
【００７８】次に、上述したマイクロミラー装置１の製
造工程と同じ工程を経て、ガラス基板２１に、一対の対
向電極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４
ｂが形成される。なお、ガラス基板２１に一対の対向電
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂを
形成する工程は、上述したマイクロミラー装置１の製造
工程と変わるところがないので、詳細な説明及び図示を
省略する。
造工程と同じ工程を経て、ガラス基板２１に、一対の対
向電極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４
ｂが形成される。なお、ガラス基板２１に一対の対向電
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂを
形成する工程は、上述したマイクロミラー装置１の製造
工程と変わるところがないので、詳細な説明及び図示を
省略する。
【００７９】次に、図２４に示すように、一対の対向電
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂが
形成されたガラス基板２１と、ＳｉＯ2膜５２及びドー
ピングＳｉ膜５３が成膜されたＳｉ基板材料５０とが、
それぞれの主面２１ａ，５０ａを突き合わせ面として突
き合わされ、陽極接合法等の手法により接合される。
極２３ａ，２３ｂ及び引き出しパッド２４ａ，２４ｂが
形成されたガラス基板２１と、ＳｉＯ2膜５２及びドー
ピングＳｉ膜５３が成膜されたＳｉ基板材料５０とが、
それぞれの主面２１ａ，５０ａを突き合わせ面として突
き合わされ、陽極接合法等の手法により接合される。
【００８０】次に、図２５に示すように、ガラス基板２
１に接合されたＳｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上
に、最終的にマイクロミラー装置１が完成したときにミ
ラー部１２のミラー面１７となるＡｌ膜５４が、蒸着法
等の手法により、例えば２００ｎｍ程度の膜厚で成膜さ
れる。
１に接合されたＳｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上
に、最終的にマイクロミラー装置１が完成したときにミ
ラー部１２のミラー面１７となるＡｌ膜５４が、蒸着法
等の手法により、例えば２００ｎｍ程度の膜厚で成膜さ
れる。
【００８１】次に、図２６に示すように、Ｓｉ基板材料
５０の他方の主面５０ｂ上に成膜されたＡｌ膜５４上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン５５
が形成される。このレジストパターン５５は、Ａｌ膜５
４をミラー部１２の形状に成形してミラー面１７とする
ためのマスクとして用いられるものである。
５０の他方の主面５０ｂ上に成膜されたＡｌ膜５４上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン５５
が形成される。このレジストパターン５５は、Ａｌ膜５
４をミラー部１２の形状に成形してミラー面１７とする
ためのマスクとして用いられるものである。
【００８２】次に、このレジストパターン５５をマスク
として、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の手法に
よりＡｌ膜５４がエッチングされ、図２７に示すよう
に、Ｓｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上に、例えば
縦横寸法がそれぞれ約５００μｍのミラー面１７が形成
される。なお、このとき、エッチングガスとしては、例
えばＢＣｌ3ガス等が用いられる。
として、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の手法に
よりＡｌ膜５４がエッチングされ、図２７に示すよう
に、Ｓｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上に、例えば
縦横寸法がそれぞれ約５００μｍのミラー面１７が形成
される。なお、このとき、エッチングガスとしては、例
えばＢＣｌ3ガス等が用いられる。
【００８３】次に、図２８に示すように、ミラー面１７
が形成されたＳｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン５６
が形成される。このレジストパターン５６は、Ｓｉ基板
材料５０を枠体１１及びミラー基板１４の形状に成形
し、枠体１１とミラー基板１４とを分離するためのマス
クとして用いられるものである。
が形成されたＳｉ基板材料５０の他方の主面５０ｂ上
に、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン５６
が形成される。このレジストパターン５６は、Ｓｉ基板
材料５０を枠体１１及びミラー基板１４の形状に成形
し、枠体１１とミラー基板１４とを分離するためのマス
クとして用いられるものである。
【００８４】次に、このレジストパターン５６をマスク
として、例えば、ボッシュプロセスと呼ばれる手法によ
りＳｉ基板材料５０がエッチングされ、枠体１１及びミ
ラー基板１４が成形される。なお、この工程において
は、Ｓｉ基板材料５０は高速にエッチングされることに
なるが、このＳｉ基板材料５０の一方の主面５０ａ側に
形成されたＳｉＯ2膜５２は殆どエッチングされない。
したがって、Ｓｉ基板材料５０がその厚み方向にエッチ
ングされ、エッチングされた部分がＳｉＯ2膜５２にま
で到達すると、このエッチング工程は終了することにな
る。すなわち、この工程では、ＳｉＯ2膜５２をエッチ
ングストッパとして機能させている。
として、例えば、ボッシュプロセスと呼ばれる手法によ
りＳｉ基板材料５０がエッチングされ、枠体１１及びミ
ラー基板１４が成形される。なお、この工程において
は、Ｓｉ基板材料５０は高速にエッチングされることに
なるが、このＳｉ基板材料５０の一方の主面５０ａ側に
形成されたＳｉＯ2膜５２は殆どエッチングされない。
したがって、Ｓｉ基板材料５０がその厚み方向にエッチ
ングされ、エッチングされた部分がＳｉＯ2膜５２にま
で到達すると、このエッチング工程は終了することにな
る。すなわち、この工程では、ＳｉＯ2膜５２をエッチ
ングストッパとして機能させている。
【００８５】以上のように、ＳｉＯ2膜５２をエッチン
グストッパとして、Ｓｉ基板材料５０に対してボッシュ
プロセス等によるドライエッチングを行うことにより、
図２９に示すように、枠体１１及びミラー基板１４が互
いに分離した形状に成形される。 次に、枠体１１及び
ミラー基板１４が互いに分離した形状に成形されること
により外部に露呈したＳｉＯ2膜５２が、ＨＦを用いた
洗浄により除去され、更にレジスト層５６が除去され
る。これにより、図３０に示すように、ヒンジ部１３に
ドーピングＳｉ膜５３を用いたマイクロミラー装置が完
成する。
グストッパとして、Ｓｉ基板材料５０に対してボッシュ
プロセス等によるドライエッチングを行うことにより、
図２９に示すように、枠体１１及びミラー基板１４が互
いに分離した形状に成形される。 次に、枠体１１及び
ミラー基板１４が互いに分離した形状に成形されること
により外部に露呈したＳｉＯ2膜５２が、ＨＦを用いた
洗浄により除去され、更にレジスト層５６が除去され
る。これにより、図３０に示すように、ヒンジ部１３に
ドーピングＳｉ膜５３を用いたマイクロミラー装置が完
成する。
【００８６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、マイクロミラー装置のヒンジ部を枠体及びミラー
基板とは異なる材料から形成するようにしているので、
製造工程に多様性を持たせ、例えばウェットエッチング
によらずにドライエッチングによりヒンジ部を形成する
ことができる。したがって、微細寸法で且つ精度の良い
ヒンジ部が得られ、製造されたマイクロミラー装置は、
例えば、光ディスク装置における微動アクチュエータと
して優れた性能を発揮することができる。
れば、マイクロミラー装置のヒンジ部を枠体及びミラー
基板とは異なる材料から形成するようにしているので、
製造工程に多様性を持たせ、例えばウェットエッチング
によらずにドライエッチングによりヒンジ部を形成する
ことができる。したがって、微細寸法で且つ精度の良い
ヒンジ部が得られ、製造されたマイクロミラー装置は、
例えば、光ディスク装置における微動アクチュエータと
して優れた性能を発揮することができる。
【００８７】また、このマイクロミラー装置において
は、ヒンジ部に、例えばＳｉＮX等の機械的強度に優れ
た材料を用いるようにすれば、ミラー部の回動に対する
ヒンジ部の強度を確保して、ヒンジ部の破損を有効に抑
制することができる。
は、ヒンジ部に、例えばＳｉＮX等の機械的強度に優れ
た材料を用いるようにすれば、ミラー部の回動に対する
ヒンジ部の強度を確保して、ヒンジ部の破損を有効に抑
制することができる。
【００８８】また、本発明によれば、以上のような優れ
た性能を有するマイクロミラー装置を短時間で効率よく
製造できる。
た性能を有するマイクロミラー装置を短時間で効率よく
製造できる。
【図１】本発明に係るマイクロミラー装置の斜視図であ
る。
る。
【図２】上記マイクロミラー装置の縦断面図であり、図
１におけるＡ−Ａ線断面図である。
１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】上記マイクロミラー装置の第１の部分と第２の
部分とを分離した状態を示す斜視図である。
部分とを分離した状態を示す斜視図である。
【図４】上記マイクロミラー装置を搭載した光ディスク
装置を模式的に示す斜視図である。
装置を模式的に示す斜視図である。
【図５】上記光ディスク装置のヘッドスライダ近傍を拡
大して示す斜視図である。
大して示す斜視図である。
【図６】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明する
図であり、Ｓｉ基板材料の断面図である。
図であり、Ｓｉ基板材料の断面図である。
【図７】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明する
図であり、上記Ｓｉ基板材料に凹部を設けた状態を示す
断面図である。
図であり、上記Ｓｉ基板材料に凹部を設けた状態を示す
断面図である。
【図８】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明する
図であり、上記凹部内にＡｌ膜を成膜した状態を示す断
面図である。
図であり、上記凹部内にＡｌ膜を成膜した状態を示す断
面図である。
【図９】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明する
図であり、上記Ａｌ膜上にＳｉＮX膜を成膜した状態を
示す断面図である。
図であり、上記Ａｌ膜上にＳｉＮX膜を成膜した状態を
示す断面図である。
【図１０】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、ガラス基板の断面図である。
る図であり、ガラス基板の断面図である。
【図１１】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記ガラス基板に電極形成用凹部を設けた
状態を示す断面図である。
る図であり、上記ガラス基板に電極形成用凹部を設けた
状態を示す断面図である。
【図１２】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記電極形成用凹部内に対向電極となるＡ
ｌ膜を成膜した状態を示す断面図である。
る図であり、上記電極形成用凹部内に対向電極となるＡ
ｌ膜を成膜した状態を示す断面図である。
【図１３】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記Ａｌ膜をパターニングして一対の対向
電極を形成した状態を示す断面図である。
る図であり、上記Ａｌ膜をパターニングして一対の対向
電極を形成した状態を示す断面図である。
【図１４】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記Ｓｉ基板材料とガラス基板とを接合し
た状態を示す断面図である。
る図であり、上記Ｓｉ基板材料とガラス基板とを接合し
た状態を示す断面図である。
【図１５】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記Ｓｉ基板材料上にミラー面となるＣｒ
／Ａｕ膜を成膜した状態を示す断面図である。
る図であり、上記Ｓｉ基板材料上にミラー面となるＣｒ
／Ａｕ膜を成膜した状態を示す断面図である。
【図１６】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記Ｃｒ／Ａｕ膜上にレジストパターンを
形成した状態を示す断面図である。
る図であり、上記Ｃｒ／Ａｕ膜上にレジストパターンを
形成した状態を示す断面図である。
【図１７】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記レジストパターンをマスクとして上記
Ｃｒ／Ａｕ膜をドライエッチングしてミラー面を形成し
た状態を示す断面図である。
る図であり、上記レジストパターンをマスクとして上記
Ｃｒ／Ａｕ膜をドライエッチングしてミラー面を形成し
た状態を示す断面図である。
【図１８】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記ミラー面が形成されたＳｉ基板材料上
にレジストパターンを形成した状態を示す断面図であ
る。
る図であり、上記ミラー面が形成されたＳｉ基板材料上
にレジストパターンを形成した状態を示す断面図であ
る。
【図１９】上記マイクロミラー装置の製造工程を説明す
る図であり、上記レジストパターンをマスクとして上記
Ｓｉ基板材料をドライエッチングして、上記マイクロミ
ラー装置を完成させた状態を示す断面図である。
る図であり、上記レジストパターンをマスクとして上記
Ｓｉ基板材料をドライエッチングして、上記マイクロミ
ラー装置を完成させた状態を示す断面図である。
【図２０】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、Ｓｉ基板材料の断面図である。
であり、Ｓｉ基板材料の断面図である。
【図２１】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記Ｓｉ基板材料に凹部を形成した状態を示す
断面図である。
であり、上記Ｓｉ基板材料に凹部を形成した状態を示す
断面図である。
【図２２】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記凹部内にＳｉＯ2膜を成膜した状態を示す
断面図である。
であり、上記凹部内にＳｉＯ2膜を成膜した状態を示す
断面図である。
【図２３】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記ＳｉＯ2膜が成膜されたＳｉ基板材料上に
ドーピングＳｉ膜を成膜した状態を示す断面図である。
であり、上記ＳｉＯ2膜が成膜されたＳｉ基板材料上に
ドーピングＳｉ膜を成膜した状態を示す断面図である。
【図２４】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記Ｓｉ基板材料とガラス基板とを接合した状
態を示す断面図である。
であり、上記Ｓｉ基板材料とガラス基板とを接合した状
態を示す断面図である。
【図２５】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記Ｓｉ基板材料上にミラー面となるＡｌ膜を
成膜した状態を示す断面図である。
であり、上記Ｓｉ基板材料上にミラー面となるＡｌ膜を
成膜した状態を示す断面図である。
【図２６】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記Ａｌ膜上にレジストパターンを形成した状
態を示す断面図である。
であり、上記Ａｌ膜上にレジストパターンを形成した状
態を示す断面図である。
【図２７】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記レジストパターンをマスクとして上記Ａｌ
膜をドライエッチングしてミラー面を形成した状態を示
す断面図である。
であり、上記レジストパターンをマスクとして上記Ａｌ
膜をドライエッチングしてミラー面を形成した状態を示
す断面図である。
【図２８】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記ミラー面が形成されたＳｉ基板材料上にレ
ジストパターンを形成した状態を示す断面図である。
であり、上記ミラー面が形成されたＳｉ基板材料上にレ
ジストパターンを形成した状態を示す断面図である。
【図２９】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記レジストパターンをマスクとして上記Ｓｉ
基板材料をドライエッチングした状態を示す断面図であ
る。
であり、上記レジストパターンをマスクとして上記Ｓｉ
基板材料をドライエッチングした状態を示す断面図であ
る。
【図３０】他のマイクロミラー装置の製造工程を示す図
であり、上記Ｓｉ基板材料がドライエッチングされるこ
とにより外部に露呈したＳｉＯ2膜を除去して、他のマ
イクロミラー装置を完成させた状態を示す断面図であ
る。
であり、上記Ｓｉ基板材料がドライエッチングされるこ
とにより外部に露呈したＳｉＯ2膜を除去して、他のマ
イクロミラー装置を完成させた状態を示す断面図であ
る。
１ マイクロミラー装置、１１ 枠体、１２ ミラー
部、１３ ヒンジ部、１４ ミラー基板、１５ 電極
層、１７ ミラー面、２３ａ，２３ｂ 対向電極、３０
Ｓｉ基板材料、３３ ＳｉＮX膜、５０ Ｓｉ基板材
料、５３ ドーピングＳｉ膜、１００ 光ディスク装
置、１０２ ヘッドスライダ、１０３ 光ディスク
部、１３ ヒンジ部、１４ ミラー基板、１５ 電極
層、１７ ミラー面、２３ａ，２３ｂ 対向電極、３０
Ｓｉ基板材料、３３ ＳｉＮX膜、５０ Ｓｉ基板材
料、５３ ドーピングＳｉ膜、１００ 光ディスク装
置、１０２ ヘッドスライダ、１０３ 光ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井戸 浩登 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小島 直人 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 羽根 一博 宮城県仙台市青葉区中山９丁目21−５ Ｆターム(参考） 2H041 AA12 AB14 AC06 AZ02 AZ08 5D118 AA06 BA01 CA13 DC07 EA00 FA13 5D119 AA38 BA01 JA52 JC06 NA01
Claims (14)
- 【請求項１】 単一基板材料から作製された枠体とミラ
ー基板とを備え、上記ミラー基板上にミラー面が形成さ
れてなるミラー部がヒンジ部を介して上記枠体に連結さ
れることにより、上記ミラー部が上記枠体に対して変位
可能に支持されてなるマイクロミラー装置において、 上記ヒンジ部が上記枠体及びミラー基板と異なる材料よ
りなることを特徴とするマイクロミラー装置。 - 【請求項２】 上記ヒンジ部がＳｉＮXよりなることを
特徴とする請求項１記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項３】 上記ヒンジ部がＳｉＮX上に金属材料が
積層されてなる複合材料よりなることを特徴とする請求
項２記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項４】 上記ヒンジ部がＳｉＯ2よりなることを
特徴とする請求項１記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項５】 上記ヒンジ部がＳｉＯ2上に金属材料が
積層されてなる複合材料よりなることを特徴とする請求
項４記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項６】 上記ヒンジ部がＳｉＣよりなることを特
徴とする請求項１記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項７】 上記ヒンジ部がＳｉＣ上に金属材料が積
層されてなる複合材料よりなることを特徴とする請求項
６記載のマイクロミラー装置。 - 【請求項８】 光源から出射された光を光ディスクに照
射してこの光ディスクに対する情報の記録及び／又は再
生を行う光ディスク装置において、 上記光源から出射された光を反射して上記光ディスクに
照射させるマイクロミラー装置を備え、 上記マイクロミラー装置は、単一基板材料から作製され
た枠体とミラー基板とを備え、上記ミラー基板上にミラ
ー面が形成されてなるミラー部が、上記枠体及びミラー
基板と異なる材料よりなるヒンジ部を介して上記枠体に
連結されることにより、上記ミラー部が上記枠体に対し
て変位可能に支持されてなり、上記ミラー部が変位する
ことにより上記光ディスクに照射される光の位置を変化
させることを特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項９】 上記マイクロミラー装置は、上記光ディ
スク上を浮上する浮上スライダに設けられていることを
特徴とする請求項８記載の光ディスク装置。 - 【請求項１０】 単一基板材料から作製された枠体とミ
ラー基板とを備え、上記ミラー基板上にミラー面が形成
されてなるミラー部がヒンジ部を介して上記枠体に連結
されることにより、上記ミラー部が上記枠体に対して変
位可能に支持されてなるマイクロミラー装置の製造方法
であって、 上記枠体及びミラー基板となる基板材料の一方の主面側
に上記ヒンジ部となる材料を成膜する第１の工程と、 上記基板材料の他方の主面上に上記ミラー面を形成する
第２の工程と、 上記ミラー面が形成された基板材料の他方の主面上にレ
ジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとしてドラ
イエッチングを行うことにより上記枠体とミラー基板と
を分離する第３の工程とを有することを特徴とするマイ
クロミラー装置の製造方法。 - 【請求項１１】 上記第１の工程において、上記基板材
料の一方の主面側に成膜される上記ヒンジ部となる材料
として上記基板材料とエッチングに対する選択比の異な
る材料を用い、 上記第３の工程において、上記ヒンジ部となる材料をエ
ッチングストッパとして上記ドライエッチングを行うこ
とを特徴とする請求項１０記載のマイクロミラー装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 上記第１の工程において、上記基板材
料の一方の主面側に上記基板材料とエッチングに対する
選択比の異なる材料を介して上記ヒンジ部となる材料を
成膜し、 上記第３の工程において、上記基板材料とエッチングに
対する選択比の異なる材料をエッチングストッパとして
上記ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項１
０記載のマイクロミラー装置の製造方法。 - 【請求項１３】 上記第１の工程において、上記ヒンジ
部となる材料をプラズマＣＶＤ法で成膜することを特徴
とする請求項１０記載のマイクロミラー装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 上記第３の工程において、エッチング
ガスとしてＳＦ6ガスとＣＦ4系ガスとを交互に供給して
ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項１０記
載のマイクロミラー装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37533799A JP2001188187A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法 |
| US09/750,007 US6914871B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | Micro mirror unit, optical disc drive using same, and method for producing micro mirror unit |
| US11/114,868 US7215630B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-04-26 | Micro mirror unit, optical disc drive using same, and method for producing micro mirror unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37533799A JP2001188187A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001188187A true JP2001188187A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18505360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37533799A Pending JP2001188187A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6914871B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001188187A (ja) |
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| JP2005518657A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-06-23 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 外装コーテッドｍｅｍｓ素子 |
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| JP2007004881A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Funai Electric Co Ltd | ミラー角度制御システム |
| KR100691476B1 (ko) | 2005-01-06 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 마이크로미러 액튜에이터 |
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| US7538923B2 (en) | 2001-11-14 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
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| JP2003132567A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Funai Electric Co Ltd | 光ディスク装置 |
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| JP3987382B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2007-10-10 | 富士通株式会社 | マイクロミラー素子およびその製造方法 |
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-
1999
- 1999-12-28 JP JP37533799A patent/JP2001188187A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-27 US US09/750,007 patent/US6914871B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-26 US US11/114,868 patent/US7215630B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050195466A1 (en) | 2005-09-08 |
| US6914871B2 (en) | 2005-07-05 |
| US20010017726A1 (en) | 2001-08-30 |
| US7215630B2 (en) | 2007-05-08 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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