JP2001183844A - 露光方法 - Google Patents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査露光の回数を減らしてスループットの向
上をはかる。 【解決手段】 デバイスのサイズ及び基板１４のサイズ
によっては基板１４を基板ホルダー１５ａに対し横向き
に置く（基板の長辺を基板ホルダーの短辺に平行にして
置く）ことを許容する。このとき、基板１４の有効露光
領域外の領域が基板ホルダーからはみ出すようにして置
いても構わない。
上をはかる。 【解決手段】 デバイスのサイズ及び基板１４のサイズ
によっては基板１４を基板ホルダー１５ａに対し横向き
に置く（基板の長辺を基板ホルダーの短辺に平行にして
置く）ことを許容する。このとき、基板１４の有効露光
領域外の領域が基板ホルダーからはみ出すようにして置
いても構わない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法に関し、
特に液晶ディスプレイパネルやプラズマディスプレイパ
ネル等の製造工程において、平板状の基板にパターンを
露光する露光方法に関するものである。
特に液晶ディスプレイパネルやプラズマディスプレイパ
ネル等の製造工程において、平板状の基板にパターンを
露光する露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルやプラズマディ
スプレイパネルは、近年その表示品質が著しく向上し、
しかも薄くて軽量であることから画像表示装置としてＣ
ＲＴに代わり広く用いられるようになっている。特にア
クティブマトリックス方式の直視型液晶パネルでは大画
面化が進み、その製造に用いられるガラス基板も大型化
している。このような大型のガラス基板にディスプレイ
パネルの素子パターンを露光するための露光方法とし
て、パターンが形成されたフォトマスク又はレチクル
（以下、マスクという）とフォトレジスト等の感光材が
塗布されたガラス基板（以下、基板という）とを同期さ
せて走査露光する露光方法が知られている。
スプレイパネルは、近年その表示品質が著しく向上し、
しかも薄くて軽量であることから画像表示装置としてＣ
ＲＴに代わり広く用いられるようになっている。特にア
クティブマトリックス方式の直視型液晶パネルでは大画
面化が進み、その製造に用いられるガラス基板も大型化
している。このような大型のガラス基板にディスプレイ
パネルの素子パターンを露光するための露光方法とし
て、パターンが形成されたフォトマスク又はレチクル
（以下、マスクという）とフォトレジスト等の感光材が
塗布されたガラス基板（以下、基板という）とを同期さ
せて走査露光する露光方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】マスクのパターンを等
倍で基板に走査露光する場合について考える。マスクの
有効露光領域が４００ｍｍ×７００ｍｍ、基板のサイズ
が７２０ｍｍ×９００ｍｍ、この基板を保持する基板ホ
ルダーの寸法が８４３ｍｍ×８９０ｍｍであるとする。
マスクを保持して移動するマスクステージと基板ステー
ジ（基板を保持した基板ホルダ―）とを投影光学系に対
して同期移動する走査型露光装置を用いて、１７インチ
ＳＸＧＡの液晶ディスプレイパネルのパターンを基板に
露光するものとする。ここで、１７インチＳＸＧＡのパ
ネルは、画素領域周辺の回路パターンも含めて寸法が２
７９．７ｍｍ×３４７．２ｍｍであるとする。
倍で基板に走査露光する場合について考える。マスクの
有効露光領域が４００ｍｍ×７００ｍｍ、基板のサイズ
が７２０ｍｍ×９００ｍｍ、この基板を保持する基板ホ
ルダーの寸法が８４３ｍｍ×８９０ｍｍであるとする。
マスクを保持して移動するマスクステージと基板ステー
ジ（基板を保持した基板ホルダ―）とを投影光学系に対
して同期移動する走査型露光装置を用いて、１７インチ
ＳＸＧＡの液晶ディスプレイパネルのパターンを基板に
露光するものとする。ここで、１７インチＳＸＧＡのパ
ネルは、画素領域周辺の回路パターンも含めて寸法が２
７９．７ｍｍ×３４７．２ｍｍであるとする。
【０００４】なお、これらの寸法関係は図７，８に示し
てある。すなわち図７は矩形状の基板ホルダ―１５ａの
寸法を示す図であり、図８は基板ホルダ−１５ａ（図８
では基板ホルダ１５ａを基板２００と区別するために点
線で示してある）に保持された基板２００を示してい
る。図８に示してあるように、基板２００は基板の長手
方向と基板ホルダ―１５ａの長手方向とが一致するよう
に基板ホルダ−１５ａ上に保持されている。
てある。すなわち図７は矩形状の基板ホルダ―１５ａの
寸法を示す図であり、図８は基板ホルダ−１５ａ（図８
では基板ホルダ１５ａを基板２００と区別するために点
線で示してある）に保持された基板２００を示してい
る。図８に示してあるように、基板２００は基板の長手
方向と基板ホルダ―１５ａの長手方向とが一致するよう
に基板ホルダ−１５ａ上に保持されている。
【０００５】図９は、２７９．７ｍｍ×３４７．２ｍｍ
の回路パタ−ン１０１が２個形成されたマスク１００を
用いて前述の基板に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面
取りする様子を示している。なお、図９では基板ホルダ
―１５ａは省略している。１７インチＳＸＧＡの液晶デ
ィスプレイパネルのパターン露光に当たっては、図９に
示すように、１回目の走査露光（マスク１００と基板２
００とをＸ方向に同期移動させる）により基板２００に
矢印で示すように２つの回路パタ−ン１０１を基板２
００の露光領域２００ａ，２００ｂに露光する。
の回路パタ−ン１０１が２個形成されたマスク１００を
用いて前述の基板に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面
取りする様子を示している。なお、図９では基板ホルダ
―１５ａは省略している。１７インチＳＸＧＡの液晶デ
ィスプレイパネルのパターン露光に当たっては、図９に
示すように、１回目の走査露光（マスク１００と基板２
００とをＸ方向に同期移動させる）により基板２００に
矢印で示すように２つの回路パタ−ン１０１を基板２
００の露光領域２００ａ，２００ｂに露光する。
【０００６】マスク１００と基板２００とを再び露光開
始位置に移動して、２回目の走査露光により基板２００
に矢印で示すように１つの回路パタ−ン１０１を露光
領域２００ｃに露光する。これは基板２００の寸法が９
００ｍｍであるため２つの回路パタ−ン１０１を露光で
きないためである。基板２００をＹ方向にステップ移動
するとともに、マスク１００と基板２００とを再び露光
開始位置に移動して、３回目の走査露光により基板２０
０に矢印で示すように１つの回路パタ−ン１０１を露
光領域２００ｄに露光する。そして、４回目の走査露光
により基板２００に矢印で示すように２つの回路パタ
−ン１０１を露光領域２００ｅ，２００ｆに露光する。
始位置に移動して、２回目の走査露光により基板２００
に矢印で示すように１つの回路パタ−ン１０１を露光
領域２００ｃに露光する。これは基板２００の寸法が９
００ｍｍであるため２つの回路パタ−ン１０１を露光で
きないためである。基板２００をＹ方向にステップ移動
するとともに、マスク１００と基板２００とを再び露光
開始位置に移動して、３回目の走査露光により基板２０
０に矢印で示すように１つの回路パタ−ン１０１を露
光領域２００ｄに露光する。そして、４回目の走査露光
により基板２００に矢印で示すように２つの回路パタ
−ン１０１を露光領域２００ｅ，２００ｆに露光する。
【０００７】すなわち、従来の露光方法では、マスク１
００に２つの回路パタ−ン１０１を設けていても１つの
回路パタ−ン１０１しか露光できないときがあり、走査
露光の回数が増えスル−プットを上げることができなか
った。本発明は、このような走査露光の現状に鑑み、走
査露光の回数を減らしてスループットの向上をはかるこ
とのできる露光方法を提供することを目的とする。
００に２つの回路パタ−ン１０１を設けていても１つの
回路パタ−ン１０１しか露光できないときがあり、走査
露光の回数が増えスル−プットを上げることができなか
った。本発明は、このような走査露光の現状に鑑み、走
査露光の回数を減らしてスループットの向上をはかるこ
とのできる露光方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、デバ
イスのサイズ及び基板のサイズによっては基板を９０°
回して、基板ホルダーに対し横向きに置く（基板の長辺
を基板ホルダーの短辺に平行にして置く）ことを許容す
ることにより前記目的を達成する。走査方向に対し基板
を横向きに置いた場合、基板上のパターンが露光されな
い領域の平面度は厳密に管理する必要がない。よって、
基板を基板ホルダーに対して横向きに置いた場合、基板
の有効露光領域外の領域が基板ホルダーからはみ出すよ
うにして置いても構わない。
イスのサイズ及び基板のサイズによっては基板を９０°
回して、基板ホルダーに対し横向きに置く（基板の長辺
を基板ホルダーの短辺に平行にして置く）ことを許容す
ることにより前記目的を達成する。走査方向に対し基板
を横向きに置いた場合、基板上のパターンが露光されな
い領域の平面度は厳密に管理する必要がない。よって、
基板を基板ホルダーに対して横向きに置いた場合、基板
の有効露光領域外の領域が基板ホルダーからはみ出すよ
うにして置いても構わない。
【０００９】すなわち、一実施例を表す図面に対応つけ
て説明すると、本発明による露光方法は、パターン（３
０ａ）が形成されたマスク（３０）を保持したマスクス
テージ（２０）と矩形の基板（１４）を保持した矩形の
基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移動
させてマスク（３０）のパターン（３０ａ）を基板（１
４）に露光する露光であって、基板ホルダー（１５ａ）
の短辺より長い長辺を有する基板（１４）を、基板（１
４）の長辺方向が基板ホルダー（１５ａ）の短辺方向に
ほぼ一致するようにして基板ホルダー（１５ａ）上に配
設するステップ（Ｓ２２）と、マスクステージ（２０）
と基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移
動させて基板（１４）の第１領域（１４ａ，１４ｂ）に
マスク（３０）のパターン（３０ａ）を露光するステッ
プ（Ｓ２５）と、基板ホルダー（１５ａ）を第１方向
（Ｘ方向）とほぼ直交する第２方向（Ｙ方向）に移動さ
せるステップ（Ｓ２６）と、マスクステージ（２０）と
基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移動
させて、第２方向（Ｙ方向）に第１領域（１４ａ，１４
ｂ）と隣接する基板（１４）の第２領域（１４ｃ，１４
ｄ）にマスク（３０）のパターン（３０ａ）を露光する
ステップ（Ｓ２７）とを含んでいる。
て説明すると、本発明による露光方法は、パターン（３
０ａ）が形成されたマスク（３０）を保持したマスクス
テージ（２０）と矩形の基板（１４）を保持した矩形の
基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移動
させてマスク（３０）のパターン（３０ａ）を基板（１
４）に露光する露光であって、基板ホルダー（１５ａ）
の短辺より長い長辺を有する基板（１４）を、基板（１
４）の長辺方向が基板ホルダー（１５ａ）の短辺方向に
ほぼ一致するようにして基板ホルダー（１５ａ）上に配
設するステップ（Ｓ２２）と、マスクステージ（２０）
と基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移
動させて基板（１４）の第１領域（１４ａ，１４ｂ）に
マスク（３０）のパターン（３０ａ）を露光するステッ
プ（Ｓ２５）と、基板ホルダー（１５ａ）を第１方向
（Ｘ方向）とほぼ直交する第２方向（Ｙ方向）に移動さ
せるステップ（Ｓ２６）と、マスクステージ（２０）と
基板ホルダー（１５ａ）とを第１方向（Ｘ方向）に移動
させて、第２方向（Ｙ方向）に第１領域（１４ａ，１４
ｂ）と隣接する基板（１４）の第２領域（１４ｃ，１４
ｄ）にマスク（３０）のパターン（３０ａ）を露光する
ステップ（Ｓ２７）とを含んでいる。
【００１０】このため、本露光方法によれば、走査露光
回数を減らすことができるので、スル−プットの高い露
光方法を実現することができる。また、本露光方法は近
年の基板サイズの大型化の要求に露光装置を大型化する
ことなく対応でき、例えば、短辺の長さが６８０ｍｍ以
上であり、長辺の長さが８８０ｍｍ以上である基板に対
しても本発明の露光方法を適用することができる。
回数を減らすことができるので、スル−プットの高い露
光方法を実現することができる。また、本露光方法は近
年の基板サイズの大型化の要求に露光装置を大型化する
ことなく対応でき、例えば、短辺の長さが６８０ｍｍ以
上であり、長辺の長さが８８０ｍｍ以上である基板に対
しても本発明の露光方法を適用することができる。
【００１１】なお、第１方向（Ｘ方向）は基板ホルダー
（１５ａ）の長辺方向と一致させることができる。ま
た、第１領域（１４ａ，１４ｂ）と第２領域（１４ｃ，
１４ｄ）とは基板（１４）が基板ホルダー（１５ａ）に
接触している領域に設定されているのが好ましい。同様
に、アライメントマ−クも基板が基板ホルダー（１５
ａ）に接触している領域に設けるのが好ましい。
（１５ａ）の長辺方向と一致させることができる。ま
た、第１領域（１４ａ，１４ｂ）と第２領域（１４ｃ，
１４ｄ）とは基板（１４）が基板ホルダー（１５ａ）に
接触している領域に設定されているのが好ましい。同様
に、アライメントマ−クも基板が基板ホルダー（１５
ａ）に接触している領域に設けるのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の方法に使用する
走査型露光装置の一例の概略的な構成を示す図である。
この走査型露光装置は、ステップ・アンド・スキャン方
式により基板１４（フォトレジスト等の感光剤を塗布し
たガラスプレート）の寸法に比べ小型のマスク１０を用
いて、マスク１０に描画されたパターンを基板１４に複
数回転写することができるようにしたものである。この
マスク１０の有効露光領域は４００ｍｍ×７００ｍｍで
あり、基板１４のサイズは７２０ｍｍ×９００ｍｍであ
るものとする。なお、アクティブマトリックス方式の液
晶パネルは、そのアクティブ素子を形成するために、製
造工程で複数のパターン層を重ね合わせて露光すること
が必要になり、マスクが複数枚用意され、マスクを交換
しながらパターン層の重ね合わせ露光が行われている。
施の形態を説明する。図１は、本発明の方法に使用する
走査型露光装置の一例の概略的な構成を示す図である。
この走査型露光装置は、ステップ・アンド・スキャン方
式により基板１４（フォトレジスト等の感光剤を塗布し
たガラスプレート）の寸法に比べ小型のマスク１０を用
いて、マスク１０に描画されたパターンを基板１４に複
数回転写することができるようにしたものである。この
マスク１０の有効露光領域は４００ｍｍ×７００ｍｍで
あり、基板１４のサイズは７２０ｍｍ×９００ｍｍであ
るものとする。なお、アクティブマトリックス方式の液
晶パネルは、そのアクティブ素子を形成するために、製
造工程で複数のパターン層を重ね合わせて露光すること
が必要になり、マスクが複数枚用意され、マスクを交換
しながらパターン層の重ね合わせ露光が行われている。
【００１３】超高圧水銀ランプ等の光源１から射出した
光束は、楕円鏡２で反射された後にダイクロイックミラ
ー３に入射する。このダイクロイックミラー３は露光に
必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過
する。ダイクロイックミラー３で反射された光束は、光
軸ＡＸ１に対して進退可能に配置されたシャッター４に
よって投影光学系側への照射を選択的に制限される。シ
ャッター４が開放されることによって、光束は波長選択
フィルター５に入射し、投影光学系１２ａが転写を行う
のに適した波長（通常は、ｇ，ｈ，ｉ線のうち少なくと
も１つの帯域）の光束となる。また、この光束の強度分
布は光軸近傍が最も高く、周辺になると低下するガウス
分布状になるため、少なくとも投影光学系１２ａの投影
領域１３ａ内で強度を均一にする必要がある。このた
め、フライアイレンズ６とコンデンサーレンズ８によっ
て光束の強度を均一化する。なお、ミラー７は配列上の
折り曲げミラーである。
光束は、楕円鏡２で反射された後にダイクロイックミラ
ー３に入射する。このダイクロイックミラー３は露光に
必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過
する。ダイクロイックミラー３で反射された光束は、光
軸ＡＸ１に対して進退可能に配置されたシャッター４に
よって投影光学系側への照射を選択的に制限される。シ
ャッター４が開放されることによって、光束は波長選択
フィルター５に入射し、投影光学系１２ａが転写を行う
のに適した波長（通常は、ｇ，ｈ，ｉ線のうち少なくと
も１つの帯域）の光束となる。また、この光束の強度分
布は光軸近傍が最も高く、周辺になると低下するガウス
分布状になるため、少なくとも投影光学系１２ａの投影
領域１３ａ内で強度を均一にする必要がある。このた
め、フライアイレンズ６とコンデンサーレンズ８によっ
て光束の強度を均一化する。なお、ミラー７は配列上の
折り曲げミラーである。
【００１４】強度を均一化された光束は、視野絞り９を
介してマスク１０のパターン面上に照射される。この視
野絞り９は基板１４上の投影領域１３ａを制限する開口
を有する。視野絞り９とマスク１０との間にレンズ系を
設けて視野絞り９とマスク１０のパターン面と基板１４
の投影面とが互いに共役になるようにしてもよい。
介してマスク１０のパターン面上に照射される。この視
野絞り９は基板１４上の投影領域１３ａを制限する開口
を有する。視野絞り９とマスク１０との間にレンズ系を
設けて視野絞り９とマスク１０のパターン面と基板１４
の投影面とが互いに共役になるようにしてもよい。
【００１５】光源１から視野絞り９までの構成を投影光
学系１２ａに対する照明光学系Ｌ１とし、この例では照
明光学系Ｌ１と同様の構成を有する照明光学系Ｌ２〜Ｌ
５を設けて、各照明光学系Ｌ２〜Ｌ５からの光束を投影
光学系１２ｂ〜１２ｅのそれぞれに供給する。複数の照
明光学系Ｌ１〜Ｌ５のそれぞれから射出された光束は、
マスク１０上の異なる部分領域（照明領域）１１ａ〜１
１ｅをそれぞれ照明する。マスク１０を透過した複数の
光束は、各照明光学系Ｌ１〜Ｌ５に対応する投影光学系
１２ａ〜１２ｅを介して基板１４上の異なる投影領域１
３ａ〜１３ｅにマスク１０の照明領域１１ａ〜１１ｅの
パターン像を結像する。投影光学系１２ａ〜１２ｅはい
ずれも正立等倍実結像（正立正像）光学系である。図１
において、投影光学系１２ａ〜１２ｅの光軸方向をＺ方
向とし、Ｚ方向に垂直な方向でマスク１０及び基板１４
の走査方向をＸ方向（第１方向）とし、Ｚ方向及びＸ方
向に垂直な方向をＹ方向（第２方向）とする。
学系１２ａに対する照明光学系Ｌ１とし、この例では照
明光学系Ｌ１と同様の構成を有する照明光学系Ｌ２〜Ｌ
５を設けて、各照明光学系Ｌ２〜Ｌ５からの光束を投影
光学系１２ｂ〜１２ｅのそれぞれに供給する。複数の照
明光学系Ｌ１〜Ｌ５のそれぞれから射出された光束は、
マスク１０上の異なる部分領域（照明領域）１１ａ〜１
１ｅをそれぞれ照明する。マスク１０を透過した複数の
光束は、各照明光学系Ｌ１〜Ｌ５に対応する投影光学系
１２ａ〜１２ｅを介して基板１４上の異なる投影領域１
３ａ〜１３ｅにマスク１０の照明領域１１ａ〜１１ｅの
パターン像を結像する。投影光学系１２ａ〜１２ｅはい
ずれも正立等倍実結像（正立正像）光学系である。図１
において、投影光学系１２ａ〜１２ｅの光軸方向をＺ方
向とし、Ｚ方向に垂直な方向でマスク１０及び基板１４
の走査方向をＸ方向（第１方向）とし、Ｚ方向及びＸ方
向に垂直な方向をＹ方向（第２方向）とする。
【００１６】基板１４は基板ステージ１５上の基板ホル
ダー１５ａに吸着保持（例えば真空吸着）されている。
本実施の形態においては、矩形状の基板ホルダー１５ａ
の寸法は従来技術で用いた図７と同じ８４３ｍｍ×８９
０ｍｍとする。基板ステージ１５は一次元の走査露光を
行うべく走査方向（Ｘ方向）に長いストロークを持った
Ｘ方向駆動装置１６Ｘを有している。さらに、走査方向
については高分解能及び高精度のＸ方向位置測定装置
（例えばレーザ干渉計）１７Ｘを有する。また、マスク
１０はマスクステージ２０により支持され、このマスク
ステージ２０も基板ステージ１５と同様に、走査方向
（Ｘ方向）に長いストロークを持ったＸ方向駆動装置１
８Ｘとマスクステージ２０の走査方向の位置を検出する
Ｘ方向位置測定装置１９Ｘとを有する。
ダー１５ａに吸着保持（例えば真空吸着）されている。
本実施の形態においては、矩形状の基板ホルダー１５ａ
の寸法は従来技術で用いた図７と同じ８４３ｍｍ×８９
０ｍｍとする。基板ステージ１５は一次元の走査露光を
行うべく走査方向（Ｘ方向）に長いストロークを持った
Ｘ方向駆動装置１６Ｘを有している。さらに、走査方向
については高分解能及び高精度のＸ方向位置測定装置
（例えばレーザ干渉計）１７Ｘを有する。また、マスク
１０はマスクステージ２０により支持され、このマスク
ステージ２０も基板ステージ１５と同様に、走査方向
（Ｘ方向）に長いストロークを持ったＸ方向駆動装置１
８Ｘとマスクステージ２０の走査方向の位置を検出する
Ｘ方向位置測定装置１９Ｘとを有する。
【００１７】さらに、基板ステージ１５は、走査方向で
あるＸ方向とほぼ直交するＹ方向にステップ移動する機
能を有する。すなわち、基板ステージ１５には、基板ス
テージ１５をＹ方向に駆動するＹ方向駆動装置１６Ｙと
Ｙ方向位置測定装置１７Ｙが設けられている。Ｙ方向駆
動装置１６Ｙによる基板ステージ１５のＹ方向へのステ
ップ移動量は、照明領域１１ａ〜１１ｅのＹ方向の長さ
以上の距離ＳＰとされている。
あるＸ方向とほぼ直交するＹ方向にステップ移動する機
能を有する。すなわち、基板ステージ１５には、基板ス
テージ１５をＹ方向に駆動するＹ方向駆動装置１６Ｙと
Ｙ方向位置測定装置１７Ｙが設けられている。Ｙ方向駆
動装置１６Ｙによる基板ステージ１５のＹ方向へのステ
ップ移動量は、照明領域１１ａ〜１１ｅのＹ方向の長さ
以上の距離ＳＰとされている。
【００１８】図２は、基板ステージ１５上に保持された
基板１４の上面図である。基板１４上の投影領域１３ａ
〜１３ｅは、図２に示すようにＹ方向に隣合う領域どう
し（例えば、１３ａと１３ｂ、１３ｂと１３ｃ）が図の
Ｘ方向に所定量変位するように、かつ隣合う領域の端部
どうしが破線で示すようにＹ方向に重複するように配置
される。よって、上記複数の投影光学系１２ａ〜１２ｅ
も各投影領域１３ａ〜１３ｅの配置に対応してＸ方向に
所定量変位するとともにＹ方向に重複して配置されてい
る。投影領域１３ａ〜１３ｅの形状は、図では平行四辺
形であるが、六角形や菱形、台形などの形状であっても
構わない。また、複数の照明光学系Ｌ１〜Ｌ５は、マス
ク１０上の照明領域１１ａ〜１１ｅが上記投影領域１３
ａ〜１３ｅと同様の配置となるように配置される。基板
１４には、露光領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの
外側にアライメントマーク（基板マーク）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２
４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥が設けられている。
基板１４の上面図である。基板１４上の投影領域１３ａ
〜１３ｅは、図２に示すようにＹ方向に隣合う領域どう
し（例えば、１３ａと１３ｂ、１３ｂと１３ｃ）が図の
Ｘ方向に所定量変位するように、かつ隣合う領域の端部
どうしが破線で示すようにＹ方向に重複するように配置
される。よって、上記複数の投影光学系１２ａ〜１２ｅ
も各投影領域１３ａ〜１３ｅの配置に対応してＸ方向に
所定量変位するとともにＹ方向に重複して配置されてい
る。投影領域１３ａ〜１３ｅの形状は、図では平行四辺
形であるが、六角形や菱形、台形などの形状であっても
構わない。また、複数の照明光学系Ｌ１〜Ｌ５は、マス
ク１０上の照明領域１１ａ〜１１ｅが上記投影領域１３
ａ〜１３ｅと同様の配置となるように配置される。基板
１４には、露光領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの
外側にアライメントマーク（基板マーク）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２
４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥が設けられている。
【００１９】図３はマスク１０の上面図であり、基板１
４に転写すべきパターンが形成されたパターン領域１０
ａが形成されている。マスク１０には、パターン領域１
０ａの外側に、基板１４の基板マーク２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４
ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥に対応したアライメントマー
ク（マスクマーク）２３ａ〜２３ｊが設けられている。
４に転写すべきパターンが形成されたパターン領域１０
ａが形成されている。マスク１０には、パターン領域１
０ａの外側に、基板１４の基板マーク２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４
ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥に対応したアライメントマー
ク（マスクマーク）２３ａ〜２３ｊが設けられている。
【００２０】マスク１０の上方には、図１及び図３に示
すように、アライメント系２０ａ，２０ｂが配置され、
このアライメント系２０ａ，２０ｂによってマスク１０
に設けられたマスクマーク２３ａ〜２３ｊを検出すると
ともに、投影光学系１２ａ及び１２ｅを介して基板１４
上に形成された基板マーク２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，‥
‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，
２４ｒ，‥‥を検出する。すなわち、アライメント系２
０ａ，２０ｂから射出された照明光を反射鏡２５ａ，２
５ｂを介してマスク１０上に形成されたマスクマーク２
３ａ〜２３ｊに照射するとともに、複数配列した投影光
学系１２ａ〜１２ｅのうちの両端部の光学系１２ａ，１
２ｅを介して基板１４上の基板マーク２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥（２４
ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，
‥‥）に照射する。
すように、アライメント系２０ａ，２０ｂが配置され、
このアライメント系２０ａ，２０ｂによってマスク１０
に設けられたマスクマーク２３ａ〜２３ｊを検出すると
ともに、投影光学系１２ａ及び１２ｅを介して基板１４
上に形成された基板マーク２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，‥
‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，
２４ｒ，‥‥を検出する。すなわち、アライメント系２
０ａ，２０ｂから射出された照明光を反射鏡２５ａ，２
５ｂを介してマスク１０上に形成されたマスクマーク２
３ａ〜２３ｊに照射するとともに、複数配列した投影光
学系１２ａ〜１２ｅのうちの両端部の光学系１２ａ，１
２ｅを介して基板１４上の基板マーク２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥（２４
ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，
‥‥）に照射する。
【００２１】基板１４上に形成された基板マーク２４
ａ，２４ｂ，２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，
‥‥（２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４
ｑ，２４ｒ，‥‥）からの反射光は投影光学系１２ａ，
１２ｅ及び反射鏡２５ａ，２５ｂを介して、またマスク
１０上に形成されたマスクマーク２３ａ〜２３ｊからの
反射光は反射鏡２５ａ，２５ｂを介して、それぞれアラ
イメント系２０ａ，２０ｂに入射する。アライメント系
２０ａ，２０ｂは、マスク１０及び基板１４からの反射
光に基づいて各アライメントマークの位置を検出する。
ａ，２４ｂ，２４ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，
‥‥（２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４
ｑ，２４ｒ，‥‥）からの反射光は投影光学系１２ａ，
１２ｅ及び反射鏡２５ａ，２５ｂを介して、またマスク
１０上に形成されたマスクマーク２３ａ〜２３ｊからの
反射光は反射鏡２５ａ，２５ｂを介して、それぞれアラ
イメント系２０ａ，２０ｂに入射する。アライメント系
２０ａ，２０ｂは、マスク１０及び基板１４からの反射
光に基づいて各アライメントマークの位置を検出する。
【００２２】アライメント検出系２０ａ，２０ｂは、マ
スクステージ２０と基板ステージ１５をＸ方向に移動し
ながら、基板１４上の基板マーク２４ａ，２４ｂ，２４
ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥（２４ｆ，２
４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥）
とマスク１０上のマスクマーク２３ａ〜２３ｊとをアラ
イメント系２０ａ，２０ｂによって同時に検出すること
により、基板１４とマスク１０との相対位置を検出する
ことができる。
スクステージ２０と基板ステージ１５をＸ方向に移動し
ながら、基板１４上の基板マーク２４ａ，２４ｂ，２４
ｃ，‥‥，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，‥‥（２４ｆ，２
４ｇ，２４ｈ，‥‥，２４ｐ，２４ｑ，２４ｒ，‥‥）
とマスク１０上のマスクマーク２３ａ〜２３ｊとをアラ
イメント系２０ａ，２０ｂによって同時に検出すること
により、基板１４とマスク１０との相対位置を検出する
ことができる。
【００２３】この走査型露光装置は、基板ステージ１５
を走査方向であるＸ方向とほぼ直交するＹ方向に、少な
くとも照明領域１１ａ〜１１ｅのＹ方向の幅分の距離よ
り長い距離ＳＰだけステップ移動させることができる。
したがって、マスクステージ２０及び基板ステージ１５
をＸ方向へ同期して駆動して走査露光を行った後に、基
板ステージ１５をＹ方向に距離ＳＰだけステップ的に移
動して行うＸ方向への走査露光を１回又は数回繰り返す
ことにより、マスクパターン１０ａを大きな基板１４上
に複数個並べて転写することが可能になる。図１に戻っ
て、制御装置５０は、走査型露光装置全体を制御するも
のであり、位置測定装置１７Ｘ，１７Ｙ，１９Ｘの測定
結果と、アライメント系２０ａ，２０ｂのアライメント
出力とが入力されている。また、制御装置５０は記憶装
置５１を有している。
を走査方向であるＸ方向とほぼ直交するＹ方向に、少な
くとも照明領域１１ａ〜１１ｅのＹ方向の幅分の距離よ
り長い距離ＳＰだけステップ移動させることができる。
したがって、マスクステージ２０及び基板ステージ１５
をＸ方向へ同期して駆動して走査露光を行った後に、基
板ステージ１５をＹ方向に距離ＳＰだけステップ的に移
動して行うＸ方向への走査露光を１回又は数回繰り返す
ことにより、マスクパターン１０ａを大きな基板１４上
に複数個並べて転写することが可能になる。図１に戻っ
て、制御装置５０は、走査型露光装置全体を制御するも
のであり、位置測定装置１７Ｘ，１７Ｙ，１９Ｘの測定
結果と、アライメント系２０ａ，２０ｂのアライメント
出力とが入力されている。また、制御装置５０は記憶装
置５１を有している。
【００２４】次に、ロットの切り換えにより、画素領域
周辺の回路パターンも含めた寸法が２７９.７ｍｍ×３
４７．２ｍｍである１７インチＳＸＧＡのパタ−ンを基
板１４に６面取りして露光する露光方法について説明す
る。上述したように、基板ホルダ−１５ａの寸法は８４
３ｍｍ×８９０ｍｍであり、基板１４の大きさも７２０
ｍｍ×９００ｍｍであり、基板ホルダ−１５ａの短辺よ
りも基板１４の長辺の方が長くなっている。また、マス
ク１０に変えて１７インチＳＸＧＡのパタ−ン３０ａが
２つ形成されたマスク３０を用いるものとする。なお、
マスク３０の有効露光領域もマスク１０と同じ４００ｍ
ｍ×７００ｍｍであり、図示省略するもののマスク３０
には、マスク１０とほぼ同じマスクマークが形成されて
いる。
周辺の回路パターンも含めた寸法が２７９.７ｍｍ×３
４７．２ｍｍである１７インチＳＸＧＡのパタ−ンを基
板１４に６面取りして露光する露光方法について説明す
る。上述したように、基板ホルダ−１５ａの寸法は８４
３ｍｍ×８９０ｍｍであり、基板１４の大きさも７２０
ｍｍ×９００ｍｍであり、基板ホルダ−１５ａの短辺よ
りも基板１４の長辺の方が長くなっている。また、マス
ク１０に変えて１７インチＳＸＧＡのパタ−ン３０ａが
２つ形成されたマスク３０を用いるものとする。なお、
マスク３０の有効露光領域もマスク１０と同じ４００ｍ
ｍ×７００ｍｍであり、図示省略するもののマスク３０
には、マスク１０とほぼ同じマスクマークが形成されて
いる。
【００２５】図４は、基板ホルダ−１５ａ（図４では基
板ホルダ１５ａを基板１４と区別するために点線で示し
てある）に保持された基板１４を示している。図４に示
してあるように、１７インチＳＸＧＡのパタ−ンを基板
１４に露光する際は、基板１４の長辺方向が基板ホルダ
−１５ａの短辺方向と一致するように、図１の基板１４
の状態から９０度回転して、基板ホルダ−１５ａに基板
１４が保持されている。
板ホルダ１５ａを基板１４と区別するために点線で示し
てある）に保持された基板１４を示している。図４に示
してあるように、１７インチＳＸＧＡのパタ−ンを基板
１４に露光する際は、基板１４の長辺方向が基板ホルダ
−１５ａの短辺方向と一致するように、図１の基板１４
の状態から９０度回転して、基板ホルダ−１５ａに基板
１４が保持されている。
【００２６】このため、基板１４の長辺方向が基板ホル
ダ−１５ａからはみでてしまう。しかしながら、基板１
４の露光領域１４ａ〜１４ｆは、基板ホルダ−１５ａに
保持される（接触している）とともに前述の真空吸着が
なされている。このため、基板１４の露光領域１４ａ〜
１４ｆの平面度は真空吸着により精度よく保たれている
ので、マスク３０のパタ−ン３０ａを基板１４の露光領
域１４ａ〜１４ｆに精度よく露光することができる。な
お、不図示ではあるが、基板１４を位置合わせするため
に基板１４に形成されるアライメントマ−クの基板ホル
ダ−１５ａの吸着領域内に形成されている。
ダ−１５ａからはみでてしまう。しかしながら、基板１
４の露光領域１４ａ〜１４ｆは、基板ホルダ−１５ａに
保持される（接触している）とともに前述の真空吸着が
なされている。このため、基板１４の露光領域１４ａ〜
１４ｆの平面度は真空吸着により精度よく保たれている
ので、マスク３０のパタ−ン３０ａを基板１４の露光領
域１４ａ〜１４ｆに精度よく露光することができる。な
お、不図示ではあるが、基板１４を位置合わせするため
に基板１４に形成されるアライメントマ−クの基板ホル
ダ−１５ａの吸着領域内に形成されている。
【００２７】図５は、３４７．２ｍｍ×２７９．７ｍｍ
の回路パタ−ン３０ａが２個形成されたマスク３０を用
いて基板１４に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取り
する様子を示している。なお、図５では基板ホルダ―１
５ａは省略している。図５に示してあるように、マスク
３０は、従来技術で説明したマスク１００と同じ大きさ
ではあるが、パタ−ン３０ａが形成される方向がマスク
１００のパタ−ン１０１とは９０度異なっている。すな
わち、マスク３０のパタ−ン３０ａの長辺方向とマスク
３０の長辺方向とが一致している。
の回路パタ−ン３０ａが２個形成されたマスク３０を用
いて基板１４に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取り
する様子を示している。なお、図５では基板ホルダ―１
５ａは省略している。図５に示してあるように、マスク
３０は、従来技術で説明したマスク１００と同じ大きさ
ではあるが、パタ−ン３０ａが形成される方向がマスク
１００のパタ−ン１０１とは９０度異なっている。すな
わち、マスク３０のパタ−ン３０ａの長辺方向とマスク
３０の長辺方向とが一致している。
【００２８】以下、制御装置５０による走査露光のシー
ケンスの一例について、図６のフローチャートに基づい
て説明する。制御装置５０は、不図示のマスクロ−ダを
制御して、マスク１０に変えて１７インチＳＸＧＡのパ
タ−ン３０ａが２つ形成されたマスク３０をマスクステ
ージ２０に載置させる（ステップ２０）。
ケンスの一例について、図６のフローチャートに基づい
て説明する。制御装置５０は、不図示のマスクロ−ダを
制御して、マスク１０に変えて１７インチＳＸＧＡのパ
タ−ン３０ａが２つ形成されたマスク３０をマスクステ
ージ２０に載置させる（ステップ２０）。
【００２９】制御装置５０は、ステップ２０の判定が
「ＹＥＳ」の場合には、ステップ２１に進み、投影光学
系１２ａ〜１２ｅを保持している保持部材によって保持
されたアライメント系２０ａ，２０ｂによって、マスク
３０を露光装置に対して位置決めする。この位置決め
は、アライメント系２０ａ，２０ｂにより実行され、ア
ライメント系２０ａ，２０ｂ内の指標マークに対するマ
スクマークの位置が所定の関係となるように、マスクス
テージ２０の位置を調整することによって行われる（ス
テップ２１）。なお、マスクの交換を必要としない場合
には、このステップ２１は省略される。
「ＹＥＳ」の場合には、ステップ２１に進み、投影光学
系１２ａ〜１２ｅを保持している保持部材によって保持
されたアライメント系２０ａ，２０ｂによって、マスク
３０を露光装置に対して位置決めする。この位置決め
は、アライメント系２０ａ，２０ｂにより実行され、ア
ライメント系２０ａ，２０ｂ内の指標マークに対するマ
スクマークの位置が所定の関係となるように、マスクス
テージ２０の位置を調整することによって行われる（ス
テップ２１）。なお、マスクの交換を必要としない場合
には、このステップ２１は省略される。
【００３０】次に、制御装置５０は、図示しない基板ロ
ーダにより、基板１４の長辺方向が基板ホルダ−１５ａ
の短辺方向と一致するように、基板ステージ１５上の基
板ホルダー１５ａに露光すべき基板１４をローディング
し、ロードした基板１４を露光装置に対して位置決めす
る（ステップ２２）。具体的には、ステップ２１におけ
るマスク３０のアライメントと同様に、アライメント系
２０ａ，２０ｂによって基板マークを検出し、アライメ
ント系２０ａ，２０ｂ内の指標マークに対する基板マー
クの位置が所定の関係となるように、基板ステージ１５
を駆動することによって行われる。
ーダにより、基板１４の長辺方向が基板ホルダ−１５ａ
の短辺方向と一致するように、基板ステージ１５上の基
板ホルダー１５ａに露光すべき基板１４をローディング
し、ロードした基板１４を露光装置に対して位置決めす
る（ステップ２２）。具体的には、ステップ２１におけ
るマスク３０のアライメントと同様に、アライメント系
２０ａ，２０ｂによって基板マークを検出し、アライメ
ント系２０ａ，２０ｂ内の指標マークに対する基板マー
クの位置が所定の関係となるように、基板ステージ１５
を駆動することによって行われる。
【００３１】制御装置５０は、マスクステージ２０のＸ
方向駆動装置１８Ｘ及び基板ステージ１５のＸ方向駆動
装置１６Ｘによってマスクステージ２０と基板ステージ
１５とを例えば−Ｘ方向に駆動することにより、投影光
学系１２ａ〜１２ｅに対してマスク３０と基板１４とを
同期して走査する。その際、一方のアライメント系２０
ａ，２０ｂによって、同期走査時のマスクマークと基板
マークとの相対位置を検出する。こうして検出された同
期走査時のマスクマークと基板マークとの相対位置は、
記憶装置５１に記憶される（ステップ２３）。
方向駆動装置１８Ｘ及び基板ステージ１５のＸ方向駆動
装置１６Ｘによってマスクステージ２０と基板ステージ
１５とを例えば−Ｘ方向に駆動することにより、投影光
学系１２ａ〜１２ｅに対してマスク３０と基板１４とを
同期して走査する。その際、一方のアライメント系２０
ａ，２０ｂによって、同期走査時のマスクマークと基板
マークとの相対位置を検出する。こうして検出された同
期走査時のマスクマークと基板マークとの相対位置は、
記憶装置５１に記憶される（ステップ２３）。
【００３２】マスク３０と基板１４との走査が終了する
と、マスク３０が照明領域１１ａ〜１１ｅから完全に外
れ、基板１４が投影領域１３ａ〜１３ｅから完全に外れ
た走査開始位置において、マスク３０と基板１４とのア
ライメントを行う（ステップ２４）。このステップ２４
のアライメントは、ステップ２３において走査の間に検
出され記憶装置５１に記憶されているマスクマーク及び
それと対をなす基板マークの相対位置誤差が最小となる
ようなマスク３０のＸ方向、Ｙ方向及び回転方向の移動
量を最小自乗法等によって求め、それに従ってマスクス
テージ２０上のマスク３０の位置を調整することにより
行われる。
と、マスク３０が照明領域１１ａ〜１１ｅから完全に外
れ、基板１４が投影領域１３ａ〜１３ｅから完全に外れ
た走査開始位置において、マスク３０と基板１４とのア
ライメントを行う（ステップ２４）。このステップ２４
のアライメントは、ステップ２３において走査の間に検
出され記憶装置５１に記憶されているマスクマーク及び
それと対をなす基板マークの相対位置誤差が最小となる
ようなマスク３０のＸ方向、Ｙ方向及び回転方向の移動
量を最小自乗法等によって求め、それに従ってマスクス
テージ２０上のマスク３０の位置を調整することにより
行われる。
【００３３】制御装置５０は、マスクステージ２０と基
板ステージ１５とを＋Ｘ方向に同期走査して１回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ａと１４ｂとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２５）。１回目の走査露
光が終了すると、制御装置５０は、Ｙ方向駆動装置１６
Ｙを駆動することにより、基板１４をＹ方向にステップ
移動する。ステップ移動の距離は、１７インチＳＸＧＡ
の液晶ディスプレイパネルの短辺の長さ（図示した例の
場合、２７９．７ｍｍ）とほぼ同じ長さである（ステッ
プ２６）。
板ステージ１５とを＋Ｘ方向に同期走査して１回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ａと１４ｂとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２５）。１回目の走査露
光が終了すると、制御装置５０は、Ｙ方向駆動装置１６
Ｙを駆動することにより、基板１４をＹ方向にステップ
移動する。ステップ移動の距離は、１７インチＳＸＧＡ
の液晶ディスプレイパネルの短辺の長さ（図示した例の
場合、２７９．７ｍｍ）とほぼ同じ長さである（ステッ
プ２６）。
【００３４】制御装置５０は、マスクステージ２０と基
板ステージ１５とを−Ｘ方向に同期走査して２回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ｃと１４ｄとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２７）。２回目の走査露
光が終了すると、制御装置５０は、Ｙ方向駆動装置１６
Ｙを駆動することにより、基板１４をＹ方向にステップ
移動する。ステップ移動の距離は、ステップ２６と同じ
であり、１７インチＳＸＧＡの液晶ディスプレイパネル
の短辺の長さ（図示した例の場合、２７９．７ｍｍ）と
ほぼ同じ長さである（ステップ２８）。
板ステージ１５とを−Ｘ方向に同期走査して２回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ｃと１４ｄとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２７）。２回目の走査露
光が終了すると、制御装置５０は、Ｙ方向駆動装置１６
Ｙを駆動することにより、基板１４をＹ方向にステップ
移動する。ステップ移動の距離は、ステップ２６と同じ
であり、１７インチＳＸＧＡの液晶ディスプレイパネル
の短辺の長さ（図示した例の場合、２７９．７ｍｍ）と
ほぼ同じ長さである（ステップ２８）。
【００３５】制御装置５０は、マスクステージ２０と基
板ステージ１５とを＋Ｘ方向に同期走査して３回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ｅと１４ｆとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２５）。以上のように、
従来の技術では、１７インチＳＸＧＡの液晶ディスプレ
イパネルを６面取りするときに４回の走査露光が必要で
あったのに対し、本実施の形態では、基板１４の長辺方
向が基板ホルダ１５ａの短辺方向と一致するように基板
ホルダ１５ａに基板１４を載置しているので、３回の走
査露光により基板１４に１７インチＳＸＧＡの液晶ディ
スプレイパネルを６面取りすることができる。
板ステージ１５とを＋Ｘ方向に同期走査して３回目の走
査露光により、図５の矢印に示すように、基板１４の
投影領域１４ｅと１４ｆとにマスク３０の２つのパタ−
ン３０ａを露光する（ステップ２５）。以上のように、
従来の技術では、１７インチＳＸＧＡの液晶ディスプレ
イパネルを６面取りするときに４回の走査露光が必要で
あったのに対し、本実施の形態では、基板１４の長辺方
向が基板ホルダ１５ａの短辺方向と一致するように基板
ホルダ１５ａに基板１４を載置しているので、３回の走
査露光により基板１４に１７インチＳＸＧＡの液晶ディ
スプレイパネルを６面取りすることができる。
【００３６】なお、本実施の形態の説明をわかりやすく
するために、マスク３０、基板１４、基板ホルダ−１５
ａに寸法を示したが、本実施の形態はこの寸法に限定さ
れるものではなく、基板１４の長辺方向と基板ホルダ１
５ａの短辺方向とを一致するように基板ホルダ１５ａに
基板１４を載置するという思想のもとさまざまな寸法に
対しても幅広く適用することができる。
するために、マスク３０、基板１４、基板ホルダ−１５
ａに寸法を示したが、本実施の形態はこの寸法に限定さ
れるものではなく、基板１４の長辺方向と基板ホルダ１
５ａの短辺方向とを一致するように基板ホルダ１５ａに
基板１４を載置するという思想のもとさまざまな寸法に
対しても幅広く適用することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によると、デバイス及び基板のサ
イズによっては基板の長辺を基板ホルダーの短辺に平行
にして置くことを許容することにより、基板ホルダーを
含む露光装置を大型化することなく、走査露光の回数を
減らしてスループットを向上することができる。
イズによっては基板の長辺を基板ホルダーの短辺に平行
にして置くことを許容することにより、基板ホルダーを
含む露光装置を大型化することなく、走査露光の回数を
減らしてスループットを向上することができる。
【図１】本実施の形態の走査型露光装置の概略的な構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】基板ステージ１５上に保持された基板１４の上
面図である。
面図である。
【図３】マスク１０の上面図である。
【図４】基板ホルダ−１５ａに保持された基板１４を示
す図である。
す図である。
【図５】３４７．２ｍｍ×２７９．７ｍｍの回路パタ−
ン３０ａが２個形成されたマスク３０を用いて基板１４
に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取りする様子を示
す図である。
ン３０ａが２個形成されたマスク３０を用いて基板１４
に１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取りする様子を示
す図である。
【図６】走査露光のシーケンスの一例のフローチャート
を示す図である。
を示す図である。
【図７】基板ホルダ―１５ａの寸法を示す図である。
【図８】基板ホルダ−１５ａに保持された基板２００を
示す図である。
示す図である。
【図９】２７９．７ｍｍ×３４７．２ｍｍの回路パタ−
ン１０１が２個形成されたマスク１００を用いて基板に
１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取りする様子を示す
図である。
ン１０１が２個形成されたマスク１００を用いて基板に
１７インチＳＸＧＡのパネルを６面取りする様子を示す
図である。
Ｌ１〜Ｌ５…照明光学系、９…視野絞り、１０，３０…
マスク、１０ａ，３０ａ…パターン領域、１１ａ〜１１
ｅ…照明領域、１２ａ〜１２ｅ…投影光学系、１３ａ〜
１３ｅ…投影領域、１４…感光基板、１４ａ〜１４ｆ…
パターン露光領域、１５…基板ステージ、１５ａ…基板
ホルダー、１６Ｘ…Ｘ方向駆動装置、１６Ｙ…Ｙ方向駆
動装置、１７Ｘ，１７Ｙ…位置測定装置、１８Ｘ…Ｘ方
向駆動装置、１９Ｘ…位置測定装置、２０ａ，２０ｂ…
アライメント系、２３ａ〜２３ｊ…マスクマーク、２４
ａ〜２４ｔ…基板マーク
マスク、１０ａ，３０ａ…パターン領域、１１ａ〜１１
ｅ…照明領域、１２ａ〜１２ｅ…投影光学系、１３ａ〜
１３ｅ…投影領域、１４…感光基板、１４ａ〜１４ｆ…
パターン露光領域、１５…基板ステージ、１５ａ…基板
ホルダー、１６Ｘ…Ｘ方向駆動装置、１６Ｙ…Ｙ方向駆
動装置、１７Ｘ，１７Ｙ…位置測定装置、１８Ｘ…Ｘ方
向駆動装置、１９Ｘ…位置測定装置、２０ａ，２０ｂ…
アライメント系、２３ａ〜２３ｊ…マスクマーク、２４
ａ〜２４ｔ…基板マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楢木 剛 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株 式会社ニコン内 Ｆターム(参考） 2H097 AB09 GB02 KA03 KA13 KA28 LA12 LA20 5F046 AA05 AA26 BA03 CC03 CC17 EB03 FC05
Claims (5)
- 【請求項１】 パターンが形成されたマスクを保持した
マスクステージと矩形の基板を保持した矩形の基板ホル
ダーとを第１方向に移動させて前記マスクのパターンを
前記基板に露光する露光方法において、 前記基板ホルダーの短辺より長い長辺を有する基板を、
該基板の長辺方向が前記基板ホルダーの短辺方向にほぼ
一致するようにして前記基板ホルダー上に配設するステ
ップと、 前記マスクステージと前記基板ホルダーとを前記第１方
向に移動させて前記基板の第１領域に前記マスクのパタ
ーンを露光するステップと、 前記基板ホルダーを前記第１方向とほぼ直交する第２方
向に移動させるステップと、 前記マスクステージと前記基板ホルダーとを前記第１方
向に移動させて、前記第２方向に前記第１領域と隣接す
る前記基板の第２領域に前記マスクのパターンを露光す
るステップとを含むことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光方法において、前記
基板は、前記短辺の長さが６８０ｍｍ以上であり、前記
長辺の長さが８８０ｍｍ以上であることを特徴とする露
光方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の露光方法において、前記
第１方向は前記基板ホルダーの長辺方向と一致している
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の露光方法において、前記
第１領域と前記第２領域とは前記基板が前記基板ホルダ
ーに接触している領域に設定されていることを特徴とす
る露光方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の露光方法において、前記
基板を位置決めするためのアライメントマ−クを前記基
板が前記基板ホルダ−に接触している領域に形成するス
テップを含むことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36500499A JP2001183844A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 露光方法 |
| TW089127213A TW498423B (en) | 1999-12-22 | 2000-12-19 | Exposure method |
| KR1020000079532A KR20010062572A (ko) | 1999-12-22 | 2000-12-21 | 노광 방법 |
| US09/747,910 US6617097B2 (en) | 1999-12-22 | 2000-12-22 | Exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36500499A JP2001183844A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001183844A true JP2001183844A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18483200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36500499A Pending JP2001183844A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6617097B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001183844A (ja) |
| KR (1) | KR20010062572A (ja) |
| TW (1) | TW498423B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005018074A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光方法及びこれを用いる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2006195353A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及び表示デバイスの製造方法 |
| WO2006101086A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
| WO2008065977A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Exposure method, pattern forming method, exposure device, and device manufacturing method |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| TWI240850B (en) * | 2001-12-26 | 2005-10-01 | Pentax Corp | Projection aligner |
| KR100575230B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2006-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광 장치를 이용한 노광 방법 |
| DE10333051A1 (de) * | 2003-07-18 | 2005-02-03 | Grob-Werke Burkhart Grob E.K. | Spanabhebende Bearbeitungsmaschine |
| SG153813A1 (en) * | 2004-06-09 | 2009-07-29 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2919158B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1999-07-12 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置 |
| JP3093528B2 (ja) * | 1993-07-15 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
| JPH08167569A (ja) | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3770959B2 (ja) | 1996-05-10 | 2006-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 |
| JPH1116820A (ja) | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36500499A patent/JP2001183844A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-19 TW TW089127213A patent/TW498423B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-21 KR KR1020000079532A patent/KR20010062572A/ko not_active Ceased
- 2000-12-22 US US09/747,910 patent/US6617097B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005018074A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光方法及びこれを用いる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2006195353A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及び表示デバイスの製造方法 |
| WO2006101086A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
| WO2008065977A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Exposure method, pattern forming method, exposure device, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW498423B (en) | 2002-08-11 |
| US20010006764A1 (en) | 2001-07-05 |
| US6617097B2 (en) | 2003-09-09 |
| KR20010062572A (ko) | 2001-07-07 |
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