JP2001177011A - 実装基板の製造方法及びそれにより製造された実装基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確なピッチで埋設された貫通導体を有する
実装基板を再現性よく製造できる方法の提供。 【解決手段】 枠状巻付け治具２に線状の導電体１を張
力をかけて巻回したのち、治具２を軟化した絶縁材料中
に埋没させ、次いで絶縁材料を固化させてブロック化し
たのち、ブロックを２片以上に切断する。線状導電体の
配列を、枠状巻付け治具２の代わりに、毛細管内に入れ
た線状導電体を使って行ってもよく、溝を設けた絶縁材
料の板又は溝に導電体材料を充填した絶縁材料の板を使
って行ってもよい。あるいは、熱可塑性樹脂で被覆した
線状導電体を使用し、それらを絶縁材料の板に形成した
スルーホールに挿入して実装基板を製造してもよく、又
はそれらを束ねてブロック化してから切断により実装基
板を製造してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は実装基板に関するも
のであり、特に、半導体装置等の電子部品を実装するた
めの配線基板等に有用な導電体が表裏貫通した実装基板
の製造方法と、それにより製造された実装基板に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＩＣやＬＳＩ等の半導体装置等
の電子部品を実装するための上記のような実装基板とし
て、プリント配線基板をはじめとして種々のものが提案
されているが、半導体装置の高性能化・高集積度化の進
展に伴って、実装基板には高い平坦性と平滑性が要請さ
れている。

【０００３】ガラスは研磨すると非常に高い平滑性が得
られるので、高密度実装基板として適しているが、ガラ
ス基板そのままの状態ではガラスの上下面に導通をもた
せることは困難である。

【０００４】そこで、ガラス基板の上下面に導通をもた
せる一般的な方法としては、ガラス基板に貫通孔を空
け、その貫通孔の壁面をメッキ法によってメタライズす
る方法があり、例えば、ガラス基板に絞ったレーザビー
ムを照射して貫通孔を空けたり、或いは、感光性ガラス
等、予め貫通孔を空けたガラス基板を用いて、その貫通
孔の壁面をメッキ法によってメタライズすることによっ
て、ガラス基板の上下面に導通を持たせることが可能に
なる。

【０００５】しかし、この様なメッキ法にはいくつかの
欠点があり、まず、工程が長いために高コストになるこ
と、次に、メッキ法によって導電体を形成するため、導
電体の種類に制約が大きいこと、さらに、近年の半導体
装置に対するさらなる高密度集積化の要請に伴って、１
００μｍ以下の微小ピッチで配線することが必要になっ
てくるが、ガラス基板の場合には、このような微小ピッ
チでガラスの破損を防止しながら貫通孔を形成すること
はかなり困難であること、を挙げることができる。

【０００６】この様なメッキ法における問題を解決する
ために、ガラス基板の厚さ方向に導電体を配向させた状
態で埋設したのち、ガラス基板をスライスすることによ
って実装基板を製造することが提案（必要ならば、特開
平１０−１９０１９０号公報参照）されているので、図
３を参照して説明する。

【０００７】図３（ａ）に示したように、まず、線状の
導電体２２を張った成形枠２１内に、坩堝２３を用いて
加熱溶融した溶融ガラス２４を流し込む。なお、この場
合の線状の導電体２２は常に張力を掛けておくものであ
り、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、コバール、ステンレス鋼等によっ
て構成されるものであり、また、ガラスは必ずしも溶融
ガラス２４である必要はなく、塊状或いは粉状等のガラ
スを成形枠内に充填して加熱溶融しても良いものであ
る。

【０００８】次いで、図３（ｂ）に示したように、室温
まで徐冷して溶融ガラス２４を固化してガラスブロック
２５としたのち、成形枠２１を除去する。

【０００９】次いで、図３（ｃ）に示したように、破線
で示す切断線２６に沿ってガラスブロック２６を切断す
る。

【００１０】次いで、図３（ｄ）に示したように、切断
したガラス基板２７の切断面を研磨することによって、
上下面に貫通導体２８が露出した実装基板が得られるも
のである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の実装基
板の製造方法においては、成形枠にどの様にして導電体
を張るか、また、どの様にして導電体に常に張力を掛け
ておくかについての具体的方法は全く開示されておら
ず、また、成形枠をどの様に除去するかについての具体
的方法も開示されていない。

【００１２】例えば、張力のかけ方が不十分であれば、
加熱時に弛んで非平行になり、極端な場合には、隣接す
る線状の導電体が互いに接触して電気的に短絡するとい
う問題が発生する。

【００１３】したがって、上記の提案からは、設計値通
りの正確なピッチで埋設された貫通導体を有する実装基
板、特に、貫通導体が実装基板の表面において二次元的
に並ぶように埋設された実装基板をどの様に製造するか
については全く不明であった。

【００１４】そこで、本発明は、設計値通りの正確なピ
ッチで埋設された貫通導体を有する実装基板の提供と、
そのような実装基板を再現性良く製造することができる
方法の提供を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】第一の側面において、本
発明の実装基板製造方法は、線状の導電体を張力をかけ
て巻回することができる枠状巻付け治具を使用して実装
基板を製造する。具体的には、この実装基板製造方法
は、枠状巻付け治具に線状の導電体を張力を掛けて巻回
したのち、前記枠状巻付け治具を軟化した絶縁材料中に
埋没させ、次いで、前記軟化した絶縁材料を固化させて
絶縁体ブロックとしたのち、前記絶縁体ブロックを２片
以上に切断することによって線状の導電体が表裏両面に
貫通した表裏導通基板とすることを特徴とする。

【００１６】第二の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、線状の導電体の配列のために実装基板の絶縁
材料よりも高融点の材料製の毛細管を使用して実装基板
を製造する。具体的には、この側面における実装基板製
造方法は、実装基板の絶縁材料より高融点の材料製の毛
細管内に線状の導電体を通す工程と、線状導電体を通し
た毛細管と絶縁材料とを同時に熱処理してブロック化す
る工程と、得られたブロックを切断する工程を含む。

【００１７】線状導電体を通した毛細管と絶縁材料の熱
処理によるブロック化は、例えば、（１）線状導電体を
通した毛細管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、
絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同時に熱処理する
か、（２）溝を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそ
れぞれの溝に入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及
び導電体を同時に熱処理するか、あるいは、（３）毛細
管を方向を揃えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材料
粉末と毛細管及び導電体を同時に熱処理することによっ
て、行うことができる。

【００１８】第三の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、線状の導電体を配列することができる溝を形
成した絶縁材料の板と、これらの絶縁材料の板の間に挿
入する絶縁材料のペーストを使用して実装基板を製造す
る。具体的には、この実装基板製造方法は、絶縁材料の
板に形成した溝に線状の導電体を入れ、当該絶縁材料の
板をそれらの間に絶縁性のペーストを介在させて積み重
ねることにより積重体を作る工程と、この積重体をその
積重方向に加圧しながら熱処理してブロック化する工程
と、得られたブロックを切断する工程を含む。

【００１９】第四の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、溝に導電体を充填した絶縁材料の板と、これ
らの絶縁材料の板の間に挿入する絶縁材料のペーストを
使用して実装基板を製造する。具体的には、この実装基
板製造方法は、絶縁材料の板に形成した溝に導電体を充
填する工程と、絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
する工程を含む。

【００２０】第五の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、スルーホールを備えた絶縁材料の板と、熱可
塑性樹脂で被覆した線状の導電体を使用して実装基板を
製造する。具体的には、この実装基板製造方法は、絶縁
材料の板に形成したスルーホールに、熱可塑性樹脂で被
覆した線状の導電体を入れる工程と、絶縁材料の板と導
電体及び熱可塑性樹脂を同時に熱処理する工程を含む。
この方法によれば、絶縁材料の板と、周囲を熱可塑性樹
脂で被覆され、絶縁材料の板に端面がその表裏面に露出
するよう埋設された導電体とを有する実装基板が得られ
る。

【００２１】第六の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体を使っ
て実装基板を製造する。具体的には、この実装基板製造
方法は、熱可塑性樹脂で被覆した所定の長さの線状導電
体の束を作る工程と、この束を熱処理してブロック化す
る工程と、得られたブロックを切断する工程を含む。

【００２２】

【発明の実施の形態】まず、図１を参照して、本発明の
第一の側面の実装基板製造方法を説明する。なお、図１
は、この方法の実施に用いる治具の概略的構成を示して
もいる。この図に示したように、まず、枠状巻付け治具
２に線状の導電体１を張力を掛けて巻回し、この枠状巻
付け治具２を軟化した絶縁材料（図示せず）中に埋設さ
せ、次いで、軟化した絶縁材料を固化させて導電体１を
巻回した治具２と絶縁材料をブロックとしたのち、この
ブロックを２片以上に切断することによって、線状の導
電体が表裏両面に貫通した表裏導通基板が得られる。

【００２３】この様に、枠状巻付け治具２を用いること
によって、線状の導電体１を安定した張力を掛けて張る
ことができるので、隣接する線状の導電体１が接触して
短絡することがなく、且つ、一枚の枠状巻付け治具２に
よって線状の導電体１を二列に配列することができるの
で、規則正しい微小ピッチによって二列に配列した貫通
導体を有する実装基板を実現することができる。また、
列ピッチは枠状巻付け治具２の厚さによって任意に設定
することができる。線状導電体１の張力を維持し且つ微
少ピッチを維持するために、治具２には導電体を所定の
位置に固定できる溝あるいはノッチ等（図示せず）を設
けるのが好ましい。

【００２４】線状の導電体１を張力を掛けて巻回した枠
状巻付け治具２を、スペーサ３を介して複数個積層させ
たのち、軟化した絶縁材料中に埋設することも可能であ
る。この様に、線状の導電体１を張力を掛けて巻回した
枠状巻付け治具２を、スペーサ３を介して複数個積層さ
せることによって、４列以上に配列した表裏導通基板を
再現性良く実現することができ、且つ、スペーサ３の厚
さによって任意の列ピッチの実装基板を実現することが
できる。なお、この場合の枠状巻付け治具２の厚さ或い
はスペーサ３の厚さは、同じ実装基板内で異なった厚さ
にしても差し支えない。

【００２５】ここで、図２を参照して、枠状巻付け治具
を使用する本発明の態様を更に詳しく説明する。なお、
図２（ａ）はこの態様で用いる製造装置の分解斜視図で
あり、図２（ｂ）は製造装置を構成する枠状巻付け治具
の部分斜視図である。

【００２６】図２（ａ）に示した製造装置は、貫通孔１
２を有し、タングステン（Ｗ）ワイヤからなり埋込導電
体となる線状導電体２０を巻回する枠状巻付け治具１
１、枠状巻付け治具１１の間隔を所定列ピッチ分だけ空
ける、貫通孔１４を有するスペーサ１３、各貫通孔１
２、１４を貫通して枠状巻付け治具１１とスペーサ１３
とを固定する棒状固定治具１５、貫通孔１７を有し、枠
状巻付け治具１１とスペーサ１３を上から押さえつける
枠状押さえ部材１６、及び、枠状押さえ部材１６を介し
て全体を固定するネジ１８から構成され、これらを坩堝
１９内で組み立てる。線状導電体１の張力を維持し且つ
微少ピッチを維持するために、枠状巻付け治具２には導
電体を所定の位置に固定できる溝あるいはノッチ等の手
段（図示せず）を設けるのが好ましい。

【００２７】スペーサ１３、固定治具１５、及び坩堝１
９は、ガラス等の絶縁材料と濡れ性の悪い、例えばジル
コニウム等の材料から製作するのが好ましい。絶縁材料
との濡れ性の悪い材料を使用することによって、少なく
ともスペーサ１３及び固定治具１５を、熱処理後に得ら
れるブロックから簡単に抜き出すことができ、切断工程
が容易になるとともに、スペーサ１３や枠状押さえ部材
１６等の再利用が可能になる。絶縁材料がガラスの場
合、ジルコニウムに代えて、ガラスとの濡れ性が更に悪
い窒化硼素を使用するのが更に有利である。なお、坩堝
１９の材料として通常用いられているアルミナ等は、ガ
ラスとの濡れ性が良く、熱処理により形成されたブロッ
クと坩堝のアルミナが反応してブロックの抜き出しがで
きなくなるので好ましくない。

【００２８】図２（ｂ）は、図２（ａ）で説明した装置
で用いる枠状巻付け治具１１の部分斜視図であり、この
治具１１は、例えば、厚さｔが１．２７ｍｍで、線状導
電体２０を巻き付ける方向の長さＬが１００ｍｍで、そ
れと直交する方向の長さが８０ｍｍのステンレス鋼製の
枠状体で構成する。ジルコニウム等の耐熱性の材料で枠
状巻付け治具１１を製作することも可能である。

【００２９】この枠状巻付け治具１１には、例えばコー
ニング社製ガラス７７４０（商品名）のガラス粉末の作
業点温度に耐え得る、直径０．１５ｍｍのタングステン
ワイヤ（熱膨張係数４．５×１０^-6℃^-1、融点３６５３
℃）を用い、例えば、１．２７ｍｍのピッチｄになるよ
うに巻き付ける。なお、ワイヤを巻付ける際には、使用
するガラスの作業点温度で弛まないように、張力を掛け
て巻回する。また、治具１１は、ワイヤの張力とピッチ
の維持のために、図示しない溝を有する。

【００３０】この様に線状導電体２０を巻回した枠状巻
付け治具１１を、例えば厚さが治具１１と同じ１．２７
ｍｍのスペーサ１３を介して積み重ねて、積重体を組み
立てる。例えば、発明者らは枠状巻付け治具１１を１２
枚、スペーサ１３を１３枚交互に積み重ねて、積重体を
組み立てた。

【００３１】次に、枠状巻付け治具を使用する本発明の
態様の実例を説明する。まず、窒化硼素製の坩堝１９内
で上述の治具とスペーサ（ともに窒化硼素製）の組み立
てをやはり窒化硼素製の部品を使って行ったのち、コー
ニング社製ガラス７７４０（商品名）のガラス粉末を計
量し、坩堝１９内に入れる。このコーニング社製ガラス
７７４０（商品名）はホウケイ酸からなり、熱膨張係数
は３．２５×１０^-6℃^-1、融点は８２１℃、作業点は１
２５２℃、密度は２．２３ｇ／ｃｍ³ であり、その熱膨
張係数は製作した実装基板に実装する半導体装置を構成
するシリコン（Ｓｉ）ウェハの熱膨張係数（４．０×１
０^-6℃^-1）やタングステンワイヤの熱膨張係数（４．５
×１０^-6℃^-1）に近いものである。

【００３２】次いで、坩堝１９に、坩堝１９全体を覆う
ように上下から蓋（図示せず）をし、そしてＮ₂ 雰囲気
炉中に設置し、ガラスの作業点付近で３〜４時間焼成し
てガラス粉末を溶融して、ワイヤとガラスをブロック化
する。なお、Ｎ₂ 雰囲気炉を使用する理由は、大気炉内
でタングステンワイヤを高温焼成すると、タングステン
ワイヤが酸化してガラス内で分散してしまうためであ
る。

【００３３】次いで、ガラスにクラックが入らないよう
に融点付近まで徐冷し、続いて室温まで冷やしてから坩
堝１９をＮ₂ 雰囲気炉から取り出し、ネジ１８を外し、
坩堝１９からブロックを治具ごと取り出す。この場合、
窒化硼素はガラスとの濡れ性が悪いので、坩堝１９内に
固定された棒状固定治具１５は坩堝１９内に残存する。

【００３４】次いで、ガラスとの濡れ性の悪さを利用し
て、枠状押さえ部材１６及びスペーサ１３をブロックか
ら抜き出したのち、枠状巻付け治具１１をブロックごと
切断して枠状巻付け治具１１を除去する。

【００３５】次いで、切り出したガラスブロックを線状
導電体２０の軸方向に垂直に所定の厚さ、例えば、２．
０ｍｍの厚さにスライスしたのち、表面と裏面を０．１
μｍ以下のダイヤモンドディスクなどで研磨するととも
に、４つの側面は面取りして、表面のそり量が３μｍ／
ｃｍ以下の表裏貫通基板とする。以降は、基板の表面と
裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線層を形成
する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁
膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実装基板が
完成する。これらの電極又は配線層や絶縁膜の形成は周
知の方法で行うことができ、ここで詳しく説明するには
及ばない。

【００３６】この様に、この実例においては、枠状巻付
け治具１１を用いて線状導電体２０を巻き付けているの
で、それらを精度の高いピッチで且つ、安定した張力を
掛けた状態でガラス中に埋設することができ、埋め込ん
だ線状導電体２０同士の短絡のない高密度実装基板を実
現することができる。

【００３７】また、複数の枠状巻付け治具１１をスペー
サ１３を介して積層させているので、精度の高い列ピッ
チを有する二次元マトリクス状に線状導電体２０を埋設
した高密度実装基板を実現することができる。

【００３８】更に、実装する半導体装置を構成するＳｉ
ウェハと同程度の熱膨張係数を有するガラス及び線状導
電体を用いて実装基板を構成しているので、半導体装置
を実装した場合に、耐環境性、特に、耐熱特性にすぐ
れ、高温環境で動作させた場合に、実装した半導体装置
が熱膨張によって脱落することがない。

【００３９】次に、枠状巻付け治具を使用する本発明の
態様のもう一つの実例を説明する。まず、ジルコニウム
製の坩堝１９内で上述の治具の組み立てを行った後、日
本フェロー社製ガラスＭＳＸ−８１Ｐ（商品名）のガラ
ス粉末を計量し、坩堝１９内に入れる。日本フェロー社
製ガラスＭＳＸ−８１Ｐ（商品名）は酸化鉛入りガラス
であり、熱膨張係数は１０×１０^-6℃^-1、軟化点は３８
０℃、作業点は１２５２℃以下（大凡６００℃）、密度
は６．２３ｇ／ｃｍ³ であり、その熱膨張係数は製作し
た実装基板に実装する半導体装置を構成するＳｉウェハ
の熱膨張係数（４．０×１０^-6℃^-1）より大きいもの
の、流動性が良好である。

【００４０】この例においては、枠状巻付け治具１１
に、ＭＳＸ−８１Ｐ（商品名）のガラス粉末の作業点温
度に耐え得る直径０．１５ｍｍの白金（Ｐｔ）ワイヤ
（熱膨張係数９．１×１０^-6℃^-1、融点２０４２℃）を
用い、例えば、１．２７ｍｍのピッチｄになるように巻
き付ける。なお、Ｐｔワイヤを巻付ける際に、作業点温
度で弛まないように、張力を掛けて巻回する。

【００４１】次いで、坩堝１９に、坩堝１９を密封する
ように上下から蓋（図示せず）をし、そして大気炉中に
設置し、ガラスの作業点付近で３〜４時間焼成してガラ
ス粉末を溶融して、ワイヤとガラスをブロック化する。
この場合、日本フェロー社製ガラスＭＳＸ−８１Ｐ（商
品名）の作業点温度はコーニング社製ガラス７７４０
（商品名）の作業点温度より低いため、焼成温度が低く
なり、且つ、Ｐｔワイヤは酸化しにくいので、焼成時に
Ｐｔワイヤが酸化によりガラス内で分散することはな
い。

【００４２】以降は、先に説明した例と同様に、ガラス
にクラックが入らないように融点付近まで徐冷し、続い
て室温まで冷やしてから坩堝１９を大気炉から取り出
し、次いでネジ１８を外し、坩堝１９からブロックを治
具ごと取り出す。この場合、ジルコニウムはガラスとの
濡れ性が悪いので、坩堝１９内に固定された棒状固定治
具１５は坩堝１９内に残存する。

【００４３】次いで、ガラスとの濡れ性の悪さを利用し
て、枠状押さえ部材１６及びスペーサ１３をブロックか
ら抜き出したのち、枠状巻付け治具１１をブロックごと
切断して枠状巻付け治具１１を除去する。

【００４４】次いで、切り出したガラスブロックを所定
の厚さ、例えば、２．０ｍｍの厚さにスライスしたの
ち、表面と裏面を０．１μｍ以下のダイヤモンドディス
クで研磨するとともに、４つの側面は面取りして、表面
のそり量が３μｍ／ｃｍ以下の表裏貫通基板とする。以
降は、基板の表面と裏面に露出する導電体に接続する電
極又は配線層を形成する導電性薄膜の形成とパターニン
グを行い、更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形
成して、実装基板が完成する。

【００４５】この様に、この例においては、ガラスとし
て、流動性の良好な日本フェロー社製ガラスＭＳＸ−８
１Ｐ（商品名）を用いているので、Ｐｔワイヤのピッチ
間にガラスが間隙なく入り込めるため、線状導電体２０
の埋込がより確実になる。その他の高密度実装化等の作
用効果は、先の例の場合と実質的に同等である。なお、
日本フェロー社製ガラスＭＳＸ−８１Ｐ（商品名）は、
酸化鉛入りガラスであり、酸素のない雰囲気下で焼成す
ると、鉛が析出し、析出した鉛がＰｔワイヤと反応する
ので、酸素を含む雰囲気、典型的には大気中での焼成が
必要になる。

【００４６】次に、線状の導電体の配列のために実装基
板の絶縁材料よりも高融点の材料製の毛細管を使用する
実装基板製造方法を説明する。この場合には、製造する
実装基板を構成する例えばガラス等の絶縁材料の融点よ
りも高い融点を有し、熱処理に用いられる高温において
絶縁材料とも導電体材料とも反応しない材料から、毛細
管を製作する。毛細管材料は、絶縁材料の融点よりもか
なり高い融点を持つことが必要であり、両者の差が例え
ば少なくとも５００〜６００℃程度になるように選ぶの
が好ましい。一例として、絶縁材料としてガラスを採用
する場合には、毛細管材料として石英を好ましく使用す
ることができる。なお、毛細管材料としては一般に電気
絶縁性のものが用いられるが、本発明の目的のために
は、毛細管材料は導電性であっても差し支えない。

【００４７】毛細管内には、実装基板の導電体を構成す
る線状の導電体材料を挿入する。この線状導電体材料
は、導電体材料のワイヤでよく、その直径は、製造する
実装基板に応じて様々でよいが、通常は１ｍｍ以下の直
径のものが使用され、これより太い導電体材料の使用も
可能である。

【００４８】線状導電体を通した毛細管は、（１）毛細
管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、絶縁材料の
板と毛細管及び導電体を同時に熱処理するか、（２）溝
を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそれぞれの溝に
入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同
時に熱処理するか、あるいは、（３）毛細管を方向を揃
えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材料粉末と毛細管
及び導電体を同時に熱処理することによって、絶縁材料
とともにブロック化される。このブロック化は、熱処理
を施すべき各材料の組み合わせを坩堝等の容器内に入れ
て、加熱することにより実施することができる。加熱温
度は、絶縁材料は溶融するが、毛細管材料（及びその内
部の導電体）は溶融しない温度とする。このような温度
での加熱により絶縁材料のみを溶融させてから冷却する
ことにより、絶縁材料中に線状導電体が埋設されたブロ
ックが得られる。

【００４９】こうして得られたブロックは、所定の厚さ
にスライスして、実装基板とすることができる。この実
装基板は、必要に応じ、表面を研磨して平滑にすること
ができ、またその表面上に電極又は配線層や絶縁膜を形
成することもできる。

【００５０】線状導電体と絶縁材料を選択する際には、
製造した基板にクラック等を生じさせないために、熱膨
張係数が互いに近くなるようにするのが望ましい。ま
た、毛細管材料と線状導電体とのなじみをよくして両者
間の隙間等をなくす方が、完成した基板上に配線等を作
製する際のウエットプロセスにより基板内に水分が染み
込んで配線等が膨れる可能性を防止できるので好まし
い。

【００５１】毛細管と線状導電体との組み合わせを用い
た場合には、下記の利点が得られる。第一に、絶縁材料
よりも高融点でありすなわち絶縁材料よりも耐熱性に優
れる毛細管を絶縁材料と共に熱処理することにより、絶
縁材料が溶融した状態においても毛細管はなお溶融ある
いは軟化しないため、線状導電体にかかる張力を保持し
たまま（線状導電体の毛細管内の姿勢を保持したま
ま）、絶縁材料を溶融することができ、ブロック化の過
程で線状導電体が熱により切れたり、たるんだりする問
題をなくすことができる。これにより、導電体が基板の
表裏を貫通し、且つ隣接導電体間に短絡のない、高信頼
性の実装基板の作製が容易になる。

【００５２】第二に、毛細管材料として石英のように融
点の極めて高い材料を使用することにより、融点は高い
が熱膨張係数の小さいホウケイ酸ガラス等を絶縁材料と
して用いることができ、実装基板として適した熱膨張係
数の小さい基板を作製することができる。

【００５３】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用
する実装基板の製造の例を、図面を参照して説明する。

【００５４】最初に、上記の（１）によるブロック化の
例を説明すると、図４に示すように内径０．１５ｍｍの
石英（作業点：２３００℃前後、熱膨張係数：１×１０
^-6℃ ^-1前後）製毛細管４１（外径：０．４０ｍｍ）に、
外径０．１５ｍｍのタングステンワイヤ４２（熱膨張係
数：４．５×１０^-6℃^-1、融点：３６５３℃）を通し、
このタングステンワイヤ入りの毛細管４１を、厚さ１ｍ
ｍのコーニング社製のパイレックスガラス（熱膨張係
数：４×１０^-6℃^-1前後、作業点：１２５０℃前後）の
板４３の間に、一定間隔で一定方向に並べる。ワイヤ入
り毛細管４１の位置を固定するため、ワイヤ４１の両端
に耐熱性のある金属等の重し（図示せず）をつけておく
と望ましい。

【００５５】次に、これらのワイヤ入り毛細管４１とガ
ラス板４３を電気化学工業社製の純度９９％以上の窒化
硼素の容器４４内に入れ、やはり窒化硼素の蓋４５で容
器を密閉し、窒素雰囲気の炉内で１２５０℃、３時間の
条件で熱処理してガラスを溶融させる。溶融後のガラス
は、作業点付近で熱処理したため、ガラス板どうしが一
体化して、ワイヤ入りの毛細管４１とともにブロック状
になる。ブロックのガラスのクラック等を防止するた
め、炉内で融点（８００℃前後）付近まで徐冷し、続い
て室温まで冷やした状態で炉から容器４４を取り出す。
容器４４からブロック（図示せず）を取り出し、ワイヤ
４２の位置固定用の重し等があれば外す。次いで、取り
出したブロックを所望の厚さにスライスして、ワイヤが
表裏貫通した基板とする。スライス後の基板表面を研磨
し、4 つの側面は面取りして、その後の工程で支障をき
たさないようにする。続いて、基板の表面と裏面に露出
する導電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性
薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他
の配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。

【００５６】続いて、上記の（２）によるブロック化の
例を説明する。図５に示すように、電気化学工業社製純
度９９％以上の窒化硼素容器５４内に、外径０．１５ｍ
ｍのゲルマニウム（Ｇｅ）ワイヤ５２（熱膨張係数：
５．７×１０^-6℃^-1、融点：９６０℃）を通した内径
０．１５ｍｍの石英製毛細管５１を一定方向に一定間隔
で並べて、これらの毛細管５１の間に日本フェロー社製
ＭＳＸ−８２Ｐ（熱膨張係数：４．２×１０^-6℃^-1、作
業点：１０００℃）のガラス粉末５５を充填する。な
お、窒化硼素容器５４には、容器内のガラス粉末５５の
溶融による体積減少を考慮したテーパー部５６が設けら
れている。ガラス粉末を使用する場合の体積減少はかな
り大きく、作製しようとするブロックの体積のおよそ３
〜６倍の体積のガラス粉末を消費するので、容器５４は
その分を見込んだ容量を持つように設計すべきである。

【００５７】これらのワイヤ入り毛細管５２とガラス粉
末５５の入った容器５４を蓋５７で密閉して、窒素雰囲
気の炉内で１０００℃、３時間の条件で熱処理してガラ
ス粉末５５とゲルマニウムワイヤ５２を溶融させる。こ
の溶融により、ワイヤ入りの毛細管５２とともにガラス
がブロック化する。ブロックのガラスのクラック等を防
止するため、炉内でガラス粉末の軟化点（６３０℃）付
近まで徐冷してから、室温まで冷やした状態で炉から容
器５４を取り出す。容器５４からブロック（図示せず）
を取りだし、スライスして所望の厚さの基板を得る。ス
ライス後の基板表面を研磨し、側面は面取りして、その
後の工程で支障をきたさないようにする。続いて、基板
の表面と裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線
層を形成する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、
更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実
装基板を完成する。

【００５８】次に、上記（３）によるブロック化の例を
説明する。図６に示すように、内径０．１５ｍｍの石英
製毛細管６１中に外径０．１５ｍｍのゲルマニウムワイ
ヤ６２（熱膨張係数：５．７×１０^-6℃^-1、融点：９６
０℃）を通しておく。コーニング社製のパイレックスガ
ラス（熱膨張係数：４×１０^-6℃^-1前後、作業点：１２
５０℃前後）の板６３の表面に、毛細管６１が入る大き
さで、一定間隔で一定方向に溝６７を掘り、溝６７の内
面に日本フェロー社製ＭＳＸ−８２Ｐ（熱膨張係数：
４．２×１０^-6℃^-1、作業点：１０００℃）のガラス粉
末（図示せず）をまぶしておく。溝６７に１本ずつ毛細
管６１を並べ、毛細管６１の周囲に日本フェロー社製Ｍ
ＳＸ−８２Ｐのガラス粉末（図示せず）を詰めながら、
別のガラス板６３を重ねる。この作業を所定の回数だけ
繰り返して、ワイヤ入りの毛細管６１を挟んでガラス板
６３を積み重ねた積重体を６８を形成する。

【００５９】得られた積重体６８を、電気化学工業社製
純度９９％以上の窒化硼素容器６４内に入れて、容器６
４を密閉する。次いで、容器６４を炉に移し、窒素雲囲
気中で１０００℃、３時間の条件で熱処理して、ワイヤ
入り毛細管６１とともにガラス（パイレックスガラス及
びＭＳＸ−８２Ｐ）をブロック化する。ブロックのガラ
スのクラック等を防止するため、炉内でＭＳＸ−８２Ｐ
ガラス粉末の軟化点（６３０℃）付近まで徐冷してか
ら、室温まで冷やして、炉から容器６４を取り出す。続
いて容器６４からブロック（図示せず）を取りだし、ス
ライスして所望の厚さの基板を得る。スライス後の基板
表面を研磨し、側面は面取りして、その後の工程で支障
をきたさないようにする。続いて、基板の表面と裏面に
露出する導電体に接続する電極又は配線層を形成する導
電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やそ
の他の配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成す
る。

【００６０】次に、溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材
料のペーストを使用する実装基板製造方法を説明する。
溝を形成する絶縁材料の板としては、上記の例で言及し
たようなガラス板が使用可能である。溝の形成は、エッ
チング等の周知の方法で容易に行うことができる。

【００６１】ペーストは、ガラス粉末等の絶縁性の粉末
を使って調製することができる。粉末は、その融点が板
材料の融点より低くなるように選択するのが好ましく、
こうすることで、板材料の溝に収容した線状導電体にか
かる張力やその姿勢を保持したままペースト材料を溶融
させて、絶縁材料の板を線上導電体とともに一体化して
ブロック状にすることができる。ペーストの調製は、絶
縁材料粉末とバインダを少量の液体とともに混合する方
法で行うのが一般的であり、バインダと液体成分は、ブ
ロック化のための熱処理前に除去される。

【００６２】絶縁材料の板の溝に収容する線状導電体
は、先に言及したように導電体材料のワイヤでよい。こ
のような線状導電体を絶縁材料の板の溝に入れて、この
絶縁材料の板を同じように溝に線状導電体を入れた別の
板と、それらの間にペーストを介在させて積み重ね、一
番上にもう１枚の板（その下の板に収容されている導電
体の位置に対応する箇所に溝が形成されている）を重ね
て、積重体を形成する。次に、積重体を加圧しながら熱
処理してペーストを溶融させ、絶縁材料の板どうしを接
合して、線状導電体を含むブロックを形成させる。こう
して形成したブロックは、所定の厚さにスライスして、
実装基板とすることができる。この実装基板は、必要に
応じ、表面を研磨して平滑にすることができる。

【００６３】溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材料のペ
ーストを使用する実装基板の製造方法の例を、図７を参
照して説明する。

【００６４】まず、厚さ１．２７ｍｍのコーニング社製
のパイレックスガラス（熱膨張係数：４×１０^-6℃^-1前
後、作業点：１２５０℃前後）の板７１の表面に、半円
（直径０．１５ｍｍ）の溝７２を１．２７ｍｍピッチで
掘る。日本フェロー社製ガラス粉末ＭＳＸ−８２Ｐ（熱
膨張係数：４．２×１０^-6℃^-1、作業点：１０００℃）
５７０ｇと、セキスイ化学社製バインダＢＲ−１０１
（ガラス転移点：２６０℃前後）３０ｇ及び１５ｍｍφ
のＡｌ₂ Ｏ₃ ボールをボールミルで乾式にて５時間以上
混ぜる。この混合物にテルピネオールを数滴加えて、ら
いかい機で３時間以上混ぜてガラスペーストを調製す
る。このぺ一ストをガラス板７１の後に別のガラス板と
接合する表面に塗布し、ペースト層７４を形成する。直
径０．１５ｍｍのタングステンワイヤ７３（熱膨張係
数：４．５×１０^-6℃^-1、融点：３６５３℃）を、溝７
２に入れる。ワイヤ７３の両端に耐熱性のある錘をつけ
ておくと望ましい。

【００６５】上面の溝７２にワイヤ７３を収容した複数
枚のガラス板７１を、おのおのの溝７２どうしの位置を
合わせて積み重ね、一番上にもう１枚の板７１を載せ
て、積重体７８を形成する。この積重体７８を、電気化
学工業社製の純度99％以上の窒化硼素で作製した容器７
５の中に入れる。積重体７８の上にジルコニア製の耐熱
性の蓋（図示せず）を載せて密閉し、容器７５を加熱炉
に入れる。最初に、積重体７８の入った容器７５を３５
０℃付近で数時間大気中で熱処理して、ぺースト中のバ
インダ成分を抜く。その後、積重体７８の入った容器７
５を７００℃、数十分の熱処理条件で、窒素雰囲気中で
熱処理して、溶融したペーストによる圧着により積重体
７８をブロック化する。得られたブロックのガラスのク
ラック等を防止するため、炉内でＭＳＸ−８２Ｐガラス
粉末の融点（６３０℃）付近まで徐冷してから、室温ま
で冷やして、炉から容器７５を取り出す。続いて容器７
５からブロック（図示せず）を取りだし、スライスして
所望の厚さの基板を得る。スライス後の基板表面を研磨
し、側面は面取りして、その後の工程で支障をきたさな
いようにする。続いて、基板の表面と裏面に露出する導
電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性薄膜の
形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他の配線
層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。

【００６６】次に、溝に導電体を充填した絶縁材料の板
と絶縁材料のペーストを使用する実装基板製造方法を説
明する。溝のある絶縁材料の板は、先に言及したとおり
のガラス板を使用可能である。ペーストも、やはり先に
言及したとおりである。

【００６７】この方法では、絶縁材料の板の溝に、ワイ
ヤを入れるのではなく、導電体材料を充填する。導電性
材料としては、絶縁材料の板の溝に充填できるものであ
ればいかなるものでも使用可能であるが、導電性材料は
絶縁材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するのが好
ましい。例えば、絶縁材料としてガラスを使用する場合
には、シリコン（Ｓｉ）を導電性材料として使用するこ
とができる。シリコンを使用する場合には、化学気相成
長（ＣＶＤ）等の周知の方法によって、絶縁材料の板の
溝に容易に充填することができる。

【００６８】溝に導電体を充填した絶縁材料の複数枚の
板を、それらの間にペーストを介在させて積み重ねて、
積重体を形成する。次に、積重体を加圧しながら熱処理
してペーストを溶融させ、絶縁材料の板どうしを接合し
て、導電体を含むブロックを形成させる。このブロック
を所定の厚さにスライスして、実装基板とすることがで
き、そしてこの実装基板は、必要に応じ、表面を研磨し
て平滑にすることができる。

【００６９】溝に導電体を充填した絶縁材料の板と絶縁
材料のペーストを使用する実装基板の製造方法の例を、
図８を参照して説明する。

【００７０】まず、図８（ａ）に示したように、厚さ
１．２７ｍｍのコーニング社製パイレックスガラス（熱
膨張係数：４×１０^-6℃^-1前後、作業点：１２５０℃前
後）の板８１（厚さ１．２７ｍｍ）の片面に深さ０．１
５ｍｍの溝８２を１，２７ｍｍピッチで掘り、この面に
ＣＶＤ法でシリコン（Ｓｉ）膜８３を１５０μｍ成膜す
る。その後、ガラス板８１上の溝を掘ってない部分のＳ
ｉ膜を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて除去する
（図８（ｂ））。

【００７１】次いで、日本フェロー社製ガラス粉末ＭＳ
Ｘ−８２Ｐ（熱膨張係数：４．２×１０^-6℃^-1、作業
点：１０００℃）５７０ｇと、セキスイ化学社製バイン
ダＢＲ−１０１（ガラス転移点：２６０℃前後）３０ｇ
をボールミルで乾式にて５時間以上混ぜる。この混合物
にテルピオールを数滴加えて、らいかい機で３時間以上
混ぜてガラスペーストを調製する。このペーストを、図
８（ｃ）に示したようにガラス板８１の溝８２にＳｉを
充填した面に塗布してペースト層８４を形成する。

【００７２】続いて、これらのガラス板を積み重ね、一
番上に溝のないガラス板を乗せて、積重体８６（図８
（ｄ））を作り、そしてこれを電気化学工業社製の純度
99％以上の窒化硼素で作製した容器８７に入れる。積重
体８６の上にジルコニア製の耐熱性の蓋（図示せず）を
載せて密閉し、容器８７を加熱炉に入れる。最初に、積
重体８６の入った容器８７を３５０℃付近で数時間大気
中で熱処理して、ぺースト中のバインダ成分を抜く。そ
の後、容器８７を７００℃、数十分の熱処理条件で、窒
素雰囲気中で熱処理して、溶融したペーストによる圧着
により積重体８６をブロック化する。得られたブロック
のガラスのクラック等を防止するため、炉内でＭＳＸ−
８２Ｐガラス粉末の融点（６３０℃）付近まで徐冷して
から、室温まで冷やして、容器８７を炉から取り出す。

【００７３】その後、容器８７からブロック（図示せ
ず）を取り出し、スライスして所望の厚さの基板を得
る。スライス後の基板表面を研磨し、側面は面取りし
て、その後の工程で支障をきたさないようにする。続い
て、基板の表面と裏面に露出する導電体に接続する電極
又は配線層を形成する導電性薄膜の形成とパターニング
を行い、更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成
して、実装基板を完成する。

【００７４】このように、基板を切り出すブロックの作
製のために溝を設けた絶縁材料の板とペーストを用いる
ことにより、線状導電体にかかる張力を保持したまま、
あるいは充填した導電体を溝に保持したまま、ブロック
化を行うことができる。

【００７５】次に、スルーホールを備えた絶縁材料の板
と熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用する実装基
板の製造方法を説明する。線状導電体は、導電性のある
どのような材料から製作してもよい。好ましくは、線状
導電体は使用する絶縁材料の熱膨張係数に近い熱膨張係
数を有する材料から製作する。一例として、絶縁材料と
してガラスを使用する場合には、線状導電体はカーボン
製とすることができる。

【００７６】線状導電体に被覆する熱可塑性樹脂（これ
も絶縁材料の一つを構成する）は、製造する実装基板の
使用条件を考慮に入れて、耐熱性のものを選択するのが
好ましく、例えば熱可塑性ポリイミド樹脂などを使用す
ることができる。

【００７７】この方法では、樹脂で被覆した線状導電体
を絶縁材料の板のスルーホール内に挿入する。この板は
どのような絶縁材料から製作してもよく、またスルーホ
ールもどのような手法で形成してもよい。一例として、
ＨＯＹＡ社から入手できる所定のスルーホールをホトリ
ソグラフィー法で予め形成した感光性ガラスＰＥＧ３の
板などを好適に使用できる。この場合には、任意の厚さ
の板を使用可能であり、実装基板に要求される厚みに合
わせた板を使用することで、上記の各方法で行っていた
ブロック化後の切断工程を省くことができる。

【００７８】樹脂で被覆した導電体を挿入した絶縁材料
の板を、これまで説明した方法の場合と同様に熱処理す
れば、実装基板が得られる。得られた基板は、必要に応
じ、表面を研磨して平滑にすることができる。

【００７９】スルーホール付きの絶縁材料の板と樹脂被
覆した線状導電体を使用する実装基板の製造方法の例
を、図９を参照して説明する。

【００８０】予め直径０．２ｍｍのスルーホール９２を
あけた感光性ガラス（ＰＥＧ３）の板（ＨＯＹＡ社より
入手、厚さ２．０ｍｍ）９１を用意する。直径が０．１
５ｍｍで長さが２．０ｍｍの線状カーボン材料９３（虹
技株式会社より入手、熱膨張係数：３．１×１０^-6℃^-1
前後、融点：３５００℃）の側面に、デュポン社製熱可
塑性ポリイミド樹脂ＰＩ２６１１（熱膨張係数：５．２
×１０^-6℃^-1、ガラス転移点：３７０℃前後）を厚さ２
５μｍに被覆して、皮膜９４を形成する。次いで、皮膜
９４を形成したカーボン材料９３を板９１のスルーホー
ル９２に挿入し、そしてこの板９１を炉に入れて、窒素
雰囲気中で３７５℃、数十分の条件で熱処理する。樹脂
皮膜９４の溶融により、カーボン材料９３とガラス板９
１との隙間が埋められて実装基板が得られる。基板表面
を研磨し、必要に応じ側面を面取りしてから、基板の表
面と裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線層を
形成する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に
絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実装基
板を完成する。

【００８１】次に、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電
体を使用する実装基板の製造方法を説明する。線状の導
電体は、先に言及した導電体材料のワイヤでよい。ま
た、線状導電体に被覆する熱可塑性樹脂は、先に言及し
たポリイミド樹脂等の耐熱性熱可塑性樹脂であるのが好
ましい。

【００８２】側面に熱可塑性樹脂を被覆した所定の長さ
のワイヤを束ね、その束を炉に入れて熱処理を施し、熱
可塑性樹脂の溶融によりワイヤと樹脂をブロック化す
る。このブロックを所定の厚さにスライスして、実装基
板とする。得られた実装基板は、必要に応じ、表面を研
磨して平滑にすることができる。

【００８３】熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体から
実装基板を製造する例を、図１０を参照して説明する。

【００８４】まず、図１０（ａ）に示したように、直径
０．１５ｍｍのタングステンワイヤ１０１（熱膨張係
数：４．５×１０^-6℃^-1、融点：３６５３℃）の側面に
デュポン社製熱可塑性ポリイミド樹脂ＰＩ２６１１（熱
膨張係数：５．２×１０^-6℃^-1、ガラス転移点：３７０
℃前後）を１ｍｍの厚さで被覆して皮膜１０２を形成し
たものを、ワイヤ１０１が格子状に並ぶように束ねる。
この束を炉に入れて、窒素雰囲気中で３７５℃、数十分
の条件で熱処理する。樹脂皮膜１０２の溶融により、樹
脂材料中にワイヤが埋設されたブロックが得られる。炉
から取り出したブロックをスライスして所望の厚さの基
板１０３（図１０（ｂ））にする。この基板表面を研磨
し、側面は面取りし、続いて基板の表面と裏面に露出す
る導電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性薄
膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他の
配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。

【００８５】このように、基板を切り出すブロックの作
製のために熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用す
る場合、導電体の酸化を防ぐことができ、そのため熱処
理時の高温で酸化しやすい金属などを導電体として用い
るのが可能になる。例えば、導電体としてタングステン
やモリブデン等の熱膨張係数の小さい金属を用いる場
合、これらの金属は高温で酸化しやすい性質を持つた
め、絶縁材料としてガラスを使用するとその溶融を不活
性雰囲気下で行う必要があるが、軟化点の低いガラスは
酸化鉛等を多く含むため、不活性雰囲気下での溶融では
酸化鉛が還元されて鉛が析出する等、導電体とガラス粉
末の性質により、ガラスを溶融する炉が限定される問題
がある。熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用する
ことにより、このような問題を回避することができる。

【００８６】以上、本発明の例を説明してきたが、本発
明は各例に記載した構成及び条件に限られるものではな
く、各種の変更が可能である。例えば、本発明の各例に
おいては、埋め込む線状導電体としてＷ、Ｐｔあるいは
Ｇｅを用いているが、導電体はＷ、ＰｔあるいはＧｅに
限られるものではなく、ステンレス鋼やコバール等を用
いても良いものである。また、ガラスとして作業点の低
いガラスを用いた場合には、Ａｕ（融点１０６４．４
℃）やＣｕ（融点１０８４．５℃）等の低抵抗材料を用
いても良いものである。

【００８７】また、上記の例においては、線状導電体の
断面の直径を０．１５mmとしているが、０．１５mmに限
られるのではない。高密度実装化のためには、直径１ｍ
ｍ以下のものが好ましいが、直径１ｍｍを超える線状導
電体を用いても、もちろん本発明は実施可能である。さ
らに、線状導電体の断面は必ずしも円形である必要はな
く、楕円形、正方形、長方形、多角形、或いは、星型な
どであっても良いものである。

【００８８】また、上記の各例においては、絶縁材料の
ガラスとして、日本フェロー社製ガラスＭＳＸ−８１Ｐ
（商品名）、コーニング社製ガラス７７４０（商品名）
やパイレックスガラス、あるいはデュポン社製熱可塑性
ポリイミド樹脂ＰＩ２６１１を用いているが、絶縁材料
はこれらに限られないことは言うまでもないことであ
り、絶縁性と、硬度と、溶融時に線状導電体のピッチ間
に入り込める粘度があれば、いずれの絶縁性の材料を用
いても良いものである。

【００８９】また、枠状巻付け治具を用いる上記の例で
は粉末状のガラスを用いているが、予め溶融したガラス
を組み立てた治具を収容した坩堝内に流し込むようにし
ても良いものである。

【００９０】基板において配列する導電体のピッチは、
同一であってもよく、部分的に異なるようにしてもよ
い。例えば枠状巻付け治具を用いる場合、一つの枠状巻
付け治具において導電体を同一ピッチで巻回しても部分
的にピッチを変えて巻回しても良く、さらには、枠状巻
付け治具ごとに異なるピッチで導電体を巻回しても良い
ものである。同じく枠状巻付け治具を用いる上記の例に
おいては、列ピッチを枠状巻付け治具の厚さ及びスペー
サの厚さで規定しているが、これらの厚さは全て同じで
ある必要はなく、必要に応じて、各枠状巻付け治具毎或
いは各スペーサ毎に変えても良いものである。線状導電
体の周囲を取り巻く毛細管を用いる場合には、毛細管を
配列する間隔を調整することで、導電体のピッチを自由
に変えることができる。また、線状導電体を挿入する絶
縁材料の板のスルーホールの間隔を調整することによっ
ても、あるいは線状導電体を被覆する樹脂の厚みを調整
することによっても、導電体のピッチを容易に変えるこ
とができる。

【００９１】また、枠状巻付け治具を用いる上記の例に
おいては、枠状巻付け治具やそれ以外の治具（スペー
サ）及び坩堝をジルコニウムで構成しているが、絶縁材
料として作業点の低い日本フェロー社製ガラスＭＳＸ−
８１Ｐを使用する場合には、そのような材料との濡れ性
の悪い例えばステンレス鋼等を用いても良いものであ
る。

【００９２】

【発明の効果】本発明によれば、線状導電体をガラス等
の絶縁材料に埋め込む際に、線状導電体どうしの短絡を
生ずることなく、設計値通りの正確な微小ピッチで線状
導電体を埋め込んだ高密度実装基板を再現性良く実現す
ることができ、ひいては、高密度実装基板の低コスト化
及び信頼性の向上に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】枠状巻付け治具を使用する本発明の製造方法の
説明図である。

【図２】枠状巻付け治具を使用する本発明の製造方法に
よる実装基板の製造を例示する図である。

【図３】枠状巻付け治具を使用する従来の製造方法の説
明図である。

【図４】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法の一つの態様を説明する図である。

【図５】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法のもう一つの態様を説明する図であ
る。

【図６】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法の更にもう一つの態様を説明する図で
ある。

【図７】溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材料のペース
トを使用する本発明の製造方法を説明する図である。

【図８】溝に導電体を充填した絶縁材料の板と絶縁材料
のペーストを使用する本発明の製造方法を説明する図で
ある。

【図９】スルーホール付きの絶縁材料の板と樹脂被覆し
た線状導電体を使用する本発明の製造方法を説明する図
である。

【図１０】熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体から実
装基板を製造する本発明の方法を説明する図である。

【符号の説明】

１…線状の導電体 ２…枠状巻付け治具 ３…スペーサ ４…坩堝 ５…固定治具 １１…枠状巻付け治具 １２…貫通孔 １３…スペーサ １４…貫通孔 １５…棒状固定治具 １６…枠状押さえ部材 １７…貫通孔 １８…ネジ １９…坩堝 ２０…線状導電体 ２１…成形枠 ２２…線状の導電体 ２３…坩堝 ２４…溶融ガラス ２５…ガラスブロック ２６…切断線 ２７…ガラス基板 ２８…貫通導体 ４１、５１、６１…毛細管 ４２、５２、７３、１０１…ワイヤ ４３、６３、７１、８１…ガラス板 ４４、５４、６４、７５、８７…容器 ５５…ガラス粉末 ６７、７２、８２…溝 ７４、８４…ペースト層 ９１…感光性ガラスの板 ９２…スルーホール ９３…線状カーボン材料 ９４、１０２…樹脂皮膜 １０３…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今中 佳彦 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA27 BB01 BB11 CC08 CC10 CD31 GG01 GG16

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 枠状巻付け治具に線状の導電体を張力を
   掛けて巻回したのち、前記枠状巻付け治具を軟化した絶
   縁材料中に埋没させ、次いで、前記軟化した絶縁材料を
   固化させて絶縁体ブロックとしたのち、前記絶縁体ブロ
   ックを２片以上に切断することによって線状の導電体が
   表裏両面に貫通した表裏導通基板とすることを特徴とす
   る実装基板の製造方法。
2. 【請求項２】 上記線状の導電体を張力を掛けて巻回し
   た枠状巻付け治具を、スペーサを介して複数個積層させ
   たのち、上記軟化した絶縁材料中に埋設することを特徴
   とする請求項１記載の実装基板の製造方法。
3. 【請求項３】 実装基板の絶縁材料より高融点の材料製
   の毛細管内に線状の導電体を通す工程と、線状導電体を
   通した毛細管と絶縁材料とを同時に熱処理してブロック
   化する工程と、得られたブロックを切断する工程を含
   む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ブロック化を、（１）線状導電体を
   通した毛細管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、
   絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同時に熱処理するこ
   と、（２）溝を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそ
   れぞれの溝に入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及
   び導電体を同時に熱処理すること、あるいは、（３）毛
   細管を方向を揃えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材
   料粉末と毛細管及び導電体を同時に熱処理することによ
   って行う、請求項３記載の実装基板の製造方法。
5. 【請求項５】 絶縁材料の板に形成した溝に線状の導電
   体を入れ、当該絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
   ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
   工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
   理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
   する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造
   方法。
6. 【請求項６】 絶縁材料の板に形成した溝に導電体を充
   填する工程と、絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
   ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
   工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
   理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
   する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造
   方法。
7. 【請求項７】 絶縁材料の板に形成したスルーホール
   に、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体を入れる工程
   と、絶縁材料の板と導電体及び熱可塑性樹脂を同時に熱
   処理する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の
   製造方法。
8. 【請求項８】 熱可塑性樹脂で被覆した所定の長さの線
   状導電体の束を作る工程と、この束を熱処理してブロッ
   ク化する工程と、得られたブロックを切断する工程を含
   む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造方法。
9. 【請求項９】 絶縁材料の板と、周囲を熱可塑性樹脂で
   被覆され、当該絶縁材料の板に端面がその表裏面に露出
   するよう埋設されている導電体とを有することを特徴と
   する実装基板。