JP2001155998A - 半導体処理装置および半導体処理方法 - Google Patents
半導体処理装置および半導体処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの表面処理を行う際の処理速度の不均
一を補正することができ、ウエハ面内に均一な処理を行
うことのできる半導体処理装置および半導体処理方法を
提供する。 【解決手段】 化学気相成長装置でウエハＡ上にシリコ
ン酸化膜を成膜する場合、膜厚測定手段８により処理中
のウエハＡ上の膜厚分布を測定し、シーケンス制御装置
７と膜厚測定手段８とから、ウエハＡと加熱ステージ２
との相対位置の複数の組み合わせを選択し、それぞれの
相対位置での処理時間を最適化する。
一を補正することができ、ウエハ面内に均一な処理を行
うことのできる半導体処理装置および半導体処理方法を
提供する。 【解決手段】 化学気相成長装置でウエハＡ上にシリコ
ン酸化膜を成膜する場合、膜厚測定手段８により処理中
のウエハＡ上の膜厚分布を測定し、シーケンス制御装置
７と膜厚測定手段８とから、ウエハＡと加熱ステージ２
との相対位置の複数の組み合わせを選択し、それぞれの
相対位置での処理時間を最適化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体処理装置お
よび半導体処理方法に関し、特に成膜、エッチング、ア
ッシング、スパッタ等の処理装置および処理方法に関す
るものである。
よび半導体処理方法に関し、特に成膜、エッチング、ア
ッシング、スパッタ等の処理装置および処理方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化，薄膜化が進
み、ウエハの大口径化が進むなかで各処理工程における
ウエハ面内での均一性の精度向上が求められている。図
６は従来の半導体処理装置である化学気相成長装置の概
略断面図である。図６において、１は反応室、２は反応
室１内に設置された加熱ステージ、３はガス導入管、４
は排気管であり、ガス導入管３および排気管４は反応室
１に接続されている。さらに、Ａは半導体基板であるウ
エハであり、５は加熱ステージ２にウエハＡを保持する
際に使用する脱着機構である。
み、ウエハの大口径化が進むなかで各処理工程における
ウエハ面内での均一性の精度向上が求められている。図
６は従来の半導体処理装置である化学気相成長装置の概
略断面図である。図６において、１は反応室、２は反応
室１内に設置された加熱ステージ、３はガス導入管、４
は排気管であり、ガス導入管３および排気管４は反応室
１に接続されている。さらに、Ａは半導体基板であるウ
エハであり、５は加熱ステージ２にウエハＡを保持する
際に使用する脱着機構である。
【０００３】次に、図６に示した従来の半導体処理装置
を使用した処理方法について説明する。まず、脱着機構
５を使用して加熱ステージ２にウエハＡを保持する。次
に、ガス導入管３より複数の反応ガス、例えばＳｉＨ4
とＯ2とを供給し、気相反応によりウエハＡ表面にシリ
コン酸化膜を形成する。その後、排気管４を通して反応
後の残ガスを反応室１から外部へ排出する。
を使用した処理方法について説明する。まず、脱着機構
５を使用して加熱ステージ２にウエハＡを保持する。次
に、ガス導入管３より複数の反応ガス、例えばＳｉＨ4
とＯ2とを供給し、気相反応によりウエハＡ表面にシリ
コン酸化膜を形成する。その後、排気管４を通して反応
後の残ガスを反応室１から外部へ排出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体処理装置
および処理方法は以上のようであったので、例えば化学
気相反応装置の場合、加熱ステージ２上のウエハＡの位
置が図７（ａ）に示す位置であり、加熱ステージ２の面
内の温度分布が図７（ｂ）に示すものであれば、ウエハ
Ａ面内の温度分布は加熱ステージ２の面内の温度分布に
依存して不均一なものとなり、ウエハＡ表面の反応速度
も不均一なものとなってしまう。その結果、反応ガス流
を均一に制御する事ができたとしても、図７（ｃ）に示
すように、ウエハＡ上に成膜される膜厚が不均一なもの
となってしまうという問題点があった。
および処理方法は以上のようであったので、例えば化学
気相反応装置の場合、加熱ステージ２上のウエハＡの位
置が図７（ａ）に示す位置であり、加熱ステージ２の面
内の温度分布が図７（ｂ）に示すものであれば、ウエハ
Ａ面内の温度分布は加熱ステージ２の面内の温度分布に
依存して不均一なものとなり、ウエハＡ表面の反応速度
も不均一なものとなってしまう。その結果、反応ガス流
を均一に制御する事ができたとしても、図７（ｃ）に示
すように、ウエハＡ上に成膜される膜厚が不均一なもの
となってしまうという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ために成されたもので、半導体処理装置においてウエハ
の表面処理を行う際の処理速度の不均一を補正すること
ができ、ウエハ面内に均一な処理を行うことのできる半
導体処理装置および半導体処理方法を提供することを目
的としている。
ために成されたもので、半導体処理装置においてウエハ
の表面処理を行う際の処理速度の不均一を補正すること
ができ、ウエハ面内に均一な処理を行うことのできる半
導体処理装置および半導体処理方法を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体処理装置は、半導体基板処理中に加熱ステージ
と半導体基板との相対的な位置を変化させる機構を備え
るようにしたものである。
る半導体処理装置は、半導体基板処理中に加熱ステージ
と半導体基板との相対的な位置を変化させる機構を備え
るようにしたものである。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体処理装置
は、加熱ステージと半導体基板との相対的な位置を変化
させる機構が、前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱
ステージまたは／および前記半導体基板の移動機構と、
前記半導体基板面内の温度分布が均一になるように前記
脱着機構と前記移動機構とを自動制御する制御手段とか
ら構成されているようにしたものである。
は、加熱ステージと半導体基板との相対的な位置を変化
させる機構が、前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱
ステージまたは／および前記半導体基板の移動機構と、
前記半導体基板面内の温度分布が均一になるように前記
脱着機構と前記移動機構とを自動制御する制御手段とか
ら構成されているようにしたものである。
【０００８】この発明の請求項３に係る半導体処理装置
は、加熱ステージと半導体基板との相対的な位置を変化
させる機構が、前記半導体基板表面の膜厚測定手段と、
前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱ステージまたは
／および前記半導体基板の移動機構と、前記膜厚測定手
段により測定された前記半導体基板表面の膜厚分布が均
一になるように前記脱着機構と前記移動機構とを自動制
御する制御手段とから構成されているようにしたもので
る。
は、加熱ステージと半導体基板との相対的な位置を変化
させる機構が、前記半導体基板表面の膜厚測定手段と、
前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱ステージまたは
／および前記半導体基板の移動機構と、前記膜厚測定手
段により測定された前記半導体基板表面の膜厚分布が均
一になるように前記脱着機構と前記移動機構とを自動制
御する制御手段とから構成されているようにしたもので
る。
【０００９】この発明の請求項４に係る半導体処理装置
は、半導体処理装置が、化学気相成長装置、エッチング
処理装置、アッシング処理装置およびスパッタ処理装置
のいずれかであるものである。
は、半導体処理装置が、化学気相成長装置、エッチング
処理装置、アッシング処理装置およびスパッタ処理装置
のいずれかであるものである。
【００１０】この発明の請求項５に係る半導体処理装置
は、脱着機構により半導体基板と加熱ステージとを離間
した後、前記半導体基板または／および前記加熱ステー
ジを回転または／および平行移動することにより、前記
半導体基板面内の処理速度が一定になるように、前記半
導体基板表面の処理中の前記半導体基板と前記加熱ステ
ージとの相対的な位置を変化させるようにしたものであ
る。
は、脱着機構により半導体基板と加熱ステージとを離間
した後、前記半導体基板または／および前記加熱ステー
ジを回転または／および平行移動することにより、前記
半導体基板面内の処理速度が一定になるように、前記半
導体基板表面の処理中の前記半導体基板と前記加熱ステ
ージとの相対的な位置を変化させるようにしたものであ
る。
【００１１】この発明の請求項６に係る半導体処理装置
は、半導体基板面内の温度分布が均一になるように、半
導体基板と加熱ステージとの相対位置および処理時間を
制御するようにしたものである。
は、半導体基板面内の温度分布が均一になるように、半
導体基板と加熱ステージとの相対位置および処理時間を
制御するようにしたものである。
【００１２】この発明の請求項７に係る半導体処理装置
は、半導体基板表面の膜厚分布が均一になるように、前
記半導体基板と加熱ステージとの相対位置および処理時
間を制御するようにしたものである。
は、半導体基板表面の膜厚分布が均一になるように、前
記半導体基板と加熱ステージとの相対位置および処理時
間を制御するようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明の実
施の形態１における半導体処理装置である化学気相成長
装置の構成を概略的に示す断面図である。図１におい
て、１は反応室、２は反応室１内に設置された加熱ステ
ージ、３はガス導入管、４は排気管であり、ガス導入管
３および排気管４は反応室１に接続されている。さら
に、Ａは半導体基板であるウエハであり、５は加熱ステ
ージ２にウエハＡを保持する際に使用する脱着機構、６
は加熱ステージ２またはウエハＡを回転させるための移
動機構、７は脱着機構５および移動機構６を制御するた
めのシーケンス制御装置である。
施の形態１における半導体処理装置である化学気相成長
装置の構成を概略的に示す断面図である。図１におい
て、１は反応室、２は反応室１内に設置された加熱ステ
ージ、３はガス導入管、４は排気管であり、ガス導入管
３および排気管４は反応室１に接続されている。さら
に、Ａは半導体基板であるウエハであり、５は加熱ステ
ージ２にウエハＡを保持する際に使用する脱着機構、６
は加熱ステージ２またはウエハＡを回転させるための移
動機構、７は脱着機構５および移動機構６を制御するた
めのシーケンス制御装置である。
【００１４】次に、本発明の実施の形態１の半導体処理
装置である化学気相成長装置を使用した処理方法につい
て説明する。まず、脱着機構５を使用して加熱ステージ
２にウエハＡを保持する。次に、ガス導入管３より複数
の反応ガス、例えばＳｉＨ4とＯ2とを供給し、気相反応
によりウエハＡ表面にシリコン酸化膜を形成する。その
後、排気管４を通して反応後の残ガスを反応室１から外
部へ排出する。
装置である化学気相成長装置を使用した処理方法につい
て説明する。まず、脱着機構５を使用して加熱ステージ
２にウエハＡを保持する。次に、ガス導入管３より複数
の反応ガス、例えばＳｉＨ4とＯ2とを供給し、気相反応
によりウエハＡ表面にシリコン酸化膜を形成する。その
後、排気管４を通して反応後の残ガスを反応室１から外
部へ排出する。
【００１５】このとき、加熱ステージ２上のウエハＡの
位置が、図２（ａ）に示す位置であり、加熱ステージ２
の面内の温度分布が図２（ｂ）に示すものであれば、ウ
エハＡ面内の温度分布が加熱ステージ２面内の温度分布
に依存することからウエハＡ面内の温度分布も図２
（ｂ）に示すものとなる。その結果、ウエハＡ表面の反
応速度は加熱ステージ２の温度分布の影響を受け、図２
（ｃ）に示すように、ウエハＡ上に成膜される膜厚はウ
エハＡ面内で加熱ステージ２内の温度分布に依存する。
位置が、図２（ａ）に示す位置であり、加熱ステージ２
の面内の温度分布が図２（ｂ）に示すものであれば、ウ
エハＡ面内の温度分布が加熱ステージ２面内の温度分布
に依存することからウエハＡ面内の温度分布も図２
（ｂ）に示すものとなる。その結果、ウエハＡ表面の反
応速度は加熱ステージ２の温度分布の影響を受け、図２
（ｃ）に示すように、ウエハＡ上に成膜される膜厚はウ
エハＡ面内で加熱ステージ２内の温度分布に依存する。
【００１６】ここで、当然のことであるが、図２（ｄ）
に示すように、加熱ステージ２を１８０度回転させた位
置での加熱ステージ２の面内の温度分布は図２（ｅ）に
示すものとなる。その結果、ウエハＡ面内の反応速度は
加熱ステージ２内の温度分布に依存し、ウエハＡ上に成
膜される膜厚はウエハＡ面内で図２（ｆ）に示すものと
なる。
に示すように、加熱ステージ２を１８０度回転させた位
置での加熱ステージ２の面内の温度分布は図２（ｅ）に
示すものとなる。その結果、ウエハＡ面内の反応速度は
加熱ステージ２内の温度分布に依存し、ウエハＡ上に成
膜される膜厚はウエハＡ面内で図２（ｆ）に示すものと
なる。
【００１７】そこで、本発明では、まず図２（ａ）に示
すウエハＡと加熱ステージ２との相対位置での成膜処理
を行う。次に、脱着機構５によりウエハＡと加熱ステー
ジ２とを離間し、移動機構６によりウエハＡを固定して
加熱ステージ２のみを１８０度回転させる。その後、も
う一度脱着機構５を作動させることにより図２（ｄ）に
示すウエハＡと加熱ステージ２との相対位置で、ウエハ
Ａを加熱ステージ２上に保持して気相反応によりウエハ
Ａ表面にシリコン酸化膜を形成する。その結果、図３に
示すように、加熱ステージ２の面内温度分布が均一でな
くともウエハＡ上には均一な膜厚のシリコン酸化膜を形
成することができる。
すウエハＡと加熱ステージ２との相対位置での成膜処理
を行う。次に、脱着機構５によりウエハＡと加熱ステー
ジ２とを離間し、移動機構６によりウエハＡを固定して
加熱ステージ２のみを１８０度回転させる。その後、も
う一度脱着機構５を作動させることにより図２（ｄ）に
示すウエハＡと加熱ステージ２との相対位置で、ウエハ
Ａを加熱ステージ２上に保持して気相反応によりウエハ
Ａ表面にシリコン酸化膜を形成する。その結果、図３に
示すように、加熱ステージ２の面内温度分布が均一でな
くともウエハＡ上には均一な膜厚のシリコン酸化膜を形
成することができる。
【００１８】これら一連のウエハＡと加熱ステージ２と
の相対位置を変化させるための操作は、シーケンス制御
装置７によって制御されている。シーケンス制御装置７
には加熱ステージ２の処理時間に対する面内温度分布の
データが内蔵されており、脱着機構５が作動するタイミ
ングを制御するとともに、加熱ステージ２またはウエハ
Ａの回転角の制御を行っている。これにより、ウエハＡ
面内での反応速度を均一にでき、ウエハＡ面上に成膜さ
れるシリコン酸化膜の膜厚をウエハＡ面内で均一に形成
することができる。
の相対位置を変化させるための操作は、シーケンス制御
装置７によって制御されている。シーケンス制御装置７
には加熱ステージ２の処理時間に対する面内温度分布の
データが内蔵されており、脱着機構５が作動するタイミ
ングを制御するとともに、加熱ステージ２またはウエハ
Ａの回転角の制御を行っている。これにより、ウエハＡ
面内での反応速度を均一にでき、ウエハＡ面上に成膜さ
れるシリコン酸化膜の膜厚をウエハＡ面内で均一に形成
することができる。
【００１９】尚、ここではウエハＡと加熱ステージ２と
の相対位置を変化させる方法としてウエハＡを固定し
て、加熱ステージ２のみを回転させる方法について説明
を行ったが、加熱ステージ２を固定してウエハＡのみを
動かしても良いし、ウエハＡと加熱ステージ２との両者
を動かす場合も考えられる。要するに、ウエハＡと加熱
ステージ２との相対的な位置を変化させることができれ
ば良い。さらに、言うまでもないが、相対位置を変化さ
せる回数も一回に限ることなく複数回相対位置を変化さ
せ、半導体基板面内での反応速度を均一となるように調
整しても良い。また、回転に限ることなく、半導体基板
面内での反応速度を均一になるように半導体基板と加熱
ステージとの相対位置を変化させる方法であればよく、
平行移動させても良いし、回転と平行移動とを組み合わ
せても良い。
の相対位置を変化させる方法としてウエハＡを固定し
て、加熱ステージ２のみを回転させる方法について説明
を行ったが、加熱ステージ２を固定してウエハＡのみを
動かしても良いし、ウエハＡと加熱ステージ２との両者
を動かす場合も考えられる。要するに、ウエハＡと加熱
ステージ２との相対的な位置を変化させることができれ
ば良い。さらに、言うまでもないが、相対位置を変化さ
せる回数も一回に限ることなく複数回相対位置を変化さ
せ、半導体基板面内での反応速度を均一となるように調
整しても良い。また、回転に限ることなく、半導体基板
面内での反応速度を均一になるように半導体基板と加熱
ステージとの相対位置を変化させる方法であればよく、
平行移動させても良いし、回転と平行移動とを組み合わ
せても良い。
【００２０】また、ここでは化学気相成長装置でシリコ
ン酸化膜を成膜する場合について説明を行ったが、シリ
コン酸化膜以外の膜を成膜する場合についても同様に成
膜することができる。さらに、化学気相成長装置に限る
ことなく、エッチング処理装置、アッシング処理装置、
スパッタ処理装置等においても同様に半導体基板と加熱
ステージとの相対位置を変化させて、半導体基板面内に
おいて均一な半導体基板処理を行うことができる。
ン酸化膜を成膜する場合について説明を行ったが、シリ
コン酸化膜以外の膜を成膜する場合についても同様に成
膜することができる。さらに、化学気相成長装置に限る
ことなく、エッチング処理装置、アッシング処理装置、
スパッタ処理装置等においても同様に半導体基板と加熱
ステージとの相対位置を変化させて、半導体基板面内に
おいて均一な半導体基板処理を行うことができる。
【００２１】実施の形態２．上記実施の形態１では反応
室内のガス流やプラズマ流が均一な場合について説明を
行ったが、ここでは反応室内のガス流やプラズマ流が不
均一な場合も含んで説明を行う。
室内のガス流やプラズマ流が均一な場合について説明を
行ったが、ここでは反応室内のガス流やプラズマ流が不
均一な場合も含んで説明を行う。
【００２２】図４は本発明の実施の形態２の半導体処理
装置である化学気相成長装置の構成を概略的に示す断面
図である。図４において、１は反応室、２は反応室１内
に設置された加熱ステージ、３はガス導入管、４は排気
管であり、ガス導入管３および排気管４は反応室１に接
続されている。さらに、Ａは半導体基板であるウエハで
あり、５は加熱ステージ２にウエハＡを保持する際に使
用する脱着機構、６は加熱ステージ２またはウエハＡを
回転及び平行移動させるための移動機構、７は脱着機構
５および移動機構６を制御するためのシーケンス制御装
置、８は反応室１の近傍に設置された膜厚測定手段であ
る。
装置である化学気相成長装置の構成を概略的に示す断面
図である。図４において、１は反応室、２は反応室１内
に設置された加熱ステージ、３はガス導入管、４は排気
管であり、ガス導入管３および排気管４は反応室１に接
続されている。さらに、Ａは半導体基板であるウエハで
あり、５は加熱ステージ２にウエハＡを保持する際に使
用する脱着機構、６は加熱ステージ２またはウエハＡを
回転及び平行移動させるための移動機構、７は脱着機構
５および移動機構６を制御するためのシーケンス制御装
置、８は反応室１の近傍に設置された膜厚測定手段であ
る。
【００２３】シーケンス制御装置７にはウエハＡと加熱
ステージ２との相対位置と、そのそれぞれの相対位置で
の加熱ステージ２の面内温度分布に基ずく処理速度の面
内プロファイルと、が記憶保持されている。また、膜厚
測定手段８は処理中のウエハＡ上の膜厚分布を測定する
ものである。したがって、シーケンス制御装置７と膜厚
測定手段８とから、ウエハＡと加熱ステージ２との相対
位置の複数の組み合わせを選択し、それぞれの相対位置
での処理時間を最適化することによりウエハＡ上に均一
な処理を行うことができる。
ステージ２との相対位置と、そのそれぞれの相対位置で
の加熱ステージ２の面内温度分布に基ずく処理速度の面
内プロファイルと、が記憶保持されている。また、膜厚
測定手段８は処理中のウエハＡ上の膜厚分布を測定する
ものである。したがって、シーケンス制御装置７と膜厚
測定手段８とから、ウエハＡと加熱ステージ２との相対
位置の複数の組み合わせを選択し、それぞれの相対位置
での処理時間を最適化することによりウエハＡ上に均一
な処理を行うことができる。
【００２４】次に、本発明の実施の形態２の半導体処理
装置である化学気相成長装置を使用した処理方法につい
て説明する。まず、脱着機構５を使用して加熱ステージ
２にウエハＡを保持する。次に、ガス導入管３より複数
の反応ガス、例えばＳｉＨ4とＯ2とを供給し、気相反応
によりウエハＡ表面にシリコン酸化膜を形成する。
装置である化学気相成長装置を使用した処理方法につい
て説明する。まず、脱着機構５を使用して加熱ステージ
２にウエハＡを保持する。次に、ガス導入管３より複数
の反応ガス、例えばＳｉＨ4とＯ2とを供給し、気相反応
によりウエハＡ表面にシリコン酸化膜を形成する。
【００２５】このとき、シリコン酸化膜の成膜処理中に
おいて、膜厚測定手段８によりウエハＡ上のシリコン酸
化膜の膜厚分布を測定する。その結果、例えば、加熱ス
テージ２上のウエハＡの位置が図５（ａ）に示す位置で
あり、その膜厚分布の測定結果が図５（ｂ）に示す分布
となる。そこで、シーケンス制御装置７は加熱ステージ
２の温度分布が図５（ｄ）となり、膜厚分布が図５
（ｅ）に示す分布となるように、ウエハＡと加熱ステー
ジ２との相対位置と成膜の処理時間とを選択して、成膜
処理を行う。
おいて、膜厚測定手段８によりウエハＡ上のシリコン酸
化膜の膜厚分布を測定する。その結果、例えば、加熱ス
テージ２上のウエハＡの位置が図５（ａ）に示す位置で
あり、その膜厚分布の測定結果が図５（ｂ）に示す分布
となる。そこで、シーケンス制御装置７は加熱ステージ
２の温度分布が図５（ｄ）となり、膜厚分布が図５
（ｅ）に示す分布となるように、ウエハＡと加熱ステー
ジ２との相対位置と成膜の処理時間とを選択して、成膜
処理を行う。
【００２６】その後、排気管４を通して反応後の残ガス
を反応室１から外部へ排出する。その結果、ウエハＡ上
には、図３に示すような均一な膜厚のシリコン酸化膜を
形成することができる。
を反応室１から外部へ排出する。その結果、ウエハＡ上
には、図３に示すような均一な膜厚のシリコン酸化膜を
形成することができる。
【００２７】この様にすれば、加熱ステージ２の面内温
度分布だけでなく、半導体処理に係わる様々な要因に対
して，常に均一な半導体処理を行うことができ、ウエハ
Ａに対して高精度に均一な処理を行うことができる。
度分布だけでなく、半導体処理に係わる様々な要因に対
して，常に均一な半導体処理を行うことができ、ウエハ
Ａに対して高精度に均一な処理を行うことができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
基板処理中に加熱ステージと半導体基板との相対的な位
置を変化させる機構を備えるようにしたので、半導体基
板面内での処理速度を均一にすることができ、半導体基
板上へ均一な処理を施すことができる。
基板処理中に加熱ステージと半導体基板との相対的な位
置を変化させる機構を備えるようにしたので、半導体基
板面内での処理速度を均一にすることができ、半導体基
板上へ均一な処理を施すことができる。
【００２９】また、加熱ステージと半導体基板との相対
的な位置を変化させる機構が、前記半導体基板の脱着機
構と、前記加熱ステージまたは／および前記半導体基板
の移動機構と、前記半導体基板面内の温度分布が均一に
なるように前記脱着機構と前記移動機構とを自動制御す
る制御手段とから構成されているようにしたので、処理
中の半導体基板面内での温度分布を均一にすることがで
きる。
的な位置を変化させる機構が、前記半導体基板の脱着機
構と、前記加熱ステージまたは／および前記半導体基板
の移動機構と、前記半導体基板面内の温度分布が均一に
なるように前記脱着機構と前記移動機構とを自動制御す
る制御手段とから構成されているようにしたので、処理
中の半導体基板面内での温度分布を均一にすることがで
きる。
【００３０】また、加熱ステージと半導体基板との相対
的な位置を変化させる機構が、前記半導体基板表面の膜
厚測定手段と、前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱
ステージまたは／および前記半導体基板の移動機構と、
前記膜厚測定手段により測定された前記半導体基板表面
の膜厚分布が均一になるように前記脱着機構と前記移動
機構とを自動制御する制御手段とから構成されているよ
うにしたので、半導体基板への均一な処理が常に、かつ
高精度に行うことができる。
的な位置を変化させる機構が、前記半導体基板表面の膜
厚測定手段と、前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱
ステージまたは／および前記半導体基板の移動機構と、
前記膜厚測定手段により測定された前記半導体基板表面
の膜厚分布が均一になるように前記脱着機構と前記移動
機構とを自動制御する制御手段とから構成されているよ
うにしたので、半導体基板への均一な処理が常に、かつ
高精度に行うことができる。
【００３１】また、半導体処理装置が、化学気相成長装
置、エッチング処理装置、アッシング処理装置およびス
パッタ処理装置のいずれかであるので、それぞれの装置
において、半導体基板面内の処理速度を均一にすること
ができ、半導体基板上へ均一な処理を施すことができ
る。
置、エッチング処理装置、アッシング処理装置およびス
パッタ処理装置のいずれかであるので、それぞれの装置
において、半導体基板面内の処理速度を均一にすること
ができ、半導体基板上へ均一な処理を施すことができ
る。
【００３２】また、脱着機構により半導体基板と加熱ス
テージとを離間した後、前記半導体基板または／および
前記加熱ステージを回転または／および平行移動するこ
とにより、前記半導体基板面内の処理速度が一定になる
ように、前記半導体基板表面の処理中の前記半導体基板
と前記加熱ステージとの相対的な位置を変化させるよう
にしたので、半導体基板面内での処理速度を均一にする
ことができ、半導体基板上への処理を均一に行うことが
できる。
テージとを離間した後、前記半導体基板または／および
前記加熱ステージを回転または／および平行移動するこ
とにより、前記半導体基板面内の処理速度が一定になる
ように、前記半導体基板表面の処理中の前記半導体基板
と前記加熱ステージとの相対的な位置を変化させるよう
にしたので、半導体基板面内での処理速度を均一にする
ことができ、半導体基板上への処理を均一に行うことが
できる。
【００３３】また、半導体基板面内の温度分布が均一に
なるように、半導体基板と加熱ステージとの相対位置お
よび処理時間を制御するようにしたので、処理中の半導
体基板面内での温度分布を均一にすることができ、半導
体基板面内の処理速度を均一にすることができる。
なるように、半導体基板と加熱ステージとの相対位置お
よび処理時間を制御するようにしたので、処理中の半導
体基板面内での温度分布を均一にすることができ、半導
体基板面内の処理速度を均一にすることができる。
【００３４】また、半導体基板表面の膜厚分布が均一に
なるように、前記半導体基板と加熱ステージとの相対位
置および処理時間を制御するようにしたので、半導体基
板への均一な処理が常に、かつ高精度に行うことができ
る。
なるように、前記半導体基板と加熱ステージとの相対位
置および処理時間を制御するようにしたので、半導体基
板への均一な処理が常に、かつ高精度に行うことができ
る。
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体処理装置の構
成を概略的に示す断面図である。
成を概略的に示す断面図である。
【図２】 半導体基板と加熱ステージとの相対位置とそ
の位置での面内温度分布および膜厚を示す図である。
の位置での面内温度分布および膜厚を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態１の半導体処理装置を使
用して成膜したウエハの断面図である。
用して成膜したウエハの断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２の半導体処理装置の構
成を概略的に示す断面図である。
成を概略的に示す断面図である。
【図５】 半導体基板と加熱ステージとの相対位置とそ
の位置での面内温度分布および膜厚を示す図である。
の位置での面内温度分布および膜厚を示す図である。
【図６】 従来の半導体処理装置の構成を概略的に示す
断面図である。
断面図である。
【図７】 従来の半導体基板と加熱ステージとの相対位
置とその位置での面内温度分布および膜厚を示す図であ
る。
置とその位置での面内温度分布および膜厚を示す図であ
る。
１ 反応室、２ 加熱ステージ、５ 脱着機構、６ 移
動機構、７ シーケンス制御装置、８ 膜厚測定手段、
Ａ ウエハ。
動機構、７ シーケンス制御装置、８ 膜厚測定手段、
Ａ ウエハ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 AA01 AA13 AB17 CA48 DH02 DH04 DH44 DH46 DH55 DJ06 DJ18 DJ19 DJ32 DJ38 5F004 AA01 BB16 BB17 BB18 BB21 BB26 BC06 BD04 CA04 CB12 5F045 AA03 AB32 AC01 AC11 AF03 DP03 DP28 EB02 EM02 EM09 EM10 EN04 EN06 GB05 GB09 GB13 GB15
Claims (7)
- 【請求項１】 反応室と、前記反応室内に脱着機構と加
熱ステージとを備え、前記脱着機構により前記加熱ステ
ージ上に半導体基板を保持して、前記半導体基板表面に
処理を施す半導体処理装置において、 前記半導体基板処理中に、前記加熱ステージと前記半導
体基板との相対的な位置を変化させる機構を備えること
を特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項２】 加熱ステージと半導体基板との相対的な
位置を変化させる機構が、前記半導体基板の脱着機構
と、前記加熱ステージまたは／および前記半導体基板の
移動機構と、前記半導体基板面内の温度分布が均一にな
るように前記脱着機構と前記移動機構とを自動制御する
制御手段と、から構成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体処理装置。 - 【請求項３】 加熱ステージと半導体基板との相対的な
位置を変化させる機構が、前記半導体基板表面の膜厚測
定手段と、前記半導体基板の脱着機構と、前記加熱ステ
ージまたは／および前記半導体基板の移動機構と、前記
膜厚測定手段により測定された前記半導体基板表面の膜
厚分布が均一になるように前記脱着機構と前記移動機構
とを自動制御する制御手段とから構成されていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置。 - 【請求項４】 半導体処理装置が、化学気相成長装置、
エッチング処理装置、アッシング処理装置およびスパッ
タ処理装置のいずれかであることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の半導体処理装置。 - 【請求項５】 反応室内の加熱ステージ上に脱着機構に
より半導体基板を保持して、前記半導体基板表面に処理
を施す半導体処理方法において、 前記脱着機構により前記半導体基板と前記加熱ステージ
とを離間した後、前記半導体基板または／および前記加
熱ステージを回転または／および平行移動することによ
り、前記半導体基板面内の処理速度が一定になるよう
に、前記半導体基板表面の処理中の前記半導体基板と前
記加熱ステージとの相対的な位置を変化させるようにし
たことを特徴とする半導体処理方法。 - 【請求項６】 半導体基板面内の温度分布が均一になる
ように、半導体基板と加熱ステージとの相対位置および
処理時間を制御することを特徴とする請求項５に記載の
半導体処理方法。 - 【請求項７】 半導体基板表面の膜厚分布が均一になる
ように、前記半導体基板と加熱ステージとの相対位置お
よび処理時間を制御することを特徴とする請求項５に記
載の半導体処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33363399A JP2001155998A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体処理装置および半導体処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33363399A JP2001155998A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体処理装置および半導体処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001155998A true JP2001155998A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18268240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33363399A Pending JP2001155998A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体処理装置および半導体処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001155998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037075A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置 |
| WO2019087715A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、及び成膜方法 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33363399A patent/JP2001155998A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037075A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置 |
| WO2003012848A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
| US7179334B2 (en) | 2001-07-26 | 2007-02-20 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on substrate being processed |
| KR100778617B1 (ko) * | 2001-07-26 | 2007-11-22 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 피처리 기판에 대해 반도체 처리를 실시하기 위한 시스템및 방법 |
| US8153451B2 (en) | 2001-07-26 | 2012-04-10 | Tokyo Electron Limited | System and method for performing semiconductor processing on target substrate |
| WO2019087715A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、及び成膜方法 |
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