JP2001144243A - Preventive safety device for semiconductor integrated circuits - Google Patents
Preventive safety device for semiconductor integrated circuitsInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路は、半導体メーカーが予想で
きない保証環境温度を越えて使用することにより、半導
体の寿命が保証期間より短くなり、予期せぬ製品不良を
発生させるおそれがあるという課題があった。
【解決手段】 周囲温度を定期的に計測する温度検出装
置と、検出温度が規格範囲内ならば+1,規格範囲外な
らば+2して不揮発性メモリに記憶する演算装置と、前
記記憶カウント値が予め決めた設定値を超えたとき警報
を発する出力装置とを備えたものである。
(57) [Summary] [PROBLEMS] A semiconductor integrated circuit is used at a temperature exceeding a guaranteed environment temperature which cannot be predicted by a semiconductor maker. There was a problem that there was. SOLUTION: A temperature detecting device for periodically measuring an ambient temperature, an arithmetic device for storing +1 when the detected temperature is within a specified range and +2 when the detected temperature is out of a specified range in a nonvolatile memory; An output device for issuing an alarm when a predetermined set value is exceeded.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばマイクロ
コンピュータを構成する半導体集積回路の予防安全装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit constituting, for example, a microcomputer.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にマイクロコンピュータは半導体集
積回路により構成されており、使用場所の環境温度によ
って寿命が決まってくる。そこで、半導体メーカは予め
保証すべき環境温度に応じて信頼性試験を実施し、納入
先メーカーに対し寿命を保証している。2. Description of the Related Art Generally, a microcomputer is constituted by a semiconductor integrated circuit, and its life is determined by the environmental temperature at the place of use. Therefore, semiconductor manufacturers carry out reliability tests in advance according to the environmental temperature to be guaranteed, and guarantee the service life to the manufacturer to which the semiconductor device is to be delivered.
【0003】ところが、納入先メーカーにおいては、保
証温度を逸脱した環境温度において使用される場合があ
り、極端な場合は半導体自身の寿命を著しく短くし、予
期しない製品不良を発生させることがある。[0003] However, in some cases, the manufacturer of the delivery destination is used at an environmental temperature that deviates from the guaranteed temperature. In an extreme case, the life of the semiconductor itself is significantly shortened, and unexpected product failure may occur.
【0004】図7は半導体メーカーが保証する温度で使
用した場合、デバイスの信頼性を保証する半導体の寿命
を示す模式図であり、図示例は保証温度85℃で使用す
れば、10年間の寿命が保証されている。従って、半導
体メーカーはこのスペックを満たすことを信頼性試験に
より確認し、また、納入先メーカーもこの保証スペック
を満足するようにシステムを構成し、必要に応じて製品
の信頼性試験を実施する。FIG. 7 is a schematic diagram showing the life of a semiconductor which guarantees the reliability of a device when used at a temperature guaranteed by a semiconductor maker. Is guaranteed. Therefore, a semiconductor manufacturer confirms that the specifications are satisfied by a reliability test, and a destination manufacturer configures a system so as to satisfy the guaranteed specifications and performs a product reliability test as necessary.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
は以上のように構成されているので、半導体メーカーが
保証する温度で使用すればよいが、図8に示すように、
半導体メーカーが予想できない保証環境温度85℃を越
えて使用(図示例は保証環境温度85℃を2度越えてい
る)した場合、半導体の寿命が保証期間より短い7年と
なり、予期せぬ製品不良を発生させるおそれがあるとい
う課題があった。なお、従来、この種の予防保全装置と
して例えば、特開平11−175112号公報、特開平
2−17462号公報、特開平6−61414号公報が
ある。Since the conventional semiconductor integrated circuit is configured as described above, it may be used at a temperature guaranteed by the semiconductor maker. As shown in FIG.
If the semiconductor device is used beyond the guaranteed environmental temperature of 85 ° C, which cannot be predicted by the semiconductor manufacturer (in the example shown, the temperature exceeds the guaranteed environmental temperature of 85 ° C twice), the life of the semiconductor becomes 7 years shorter than the guaranteed period, and unexpected product failure There is a problem that there is a risk of generating the problem. Conventionally, as this kind of preventive maintenance device, there are, for example, JP-A-11-175112, JP-A-2-17462, and JP-A-6-61414.
【0006】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、使用環境温度によって変化する半
導体集積装置の寿命を検知して適切に報知することので
きる半導体集積回路の予防安全装置を得ることを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit capable of detecting the life of a semiconductor integrated device that changes depending on a use environment temperature and appropriately notifying the same. The purpose is to obtain.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路の予防安全装置は、周囲温度を定期的に計測する
温度検出装置と、検出温度が規格範囲外の場合、カウン
ト値に重み付けして不揮発性メモリに記憶する演算装置
とを備え、出力装置は前記記憶カウント値が予め決めた
設定値を超えたとき警報を発するものである。According to the present invention, there is provided a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit, comprising: a temperature detecting device for periodically measuring an ambient temperature; and a weighted count value when the detected temperature is out of a specified range. And an arithmetic unit for storing in a non-volatile memory, wherein the output unit issues an alarm when the storage count value exceeds a predetermined set value.
【0008】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置の重み付けは、検出温度が規格範囲内ならば+1、
規格範囲外ならば+2するものである。The weight of the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention is +1 if the detected temperature is within a specified range.
If it is out of the standard range, +2 is added.
【0009】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、検出温度が規格範囲外の場合、その規格範囲か
らの温度差に応じてカウント値に重み付けをしたもので
ある。In the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, when the detected temperature is out of a specified range, the count value is weighted according to a temperature difference from the specified range.
【0010】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、検出温度が規格範囲以下の場合は、その規格範
囲からの温度差に応じてカウント値を減算するものであ
る。In the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, when the detected temperature is below a specified range, the count value is subtracted according to a temperature difference from the specified range.
【0011】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、周囲温度を定期的に計測する温度検出装置と、
電源電圧を検出する電源電圧検出装置と、検出温度が規
格範囲外の場合、カウント値に重み付けするとともに、
検出電圧が規格範囲外の場合、カウント値に重み付けを
行なって不揮発性メモリに記憶する演算手段とを備え、
出力手段は温度カウント値と電圧カウント値との積が予
め決めた設定値を超えたとき警報を発するものである。[0011] A preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises: a temperature detecting device for periodically measuring an ambient temperature;
A power supply voltage detection device that detects the power supply voltage, and if the detected temperature is out of the specified range, weights the count value,
Calculating means for weighting the count value and storing the weighted count value in the nonvolatile memory when the detection voltage is out of the standard range;
The output means issues an alarm when the product of the temperature count value and the voltage count value exceeds a predetermined set value.
【0012】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置の重み付けは、検出温度が規格範囲内ならば+1、
規格範囲外ならば+2するとともに、検出電圧が規格範
囲内ならば+1、規格範囲外ならば+2するものであ
る。The weight of the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention is +1 if the detected temperature is within a specified range.
When the detected voltage is outside the specified range, the value is increased by +2.
【0013】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置の重み付けは、規格範囲からの温度差が大きくなる
に応じてカウント値を大きくするとともに、規格範囲か
らの電圧差に応じてカウント値を大きくするものであ
る。The weighting of the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention increases the count value as the temperature difference from the standard range increases, and increases the count value according to the voltage difference from the standard range. Is what you do.
【0014】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、検出温度が規格範囲以下の場合は、その規格範
囲からの温度差に応じてカウント値を減算するととも
に、検出電圧が規格範囲内の場合は、その規格範囲から
の電圧差に応じてカウント値を減算するものである。In the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, when the detected temperature is below the standard range, the count value is subtracted according to the temperature difference from the standard range, and the detected voltage is within the standard range. In such a case, the count value is subtracted according to the voltage difference from the standard range.
【0015】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、カウント値が設定値を越えたとき、そのときの
時刻を不揮発性メモリに記憶するものである。In the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, when the count value exceeds a set value, the time at that time is stored in a nonvolatile memory.
【0016】この発明に係る半導体集積回路の予防安全
装置は、半導体に温度センサを設け、半導体自身の温度
を検出するものである。In the preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to the present invention, a semiconductor is provided with a temperature sensor to detect the temperature of the semiconductor itself.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による半
導体集積回路の予防安全装置を備えたマイコンシステム
を示すブロック図であり、1はCPU、2はCPU1の
動作を制御するプログラムを記憶した第1の記憶装置、
3はCPU1における演算結果を記憶する第2の記憶装
置、4はCPU1に対する割り込み時間を計測する時間
計測装置、5は使用環境温度を検出する温度検出装置、
6はCPU1の演算結果を外部に通知する出力装置、7
は各装置1〜6の相互を接続するバスである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a microcomputer system having a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention, wherein 1 is a CPU, and 2 is a first storage storing a program for controlling the operation of the CPU 1. apparatus,
3 is a second storage device for storing the calculation result in the CPU 1, 4 is a time measuring device for measuring an interrupt time for the CPU 1, 5 is a temperature detecting device for detecting a use environment temperature,
Reference numeral 6 denotes an output device for notifying an operation result of the CPU 1 to the outside;
Is a bus connecting the devices 1 to 6 to each other.
【0018】次に動作について説明する。図2は動作を
説明するフローチャートである。特に図示していない
が、通常マイコンシステムは、そのシステムの動作を実
現するために種々のプログラムを実行している。時間計
測装置4は時間を計測し定期的に、CPU1に割り込み
をかける。CPU1は割り込みを受け付けると、他のプ
ログラムと同様、第1の記憶装置2に格納されている温
度判定プログラムを実行する。Next, the operation will be described. FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation. Although not specifically shown, the microcomputer system usually executes various programs to realize the operation of the system. The time measuring device 4 measures time and interrupts the CPU 1 periodically. When receiving the interrupt, the CPU 1 executes the temperature determination program stored in the first storage device 2 like the other programs.
【0019】まず、温度検出装置5で温度検出を行い
(ステップST1)、検出された環境温度が予め第2の
記憶装置3に記憶されている規格範囲外かどうかを判定
する(ステップST2)。検出された環境温度が規格範
囲内(NO)であれば、通常カウント、例えば+1をカ
ウントし(ステップST3)、規格範囲外(YES)で
あれば、割り増しカウント、例えば+2をカウントする
(ステップST4)。First, the temperature is detected by the temperature detecting device 5 (step ST1), and it is determined whether or not the detected environmental temperature is outside the standard range stored in the second storage device 3 in advance (step ST2). If the detected environmental temperature is within the standard range (NO), a normal count, for example, +1 is counted (step ST3). If the detected environmental temperature is outside the standard range (YES), an extra count, for example, +2 is counted (step ST4). ).
【0020】カウント方法は、第2の記憶装置3に記憶
している以前のカウント値を読み出してこれに加算し、
加算後、再び加算値を第2の記憶装置3に格納する。こ
のようにして、加算した加算値が予め定めた基準値以上
に達したかどうかを判定し(ステップST5)、基準値
に達しない場合(NO)は温度判定プログラムを終了す
る。もし、カウント値が基準値に達した場合(YES、
つまり、寿命が近くなった)は、出力装置6により外部
にアラームを出力する(ステップST6)。In the counting method, the previous count value stored in the second storage device 3 is read and added thereto,
After the addition, the added value is stored in the second storage device 3 again. In this way, it is determined whether or not the added value has reached or exceeded a predetermined reference value (step ST5). If the reference value has not been reached (NO), the temperature determination program ends. If the count value has reached the reference value (YES,
That is, when the life is near, the alarm is output to the outside by the output device 6 (step ST6).
【0021】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、半導体メーカーが指定する使用環境外で使用された
場合においても、その半導体の寿命を予測してアラーム
を発することにより、半導体は規格外の使われ方をされ
た場合にも、寿命を予知し、製品を使用するユーザに対
し安全性を確保することができる。As described above, according to the first embodiment, even when the semiconductor device is used outside the usage environment specified by the semiconductor manufacturer, the life of the semiconductor is predicted and an alarm is issued, whereby the semiconductor is standardized. Even when the product is used outside, it is possible to predict the life and to ensure safety for the user who uses the product.
【0022】実施の形態2.上記実施の形態1では、環
境温度が規格範囲内であれば、通常カウント、例えば+
1をカウントし、規格範囲外であれば、割り増しカウン
ト、例えば+2をカウントすることとしたが、この実施
の形態2では、検出温度が規格範囲外の場合、その規格
範囲からの温度差に応じてカウント値に重み付けをした
もので、一般に環境温度が高温になるほど半導体の寿命
は短くなるからである。規格温度85℃の場合の重み付
けは例えば次の通りである。 検出温度85℃〜105℃のときは+2をカウント 検出温度105℃〜125℃のときは+4をカウント 検出温度125℃以上のときは+8をカウント のように、検出温度に応じて、2,4,8のようにカウ
ント値に異なる重み付けをする。Embodiment 2 FIG. In the first embodiment, if the environmental temperature is within the standard range, the normal count, for example, +
1 is counted, and if it is out of the standard range, an extra count, for example, +2, is counted. However, in the second embodiment, when the detected temperature is out of the standard range, it is determined according to the temperature difference from the standard range. This is because the count value is weighted, and the life of the semiconductor generally becomes shorter as the environmental temperature becomes higher. The weighting when the standard temperature is 85 ° C. is, for example, as follows. Count +2 when the detected temperature is 85 ° C to 105 ° C Count +4 when the detected temperature is 105 ° C to 125 ° C Count +8 when the detected temperature is 125 ° C or higher. , 8, different weights are applied to the count value.
【0023】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、規格値からの温度差に応じてカウント値に重み付け
をしたことにより、半導体の寿命予知の精度をさらに向
上することができる。As described above, according to the second embodiment, since the count value is weighted in accordance with the temperature difference from the standard value, the accuracy of predicting the life of the semiconductor can be further improved.
【0024】実施の形態3.上記実施の形態1,2で
は、環境温度が規格範囲外であれば、割り増しカウント
することとしたが、この実施の形態3では、環境温度が
規格範囲内、つまり低い温度で使用されるとそれだけ寿
命が延びるので、カウント値を減ずるように重み付けを
行う。この重み付けは例えば検出温度25℃〜50℃の
ときは−1をカウントする。Embodiment 3 FIG. In the first and second embodiments, if the environmental temperature is out of the standard range, the extra counting is performed. However, in the third embodiment, when the environmental temperature is within the standard range, that is, when the ambient temperature is used at a low temperature, the extra counting is performed. Since the life is extended, weighting is performed so as to reduce the count value. This weighting counts, for example, −1 when the detected temperature is 25 ° C. to 50 ° C.
【0025】実施の形態4.図3はこの発明の実施の形
態4による半導体集積回路の予防安全装置を備えたマイ
コンシステムを示すブロック図であり、8は電源電圧を
検出する電源電圧検出装置であり、バス7に接続されて
いる。なお、他の構成は前記図1に示した実施の形態1
と同一であるから、同一部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。Embodiment 4 FIG. 3 is a block diagram showing a microcomputer system provided with a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention. Reference numeral 8 denotes a power supply voltage detecting device for detecting a power supply voltage. I have. The other configuration is the same as that of the first embodiment shown in FIG.
Therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【0026】次に動作について説明する。図4は動作を
説明するフローチャートである。特に図示していない
が、通常マイコンシステムは、そのシステムの動作を実
現するために種々のプログラムを実行している。時間計
測装置4は時間を計測し定期的に、CPU1に割り込み
をかける。CPU1は割り込みを受け付けると、他のプ
ログラムと同様、第1の記憶装置2に格納されている温
度/電圧判定プログラムを実行する。Next, the operation will be described. FIG. 4 is a flowchart illustrating the operation. Although not specifically shown, the microcomputer system usually executes various programs to realize the operation of the system. The time measuring device 4 measures time and interrupts the CPU 1 periodically. When receiving the interrupt, the CPU 1 executes the temperature / voltage determination program stored in the first storage device 2 like the other programs.
【0027】まず、温度検出装置5で温度検出を行い
(ステップST11)、検出された環境温度が予め第2
の記憶装置3に記憶されている規格範囲外かどうかを判
定する(ステップST12)。検出された環境温度が規
格範囲内(NO)であれば、通常カウント、例えば+1
をカウントし(ステップST13)、規格範囲外(YE
S)であれば、割り増しカウント、例えば+2をカウン
トする(ステップST14)。このカウント方法は、第
2の記憶装置3に記憶している以前のカウント値を読み
出してこれに加算し、加算後、再び加算値を第2の記憶
装置3に格納する。First, the temperature is detected by the temperature detecting device 5 (step ST11), and the detected environmental temperature is determined in advance by the second temperature.
It is determined whether the data is out of the standard range stored in the storage device 3 (step ST12). If the detected environmental temperature is within the standard range (NO), the normal count, for example, +1
Are counted (step ST13), and out of the standard range (YE
If S), an extra count, for example, +2 is counted (step ST14). According to this counting method, the previous count value stored in the second storage device 3 is read out, added to this value, and after the addition, the added value is stored in the second storage device 3 again.
【0028】次に電源電圧検出装置8で電圧検出を行
い、検出された電圧が予め第2の記憶装置3に記憶され
ている規格範囲外かどうかを判定する(ステップST1
5)。検出された電圧が規格範囲内(NO)であれば、
通常カウント、例えば+1をカウントし(ステップST
16)、規格範囲外(YES)であれば、割り増しカウ
ント、例えば+2をカウントする(ステップST1
7)。このカウント方法は上記の場合と同様に、第2の
記憶装置3に記憶している以前のカウント値を読み出し
てこれに加算し、加算後、再び加算値を第2の記憶装置
3に格納する。Next, voltage detection is performed by the power supply voltage detector 8, and it is determined whether the detected voltage is out of the standard range stored in the second storage device 3 in advance (step ST1).
5). If the detected voltage is within the standard range (NO),
A normal count, for example, +1 is counted (step ST
16) If it is out of the standard range (YES), an extra count, for example, +2 is counted (step ST1).
7). In this counting method, similarly to the above case, the previous count value stored in the second storage device 3 is read and added thereto, and after the addition, the added value is stored in the second storage device 3 again. .
【0029】このようにして求めた温度カウンタ値と電
圧カウンタ値を積算し、その積算値が予め定めた基準値
に達したかどうかを判定し(ステップST18)、基準
値に達しない場合(NO)は温度/電圧判定プログラム
を終了する。もし、カウント値が基準値に達した場合
(YES、つまり、寿命が近くなった)、出力装置6に
より外部にアラームを出力する(ステップST19)。The temperature counter value and the voltage counter value thus obtained are integrated, and it is determined whether or not the integrated value has reached a predetermined reference value (step ST18). ) Terminates the temperature / voltage determination program. If the count value has reached the reference value (YES, that is, the life is near), the output device 6 outputs an alarm to the outside (step ST19).
【0030】実施の形態5.上記実施の形態4では、検
出電圧が規格範囲内であれば、通常カウント例えば+1
をカウントし、規格範囲外であれば、割り増しカウント
例えば+2をカウントすることとしたが、この実施の形
態5では、検出電圧が規格範囲外の場合、その規格範囲
からの電圧差に応じてカウント値に重み付けをしたもの
で、一般に電圧が高くなるほど半導体の寿命は短くなる
からである。規格電圧4.5V〜5.5Vの場合の重み
付けは例えば次の通りである。 検出電圧5.5V〜5.7Vのときは+2をカウント 検出電圧5.7V〜6.0Vのときは+4をカウント 検出電圧6.0V以上のときは+8をカウント のように、検出電圧に応じて、2,4,8のようにカウ
ント値に異なる重み付けをする。Embodiment 5 In the fourth embodiment, if the detection voltage is within the standard range, the normal count, for example, +1
Is counted, and if it is out of the standard range, an extra count, for example, +2, is counted. However, in the fifth embodiment, when the detected voltage is out of the standard range, counting is performed according to the voltage difference from the standard range. The value is weighted, because the higher the voltage, the shorter the life of the semiconductor. The weighting in the case of the standard voltage of 4.5 V to 5.5 V is, for example, as follows. Counts +2 when the detection voltage is 5.5 V to 5.7 V Counts +4 when the detection voltage is 5.7 V to 6.0 V Counts +8 when the detection voltage is 6.0 V or more, according to the detection voltage Thus, different weights are assigned to the count values as in 2, 4, and 8.
【0031】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、規格範囲からの電圧差に応じてカウント値に重み付
けをしたことにより、半導体の寿命予知の精度をさらに
向上することができる。As described above, according to the fifth embodiment, the count value is weighted according to the voltage difference from the standard range, so that the accuracy of predicting the life of the semiconductor can be further improved.
【0032】実施の形態6.上記実施の形態4,5で
は、印加された電圧が規格範囲外であれば、割り増しカ
ウントすることとしたが、この実施の形態6では、印加
された電圧が規格範囲以下、つまり低い電圧で使用され
るとそれだけ寿命が延びるので、カウント値を減ずる様
に重み付けを行う。この重み付けは例えば検出電圧4.
5V以下のときは−1をカウントする。Embodiment 6 FIG. In the above fourth and fifth embodiments, if the applied voltage is out of the standard range, the extra counting is performed. However, in the sixth embodiment, the applied voltage is lower than the standard range, that is, used at a low voltage. When this is done, the life is extended accordingly, so weighting is performed so as to reduce the count value. This weighting is performed, for example, on the basis of the detection voltage 4.
When the voltage is 5 V or less, -1 is counted.
【0033】実施の形態7.図5はこの発明の実施の形
態7による半導体集積回路の予防安全装置を備えたマイ
コンシステムを示すブロック図である。上記の各実施の
形態1〜6では、半導体が寿命に達したことが予測され
たときには、外部にアラームを発しているが、この実施
の形態7では、アラームは発生させず、半導体が寿命に
達したことが予測された時刻を第2の記憶装置3に格納
する。Embodiment 7 FIG. 5 is a block diagram showing a microcomputer system provided with a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a seventh embodiment of the present invention. In Embodiments 1 to 6 above, when it is predicted that the semiconductor has reached the end of its life, an alarm is issued to the outside. However, in Embodiment 7, an alarm is not generated and the semiconductor reaches its end of life. The time at which the arrival is predicted is stored in the second storage device 3.
【0034】その構成は、図5に示すもので、図1に示
す実施の形態1から出力装置6を取り外した他は該実施
の形態1と同一の構成である。The structure is shown in FIG. 5, and is the same as that of the first embodiment except that the output device 6 is removed from the first embodiment shown in FIG.
【0035】次に動作について説明する。図6は動作を
説明するフローチャートである。時間計測装置4は時間
を計測し定期的に、CPU1に割り込みをかける。CP
U1は割り込みを受け付けると、他のプログラムと同
様、第2の記憶装置3に格納されている温度判定プログ
ラムを実行する。Next, the operation will be described. FIG. 6 is a flowchart for explaining the operation. The time measuring device 4 measures time and interrupts the CPU 1 periodically. CP
When U1 receives the interrupt, it executes the temperature determination program stored in the second storage device 3, like the other programs.
【0036】まず、温度検出装置5で温度検出を行い
(ステップST21)、検出された環境温度が予め第2
の記憶装置3に記憶されている規格範囲外かどうかを判
定する(ステップST22)。検出された環境温度が規
格範囲内(NO)であれば、通常カウント、例えば+1
をカウントし(ステップST23)、規格範囲外(YE
S)であれば、割り増しカウント、例えば+2をカウン
トする(ステップST24)。カウント方法は、第2の
記憶装置3に記憶している以前のカウント値を読み出し
てこれに加算し、加算後、再び加算値を第2の記憶装置
3に格納する。このようにして、加算した加算値が予め
定めた基準値に達したかどうかを判定し(ステップST
25)、基準値に達しない場合(NO)は温度判定プロ
グラムを終了する。もし、カウント値が基準値に達した
場合(YES、つまり、寿命が近くなった)、この判定
時刻を第2の記憶装置3に格納する(ステップST2
6)。First, the temperature is detected by the temperature detecting device 5 (step ST21), and the detected environmental temperature is set in advance to the second temperature.
It is determined whether the data is out of the standard range stored in the storage device 3 (step ST22). If the detected environmental temperature is within the standard range (NO), the normal count, for example, +1
Are counted (step ST23), and out of the standard range (YE
If S), an extra count, for example, +2 is counted (step ST24). In the counting method, the previous count value stored in the second storage device 3 is read out and added thereto, and after the addition, the added value is stored in the second storage device 3 again. In this way, it is determined whether or not the added value reaches a predetermined reference value (step ST
25) If the reference value has not been reached (NO), the temperature determination program ends. If the count value has reached the reference value (YES, that is, the life is near), this determination time is stored in the second storage device 3 (step ST2).
6).
【0037】以上のように、この実施の形態7によれ
ば、半導体が寿命に達したことを判定した時刻を記憶す
ることにより、半導体メーカーが後日この記憶データを
用いることができ、使用時における不良発生の解析に有
効である。As described above, according to the seventh embodiment, by storing the time at which it is determined that the semiconductor has reached the end of its life, the semiconductor manufacturer can use the stored data at a later date, This is effective for analyzing failure occurrence.
【0038】実施の形態8.以上の各実施の形態1〜7
は、全て使用環境温度を検出しているが、この実施の形
態8では、半導体に温度センサを設け、半導体自身の温
度を検出するようにしたもので、より正確に半導体の使
用温度を検出することができる。その結果、半導体が寿
命に達したことの予測がより精度良く行われる。Embodiment 8 FIG. Embodiments 1 to 7 above
In the eighth embodiment, a semiconductor is provided with a temperature sensor to detect the temperature of the semiconductor itself. In this eighth embodiment, the temperature of the semiconductor is detected more accurately. be able to. As a result, the prediction that the semiconductor has reached the end of its life is made more accurately.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、検出
温度が規格範囲外の場合、カウント値に重み付けして不
揮発性メモリに記憶し、記憶カウント値が予め決めた設
定値を超えたとき警報を発するように構成したので、半
導体集積回路を規格外の厳しい環境で使用した場合の寿
命の予知を精度良く行うことができるという効果があ
る。As described above, according to the present invention, when the detected temperature is out of the standard range, the count value is weighted and stored in the nonvolatile memory, and the stored count value exceeds the predetermined set value. When the semiconductor integrated circuit is used in a severe environment outside of the standard, the life can be predicted with high accuracy because the alarm is issued at the time.
【0040】この発明によれば、重み付けは、検出温度
が規格範囲内ならば+1、規格範囲外ならば+2するよ
うに構成したので、半導体集積回路を規格外の厳しい環
境で使用した場合の寿命の予知精度の向上を図ることが
できるという効果がある。According to the present invention, the weighting is configured to be +1 if the detected temperature is within the specified range, and +2 if the detected temperature is out of the specified range. This has the effect of improving the prediction accuracy of
【0041】この発明によれば、重み付けは、規格範囲
からの温度差が大きくなるに応じてカウント値を大きく
したので、重み付けを容易に行うことができるという効
果がある。According to the present invention, the weight value is increased as the temperature difference from the standard range increases, so that weighting can be easily performed.
【0042】この発明によれば、検出温度が規格範囲内
の場合は、その規格範囲からの温度差に応じてカウント
値を減算するように構成したので、半導体集積回路を規
格外の厳しい環境で使用した場合の寿命の予知精度の向
上を図ることができるという効果がある。According to the present invention, when the detected temperature is within the specified range, the count value is subtracted according to the temperature difference from the specified range. There is an effect that the accuracy of predicting the life when used can be improved.
【0043】この発明によれば、検出温度が規格範囲外
の場合、カウント値に重み付けするとともに、検出電圧
が規格範囲外の場合、カウント値に重み付けを行なって
不揮発性メモリに記憶し、最終的に温度カウント値と電
圧カウント値との積を求め、予め決めた設定値を超えた
とき警報を発するように構成したので、半導体集積回路
を規格外の厳しい環境で使用した場合の寿命の予知を精
度良く行うことができるという効果がある。According to the present invention, when the detected temperature is out of the specified range, the count value is weighted. When the detected voltage is out of the specified range, the count value is weighted and stored in the nonvolatile memory. The product is obtained by multiplying the temperature count value and the voltage count value in advance, and an alarm is issued when the value exceeds a predetermined set value, so that the life expectancy when the semiconductor integrated circuit is used in a severe environment outside the standard can be predicted. There is an effect that it can be performed with high accuracy.
【0044】この発明によれば、検出電圧が規格範囲外
の場合、その規格範囲からの電圧差に応じてカウント値
に重み付けをしたので、半導体集積回路を規格外の厳し
い環境で使用した場合の寿命の予知精度の向上を図るこ
とができるという効果がある。According to the present invention, when the detected voltage is out of the standard range, the count value is weighted according to the voltage difference from the standard range. Therefore, when the semiconductor integrated circuit is used in a severe environment outside the standard. There is an effect that the accuracy of predicting the life can be improved.
【0045】この発明によれば、重み付けは、検出電圧
が規格範囲内ならば+1、規格範囲外ならば+2するよ
うに構成したので、重み付けを容易に行うことができる
という効果がある。According to the present invention, since the weighting is configured to be +1 when the detected voltage is within the standard range and +2 when the detected voltage is out of the standard range, the weighting can be easily performed.
【0046】この発明によれば、検出電圧が規格範囲内
の場合は、その規格範囲からの温度差に応じてカウント
値を減算するように構成したので、半導体集積回路を規
格外の厳しい環境で使用した場合の寿命の予知精度の向
上を図ることができるという効果がある。According to the present invention, when the detected voltage is within the standard range, the count value is subtracted according to the temperature difference from the standard range. There is an effect that the accuracy of predicting the life when used can be improved.
【0047】この発明によれば、カウント値が設定値を
越えたとき、そのときの時刻を不揮発性メモリに記憶す
るように構成したので、不良発生時の不良解析に有効で
あるという効果がある。According to the present invention, when the count value exceeds the set value, the time at that time is stored in the non-volatile memory, so that it is effective in failure analysis when a failure occurs. .
【0048】この発明によれば、半導体に温度センサを
設け、半導体自身の温度を検出するように構成したの
で、半導体集積回路を規格外の厳しい環境で使用した場
合の寿命予知の精度をより向上することができるという
効果がある。According to the present invention, since the temperature sensor is provided on the semiconductor to detect the temperature of the semiconductor itself, the accuracy of the life prediction when the semiconductor integrated circuit is used in a severe environment outside the standard is further improved. There is an effect that can be.
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体集積回
路の予防安全装置を備えたマイコンシステムを示すブロ
ック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a microcomputer system provided with a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 動作を説明するフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating an operation.
【図3】 この発明の実施の形態4による半導体集積回
路の予防安全装置を備えたマイコンシステムを示すブロ
ック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a microcomputer system including a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図4】 動作を説明するフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating an operation.
【図5】 この発明の実施の形態7による半導体集積回
路の予防安全装置を備えたマイコンシステムを示すブロ
ック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a microcomputer system provided with a preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to a seventh embodiment of the present invention.
【図6】 動作を説明するフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating an operation.
【図7】 半導体メーカーが保証する温度で使用した場
合、デバイスの信頼性を保証する半導体の寿命を示す模
式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing the lifetime of a semiconductor that guarantees device reliability when used at a temperature guaranteed by a semiconductor manufacturer.
【図8】 半導体メーカーが予想できない保証環境温度
を越えて使用した場合の半導体の寿命を示す模式図であ
る。FIG. 8 is a schematic diagram showing the life of a semiconductor when used beyond a guaranteed environmental temperature which cannot be predicted by a semiconductor manufacturer.
1 CPU、2 第1の記憶装置、3 第2の記憶装
置、4 時間計測装置、5 温度検出装置、6 出力装
置、7 バス、8 電源電圧検出装置、9 電源電圧検
出装置。1 CPU, 2 first storage device, 3 second storage device, 4 hour measurement device, 5 temperature detection device, 6 output device, 7 bus, 8 power supply voltage detection device, 9 power supply voltage detection device.
Claims (10)
置と、検出温度が規格範囲外の場合、カウント値に重み
付けして不揮発性メモリに記憶する演算装置と、前記記
憶カウント値が予め決めた設定値を超えたとき警報を発
する出力装置とを備えた半導体集積回路の予防安全装
置。A temperature detecting device for periodically measuring an ambient temperature; an arithmetic device for weighting a count value when the detected temperature is out of a specified range and storing the weighted value in a nonvolatile memory; A safety device for a semiconductor integrated circuit, comprising: an output device for issuing an alarm when a set value is exceeded.
ば+1、規格範囲外ならば+2することを特徴とする請
求項1記載の半導体集積回路の予防安全装置。2. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the weighting is +1 if the detected temperature is within a specified range, and +2 if the detected temperature is out of a specified range.
きくなるに応じてカウント値を大きくしたことを特徴と
する請求項2記載の半導体集積回路の予防安全装置。3. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the weighting is performed by increasing the count value as the temperature difference from the standard range increases.
規格範囲からの温度差に応じてカウント値を減算するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の予防安
全装置。4. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein when the detected temperature is lower than a specified range, the count value is subtracted according to a temperature difference from the specified range.
置と、電源電圧を検出する電源電圧検出装置と、検出温
度が規格範囲外の場合、カウント値に重み付けするとと
もに、検出電圧が規格範囲外の場合、カウント値に重み
付けを行なって不揮発性メモリに記憶する演算装置と、
温度カウント値と電圧カウント値との積が予め決めた設
定値を超えたとき警報を発する出力装置とを備えた半導
体集積回路の予防安全装置。5. A temperature detecting device for periodically measuring an ambient temperature, a power supply voltage detecting device for detecting a power supply voltage, and when the detected temperature is out of a specified range, the count value is weighted and the detected voltage is set in the specified range. Otherwise, an arithmetic unit that weights the count value and stores the weighted value in the nonvolatile memory;
An output device that issues an alarm when a product of the temperature count value and the voltage count value exceeds a predetermined set value.
ば+1、規格範囲外ならば+2するとともに、検出電圧
が規格範囲内ならば+1、規格範囲外ならば+2するこ
とを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路の予防安
全装置。6. The method according to claim 1, wherein the weighting is +1 when the detected temperature is within the specified range, +2 when the detected temperature is outside the specified range, and +2 when the detected voltage is within the specified range, and +2 when the detected voltage is out of the specified range. Item 6. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to Item 5.
きくなるに応じてカウント値を大きくするとともに、規
格範囲からの電圧差が大きくなるに応じてカウント値を
大きくすることを特徴とする請求項5記載の半導体集積
回路の予防安全装置。7. The weighting method, wherein the count value is increased as the temperature difference from the standard range increases, and the count value is increased as the voltage difference from the standard range increases. Item 6. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to Item 5.
規格範囲からの温度差に応じてカウント値を減算すると
ともに、検出電圧が規格範囲内の場合は、その規格範囲
からの電圧差に応じてカウント値を減算することを特徴
とする請求項5記載の半導体集積回路の予防安全装置。8. When the detected temperature is below the specified range, the count value is subtracted according to the temperature difference from the specified range, and when the detected voltage is within the specified range, the count value is subtracted from the specified range. 6. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the count value is decremented accordingly.
ときの時刻を不揮発性メモリに記憶することを特徴とす
る請求項1または請求項5記載の半導体集積回路の予防
安全装置。9. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein when the count value exceeds a set value, the time at that time is stored in a nonvolatile memory.
身の温度を検出することを特徴とする請求項1〜請求項
9のうちのいずれか1項記載の半導体集積回路の予防安
全装置。10. The preventive safety device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a temperature sensor is provided on the semiconductor to detect the temperature of the semiconductor itself.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32159999A JP2001144243A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Preventive safety device for semiconductor integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32159999A JP2001144243A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Preventive safety device for semiconductor integrated circuits |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144243A true JP2001144243A (en) | 2001-05-25 |
Family
ID=18134347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32159999A Pending JP2001144243A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Preventive safety device for semiconductor integrated circuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144243A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173885A (en) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Alaxala Networks Corp | Lifetime management system for network relaying apparatus |
| US20090276232A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Goodnow Kenneth J | Warranty monitoring and enforcement for integrated circuit |
| US8452566B2 (en) | 2008-05-02 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Warranty monitoring and enforcement for integrated circuit and related design structure |
| JP2014003078A (en) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit, and method of controlling the same |
-
1999
- 1999-11-11 JP JP32159999A patent/JP2001144243A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173885A (en) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Alaxala Networks Corp | Lifetime management system for network relaying apparatus |
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| US8452566B2 (en) | 2008-05-02 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Warranty monitoring and enforcement for integrated circuit and related design structure |
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| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051101 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051221 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060223 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060322 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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