JP2001074847A - 放射線撮像装置および放射線撮像システム - Google Patents
放射線撮像装置および放射線撮像システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積かつコンパクトな放射線撮像装置とす
る。 【解決手段】 固体撮像素子１０１と波長変換体との間
に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮像素子の感度
波長域に変換されたＸ線などの放射線を結像光学系３０
１によって導いて放射線を複数の光センサによって電気
信号に変換する。波長変換体を通過した放射線は光透過
性部材２０１によって吸収し、光センサなどへの放射線
の照射を低減あるいは防止する。
る。 【解決手段】 固体撮像素子１０１と波長変換体との間
に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮像素子の感度
波長域に変換されたＸ線などの放射線を結像光学系３０
１によって導いて放射線を複数の光センサによって電気
信号に変換する。波長変換体を通過した放射線は光透過
性部材２０１によって吸収し、光センサなどへの放射線
の照射を低減あるいは防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線撮像装置およ
び放射線撮像システムに係わり、特にＸ線、α，β，γ
線などの放射線をシンチレータのような波長変換体によ
り可視光等の光センサで検出可能な波長の光に変換し、
この変換光を光学系を介して光センサにより検出する放
射線撮像装置および放射線撮像システムに関する。
び放射線撮像システムに係わり、特にＸ線、α，β，γ
線などの放射線をシンチレータのような波長変換体によ
り可視光等の光センサで検出可能な波長の光に変換し、
この変換光を光学系を介して光センサにより検出する放
射線撮像装置および放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、医療診断用や内部検査用のような
非破壊検査に用いられているＸ線撮像装置では、Ｘ線を
人体などの被検体に曝射させ被検体を透過したＸ線を蛍
光体により光に変換して、その光をフィルムに露光させ
る方式（以下、フィルム方式と記する。）が主流であっ
た。
非破壊検査に用いられているＸ線撮像装置では、Ｘ線を
人体などの被検体に曝射させ被検体を透過したＸ線を蛍
光体により光に変換して、その光をフィルムに露光させ
る方式（以下、フィルム方式と記する。）が主流であっ
た。
【０００３】図１２は、フィルム方式のＸ線撮像装置の
一例を示す概略的構成図である。図１２において、５０
１はＸ線源、５０２はＸ線源５０１から放出されたＸ線
が曝射される人体（患者）などの被検査体、５０３はＸ
線を吸収する物質とＸ線を透過する物質を交互に配置し
た、散乱されたＸ線成分を除去し解像度を良くするため
のグリッド、５０４はＸ線を吸収し発光するシンチレー
タ、５０５はシンチレータ５０４からの光を受けるフィ
ルムである。
一例を示す概略的構成図である。図１２において、５０
１はＸ線源、５０２はＸ線源５０１から放出されたＸ線
が曝射される人体（患者）などの被検査体、５０３はＸ
線を吸収する物質とＸ線を透過する物質を交互に配置し
た、散乱されたＸ線成分を除去し解像度を良くするため
のグリッド、５０４はＸ線を吸収し発光するシンチレー
タ、５０５はシンチレータ５０４からの光を受けるフィ
ルムである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなフィルム方
式は、以下に示すような問題点を有する。
式は、以下に示すような問題点を有する。
【０００５】まず、患者などの被検体のＸ線画像をフィ
ルムに納めているため、Ｘ線画像を得るには、フィルム
を現像する必要があり、手間と時間がかかる。そして、
Ｘ線撮影中に患者などの被検体が動いてしまった場合や
露出が合わない場合などには、フィルムの現像後に再度
撮影のやり直しを余儀なくされる。再度の撮影のための
セッティングは、撮影効率を低下させるだけでなく、被
検体が患者であれば、被検体への負荷も大きくなった
り、病院内での診察の効率向上を妨げる要因となる。
ルムに納めているため、Ｘ線画像を得るには、フィルム
を現像する必要があり、手間と時間がかかる。そして、
Ｘ線撮影中に患者などの被検体が動いてしまった場合や
露出が合わない場合などには、フィルムの現像後に再度
撮影のやり直しを余儀なくされる。再度の撮影のための
セッティングは、撮影効率を低下させるだけでなく、被
検体が患者であれば、被検体への負荷も大きくなった
り、病院内での診察の効率向上を妨げる要因となる。
【０００６】さらに、撮影されたＸ線画像フィルムは、
企業内、病院内で保管する必要があり、特に、病院内で
は所定期間保管する必要がある。病院内で保管するフィ
ルムの枚数はその結果膨大な量となり、患者の来院の度
に出し入れ可能とすることが求められるので病院内での
管理面での効率という面からも改善の余地を有してい
る。
企業内、病院内で保管する必要があり、特に、病院内で
は所定期間保管する必要がある。病院内で保管するフィ
ルムの枚数はその結果膨大な量となり、患者の来院の度
に出し入れ可能とすることが求められるので病院内での
管理面での効率という面からも改善の余地を有してい
る。
【０００７】さらに、患者が病院を変更するような場合
には、再度のＸ線撮影をさけるために、これまで撮影さ
れたＸ線フィルムを何らかの方法で、変更先の病院へ送
ることが求められる場合もある。
には、再度のＸ線撮影をさけるために、これまで撮影さ
れたＸ線フィルムを何らかの方法で、変更先の病院へ送
ることが求められる場合もある。
【０００８】上記の問題点を解決すべく、近年、Ｘ線画
像情報のデジタル化の要求が高まりつつある。Ｘ線情報
をデジタル処理できれば、Ｘ線画像情報を光磁気ディス
ク等の記録媒体を用いて管理できるだけでなく、得られ
た画像の状態をすぐに判断することも可能になるため、
医師等がリアルタイムで好ましいアングルや露出量での
患者などの被検体のＸ線画像情報を得ることができる。
像情報のデジタル化の要求が高まりつつある。Ｘ線情報
をデジタル処理できれば、Ｘ線画像情報を光磁気ディス
ク等の記録媒体を用いて管理できるだけでなく、得られ
た画像の状態をすぐに判断することも可能になるため、
医師等がリアルタイムで好ましいアングルや露出量での
患者などの被検体のＸ線画像情報を得ることができる。
【０００９】また、ファクシミリや他の通信方式等を利
用すれば、Ｘ線画像情報は遠距離の病院や企業にも短時
間で送ることが可能となる。更に、得られたデジタルの
Ｘ線画像情報をコンピュータを用いて画像処理すれば、
一層高い精度での診断が可能となり、上述したフィルム
方式での問題点を解決することができる。
用すれば、Ｘ線画像情報は遠距離の病院や企業にも短時
間で送ることが可能となる。更に、得られたデジタルの
Ｘ線画像情報をコンピュータを用いて画像処理すれば、
一層高い精度での診断が可能となり、上述したフィルム
方式での問題点を解決することができる。
【００１０】Ｘ線情報をデジタル処理する装置として
は、被検体を透過したＸ線をシンチレータのような波長
変換体に照射／吸収させ、その照射／吸収したＸ線強度
に比例した可視光などの光に波長変換する。そして、そ
の光を、その光の波長に対して感度を有するＣＣＤ等の
固体撮像素子に受光させデジタル変換するＸ線撮像装置
が考えられている。また、医療用画像は例えば約２００
０×３０００（６００万）の大量の画素が必要とされて
いる。
は、被検体を透過したＸ線をシンチレータのような波長
変換体に照射／吸収させ、その照射／吸収したＸ線強度
に比例した可視光などの光に波長変換する。そして、そ
の光を、その光の波長に対して感度を有するＣＣＤ等の
固体撮像素子に受光させデジタル変換するＸ線撮像装置
が考えられている。また、医療用画像は例えば約２００
０×３０００（６００万）の大量の画素が必要とされて
いる。
【００１１】本発明の目的は、上記のような大量の画素
が求められるＸ線撮像装置に好適に用いることができる
放射線撮像装置及び放射線撮像システムを提供すること
にある。
が求められるＸ線撮像装置に好適に用いることができる
放射線撮像装置及び放射線撮像システムを提供すること
にある。
【００１２】本発明の別の目的は、固体撮像素子と波長
変換体との間に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮
像素子の感度波長域に変換されたＸ線などの放射線を結
像光学系によって導いて放射線を電気信号に変換するこ
とで大面積かつコンパクトな放射線撮像装置を提供する
ことを目的とする。
変換体との間に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮
像素子の感度波長域に変換されたＸ線などの放射線を結
像光学系によって導いて放射線を電気信号に変換するこ
とで大面積かつコンパクトな放射線撮像装置を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線撮像装置
は、入射される放射線の波長を光に変換する波長変換
体、該変換体で波長変換された光が入力される結像光学
系、該結像光学系からの光を受光する光センサの複数、
を有し、該光センサと該波長変換体との間に該波長変換
体を通過したＸ線を減少させる光透過性基板を配した放
射線撮像装置である。
は、入射される放射線の波長を光に変換する波長変換
体、該変換体で波長変換された光が入力される結像光学
系、該結像光学系からの光を受光する光センサの複数、
を有し、該光センサと該波長変換体との間に該波長変換
体を通過したＸ線を減少させる光透過性基板を配した放
射線撮像装置である。
【００１４】また本発明の放射線撮像装置は、放射線を
光に変換する波長変換体、該波長変換体からの光が入力
される正転結像光学系、前記正転結像光学系からの光を
受光する光センサの複数を有する放射線撮像装置であ
る。
光に変換する波長変換体、該波長変換体からの光が入力
される正転結像光学系、前記正転結像光学系からの光を
受光する光センサの複数を有する放射線撮像装置であ
る。
【００１５】加えて、本発明の放射線撮像システムは、
入射される放射線の波長を光に変換する波長変換体、該
変換体で波長変換された光が入力される結像光学系、該
結像光学系からの光を受光する光センサの複数、を有
し、該光センサと該波長変換体との間に該波長変換体を
通過したＸ線を減少させる光透過性基板を配した放射線
撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する
信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を表示す
るための表示手段と、前記放射線を発生させるための放
射線源とを具備する放射線撮像システムである。
入射される放射線の波長を光に変換する波長変換体、該
変換体で波長変換された光が入力される結像光学系、該
結像光学系からの光を受光する光センサの複数、を有
し、該光センサと該波長変換体との間に該波長変換体を
通過したＸ線を減少させる光透過性基板を配した放射線
撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する
信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を表示す
るための表示手段と、前記放射線を発生させるための放
射線源とを具備する放射線撮像システムである。
【００１６】また、本発明の放射線撮像システムは、放
射線を光に変換する波長変換体、該波長変換体からの光
が入力される正転結像光学系、前記正転結像光学系から
の光を受光する光センサの複数を有する放射線撮像装置
と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理
手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための
表示手段と、前記放射線を発生させるための放射線源と
を具備する放射線撮像システムである。
射線を光に変換する波長変換体、該波長変換体からの光
が入力される正転結像光学系、前記正転結像光学系から
の光を受光する光センサの複数を有する放射線撮像装置
と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理
手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための
表示手段と、前記放射線を発生させるための放射線源と
を具備する放射線撮像システムである。
【００１７】本発明においては、固体撮像素子と波長変
換体との間に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮像
素子の感度波長域に変換されたＸ線などの放射線を結像
光学系によって導いて放射線を複数の光センサによって
電気信号に変換する。波長変換体を通過した放射線は光
透過性部材または等倍正転型結像光学系によって吸収／
遮蔽され、光センサなどへの放射線の照射を低減あるい
は防止する。
換体との間に結像光学系を配し、波長変換体で固体撮像
素子の感度波長域に変換されたＸ線などの放射線を結像
光学系によって導いて放射線を複数の光センサによって
電気信号に変換する。波長変換体を通過した放射線は光
透過性部材または等倍正転型結像光学系によって吸収／
遮蔽され、光センサなどへの放射線の照射を低減あるい
は防止する。
【００１８】これによって、小型化が達成され、安定し
た画像読み取りを行うことができ、高感度の放射線撮像
装置とすることができる。
た画像読み取りを行うことができ、高感度の放射線撮像
装置とすることができる。
【００１９】また、放射線撮像装置の撮像領域の大きさ
の自由度が高く、低コストで高性能な放射線像を読み取
ることができる放射線撮像装置とすることができる。
の自由度が高く、低コストで高性能な放射線像を読み取
ることができる放射線撮像装置とすることができる。
【００２０】加えて、このような放射線撮像装置を有す
る放射線撮像システムは、信頼性が高く、診断の短時間
化、確実性を一層向上することが可能になり、被検体の
撮影の準備に要する多くの負担や設定のコスト像を低下
させることができる。また、システムのランニングコス
トも低いものになるため、非破壊検査にかかる費用を削
減することが可能になる。
る放射線撮像システムは、信頼性が高く、診断の短時間
化、確実性を一層向上することが可能になり、被検体の
撮影の準備に要する多くの負担や設定のコスト像を低下
させることができる。また、システムのランニングコス
トも低いものになるため、非破壊検査にかかる費用を削
減することが可能になる。
【００２１】本発明の放射線撮像装置の一例を簡単に説
明すると、放射線の入射方向に対して、該放射線を光に
変換する波長変換体、該波長変換体からの光を導く結像
光学系、光透過性基板、前記波長変換体からの光を受光
する２次元光センサをこの順に配置し、前記光学系とし
て２次元に配列されたレンズアレイを用いた放射線撮像
装置となる。具体的な構成例については以下の実施態様
例において図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、シ
ンチレータ（蛍光体）のような波長変換体はＸ線、α，
β，γ線などの放射線の波長変換するために用いられる
物質であり、一般には光センサーの感度波長域の範囲内
の波長を有する光に変える物質をいう。
明すると、放射線の入射方向に対して、該放射線を光に
変換する波長変換体、該波長変換体からの光を導く結像
光学系、光透過性基板、前記波長変換体からの光を受光
する２次元光センサをこの順に配置し、前記光学系とし
て２次元に配列されたレンズアレイを用いた放射線撮像
装置となる。具体的な構成例については以下の実施態様
例において図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、シ
ンチレータ（蛍光体）のような波長変換体はＸ線、α，
β，γ線などの放射線の波長変換するために用いられる
物質であり、一般には光センサーの感度波長域の範囲内
の波長を有する光に変える物質をいう。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００２３】［実施形態１］図１は、本発明の第１の実
施形態を示す放射線撮像装置の構成の模式的断面図、図
２は図１に示される放射線撮像装置の光電変換デバイス
側から放射線撮像装置を見た場合の一例を示す模式的平
面図であり、ここでは、光透過性基板に複数配置された
２次元光センサを有する放射線撮像装置の模式的平面図
である。また、図３は図２に示される光電変換デバイス
である光センサチップの一つをフリップチップ実装した
場合の構成を説明するための概略的断面図である。
施形態を示す放射線撮像装置の構成の模式的断面図、図
２は図１に示される放射線撮像装置の光電変換デバイス
側から放射線撮像装置を見た場合の一例を示す模式的平
面図であり、ここでは、光透過性基板に複数配置された
２次元光センサを有する放射線撮像装置の模式的平面図
である。また、図３は図２に示される光電変換デバイス
である光センサチップの一つをフリップチップ実装した
場合の構成を説明するための概略的断面図である。
【００２４】図１に示されるように、本実施形態のＸ線
撮像装置は、ガラス等の光透過性基板２０１上に、例え
ば協立化学産業（株）製のＷＯＲＬＤ ＲＯＣＫ７７０
２Ａ（屈折率１．３７８）等の低屈折率の光透光性の樹
脂層３０２を介してアクリル等で形成された２次元レン
ズアレイ３０１を配置し、その上に波長変換体としてシ
ンチレータ４０１を配する。なお、ここでは図示されて
いないが図１２に示したグリッドがシンチレータ４０１
上あるいはシンチレーター４０１と被検体との間に適宜
配される。光透過性基板２０１のレンズアレイ３０１の
配置側と反対の面には、例えば５００×７００（３５万
画素）のＣＣＤ固体撮像素子（光センサチップ）１０１
を縦横５個づつ二次元的に離間して配置している。これ
らＣＣＤ固体撮像素子１０１により、結果的に２５００
×３５００（８７５万画素）の大きな撮像素子を構成す
る。レンズアレイ３０１は、各ＣＣＤ固体撮像素子１０
１にシンチレータ４０１からの光が集光するように焦点
距離、レンズ径が適宜調整されて配置される。
撮像装置は、ガラス等の光透過性基板２０１上に、例え
ば協立化学産業（株）製のＷＯＲＬＤ ＲＯＣＫ７７０
２Ａ（屈折率１．３７８）等の低屈折率の光透光性の樹
脂層３０２を介してアクリル等で形成された２次元レン
ズアレイ３０１を配置し、その上に波長変換体としてシ
ンチレータ４０１を配する。なお、ここでは図示されて
いないが図１２に示したグリッドがシンチレータ４０１
上あるいはシンチレーター４０１と被検体との間に適宜
配される。光透過性基板２０１のレンズアレイ３０１の
配置側と反対の面には、例えば５００×７００（３５万
画素）のＣＣＤ固体撮像素子（光センサチップ）１０１
を縦横５個づつ二次元的に離間して配置している。これ
らＣＣＤ固体撮像素子１０１により、結果的に２５００
×３５００（８７５万画素）の大きな撮像素子を構成す
る。レンズアレイ３０１は、各ＣＣＤ固体撮像素子１０
１にシンチレータ４０１からの光が集光するように焦点
距離、レンズ径が適宜調整されて配置される。
【００２５】上記の２５００×３５００（８７５万画
素）の撮像素子は次のように光透過性基板２０１上に作
製される。
素）の撮像素子は次のように光透過性基板２０１上に作
製される。
【００２６】まず、少なくとも表面が絶縁性の光透過性
基板２０１上にスパッタリング法や抵抗加熱法によりＡ
Ｌ、Ｃｒ等の金属薄膜２０２を蒸着し、フォトリソグラ
フィーにより所望の形状にパターニングするため不必要
なエリアをエッチングする。パターン化された金属薄膜
２０２は、入出力信号の配線及び端子となる。
基板２０１上にスパッタリング法や抵抗加熱法によりＡ
Ｌ、Ｃｒ等の金属薄膜２０２を蒸着し、フォトリソグラ
フィーにより所望の形状にパターニングするため不必要
なエリアをエッチングする。パターン化された金属薄膜
２０２は、入出力信号の配線及び端子となる。
【００２７】次に、ＣＣＤ固体撮像素子１０１の端子１
０２上に金属バンプ１０３を設け、光透過性基板２０１
上の端子２０２間に導電性粒子２１４を有する熱硬化型
の異方性導電フィルム２０３を用いてフリップチップ接
続する。このように、フリップチップ接続した光透過性
基板２０１における、ＣＣＤ固体撮像素子１０１搭載面
と反対の面上に、樹脂層３０２を介してレンズアレイ３
０１、シンチレータ４０１を設ける。
０２上に金属バンプ１０３を設け、光透過性基板２０１
上の端子２０２間に導電性粒子２１４を有する熱硬化型
の異方性導電フィルム２０３を用いてフリップチップ接
続する。このように、フリップチップ接続した光透過性
基板２０１における、ＣＣＤ固体撮像素子１０１搭載面
と反対の面上に、樹脂層３０２を介してレンズアレイ３
０１、シンチレータ４０１を設ける。
【００２８】図１の矢印方向から入射するＸ線を吸収し
光センサで検出可能な光に変換するシンチレータ４０１
の材料としては、ＣｓＩ：Ｔａ、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ、
Ｙ2Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ等が用いられる。中でも柱状結晶のＣ
ｓＩはＸ線の可視光への変換効率が高いため、よりＸ線
量を低減することが可能になり好ましい。
光センサで検出可能な光に変換するシンチレータ４０１
の材料としては、ＣｓＩ：Ｔａ、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ、
Ｙ2Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ等が用いられる。中でも柱状結晶のＣ
ｓＩはＸ線の可視光への変換効率が高いため、よりＸ線
量を低減することが可能になり好ましい。
【００２９】シンチレータ４０１で変換された光情報は
レンズアレイ３０１で集光され、ＣＣＤ固体撮像素子１
０１の受光面に導かれる。その結果、大面積のＸ線撮像
装置を作り出すことが可能となる。
レンズアレイ３０１で集光され、ＣＣＤ固体撮像素子１
０１の受光面に導かれる。その結果、大面積のＸ線撮像
装置を作り出すことが可能となる。
【００３０】レンズアレイ及び光透過性基板の厚みを管
理することによって、レンズアレイ及び光透過性基板で
シンチレータを透過するＸ線を吸収させることができ
る。図５は光透過性基板（無アルカリガラス）とＸ線透
過率との関係を示す特性図である。図５に示すように、
無アルカリガラスの厚さを厚くすることでＸ線透過率は
減少し、例えばＸ線量を１／１０にしたい場合はガラス
の厚みを約７ｍｍとし、Ｘ線量を１／１００にしたい場
合はガラスの厚みを約１３ｍｍとすればよい。このよう
に、透過するＸ線量を適宜減少させることで、光センサ
チップ（ここではＣＣＤ固体撮像素子１０１）に到達す
るＸ線量を減少させ、雑音の発生などに対処することが
できる。もちろん、Ｘ線透過量をより減少させるために
は、更にガラス中に鉛のようなＸ線遮蔽効果の高い材料
を含有することができる。
理することによって、レンズアレイ及び光透過性基板で
シンチレータを透過するＸ線を吸収させることができ
る。図５は光透過性基板（無アルカリガラス）とＸ線透
過率との関係を示す特性図である。図５に示すように、
無アルカリガラスの厚さを厚くすることでＸ線透過率は
減少し、例えばＸ線量を１／１０にしたい場合はガラス
の厚みを約７ｍｍとし、Ｘ線量を１／１００にしたい場
合はガラスの厚みを約１３ｍｍとすればよい。このよう
に、透過するＸ線量を適宜減少させることで、光センサ
チップ（ここではＣＣＤ固体撮像素子１０１）に到達す
るＸ線量を減少させ、雑音の発生などに対処することが
できる。もちろん、Ｘ線透過量をより減少させるために
は、更にガラス中に鉛のようなＸ線遮蔽効果の高い材料
を含有することができる。
【００３１】［実施形態２］図４は本発明における第２
の実施形態を示すＸ線撮像装置の断面構成図である。図
４において、図１の構成部材と同一の部材については同
一の符号を付し、説明を省略する。
の実施形態を示すＸ線撮像装置の断面構成図である。図
４において、図１の構成部材と同一の部材については同
一の符号を付し、説明を省略する。
【００３２】図４においては、ＣＣＤ固体撮像素子１０
１が搭載された光透過性基板２０１の、ＣＣＤ固体撮像
素子１０１搭載面と反対側の面上に、低屈折率の樹脂層
３０４を介してアクリル等で形成されたレンズアレイ３
０３を配し、さらに低屈折率の樹脂層３０２を介してア
クリル等で形成されたレンズアレイ３０１を配し、その
上にシンチレータ４０１を配している。
１が搭載された光透過性基板２０１の、ＣＣＤ固体撮像
素子１０１搭載面と反対側の面上に、低屈折率の樹脂層
３０４を介してアクリル等で形成されたレンズアレイ３
０３を配し、さらに低屈折率の樹脂層３０２を介してア
クリル等で形成されたレンズアレイ３０１を配し、その
上にシンチレータ４０１を配している。
【００３３】このようにレンズを重ねたような構成にす
ることにより、シンチレータ４０１で変換された光情報
を第１の結像手段であるレンズアレイ３０１で集光し、
更に第２の結像手段であるレンズアレイ３０２で集光と
レンズアレイ３０１で逆転した光情報を正転に戻して、
つまり正立像として、ＣＣＤ固体撮像素子１０１の受光
面に導くことができる。その結果、各領域ごとに左右、
転地が逆転した情報を処理して一つの画像を得る必要が
なく、それぞれのＣＣＤ固体撮像素子１０１の情報を集
合することにより容易に大面積の画像情報を得ることが
できる。
ることにより、シンチレータ４０１で変換された光情報
を第１の結像手段であるレンズアレイ３０１で集光し、
更に第２の結像手段であるレンズアレイ３０２で集光と
レンズアレイ３０１で逆転した光情報を正転に戻して、
つまり正立像として、ＣＣＤ固体撮像素子１０１の受光
面に導くことができる。その結果、各領域ごとに左右、
転地が逆転した情報を処理して一つの画像を得る必要が
なく、それぞれのＣＣＤ固体撮像素子１０１の情報を集
合することにより容易に大面積の画像情報を得ることが
できる。
【００３４】このように、光学系にレンズのような結像
素子を組み合わせることによっても容易に大面積のＸ線
撮像装置を作り出すことが可能となる。 ［実施形態３］図６は、本発明の第３の実施形態を示す
Ｘ線撮像装置の構成の模式的斜視図、図８は図６に示さ
れるＸ線撮像装置の模式的断面図である。
素子を組み合わせることによっても容易に大面積のＸ線
撮像装置を作り出すことが可能となる。 ［実施形態３］図６は、本発明の第３の実施形態を示す
Ｘ線撮像装置の構成の模式的斜視図、図８は図６に示さ
れるＸ線撮像装置の模式的断面図である。
【００３５】光センサに使う半導体チップやそれらを駆
動する電子回路にＸ線を代表とする放射線が入射する
と、特性が変化したり、雑音が増加したり、誤動作した
りすることがある。本実施例では光センサチップにＸ線
が入射せずあるいは実質的に入射せず、かつ、先鋭度と
感度が更に優れた放射線撮像装置の一例を説明する。
動する電子回路にＸ線を代表とする放射線が入射する
と、特性が変化したり、雑音が増加したり、誤動作した
りすることがある。本実施例では光センサチップにＸ線
が入射せずあるいは実質的に入射せず、かつ、先鋭度と
感度が更に優れた放射線撮像装置の一例を説明する。
【００３６】図７、図８に示されるように本実施形態の
Ｘ線撮像装置は、保持基板１０５上に、Ｘ線の入射方向
から順に光反射膜４０３、波長変換体としての蛍光体
（シンチレーター）４０２、光透過性部材２０４、屈折
率分散型光導材を集積した短焦点で正立像を結像するこ
とができる等倍型正転レンズアレイ３０５、光透過性基
板２０５、光センサチップ１０４が設けられて構成され
ている。
Ｘ線撮像装置は、保持基板１０５上に、Ｘ線の入射方向
から順に光反射膜４０３、波長変換体としての蛍光体
（シンチレーター）４０２、光透過性部材２０４、屈折
率分散型光導材を集積した短焦点で正立像を結像するこ
とができる等倍型正転レンズアレイ３０５、光透過性基
板２０５、光センサチップ１０４が設けられて構成され
ている。
【００３７】蛍光体４０２としては、上記実施態様例と
同様に、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）やＧｄ2Ｏ2Ｓ
で代表される希土類蛍光体を用いることができ、特にそ
れらの単結晶板は光拡散性が小さく好ましい。蛍光体４
０２上にはアルミニウム（Ａｌ）等の金属をスパッタリ
ング法等で蒸着した薄膜が光反射膜４０３として形成さ
れ、蛍光体４０２で波長変換された光を光センサチップ
１０４側に反射する鏡の役割を果たしている。光反射膜
４０３は薄膜である必要はなく単に金属板を貼り合わせ
ても良い。もちろん、光反射膜４０３は照射されるＸ線
のような放射線が十分に透過できることが必要である。
この点で、アルミニウムはＸ線を十分に透過するので、
その反射機能も考慮すれば好適な材料である。
同様に、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）やＧｄ2Ｏ2Ｓ
で代表される希土類蛍光体を用いることができ、特にそ
れらの単結晶板は光拡散性が小さく好ましい。蛍光体４
０２上にはアルミニウム（Ａｌ）等の金属をスパッタリ
ング法等で蒸着した薄膜が光反射膜４０３として形成さ
れ、蛍光体４０２で波長変換された光を光センサチップ
１０４側に反射する鏡の役割を果たしている。光反射膜
４０３は薄膜である必要はなく単に金属板を貼り合わせ
ても良い。もちろん、光反射膜４０３は照射されるＸ線
のような放射線が十分に透過できることが必要である。
この点で、アルミニウムはＸ線を十分に透過するので、
その反射機能も考慮すれば好適な材料である。
【００３８】等倍型正転レンズアレイ３０５としては、
例えば日本板硝子社製のセルフォック・レンズ・アレイ
（ＳＬＡ）を２次元に構成したものを用いることができ
る。等倍正転レンズアレイ３０５はレンズの焦点の位置
合わせ用の光透過性部材２０４を介して蛍光体４０２と
貼り合わされている。光透過性部材２０４はガラス等の
光透過性基板でも良いし、透明蛍光体４０２と等倍正転
レンズアレイ３０５を貼り合わす際に使用するエポキシ
樹脂等の接着剤で兼ねることもできる。光透過性部材２
０４がガラスであればＸ線の吸収・遮蔽の効果があるの
で等倍型正転レンズアレイ３０５や光センサチップ１０
４をＸ線のダメージから守ることができる。もちろん、
ガラス中に鉛などのＸ線遮蔽効果を有する金属などの材
料を有することはより好ましい。
例えば日本板硝子社製のセルフォック・レンズ・アレイ
（ＳＬＡ）を２次元に構成したものを用いることができ
る。等倍正転レンズアレイ３０５はレンズの焦点の位置
合わせ用の光透過性部材２０４を介して蛍光体４０２と
貼り合わされている。光透過性部材２０４はガラス等の
光透過性基板でも良いし、透明蛍光体４０２と等倍正転
レンズアレイ３０５を貼り合わす際に使用するエポキシ
樹脂等の接着剤で兼ねることもできる。光透過性部材２
０４がガラスであればＸ線の吸収・遮蔽の効果があるの
で等倍型正転レンズアレイ３０５や光センサチップ１０
４をＸ線のダメージから守ることができる。もちろん、
ガラス中に鉛などのＸ線遮蔽効果を有する金属などの材
料を有することはより好ましい。
【００３９】光センサチップ１０４は半導体ＣＭＯＳプ
ロセスで形成されるＭＯＳ型センサ（いわゆるＣＭＯＳ
センサ）が大面積のチップを構成しやすく、消費電力も
小さいので好ましい。この光センサチップ１０４は先の
実施形態で説明した同様の方法で金属バンプ１０７を介
して光透過性基板２０５上に設けられた配線（不図示）
に電気的に接続されている。ただし、本実施形態では光
センサチップ１０４は隣接するチップと密に配置されて
おり、光センサチップ１０４内の複数の光センサ１０６
はチップ間においても連続性を持って配置されている。
ロセスで形成されるＭＯＳ型センサ（いわゆるＣＭＯＳ
センサ）が大面積のチップを構成しやすく、消費電力も
小さいので好ましい。この光センサチップ１０４は先の
実施形態で説明した同様の方法で金属バンプ１０７を介
して光透過性基板２０５上に設けられた配線（不図示）
に電気的に接続されている。ただし、本実施形態では光
センサチップ１０４は隣接するチップと密に配置されて
おり、光センサチップ１０４内の複数の光センサ１０６
はチップ間においても連続性を持って配置されている。
【００４０】この場合、例えば、光センサチップ１０４
が１６０μｍピッチで８９６×８９６画素の光センサを
有するのであれば、この光センサチップ１０４を３×３
の計９チップで構成すればおよそ４３ｃｍ×４３ｃｍの
大面積のおよそ７００万画素のＸ線撮像装置が構成で
き、胸部撮影を含むあらゆる部位に対応可能できる。
が１６０μｍピッチで８９６×８９６画素の光センサを
有するのであれば、この光センサチップ１０４を３×３
の計９チップで構成すればおよそ４３ｃｍ×４３ｃｍの
大面積のおよそ７００万画素のＸ線撮像装置が構成で
き、胸部撮影を含むあらゆる部位に対応可能できる。
【００４１】また、配列された光センサチップ１０４に
電気的接続を行う別の方法としては、図示はしていない
が光センサチップ１０４の裏面に穴を開け裏面側から電
極を引き出したり、フレキ配線基板等を用いて隣接する
光センサチップ１０４間の隙間を通して、光センサチッ
プ１０４の光入射側と反対側に配線を廻し、保持基板１
０５上に光センサチップ１０４を実装しても良い。この
場合、保持基板１０５に配線を形成しても良いし、保持
基板１０５に穴を開け保持基板１０５の裏側に更に配線
を引き出しても良い。
電気的接続を行う別の方法としては、図示はしていない
が光センサチップ１０４の裏面に穴を開け裏面側から電
極を引き出したり、フレキ配線基板等を用いて隣接する
光センサチップ１０４間の隙間を通して、光センサチッ
プ１０４の光入射側と反対側に配線を廻し、保持基板１
０５上に光センサチップ１０４を実装しても良い。この
場合、保持基板１０５に配線を形成しても良いし、保持
基板１０５に穴を開け保持基板１０５の裏側に更に配線
を引き出しても良い。
【００４２】光センサチップ１０４を実装した光透過性
基板２０５は、反対側の面に接着剤等で等倍型正転レン
ズアレイ３０５と接続する。前述したように光センサチ
ップ１０４を保持基板１０５に実装した場合は光透過性
基板２０５は設けなく接着剤等で間隔を保って等倍型正
転レンズアレイ３０５と接着しても良い。
基板２０５は、反対側の面に接着剤等で等倍型正転レン
ズアレイ３０５と接続する。前述したように光センサチ
ップ１０４を保持基板１０５に実装した場合は光透過性
基板２０５は設けなく接着剤等で間隔を保って等倍型正
転レンズアレイ３０５と接着しても良い。
【００４３】また、図示していないが保持基板１０５の
下方には光センサチップ１０４を駆動したり出力信号を
処理する電子回路が実装される。もちろん、保持基板１
０５を光センサチップ１０４の配設領域より大きくして
おき、その配設領域外に必要な配線や電子回路の実装を
行っても良いのは言うまでもない。
下方には光センサチップ１０４を駆動したり出力信号を
処理する電子回路が実装される。もちろん、保持基板１
０５を光センサチップ１０４の配設領域より大きくして
おき、その配設領域外に必要な配線や電子回路の実装を
行っても良いのは言うまでもない。
【００４４】図８を用いて本実施形態の光学的な動作を
説明する。図８において光学的な動作に影響の小さい部
材については図示を省略している。
説明する。図８において光学的な動作に影響の小さい部
材については図示を省略している。
【００４５】図示してはいないが図面上方から像情報を
持つＸ線が入射する。すると蛍光体４０２でそのＸ線が
吸収されて入射されたＸ線情報が光センサが検知可能な
波長の光に波長変換される。このとき図８中の右側のグ
ラフが示すように蛍光体４０２の上部Ａ付近では発光す
る光強度は大きく、下部Ｂ付近では発光する光強度は小
さい。発光した光は等方に広がり半分は等倍型正転レン
ズ３０５に入射するが、残りの半分は上部の光反射膜４
０３に入射し、ミラー反射される。この反射された光は
等倍型正転レンズアレイ３０５に入射されるため、光反
射膜４０３の無い場合と比較すると２倍の光が等倍型正
転レンズアレイ３０５に入射することになる。そのため
光反射膜を設けることにより装置の感度が２倍あるいは
実質的に２倍に向上する。この反射光は右側のグラフ中
の破線で示した光強度の発光があるのと等価の作用があ
る。
持つＸ線が入射する。すると蛍光体４０２でそのＸ線が
吸収されて入射されたＸ線情報が光センサが検知可能な
波長の光に波長変換される。このとき図８中の右側のグ
ラフが示すように蛍光体４０２の上部Ａ付近では発光す
る光強度は大きく、下部Ｂ付近では発光する光強度は小
さい。発光した光は等方に広がり半分は等倍型正転レン
ズ３０５に入射するが、残りの半分は上部の光反射膜４
０３に入射し、ミラー反射される。この反射された光は
等倍型正転レンズアレイ３０５に入射されるため、光反
射膜４０３の無い場合と比較すると２倍の光が等倍型正
転レンズアレイ３０５に入射することになる。そのため
光反射膜を設けることにより装置の感度が２倍あるいは
実質的に２倍に向上する。この反射光は右側のグラフ中
の破線で示した光強度の発光があるのと等価の作用があ
る。
【００４６】等倍型正転レンズアレイ３０５は蛍光体４
０２内の上方Ａ付近で発光した光が光センサチップ１０
４内の画素である光センサ１０６の面に焦点を結ぶよう
に配置されている。
０２内の上方Ａ付近で発光した光が光センサチップ１０
４内の画素である光センサ１０６の面に焦点を結ぶよう
に配置されている。
【００４７】図８に示すように等倍型正転レンズは等倍
で、且つ、正転で像を結ぶため、図の矢印で示すように
１点で発光した光はどのレンズに入射しても光センサ側
の１点で結像する。よって光が複数のレンズに入射して
も像が乱れない。また、１つの光センサに複数のレンズ
から光が入射しても乱れない。これは等倍型正転レンズ
アレイの特徴である。このためレンズの光入射面あるい
は光射出面に入射または射出される光が余計なレンズに
入射し、射出されないように、隣接するレンズの境に遮
光壁を設けたり、レンズの横方向の位置を光センサチッ
プ１０４に対して複雑な調整をする必要がない。また、
一つのレンズの幅も自由であり、図８の様に画素ピッチ
に対して大きくすることもできる。また、特別な遮光を
施す必要が無いため、レンズを密に配置することができ
る。
で、且つ、正転で像を結ぶため、図の矢印で示すように
１点で発光した光はどのレンズに入射しても光センサ側
の１点で結像する。よって光が複数のレンズに入射して
も像が乱れない。また、１つの光センサに複数のレンズ
から光が入射しても乱れない。これは等倍型正転レンズ
アレイの特徴である。このためレンズの光入射面あるい
は光射出面に入射または射出される光が余計なレンズに
入射し、射出されないように、隣接するレンズの境に遮
光壁を設けたり、レンズの横方向の位置を光センサチッ
プ１０４に対して複雑な調整をする必要がない。また、
一つのレンズの幅も自由であり、図８の様に画素ピッチ
に対して大きくすることもできる。また、特別な遮光を
施す必要が無いため、レンズを密に配置することができ
る。
【００４８】レンズ自身はＸ線を吸収するのに充分に厚
く、また、隙間無く配置できるため、等倍型正転レンズ
アレイ３０５自身が放射線吸収部材として働き、放射線
を光センサチップ１０４に入射させない効果を持たせる
ことができる。
く、また、隙間無く配置できるため、等倍型正転レンズ
アレイ３０５自身が放射線吸収部材として働き、放射線
を光センサチップ１０４に入射させない効果を持たせる
ことができる。
【００４９】蛍光体４０２の下方Ｂ付近で発光した光は
光センサ１０６の面に完全に結像しないが光量が増加す
るので放射線撮像装置の感度に寄与する。
光センサ１０６の面に完全に結像しないが光量が増加す
るので放射線撮像装置の感度に寄与する。
【００５０】図９により本実施形態における効果を説明
する。また、図１０に等倍型正転レンズアレイを使わな
い場合の動作もあわせて説明する。
する。また、図１０に等倍型正転レンズアレイを使わな
い場合の動作もあわせて説明する。
【００５１】図９（ａ）の太い実線で示すように透明蛍
光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０６
の面に結像する。そのため図９（ｂ）のＡのグラフで示
すように光センサ１０６の面での光分布は幅が狭く、ボ
ケが小さい。また、透明蛍光体４０２の上方Ａ付近の光
強度は右側のグラフが示すように大きいため光量は大き
い。つまり、透明蛍光体４０２の上方Ａ付近で発光した
光は光センサ１０６の面にボケの小さい明るい像を結
ぶ。
光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０６
の面に結像する。そのため図９（ｂ）のＡのグラフで示
すように光センサ１０６の面での光分布は幅が狭く、ボ
ケが小さい。また、透明蛍光体４０２の上方Ａ付近の光
強度は右側のグラフが示すように大きいため光量は大き
い。つまり、透明蛍光体４０２の上方Ａ付近で発光した
光は光センサ１０６の面にボケの小さい明るい像を結
ぶ。
【００５２】これに対し、図９（ａ）の細い実線で示す
ように透明蛍光体４０２の下方Ｂ付近で発光した光は光
センサ１０６の面に結像しない。そのため図９（ｂ）の
Ｂのグラフで示すように光センサ１０６の面での光分布
は幅が広く、ボケが大きい。また、透明蛍光体４０２の
下方Ｂ付近の光強度は右側のグラフが示すように小さい
ため光量は小さい。つまり、透明蛍光体４０２の下方Ｂ
付近で発光した光は光センサ１０６の面にボケが大きい
暗い像を結ぶ。
ように透明蛍光体４０２の下方Ｂ付近で発光した光は光
センサ１０６の面に結像しない。そのため図９（ｂ）の
Ｂのグラフで示すように光センサ１０６の面での光分布
は幅が広く、ボケが大きい。また、透明蛍光体４０２の
下方Ｂ付近の光強度は右側のグラフが示すように小さい
ため光量は小さい。つまり、透明蛍光体４０２の下方Ｂ
付近で発光した光は光センサ１０６の面にボケが大きい
暗い像を結ぶ。
【００５３】実際にはＸ線像の上方Ａと下方Ｂで発光し
た光は同じ光センサ１０６の受光面に作用するため、総
合的な光分布は図９（ｂ）のＡ＋Ｂのグラフのようにな
り、先鋭度は十分に高いことがわかる。もし、装置の感
度を向上させるため、つまり、波長変換されるＸ線のよ
うな放射線の割合を多くするために、蛍光体４０２の厚
さを増し、上方Ａ付近の光を結像すれば、先鋭度を大き
く犠牲にすることなく感度向上を図れる。また、蛍光体
４０２をＸ線吸収に充分なほど厚さを大きくすれば、蛍
光体４０２自身に放射線吸収部材としての働きをさせ、
放射線が光センサチップ１０４に入射するのを防ぐこと
ができる。
た光は同じ光センサ１０６の受光面に作用するため、総
合的な光分布は図９（ｂ）のＡ＋Ｂのグラフのようにな
り、先鋭度は十分に高いことがわかる。もし、装置の感
度を向上させるため、つまり、波長変換されるＸ線のよ
うな放射線の割合を多くするために、蛍光体４０２の厚
さを増し、上方Ａ付近の光を結像すれば、先鋭度を大き
く犠牲にすることなく感度向上を図れる。また、蛍光体
４０２をＸ線吸収に充分なほど厚さを大きくすれば、蛍
光体４０２自身に放射線吸収部材としての働きをさせ、
放射線が光センサチップ１０４に入射するのを防ぐこと
ができる。
【００５４】これに対し等倍型正転レンズアレイを使わ
ない場合の一例を図１０を用いて説明する。
ない場合の一例を図１０を用いて説明する。
【００５５】図１０（ａ）の太い実線で示すように透明
蛍光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０
６までの距離に応じて光センサ１０６の受光面で広が
る。そのため図１０（ｂ）のＡのグラフで示すように光
センサ１０６の受光面での光分布は幅が広くなる。ま
た、蛍光体４０２の上方Ａ付近の光強度は右側のグラフ
が示すように大きいため光量は大きい。つまり、透明蛍
光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０６
の面に広がった明るいものとなる。
蛍光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０
６までの距離に応じて光センサ１０６の受光面で広が
る。そのため図１０（ｂ）のＡのグラフで示すように光
センサ１０６の受光面での光分布は幅が広くなる。ま
た、蛍光体４０２の上方Ａ付近の光強度は右側のグラフ
が示すように大きいため光量は大きい。つまり、透明蛍
光体４０２の上方Ａ付近で発光した光は光センサ１０６
の面に広がった明るいものとなる。
【００５６】これに対し、図１０（ａ）の細い実線で示
すように透明蛍光体４０２の下方Ｂ付近で発光した光は
光センサ１０６の受光面までの距離がないのでそれほど
広がらない。そのため図１０（ｂ）のＢのグラフで示す
ように光センサ１０６の面での光分布は幅が狭くなる。
蛍光体４０２の下方Ｂ付近の光強度は右側のグラフが示
すように小さいため光量自体は小さい。つまり、蛍光体
４０２の下方Ｂ付近で発光した光は光センサ１０６の面
に広がりは小さいが発光強度に対応したものとなる。
すように透明蛍光体４０２の下方Ｂ付近で発光した光は
光センサ１０６の受光面までの距離がないのでそれほど
広がらない。そのため図１０（ｂ）のＢのグラフで示す
ように光センサ１０６の面での光分布は幅が狭くなる。
蛍光体４０２の下方Ｂ付近の光強度は右側のグラフが示
すように小さいため光量自体は小さい。つまり、蛍光体
４０２の下方Ｂ付近で発光した光は光センサ１０６の面
に広がりは小さいが発光強度に対応したものとなる。
【００５７】したがって、総合的な光分布は図１０
（ｂ）のＡ＋Ｂのグラフのようになり、結像手段を用い
た場合に比べて、先鋭度は低くなる。もし、装置の感度
を向上させるため透明蛍光体４０２の厚さを増せば上方
Ａ付近の光はさらに広がり、広がりの少ない下方Ｂの光
はさらに発光強度が小さくなるため像の先鋭度が大きく
犠牲になる場合がある。このようにレンズのような結像
光学系を使わない場合、ある程度以上蛍光体の厚さを大
きくすることが出来ず、より高感度の装置を構成するの
は難しい。また、蛍光体４０２を十分に厚くできないた
め蛍光体４０２を利用して放射線が光センサチップ１０
４に入射する事を防ぐのは難しい。
（ｂ）のＡ＋Ｂのグラフのようになり、結像手段を用い
た場合に比べて、先鋭度は低くなる。もし、装置の感度
を向上させるため透明蛍光体４０２の厚さを増せば上方
Ａ付近の光はさらに広がり、広がりの少ない下方Ｂの光
はさらに発光強度が小さくなるため像の先鋭度が大きく
犠牲になる場合がある。このようにレンズのような結像
光学系を使わない場合、ある程度以上蛍光体の厚さを大
きくすることが出来ず、より高感度の装置を構成するの
は難しい。また、蛍光体４０２を十分に厚くできないた
め蛍光体４０２を利用して放射線が光センサチップ１０
４に入射する事を防ぐのは難しい。
【００５８】本実施例での蛍光体は内部での光拡散性の
小さいものが好ましいが、完全に光を拡散するものでな
ければ等倍型正転レンズアレイにより結像することが可
能である。また、蛍光体上部の光反射膜は鏡面でミラー
効果が大きいものが先鋭度、感度の点でより好ましい
が、拡散性のある反射板でも使用することが可能であ
る。また、反射膜が無くとも本実施形態による基本的な
効果を失うものでない。
小さいものが好ましいが、完全に光を拡散するものでな
ければ等倍型正転レンズアレイにより結像することが可
能である。また、蛍光体上部の光反射膜は鏡面でミラー
効果が大きいものが先鋭度、感度の点でより好ましい
が、拡散性のある反射板でも使用することが可能であ
る。また、反射膜が無くとも本実施形態による基本的な
効果を失うものでない。
【００５９】ここで等倍型正転レンズアレイ３０５によ
り、蛍光体４０２のどこの位置の発光を光センサ１０６
の面に結像させるがより好ましいかを説明する。
り、蛍光体４０２のどこの位置の発光を光センサ１０６
の面に結像させるがより好ましいかを説明する。
【００６０】図９に示されるように、発光強度が一番強
いところを中心に結像させることが効果的である。光反
射膜４０３が鏡面である場合、光強度は右側のグラフの
実線と破線の和と考えられるので透明蛍光体４０２と光
反射膜４０３との界面、つまり、蛍光体４０２の放射線
入射側の端面の光を光センサ１０６の面に結像するのが
最適である。
いところを中心に結像させることが効果的である。光反
射膜４０３が鏡面である場合、光強度は右側のグラフの
実線と破線の和と考えられるので透明蛍光体４０２と光
反射膜４０３との界面、つまり、蛍光体４０２の放射線
入射側の端面の光を光センサ１０６の面に結像するのが
最適である。
【００６１】また、光反射膜４０３が拡散性の強い膜の
場合、破線の光成分が主に蛍光体４０２の光反射膜４０
３との界面に集中しているのと等価と考えられる。この
場合も蛍光体４０２の放射線入射側の端面の光を光セン
サ１０６の面に結像するのが最適である。
場合、破線の光成分が主に蛍光体４０２の光反射膜４０
３との界面に集中しているのと等価と考えられる。この
場合も蛍光体４０２の放射線入射側の端面の光を光セン
サ１０６の面に結像するのが最適である。
【００６２】光反射膜のない場合は結像面のボケを考慮
し、蛍光体４０２の上方Ａ内で放射線入射側の端面より
若干下側を結像した方が先鋭度が増す。この位置は光セ
ンサ１０６の画素ピッチの半分の量だけ蛍光体４０２の
光反射膜４０３との界面、つまり、蛍光体４０２の放射
線入射側の端面から下方がよい。この量なら一番強い蛍
光体４０２の放射線入射側の端面からの光もほとんど本
来到達すべき光センサに入射し、隣の光センサ画素には
ほとんど入射しないからである。つまり光センサ１０６
を１６０μｍピッチに配置した場合蛍光体４０２の放射
線入射側の端面から８０μｍ程度下側がよい。
し、蛍光体４０２の上方Ａ内で放射線入射側の端面より
若干下側を結像した方が先鋭度が増す。この位置は光セ
ンサ１０６の画素ピッチの半分の量だけ蛍光体４０２の
光反射膜４０３との界面、つまり、蛍光体４０２の放射
線入射側の端面から下方がよい。この量なら一番強い蛍
光体４０２の放射線入射側の端面からの光もほとんど本
来到達すべき光センサに入射し、隣の光センサ画素には
ほとんど入射しないからである。つまり光センサ１０６
を１６０μｍピッチに配置した場合蛍光体４０２の放射
線入射側の端面から８０μｍ程度下側がよい。
【００６３】また、本実施形態と別の実装方法として光
透過性部材２０４や光透過性基板２０５のどちらかもし
くは両方を用いず、機械的に蛍光体４０２と等倍型正転
レンズアレイ３０５と光センサチップ１０４を空間をあ
け保持してもよい。特に、等倍型正転レンズアレイ３０
５自身にＸ線を吸収し光センサチップをＸ線から保護す
る作用があるため特別な部材を不要とすることができる
からである。
透過性部材２０４や光透過性基板２０５のどちらかもし
くは両方を用いず、機械的に蛍光体４０２と等倍型正転
レンズアレイ３０５と光センサチップ１０４を空間をあ
け保持してもよい。特に、等倍型正転レンズアレイ３０
５自身にＸ線を吸収し光センサチップをＸ線から保護す
る作用があるため特別な部材を不要とすることができる
からである。
【００６４】本実施態様例によれば等倍型正転レンズア
レイを用いることによりレンズ間に遮光部材が無くとも
レンズ間で異なる画像が干渉しない。そのため先鋭度の
高い放射線撮像装置を得ることが可能となる。また、レ
ンズを密に配置することができレンズアレイ自身に光セ
ンサチップやその他電子回路をＸ線から保護する効果を
持たせることができ、コンパクトな放射線撮像装置を得
ることが可能となる。
レイを用いることによりレンズ間に遮光部材が無くとも
レンズ間で異なる画像が干渉しない。そのため先鋭度の
高い放射線撮像装置を得ることが可能となる。また、レ
ンズを密に配置することができレンズアレイ自身に光セ
ンサチップやその他電子回路をＸ線から保護する効果を
持たせることができ、コンパクトな放射線撮像装置を得
ることが可能となる。
【００６５】また、レンズを使用し結像しているので蛍
光体発光部と光センサを離して配置でき、先鋭度を保ち
ながら放射線吸収部材として働く光透過部材や光透過基
板をレンズの蛍光体側、光センサチップ側に実装するこ
とができる。また、光透過基板では光センサチップを電
気的に接続することもでき、さらなるコンパクトな放射
線撮像装置を得ることが可能となる。
光体発光部と光センサを離して配置でき、先鋭度を保ち
ながら放射線吸収部材として働く光透過部材や光透過基
板をレンズの蛍光体側、光センサチップ側に実装するこ
とができる。また、光透過基板では光センサチップを電
気的に接続することもでき、さらなるコンパクトな放射
線撮像装置を得ることが可能となる。
【００６６】本実施態様例では、結像光学系を使用して
蛍光体中の発光強度の大きい放射線入射側付近の光を光
センサに結像できるため、先鋭度を保ちながら感度の向
上させることができる。また、蛍光体を厚くして放射線
撮像装置の感度を向上させると同時に、蛍光体自身にＸ
線を吸収させ光センサチップをＸ線から保護する作用を
大きく持たせることができる。また、蛍光体上に反射膜
を設けているため、先鋭度の高い高感度の放射線撮像装
置を得ることができる。これら効果は拡散性のないある
いは少ない蛍光体やミラー効果の強い鏡面の反射板を用
いるとさらに大きくなる。
蛍光体中の発光強度の大きい放射線入射側付近の光を光
センサに結像できるため、先鋭度を保ちながら感度の向
上させることができる。また、蛍光体を厚くして放射線
撮像装置の感度を向上させると同時に、蛍光体自身にＸ
線を吸収させ光センサチップをＸ線から保護する作用を
大きく持たせることができる。また、蛍光体上に反射膜
を設けているため、先鋭度の高い高感度の放射線撮像装
置を得ることができる。これら効果は拡散性のないある
いは少ない蛍光体やミラー効果の強い鏡面の反射板を用
いるとさらに大きくなる。
【００６７】次に、本発明によるＸ線撮像装置を用いた
Ｘ線撮像システムについて説明する。図１１は本発明に
よるＸ線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示す
図である。
Ｘ線撮像システムについて説明する。図１１は本発明に
よるＸ線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示す
図である。
【００６８】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被検体６０６１の胸部などの観察部
分６０６２を透過し、波長変換体としてシンチレータを
上部に実装した光電変換装置（Ｘ線撮像装置）６０４０
に入射する。この入射したＸ線には被検体６０６１の内
部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチ
レータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得
る。この情報はディジタルに変換されイメージプロセッ
サ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６
０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被検体６０６１の胸部などの観察部
分６０６２を透過し、波長変換体としてシンチレータを
上部に実装した光電変換装置（Ｘ線撮像装置）６０４０
に入射する。この入射したＸ線には被検体６０６１の内
部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチ
レータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得
る。この情報はディジタルに変換されイメージプロセッ
サ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６
０８０で観察できる。
【００６９】また、この情報は電話回線や無線６０９０
等の伝送手段により遠隔地などへ転送でき、別の場所の
ドクタールームなどでディスプレイ６０８１に表示もし
くはフィルムなどの出力により遠隔地の医師が診断する
ことも可能である。得られた情報はフィルムプロセッサ
などの記録手段６１００により光ディスク、光磁気ディ
スク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒
体、フィルムや紙などの記録媒体６１１０に記録や保存
することもできる。
等の伝送手段により遠隔地などへ転送でき、別の場所の
ドクタールームなどでディスプレイ６０８１に表示もし
くはフィルムなどの出力により遠隔地の医師が診断する
ことも可能である。得られた情報はフィルムプロセッサ
などの記録手段６１００により光ディスク、光磁気ディ
スク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒
体、フィルムや紙などの記録媒体６１１０に記録や保存
することもできる。
【００７０】なお、前述したＸ線撮像装置は特に医療用
に限定されず、非破壊検査等の用途にも用いることがで
きる。また、ＣＣＤ固体撮像素子はＭＯＳ固体撮像素子
としてもよい。
に限定されず、非破壊検査等の用途にも用いることがで
きる。また、ＣＣＤ固体撮像素子はＭＯＳ固体撮像素子
としてもよい。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型化が達成され、安定した画像読み取りを行うことが
でき、高感度の放射線撮像装置とすることができる。
小型化が達成され、安定した画像読み取りを行うことが
でき、高感度の放射線撮像装置とすることができる。
【００７２】また、放射線撮像装置の撮像領域の大きさ
の自由度が高く、低コストで高性能な放射線像を読み取
ることができる放射線撮像装置とすることができる。
の自由度が高く、低コストで高性能な放射線像を読み取
ることができる放射線撮像装置とすることができる。
【００７３】加えて、このような放射線撮像装置を有す
る放射線撮像システムは、信頼性が高く、診断の短時間
化、確実性を一層向上することが可能になり、被検体の
撮影の準備に要する多くの負担や設定のコスト像を低下
させることができる。また、システムのランニングコス
トも低いものになるため、非破壊検査にかかる費用を削
減することが可能になる。
る放射線撮像システムは、信頼性が高く、診断の短時間
化、確実性を一層向上することが可能になり、被検体の
撮影の準備に要する多くの負担や設定のコスト像を低下
させることができる。また、システムのランニングコス
トも低いものになるため、非破壊検査にかかる費用を削
減することが可能になる。
【００７４】また、放射線の入射方向に対して、該放射
線を検出手段（例えば光センサ）の感光波長域の光に変
換するシンチレータのような波長変換体、該波長変換体
からの光を導く結像光学系、前記波長変換体からの光を
受光する複数の光センサの順に配置するとともに、該光
センサに到達する放射線量を減少するための放射線遮蔽
部材を有することで、Ｘ線のような放射線による悪影響
を受けることがなく、コンパクトで先鋭度が高く、さら
に感度の高い放射線撮像装置を得ることができる。
線を検出手段（例えば光センサ）の感光波長域の光に変
換するシンチレータのような波長変換体、該波長変換体
からの光を導く結像光学系、前記波長変換体からの光を
受光する複数の光センサの順に配置するとともに、該光
センサに到達する放射線量を減少するための放射線遮蔽
部材を有することで、Ｘ線のような放射線による悪影響
を受けることがなく、コンパクトで先鋭度が高く、さら
に感度の高い放射線撮像装置を得ることができる。
【００７５】放射線遮蔽部材として設けられるガラスの
ような光透過性基板を波長変換体と光センサチップの間
に配することで、あるいは、放射線遮蔽部材として利用
される屈折率分散型光導材を利用した等倍光学系などの
等倍型正転光学系を波長変換体と光センサチップの間に
配することで効果的に光センサチップへの放射線の入力
をなくすあるいは減少することができ、光センサチップ
に代表される半導体デバイスの損傷や雑音の増加を現象
あるいはなくすことができる。もちろん、正転光学系と
光透過性基板を組み合わせても良い。
ような光透過性基板を波長変換体と光センサチップの間
に配することで、あるいは、放射線遮蔽部材として利用
される屈折率分散型光導材を利用した等倍光学系などの
等倍型正転光学系を波長変換体と光センサチップの間に
配することで効果的に光センサチップへの放射線の入力
をなくすあるいは減少することができ、光センサチップ
に代表される半導体デバイスの損傷や雑音の増加を現象
あるいはなくすことができる。もちろん、正転光学系と
光透過性基板を組み合わせても良い。
【００７６】また、放射線斜光部材としての光透過性基
板面に光センサチップを固定配置すれば複数のチップを
容易に配置することができる。光センサチップを隙間無
く敷き詰めることも可能であり、その数を増せば所望の
大きさの大版放射線撮像装置を得ることができる。
板面に光センサチップを固定配置すれば複数のチップを
容易に配置することができる。光センサチップを隙間無
く敷き詰めることも可能であり、その数を増せば所望の
大きさの大版放射線撮像装置を得ることができる。
【００７７】上記した様に、等倍型正転光学系である等
倍型正転レンズアレイを放射線遮蔽部材として兼ねれば
部品点数の少ないコンパクトな放射線撮像装置を得るこ
とができる。
倍型正転レンズアレイを放射線遮蔽部材として兼ねれば
部品点数の少ないコンパクトな放射線撮像装置を得るこ
とができる。
【００７８】波長変換体として透明な拡散光の少ない蛍
光体を用いれば先鋭度を低下させることなく感度を大幅
に向上した放射線撮像装置を得ることができる。特に、
単結晶のヨウ化セシウム（ＣｓＩ）やＧｄ2Ｏ2Ｓは透明
性も高く、より好ましい。
光体を用いれば先鋭度を低下させることなく感度を大幅
に向上した放射線撮像装置を得ることができる。特に、
単結晶のヨウ化セシウム（ＣｓＩ）やＧｄ2Ｏ2Ｓは透明
性も高く、より好ましい。
【００７９】また、本発明によれば、光透過性基板の一
方の面上に２次元光センサを配置し、他方の面上に縮小
光学系となるレンズアレイ、波長変換体を配置した構成
により、大面積かつコンパクトな放射線撮像装置を得る
ことが可能となる。
方の面上に２次元光センサを配置し、他方の面上に縮小
光学系となるレンズアレイ、波長変換体を配置した構成
により、大面積かつコンパクトな放射線撮像装置を得る
ことが可能となる。
【００８０】また、レンズアレイ及び光透過性基板の厚
みを管理することによって、レンズアレイ及び光透過性
基板で波長変換体を透過するＸ線を吸収させ、光センサ
などの半導体デバイスに到達するＸ線を遮蔽し、Ｘ線に
より発生する電荷により２次元光センサにデバイスの破
壊やセンサ出力特性に悪影響を与える（特にＳ／Ｎを悪
くする等）等の問題を生じさせないようにすることがで
きる。
みを管理することによって、レンズアレイ及び光透過性
基板で波長変換体を透過するＸ線を吸収させ、光センサ
などの半導体デバイスに到達するＸ線を遮蔽し、Ｘ線に
より発生する電荷により２次元光センサにデバイスの破
壊やセンサ出力特性に悪影響を与える（特にＳ／Ｎを悪
くする等）等の問題を生じさせないようにすることがで
きる。
【００８１】また、本発明によれば、特に、近年医療産
業において強く望まれる、Ｘ線画像情報のデジタル化の
要求が満たされ、病院内において大幅な診療の効率がア
ップすることは言うまでもなく、遠距離での医療診断情
報ネットワークの構築も可能となり、遠隔地においても
他の病院の医療がうけられるといったような医療界全体
で診断効率を向上することができる。
業において強く望まれる、Ｘ線画像情報のデジタル化の
要求が満たされ、病院内において大幅な診療の効率がア
ップすることは言うまでもなく、遠距離での医療診断情
報ネットワークの構築も可能となり、遠隔地においても
他の病院の医療がうけられるといったような医療界全体
で診断効率を向上することができる。
【００８２】以上の説明は２次元の放射線撮像装置の構
成で説明したが、２次元に限らず、１次元の放射線撮像
装置も同様に構成することができる。これにより、骨密
度測定用のラインセンサや工業用Ｘ線撮像ラインセンサ
等に用いることができる。
成で説明したが、２次元に限らず、１次元の放射線撮像
装置も同様に構成することができる。これにより、骨密
度測定用のラインセンサや工業用Ｘ線撮像ラインセンサ
等に用いることができる。
【００８３】また、本発明は上記した実施例に限定され
るわけではなく、本発明の主旨の範囲において、適宜変
形組み合わせが可能であることはいうまでもない。
るわけではなく、本発明の主旨の範囲において、適宜変
形組み合わせが可能であることはいうまでもない。
【図１】本発明の第１の実施形態の放射線撮像装置の構
成の一例を示す模式的断面図である。
成の一例を示す模式的断面図である。
【図２】放射線撮像装置の光電変換デバイス側から放射
線撮像装置を見た場合の一例を示す模式的平面図であ
る。
線撮像装置を見た場合の一例を示す模式的平面図であ
る。
【図３】一つの光電変換デバイスのフリップチップ実装
構成部の概略的断面図である。
構成部の概略的断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の放射線撮像装置の構
成の一例を示す模式的断面図である。
成の一例を示す模式的断面図である。
【図５】光透過性基板（無アルカリガラス）とＸ線透過
率との関係の一例を示す特性図である。
率との関係の一例を示す特性図である。
【図６】本発明の第３の実施形態を示すＸ線撮像装置の
構成の模式的斜視図である。
構成の模式的斜視図である。
【図７】図６に示されるＸ線撮像装置の模式的断面図で
ある。
ある。
【図８】図６に示されるＸ線撮像装置の模式的断面図で
ある。
ある。
【図９】本実施形態における効果を説明する図である。
【図１０】等倍型正転レンズアレイを使わない場合の動
作を説明する図である。
作を説明する図である。
【図１１】Ｘ線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例
を示す概略的システム図である。
を示す概略的システム図である。
【図１２】フィルム方式のＸ線撮像装置の一例を示す概
略的構成図である。
略的構成図である。
１０１ ＣＣＤ固体撮像素子 １０２ ＣＣＤ固体撮像素子上の端子 １０３ 金属バンプ ２０１ 光透過性基板 ２０２ 金属薄膜（入出力信号配線及び端子） ２０３ 異方性導電フィルム（ＡＣＦ） ３０１ レンズアレイ ３０２ 低屈折率の樹脂層 ３０３ レンズアレイ ３０４ 低屈折率の樹脂層 ４０１ シンチレータ ５０１ Ｘ線源 ５０２ 人体（患者） ５０３ グリット ５０４ シンチレータ ５０５ フィルム
Claims (26)
- 【請求項１】 入射される放射線の波長を光に変換する
波長変換体、該波長変換体で波長変換された光が入力さ
れる結像光学系、該結像光学系からの光を受光する光セ
ンサの複数、を有し、該光センサと該波長変換体との間
に該波長変換体を通過したＸ線を減少させる光透過性基
板を配した放射線撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の放射線撮像装置におい
て、前記複数の光センサは前記光透過性基板上に配置さ
れている放射線撮像装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の放射線撮像装置におい
て、前記光透過性基板に形成された配線の端子と前記複
数の光センサに形成された端子とを金属部材を介して電
気的に接続固定した放射線撮像装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
放射線撮像装置において、前記複数の光センサは２次元
的に配置されている放射線撮像装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
放射線撮像装置において、前記光センサは1次元もしく
は２次元の受光素子領域を有する固体撮像素子である放
射線撮像装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の放射線撮像装置におい
て、前記固体撮像素子はＣＣＤ固体撮像素子またはＭＯ
Ｓ固体撮像素子である放射線撮像装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれかの１項に記載
の放射線撮像装置において、前記放射線はＸ線であっ
て、前記結像光学系及び前記光透過性基板の厚さは、前
記波長変換体を通過するＸ線が吸収されるに十分な厚さ
とされている放射線撮像装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
放射線撮像装置において、前記結像光学系は、光学レン
ズを含む放射線撮像装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の放射線撮像装置におい
て、前記光学レンズを複数枚有する放射線撮像装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の放射線撮像装置において、前記結像光学系は等倍正転
型結像光学手段を有する放射線撮像装置。 - 【請求項１１】 放射線を光に変換する波長変換体、該
波長変換体からの光が入力される正転結像光学系、前記
正転結像光学系からの光を受光する光センサの複数を有
する放射線撮像装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記正転結像光学系は、１次元もしくは２次元
に配列された正転レンズアレイを有する放射線撮像装
置。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記正転結像光学系は等倍型正転レンズアレイ
を有する放射線撮像装置。 - 【請求項１４】 請求項１１の放射線撮像装置におい
て、前記複数の光センサは１次元もしくは２次元的に配
置されている放射線撮像装置。 - 【請求項１５】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記光センサは１次元もしくは２次元の受光素
子領域を有する固体撮像素子を有する放射線撮像装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記固体撮像素子はＣＣＤ固体撮像素子又はＭ
ＯＳ固体撮像素子である放射線撮像装置。 - 【請求項１７】 請求項１１乃至１３のいずれかの１項
に記載の放射線撮像装置において、前記放射線はＸ線で
あって、前記正転結像光学系の光学部材の厚さを、前記
波長変換体を通過するＸ線が吸収されるのに十分な厚さ
とする放射線撮像装置。 - 【請求項１８】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記波長変換体は透明蛍光体を有する放射線撮
像装置。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記透明蛍光体は単結晶材料である放射線撮像
装置。 - 【請求項２０】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記正転結像光学系は前記波長変換体の前記放
射線の入射側付近で変換された光を前記複数の光センサ
に結合する放射線撮像装置。 - 【請求項２１】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記波長変換体の放射線入射側表面に反射膜を
有する放射線撮像装置。 - 【請求項２２】 請求項１１に記載の放射線撮像装置に
おいて、前記波長変換体の放射線入射側表面に反射膜を
有し、前記正転結像光学系は前記波長変換体の前記放射
線の入射側付近で変換された光を前記複数の光センサに
結合する放射線撮像装置。 - 【請求項２３】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を
処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号
を表示するための表示手段と、前記放射線を発生させる
ための放射線源とを具備する放射線撮像システム。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の放射線撮像システ
ムにおいて、更に、前記信号処理手段からの信号を記録
するための記録手段または前記信号処理手段からの信号
を伝送するための伝送処理手段を有する放射線撮像シス
テム。 - 【請求項２５】 請求項１１乃至２２のいずれか１項に
記載の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信
号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの
信号を表示するための表示手段と、前記放射線を発生さ
せるための放射線源とを具備する放射線線撮像システ
ム。 - 【請求項２６】 請求項２５に記載の放射線撮像システ
ムにおいて、更に、前記信号処理手段からの信号を記録
するための記録手段または前記信号処理手段からの信号
を伝送するための伝送処理手段を有する放射線撮像シス
テム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000187787A JP2001074847A (ja) | 1999-07-08 | 2000-06-22 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| US09/611,147 US6528796B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-06 | Radiation image pickup device and radiation image pickup system |
| EP00305746A EP1067402A3 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-07 | Device and system for radiation image pickup |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-194606 | 1999-07-08 | ||
| JP19460699 | 1999-07-08 | ||
| JP2000187787A JP2001074847A (ja) | 1999-07-08 | 2000-06-22 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001074847A true JP2001074847A (ja) | 2001-03-23 |
| JP2001074847A5 JP2001074847A5 (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=26508605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000187787A Withdrawn JP2001074847A (ja) | 1999-07-08 | 2000-06-22 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6528796B1 (ja) |
| EP (1) | EP1067402A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001074847A (ja) |
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| KR100767384B1 (ko) | 2007-02-08 | 2007-10-17 | 라드텍주식회사 | Ｘ선 듀얼 에너지 검출기 |
| JP2007315908A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ratoc System Engineering Co Ltd | 撮像システム |
| CN100370810C (zh) * | 2001-05-18 | 2008-02-20 | 佳能株式会社 | 摄像装置 |
| JP2012159483A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-23 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
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| JP2013195295A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
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