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JP2001067017A - Active matrix substrate manufacturing method and manufacturing apparatus - Google Patents

Active matrix substrate manufacturing method and manufacturing apparatus

Info

Publication number
JP2001067017A
JP2001067017A JP24332599A JP24332599A JP2001067017A JP 2001067017 A JP2001067017 A JP 2001067017A JP 24332599 A JP24332599 A JP 24332599A JP 24332599 A JP24332599 A JP 24332599A JP 2001067017 A JP2001067017 A JP 2001067017A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
insulating film
forming
photosensitive resin
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24332599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuhiko Tamura
達彦 田村
Nobuyuki Tsuboi
伸行 坪井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP24332599A priority Critical patent/JP2001067017A/en
Publication of JP2001067017A publication Critical patent/JP2001067017A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の反射型LCDで問題となっている画素
電極での金属光沢的な反射特性をなくし、表示品位を飛
躍的に改善するアクティブマトリックス基板の製造方法
を提供する。 【解決手段】 アクティブ素子2及びアドレス配線3を
覆う絶縁膜4上にアクティブ素子に接続する画素電極を
マトリックス状に形成する製造工程において、絶縁膜4
の形成工程で、感光性樹脂4aを塗布した基板を、形成
すべき画素電極の大きさよりも小さい面積の高温部と低
温部とが交互に分布するようにして加熱し、樹脂中の溶
媒7を蒸発させる。このとき、樹脂表面に凹凸が発生
し、この上に形成した画素電極にも凹凸が生じて拡散面
となる。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an active matrix substrate, which eliminates a metallic glossy reflection characteristic at a pixel electrode, which is a problem in a conventional reflection type LCD, and dramatically improves display quality. . SOLUTION: In a manufacturing process for forming pixel electrodes connected to active elements in a matrix on an insulating film 4 covering active elements 2 and address wirings 3, the insulating film 4
In the forming step, the substrate coated with the photosensitive resin 4a is heated so that high-temperature portions and low-temperature portions having an area smaller than the size of the pixel electrode to be formed are alternately distributed, and the solvent 7 in the resin is removed. Allow to evaporate. At this time, irregularities occur on the resin surface, and irregularities also occur on the pixel electrodes formed thereon, thereby forming a diffusion surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示画素毎にアク
ティブ素子を備えたアクティブマトリックス(以下、A
M)基板の製造方法及び製造装置に関するものである。
The present invention relates to an active matrix (hereinafter referred to as A) having an active element for each display pixel.
M) A method and apparatus for manufacturing a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、AM型液晶表示ディスプレイ(以
下、LCD)は急速に進展し、すでに10インチ以上の
画面サイズを有するようなディスプレイが商品化されて
いる。また、更なる省電力化の要請を受けて、反射型L
CDの開発が進展し、透過型に迫るカラー表示可能なデ
ィスプレイも商品化されつつある。AM型LCDは表示
画素毎に設けられたアクティブ素子を制御することによ
り、画素電極の電位を制御し、液晶の光学特性を変化さ
せることによって、所望の画像を表示させる。
2. Description of the Related Art In recent years, AM type liquid crystal displays (hereinafter, LCDs) have been rapidly developed, and displays having a screen size of 10 inches or more have already been commercialized. In response to a demand for further power saving, the reflection type L
As the development of CDs has progressed, displays capable of displaying colors approaching the transmissive type have been commercialized. The AM-type LCD controls a potential of a pixel electrode by controlling an active element provided for each display pixel, and changes an optical characteristic of a liquid crystal to display a desired image.

【0003】以下に従来例について図面を参照しながら
説明する。図3は従来のAM基板における一つの画素部
の断面構造を示したものであり、図4はそのAM基板の
製造工程における絶縁膜形成から画素電極形成前までの
工程毎の断面構造を示したものである。
A conventional example will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 shows a cross-sectional structure of one pixel portion of a conventional AM substrate, and FIG. 4 shows a cross-sectional structure of each process from formation of an insulating film to before formation of a pixel electrode in a process of manufacturing the AM substrate. Things.

【0004】図3において、従来のAM基板はガラス等
の絶縁性基板1上にアクティブ素子2及びアドレス配線
3を設け、アクティブ素子2及びアドレス配線3を覆う
ように絶縁膜4を設け、この絶縁膜4に形成した開口部
5を通してアクティブ素子2と接続された画素電極6を
設けた構造なっている。画素電極6とアクティブ素子2
及びアドレス配線3とは絶縁膜4を介して重なり合うた
め容量的な結合が生じ、画素電極に加えられるべき信号
が、アクティブ素子2及びアドレス配線3の信号から干
渉を受けて変化してしまう。これを許容以下のレベルま
で低減させるために一般的に絶縁膜4の膜厚を少なくと
も2000nm以上にしている。
In FIG. 3, a conventional AM substrate is provided with an active element 2 and an address wiring 3 on an insulating substrate 1 such as glass, and an insulating film 4 is provided so as to cover the active element 2 and the address wiring 3. The pixel electrode 6 is connected to the active element 2 through an opening 5 formed in the film 4. Pixel electrode 6 and active element 2
In addition, since the signal line overlaps with the address line 3 via the insulating film 4, capacitive coupling occurs, and a signal to be applied to the pixel electrode changes due to interference from the signal of the active element 2 and the address line 3. In order to reduce this to an acceptable level or less, the thickness of the insulating film 4 is generally at least 2000 nm or more.

【0005】また、図4に示したように、従来のAM基
板における絶縁膜形成の製造工程では、はじめに、アク
ティブ素子2及びアドレス配線3を設けた絶縁性基板1
に、アクティブ素子2及びアドレス配線3を覆うように
溶媒で希釈されたポジ型の感光性樹脂4aを塗布する
(塗布工程)。次に、感光性樹脂4aを塗布した基板
を、ヒーターを内蔵したホットプレート8からなるベー
ク処理装置上に置き、加熱することによって溶媒7を蒸
発させる(第1のベーク工程)。次に、第1のベーク工
程を行った基板に対して、アクティブ素子2との接続を
行うために、開口部5等の必要な開口部分のみ露光させ
る所定のマスク9を用いて紫外線10を照射し、感光性
樹脂4aを感光させる(露光工程)。そして、露光処理
をした基板に現像液等の薬液処理(現像工程)を行い、
感光した部分の樹脂を溶解させ、所定の開口部5を形成
する。最後に、第1のベーク工程で用いた同様のベーク
処理装置を用いて第2のベーク工程を行い樹脂を硬化さ
せることによって絶縁膜4を形成する。
[0005] As shown in FIG. 4, in a conventional manufacturing process for forming an insulating film on an AM substrate, first, an insulating substrate 1 provided with an active element 2 and an address wiring 3 is provided.
Then, a positive photosensitive resin 4a diluted with a solvent is applied so as to cover the active element 2 and the address wiring 3 (application step). Next, the substrate coated with the photosensitive resin 4a is placed on a baking apparatus including a hot plate 8 with a built-in heater, and heated to evaporate the solvent 7 (first baking step). Next, the substrate subjected to the first baking step is irradiated with ultraviolet rays 10 using a predetermined mask 9 for exposing only a necessary opening such as the opening 5 in order to connect with the active element 2. Then, the photosensitive resin 4a is exposed (exposure step). Then, a chemical solution process (developing process) such as a developing solution is performed on the exposed substrate.
The resin in the exposed portion is dissolved to form a predetermined opening 5. Finally, the insulating film 4 is formed by performing the second baking process using the same baking apparatus used in the first baking process and curing the resin.

【0006】既に商品化されているAM型LCDでは、
通常、絶縁膜4は感光性樹脂が用いられ、塗布工程、第
1のベーク工程、露光工程、現像工程及び第2のベーク
工程によって絶縁膜4の形成と所定の開口部5が同時に
形成される。一般的に、ベーク工程ではホットプレート
等のヒータを内蔵したプレートを具備したベーク処理装
置を用い、このプレート上にAM基板を置くことにより
加熱処理を行っていることが多い。また、このプレート
にはAM基板を固定するための吸着溝やAM基板を取り
出しやすくするための突起物などが設けられている。
[0006] In the AM type LCD which has already been commercialized,
Normally, a photosensitive resin is used for the insulating film 4, and the formation of the insulating film 4 and the predetermined opening 5 are simultaneously formed by a coating step, a first baking step, an exposure step, a developing step, and a second baking step. . Generally, in the baking process, a baking apparatus including a plate having a built-in heater such as a hot plate is used, and a heating process is often performed by placing an AM substrate on the plate. Further, this plate is provided with a suction groove for fixing the AM substrate, a protrusion for facilitating removal of the AM substrate, and the like.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このような製造方法及
び製造装置においては、樹脂による絶縁膜がほぼ平坦に
形成されるため、この方法によって形成されたAM基板
を用いて反射型の液晶表示装置を構成すると、画素電極
である反射電極の表面がほぼ鏡面状態となり、反射光は
鏡面反射光となるため、通常の紙を見るような白色の表
示特性とはならず、所謂金属光沢的な表示特性となり、
著しく表示品位を劣化させることになる。
In such a manufacturing method and a manufacturing apparatus, since an insulating film made of resin is formed almost flat, a reflection type liquid crystal display device is formed by using an AM substrate formed by this method. With this configuration, the surface of the reflective electrode, which is a pixel electrode, is almost mirror-finished, and the reflected light is mirror-reflected light. Characteristics
The display quality will be significantly degraded.

【0008】この問題を回避するためには、画素電極面
に細かな凹凸を形成して、画素電極面が一方向に反射さ
れる鏡面状態から、ほぼ全方向に反射される拡散反射面
状態にする必要がある。
In order to avoid this problem, fine irregularities are formed on the pixel electrode surface so that the pixel electrode surface is changed from a mirror surface state in which the pixel electrode surface is reflected in one direction to a diffuse reflection surface state in which the pixel electrode surface is reflected in almost all directions. There is a need to.

【0009】画素電極面に凹凸を形成する方法として、
感光性樹脂を用い、塗布工程、第1のベーク工程、露光
工程、現像工程及び第2のベーク工程によって反射電極
を形成する領域に凹凸を形成し、次に同様な感光性樹脂
を用いて先に形成した凹凸を覆うように絶縁膜の形成と
所定の開口部を同時に形成し、その上に画素電極を形成
する方法がとられている。
As a method of forming irregularities on the pixel electrode surface,
Using a photosensitive resin, a coating process, a first baking process, an exposing process, a developing process, and a second baking process are used to form irregularities in a region where a reflective electrode is to be formed. In this method, an insulating film and a predetermined opening are simultaneously formed so as to cover the irregularities formed in the above, and a pixel electrode is formed thereon.

【0010】このような構成にすると、工程数の増加に
伴うLCDの歩留まり低下や感光性樹脂などの高価な材
料を複数回使用することによるコストの増大を発生させ
ることになる。
With this configuration, the yield of the LCD is reduced due to the increase in the number of steps, and the cost is increased by using an expensive material such as a photosensitive resin a plurality of times.

【0011】また、別の凹凸を形成する方法としてアク
ティブ素子やアドレス配線を形成時に同時に画素電極下
部にアクティブ素子及びアドレス配線を形成する材料に
て所定の形状の凹凸を形成することも可能である。
As another method of forming irregularities, it is also possible to form irregularities of a predetermined shape using a material for forming an active element and an address wiring under a pixel electrode at the same time as forming an active element and an address wiring. .

【0012】しかし、この場合、アクティブ素子及びア
ドレス配線を形成する材料の膜厚が数100nm程度で
あり、2000nm以上の感光性樹脂を塗布するとほぼ
平坦化されるために、最終形状としてほぼ凹凸が無くな
ることになる。これを改善するためには材料の膜厚を厚
くする必要があるが、アクティブ素子及びアドレス配線
を形成する材料は一般的に無機材料が多く、その形成に
は高価な真空成膜装置が用いられ、且つその成膜速度も
遅いため、1000nm以上の膜を形成し、生産性を確
保するためには高価な装置が複数台必要となり、大幅な
コストの増大となる。
However, in this case, the film thickness of the material forming the active element and the address wiring is about several hundreds nm, and when a photosensitive resin having a thickness of 2000 nm or more is applied, it is almost flattened. Will be gone. In order to improve this, it is necessary to increase the thickness of the material. However, the material for forming the active element and the address wiring is generally made of an inorganic material, and an expensive vacuum film forming apparatus is used for the formation. In addition, since the film formation speed is low, a plurality of expensive devices are required to form a film of 1000 nm or more and secure the productivity, resulting in a significant increase in cost.

【0013】また、1000nm以上の膜を所定の形状
に加工するとなると、ウェットエッチング方式の加工で
は加工精度も悪くなるため、加工精度を確保するために
一般的にはドライエッチング方式を用いることになる。
しかし、ドライエッチング方式の装置はウェットエッチ
ング方式の装置よりも高価であり、且つ加工速度もそれ
程高くないために、先の真空成膜装置と同様に、生産性
を確保するためには高価な装置を複数台必要とするた
め、大幅なコストの増大を招くことになる。
Further, when a film having a thickness of 1000 nm or more is processed into a predetermined shape, the processing accuracy is deteriorated by the wet etching method. Therefore, in order to secure the processing accuracy, a dry etching method is generally used. .
However, the dry etching system is more expensive than the wet etching system, and the processing speed is not so high. Therefore, as with the previous vacuum film forming system, an expensive system is required to secure productivity. , A large increase in cost is required.

【0014】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、比較的簡単な方法で、金属光沢的な表示特性を持
たず、視認性の高い良好な表示品位のアクティブマトリ
ックス基板の製造方法及び製造装置を安価に提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a relatively simple method for manufacturing an active matrix substrate having good display quality and high visibility without having metallic glossy display characteristics. An object is to provide a manufacturing apparatus at low cost.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のアクティブマトリックス基板の製造方法
は、絶縁性基板上にアクティブ素子及びアドレス配線を
形成する工程と、前記アクティブ素子及びアドレス配線
を覆うように絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜に形
成した開口部を通して前記アクティブ素子に接続する画
素電極をマトリックス状に形成する工程とを有するアク
ティブマトリックス基板の製造方法であって、前記絶縁
膜の形成工程は、前記アクティブ素子及びアドレス配線
を覆うように溶媒に希釈された感光性樹脂を塗布する工
程と、感光性樹脂を塗布した基板を、形成すべき画素電
極の大きさよりも小さい面積の高温部と低温部とが交互
に分布するようにして加熱し、溶媒を蒸発させる第1の
ベーク工程と、溶媒を蒸発させた感光性樹脂を選択的に
露光、現像し、開口部を形成する露光・現像工程と、感
光性樹脂を硬化させる第2のベーク工程とからなること
を特徴とするものである。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an active matrix substrate according to the present invention comprises the steps of forming an active element and an address wiring on an insulating substrate; Forming an insulating film so as to cover the active element, and forming a matrix of pixel electrodes connected to the active elements through openings formed in the insulating film, the method comprising: The insulating film forming step includes a step of applying a photosensitive resin diluted with a solvent so as to cover the active element and the address wiring, and a step of forming the substrate coated with the photosensitive resin smaller than the size of the pixel electrode to be formed. A first baking step of heating so that hot and cold parts of the area are alternately distributed and evaporating the solvent; Selectively exposing the evaporated photosensitive resin, developed is for the exposure and development step of forming an opening, characterized by comprising a second baking step of curing the photosensitive resin.

【0016】感光性樹脂としては、アクリル系樹脂を用
いることができる。また、高温部と低温部とが交互に分
布するように加熱する第1のベーク工程は、形成すべき
画素電極の大きさよりも小さい面積の高温部と低温部と
が交互に分布するホットプレート上に、感光性樹脂を塗
布した基板を載置して加熱する。
As the photosensitive resin, an acrylic resin can be used. Further, the first baking step of heating so that the high-temperature portion and the low-temperature portion are alternately distributed is performed on a hot plate in which the high-temperature portion and the low-temperature portion having an area smaller than the size of the pixel electrode to be formed are alternately distributed. Then, the substrate coated with the photosensitive resin is placed and heated.

【0017】高温部と低温部とが交互に分布するホット
プレートとして、プレートの表面に微細な凹凸を設け、
その上に基板を載置したとき、基板への熱伝達に差異を
生ずるようにしてもよい。
As a hot plate in which high-temperature portions and low-temperature portions are alternately distributed, fine irregularities are provided on the surface of the plate.
When a substrate is mounted thereon, a difference may be caused in heat transfer to the substrate.

【0018】本発明は、上記した方法及び装置を用いる
ことによって、画素電極下部の絶縁膜に微細な凹凸を形
成することができることから、画素電極面が拡散面にな
るため、金属光沢的な反射特性を有さず、比較的簡単な
方法で、表示品位を飛躍的に改善することができ、視認
性の高い良好な表示性能を有する反射型AM基板及びL
CDを安価に実現することができる。
According to the present invention, fine irregularities can be formed on the insulating film below the pixel electrode by using the above-described method and apparatus. A reflection type AM substrate and a reflection type AM having high display performance and excellent display performance which can dramatically improve display quality by a relatively simple method without characteristics.
A CD can be realized at low cost.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0020】図1は、本発明の実施の形態におけるAM
基板の1つの画素部の断面構造を示したものであり、図
2は、AM基板の製造工程における絶縁膜形成から画素
電極形成前までの工程毎の断面構造を示したものであ
る。なお、図1,図2において、図3,図4と同等もし
くは相当部分には同一符号を付して、詳細な説明は省略
する。
FIG. 1 is a block diagram showing an AM according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 illustrates a cross-sectional structure of one pixel portion of the substrate, and FIG. 2 illustrates a cross-sectional structure of each process from formation of an insulating film to before formation of a pixel electrode in a process of manufacturing an AM substrate. In FIGS. 1 and 2, the same or corresponding parts as those in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0021】図1において、本発明のAM基板はガラス
等の絶縁性基板1上にアクティブ素子2及びアドレス配
線3を設け、アクティブ素子2及びアドレス配線3を覆
うように凹凸形状を有する絶縁膜4を設け、この絶縁膜
4に形成した開口部5を通してアクティブ素子2と接続
された画素電極6を設けた構造となっている。
In FIG. 1, an AM substrate of the present invention is provided with an active element 2 and an address wiring 3 on an insulating substrate 1 made of glass or the like, and an insulating film 4 having an uneven shape so as to cover the active element 2 and the address wiring 3. And a pixel electrode 6 connected to the active element 2 through an opening 5 formed in the insulating film 4.

【0022】また、図2に示すように、本発明のAM基
板における絶縁膜形成の製造工程では、はじめに、アク
ティブ素子2及びアドレス配線3を設けた絶縁性基板1
に、アクティブ素子2及びアドレス配線3を覆うよう
に、溶媒で希釈されたポジ型の感光性樹脂4aを塗布す
る(塗布工程)。次に、感光性樹脂4aを塗布した基板
を、画素電極の大きさより小さい面積を持つ高温部と低
温部とが交互に分布したホットプレートを有するベーク
処理装置を用い、加熱することによって溶媒7を蒸発さ
せる(第1のベーク工程)。この工程では、ホットプレ
ートに高温部と低温部とが存在するために、感光性樹脂
4aは高温部の部分の溶媒が蒸発し始め、徐々に樹脂濃
度が濃くなるとともに、膜厚が収縮していく。高温部の
膜の収縮に伴い、低温部側に溶媒に溶け込んだ樹脂が寄
せ集まり、膜厚が徐々に増大していく。ある一定時間ベ
ーク処理を行うと樹脂膜の溶媒は蒸発されるとともに、
前述のメカニズムによって高温部と低温部とで形成され
た凹凸を保持した状態となる。
As shown in FIG. 2, in the process of forming an insulating film on an AM substrate according to the present invention, first, an insulating substrate 1 provided with an active element 2 and an address wiring 3 is provided.
Then, a positive photosensitive resin 4a diluted with a solvent is applied so as to cover the active element 2 and the address wiring 3 (application step). Next, the substrate coated with the photosensitive resin 4a is heated using a baking apparatus having a hot plate in which high-temperature portions and low-temperature portions having an area smaller than the size of the pixel electrode are alternately distributed, thereby removing the solvent 7 by heating. Evaporate (first baking step). In this step, since the hot plate has a high-temperature portion and a low-temperature portion, the solvent in the high-temperature portion of the photosensitive resin 4a starts to evaporate, the resin concentration gradually increases, and the film thickness shrinks. Go. With the shrinkage of the film in the high temperature part, the resin dissolved in the solvent gathers on the low temperature part side, and the film thickness gradually increases. When baking is performed for a certain period of time, the solvent of the resin film evaporates,
By the mechanism described above, a state is maintained in which the irregularities formed between the high-temperature portion and the low-temperature portion are maintained.

【0023】感光性樹脂としてはアクリル系樹脂が望ま
しい。なぜなら、一般的にアクティブ素子としてアモル
ファスシリコンを用いた薄膜トランジスタが用いられる
が、この素子の耐熱温度が通常300℃程度であり、樹
脂の硬化温度をそれ以下にする必要があり、またこの樹
脂を用いたAM基板をLCDにする製造工程において
は、通常200℃程度の熱処理が行われるため、樹脂の
耐熱温度としてはそれ以上の性能が必要になることか
ら、この2つの制約事項を両立し、かつ比較的安価に入
手することができるからである。
An acrylic resin is desirable as the photosensitive resin. The reason is that a thin film transistor using amorphous silicon is generally used as an active element. However, the heat-resistant temperature of this element is usually about 300 ° C., and the curing temperature of the resin must be lower than that. In the manufacturing process for converting an AM substrate into an LCD, a heat treatment of about 200 ° C. is usually performed, so that a higher performance is required as the heat-resistant temperature of the resin. This is because they can be obtained relatively inexpensively.

【0024】次に、マスク9を用いて、紫外線10を照
射し、所定の位置の樹脂4aを感光させ(露光工程)、
現像液等の処理によって所定の開口部5を形成する(現
像工程)。最後に、通常のベーク処理装置を用い第2の
ベーク工程を行い、樹脂を硬化することによって凹凸を
有する絶縁膜4が形成される。凹凸を有する絶縁膜4上
に画素電極6を形成すると、図1のように画素電極表面
が凹凸を有することになる。
Next, ultraviolet rays 10 are irradiated using the mask 9 to expose the resin 4a at a predetermined position (exposure step).
A predetermined opening 5 is formed by processing with a developer or the like (development step). Lastly, a second baking step is performed using a normal baking apparatus, and the resin is cured to form the insulating film 4 having irregularities. When the pixel electrode 6 is formed on the insulating film 4 having irregularities, the surface of the pixel electrode has irregularities as shown in FIG.

【0025】以上のように、本実施の形態における製造
方法によれば、画素電極下部の絶縁膜に微細な凹凸を形
成することができることから、画素電極面が拡散面とな
るため、比較的簡単な方法で、新たに高価な製造設備を
追加することなく、金属光沢的な反射特性を持たせるこ
となく、表示品位を飛躍的に改善することができ、比較
的安価に視認性の高い良好なアクティブマトリックス基
板を製造することができる。
As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, since fine irregularities can be formed on the insulating film below the pixel electrode, the pixel electrode surface becomes a diffusion surface, so that it is relatively simple. This method can dramatically improve the display quality without adding new expensive manufacturing equipment and without having a metallic glossy reflection characteristic. An active matrix substrate can be manufactured.

【0026】なお、実施例では、感光性樹脂としてポジ
型にて説明したが、これに限定されるものではない。感
光性を有する樹脂であれば、ポジ型、ネガ型にかかわら
ず同様の効果を奏するものである。
In the embodiments, the positive type photosensitive resin is described, but the present invention is not limited to this. As long as the resin has photosensitivity, the same effect can be obtained regardless of whether it is a positive type or a negative type.

【0027】ここで、第1のベーク工程において使用し
た、高温部と低温部とを交互に配置したホットプレート
について説明する。ホットプレートの表面が平坦で、高
温部と低温部とが形成されているものの外、プレートの
表面に微細な凹凸を設け、その上に基板を載置したと
き、基板への熱伝達に差異を生ずるようにしてもよい。
要は、基板に対し実効的に高温部と低温部とを発生させ
る装置を用いればよい。
Here, a hot plate used in the first baking step, in which high-temperature portions and low-temperature portions are alternately arranged, will be described. Although the surface of the hot plate is flat and the high and low temperature parts are formed, fine irregularities are provided on the surface of the plate, and when the substrate is placed on it, the difference in heat transfer to the substrate May occur.
In short, a device that effectively generates a high-temperature portion and a low-temperature portion on the substrate may be used.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、比較的簡易な方法及び設備によって、AM基板の画
素電極下部の絶縁膜に微細な凹凸を形成することがで
き、したがって、その上に形成する画素電極面を拡散面
にすることができるため、新たな工程数の増加もなく、
高価な製造設備の追加も不要で、且つ高価な材料をも必
要最小限の使用量で済むことになることから、従来の反
射型LCDで問題となっている画素電極での金属光沢的
な反射特性をなくし、表示品位を飛躍的に改善すること
ができる。
As described above, according to the present invention, fine irregularities can be formed on the insulating film below the pixel electrodes of the AM substrate by a relatively simple method and equipment. Since the pixel electrode surface formed above can be a diffusion surface, there is no increase in the number of new steps,
Metallic luster reflection on pixel electrodes, which is a problem with conventional reflective LCDs, is unnecessary because it does not require the addition of expensive manufacturing equipment and requires only a minimum amount of expensive materials. The characteristics can be eliminated, and the display quality can be dramatically improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態におけるAM基板の断面構
造図
FIG. 1 is a sectional structural view of an AM substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態におけるAM基板の絶縁膜
形成工程を示す断面構造図
FIG. 2 is a cross-sectional structure diagram showing a process of forming an insulating film on an AM substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来例のAM基板の断面構造図FIG. 3 is a sectional structural view of a conventional AM substrate.

【図4】従来例のAM基板の絶縁膜形成工程を示す断面
構造図
FIG. 4 is a cross-sectional structure diagram showing a process of forming an insulating film on a conventional AM substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性基板 2 アクティブ素子 3 アドレス配線 4 絶縁膜 4a 感光性樹脂 5 開口部 6 画素電極 7 溶媒 8 ホットプレート 9 マスク 10 紫外線 REFERENCE SIGNS LIST 1 insulating substrate 2 active element 3 address wiring 4 insulating film 4 a photosensitive resin 5 opening 6 pixel electrode 7 solvent 8 hot plate 9 mask 10 ultraviolet ray

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 HA15 HA27 HA28 JA24 JB58 MA29 NA01 NA19 NA25 5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 DA15 EA03 EA04 EA07 FA04 FB01 FB20 GB01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 HA15 HA27 HA28 JA24 JB58 MA29 NA01 NA19 NA25 5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 DA15 EA03 EA04 EA07 FA04 FB01 FB20 GB01

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板上にアクティブ素子及びアド
レス配線を形成する工程と、前記アクティブ素子及びア
ドレス配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、この
絶縁膜に形成した開口部を通して前記アクティブ素子に
接続する画素電極をマトリックス状に形成する工程とを
有するアクティブマトリックス基板の製造方法であっ
て、 前記絶縁膜の形成工程は、前記アクティブ素子及びアド
レス配線を覆うように溶媒に希釈された感光性樹脂を塗
布する工程と、感光性樹脂を塗布した基板を、形成すべ
き画素電極の大きさよりも小さい面積の高温部と低温部
とが交互に分布するようにして加熱し、溶媒を蒸発させ
る第1のベーク工程と、溶媒を蒸発させた感光性樹脂を
選択的に露光、現像し、開口部を形成する露光・現像工
程と、感光性樹脂を硬化させる第2のベーク工程とから
なることを特徴とするアクティブマトリックス基板の製
造方法。
A step of forming an active element and an address wiring on an insulating substrate; a step of forming an insulating film so as to cover the active element and the address wiring; and a step of forming the active element through an opening formed in the insulating film. Forming a pixel electrode connected to an element in a matrix form, wherein the step of forming the insulating film includes a step of forming a photosensitive layer diluted with a solvent so as to cover the active element and the address wiring. Step of applying a photosensitive resin and heating the substrate on which the photosensitive resin is applied so that high-temperature portions and low-temperature portions having an area smaller than the size of the pixel electrode to be formed are alternately distributed to evaporate the solvent. A first baking step, an exposure / development step of selectively exposing and developing the photosensitive resin after evaporating the solvent to form an opening, and a photosensitive resin Method for manufacturing an active matrix substrate characterized in that comprising a second baking step of curing.
【請求項2】 感光性樹脂は、アクリル系樹脂からなる
ことを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリック
ス基板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the photosensitive resin is made of an acrylic resin.
【請求項3】 高温部と低温部とが交互に分布するよう
に加熱する第1のベーク工程は、形成すべき画素電極の
大きさよりも小さい面積の高温部と低温部とが交互に分
布するホットプレート上に、感光性樹脂を塗布した基板
を載置して加熱することを特徴とする請求項1記載のア
クティブマトリックス基板の製造方法。
3. A first baking step of heating so that high-temperature portions and low-temperature portions are alternately distributed, wherein high-temperature portions and low-temperature portions having an area smaller than the size of a pixel electrode to be formed are alternately distributed. 2. The method for manufacturing an active matrix substrate according to claim 1, wherein a substrate coated with a photosensitive resin is placed on a hot plate and heated.
【請求項4】 絶縁性基板上にアクティブ素子及びアド
レス配線を形成し、前記アクティブ素子及びアドレス配
線を覆うように絶縁膜を形成し、この絶縁膜に形成した
開口部を通して前記アクティブ素子に接続する画素電極
をマトリックス状に形成するアクティブマトリックス基
板の製造工程における前記絶縁膜形成工程で、基板上に
塗布した感光性樹脂の溶媒を蒸発させる加熱装置であっ
て、 形成すべき画素電極の大きさよりも小さい面積の高温部
と低温部とが交互に分布したホットプレートからなり、
感光性樹脂を塗布した基板を前記ホットプレート上に載
置して加熱することを特徴とするアクティブマトリック
ス基板の製造装置。
4. An active element and an address line are formed on an insulating substrate, an insulating film is formed so as to cover the active element and the address line, and connected to the active element through an opening formed in the insulating film. A heating device for evaporating a solvent of a photosensitive resin applied on the substrate in the insulating film forming step in a process of manufacturing an active matrix substrate in which pixel electrodes are formed in a matrix shape; It consists of a hot plate in which high-temperature parts and low-temperature parts with small areas are alternately distributed,
An apparatus for manufacturing an active matrix substrate, wherein a substrate coated with a photosensitive resin is placed on the hot plate and heated.
【請求項5】 高温部と低温部とが交互に分布したホッ
トプレートは、プレートの表面に微細な凹凸を設け、そ
の上に基板を載置したとき、基板への熱伝達に差異を生
ずるようにしたことを特徴とする請求項4記載のアクテ
ィブマトリックス基板の製造装置。
5. A hot plate in which a high-temperature portion and a low-temperature portion are alternately distributed so that fine irregularities are provided on the surface of the plate, and when the substrate is mounted thereon, a difference occurs in heat transfer to the substrate. 5. The apparatus for manufacturing an active matrix substrate according to claim 4, wherein:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7130878B2 (en) 2002-08-30 2006-10-31 The Go Daddy Group, Inc. Systems and methods for domain name registration by proxy
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