JP2001066628A - 光アドレス方式のスイッチング素子 - Google Patents
光アドレス方式のスイッチング素子Info
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- JP2001066628A JP2001066628A JP23799799A JP23799799A JP2001066628A JP 2001066628 A JP2001066628 A JP 2001066628A JP 23799799 A JP23799799 A JP 23799799A JP 23799799 A JP23799799 A JP 23799799A JP 2001066628 A JP2001066628 A JP 2001066628A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、光源と光導電層間の光インターコ
ネクションを良好にすると共に、簡単な構成により、コ
ストを低減し得るようにし、さらに歩留まりを向上させ
るようにした、光アドレス方式のスイッチング素子を提
供することを目的とする。 【解決手段】 互いに平行に上下に重ねて配設された二
枚のガラス基板１１，１２と、これらガラス基板の間に
て、下側から順次に積層されたソース電極としての第一
の透明電極１５，光導電層１６，中間層１７，表示層１
８及びドレイン電極としての第二の透明電極１２ａと、
上記光導電層の直下に隣接して配設されたラインアレイ
状の光源１３と、を含んでおり、上記中間層１３が、金
属反射板または透明電極として構成されるように、光ア
ドレス方式のスイッチング素子を構成する。
ネクションを良好にすると共に、簡単な構成により、コ
ストを低減し得るようにし、さらに歩留まりを向上させ
るようにした、光アドレス方式のスイッチング素子を提
供することを目的とする。 【解決手段】 互いに平行に上下に重ねて配設された二
枚のガラス基板１１，１２と、これらガラス基板の間に
て、下側から順次に積層されたソース電極としての第一
の透明電極１５，光導電層１６，中間層１７，表示層１
８及びドレイン電極としての第二の透明電極１２ａと、
上記光導電層の直下に隣接して配設されたラインアレイ
状の光源１３と、を含んでおり、上記中間層１３が、金
属反射板または透明電極として構成されるように、光ア
ドレス方式のスイッチング素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば投射型の大
型液晶表示装置における各画素に設けられる光アドレス
方式のスイッチング素子に関するものである。
型液晶表示装置における各画素に設けられる光アドレス
方式のスイッチング素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような光アドレス方式のスイ
ッチング素子を利用した液晶表示装置は、例えば図８に
示すように構成されている。図８において、液晶表示装
置１は、互いに平行に上下に重ねて配設され内面に透明
電極２ａ，３ａを備えた二枚のガラス基板２，３と、こ
れらガラス基板２，３の間にて、下側から順次に積層さ
れた光導電層４，誘電体多層膜５及び液晶層６と、下方
のガラス基板２の下方に配設された光アドレス用光源７
と、から構成されている。
ッチング素子を利用した液晶表示装置は、例えば図８に
示すように構成されている。図８において、液晶表示装
置１は、互いに平行に上下に重ねて配設され内面に透明
電極２ａ，３ａを備えた二枚のガラス基板２，３と、こ
れらガラス基板２，３の間にて、下側から順次に積層さ
れた光導電層４，誘電体多層膜５及び液晶層６と、下方
のガラス基板２の下方に配設された光アドレス用光源７
と、から構成されている。
【０００３】このような構成の液晶表示装置１によれ
ば、透明電極２ａ，３ａ間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源７により点光源を走査す
ることにより、光が入射した光導電層４の領域が導通し
て、液晶層６に上記バイアス電圧が印加されることにな
り、液晶分子が整列する。これによって、上方から液晶
表示装置１に入射する光が、誘電体多層膜５で反射され
ることにより、液晶層６による表示が反射光として視認
される。
ば、透明電極２ａ，３ａ間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源７により点光源を走査す
ることにより、光が入射した光導電層４の領域が導通し
て、液晶層６に上記バイアス電圧が印加されることにな
り、液晶分子が整列する。これによって、上方から液晶
表示装置１に入射する光が、誘電体多層膜５で反射され
ることにより、液晶層６による表示が反射光として視認
される。
【０００４】この場合、各透明電極２ａ，３ａ，光導電
層４は、すべて所謂全面ベタの構成であることから、容
易に作製され得ると共に、光源７からの点光源のスポッ
ト径によって、液晶による表示の解像度が決まるので、
超高解像度の画像表示が可能である。しかしながら、高
精度の点光源を提供するためには、光源７の構造が複雑
になってしまい、液晶表示装置１の薄型化が困難であ
る。
層４は、すべて所謂全面ベタの構成であることから、容
易に作製され得ると共に、光源７からの点光源のスポッ
ト径によって、液晶による表示の解像度が決まるので、
超高解像度の画像表示が可能である。しかしながら、高
精度の点光源を提供するためには、光源７の構造が複雑
になってしまい、液晶表示装置１の薄型化が困難であ
る。
【０００５】また、図９に示すような液晶表示装置も知
られている。図９において、液晶表示装置８は、図８に
示した液晶表示装置１と比較して、上方のガラス基板３
の内面に形成された全面ベタの透明電極３ａの代わり
に、所謂セグメント式透明電極３ｂが備えられていると
共に、誘電体多層膜５の代わりに、コモン金属電極９が
備えられている点で異なる構成になっている。
られている。図９において、液晶表示装置８は、図８に
示した液晶表示装置１と比較して、上方のガラス基板３
の内面に形成された全面ベタの透明電極３ａの代わり
に、所謂セグメント式透明電極３ｂが備えられていると
共に、誘電体多層膜５の代わりに、コモン金属電極９が
備えられている点で異なる構成になっている。
【０００６】このような構成の液晶表示装置８によれ
ば、透明電極２ａ，３ｂ間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源７により点光源または線
光源を走査することにより、光が入射した光導電層４の
領域が導通して、液晶層６に上記バイアス電圧が印加さ
れることになり、液晶分子が整列する。これによって、
上方から液晶表示装置１に入射する光が、コモン金属電
極９で反射されることにより、液晶層６による表示が反
射光として視認される。
ば、透明電極２ａ，３ｂ間に液晶スイッチング用バイア
ス電圧を印加すると共に、光源７により点光源または線
光源を走査することにより、光が入射した光導電層４の
領域が導通して、液晶層６に上記バイアス電圧が印加さ
れることになり、液晶分子が整列する。これによって、
上方から液晶表示装置１に入射する光が、コモン金属電
極９で反射されることにより、液晶層６による表示が反
射光として視認される。
【０００７】この場合、セグメント式透明電極３ｂ及び
コモン金属電極９のパターニングによって、液晶による
表示の解像度が決まるので、高解像度を得るためには、
高精度のパターニングが必要になると共に、光源７が別
体に構成されていることから、同様に薄型化が困難であ
るという問題があった。
コモン金属電極９のパターニングによって、液晶による
表示の解像度が決まるので、高解像度を得るためには、
高精度のパターニングが必要になると共に、光源７が別
体に構成されていることから、同様に薄型化が困難であ
るという問題があった。
【０００８】これに対して、例えば特開平５−１１２６
８号により開示された液晶表示装置も知られている。こ
の液晶表示装置においては、スイッチング素子として、
所謂ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を利用して、このＴＦ
Ｔのゲートラインを光導波路に置き換えて、この光導波
路に端部に設けられたラインアレー状の光源を走査する
ことにより、光導波路を介してソース−ドレイン間に形
成された光導電層に光を照射して、ソース−ドレイン間
のスイッチングを行なうように構成されている。このよ
うな構成の液晶表示装置によれば、スイッチングがＴＦ
Ｔにより高速に行なわれ得ることになる。
８号により開示された液晶表示装置も知られている。こ
の液晶表示装置においては、スイッチング素子として、
所謂ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を利用して、このＴＦ
Ｔのゲートラインを光導波路に置き換えて、この光導波
路に端部に設けられたラインアレー状の光源を走査する
ことにより、光導波路を介してソース−ドレイン間に形
成された光導電層に光を照射して、ソース−ドレイン間
のスイッチングを行なうように構成されている。このよ
うな構成の液晶表示装置によれば、スイッチングがＴＦ
Ｔにより高速に行なわれ得ることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の光アドレス方式のスイッチング素子において
は、光源からの光が光導波路を介して光導電層に入射す
るように構成されていることから、光源から光導電層ま
での距離が比較的長くなると共に、微細な光導波路に対
して光源からの光を入射させる必要があるため、光源−
光導電層間の光インターコネクションが困難になってし
まうという問題があった。さらに、透過型液晶表示装置
として使用する場合には、バックライトを設ける必要が
あり、部品点数が多くなり、部品コスト及び組立コスト
が高くなってしまうという問題があった。また、光導電
層による表示部と光源とが一体に構成されていることか
ら、表示部及び光源の歩留まりが影響して、液晶表示装
置としての歩留まりが低下してしまうという問題があっ
た。
うな構成の光アドレス方式のスイッチング素子において
は、光源からの光が光導波路を介して光導電層に入射す
るように構成されていることから、光源から光導電層ま
での距離が比較的長くなると共に、微細な光導波路に対
して光源からの光を入射させる必要があるため、光源−
光導電層間の光インターコネクションが困難になってし
まうという問題があった。さらに、透過型液晶表示装置
として使用する場合には、バックライトを設ける必要が
あり、部品点数が多くなり、部品コスト及び組立コスト
が高くなってしまうという問題があった。また、光導電
層による表示部と光源とが一体に構成されていることか
ら、表示部及び光源の歩留まりが影響して、液晶表示装
置としての歩留まりが低下してしまうという問題があっ
た。
【００１０】本発明は、以上の点から、光源と光導電層
間の光インターコネクションを良好にすると共に、簡単
な構成により、コストを低減し得るようにし、さらに歩
留まりを向上させるようにした、光アドレス方式のスイ
ッチング素子を提供することを目的としている。
間の光インターコネクションを良好にすると共に、簡単
な構成により、コストを低減し得るようにし、さらに歩
留まりを向上させるようにした、光アドレス方式のスイ
ッチング素子を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明の第
一の態様によれば、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板と、これらガラス基板の間にて、下
側から順次に積層されたソース電極としての第一の透明
電極，光導電層，中間層，表示層及びドレイン電極とし
ての第二の透明電極と、上記光導電層の直下に隣接して
配設されたラインアレイ状の光源と、を含んでおり、上
記中間層が金属反射板または透明電極として構成されて
いることを特徴とする、光アドレス方式のスイッチング
素子により、達成される。
一の態様によれば、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板と、これらガラス基板の間にて、下
側から順次に積層されたソース電極としての第一の透明
電極，光導電層，中間層，表示層及びドレイン電極とし
ての第二の透明電極と、上記光導電層の直下に隣接して
配設されたラインアレイ状の光源と、を含んでおり、上
記中間層が金属反射板または透明電極として構成されて
いることを特徴とする、光アドレス方式のスイッチング
素子により、達成される。
【００１２】この第一の態様では、光源が光導電層の直
下に配設されているので、光源から出射した光が、直接
に光導電層に入射する。これにより、二つの透明電極即
ちソース−ドレイン間の表示層の光スイッチングを行な
うことになり、その際、光源−光導電層間の光インター
コネクションが容易に且つ確実に得られると共に、光源
が光導電層の直下に配設されていることにより、全体が
薄型に構成され得ることになる。また、上記光導電層は
全面ベタとして成膜されることから、例えば有機半導体
の印刷法等によって容易に成膜され得ると共に、単純な
構造であることから、部品点数が少なくて済み、部品コ
スト及び組立コストが低減され得る。さらに、別途作製
された後、下方のガラス基板の下側に配設されることに
よって、スイッチング素子全体の歩留まりが向上するこ
とになり、より一層コストが低減され得る。
下に配設されているので、光源から出射した光が、直接
に光導電層に入射する。これにより、二つの透明電極即
ちソース−ドレイン間の表示層の光スイッチングを行な
うことになり、その際、光源−光導電層間の光インター
コネクションが容易に且つ確実に得られると共に、光源
が光導電層の直下に配設されていることにより、全体が
薄型に構成され得ることになる。また、上記光導電層は
全面ベタとして成膜されることから、例えば有機半導体
の印刷法等によって容易に成膜され得ると共に、単純な
構造であることから、部品点数が少なくて済み、部品コ
スト及び組立コストが低減され得る。さらに、別途作製
された後、下方のガラス基板の下側に配設されることに
よって、スイッチング素子全体の歩留まりが向上するこ
とになり、より一層コストが低減され得る。
【００１３】本発明の第二の態様による透過型の光アド
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、金属反射板であって、上記光源が、下方のガラス
基板と第一の透明電極との間に配設されている。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、金属反射板であって、上記光源が、下方のガラス
基板と第一の透明電極との間に配設されている。
【００１４】この第二の態様では、上方から入射した光
が、表示層を介して金属反射板で反射され、再び表示層
を介して外部に出射することにより、表示層の表示が反
射光により視認され得ることになり、反射型の光アドレ
ス方式のスイッチング素子として構成されることにな
る。この場合も、光源が、光導電層の直下に配設される
ことによって、光源から出射した光が、直接に光導電層
に入射する。従って、光源−光導電層間の光インターコ
ネクションが容易に且つ確実に得られることになる。
が、表示層を介して金属反射板で反射され、再び表示層
を介して外部に出射することにより、表示層の表示が反
射光により視認され得ることになり、反射型の光アドレ
ス方式のスイッチング素子として構成されることにな
る。この場合も、光源が、光導電層の直下に配設される
ことによって、光源から出射した光が、直接に光導電層
に入射する。従って、光源−光導電層間の光インターコ
ネクションが容易に且つ確実に得られることになる。
【００１５】本発明の第三の態様による透過型の光アド
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であり、上記光導電層が透明性光導電層
であって、上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明
電極との間に配設されている。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であり、上記光導電層が透明性光導電層
であって、上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明
電極との間に配設されている。
【００１６】この第三の態様では、光源から出射した光
が、透明性光導電層そして透明電極による中間層を介し
て、表示層を透過して外部に出射することにより、表示
層の光スイッチングを行なうと共に、ラインアレイ状の
光源がバックライトとしても使用され得る。従って、部
品点数の削減によって、コストが低減され得る。
が、透明性光導電層そして透明電極による中間層を介し
て、表示層を透過して外部に出射することにより、表示
層の光スイッチングを行なうと共に、ラインアレイ状の
光源がバックライトとしても使用され得る。従って、部
品点数の削減によって、コストが低減され得る。
【００１７】本発明の第四の態様による透過型の光アド
レス方式のスイッチング素子は、前記第二または第三の
態様による光アドレス方式のスイッチング素子におい
て、上記光源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層
を介して配設されている。この第四の態様によれば、光
源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層により絶縁
されているので、上面即ち第一の透明電極に対向する表
面に電極を備える光源、例えばＥＬアレイやＬＥＤアレ
イ等も使用することができる。
レス方式のスイッチング素子は、前記第二または第三の
態様による光アドレス方式のスイッチング素子におい
て、上記光源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層
を介して配設されている。この第四の態様によれば、光
源が、第一の透明電極に対して誘電体絶縁層により絶縁
されているので、上面即ち第一の透明電極に対向する表
面に電極を備える光源、例えばＥＬアレイやＬＥＤアレ
イ等も使用することができる。
【００１８】本発明の第五の態様による光アドレス方式
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、ＥＬアレイ層である。
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、ＥＬアレイ層である。
【００１９】この第五の態様では、ＥＬアレイ層は、全
面ベタとして成膜し、ＥＬアレイ層の上下の電極をパタ
ーニングすることにより、作製されるので、例えば有機
半導体を使用して印刷法等により容易に且つ低コストで
成膜され得る。
面ベタとして成膜し、ＥＬアレイ層の上下の電極をパタ
ーニングすることにより、作製されるので、例えば有機
半導体を使用して印刷法等により容易に且つ低コストで
成膜され得る。
【００２０】本発明の第六の態様による光アドレス方式
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、ＬＥＤアレイである。
のスイッチング素子は、前記第一乃至第四の何れかの態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記ラインアレイ状の光源が、ＬＥＤアレイである。
【００２１】この第六の態様では、例えば市販のＬＥＤ
アレイを使用することにより、低コストで光源を構成す
ることができる。
アレイを使用することにより、低コストで光源を構成す
ることができる。
【００２２】本発明の第七の態様による透過型の光アド
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であって、上記光源が、下方のガラス基
板の下側に配設された導光層と、この導光層の一側に配
設されたラインアレイ状の光源から構成されている。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一の態様による
光アドレス方式のスイッチング素子において、上記中間
層が、透明電極であって、上記光源が、下方のガラス基
板の下側に配設された導光層と、この導光層の一側に配
設されたラインアレイ状の光源から構成されている。
【００２３】この第七の態様では、光源から出射した光
が、導光層内に入射し、導光層の上面全体から上方に向
かって出射することにより、光導電層に入射する。これ
により、二つの透明電極即ちソース−ドレイン間のスイ
ッチングを行なうと共に、光導電層を透過し、さらに液
晶層を透過して外部に出射することにより、バックライ
トとして作用する。この場合も、ラインアレイ状の光源
がバックライトとしても使用され得ることになり、部品
点数の削減によって、コストが低減され得る。
が、導光層内に入射し、導光層の上面全体から上方に向
かって出射することにより、光導電層に入射する。これ
により、二つの透明電極即ちソース−ドレイン間のスイ
ッチングを行なうと共に、光導電層を透過し、さらに液
晶層を透過して外部に出射することにより、バックライ
トとして作用する。この場合も、ラインアレイ状の光源
がバックライトとしても使用され得ることになり、部品
点数の削減によって、コストが低減され得る。
【００２４】本発明の第八の態様による透過型の光アド
レス方式のスイッチング素子は、前記第一乃至第七の態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記表示層が、液晶層である。
レス方式のスイッチング素子は、前記第一乃至第七の態
様による光アドレス方式のスイッチング素子において、
上記表示層が、液晶層である。
【００２５】この第七の態様では、表示層が液晶層であ
ることから、光源からの光が光導電層に入射することに
より、液晶層の光スイッチングが行なわれ、液晶層によ
る表示が行なわれることになる。
ることから、光源からの光が光導電層に入射することに
より、液晶層の光スイッチングが行なわれ、液晶層によ
る表示が行なわれることになる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図７を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
を図１乃至図７を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
【００２７】図１は、本発明による光アドレス方式のス
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第一の実施形
態の構成を示している。図１において、液晶表示装置１
０は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板１１，１２と、これらガラス基板１１，１２の間
にて、下側から順次に積層された光源１３，誘電体絶縁
層１４，ソース電極としての全面ベタの第一の透明電極
１５，光導電層１６，中間層としての金属反射板１７，
液晶層１８と、から構成されている。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第一の実施形
態の構成を示している。図１において、液晶表示装置１
０は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板１１，１２と、これらガラス基板１１，１２の間
にて、下側から順次に積層された光源１３，誘電体絶縁
層１４，ソース電極としての全面ベタの第一の透明電極
１５，光導電層１６，中間層としての金属反射板１７，
液晶層１８と、から構成されている。
【００２８】上記ガラス基板１１，１２のうち、下方の
ガラス基板１１の内面（上面）には、光源１３のための
コモン金属電極１１ａが形成されていると共に、上方の
ガラス基板１２の内面（下面）には、ＩＴＯ等から成る
ドレイン電極としてのセグメント式透明電極１２ａが形
成されている。
ガラス基板１１の内面（上面）には、光源１３のための
コモン金属電極１１ａが形成されていると共に、上方の
ガラス基板１２の内面（下面）には、ＩＴＯ等から成る
ドレイン電極としてのセグメント式透明電極１２ａが形
成されている。
【００２９】上記光源１３は、図示の場合、好ましくは
有機半導体から成るＥＬアレイとして構成されたＥＬセ
ルであって、その上面にＩＴＯ等から成るコモン透明電
極１３ａが形成されているが、他の発光素子セル、例え
ば無機ＬＥＤアレイ等であってもよい。また、光源１３
は、他の構成要素と共にガラス基板１１上に順次に積層
されてもよく、また別体に構成された後、他の構成要素
と貼り合わせされてもよい。具体的には、例えばトリス
（８−ヒドロキシキナリナト）アルミニウム（Tris(8-h
ydroxyquinolinato)Aluminium）からなる有機発光層と
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ―ビス（３−メチルフェニ
ル）１，１−ビフェニル−４，４−ジアミンからなる正
孔輸送層との積層構造とした有機半導体や、ポリパラフ
ェニレンビニレン等の高分子系材料からなる有機半導体
を用いたＥＬアレイを使用することができる。
有機半導体から成るＥＬアレイとして構成されたＥＬセ
ルであって、その上面にＩＴＯ等から成るコモン透明電
極１３ａが形成されているが、他の発光素子セル、例え
ば無機ＬＥＤアレイ等であってもよい。また、光源１３
は、他の構成要素と共にガラス基板１１上に順次に積層
されてもよく、また別体に構成された後、他の構成要素
と貼り合わせされてもよい。具体的には、例えばトリス
（８−ヒドロキシキナリナト）アルミニウム（Tris(8-h
ydroxyquinolinato)Aluminium）からなる有機発光層と
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ―ビス（３−メチルフェニ
ル）１，１−ビフェニル−４，４−ジアミンからなる正
孔輸送層との積層構造とした有機半導体や、ポリパラフ
ェニレンビニレン等の高分子系材料からなる有機半導体
を用いたＥＬアレイを使用することができる。
【００３０】上記光導電層１６は、光が入射したとき導
電率が高くなる性質を有する材料、好ましくは有機半導
体から構成されている。ここで、有機半導体は、トラン
ジスタ等の電気的スイッチング素子として使用するには
移動度が低過ぎることにより、実用的ではないが、発光
素子または光電素子として使用することにより、μｓオ
ーダーの高速スイッチングが可能であり、例えばａ（ア
モルファス）−Ｓｉ−ＴＦＴと同程度の性能を得ること
ができる可能性がある。
電率が高くなる性質を有する材料、好ましくは有機半導
体から構成されている。ここで、有機半導体は、トラン
ジスタ等の電気的スイッチング素子として使用するには
移動度が低過ぎることにより、実用的ではないが、発光
素子または光電素子として使用することにより、μｓオ
ーダーの高速スイッチングが可能であり、例えばａ（ア
モルファス）−Ｓｉ−ＴＦＴと同程度の性能を得ること
ができる可能性がある。
【００３１】上記液晶層１８は、公知の構成の液晶セル
であって、液晶分子が封入されていると共に、金属反射
板１７の上面及び透明電極１２ａの下面には、それぞれ
図示しない配向膜が形成されている。
であって、液晶分子が封入されていると共に、金属反射
板１７の上面及び透明電極１２ａの下面には、それぞれ
図示しない配向膜が形成されている。
【００３２】本発明による液晶表示装置１０は、以上の
ように構成されており、使用する場合には、ソース電極
としての透明電極１５及びドレイン電極としての透明電
極１２ａ間に液晶スイッチング用バイアス電圧を印加す
ると共に、光源１３に対して、金属電極１１ａ及びコモ
ン透明電極１３ａ間に、コモンアドレスとして駆動電圧
を印加することにより、ＥＬセルを線順次駆動する。こ
れにより、光源１３の駆動電圧が印加された領域が発光
し、これに対応する光導電層１６の導電性が向上するこ
とにより、対応する液晶層１８にて、液晶分子が整列す
ることにより、液晶層１８の光スイッチングが行なわれ
る。その際、上方から入射する光が、ガラス基板１２か
ら液晶層１８を通って金属反射板１７で反射され、再び
外部に出射することにより、液晶層１８による表示が行
なわれることになる。
ように構成されており、使用する場合には、ソース電極
としての透明電極１５及びドレイン電極としての透明電
極１２ａ間に液晶スイッチング用バイアス電圧を印加す
ると共に、光源１３に対して、金属電極１１ａ及びコモ
ン透明電極１３ａ間に、コモンアドレスとして駆動電圧
を印加することにより、ＥＬセルを線順次駆動する。こ
れにより、光源１３の駆動電圧が印加された領域が発光
し、これに対応する光導電層１６の導電性が向上するこ
とにより、対応する液晶層１８にて、液晶分子が整列す
ることにより、液晶層１８の光スイッチングが行なわれ
る。その際、上方から入射する光が、ガラス基板１２か
ら液晶層１８を通って金属反射板１７で反射され、再び
外部に出射することにより、液晶層１８による表示が行
なわれることになる。
【００３３】この場合、例えば光源１３，透明電極１
５，光導電層１６は、全面ベタであって、透明電極１２
ａ、金属反射板１７及び光源の電極である金属電極１１
ａのみをパターンニングすればよいことから、容易に作
製され得ることになる。特に、光源１３であるＥＬ層及
び光導電層１６は、有機半導体から構成される場合に
は、印刷法による成膜が可能であるので、より容易に作
製され得る。尚、光源１３を構成するＥＬセルは、別途
作製した後、他の構成要素と貼り合わせることによっ
て、液晶表示装置１０としての歩留まりが向上すること
になる。
５，光導電層１６は、全面ベタであって、透明電極１２
ａ、金属反射板１７及び光源の電極である金属電極１１
ａのみをパターンニングすればよいことから、容易に作
製され得ることになる。特に、光源１３であるＥＬ層及
び光導電層１６は、有機半導体から構成される場合に
は、印刷法による成膜が可能であるので、より容易に作
製され得る。尚、光源１３を構成するＥＬセルは、別途
作製した後、他の構成要素と貼り合わせることによっ
て、液晶表示装置１０としての歩留まりが向上すること
になる。
【００３４】図２は、本発明による光アドレス方式のス
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第二の実施形
態の構成を示している。図２において、液晶表示装置２
０は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、図１に示した液晶表示装置１０と比較して、光導
電層１６の代わりに、透明性光導電層２１が設けられ、
また金属反射板１７の代わりに、中間層としての透明電
極２２が設けられている点を除いては、同様の構成であ
る。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第二の実施形
態の構成を示している。図２において、液晶表示装置２
０は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、図１に示した液晶表示装置１０と比較して、光導
電層１６の代わりに、透明性光導電層２１が設けられ、
また金属反射板１７の代わりに、中間層としての透明電
極２２が設けられている点を除いては、同様の構成であ
る。
【００３５】上記透明性光導電層２１は、透光性を有す
ると共に、光が入射したとき導電率が高くなる性質を有
する材料、例えば無機材料としてはＢＳＯ結晶やＰＬＺ
Ｔセラミックス等が使用され得るが、大面積の成膜を容
易にするためには、好ましくは透明性ＯＰＣが使用され
得る。
ると共に、光が入射したとき導電率が高くなる性質を有
する材料、例えば無機材料としてはＢＳＯ結晶やＰＬＺ
Ｔセラミックス等が使用され得るが、大面積の成膜を容
易にするためには、好ましくは透明性ＯＰＣが使用され
得る。
【００３６】この場合、光源１３は、光スイッチングの
ための光源としてだけでなく、バックライト用の光源と
しても使用されるようになっており、発光は１ラインの
みの発光であるが、例えば毎秒６０画面の場合、（１／
６０）×（１／ライン数）／秒で各ラインをスイッチン
グすることによって、面発光バックライトと同様な表示
を行なうことができる。さらに、ＲＧＢ発光層を備える
場合には、対応したライン及びフィールドシーケンシャ
ル駆動によって、フルカラー表示を行なうことができ、
あるいはＥＬ層を白色発光させると共に、液晶層にカラ
ーフィルターを備えることにより、カラー表示を行なう
ことも可能である。なお、フルカラー表示を行うために
は、発光層及び液晶層の双方を超高速で光スイッチング
することが好ましい。
ための光源としてだけでなく、バックライト用の光源と
しても使用されるようになっており、発光は１ラインの
みの発光であるが、例えば毎秒６０画面の場合、（１／
６０）×（１／ライン数）／秒で各ラインをスイッチン
グすることによって、面発光バックライトと同様な表示
を行なうことができる。さらに、ＲＧＢ発光層を備える
場合には、対応したライン及びフィールドシーケンシャ
ル駆動によって、フルカラー表示を行なうことができ、
あるいはＥＬ層を白色発光させると共に、液晶層にカラ
ーフィルターを備えることにより、カラー表示を行なう
ことも可能である。なお、フルカラー表示を行うために
は、発光層及び液晶層の双方を超高速で光スイッチング
することが好ましい。
【００３７】尚、液晶層１８の上下に偏光板を設ける場
合には、光源１３と光導電層２１との間に偏光子を挿入
するか、またはＥＬセルを偏光発光させる必要がある。
ここで、ＥＬセルを偏光発光させるためには、一軸配向
処理を施した高分子有機ＥＬを使用すればよい。
合には、光源１３と光導電層２１との間に偏光子を挿入
するか、またはＥＬセルを偏光発光させる必要がある。
ここで、ＥＬセルを偏光発光させるためには、一軸配向
処理を施した高分子有機ＥＬを使用すればよい。
【００３８】このような構成の液晶表示装置２０によれ
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極１
５及びドレイン電極としての透明電極１２ａ間に液晶ス
イッチング用バイアス電圧を印加すると共に、光源１３
に対して、金属電極１１ａ及びコモン透明電極１３ａ間
に、コモンアドレスとして駆動電圧を印加することによ
り、ＥＬセルを線順次駆動する。これにより、光源１３
の駆動電圧が印加された領域が発光し、これに対応する
光導電層２１の導電性が向上することにより、対応する
液晶層１８にて、液晶分子が整列することにより、液晶
層１８の光スイッチングが行なわれる。その際、光源１
３から出射する光が、誘電体絶縁層１４，透明性光導電
層２１及び透明電極２２を通って、液晶層１８内に入射
し、液晶層１８の表示をバック照明することにより、液
晶層１８による表示が行なわれることになる。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極１
５及びドレイン電極としての透明電極１２ａ間に液晶ス
イッチング用バイアス電圧を印加すると共に、光源１３
に対して、金属電極１１ａ及びコモン透明電極１３ａ間
に、コモンアドレスとして駆動電圧を印加することによ
り、ＥＬセルを線順次駆動する。これにより、光源１３
の駆動電圧が印加された領域が発光し、これに対応する
光導電層２１の導電性が向上することにより、対応する
液晶層１８にて、液晶分子が整列することにより、液晶
層１８の光スイッチングが行なわれる。その際、光源１
３から出射する光が、誘電体絶縁層１４，透明性光導電
層２１及び透明電極２２を通って、液晶層１８内に入射
し、液晶層１８の表示をバック照明することにより、液
晶層１８による表示が行なわれることになる。
【００３９】図３は、本発明による光アドレス方式のス
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第三の実施形
態の構成を示している。図３において、液晶表示装置３
０は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板３１，３２と、これらガラス基板３１，３２の間
にて、下側から順次に積層された光導電層３４，金属画
素電極３５，配向膜３６，液晶層３７，配向膜３８と、
光導電層３４の周囲を画成するブラックマスク３３と、
上方のガラス基板３２の上方に配設された円偏光板３９
及び下方のガラス基板３１の下側に配設された光源４０
と、を含んでいる。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第三の実施形
態の構成を示している。図３において、液晶表示装置３
０は、反射型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板３１，３２と、これらガラス基板３１，３２の間
にて、下側から順次に積層された光導電層３４，金属画
素電極３５，配向膜３６，液晶層３７，配向膜３８と、
光導電層３４の周囲を画成するブラックマスク３３と、
上方のガラス基板３２の上方に配設された円偏光板３９
及び下方のガラス基板３１の下側に配設された光源４０
と、を含んでいる。
【００４０】上記ガラス基板３１，３２のうち、下方の
ガラス基板３１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極３１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板３２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極３２ａが形成されている。
ガラス基板３１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極３１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板３２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極３２ａが形成されている。
【００４１】上記光源４０は、ラインアレイ状の光源で
あって、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板３１
の下面に貼り合わされている。
あって、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板３１
の下面に貼り合わされている。
【００４２】上記液晶層３７は、公知の構成の液晶セル
であって、液晶分子３７ａが封入されていると共に、互
いに垂直な配向方向を有する配向膜３６，３８により挟
持されている。
であって、液晶分子３７ａが封入されていると共に、互
いに垂直な配向方向を有する配向膜３６，３８により挟
持されている。
【００４３】このような構成の液晶表示装置３０によれ
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極３
１ａ及びドレイン電極としての透明電極３２ａに対し
て、それぞれソース電圧Ｖｓ及びドレイン電圧Ｖｄを印
加して、これらの電極３１ａ，３２ａ間にバイアス電圧
を印加すると共に、光源４０に対してコモンアドレスと
して駆動電圧を印加することにより、光源４０を線順次
駆動する。これにより、光源４０の駆動電圧が印加され
た領域が発光し、これに対応する光導電層３３の導電性
が向上することにより、対応する液晶層３７にて、液晶
分子３７ａが整列することにより、液晶層３７の光スイ
ッチングが行なわれる。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極３
１ａ及びドレイン電極としての透明電極３２ａに対し
て、それぞれソース電圧Ｖｓ及びドレイン電圧Ｖｄを印
加して、これらの電極３１ａ，３２ａ間にバイアス電圧
を印加すると共に、光源４０に対してコモンアドレスと
して駆動電圧を印加することにより、光源４０を線順次
駆動する。これにより、光源４０の駆動電圧が印加され
た領域が発光し、これに対応する光導電層３３の導電性
が向上することにより、対応する液晶層３７にて、液晶
分子３７ａが整列することにより、液晶層３７の光スイ
ッチングが行なわれる。
【００４４】その際、上方から入射する光が、ガラス基
板１２から液晶層３７を通って金属画素電極３５で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層３７によ
る表示が行なわれることになる。即ち、ソース電圧Ｖｓ
が図４（Ａ）に示すように変化すると共に、光源４０が
図４（Ｂ）に示すように点灯することによって、液晶層
３７による反射光強度が、図４（Ｃ）に示すように変化
し、液晶層３７の反射による表示が行なわれる。
板１２から液晶層３７を通って金属画素電極３５で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層３７によ
る表示が行なわれることになる。即ち、ソース電圧Ｖｓ
が図４（Ａ）に示すように変化すると共に、光源４０が
図４（Ｂ）に示すように点灯することによって、液晶層
３７による反射光強度が、図４（Ｃ）に示すように変化
し、液晶層３７の反射による表示が行なわれる。
【００４５】図５は、本発明による本発明による光アド
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第四の実施形態の構成を示している。図５において、液
晶表示装置５０は、透過型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板５１，５２と、これらガラス基板５
１，５２の間にて、下側から順次に積層された絶縁膜５
３，透明画素電極５４，液晶層５５と、絶縁膜５３及び
透明画素電極５４の一側に形成された光導電層５６，こ
の光導電層５６の上に形成された金属電極５７と、これ
ら絶縁膜５３，透明画素電極５４及び光導電層５６の周
囲を画成するブラックマスク５８と、下方のガラス基板
５１の下側に配設された光源５９と、を含んでいる。
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第四の実施形態の構成を示している。図５において、液
晶表示装置５０は、透過型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板５１，５２と、これらガラス基板５
１，５２の間にて、下側から順次に積層された絶縁膜５
３，透明画素電極５４，液晶層５５と、絶縁膜５３及び
透明画素電極５４の一側に形成された光導電層５６，こ
の光導電層５６の上に形成された金属電極５７と、これ
ら絶縁膜５３，透明画素電極５４及び光導電層５６の周
囲を画成するブラックマスク５８と、下方のガラス基板
５１の下側に配設された光源５９と、を含んでいる。
【００４６】上記ガラス基板５１，５２のうち、下方の
ガラス基板５１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極５１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板５２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極５２ａが形成されている。
ガラス基板５１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極５１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板５２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極５２ａが形成されている。
【００４７】上記透明画素電極５４は、金属電極５７と
電気的に接続されている。また、上記光源５９は、ライ
ンアレイ状の光源であって、図示の場合、ブラックマス
ク５８により画成される画素に関して、その一側縁の外
側に沿って、光導電層５６に対向して配設されていると
共に、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成され
ており、例えば別体に構成された後、ガラス基板５１の
下面に貼り合わされている。この場合、光源は、光スイ
ッチングのための光源としてだけでなく、バックライト
用の光源としても使用されるようになっている。
電気的に接続されている。また、上記光源５９は、ライ
ンアレイ状の光源であって、図示の場合、ブラックマス
ク５８により画成される画素に関して、その一側縁の外
側に沿って、光導電層５６に対向して配設されていると
共に、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成され
ており、例えば別体に構成された後、ガラス基板５１の
下面に貼り合わされている。この場合、光源は、光スイ
ッチングのための光源としてだけでなく、バックライト
用の光源としても使用されるようになっている。
【００４８】上記液晶層５５は、公知の構成の液晶セル
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直又は水平な配向方向を形成する配向膜
（図示せず）により挟持されている。
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直又は水平な配向方向を形成する配向膜
（図示せず）により挟持されている。
【００４９】このような構成の液晶表示装置５０によれ
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極５
１ａ及びドレイン電極としての透明電極５２ａの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源５９に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
５９を駆動する。これにより、光源５９の駆動電圧が印
加された領域が発光し、これに対応する光導電層５６の
導電性が向上して、金属電極５７そして透明画素電極５
４と透明電極５２ａ間に液晶駆動電圧が印加されること
になり、対応する液晶層５５にて、液晶分子が整列する
ことにより、液晶層５５の光スイッチングが行なわれ
る。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極５
１ａ及びドレイン電極としての透明電極５２ａの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源５９に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
５９を駆動する。これにより、光源５９の駆動電圧が印
加された領域が発光し、これに対応する光導電層５６の
導電性が向上して、金属電極５７そして透明画素電極５
４と透明電極５２ａ間に液晶駆動電圧が印加されること
になり、対応する液晶層５５にて、液晶分子が整列する
ことにより、液晶層５５の光スイッチングが行なわれ
る。
【００５０】その際、光源５９から斜め上方に出射する
光が、ガラス基板５１から絶縁膜５３，透明画素電極５
４を通って、液晶層５５内に入射し、液晶層１８の表示
をバック照明することにより、液晶層１８による表示が
行なわれることになる。
光が、ガラス基板５１から絶縁膜５３，透明画素電極５
４を通って、液晶層５５内に入射し、液晶層１８の表示
をバック照明することにより、液晶層１８による表示が
行なわれることになる。
【００５１】図６は、本発明による本発明による光アド
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第五の実施形態の構成を示している。図６において、液
晶表示装置６０は、反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板６１，６２と、これらガラス基板６
１，６２の間にて、下側から順次に積層された光導電層
６３，金属画素電極６４，液晶層６５と、光導電層６３
の周囲を画成するブラックマスク６６と、下方のガラス
基板６１の下側に配設された光源６７と、を含んでい
る。
レス方式のスイッチング素子を使用した液晶表示装置の
第五の実施形態の構成を示している。図６において、液
晶表示装置６０は、反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置であって、互いに平行に上下に重ねて配設され
た二枚のガラス基板６１，６２と、これらガラス基板６
１，６２の間にて、下側から順次に積層された光導電層
６３，金属画素電極６４，液晶層６５と、光導電層６３
の周囲を画成するブラックマスク６６と、下方のガラス
基板６１の下側に配設された光源６７と、を含んでい
る。
【００５２】上記ガラス基板６１，６２のうち、下方の
ガラス基板６１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極６１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板６２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極６２ａが形成されている。
ガラス基板６１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極６１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板６２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極６２ａが形成されている。
【００５３】上記光源６７は、ラインアレイ状の光源で
あって、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板６１
の下面に貼り合わされている。
あって、例えばＥＬアレイ層やＬＥＤアレイから構成さ
れており、例えば別体に構成された後、ガラス基板６１
の下面に貼り合わされている。
【００５４】上記液晶層６５は、公知の構成の液晶セル
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜（図示せず）
により挟持されている。
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜（図示せず）
により挟持されている。
【００５５】このような構成の液晶表示装置６０によれ
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極６
１ａ及びドレイン電極としての透明電極６２ａ間にバイ
アス電圧を印加すると共に、光源６７に対してコモンア
ドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源６７
を線順次駆動する。これにより、光源６７の駆動電圧が
印加された領域が発光し、これに対応する光導電層６３
の導電性が向上することにより、対応する液晶層６５に
て、液晶分子が整列して、液晶層６７の光スイッチング
が行なわれる。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極６
１ａ及びドレイン電極としての透明電極６２ａ間にバイ
アス電圧を印加すると共に、光源６７に対してコモンア
ドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源６７
を線順次駆動する。これにより、光源６７の駆動電圧が
印加された領域が発光し、これに対応する光導電層６３
の導電性が向上することにより、対応する液晶層６５に
て、液晶分子が整列して、液晶層６７の光スイッチング
が行なわれる。
【００５６】その際、上方から入射する光が、ガラス基
板６２から液晶層６５を通って金属画素電極６４で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層６５によ
る表示が行なわれることになる。尚、この実施形態にお
いては、反射型のアクティブマトリックス液晶表示装置
として構成されているが、これに限らず、所謂発光型の
アクティブマトリックス表示装置として構成されてもよ
く、その場合、液晶層６５の代わりに、例えば無機また
は有機ＥＬ素子，ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネ
ル），フィールドエミッションディスプレイ等の面発光
体が設けられる。
板６２から液晶層６５を通って金属画素電極６４で反射
され、再び外部に出射することにより、液晶層６５によ
る表示が行なわれることになる。尚、この実施形態にお
いては、反射型のアクティブマトリックス液晶表示装置
として構成されているが、これに限らず、所謂発光型の
アクティブマトリックス表示装置として構成されてもよ
く、その場合、液晶層６５の代わりに、例えば無機また
は有機ＥＬ素子，ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネ
ル），フィールドエミッションディスプレイ等の面発光
体が設けられる。
【００５７】図７は、本発明による光アドレス方式のス
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第六の実施形
態の構成を示している。図７において、液晶表示装置７
０は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板７１，７２と、これらガラス基板７１，７２の間
にて、下側から順次に積層された透明性光導電層７３，
コモン透明電極７４，液晶層７５と、下方のガラス基板
７１の下面に設けられた導光層７６と、この導光層７６
の一側の端面に対向して配設された光源７７と、を含ん
でいる。
イッチング素子を使用した液晶表示装置の第六の実施形
態の構成を示している。図７において、液晶表示装置７
０は、透過型アクティブマトリックス液晶表示装置であ
って、互いに平行に上下に重ねて配設された二枚のガラ
ス基板７１，７２と、これらガラス基板７１，７２の間
にて、下側から順次に積層された透明性光導電層７３，
コモン透明電極７４，液晶層７５と、下方のガラス基板
７１の下面に設けられた導光層７６と、この導光層７６
の一側の端面に対向して配設された光源７７と、を含ん
でいる。
【００５８】上記ガラス基板７１，７２のうち、下方の
ガラス基板７１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極７１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板７２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極７２ａが形成されている。
ガラス基板７１の内面（上面）には、ＩＴＯ等から成る
ソース電極としてのコモン透明電極７１ａが形成されて
いると共に、上方のガラス基板７２の内面（下面）に
は、ＩＴＯ等から成るドレイン電極としてのセグメント
式透明電極７２ａが形成されている。
【００５９】上記導光層７６は、透光性材料から構成さ
れていると共に、図７（Ｂ）に示すように、光源７７に
対して、コモン間隔で光を全反射するミラータイプの隔
壁７６ａを備えている。また、上記光源７７は、ライン
アレイ状の光源であって、例えばＬＥＤアレイから構成
されている。ここで、上記導光層７６及び光源７７は、
例えば別体に構成された後、ガラス基板７１の下面に貼
り合わされている。この場合、光源７７は、光スイッチ
ングのための光源としてだけでなく、バックライト用の
光源としても使用されるようになっている。
れていると共に、図７（Ｂ）に示すように、光源７７に
対して、コモン間隔で光を全反射するミラータイプの隔
壁７６ａを備えている。また、上記光源７７は、ライン
アレイ状の光源であって、例えばＬＥＤアレイから構成
されている。ここで、上記導光層７６及び光源７７は、
例えば別体に構成された後、ガラス基板７１の下面に貼
り合わされている。この場合、光源７７は、光スイッチ
ングのための光源としてだけでなく、バックライト用の
光源としても使用されるようになっている。
【００６０】上記液晶層７５は、公知の構成の液晶セル
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜（図示せず）
により挟持されている。
であって、液晶分子（図示せず）が封入されていると共
に、互いに垂直な配向方向を有する配向膜（図示せず）
により挟持されている。
【００６１】このような構成の液晶表示装置７０によれ
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極７
１ａ及びドレイン電極としての透明電極７２ａの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源７７に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
７７を駆動する。これにより、光源７７の駆動電圧が印
加されたＬＥＤが発光し、これに対応する光導電層７３
の導電性が向上して、透明電極７４と透明電極７２ａ間
に液晶駆動電圧が印加されることになり、対応する液晶
層７５にて、液晶分子が整列して、液晶層７５の光スイ
ッチングが行なわれる。
ば、使用する場合には、ソース電極としての透明電極７
１ａ及びドレイン電極としての透明電極７２ａの間に、
バイアス電圧を印加すると共に、光源７７に対してコモ
ンアドレスとして駆動電圧を印加することにより、光源
７７を駆動する。これにより、光源７７の駆動電圧が印
加されたＬＥＤが発光し、これに対応する光導電層７３
の導電性が向上して、透明電極７４と透明電極７２ａ間
に液晶駆動電圧が印加されることになり、対応する液晶
層７５にて、液晶分子が整列して、液晶層７５の光スイ
ッチングが行なわれる。
【００６２】その際、光源７７から導光層７６内に入射
した光は、導光層７６内で反射または拡散されることに
より、導光層７６の上面から、ガラス基板７１，透明性
光導電層７３そして透明電極７４を通って、液晶層７５
内に入射し、液晶層７５の表示をバック照明することに
より、液晶層７５による表示が行なわれる。この場合、
光源７７としてＬＥＤアレイを使用すると共に、隔壁７
６ａを備えた導光層７６を使用していることから、容易
にＲＧＢフルカラー化に対応することができる。
した光は、導光層７６内で反射または拡散されることに
より、導光層７６の上面から、ガラス基板７１，透明性
光導電層７３そして透明電極７４を通って、液晶層７５
内に入射し、液晶層７５の表示をバック照明することに
より、液晶層７５による表示が行なわれる。この場合、
光源７７としてＬＥＤアレイを使用すると共に、隔壁７
６ａを備えた導光層７６を使用していることから、容易
にＲＧＢフルカラー化に対応することができる。
【００６３】上述した実施形態においては、ラインアレ
イ状の光源として、ＥＬセルまたはＬＥＤアレイを使用
しているが、これに限らず、他の形式の発光素子セルを
使用してもよいことは明らかである。また、上述した実
施形態においては、光アドレス方式のスイッチング素子
を使用した液晶表示装置について説明したが、これに限
らず、光アドレス方式の光スイッチングを行なう他の種
類の表示部を備えた表示装置、例えば無機／有機ＥＬ，
ＰＤＰ，フィールドエミッションディスプレイ等の発光
型平面ディスプレイや、ＬＣＤ，エレクトロクロミック
ディスプレイ，電気泳動ディスプレイ，ツイストボール
ディスプレイ，サスペンデッドパーティクルディスプレ
イ等の反射型非発光ディスプレイ、さらには透過型非発
光ディスプレイに対しても、本発明を適用し得ることは
明らかである。
イ状の光源として、ＥＬセルまたはＬＥＤアレイを使用
しているが、これに限らず、他の形式の発光素子セルを
使用してもよいことは明らかである。また、上述した実
施形態においては、光アドレス方式のスイッチング素子
を使用した液晶表示装置について説明したが、これに限
らず、光アドレス方式の光スイッチングを行なう他の種
類の表示部を備えた表示装置、例えば無機／有機ＥＬ，
ＰＤＰ，フィールドエミッションディスプレイ等の発光
型平面ディスプレイや、ＬＣＤ，エレクトロクロミック
ディスプレイ，電気泳動ディスプレイ，ツイストボール
ディスプレイ，サスペンデッドパーティクルディスプレ
イ等の反射型非発光ディスプレイ、さらには透過型非発
光ディスプレイに対しても、本発明を適用し得ることは
明らかである。
【００６４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
源が光導電層の直下に配設されているので、光源から出
射した光が、直接に光導電層に入射する。これにより、
二つの透明電極即ちソース−ドレイン間の表示層の光ス
イッチングを行なうことになり、その際、光源−光導電
層間の光インターコネクションが容易に且つ確実に得ら
れると共に、光源が光導電層の直下に配設されているこ
とにより、全体が薄型に構成され得ることになる。ま
た、上記光導電層は全面ベタとして成膜されることか
ら、例えば有機半導体の印刷法等によって容易に成膜さ
れ得ると共に、単純な構造であることから、部品点数が
少なくて済み、部品コスト及び組立コストが低減され得
る。さらに、別途作製された後、下方のガラス基板の下
側に配設されることによって、スイッチング素子全体の
歩留まりが向上することになり、より一層コストが低減
され得る。このようにして、本発明によれば、光源と光
導電層間の光インターコネクションを良好にすると共
に、簡単な構成により、コストを低減し得るようにし、
さらに歩留まりを向上させるようにした、極めて優れた
光アドレス方式のスイッチング素子が提供され得る。
源が光導電層の直下に配設されているので、光源から出
射した光が、直接に光導電層に入射する。これにより、
二つの透明電極即ちソース−ドレイン間の表示層の光ス
イッチングを行なうことになり、その際、光源−光導電
層間の光インターコネクションが容易に且つ確実に得ら
れると共に、光源が光導電層の直下に配設されているこ
とにより、全体が薄型に構成され得ることになる。ま
た、上記光導電層は全面ベタとして成膜されることか
ら、例えば有機半導体の印刷法等によって容易に成膜さ
れ得ると共に、単純な構造であることから、部品点数が
少なくて済み、部品コスト及び組立コストが低減され得
る。さらに、別途作製された後、下方のガラス基板の下
側に配設されることによって、スイッチング素子全体の
歩留まりが向上することになり、より一層コストが低減
され得る。このようにして、本発明によれば、光源と光
導電層間の光インターコネクションを良好にすると共
に、簡単な構成により、コストを低減し得るようにし、
さらに歩留まりを向上させるようにした、極めて優れた
光アドレス方式のスイッチング素子が提供され得る。
【図１】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第一の実施形態を示す概略
断面図である。
子を使用した液晶表示装置の第一の実施形態を示す概略
断面図である。
【図２】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第二の実施形態を示す概略
断面図である。
子を使用した液晶表示装置の第二の実施形態を示す概略
断面図である。
【図３】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第三の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図及び（Ｂ）概略断面図である。
子を使用した液晶表示装置の第三の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図及び（Ｂ）概略断面図である。
【図４】図３の液晶表示装置の駆動時の（Ａ）ソース電
圧，（Ｂ）光源の発光強度及び（Ｃ）液晶層の反射光強
度を示すグラフである。
圧，（Ｂ）光源の発光強度及び（Ｃ）液晶層の反射光強
度を示すグラフである。
【図５】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第四の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図，（Ｂ）概略断面図及び（Ｃ）要部平
面図である。
子を使用した液晶表示装置の第四の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図，（Ｂ）概略断面図及び（Ｃ）要部平
面図である。
【図６】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第五の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図，（Ｂ）概略断面図及び（Ｃ）要部平
面図である。
子を使用した液晶表示装置の第五の実施形態を示す
（Ａ）概略斜視図，（Ｂ）概略断面図及び（Ｃ）要部平
面図である。
【図７】本発明による光アドレス方式のスイッチング素
子を使用した液晶表示装置の第六の実施形態を示す
（Ａ）概略断面図及び（Ｂ）概略平面図である。
子を使用した液晶表示装置の第六の実施形態を示す
（Ａ）概略断面図及び（Ｂ）概略平面図である。
【図８】従来の光アドレス方式のスイッチング素子を使
用した液晶表示装置の一例の構成を示す概略断面図であ
る。
用した液晶表示装置の一例の構成を示す概略断面図であ
る。
【図９】従来の光アドレス方式のスイッチング素子を使
用した液晶表示装置の他の例の構成を示す概略断面図で
ある。
用した液晶表示装置の他の例の構成を示す概略断面図で
ある。
１０，２０，３０，５０，６０，７０ 液晶表示装置 １１，１２，３１，３２，５１，５２，６１，６２，７
１，７２ ガラス基板 １２ａ，３２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａ 透明電極
（ドレイン電極） １３，４０，５９，６７，７７ 光源 １４ 誘電体絶縁層 １５ 透明電極（ソース電極） １６，３４，５６，６３ 光導電層 １７ 金属反射板 １８，３７，５５，６５，７５ 液晶層 ２１，７４ 透明性光導電層 ２２，７５ 透明電極 ３３，５８，６６ ブラックマスク ３５，６４ 金属画素電極 ３９ 円偏光板 ５３ 絶縁膜 ５４ 透明画素電極 ５７ 金属電極 ７６ 導光層
１，７２ ガラス基板 １２ａ，３２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａ 透明電極
（ドレイン電極） １３，４０，５９，６７，７７ 光源 １４ 誘電体絶縁層 １５ 透明電極（ソース電極） １６，３４，５６，６３ 光導電層 １７ 金属反射板 １８，３７，５５，６５，７５ 液晶層 ２１，７４ 透明性光導電層 ２２，７５ 透明電極 ３３，５８，６６ ブラックマスク ３５，６４ 金属画素電極 ３９ 円偏光板 ５３ 絶縁膜 ５４ 透明画素電極 ５７ 金属電極 ７６ 導光層
Claims (8)
- 【請求項１】 互いに平行に上下に重ねて配設された二
枚のガラス基板と、 これらガラス基板の間にて、下側から順次に積層された
ソース電極としての第一の透明電極，光導電層，中間
層，表示層及びドレイン電極としての第二の透明電極
と、 上記光導電層の直下に隣接して配設されたラインアレイ
状の光源と、を含んでおり、 上記中間層が、金属反射板または透明電極として構成さ
れていることを特徴とする、光アドレス方式のスイッチ
ング素子。 - 【請求項２】 上記中間層が、金属反射板であって、 上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明電極との間
に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載の
反射型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項３】 上記中間層が、透明電極であり、 上記光導電層が透明性光導電層であって、 上記光源が、下方のガラス基板と第一の透明電極との間
に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載の
透過型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項４】 上記光源が、第一の透明電極に対して誘
電体絶縁層を介して配設されていることを特徴とする、
請求項２または３に記載の光アドレス方式のスイッチン
グ素子。 - 【請求項５】 上記光源が、ＥＬアレイ層であることを
特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の光アドレ
ス方式のスイッチング素子。 - 【請求項６】 上記光源が、ＬＥＤアレイであることを
特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の光アドレ
ス方式のスイッチング素子。 - 【請求項７】 上記中間層が、透明電極であって、 上記光源が、下方のガラス基板の下側に配設された導光
層と、この導光層の一側に配設されたラインアレイ状の
光源とから構成されていることを特徴とする、請求項１
に記載の透過型の光アドレス方式のスイッチング素子。 - 【請求項８】 上記表示層が、液晶層であることを特徴
とする、請求項１から７の何れかに記載の光アドレス方
式のスイッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799799A JP4803689B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 光アドレス方式のスイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799799A JP4803689B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 光アドレス方式のスイッチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001066628A true JP2001066628A (ja) | 2001-03-16 |
| JP4803689B2 JP4803689B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=17023602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23799799A Expired - Fee Related JP4803689B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 光アドレス方式のスイッチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4803689B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304187A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光アドレス型表示媒体の書き込み方法およびそれに用いる外光遮断部材、並びに光アドレス型表示媒体の書き込み装置 |
| WO2012006119A3 (en) * | 2010-06-28 | 2012-04-05 | Llc Lawrence Livermore National Security | High voltage photo-switch package module |
| US9025919B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-05-05 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo-switch package module having encapsulation with profiled metallized concavities |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127720A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02131221A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Pioneer Electron Corp | 光導電型液昌ライトバルブ |
| JPH0497135A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-30 | Nec Corp | 液晶ライトバルブ |
| JPH0519290A (ja) * | 1991-01-09 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子および神経ネツトワーク回路 |
| JPH05173172A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及びその製造方法 |
| JPH0651339A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及びその製造方法 |
| JPH0743740A (ja) * | 1993-01-23 | 1995-02-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光アクティブマトリックス・ディスプレイ |
| JPH09197432A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Sony Corp | 光書き込み型液晶光バルブ |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23799799A patent/JP4803689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127720A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02131221A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Pioneer Electron Corp | 光導電型液昌ライトバルブ |
| JPH0497135A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-30 | Nec Corp | 液晶ライトバルブ |
| JPH0519290A (ja) * | 1991-01-09 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子および神経ネツトワーク回路 |
| JPH05173172A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及びその製造方法 |
| JPH0651339A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及びその製造方法 |
| JPH0743740A (ja) * | 1993-01-23 | 1995-02-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光アクティブマトリックス・ディスプレイ |
| JPH09197432A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Sony Corp | 光書き込み型液晶光バルブ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304187A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光アドレス型表示媒体の書き込み方法およびそれに用いる外光遮断部材、並びに光アドレス型表示媒体の書き込み装置 |
| WO2012006119A3 (en) * | 2010-06-28 | 2012-04-05 | Llc Lawrence Livermore National Security | High voltage photo-switch package module |
| US8655125B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-18 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo switch package module |
| US9025919B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-05-05 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High voltage photo-switch package module having encapsulation with profiled metallized concavities |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4803689B2 (ja) | 2011-10-26 |
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