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JP2000514068A - フタリドの製造方法 - Google Patents

フタリドの製造方法

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JP2000514068A
JP2000514068A JP10504707A JP50470798A JP2000514068A JP 2000514068 A JP2000514068 A JP 2000514068A JP 10504707 A JP10504707 A JP 10504707A JP 50470798 A JP50470798 A JP 50470798A JP 2000514068 A JP2000514068 A JP 2000514068A
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JP
Japan
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hydrogenation
catalyst
phthalic anhydride
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JP10504707A
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マソネ,クレーメンス
ベッカー,ライナー
ライフ,ヴォルフガング
ヴルフデリング,ヨーアヒム
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BASF SE
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BASF SE
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    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/87Benzo [c] furans; Hydrogenated benzo [c] furans
    • C07D307/88Benzo [c] furans; Hydrogenated benzo [c] furans with one oxygen atom directly attached in position 1 or 3

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Abstract

(57)【要約】 下式I で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4が、相互に無関係に、それぞれ水素、C1−C4アルキルまたはC1−C4アルコキシを意味する場合のフタリドを、下式II で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4がそれぞれ上述の意味を有する場合における無水フタル酸の、水素添加触媒の存在下における水素添加により製造する方法において、周期表第1副族、第6副族および/または第7副族金属でドーピング処理したニッケル触媒を使用して水素添加することを特徴とする方法。

Description

【発明の詳細な説明】 フタリドの製造方法 本発明は、周期表第1副族、第6副族および/または第7副族金属でドーピン グ処理したニッケル触媒を使用して、無水フタル酸を接触的水素添加することに より、フタリドを製造する方法に関する。 DE−C−2803319号公報は、銅、アルミニウム含有触媒を使用して、 気相で無水フタル酸を接触的水素添加することにより、フタリドを製造する方法 を開示している。しかしながら、この方法は、多段階縮合および下流における廃 ガス洗気を含めて、生成物単離において、実際上の実施を不可能ならしめる程の 高コストを必要とする。EP−A−542037号は、固定床触媒を使用して、 無水フタル酸を接触的水素添加することにより、フタリドを製造する方法を記載 している。この方法は、バッチ式で実施する場合、大量の触媒と長時間の水素添 加反応時間を必要とし、また連続的に実施する場合、完全に転化するためには高 い圧力を必要とする。 US−A−4485246号、同3957825号各明細書は、均一系ルテニ ウム触媒を使用して、無水フタル酸を水素添加することによりフタリドを製造し 得ることを開示している。 また、EP−B−89417号公報には、必要不可欠の溶媒としてメチルベン ゾアートを使用し、担体材料上の不動ニッケル触媒の存在下、無水フタル酸を接 触的水素添加することによるフタリドへの転化が記載されている。 さらに、ハウベン/ワイルの「メトーデン、デル、オルガニッシェン、ヘミー 」6/2(1963)732−733から、触媒としてラネイニッケルを使用し 、無水フタル酸を水素添加し、フタリドに転化することは公知であるが、この場 合、165バールの水素圧下に、溶媒としてエタノールを使用して、生成フタリ ドの収率はわずかに73%である。 そこで、本発明の目的は、無水フタル酸の接触的水素添加におけるこれまでの 触媒の使用による上述の不利点を回避克服することである。 しかるに、この目的は、下式Iで表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4が、相互に無関係に、それぞれ水素 、C1−C4アルキルまたはC1−C4アルコキシを意味する場合のフタリドを、下 式II で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4がそれぞれ上述の意味を有する場合 における無水フタル酸の、水素添加触媒の存在下における水素添加により製造す る方法において、周期表第1副族、第6副族および/または第7副族金属でドー ピング処理したニッケル触媒を使用して水素添加することを特徴とする方法によ り達成されることが本発明者らによって見出された。 本発明方法は、少量の触媒で、良好な時空収率および高い選択性を以て、無水 フタル酸を水素添加することによりフタリドを製造することを可能ならしめる。 本発明方法において使用されるべき触媒は、上述したEP−A−542037 号方法で使用される触媒とくらべて、明らかに高い触媒活性を有する。公知方法 は、150から250℃の高い温度を使用するにもかかわらず、使用される無水 フタル酸に対して10%の触媒を使用し、260バールの圧力下に12時間水素 添加処理して、わずかな不完全転化率を達成するに過ぎないのに対して、本発明 方法は、穏やかな反応条件下において、短時間でほぼ完全な転化をもたらし得 る。 この水素添加反応は、50から400℃、好ましくは100から250、こと に140から220℃の温度、1から400バール、好ましくは5から300、 ことに5から200、なかんずく30から120バールの圧力で行なわれる。 反応器としては、水素添加に慣用の方法、例えばオートクレーブまたは管状反 応器が使用される。 本発明方法に使用される水素添加触媒は、周期表第1副族金属、例えば銀、銅 、ことに銅、周期表第6副族金属、例えばクロム、モリブデン、タングステン、 ことにモリブデン、および/または周期表第7副族金属、例えばマンガン、レニ ウム、ことにレニウムでドーピング処理されたニッケル触媒が使用される。本発 明により使用される触媒中におけるドーピング処理用金属の量割合は、触媒中の ニッケルに対して、0.01から10重量%、ことに0.1から5重量%である 。 本発明方法において使用される触媒の製造は、それ自体慣用の方法(DE−A −2544761号公報)、例えば、ニッケル、ドーピング処理金属およびアル カリ浸出可能の物質、ことにアルミニウムおよび/または珪素を混合し、次いで アルカリ、例えばナトリウム水溶液を使用してアルカリ浸出性物質を浸出させる ことにより製造される。 ニッケル触媒として好ましいのは、ドーピング処理されたラネイニッケル触媒 である。この水素添加触媒は、例えば担持触媒または懸濁触媒として使用される 。 水素添加反応は、溶媒を使用することなく、無水フタル酸を溶融体の形態で使 用することにより行なわれ得る。 しかしながら、この反応は一般的に溶媒の存在下に行なわれる。適当な溶媒は 、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、グリコールエーテルのようなエーテ ル類、メチルアセタート、メチルベンゾアートのようなエステル類、ブチロラク トン、フタリドのようなラクトン、ことに水素添加の過程で形成されるフタリド 、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールのようなアルコール類、 炭化水素またはこれらの混合物である。 水素添加されるべき無水フタル酸の、使用される溶媒に対する重量割合は、一 般的に1000:1から1:1000、好ましくは500:1から1:500、 ことに200:1から1:200の範囲である。 本発明による反応は、使用される無水フタル酸がすべて水素添加されたならば 直ちに停止されるのが好ましい。この時間は、例えばガスクロマトグラフィーに よる無水フタル酸存在量の測定または水素消費量の経過から決定される。 反応生成物は、慣用の態様で、ことに蒸留により後処理されるのが好ましい。 式IおよびIIにおいて、R1、R2、R3、R4は、相互に無関係に、それぞれ 、水素、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチ ル、s−ブチル、t−ブチル、ことにメチル、エチル、なかんずくメチルのよう なC1−C4アルキル、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、 n−ブトキシ、イソブトキシ、s−ブトキシ、t−ブトキシ、ことにメトキシ、 エトキシ、なかんずくメトキシのようなC1−C4アルコキシを意味する。R1、 R2、R3、R4は、すべてが水素であるのがことに好ましい。 出発材料として使用される無水フタル酸は、フタル酸無水物自体のように周知 のものであり、あるいは公知の方法(J.of Org.Chemst.51、 3439−3446(1986)、Synthesis 223、224(19 85)参照)により製造され得る。 以下に本発明実施例および対比例を示す。 実施例1 分散撹拌器を設けた内容積0.51の撹拌オートクレーブに、窒素雰囲気下、 88.8gの無水フタル酸、溶媒としてのフタリドおよび0.9gの触媒を装填 し、無水フタル酸/フタリド混合物を120℃で溶融させる。撹拌器を500r pmで稼働させ、水素を反覆して注入することにより圧力を5バールまで上げ窒 素と置換し、減圧する。反応器内容物を180℃まで加熱し、水素を40バール の圧力まで注入し、常圧に至るまで水素添加反応を継続する。無水フタル酸の転 化は、ほぼ化学量諞的量である。反応条件および結果を下表に示す。 対比例2 ドーピング処理されていないラネイニッケル触媒および本発明によりドーピン グ処理されていないラネイニッケル触媒を使用したほかは、実施例1におけると 同様の処理を反覆した。反応条件および結果を下表に示す。 本発明によらないラネイニッケル触媒では、本発明に対比し得る転化率を達成 するのに著しく長い水素添加反応時間を必要とし、しかも選択率が低い。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年7月14日(1998.7.14) 【補正内容】 請求の範囲 1.下式I で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4が、相互に無関係に、それぞれ水素 、C1−C4アルキルまたはC1−C4アルコキシを意味する場合のフタリドを、下 式II で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4がそれぞれ上述の意味を有する場合 における無水フタル酸の、水素添加触媒の存在下における水素添加により製造す る方法において、周期表第1副族、第6副族および/または第7副族金属でドー ピング処理したラネイニッケル触媒を使用して水素添加することを特徴とする方 法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ライフ,ヴォルフガング ドイツ国、D―67227、フランケンタール、 エルンスト―ルートヴィッヒ―キルヒナー ―シュトラーセ、2 (72)発明者 ヴルフデリング,ヨーアヒム ドイツ国、D―67227、フランケンタール、 ハンス―ファイ―シュトラーセ、4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.下式I で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4が、相互に無関係に、それぞれ水素 、C1−C4アルキルまたはC1−C4アルコキシを意味する場合のフタリドを、下 式II で表わされ、かつ式中のR1、R2、R3、R4がそれぞれ上述の意味を有する場合 における無水フタル酸の、水素添加触媒の存在下における水素添加により製造す る方法において、周期表第1副族、第6副族および/または第7副族金属でドー ピング処理したニッケル触媒を使用して水素添加することを特徴とする方法。
JP10504707A 1996-07-10 1997-06-24 フタリドの製造方法 Withdrawn JP2000514068A (ja)

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