[go: up one dir, main page]

JP2000349178A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2000349178A
JP2000349178A JP11161657A JP16165799A JP2000349178A JP 2000349178 A JP2000349178 A JP 2000349178A JP 11161657 A JP11161657 A JP 11161657A JP 16165799 A JP16165799 A JP 16165799A JP 2000349178 A JP2000349178 A JP 2000349178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
heat spreader
semiconductor device
adhesive tape
ring member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11161657A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000349178A5 (ja
Inventor
Hirotsugu Matsushima
弘倫 松嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP11161657A priority Critical patent/JP2000349178A/ja
Priority to US09/447,675 priority patent/US6232652B1/en
Priority to KR10-2000-0026631A priority patent/KR100407746B1/ko
Priority to TW089109818A priority patent/TW479332B/zh
Publication of JP2000349178A publication Critical patent/JP2000349178A/ja
Publication of JP2000349178A5 publication Critical patent/JP2000349178A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージ構造の半導体装置の製造におい
て、半導体チップへのダメージを回避し、放熱特性の劣
化を防止できる半導体装置を得る。 【解決手段】 平板状の基板のほぼ中央部に半導体チッ
プをマウントし、この上に環状のリング部材および接着
用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層し
て半導体チップを収容する中空部を形成したものにおい
て、接着用テープまたはリング部材にスリットを設けて
エアーベントを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子をパ
ッケージ構造で収納した半導体装置及びその製造方法に
関するものである。さらに詳しくは、例えばヒートスプ
レッダーやキャップを有し半導体素子を中空層に収納し
た半導体装置の構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のパッケージ構造の半導体
装置の構造の一例を示す図である。従来の半導体装置
は、例えば、ＢＧＡ基板７と、ＢＧＡ基板７と半田バン
プを介してフリップチップ接合された半導体チップ５
と、その接合信頼性を向上しうる封止部材と、外部と電
気的接続を得るためにＢＧＡ基板７の裏面に配列された
半田ボール８と、半導体チップ５において発生した熱を
外部に放熱するヒートスプレッダー１と、半導体チップ
５とヒートスプレッダー１との熱伝導を促進する放熱性
樹脂６と、ＢＧＡ基板７及びヒートスプレッダー１間に
所定の間隔を設けかつ両者を接合するためのリング２お
よび接着用テープ３とからなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体装置
の製造工程においては、銅等の金属、もしくはセラミッ
ク、有機材料等からできた、ヒートスププレッダーやキ
ャップを封止する際の昇温時と、その後、リフローによ
り例えば半田ボールを搭載する際や、該半導体装置を実
装ボードに搭載するときなど半田が溶融する温度以上に
昇温するが、その際、密閉された空気が熱膨張すること
により、ヒートスプレッダーの変形及び剥離が発生する
問題がある。図９はこのような状態を示したもので、ヒ
ートスプレッダー１と放熱性樹脂６、又は、放熱性樹脂
６と半導体チップ５との剥離が発生し、該半導体装置の
放熱特性が劣化する問題がある。
【０００４】また、半導体装置上に放熱フィンを取り付
けて外部へ放熱効果を上げる際に、半導体装置から放熱
フィンへの熱伝導を更に向上させる必要がある。
【０００５】また、半導体装置の製造時、加圧ヘッドを
用いた熱圧着により取り付ける際、ヒートスプレッダー
とリングを取り付けるが、その際、半導体チップにダメ
ージを与える問題がある。また、上記放熱性樹脂の硬化
が瞬時に始まることにより放熱性樹脂内にボイドが発生
し、放熱特性が劣化する。
【０００６】また、半導体装置の製造時、ヒートスプレ
ッダーとリングの、例えば熱硬化性の接着テープが付着
している側の表面にあるカバーフィルムを取り剥がす必
要がある。この発明は上述のような従来の課題を解決す
るためになされたもので、半導体チップへのダメージを
回避し、放熱特性の劣化を防止できる半導体装置とその
製造方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１にか
かる半導体装置は、平板状の基板のほぼ中央部に半導体
チップをマウントし、この上に環状のリング部材および
接着用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積
層して上記半導体チップを収容する中空部を形成した半
導体装置において、上記接着用テープにスリットを設け
てエアーベントを形成したことを特徴とするものであ
る。
【０００８】また、この発明の請求項２にかかる半導体
装置は、平板状の基板のほぼ中央部に半導体チップをマ
ウントし、この上に環状のリング部材および接着用テー
プと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層して上記
半導体チップを収容する中空部を形成した半導体装置に
おいて、上記リング部材にスリットを設けてエアーベン
トを形成したことを特徴とするものである。
【０００９】また、この発明の請求項３にかかる半導体
装置は、請求項１又は２に記載のものにおいて、上記半
導体チップと上記ヒートスプレッダー板との間を充填す
る放熱性樹脂を備えるとともに、上記ヒートスプレッダ
ー板に開口部を設け上記放熱性樹脂を露出させたことを
特徴とするものである。
【００１０】また、この発明の請求項４にかかる半導体
装置の製造方法は、平板状の基板のほぼ中央部に半導体
チップをマウントし、この上に環状のリング部材および
接着用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積
層して接着させる工程において、環状の凸部を有する加
圧ヘッドにより、上記環状の接着テープ部分のみを加圧
することを特徴とするものである。半導体装置。
【００１１】また、この発明の請求項５にかかる半導体
装置の製造方法は、平板状の基板のほぼ中央部に半導体
チップをマウントし、この上に環状のリング部材および
接着用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積
層して接着させる工程において、カバーフィルムが装着
されたヒートスプレッダーおよびリング部材の上記カバ
ーフィルムを剥離用テープに接着した後、上記剥離用テ
ープの送りと上記ヒートスプレッダーおよびリング部材
の引き上げにより、上記剥離用テープに接着した上記カ
バーフィルムから上記ヒートスプレッダーおよびリング
部材を引き離すことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図中、同一又は相当部分
には同一の符号を付してその説明を適宜簡略化ないし省
略する。 実施の形態1．図１及び図２は、この発明の実施の形態
１による半導体装置について説明するための図である。
図１は、この実施の形態によるエアーベントを備えた半
導体装置の構造を示す断面図、図２（ａ）は接着用テー
プのスリットを示す平面図、図２（ｂ）はリング部材を
示す平面図である。図１において、１は平面状のヒート
スプレッダー（ヒートスプレッダー板）、２は四角環状
のリング（リング部材）、３はスリットを有する四角環
状の接着用テープ、４は接着用テープ３に設けられたエ
アーベントとして機能するスリット、５は半導体チッ
プ、６は放熱性樹脂、７はＢＧＡ基板、８は半田ボール
を示す。
【００１３】この半導体装置は、ＢＧＡ基板７に半田バ
ンプを介して半導体チップ５がフリップチップ接合さ
れ、半導体チップ５は封止部材で封止されている。半導
体チップ５とヒートスプレッダー１との間には熱伝導を
促進する放熱性樹脂６が充填され接着されている。ヒー
トスプレッダー１は、半導体チップ５において発生した
熱を外部に放熱する。ＢＧＡ基板７とヒートスプレッダ
ー１の間には、その四周において両者間に所定の間隔を
設けかつ両者を接合するためのリング２および接着用テ
ープ３が積層されている。そして、この接着用テープ３
には、エアーベントとして機能するスリット４が形成さ
れている。なお、ＢＧＡ基板７の裏面には外部と電気的
接続を得るために半田ボール８が配列されている。
【００１４】図２（ａ）は、ヒートスプレッダー１と接
着用テープ３との接合状態を、図１の下側（半導体チッ
プ５側）からみた状態を示す。図に示すように、ヒート
スプレッダー１の上に、四角環状の接着用テープ３が接
合されており、接着用テープ３の一つの角部にはスリッ
ト４が設けられている。図２（ｂ）は、接着用テープ３
とリング２との接合状態を、図１の下側（半導体チップ
５側）からみた状態を示す。図に示すように、四角環状
の接着用テープ３の上に、リング２が接合されている。
図２（ａ），（ｂ）の例えば熱硬化性、耐熱性、絶縁性
を有する接着用テープ３のスリット４は、図１に示す半
導体装置の製造後のエアーベント部となる。
【００１５】この実施の形態によれば、半導体装置がエ
アーベント部を有しているので、図９の従来例として説
明したような、例えば接着用テープ３のキュア時やリフ
ローによる加熱によって中空層の空気が膨張し、ヒート
スプレッダー１の変形や、ヒートスプレッダー１やリン
グ２の剥がれを生じるということがない。なお、スリッ
ト４を入れる接着用テープ３は、ヒートスプレッダー１
側に接着しているものでも、ＢＧＡ基板７側に接着して
いるものでもよい。どちらか一方でもよく、また、両方
にいれてもよい。
【００１６】また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
接着用テープ３の形状とリング２の形状は一致してお
り、また、ヒートスプレッダー１の外形とも一致してい
る。従って、図１に示すようにヒートスプレッダー１の
中央部には、半導体装置製造時に放熱性樹脂６を介して
半導体チップ５と接着させることにより、半導体チップ
５において発生した熱を外部に放熱しやすくすることが
できる。
【００１７】図３は、接着用テープ３のスリットの他の
配置例を示す平面図である。図３に示すように、接着用
テープ３のスリットを２コーナー、４コーナー、もしく
は、辺上に設けてもよい。
【００１８】以上のように、この実施の形態によれば、
ヒートスプレッダー１と半導体チップ５を接着し熱伝導
を担う放熱性樹脂６との剥離、もしくは、放熱性樹脂６
と半導体チップ５との剥離による、半導体装置の放熱特
性の劣化を防ぐことができる。また、半導体装置の変形
による例えばＢＧＡ基板７等のクラックや内部配線の断
線を防ぐことができる。また、接着用テープ３のスリッ
ト４は、半導体装置製造後の製品にも残存するため、複
数回の加熱においてもエアーベント部として作用する。
【００１９】また、この実施の形態によれば、ヒートス
プレッダー１の基材に穴やスリット等ベント部を設ける
必要がない。従って、放熱領域を広く確保することがで
きることにより、半導体装置の放熱特性を向上すること
ができ有利である。加えて、例えば、半導体装置のヒー
トスプレッダー１上に放熱フィン（図示せず）を搭載す
る際に放熱フィンとの接着領域を広く確保でき放熱特性
の向上に有利であり、また、放熱フィンとの接着力を高
めることができる。
【００２０】以上のように、この実施の形態によれば、
平板状の基板のほぼ中央部に半導体チップをマウント
し、この上に環状のリング部材および接着用テープと、
平板状のヒートスプレッダー板とを積層して半導体チッ
プを収容する中空部を形成した半導体装置において、上
記接着用テープにスリットを設けてエアーベントを形成
する。
【００２１】以上説明したように、この実施の形態によ
れば、半導体装置の製造工程で昇温される場合にも、半
導体装置内に密閉された空気がエアーベントを通して外
気と連通しているので、内部空気の熱膨張により、ヒー
トスプレッダーを変形させたり剥離させたりすることが
ない。従って、半導体装置の特性劣化を防止できる。
【００２２】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２による半導体装置について説明するための図であ
り、図１におけるリング部材２の他の形状を示す平面図
である。この実施の形態では、実施の形態１のように接
着テープ３にスリットを設けるのに代えて、リング部材
２にスリット４を設ける。リング部材２のスリット４の
位置、形状は、図４に示すように、リング２のコーナー
であっても、また、辺上の一部を抜くことにより、形状
をＣ形状としてもよく、これを半導体装置製造後のエア
ーベント部とする。また、リング部材２に設けるスリッ
ト４は２個所以上あってもよい。半導体装置としてのそ
の他の構成は、実施の形態１で説明したものと同様であ
るから、重複した説明は省略する。
【００２３】このように、この実施の形態においては、
平板状の基板のほぼ中央部に半導体チップをマウント
し、この上に環状のリング部材および接着用テープと、
平板状のヒートスプレッダー板とを積層して上記半導体
チップを収容する中空部を形成した半導体装置におい
て、上記リング部材にスリットを設けてエアーベントを
形成する。この実施の形態においても、実施の形態1と
同様の効果が得られる。
【００２４】実施の形態３．図５は、この発明の実施の
形態３による半導体装置について説明するための図であ
り、図５（ａ）は半導体装置の中央部を切断した斜視
図、図５（ｂ）は半導体装置の他の例の中央部の断面図
である。図５（ａ）に示すように、この実施の形態で
は、ヒートスプレッダー１とリング２の２層構造により
中空層を有する半導体装置において、ヒートスプレッダ
ー１の半導体チップ５と接着する部位に、比較的大きい
が半導体チップ５よりは面積が小さい抜き穴９（開口
部）を形成している。この抜き穴９には、半導体チップ
５を覆う放熱性樹脂６が露出している。
【００２５】また、図５（ｂ）の例では、ヒートスプレ
ッダー１とリング２の２層構造により中空層を有する半
導体装置において、ヒートスプレッダー１の半導体チッ
プ５と接着する部位に、比較的小さな抜き穴９（開口
部）を複数個形成している。この抜き穴９には、半導体
チップ５を覆う放熱性樹脂６が露出している。
【００２６】このような構造によれば、放熱フィン（図
示せず）をヒートスプレッダー１上に搭載したとき、半
導体チップ５から放熱フィンへの熱伝導を促進できる。
また、放熱フィンの搭載でヒートスプレッダー１の穴が
塞がった後も、接着用テープ３のスリット４によりエア
ーベントを保有している。
【００２７】以上のように、この実施の形態によれば、
平板状の基板のほぼ中央部に半導体チップをマウント
し、この上に環状のリング部材および接着用テープと、
平板状のヒートスプレッダー板とを積層して半導体チッ
プを収容する中空部を形成した半導体装置において、上
記接着用テープにスリットを設けてエアーベントを形成
する。さらに、ヒートスプレッダーのほぼ中央部にに抜
き穴を設け、半導体チップとヒートスプレッダーとの間
を充填する放熱性樹脂を露出させている。これにより、
半導体装置の耐熱特性を向上させるとともに、放熱性の
向上を図ることができる。
【００２８】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４による半導体装置製造方法を説明するための図で
ある。図６（ａ）にも示されるように、この半導体装置
の製造方法は、平板状の基板７のほぼ中央部に半導体チ
ップ５をマウントし、この上に環状のリング部材２およ
び接着用テープ３と、平板状のヒートスプレッダー板１
とを積層して接着させる。この実施の形態では、この工
程において、図６（ｂ）に示すような環状の凸部を有す
る加圧ヘッド１０により、半導体チップ５の外側で、環
状の接着テープ３部分のみを加圧する。
【００２９】このように、この実施の形態では、半導体
装置の製造におけるヒートスプレッダー１及びリング２
を熱圧着するための加圧ヘッド１０の面をリング状にし
たことを特徴とする。これにより、半導体チップ５への
加圧によるダメージを回避できる。また、放熱性樹脂６
の加熱を回避できるため、放熱性樹脂６の瞬時の硬化を
防ぐことで放熱性樹脂６内のボイドの発生を防ぐことが
できる。
【００３０】実施の形態５．図７は、この発明の実施の
形態５による、半導体装置の製造方法を説明するための
図である。一般に、ヒートスプレッダー１やリング２な
どの部材は、使用前にはその表面にカバーフィルムが接
着されて保護されている。半導体装置の製造工程では、
このカバーフィルムを剥がす必要がある。これを、この
実施の形態では、まず図７（ａ）に示すように、剥離ス
テージ１３の上に剥離用テープ１２を載せ、図７（ｂ）
に示すように、その上からカバーフィルム１１を有する
ヒートスプレッダー１を押圧する。その後、剥離用テー
プ１２をスライドさせ、ヒートスプレッダー１を例えば
吸着ツール等を利用して引き離すと、カバーフィルム１
１は剥離用テープ１２に強固に接着しているため、カバ
ーフィルム１１をヒートスプレッダー１から剥がすこと
ができる。
【００３１】このように、この実施の形態においては、
平板状の基板７のほぼ中央部に半導体チップ５をマウン
トし、この上に環状のリング部材２および接着用テープ
３と、平板状のヒートスプレッダー板１とを積層して接
着させる工程において、カバーフィルム１１が装着され
たヒートスプレッダー１およびリング部材２のカバーフ
ィルム１１をそれぞれ剥離用テープ１２に接着する。そ
の後、剥離用テープ１２の送りと、ヒートスプレッダー
１およびリング部材２の吸着ツール等の引き上げによる
力を利用して、上記ヒートスプレッダー１およびリング
部材２を、それぞれ剥離用テープ１２に接着したカバー
フィルム１１からを引き離すようにする。すなわち、ヒ
ートスプレッダー１及びリング２等のキヤップの接着テ
ープが貼り付いている面上に付着しているカバーフィル
ム１１を、剥離用テープ１２を用いて、接着力の差を利
用して、剥離ステージ１３上で剥離することを特徴とす
る。
【００３２】以上のように、この実施の形態では、平板
状の基板のほぼ中央部に半導体チップをマウントし、こ
の上に環状のリング部材および接着用テープと、平板状
のヒートスプレッダー板とを積層して接着させる工程に
おいて、カバーフィルムが装着されたヒートスプレッダ
ーおよびリング部材のカバーフィルムを剥離用テープに
接着した後、上記剥離用テープに接着した上記カバーフ
ィルムから上記ヒートスプレッダーおよびリング部材を
引き離す。これにより、カバーフィルムを容易に剥離す
ることができる。
【００３３】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、半導体装置の半導体チップへのダメージを回避す
ることができる。また、放熱特性の劣化を防止すること
ができる。あるいは、カバーフィルムの剥離を容易に行
うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体装置の
構造を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による接着用テープ
およびリング部材を示す平面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による接着用テープ
の他の例を示す平面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２による半導体装置の
リング部材の形状を示す平面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３による半導体装置の
中央部切断斜視図、及び他の半導体装置の例の中央部断
面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４による、半導体装置
の製造方法を説明するための図である。
【図７】 この発明の実施の形態５による、半導体装置
の製造方法を説明するための図である。
【図８】 従来のパッケージ構造の半導体装置の一例を
示す断面図である。
【図９】 従来の半導体装置にて発生する課題を説明す
るための断面図である。
【符号の説明】
１ ヒートスプレッダー、 ２ リング、 ３ 接着用
テープ、 ４ スリット、 ５ 半導体チップ、 ６
放熱性樹脂、 ７ ＢＧＡ基板、 ８ 半田ボール、
９ 抜き穴、 １０ 加圧ヘッド、 １１ カバーフィ
ルム、 １２剥離用テープ、 １３ 剥離ステージ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平板状の基板のほぼ中央部に半導体チッ
    プをマウントし、この上に環状のリング部材および接着
    用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層し
    て上記半導体チップを収容する中空部を形成した半導体
    装置において、上記接着用テープにスリットを設けてエ
    アーベントを形成したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 平板状の基板のほぼ中央部に半導体チッ
    プをマウントし、この上に環状のリング部材および接着
    用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層し
    て上記半導体チップを収容する中空部を形成した半導体
    装置において、上記リング部材にスリットを設けてエア
    ーベントを形成したことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 上記半導体チップと上記ヒートスプレッ
    ダー板との間を充填する放熱性樹脂を備えるとともに、
    上記ヒートスプレッダー板に開口部を設け上記放熱性樹
    脂を露出させたことを特徴とする請求項１又は２に記載
    の半導体装置。
  4. 【請求項４】 平板状の基板のほぼ中央部に半導体チッ
    プをマウントし、この上に環状のリング部材および接着
    用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層し
    て接着させる工程において、環状の凸部を有する加圧ヘ
    ッドにより、上記環状の接着テープ部分のみを加圧する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 平板状の基板のほぼ中央部に半導体チッ
    プをマウントし、この上に環状のリング部材および接着
    用テープと、平板状のヒートスプレッダー板とを積層し
    て接着させる工程において、カバーフィルムが装着され
    たヒートスプレッダーおよびリング部材の上記カバーフ
    ィルムを剥離用テープに接着した後、上記剥離用テープ
    の送りと上記ヒートスプレッダーおよびリング部材の引
    き上げにより、上記剥離用テープに接着した上記カバー
    フィルムから上記ヒートスプレッダーおよびリング部材
    を引き離すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP11161657A 1999-06-08 1999-06-08 半導体装置及びその製造方法 Pending JP2000349178A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11161657A JP2000349178A (ja) 1999-06-08 1999-06-08 半導体装置及びその製造方法
US09/447,675 US6232652B1 (en) 1999-06-08 1999-11-23 Semiconductor device having a packaged semiconductor element and permanent vent and manufacturing method thereof
KR10-2000-0026631A KR100407746B1 (ko) 1999-06-08 2000-05-18 반도체장치
TW089109818A TW479332B (en) 1999-06-08 2000-05-22 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11161657A JP2000349178A (ja) 1999-06-08 1999-06-08 半導体装置及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009199963A Division JP2009302556A (ja) 2009-08-31 2009-08-31 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000349178A true JP2000349178A (ja) 2000-12-15
JP2000349178A5 JP2000349178A5 (ja) 2006-11-30

Family

ID=15739361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11161657A Pending JP2000349178A (ja) 1999-06-08 1999-06-08 半導体装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6232652B1 (ja)
JP (1) JP2000349178A (ja)
KR (1) KR100407746B1 (ja)
TW (1) TW479332B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054488A3 (en) * 2000-12-29 2003-06-19 Intel Corp Ic package pressure release apparatus and method
KR100447226B1 (ko) * 2001-10-24 2004-09-04 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 칩 삽입형 반도체 패키지
US7304389B2 (en) 2003-01-30 2007-12-04 Fujitsu Limited Semiconductor device and supporting plate
JP2014063921A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3180794B2 (ja) * 1999-02-19 2001-06-25 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6407334B1 (en) * 2000-11-30 2002-06-18 International Business Machines Corporation I/C chip assembly
US20030125077A1 (en) * 2002-01-03 2003-07-03 Hsi-Che Lee Multimedia watch
TW471143B (en) * 2001-01-04 2002-01-01 Wen-Wen Chiou Integrated circuit chip package
TW476147B (en) * 2001-02-13 2002-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor packaging with through ventilator heat dissipation structure
US20050136640A1 (en) * 2002-01-07 2005-06-23 Chuan Hu Die exhibiting an effective coefficient of thermal expansion equivalent to a substrate mounted thereon, and processes of making same
US6841413B2 (en) * 2002-01-07 2005-01-11 Intel Corporation Thinned die integrated circuit package
US6703704B1 (en) * 2002-09-25 2004-03-09 International Business Machines Corporation Stress reducing stiffener ring
US6773964B2 (en) * 2002-09-30 2004-08-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same
KR20040060123A (ko) * 2002-12-30 2004-07-06 동부전자 주식회사 반도체 소자 패키징 방법
US6835960B2 (en) * 2003-03-03 2004-12-28 Opto Tech Corporation Light emitting diode package structure
AU2003227213A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-18 Fujitsu Limited Semiconductor device
DE10345377B4 (de) * 2003-09-30 2009-07-30 Qimonda Ag Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
US7098529B1 (en) * 2004-01-07 2006-08-29 Credence Systems Corporation System and method for packaging a semiconductor device
TWI249232B (en) * 2004-10-20 2006-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat dissipating package structure and method for fabricating the same
TWI246759B (en) * 2004-11-16 2006-01-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat dissipating package structure and fabrication method thereof
US8115301B2 (en) * 2006-11-17 2012-02-14 Stats Chippac, Inc. Methods for manufacturing thermally enhanced flip-chip ball grid arrays
TWI342603B (en) * 2006-11-22 2011-05-21 Advanced Semiconductor Eng Package assembly whose spacer has through hole
US7607355B2 (en) * 2007-02-16 2009-10-27 Yamaha Corporation Semiconductor device
JP5126219B2 (ja) 2007-03-27 2013-01-23 富士通株式会社 半導体部品および半導体部品の製造方法
JPWO2009096137A1 (ja) * 2008-02-01 2011-05-26 パナソニック株式会社 ドライバモジュール構造
US8258013B1 (en) * 2010-02-12 2012-09-04 Xilinx, Inc. Integrated circuit assembly having vented heat-spreader
US8659169B2 (en) * 2010-09-27 2014-02-25 Xilinx, Inc. Corner structure for IC die
EP2461275A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-06 Gemalto SA Security Document and method of manufacturing security document
US20120188721A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Nxp B.V. Non-metal stiffener ring for fcbga
US9275949B2 (en) 2011-06-01 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US8836110B2 (en) * 2012-08-31 2014-09-16 Freescale Semiconductor, Inc. Heat spreader for use within a packaged semiconductor device
US10062634B2 (en) * 2016-12-21 2018-08-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor die assembly having heat spreader that extends through underlying interposer and related technology
US11201095B1 (en) 2019-08-23 2021-12-14 Xilinx, Inc. Chip package having a cover with window
JP7387073B2 (ja) * 2021-09-17 2023-11-27 三菱電機株式会社 複合プリント配線板および複合プリント配線板の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6384051A (ja) 1986-09-26 1988-04-14 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPH027453A (ja) * 1988-06-27 1990-01-11 Fuji Photo Film Co Ltd ガラスキャップ法
JPH02125640A (ja) * 1988-11-05 1990-05-14 Mitsubishi Electric Corp 中空パッケージ
JPH02222564A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Toto Ltd チップキャリヤ
JPH0582696A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のリードフレーム
US5414293A (en) * 1992-10-14 1995-05-09 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diodes
JP2693694B2 (ja) 1992-11-10 1997-12-24 日本碍子株式会社 半導体素子収納用パッケージのキャップ封止方法
JPH06169026A (ja) 1992-11-30 1994-06-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5420752A (en) * 1993-08-18 1995-05-30 Lsi Logic Corporation GPT system for encapsulating an integrated circuit package
US5652463A (en) * 1995-05-26 1997-07-29 Hestia Technologies, Inc. Transfer modlded electronic package having a passage means
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
US5909057A (en) * 1997-09-23 1999-06-01 Lsi Logic Corporation Integrated heat spreader/stiffener with apertures for semiconductor package
JP2991172B2 (ja) * 1997-10-24 1999-12-20 日本電気株式会社 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054488A3 (en) * 2000-12-29 2003-06-19 Intel Corp Ic package pressure release apparatus and method
US7220624B2 (en) 2000-12-29 2007-05-22 Intel Corporation Windowed package for electronic circuitry
KR100815214B1 (ko) * 2000-12-29 2008-03-19 인텔 코오퍼레이션 Ic 패키지 압력 방출 방법, 이 방법을 이용하는 ic 패키지 및 전자장치
KR100447226B1 (ko) * 2001-10-24 2004-09-04 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 칩 삽입형 반도체 패키지
US7304389B2 (en) 2003-01-30 2007-12-04 Fujitsu Limited Semiconductor device and supporting plate
JP2014063921A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW479332B (en) 2002-03-11
US6232652B1 (en) 2001-05-15
KR100407746B1 (ko) 2003-12-01
KR20010014930A (ko) 2001-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000349178A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US5990545A (en) Chip scale ball grid array for integrated circuit package
US5866949A (en) Chip scale ball grid array for integrated circuit packaging
JP5579402B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置
US7006353B2 (en) Apparatus and method for attaching a heat sink to an integrated circuit module
JP2005217405A (ja) 熱放出形半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003068931A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2000077563A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100407747B1 (ko) 반도체장치
JP3180800B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3565090B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7388284B1 (en) Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit
JP2009302556A (ja) 半導体装置
JP3460559B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JPH09326450A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20010009153A (ko) 박형 시스템 대응 고방열 히트스프레다 부착 패키지구조 및 그의 제조 방법
JP4386522B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3321357B2 (ja) 半導体装置とその組み立て方法
JP2008270511A (ja) 電子装置
JP2861984B2 (ja) 半導体装置、および該半導体装置の製造方法
JP3036484B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
KR20050051806A (ko) 방열특성이 개선된 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP4326385B2 (ja) 半導体装置
CN117672992A (zh) 电子器件、主板、电子设备及电子器件制作方法
JPH0936276A (ja) 半導体パッケージ用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060605

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090514

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090831

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100521