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JP2000211999A - フッ化物の製造方法 - Google Patents

フッ化物の製造方法

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JP2000211999A
JP2000211999A JP11014170A JP1417099A JP2000211999A JP 2000211999 A JP2000211999 A JP 2000211999A JP 11014170 A JP11014170 A JP 11014170A JP 1417099 A JP1417099 A JP 1417099A JP 2000211999 A JP2000211999 A JP 2000211999A
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fluoride
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 希土類元素の少ないフッ化物を得る。 【解決手段】 精製に用いられるルツボの形状が成長に
用いられるルツボの形状より、内径に対する深さの比が
大きいものとする。これにより偏析で濃集した希土類元
素の除去が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空紫外域から遠
赤外域までの広い波長範囲において用いられる各種光学
素子、レンズ、窓材、プリズム等に好適であるフッ化
物、とりわけエキシマレーザー用の光学部品として好適
なフッ化カルシウムに代表されるフッ化物の製造方法に
係る。
【0002】
【従来の技術】フッ化カルシウム等のフッ化物結晶は、
真空紫外域から遠赤外域までの広い波長範囲において透
過率が高く、各種光学素子、レンズ、窓材、プリズム等
に広く利用されている。また、短波長での透過特性に優
れたホタル石はエキシマレーザー用の光学部材として有
用である。とりわけ、波長135nmの光に対する厚さ
10mmあたりの内部透過率が70%以上のフッ化カル
シウム結晶はArFエキシマレーザーに対する耐久性に
優れ、高出力レーザーの繰り返し照射によってもその透
過特性を劣化させることが少ない。
【0003】このようなフッ化物結晶において、原料の
嵩密度を上げ原料中の不純物を除去するために、原料を
融解して精製する工程が必要とされる。この精製工程に
おいては、原料が水分等と反応して生成した酸化物や原
料中の不純物を除去するために、フッ化鉛やフッ化亜鉛
のような金属のフッ化物であるスカベンジャーを原料に
加えなくてはならない。例えば、フッ化物結晶がフッ化
カルシウム、スカベンジャーがZnF2である場合、原
料が水分と反応して生成したCaOはZnF2と反応し
てCaF2となり、スカベンジャーはZnOとなって原
料溶融時に蒸発するものである。
【0004】このようにして得られたフッ化物結晶のブ
ロックを原料として結晶を製造した場合、透過特性等の
光学性能の非常に優れたフッ化物結晶が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
カベンジャーだけでは原料中の全ての不純物を除去する
ことはできない。たとえば、Siはスカベンジャーと反
応してSiF4になることで気化し、原料中から除去で
きる。一方、Ceなどの希土類元素はフッ化物となって
も沸点が高いため、スカベンジャーとの反応で除去する
ことは困難である。
【0006】本発明は、上述した技術的課題に鑑みなさ
れたものであり、精製工程で使用するルツボを適切な形
状にすることによって、偏析による不純物除去の作用を
最大限に上げ、安価で光学特性にすぐれたフッ化物結晶
を得るに適したフッ化物の製造方法を高収率で提供する
ことを目的とするものである。
【0007】本発明の別の目的は、短波長で高出力の光
を長期間繰り返し照射した場合であっても、透過率特性
が劣化し難いフッ化カルシウム結晶を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のフッ化物の製造
方法は、精製工程において、用いられるルツボの形状
を、成長に用いられるルツボの形状より縦方向に長いル
ツボを使用することを特徴としている。ここで縦方向に
長いルツボとは内径に対する深さ(長さ)の比が大きい
ことをいう。
【0009】ルツボの内径は、100mm以下にし、ル
ツボの長さは、粉末の原料を入れて融解したときに、ル
ツボの底から融液上面までの距離がルツボ内径の2倍以
上となるように、原料の嵩比重から計算して設計し、そ
うなるように原料を収容する。
【0010】
【発明の実施の形態】不純物を除去する方法の一つとし
て、偏析を利用する方法が考えられる。融液が固化する
際、不純物は偏析により、融液が最初に固化した部分あ
るいは最後に固化した部分に濃集する性質を持ってい
る。この性質を利用して、融液をある一端から選択的に
固化させ、固化開始部分と固化終了部分とを固化が完了
した時点で削除すれば、効率よく不純物を除去すること
ができる。
【0011】しかしながら、フッ化物は熱伝導率が低
く、ルツボを大きくすると融液の中心部分が最後に固化
し、その部分に不純物が濃集するため除去することが非
常に困難となってしまう。
【0012】本発明者は、上記の偏析による不純物除去
方法を検討するうちに、ルツボの形状が不純物除去の効
率に大きく影響することをつきとめた。すなわち、ルツ
ボの直径をなるべく小さくし、縦に長い形状にすること
で、融液をルツボ先端より固化させ、不純物を結晶の上
部と下部に効果的に集めることができることに気が付い
た。そして、このようなルツボを使用すれば、非常に高
純度なフッ化物結晶のブロックが得られ、なお且つ、該
ブロックを原料として結晶成長を行えば光学性能の優れ
た結晶が得られることが分かったのである。
【0013】図1において、101はルツボ、102は
フッ化物の融液、103は等温度面であり、上方ほど温
度が高い。また、104は偏析によって不純物が濃集す
る部分である。融点以上の温度で融液を長い時間保持
し、図1の左の様に平坦な等温度面が融液内にできたと
する。このルツボを下方に移動させ固化しようとする
と、ルツボ壁から熱が逃げる為に、図1の右の様な下に
凸の等温度面ができてしまい、図の矢印方向に固化が進
む。結果として、104で示される位置に不純物が濃集
する。この傾向は、ルツボ内の融液の容量が大きくなる
ほど強くなり、固化した結晶内部の中央部付近に不純物
が濃集することになる。
【0014】一方、図2に示される様な、縦に長い小口
径のルツボでは、以上のようなことは生じにくい。図2
で、201はルツボ、202はフッ化物の融液、203
は等温度面であり、上方ほど温度が高い。また、204
は偏析によって不純物が濃集する部分である。図1のル
ツボより容量が小さく、ルツボが縦に長いために、図1
−b)に示されるような、下に凸の等温度面が融液内に
できにくい。そのため、不純物が固化した結晶の最上部
に濃集し、後工程のでの除去が極めて容易である。
【0015】以下、具体的に本発明の好適な実施形態に
ついて述べる。
【0016】フッ化物原料に固体スカベンジャーを添加
して十分に混合する。固体スカベンジャーの添加量は、
原料の0.1mol%以上、1mol%以下とする。固
体スカベンジャーとして用いられるフッ化物は、フッ化
鉛、フッ化亜鉛、フッ化カドミウム、フッ化マンガン、
フッ化ビスマス、フッ化ナトリウム、フッ化リチウムで
あることが望ましい。
【0017】固体スカベンジャーを添加・混合したフッ
化物原料を図3あるいは図4に示す精製炉のルツボの中
に入れる。なお、図3において、301は精製炉のチャ
ンバーであり、真空排気系に接続されている。302は
断熱材、303はヒーター、304は内径が100mm
以下のルツボで細長いルツボを7本並列に設置したもの
である。305はフッ化物である。306はルツボを上
下に移動させる機構に接続されている。また、図4にお
いて、401は精製炉のチャンバーであり、真空排気系
に接続されている。402は断熱材、403はヒータ
ー、404は内径が80mm以下のルツボで14本の穴
を並列して蜂の巣状に開けた構造をしている。405は
フッ化物である。406はルツボを上下に移動させる機
構に接続されている。炉内を真空排気し、ヒーターに通
電してルツボを加熱する。スカベンジャーによる不純物
除去反応を十分に促進させるため、反応が進む温度帯で
は原料を加熱する速度をゆっくりにしなくてはならな
い。さらに加熱を続け原料を完全に融解し、真空度が十
分に安定した後、ルツボを下方に移動させて融解したフ
ッ化物を徐冷して結晶を成長させる(融解・成長)。融
解時の原料の高さ(長さ)はルツボ内径の2倍以上より
好ましくは3倍以上にする。
【0018】この工程で得られる結晶は粒界が存在する
ものであってよいため、精密な温度管理は必要としな
い。こうして得られた結晶のうち上部と下部、即ち経時
的に最初と最後に結晶化した部分を除去する。この部分
は偏析によって不純物が濃集しているので、この除去作
業によって特性に悪影響を与える不純物を除去する。
【0019】精製した結晶を原料として単結晶を成長さ
せる。成長方法は結晶の大きさや使用目的に応じて適当
な方法を選択する。一例として、ブリッジマン法による
成長工程を示す。
【0020】精製した結晶を図5に示す成長炉のルツボ
内に入れる。なお、図5において、501は成長炉のチ
ャンバーであり、真空排気系に接続されている。502
は断熱材、503はヒーター、504は内径が100m
mより充分大きなルツボ、505は精製工程で作製した
フッ化物結晶である。上記フッ化物結晶を成長用のルツ
ボに設置する方法としては、図のように円筒形の結晶を
7×2本積み重ねればよい。成長用のルツボの形状は、
最終的な製品の大きさによって選択されるべきものなの
で、精製ルツボの形状もそれに伴って最適な、効率の良
い大きさを用いることが好ましい。506はルツボ引き
下げ機構である。成長用ルツボのアスペクト比(内径に
対する深さの比)が精製用ルツボより小さなものとす
る。
【0021】炉内を真空排気した後、ヒーターに通電し
てルツボを加熱し原料となる結晶を完全に融解する。そ
の後、徐々にルツボを引き下げ冷却して単結晶を成長さ
せる。ルツボの降下速度は、1時間あたり0.1〜5.
0mmが好ましい。
【0022】続いて、結晶成長したフッ化物結晶をアニ
ール炉で熱処理する。このアニール工程では、ルツボを
フッ化物結晶融点の400〜500℃以下の温度に加熱
する。加熱時間は20時間以上、より好ましくは20〜
30時間である。
【0023】なお、フッ化マグネシウムのように熱衝撃
に対して強度のある結晶は、アニール行程を省略しても
かまわない。
【0024】その後は、必要とされる光学物品の形状
(凸レンズ、凹レンズ、円盤状、板状等)に成形する。
又、必要に応じて、反射防止膜をフッ化物結晶の光学物
品表面に設けるとよい。反射防止膜としては、フッ化マ
グネシウムや酸化アルミニウム、酸化タンタルが好適に
用いられ、これらは抵抗加熱による蒸着や電子ビーム蒸
着やスパッタリングなどで形成できる。本発明により得
られた光学物品は水をほとんど含まない為に反射防止膜
の密着性も優れたものとなる。
【0025】こうして得られたレンズを各種組み合わせ
れば、エキシマレーザー、特にArFエキシマレーザー
に適した光学系を構成できる。特に、フッ化物結晶がフ
ッ化カルシウムの場合、エキシマレーザー光源とフッ化
カルシウム結晶からなるレンズを有する光学系と、基板
を移動させ得るステージとを組み合わせて、露光装置を
構成できる。
【0026】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明をより詳細に説
明する。
【0027】(実施例1)合成フッ化カルシウム原料
に、スカベンジャーとしてフッ化亜鉛をフッ化カルシウ
ムに対して0.5mol%程度添加して混合した。次い
で、この混合物を図3に示す精製炉の内径80mm深さ
300mmのルツボに入れて炉内を排気した後、ルツボ
を1360℃に加熱して原料を融解した。その後、ルツ
ボを20mm/hの速度で降下させて徐冷し、原料を結
晶化させた。結晶化したブロックのサイズは、直径80
mm、長さ200mmであった。
【0028】次に、上記結晶ブロックに線量1×105
Rのγ線を照射したところ、上部の5mmが薄いオレン
ジ色に、下部の5mmが薄い青色に着色し、他の部分は
透明であった。そこで、上下5mmずつを除去した。
【0029】次に、上記結晶ブロックを、図5に示す単
結晶成長炉のルツボに入れた。炉内を真空排気し、真空
度を2.67×10-4Pa、温度を1360℃として1
1時間保った後、成長用のルツボを2mm/hの速度で
降下させた。
【0030】次にアニール炉のルツボに成長させたフッ
化カルシウム単結晶と、0.1重量%のフッ化亜鉛を入
れた。炉内を排気してルツボの温度を室温から900℃
に速度100℃/hで上昇させた後、20時間900℃
に保持した。そして、6℃/hの速度で低下させ、室温
まで冷却した。
【0031】こうして得られたフッ化カルシウム結晶を
切断、研磨して10mm厚の円盤とし、真空紫外域の透
過スペクトルと内部透過率のガンマ線照射による劣化率
を測定した。ガンマ線照射後の透過特性を図6に示す。
結果として、真空紫外域の透過特性に優れ、ガンマ線照
射による劣化が著しく少ないフッ化カルシウム結晶が得
られた。
【0032】(実施例2)図4に示すような精製ルツボ
を用いた他は、実施例1と同様にしてフッ化カルシウム
結晶を得た。結果として、真空紫外域の透過特性に優
れ、ガンマ線照射による劣化が著しく少ないフッ化カル
シウム結晶が得られた。
【0033】(比較例1)図1に示すような内径120
mm、深さ300mmの精製ルツボを用いて実施例1と
同様に原料を結晶化させた。結晶化したブロックのサイ
ズは、直径120mm、長さ180mmであった。
【0034】次に、上記結晶ブロックに線量1×105
Rのガンマ線を照射したところ、上部中央の80mmが
薄いオレンジ色に、下部の5mmが薄い青色に着色し、
他の部分は透明であった。そこで、上80mmと下5m
mを除去した。
【0035】以降は実施例1と同様にしてフッ化カルシ
ウム結晶を得た。結果として、真空紫外域の透過特性に
優れ、ガンマ線照射による劣化が著しく少ないフッ化カ
ルシウム結晶が得られた。しかし、投入した原料の約2
分の1しか結晶化することができず、非常に収率が悪く
なった。
【0036】(比較例2)比較例1と同様にして精製を
行い結晶ブロックを得、上下それぞれ5mmずつを除去
した。それ以外は、比較例1と同様にしてフッ化カルシ
ウム結晶を得た。結果として、図6に示すようなガンマ
線照射による劣化が生じてしまった。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、光学特性に優れたフッ
化物結晶を安価に提供することができる。その結果、安
定性、信頼性の高いレーザー用光学部品や、種々の光学
素子を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】精製工程に用いられるルツボの形態と結晶化の
プロセスを示す模式図である。
【図2】精製工程に用いられるルツボの形態と結晶化の
プロセスを示す模式図である。
【図3】精製に用いられる精製炉の断面を示す模式図で
ある。
【図4】精製に用いられる精製炉の断面を示す模式図で
ある。
【図5】成長に用いられる成長炉の断面を示す模式図で
ある。
【図6】種々の条件で作成したフッ化カルシウム結晶の
γ線照射後の透過スペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
101 精製用ルツボ 102 フッ化物の融液 103 フッ化物融液内の等温度面 104 不純物の濃集する部分 201 精製用ルツボ 202 フッ化物の融液 203 フッ化物融液内の等温度面 204 不純物の濃集する部分 301 精製炉のチャンバー 302 断熱材 303 ヒーター 304 ルツボ 305 フッ化物 306 ルツボ降下機構 401 精製炉のチャンバー 402 断熱材 403 ヒーター 404 ルツボ 405 フッ化物 406 ルツボ降下機構 501 精製炉のチャンバー 502 断熱材 503 ヒーター 504 ルツボ 505 フッ化物 506 ルツボ降下機構

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フッ化物原料を精製する工程を含むフッ
    化物結晶の製造方法であって、前記精製に用いられるル
    ツボが成長に用いられるルツボより径に対する深さの比
    が大きいことを特徴とするフッ化物結晶の製造方法。
  2. 【請求項2】 ルツボの内径が100mm以下であり、
    且つ、該ルツボにて融解したフッ化物結晶の長さが直径
    の2倍以上となるように原料を収容して精製することを
    特徴とするフッ化物の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のルツボを、並列に複数本
    並べて精製炉内に設置し、加熱してルツボ内の原料を融
    解した後、前記の複数のルツボを同時に移動させてルツ
    ボ内部の融液を結晶化させることを特徴とするフッ化物
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記ルツボの形状が、蜂の巣状に開けた
    ような構造である請求項1又は2記載のフッ化物の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 ルツボの穴の径が100mm以下であ
    り、且つ、該ルツボにて融解したフッ化物結晶の長さが
    直径の2倍以上となるように原料を収容する請求項1記
    載のフッ化物の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記ルツボを下方に移動させてルツボ内
    部の融液を下部より結晶化させる請求項1又は2記載の
    フッ化物の製造方法。
  7. 【請求項7】 フッ化物が、フッ化カルシウム、フッ化
    バリウムまたはフッ化マグネシウムである請求項1又は
    2記載のフッ化物の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2822853A1 (fr) * 2001-03-29 2002-10-04 Corning Inc Preaparation de (mono) cristaux
JPWO2004059750A1 (ja) * 2002-12-25 2006-05-11 独立行政法人科学技術振興機構 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ
WO2007122867A1 (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
CN103422170A (zh) * 2013-07-29 2013-12-04 齐钰 一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法
CN104790025A (zh) * 2015-04-14 2015-07-22 营口市荣兴达科技实业有限公司 氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺
CN110451553A (zh) * 2019-08-29 2019-11-15 江西离子型稀土工程技术研究有限公司 一种制备稀土氟化物的氟化装置
CN116575117A (zh) * 2023-03-28 2023-08-11 河南驭波科技有限公司 掺杂的氟化钡闪烁晶体及生长方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2822853A1 (fr) * 2001-03-29 2002-10-04 Corning Inc Preaparation de (mono) cristaux
WO2002079550A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-10 Corning Incorporated Process for preparing fluoride monocrystals
US6669778B2 (en) 2001-03-29 2003-12-30 Corning Incorporated Preparation of crystals
US6855203B2 (en) 2001-03-29 2005-02-15 Corning Incorporated Preparation of 157nm transmitting barium fluoride crystals with permeable graphite
JPWO2004059750A1 (ja) * 2002-12-25 2006-05-11 独立行政法人科学技術振興機構 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ
CN101405440B (zh) * 2006-03-24 2012-05-30 日本碍子株式会社 氮化物单晶的制造方法及其装置
WO2007122867A1 (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP5182944B2 (ja) * 2006-03-24 2013-04-17 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法および装置
US8999059B2 (en) 2006-03-24 2015-04-07 Ngk Insulators, Ltd. Process for producing a nitride single crystal and apparatus therefor
CN103422170A (zh) * 2013-07-29 2013-12-04 齐钰 一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法
CN103422170B (zh) * 2013-07-29 2016-03-30 齐钰 一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法
CN104790025A (zh) * 2015-04-14 2015-07-22 营口市荣兴达科技实业有限公司 氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺
CN110451553A (zh) * 2019-08-29 2019-11-15 江西离子型稀土工程技术研究有限公司 一种制备稀土氟化物的氟化装置
CN110451553B (zh) * 2019-08-29 2024-04-12 江西离子型稀土工程技术研究有限公司 一种制备稀土氟化物的氟化装置
CN116575117A (zh) * 2023-03-28 2023-08-11 河南驭波科技有限公司 掺杂的氟化钡闪烁晶体及生长方法

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