JP2000276947A - 電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品 - Google Patents
電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品Info
- Publication number
- JP2000276947A JP2000276947A JP11291318A JP29131899A JP2000276947A JP 2000276947 A JP2000276947 A JP 2000276947A JP 11291318 A JP11291318 A JP 11291318A JP 29131899 A JP29131899 A JP 29131899A JP 2000276947 A JP2000276947 A JP 2000276947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- weight
- sintered body
- glass component
- casio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910017625 MgSiO Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052634 enstatite Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N magnesium;dihydroxy(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].O[Si](O)=O BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241000566146 Asio Species 0.000 description 1
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100121112 Oryza sativa subsp. indica 20ox2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100121113 Oryza sativa subsp. japonica GA20OX2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブレークの手段によらず、カット機を使用し
た研削加工によってセラミックス基板を分割でき、焼結
体の状態でセラミックス基板のスルーホールの孔開け加
工が可能で、さらに耐衝撃性の高いセラミックス材料を
得る。 【解決手段】 セラミックス焼結体は、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯの少なくとも何れかを
含むガラス成分に、ＣａＳｉＯ3またはＭｇＳｉＯ3を主
体とする粒子が分散しているセラミックス組成物であっ
て、その燒結体の抗折強度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上
であるセラミックス組成物から得られる。このセラミッ
クス焼結体は、電子部品の基材となるセラミックス基板
として使用される。
た研削加工によってセラミックス基板を分割でき、焼結
体の状態でセラミックス基板のスルーホールの孔開け加
工が可能で、さらに耐衝撃性の高いセラミックス材料を
得る。 【解決手段】 セラミックス焼結体は、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯの少なくとも何れかを
含むガラス成分に、ＣａＳｉＯ3またはＭｇＳｉＯ3を主
体とする粒子が分散しているセラミックス組成物であっ
て、その燒結体の抗折強度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上
であるセラミックス組成物から得られる。このセラミッ
クス焼結体は、電子部品の基材となるセラミックス基板
として使用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器、薄
膜インダクタ、薄膜コンデンサ或いは回路基板等の電子
部品を製造するのに用いられるセラミックス組成物に関
し、特に、セラミックス基板からチップ状電子部品や回
路基板を製造するのにするのに最適なセラミックス組成
物に関する。
膜インダクタ、薄膜コンデンサ或いは回路基板等の電子
部品を製造するのに用いられるセラミックス組成物に関
し、特に、セラミックス基板からチップ状電子部品や回
路基板を製造するのにするのに最適なセラミックス組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、チップ抵抗器、薄膜イン
ダクタ、薄膜コンデンサ或いは回路基板等の電子部品を
製造する絶縁セラミックス材料としては、アルミナ基板
及びＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2を主体としたガラス系の絶縁セ
ラミックス材料が使用されていた。このセラミックス材
料はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ等の
粉末からなる磁器原料を溶媒に分解したバインダ成分中
に分散し、これをシート状に成型した後、焼成すること
により得られる。
ダクタ、薄膜コンデンサ或いは回路基板等の電子部品を
製造する絶縁セラミックス材料としては、アルミナ基板
及びＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2を主体としたガラス系の絶縁セ
ラミックス材料が使用されていた。このセラミックス材
料はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ等の
粉末からなる磁器原料を溶媒に分解したバインダ成分中
に分散し、これをシート状に成型した後、焼成すること
により得られる。
【０００３】例えば、チップ抵抗器は、焼成した前記の
ようなアルミナ基板及びガラス系の絶縁セラミックス基
板に所定の電極パターンに従ってＡｇペースト等の導電
ペーストを印刷し、これを焼き付け、いわゆる枕電極と
呼ばれる一対の抵抗膜間の電極を形成する。その後、こ
れら枕電極にわたってＲｕＯ2 を主体とする抵抗ペース
トを塗布し、焼き付け、抵抗膜を形成する。さらにアン
ダーガラスを塗布し、これを焼き付けた後、抵抗膜をレ
ーザトリミングし、枕電極の間の抵抗値を調整する。そ
の後、抵抗膜上にオーバーガラスを塗布し、これを焼き
付け、オーバーコート膜を形成する。その後、セラミッ
クス基板を割ることにより、個々のチップに分割する。
分割したチップをバレル研磨する。最後にチップの両端
にＡｇペースト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き
付け、このＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ等を施
し、外部電極を形成する。これにより、チップ抵抗器が
完成する。
ようなアルミナ基板及びガラス系の絶縁セラミックス基
板に所定の電極パターンに従ってＡｇペースト等の導電
ペーストを印刷し、これを焼き付け、いわゆる枕電極と
呼ばれる一対の抵抗膜間の電極を形成する。その後、こ
れら枕電極にわたってＲｕＯ2 を主体とする抵抗ペース
トを塗布し、焼き付け、抵抗膜を形成する。さらにアン
ダーガラスを塗布し、これを焼き付けた後、抵抗膜をレ
ーザトリミングし、枕電極の間の抵抗値を調整する。そ
の後、抵抗膜上にオーバーガラスを塗布し、これを焼き
付け、オーバーコート膜を形成する。その後、セラミッ
クス基板を割ることにより、個々のチップに分割する。
分割したチップをバレル研磨する。最後にチップの両端
にＡｇペースト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き
付け、このＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ等を施
し、外部電極を形成する。これにより、チップ抵抗器が
完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】従来において、前
述のようなアルミナ基板及びガラス系の絶縁セラミック
ス材料を使用したチップ抵抗器等のチップ状電子部品
は、焼結したセラミックス基板を割る（ブレーク）こと
によって分割する。このため、チップにバリや欠けが生
じ、形状が不定形となる。さらに、チップの寸法精度も
悪くなる。
述のようなアルミナ基板及びガラス系の絶縁セラミック
ス材料を使用したチップ抵抗器等のチップ状電子部品
は、焼結したセラミックス基板を割る（ブレーク）こと
によって分割する。このため、チップにバリや欠けが生
じ、形状が不定形となる。さらに、チップの寸法精度も
悪くなる。
【０００５】このように寸法精度が悪く、バリや欠けの
あるチップ状電子部品は、バルク収納状態のホッパ容器
等からパイプ状のシュートを通して回路基板上の目的の
位置へ搬送し、搭載する、いわゆるバルク実装を行うこ
とができない。このため、キャリアテープにチップ状電
子部品を一定の間隔で収納し、このキャリアテープにカ
バーテープをラミネートした状態でチップ状回路部品を
供給する形態がとられる。そして、チップ状電子部品を
回路基板上に実装するときは、カバーシートを剥離しな
がらチップ状電子部品を取り出し、回路基板上に実装す
る、いわゆるテーピング実装が行われる。
あるチップ状電子部品は、バルク収納状態のホッパ容器
等からパイプ状のシュートを通して回路基板上の目的の
位置へ搬送し、搭載する、いわゆるバルク実装を行うこ
とができない。このため、キャリアテープにチップ状電
子部品を一定の間隔で収納し、このキャリアテープにカ
バーテープをラミネートした状態でチップ状回路部品を
供給する形態がとられる。そして、チップ状電子部品を
回路基板上に実装するときは、カバーシートを剥離しな
がらチップ状電子部品を取り出し、回路基板上に実装す
る、いわゆるテーピング実装が行われる。
【０００６】しかし、テーピング実装を行う場合、キャ
リアテープに一定の間隔でチップ状電子部品を包装しな
ければならないため、包装コストがかかる。また実装工
程でも、キャリアテープからカバーシートを剥離し、キ
ャリアテープからチップ状電子部品を個々に取り出して
回路基板に実装しなければならないため、手数がかか
る。しかも、多種多数のチップ状電子部品を同時にテン
プレートに送り、これらをサクションヘッドで回路基板
上に同時に搭載する、いわゆるマルチマウント方式に対
応することができない。
リアテープに一定の間隔でチップ状電子部品を包装しな
ければならないため、包装コストがかかる。また実装工
程でも、キャリアテープからカバーシートを剥離し、キ
ャリアテープからチップ状電子部品を個々に取り出して
回路基板に実装しなければならないため、手数がかか
る。しかも、多種多数のチップ状電子部品を同時にテン
プレートに送り、これらをサクションヘッドで回路基板
上に同時に搭載する、いわゆるマルチマウント方式に対
応することができない。
【０００７】本発明は、ブレークの手段によらず、カッ
ト機を使用した研削加工によってセラミックス基板を分
割できるセラミックス材料を得ることを目的とする。こ
れにより、寸法精度がよく、バリや欠けが出ないチップ
状電子部品を得ることを可能とし、チップ状電子部品の
バルク搬送を可能とするものである。
ト機を使用した研削加工によってセラミックス基板を分
割できるセラミックス材料を得ることを目的とする。こ
れにより、寸法精度がよく、バリや欠けが出ないチップ
状電子部品を得ることを可能とし、チップ状電子部品の
バルク搬送を可能とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、ガラス系のセラミックスの組成を適宜
選択すると共に、このガラス系のセラミックスにＭｇＳ
ｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステラ
イト）の少なくとも何れかの粒子を適量添加しがセラミ
ックス組成物であり、それから得られた焼結体の抗折強
度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上のものを使用する。そし
てこのセラミックス組成物を使用して得られたセラミッ
クス焼結体により、チップ抵抗器、薄膜インダクタ、薄
膜コンデンサ或いは回路基板等の電子部品を得る。これ
らの電子部品は、その基材となるセラミックス基板の研
削性が良好であり、セラミックス基板を割らずに、研削
機を用いた研削により個々のチップに分離できる。ま
た、部品実装時の衝撃による電子部品の割れを防止する
ことができる。
を達成するため、ガラス系のセラミックスの組成を適宜
選択すると共に、このガラス系のセラミックスにＭｇＳ
ｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステラ
イト）の少なくとも何れかの粒子を適量添加しがセラミ
ックス組成物であり、それから得られた焼結体の抗折強
度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上のものを使用する。そし
てこのセラミックス組成物を使用して得られたセラミッ
クス焼結体により、チップ抵抗器、薄膜インダクタ、薄
膜コンデンサ或いは回路基板等の電子部品を得る。これ
らの電子部品は、その基材となるセラミックス基板の研
削性が良好であり、セラミックス基板を割らずに、研削
機を用いた研削により個々のチップに分離できる。ま
た、部品実装時の衝撃による電子部品の割れを防止する
ことができる。
【０００９】本発明による電子部品用セラミックス組成
物は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯ
の少なくとも何れかを含むガラス成分に、ＣａＳｉＯ3
またはＭｇＳｉＯ3を主体とする粒子が分散しているセ
ラミックス組成物である。より具体的な電子部品用セラ
ミックス組成物は、ＳｉＯ2が２５〜６０重量％と、Ａ
ｌ2Ｏ3が５〜２５重量％と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％
と、ＣａＯとＭｇＯの少なくとも何れかが５〜３０重量
％とからなるガラス成分を７０重量％以下と、ＭｇＳｉ
Ｏ3とＣａＳｉＯ3の少なくとも何れかの粒子が３０重量
％以上である。
物は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯ
の少なくとも何れかを含むガラス成分に、ＣａＳｉＯ3
またはＭｇＳｉＯ3を主体とする粒子が分散しているセ
ラミックス組成物である。より具体的な電子部品用セラ
ミックス組成物は、ＳｉＯ2が２５〜６０重量％と、Ａ
ｌ2Ｏ3が５〜２５重量％と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％
と、ＣａＯとＭｇＯの少なくとも何れかが５〜３０重量
％とからなるガラス成分を７０重量％以下と、ＭｇＳｉ
Ｏ3とＣａＳｉＯ3の少なくとも何れかの粒子が３０重量
％以上である。
【００１０】前記のＭｇＳｉＯ3とＣａＳｉＯ3の少なく
とも何れの粒子は、例えば、ガラス成分中に充填された
フィラー成分である。或いはこれらのＭｇＳｉＯ3とＣ
ａＳｉＯ3の少なくとも何れの粒子は、ガラス成分中に
分散している。
とも何れの粒子は、例えば、ガラス成分中に充填された
フィラー成分である。或いはこれらのＭｇＳｉＯ3とＣ
ａＳｉＯ3の少なくとも何れの粒子は、ガラス成分中に
分散している。
【００１１】本発明による電子部品用セラミックス焼結
体は、前記のようなセラミックス組成物から定法に従っ
て未焼成のセラミックス成形体を得て、これを焼成する
ことにより得られる。このセラミックス燒結体の抗折強
度は、１５００ｋｇ／ｃｍ2以上である。さらに本発明
による電子部品は、前記のセラミックス焼結体であるセ
ラミックス基板上に、少なくとも導体、誘電体、磁性体
或いは抵抗体からなるパターンが形成されたものであ
る。
体は、前記のようなセラミックス組成物から定法に従っ
て未焼成のセラミックス成形体を得て、これを焼成する
ことにより得られる。このセラミックス燒結体の抗折強
度は、１５００ｋｇ／ｃｍ2以上である。さらに本発明
による電子部品は、前記のセラミックス焼結体であるセ
ラミックス基板上に、少なくとも導体、誘電体、磁性体
或いは抵抗体からなるパターンが形成されたものであ
る。
【００１２】このような本発明による電子部品用セラミ
ックス組成物から得られたセラミックス焼結体では、磁
器組成物のガラス成分中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイ
ト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも
何れかの粒子がフィラーとして分散している。この状態
では、ガラス成分中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）
とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも何れ
かの粒子が分散していないものに比べて、研削加工性が
向上し、研削によりセラミックス基板を個々のチップに
分割できるようになる。これにより、寸法精度の高いチ
ップ状電子部品が得られる。
ックス組成物から得られたセラミックス焼結体では、磁
器組成物のガラス成分中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイ
ト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも
何れかの粒子がフィラーとして分散している。この状態
では、ガラス成分中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）
とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも何れ
かの粒子が分散していないものに比べて、研削加工性が
向上し、研削によりセラミックス基板を個々のチップに
分割できるようになる。これにより、寸法精度の高いチ
ップ状電子部品が得られる。
【００１３】また、焼結体の状態でスルーホールの孔開
け加工が可能なので、焼結前にスルーホールの孔開けし
ていた従来のセラミックス基板のように、焼成時の収縮
による寸法誤差が生じることが無く、寸法精度の高いス
ルーホールを有するセラミックス基板が得られる。
け加工が可能なので、焼結前にスルーホールの孔開けし
ていた従来のセラミックス基板のように、焼成時の収縮
による寸法誤差が生じることが無く、寸法精度の高いス
ルーホールを有するセラミックス基板が得られる。
【００１４】さらに、セラミックス焼結体の抗折強度が
１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であるので、電子部品を回路
基板上に実装する時の衝撃によって電子部品や回路基板
に割れが発生するのを防止することができる。これによ
り、高速マウンタ等による部品実装にも耐えられる充分
な強度が得られる。これは本発明によるセラミックス焼
結体が、搭載される電子部品の基材として用いられた場
合でも、またセラミックス焼結体が、チップ状電子部品
を搭載する回路基板として用いられた場合でも同様であ
る。
１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であるので、電子部品を回路
基板上に実装する時の衝撃によって電子部品や回路基板
に割れが発生するのを防止することができる。これによ
り、高速マウンタ等による部品実装にも耐えられる充分
な強度が得られる。これは本発明によるセラミックス焼
結体が、搭載される電子部品の基材として用いられた場
合でも、またセラミックス焼結体が、チップ状電子部品
を搭載する回路基板として用いられた場合でも同様であ
る。
【００１５】前記本発明による電子部品用セラミックス
組成物において、前記組成範囲としたのは次の理由によ
る。ガラス成分中のＳｉＯ2 の含有率が２５重量％未満
であると、ガラス化しにくくなりセラミックスを焼成で
きなくなる。他方、ＳｉＯ2 の含有率が６０重量％を超
えると焼成温度が上昇すると共に、焼成後のセラミック
ス組成物中のＳｉＯ 2 の残留量が多くなって加工性が低
下する
組成物において、前記組成範囲としたのは次の理由によ
る。ガラス成分中のＳｉＯ2 の含有率が２５重量％未満
であると、ガラス化しにくくなりセラミックスを焼成で
きなくなる。他方、ＳｉＯ2 の含有率が６０重量％を超
えると焼成温度が上昇すると共に、焼成後のセラミック
ス組成物中のＳｉＯ 2 の残留量が多くなって加工性が低
下する
【００１６】ガラス成分中のＡｌ2Ｏ3の含有率が５重量
％未満であると、焼成後のセラミックス組成物中のＳｉ
Ｏ2 残留量が多くなり、加工性が低下する。他方Ａｌ2
Ｏ3の含有率が２５重量％を超えると、焼結温度が高く
なると共に、セラミックスの焼成時に長石（ＣａＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8） が析出し、加工性が低下する。
％未満であると、焼成後のセラミックス組成物中のＳｉ
Ｏ2 残留量が多くなり、加工性が低下する。他方Ａｌ2
Ｏ3の含有率が２５重量％を超えると、焼結温度が高く
なると共に、セラミックスの焼成時に長石（ＣａＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8） が析出し、加工性が低下する。
【００１７】ガラス成分中のＢ2Ｏ3の含有率が５重量％
未満であると、ガラス質の流動性が低くなってセラミッ
クスが焼結しにくくなる。他方、Ｂ2Ｏ3の含有率が２５
重量％を超えると、セラミックスの焼成時に流動性が過
剰に大きくなって長石（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8） が析出
し、加工性が低下する。
未満であると、ガラス質の流動性が低くなってセラミッ
クスが焼結しにくくなる。他方、Ｂ2Ｏ3の含有率が２５
重量％を超えると、セラミックスの焼成時に流動性が過
剰に大きくなって長石（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8） が析出
し、加工性が低下する。
【００１８】ガラス成分中のＭｇＯまたはＣａＯの何れ
かが、５重量％未満であるとセラミックスの焼成温度が
上昇して焼結しにくくなる。他方、ＭｇＯまたはＣａＯ
の何れかの含有率が３０重量％を超えると、セラミクス
の焼成時にフィラーのＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）
とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）と同じ結晶が析出
してガラス成分が減少し、焼成しにくくなる。
かが、５重量％未満であるとセラミックスの焼成温度が
上昇して焼結しにくくなる。他方、ＭｇＯまたはＣａＯ
の何れかの含有率が３０重量％を超えると、セラミクス
の焼成時にフィラーのＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）
とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）と同じ結晶が析出
してガラス成分が減少し、焼成しにくくなる。
【００１９】ＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳ
ｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも何れかの粒子
の含有率が３０重量％未満であると、焼成したセラミッ
クス基板が研削しやすくなるが、焼成したセラミックス
の強度が弱く割れや欠けが生じやすくなる。なお、Ｃａ
ＳｉＯ3の結晶粒子中のＣａの一部がＭｇに、又はＭｇ
ＳｉＯ3の結晶粒子中のＭｇの一部がＣａに置換された
ディオプサイト（Ｃａ、Ｍｇ）ＳｉＯ3が焼結体中に生
じるが、性質はＣａＳｉＯ3あるいはＭｇＳｉＯ3とほと
んど変わらない。
ｉＯ3（ウォルステライト）の少なくとも何れかの粒子
の含有率が３０重量％未満であると、焼成したセラミッ
クス基板が研削しやすくなるが、焼成したセラミックス
の強度が弱く割れや欠けが生じやすくなる。なお、Ｃａ
ＳｉＯ3の結晶粒子中のＣａの一部がＭｇに、又はＭｇ
ＳｉＯ3の結晶粒子中のＭｇの一部がＣａに置換された
ディオプサイト（Ｃａ、Ｍｇ）ＳｉＯ3が焼結体中に生
じるが、性質はＣａＳｉＯ3あるいはＭｇＳｉＯ3とほと
んど変わらない。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、その製造方法の例と共に具体的且つ詳細に説明す
る。まず電子部品用セラミックス組成物のガラス成分と
なるＡｌ2Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、Ｂ2Ｏ3 粉末、Ｍｇ
Ｏ粉末及びＣａＯ 粉末を前記の組成になるようにそれ
ぞれ所定の量ずつ配合する。この配合した原料に水を加
え、これをジルコニアビーズと共に磁器製ポットに投入
し、湿式混合する。この混合したガラス成分材料を乾燥
した後、８００℃前後の温度を３時間前後加え、仮焼す
る。この仮焼したものに水を加え、これをビーズと共に
磁器製ポットに投入し、平均粒径２μｍ程度に粉砕し、
ガラス成分材料を得る。
て、その製造方法の例と共に具体的且つ詳細に説明す
る。まず電子部品用セラミックス組成物のガラス成分と
なるＡｌ2Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、Ｂ2Ｏ3 粉末、Ｍｇ
Ｏ粉末及びＣａＯ 粉末を前記の組成になるようにそれ
ぞれ所定の量ずつ配合する。この配合した原料に水を加
え、これをジルコニアビーズと共に磁器製ポットに投入
し、湿式混合する。この混合したガラス成分材料を乾燥
した後、８００℃前後の温度を３時間前後加え、仮焼す
る。この仮焼したものに水を加え、これをビーズと共に
磁器製ポットに投入し、平均粒径２μｍ程度に粉砕し、
ガラス成分材料を得る。
【００２１】このガラス成分材料に、ＭｇＳｉＯ3（エ
ンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の
何れかを前記組成になるように配合する。この配合した
材料に水を加え、これをジルコニアビーズと共に磁器製
ポットに投入し、湿式混合する。この混合した材料を乾
燥した後、これに水と有機バインダーを配合し、混合し
てセラミックスラリーを作成する。
ンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の
何れかを前記組成になるように配合する。この配合した
材料に水を加え、これをジルコニアビーズと共に磁器製
ポットに投入し、湿式混合する。この混合した材料を乾
燥した後、これに水と有機バインダーを配合し、混合し
てセラミックスラリーを作成する。
【００２２】ドクターブレード塗工機により、前記セラ
ミックスラリーを２８０μｍの厚みのシート状に成形
し、セラミックスグリーンシート得る。得られたセラミ
ックスグリーンシートを所定寸法の矩形状に打ち抜き、
これを２枚重ねて圧着し、所定温度で焼成し、セラミッ
クス焼結体としてのセラミックス基板を得る。このセラ
ミックス基板の抗折強度は、１５００ｋｇ／ｃｍ2以上
である。
ミックスラリーを２８０μｍの厚みのシート状に成形
し、セラミックスグリーンシート得る。得られたセラミ
ックスグリーンシートを所定寸法の矩形状に打ち抜き、
これを２枚重ねて圧着し、所定温度で焼成し、セラミッ
クス焼結体としてのセラミックス基板を得る。このセラ
ミックス基板の抗折強度は、１５００ｋｇ／ｃｍ2以上
である。
【００２３】次に、このセラミックス基板上に、所定の
電極パターンに従ってＡｇペースト等の導電ペーストを
印刷し、これを焼き付け、いわゆる枕電極と呼ばれる抵
抗膜間の電極を形成する。その後、これら枕電極の間に
ＲｕＯ2 を主体とするメタルグレーズからなる抵抗ペー
ストを塗布し、これを焼き付け、抵抗膜を形成する。さ
らにアンダーガラスを塗布し、これを焼き付けした後、
抵抗膜をレーザトリミングする。その後、抵抗膜を覆う
ようにオーバーガラスを塗布し、これを焼き付け、オー
バーコート膜を形成する。
電極パターンに従ってＡｇペースト等の導電ペーストを
印刷し、これを焼き付け、いわゆる枕電極と呼ばれる抵
抗膜間の電極を形成する。その後、これら枕電極の間に
ＲｕＯ2 を主体とするメタルグレーズからなる抵抗ペー
ストを塗布し、これを焼き付け、抵抗膜を形成する。さ
らにアンダーガラスを塗布し、これを焼き付けした後、
抵抗膜をレーザトリミングする。その後、抵抗膜を覆う
ようにオーバーガラスを塗布し、これを焼き付け、オー
バーコート膜を形成する。
【００２４】このセラミックス基板を、ダイシングソー
等の研削加工機により、個々のチップに分割し、分割し
たチップをバレル研磨する。最後にチップの両端にＡｇ
ペースト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き付け
る。さらにこのＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ等
を施し、外部電極を形成する。これにより、チップ抵抗
器が完成する。
等の研削加工機により、個々のチップに分割し、分割し
たチップをバレル研磨する。最後にチップの両端にＡｇ
ペースト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き付け
る。さらにこのＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ等
を施し、外部電極を形成する。これにより、チップ抵抗
器が完成する。
【００２５】前記のような電子部品用セラミックス組成
物では、ガラス成分中のみの材料に比べて、ガラス成分
中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウ
ォルステライト）の少なくとも何れかの粒子を分散させ
ることにより、研削加工性が向上し、研削によりセラミ
ックス基板を個々のチップに分割できる。これにより、
寸法精度が向上し、またバリは欠け等も生じにくい。
物では、ガラス成分中のみの材料に比べて、ガラス成分
中にＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウ
ォルステライト）の少なくとも何れかの粒子を分散させ
ることにより、研削加工性が向上し、研削によりセラミ
ックス基板を個々のチップに分割できる。これにより、
寸法精度が向上し、またバリは欠け等も生じにくい。
【００２６】以上は、セラミックス組成物及びその焼結
体により、チップ抵抗器を製造する例を説明したが、セ
ラミックス基板上に印刷する材料や印刷パターンが異な
るだけで、同様にして薄膜インダクタ、薄膜コンデンサ
或いは回路基板等を製造することもできる。例えば、薄
膜インダクタは、セラミックス基板上に導電ペーストで
形成された一対以上の電極の間に磁性体ペーストと導電
ペーストとを印刷することにより構成することができ
る。薄膜インダクタは、セラミックス基板上に導電ペー
ストと誘電体ペーストを順次重ねて印刷することにより
構成することができる。また、回路基板は、前記のよう
な抵抗体、誘電体及び導体を使用して、セラミックス基
板上に回路パターンを形成することにより構成すること
ができる。それらの製造方法は基本的に同じである。
体により、チップ抵抗器を製造する例を説明したが、セ
ラミックス基板上に印刷する材料や印刷パターンが異な
るだけで、同様にして薄膜インダクタ、薄膜コンデンサ
或いは回路基板等を製造することもできる。例えば、薄
膜インダクタは、セラミックス基板上に導電ペーストで
形成された一対以上の電極の間に磁性体ペーストと導電
ペーストとを印刷することにより構成することができ
る。薄膜インダクタは、セラミックス基板上に導電ペー
ストと誘電体ペーストを順次重ねて印刷することにより
構成することができる。また、回路基板は、前記のよう
な抵抗体、誘電体及び導体を使用して、セラミックス基
板上に回路パターンを形成することにより構成すること
ができる。それらの製造方法は基本的に同じである。
【００２７】
【実施例】次に本発明の実施例と比較例について、評価
試験の結果を含め、具体的な数値をあげて説明する。ま
ず電子部品用セラミックス組成物のガラス成分となるＡ
ｌ2Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、Ｂ2Ｏ3 粉末、ＭｇＯ粉末
及びＣａＯ 粉末を用意し、これら粉末を所定の量ずつ
配合し、５種類のガラス成分の組成を配合した。
試験の結果を含め、具体的な数値をあげて説明する。ま
ず電子部品用セラミックス組成物のガラス成分となるＡ
ｌ2Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、Ｂ2Ｏ3 粉末、ＭｇＯ粉末
及びＣａＯ 粉末を用意し、これら粉末を所定の量ずつ
配合し、５種類のガラス成分の組成を配合した。
【００２８】これら５種類の配合原料のそれぞれに水を
加え、これらをジルコニアビーズと共に磁器製ポットに
投入し、湿式混合した。この混合したガラス成分材料を
それぞれ乾燥した後、８００℃で３時間仮焼した。この
仮焼したものに水を加え、これをビーズと共に磁器製ポ
ットに投入し、平均粒径２μｍ程度に粉砕し、５種類の
ガラス成分材料を得た。このガラス成分材料の組成を表
１に示す。この表１では、ガラス成分を構成する各成分
の組成をガラス成分に対する含有率（重量％）で示して
いる。
加え、これらをジルコニアビーズと共に磁器製ポットに
投入し、湿式混合した。この混合したガラス成分材料を
それぞれ乾燥した後、８００℃で３時間仮焼した。この
仮焼したものに水を加え、これをビーズと共に磁器製ポ
ットに投入し、平均粒径２μｍ程度に粉砕し、５種類の
ガラス成分材料を得た。このガラス成分材料の組成を表
１に示す。この表１では、ガラス成分を構成する各成分
の組成をガラス成分に対する含有率（重量％）で示して
いる。
【００２９】
【表１】
【００３０】このガラス成分材料に、ＭｇＳｉＯ3（エ
ンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の
何れかの粒子またはその双方の粒子を配合した。この配
合した材料に水を加え、これをジルコニアビーズと共に
磁器製ポットに投入し、湿式混合した。この混合した材
料を乾燥した後、これに水と有機バインダーを配合し、
混合してセラミックスラリーを作成した。
ンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウォルステライト）の
何れかの粒子またはその双方の粒子を配合した。この配
合した材料に水を加え、これをジルコニアビーズと共に
磁器製ポットに投入し、湿式混合した。この混合した材
料を乾燥した後、これに水と有機バインダーを配合し、
混合してセラミックスラリーを作成した。
【００３１】ドクターブレード塗工機により、前記セラ
ミックスラリーを２８０μｍの厚みのシート状に成形
し、セラミックスグリーンシート得た。得られたセラミ
ックスグリーンシートを所定寸法の矩形状に打ち抜き、
これを２枚重ねて圧着した後、所定温度で焼成し、セラ
ミックス基板を得た。このようにして得られた５種類の
セラミックス基板の組成を表２に示す。この表２では、
ガラス成分とフィラー成分との含有率をセラミックス全
体の重量比（％）で示している。
ミックスラリーを２８０μｍの厚みのシート状に成形
し、セラミックスグリーンシート得た。得られたセラミ
ックスグリーンシートを所定寸法の矩形状に打ち抜き、
これを２枚重ねて圧着した後、所定温度で焼成し、セラ
ミックス基板を得た。このようにして得られた５種類の
セラミックス基板の組成を表２に示す。この表２では、
ガラス成分とフィラー成分との含有率をセラミックス全
体の重量比（％）で示している。
【００３２】こうして得られたセラミックス基板をダイ
シングソーで分割し、ダイシングソーのスピンドル定格
電流値の６０％で研削加工したときの研削刃の送り速度
（加工速度）により、基板の研削のし易さを良＝○、や
や不良＝△、不良＝×で評価した。また、前記研削機の
研削刃の送り速度を１０ｍｍ／ｓｅｃとし、セラミック
ス基板を１.０×０．５ｍｍのチップサイズに切り出し
たときのチップの欠けやバリ（チッピング）の大きさを
測定し、セラミックス基板の研削時の加工精度を加工品
位としてやはり良＝○、やや不良＝△、不良＝×で評価
した。さらに、ＪｌＳ−Ｒ１６０１で規定された測定方
法に従い、セラミックス基板の抗折強度を評価した。こ
れらの結果を表２に示す。
シングソーで分割し、ダイシングソーのスピンドル定格
電流値の６０％で研削加工したときの研削刃の送り速度
（加工速度）により、基板の研削のし易さを良＝○、や
や不良＝△、不良＝×で評価した。また、前記研削機の
研削刃の送り速度を１０ｍｍ／ｓｅｃとし、セラミック
ス基板を１.０×０．５ｍｍのチップサイズに切り出し
たときのチップの欠けやバリ（チッピング）の大きさを
測定し、セラミックス基板の研削時の加工精度を加工品
位としてやはり良＝○、やや不良＝△、不良＝×で評価
した。さらに、ＪｌＳ−Ｒ１６０１で規定された測定方
法に従い、セラミックス基板の抗折強度を評価した。こ
れらの結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】この表２の結果から明らかな通り、前記の
組成を満足する試料番号４〜９、１３〜１８及び２１〜
２７のものでは、焼成後のセラミックス基板に長石（Ｃ
ａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8）が二次相として析出しておらず、Ｓ
ｉＯ2 の残留も無い。このため、セラミックス基板を研
削するときに良好な研削加工性が得られ、セラミックス
基板からチップを切り出したときの加工品位、加工速度
共に良好であった。
組成を満足する試料番号４〜９、１３〜１８及び２１〜
２７のものでは、焼成後のセラミックス基板に長石（Ｃ
ａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8）が二次相として析出しておらず、Ｓ
ｉＯ2 の残留も無い。このため、セラミックス基板を研
削するときに良好な研削加工性が得られ、セラミックス
基板からチップを切り出したときの加工品位、加工速度
共に良好であった。
【００３５】この場合の二次相とは、フィラーとガラス
成分との反応生成物であり、ここでは、ガラス成分中
の、アルカリ土類（ＣａＯ、ＭｇＯ）とＡｌ2Ｏ3とＳｉ
Ｏ2 が反応して析出する結晶をいい、Ｃａ（Ｍｇ）Ａｌ
2Ｓｉ2Ｏ6 が析出する。この結晶はＣａＳｉＯ3やＭｇ
ＳｉＯ3よりも硬いため、析出すると加工性が悪化す
る。
成分との反応生成物であり、ここでは、ガラス成分中
の、アルカリ土類（ＣａＯ、ＭｇＯ）とＡｌ2Ｏ3とＳｉ
Ｏ2 が反応して析出する結晶をいい、Ｃａ（Ｍｇ）Ａｌ
2Ｓｉ2Ｏ6 が析出する。この結晶はＣａＳｉＯ3やＭｇ
ＳｉＯ3よりも硬いため、析出すると加工性が悪化す
る。
【００３６】これに対し、ガラス成分中のＳｉＯ2 の含
有率が６０重量％を超える６５重量％の試料番号３０と
３１のものでは、セラミックスの焼成温度が上昇すると
共に、セラミックス基板中にＳｉＯ2 の残留が見られ
た。このためセラミックス基板の研削加工性が低下し、
加工品位、加工速度ともに悪かった。
有率が６０重量％を超える６５重量％の試料番号３０と
３１のものでは、セラミックスの焼成温度が上昇すると
共に、セラミックス基板中にＳｉＯ2 の残留が見られ
た。このためセラミックス基板の研削加工性が低下し、
加工品位、加工速度ともに悪かった。
【００３７】ガラス成分中のＡｌ2Ｏ3の含有率が５重量
％未満の試料番号３４と３５のものでは、焼成後のセラ
ミックス基板中にＳｉＯ2 が残留し、その基板の加工性
が低下した。また、Ａｌ2Ｏ3の含有率が２５重量％を超
える試料番号３２と３３のものでは、セラミックスの焼
結温度が高くなると共に、焼成時にセラミックス中に長
石（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8） が析出し、セラミックス基板
の研削加工性が低下した。
％未満の試料番号３４と３５のものでは、焼成後のセラ
ミックス基板中にＳｉＯ2 が残留し、その基板の加工性
が低下した。また、Ａｌ2Ｏ3の含有率が２５重量％を超
える試料番号３２と３３のものでは、セラミックスの焼
結温度が高くなると共に、焼成時にセラミックス中に長
石（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8） が析出し、セラミックス基板
の研削加工性が低下した。
【００３８】ガラス成分中のＢ2Ｏ3の含有率が２５重量
％を超える試料番号３６と３７では、焼成時の流動性が
過剰に大きくなって、セラミックス中に長石（ＣａＡｌ
2Ｓｉ2Ｏ8）が二次相としてが析出し加工性が低下し
た。ＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウ
ォルステライト）の含有率が３０重量％未満の試料番号
１〜３、１０〜１２及び１９〜２１のものでは、セラミ
ックス基板の抗折強度が弱くなり、割れや欠けが生じや
すかった。
％を超える試料番号３６と３７では、焼成時の流動性が
過剰に大きくなって、セラミックス中に長石（ＣａＡｌ
2Ｓｉ2Ｏ8）が二次相としてが析出し加工性が低下し
た。ＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）とＣａＳｉＯ3（ウ
ォルステライト）の含有率が３０重量％未満の試料番号
１〜３、１０〜１２及び１９〜２１のものでは、セラミ
ックス基板の抗折強度が弱くなり、割れや欠けが生じや
すかった。
【００３９】なお、ガラス成分中のＳｉＯ2 が２５重量
％未満のもの、Ｂ2Ｏ3が５重量％未満のもの、ＭｇＯま
たはＣａＯの何れかが５重量％未満のもの及びＭｇＯま
たはＣａＯの何れかが３０重量％を超えるとものも原料
を調合し、同様にしてセラミックス基板の製造を試み
た。しかし、焼成できずに試験のためのセラミックス基
板を得るに至らなかった。
％未満のもの、Ｂ2Ｏ3が５重量％未満のもの、ＭｇＯま
たはＣａＯの何れかが５重量％未満のもの及びＭｇＯま
たはＣａＯの何れかが３０重量％を超えるとものも原料
を調合し、同様にしてセラミックス基板の製造を試み
た。しかし、焼成できずに試験のためのセラミックス基
板を得るに至らなかった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明による電子部
品用セラミックス組成物から得られた焼結体では、ブレ
ークの手段によらず、カット機を仕様した研削加工によ
ってセラミックス基板をチップに分割できる。このた
め、寸法精度がよく、バリや欠けが出ないチップ状電子
部品を得ることが可能となり、チップ状電子部品のバル
ク搬送が可能となる。
品用セラミックス組成物から得られた焼結体では、ブレ
ークの手段によらず、カット機を仕様した研削加工によ
ってセラミックス基板をチップに分割できる。このた
め、寸法精度がよく、バリや欠けが出ないチップ状電子
部品を得ることが可能となり、チップ状電子部品のバル
ク搬送が可能となる。
【００４１】また、焼結体の状態でセラミックス基板の
スルーホールの孔開け加工が可能なので、焼結前にスル
ーホールの孔開けしていた従来のセラミックス基板のよ
うに、焼成時の収縮による寸法誤差が生じることが無
く、寸法精度の高いスルーホールを有する電子部品が得
られる。
スルーホールの孔開け加工が可能なので、焼結前にスル
ーホールの孔開けしていた従来のセラミックス基板のよ
うに、焼成時の収縮による寸法誤差が生じることが無
く、寸法精度の高いスルーホールを有する電子部品が得
られる。
【００４２】さらに、セラミックス焼結体の抗折強度が
１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であるので、電子部品を回路
基板上に実装する時の衝撃によって電子部品や回路基板
に割れが発生するのを防止することができる。これによ
り、高速マウンタ等による部品実装にも耐えられる充分
な強度を有する電子部品が得られる。
１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であるので、電子部品を回路
基板上に実装する時の衝撃によって電子部品や回路基板
に割れが発生するのを防止することができる。これによ
り、高速マウンタ等による部品実装にも耐えられる充分
な強度を有する電子部品が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 鉄之 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA08 AA35 AA36 AA37 BA01 BA20 CA01 GA20 5E032 AB01 BA07 BB01 CC00 CC18 DA01 TB02 5G303 AA01 AA05 AB12 AB20 BA09 BA12 CA03 CB01 CB02 CB06 CB17 CB30 CC02
Claims (8)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯ
とＭｇＯの少なくとも何れかを含むガラス成分に、Ｃａ
ＳｉＯ3またはＭｇＳｉＯ3を主体とする粒子が分散して
いるセラミックス組成物であって、その燒結体の抗折強
度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする
電子部品用セラミックス組成物。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2が２５〜６０重量％と、Ａｌ2Ｏ
3が５〜２５重量％と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％と、Ｃ
ａＯとＭｇＯの少なくとも何れかが５〜３０重量％とか
らなるガラス成分を７０重量％以下と、ＭｇＳｉＯ3と
ＣａＳｉＯ3の少なくとも何れかの粒子が３０重量％以
上とからなることを特徴とする請求項１に記載の電子部
品用セラミックス組成物。 - 【請求項３】 ＭｇＳｉＯ3とＣａＳｉＯ3の少なくとも
何れかの粒子は、ガラス成分中に充填されたフィラー成
分であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品用
セラミックス組成物。 - 【請求項４】 ＭｇＳｉＯ3とＣａＳｉＯ3の少なくとも
何れかの粒子は、ガラス成分中に分散していることを特
徴とする請求項２に記載の電子部品用セラミックス組成
物。 - 【請求項５】 セラミックス組成物を成形して焼成した
セラミックス焼結体であって、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2
Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯの少なくとも何れかを含むガラ
ス成分に、ＣａＳｉＯ3またはＭｇＳｉＯ3を主体とする
粒子が分散しているセラミックス組成物からなり、その
抗折強度が１５００ｋｇ／ｃｍ2以上であることを特徴
とするセラミックス焼結体。 - 【請求項６】 ＳｉＯ2が２５〜６０重量％と、Ａｌ2Ｏ
3が５〜２５重量％と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％と、Ｃ
ａＯとＭｇＯの少なくとも何れかが５〜３０重量％とか
らなるガラス成分を７０重量％以下と、ＭｇＳｉＯ3と
ＣａＳｉＯ3の少なくとも何れかの粒子が３０重量％以
上とからなることを特徴とする請求項５に記載のセラミ
ックス焼結体。 - 【請求項７】 セラミックス基板上に、少なくとも導
体、誘電体、磁性体或いは抵抗体からなるパターンが形
成された電子部品であって、そのセラミクス基板が、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3と、ＣａＯとＭｇＯの少なく
とも何れかを含むガラス成分に、ＣａＳｉＯ3またはＭ
ｇＳｉＯ3を主体とする粒子が分散しているセラミック
ス組成物の焼結体からなり、その抗折強度が１５００ｋ
ｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする電子部品。 - 【請求項８】 ＳｉＯ2が２５〜６０重量％と、Ａｌ2Ｏ
3が５〜２５重量％と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％と、Ｃ
ａＯとＭｇＯの少なくとも何れかが５〜３０重量％とか
らなるガラス成分を７０重量％以下と、ＭｇＳｉＯ3と
ＣａＳｉＯ3の少なくとも何れかの粒子が３０重量％以
上とからなることを特徴とする請求項７に記載の電子部
品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11291318A JP2000276947A (ja) | 1999-01-19 | 1999-10-13 | 電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品 |
| KR1020000002259A KR20000071263A (ko) | 1999-01-19 | 2000-01-18 | 전자부품용 세라믹 조성물, 세라믹 소결체 및 그의 전자부품 |
| US09/488,119 US6280829B1 (en) | 1999-01-19 | 2000-01-20 | Ceramic composition for use in forming electronic components |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004399 | 1999-01-19 | ||
| JP11-10043 | 1999-01-19 | ||
| JP11291318A JP2000276947A (ja) | 1999-01-19 | 1999-10-13 | 電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276947A true JP2000276947A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=26345207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11291318A Pending JP2000276947A (ja) | 1999-01-19 | 1999-10-13 | 電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6280829B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000276947A (ja) |
| KR (1) | KR20000071263A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001212A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sharp Corp | 無アルカリガラスを用いたセラミックス材料およびセラミックス構造体の製造方法 |
| CN102098981A (zh) * | 2008-07-21 | 2011-06-15 | 维塔假牙制造厂H·劳特有限责任两合公司 | 多孔硅酸盐陶瓷体牙齿修复体及其制备方法 |
| JP2012529412A (ja) * | 2009-12-22 | 2012-11-22 | 広東風華高新科技股▲ふん▼有限公司 | 銅内電極と整合する耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919125B2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-07-19 | Northrop Grumman Corporation | Dual composition ceramic substrate for microelectronic applications |
| CN101560090B (zh) * | 2009-05-21 | 2012-04-25 | 厦门大学 | 硅酸镁陶瓷透波材料及其制备方法 |
| CN106252272B (zh) * | 2016-10-13 | 2019-01-15 | 珠海市华晶微电子有限公司 | 迭片多层厚膜电路的联接工艺 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3026605C2 (de) * | 1980-07-14 | 1983-07-07 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Säurefestes, hydrolytisch beständiges optisches und ophthalmisches Borosilikat-Glas geringer Dichte |
| US4652534A (en) * | 1985-04-30 | 1987-03-24 | Hoya Corporation | High-strength glass ceramic containing apatite crystals and a large quantity of wollastonite crystals and process for producing same |
| JPS62278145A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
| JPH0617250B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1994-03-09 | 松下電工株式会社 | ガラスセラミツク焼結体 |
| US5141899A (en) * | 1991-08-26 | 1992-08-25 | Aluminum Company Of America | Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package containing titanium silicate glass and crystal inhibitor |
| US5316985A (en) * | 1991-12-09 | 1994-05-31 | Aluminum Company Of America | Suppression of crystal growth in low dielectric inorganic composition using ultrafine alumina |
| JP3363299B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2003-01-08 | 京セラ株式会社 | 低温焼成磁器組成物 |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP11291318A patent/JP2000276947A/ja active Pending
-
2000
- 2000-01-18 KR KR1020000002259A patent/KR20000071263A/ko not_active Ceased
- 2000-01-20 US US09/488,119 patent/US6280829B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102098981A (zh) * | 2008-07-21 | 2011-06-15 | 维塔假牙制造厂H·劳特有限责任两合公司 | 多孔硅酸盐陶瓷体牙齿修复体及其制备方法 |
| CN102098981B (zh) * | 2008-07-21 | 2014-05-07 | 维塔假牙制造厂H·劳特有限责任两合公司 | 多孔硅酸盐陶瓷体牙齿修复体及其制备方法 |
| JP2011001212A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Sharp Corp | 無アルカリガラスを用いたセラミックス材料およびセラミックス構造体の製造方法 |
| JP2012529412A (ja) * | 2009-12-22 | 2012-11-22 | 広東風華高新科技股▲ふん▼有限公司 | 銅内電極と整合する耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000071263A (ko) | 2000-11-25 |
| US6280829B1 (en) | 2001-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5232765A (en) | Distributed constant circuit board using ceramic substrate material | |
| KR900002303B1 (ko) | 절연페이스트 및 그 제조방법 | |
| EP0163155A1 (en) | Low temperature fired ceramics | |
| JPH09295827A (ja) | 基板用ガラス、それを用いたセラミック基板 | |
| JP2000276947A (ja) | 電子部品用セラミックス組成物、電子部品用セラミックス焼結体及び電子部品 | |
| JP2001287984A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JPH11335162A (ja) | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 | |
| US6444598B1 (en) | Insulator composition, insulator paste and laminated electronic part | |
| JP3419291B2 (ja) | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 | |
| US7300897B2 (en) | Low temperature sintering ceramic composition for high frequency, method of fabricating the same and electronic component | |
| US7276460B2 (en) | Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component | |
| JP2942372B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002053369A (ja) | セラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP4047050B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP3628146B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器 | |
| JPS6246953A (ja) | 絶縁性磁器組成物 | |
| JPH08162762A (ja) | ガラスセラミック多層回路基板 | |
| JPH05178659A (ja) | 絶縁体磁器組成物 | |
| JP5004548B2 (ja) | 低温焼成磁器およびその製造方法、ならびにそれを用いた配線基板 | |
| JP3358569B2 (ja) | 回路基板用結晶化ガラス組成物、結晶化ガラス焼結体、絶縁体組成物、絶縁体ペーストおよび厚膜回路基板 | |
| JPH0635341B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP4066631B2 (ja) | 低温焼成セラミック材料及び低温焼成セラミック基板 | |
| JPH024549B2 (ja) | ||
| JPS6117086B2 (ja) | ||
| JPH0585498B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030909 |