JP2000133599A - 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 - Google Patents
結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JP2000133599A JP2000133599A JP30268698A JP30268698A JP2000133599A JP 2000133599 A JP2000133599 A JP 2000133599A JP 30268698 A JP30268698 A JP 30268698A JP 30268698 A JP30268698 A JP 30268698A JP 2000133599 A JP2000133599 A JP 2000133599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inp
- layer
- crystal growth
- temperature
- ingaasp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 2
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 101150054880 NASP gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＦＢレーザーやＤＢＲレーザ等のグレーテ
ィングを有する半導体レーザーにおいて、ＩｎＰ基板上
におけるグレーティングの凹部分に、格子接合する結晶
の成長方法を提供する。 【解決手段】 有機金属気相結晶成長法（MOVPE法）を
利用した装置を使用して、ＩｎＰ基板上の結晶成長を開
始させる昇温中もしくは昇温してから微量の、アルシン
とフォスフィンとＴＥＧを流してＩｎＧａＡｓＰを成長
させる事により、グレーティング形状を保存し、かつグ
レーティングの凹部分に格子接合する結晶成長をさせる
ことができる。
ィングを有する半導体レーザーにおいて、ＩｎＰ基板上
におけるグレーティングの凹部分に、格子接合する結晶
の成長方法を提供する。 【解決手段】 有機金属気相結晶成長法（MOVPE法）を
利用した装置を使用して、ＩｎＰ基板上の結晶成長を開
始させる昇温中もしくは昇温してから微量の、アルシン
とフォスフィンとＴＥＧを流してＩｎＧａＡｓＰを成長
させる事により、グレーティング形状を保存し、かつグ
レーティングの凹部分に格子接合する結晶成長をさせる
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、結晶成長方法に
関するものである。詳細には、グレーティング等の微細
パターンを有するＩｎＰ基板上に、有機金属気相結晶成
長法（MOVPE法）を用いて結晶を成長させる方法に関す
るものである。
関するものである。詳細には、グレーティング等の微細
パターンを有するＩｎＰ基板上に、有機金属気相結晶成
長法（MOVPE法）を用いて結晶を成長させる方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、グレーティング等の微細パターン
を有するＩｎＰ基板の凹凸形状上に、ＩｎＡｓＰ吸収性
回折格子層を形成することによってＤＦＢレーザに関し
ては、高出力、および狭スペクトル線幅動作が得られて
いた。有機金属気相結晶成長法（MOVPE法）でＩｎＰ基
板上に形成したグレーティングの凹部分に、結晶成長中
に微量のアルシンとフォスフィンを流してＩｎＡｓＰを
成長させるという方法が知られている。その詳しい事
は、鬼頭他、 "Formation of InAlP layer on corrugat
ed InP substrate by MOVPE for buried grating of D
FB lasers",9th International Conference on Indium
Phosphide and Related Materials （IＰＲＭ'97）,ThB
5,pp.606-609,1997に記載されている。
を有するＩｎＰ基板の凹凸形状上に、ＩｎＡｓＰ吸収性
回折格子層を形成することによってＤＦＢレーザに関し
ては、高出力、および狭スペクトル線幅動作が得られて
いた。有機金属気相結晶成長法（MOVPE法）でＩｎＰ基
板上に形成したグレーティングの凹部分に、結晶成長中
に微量のアルシンとフォスフィンを流してＩｎＡｓＰを
成長させるという方法が知られている。その詳しい事
は、鬼頭他、 "Formation of InAlP layer on corrugat
ed InP substrate by MOVPE for buried grating of D
FB lasers",9th International Conference on Indium
Phosphide and Related Materials （IＰＲＭ'97）,ThB
5,pp.606-609,1997に記載されている。
【０００３】上記文献では形成した成長基板を用いて、
利得結合型ＤＦＢレーザを作製している。この時の、ア
ルシンとフォスフィンの分圧は、それぞれ、２．７Ｘ１
０−３Ｔｏｒｒ、４．１Ｘ１０−３Ｔｏｒｒとなってい
る。
利得結合型ＤＦＢレーザを作製している。この時の、ア
ルシンとフォスフィンの分圧は、それぞれ、２．７Ｘ１
０−３Ｔｏｒｒ、４．１Ｘ１０−３Ｔｏｒｒとなってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、有機
金属気相結晶成長法（MOVPE法）を行なう反応容器内で
ＩｎＰ基板上に形成したグレーティングの凹部分に、Ｉ
ｎＡｓＰ層が成長する。ところが、このＩｎＡｓＰ層は
ＩｎＰと格子整合しない組成である。そのため、グレー
ティングの凹部分に結晶格子の歪みを内在させるという
問題があった。
金属気相結晶成長法（MOVPE法）を行なう反応容器内で
ＩｎＰ基板上に形成したグレーティングの凹部分に、Ｉ
ｎＡｓＰ層が成長する。ところが、このＩｎＡｓＰ層は
ＩｎＰと格子整合しない組成である。そのため、グレー
ティングの凹部分に結晶格子の歪みを内在させるという
問題があった。
【０００５】さらに、従来の方法では、前記反応容器内
が水素雰囲気中で高温になると、ＩｎＰからＰ原子の熱
脱離が起こる。Ｐが熱脱離することによりＰと結合して
いたＩｎが表面マイグレートする。ここで基板にグレー
ティングのような微細な凹凸があると自然とポテンシャ
ルの低い凹部分にＩｎ原子が集まり、脱離してくるＰと
再結合する。したがってＰの熱脱離を抑制させるために
蒸気圧の低いＡｓを導入しＩｎＡｓＰ層を形成させる。
つまり微量のＰ原子と、Ａｓ原子が存在するためにＰの
脱離が抑制される。
が水素雰囲気中で高温になると、ＩｎＰからＰ原子の熱
脱離が起こる。Ｐが熱脱離することによりＰと結合して
いたＩｎが表面マイグレートする。ここで基板にグレー
ティングのような微細な凹凸があると自然とポテンシャ
ルの低い凹部分にＩｎ原子が集まり、脱離してくるＰと
再結合する。したがってＰの熱脱離を抑制させるために
蒸気圧の低いＡｓを導入しＩｎＡｓＰ層を形成させる。
つまり微量のＰ原子と、Ａｓ原子が存在するためにＰの
脱離が抑制される。
【０００６】ここで、前記処理基板を使った半導体レー
ザのバンドギャップ波長を長波長に設計しようとすれ
ば、ＩｎＡｓＰ層のＡｓの組成を高くしなければならな
い。しかし、Ａｓの組成を高くすると、結晶格子の歪み
量も増えることになりＡｓの組成を高くしようとしても
限界が生じる。つまり前記処理基板を使った半導体レー
ザのバンドギャップ波長にも限界が生じるという問題が
あった。
ザのバンドギャップ波長を長波長に設計しようとすれ
ば、ＩｎＡｓＰ層のＡｓの組成を高くしなければならな
い。しかし、Ａｓの組成を高くすると、結晶格子の歪み
量も増えることになりＡｓの組成を高くしようとしても
限界が生じる。つまり前記処理基板を使った半導体レー
ザのバンドギャップ波長にも限界が生じるという問題が
あった。
【０００７】この発明は、グレーティングの凹部分に結
晶格子の歪みを内在させない結晶成長方法を提供するこ
とを目的とする。さらに、この発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａ
ｓ、Ｐの各原料比を制御することによって半導体レーザ
のバンドギャップ波長をより広い範囲から選択すること
ができる。
晶格子の歪みを内在させない結晶成長方法を提供するこ
とを目的とする。さらに、この発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａ
ｓ、Ｐの各原料比を制御することによって半導体レーザ
のバンドギャップ波長をより広い範囲から選択すること
ができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】よってこの発明は、上記
に記載したような課題を解決するため、ＩｎＰ基板上に
形成したグレーティングの凹部分に、有機金属気相結晶
成長法（MOVPE法）を行なう反応容器内においてＰ原
料、Ａｓ原料、Ｇａ原料を用い、ＩｎＰと格子整合する
ＩｎＧａＡｓＰ層の形成を行うものである。また、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層の各原料比を制御することによって、より
幅広いバンドギャップ波長帯での四元組成を得るもので
ある。
に記載したような課題を解決するため、ＩｎＰ基板上に
形成したグレーティングの凹部分に、有機金属気相結晶
成長法（MOVPE法）を行なう反応容器内においてＰ原
料、Ａｓ原料、Ｇａ原料を用い、ＩｎＰと格子整合する
ＩｎＧａＡｓＰ層の形成を行うものである。また、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層の各原料比を制御することによって、より
幅広いバンドギャップ波長帯での四元組成を得るもので
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いてこの発明の実
施形態について説明する。なお以下の説明では、この実
施形態の結晶成長方法を用いて、リッジ導波路型レーザ
ーを製作した場合について説明する。すなわち図１は、
この実施形態の結晶成長方法を用いて製作したリッジ導
波路型レーザの断面図である。あわせて、リッジ導波路
型レーザの製作プロセスを図２を用いて説明する。
施形態について説明する。なお以下の説明では、この実
施形態の結晶成長方法を用いて、リッジ導波路型レーザ
ーを製作した場合について説明する。すなわち図１は、
この実施形態の結晶成長方法を用いて製作したリッジ導
波路型レーザの断面図である。あわせて、リッジ導波路
型レーザの製作プロセスを図２を用いて説明する。
【００１０】まず、時刻ｔ０において有機金属気相結晶
成長法（MOVPE法）を行なう反応容器にグレーティング
を形成した、１-１．ＩｎＰ基板をセットする。次に、
ヒーターに通電して昇温し、時刻ｔ１においてＩｎＰ基
板温度が結晶成長温度約５００℃程度になったところ
で、３種類の原料ガスすなわち、アルシン（AsH3）、フ
ォスフィン（PH3）ＴＥＧを前記反応容器内に導入す
る。この場合、原料ガスを各２〜２０ｓｃｃｍ程度導入
するのが良い。ここでＴＥＧは、グレーティングの凹部
の体積の分量の組成にあわせたＧａの分量だけ導入する
のが良い。
成長法（MOVPE法）を行なう反応容器にグレーティング
を形成した、１-１．ＩｎＰ基板をセットする。次に、
ヒーターに通電して昇温し、時刻ｔ１においてＩｎＰ基
板温度が結晶成長温度約５００℃程度になったところ
で、３種類の原料ガスすなわち、アルシン（AsH3）、フ
ォスフィン（PH3）ＴＥＧを前記反応容器内に導入す
る。この場合、原料ガスを各２〜２０ｓｃｃｍ程度導入
するのが良い。ここでＴＥＧは、グレーティングの凹部
の体積の分量の組成にあわせたＧａの分量だけ導入する
のが良い。
【００１１】さらに、前記反応容器内のＩｎＰ基板を昇
温し、時刻ｔ２において、６００℃程度になった時点
で、膜を適当な厚さになるまで形成させるため、原料を
導入したままその温度を維持する。時刻ｔ３において１
-２．ＩｎＧａＡｓＰ埋込み層が形成される。さらに、
時刻ｔ３より１-３．ＩｎＰ 又は、ＩｎＧａＡｓＰ層を
成長し、時刻ｔ４より１-４．活性層、１-５．ｐ-Ｉｎ
Ｐクラッド層を成長させる。次に１-６ｐ-ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層を成長させる。
温し、時刻ｔ２において、６００℃程度になった時点
で、膜を適当な厚さになるまで形成させるため、原料を
導入したままその温度を維持する。時刻ｔ３において１
-２．ＩｎＧａＡｓＰ埋込み層が形成される。さらに、
時刻ｔ３より１-３．ＩｎＰ 又は、ＩｎＧａＡｓＰ層を
成長し、時刻ｔ４より１-４．活性層、１-５．ｐ-Ｉｎ
Ｐクラッド層を成長させる。次に１-６ｐ-ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層を成長させる。
【００１２】以上のように製作した、基板を使って、図
３（ａ）に示すように、３-１．リッジ形成用マスクを
形成してエッチングをした後の形態を示す。次に、図３
（ｂ）に示すように３-２．絶縁膜を形成し、３-３．ｐ
側オーミック電極、３-４．ｎ側オーミック電極を形成
する。こうして、電極まで形成されたリッジ導波路型レ
ーザが作成される。
３（ａ）に示すように、３-１．リッジ形成用マスクを
形成してエッチングをした後の形態を示す。次に、図３
（ｂ）に示すように３-２．絶縁膜を形成し、３-３．ｐ
側オーミック電極、３-４．ｎ側オーミック電極を形成
する。こうして、電極まで形成されたリッジ導波路型レ
ーザが作成される。
【００１３】前述した通り、反応容器内が水素雰囲気中
で高温になるとＩｎＰ基板からＰ原子の熱脱離が起こ
る。Ｐが熱脱離することによりＰと結合していたＩｎが
表面マイグレートする。ここで基板にグレーティングの
ような凹凸があると、自然とポテンシャルの低い凹にＩ
ｎ原子が集まり、脱離してくるＰと再結合する。
で高温になるとＩｎＰ基板からＰ原子の熱脱離が起こ
る。Ｐが熱脱離することによりＰと結合していたＩｎが
表面マイグレートする。ここで基板にグレーティングの
ような凹凸があると、自然とポテンシャルの低い凹にＩ
ｎ原子が集まり、脱離してくるＰと再結合する。
【００１４】そして、Ｐの熱脱離を抑制させるために蒸
気圧の低いＡｓを導入しＩｎＡｓＰ層を形成させる。こ
のとき、微量のＰ原子と、Ａｓ原子が存在するために、
Ｐの脱離は抑制されるが、Ｐの蒸気圧は高いためにＰ抜
けが起こる。そしてＩｎは、表面マイグレートするが、
Ｐ圧があるためその移動距離は減少するものの凹部で多
くが再結合する。この再結合時にＡｓやＰと結合しＩｎ
ＡｓＰとなる。
気圧の低いＡｓを導入しＩｎＡｓＰ層を形成させる。こ
のとき、微量のＰ原子と、Ａｓ原子が存在するために、
Ｐの脱離は抑制されるが、Ｐの蒸気圧は高いためにＰ抜
けが起こる。そしてＩｎは、表面マイグレートするが、
Ｐ圧があるためその移動距離は減少するものの凹部で多
くが再結合する。この再結合時にＡｓやＰと結合しＩｎ
ＡｓＰとなる。
【００１５】この時、アルシン（AsH3）、フォスフィン
（PH3）の比によってＩｎＡｓＰ層の組成が変わり、ア
ルシン（AsH3）、フォスフィン（PH3）の量により、グ
レーティング形状と成長層の形状が決定する。
（PH3）の比によってＩｎＡｓＰ層の組成が変わり、ア
ルシン（AsH3）、フォスフィン（PH3）の量により、グ
レーティング形状と成長層の形状が決定する。
【００１６】このように、微量のアルシン（AsH3）と、
フォスフィン（PH3）を導入しただけでは、成長層とし
てＩｎＡｓＰ層が形成されるが、このＩｎＡｓＰは、Ｉ
ｎＰとは格子整合しない組成であり、埋込み層のバンド
ギャップ波長を長波長の組成に設計しようとすればＡｓ
の組成を高くしなければならない。Ａｓの組成を高くす
ると、結晶格子の歪み量も増えることになりＡｓの組成
を高くしようとしても限界が生じる。この結果、バンド
ギャップ波長にも限界が生じてしまうことになり構造設
計の自由度が制約される。
フォスフィン（PH3）を導入しただけでは、成長層とし
てＩｎＡｓＰ層が形成されるが、このＩｎＡｓＰは、Ｉ
ｎＰとは格子整合しない組成であり、埋込み層のバンド
ギャップ波長を長波長の組成に設計しようとすればＡｓ
の組成を高くしなければならない。Ａｓの組成を高くす
ると、結晶格子の歪み量も増えることになりＡｓの組成
を高くしようとしても限界が生じる。この結果、バンド
ギャップ波長にも限界が生じてしまうことになり構造設
計の自由度が制約される。
【００１７】一方、本発明は、微量のアルシン（AsH3）
と、フォスフィン（PH3）の他に、微量のＴＥＧを導入
することにより、ＩｎＡｓＰでは為し得なかったＩｎＰ
と格子整合する、ＩｎＧａＡｓＰ層を形成させることが
可能となり、構造設計の自由度が増す。つまり、バンド
ギャップ波長を変えたいときは、所望のバンドギャップ
波長になるように、アルシン（AsH3）と、フォスフィン
（PH3） 、ＴＥＧの各原料比を制御すれば、Ａｓのとき
よりも幅広いバンドギャップ波長帯での四元組成を得る
ことができる。
と、フォスフィン（PH3）の他に、微量のＴＥＧを導入
することにより、ＩｎＡｓＰでは為し得なかったＩｎＰ
と格子整合する、ＩｎＧａＡｓＰ層を形成させることが
可能となり、構造設計の自由度が増す。つまり、バンド
ギャップ波長を変えたいときは、所望のバンドギャップ
波長になるように、アルシン（AsH3）と、フォスフィン
（PH3） 、ＴＥＧの各原料比を制御すれば、Ａｓのとき
よりも幅広いバンドギャップ波長帯での四元組成を得る
ことができる。
【００１８】ただし各流量は使用するＭＯＶＰＥ装置
や、成長条件に依存するため、その絶対量を記すことは
できないが、２〜２０ｓｃｃｍ程度とし、所望の組成の
ＩｎＧａＡｓＰ埋込み層が得られるような値に設定す
る。そして、成長基板温度５００℃程度から流し始め
る。
や、成長条件に依存するため、その絶対量を記すことは
できないが、２〜２０ｓｃｃｍ程度とし、所望の組成の
ＩｎＧａＡｓＰ埋込み層が得られるような値に設定す
る。そして、成長基板温度５００℃程度から流し始め
る。
【００１９】なおこの発明は、上記の実施例に限定され
るものではない。たとえば上記の実施例では、Ａｓ原子
とＰ原子とＧａ原子それぞれの使用材料をアルシン（As
H3）、フォスフィン、ＴＥＧに関して述べたが、これに
変わる他の材料でも応用可能である。成長基板温度５０
０℃前後から、各原料を導入する。また各流量は、使用
するＭＯＶＰＥ装置に依存する。ただし一例として、ア
ルシン（AsH3）１ｘ１０−３〜５ｘ１０−２Ｔｏｒｒ，
フォスフィン（PH3）１ｘ１０−１〜５ｘ１０−１Ｔｏ
ｒｒ、ＴＥＧ５ｘ１０−４〜４ｘ１０−３Ｔｏｒｒ程度
流すのが良い。この時、基板温度に応じて結晶成長の反
応率が変わるため、流量を変えても良い。
るものではない。たとえば上記の実施例では、Ａｓ原子
とＰ原子とＧａ原子それぞれの使用材料をアルシン（As
H3）、フォスフィン、ＴＥＧに関して述べたが、これに
変わる他の材料でも応用可能である。成長基板温度５０
０℃前後から、各原料を導入する。また各流量は、使用
するＭＯＶＰＥ装置に依存する。ただし一例として、ア
ルシン（AsH3）１ｘ１０−３〜５ｘ１０−２Ｔｏｒｒ，
フォスフィン（PH3）１ｘ１０−１〜５ｘ１０−１Ｔｏ
ｒｒ、ＴＥＧ５ｘ１０−４〜４ｘ１０−３Ｔｏｒｒ程度
流すのが良い。この時、基板温度に応じて結晶成長の反
応率が変わるため、流量を変えても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明はグ
レーティングを形成したInP基板上に、有機金属気相結
晶成長法（MOVPE法）を用いて、InPと格子整合又は、歪
みを低減させたInGaＡｓＰ層を形成することができる。
レーティングを形成したInP基板上に、有機金属気相結
晶成長法（MOVPE法）を用いて、InPと格子整合又は、歪
みを低減させたInGaＡｓＰ層を形成することができる。
【００２１】前記ＩｎＧａＡｓＰ層は、形成時にＩｎ、
Ｇａ、Ａｓ、Ｐ各原料の比を制御することによって、よ
り幅広いバンドギャップ波長帯を得ることができる。
Ｇａ、Ａｓ、Ｐ各原料の比を制御することによって、よ
り幅広いバンドギャップ波長帯を得ることができる。
【図１】この発明を適用した、ＩｎＰ基板上へリッジ導
波路型レーザ製作時の結晶成長させたときの断面図であ
る。
波路型レーザ製作時の結晶成長させたときの断面図であ
る。
【図２】この発明を適用した、ＩｎＰ基板上への、リッ
ジ導波路型レーザ製作の際の結晶成長の製作プロセス図
である。
ジ導波路型レーザ製作の際の結晶成長の製作プロセス図
である。
【図３】図３の（a）は、この発明を適用した基板を使
って、リッジ形成用マスクを施した図である。図３の
（b）は、図３の（a）に、リッジ導波路型レーザに形成
するための電極を施した図である。
って、リッジ形成用マスクを施した図である。図３の
（b）は、図３の（a）に、リッジ導波路型レーザに形成
するための電極を施した図である。
【図４】従来のＩｎＰ基板上への結晶成長の断面構造図
である。
である。
１-１． ＩｎＰ基板 １-２． ＩｎＧａＡｓＰ埋込み層 １-３． ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰ １-４． 活性層 １-５． ｐ−ＩｎＰ １-６． ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ ２-１． ＩｎＰ基板 ２-２． ＩｎＡｓＰ埋込み層 ２-３． ＩｎＰまたは、ＩｎＧａＡｓＰ ２-４． 活性層 ２-５． ｐ−ＩｎＰ ２-６． ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ 3 - 1．リッジ形成用マスク 3 - 2．ｐ側オーミック電極 3 - 3．ｎ側オーミック電極 3 - 4．ｎ側電極 3 - 5．ＩｎＰ基板 3 - 6．グレーティング部 3 - 7．ＩｎＧａＡｓコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA05 AA08 AA11 BA08 BA11 BA24 BB01 BB12 CA04 JA10 LA11 LA12 5F045 AA04 AB12 AB17 AB18 AC01 AC09 AD09 AD10 AF04 AF12 BB12 CA12 DA63 EE12 5F073 AA64 AA74 CA12 DA05 DA35 EA29
Claims (3)
- 【請求項１】 微細パターンを有するＩｎＰ基板上への
有機金属気相結晶成長法（MOVPE法）を用いて行なう結
晶成長方法において、 反応容器内で、この容器内の温度を制御しながら、Ｐ原
料、Ａｓ原料、Ｇａ原料を拡散させて、前記ＩｎＰ基板
上に前記ＩｎＰ基板と格子整合するＩｎＧａＡｓＰ結晶
を成長させることを特徴とする結晶成長方法。 - 【請求項２】 グレーティング構造を有する半導体レー
ザの製造方法において、 前記グレーティング構造の凹部分に、請求項1記載の結
晶成長方法を用いて、前記ＩｎＧａＡｓＰ結晶を成長さ
せることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 グレーティング構造を有する半導体レー
ザの製造方法において、 前記グレーティング構造の凹部分に、請求項1記載の結
晶成長方法を用いて、前記ＩｎＧａＡｓＰ結晶を成長さ
せる際に、Ｐ、Ａｓ、Ｇａの各原料の比を変えて、所望
のバンドギャップを得ることを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30268698A JP2000133599A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30268698A JP2000133599A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133599A true JP2000133599A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17911982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30268698A Pending JP2000133599A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133599A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174191A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-06-20 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008227367A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP30268698A patent/JP2000133599A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174191A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-06-20 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008227367A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5313484A (en) | Quantum box or quantum wire semiconductor structure and methods of producing same | |
| EP0406005B1 (en) | Semiconductor laser and manufacture method therefor | |
| KR100210591B1 (ko) | 화합물 반도체장치의 제조방법 및 광 반도체 장치 | |
| US5470785A (en) | Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser | |
| US5880028A (en) | Ridge waveguide type distributed feedback semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
| JP2000133599A (ja) | 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 | |
| GB2146259A (en) | Method of growing ingaasp on inp substrate with corrugation | |
| JP4325558B2 (ja) | 半導体レーザ、および半導体レーザを作製する方法 | |
| JP2728672B2 (ja) | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 | |
| JPH0334489A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3075821B2 (ja) | 半導体分布帰還型レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3192693B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2546381B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3087285B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3066601B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP3306688B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH02122682A (ja) | 超格子素子の製造方法 | |
| US6083813A (en) | Method for forming a compound semiconductor device using a buffer layer over a corrugated surface | |
| JP2921050B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2679358B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| CN115275775A (zh) | 一种低损耗dfb激光器及其制造方法 | |
| JP2004221106A (ja) | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 | |
| JPS61134091A (ja) | インジウム・ガリウム・砒素・燐可視光半導体レ−ザ | |
| JPH0228387A (ja) | 量子細線構造の製造方法 | |
| JPH09116236A (ja) | 半導体装置作製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050929 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060923 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060929 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061013 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070817 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080205 |