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JP2000121498A - 結像性能の評価方法及び装置 - Google Patents

結像性能の評価方法及び装置

Info

Publication number
JP2000121498A
JP2000121498A JP10293205A JP29320598A JP2000121498A JP 2000121498 A JP2000121498 A JP 2000121498A JP 10293205 A JP10293205 A JP 10293205A JP 29320598 A JP29320598 A JP 29320598A JP 2000121498 A JP2000121498 A JP 2000121498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
optical system
aerial image
intensity distribution
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10293205A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiji Nakajima
利治 中島
Tadashi Nagayama
匡 長山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10293205A priority Critical patent/JP2000121498A/ja
Publication of JP2000121498A publication Critical patent/JP2000121498A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641Focus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】結像光学系の結像性能を、精度良く且つ安定的
に評価することができる方法と、これを用いた装置を提
供する。 【解決手段】結像光学系15によってラインアンドスペ
ースマークLSの空間像を形成し、該空間像の強度分布
I(x)をフーリエ級数に展開し、該フーリエ級数の係
数Cn、Snに基づいて結像光学系15の結像性能を評価
する方法において、フーリエ級数の係数Cn、Snのう
ち、空間像の空間周波数1/Pに対応する次数とその整
数倍の次数の係数を採用し、採用された係数に基づいて
空間像の強度分布I(x)を再生する工程を含むことを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結像光学系の結像
性能を評価する方法に関し、特に、半導体デバイス、C
CD撮像素子、薄膜磁気ヘッド、液晶素子などを製造す
る際に使用される投影露光装置の投影光学系の結像性能
を評価する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】投影露光装置は、光源からの光でレチク
ル、マスクなどの原版(以下マスクという。)を均一に
照明する照明光学系と、マスクに描かれたパターンをウ
エハ、ガラスプレートなどの基板(以下ウエハとい
う。)上に結像する投影光学系と、ウエハの移動を行う
ウエハステージなどからなる。露光装置の性能は、投影
光学系の光学的な性能に大きく依存する。そこで従来よ
り、投影光学系の結像性能が次のようにして評価されて
いる。ラインアンドスペースマークが描かれたマスクを
使用し、投影光学系によってラインアンドスペースマー
クの空間像を形成し、その強度分布I(X)を測定す
る。Xは、ラインアンドスペースマークの空間像のピッ
チ方向の長さである。また、ラインアンドスペースマー
クを形成するラインの本数は、通常、奇数本である。
【0003】次いで、以下の手順によってラインアンド
スペースマークの空間像の位置ずれ量ΔXを求める。先
ず、投影光学系が無収差であると仮定したときの、空間
像全体の中央位置の座標をX0とする。他方、計測され
た空間像の強度分布I(X)のうち、中央のライン像の
強度を適当な強度のスライスレベルISLで切断し、左右
の交点の中点の座標をXCとする。座標XCは、空間像全
体の暫定的な中央位置である。
【0004】次いで、空間像のより正確な中央位置を、
次の手順にて求める。座標XCを原点として新たにx座
標を定め、x=0が中央位置となるように、フーリエ級
数に展開する区間を定める。これにより、フーリエ級数
展開のcos項の1次の係数Cとsin項の1次の係数
Sとは、以下の(1a)、(1b)式から求められる。 但し、m:ラインの本数 P:ラインアンドスペースマークの空間像のピッチ I(x):ラインアンドスペースマークの空間像の強度
分布 である。
【0005】(1a)式と(1b)式との位相差を、ウ
エハ上での距離に換算することにより、空間像の中央位
置のより正確なx座標Δφが以下の(2)式で得られ
る。 以上より、空間像の中央位置のより正確なX座標は、X
C+Δφとなるから、その位置ずれ量ΔXは、 ΔX=(XC+Δφ)−X0 すなわち、 ΔX=(XC−X0)+Δφ となる。この位置ずれ量ΔXを使用して、各種の収差量
を算出する。
【0006】また、位置ずれ量ΔXを求める他の方法と
して、次の方法がある。すなわち、空間像の強度分布I
(X)から、極大値Imaxと極小値Iminを求める。次い
で、以下の(3)式でαを適当に設定してスライスレベ
ルISLを決定し、すべてのライン像の強度をスライスレ
ベルISLで切断したときの交点Xi(i=1〜2m)を
求める。次いで、以下の(4)式で平均値XMを求め、
空間像の位置ずれ量XM−X0を求める。
【0007】なお、平均値XMを求めるに際して、適当
な重みwiを設定し、以下の(5)式で加重平均X′M
求め、空間像の位置ずれは、X′M−X0で求めることが
できる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記空間像の位置ずれ
を計測する従来の方法のうち、第1の方法、すなわちフ
ーリエ級数展開の1次の係数の位相差を使う方法では、
計測された空間像の強度分布をフーリエ級数に展開して
いるから、計測時に混入する電気的なノイズ等があって
も、容易に信号処理できるという利点がある。しかるに
この方法によって得られる位置ずれ量は、第2の方法に
よる位置ずれ量とは若干相違しており、しかも第2の方
法による位置ずれ量の方が、実際にレジストを露光・現
像して得られる像の位置ずれ量をより正確に予測してい
ることが、経験的に分かっている。
【0009】図16は、コマ収差量が増加したときの、
第1の方法で求めた空間像の位置の位置ずれ量Aと、第
2の方法で求めた空間像の位置の位置ずれ量Bとのシミ
ュレーション結果である。計算条件は、 NA(像側最大開口数)=0.6 σ(コヒーレンスファクター)=0.6 ラインアンドスペースマークの線幅=1μm ラインアンドスペースマークのピッチ=2μm としている。同図に示すように、コマ収差量が増加する
に従って、第1の方法で求めた空間像の位置の位置ずれ
量Aは、第2の方法で求めた空間像の位置の位置ずれ量
Bとの間に乖離を生じ、したがってテスト露光による結
果を必ずしも十分な精度を持って予測してはいない。
【0010】他方、第2の方法であるスライスレベルの
中点を用いる方法は、実際にレジストを露光・現像して
得られる像の位置ずれ量をより正確に予測していること
が、経験的に分かっている。しかしながら、計測時に混
入する電気的なノイズやウエハステージの干渉計の示す
値の誤差により、一度の計測で位置ずれ量を精密に計測
できないことがある。この場合には、計測回数を増やす
必要があるから、計測に時間がかかるという問題点があ
った。したがって本発明は、結像光学系の結像性能を、
精度良く且つ安定的に評価することができる方法と、こ
れを用いた装置を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記従来のフーリエ級数
展開の係数を使う方法は、フーリエ級数展開の1次の係
数の位相差によるものであるから、1次の係数だけが使
用されていた。これに対して本発明は、計測された空間
像をフーリエ級数展開し、その1次の係数のみならず、
必要な2次以上の係数をも使用して位置ずれ量を算出す
ることにより、上記課題を解決したものである。すなわ
ち本発明は、結像光学系によってラインアンドスペース
マークの空間像を形成し、該空間像の強度分布をフーリ
エ級数に展開し、該フーリエ級数の係数に基づいて前記
結像光学系の結像性能を評価する方法において、前記フ
ーリエ級数の係数のうち、前記空間像の空間周波数に対
応する次数とその整数倍の次数の係数を採用し、該採用
された係数に基づいて前記空間像の強度分布を再生する
工程を含むことを特徴とする結像性能の評価方法であ
る。
【0012】その際、前記フーリエ級数の係数のうち、
前記空間像の空間周波数に対応する次数とその整数倍の
次数の係数を採用し、残余の次数の係数を0とすること
ができる。また、前記空間像の範囲の複数倍を範囲とし
て前記フーリエ級数展開を行い、前記フーリエ級数の係
数のうち、前記空間像の空間周波数に対応する次数とそ
の整数倍の次数の係数と、前記空間像の範囲をピッチと
する空間周波数に対応する次数とその整数倍の次数とを
除外した次数の係数とを採用し、残余の係数を0とする
こともできる。
【0013】
【発明の実施の形態】計測したデータから、電気的なノ
イズによる誤差を取り除いて、ラインアンドスペースマ
ークの空間像を再現する方法について述べる。ウエハ面
上での空間像の強度分布I(X)うち、中央のライン像
の強度を適当な強度のスライスレベルISLで切断し、左
右の交点の中点の座標をXCとする。座標XCは、空間像
全体の暫定的な中央位置である。次いで、空間像のより
正確な中央位置を、次の手順にて求める。座標XCを原
点として新たにx座標を定め、x=0が中央位置となる
ように、フーリエ級数に展開する区間を定める。ここ
で、 w≡Pm P:ラインアンドスペースマークの空間像のピッチ m:ラインの本数 とすると、(−w/2,w/2)がフーリエ級数に展開
する区間となる。
【0014】なお、 PM:マスク上でのラインアンドスペースマークのピッ
チ β:設計投影倍率 とすると、 P=βPM である。投影光学系にδだけの倍率誤差が生じているた
めに、実際の倍率がβ(1+δ)となっている場合に
は、 P=β(1+δ)PM である。ただし、通常、投影光学系の倍率誤差δは充分
に小さく、そのときには、δ=0とすることができる。
【0015】フーリエ級数展開の係数Cn(n=0,
1,2,‥‥)、Sn(n=1,2,‥‥)は、以下の
(6)式から求められる。
【0016】ただし、投影光学系のNA(開口数)によ
る制限があるので、空間像の強度分布I(x)は著しく
高次の成分は含んでいない。したがって次数nは、最大
でも以下の(7)式から求められるnmaxまで求めれば
良い。 但し、NA:投影光学系の像側最大開口数 λ:使用波長 である。
【0017】以上のようにして求めたCn、Snをすべて
使用することによって、空間像強度分布I(x)は、次
の(8)式によるJ(x)として再現される。
【0018】さて、従来技術は、ラインアンドスペース
マークの空間像の空間周波数1/Pに対応する次数のみ
を用いるものである。この空間像の空間周波数1/Pに
対応する次数は、通常、1次と数えられている。しかる
に(6)式に示す係数Cn、Snと、(1a)、(1b)
式に示す係数C、Sとを比べれば分かるように、 C=Cm、S=Sm となっている。すなわち本発明におけるフーリエ級数展
開の次数nは、n=m次のときが、通常の数え方による
1次に対応している。例えばラインの本数mがm=5の
ときには、通常の数え方による1次の係数C、Sは、本
発明における5次の係数C5、S5に一致する。そして本
発明は、通常の次数の数え方による1次の係数C、Sの
ほか、2次以上の係数をも用いるものであり、したがっ
て例えばm=5のときには、本発明による次数の数え方
で5次の係数C5、S5のほか、10次、15次などの次
数の係数C10、C15、‥‥;S10、S15、‥‥をも採用
するものである。
【0019】次に、フーリエ級数展開する範囲をウエハ
上での空間像の範囲mPに合わせて、(−mP/2,m
P/2)というようにとっているので、すべてのnにつ
いて有効な係数Cn、Snの値があるわけではない。そこ
で、直流成分C0を除いたn>0の次数について、有効
な係数Cn、Snが得られる次数nについて説明する。図
5は、ラインアンドスペースマークの空間像の強度分布
I(x)の一例を示す。同図に示す例は、投影光学系の
シミュレーション結果であり、したがって電気的なノイ
ズは含まれていない。また図6は、図5に示す強度分布
I(x)をフーリエ級数に展開して得た係数Cn、Sn
値を示す。図6中、黒線は値が0でない係数を示し、白
点は値が0の係数を示す。
【0020】図5に示す強度分布I(x)は、m=5、
すなわち5本のライン像からなるために、n>0の次数
のうちで0でない係数Cn、Snは、図6に示されるよう
に、C5、C10、C15、‥‥;S5、S10、S15、‥‥に
しか現れない。すなわち、n/wの値が、ピッチPの空
間像の空間周波数1/Pの整数倍となる次数nでのみ、
有意な係数Cn、Snが得られる。
【0021】以上より、 n′≡n/m とすると、 n′=1,2,3,‥‥ となる次数nにのみ、有意な係数Cn、Snが得られ、残
余の次数nについては、Cn=Sn=0となる。
【0022】逆に、もしも、 n′≠1,2,3,‥‥ となる次数nについて、Cn、Snが0でない値を示した
ならば、それは投影光学系による空間像の強度分布I
(x)を反映したものではなく、電気的なノイズなどの
その他の要素に起因するものと考えられる。したがっ
て、 n′≠1,2,3,‥‥ となる次数nの係数Cn、Snについては、Cn=Sn=0
と置き換えることにより、投影光学系による空間像の強
度分布I(x)を、より正しく再生することができる。
したがって再生される空間像強度分布J(x)は、次の
(9)式によって与えられる。
【0023】図5に示した空間像の強度分布I(x)
は、シミュレーション結果であり、したがって、 n′≠1,2,3,‥‥ となる次数nの係数Cn、Snについては、Cn=Sn=0
となっている。したがって上記(9)式によって再生強
度分布J(x)を再生しても、元の強度分布I(x)と
同じになる。
【0024】他方、図7は、シミュレーション結果では
なく、実際に空間像計測で得られたフォトマルチプライ
ヤの出力に基づく空間像の強度分布I(x)の一例を示
し、ラインの本数mは、m=5である。また図8は、そ
れぞれフーリエ級数展開のcosの係数Cnとsinの
係数Snを示す。図8中、黒線は有意な値を持ち得る係
数を示し、白線は値が0となるべき係数を示す。図8に
示されるように、n=5、10、15、‥‥以外の次数
でも、Cn≠0、Sn≠0となる係数が存在している。そ
こで、 Cn=0 (n≠5、10、15、‥‥;n>0) Sn=0 (n≠5、10、15、‥‥;n>0) として再生強度分布J(x)を求めると、図9に示すよ
うになる。空間像のより正確な中央位置は、この強度分
布J(x)を用いて求める。
【0025】図9に示す再生強度分布J(x)は、5本
のラインに共通な形状を抽出している。したがって、ス
ライスレベルの中点の位置ずれを求める場合や、極大値
および極小値からコントラストを求める場合に、1次の
係数のみから位相あるいは強度を求めるときよりも、実
際の空間像に近いものについて計測を行っていることに
なるので、計測精度が上がる。また、実データから直
接、位置ずれや極大値・極小値などを求める場合より
も、電気的なノイズによる誤差が減少しているから、計
測再現性が良くなる。
【0026】さらに再生強度分布J(x)の値は、取り
込んだ離散的なデータでなく、連続な関数として与えら
れているので、スライスレベルをとるxの値を求める場
合や、極大・極小をとるxの値を求める時に、離散値か
ら補完するよりも、正確な値を求めることができる。J
(x)の値からxの値を求める方法の一例としては、ニ
ュートン・ラフソン(Newton-Raphson)法などがある。
【0027】以上の説明では、フーリエ級数展開する範
囲を、ラインアンドスペースマークの空間像のピッチ方
向の範囲mPとしていたが、次に、フーリエ級数展開す
る範囲を、マーク像の範囲mPの複数倍に取る方法、す
なわちkを2以上の自然数として、kmPの範囲でフー
リエ級数展開を行う方法について述べる。空間像のう
ち、中央のライン像の強度を適当な強度のスライスレベ
ルで切断し、左右の交点の中点の座標をXCとする。座
標XCは、空間像の暫定的な中央位置である。次いで、
空間像のより正確な中央位置を、次の手順にて求める。
座標XCを原点として新たにx座標を定め、x=0が中
央位置となるように、フーリエ級数に展開する区間を定
める。ここで、 w≡kmP とすると、(−w/2,w/2)がフーリエ級数展開す
る区間となる。
【0028】ただし、この場合には、空間像の範囲mP
のk倍をフーリエ級数展開を行う範囲としているから、
空間像の中央位置がフーリエ級数展開する範囲の中央位
置から多少ずれていても、空間像はフーリエ級数展開す
る範囲に入る。したがって空間像の中央位置の暫定的な
値XCを求めずに、投影光学系が無収差であるとしたと
きの空間像の中央位置X0を使用し、座標X0を原点とし
て新たにx座標を定めても良い。
【0029】フーリエ級数展開の係数Cn(n=0,
1,2,‥‥)、Sn(n=1,2,‥‥)は、前記
(6)式から求められ、次数nの上限nmaxは、前記
(7)式で与えられ、再現される空間像の強度分布は、
前記(8)式で与えられる。但し、これらの式の適用に
おいて、 w≡kmP である。
【0030】ここで、フーリエ級数展開する範囲を、ウ
エハ上での空間像の範囲mPの複数k倍に合わせて、
(−kmP/2,kmP/2)というようにとっている
ので、すべてのnについて有効な係数Cn、Snの値があ
るわけではない。そこで、直流成分C0を除いたn>0
の次数について、有効な係数Cn、Snが得られる次数n
について説明する。図10は、ラインアンドスペースマ
ークの空間像の強度分布I(x)の一例を示す。同図に
示す例は、図5に示した例と実質的に同一の例であり、
すなわち投影光学系のシミュレーション結果であって、
電気的なノイズは含まれていない。図10と図5との相
違点は、図示した範囲の相違であり、すなわちフーリエ
級数に展開する範囲だけが異なる。図10に示す例で
は、m=5、すなわち5本のライン像からなり、また、
k=2としている。また図11は、図10に示す強度分
布I(x)をフーリエ級数に展開して得た係数Cn、Sn
の値を示す。図11中、黒線は値が0でない係数を示
し、白点は値が0の係数を示す。
【0031】図10に示す強度分布I(x)は、フーリ
エ級数に展開する区間の全域にわたってピッチPで振動
し、都合km本のライン像を持つラインアンドスペース
マークの空間像である第1の関数と、高さが1で幅がm
Pの矩形関数である第2の関数との積とみなすことがで
きる。第1の関数のフーリエ級数展開の係数Cn、S
nは、n=km、2km、3km、‥‥でのみ有意な値
が現れ、残余の次数nではCn=Sn=0となる。また第
2の関数のフーリエ級数展開の係数は、n=k、2k、
3k、‥‥ではCn=Sn=0となり、残余の次数nでの
み有意な値が現れる。
【0032】この結果、図11に示されるように、強度
分布I(x)のフーリエ級数展開の係数Cn、Snのう
ち、有意な係数は以下の2つの条件のどちらかを満たす
次数nにのみ現れ、残余の次数nについては、Cn=Sn
=0となる。 <条件1>n/wの値が、ピッチPの空間像の空間周波
数1/Pの整数倍となる次数、つまり、 n′≡n/km とすると、 n′=1,2,3,‥‥ となる次数n。 <条件2>n/wの値が、範囲mPの空間像の空間周波
数1/mPの整数倍となる次数ではない次数、つまり、 n″≡n/k とすると、 n″≠1,2,3,‥‥ となる次数n。
【0033】逆に、もしも、上記いずれの条件も満たさ
ない次数nについて、Cn、Snが0でない値を示したな
らば、それは投影光学系による空間像の強度分布I
(x)を反映したものではなく、電気的なノイズなどの
その他の要素に起因するものと考えられる。したがっ
て、上記いずれの条件も満たさない次数nの係数Cn
nについては、Cn=Sn=0と置き換えることによ
り、投影光学系による空間像の強度分布I(x)を、よ
り正しく再生することができる。したがって再生される
空間像強度分布J(x)は、次の(10)式によって与
えられる。
【0034】図10に示した空間像の強度分布I(x)
は、シミュレーション結果であり、したがって、上記両
条件をいずれも満たさない次数nの係数Cn、Snについ
ては、Cn=Sn=0となっている。したがって上記(1
0)式によって再生強度分布J(x)を再生しても、元
の強度分布I(x)と同じになる。
【0035】他方、図12は、シミュレーション結果で
はなく、実際に空間像計測で得られたフォトマルチプラ
イヤの出力に基づく空間像の強度分布I(x)の一例を
示し、ラインの本数mは、m=5であり、また、k=2
である。したがって条件1を満たす次数nは、 n=10、20、30、‥‥ であり、条件2を満たす次数nは、 n=1、3、5、7、9、11、‥‥ である。また図13は、それぞれフーリエ級数展開のc
osの係数Cnとsinの係数Snを示す。図13中、黒
線は有意な値を持ち得る係数を示し、白線は値が0とな
るべき係数を示す。図13に示されるように、n=1
0、20、30、‥‥;1、3、5、‥‥以外の次数で
も、Cn≠0、Sn≠0となる係数が存在している。そこ
で、 Cn=0 (n≠10、20、‥‥;1、3、5、‥
‥;n>0) Sn=0 (n≠10、20、‥‥;1、3、5、‥
‥;n>0) として再生強度分布J(x)を求めると、図14に示す
ようになる。空間像のより正確な中央位置は、この強度
分布J(x)を用いて求める。
【0036】図14に示す再生強度分布J(x)は、図
9と同様に、5本のラインに共通な形状を抽出してい
る。したがって、スライスレベルの中点の位置ずれを求
める場合や、極大値および極小値からコントラストを求
める場合に、1次の係数のみから位相あるいは強度を求
めるときよりも、実際の空間像に近いものについて計測
を行っていることになるので、計測精度が上がる。ま
た、実データから直接、位置ずれや極大値・極小値など
を求める場合よりも、電気的なノイズによる誤差が減少
しているから、計測再現性が良くなる。
【0037】ただし、図9と比較して、使用しない係数
に対して使用する係数の割合が多いため、ノイズを減少
させる効果は少ない。一方、m本のラインの空間像が右
端のラインと左端のラインで非対称になるような場合
は、その特徴が残されるので、左右のラインの非対称性
を指標にする光学的な性能の計測には効果がある。
【0038】さらに再生強度分布J(x)の値は、取り
込んだ離散的なデータでなく、連続な関数として与えら
れているので、スライスレベルをとるxの値を求める場
合や、極大・極小をとるxの値を求める時に、離散値か
ら補完するよりも、正確な値を求めることができる。J
(x)の値からxの値を求める方法の一例としては、ニ
ュートン・ラフソン(Newton-Raphson)法などがある。
【0039】
【実施例】図1と図2は、本発明による投影露光装置の
一実施例を示す。この露光装置は、半導体デバイス、C
CD撮像素子、薄膜磁気ヘッド、液晶素子などの製造工
程で使用される投影露光装置であり、空間像測定装置
と、測定した空間像から各種収差を求める解析装置を搭
載している。図1に示すように、XYZ軸を次のように
定める。投影レンズの光軸と平行な方向における光軸方
向にZ軸をとり、Z軸と直交し互いに直交する方向にX
軸とY軸をとる。X軸は図1の紙面に平行な方向とし、
Y軸は図1の紙面に垂直な方向とする。図1の投影露光
装置は、露光光を供給するための光源1を備えている。
露光装置は、光源1からの光でマスクMを均一に照明す
る照明光学系と、マスクMに描かれたパターンをウエハ
W上に結像する投影光学系15と、ウエハWの移動を行
うウエハステージ16などからなる。マスクMは、XY
平面内においてマスクステージ12上に支持されてい
る。
【0040】照明光学系の構成を次に示す。水銀ランプ
等の光源1は、楕円鏡2の第1焦点に配置されている。
その光源1から射出された光束は、楕円鏡2によりその
第2焦点に集光された後、コリメータレンズ3により平
行光束に変換される。この平行光束は、断面が四角形の
レンズ素子の集合体からなるフライアイレンズ4に入射
し、フライアイレンズ4の射出側に複数の光源像が形成
され、2次光源となる。この光源像位置には円形状など
の開口部を有する開口絞り(σ絞り)5が配置され、開
口絞り5内の光源像からの光束は、リレーレンズ系前群
7、マスクブラインド(視野絞り)8、リレーレンズ系
後群9を通って、折り曲げミラー10で光路を偏向し、
コンデンサーレンズ11によって集光されて、マスクス
テージ12上に載置されたマスクMを重畳的に均一な照
度で照明する。なお、図1では、光源1として水銀ラン
プを挙げたが、より波長の短いエキシマレーザ(Kr
F:248nm、ArF:193nm、F2:157n
m)を光源として使用してもよい。
【0041】開口絞り5とリレーレンズ系前群7との間
には、ハーフミラー6が挿入されており、ハーフミラー
6によって一部反射した光は、集光レンズ13で集光さ
れ、露光量モニタ14に入射する。露光量モニタ14の
出力は、水銀ランプの出力の制御、露光時間の制御に使
用される。なお、露光光としてエキシマレーザを使用す
る場合は、水銀ランプのように連続発光ではなく、パル
ス発光となるため、発光に同期して露光量をモニタする
ことが必要になる。そして露光量モニタ14の出力は、
レーザ出力の制御、露光パルス数の制御に使用される。
【0042】投影光学系15は、例えば複数枚のレンズ
から成り、マスクMに描かれたパターンを一定の倍率
で、ウエハステージ16に乗せられたウエハW上に結像
する。投影倍率としては、縮小倍率のこともあるし、等
倍や拡大倍率のこともある。ウエハステージ16は、水
平面上のX軸、Y軸に移動可能なXYステージと、Z軸
方向の移動とウエハの傾きを制御するZθステージなど
から成る。ウエハステージ16上にはウエハWを吸引保
持するウエハホルダ17が設けられており、またウエハ
ステージ16の位置を計測するために、すなわちウエハ
W上の露光座標を計測するために、ウエハステージ干渉
計18が設けられている。こうしてウエハをXY平面内
において2次元的に駆動制御しながら投影露光を行うこ
とにより、ウエハWの各露光領域にマスクMの転写パタ
ーンを逐次露光することができる。
【0043】投影光学系15の結像性能を測定するとき
には、ラインアンドスペースマークを描いたマスクを用
い、投影光学系15によってラインアンドスペースマー
クの空間像を形成する。図3(a)は、マスクに描かれ
た空間像計測用のラインアンドスペースマークLSを摸
式的に表わした図である。同図に示すように、ラインア
ンドスペースマークLSは、例えばY方向に伸びる複数
本の矩形状の光透過部(ライン)Lが、X方向にピッチ
Mで配置されており、同図に示す例では、5本のライ
ンLを用いている。他方、光透過部L以外の部分(同図
中の斜線部)は、クロムなどの光学的に不透明な部材で
遮光されている。すなわち、空間像計測用のマークは、
X方向に繰り返すラインアンドスペースの抜きパターン
である。ラインアンドスペースマークLSのライン部分
Lを通過した光は、投影光学系15を通して、ウエハW
表面に相当する高さに結像する。したがってウエハ表面
に相当する高さには、図3(b)に示すような強度分布
I(X)を持つラインアンドスペースマークの空間像が
形成される。
【0044】ラインアンドスペースマークの空間像を計
測するための装置は、図2に示すように、ウエハステー
ジ16に搭載される。ウエハステージ16上のウエハホ
ルダ17の近傍には、たとえばガラス基板からなる指標
パターン板20が設けられている。なお指標パターン板
20の上面は、ウエハWとほぼ同じ高さ(Z方向にほぼ
同じ位置)に設定されている。また、指標パターン板2
0は図3(c)に示すように、露光光を透過する光透過
部と露光光を遮光する遮光部とから形成されている。そ
して透過部と遮光部の境界線はY方向に伸びるナイフエ
ッジKEを形成している。すなわち、指標パターン板2
0に描かれた指標パターンはナイフエッジパターンであ
る。なお、図3(a)、(c)では、ラインアンドスペ
ースマークのラインLの方向及びナイフエッジKEの伸
びる方向を、共にY方向として説明した。但し、両者の
方向が一致していれば、それらの方向はX軸から測っ
て、0、15、22.5、30、45、60、67.
5、75度、および第2、第3、第4象限で上記角度に
相当する角度としてもよい。
【0045】ラインアンドスペースマークの空間1次像
を形成した光のうち、指標パターン板20の透過部を通
過した光は、ウエハステージ16内部に配置された第1
リレーレンズ系前群レンズ21、光路偏向用の反射ミラ
ー22、空間1次像からの光を拡散するための拡散板
(ディフューザ)23、第1リレーレンズ系後群レンズ
24を通過し、複数の光ファイバーからなるライトガイ
ド25に入射する。ライトガイド25の内部を伝播した
光は、その射出端より射出し、反射ミラー26、第2リ
レーレンズ系前群レンズ27、ウエハステージ16に形
成された開口部を通過して、ウエハステージ16の外部
へ引き出される。ウエハステージ16の外部へ引き出さ
れた光は、第2リレーレンズ系後群レンズ28を通過
し、受光センサとしてのフォトマルチプライヤ(光電子
増倍管)29で受光される。ただし、十分な感度があれ
ば、フォトマルチプライヤ以外の受光センサを使用して
もよい。
【0046】フォトマルチプライヤ29からの出力信号
は、処理装置30に送られる。また処理装置30には、
露光量モニタ14の出力信号と、ウエハステージ干渉計
18、ステージの高さを示すオートフォーカス19の出
力信号も送られる。そして指標パターン板20から処理
装置30までの各部材によって、結像性能評価装置が構
成されている。なお上述したように、第1リレーレンズ
系の前群レンズ21と後群レンズ24との間に拡散板2
3が配置されているので、フォトマルチプライヤ29の
感度ムラや、光ファイバ束25の隙間による受光ムラに
よる計測精度の悪化を回避することができる。また、フ
ォトマルチプライヤ29の受光感度ムラが問題にならな
いレベルであれば、ナイフエッジKEの直後に、フォト
マルチプライヤを配置してもよい。つまり、ウエハステ
ージ内に直接フォトマルチプライヤを配置してもよい。
【0047】空間像の強度分布I(X)の計測に際して
は、投影光学系15の下方に指標パターン板20が位置
するようにウエハステージ16を移動させる。この状態
において指標パターン板20上には投影光学系15を介
してラインアンドスペースマークの空間1次像が形成さ
れる。この状態でウエハステージ16をX方向に移動さ
せ、ラインアンドスペースマークの空間1次像に対して
指標パターン板20のナイフエッジパターンを走査しな
がら、ナイフエッジKEを通過した空間1次像からの光
をフォトマルチプライヤ29で受光する。
【0048】図4(a)は、フォトマルチプライヤ29
の出力を時間に対してプロットしたものであり、フォト
マルチプライヤの出力、すなわち受光光量は、ナイフエ
ッジ部が空間像のうちのライン像を横切るたびに光量が
増すので、上り階段状の光量形状となる。この光量形状
は、空間像の強度分布I(X)を走査方向Xに沿って積
分した光量分布であるが、現実には、光源1の光量が一
定とは限らず、またウエハステージ16の走査速度も一
定とは限らないので、次のように積分光量を補正する。
【0049】すなわち、図4(a)に示す積分光量を得
ると同時に、露光量モニタ14の出力も取り込んでお
く。図4(b)は、時間に対する露光量モニタ14の出
力を示し、同図に示されるように、水銀ランプの輝線の
光量には揺らぎがある。なお、水銀ランプ以外の光源、
例えばエキシマレーザであっても発光パルスごとの光量
のばらつきがあるので、光量モニタによって光源を発し
た光量を記録しておく必要がある。ただし、水銀ランプ
の輝線の揺らぎ・エキシマレーザの発光パルスのエネル
ギーばらつきが充分に小さい場合には、光量モニタによ
る光源の光量の追跡を行わなくても良い。更に、図4
(a)に示す積分光量を得ると同時に、図4(c)に示
すように、干渉計によるウエハステージ16のXY座標
値を取り込んでおく。これは、ステージ16の速度が完
全には一定ではなく、各時刻で速度が微妙に異なるため
である。ただし、ウエハステージ16が充分に等速で移
動しており、データ採取の間隔が等しい時は、速度vか
ら単純に時間情報を位置情報に換算しても良い。
【0050】次いで、図4(a)の縦軸の積分光量を、
図4(b)に示す露光量モニタの出力で規格化し、ま
た、図4(a)の横軸の時間を、図4(c)に示すウエ
ハステージの位置に変換する。これにより、図4(d)
に示すように、計測時間中の水銀ランプの光量揺らぎ、
あるいはエキシマレーザのパルス毎のエネルギーばらつ
きの影響が除去され、また、ウエハステージの移動速度
の非均一性の影響が除去される。図4(d)に示す補正
後の積分光量は、図3(b)に示すウエハ面上に形成さ
れている空間像の強度分布I(X)を、X軸方向に積分
したものとなっている。したがって図4(d)に示す補
正後の積分光量を、X軸に沿って微分することにより、
図3(b)に示す空間像の強度分布I(X)を再現する
ことができる。X軸に沿って微分する際に、投影光学系
のNAによって制限される空間周波数成分よりも高周波
の成分は、投影光学系からは発生しない。したがって、
この高周波の成分は、電気的なノイズとみなして除去す
ることができる。この操作は、適切なスムージングフィ
ルター(不図示)を用いることによって行うことができ
る。
【0051】なお、以上の説明では、ラインアンドスペ
ースマークの空間像の強度分布I(X)を得る方法とし
て、ナイフエッジとフォトマルチプライヤを使用した例
を挙げたが、強度分布I(X)を得るための他の方法と
して、ウエハ表面上に形成されている空間像を、拡大系
の結像系を通して、CCD撮像装置で像を得るという方
法もある。
【0052】図3(b)に示す空間像の強度分布I
(X)は、概念図であり、実際には例えば図7、あるい
は図12に示す波形となる。そこで第1実施例として、
既述のようにx座標系を定めた後に、区間(−mP/
2,mP/2)で得られる図7の強度分布I(x)をフ
ーリエ級数に展開して、図8に示す係数Cn、Snを得
る。この周波数分布から、n/wの値がラインアンドス
ぺースマーク像のピッチPで決まる基本空間周波数1/
Pの整数倍となる次数、つまりn′=n/m=1,2,
3,…となる次数のみを取り出して、図9に示す再生強
度分布J(x)を再現する。この再生強度分布J(x)
について、最大値Jmaxや最小値Jminを求め、更に、コ
ントラストCやスライスレベルの中点xMなどを求め
る。
【0053】図9に示す再生強度分布J(x)は、フー
リエ級数展開後にピッチPの倍数となる成分のみを取り
出して再生したものであり、図の中に現れるラインの形
状はm本の同じ物である。したがって再生強度分布J
(x)から最大値Jmaxや最小値Jminを求める際には、
最大値Jmaxあるいは最小値Jminを探索する範囲を、
(−mP/2,mP/2)の全範囲ではなく、その1/
mである(−P/2,P/2)の狭い範囲に絞ることが
でき、これにより処理時間の短縮を図ることができる。
コントラストCとしては、例えば、 にて定義される値を用いることができる。
【0054】次に、スライスレベルの中点xMの求め方
について説明する。先ず、スライスレベルJSL自体につ
いて、例えば次の(12)式を用いることができる。 なお、スライスレベルJSLの決定の方法は他にもあり、
例えば、最大値Jmaxのみを基準としてその何割という
値にすることもできるし、最大値Jmax、最小値Jmin
関係なく、絶対的な基準でスライスレベルを決定するこ
ともできる。
【0055】次に、設定したスライスレベルJSLに対し
て、スライスレベルの中点xMを求める。但し、再生強
度分布J(x)は、同じ形状がm本分繰り返す図形とな
っているから、例えば中心の一本のライン像のみについ
て、波形がスライスレベルで切られる左端の座標xL
右端の座標xRとから、次の(13)式を用いて、その
中点xMを求めることができる。 上述のスライスレベル中点xMを用いて、ラインアンド
スペースマーク像の位置ずれ量は、(XC−X0)+xM
と表わすことができる。
【0056】上記第1実施例では、区間(−mP/2,
mP/2)で強度分布I(x)の値を与えたが、第2実
施例として、図12に示すように、区間(−kmP/
2,kmP/2)で強度分布I(x)の値を与えること
もできる。この場合、強度分布I(x)の値を与える範
囲はkmPであるが、ナイフエッジ開口の大きさやステ
ージのストロークの制限などで、データを取り込む範囲
をkmPだけ取れないことも生じ得る。そのときには、
空間像が存在しない部分の強度を0として、後のデータ
処理を行えばよい。
【0057】次いで、区間(−kmP/2,kmP/
2)で得られる図12の強度分布I(x)をフーリエ級
数に展開して、図13に示す係数Cn、Snを得る。この
周波数分布から、<条件1>あるいは<条件2>を満た
す次数のみを取り出して、図14に示す再生強度分布J
(x)を再現する。この再生強度分布J(x)につい
て、最大値Jmaxや最小値Jminを求め、更に、コントラ
ストCやスライスレベルの中点xMなどを求める。
【0058】先ず、図13に示す再生強度分布J(x)
からコントラストを求める。但しこの場合には、m本の
ライン像がすべて同一形状をしているわけではないか
ら、再生強度分布J(x)にはm個の極大値があり、m
個の極大値の谷間に(m−1)個の極小値がある。そこ
で例えば、m個の極大値のうちの最大値をJmaxとし、
(m−1)個の極小値のうちの最小値をJminとして、
(11)式によってコントラストを求めることができ
る。あるいは、m個の極大値の平均値をJmaxとし、
(m−1)個の極小値の平均値をJminとして、(1
1)式によってコントラストを求めることもできる。
【0059】次に、図13に示す再生強度分布J(x)
から、スライスレベルの中点を求める。但し、m本のラ
イン像がすべて同一形状をしているわけではないから、
中央の一本のライン像からだけではなく、m本のライン
像のスライスレベルのx座標xi(i=1〜2m)か
ら、次の(14)式によって、スライスレベルの中点x
Mを求める。 但し、重みwi(i=1〜2m)を用いて、次の(1
5)式による加重平均値を採用することもできる。 位置ずれ量は、xMあるいはx′Mを用いて、(XC
0)+xMあるいは、(XC−X0)+x′Mと表わされ
る。
【0060】更にこの第2実施例では、第1実施例とは
異なり、m本のライン像のうち、左側のライン像と右側
のライン像との非対称性の情報が失われていないので、
左端のライン像と右端のライン像とを比較して、像の非
対称性を算出することもできる。具体的には、図14に
示す再生強度分布J(x)から、適当なスライスレベル
を設定し、左端のライン像の左側スライス位置x1、右
側スライス位置x2、右端のライン像の左側スライス位
置x3、右側スライス位置x4から、次の(16)式によ
り、左端のライン像のスライス幅DLおよび右端のライ
ン像のスライス幅DRを求める。
【0061】更に、以下の(17)式から、線幅異常値
(LA)を算出し、投影光学系の光学的な性能の一つの
指標、特にコマ収差量と深く関係ある指標として用いる
ことができる。
【0062】以上の手順により算出された空間像強度分
布の指標に基づいて、投影光学系の各種収差(球面収
差、コマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差)、倍率
誤差、フォーカス位置の誤差、テレセントリシティの誤
差の指標とすることができる。また、その指標に基づい
て投影光学系の組み立て時の調整指標とすることができ
る。
【0063】次に、ラインアンドスペースマークLSの
詳細について説明する。計測に当たっては、図15
(a)に示すようなテストマスクTMを準備する。図1
5(a)に示すマスクTMには、マスク中心の1箇所
と、露光領域の最外周の8箇所と、中心と最外周との間
の8箇所に、テストパターンTPが入っている。この他
にも必要であれば露光領域内の別の場所にテストパター
ンTPを入れることも可能であるし、必要なければ、こ
れら17箇所のテストパターンTPのうちの数箇所を省
略することができる。なお、図15(a)中、AMはマ
スクアライメント用のマークである。
【0064】図15(b)は、1箇所のテストパターン
TPの拡大図を示す。同図では、5本のラインを持つラ
インアンドスペースマークLSを、X軸に平行な方向、
Y軸に平行な方向、X軸から反時計回りに45度および
135度に向かって、それぞれ線幅を5種類変えて描画
したものである。したがって個々のテストパターンTP
は、都合20個のラインアンドスペースマークLSより
なる。ラインアンドスペースマークLSの線幅は5種類
としているが、必要であればその種類の増減は可能であ
る。
【0065】また、図15(a)に示すように、テスト
パターンTPの角度位置は、X軸方向より0,45,9
0,135,180,225,270,315度の方向
にある。したがって0度方向にあるテストパターンTP
のうち、ピッチ方向が0度方向のラインアンドスペース
マークLSはメリジオナル方向のマークであり、ピッチ
方向が90度方向のマークLSはサジタル方向のマーク
であり、ピッチ方向が45度又は135度方向のマーク
LSはその中間方向のマークである。同様に、45度方
向にあるテストマークTPのうち、ピッチ方向が45度
方向のラインアンドスペースマークLSはメリジオナル
方向のマークであり、ピッチ方向が135度方向のマー
クLSはサジタル方向のマークであり、ピッチ方向が0
度又は90度方向のマークLSはその中間方向のマーク
である。テストパターンTPを上記以外の角度位置に配
置するときには、その角度位置に対応して、ラインアン
ドスペースマークLSのピッチ方向も変更することが好
ましい。
【0066】また、テストマスクTMを準備しなくて
も、半導体デバイスを製造するマスクの中に、デバイス
製造に影響のない範囲で、図15(a)に示す位置にテ
ストパターンTPを追加することが可能であれば、デバ
イス製造に使用するマスクの中に、必要なだけ図15
(b)に示す形状のラインアンドスペースマークLSを
記入して使用してもよい。さらに、デバイス製造に使用
するラインアンドスぺースマークのうちに、図15
(b)に類似のパターンが存在すれば、そのパターンを
利用して光学的な各性能を計測することもできる。
【0067】次に、ラインアンドスペースマークLSの
空間像の指標によって、結像光学系の結像性能を評価す
る具体的な方法について説明する。以下の説明において
縦方向とは、投影光学系の光軸に沿った方向、つまりZ
軸方向を意味し、横方向とは、投影光学系の光軸に垂直
な平面方向、つまりXY平面方向を意味する。
【0068】<球面収差>球面収差は、物体上の一点か
ら発する光線束のうち、投影光学系の最大NA(開口
数)に対する比率が異なる光線の焦点位置が、縦方向に
異なるという収差である。そのため、球面収差がある
と、マスクの同じ位置、例えば中心位置にあるテストパ
ターンTPのうち、異なる線幅のラインアンドスぺース
マークLSを結像させると、各マークLSでベストフォ
ーカス位置が異なるという現象として観察される。図1
5(a)の中心位置のテストパターンTPについて、図
15(b)に示すマークLSのうち、例えばピッチ方向
がX方向にある5種類の線幅のラインアンドスぺースマ
ークLSを選択して、各線幅ごとにコントラストCを求
める。ピッチ方向がY方向にあるラインアンドスぺース
マークLSについても計測して、平均のコントラストを
使用してもよい。Zθテーブルを少しずつ上下にずらし
て同様の計測を行うと、各線幅ごとのべストフォーカス
位置を求めることができる。各線幅ごとのべストフォー
カス位置の違いを球面収差の指標とする。同様の計測を
像高の異なる位置で行うことによって、像高ごとの球面
収差形状の相違を計測することも可能である。
【0069】<コマ収差>コマ収差は、物体上の一点か
ら発する光線束のうち、投影光学系の最大NAに対する
比率が異なる光線の焦点位置が、横方向に異なるという
収差である。そのため、コマ収差があると、マスクの同
じ位置、例えば最大像高の一ケ所にあるテストパターン
TPのうち、異なる線幅のラインアンドスぺースマーク
LSを結像させると、各マークLSの結像位置が横方向
に異なるという現象として観察される。図15(a)の
最大像高のテストパターンTPについて、図15(b)
に示すマークLSのうち、例えばピッチ方向がX方向に
ある5種類の線幅のラインアンドスぺースマークLS
と、ピッチ方向がY方向にある5種類の線幅のラインア
ンドスペースマークLSを選択して、各線幅ごとに結像
位置を算出する。この結像位置の横方向の位置ずれ量を
コマ収差の指標とする。
【0070】また、別の方法として、図15(b)に示
すマークLSのうち、太めの線幅のマークLSを選択し
て、その空間像のデータを取り込み、空間像を再生した
後、最大値Jmaxと最小値Jminを求め、以下の(18)
式によって複数のスライスレベルJSLi(i=1〜3)
を設定する。次いで、各スライスレベルJSLiごとの中
点xMi(i=1〜3)を求め、中点xMiの位置ずれから
空間像の倒れを求めて、コマ収差の指標とする。 上記の例では、スライスレベルJSLiとして3種類の高
さを選択したが、空間像の倒れを計測することができれ
ば、2種類の高さであってもいいし、4種類以上の高さ
であってもよい。同様の計測を、すべてのテストパター
ンTPについて行うことにより、コマ収差のうち投影光
学系の偏心によって生じている成分と、同心円上に共通
な成分とを振り分けることができる。
【0071】<像面湾曲・非点収差>像面湾曲は、図1
5(a)に示すテストパターンTPによる各像高での焦
点位置が、縦方向に異なるという収差である。そのた
め、像面湾曲があると、マスクの同じ線幅のラインアン
ドスペースマークLSのベストフォーカス位置が、像高
によって縦方向に異なるという現象として観察される。
図15(a)に示すテストパターンTPの角度位置に対
応して、図15(b)のラインアンドスペースマークL
Sのうち、同じ線幅を持つメリジオナル方向のマークL
Sとサジタル方向のマークLSを選択し、Zθテーブル
を少しずつ上下にずらして、コントラストを計測し、メ
リジオナル方向で最大のコントラストになるZ方向位置
と、サジタル方向で最大のコントラストになるZ方向位
置との中央位置を算出し、これをベストフォーカス位置
として像面湾曲の指標とする。
【0072】一方、非点収差は、メリジオナル方向での
焦点位置とサジタル方向での焦点位置が、縦方向に異な
るという収差である。そのため、非点収差があると、図
15(b)のラインアンドスペースマークLSのうち、
ピッチ方向が90度異なる方向のマークどうしのベスト
フォーカス位置、つまりピッチ方向が0度と90度のマ
ークどうし、あるいはピッチ方向が45度と135度の
マークどうしのベストフォーカス位置が異なるという現
象として観察される。像面湾曲の計測と同一の計測を行
い、メリジオナル方向で最大のコントラストになるZ方
向位置と、サジタル方向で最大のコントラストになるZ
方向位置との差を算出し、非点収差の指標とする。
【0073】<歪曲収差・倍率誤差>歪曲収差は、各像
高での焦点位置の横ずれ量と、その像高との比率が、像
高によって異なるという収差である。そのため、歪曲収
差あるいは倍率誤差があると、図15(a)に示すテス
トパターンTPを投影光学系を通して結像させたとき
に、投影光学系が無収差であるときの結像位置からの横
方向への位置ずれとして観察される。図15(a)に示
す各テストパターンTPについて同じ線幅の各方向のラ
インアンドスペースマークLSに結像位置の平均位置の
位置ずれ量を求め、像高に比例する成分と設計倍率との
差を倍率誤差の指標とし、像高に比例する成分を引いた
残りを歪曲収差の指標とする。
【0074】<フォーカス位置>ラインアンドスペース
マークLSの空間像の強度分布I(x)は、ベストフォ
ーカス位置で最大のコントラストをとり、ベストフォー
カス位置をはずすとコントラストが落ちる。そこでZθ
テーブルを微小に上下させたそれぞれの位置で、同一の
ラインアンドスペースマークを計測し、コントラストが
最大になる位置を探索し、ベストフォーカス位置の指標
とする。
【0075】<テレセントリシティの誤差>テレセント
リシティとは、投影光学系のNA(開口数)にて像点に
集光する円錐状の結像光束が、光軸に対してどの程度倒
れているかを表す角度量である。通常、投影光学系は像
面内全ての像点での結像光束が、光軸に対し平行となる
ような像側テレセントリックとなっている。像側テレセ
ントリックとする理由としては、結像面内の解像力変化
がないといった特徴が挙げられる。また、マスクを照明
する照明光学系の照明光束に対しても、同様の定義がな
されている。照明光束はマスクの照明対象領域を均一に
照明するが、パターンがない素通しのマスクを想定する
と、開口数NAiにて像点に集光する円錐状の照明光束
が光軸に対してどの程度倒れているかを表す角度量とし
て、照明光束のテレセントリシティを定義できる。この
ように、2つのテレセントリシティが定義されるため、
結像光束についてのテレセントリシティを結像テレセン
トリシティと呼び、照明光束にについてのテレセントリ
シティを照明テレセントリシティと呼び区別し、合わせ
て像側テレセントリシティ特性という性能指標で呼ぶ。
【0076】前述したとおり、結像テレセントリシティ
は、ほぼ像面側でテレセントリック、つまり全ての円錐
状の結像光束が光軸に平行になっているが、照明テレセ
ントリシティも、結像テレセントリシティと同じく、テ
レセントリックであることが望まれる。それは、照明テ
レセントリシティがテレセントリックからずれている
と、焦点位置よりもウエハがZ方向にずれた際(デフォ
ーカスの際)に、像の位置ズレとなって現れ、像面全体
ではディストーション悪化が生じたのと同様の振る舞い
となるためである。半導体露光装置の投影光学系におい
ては、歪曲収差が非常によいことが要求されており、少
なくとも焦点深度内での歪曲収差の悪化は許容値内に抑
える必要がある。したがって、図15(a)に示すテス
トマスクTMについて、例えば中心の一ケ所で、一つの
線幅のラインアンドスペースマークLSを選択し、Zθ
テーブルを微小に上下させて、それぞれの場所で位置ず
れ量を計測することにより、テレセントリシティ誤差の
指標とする。
【0077】また、本実施例では空間像計測系が投影光
学装置本体に付設されているので、空間像の測定を定期
的に行うことにより、上述の各種収差(球面収差、コマ
収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差)、フォーカス位
置の誤差、テレセントリシティの誤差の経時変化を計測
する。さらに、水銀ランプあるいはエキシマレーザ照射
による、各種収差(球面収差、コマ収差、像面湾曲、非
点収差、ディストーション)、倍率誤差、フォーカス位
置、テレセントリシティの誤差の変動を計測することも
できる。
【0078】
【発明の効果】本発明により、フーリエ級数展開の1次
成分のみによる位相検出による評価よりも、レジスト像
により近い形で空間像を評価することができる。また、
フーリエ変換面での係数を選択することによって、取り
込んだデータよりノイズの影響を除去することができ、
したがってスライスレベル中点などの検出精度を上げる
ことができる。
【0079】また本発明による処理後の空間像強度分布
は、単なる離散データではなく、ノイズ成分が除去され
たフーリエ級数として与えられるため、各種ソフトウエ
ア処理が容易で、かつ高精度の処理をすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体露光装置の一例を示す構成図
【図2】結像性能評価装置の一例を示す構成図
【図3】(a)ラインアンドスペースマークを示す平面
図、(b)ラインアンドスペースマークの空間像の強度
分布を示す概念図、及び(c)ナイフエッジパターンを
示す平面図
【図4】(a)フォトマルチプライヤの出力変化を示す
図、(b)露光量モニタの出力変化を示す図、(c)ウ
エハステージの位置変化を示す図、及び(d)補正後の
フォトマルチプライヤの出力変化を示す図
【図5】第1実施例の手法に適用するときの、ラインア
ンドスペースマークの空間像の強度分布のシミュレーシ
ョンの一例を示す図
【図6】図5に示す強度分布のフーリエ級数展開係数の
値を示す図
【図7】第1実施例の手法に適用するときの、ラインア
ンドスペースマークの空間像の強度分布の一例を示す図
【図8】図7に示す強度分布のフーリエ級数展開係数の
値を示す図
【図9】図8に示す係数のうちの特定の次数の係数のみ
を採用して再現されるラインアンドスペースマークの空
間像の強度分布を示す図
【図10】第2実施例の手法に適用するときの、ライン
アンドスペースマークの空間像の強度分布のシミュレー
ションの一例を示す図
【図11】図10に示す強度分布のフーリエ級数展開係
数の値を示す図
【図12】第2実施例の手法に適用するときの、ライン
アンドスペースマークの空間像の強度分布の一例を示す
【図13】図12に示す強度分布のフーリエ級数展開係
数の値を示す図
【図14】図13に示す係数のうちの特定の次数の係数
のみを採用して再現されるラインアンドスペースマーク
の空間像の強度分布を示す図
【図15】テストマスクを示す平面図
【図16】コマ収差に応じて、位相ずれとスライスレベ
ルの中点とが異なることを説明する図
【符号の説明】
1…光源 2…楕円鏡 3…コリメータレンズ 4…フライアイレン
ズ 5…開口絞り 6…ハーフミラー 7…リレーレンズ系前群 8…マスクブライン
ド 9…リレーレンズ系後群 10…折り曲げミラ
ー 11…コンデンサーレンズ 12…マスクステー
ジ 13…集光レンズ 14…露光量モニタ 15…投影光学系 16…ウエハステー
ジ 17…ウエハホルダ 18…ウエハステー
ジ干渉計 19…オートフォーカス 20…指標パターン
板 21…第1リレーレンズ系前群レンズ 22…反射ミラー 23…拡散板 24…第1リレーレンズ系後群レンズ 25…ライトガイド 26…反射ミラー 27…第2リレーレンズ系前群レンズ 28…第2リレーレンズ系後群レンズ 29…フォトマルチプライヤ 30…処理装置 M…マスク W…ウエハ LS…ラインアンドスペースマーク L…ライン KE…ナイフエッジ TM…テストマスク TP…テストパター
ン AM…アライメントマーク

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】結像光学系によってラインアンドスペース
    マークの空間像を形成し、該空間像の強度分布をフーリ
    エ級数に展開し、該フーリエ級数の係数に基づいて前記
    結像光学系の結像性能を評価する方法において、 前記フーリエ級数の係数のうち、前記空間像の空間周波
    数に対応する次数とその整数倍の次数の係数を採用し、
    該採用された係数に基づいて前記空間像の強度分布を再
    生する工程を含むことを特徴とする結像性能の評価方
    法。
  2. 【請求項2】前記フーリエ級数の係数のうち、前記空間
    像の空間周波数に対応する次数とその整数倍の次数の係
    数を採用し、残余の次数の係数を0とすることを特徴と
    する請求項1記載の結像性能の評価方法。
  3. 【請求項3】前記空間像の範囲の複数倍を範囲として前
    記フーリエ級数展開を行い、 前記フーリエ級数の係数のうち、前記空間像の空間周波
    数に対応する次数とその整数倍の次数の係数と、前記空
    間像の範囲をピッチとする空間周波数に対応する次数と
    その整数倍の次数とを除外した次数の係数とを採用し、
    残余の係数を0とすることを特徴とする請求項1記載の
    結像性能の評価方法。
  4. 【請求項4】前記再生された強度分布に基づいて、前記
    空間像を評価すべき指標を求める工程を更に含むことを
    特徴とする請求項1、2又は3記載の結像性能の評価方
    法。
  5. 【請求項5】空間像を評価すべき前記指標は、空間像の
    コントラスト、スライスレベルの中点の理想結像位置か
    らのずれ、複数のスライスレベルによって定められる各
    中点を結ぶ方向の光軸からの倒れ、一端側のライン像と
    他端側のライン像とのスライス幅の差のうちの少なくと
    も1つであることを特徴とする請求項4記載の結像性能
    の評価方法。
  6. 【請求項6】結像光学系の前記結像性能は、結像光学系
    の球面収差、コマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収
    差、焦点位置誤差、テレセントリシティ誤差のうちの少
    なくとも1つであることを特徴とする請求項1〜5のい
    ずれか1項記載の結像性能の評価方法。
  7. 【請求項7】前記結像光学系は、半導体露光装置に使用
    される投影光学系であることを特徴とする請求項1〜6
    のいずれか1項記載の結像性能の評価方法。
  8. 【請求項8】結像光学系によって形成されるラインアン
    ドスペースマークの空間像の強度分布をフーリエ級数に
    展開し、該フーリエ級数の係数に基づいて前記結像光学
    系の結像性能を評価する結像性能評価装置において、 前記フーリエ級数の係数のうち、前記空間像の空間周波
    数に対応する次数とその整数倍の次数の係数を採用し、
    該採用された係数に基づいて前記空間像の強度分布を再
    生し、該再生された強度分布に基づいて前記空間像を評
    価すべき指標を求め、該指標によって前記結像光学系の
    結像性能を評価することを特徴とする結像性能評価装
    置。
  9. 【請求項9】原版上のパターンを照明する照明光学系
    と、前記パターンの像を基板上の感光面に転写する投影
    光学系と、該投影光学系によって形成されるラインアン
    ドスペースマークの空間像の強度分布をフーリエ級数に
    展開し、該フーリエ級数の係数に基づいて前記結像光学
    系の結像性能を評価する結像性能評価装置とを備えた半
    導体露光装置において、 前記結像性能評価装置は、前記フーリエ級数の係数のう
    ち、前記空間像の空間周波数に対応する次数とその整数
    倍の次数の係数を採用し、該採用された係数に基づいて
    前記空間像の強度分布を再生し、該再生された強度分布
    に基づいて前記空間像を評価すべき指標を求め、該指標
    によって前記結像光学系の結像性能を評価することを特
    徴とする半導体露光装置。
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