JP2000174361A - 液晶パネルの製造方法、露光方法及び露光装置 - Google Patents
液晶パネルの製造方法、露光方法及び露光装置Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 液晶パネル上のＭＩＭ素子をフォトリソグラ
フィー法で形成する際に、各層のパターンのマスクのつ
なぎ目が各層毎にずれるように露光していく。 【効果】フォトマスクの製造ばらつきによるマスク間の
パターン寸法差をなくすことができるので、ＭＩＭ素子
のパターン寸法が一定になる。従ってＭＩＭ素子容量を
一定にすることができるため、素子に書き込まれる実効
電圧も均一になり、液晶パネルの画面内のコントラスト
むらが解消される。
フィー法で形成する際に、各層のパターンのマスクのつ
なぎ目が各層毎にずれるように露光していく。 【効果】フォトマスクの製造ばらつきによるマスク間の
パターン寸法差をなくすことができるので、ＭＩＭ素子
のパターン寸法が一定になる。従ってＭＩＭ素子容量を
一定にすることができるため、素子に書き込まれる実効
電圧も均一になり、液晶パネルの画面内のコントラスト
むらが解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＩＭ液晶パネルに用
いるＭＩＭ素子の製造方法に関する。
いるＭＩＭ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＭＩＭ素子製造方法としては”
Ｄａｖｉｄ Ｒ． Ｂａｒａｆｆ ｅｔ ａｌ．，ＳＩ
Ｄ’８０ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐ２００〜２０１， １９
８０”に示されているようにフォトリソグラフィーを用
いてパターン形成を行っていた。露光方式としては、露
光装置の発達過程と同期するかたちでコンタクト方式、
プロキシミティー方式が主に使用されていた。近年、露
光機メーカーから液晶パネル製造用途としてミラープロ
ジェクション方式やステッパー方式の装置が供給される
ようになり、これらの装置によりＴＦＴ、ＭＩＭなどを
使用したアクティブマトリックス液晶パネルが製造でき
るようになった。しかしながら高精細、大画面化といっ
た市場からの要求に応えるためには、コンタクト、プロ
キシミティー、ミラープロジェクションといった露光方
式ではＭＩＭ液晶パネルの高精細化、大画面化が装置性
能上、制限されるという欠点があった。具体的には、コ
ンタクト方式、プロキシミティー方式は大型化には対応
できるものの、高精細という観点では解像度が不十分な
ため微細なパターン形成ができず、加えてフォトマスク
とワーク基板が接触または近接するためにゴミによるパ
ターン不良が発生するなど歩留りが悪いという欠点があ
った。一方ミラープロジェクション方式はミラーなどの
装置を構成する光学系部品の精度的な問題から大型化に
限界がある。ステッパーによる逐次露光方式はレンズの
解像度が高く高精細化が可能な上、露光ステップ数を増
やし大画面化に対応できることから、レンズなどの光学
系部品で高精細、大画面化が制限されるといった問題は
ない。
Ｄａｖｉｄ Ｒ． Ｂａｒａｆｆ ｅｔ ａｌ．，ＳＩ
Ｄ’８０ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐ２００〜２０１， １９
８０”に示されているようにフォトリソグラフィーを用
いてパターン形成を行っていた。露光方式としては、露
光装置の発達過程と同期するかたちでコンタクト方式、
プロキシミティー方式が主に使用されていた。近年、露
光機メーカーから液晶パネル製造用途としてミラープロ
ジェクション方式やステッパー方式の装置が供給される
ようになり、これらの装置によりＴＦＴ、ＭＩＭなどを
使用したアクティブマトリックス液晶パネルが製造でき
るようになった。しかしながら高精細、大画面化といっ
た市場からの要求に応えるためには、コンタクト、プロ
キシミティー、ミラープロジェクションといった露光方
式ではＭＩＭ液晶パネルの高精細化、大画面化が装置性
能上、制限されるという欠点があった。具体的には、コ
ンタクト方式、プロキシミティー方式は大型化には対応
できるものの、高精細という観点では解像度が不十分な
ため微細なパターン形成ができず、加えてフォトマスク
とワーク基板が接触または近接するためにゴミによるパ
ターン不良が発生するなど歩留りが悪いという欠点があ
った。一方ミラープロジェクション方式はミラーなどの
装置を構成する光学系部品の精度的な問題から大型化に
限界がある。ステッパーによる逐次露光方式はレンズの
解像度が高く高精細化が可能な上、露光ステップ数を増
やし大画面化に対応できることから、レンズなどの光学
系部品で高精細、大画面化が制限されるといった問題は
ない。
【０００３】しかし逐次露光方式で大画面をダイのつな
ぎによって露光をした場合、各ダイ毎に液晶パネル完成
後にコントラストがばらつくという欠点が発生した。い
わゆる「ブロック分かれ」となって液晶パネルの表示品
位を悪くする。この点が逐次露光方式を用いる場合の最
大の問題点であった。
ぎによって露光をした場合、各ダイ毎に液晶パネル完成
後にコントラストがばらつくという欠点が発生した。い
わゆる「ブロック分かれ」となって液晶パネルの表示品
位を悪くする。この点が逐次露光方式を用いる場合の最
大の問題点であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は逐次露光方式
を用いて基板上に均一なＭＩＭ素子を形成することによ
って「ブロック分かれ」といった表示品位の悪化を防止
する点にある。
を用いて基板上に均一なＭＩＭ素子を形成することによ
って「ブロック分かれ」といった表示品位の悪化を防止
する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＩＭ素子の製
造方法は、前記課題を解決するため以下の様な特徴を有
する。
造方法は、前記課題を解決するため以下の様な特徴を有
する。
【０００６】（１）フォトリソグラフィーを用いたＭＩ
Ｍの製造方法において、少なくとも画面部分のＭＩＭ素
子パターンを逐次露光方式により形成することを特徴と
する。
Ｍの製造方法において、少なくとも画面部分のＭＩＭ素
子パターンを逐次露光方式により形成することを特徴と
する。
【０００７】（２）第１項記載の逐次露光方式によりＭ
ＩＭ素子パターンを形成する製造方法において、少なく
とも画面部分のＭＩＭ素子パターンを各層毎に同一のフ
ォトマスクにより形成することを特徴とする。
ＩＭ素子パターンを形成する製造方法において、少なく
とも画面部分のＭＩＭ素子パターンを各層毎に同一のフ
ォトマスクにより形成することを特徴とする。
【０００８】（３）第１項記載の逐次露光方式における
各ダイのつなぎ位置をＭＩＭ素子パターンを構成する各
層毎にずらすことを特徴とする。
各ダイのつなぎ位置をＭＩＭ素子パターンを構成する各
層毎にずらすことを特徴とする。
【０００９】（４）第１項記載の逐次露光方式における
各ダイのつなぎめがＭＩＭ素子を形成するパターンより
ずらした位置に有するを特徴とする第１項記載のＭＩＭ
素子の製造方法。
各ダイのつなぎめがＭＩＭ素子を形成するパターンより
ずらした位置に有するを特徴とする第１項記載のＭＩＭ
素子の製造方法。
【００１０】
【作用】ＭＩＭ液晶パネルでは図５に示すように液晶層
とＭＩＭ素子が直列に配置され、この系に印加される駆
動電圧は液晶層とＭＩＭ素子の容量比で次式のように分
割される。
とＭＩＭ素子が直列に配置され、この系に印加される駆
動電圧は液晶層とＭＩＭ素子の容量比で次式のように分
割される。
【００１１】
【数１】
【００１２】ＭＩＭ素子のパターン寸法の変化によりＭ
ＩＭ素子容量が変化するため、ＭＩＭ素子へ印加される
電圧が変化することになる。
ＩＭ素子容量が変化するため、ＭＩＭ素子へ印加される
電圧が変化することになる。
【００１３】従ってＭＩＭ素子のＯＮ抵抗がのばらつき
となって液晶層に書き込まれる実効電圧をばらつかせる
ため、液晶の動作状態が変化し液晶パネルの画面内にコ
ントラストのむらを生じる。従って逐次露光方式におい
ては各ダイ毎のＭＩＭ素子寸法の変化を如何に抑えるか
が重要となる。画面部分を同一のフォトマスクで露光す
ることによりフォトマスクの製造ばらつきによるマスク
間のパターン寸法差をなくし、さらに各ダイのつなぎ目
位置を各層毎にずらすことによって、ＭＩＭ素子を形成
する各電極の寸法が変化する位置がずれるため「ブロッ
ク分かれ」を抑えることができる。
となって液晶層に書き込まれる実効電圧をばらつかせる
ため、液晶の動作状態が変化し液晶パネルの画面内にコ
ントラストのむらを生じる。従って逐次露光方式におい
ては各ダイ毎のＭＩＭ素子寸法の変化を如何に抑えるか
が重要となる。画面部分を同一のフォトマスクで露光す
ることによりフォトマスクの製造ばらつきによるマスク
間のパターン寸法差をなくし、さらに各ダイのつなぎ目
位置を各層毎にずらすことによって、ＭＩＭ素子を形成
する各電極の寸法が変化する位置がずれるため「ブロッ
ク分かれ」を抑えることができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に基づく実施例を順を追って
説明していく。
説明していく。
【００１５】ガラスなどの絶縁基板上に、ＭＩＭ素子の
ベース電極パターンと信号ラインとなる、例えばタンタ
ルなどをスパッタ法により成膜する。次に該タンタル膜
上にフォトレジストを塗布し、図１に示すように画面部
分を第一層目のパターンの同一フォトマスクの繰り返し
によって逐次露光する。画面部分以外は複数のマスクに
割付て露光しても問題ない。
ベース電極パターンと信号ラインとなる、例えばタンタ
ルなどをスパッタ法により成膜する。次に該タンタル膜
上にフォトレジストを塗布し、図１に示すように画面部
分を第一層目のパターンの同一フォトマスクの繰り返し
によって逐次露光する。画面部分以外は複数のマスクに
割付て露光しても問題ない。
【００１６】ここでフォトマスクは、例えばポジプロセ
ス法や多重露光法によってパターン寸法の変動が画面内
で極力少ないものを用いる。通常逐次露光方式に対応し
たフォトマスクは図４のように各パターン群周辺を遮光
帯と呼ばれる１．５〜５ｍｍ幅のＣｒパターンで囲まれ
ており、繰り返しパターンである画面内と遮光帯近傍で
はパターン寸法が変動している。これを解決するために
はポジプロセス法や多重露光法が有効である。
ス法や多重露光法によってパターン寸法の変動が画面内
で極力少ないものを用いる。通常逐次露光方式に対応し
たフォトマスクは図４のように各パターン群周辺を遮光
帯と呼ばれる１．５〜５ｍｍ幅のＣｒパターンで囲まれ
ており、繰り返しパターンである画面内と遮光帯近傍で
はパターン寸法が変動している。これを解決するために
はポジプロセス法や多重露光法が有効である。
【００１７】次に、現像、エッチング及びレジスト剥離
を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次に
ＭＩＭ素子の絶縁層としてを陽極酸化法によってベース
電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成
する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルを
スパッタ法により成膜しＭＩＭ素子の結合電極と信号ラ
インの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露
光する。この時、図２のように各ダイが接続される位置
が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パタ
ーンで、ずれるように露光を行うとＭＩＭ素子面積の変
動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくら
べ少なくなる。
を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次に
ＭＩＭ素子の絶縁層としてを陽極酸化法によってベース
電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成
する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルを
スパッタ法により成膜しＭＩＭ素子の結合電極と信号ラ
インの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露
光する。この時、図２のように各ダイが接続される位置
が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パタ
ーンで、ずれるように露光を行うとＭＩＭ素子面積の変
動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくら
べ少なくなる。
【００１８】一方、ダイをつなぐ位置であるが、図３の
ようにＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的に離すこ
とによってつなぎ精度の影響を少なくすることができ
る。
ようにＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的に離すこ
とによってつなぎ精度の影響を少なくすることができ
る。
【００１９】しかる後に現像、エッチング及びレジスト
剥離をおこない、ＭＩＭ素子を完成する。最後に例えば
ＩＴＯをスパッタ法により成膜し、画素電極を形成す
る。
剥離をおこない、ＭＩＭ素子を完成する。最後に例えば
ＩＴＯをスパッタ法により成膜し、画素電極を形成す
る。
【００２０】以上ＭＩＭ素子の形成方法を述べたが、Ｔ
ＦＴでもパターン寸法のばらつきはゲート浮遊容量のば
らつきとなるので、特に中間調を多用するパネルではＭ
ＩＭ同様に「ブロック分かれ」を生じる。従って本発明
はパターン寸法のばらつきを抑える効果が高くその意味
でＴＦＴに対しても有効である。
ＦＴでもパターン寸法のばらつきはゲート浮遊容量のば
らつきとなるので、特に中間調を多用するパネルではＭ
ＩＭ同様に「ブロック分かれ」を生じる。従って本発明
はパターン寸法のばらつきを抑える効果が高くその意味
でＴＦＴに対しても有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本考案は逐次露光方
式の持つ高精度且つ大型化が容易という利点をＭＩＭ素
子の形成に生かす一方、表示部分の各ダイ毎のパターン
寸法の変化を低減し均一な表示を得るという効果を有す
る。本考案によってＭＩＭ液晶パネルに対する高精細
化、大型化という市場の要求に応えることが可能となっ
た。
式の持つ高精度且つ大型化が容易という利点をＭＩＭ素
子の形成に生かす一方、表示部分の各ダイ毎のパターン
寸法の変化を低減し均一な表示を得るという効果を有す
る。本考案によってＭＩＭ液晶パネルに対する高精細
化、大型化という市場の要求に応えることが可能となっ
た。
【図１】 本発明実施例の一つである画面部分のＭＩＭ
素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す
図である。
素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す
図である。
【図２】 本発明実施例の一つである画面部分のダイの
つなぎ位置がＭＩＭ第１層と第２層でずらした状態を示
す図である。
つなぎ位置がＭＩＭ第１層と第２層でずらした状態を示
す図である。
【図３】 本発明実施例の一つであるダイのつなぎ位置
をＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的にずらした状
態を示す図である。
をＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的にずらした状
態を示す図である。
【図４】 逐次露光方式に用いるフォトマスクに用いら
れるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
れるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
【図５】 ＭＩＭ液晶パネルにおけるＭＩＭ素子と液晶
層との電気的な接続状態を示す図である。
層との電気的な接続状態を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月２４日（２０００．２．２
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】液晶パネルの製造方法、露光方法及び露
光装置
光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネルの製造方
法、露光方法及び露光装置に関する。
法、露光方法及び露光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は逐次露光方式
を用いて基板上に均一な層を設けることによって「ブロ
ック分かれ」といった表示品位の悪化を防止する点にあ
る。
を用いて基板上に均一な層を設けることによって「ブロ
ック分かれ」といった表示品位の悪化を防止する点にあ
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶パネルの製
造方法は、第１の層及び第２の層が設けられた基板を有
する液晶パネルの製造方法において、前記第１の層上に
設けられた第１のレジストを逐次露光方式によって複数
の領域に分けて露光する工程と、前記第２の層上に設け
られた第２のレジストを逐次露光方式によって複数の領
域に分けて露光する工程と、を具備し、前記基板の面上
において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる
位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位
置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを
特徴とする。
造方法は、第１の層及び第２の層が設けられた基板を有
する液晶パネルの製造方法において、前記第１の層上に
設けられた第１のレジストを逐次露光方式によって複数
の領域に分けて露光する工程と、前記第２の層上に設け
られた第２のレジストを逐次露光方式によって複数の領
域に分けて露光する工程と、を具備し、前記基板の面上
において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる
位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位
置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを
特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】本発明の露光方法は、基板上の第１の層上
に設けられた第１のレジストを逐次露光方式によって複
数の領域に分けて露光し、前記基板上の第２の層上に設
けられた第２のレジストを逐次露光方式によって複数の
領域に分けて露光し、前記基板の面上において、前記第
１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２
のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平
面的に異なる位置に配置されることを特徴とする。
に設けられた第１のレジストを逐次露光方式によって複
数の領域に分けて露光し、前記基板上の第２の層上に設
けられた第２のレジストを逐次露光方式によって複数の
領域に分けて露光し、前記基板の面上において、前記第
１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２
のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平
面的に異なる位置に配置されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明の露光装置は、基板上の第１の層上
に設けられた第１のレジスト及び前記基板上の第２の層
上に設けられた第２のレジストを露光する露光装置であ
って、前記第１のレジストを逐次露光方式によって複数
の領域に分けて露光し、前記第２のレジストを逐次露光
方式によって複数の領域に分けて露光し、前記基板の面
上において、前記第１のレジストの前記各領域がつなが
る位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる
位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されること
を特徴とする。
に設けられた第１のレジスト及び前記基板上の第２の層
上に設けられた第２のレジストを露光する露光装置であ
って、前記第１のレジストを逐次露光方式によって複数
の領域に分けて露光し、前記第２のレジストを逐次露光
方式によって複数の領域に分けて露光し、前記基板の面
上において、前記第１のレジストの前記各領域がつなが
る位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる
位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されること
を特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】次に、現像、エッチング及びレジスト剥離
を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次に
ＭＩＭ素子の絶縁層として、陽極酸化法によってベース
電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成
する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルを
スパッタ法により成膜しＭＩＭ素子の結合電極と信号ラ
インの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露
光する。この時、図２のように各ダイが接続される位置
が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パタ
ーンで、ずれるように露光を行うとＭＩＭ素子面積の変
動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくら
べ少なくなる。
を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次に
ＭＩＭ素子の絶縁層として、陽極酸化法によってベース
電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成
する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルを
スパッタ法により成膜しＭＩＭ素子の結合電極と信号ラ
インの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露
光する。この時、図２のように各ダイが接続される位置
が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パタ
ーンで、ずれるように露光を行うとＭＩＭ素子面積の変
動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくら
べ少なくなる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】本発明の液晶パネルの製造方法は、逐次
露光方式を用いて大画面を高精細に露光できるととも
に、基板の面上において、第１のレジストの各領域がつ
ながる位置と、第２のレジストの各領域がつながる位置
とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることによ
って、複数の層全体としての寸法のばらつきを抑えるこ
とができ、液晶層に書き込まれる実効電圧のばらつきを
抑えて液晶パネルの表示品位を均一にすることができ
る。また、本発明の露光方法及び露光装置は、逐次露光
方式を用いて大画面を高精細に露光できるとともに、複
数の層全体としての寸法変化を少なく抑えることができ
る。
露光方式を用いて大画面を高精細に露光できるととも
に、基板の面上において、第１のレジストの各領域がつ
ながる位置と、第２のレジストの各領域がつながる位置
とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることによ
って、複数の層全体としての寸法のばらつきを抑えるこ
とができ、液晶層に書き込まれる実効電圧のばらつきを
抑えて液晶パネルの表示品位を均一にすることができ
る。また、本発明の露光方法及び露光装置は、逐次露光
方式を用いて大画面を高精細に露光できるとともに、複
数の層全体としての寸法変化を少なく抑えることができ
る。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明実施例の一つである画面部分のＭＩＭ
素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す
図である。
素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す
図である。
【図２】 本発明実施例の一つである画面部分のダイの
つなぎ位置がＭＩＭ第１層と第２層でずらした状態を示
す図である。
つなぎ位置がＭＩＭ第１層と第２層でずらした状態を示
す図である。
【図３】 本発明実施例の一つであるダイのつなぎ位置
をＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的にずらした状
態を示す図である。
をＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的にずらした状
態を示す図である。
【図４】 逐次露光方式に用いるフォトマスクに用いら
れるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
れるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】削除
Claims (4)
- 【請求項１】 ＭＩＭ素子の製造方法において、少なく
とも画面部分のＭＩＭ素子パターンを逐次露光方式によ
り形成することを特徴とするＭＩＭ素子の製造方法。 - 【請求項２】 逐次露光方式によりＭＩＭ素子パターン
を形成する製造方法において、少なくとも画面部分のＭ
ＩＭ素子パターンを各層毎に同一のフォトマスクにより
形成することを特徴とする請求項１記載のＭＩＭ素子の
製造方法。 - 【請求項３】 逐次露光方式における各ダイのつなぎ位
置をＭＩＭ素子パターンを構成する各層毎にずらすこと
を特徴とする請求項１記載のＭＩＭ素子の製造方法。 - 【請求項４】 逐次露光方式における各ダイのつなぎめ
がＭＩＭ素子を形成するパターンよりずらした位置に有
するを特徴とする請求項１記載のＭＩＭ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019124A JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196793A JPH06222394A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Ｍｉｍ素子の製造方法 |
| JP2000019124A JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196793A Division JPH06222394A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | Ｍｉｍ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003191104A Division JP2003344872A (ja) | 2003-07-03 | 2003-07-03 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174361A true JP2000174361A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3473535B2 JP3473535B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=26347493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019124A Expired - Fee Related JP3473535B2 (ja) | 1993-01-27 | 2000-01-27 | 液晶パネルの製造方法及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473535B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042194A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法およびパターニングデバイス |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019124A patent/JP3473535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042194A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法およびパターニングデバイス |
| US7879514B2 (en) | 2006-08-04 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and patterning device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3473535B2 (ja) | 2003-12-08 |
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