JP2000026139A - 絶縁膜の被覆方法およびそれを用いた画像表示用ガラス基板 - Google Patents
絶縁膜の被覆方法およびそれを用いた画像表示用ガラス基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイやフィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）など、その製造に高温のプ
ロセスがある画像表示装置に好適に用いられる絶縁性基
板を安価に製造する方法を提供する。 【解決手段】 ガラス板表面にＳｉＯ2、シリコン酸窒
化物あるいは窒化シリコンのいずれかの絶縁膜を、シリ
コンをターゲットとする酸素または／および窒素との反
応性スパッタリングにより多層となるように被覆する。
多層に被覆された絶縁膜中の層の界面は、ガラス中から
熱拡散してくるナトリウムイオンのトラップ面となり、
絶縁膜表面へのナトリウムイオンの溶出量が著しく低減
される。
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）など、その製造に高温のプ
ロセスがある画像表示装置に好適に用いられる絶縁性基
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化物あるいは窒化シリコンのいずれかの絶縁膜を、シリ
コンをターゲットとする酸素または／および窒素との反
応性スパッタリングにより多層となるように被覆する。
多層に被覆された絶縁膜中の層の界面は、ガラス中から
熱拡散してくるナトリウムイオンのトラップ面となり、
絶縁膜表面へのナトリウムイオンの溶出量が著しく低減
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス板とりわけ
ナトリウムなどのアルカリ成分が含まれるガラス板の表
面に、アルカリ溶出防止性能を有する絶縁膜を被覆する
方法に関する。また本発明は、プラズマディスプレイや
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）はもち
ろん、液晶ディスプレイなどの製造プロセスに高温のプ
ロセスがある画像表示装置に好適に用いられるガラス基
板に関する。
ナトリウムなどのアルカリ成分が含まれるガラス板の表
面に、アルカリ溶出防止性能を有する絶縁膜を被覆する
方法に関する。また本発明は、プラズマディスプレイや
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）はもち
ろん、液晶ディスプレイなどの製造プロセスに高温のプ
ロセスがある画像表示装置に好適に用いられるガラス基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイを製造するとき、ガラ
ス中のナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分が液晶
セル内に溶出するのを防止するために、ＳｉＯ2の絶縁
膜が０．０４〜０．１５μｍ程度の厚みで被覆されてい
る。このＳｉＯ2膜は、石英ガラスをターゲットとする
高周波スパッタリング法、有機珪素化合物を溶解した溶
液をガラス板表面に塗布加熱してＳｉＯ2膜にする方
法、特開昭６１−６３５４５号公報に記載されている有
機珪素化合物の蒸気を加熱したガラス板に吹き付けるＣ
ＶＤ法（化学的気相法）、特開昭６０−１７６９４７号
公報に記載されている珪フッ化水素酸を用いる方法など
により被覆されている。いずれの方法によっても被覆さ
れたＳｉＯ2膜は、電気絶縁性とともにアルカリ溶出防
止性能を有し、液晶ディスプレイ用のガラス基板として
実用化されている。
ス中のナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分が液晶
セル内に溶出するのを防止するために、ＳｉＯ2の絶縁
膜が０．０４〜０．１５μｍ程度の厚みで被覆されてい
る。このＳｉＯ2膜は、石英ガラスをターゲットとする
高周波スパッタリング法、有機珪素化合物を溶解した溶
液をガラス板表面に塗布加熱してＳｉＯ2膜にする方
法、特開昭６１−６３５４５号公報に記載されている有
機珪素化合物の蒸気を加熱したガラス板に吹き付けるＣ
ＶＤ法（化学的気相法）、特開昭６０−１７６９４７号
公報に記載されている珪フッ化水素酸を用いる方法など
により被覆されている。いずれの方法によっても被覆さ
れたＳｉＯ2膜は、電気絶縁性とともにアルカリ溶出防
止性能を有し、液晶ディスプレイ用のガラス基板として
実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＴＮ液晶ディスプレ
イの製造工程のプロセス温度は、最高温度が３５０℃程
度であるのに対し、プラズマディスプレイやフィールド
エミッションディスプレイなどの内部を減圧空間あるい
は真空空間にする画像表示装置では、２枚のガラス基板
の周辺をガラスフリットの焼結で封止してパネルとする
ため、その製造工程には５００℃あるいはそれ以上の高
温のプロセスがある。
イの製造工程のプロセス温度は、最高温度が３５０℃程
度であるのに対し、プラズマディスプレイやフィールド
エミッションディスプレイなどの内部を減圧空間あるい
は真空空間にする画像表示装置では、２枚のガラス基板
の周辺をガラスフリットの焼結で封止してパネルとする
ため、その製造工程には５００℃あるいはそれ以上の高
温のプロセスがある。
【０００４】しかしながら、上記従来技術によって被覆
されるＳｉＯ2の絶縁膜は、５００℃あるいはそれ以上
の温度の、たとえばガラスフリットの封止工程などを通
ると、ガラス中のアルカリ成分とりわけナトリウムイオ
ンが絶縁膜内に拡散侵入することが知られていた。
されるＳｉＯ2の絶縁膜は、５００℃あるいはそれ以上
の温度の、たとえばガラスフリットの封止工程などを通
ると、ガラス中のアルカリ成分とりわけナトリウムイオ
ンが絶縁膜内に拡散侵入することが知られていた。
【０００５】とくに、上記の熱処理が高温かつ長時間で
あると、アルカリ成分が絶縁膜表面まで拡散溶出し、パ
ネル内部のガラス基板表面に形成される素子の動作に悪
影響を及ぼすおそれが生じることが懸念されていた。
あると、アルカリ成分が絶縁膜表面まで拡散溶出し、パ
ネル内部のガラス基板表面に形成される素子の動作に悪
影響を及ぼすおそれが生じることが懸念されていた。
【０００６】上記問題点を克服するためにＳｉＯ2膜の
厚みを大にすることが試みられたが、厚くすることによ
り膜の内部応力によると考えられるクラックが生じ、か
えって絶縁性能が向上しないことや、厚い膜を被覆する
のに長時間を必要とし、絶縁膜の被覆工程の生産性が低
下するという問題点があった。
厚みを大にすることが試みられたが、厚くすることによ
り膜の内部応力によると考えられるクラックが生じ、か
えって絶縁性能が向上しないことや、厚い膜を被覆する
のに長時間を必要とし、絶縁膜の被覆工程の生産性が低
下するという問題点があった。
【０００７】すなわち、従来技術によりガラス板上にア
ルカリ溶出防止膜として被覆されるＳｉＯ2膜は、高温
の熱処理を受けるとガラス中のアルカリ成分がＳｉＯ2
膜表面まで熱拡散し、絶縁性能が必ずしも十分であると
は言えないという課題があった。
ルカリ溶出防止膜として被覆されるＳｉＯ2膜は、高温
の熱処理を受けるとガラス中のアルカリ成分がＳｉＯ2
膜表面まで熱拡散し、絶縁性能が必ずしも十分であると
は言えないという課題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１は、基板表面に
ＳｉＯ2、シリコン酸窒化物あるいは窒化シリコンのい
ずれかの絶縁膜を、減圧された雰囲気が調整できる真空
装置内でシリコンをターゲットとする酸素または／およ
び窒素との反応性スパッタリングにより多層となるよう
に被覆することを特徴とする絶縁膜の被覆方法である。
ＳｉＯ2、シリコン酸窒化物あるいは窒化シリコンのい
ずれかの絶縁膜を、減圧された雰囲気が調整できる真空
装置内でシリコンをターゲットとする酸素または／およ
び窒素との反応性スパッタリングにより多層となるよう
に被覆することを特徴とする絶縁膜の被覆方法である。
【０００９】請求項２は、請求項１において、スパッタ
リングを２つの近接して配置したカソードにそれぞれシ
リコンターゲットを配設し、一方のカソードを陰極他方
のカソードを陽極とするプラズマ放電と、前記一方のカ
ソードを陽極前記他方のカソードを陰極とするプラズマ
放電とを、交互に生起させる反応性スパッタリングであ
ることを特徴とする。
リングを２つの近接して配置したカソードにそれぞれシ
リコンターゲットを配設し、一方のカソードを陰極他方
のカソードを陽極とするプラズマ放電と、前記一方のカ
ソードを陽極前記他方のカソードを陰極とするプラズマ
放電とを、交互に生起させる反応性スパッタリングであ
ることを特徴とする。
【００１０】請求項３は、アルカリ成分を含有するガラ
ス板の表面に請求項１または請求項２に記載の方法によ
り絶縁膜が被覆され、絶縁膜内の層と層の界面がガラス
板から熱拡散するアルカリ成分のトラップ面となってい
ることを特徴とする画像表示用ガラス基板である。
ス板の表面に請求項１または請求項２に記載の方法によ
り絶縁膜が被覆され、絶縁膜内の層と層の界面がガラス
板から熱拡散するアルカリ成分のトラップ面となってい
ることを特徴とする画像表示用ガラス基板である。
【００１１】請求項４の画像表示用ガラス基板は、請求
項３において、絶縁膜の全厚みを０．５μｍ以上とした
ことを特徴としている。絶縁膜の全厚みを０．５μｍ以
上とすることにより、絶縁膜表面およびその近傍のガラ
ス中のアルカリ溶出量を効果的に低減することができ
る。また、層の数を多くすることにより、絶縁膜表面お
よびその近傍へのアルカリ成分の熱拡散量をより一層低
減することができる。
項３において、絶縁膜の全厚みを０．５μｍ以上とした
ことを特徴としている。絶縁膜の全厚みを０．５μｍ以
上とすることにより、絶縁膜表面およびその近傍のガラ
ス中のアルカリ溶出量を効果的に低減することができ
る。また、層の数を多くすることにより、絶縁膜表面お
よびその近傍へのアルカリ成分の熱拡散量をより一層低
減することができる。
【００１２】請求項５の画像表示用ガラス基板は、請求
項３または請求項４において、絶縁膜の厚みを２μｍ以
下としたことを特徴としている。絶縁膜の全厚みが２μ
ｍを越えて厚くなっても、絶縁膜表面およびその近傍へ
のアルカリ溶出量はさらに効果的に低減されないからで
ある。
項３または請求項４において、絶縁膜の厚みを２μｍ以
下としたことを特徴としている。絶縁膜の全厚みが２μ
ｍを越えて厚くなっても、絶縁膜表面およびその近傍へ
のアルカリ溶出量はさらに効果的に低減されないからで
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明を以下に図面により説明す
る。図１は、本発明の画像表示用ガラス基板８の一実施
例の一部断面図であり、ガラス板６の表面に絶縁膜７が
被覆されている。絶縁膜７は、ＳｉＯ2膜、シリコンの
酸窒化膜あるいは窒化シリコンのいずれかの膜である。
本発明においては、絶縁性能が著しく低下しない範囲で
アルミナ、ジルコニア、チタニアなどの電気絶縁性の金
属酸化物が含まれていてもよい。
る。図１は、本発明の画像表示用ガラス基板８の一実施
例の一部断面図であり、ガラス板６の表面に絶縁膜７が
被覆されている。絶縁膜７は、ＳｉＯ2膜、シリコンの
酸窒化膜あるいは窒化シリコンのいずれかの膜である。
本発明においては、絶縁性能が著しく低下しない範囲で
アルミナ、ジルコニア、チタニアなどの電気絶縁性の金
属酸化物が含まれていてもよい。
【００１４】絶縁膜７は、第１層７ａと第２層７ｂの多
層となるように被覆されている。多層となるように被覆
するには、たとえばプレーナー型のマグネトロンカソー
ドにシリコンのターゲットを貼りつけ、スパッタリング
されるシリコンターゲットの前の空間をガラス板を少な
くとも２回移動通過させながら行うことで達成できる。
通常、ガラス板は、ターゲット前の空間を一定速度で移
動される。またターゲット前方にガラス板を静止させた
状態でスパッタリングを行い、被覆が終了するまでに、
ターゲットとガラス板の間に遮蔽板を挿入して被覆を中
断する方法によっても達成できる。
層となるように被覆されている。多層となるように被覆
するには、たとえばプレーナー型のマグネトロンカソー
ドにシリコンのターゲットを貼りつけ、スパッタリング
されるシリコンターゲットの前の空間をガラス板を少な
くとも２回移動通過させながら行うことで達成できる。
通常、ガラス板は、ターゲット前の空間を一定速度で移
動される。またターゲット前方にガラス板を静止させた
状態でスパッタリングを行い、被覆が終了するまでに、
ターゲットとガラス板の間に遮蔽板を挿入して被覆を中
断する方法によっても達成できる。
【００１５】図２は、本発明の実施に用いた装置の模式
断面図である。排気ポンプ（図示されない）により真空
排気され得る真空槽１内に、矩形状のマグネトロンカソ
ード２Ａが設置され、その表面にシリコンターゲット３
Ａが貼りつけられている。マグネトロンカソード２Ａの
近くに同じ構造のマグネトロンカソード２Ｂが配設さ
れ、その表面にシリコンターゲット３Ｂが貼りつけられ
ている。ガス導入管４、４から酸素が矢印方向に導入さ
れ、所定の減圧雰囲気のもとでシリコンが図２の矢印に
示す下方向にスパッタリングされ、シリコンターゲット
３Ａ、３Ｂの前の空間を搬送装置（図示されない）によ
りガラス板６が移動通過するときに、ガラス板６の表面
にＳｉＯ2膜が被覆される。
断面図である。排気ポンプ（図示されない）により真空
排気され得る真空槽１内に、矩形状のマグネトロンカソ
ード２Ａが設置され、その表面にシリコンターゲット３
Ａが貼りつけられている。マグネトロンカソード２Ａの
近くに同じ構造のマグネトロンカソード２Ｂが配設さ
れ、その表面にシリコンターゲット３Ｂが貼りつけられ
ている。ガス導入管４、４から酸素が矢印方向に導入さ
れ、所定の減圧雰囲気のもとでシリコンが図２の矢印に
示す下方向にスパッタリングされ、シリコンターゲット
３Ａ、３Ｂの前の空間を搬送装置（図示されない）によ
りガラス板６が移動通過するときに、ガラス板６の表面
にＳｉＯ2膜が被覆される。
【００１６】カソード２Ａおよびカソード２Ｂに印加さ
れるシリコンをスパッタリングするための負の電圧は、
数十ＫＨｚの周波数で極性が反転する極性反転電源５か
ら印加される。カソード２Ａを陰極としカソード２Ｂを
陽極とするプラズマ放電と、カソード２Ｂを陰極としカ
ソード２Ａを陽極とするプラズマ放電とを交互に行わせ
て反応性のスパッタリングを行うと、シリコンターゲッ
ト表面に電気絶縁性のシリコン酸化物が生成しても、そ
れによるチャージアップが反転電位による除電作用によ
り抑制され、マイクロスパークが防止される。これによ
りアーキングと呼ばれる異常放電を生じることなく、高
速に電気絶縁性のＳｉＯ2膜を被覆することができる。
れるシリコンをスパッタリングするための負の電圧は、
数十ＫＨｚの周波数で極性が反転する極性反転電源５か
ら印加される。カソード２Ａを陰極としカソード２Ｂを
陽極とするプラズマ放電と、カソード２Ｂを陰極としカ
ソード２Ａを陽極とするプラズマ放電とを交互に行わせ
て反応性のスパッタリングを行うと、シリコンターゲッ
ト表面に電気絶縁性のシリコン酸化物が生成しても、そ
れによるチャージアップが反転電位による除電作用によ
り抑制され、マイクロスパークが防止される。これによ
りアーキングと呼ばれる異常放電を生じることなく、高
速に電気絶縁性のＳｉＯ2膜を被覆することができる。
【００１７】図２の極性反転電源５から電力が供給され
る２つのカソードを用いて多層に被覆するとは、シリコ
ンターゲット３Ａによる被覆とその直後のシリコンター
ゲット３Ｂによる被覆により１層が被覆されることをい
い、これら二つで一組のターゲットの前を２回以上通過
させて被覆することをいう。図２に示すカソードの配置
では、ガラス板の移動を一組のターゲットの前を左から
右へ移動させ、その後右から左へ移動させて２層となる
ように被覆する。また、１組のカソードを真空槽内のガ
ラス板の移動方向に二組以上配設し、ガラス板６の一方
向の移動によっても多層に被覆することができる。
る２つのカソードを用いて多層に被覆するとは、シリコ
ンターゲット３Ａによる被覆とその直後のシリコンター
ゲット３Ｂによる被覆により１層が被覆されることをい
い、これら二つで一組のターゲットの前を２回以上通過
させて被覆することをいう。図２に示すカソードの配置
では、ガラス板の移動を一組のターゲットの前を左から
右へ移動させ、その後右から左へ移動させて２層となる
ように被覆する。また、１組のカソードを真空槽内のガ
ラス板の移動方向に二組以上配設し、ガラス板６の一方
向の移動によっても多層に被覆することができる。
【００１８】多層となるように被覆するには、ターゲッ
トの前を通過し、スパッタリングされた被覆すべき物質
が基板に到達しなくなった後に、次の層の被覆を行うこ
とにより達成される。
トの前を通過し、スパッタリングされた被覆すべき物質
が基板に到達しなくなった後に、次の層の被覆を行うこ
とにより達成される。
【００１９】本発明において、ＳｉＯ2の絶縁膜は、シ
リコンターゲットをアルゴンなどの不活性ガスと酸素の
混合ガスまたは酸素ガスによる反応性スパッタリングに
より被覆することができる。シリコンの酸窒化物の絶縁
膜は、シリコンターゲットをアルゴンなどの不活性ガス
と酸素と窒素の混合ガスまたは酸素と窒素の混合ガスに
よる反応性スパッタリングにより被覆することができ
る。窒化珪素の絶縁膜は、シリコンターゲットをアルゴ
ンなどの不活性ガスと窒素の混合ガスまたは窒素ガスに
よる反応性スパッタリングにより被覆することができ
る。
リコンターゲットをアルゴンなどの不活性ガスと酸素の
混合ガスまたは酸素ガスによる反応性スパッタリングに
より被覆することができる。シリコンの酸窒化物の絶縁
膜は、シリコンターゲットをアルゴンなどの不活性ガス
と酸素と窒素の混合ガスまたは酸素と窒素の混合ガスに
よる反応性スパッタリングにより被覆することができ
る。窒化珪素の絶縁膜は、シリコンターゲットをアルゴ
ンなどの不活性ガスと窒素の混合ガスまたは窒素ガスに
よる反応性スパッタリングにより被覆することができ
る。
【００２０】本発明のスパッタリングは、上記の一つの
極性反転電源で２つのカソード上に設けたターゲットを
交互にスパッタリングする方法が被覆速度が大きく好ま
しいが、一つの高周波電源や直流電源により一つまたは
二つ以上のカソード上に貼りつけられたターゲットをス
パッタリングするいわゆる高周波スパッタリングや直流
スパッタリングを用いることもできる。また、シリコン
ターゲットはボロンなどを少量ドープして導電性にした
ものが、スパッタリングを安定して行う上で好ましい。
極性反転電源で２つのカソード上に設けたターゲットを
交互にスパッタリングする方法が被覆速度が大きく好ま
しいが、一つの高周波電源や直流電源により一つまたは
二つ以上のカソード上に貼りつけられたターゲットをス
パッタリングするいわゆる高周波スパッタリングや直流
スパッタリングを用いることもできる。また、シリコン
ターゲットはボロンなどを少量ドープして導電性にした
ものが、スパッタリングを安定して行う上で好ましい。
【００２１】以下に本発明を実施例と比較例で説明す
る。 （表１、表２説明） １）各層の厚みは、ほぼ同じ厚みに調整した。また膜の
全厚みや層の設定は、シリコンターゲットへの投入電力
を一定にして、ガラス板の移動速度を変えて行った。
２）シリコンの酸窒化物の組成でＳｉＯ96Ｎ4の表示
は、シリコン以外の酸素と窒素に関して、酸素９６原子
％窒素４原子％であることを意味する。 （図３の説明） １）図３において、絶縁膜の表面でのＮａイオンの量
（カウント／秒）は、表面近傍（表面より少し内側のＮ
ａカウント数が最小の位置）よりもかえって多い。これ
は、外部雰囲気からの汚染、試料の取り扱いによる汚
染、基板の切断断面からの回り込みなどによる汚染の影
響による。表１、表２、表３のＮａカウント数は、図３
の表面汚染の影響を受けていない表面から少し内部の最
もカウント数が小さい位置における値で表示した。
る。 （表１、表２説明） １）各層の厚みは、ほぼ同じ厚みに調整した。また膜の
全厚みや層の設定は、シリコンターゲットへの投入電力
を一定にして、ガラス板の移動速度を変えて行った。
２）シリコンの酸窒化物の組成でＳｉＯ96Ｎ4の表示
は、シリコン以外の酸素と窒素に関して、酸素９６原子
％窒素４原子％であることを意味する。 （図３の説明） １）図３において、絶縁膜の表面でのＮａイオンの量
（カウント／秒）は、表面近傍（表面より少し内側のＮ
ａカウント数が最小の位置）よりもかえって多い。これ
は、外部雰囲気からの汚染、試料の取り扱いによる汚
染、基板の切断断面からの回り込みなどによる汚染の影
響による。表１、表２、表３のＮａカウント数は、図３
の表面汚染の影響を受けていない表面から少し内部の最
もカウント数が小さい位置における値で表示した。
【００２２】実施例１ 図２に示す装置でボロンが約０．０２重量％含有するシ
リコンターゲットを用意し、ＳｉＯ2膜を反応ガスとし
て酸素を用いるスパッタリング法で、よく洗浄したソー
ダ石灰シリカ組成のガラス板に被覆した。このガラスは
アルカリ成分としてＮａ2Ｏを約１３重量％、Ｋ2Ｏを約
０．３重量％含有している。ガラス板を図２の一組のシ
リコンターゲットの前を１回往復させて２層の被覆とし
た。スパッタ電圧は２９５Ｖ、スパッタ電力はターゲッ
トの単位面積当たり５Ｗ／ｃｍ2の一定とした。雰囲気
ガス、被覆速度、層の数についての条件を、表１の実施
例１の欄に示す。被覆時のガラス板はとくに加熱を行わ
なかった。
リコンターゲットを用意し、ＳｉＯ2膜を反応ガスとし
て酸素を用いるスパッタリング法で、よく洗浄したソー
ダ石灰シリカ組成のガラス板に被覆した。このガラスは
アルカリ成分としてＮａ2Ｏを約１３重量％、Ｋ2Ｏを約
０．３重量％含有している。ガラス板を図２の一組のシ
リコンターゲットの前を１回往復させて２層の被覆とし
た。スパッタ電圧は２９５Ｖ、スパッタ電力はターゲッ
トの単位面積当たり５Ｗ／ｃｍ2の一定とした。雰囲気
ガス、被覆速度、層の数についての条件を、表１の実施
例１の欄に示す。被覆時のガラス板はとくに加熱を行わ
なかった。
【００２３】得られたサンプルを大気中で５００℃２時
間の熱処理をした。この熱処理により絶縁膜内に拡散し
たＮａイオンをＳＩＭＳ（２次イオン質量分離スペクト
ル分析法）の深さ方向の濃度プロファイルで測定した。
測定条件は下記の通りとし、得られた結果を表１にＮａ
イオン強度（カウント数／秒）で示した。 （ＳＩＭＳ分析） 一次イオン源：ＯX（３ＫＶ、２００ｎＡ） 分析領域：３００μｍ角（正方形） 検出二次イオン：Ｎａ+イオン 電子銃による電荷補正：有り
間の熱処理をした。この熱処理により絶縁膜内に拡散し
たＮａイオンをＳＩＭＳ（２次イオン質量分離スペクト
ル分析法）の深さ方向の濃度プロファイルで測定した。
測定条件は下記の通りとし、得られた結果を表１にＮａ
イオン強度（カウント数／秒）で示した。 （ＳＩＭＳ分析） 一次イオン源：ＯX（３ＫＶ、２００ｎＡ） 分析領域：３００μｍ角（正方形） 検出二次イオン：Ｎａ+イオン 電子銃による電荷補正：有り
【００２４】表１の実施例１の欄に示すように、このサ
ンプルの絶縁膜の表面近傍のＮａ強度は、７５００カウ
ント／秒で、後述する表３のガラス中のＮａイオン強度
のほぼ０．２１％であった。すなわち熱処理をうけて
も、絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの量は、ガラス中の
Ｎａイオンの量の約１０００分の２に維持されているこ
とが分かった。
ンプルの絶縁膜の表面近傍のＮａ強度は、７５００カウ
ント／秒で、後述する表３のガラス中のＮａイオン強度
のほぼ０．２１％であった。すなわち熱処理をうけて
も、絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの量は、ガラス中の
Ｎａイオンの量の約１０００分の２に維持されているこ
とが分かった。
【００２５】この量は、後述する全厚みが同じで、かつ
単層となるように被覆した比較例１のサンプルのＮａイ
オンの量の６２．５％であって、２層となるように被覆
することにより、絶縁膜表面近傍へのＮａイオンの溶出
量が低減していることが分かる。すなわち２層となるよ
うに被覆することにより、絶縁膜のアルカリ溶出防止能
が向上することが分かった。
単層となるように被覆した比較例１のサンプルのＮａイ
オンの量の６２．５％であって、２層となるように被覆
することにより、絶縁膜表面近傍へのＮａイオンの溶出
量が低減していることが分かる。すなわち２層となるよ
うに被覆することにより、絶縁膜のアルカリ溶出防止能
が向上することが分かった。
【００２６】実施例２ 実施例１とは、絶縁膜の全厚みを０．５μｍに変えた以
外は同じようにして絶縁膜を被覆し、５００℃２時間の
熱処理を行ったサンプルについて絶縁膜の表面近傍のＮ
ａイオンの量を測定した。結果を表２に示す。絶縁膜の
表面近傍のＮａイオンの量は９００カウント／秒で、ガ
ラス中のＮａイオンの量の０．０２６％であった。この
値は、後述する比較例２の単層となるように被覆した絶
縁膜の２０％であり、絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの
量は、単層で被覆したものに較べて著しく低減している
ことが分かった。また、この値は、使用したガラス中に
含まれるＮａイオンが約１３％であることを考慮する
と、０．００３４重量％に相当する量であり、無アルカ
リガラスの表面と同等またはそれ以下のＮａイオンの量
であると考えられる。
外は同じようにして絶縁膜を被覆し、５００℃２時間の
熱処理を行ったサンプルについて絶縁膜の表面近傍のＮ
ａイオンの量を測定した。結果を表２に示す。絶縁膜の
表面近傍のＮａイオンの量は９００カウント／秒で、ガ
ラス中のＮａイオンの量の０．０２６％であった。この
値は、後述する比較例２の単層となるように被覆した絶
縁膜の２０％であり、絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの
量は、単層で被覆したものに較べて著しく低減している
ことが分かった。また、この値は、使用したガラス中に
含まれるＮａイオンが約１３％であることを考慮する
と、０．００３４重量％に相当する量であり、無アルカ
リガラスの表面と同等またはそれ以下のＮａイオンの量
であると考えられる。
【００２７】この熱処理を施したサンプルについて、絶
縁膜の断面方向のＮａイオンの拡散状態をＳＩＭＳ分析
により測定した。結果を図３に、後述する比較例２（単
層となるように被覆）で得られたサンプルの５００℃２
時間の熱処理を施したサンプルとともに示す。図３
（ａ）の２層となるように被覆した実施例２の絶縁膜で
は、層の境界面でＮａイオンの強度のピークが認められ
た。ガラスから絶縁膜内に熱拡散したＮａイオンは、こ
の層の境界面でトラップされ、この層の境界は、絶縁膜
の表面側の第２の層内へのＮａイオンの侵入拡散を抑制
していることが分かる。
縁膜の断面方向のＮａイオンの拡散状態をＳＩＭＳ分析
により測定した。結果を図３に、後述する比較例２（単
層となるように被覆）で得られたサンプルの５００℃２
時間の熱処理を施したサンプルとともに示す。図３
（ａ）の２層となるように被覆した実施例２の絶縁膜で
は、層の境界面でＮａイオンの強度のピークが認められ
た。ガラスから絶縁膜内に熱拡散したＮａイオンは、こ
の層の境界面でトラップされ、この層の境界は、絶縁膜
の表面側の第２の層内へのＮａイオンの侵入拡散を抑制
していることが分かる。
【００２８】一方、図３（ｂ）の比較例２の単層となる
ように被覆された絶縁膜は、このようなトラップ面がな
いので、絶縁膜の表面近傍へより多くのＮａイオンが拡
散していることが分かる。
ように被覆された絶縁膜は、このようなトラップ面がな
いので、絶縁膜の表面近傍へより多くのＮａイオンが拡
散していることが分かる。
【００２９】実施例３〜実施例７ 表１に示すように、実施例１とは全厚みと層の数を変え
た他は全く同じ方法により、ＳｉＯ2膜の絶縁膜を被覆
したサンプルを作製した。そのサンプルを５００℃２時
間の熱処理をした後の絶縁膜の表面におけるＮａイオン
の量を測定した結果を表１に示す。
た他は全く同じ方法により、ＳｉＯ2膜の絶縁膜を被覆
したサンプルを作製した。そのサンプルを５００℃２時
間の熱処理をした後の絶縁膜の表面におけるＮａイオン
の量を測定した結果を表１に示す。
【００３０】実施例２および実施例３から、実施例４お
よび実施例５から、全厚みが同じであっても層数が増加
することにより、絶縁膜表面に熱拡散により溶出するＮ
ａイオンの量が低減することが分かる。これは層境界が
増加して、これによりトラップされるＮａイオンの量が
増えたことによると考えられた。
よび実施例５から、全厚みが同じであっても層数が増加
することにより、絶縁膜表面に熱拡散により溶出するＮ
ａイオンの量が低減することが分かる。これは層境界が
増加して、これによりトラップされるＮａイオンの量が
増えたことによると考えられた。
【００３１】また、実施例１、実施例２および実施例４
から全厚みが大きくなると絶縁膜の表面近傍でのＮａイ
オンの量は低減し、とりわけ０．２μｍから０．５μｍ
になると、絶縁膜表面へのアルカリ溶出量が急激に低減
することが分かる。
から全厚みが大きくなると絶縁膜の表面近傍でのＮａイ
オンの量は低減し、とりわけ０．２μｍから０．５μｍ
になると、絶縁膜表面へのアルカリ溶出量が急激に低減
することが分かる。
【００３２】実施例４と後述する比較例３とから、絶縁
膜の全厚みが１．０μｍの場合でも、絶縁膜の表面にお
けるＮａイオンの量は、多層となるように被覆すること
により、単層となるように被覆したものの１３．６％に
低減することが分かった。
膜の全厚みが１．０μｍの場合でも、絶縁膜の表面にお
けるＮａイオンの量は、多層となるように被覆すること
により、単層となるように被覆したものの１３．６％に
低減することが分かった。
【００３３】実施例８〜実施例１１ 図２に示す装置を用いて、２つのシリコンターゲットを
酸素と窒素の混合ガスを反応ガスとするスパッタリング
により、シリコンの酸窒化物の絶縁膜をソーダライムシ
リカ組成のガラス板上に被覆し、この膜を５００℃２時
間の熱処理を施し、それについて、絶縁膜表面近傍にお
けるＮａイオンの量を、実施例１と同じように測定した
結果を表１に示す。いずれのサンプルも２５０〜３００
カウント／秒で、これはガラス中のＮａイオンの量の
０．００９％以下であった。
酸素と窒素の混合ガスを反応ガスとするスパッタリング
により、シリコンの酸窒化物の絶縁膜をソーダライムシ
リカ組成のガラス板上に被覆し、この膜を５００℃２時
間の熱処理を施し、それについて、絶縁膜表面近傍にお
けるＮａイオンの量を、実施例１と同じように測定した
結果を表１に示す。いずれのサンプルも２５０〜３００
カウント／秒で、これはガラス中のＮａイオンの量の
０．００９％以下であった。
【００３４】
【表１】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 膜組成 全厚 層数 １層の被 減圧雰囲気 絶縁膜表面近 み 覆速度 全圧 ガス組成 面のＮａイオンの (μｍ) （nm・m/分) (Pa)(容量%比） 強度（カウント/秒） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 1 SiO2 0.2 2 50 0.2 O2100 7500 2 SiO2 0.5 2 50 0.2 O2100 900 3 SiO2 0.5 10 50 0.2 O2100 600 4 SiO2 1.0 2 50 0.2 O2100 300 5 SiO2 1.0 20 50 0.2 O230Ar70 100 6 SiO2 1.5 30 50 0.2 O230Ar70 100 7 SiO2 2.0 40 50 0.2 O230Ar70 70 8 SiO99N1 1.0 2 49 0.2 O298N22 250 9 SiO96N4 1.0 2 46 0.2 O295N25 250 10 SiO60N40 1.0 2 42 0.2 O258N242 300 11 SiO20N80 1.0 2 38 0.2 O212N288 200 12 Si3N4 1.0 2 36 0.2 N2100 400 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 熱処理：５００℃で２時間
【００３５】実施例１２ 実施例４とは反応ガスと１層の被覆速度を変更した以外
は同じようにして、ガラス板上に窒化珪素の絶縁膜を被
覆した。このサンプルに５００℃２時間の熱処理を行っ
た。この絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの量は４００カ
ウント／秒で、優れたアルカリ溶出防止能を有している
ことが分かる。また、この値は、単層となるように被覆
した表２の比較例４の１０分の１であった。
は同じようにして、ガラス板上に窒化珪素の絶縁膜を被
覆した。このサンプルに５００℃２時間の熱処理を行っ
た。この絶縁膜の表面近傍のＮａイオンの量は４００カ
ウント／秒で、優れたアルカリ溶出防止能を有している
ことが分かる。また、この値は、単層となるように被覆
した表２の比較例４の１０分の１であった。
【００３６】比較例１ 実施例１とは、層の数を単層としたことの他は全く同じ
ようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。５００℃２時間の熱処理をした後の膜表面のＮａイ
オンの量は、表２に示すように１２０００カウント／秒
と大きな値であった。
ようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。５００℃２時間の熱処理をした後の膜表面のＮａイ
オンの量は、表２に示すように１２０００カウント／秒
と大きな値であった。
【００３７】比較例２ 実施例２とは、単層となるように被覆した以外は全く同
じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後の
Ｎａイオンの量は、表２に示すように４５００カウント
／秒であった。また、このサンプルについて絶縁膜内部
へのＮａイオンの熱による拡散状態をＳＩＭＳ分析によ
り調べた結果を図３（ｂ）に示す。ガラスから拡散侵入
したＮａイオンは、絶縁膜内でトラップされることな
く、実施例２のサンプルより多くのＮａイオンが表面近
傍まで拡散しているのが認められた。
じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後の
Ｎａイオンの量は、表２に示すように４５００カウント
／秒であった。また、このサンプルについて絶縁膜内部
へのＮａイオンの熱による拡散状態をＳＩＭＳ分析によ
り調べた結果を図３（ｂ）に示す。ガラスから拡散侵入
したＮａイオンは、絶縁膜内でトラップされることな
く、実施例２のサンプルより多くのＮａイオンが表面近
傍まで拡散しているのが認められた。
【００３８】比較例３ 実施例３とは、単層となるように被覆した以外は全く同
じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後の
Ｎａイオンの量は、４０００カウント／秒であった。
じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを得
た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後の
Ｎａイオンの量は、４０００カウント／秒であった。
【００３９】比較例４ 実施例１２とは、単層となるように被覆した以外は全く
同じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを
得た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後
のＮａイオンの量は、４０００カウント／秒であった。
同じようにして絶縁膜を被覆したガラス板のサンプルを
得た。このサンプルの５００℃２時間の熱処理をした後
のＮａイオンの量は、４０００カウント／秒であった。
【００４０】比較例５ 実施例３の熱処理前のサンプルについての絶縁膜の表面
近傍のＮａイオンの量をＳＩＭＳ分析で測定したとこ
ろ、表３に示すように５０カウント／秒であった。この
数値は、用いた分析法の信号のノイズレベルであり、熱
処理を受けなければ、絶縁膜の表面近傍にはＮａイオン
は存在しないと判断された。
近傍のＮａイオンの量をＳＩＭＳ分析で測定したとこ
ろ、表３に示すように５０カウント／秒であった。この
数値は、用いた分析法の信号のノイズレベルであり、熱
処理を受けなければ、絶縁膜の表面近傍にはＮａイオン
は存在しないと判断された。
【００４１】
【表２】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 膜種 全厚 層数 １層の 減圧雰囲気 絶縁膜 み 被覆速度 全圧 ガス組成 表面でのＮａイオン (μｍ) （nm・m/分) (Pa)(容量%比） の量（カウント/秒） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 1 SiO2 0.2 1 50 0.02 O2100 12000 2 SiO2 0.5 1 50 0.02 O2100 4500 3 SiO2 1.0 1 50 0.02 O2100 4000 4 Si3N4 1.0 1 50 0.02 N2100 4000 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 熱処理：５００℃で２時間
【００４２】比較例６ 用いたフロートガラス製法で製造されたソーダライムシ
リカ組成のガラス中のＮａイオンのＳＩＭＳ分析による
測定値を参考のために表３に記載した。
リカ組成のガラス中のＮａイオンのＳＩＭＳ分析による
測定値を参考のために表３に記載した。
【００４３】以上、実施例と比較例で詳述したように、
絶縁膜をスパッタリングで被覆するに際して、スパッタ
リングによる被覆を多層となるようにすることにより、
ガラス中のＮａイオンが絶縁膜表面まで熱拡散により溶
出するのを著しく抑制できることが分かった。本発明に
おいて、絶縁膜が多層に被覆されていることは、たとえ
ば希釈したフッ酸水溶液で絶縁膜の断面をエッチングし
て、その面を電子顕微鏡観察で観察することにより分か
る。
絶縁膜をスパッタリングで被覆するに際して、スパッタ
リングによる被覆を多層となるようにすることにより、
ガラス中のＮａイオンが絶縁膜表面まで熱拡散により溶
出するのを著しく抑制できることが分かった。本発明に
おいて、絶縁膜が多層に被覆されていることは、たとえ
ば希釈したフッ酸水溶液で絶縁膜の断面をエッチングし
て、その面を電子顕微鏡観察で観察することにより分か
る。
【００４４】
【表３】 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 例 膜種 全厚 層数 １層の 減圧雰囲気 絶縁膜 み 被覆速度 全圧 ガス組成 表面でのＮａイオン (μｍ) （nm・m/分) (Pa)(容量%比） の量（カウント/秒） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 5 SiO2 1.0 1 50 0.02 O2100 50 6 なし 3500000 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 熱処理：なし
【００４５】さらに、実施例１から実施例１２で得られ
た熱処理前のサンプルについて絶縁膜の緻密性を評価し
た。上記ＳＩＭＳ分析と同じ条件で行った酸素イオンに
よるドライエッチングから算出したエッチレイトによれ
ば、いずれのサンプルについても２０〜２５ｎｍ／ｍｉ
ｎであって緻密な膜であると認められ、また容量表示で
５０％フッ酸：６１％硝酸：水＝３：２：６０の混合割
合のエッチング液による湿式エッチングから算出したエ
ッチレイトは、ＳｉＯ2膜が１３２〜２５５ｎｍ／ｍｉ
ｎ、窒化シリコン膜は０〜２ｎｍ／ｍｉｎ、シリコンの
酸窒化膜は酸素と窒素の含有割合により５〜１２０ｎｍ
／ｍｉｎの範囲であって、絶縁膜としての緻密性につい
ては特に従来技術で製作される絶縁膜と遜色がなかっ
た。
た熱処理前のサンプルについて絶縁膜の緻密性を評価し
た。上記ＳＩＭＳ分析と同じ条件で行った酸素イオンに
よるドライエッチングから算出したエッチレイトによれ
ば、いずれのサンプルについても２０〜２５ｎｍ／ｍｉ
ｎであって緻密な膜であると認められ、また容量表示で
５０％フッ酸：６１％硝酸：水＝３：２：６０の混合割
合のエッチング液による湿式エッチングから算出したエ
ッチレイトは、ＳｉＯ2膜が１３２〜２５５ｎｍ／ｍｉ
ｎ、窒化シリコン膜は０〜２ｎｍ／ｍｉｎ、シリコンの
酸窒化膜は酸素と窒素の含有割合により５〜１２０ｎｍ
／ｍｉｎの範囲であって、絶縁膜としての緻密性につい
ては特に従来技術で製作される絶縁膜と遜色がなかっ
た。
【００４６】本発明の絶縁膜の被覆方法に用いられる基
板は、ガラスの組成にとくに限定されるものではなく、
Ｎａ2ＯやＫ2Ｏなどのアルカリ成分が多く含有されるガ
ラスに対して、ガラス中のアルカリイオンが絶縁膜表面
に熱拡散により溶出するのを効果的に防止できる。
板は、ガラスの組成にとくに限定されるものではなく、
Ｎａ2ＯやＫ2Ｏなどのアルカリ成分が多く含有されるガ
ラスに対して、ガラス中のアルカリイオンが絶縁膜表面
に熱拡散により溶出するのを効果的に防止できる。
【００４７】
【発明の効果】本発明にかかる絶縁膜は、スパッタリン
グでガラス板上に被覆される際に多層となるように被覆
されている。これにより、本発明の絶縁膜は、高温の熱
処理を受けても、ガラス中から絶縁膜内に拡散侵入する
ナトリウムイオンを層の境界でトラップし、次の層に拡
散する量を著しく低下させる。したがって、絶縁膜の表
面まで熱拡散するＮａイオンの量は、連続的に単層とな
るように被覆された絶縁膜に較べて著しく低減される。
グでガラス板上に被覆される際に多層となるように被覆
されている。これにより、本発明の絶縁膜は、高温の熱
処理を受けても、ガラス中から絶縁膜内に拡散侵入する
ナトリウムイオンを層の境界でトラップし、次の層に拡
散する量を著しく低下させる。したがって、絶縁膜の表
面まで熱拡散するＮａイオンの量は、連続的に単層とな
るように被覆された絶縁膜に較べて著しく低減される。
【００４８】加えて多層となるようにする被覆を、２つ
の近接して配置したカソードにそれぞれシリコンターゲ
ットを配設し、一方のカソードを陰極他方のカソードを
陽極とするプラズマ放電と、一方のカソードを陽極他方
のカソードを陰極とするプラズマ放電とを交互に生起さ
せる反応性スパッタリングで行うと、絶縁膜の被覆を高
速かつ長時間安定させることができる。
の近接して配置したカソードにそれぞれシリコンターゲ
ットを配設し、一方のカソードを陰極他方のカソードを
陽極とするプラズマ放電と、一方のカソードを陽極他方
のカソードを陰極とするプラズマ放電とを交互に生起さ
せる反応性スパッタリングで行うと、絶縁膜の被覆を高
速かつ長時間安定させることができる。
【００４９】本発明の画像表示用ガラス基板の絶縁膜は
多層に被覆され、層と層との界面がガラス板から熱拡散
するアルカリ成分をトラップするので、高温の熱処理を
受けてもガラス中のアルカリ成分の絶縁膜表面への溶出
が抑制される。これにより、本発明の画像表示用ガラス
基板を用いた画像表示装置は信頼性が高い。
多層に被覆され、層と層との界面がガラス板から熱拡散
するアルカリ成分をトラップするので、高温の熱処理を
受けてもガラス中のアルカリ成分の絶縁膜表面への溶出
が抑制される。これにより、本発明の画像表示用ガラス
基板を用いた画像表示装置は信頼性が高い。
【図１】本発明の画像表示用ガラス基板の一実施例の一
部断面図である。
部断面図である。
【図２】本発明の実施例に用いたスパッタリング法を説
明するための装置の模式断面図である。
明するための装置の模式断面図である。
【図３】本発明の実施例および比較例について、ＳｉＯ
2絶縁膜内へのＮａイオンの熱拡散状態を示す図であ
る。
2絶縁膜内へのＮａイオンの熱拡散状態を示す図であ
る。
１：真空槽 ２Ａ、２Ｂ：マグネトロンカソード ３Ａ、３Ｂ：シリコンターゲット ４：ガス導入管 ５：極性反転電源 ６：ガラス板 ７：絶縁膜 ７ａ、７ｂ：層 ８：画像表示用ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HB04X HC03 HC18 HD02 JB02 JD10 4G059 AA01 AA07 AC20 EA05 EA12 EB04 GA02 GA04 GA12 5C028 AA10 5C094 AA31 AA43 AA46 BA31 BA32 BA43 DA13 EB02 FA02 FB02 FB15 GB10 JA08
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面にＳｉＯ2、シリコン酸窒化物
あるいは窒化シリコンのいずれかの絶縁膜を、減圧され
た雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンをターゲッ
トとする酸素または／および窒素との反応性スパッタリ
ングにより多層となるように被覆することを特徴とする
絶縁膜の被覆方法。 - 【請求項２】 前記スパッタリングは、２つの近接して
配置したカソードにそれぞれシリコンターゲットを配設
し、一方のカソードを陰極他方のカソードを陽極とする
プラズマ放電と、前記一方のカソードを陽極前記他方の
カソードを陰極とするプラズマ放電とを、交互に生起さ
せる反応性スパッタリングであることを特徴とする請求
項１に記載の絶縁膜の被覆方法。 - 【請求項３】 アルカリ成分を含有するガラス板の表面
に請求項１または請求項２に記載の方法により絶縁膜が
被覆され、前記絶縁膜内の層と層の界面が前記ガラス板
から熱拡散するアルカリ成分のトラップ面となっている
ことを特徴とする画像表示用ガラス基板。 - 【請求項４】 前記絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上とし
たことを特徴とする請求項３に記載の画像表示用ガラス
基板。 - 【請求項５】 前記絶縁膜の厚みを２μｍ以下としたこ
とを特徴とする請求項３または４に記載の画像表示用ガ
ラス基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190436A JP2000026139A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 絶縁膜の被覆方法およびそれを用いた画像表示用ガラス基板 |
| US09/336,784 US6277507B1 (en) | 1998-07-06 | 1999-06-21 | Method for coating insulating film and glass substrate for image display using the same |
| TW088110530A TW430856B (en) | 1998-07-06 | 1999-06-23 | Method for coating insulating film and glass substrate for image display using the same |
| KR1019990026836A KR100634713B1 (ko) | 1998-07-06 | 1999-07-05 | 절연막의 피복 방법 및 이를 이용한 영상 디스플레이용 유리 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190436A JP2000026139A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 絶縁膜の被覆方法およびそれを用いた画像表示用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026139A true JP2000026139A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=16258113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190436A Withdrawn JP2000026139A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 絶縁膜の被覆方法およびそれを用いた画像表示用ガラス基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6277507B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000026139A (ja) |
| KR (1) | KR100634713B1 (ja) |
| TW (1) | TW430856B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002004376A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photocatalytic member |
| JP2004047410A (ja) * | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004047411A (ja) * | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2006132002A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Satisloh Ag | 光学的薄膜を形成する方法及び装置 |
| KR100912779B1 (ko) | 2007-11-08 | 2009-08-18 | 경북대학교 산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US7939835B2 (en) | 2001-11-09 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974629B1 (en) * | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| ATE236861T1 (de) * | 1998-12-21 | 2003-04-15 | Cardinal Cg Co | Schmutzabweisende beschichtung für glasoberflächen |
| US6891236B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2000294980A (ja) | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透光性電磁波フィルタおよびその製造方法 |
| US6762132B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-07-13 | Micron Technology, Inc. | Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use |
| JP2003021826A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Ｉｔｏ被膜付き基板及びその製造方法 |
| US20050083460A1 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Semi-transmitting mirror-possessing substrate, and semi-transmitting type liquid crystal display apparatus |
| US20030049464A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Afg Industries, Inc. | Double silver low-emissivity and solar control coatings |
| JP2005025910A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
| EP1855146B8 (en) * | 2005-03-03 | 2017-12-20 | Nikon-Essilor Co., Ltd. | Lens for spectacles and method for forming lens for spectacles |
| CN101093771A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制造方法 |
| JP4462273B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光学物品およびその製造方法 |
| US20100279092A1 (en) * | 2007-06-01 | 2010-11-04 | Lg Chem, Ltd. | Multiple-layer film and method for manufacturnig the same |
| EP2128688A1 (en) * | 2008-05-31 | 2009-12-02 | Saint-Gobain Glass France S.A. | Electrically switchable privacy glass pane |
| US20110094781A1 (en) * | 2008-06-30 | 2011-04-28 | Tadahiro Ohmi | Electronic device having a glass substrate containing sodium and method of manufacturing the same |
| TW202122909A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-06-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 減少極紫外遮罩毛坯缺陷之方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4187336A (en) * | 1977-04-04 | 1980-02-05 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
| JPS58140705A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Fujitsu Ltd | 光学フイルタおよびその製造方法 |
| CA2084247A1 (en) * | 1992-03-18 | 1993-09-19 | Francis Paul Fehlner | Lcd panel production |
| JPH06151421A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化ケイ素薄膜の形成方法 |
| US5557462A (en) * | 1995-01-17 | 1996-09-17 | Guardian Industries Corp. | Dual silver layer Low-E glass coating system and insulating glass units made therefrom |
-
1998
- 1998-07-06 JP JP10190436A patent/JP2000026139A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-21 US US09/336,784 patent/US6277507B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-23 TW TW088110530A patent/TW430856B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-05 KR KR1019990026836A patent/KR100634713B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002004376A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photocatalytic member |
| JP2004047410A (ja) * | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004047411A (ja) * | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US7939835B2 (en) | 2001-11-09 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US8785949B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US10516010B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2006132002A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Satisloh Ag | 光学的薄膜を形成する方法及び装置 |
| KR100912779B1 (ko) | 2007-11-08 | 2009-08-18 | 경북대학교 산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW430856B (en) | 2001-04-21 |
| US6277507B1 (en) | 2001-08-21 |
| KR100634713B1 (ko) | 2006-11-17 |
| KR20000011482A (ko) | 2000-02-25 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050314 |
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