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JP2000017490A - ポリイミド複合電着膜の形成方法 - Google Patents

ポリイミド複合電着膜の形成方法

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JP2000017490A
JP2000017490A JP10182235A JP18223598A JP2000017490A JP 2000017490 A JP2000017490 A JP 2000017490A JP 10182235 A JP10182235 A JP 10182235A JP 18223598 A JP18223598 A JP 18223598A JP 2000017490 A JP2000017490 A JP 2000017490A
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Japan
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fine particles
polyimide
forming
polyimide composite
electrodeposition
Prior art date
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Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 撥インク機能の耐久性を高めることができる
など撥水性に優れた、あるいは耐摩耗性や離型性に優れ
たポリイミド複合電着膜の形成方法の提供が望まれてい
る。 【解決手段】 樹脂基板１の片面または両面に導電性膜
２を形成し、次いで、この導電性膜２上に、撥水性微粒
子、耐摩耗性微粒子、離型性微粒子のうちの一種または
二種以上の共析微粒子を共析させた状態でポリイミド複
合電着膜５を形成するポリイミド複合電着膜の形成方
法。共析微粒子として撥水性微粒子を用いて吐出ノズル
を有するノズルプレートの製造に適用することができ
る。金属基板の片面または両面に、直接ポリイミド複合
電着膜を形成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェット記
録用ヘッドのノズルプレート等の製造に適用可能なポリ
イミド複合電着膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、インク滴を吐出して記録媒体上
に文字等の画像を形成するインクジェット記録用ヘッド
には、インクを精度良く印字するべくインクの吐出位置
や吐出量をコントロールするための、ノズルプレート
（オリフィスプレート）が設けられている。このノズル
プレートは、内径が３０〜５０μｍ前後の微小な孔から
なる吐出ノズル、すなわちインクを吐出するためのイン
クノズルと希釈液を吐出するための希釈液ノズルとを有
して形成されたものである。
【０００３】このようなノズルプレートは、通常、耐熱
性、耐薬品性（耐インク性）、耐久性、エキシマレーザ
加工性等に優れているポリイミドやポリエーテルイミド
から形成されており、また、このノズルプレートには、
印字品質の安定化のためその表面に耐久性のある撥イン
ク処理が施されるようになっている。ところが、これら
ポリイミドやポリエーテルイミドに対しては、一般的な
撥インク剤であるフッ素系コーティング剤やフロロアル
キルシラン剤等は密着性が悪く、単にコーティングして
も剥がれてしまうことから、これらを直接コーティング
して用いることはできない。
【０００４】そこで従来では、特開平４−７４６５１号
公報に開示されているように、十分な撥水・撥油性と耐
摩耗性および強度とを得るため、フラットな基板上に直
接電解メッキ法あるいは無電解メッキ法でテフロン共析
メッキ層のノズル部を形成した、ノズルプレートが知ら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この共
析現象を利用したメッキ法では、得られるテフロン共析
メッキ層、すなわち複合メッキ層内の撥水性微粒子（テ
フロン）とニッケル金属との間の接着力が弱く、特にニ
ッケル金属表面付近の撥水性微粒子はワイビングで脱落
し易いことから撥水・撥油性能が低下し易くなってい
る。また、電解メッキの場合では、基板上にニッケル等
の金属層を蒸着やスパッタリング等で形成する必要があ
るが、基板の種類によっては密着性が悪く、剥がれ等の
耐久性の問題がある。
【０００６】一方、無電解メッキの場合では、金属層形
成は不要であるが、やはり基板の種類によっては密着性
が悪く、剥がれ等の耐久性の問題がある。特に、耐熱
性、耐薬品性（耐薬品性）、耐久性、エキシマ穿孔加工
性等に優れているポリイミド、ポリエーテルイミドで
は、さらに密着性を悪化してしまい、結果としてテフロ
ン共析無電解メッキ膜も剥がれ発生が起こってしまう。
【０００７】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、撥インク機能の耐久性を
高めることができるなど撥水性に優れた、あるいは耐摩
耗性や離型性に優れたポリイミド複合電着膜の形成方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載のポリイミド複合電着膜の形成方法では、樹脂基板
の片面または両面に導電性膜を形成し、次いでこの導電
性膜上に、撥水性微粒子、耐摩耗性微粒子、離型性微粒
子のうちの一種または二種以上の共析微粒子を共析させ
た状態でポリイミド複合電着膜を形成することを前記課
題の解決手段とした。
【０００９】この形成方法によれば、樹脂基板の導電性
膜上に撥水性微粒子、耐摩耗性微粒子、離型性微粒子の
うちの一種または二種以上の共析微粒子を共析させた状
態でポリイミド複合電着膜を形成するので、前記樹脂基
板に撥水性、耐摩耗性、または離型性を付与することが
可能になる。
【００１０】本発明における請求項１１記載のポリイミ
ド複合電着膜の形成方法では、金属基板の片面または両
面に、撥水性微粒子、耐摩耗性微粒子または離型性微粒
子のうちの一種または二種以上の共析微粒子を共析させ
た状態でポリイミド複合電着膜を形成することを前記課
題の解決手段とした。
【００１１】この形成方法によれば、金属基板に撥水性
微粒子、耐摩耗性微粒子、離型性微粒子のうちの一種ま
たは二種以上の共析微粒子を共析させた状態でポリイミ
ド複合電着膜を形成するので、前記金属基板に撥水性、
耐摩耗性、または離型性を付与することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１（ａ）〜（ｅ）は本発明のポリイミド複合電着膜の
形成方法をノズルプレートの製造に適用した場合の一例
を説明するための図である。この例では、まず、図１
（ａ）に示すように樹脂基板１を用意する。この樹脂基
板１は、平坦でかつ平滑な表面を有した厚さ１２５μｍ
程度のポリイミドシートからなるもので、アセトン、Ｉ
ＰＡ等の有機溶剤によって超音波洗浄処理され、さらに
ＵＶ照射洗浄処理されたものである。なお、このように
して洗浄処理された樹脂基板１に対し、さらに後述する
樹脂コーティング剤の密着性の向上のため、プラズマＯ
2 処理を施してもよい。また、ポリイミドシート以外
に、ポリイミド相当の特性を有する樹脂、例えばポリエ
ーテルイミド、アラミド等の樹脂も使用できる。
【００１３】次に、接着剤中に導電性フィラーとして粒
径が１μｍ以下、好ましくは０．３〜０．５μｍの範囲
の銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）等の微粉末を混合分散さ
せて導電性接着剤を調整し、この導電性接着剤をスピン
コート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、バーコ
ート法等によって３〜５μｍ程度の厚さで前記樹脂基板
１上に塗布し、さらに加熱硬化して図１（ｂ）に示すよ
うに導電性樹脂膜２を形成する。ここで、Ａｇを分散す
る接着剤としては、ポリイミド系接着剤やエポキシ系接
着剤が用いられるが、特に樹脂基板１と同じ材質のもの
が該基板１との間で良好な接着性が得られるため好まし
く、したがって本例ではポリイミド系接着剤が用いられ
る。また、その加熱硬化については、１５０℃で３０分
程度加熱し、溶剤を蒸発させた後、２２０〜２５０℃で
３０分程度加熱し硬化させる条件で行う。
【００１４】なお、このようにして形成した導電性樹脂
膜２の体積抵抗率は、導電性フィラーの充填率によって
変わるものの、例えば導電性フィラーとしてＡｇを用
い、これが６５〜７５重量％の充填率のとき、０．００
０１（Ω／ｃｍ）である。また、導電性フィラーとして
は、Ａｇ、Ａｕ以外にも、Ｎｉ、Ｃｕ、ＩＴＯ等を用い
ることができる。
【００１５】次いで、ＫｒＦ（フッ化クリプトン；波長
２４８ｎｍ）エキシマレーザにより、図１（ｃ）に示す
ように前記樹脂基板１および導電性樹脂膜２に穿孔加工
を施し、インクを吐出するためのインクノズル３と、希
釈液を吐出するための希釈液ノズル４とを形成する。イ
ンクノズル３については、内径が１２μｍ程度の円形の
開口を有する孔を、３０°程度傾斜をつけて形成する。
一方、希釈液ノズル４については、内径３５μｍ程度の
円形の開口を有する孔を、樹脂基板１面に直交させて形
成する。なお、インクノズル３および希釈液ノズル４か
らなる吐出ノズルの形成にあたっては、エキシマレーザ
による加工に代えてドリルによる加工またはプレス加
工、エッチング加工のうちの一種または複数種を採用し
てもよく、いずれの場合でも、導電性フィラーである微
粉末の粒径が１μｍ以下であるので、導電性樹脂膜２の
穿孔加工に支障がない。
【００１６】このようにしてインクノズル３、希釈液ノ
ズル４を形成したら、図１（ｄ）に示すように樹脂基板
１の導電性樹脂膜２上に撥水性微粒子を共析させた状態
でポリイミド複合電着膜５を形成し、ノズルプレート６
を得る。このポリイミド複合電着膜５の形成法として
は、電着組成物からなる溶液中に分散剤と粒径が１μｍ
以下の撥水性微粒子とを分散させ、所定の条件で導電性
樹脂膜２上にポリイミド複合電着膜５を形成するといっ
た方法が採られ、具体的には、例えば以下の（１）〜
（５）の方法が採用される。
【００１７】（１）ポリアミド酸を溶解した有機極性溶
液に、メチルエチルケトンやアセトン等の貧溶媒を添
加、混合してさらに共析微粒子として撥水性微粒子を混
合分散し、溶液またはコロイド状分散溶液にして複合電
着させる。 （２）ポリアミド酸を溶解した有機極性溶液に水を加
え、さらに共析微粒子として撥水性微粒子を混合分散さ
せて水分散液として複合電着させる。 （３）ある特殊な構造の芳香族ジアミン、例えば３，
３’−ジアミノベンゾフェノンや１，３−ビス（３−ア
ミノフェノキシン）ベンゼンを用い、ポリアミド酸と撥
水性微粒子（共析微粒子）との混合分散により、水性電
着溶液として複合電着させる。
【００１８】（４）芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と
芳香族ジアミンとの反応生成物であるポリイミドの中和
塩、前記ポリイミドを溶解する極性溶媒、水、およびポ
リイミドに対する貧溶媒からなり、前記芳香族ジアミン
の一部として芳香族ジアミノカルボン酸を用いたポリイ
ミドからなる電着用ポリイミド組成物に、共析微粒子と
して撥水性微粒子を混合分散させ、溶液またはコロイド
状分散液にして複合電着させる。この場合に、ポリイミ
ドが、ブロックポリイミドであるのが好ましい。また、
芳香族ジアミノカルボン酸が、３，５−ジアミノ安息香
酸であるのが好ましく、さらには、芳香族ジアミンが、
３，５−ジアミノ安息香酸と、２，６−ジアミノピリジ
ンからなるのが好ましい。
【００１９】（５）芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と
芳香族ジアミンとの反応生成物であるポリアミド酸の中
和塩、前記ポリアミド酸を溶解する極性溶媒、水、およ
びフェニル基、フルフリル基、またはナフチル基を有す
るアルコールからなる電着塗料組成物に、共析微粒子と
して撥水性微粒子を混合分散させた溶液またはコロイド
状分散溶液で複合電着させる。この場合、さらに芳香族
ビスマレイミドおよび芳香族ジアミンを前記溶液または
コロイド状分散溶液に添加して複合電着させるのが好ま
しい。
【００２０】ここで、撥水性微粒子としては、ＰＴＦＥ
（四フッ化エチレン樹脂）、ＦＥＰ（四フッ化エチレン
−六フッ化プロピレン共重合樹脂）、ＰＦＡ（四フッ化
エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合樹
脂）、ＥＴＦＥ（四フッ化エチレン−エチレン共重合樹
脂）、ＥＣＴＦＥ（三フッ化塩化エチレン−エチレン共
重合樹脂）、ＰＣＴＦＥ（三フッ化塩化エチレン樹
脂）、ＰＶｄＦ（フッ化ビニリデン樹脂）、ＶＤＦ（フ
ッ化ビニル樹脂）、フッ化炭素（（ＣＦ）n ）、フッ化
黒鉛、ＴＦＥＯ（テトラフルオロエチレンオリゴマー）
等のうちの一種あるいは複数種が用いられる。また、こ
れら撥水性微粒子の粒径としては、１．０μｍ以下のも
のが好適とされる。
【００２１】なお、（１）〜（５）のいずれの形成法に
おいても、必要に応じて撥水性微粒子（共析微粒子）
を、界面活性剤処理またはシランカップリング剤処理し
てもよい。これによって、電着溶液中での共析微粒子の
分散と、電着膜とのなじみがよくなり、撥水性が向上す
る。また、前記（１）〜（５）のポリイミド複合電着膜
５の形成法の中では特に（４）、（５）に示した形成法
が好ましい。
【００２２】また、このようなポリイミド複合電着膜５
の形成においては、電着後、必要に応じて水洗乾燥した
後に、１４０〜１８０℃で３０〜６０分間程度、さらに
２２０〜２６０℃で３０〜６０分間程度の焼き付け処理
を行う。この焼き付け処理としては、例えば離型性表面
処理を施した平坦でかつ平滑な面を有する金属板を用
い、これを前記の電着層に圧接して該電着層表面で露出
している撥水性微粒子の突出部を無くし、得られるポリ
イミド複合電着膜５の表面を平坦面とする。
【００２３】ここで、前記の焼き付け処理用の金属板と
しては、例えば厚さ１０ｍｍ程度のステンレス板の表面
を研磨し、平坦化かつ平滑化して鏡面状態にするととも
に、離型処理を施したものが用いられる。また、ニッケ
ルの電解または無電解メッキ浴中に、離型性の共析微粒
子である窒化ホウ素（ＢＮ）または二硫化モリブデン
（ＭｏＳ2 ）を混合分散させ、所定の条件で金属板上に
離型性微粒子を共析させて電解または無電解ニッケル複
合メッキ層を形成した金属板を用いることもでき、その
場合でも、研磨によって平坦で平滑な鏡面状態の面を形
成するようにしてもよい。
【００２４】このようなノズルプレート６の製造方法に
あっては、樹脂基板１の導電性樹脂膜２上に、撥水性微
粒子を共析させた状態でポリイミド複合電着膜５を形成
するので、得られるノズルプレート６に良好な撥水性を
付与することができる。また、金属板を圧接することに
よってポリイミド複合電着膜５の表面を平坦面とすれ
ば、撥水性微粒子の露出面積を大きくして撥水性を高
め、こすれ等に対して該ポリイミド複合電着膜５から撥
水性微粒子が剥がれるのを防止することができ、これに
よりこのポリイミド複合電着膜５の撥水性劣化を防止す
ることができる。
【００２５】なお、このようにして得たノズルプレート
６を用いてインクジェット記録用ヘッド８を得るには、
図１（ｅ）に示すようにインクノズル３、希釈液ノズル
４、ポリイミド複合電着膜５を形成した樹脂基板１の裏
面にインクジェットタンク本体７を接着し、インクジェ
ット記録用ヘッド８を形成する。ここで、樹脂基板１へ
のインクジェットタンク本体７の接着は、熱可塑性ポリ
イミドの熱圧着またはポリイミド系接着剤によってなさ
れる。なお、このインクジェットタンク本体７には、前
記樹脂基板１との接着面と反対の側の面にピエゾ圧電体
９が熱可塑性ポリイミドまたはポリイミド系接着剤によ
って固定されている。これらについては、低温熱可塑性
ポリイミドまたは低温硬化型のポリイミド系接着剤であ
るのが望ましい。
【００２６】また、前記例樹脂基板１および導電性樹脂
膜２を共に穿孔加工し、インクノズル３と希釈液ノズル
４とを形成したが、本発明はこれに限定されることな
く、以下のようにしてインクノズル３および希釈液ノズ
ル４を形成してもよい。
【００２７】すなわち、例えば図２（ａ）あるいは図２
（ｂ）に示すようにパターニングした導電性樹脂膜２を
形成し、このパターニングした導電性樹脂膜２上にポリ
イミド複合電着膜５を形成する。次いで、このポリイミ
ド複合電着膜５内に吐出ノズル用開口部３ａ、４ａを形
成する。そして、これら吐出ノズル用開口部３ａ、４ａ
に開口するようにして樹脂基板１にインクノズル３用の
孔と希釈液ノズル４用の孔とを形成する。ここで、導電
性樹脂膜２のパターニングについては、導電性接着剤の
塗布にスクリーン印刷法やロールコート法を採用するこ
とで行ってもよく、また、導電性接着剤に感光性を付与
しておき、フォトリソグラフィー技術でパターニングす
るようにしてもよい。
【００２８】また、前記実施形態例では、導電性樹脂膜
２形成後、そのままこの導電性樹脂膜２上にポリイミド
複合電着膜５を形成したが、ポリイミド複合電着膜５
は、樹脂でがっちりと固着された導電性フィラーの表面
が核となってポリイミドが電着すると同時に撥水性微粒
子が共析し、該撥水性微粒子が皮膜中に取り込まれて形
成されるものであるから、予め導電性樹脂膜２表面を軽
くバフ研磨するか樹脂を軽くエッチングすることによっ
て導電性フィラーを露出させ、ポリイミド複合電着膜５
の成膜速度と密着速度を改善してもよい。
【００２９】また、前記実施形態例では、樹脂基板１表
面に導電性フィラーを混合分散させた導電性接着剤を塗
布し、これを硬化させて導電性樹脂膜２を形成したが、
他に例えば、平坦な樹脂基板１表面に導電性フィラーを
混合分散させた樹脂フィルムを熱圧着し、導電性樹脂膜
を形成するようにしてもよい。
【００３０】図３（ａ）〜（ｄ）は本発明のポリイミド
複合電着膜の形成方法をノズルプレートの製造に適用し
た場合の他の例を説明するための図である。この例で
は、まず、図１（ａ）に示したポリイミドシートからな
る樹脂基板１を用意し、続いて、この樹脂基板１に厚さ
１０〜１５μｍ程度の銅箔を熱架橋反応で接着し、さら
にこれを化学エッチングあるいは研磨加工して図３
（ａ）に示すように厚さ３〜５μｍの導電性膜１０を形
成する。
【００３１】次に、公知のフォトリソグラフィー技術、
エッチング技術によって前記導電性膜１０をパターニン
グし、図３（ｂ）の右側に示すように所定寸法（例えば
１８μｍ×１２μｍ）のインクノズル用開口１１ａおよ
び所定寸法（例えば内径３５μｍ）の希釈液ノズル用開
口１２ａを、樹脂基板１に対して垂直に形成する。ここ
で、エッチング液としては例えば第２塩化鉄が用いられ
る。なお、これらインクノズル用開口１１ａ、希釈液ノ
ズル用開口１２ａの形成にあたっては、前記エッチング
によることなくドリル加工を採用してもよく、その場合
には、図３（ｂ）の左側に示すように特にインクノズル
用開口１１ａについて３０°程度の角度をつけて形成す
るのが好ましい。
【００３２】次いで、ＫｒＦ（フッ化クリプトン；波長
２４８ｎｍ）エキシマレーザにより、図３（ｃ）に示す
ように前記インクノズル用開口１１ａ、希釈液ノズル用
開口１２ａにそれぞれ連通するようにして前記樹脂基板
１に穿孔加工を施し、インクノズル１１と希釈液ノズル
１２とを形成する。なお、インクノズル１１について
は、図１に示した例と同様に３０°程度傾斜をつけて形
成する。
【００３３】このようにしてインクノズル１１、希釈液
ノズル１２を形成したら、図１に示した先の例と同様に
して、図３（ｄ）に示すように樹脂基板１の導電性膜１
０上に撥水性微粒子を共析させた状態でポリイミド複合
電着膜１３を形成し、ノズルプレート１４を得る。この
ポリイミド複合電着膜１３の形成法については、図１に
示した例と同様の方法が採用可能である。なお、このよ
うなポリイミド複合電着膜１３の形成においても、先の
例と同様に、電着後必要に応じて金属板を圧接する焼き
付け処理を行う。
【００３４】このようなノズルプレート１４の製造方法
にあっても、樹脂基板１の導電性膜１０上に、撥水性微
粒子を共析させた状態でポリイミド複合電着膜１３を形
成するので、得られるノズルプレート１４に良好な撥水
性を付与することができる。また、金属板を圧接するこ
とによってポリイミド複合電着膜１３の表面を平坦面と
すれば、撥水性微粒子の露出面積を大きくして撥水性を
高め、こすれ等に対して該ポリイミド複合電着膜１３か
ら撥水性微粒子が剥がれるのを防止することができ、こ
れによりこのポリイミド複合電着膜１３の撥水性劣化を
防止することができる。
【００３５】図４（ａ）、（ｂ）は本発明のポリイミド
複合電着膜の形成方法を説明するための図であり、これ
らの図において符号１５はポリイミド等からなる樹脂基
板である。図４（ａ）に示した例では、樹脂基板１５の
一方の面（片面）に、図１（ａ）〜（ｄ）に示した例と
同様にして導電性樹脂膜１６を形成し、その後、この導
電性樹脂膜１６の上にポリイミド複合電着膜１７を形成
する。また、図４（ｂ）に示した例では、樹脂基板１５
の両面に、やはり図１（ａ）〜（ｄ）に示した例と同様
にして導電性樹脂膜１６を形成し、その後、これら導電
性樹脂膜１６、１６のそれぞれの上にポリイミド複合電
着膜１７を形成する。
【００３６】ここで、ポリイミド複合電着膜１７の形成
については、該ポリイミド複合電着膜１７によって付与
する特性、すなわち撥水性、耐摩耗性、離型性のうちの
求める特性に基づき、撥水性微粒子、耐摩耗性微粒子、
離型性微粒子のうちから一種あるいは複数種を共析微粒
子として選択し、電着液を調整してこれを使用する。
【００３７】なお、撥水性微粒子としては前記したもの
うちの一種あるいは複数種が用いられ、耐摩耗性微粒子
としては、炭化シリコン（ＳｉＣ）、ダイアモンド、炭
化タングステン（ＷＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、立方晶窒素化ホ
ウ素（ＣＢＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化クロム
（Ｃｒ2 Ｏ3 ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ホウ素
（Ｂ4 Ｃ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ3 ）、ホウ化チタン（ＴｉＢ2 ）、酸化トリウム
（ＴｈＯ2 ）等のうちの一種あるいは複数種が用いら
れ、離型性微粒子としては、窒化ホウ素（ＢＮ）、２硫
化モリブデン（ＭｏＳ2 ）等のうちの一種あるいは複数
種が用いられる。また、これら耐摩耗性微粒子、離型性
微粒子の粒径としては、１．０μｍ以下のものが好適と
される。さらに、必要に応じて、これらの共析微粒子を
界面活性剤処理またはシランカップリング剤処理しても
よい。これによって、電着溶液中での共析微粒子の分散
と電着膜中での電着膜との密着（なじみ）がよくなり、
撥水性、耐摩耗性または離型性が向上する。
【００３８】そして、このような共析微粒子を共析させ
て電着膜を形成したら、図１（ａ）〜（ｄ）に示した例
と同様にして、必要に応じ金属板を圧接する焼き付け処
理を行う。
【００３９】このようなポリイミド複合電着膜１７の形
成方法にあっては、樹脂基板１５の導電性樹脂膜１６上
に耐摩耗性微粒子または離型性微粒子を共析させた状態
で形成するので、該ポリイミド複合電着膜１７によって
樹脂基板１５に耐摩耗性または離型性を付与することが
できる。
【００４０】図５（ａ）〜（ｄ）は本発明のポリイミド
複合電着膜の形成方法を説明するための図であり、これ
らの図において符号１８はポリイミド等からなる樹脂基
板、１９は金属基板である。図５（ａ）に示した例で
は、樹脂基板１８の一方の面（片面）に、図３（ａ）〜
（ｄ）に示した例と同様にして金属箔からなる導電性膜
２０を形成し、その後、この導電性膜２０の上にポリイ
ミド複合電着膜２１を形成する。図５（ｂ）に示した例
では、樹脂基板１８の両面に、やはり図３（ａ）〜
（ｄ）に示した例と同様にして導電性膜２０を形成し、
その後、これら導電性膜２０、２０のそれぞれの上にポ
リイミド複合電着膜２１を形成する。
【００４１】図５（ｃ）に示した例では、金属基板１９
の一方の面（片面）に、直接ポリイミド複合電着膜２１
を形成する。図５（ｄ）に示した例では、金属基板１９
の両面に、やはり直接ポリイミド複合電着膜２１を形成
する。
【００４２】そして、このような共析微粒子を共析させ
て電着膜を形成したら、図４（ａ）、（ｂ）に示した例
と同様にして、必要に応じ金属板を圧接する焼き付け処
理を行う。
【００４３】このようなポリイミド複合電着膜２１の形
成方法にあっては、樹脂基板１８上の導電性膜２０上
に、あるいは金属基板１９上に耐摩耗性微粒子または離
型性微粒子を共析させた状態で形成するので、該ポリイ
ミド複合電着膜２１によって樹脂基板１８あるいは金属
基板１９に耐摩耗性または離型性を付与することができ
る。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載のポリイミド複合電着膜の形成方法は、樹脂基
板の導電性膜上に撥水性微粒子、耐摩耗性微粒子、離型
性微粒子のうちの一種または二種以上の共析微粒子を共
析させた状態でポリイミド複合電着膜を形成するので、
前記樹脂基板に撥水性、耐摩耗性、または離型性を付与
することができる。本発明における請求項１１記載のポ
リイミド複合電着膜の形成方法は、金属基板に撥水性微
粒子、耐摩耗性微粒子、離型性微粒子のうちの一種また
は二種以上の共析微粒子を共析させた状態で直接ポリイ
ミド複合電着膜を形成するので、前記金属基板に撥水
性、耐摩耗性、または離型性を付与することができる。
【００４５】また、これらの形成方法を、共析微粒子と
して撥水性微粒子を用いることによってインクジェット
記録用ヘッドのノズルプレートの製造に適用すれば、以
下の効果が得られる。基板表面に直接、あるいは導電性
膜を介して撥水性微粒子を共析させた状態にポリイミド
複合電着膜を形成するので、油性や水性のインクの付着
がなく、インク滴の直進性と吐出安定性に優れ、しかも
良好な印字画像が得られるインクジェット記録用ヘッド
のノズルプレートを製造することができる。
【００４６】また、樹脂基板を用いたノズルプレートの
製造に適用した場合、ノズル穴内の撥水性領域と非撥水
性領域とを任意に設定することができ、つまりノズル表
面に形成する導電性膜の膜厚を任意に設定できるので、
インクのメニスカスを保ってインク滴の直進性や吐出安
定性を保ち、良好な印字品質が得られるインクジェット
記録用ヘッドのノズルプレートを製造することができ
る。また、撥水性のポリイミド複合電着膜厚を任意に設
定できるので、得られたノズルプレートの、長時間使用
でのワイビング動作による撥水性能劣化をなくすことが
できる。
【００４７】また、インクの性能、種類に応じて撥水性
微粒子を適宜に選択できるので、インク滴の直進性ムラ
や吐出ムラのない良好な印字画像が得られるノズルプレ
ートを製造することができる。また、耐熱性、耐薬品性
（耐インク性）、耐久性、さらにエキシマレーザ加工性
等に優れたポリイミドやポリエーテルイミドに接着する
ポリイミド系またはエポキシ系樹脂等からなる導電性接
着剤を用い、吐出ノズル形成後に撥水性微粒子を共析さ
せた状態でポリイミド複合電着膜を形成すれば、インク
吐出ノズル加工およびインクノズルヘッド本体組立加工
の問題や、長期間使用での品質、信頼性の問題を少なく
することができる。
【００４８】また、樹脂基板を用い、さらに導電性膜を
導電性樹脂膜としたノズルプレートの製造に適用した場
合、導電性樹脂膜をスクリーン印刷法またはロールコー
ト法または該樹脂に感光性を付与させて任意のパターン
をインク吐出ノズル周囲に形成し、その表面に撥水性微
粒子を共析させた状態のポリイミド複合電着膜を形成す
るようにすれば、樹脂基板と導電性樹脂膜および複合メ
ッキ層との熱膨張率の違いによるインクジェット記録用
ヘッドの変形等を防ぐことができる。また、樹脂基板と
導電性接着剤の主材となる樹脂とを例えばポリイミドと
するなど同一の材質にすれば、インクジェット記録用ヘ
ッドの変形等をより少なくすることができる。
【００４９】また、樹脂基板を用い、さらに導電性膜を
導電性樹脂膜としたノズルプレートの製造に適用した場
合、若干凹凸表面である導電性樹脂膜上に電解メッキ法
によって撥水性微粒子を共析させた状態でポリイミド複
合電着膜を形成し、該ポリイミド複合電着膜の表面を、
平坦、平滑でかつ離型処理を施した表面を有する金属板
を用い、撥水性微粒子の軟化温度以上の適当な温度で加
熱しつつ加圧するか、あるいは研磨して該複合メッキ層
表面から突出している撥水性微粒子の突出部分を低減さ
せれば、撥水性微粒子の露出面積を大きくして撥水性を
高め、長期間使用でのワイビング動作による撥水性劣化
を抑えることができ、インク滴の吐出不良や直進性の損
失も防止して良好な印字画像が得られるインクジェット
記録用ヘッドを製造することができる。また、導電性樹
脂膜が凹凸表面を有するため、複合メッキ層との密着性
が良く、さらに耐ワイビング性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のポリイミド複合電
着膜の形成方法をノズルプレートの製造に適用した場合
の一例を、工程順に説明するための要部側断面図であ
る。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、導電性樹脂膜をパターニン
グして形成した例を示す要部平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のポリイミド複合電
着膜の形成方法をノズルプレートの製造に適用した場合
の他の例を、工程順に説明するための要部側断面図であ
る。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、いずれも本発明のポリイミ
ド複合電着膜の形成方法を説明するための要部側断面図
である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも本発明のポリイミ
ド複合電着膜の形成方法を説明するための要部側断面図
である。
【符号の説明】
１，１５，１８…樹脂基板、２，１６…導電性樹脂膜、
５，１３，１７，２１…ポリイミド複合電着膜、６，１
４…ノズルプレート、１０，２０…導電性膜、１９…金
属基板

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂基板の片面または両面に導電性膜を
    形成し、 次いで、この導電性膜上に、撥水性微粒子、耐摩耗性微
    粒子、離型性微粒子のうちの一種または二種以上の共析
    微粒子を共析させた状態でポリイミド複合電着膜を形成
    することを特徴とするポリイミド複合電着膜の形成方
    法。
  2. 【請求項２】 前記ポリイミド複合電着膜を形成した
    後、このポリイミド複合電着膜の表面を、平坦、平滑で
    かつ離型処理を施した表面を有する金属板で加熱加圧す
    るか、あるいは研磨することにより、該ポリイミド複合
    電着膜表面から突出している前記微粒子の突出部分を低
    減させ、露出面積を少なくすることを特徴とする請求項
    １記載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  3. 【請求項３】 前記導電性膜が、導電性フィラーを混合
    分散してなる導電性樹脂膜であることを特徴とする請求
    項１記載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  4. 【請求項４】 前記導電性膜が金属箔からなることを特
    徴とする請求項１記載のポリイミド複合電着膜の形成方
    法。
  5. 【請求項５】 ポリイミド複合電着膜の形成を、ポリア
    ミド酸を溶解した有機極性溶液に、メチルエチルケトン
    やアセトン等の貧溶媒を添加、混合してさらに共析微粒
    子を混合分散し、溶液またはコロイド状分散溶液にして
    複合電着させることで行うことを特徴とする請求項１記
    載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  6. 【請求項６】 ポリイミド複合電着膜の形成を、ポリア
    ミド酸を溶解した有機極性溶液に水を加え、さらに共析
    微粒子を混合分散させて水分散液として複合電着させる
    ことで行うことを特徴とする請求項１記載のポリイミド
    複合電着膜の形成方法。
  7. 【請求項７】 ポリイミド複合電着膜の形成を、３，
    ３’−ジアミノベンゾフェノンまたは１，３−ビス（３
    −アミノフェノキシン）ベンゼンを用い、ポリアミド酸
    と共析微粒子との混合分散により、水性電着溶液として
    複合電着させることで行うことを特徴とする請求項１記
    載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  8. 【請求項８】 ポリイミド複合電着膜の形成を、芳香族
    テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンとの反応生
    成物であるポリイミドの中和塩、前記ポリイミドを溶解
    する極性溶媒、水、およびポリイミドに対する貧溶媒か
    らなり、前記芳香族ジアミンの一部として芳香族ジアミ
    ノカルボン酸を用いたポリイミドからなる電着用ポリイ
    ミド組成物に、共析微粒子を混合分散させ、溶液または
    コロイド状分散液にして複合電着させることで行うこと
    を特徴とする請求項１記載のポリイミド複合電着膜の形
    成方法。
  9. 【請求項９】 ポリイミド複合電着膜の形成を、芳香族
    テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンとの反応生
    成物であるポリアミド酸の中和塩、前記ポリアミド酸を
    溶解する極性溶媒、水、およびフェニル基、フルフリル
    基、またはナフチル基を有するアルコールからなる電着
    塗料組成物に、共析微粒子を混合分散させた溶液または
    コロイド状分散溶液で複合電着させることで行うことを
    特徴とする請求項１記載のポリイミド複合電着膜の形成
    方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載のポリイミド複合電着膜
    の形成方法において、 共析微粒子として撥水性微粒子を用いて吐出ノズルを有
    するノズルプレートを形成することを特徴とするポリイ
    ミド複合電着膜の形成方法。
  11. 【請求項１１】 金属基板の片面または両面に、撥水性
    微粒子、耐摩耗性微粒子または離型性微粒子のうちの一
    種または二種以上の共析微粒子を共析させた状態でポリ
    イミド複合電着膜を形成することを特徴とするポリイミ
    ド複合電着膜の形成方法。
  12. 【請求項１２】 前記ポリイミド複合電着膜を形成した
    後、このポリイミド複合電着膜の表面を、平坦、平滑で
    かつ離型処理を施した表面を有する金属板で加熱加圧す
    るか、あるいは研磨することにより、該ポリイミド複合
    電着膜表面から突出している前記微粒子の突出部分を低
    減させ、露出面積を少なくすることを特徴とする請求項
    １１記載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  13. 【請求項１３】 ポリイミド複合電着膜の形成を、ポリ
    アミド酸を溶解した有機極性溶液に、メチルエチルケト
    ンやアセトン等の貧溶媒を添加、混合してさらに共析微
    粒子を混合分散し、溶液またはコロイド状分散溶液にし
    て複合電着させることで行うことを特徴とする請求項１
    １記載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  14. 【請求項１４】 ポリイミド複合電着膜の形成を、ポリ
    アミド酸を溶解した有機極性溶液に水を加え、さらに共
    析微粒子を混合分散させて水分散液として複合電着させ
    ることで行うことを特徴とする請求項１１記載のポリイ
    ミド複合電着膜の形成方法。
  15. 【請求項１５】 ポリイミド複合電着膜の形成を、３，
    ３’−ジアミノベンゾフェノンまたは１，３−ビス（３
    −アミノフェノキシン）ベンゼンを用い、ポリアミド酸
    と共析微粒子との混合分散により、水性電着溶液として
    複合電着させることで行うことを特徴とする請求項１１
    記載のポリイミド複合電着膜の形成方法。
  16. 【請求項１６】 ポリイミド複合電着膜の形成を、芳香
    族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンとの反応
    生成物であるポリイミドの中和塩、前記ポリイミドを溶
    解する極性溶媒、水、およびポリイミドに対する貧溶媒
    からなり、前記芳香族ジアミンの一部として芳香族ジア
    ミノカルボン酸を用いたポリイミドからなる電着用ポリ
    イミド組成物に、共析微粒子を混合分散させ、溶液また
    はコロイド状分散液にして複合電着させることで行うこ
    とを特徴とする請求項１１記載のポリイミド複合電着膜
    の形成方法。
  17. 【請求項１７】 ポリイミド複合電着膜の形成を、芳香
    族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンとの反応
    生成物であるポリアミド酸の中和塩、前記ポリアミド酸
    を溶解する極性溶媒、水、およびフェニル基、フルフリ
    ル基、またはナフチル基を有するアルコールからなる電
    着塗料組成物に、共析微粒子を混合分散させた溶液また
    はコロイド状分散溶液で複合電着させることで行うこと
    を特徴とする請求項１１記載のポリイミド複合電着膜の
    形成方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１１記載のポリイミド複合電着
    膜の形成方法において、 共析微粒子として撥水性微粒子を用いて吐出ノズルを有
    するノズルプレートを形成することを特徴とするポリイ
    ミド複合電着膜の形成方法。
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