JP2000008920A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
内燃機関の排気浄化装置Info
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Abstract
広域空燃比センサ5の空燃比検出精度の悪化を防止す
る。 【解決手段】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れ、その下流側に配置された広域空燃比センサによって
空燃比が検出される。空燃比がリッチである場合(S1
0)には、水性ガス反応で発生する水素によって検出精
度が低下するので、排気温度に関連する機関運転条件か
ら基本水素補正量Saを求める(S11)とともに、触
媒劣化度Rから劣化補正値Hrを求め(S12)、水素
補正量Sbを演算する(S13)。この水素補正量Sb
によってポンピング電流Ipbを補正し(S14)、空
燃比AFbを求める(S15)。排気温度と触媒劣化度
から推定される水性ガス反応の度合いに応じて空燃比が
補正されるので、空燃比検出精度が向上する。
Description
装置を備えるとともに、その下流側に広域空燃比センサ
が設けられた内燃機関の排気浄化装置に関する。
は、貴金属(白金、ロジウム等)またはその他の金属を
担持した触媒が従来から使用されている。このような触
媒は、排気ガス中の有害成分であるHC、CO、NOx
等を酸化還元して浄化しているが、効果的な浄化のため
には、内燃機関の空燃比を制御する必要がある。特に、
HC、CO、NOxを同時に浄化するには、三元点とい
われる理論空燃比に高精度に制御しなければならない。
そのため、周知のように、触媒装置の上流側もしくは下
流側に、空燃比を検出するためのセンサを設け、その出
力を用いて内燃機関の空燃比ひいては排気ガスの酸素濃
度を制御している。
ガス中の酸素濃度によってオン・オフ的に出力が変化す
る酸素センサが比較的多く採用されているが、近年で
は、リーン領域での空燃比フィードバック制御の要請な
どから、空燃比の値そのものを広範囲に亙って検出し得
る広域空燃比センサも広く用いられている。
明するための説明図であって、両面にそれぞれ電極を備
えた2枚のジルコニア電極21,22の間に、排気通路
から排気ガスが導入されるセンサ室24が形成されてい
るとともに、ジルコニア電極22の反対側に、基準とな
る大気が導入される大気室25が形成されている。な
お、26はヒータ、27はアンプである。この空燃比セ
ンサでは、センサ室24に排気ガスが拡散によって導入
される。リーン側においては、ジルコニア電極21に電
流を流してセンサ室24に入ってきた排気ガス中の酸素
と一酸化窒素の酸素を汲み出し、この汲み出しに使用し
た電流(ポンピング電流)から空燃比を求めている。ま
た、逆に、リッチ側では、センサ室24に入ってきた排
気ガス中の一酸化炭素や水素、炭化水素の還元物が酸化
するのに必要な酸素をセンサ室24に発生させるのに使
用した電流(ポンピング電流)から空燃比を求めてい
る。つまり、図3のように、理論空燃比においてポンピ
ング電流は0となり、リーン側で正、リッチ側で負のポ
ンピング電流が発生する。
在する酸化物の濃度および還元物の濃度を電流で求めて
いることになるが、排気ガスは、拡散によってセンサ室
24に入ってくるため、拡散速度によりセンシング部
(電極表面)に到達する時間が異なるという問題があ
る。拡散速度は、ほぼ分子のサイズ(分子量)に依存
し、リーン側でセンシングする成分である酸素と一酸化
窒素とでは、それぞれの分子量がほぼ同一であり、拡散
速度もほぼ同一であるため、特に支障はない。しかしな
がら、リッチ側でセンシングする成分である水素と一酸
化炭素とでは、それぞれの分子量は大きく異なり、その
ため拡散速度も異なる。分子のサイズ(分子量)が小さ
い水素は、一酸化炭素よりも拡散が早く、電極表面に早
く到達する。そのため、同一濃度では、一酸化炭素より
も水素の方が早く電極表面に到達することから、電極で
酸化するのに、水素の方が一酸化炭素よりも約4倍もの
ポンピング電流を必要とする。すなわち、水素と一酸化
炭素とが同一濃度であっても、センシング部に到達する
速度が早い水素の方が、還元物の濃度として4倍も濃い
と出力してしまうことになる。但し、触媒装置の上流側
であれば、排気ガス中の水素と一酸化炭素の比率は常に
略一定であるため、水素と一酸化炭素とを一定割合で混
合したときのポンピング電流と空燃比との関係、すなわ
ち、図3の実線の特性を予め求めておき、実際の空燃比
検出時には、この特性を用いてポンピング電流を空燃比
に換算することができる。
の関係を直線で示しているが、実際には両者は単純な比
例関係に無いので、ポンピング電流を空然比に換算する
ときには、複数のポンピング電流値に対する空燃比の値
を記憶したマップから補間計算等を行って読み出すよう
にすることが多い。
広域空燃比センサを触媒装置の下流側に配置した場合に
は、いわゆる水性ガス反応によって、排気ガス中の水素
と一酸化炭素の比率が変化し、検出空燃比に影響を与え
る、という問題がある。
等を酸化還元するほかに、下記のように、排気ガス中に
多く含まれる水分と一酸化炭素が反応し、水素と二酸化
炭素を発生させるいわゆる水性ガス反応が生じる。
変化するが、この反応が生じると、排気ガス中の水素が
増加する。つまり、図2に示すように、触媒装置の上流
側に比べて下流側では、一酸化炭素の濃度が低下し、水
素の濃度が高くなる。従って、下流側の空燃比センサで
は、この水素の増加に伴って、実空燃比よりもリッチで
あるような誤った出力を発生してしまう。
酸化炭素が酸化されてほとんど存在しないため、水素も
ほとんど発生せず、空燃比センサは、酸素と一酸化窒素
とをセンシングするので、図3に示すように、触媒装置
の下流側にあっても実質的な影響はない。換言すれば、
触媒装置の上流側に配置した場合と同様の出力が得られ
る。しかし、リッチ側の領域では、触媒によって上述の
水性ガス反応が生じ、図2に示すように触媒装置上流側
に比較して水素濃度が高くなることから、図3に示すよ
うに、実空燃比が同じであっても、触媒下流側のポンピ
ング電流が上流側よりも絶対値で大きくなってしまう。
つまり、よりリッチであるような出力を発生する。この
現象は、特に、リッチになればなるほど、排気ガス中に
含まれる一酸化炭素が多いことから、触媒装置下流側で
の水素濃度も高くなり、検出空燃比と実空燃比との乖離
が大きくなってしまう。
ると思われるセリウムの含有量が比較的少ない触媒であ
っても、実空燃比が13.5のときに、触媒装置下流の
空燃比センサからは、空燃比が約12.5相当の出力が
発生する。
定数Kが変化したときの検出空燃比の変化の様子を示し
ており、特に、実空燃比が12.5〜14.4の範囲で
異なる5種類のものに対する変化を示している。
応の影響は、例えば、特開平8−303280号公報や
特開平9−126012号公報に記載されているが、こ
れらは、いずれも広域空燃比センサではなく、空燃比に
オン・オフ的に反応する酸素センサを用いたものであ
り、しかも、前者では、触媒が劣化するまで下流側酸素
センサの使用を禁止し、また後者では、酸素の供給によ
り水素の発生を抑制するものであって、いずれの場合
も、特にリッチ領域において、下流側センサによる正確
な空燃比検出を実現できるものではない。
内燃機関の排気通路に触媒装置が介装されるとともに、
この触媒装置の下流側に広域空燃比センサが配置された
内燃機関の排気浄化装置において、上記触媒装置におけ
る水性ガス反応の度合いを検知する手段を有し、この水
性ガス反応の度合いに基づいて上記空燃比センサによる
空燃比検出値を補正することを特徴としている。
は、触媒の温度や触媒劣化度等から間接的に推定するこ
とができ、あるいは、水素濃度や一酸化炭素濃度を直接
検出することもできる。
接的に推定するものであって、内燃機関の排気通路に触
媒装置が介装されるとともに、この触媒装置の下流側に
広域空燃比センサが配置された内燃機関の排気浄化装置
において、上記触媒装置の触媒温度を直接に検出もしく
は推定する手段と、上記触媒装置の触媒劣化度を判定す
る手段と、上記の触媒温度と触媒劣化度とから水性ガス
反応による水素濃度に関連した補正パラメータを求める
手段と、この補正パラメータによって上記空燃比センサ
による空燃比検出値を補正する手段とを備えていること
を特徴としている。
気通路に触媒装置が介装されるとともに、この触媒装置
の下流側に広域空燃比センサが配置され、この広域空燃
比センサのポンピング電流に基づいて空燃比が検出され
る内燃機関の排気浄化装置において、上記触媒装置の触
媒温度を直接に検出もしくは推定する手段と、上記触媒
装置の触媒劣化度を判定する手段と、上記の触媒温度と
触媒劣化度とから水性ガス反応による水素濃度に関連し
た補正パラメータを求める手段と、この補正パラメータ
によって上記ポンピング電流の値を補正する手段とを備
えていることを特徴としている。
補正するようにすれば、簡単な補正で正確な空燃比を求
めることが可能である。すなわち、前述のようにポンピ
ング電流と空燃比とは単純な比例関係に無く、換言する
と、大きなポンピング電流を空然比に換算するときの換
算特性は小さなポンピング電流を空燃比に換算するとき
の換算特性とは異なっている。このため、一旦ポンピン
グ電流から換算して求めた空燃比を補正するには、水性
ガス反応によってポンピング電流自体が変化してしまっ
た分を補正するだけでなく、ポンピング電流が変化した
ことに伴って換算の際の換算特性が変化してしまった分
をも補正する必要が生じ、補正の処理が複雑になる。こ
れに対し、ポンピング電流の補正は、それ以外の補正処
理を必要としないので、補正の処理を簡単に行うことが
できるのである。
て直接検出してもよいが、請求項4のように、内燃機関
の運転条件から上記触媒温度を推定することも可能であ
る。
燃機関の運転履歴から判定することができる。
出する触媒温度センサを有し、その温度履歴から上記触
媒劣化度を判定することを特徴としている。
る排気ガスの温度)が高いほど水性ガス反応は活発とな
り、下流側での水素濃度が高くなる。また、触媒が新品
状態であれば水性ガス反応は活発に行われ、触媒が劣化
していくと、水性ガス反応は抑制され、水素の発生は少
なくなる。請求項2〜請求項6の発明では、このような
関係を利用して、水素濃度を直接検出することなく、空
燃比検出精度を高めている。
ス反応によるガス濃度を直接に検出するようにしたもの
である。
関の排気通路に触媒装置が介装されるとともに、この触
媒装置の下流側に広域空燃比センサが配置された内燃機
関の排気浄化装置において、上記触媒装置の下流側に、
排気ガス中の水素濃度を検出するセンサを有し、この検
出した水素濃度に基づいて上記空燃比センサによる空燃
比検出値を補正することを特徴としている。
気通路に触媒装置が介装されるとともに、この触媒装置
の下流側に広域空燃比センサが配置された内燃機関の排
気浄化装置において、上記触媒装置の下流側に、排気ガ
ス中の一酸化炭素濃度を検出するセンサを有し、この検
出した一酸化炭素濃度に基づいて上記空燃比センサによ
る空燃比検出値を補正することを特徴としている。
としては、例えば、水素や一酸化炭素を選択的に酸化燃
焼する触媒層と、これらを酸化燃焼しない触媒層とを具
備し、この2つの層の温度差から、水素もしくは一酸化
炭素の濃度を検出するようにしたものを用いることがで
きる。
によれば、触媒装置の下流側に広域空燃比センサを配置
した場合でも、精度よく空燃比を検出することができ、
例えば一層高精度な空燃比フィードバック制御を実現で
きる。
機関の運転条件等から水性ガス反応の度合いを推定し、
検出空燃比を補正するので、構成の複雑化を伴わずに空
燃比の検出精度を高めることができる。
形態を図面に基づいて詳細に説明する。
を示している。内燃機関1の排気通路2に、三元触媒を
用いた触媒装置3が介装されているとともに、この触媒
装置3の上流側および下流側に、それぞれ空燃比を検出
するための第1空燃比センサ4および第2空燃比センサ
5が配置されている。これらの空燃比センサ4,5は、
いずれも前述した広域空燃比センサからなり、空燃比を
ポンピング電流の形で検出するようになっている。これ
らの空燃比センサ4,5の検出信号は、エンジンコント
ロールユニット6に入力される。また内燃機関1の吸気
通路7には、燃料噴射装置8が取り付けられており、エ
ンジンコントロールユニット6からの噴射信号によって
燃料を噴射するようになっている。この燃料噴射量は、
基本的には内燃機関1の運転条件に応じて制御されるも
のであるが、両空燃比センサ4,5による空燃比の検出
に基づいて、運転条件に応じた目標空燃比となるように
空燃比フィードバック制御が行われる。
ト6において実行される空燃比フィードバック制御の流
れを示すフローチャートである。この図6のルーチン
は、例えば内燃機関1の回転に同期して繰り返し実行さ
れるもので、先ずステップ1では、機関冷却水温やスロ
ットル開度等から、空燃比フィードバック制御を行う条
件であるか否かを判定する。例えば、冷却水温が低い場
合やアイドル時等においては、オープンループ制御とな
り、図示せぬ他のルーチンによって処理される。空燃比
フィードバック制御を行う条件であれば、ステップ2へ
進み、内燃機関1の吸入空気量Qおよび回転数Nを読み
込み、かつステップ3で、基本燃料噴射量Tpを、Tp
=Ktp×Q/Nとして算出する。なお、Ktpは、定
数である。次に、ステップ4において、上流側の第1空
燃比センサ4の出力(検出空燃比)AFaに基づいて、
フィードバック補正に必要な第1燃料噴射補正量Haを
求める。これは、図11に示したようなマップを用いて
決定されるものであり、目標空燃比が理論空燃比である
場合、理論空燃比で「1」となり、理論空燃比に対して
リッチになるほど小さな値に、逆にリーンになるほど大
きな値となる。
サ5の出力(ポンピング電流)を補正して、下流側での
検出空燃比AFbを求める。このステップ5のサブルー
チンは後述する。ステップ6では、ステップ4と同様
に、この補正後の下流側検出空燃比AFbに基づいて、
フィードバック補正に必要な第2燃料噴射補正量Hbを
求める。これは、図15に示したようなマップを用いて
決定されるものであり、理論空燃比で「1」となり、理
論空燃比に対してリッチになるほど小さな値に、逆にリ
ーンになるほど大きな値となる。
射量Tpと第1,第2燃料噴射補正量Ha,Hbとか
ら、次式のように燃料噴射量Tiを求め、かつステップ
8で燃料噴射を実行する。
あり、バッテリ電圧に応じて与えられる。
の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第1,第2
空燃比センサ4,5の双方の検出空燃比を用いて、燃料
噴射量がフィードバック制御されている。
フローチャートであり、以下、これを説明する。ステッ
プ9では、第2空燃比センサ5のポンピング電流Ipb
を読み込み、ステップ10で、このポンピング電流Ip
bに基づいて、空燃比がリッチ領域であるか否かを判定
する。このポンピング電流Ipbは、前述したように、
理論空燃比において0、リッチ側でマイナスとなるの
で、マイナスであるか否かを判定することになる。ここ
でリーンと判定した場合には、前述したように、水性ガ
ス反応による影響がほとんどないので、特に補正は行わ
ず、後述するステップ15へ進む。
テップ11以降へ進んで水性ガス反応に対する出力の補
正を行う。先ず、ステップ11では、基本燃料噴射量T
pと機関回転数Nとに基づいて、基本水素補正量Saを
求める。これは、触媒温度を考慮したものであって、図
12に示すような特性のマップを用いて決定され、高速
高負荷域ほど排温が高く水性ガス反応が活発となるの
で、基本水素補正量Saは、高速高負荷域で最大(1)
に、低速低負荷域で最小(0)になる。また水素発生量
は、触媒の劣化度によっても大きく異なるので、ステッ
プ12では、触媒劣化度Rから劣化補正値Hrを決定
し、ステップ13で、この劣化補正値Hrを上記基本水
素補正量Saに乗じて、水素補正量Sbを求める。上記
劣化補正値Hrは、図13に示すようなマップから決定
されるもので、触媒劣化度Rが小であれば、0であり、
触媒劣化度Rが最大のときに1となる。なお、触媒劣化
度Rを求める処理の流れについては後述するが、触媒が
新品であるときに劣化度Rは最小であり、劣化度Rが大
であるほど、触媒が劣化していることを意味している。
に次式のように補正を加えて、補正後のポンピング電流
Ipbを求める。
ス反応がない場合のポンピング電流に相当するものとな
る。そして、ステップ15において、このポンピング電
流Ipbに基づいて、空燃比AFbを決定する。これ
は、図14に示すようなマップを用いて求められる。な
お、ポンピング電流が0であれば、理論空燃比であり、
プラス側がリーン領域に、マイナス側がリッチ領域に、
それぞれ相当する。
述する。
素と一酸化炭素との比率は空燃比にかかわらずほぼ一定
であると見なしても差し支えないので、このときの比率
を定数cとすれば以下の式が成り立つ。
合のポンピング電流Ipbは、水素の感度が一酸化炭素
の感度の約4倍であることを考慮して以下の式のように
表される。
性ガス反応が起こると、一部の一酸化炭素が周囲の水分
と反応して水素と二酸化炭素を生成する。水性ガス反応
が起こった後の、すなわち、触媒下流の排気ガス中の各
ガスの濃度は、水性ガス反応の反応定数をKとすれば、 K=([CO(下流)][H2O])/([H2(下
流)][CO2]) と表すことができる。ここで、水分と二酸化炭素との比
率は空燃比の変化や水性ガス反応の程度にかかわらずほ
ぼ一定であると見なしても差し支えないので、このとき
の比率を定数dとすれば、 dK=[CO(下流)]/[H2(下流)] となる。また、水性ガス反応による水素濃度の増分と一
酸化炭素の減分とは等しいので、上記の式は以下のよう
に表すことができる。
を求めると、 Δ=[H2](c−dK)/(dK+1) となる。この排気ガス中に空燃比センサを置いた場合の
ポンピング電流Ipb(下流)は、以下のように表され
る。
流)は、 Ipb(下流)=α(c+4)[H2]〔3(c−d
K)/{(c+4)(dK+1)}+1〕 と表すことができる。c、dは定数であるから、「3
(c−dK)/{(c+4)(dK+1)}」の値は水
性ガス反応定数Kだけによって変化する。これを、水性
ガス反応の度合いに応じた値Sbとおけば、上記の式は
以下のように表され、ステップ14の補正式を得ること
ができる。
から求めるためのフローチャートを示している。触媒の
温度は、内燃機関1の排気温度によってほぼ定まり、ま
た排気温度は、図16に示すように、基本燃料噴射量T
pと機関回転数Nとによってほぼ定まるから、ステップ
16で、基本燃料噴射量Tpと機関回転数Nとをパラメ
ータとした図17に示すマップに基づいて、触媒温度T
cを推定する。触媒の劣化は、この触媒温度に関連して
進行するので、ステップ17で、推定した触媒温度Tc
に対応する触媒劣化度Raを図18に示すようなマップ
から求め、かつ、ステップ18で、この触媒劣化度Ra
を順次積算して、経時的な触媒劣化度Rを求め、ステッ
プ19で、この触媒劣化度Rをメモリに記憶する。
媒装置3に触媒温度センサ9を備えた第2の実施の形態
を示している。図9は、このように触媒温度センサ9を
具備して、その温度履歴から触媒劣化度Rを求めるフロ
ーチャートを示しており、触媒温度センサ9によって触
媒温度Tcを直接に検出し(ステップ20)、この触媒
温度Tcに対応する触媒劣化度Raをマップから求め
(ステップ21)、かつ、この触媒劣化度Raを順次積
算して、経時的な触媒劣化度Rを求め(ステップ2
2)、メモリに記憶する(ステップ23)。なお、この
ように触媒温度センサ9を具備する場合には、前述した
基本水素補正量Saを、触媒温度Tcに基づいて決定す
るようにしてもよい。
測定するために、水素濃度に直接反応する水素センサ1
0を用いた第3の実施の形態を示している。この水素セ
ンサ10は、例えば、水素と選択的に反応する触媒層
と、水素と反応しない触媒層とを具備し、この2つの層
の温度差から、水素濃度を検出する。
施の形態におけるステップ5のサブルーチンを示してお
り、以下、これを説明する。ステップ24では、第2空
燃比センサ5のポンピング電流Ipbを読み込み、ステ
ップ25で、このポンピング電流Ipbに基づいて、空
燃比がリッチ領域であるか否か、つまりポンピング電流
がマイナスであるか否かを判定する。前述したように、
リーンである場合には、水性ガス反応による影響がほと
んどないので、特に補正は行わず、ステップ26へ進
み、ポンピング電流Ipbからそのまま空燃比AFbを
決定する。これは前述した図7のステップ15と同様の
処理である。
テップ27以降へ進んで水性ガス反応に対する出力の補
正を行うことになり、先ず、ステップ27で水素センサ
10により検出した水素濃度Chを読み込む。次に、ス
テップ28では、この水素濃度Ch分のポンピング電流
Ipbhを、Ipbh=Kh×Chとして求める。ここ
で、Khは、水素の感度であり、定数として与えられ
る。そして、ステップ29で、第2空燃比センサ5の実
際のポンピング電流Ipbから上記の水素濃度Ch分の
ポンピング電流Ipbhを差し引くことにより、一酸化
炭素によるポンピング電流Ipbcを求める。ステップ
30では、この一酸化炭素分のポンピング電流Ipbc
から逆に一酸化炭素濃度Ccを求める。具体的には、C
c=Ipbc/Kcとする。ここで、Kcは、一酸化炭
素の感度であり、やはり定数として与えられる。なお、
これらの感度は、ガスの拡散速度から決まるものであ
り、KhはKcの約4倍の値となる。次に、ステップ3
1において、水素濃度Chと一酸化炭素濃度Ccの和を
求め、その合計値に対応する空燃比AFbを、図19に
示すようなマップを用いて求める。
応の度合いを測定するために、水素濃度に直接反応する
水素センサ10を用いた例を説明したが、一酸化炭素濃
度に直接反応する一酸化炭素センサを用いても、同様の
方法によって一酸化炭素濃度Ccと水素濃度Chとを求
めることができ、かつ補正後の空燃比AFbを求めるこ
とができる。
媒装置3の上流側および下流側の双方に空燃比センサ
4,5を設けたものに限られず、図22に示すように、
触媒装置3の下流側のみに空燃比センサ5を具備するも
のにおいても、同様に適用することができる。また、燃
料噴射量をフィードバック制御する際の目標空燃比は、
理論空燃比に限られず、例えば理論空燃比に対してリッ
チな空燃比を目標空燃比として設定することも可能であ
る。
説明図。
分の変化を示す特性図。
電流と空燃比との関係を示す特性図。
係を示す特性図。
図。
バック制御の流れを示すフローチャート。
示すフローチャート。
ーチャート。
の形態を示すフローチャート。
の出力補正のサブルーチンを示すフローチャート。
燃料噴射補正量Haのマップを示す説明図。
基本水素補正量Saのマップを示す説明図。
プを示す説明図。
対する空燃比AFbのマップを示す説明図。
2燃料噴射補正量Hbのマップを示す説明図。
す特性図。
触媒温度Tcのマップを示す説明図。
示す説明図。
燃比AFbのマップを示す説明図。
図。
図。
図。
Claims (8)
- 【請求項1】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れるとともに、この触媒装置の下流側に広域空燃比セン
サが配置された内燃機関の排気浄化装置において、上記
触媒装置における水性ガス反応の度合いを検知する手段
を有し、この水性ガス反応の度合いに基づいて上記空燃
比センサによる空燃比検出値を補正することを特徴とす
る内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項2】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れるとともに、この触媒装置の下流側に広域空燃比セン
サが配置された内燃機関の排気浄化装置において、上記
触媒装置の触媒温度を直接に検出もしくは推定する手段
と、上記触媒装置の触媒劣化度を判定する手段と、上記
の触媒温度と触媒劣化度とから水性ガス反応による水素
濃度に関連した補正パラメータを求める手段と、この補
正パラメータによって上記空燃比センサによる空燃比検
出値を補正する手段とを備えていることを特徴とする内
燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項3】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れるとともに、この触媒装置の下流側に広域空燃比セン
サが配置され、この広域空燃比センサのポンピング電流
に基づいて空燃比が検出される内燃機関の排気浄化装置
において、上記触媒装置の触媒温度を直接に検出もしく
は推定する手段と、上記触媒装置の触媒劣化度を判定す
る手段と、上記の触媒温度と触媒劣化度とから水性ガス
反応による水素濃度に関連した補正パラメータを求める
手段と、この補正パラメータによって上記ポンピング電
流の値を補正する手段とを備えていることを特徴とする
内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項4】 内燃機関の運転条件から上記触媒温度を
推定することを特徴とする請求項2または3に記載の内
燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項5】 内燃機関の運転履歴から上記触媒劣化度
を判定することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに
記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項6】 上記触媒装置の温度を検出する触媒温度
センサを有し、その温度履歴から上記触媒劣化度を判定
することを特徴とする請求項2または3に記載の内燃機
関の排気浄化装置。 - 【請求項7】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れるとともに、この触媒装置の下流側に広域空燃比セン
サが配置された内燃機関の排気浄化装置において、上記
触媒装置の下流側に、排気ガス中の水素濃度を検出する
センサを有し、この検出した水素濃度に基づいて上記空
燃比センサによる空燃比検出値を補正することを特徴と
する内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項8】 内燃機関の排気通路に触媒装置が介装さ
れるとともに、この触媒装置の下流側に広域空燃比セン
サが配置された内燃機関の排気浄化装置において、上記
触媒装置の下流側に、排気ガス中の一酸化炭素濃度を検
出するセンサを有し、この検出した一酸化炭素濃度に基
づいて上記空燃比センサによる空燃比検出値を補正する
ことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
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