JP2000091807A - 誘電体バンドパス・フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】通過帯域の外側低域の減衰特性を向上させる。 【解決手段】バンドパス・フィルタは、誘電体の基板Ｄ
１〜Ｄ６の積層体で構成される。基板Ｄ１、Ｄ５上には
外部グランド電極Ｇ４、Ｇ５と接続される内部グランド
電極Ｇ１、Ｇ２が形成され、基板Ｄ３上には内部グラン
ド電極Ｇ１、Ｇ２と共に第１及び第２の共振器を構成す
る第１及び第２のパターン電極Ｐ１、Ｐ２が形成され、
基板Ｄ４には内部グランド電極Ｇ１、Ｇ２と共に第３の
共振器を構成する第３のパターン電極Ｐ３が形成されて
いる。パターン電極Ｐ１、Ｐ２の取出電極が入出力電極
Ｓ１、Ｓ２に接続され、短絡端が外部グランド電極Ｇ４
に接続され、パターン電極Ｐ３の短絡端がグランド電極
Ｇ４に接続されている。これにより、入出力電極間に第
１、第３、第２の３素子の共振器を構成し、幅広い周波
数にわたって低域側の減衰量を増大させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、誘電体フィルタに関し、
特に、携帯電話等の携帯無線通信機器に組み込まれる積
層型の誘電体バンドパス・フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＰＨＳ、携帯電話等の無線通信シ
ステムの普及により、該システムにおいて使用されるモ
バイル通信機器の小型化及び高信頼性化が、よりいっそ
う求められている。このような要求に基づき、モバイル
通信機器内のＲＦ段に組み入れられるバンドパス・フィ
ルタとして、図６の分解斜視図で示すようなチップ型の
ＬＣバンドパス・フィルタが提案されている。図６に示
した従来例の誘電体バンドパス・フィルタは、矩形状の
保護層３０、誘電体基板１２、接着剤層２２、誘電体基
板２４、及び保護層３２の積層体として構成されてい
る。そして、誘電体基板１２の一方の表面のほぼ全体に
グランド電極１４が形成され、他方の表面に２つのパタ
ーン電極１６ａ、１６ｂ及びガード電極２０が形成さ
れ、誘電体層２４の保護層３２側の表面全体にシールド
電極２８が形成されている。パターン電極１６ａ、１６
ｂは、取り出し電極１８ａ、１８ｂを備えている。

【０００３】また、図６の従来例の誘電体バンドパス・
フィルタは、積層体の対向する側面に６つの端子電極３
４ａ〜３４ｆが形成されており、他の対向する側面に端
子電極３６ａ、３６ｂが形成されている。これら端子電
極と積層体内部の電極とは、以下のように接続されてい
る。端子電極３４ａは、パターン電極１６ａ、グランド
電極１４、及びシールド電極２８に接続されている。端
子電極３４ｂは、ガード電極２０、グランド電極１４、
及びシールド電極２８に接続されている。端子電極３４
ｃは、パターン電極１６ｂ、グランド電極１４、及びシ
ールド電極２８に接続されている。端子電極３４ｄ〜３
４ｆは、グランド電極１４、及びシールド電極２８に接
続されている。端子電極３６ａは、取出電極１８ａに接
続されている。端子電極３６ｂは、取出電極１８ｂに接
続されている。

【０００４】このような構造の従来例の誘電体バンドパ
ス・フィルタにおいては、その等価回路が図７（Ａ）の
ように表される。なお、ＣX及びＭは、第１及び第２の
パターン電極１６ａ、１６ｂの間の電磁的な容量結合及
び誘導結合を示している。また、その減衰特性（周波数
-減衰特性）は図７（Ｂ）に示すようになり、通過帯域
の両側に減衰極を有するバンドパス・フィルタを構成し
ている。該フィルタの通過帯域幅は、パターン電極１６
ａ、１６ｂの間隔ｄを変化させることによって調整する
ことができ、間隔ｄを小さくすると通過帯域幅は広が
り、逆に大きくすると通過帯域幅は狭くなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、モバイル通
信機のＲＦ回路に用いられるフィルタ特性は、理想的に
は、通信に使用される帯域のみを損失なく通過させ、そ
れ以外の帯域では無限の減衰量を有することである。し
かし、このようなフィルタは実現できないため、システ
ム、回路構成に合わせてフィルタ特性を最適化すること
が必要である。送信と受信に異なる周波数を利用するＦ
ＤＤ方式を用いた通信システムにおいては、デュプレク
サを構成する送受信用の各フィルタは、それぞれ他方の
周波数帯域において特に大きな減衰量を必要としてい
る。また、送信と受信を高速で切り替えるＴＤＤ方式を
用いた通信システムにおいても、通信帯域の上側又は下
側に所望の周波数離れた発振周波数に設定された局部発
振器を利用することが一般的であり、このようなＲＦ回
路に用いられるフィルタでは、局部発振器の発振周波数
側の減衰量を特に必要としている。実際の例として、Ｔ
ＤＤ方式のＰＨＳの場合、通信周波数が１．９ＧＨｚ、
局部発振器の周波数が１．６５ＧＨｚ近傍に設定されて
いるので、そのイメージが１．４ＧＨｚ近傍に発生す
る。したがって、受信周波数１．９ＧＨｚの低域側の
１．４〜１．７ＧＨｚ程度の広範囲で十分な減衰量を得
ることができるフィルタが必要となる。

【０００６】上記した図７の従来例の誘電体バンドパス
・フィルタにおいては、その通過帯域幅を広めにするた
めにパターン電極１６ａ、１６ｂの間隔ｄを狭くする
と、これらパターン電極間の結合の容量成分が増加し、
ＣXが増加することになる。これにより、通過帯域幅は
広がるが、これと同時に減衰極も通過帯域から遠ざかる
ことになる。逆に、パターン電極１６ａ、１６ｂの間隔
ｄを広げて通過帯域幅を狭くすると減衰極が通過帯域に
接近する。したがって、通過帯域幅を広くしかつ減衰極
を通過帯域に近接させるためには、間隔ｄを調整しても
不可能である。このような要求を満足させるためには、
接地付近の電極を近接させてＭ結合を大きくする必要が
あるが、図６の従来例の構造からも明らかなように、こ
れは極めて困難である。さらに、通過帯域を広げるため
には、上記したようにＣXを大きくする必要があるが、
図６の構造のように同一平面上でＣXを形成しても電極
間の対向面積が小さいため、さほど大きなＣXを得るこ
とができない。したがって、従来例の誘電体バンドパス
・フィルタを、局部発振器の周波数が通信帯域よりも低
い周波数を用いている機器に適用した場合、通過帯域の
外側低域で十分な減衰特性が得られず、機器の信頼性が
十分とは言えなかった。本発明は、このような従来例の
問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、通過帯
域の外側低域の幅広い周波数にわたって減衰特性が良好
な小型の積層バンドパス・フィルタを提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的を
達成するために、本発明に係る、入力電極、出力電極、
及び外部グランド電極を外部に有する積層型の誘電体バ
ンドパス・フィルタにおいては、その内部に、外部グラ
ンド電極と接続される第１及び第２の内部グランド電極
と、第１及び第２の内部グランド電極の間の同一平面上
に設けられ、第１及び第２の内部グランド電極とともに
第１及び第２の共振器を構成する第１及び第２のパター
ン電極であって、第１のパターン電極の取出電極が入力
電極に接続され、第２のパターン電極の取出電極が出力
電極に接続され、第１及び第２のパターン電極の短絡端
が外部グランド電極に接続されている、第１及び第２の
パターン電極と、第２の内部グランド電極と第１及び第
２のパターン電極との間に設けられ、第１及び第２の第
２の内部グランド電極とともに第３の共振器を構成する
第３のパターン電極であって、その短絡端が外部グラン
ド電極に接続され、かつ、第１及び第２のパターン電極
と電磁的に結合している第３のパターン電極とからな
り、入力電極と出力電極との間に順に電磁的に結合され
た第１、第３、第２の３素子の共振器を構成しており、
かつ第１の共振器と第２の共振器が電磁的に飛び越し結
合していることを特徴としている。

【０００８】本発明の誘電体バンドパス・フィルタにお
いては、第１及び第２のパターン電極の開放端が、これ
らパターン電極の短絡端に向かって折り返されており、
第３のパターン電極の開放端が、２つに分割されて左右
対称に短絡端に向かって折り返されており、第１のパタ
ーン電極と第２のパターン電極の電磁的結合並びに第１
及び第２のパターン電極と第３のパターン電極との電磁
的結合において、容量性結合が誘導性結合よりも優勢と
なるように構成されているため、通過帯域の外側低域の
幅広い周波数にわたって良好な減衰特性が得られる。ま
た、本発明の誘電体バンドパス・フィルタはさらに、第
１及び第２のパターン電極の対称軸上に、少なくとも１
つの外部電極に電気的に接続された電極を備えることに
より、これらパターン電極間の飛び越し電磁結合を抑制
させることが可能である。さらにまた、本発明の誘電体
バンドパス・フィルタはさらに、第１及び第２のパター
ン電極と第１の内部グランド電極との間に、これらパタ
ーン電極と部分的に重なるよう設けられ、かつ第１及び
第２のパターン電極の短絡端と反対側の外部グランド電
極と接続された内部グランド電極を設け、第１及び第２
の共振器の特性インピーダンスを調整できるようにする
ことが好ましい。

【０００９】

【発明の実施の態様】図１を参照して、本発明の積層誘
電体バンドパス・フィルタの一実施例を説明する。図１
において、（Ａ）は本発明の誘電体バンドパス・フィル
タの斜視図であり、（Ｂ）はその分解斜視図である。図
中、Ｄ１〜Ｄ６は第１〜第６の誘電体基板（以下、基板
Ｄ１〜Ｄ６）であり、これらは順に積層される。基板Ｄ
１、Ｄ５それぞれの上面（表面）には内部グランド電極
Ｇ１、Ｇ２が形成されており、これら内部グランド電極
は、基板Ｄ１、Ｄ５それぞれの対向する一対の短縁の中
央部以外の基板面全体に渡って、形成されている。基板
Ｄ２には、その上面の一部にインピーダンス調整用の内
部グランド電極Ｇ３が形成されている。基板Ｄ３の上面
には、第１及び第２のパターン電極Ｐ１、Ｐ２が形成さ
れ、基板Ｄ４の上面には、第３のパターン電極Ｐ３が形
成されている。基板Ｄ２〜Ｄ６の下面（裏面）には、電
極が形成されておらず、基板Ｄ６は、保護用のものであ
る。

【００１０】基板Ｄ３上の第１及び第２のパターン電極
Ｐ１、Ｐ２は、全体として左右対称に形成されており、
各パターン電極において、そのほぼ中央部から基板Ｄ３
の短縁に達する取出電極ｐｓ１、ｐｓ２が形成され、ま
た、一方の端部が基板Ｄ３の一方の長縁に達して短絡端
（グランド端）を形成している。また、第３のパターン
Ｐ３は、ほぼＴ字型の左右対称に形成され、その中央部
の端部が基板Ｄ４の一方の長縁に達して短絡端を形成し
ている。第３のパターン電極Ｐ３には、取出電極は形成
されていない。これら第１〜第３のパターン電極は、第
１及び第２の内部グランド電極と共に第１〜第３の１／
４波長共振器を形成する。第１〜第３のパターン電極及
びそれにより形成される共振器の詳細については、図２
及び図３に関連して、以降でさらに詳細に説明する。

【００１１】そして、これら基板Ｄ１〜Ｄ６を積層後、
図１の（Ａ）に示すように、基板Ｄ１の下面の両長縁そ
れぞれから基板Ｄ６の上面の両長縁に渡って、外部グラ
ンド電極Ｇ４、Ｇ５が形成され、さらに、基板Ｄ１の下
面の両短縁それぞれから基板Ｄ６の上面の両短縁に渡っ
て、その中央部に、入力電極Ｓ１、出力電極Ｓ２が形成
される。外部グランド電極Ｇ５は、基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ
５上の内部グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３に接続され、
一方、外部グランド電極Ｇ４は、基板Ｄ１、Ｄ５上の内
部グランド電極Ｇ１、Ｇ２に接続され、さらに、基板Ｄ
３、Ｄ４上の第１〜第３のパターン電極Ｐ１〜Ｐ３の短
絡端にも接続される。また、入力電極Ｓ１、出力電極Ｓ
２は、基板Ｄ３上の取出電極ｐｓ１、ｐｓ２にそれぞれ
接続される。

【００１２】図２の（Ａ）、（Ｂ）は、基板Ｄ３及びＤ
４上の第１〜第３のパターン電極Ｐ１〜Ｐ３を拡大表示
したものである。第１及び第２のパターン電極Ｐ１、Ｐ
２は、上記したように左右対称に形成され、内部グラン
ド電極Ｇ１、Ｇ２（図１）とともに第１及び第２の１／
４波長共振器を構成している。第３のパターン電極Ｐ３
は、内部グランド電極Ｇ１、Ｇ２とともに第３の１／４
波長共振器を構成している。図３は、図１の誘電体バン
ドパス・フィルタの等価回路図を示しており、第１〜第
３のパターン電極Ｐ１〜Ｐ３及び内部グランド電極Ｇ
１、Ｇ２でそれぞれ構成される第１〜第３の共振器の部
分には、Ｐ１〜Ｐ３を付けた矩形鎖線で囲って表してい
る。したがって、これ以降、第１〜第３の共振器もＰ１
〜Ｐ３で表すことにする。

【００１３】第１及び第２のパターン電極Ｐ１、Ｐ２
は、図２の（Ａ）に示すように、開放端（部分Ａ１、Ａ
２）の間隔ａが中央部Ｃ１、Ｃ２の間隔ｃよりも狭く、
また、短絡端（部分Ｂ１、Ｂ２）の間隔ｂが間隔ｃより
も狭く設定されている。第３のパターン電極Ｐ３は、図
２の（Ｂ）に示すように、開放端が２つに分けられかつ
約１８０°に短絡端方向に折り返されて、開放端部分
Ｄ、Ｆが形成されている。Ｅは短絡端である。第１及び
第３のパターン電極Ｐ１、Ｐ３は、部分Ａ１及びＢ１と
部分Ｄ及び部分Ｅとがそれぞれ、容量性、誘導性に電磁
気的に結合され、図３の等価回路に示すように、容量結
合ＣX１３及び誘導結合Ｍ１３が形成される。第２及び
第３のパターン電極Ｐ２、Ｐ３の間においても、同様
に、電磁的な容量結合ＣX２３及び誘導結合Ｍ２３が形
成される。また、第１及び第２パターン電極Ｐ１、Ｐ２
の間においても、容量結合ＣX１２及び誘導結合Ｍ１２
が形成される。なお、Ｃ１、Ｃ２は、第１及び第２のパ
ターン電極Ｐ１、Ｐ２と第１及び第２の内部グランド電
極Ｇ１、Ｇ２との間に形成されるキャパシタンス成分で
あり、Ｃ３１、Ｃ３２は、第３のパターン電極Ｐ３と第
１及び第２の内部グランド電極Ｇ１、Ｇ２との間に形成
されるキャパシタンス成分である。

【００１４】図３からも明らかなように、本発明の誘電
体バンドパス・フィルタにおいては、３つのパターン電
極により形成される３つの共振器Ｐ１〜Ｐ３が入出力端
Ｓ１、Ｓ２の間に設けられた３段のフィルタを構成して
いる。したがって、従来例の２つの共振器からなる２段
誘電体バンドパス・フィルタと比べて、減衰量を増大さ
せることができる。このとき、本発明の誘電体バンドパ
ス・フィルタにおいては、従来例と対比して層の数が増
えたもののチップの実装面積は増大されてなく、よっ
て、小型化の要求を満足しつつ減衰特性を向上させるこ
とができる。また、本発明の誘電体バンドパス・フィル
タにおいては、第１及び第２の共振器Ｐ１、Ｐ２の間に
飛び越し結合ＣX１２、Ｍ１２が形成されており、これ
により、減衰極を２つに分裂させることができ、より大
きな減衰を得ることができる。

【００１５】２つの減衰極の周波数離間程度は、飛び越
し結合ＣX１２、Ｍ１２の大きさを変えることによって
制御できる。すなわち、減衰極同士を離したい場合は、
第１及び第２のパターン電極を近接させて飛び越し結合
を大きくすればよい。減衰極同士を近づけたい場合はそ
の逆であり、部分Ａ１、Ａ２の間隔ａ（図２）を大きく
することにより、これらの結合量を低減させればよい。
飛び越し結合量を低減させる別の手法として、図４に示
すように、基板Ｄ３上の第１及び第２のパターン電極Ｐ
１、Ｐ２の中間の対称軸上に、少なくとも一端が外部グ
ランド電極Ｇ５に接続され電極Ｐ４を配置してもよい。
このような電極Ｐ４を設けると、これらパターンによっ
て形成される第１及び第２の共振器Ｐ１、Ｐ２の間の飛
び越し結合が低減される。この手法によれば、素子の平
面面積を増大させることがないので、小型化の要求も満
足する。したがって、第１及び第２の共振器の間の飛び
越し結合を変更する必要がある場合には、図２の（Ａ）
における間隔ａを調節するか、又は図４に示すように電
極Ｐ４を設けてその長さ及び幅を調節すればよい。両方
の調節手法を採用してもよいことは勿論である。

【００１６】図１の誘電体バンドパス・フィルタの内部
グランド電極Ｇ３は、第１〜第３の共振器Ｐ１〜Ｐ３の
特性インピーダンスをマッチングさせるためのものであ
る。すなわち、図２の（Ｂ）に示すように、第３のパタ
ーン電極Ｐ３は、その開放端が左右に分けられて部分Ｄ
及びＦを形成しているため、第３の共振器の特性インピ
ーダンスが低くなる傾向がある。このため、内部グラン
ド電極Ｇ３を、第３の共振器Ｐ３側でなく、第１及び第
２の共振器Ｐ１、Ｐ２用の基板Ｄ３の下面側の基板Ｄ２
上に設けることにより、第１及び第２の共振器Ｐ１、Ｐ
２の特性インピーダンスを低下させることができる。こ
れにより、３つの共振器の特性インピーダンスをマッチ
ングさせることができる。内部グランド電極Ｇ３は、図
１（Ｂ）に示すように、その一端が外部グランド電極Ｇ
５に接続される短絡端とし、他端が外部グランド電極Ｇ
４に接続されずに開放端とし、そして、第１及び第２の
パターン電極と部分的に重なるようにすることが好まし
い。また、３つの共振器の特性インピーダンスがほぼ同
一の場合は、内部グランド電極Ｇ３を具備させる必要が
ないことは、言うまでもない。

【００１７】なお、第３のパターン電極Ｐ３と内部グラ
ンド電極Ｇ２との距離を大きくしても、第３の共振器の
インピーダンスを大きくすることができる。また、第１
及び第２のパターン電極Ｐ１、Ｐ２の開放端付近の幅を
広げると、第１及び第２の共振器のインピーダンスを低
下させることができる。したがって、これによっても第
１〜第３の共振器のインピーダンス・マッチングを行う
ことが可能であるが、小型化の観点から、インピーダン
ス調整用の内部グランド電極Ｇ３を設けることが好まし
い。基板Ｄ３上の信号取出電極ｐs１、ｐs２の位置を変
更しても、第１及び第２の共振器Ｐ１、Ｐ２の特性イン
ピーダンスを調整することができる。

【００１８】図５は、本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタを実験的に作製して、その減衰特性をテストした場
合の結果をグラフ表示している。該グラフに示したよう
に、本発明の実験例においては、１．９ＧＨｚを中心に
１０％程度の帯域幅を有し、かつ１．４〜１．７ＧＨｚ
程度の範囲で大きな減衰量が得られている。これに対し
て、図６に示した従来例においては、図７（Ｂ）に示し
たように、帯域幅は３．０ＧＨｚを中心に５％の程度
で、減衰量が大きい範囲は２．７〜２．８ＧＨｚ程度で
ある。したがって、本発明によれば、従来例に比べて、
帯域幅が２倍となりかつ減衰量の大きい範囲も大幅に広
がっていることが分かる。そして、上記したように、Ｐ
ＨＳにおいては、通信周波数が１．９ＧＨｚ付近であ
り、局部発振周波数が１．６５ＧＨｚ付近でそのイメー
ジが１．４ＧＨｚ付近に発生するが、本発明のバンドパ
ス・フィルタを用いれば、局部発振周波数及びそのイメ
ージ周波数を十分に減衰させることができる。

【００１９】上記の説明は、本発明の好適な実施例を上
げて説明したものにすぎず、種々の変形及び変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、第１〜第３のパ
ターン電極の形状は図２のものに限定されずに、適宜変
更することができる。また、誘電体基板の材質及びサイ
ズ、並びに、電極の材質は、フィルタの電気的特性、実
装スペース等に応じて適宜選択すればよい。さらには、
製造時に、複数の素子分の電極を基板上に形成し、得ら
れた基板を積層した後に１素子分に切り離し、各素子に
外部電極を形成することにより、複数の素子を同時に形
成しても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の誘電体バンドパス・フィルタの構成を
示すためのものであり、（Ａ）はその斜視図、（Ｂ）は
分解斜視図である。

【図２】図１に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタに具備される第１〜第３のパターン電極を拡大表示
した説明図である。

【図３】図１に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタの等価回路を示す回路図である。

【図４】図１に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタに具備される第１及び第２のパターン電極の間に、
飛び越し結合量を低減するための電極を設けた例を示す
説明図である。

【図５】本発明の誘電体バンドパス・フィルタの減衰特
性及び反射損失特性を示すグラフである。

【図６】従来例の誘電体バンドパス・フィルタの構成を
示す分解斜視図である。

【図７】図６に示した従来例の誘電体バンドパス・フィ
ルタの等価回路並びに減衰特性及び反射損失特性を示す
グラフである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力電極、出力電極、及び外部グランド
   電極を外部に有する積層型の誘電体バンドパス・フィル
   タにおいて、その内部に、 外部グランド電極と接続される第１及び第２の内部グラ
   ンド電極と、 第１及び第２の内部グランド電極の間の同一平面上に設
   けられ、第１及び第２の内部グランド電極とともに第１
   及び第２の共振器を構成する第１及び第２のパターン電
   極であって、第１のパターン電極の取出電極が入力電極
   に接続され、第２のパターン電極の取出電極が出力電極
   に接続され、第１及び第２のパターン電極の短絡端が外
   部グランド電極に接続されている、第１及び第２のパタ
   ーン電極と、 第２の内部グランド電極と第１及び第２のパターン電極
   との間に設けられ、第１及び第２の内部グランド電極と
   ともに第３の共振器を構成する第３のパターン電極であ
   って、その短絡端が外部グランド電極に接続され、か
   つ、第１及び第２のパターン電極と電磁的に結合してい
   る第３のパターン電極とからなり、入力電極と出力電極
   との間に順に電磁的に結合された第１、第３、第２の３
   素子の共振器を構成しており、かつ第１の共振器と第２
   の共振器が電磁的に飛び越し結合していることを特徴と
   する誘電体バンドパス・フィルタ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の誘電体バンドパス・フィ
   ルタにおいて、 第１及び第２のパターン電極の開放端が、これらパター
   ン電極の短絡端に向かって折り返されており、 第３のパターン電極の開放端が、２つに分割されて左右
   対称に短絡端に向かって折り返されており、第１のパタ
   ーン電極と第２のパターン電極との電磁的結合、並びに
   第１及び第２のパターン電極と第３のパターン電極との
   電磁的結合において、容量性結合が誘導性結合よりも優
   勢となるように構成されていることを特徴とする誘電体
   バンドパス・フィルタ。
3. 【請求項３】 請求項２記載の誘電体バンドパス・フィ
   ルタにおいて、該フィルタはさらに、 第１及び第２のパターン電極の対称軸上に、少なくとも
   一方の外部グランド電極に電気的に接続されたこれらパ
   ターン電極間の飛び越し電磁結合を抑制する電極を備え
   ていることを特徴とする誘電体バンドパス・フィルタ。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれかに記載の誘電体バ
   ンドパス・フィルタにおいて、該フィルタはさらに、 第１及び第２のパターン電極と第１の内部グランド電極
   との間に、これらパターン電極と部分的に重なるよう設
   けられ、かつ第１及び第２のパターン電極の短絡端と反
   対側の外部グランド電極と接続されたインピーダンス調
   整用の内部グランド電極を備えていることを特徴とする
   誘電体バンドパス・フィルタ。