JP2000066003A - 光学部品の洗浄方法 - Google Patents
光学部品の洗浄方法Info
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- JP2000066003A JP2000066003A JP10236201A JP23620198A JP2000066003A JP 2000066003 A JP2000066003 A JP 2000066003A JP 10236201 A JP10236201 A JP 10236201A JP 23620198 A JP23620198 A JP 23620198A JP 2000066003 A JP2000066003 A JP 2000066003A
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- cleaning
- clean gas
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】被洗浄物が十分に洗浄され、かつ再汚染され
ず、被洗浄物表面の温度上昇がきわめて少ない光洗浄装
置を提供する。 【解決手段】所定の空間内で光学部品を紫外線照射によ
り光洗浄する光学部品の洗浄方法において、所定の空間
内のオゾン濃度が１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍであること
を特徴とする光学部品の光洗浄方法。
ず、被洗浄物表面の温度上昇がきわめて少ない光洗浄装
置を提供する。 【解決手段】所定の空間内で光学部品を紫外線照射によ
り光洗浄する光学部品の洗浄方法において、所定の空間
内のオゾン濃度が１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍであること
を特徴とする光学部品の光洗浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学部品の洗浄方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドライで有効な洗浄法として、紫
外線を利用した洗浄法やオゾン、活性酸素等のガスと紫
外線を組み合わせた洗浄法がある。その光洗浄に用いら
れる従来の光洗浄装置は、装置内には、光源として紫外
線ランプと、被洗浄物を保持するホルダーが設けられた
構成である。
外線を利用した洗浄法やオゾン、活性酸素等のガスと紫
外線を組み合わせた洗浄法がある。その光洗浄に用いら
れる従来の光洗浄装置は、装置内には、光源として紫外
線ランプと、被洗浄物を保持するホルダーが設けられた
構成である。
【０００３】一般には、紫外線ランプとして低圧水銀ラ
ンプが使用され、この様な光洗浄装置はUV／オゾン洗浄
装置とも呼ばれ、有機物を分解／除去することができる
ので、食器洗浄、半導体／ガラス表面洗浄、レジスト剥
離等に広く用いられている。
ンプが使用され、この様な光洗浄装置はUV／オゾン洗浄
装置とも呼ばれ、有機物を分解／除去することができる
ので、食器洗浄、半導体／ガラス表面洗浄、レジスト剥
離等に広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記光洗浄装置に用い
られる低圧水銀ランプの発光スペクトル特性は、波長１
８５ｎｍと２５４ｎｍに主な輝線がある。入力電力に対
するこれらの輝線への発光効率はそれほど高くはなく、
多くは熱へ変換される。その発熱のためにランプ自体の
温度が高くなり、ランプからの熱伝導、又は赤外線輻射
により被洗浄物が加熱され、温度が上がるという問題が
ある。
られる低圧水銀ランプの発光スペクトル特性は、波長１
８５ｎｍと２５４ｎｍに主な輝線がある。入力電力に対
するこれらの輝線への発光効率はそれほど高くはなく、
多くは熱へ変換される。その発熱のためにランプ自体の
温度が高くなり、ランプからの熱伝導、又は赤外線輻射
により被洗浄物が加熱され、温度が上がるという問題が
ある。
【０００５】また、従来の光洗浄装置を用いて被洗浄物
を洗浄した場合、被洗浄物が十分に洗浄されなかった
り、洗浄されても再汚染されてしまうという問題があっ
た。そこで、本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、被洗浄物が十分に洗浄され、か
つ再汚染されず、被洗浄物表面の温度上昇がきわめて少
ない光洗浄装置を提供することを目的とする。
を洗浄した場合、被洗浄物が十分に洗浄されなかった
り、洗浄されても再汚染されてしまうという問題があっ
た。そこで、本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、被洗浄物が十分に洗浄され、か
つ再汚染されず、被洗浄物表面の温度上昇がきわめて少
ない光洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、鋭意研究の結
果、オゾン濃度が制御された環境下において被洗浄物を
光洗浄することによって、上記問題点を解決できること
を見いだした。即ち、オゾンは、２５４ｎｍの光を特に
吸収するので、オゾン濃度が変化すると、被洗浄物に到
達する２５４ｎｍの光の光量も変化し、オゾン濃度と前
記光の光量との双方の関係により被洗浄物の洗浄効果に
影響を及ぼす。
果、オゾン濃度が制御された環境下において被洗浄物を
光洗浄することによって、上記問題点を解決できること
を見いだした。即ち、オゾンは、２５４ｎｍの光を特に
吸収するので、オゾン濃度が変化すると、被洗浄物に到
達する２５４ｎｍの光の光量も変化し、オゾン濃度と前
記光の光量との双方の関係により被洗浄物の洗浄効果に
影響を及ぼす。
【０００７】本発明は、「所定の空間内で光学部品を紫
外線照射により光洗浄する光学部品の洗浄方法におい
て、所定の空間内のオゾン濃度が１０ｐｐｍ〜１００ｐ
ｐｍであることを特徴とする光学部品の光洗浄方法（請
求項１）」を提供する。
外線照射により光洗浄する光学部品の洗浄方法におい
て、所定の空間内のオゾン濃度が１０ｐｐｍ〜１００ｐ
ｐｍであることを特徴とする光学部品の光洗浄方法（請
求項１）」を提供する。
【０００８】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態として、図
面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態の光洗
浄装置の概略断面図である。実施形態の光洗浄装置は、
処理室１、光源としての低圧水銀ランプ２、光源からの
光を反射させる反射板３、クリーンガス導入機構４、排
気機構５、被洗浄物６を保持するホルダー７から構成さ
れている。処理室１の容積は約０．７ｍ3である。低圧
水銀ランプ２は、被洗浄物６の上下面を同時に洗浄でき
るように、処理室１内の上部と下部に設けられている。
被洗浄物６と低圧水銀ランプ２の距離は約１００ｍｍ程
度である。クリーンガス導入機構４は、パーティクル及
び有機物を除去するためのフィルターを装備している。
導入するエアーは、温度は室温であり、湿度としてはド
ライなものが好ましいが、相対湿度５０％程度の大気で
も十分洗浄されることを確認した。排気機構５は、排気
用ファン、オゾン分解フィルターを装備し、排気機構５
は図示しない排気制御機構により制御される。ホルダー
７には、クリーンガス導入機構４の導入口から排気機構
の排気口へガスがスムーズに流れるように、貫通孔が設
けられている。
面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態の光洗
浄装置の概略断面図である。実施形態の光洗浄装置は、
処理室１、光源としての低圧水銀ランプ２、光源からの
光を反射させる反射板３、クリーンガス導入機構４、排
気機構５、被洗浄物６を保持するホルダー７から構成さ
れている。処理室１の容積は約０．７ｍ3である。低圧
水銀ランプ２は、被洗浄物６の上下面を同時に洗浄でき
るように、処理室１内の上部と下部に設けられている。
被洗浄物６と低圧水銀ランプ２の距離は約１００ｍｍ程
度である。クリーンガス導入機構４は、パーティクル及
び有機物を除去するためのフィルターを装備している。
導入するエアーは、温度は室温であり、湿度としてはド
ライなものが好ましいが、相対湿度５０％程度の大気で
も十分洗浄されることを確認した。排気機構５は、排気
用ファン、オゾン分解フィルターを装備し、排気機構５
は図示しない排気制御機構により制御される。ホルダー
７には、クリーンガス導入機構４の導入口から排気機構
の排気口へガスがスムーズに流れるように、貫通孔が設
けられている。
【０００９】次に、実施形態の光洗浄装置を用いて光学
部品を光洗浄する工程を説明する。被洗浄物６として、
Φ３０ｍｍ-ｔ３ｍｍの石英ガラス基板を用いた。ま
ず、石英ガラス基板の表面をアルコールやアセトン等の
有機溶剤による拭き上げ又は超音波洗浄による洗浄によ
り清浄にする。次に、被洗浄物である石英ガラス基板６
を処理室１内のホルダー７にセットしクリーンガス導入
機構４から酸素を含むクリーンガス（空気）を導入し、
低圧水銀ランプ２を点灯すると同時に、排気機構５の排
気ファンを作動させる。
部品を光洗浄する工程を説明する。被洗浄物６として、
Φ３０ｍｍ-ｔ３ｍｍの石英ガラス基板を用いた。ま
ず、石英ガラス基板の表面をアルコールやアセトン等の
有機溶剤による拭き上げ又は超音波洗浄による洗浄によ
り清浄にする。次に、被洗浄物である石英ガラス基板６
を処理室１内のホルダー７にセットしクリーンガス導入
機構４から酸素を含むクリーンガス（空気）を導入し、
低圧水銀ランプ２を点灯すると同時に、排気機構５の排
気ファンを作動させる。
【００１０】排気ファンによる排気能力は１０ｍ3／ｍ
ｉｎ程度である。このときの処理室１内のオゾン濃度
は、約５０ｐｐｍである。クリーンガス中に含む酸素が
低圧水銀ランプから放射される１８４．９ｎｍの光によ
ってオゾンに変化するので、処理室１内のオゾン濃度
は、クリーンガスの導入量、酸素からオゾンへの変化量
及び排気量によって制御される。この状態での低圧水銀
ランプ２から放射される波長２５３．７ｎｍの光の光量
は、被洗浄物６表面で約１０ｍｗ／ｃｍ2であった。
ｉｎ程度である。このときの処理室１内のオゾン濃度
は、約５０ｐｐｍである。クリーンガス中に含む酸素が
低圧水銀ランプから放射される１８４．９ｎｍの光によ
ってオゾンに変化するので、処理室１内のオゾン濃度
は、クリーンガスの導入量、酸素からオゾンへの変化量
及び排気量によって制御される。この状態での低圧水銀
ランプ２から放射される波長２５３．７ｎｍの光の光量
は、被洗浄物６表面で約１０ｍｗ／ｃｍ2であった。
【００１１】処理室１内のオゾン濃度の好ましい範囲
は、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍである。オゾン濃度が大
きすぎると、ランプからの紫外光が被洗浄物を洗浄する
ために必要な量を到達しない。また、オゾン濃度が小さ
すぎると、酸化作用が不十分となり十分な洗浄効果が得
られない。
は、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍである。オゾン濃度が大
きすぎると、ランプからの紫外光が被洗浄物を洗浄する
ために必要な量を到達しない。また、オゾン濃度が小さ
すぎると、酸化作用が不十分となり十分な洗浄効果が得
られない。
【００１２】この条件下において、光学部品の洗浄時間
は１０分間程度で十分な洗浄効果があることを確認し
た。このときの、石英ガラス基板の温度上昇量は１５℃
以下であり、処理室１内の雰囲気の温度上昇量は１０℃
以下であった。光洗浄には、オゾン又は活性酸素による
酸化作用と、低圧水銀ランプから放射される波長１８
４．９ｎｍ及び２５３．７ｎｍ光による光分解反応との
両者が関係している。
は１０分間程度で十分な洗浄効果があることを確認し
た。このときの、石英ガラス基板の温度上昇量は１５℃
以下であり、処理室１内の雰囲気の温度上昇量は１０℃
以下であった。光洗浄には、オゾン又は活性酸素による
酸化作用と、低圧水銀ランプから放射される波長１８
４．９ｎｍ及び２５３．７ｎｍ光による光分解反応との
両者が関係している。
【００１３】このように、導入機構及び排気機構により
処理室内のオゾンの量を一定に保つことにより良好かつ
効率よく光洗浄することができる。また、ガスの導入及
び排気により、ガスが流動するので、その流動により処
理室内の温度、石英ガラス基板表面の温度の上昇を抑制
することができる。本実施例では排気量を１０ｍ3／ｍ
ｉｎとしたが、処理室１の容積に応じて最適な排気量を
設定する必要がある。
処理室内のオゾンの量を一定に保つことにより良好かつ
効率よく光洗浄することができる。また、ガスの導入及
び排気により、ガスが流動するので、その流動により処
理室内の温度、石英ガラス基板表面の温度の上昇を抑制
することができる。本実施例では排気量を１０ｍ3／ｍ
ｉｎとしたが、処理室１の容積に応じて最適な排気量を
設定する必要がある。
【００１４】実施形態の例では、被洗浄物として光学部
品である石英ガラス基板を用いたが、半導体基板や機械
部品の洗浄にも適用することができることは言うまでも
ない。
品である石英ガラス基板を用いたが、半導体基板や機械
部品の洗浄にも適用することができることは言うまでも
ない。
【００１５】
【本発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる光
学部品の洗浄方法によれば、オゾン濃度が１０ｐｐｍ〜
１００ｐｐｍに制御された環境下で光学部品を洗浄する
ので、十分な洗浄が行え、かつ再汚染の問題も生じな
い。また、オゾン濃度を制御するにあたって、光洗浄装
置内へのクリーンなガスの導入及び、排気が行われるの
で、光洗浄が行われる環境内及び被洗浄物の温度の上昇
を抑制することができる。
学部品の洗浄方法によれば、オゾン濃度が１０ｐｐｍ〜
１００ｐｐｍに制御された環境下で光学部品を洗浄する
ので、十分な洗浄が行え、かつ再汚染の問題も生じな
い。また、オゾン濃度を制御するにあたって、光洗浄装
置内へのクリーンなガスの導入及び、排気が行われるの
で、光洗浄が行われる環境内及び被洗浄物の温度の上昇
を抑制することができる。
【図１】 本発明の実施形態の光洗浄装置の概略断面図
である。
である。
１・・・処理室 ２・・・低圧水銀ランプ ３・・・反射板 ４・・・クリーンガス導入機構 ５・・・排気機構 ６・・・石英ガラス基板 ７・・・保持具 ８・・・排気ダクト
Claims (1)
- 【請求項１】所定の空間内で光学部品を紫外線照射によ
り光洗浄する光学部品の洗浄方法において、 所定の空間内のオゾン濃度が１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ
であることを特徴とする光学部品の光洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236201A JP2000066003A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 光学部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236201A JP2000066003A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 光学部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000066003A true JP2000066003A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16997288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10236201A Pending JP2000066003A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 光学部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000066003A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10211611A1 (de) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Dekontamination optischer Oberflächen |
| WO2012043156A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | ウシオ電機株式会社 | デンタルインプラント用光照射装置 |
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| US9573111B1 (en) | 2012-07-09 | 2017-02-21 | Kla-Tencor Corporation | High purity ozone generator for optics cleaning and recovery |
| CN112390429A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 株式会社迪思科 | 加工液循环装置 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP10236201A patent/JP2000066003A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2671536A4 (en) * | 2011-01-31 | 2013-12-11 | Ushio Electric Inc | ULTRAVIOLET RADIATION DEVICE FOR IMPLANTS |
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| US20130264495A1 (en) * | 2011-01-31 | 2013-10-10 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Ultraviolet irradiation device for implants |
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