JP2000044392A - セラミック膜の作製方法 - Google Patents
セラミック膜の作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的低温での焼結で結晶成長と緻密化が可
能なセラミック膜の作製方法を提供する。 【解決手段】 本発明のセラミック膜の作製方法は、ゾ
ル−ゲル法により作製したアモルファスの粉末をゾル−
ゲル法により調製したゾルに分散してスラリーを作製
し、このスラリーを簿膜状に塗布して熱処理により結晶
化するものである。
能なセラミック膜の作製方法を提供する。 【解決手段】 本発明のセラミック膜の作製方法は、ゾ
ル−ゲル法により作製したアモルファスの粉末をゾル−
ゲル法により調製したゾルに分散してスラリーを作製
し、このスラリーを簿膜状に塗布して熱処理により結晶
化するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットヘ
ッドのアクチュエータ部等に用いられるセラミック膜の
作製方法に関する。
ッドのアクチュエータ部等に用いられるセラミック膜の
作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、インクジェットプリンタヘッドの
アクチュエータ部となる圧電部材としてＰＺＴ（ジルコ
ン酸チタン酸鉛）が用いられているが、近年、その圧電
部材を膜厚１０μｍ程度のＰＺＴ厚膜とすることへの要
求がある。このような膜厚のＰＺＴ厚膜は従来のバルク
技術や薄膜技術では膜厚をそこまで厚くことができず作
製が困難であるため、例えば米国特許第５，５８５，１
３６号において提案されるようにゾル−ゲル法による作
製を行ってみた。
アクチュエータ部となる圧電部材としてＰＺＴ（ジルコ
ン酸チタン酸鉛）が用いられているが、近年、その圧電
部材を膜厚１０μｍ程度のＰＺＴ厚膜とすることへの要
求がある。このような膜厚のＰＺＴ厚膜は従来のバルク
技術や薄膜技術では膜厚をそこまで厚くことができず作
製が困難であるため、例えば米国特許第５，５８５，１
３６号において提案されるようにゾル−ゲル法による作
製を行ってみた。
【０００３】クラックや剥離のない膜を作製するために
は、ＰＺＴセラミックス粉末とゾル−ゲル法により調整
したＰＺＴゾルの混合溶液を基板にスピン、ディップ、
スプレー、又は印刷等により塗布した後に熱処理を行う
ことで、有機物の除去と結晶化によって目標のＰＺＴ厚
膜を得ることができた。
は、ＰＺＴセラミックス粉末とゾル−ゲル法により調整
したＰＺＴゾルの混合溶液を基板にスピン、ディップ、
スプレー、又は印刷等により塗布した後に熱処理を行う
ことで、有機物の除去と結晶化によって目標のＰＺＴ厚
膜を得ることができた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法では
セラミックス粉末を用いるため、緻密な膜を得るには熱
処理温度が高くなり過ぎるという問題がある。それに加
えて、基板材料の高温による劣化、鉛成分の揮発による
組織ずれ（鉛雰囲気焼成により組織ずれは防げるが、鉛
蒸発により基板が劣化する）、電極材料の酸化による劣
化と鉛成分の拡散による劣化等の問題がある。一方、熱
処理温度を低くすると、緻密な膜が得られなくなる。
セラミックス粉末を用いるため、緻密な膜を得るには熱
処理温度が高くなり過ぎるという問題がある。それに加
えて、基板材料の高温による劣化、鉛成分の揮発による
組織ずれ（鉛雰囲気焼成により組織ずれは防げるが、鉛
蒸発により基板が劣化する）、電極材料の酸化による劣
化と鉛成分の拡散による劣化等の問題がある。一方、熱
処理温度を低くすると、緻密な膜が得られなくなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、上記問題を解決
するため本発明のセラミック膜の作製方法は、ゾル−ゲ
ル法により作製したアモルファスの粉末をゾル−ゲル法
により調製したゾルに分散してスラリーを作製し、この
スラリーを簿膜状に塗布して熱処理により結晶化するも
のである。
するため本発明のセラミック膜の作製方法は、ゾル−ゲ
ル法により作製したアモルファスの粉末をゾル−ゲル法
により調製したゾルに分散してスラリーを作製し、この
スラリーを簿膜状に塗布して熱処理により結晶化するも
のである。
【０００６】本発明のセラミック膜の作製方法では、上
記アモルファスの粉末を、ゾル−ゲル法によって得られ
たゲルを水蒸気雰囲気中での暴露によって加水分解する
ことより生成されたものを熱処理して粉砕することによ
り作製することが好ましい。また、上記アモルファス粉
末及びゾルは、鉛とジルコニウムとチタンの金属イオン
を含んでいてもよい。
記アモルファスの粉末を、ゾル−ゲル法によって得られ
たゲルを水蒸気雰囲気中での暴露によって加水分解する
ことより生成されたものを熱処理して粉砕することによ
り作製することが好ましい。また、上記アモルファス粉
末及びゾルは、鉛とジルコニウムとチタンの金属イオン
を含んでいてもよい。
【０００７】
【発明の効果】本発明のセラミック膜の作製方法によれ
ば、アモルファス状態を経由するため、従来よりも低温
の７００〜８００℃程度での結晶成長と緻密化が可能と
なり、基板材料や電極材料に悪影響を与えることなく良
好な膜を作製できる。また、基板材料への悪影響を考慮
しなければ、従来と同じ高温の熱処理によってさらに良
好な膜を作製できる。
ば、アモルファス状態を経由するため、従来よりも低温
の７００〜８００℃程度での結晶成長と緻密化が可能と
なり、基板材料や電極材料に悪影響を与えることなく良
好な膜を作製できる。また、基板材料への悪影響を考慮
しなければ、従来と同じ高温の熱処理によってさらに良
好な膜を作製できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。この説明では、本発明の一実施例であるＰ
ＺＴ膜の作製方法を具体的な材料及び数値を挙げて例示
する。まず、以下の手順でＰＺＴゾルを調製した。はじ
めに、モル比で２メトキシエタノール：酢酸鉛３水和
物：ジルコニウムプロポキシド：チタンイソプロポキシ
ド：エタノール：水＝６：１．００：０．４８：０．５
２：２０：２を含むゾル溶液を次の手順で調製した。ま
ず、２メトキシエタノールに酢酸鉛３水和物を加えて９
０℃に加熱し溶解させた（溶液Ａ）。この溶液Ａとは別
に、モル比で全量の半分の量のエタノールに、チタンイ
ソプロポキシド及びジルコニウムプロポキシドを順に加
えて混合した（溶液Ｂ）。そして、溶液Ｂに溶液Ａを入
れて混合し、この混合溶液を７８℃で２時間還流した
後、放置して室温まで温度を低下させた。さらに、残り
のエタノールと、水の混合溶媒を滴下し攪拌することで
均質なゾル溶液を調製した（溶液Ｃ）。
て説明する。この説明では、本発明の一実施例であるＰ
ＺＴ膜の作製方法を具体的な材料及び数値を挙げて例示
する。まず、以下の手順でＰＺＴゾルを調製した。はじ
めに、モル比で２メトキシエタノール：酢酸鉛３水和
物：ジルコニウムプロポキシド：チタンイソプロポキシ
ド：エタノール：水＝６：１．００：０．４８：０．５
２：２０：２を含むゾル溶液を次の手順で調製した。ま
ず、２メトキシエタノールに酢酸鉛３水和物を加えて９
０℃に加熱し溶解させた（溶液Ａ）。この溶液Ａとは別
に、モル比で全量の半分の量のエタノールに、チタンイ
ソプロポキシド及びジルコニウムプロポキシドを順に加
えて混合した（溶液Ｂ）。そして、溶液Ｂに溶液Ａを入
れて混合し、この混合溶液を７８℃で２時間還流した
後、放置して室温まで温度を低下させた。さらに、残り
のエタノールと、水の混合溶媒を滴下し攪拌することで
均質なゾル溶液を調製した（溶液Ｃ）。
【０００９】次に、溶液Ｃをロータリーエバポレータに
より、１４０℃で２時間の濃縮を行い、これにより得ら
れたゾルをさらに乾燥させて乾燥ゲルを作製した後に粒
径が約０．５ｍｍ以下程度に砕いた。
より、１４０℃で２時間の濃縮を行い、これにより得ら
れたゾルをさらに乾燥させて乾燥ゲルを作製した後に粒
径が約０．５ｍｍ以下程度に砕いた。
【００１０】続いて、乾燥ゲルに図１に示す加圧水蒸気
処理装置１０で水蒸気による暴露を行った。乾燥ゲル１
２は載置台１４上に置かれた試料皿１６の中に入れられ
ている。試料皿１６は、上部に圧力逃がし弁１８及び圧
力計２０を備えた圧力容器２２内にセットされ、さらに
圧力容器２２内の載置台１４の周囲には水２４が入れら
れている。圧力容器２２は、オーブン２６内に収容され
ており、このオーブン２６で温度を上げることによって
圧力容器２２内に水蒸気が発生して内部圧力が高くなる
構造になっている。この加圧水蒸気処理装置１０により
２００℃、１．５ＭＰａで２時間の水蒸気暴露を行っ
た。これにより、乾燥ゲル１２は加水分解処理されて、
含有する有機成分をほとんど除去することができた。
処理装置１０で水蒸気による暴露を行った。乾燥ゲル１
２は載置台１４上に置かれた試料皿１６の中に入れられ
ている。試料皿１６は、上部に圧力逃がし弁１８及び圧
力計２０を備えた圧力容器２２内にセットされ、さらに
圧力容器２２内の載置台１４の周囲には水２４が入れら
れている。圧力容器２２は、オーブン２６内に収容され
ており、このオーブン２６で温度を上げることによって
圧力容器２２内に水蒸気が発生して内部圧力が高くなる
構造になっている。この加圧水蒸気処理装置１０により
２００℃、１．５ＭＰａで２時間の水蒸気暴露を行っ
た。これにより、乾燥ゲル１２は加水分解処理されて、
含有する有機成分をほとんど除去することができた。
【００１１】次に、図２に示すように、乾燥ゲル１２に
ついて、電気炉３０により３００℃で１時間の水蒸気雰
囲気中での熱処理を行った。この電気炉３０では、酸素
をキャリアガス３２として温水３４のバブリングによる
水蒸気３６が内部に導入されて、水蒸気中での熱処理が
行われるようになっている。
ついて、電気炉３０により３００℃で１時間の水蒸気雰
囲気中での熱処理を行った。この電気炉３０では、酸素
をキャリアガス３２として温水３４のバブリングによる
水蒸気３６が内部に導入されて、水蒸気中での熱処理が
行われるようになっている。
【００１２】続いて、得られた乾燥ゲル１２の試料をビ
ーズミルにより平均粒径が約０．５μｍ程度以下に粉砕
した。Ｘ線解析測定と赤外線吸収スペクトル測定の結果
より残留有機物がほとんどないアモルファス粉末が得ら
れたことが確認できた。
ーズミルにより平均粒径が約０．５μｍ程度以下に粉砕
した。Ｘ線解析測定と赤外線吸収スペクトル測定の結果
より残留有機物がほとんどないアモルファス粉末が得ら
れたことが確認できた。
【００１３】なお、本実施例では上述したように、ゲル
を加圧水蒸気処理することにより金属有機原料をほぼ完
全に加水分解でき、その後３００℃程度の熱処理により
残留有機物のほとんど存在しないアモルファス粉末を作
製できたが、完全に加水分解する別の方法としては、ゾ
ルを調製する際に水の量を多くしたり、硝酸等の酸触媒
を加えたり、ゲルを温水に浸漬したりする方法もある。
を加圧水蒸気処理することにより金属有機原料をほぼ完
全に加水分解でき、その後３００℃程度の熱処理により
残留有機物のほとんど存在しないアモルファス粉末を作
製できたが、完全に加水分解する別の方法としては、ゾ
ルを調製する際に水の量を多くしたり、硝酸等の酸触媒
を加えたり、ゲルを温水に浸漬したりする方法もある。
【００１４】続いて、次の工程での溶液Ｃとの分散性を
良くするために、ビーズミルを用いてアモルファス粉末
を平均粒径が０．３μｍになるように粉砕した。そし
て、重量比でアモルファス粉末：溶液Ｃ＝２：１の割合
で混合し、超音波分散を行うことによりスラリーを作製
した。このスラリーを白金電極付きシリコン基板にスピ
ンコートにより塗布し、電気炉により大気中４００℃で
１０分間の熱処理を行った。このようなコーティングと
熱処理を２回繰り返した。最後に、電気炉により大気中
で室温から８００℃まで昇温速度２００℃／ｍｉｎで昇
温し、８００℃で３０分間保持した後、炉冷することに
よりＰＺＴ厚膜を得ることができた。このＰＺＴ厚膜は
膜厚１０μｍで、非常に緻密であり、結晶相は正方晶の
ペロブスカイト相であって、電気機械結合係数はｄ33＝
３００（Ｎ／Ｃ）であった。
良くするために、ビーズミルを用いてアモルファス粉末
を平均粒径が０．３μｍになるように粉砕した。そし
て、重量比でアモルファス粉末：溶液Ｃ＝２：１の割合
で混合し、超音波分散を行うことによりスラリーを作製
した。このスラリーを白金電極付きシリコン基板にスピ
ンコートにより塗布し、電気炉により大気中４００℃で
１０分間の熱処理を行った。このようなコーティングと
熱処理を２回繰り返した。最後に、電気炉により大気中
で室温から８００℃まで昇温速度２００℃／ｍｉｎで昇
温し、８００℃で３０分間保持した後、炉冷することに
よりＰＺＴ厚膜を得ることができた。このＰＺＴ厚膜は
膜厚１０μｍで、非常に緻密であり、結晶相は正方晶の
ペロブスカイト相であって、電気機械結合係数はｄ33＝
３００（Ｎ／Ｃ）であった。
【００１５】比較例としてセラミック粉末を用いた場合
の膜作製を行った。出発原料としてＰｂＯ、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2の粉末を粉砕混合した後に電気炉で大気中８０
０℃で２時間の熱処理を行ってＰＺＴペロブスカイト結
晶を析出した。得られた試料をビーズミルにより平均粒
径が約０．５μm以下程度に粉砕してセラミックス粉末
を作製した。そして、重量比でセラミックス粉末：溶液
Ｃ＝２：１の割合で混合し、超音波分散を行うことによ
りスラリーを作製した。以下、上述したＰＺＴ厚膜作製
方法と同様に、コーティングと熱処理を行った。その結
果、結晶相は正方相のペロブスカイト相であったが、十
分に焼結していなかったため膜強度が弱く、圧電特性も
発現しなかった。
の膜作製を行った。出発原料としてＰｂＯ、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2の粉末を粉砕混合した後に電気炉で大気中８０
０℃で２時間の熱処理を行ってＰＺＴペロブスカイト結
晶を析出した。得られた試料をビーズミルにより平均粒
径が約０．５μm以下程度に粉砕してセラミックス粉末
を作製した。そして、重量比でセラミックス粉末：溶液
Ｃ＝２：１の割合で混合し、超音波分散を行うことによ
りスラリーを作製した。以下、上述したＰＺＴ厚膜作製
方法と同様に、コーティングと熱処理を行った。その結
果、結晶相は正方相のペロブスカイト相であったが、十
分に焼結していなかったため膜強度が弱く、圧電特性も
発現しなかった。
【００１６】このように本実施例のＰＺＴ厚膜の作製方
法によれば、アモルファス状態を経由するため、従来よ
りも低温の７００〜８００℃程度での結晶成長と緻密化
が可能となり、基板材料や電極材料に悪影響を与えるこ
となく良好なＰＺＴ厚膜を作製できる。また、基板材料
への悪影響を考慮しなければ、従来と同じ高温の熱処理
によってさらに良好なＰＺＴ厚膜を作製できる。
法によれば、アモルファス状態を経由するため、従来よ
りも低温の７００〜８００℃程度での結晶成長と緻密化
が可能となり、基板材料や電極材料に悪影響を与えるこ
となく良好なＰＺＴ厚膜を作製できる。また、基板材料
への悪影響を考慮しなければ、従来と同じ高温の熱処理
によってさらに良好なＰＺＴ厚膜を作製できる。
【００１７】なお、本実施例ではＰＺＴ厚膜の作製方法
について例示的に説明したが、本発明はＰＺＴ厚膜に限
らず他のセラミック膜の作製にも広く適用できることは
言うまでもない。
について例示的に説明したが、本発明はＰＺＴ厚膜に限
らず他のセラミック膜の作製にも広く適用できることは
言うまでもない。
【００１８】次に、本実施例により作製したＰＺＴ厚膜
を用いたインクジェットヘッドについて説明する。図３
はインクジェットヘッド４０の部分平面図、図４は図３
におけるＡ−Ａ線断面図、図５は図４におけるＢ−Ｂ線
断面図である。
を用いたインクジェットヘッドについて説明する。図３
はインクジェットヘッド４０の部分平面図、図４は図３
におけるＡ−Ａ線断面図、図５は図４におけるＢ−Ｂ線
断面図である。
【００１９】インクジェットヘッド４０は、天板４２、
隔壁４４、スペーサ４６及び基板４８を備えている。天
板４０は例えばシリコンプレートからなり、その下面に
エッチング等により複数の溝状凹部が形成されている。
隔壁４４は天板４２の凹部形成面に接着されている。こ
れにより、隔壁４４によって覆われた天板４２の各凹部
の内部がそれぞれ、インクを収容する複数のインク室５
０、各インク室５０に供給されるインクを収容する共通
インク室５２、及び各インク室５２と共通インク室５４
との間をそれぞれ連通する複数のインクインレット５４
になっている。
隔壁４４、スペーサ４６及び基板４８を備えている。天
板４０は例えばシリコンプレートからなり、その下面に
エッチング等により複数の溝状凹部が形成されている。
隔壁４４は天板４２の凹部形成面に接着されている。こ
れにより、隔壁４４によって覆われた天板４２の各凹部
の内部がそれぞれ、インクを収容する複数のインク室５
０、各インク室５０に供給されるインクを収容する共通
インク室５２、及び各インク室５２と共通インク室５４
との間をそれぞれ連通する複数のインクインレット５４
になっている。
【００２０】各インク室５０は、それぞれ平行に細長く
延びている。また、天板５２には各インク室５０のイン
クインレット５４とは反対側の端部近傍に連通するノズ
ル５６がそれぞれ形成されており、これらのノズル５６
からインク室５０内のインクが吐出されるようになって
いる。
延びている。また、天板５２には各インク室５０のイン
クインレット５４とは反対側の端部近傍に連通するノズ
ル５６がそれぞれ形成されており、これらのノズル５６
からインク室５０内のインクが吐出されるようになって
いる。
【００２１】スペーサ４６は隔壁４４の下部に固定さ
れ、基板４８はスペーサ４６の下部に固定されている。
スペーサ４６によって隔壁４４と基板４８との間に空間
５８が形成されている。
れ、基板４８はスペーサ４６の下部に固定されている。
スペーサ４６によって隔壁４４と基板４８との間に空間
５８が形成されている。
【００２２】隔壁４４の空間５８に対向する面には、個
別電極６０が各インク室５０に対応して形成されてい
る。各個別電極６０はインク室５０の長手方向に沿って
天板４２の外部まで帯状に延びており、スペーサ４６の
上部において導電性接着層６２を介してフレキシブル配
線６４にそれぞれ接続されている。フレキシブル配線６
４はドライバ６６に接続されている。
別電極６０が各インク室５０に対応して形成されてい
る。各個別電極６０はインク室５０の長手方向に沿って
天板４２の外部まで帯状に延びており、スペーサ４６の
上部において導電性接着層６２を介してフレキシブル配
線６４にそれぞれ接続されている。フレキシブル配線６
４はドライバ６６に接続されている。
【００２３】上記個別電極６０上であってインク室５０
に対応する位置には、駆動部となるＰＺＴ厚膜６８が矩
形状にパターン形成されている。このＰＺＴ厚膜６８
は、上述したＰＺＴ厚膜の作製方法により形成されたも
のである。各ＰＺＴ厚膜６８の上には共通電極７０が形
成されている。各共通電極７０は図示しない接続線によ
り基板４８上の導電層７２にそれぞれ接続されており、
この導電層７２を介してアース７４にそれぞれ接続され
ている。これにより、上記ドライバ６６によって個別電
極６０と共通電極７０との間に駆動電圧が印加されるよ
うになっている。
に対応する位置には、駆動部となるＰＺＴ厚膜６８が矩
形状にパターン形成されている。このＰＺＴ厚膜６８
は、上述したＰＺＴ厚膜の作製方法により形成されたも
のである。各ＰＺＴ厚膜６８の上には共通電極７０が形
成されている。各共通電極７０は図示しない接続線によ
り基板４８上の導電層７２にそれぞれ接続されており、
この導電層７２を介してアース７４にそれぞれ接続され
ている。これにより、上記ドライバ６６によって個別電
極６０と共通電極７０との間に駆動電圧が印加されるよ
うになっている。
【００２４】上記構成からなるインクジェットヘッド１
０を用いて印字テストを行った。インクには、図６に示
す組成のブラック（Ｋ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ
（Ｍ）、及びシアン（Ｃ）の４種類を用いた。また、記
録紙にはミノルタ製ＥＰペーパを用いた。上記インクジ
ェットヘッド１０において、各インク室５０に上記いず
れかのインクを充填した状態で、ドライバ６６により印
字情報に応じてパルス電圧を各ＰＺＴ厚膜６８に印加し
たところ、各ＰＺＴ厚膜６８が長手方向に縮んで厚み方
向に膨らむように変形し、この変形により隔壁４４が押
し上げられてインク室５０内のインクが加圧され、ノズ
ル５６からインク滴が吐出された。このインク滴が記録
紙に付着してドットが形成され、これらドットの集合に
より印字画像が形成された。その結果、印字性能が良好
であることが確認できた。
０を用いて印字テストを行った。インクには、図６に示
す組成のブラック（Ｋ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ
（Ｍ）、及びシアン（Ｃ）の４種類を用いた。また、記
録紙にはミノルタ製ＥＰペーパを用いた。上記インクジ
ェットヘッド１０において、各インク室５０に上記いず
れかのインクを充填した状態で、ドライバ６６により印
字情報に応じてパルス電圧を各ＰＺＴ厚膜６８に印加し
たところ、各ＰＺＴ厚膜６８が長手方向に縮んで厚み方
向に膨らむように変形し、この変形により隔壁４４が押
し上げられてインク室５０内のインクが加圧され、ノズ
ル５６からインク滴が吐出された。このインク滴が記録
紙に付着してドットが形成され、これらドットの集合に
より印字画像が形成された。その結果、印字性能が良好
であることが確認できた。
【００２５】なお、上記説明ではインクジェットヘッド
の駆動部を本発明の一実施例であるＰＺＴ厚膜の作製方
法にて形成したが、本発明のセラミック膜の作製方法は
インクジェットヘッドに限られず、広く他の分野の装置
にも適用できることは言うまでもない。
の駆動部を本発明の一実施例であるＰＺＴ厚膜の作製方
法にて形成したが、本発明のセラミック膜の作製方法は
インクジェットヘッドに限られず、広く他の分野の装置
にも適用できることは言うまでもない。
【図１】 乾燥ゲルの加圧水蒸気処理装置の概略構成
図。
図。
【図２】 乾燥ゲルの熱処理装置の概略構成図。
【図３】 インクジェットヘッドの部分平面図。
【図４】 図３におけるＡ−Ａ線断面図。
【図５】 図４におけるＢ−Ｂ線断面図。
【図６】 印字テストで用いたインクの組成を示す図
表。
表。
１０…加圧水蒸気処理装置、１２…乾燥ゲル、３０…電
気炉、４０…インクジェットヘッド、４２…天板、４４
…隔壁、４８…基板、５０…インク室、６０…個別電
極、６８…ＰＺＴ厚膜、７０…共通電極。
気炉、４０…インクジェットヘッド、４２…天板、４４
…隔壁、４８…基板、５０…インク室、６０…個別電
極、６８…ＰＺＴ厚膜、７０…共通電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/187 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｄ 41/22 41/22 Ｚ // Ｂ４１Ｊ 2/045 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ａ 2/055 Ｆターム(参考） 2C057 AF37 AF91 AF93 AG12 AG44 AG82 AG89 AG93 AP02 AP14 AP25 AQ02 BA04 BA14 4D075 BB21Z BB57Z DC19 DC21 EB05 4G031 AA11 AA12 AA32 BA10 CA08 GA01 GA06 GA19 4G077 AA03 BC43 CB01 CB04 CB08 FE07 FE19 HA11
Claims (3)
- 【請求項１】 ゾル−ゲル法により作製したアモルファ
スの粉末をゾル−ゲル法により調製したゾルに分散して
スラリーを作製し、このスラリーを簿膜状に塗布して熱
処理により結晶化することを特徴とするセラミック膜の
作製方法。 - 【請求項２】 上記アモルファスの粉末は、ゾル−ゲル
法によって得られたゲルを水蒸気雰囲気中での暴露によ
って加水分解することにより生成されたものを熱処理し
て粉砕することにより作製されることを特徴とする請求
項１に記載のセラミック膜の作製方法。 - 【請求項３】 上記アモルファス粉末及びゾルは、鉛と
ジルコニウムとチタンの金属イオンを含むことを特徴と
する請求項１に記載のセラミック膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20792398A JP4022996B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | セラミック膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20792398A JP4022996B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | セラミック膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000044392A true JP2000044392A (ja) | 2000-02-15 |
| JP4022996B2 JP4022996B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=16547802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20792398A Expired - Fee Related JP4022996B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | セラミック膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4022996B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011010566A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社ユーテック | Pzt膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20792398A patent/JP4022996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011010566A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社ユーテック | Pzt膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置 |
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|---|---|
| JP4022996B2 (ja) | 2007-12-19 |
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