FR2780521A1 - Procede de fabrication d'une partie de plages d'un afficheur a cristal liquide, et structure d'afficheur presentant ladite partie - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001137251 Corvidae Species 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide, dans lequel la borne de plages 157, 167, permettant de transmettre les signaux électriques vers un dispositif externe, et la borne du dispositif externe présente une bonne cohésion mutuelle; l'invention concerne aussi la structure d'un LCD présentant une telle borne de plage. Un panneau d'afficheur à cristal liquide selon l'invention comprend un substrat 101, une pluralité de lignes de grille 113 sur le substrat, une pluralité de lignes de données 123 coupant les lignes de grille, une plage de grille 115 et une plage de données 125 aux extrémités respectives de chacune des lignes de grille et de source, ainsi qu'une pluralité de trous 193 qui découvre des portions du substrat 101 entre les plages.
Description
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PARTIE DE PLAGES D'UN
AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE, ET STRUCTURE D'AFFICHEUR
PRESENTANT LADITE PARTIE.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide (ou LCD). En particulier, la présente invention concerne un procédé pour fabriquer un afficheur à cristal liquide dans lequel la borne de plage qui fournit le signal électrique au dispositif externe, et la borne du dispositif externe ont une
bonne cohésion mutuelle en ce que l'invention concerne aussi la structure d'un affi-
cheur à cristal liquide présentant une telle borne de plage.
Le tube à rayons cathodiques (CRT) qui est le dispositif d'affichage le plus
généralisé, est remplacé par un dispositif d'affichage plat et fin, du fait que le dispo-
sitif d'affichage plat et fin est plus fin et plus léger que le tube à rayons cathodiques, et qu'il peut donc être appliqué à n'importe quel endroit. En particulier, des activités de recherche importantes ont été dirigées vers le développement d'afficheurs à cristal liquide du fait de la résolution élevée et de leur temps de réponse rapide, qui leur permet d'afficher des images animées. En outre, un panneau actif présentant des éléments de commutation actifs, comme par exemple des transistors en couche
mince (ou TFT) est appliqué de façon populaire pour les afficheurs à cristal liquide.
L'afficheur à cristal liquide fonctionne en utilisant la polarisation et l'anisotro-
pie optique d'un cristal liquide. En contrôlant l'orientation des molécules de cristal liquide, qui présentent une forme de bâton, par des techniques de polarisation, on obtient une transmission ou une interception de la lumière à travers le cristal liquide, grâce à l'anisotropie du cristal. Ce principe est appliqué aux afficheurs à cristal liquide. Des afficheurs à matrice active (ou AMLCD) présentant des transistors en couche mince disposés sous forme de matrice, et des électrodes de pixels connectées aux transistors en couche mince, fournissent des images de haute qualité, et sont
maintenant largement utilisées.
La structure d'un afficheur à cristal liquide, à matrice active classique est maintenant décrite en référence à la figure 1, qui montre une vue en perspective de l'afficheur, et la figure 2, qui montre une vue en coupe de l'afficheur de la figure 1 le long de la ligne de coupe II-II. L'afficheur à cristal liquide classique comprend un panneau supérieur 3 et un panneau inférieur 5 qui sont disposés l'un en face de
l'autre, ainsi qu'un matériau de cristal liquide 10, qui est injecté entre ces panneaux.
Le panneau supérieur, ou panneau de filtres de couleurs 3, comprend un agencement séquentiel de filtres de couleurs 7 rouge (R), vert (G) et bleu (B), sur un premier
substrat transparent la, en des positions de pixels, disposés sous forme de matrice.
Entre les filtres de couleurs 7 sont formées des matrices noires 9, sous forme de réseaux. Des matrices noires 9 empêchent le mélange des couleurs dans les zones de
frontière. Une électrode commune 8 est formée sur les filtres de couleurs 7.
L'électrode commune 8 est l'une des deux électrodes qui génèrent le champ électri-
que appliqué à la couche de cristal liquide.
Le panneau inférieur 5 de l'afficheur à cristal liquide comprend des éléments de commutation et des lignes de bus qui génèrent le champ électrique permettant de piloter la couche de cristal liquide. Ce panneau est donc appelé panneau actif. Le panneau actif 5 d'un afficheur à cristal liquide à matrice active comprend des électrodes de pixels 41, sous forme de matrice, disposés sur un second substrat transparent lb. On forme, dans la direction des colonnes des électrodes de pixels 41, des lignes de bus de signal 13, et dans la direction des rangées des électrodes de pixels 41, des lignes de bus de données 23. Au coin d'une électrode de pixels 41, on forme un transistor en couche mince 19 pour piloter l'électrode de pixels 41. Une électrode de grille 11 du transistor en couche mince 19 est reliée à la ligne de bus de signal 13 (ou ligne de grille). Une électrode de source 21 du transistor en couche mince 19 est reliée avec la ligne de bus de données 23 (ou ligne de source). Une couche semi-conductrice 33 est formée entre l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31. L'électrode de source 21 et la couche semi-conductrice 33 sont en contact ohmique l'une avec l'autre. L'électrode de drain 31 et la couche semi-conductrice 33 sont aussi en contact ohmique. Une plage de grille 15 et une plage de source 25, qui forment les bornes des lignes de bus, sont formées aux extrémités respectives de la ligne de grille 13 et de la ligne de source 23. En outre, une borne de plage de grille 57, et une borne de plage de source 67 sont respectivement formées sur la plage de
grille 15 et sur la plage de source 25.
Lorsqu'une tension appliquée à la plage de grille 15 est appliquée à l'électrode de grille 11 par l'intermédiaire de la ligne de grille 13, le transistor en couche mince 19 de l'électrode de grille correspondante 11 se trouve dans l'état activé. Dans ce cas, l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31 du transistor en couche mince 19 sont électriquement reliées, de sorte que la donnée d'images électriques appliquée à la plage de source 25 est envoyée aux électrodes de drain 27 à travers la ligne de
source 23 et l'électrode de source 21. À l'inverse, lorsque aucune tension n'est appli-
quée à la plage de grille 15, l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31 du transistor en couche mince 19 sont électriquement isolées. De la sorte, en contrôlant la tension appliquée à l'électrode de grille 11, on détermine si les données d'images sont appliquées à l'électrode de drain ou non. C'est dire que le transistor en couche mince 19 sert d'élément de commutation. Une couche d'isolation de grille 17 est insérée entre la couche comprenant l'électrode de grille 13 et la couche comprenant
l'électrode de source 23, de sorte à les isoler électriquement. Une couche de passiva-
tion 37 est formée sur la couche comprenant la ligne de source 23, de sorte à proté-
ger tous les éléments.
Un panneau de filtres de couleurs 3 et le panneau actif 5 sont assemblés l'un
face à l'autre, avec une certaine distance entre eux (c'est-à-dire avec un jeu de cellu-
les). Un cristal liquide 10 emplit le jeu de cellules, et le bord des panneaux assemblés est scellé avec un agent de scellement 81, tel qu'une résine époxy, afin d'éviter que le cristal liquide ne fuie, on obtient ainsi un panneau à cristal liquide d'afficheur à
cristal liquide à matrice active.
L'afficheur à cristal liquide à matrice active est terminé par assemblage du
panneau à cristal liquide avec des dispositifs périphériques pour les données d'écran.
Pour cet assemblage, les plages de l'afficheur à cristal liquide et les bornes des dispositifs périphériques sont généralement électriquement reliés à l'aide d'un TCP (c'est-à-dire un assemblage TAB, TAB signifiant "transfert automatique sur bande"), en utilisant un ACF (Film à induction anisotrope). En référence à la figure 3 qui
montre la structure générale d'un ACF et à la figure 4, on explique le procédé classi-
que pour relier le TCP à la plage en utilisant 1'ACF, ainsi que la structure de la plage
obtenue par cette méthode.
Comme représenté sur la figure 3, l'ACF 71 comprend une pluralité de boules (ou protubérances) conductrices 95 recouvrant une membrane d'isolation 93 dans un film isotopique 31. On attache un ACF 71 sur les bornes de plages 47 reliées aux plages 45 (qu'il s'agisse des plages de grille 15 ou des plages de source 25) qui sont disposées en rangées sur le bord du panneau à cristal liquide; on attache ensuite un TCP 73 sur l'ACF 71. À cet instant, une plage conductrice 75 du TCP 73 devrait être disposée par rapport à la plage 45 (qu'il s'agisse de la plage de grille 15 ou de la
plage de source 25) du panneau à cristal liquide comme représenté sur la figure 4a.
Ensuite, le TCP 73 est comprimé et chauffé. Les boules conductrices 95 sont alors insérées entre la plage de TCP 75 et la borne de plage 47 de l'afficheur à cristal liquide. Lorsqu'on applique une force plus importante pour comprimer le TCP 73, la membrane isolante 93 recouvrant les boules conductrices 95 est brisée de telle sorte que chaque plage de TCP 75 soit électriquement reliée à chaque borne de plage 47 de l'afficheur du panneau à cristal liquide, comme représenté sur la figure 4b. Même s'il y a d'autres boules conductrices 95 entre les bornes de plages 47 voisines, les bornes de plages voisines 47 sont électriquement isolées l'une de l'autre, du fait que
les boules conductrices 95 sont recouvertes d'une membrane d'isolation 93.
Dans l'étape de fixation du TCP à la borne de plage, telle que décrite ci-dessus, la portion du film 77 entre chaque portion de plage 73 se dilate du fait de la chaleur et de la pression, et s'agglomère à la couche de passivation 37 formée sur le dessus du panneau à cristal liquide. Après que l'on cesse d'appliquer la pression et la chaleur, la portion de film dilaté du TCP se rétracte, et engendre une force de traction 83, de sorte que la couche de passivation 37, qui s'est agglomérée à la
portion de film 77 est arrachée.
Généralement, après avoir terminé le panneau à cristal liquide, on enlève la
portion de bord du panneau qui présente la barre de court-circuit utilisée pour proté-
ger contre l'électricité statique. À cet instant, le bord enlevé est attaqué par la force d'enlèvement de telle sorte que la couche de passivation 37, ou la couche d'isolation de grille 17 peut se retrouver dans un état instable. Dans cette portion, la couche de passivation peut facilement être enlevée, lorsque l'on cesse d'appliquer l'énergie de chauffage après que la portion de film 77 du TCP soit agglomérée avec la couche de passivation 37, l'ACF 71 étant disposé entre les deux. Ceci provient du fait que la force d'arrachement 89 est la somme vectorielle de la force de rétractation 87 de
l'ACF 71 et de la force de rétractation verticale 85 de l'ACF 71 et du TCP 73.
Un objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un panneau d'afficheur à cristal liquide, ainsi qu'une structure pour un tel panneau obtenu par ce procédé, dans lequel on améliore la cohésion entre le TCP et le panneau LCD, lorsque le TCP est fixé aux bornes de plage du LCD pour leur connexion électrique. Un autre objet de l'invention est de proposer une méthode de fabrication d'un panneau LCD, ainsi qu'une structure pour un panneau fabriqué par une telle méthode, dans laquelle l'ACF inséré entre le TCP et la borne de plage est
directement fixé avec une portion de substrat du panneau d'afficheur à cristal liquide.
Pour accomplir ces objets, la présente invention propose un procédé de fabri-
cation d'un panneau d'afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de formation d'un transistor en couche mince présentant une électrode de grille, une électrode de source, une électrode de drain, d'une ligne de grille reliée à l'électrode de grille, d'une ligne de source reliée à l'électrode de source, une plage de grille et une plage de source formées aux extrémités respectives de la ligne de grille et de la ligne de source sur le substrat, de dépôt d'une couche de passivation recouvrant le transistor en couche mince et les plages, et d'exposition de certaines portions de la plage de grille de la plage de source et du substrat entre chacune des plages. En outre, un panneau d'afficheur à cristal liquide selon la présente invention comprend un substrat, une pluralité de lignes de grille sur le substrat, une pluralité de lignes de données coupant les lignes de grille, une plage de grille et une plage de données aux extrémités respectives de chacune des lignes de grille et des lignes de données, et une pluralité de trous qui découvrent des portions du substrat entre chacune des plages. Plus précisément, l'invention propose un procédé de fabrication d'un panneau actif d'afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation d'une pluralité de lignes et de plages à l'extrémité de chacune des lignes sur un substrat; - formation d'une couche isolante sur les lignes et les plages;
- exposition des plages et de certaines portions du substrat entre les plages.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend les étapes de: formation de bornes de plages sur chacune des plages; - utilisation de moyens de connexion comprenant une pluralité de plages conductrices disposées sur un film isolant en correspondance avec les plages; - liaison des plages conductrices aux bornes de plages et - fixation d'une certaine partie du film isolant au substrat découvert à travers
les trous entre les plages.
Dans un autre mode de réalisation, l'étape de formation des lignes et plages et l'étape de formation d'une couche isolante comprennent les étapes de: - formation d'une ligne de grille et d'une plage de grille à l'extrémité de la ligne de grille; - formation d'une couche d'isolation de grille recouvrant la ligne de grille et la plage de grille; - formation au-dessus de la couche d'isolation de grille d'une ligne de source et d'une plage de source à l'extrémité de la ligne de source; et - formation d'une couche de passivation recouvrant la ligne de source et la plage de source; et dans lequel, lors de l'étape d'exposition, la plage de grille, la plage de source et certaines portions du substrat entre les plages de source et les plages de grille sont exposées. Avantageusement, lors de l'étape de formation de la ligne de grille, on forme en outre une électrode de grille en saillie par rapport à la ligne de grille et le procédé comprend une étape de formation d'une couche semi-conductrice au-dessus de l'électrode de grille sur la couche d'isolation de grille; lors de l'étape de formation de la ligne de source, on forme, en outre, une électrode de source en saillie par rapport à la ligne de source, et en contact ohmique avec un côté de la couche semi-conductrice ainsi qu'une électrode de drain en face de l'électrode de source et en contact ohmique avec l'autre côté de la couche semi-conductrice; lors de l'étape d'exposition de la plage de source, l'électrode de drain est aussi exposée, et le procédé comprend une étape de formation d'une borne de plage de grille et d'une borne de plage de source respectivement reliées à la plage de grille et à la plage de source et de formation
d'une électrode de pixels reliée à l'électrode de drain.
De préférence, le procédé comprend une étape d'utilisation de moyens de connexion comprenant une pluralité de plages conductrices disposées sur un film isolant en correspondance aux plages de grilles et aux plages de sources, de connexion des plages conductrices aux bornes de plages de grilles et aux bornes de plages de source, et de fixation d'une portion du film isolant au substrat découvert à
travers les trous entre les plages de grilles et les plages de sources.
L'invention propose encore un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat; - une pluralité de lignes sur le substrat; - une plage à l'extrémité de chaque ligne; - une couche isolante recouvrant les lignes et les plages;
- un trou découvrant certaines parties du substrat entre les plages.
Dans ce cas, le panneau actif peut comprendre en outre des moyens de connexion comprenant une plage conductrice reliée à ladite plage et un film isolant
fixé à une portion du substrat découverte par le trou.
De préférence, le trou présente une pluralité de petits trous.
L'invention propose enfin un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat; - une ligne de grille sur le substrat; - une plage de grille à l'extrémité de la ligne de grille; - une couche d'isolation de grille recouvrant la ligne de grille et la plage de grille; -une ligne de source sur la couche d'isolation de grille et coupant la ligne de grille; -une plage de source à l'extrémité de la ligne de source; - une couche de passivation recouvrant la ligne de source et la plage de source; - un trou de contact de grille découvrant la plage de grille; - un trou de contact de source découvrant la plage de source; - un trou découvrant une partie du substrat entre les plages de grille et les
plages de source.
De préférence, le panneau comprend, en outre: - une électrode de grille en saillie par rapport à la ligne de grille; - une couche semi- conductrice sur la couche d'isolation de grille, au-dessus de l'électrode de grille; une électrode de source, en saillie par rapport à la ligne de source, et en contact ohmique avec un côté de la couche semi-conductrice; - une électrode de drain en face de l'électrode de source et en contact ohmique avec l'autre côté de la couche semi- conductrice; - un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain; - une borne de plage de contact de grille reliée à la plage de grille à travers le trou de contact de grille; - une borne de plage de source reliée à la plage de source à travers le trou de contact de source; - une électrode de pixels reliée à l'électrode de drain à travers le trou de contact de drain; et - des moyens de connexion comprenant une plage conductrice reliée à la plage de grille et à la plage de source et un film isolant fixé à une portion du substrat
découverte par le trou.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de
la description qui suit, donnée en référence au dessin qui montre:
en figure 1 une vue en perspective d'un afficheur à cristal liquide à matrice
active classique.
Figure 2, une vue en coupe illustrant un afficheur à cristal liquide à matrice
active classique.
Figure 3, une vue en coupe illustrant la structure de l'ACF.
Figure 4a et 4b, des vues en coupe transversale montrant le procédé classique
de connexion du TCP à la plage du LCD en utilisant un ACF.
Figure 5, une vue en coupe illustrant l'arrachement de la couche de passivation du panneau d'afficheur à cristal liquide du fait de la force de rétractation du film,
lorsque le TCP est relié à la plage de l'afficheur selon le procédé classique.
Figure 6, une vue en coupe illustrant l'arrachement de la couche de passivation dans la région au bord du panneau LCD du fait de la force d'arrachement du film
lorsque le TCP est relié à la plage de l'afficheur selon le procédé classique.
Figure 7, une vue de dessus montrant un panneau d'afficheur à cristal liquide
selon la présente invention.
Figure 8a à 8e, des vues en coupe transversale montrant un procédé de fabrica-
tion du panneau d'afficheur à cristal liquide selon la présente invention.
Figure 9, une vue de dessus à plus grande échelle montrant la partie de plage
du panneau d'afficheur à cristal liquide selon la présente invention.
On explique maintenant la présente invention en détails, en référence à la figure 7 qui montre une vue de dessus d'un panneau actif et aux figures 8a à 8e qui montrent des vues en coupe transversale des étapes de fabrication d'un panneau actif selon la présente invention. Sur un substrat transparent 101, on forme une première couche métallique 211 en déposant de l'aluminium ou un alliage d'aluminium. Une deuxième couche métallique 213 est formée en déposant un métal présentant un
point de fusion élevé tel que le molybdenum, le tantalum, le tungstène ou l'anti-
moine, sur la première couche métallique 211. Les couches métalliques 211 et 213 superposées sont structurées par un premier traitement de masquage pour former une électrode de grille 111, une ligne de grille 113 et une plage de grille 115. À cet instant, si les couches superposées 211 et 213 sont structurées par une méthode de gravure humide, les matériaux de grille (l'électrode de grille, la ligne de grille et la plage de grille) présentent en section transversale une forme dans laquelle la largeur de la seconde couche métallique 213 est plus faible que la largeur de la première couche métallique 211. On dispose en colonnes, dans la direction verticale, une pluralité de lignes de grille 113. L'électrode de grille 111 est en saillie par rapport à la ligne de grille 113 et est disposée à un coin d'un pixel donné. La plage de grille
est disposée à l'extrémité de la ligne de grille 113 comme représenté sur les figu-
res 7 et 8a.
On dépose un matériau isolant inorganique, tel que du nitrure de silicium ou un
oxyde de silicium, ou un matériau isolant organique tel que du BCB (benzocyclo-
butane) ou une résine acrylique sur le substrat présentant le matériau de grille formé de la superposition des première et seconde couches métalliques 211 et 213, de sorte à former une couche d'isolation de grille 117. On dépose ensuite, successivement, un matériau semi- conducteur intrinsèque tel que du silicium amorphe pur et un matériau semi-conducteur extrinsèque tel qu'un silicium amorphe dopé par des impuretés. Ces couches superposées sont structurées en utilisant un deuxième masque pour former une couche semi-conductrice 133 et une couche semi-conductrice dopée 135. Ces couches sont disposées sur la couche d'isolation de grille au-dessus de l'électrode de
grille 111 comme représenté sur les figures 7 et 8b.
On dépose sur le substrat 101 présentant la couche semi-conductrice dopée 135 un métal tel que du chrome ou de l'alliage de chrome, et on structure la couche métallique en utilisant un troisième traitement de masquage pour former une électrode de source 121, une électrode de drain 131, une ligne de source 123 et une plage de source 125. On dispose, suivant des rangées dans la direction horizontale, une pluralité de lignes de source 123, qui coupent perpendiculairement chacune des lignes de grille 113 au-dessus de la couche d'isolation de grille 117. Sur un côté de la couche semi-conductrice dopée 135, on forme une électrode de source 121, en saillie par rapport à la ligne de source 123. De l'autre côté de la couche semi-conductrice , on forme une électrode de drain 131, qui fait face à l'électrode de source 121,
comme représenté sur les figures 7 et 8c.
On dépose un matériau inorganique tel que du nitrure de silicium ou un oxyde de silicium, ou un matériau organique tel que du BCB (benzocyclobutène) ou de la résine acrylique sur le substrat 101 présentant le matériau de source (l'électrode de source, l'électrode de drain, la ligne de source et la plage de source) de sorte à former une couche de passivation 137. En utilisant un quatrième traitement de masquage, certaines portions de la couche de passivation 137 recouvrant la plage de source 125 et l'électrode de drain 131 sont enlevées afin de former un trou de contact de source
161 et un trou de contact de drain 171.
On enlève en même temps des portions de la couche de passivation 137 et de la couche d'isolation de grille 117 recouvrant la plage de grille 115, de sorte à former un trou de contact de grille 151. À cet instant, on enlève aussi certaines portions de la couche de passivation 137 et de la couche d'isolation de grille 117 recouvrant le substrat 101, entre chacune des plages de grille 115 et chacune des plages de source
, de sorte à former des trous 193, qui découvrent le substrat 101, comme repré-
senté sur les figures 7 et 8d.
Sur la couche de passivation 137, on dépose et on structure un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO) en utilisant un cinquième traitement de masquage, de sorte à former une électrode de pixel 141, une borne de plage de grille 157, et une borne de plage de source 167. L'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 131 à travers le trou de contact de drain 171. La borne de plage de grille 157 est reliée à la plage de grille 115 à travers le trou de contact de grille 151. La borne de plage de source 167 est reliée à la plage de
source 125 à travers le trou de contact de source 161 comme représenté sur les figu-
res 7 et 8e.
La figure 9 est une vue de dessus montrant la portion de plage d'un panneau actif selon la présente invention. Certaines portions de la couche d'isolation de grille 117 et de la couche de passivation 137 entre des plages voisines sont enlevées afin de former un trou 193 qui découvre le substrat 101. Il est préférable de former de
nombreux petits trous, afin d'améliorer l'effet de la présente invention comme repré-
senté sur la figure 9. En particulier, toutefois, sur la partie de bords, il est préférable de former un grand trou 193a, du fait que la couche d'isolation de grille 117 et la couche de passivation 137 présentent une force de cohésion faible sur la portion de bords. Grâce à la présente invention, lorsque le TCP est fixé en utilisant un ACF sur la borne de plage du panneau à matrice d'affichage à cristal liquide, certaines portions de l'ACF sont directement fixées au substrat découvert par les trous de sorte que le TCP et l'ACF présentent une bonne cohésion avec le panneau d'affichage à cristal liquide. De la sorte, il est possible d'empêcher l'arrachement du TCP et de
l'ACF par rapport au substrat.
Claims (10)
1.- Un procédé de fabrication d'un panneau actif d'afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation d'une pluralité de lignes (113, 123) et de plages (115 et 125) à l'extrémité de chacune des lignes sur un substrat (101); - formation d'une couche isolante (117, 137) sur les lignes et les plages;
- exposition des plages et de certaines portions du substrat entre les plages.
2.- Le procédé selon la revendication 1, comprenant en outre les étapes de: - formation de bornes de plages (157, 167) sur chacune des plages (115 et 125); - utilisation de moyens de connexion comprenant une pluralité de plages conductrices disposées sur un film isolant en correspondance avec les plages
(115, 125);
- liaison des plages conductrices aux bornes de plages (157, 167) et fixation d'une certaine partie du film isolant au substrat découvert (101) à
travers les trous (193) entre les plages.
3.- Le procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel l'étape de formation des lignes et plages et l'étape de formation d'une couche isolante comprennent les étapes de: - formation d'une ligne de grille (113) et d'une plage de grille (115) à l'extrémité de la ligne de grille; - formation d'une couche d'isolation de grille (117) recouvrant la ligne de grille et la plage de grille; - formation au-dessus de la couche d'isolation de grille (117) d'une ligne de source (123) et d'une plage de source (125) à l'extrémité de la ligne de source; et - formation d'une couche de passivation (137) recouvrant la ligne de source et la plage de source; et dans lequel, lors de l'étape d'exposition, la plage de grille, la plage de source et certaines portions du substrat entre les plages de source et les plages de grille sont exposées.
4.- Le procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que lors de l'étape de formation de la ligne de grille, on forme en outre une électrode de grille (111) en saillie par rapport à la ligne de grille (113); 1l
en ce que le procédé comprend une étape de formation d'une couche semi-
conductrice au-dessus de l'électrode de grille sur la couche d'isolation de grille (117); en ce que lors de l'étape de formation de la ligne de source, on forme, en outre, une électrode de source (121) en saillie par rapport à la ligne de source (123), et en contact ohmique avec un côté de la couche semi-conductrice, ainsi qu'une électrode de drain en face de l'électrode de source et en contact ohmique avec l'autre côté de la couche semi-conductrice; en ce que lors de l'étape d'exposition de la plage de source, l'électrode de drain est aussi exposée, et en ce qu'il comprend une étape de formation d'une borne de plage de grille (157) et d'une borne de plage de source (167) respectivement reliées à la plage de grille (115) et à la plage de source (125) et de formation d'une électrode
de pixels (141) reliée à l'électrode de drain (131).
5.- Le procédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'utilisation de moyens de connexion comprenant une pluralité de plages conductrices disposées sur un film isolant en correspondance aux plages de grilles et aux plages de sources, de connexion des plages conductrices aux bornes de plages de grilles (157) et aux bornes de plages de source (167), et de fixation d'une portion du film isolant au substrat découvert à travers les trous (193) entre les plages de grilles
et les plages de sources.
6.- Un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat (101); - une pluralité de lignes (113, 123) sur le substrat; une plage (115, 125) à l'extrémité de chaque ligne; - une couche isolante (117, 137) recouvrant les lignes et les plages;
- un trou (193) découvrant certaines parties du substrat entre les plages.
7.- Le panneau actif selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de connexion comprenant une plage conductrice reliée à ladite
plage et un film isolant fixé à une portion du substrat découverte par le trou (193).
8.- Le panneau actif selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que le trou
présente une pluralité de petits trous.
9.- Un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat (101); - une ligne de grille (113) sur le substrat; - une plage de grille (115) à l'extrémité de la ligne de grille; - une couche d'isolation de grille (117) recouvrant la ligne de grille et la plage de grille; - une ligne de source (123) sur la couche d'isolation de grille (117) et coupant la ligne de grille; - une plage de source (125) à l'extrémité de la ligne de source; -une couche de passivation (137) recouvrant la ligne de source (123) et la plage de source (125); - un trou de contact de grille (151) découvrant la plage de grille (115); - un trou de contact de source (161) découvrant la plage de source; - un trou (193) découvrant une partie du substrat (101) entre les plages de grille
et les plages de source.
10.- Un panneau actif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre: une électrode de grille (111) en saillie par rapport à la ligne de grille (113);
une couche semi-conductrice (135) sur la couche d'isolation de grille, au-
dessus de l'électrode de grille; une électrode de source (121), en saillie par rapport à la ligne de source (123), et en contact ohmique avec un côté de la couche semi-conductrice; une électrode de drain (131) en face de l'électrode de source et en contact ohmique avec l'autre côté de la couche semi-conductrice; un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain; une borne de plage de contact de grille (157) reliée à la plage de grille (115) à travers le trou de contact de grille; une borne de plage de source (167) reliée à la plage de source (125) à travers le trou de contact de source (161); une électrode de pixels (141) reliée à l'électrode de drain (131) à travers le trou de contact de drain; et des moyens de connexion comprenant une plage conductrice reliée à la plage de grille et à la plage de source et un film isolant fixé à une portion du substrat
découverte par le trou (193).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980025443A KR100280889B1 (ko) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2780521A1 true FR2780521A1 (fr) | 1999-12-31 |
| FR2780521B1 FR2780521B1 (fr) | 2003-02-14 |
Family
ID=19541868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9908317A Expired - Lifetime FR2780521B1 (fr) | 1998-06-30 | 1999-06-29 | Procede de fabrication d'une partie de plages d'un afficheur a cristal liquide, et structure d'afficheur presentant ladite partie |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6630686B1 (fr) |
| JP (1) | JP4064004B2 (fr) |
| KR (1) | KR100280889B1 (fr) |
| DE (1) | DE19930197B4 (fr) |
| FR (1) | FR2780521B1 (fr) |
| GB (1) | GB2339953B (fr) |
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| KR100390456B1 (ko) | 2000-12-13 | 2003-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
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