FR2666683A1 - Method of progressive switching-over of a transistor for controlling a contactor, and corresponding circuit - Google Patents
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Abstract
Description
PROCEDE DE COMMUTATION PROGRESSIVE
D'UN TRANSISTOR DE COMMANDE DE CONTACTEUR,
ET CIRCUIT CORRESPONDANT.PROGRESSIVE SWITCHING PROCESS
A CONTACTOR CONTROL TRANSISTOR,
AND CORRESPONDING CIRCUIT.
L'invention concerne un procédé de commutat progressive d un transistor de commande de contacteur et le circuit correspondant. The invention relates to a method for progressive switching of a contactor control transistor and the corresponding circuit.
Les appareils électriques, tels que les contateurs ou relais, sont couramment commandés par l'intermêdiaire de transisitors. La conduction de ces transistors est elle-même commandée par des signaux rectangulaires qui ant l'avantage d'être précis et l'invonvéient d'entraîner l'apparition de parasites en raison du fort taux d'harmoniques lié au brusque changement de pente de la tension aux bornes du contacteur. Electrical devices, such as storytellers or relays, are commonly controlled through transisitors. The conduction of these transistors is itself controlled by rectangular signals which ant the advantage of being precise and the invonvient to involve the appearance of parasites due to the strong rate of harmonics related to the abrupt change of slope of the voltage across the contactor.
Pour réduire l'importance des parasites il est connu d'utiliser une cappacité en réaction sur le transisitor et une résistance dans le circuit de commande du transistor. De cette manière, la pente des fronts du signal de tension appliqué au contacteur est plus faible et ce signal n'est plus rectangulaire mais trapézoïdal. Il en resul te une réduction du taux d'harmoniques du fait que la variation de pente de tens j on est moins grande mais le changement de pente se faisant toujours de façon brutale le taux d'harmoniques est toujours notable. To reduce the importance of parasites it is known to use a cappacity in reaction on the transisitor and a resistance in the control circuit of the transistor. In this way, the slope of the edges of the voltage signal applied to the contactor is lower and this signal is no longer rectangular but trapezoidal. This results in a reduction in the rate of harmonics because the variation in slope of tens j on is less great but the change in slope always taking place suddenly the rate of harmonics is always significant.
Pour eviter ce changement brutal d e p e nte, o on a porposé de réaliser un asservissement de la variation du signal de tension au moyen de circuits plus complexes utilisant par exemple un comparateur. To avoid this sudden change in penetration, where it has been suggested to control the variation of the voltage signal by means of more complex circuits using for example a comparator.
Mais la différence des vitesses de réaction est telle entre un comparateur, qui est lent, un transistor de type MOS qui est rapide. que le circuit entre en oscillation et ne donne pas le résultat escompté. But the difference in reaction speeds is such between a comparator, which is slow, a MOS type transistor which is fast. that the circuit starts to oscillate and does not give the expected result.
Un but de l'invention est de proposer un procéde de commutation progressive d'un transistor prévu pour la commande d'un appareil électrique tel que contacteur ou relais, qui assure un raccordement continu entre les parties Tinéaires du signai de tension appliqué à l'appareil. An object of the invention is to propose a process for the progressive switching of a transistor provided for the control of an electrical device such as a contactor or relay, which ensures a continuous connection between the linear parts of the voltage signal applied to the apparatus.
Un autre but de l'invention est, par ce pracéde de commutation progressive, d'éliminer une grande partie du spectre des parasites liés au changement brutal de pente du signal de tension
Un autre but encore de l'invention est de diminuer sensiblement l'effet des capacités parasites de bobinage du contacteur ou relais lors de la commutation.Another object of the invention is, by this step of progressive switching, to eliminate a large part of the spectrum of parasites linked to the sudden change in slope of the voltage signal.
Yet another object of the invention is to significantly reduce the effect of parasitic winding capacities of the contactor or relay during switching.
L'invention a pour objet un procédé de commutation progressive d'un transistor de commande d'un contacteur, ledit transistor étant muni d'une capacité de réaction entre son drain et sa grille, et d'une résistance en série avec sa grille, caractérisé en ce que :
- on dispose un premier générateur de courant pour alimenter la capacité de réaction en courant supplémentaire, et
- on commande ledit géné5rateur de courant par la potentiel du drain du transistor, de frçon à assurer progressivement le passage en conduction du transistor ou son passage au blocage
Selon d'autres ca4ractéristiques de l'invention :
- après démarrage de la conduction du transistor on dérive par une diode le courant dudit générateur de courant vers le drain du transisitor pour assurer progressivement son passage à la saturation.The subject of the invention is a method of progressive switching of a transistor for controlling a contactor, said transistor being provided with a reaction capacity between its drain and its gate, and with a resistor in series with its gate, characterized in that:
- there is a first current generator to supply the reaction capacity with additional current, and
- said current generator is controlled by the potential of the drain of the transistor, so that progressively the passage of the transistor under conduction or its passage to blocking
According to other characteristics of the invention:
- After starting the conduction of the transistor, the current from said current generator is diverted by a diode to the drain of the transisitor to gradually ensure its passage to saturation.
- on dispose un deuxième générateur de courant fonctionnant en miroir de courant, pour assurer progressivement le passage du transistor de la saturation vers le blocage. - there is a second current generator operating as a current mirror, to gradually ensure the passage of the transistor from saturation to blocking.
L'invention a également pour objet un circuit de commutation progressive d'un transistor de commande d'un contacteur, ledit transistor étant muni d'une capacité de rcacizion entre son durain et sa grille et d'une e résistance en série avec sa grilles caractérisé en ce qu'il comporte un deuxième transistor fonctionnant en générateur de courant, dont la base est reliée drain dudit transistor de commande du contacteur, et susceptible de fourir du courant à la capacité de réaction pour accélérer le processus de mise en conduction dudit transistor. The subject of the invention is also a progressive switching circuit of a transistor for controlling a contactor, said transistor being provided with a capacitance of recirculation between its durain and its gate and an e resistance in series with its gates. characterized in that it comprises a second transistor operating as a current generator, the base of which is connected to the drain of said contactor control transistor, and capable of supplying current to the reaction capacity to accelerate the process of turning on said transistor .
Selon d'autres caractéristiques de l'invention :
- une diode est disposée entre le deuxième transistor et le drain dudit transisitor pour dériver vers le drain le courant fourni par ledit deuxième transistor afin d'assurer la progressivité du passage a la saturation dudit transistor.According to other characteristics of the invention:
- A diode is arranged between the second transistor and the drain of said transisitor to derive towards the drain the current supplied by said second transistor in order to ensure the progressiveness of the transition to saturation of said transistor.
- un troisième transistor fonctionnant en miroir de courant, est commandé par leidt deuxieme transistor pour assurerla prograssivité du passage dudit transistor de la saturation vers le blocage. - A third transistor operating as a current mirror, is controlled by the second transistor to ensure the gradual passage of said transistor from saturation to blocking.
D'autres caractéristiques de l'invention ressortent de la description qui swuit faite avec référence au dessin annexé sur lequel on peut voir :
Figure 1 : une repésentation du potentiel du drain du transisitor de contrôle de la bobine d'un contacteur, présentant des fronts à pente atténuée, de type connu ;
Figure 2 : une représentation du potentiel du drain du transisitor de contrôle de la bobine d'un contacteur, présentant des angles arrondis en application de l'invention ;
Figure 3 : un schéma symbolique simplifié d'un exemple de réalisation d'un circuit de commutation progressive selon l'invention, appliqué à un contacteur.Other characteristics of the invention emerge from the description which follows, made with reference to the appended drawing in which we can see:
FIG. 1: a representation of the potential of the drain of the control transisitor of the coil of a contactor, having edges with attenuated slope, of known type;
Figure 2: a representation of the drain potential of the control transisitor of the coil of a contactor, having rounded angles in application of the invention;
Figure 3: a simplified symbolic diagram of an exemplary embodiment of a progressive switching circuit according to the invention, applied to a contactor.
En se reportant au dessin on peut voir qu'en réponse à un signal numérique de commande, un transistor équip6 d'une boucle de réaction capacitive délivre un signal trapézoïdal à fronts inclinés (Figure 1). et qu'un même transistor équipé en outre du circuit de commutation progressive selon l'invention délivre un signal globalement trapézoïdal mais à angles arrondis (Figure 2). Referring to the drawing, it can be seen that in response to a digital control signal, a transistor equipped with a capacitive feedback loop delivers a trapezoidal signal with inclined edges (Figure 1). and that the same transistor also equipped with the progressive switching circuit according to the invention delivers a generally trapezoidal signal but with rounded angles (Figure 2).
Surla Figure 3, on peut voir une bobine de contacteur B, avec sa diode de roue libre Drl en parallèle; l'ensemble étant monté en série avec un transistor I1 de type MOS, entre la ligne d'alimentation (+) et la masse. On Figure 3, we can see a contactor coil B, with its freewheeling diode Drl in parallel; the assembly being connected in series with a MOS-type transistor I1, between the supply line (+) and the ground.
Entre la grille g du transistor T1 et son dain d; sdisposée de manière connue une capacité de réaction Cr. Le conducteur d'alimentation de la grille g c o n p o r t e une résistance R1 et une porte logique L1 et raçoit le signal numérique de commande Uc, de type rectangulaire. La constante de temps R1.Cr définit la pente du signal trapézoïdal de la Figure 1
Selon l'invention, le circuit compiorte aussi un transistor I2 dont l'6metteur est reliè à la ligne d'alimentation (+) par une résisitance R9, et dont la base est re7 i ee par une résistance Rp au point commun à la bobine B et au transistor T1.Between the gate g of the transistor T1 and its dain d; in known manner has a Cr reaction capacity. The power supply conductor of the gate has a resistor R1 and a logic gate L1 and receives the digital control signal Uc, of rectangular type. The time constant R1.Cr defines the slope of the trapezoidal signal in Figure 1
According to the invention, the circuit also includes a transistor I2 whose emitter is connected to the supply line (+) by a resistor R9, and whose base is re7 i ee by a resistor Rp at the point common to the coil B and transistor T1.
La base du transisitor I2 est également reliée à la ligne d'alimentation (+) par une diode Zener Dz. The base of the transisitor I2 is also connected to the supply line (+) by a Zener Dz diode.
Enre le collecteur du transistor T2 et le point commun & la bobine B et au transistor T1, est disposée une diode D4. Le collecteur du transistor T2 est monté en série avec une résistance R3 et une résistance R4, elle-même reliée au collecteur d'un transistor T4 dont l'émetteur est à la masse. La base du transistor T4 est montée en série avec une résistance R6, une porte togique L2 donnent en sortie le signal O compl6mentaire du signal Q délivré par la porte logique L1, et un inverseur In recevant le signal numérique Uc de commande de la commutation. Between the collector of transistor T2 and the common point & the coil B and at transistor T1, is arranged a diode D4. The collector of transistor T2 is connected in series with a resistor R3 and a resistor R4, itself connected to the collector of a transistor T4 whose emitter is grounded. The base of the transistor T4 is connected in series with a resistor R6, a togic gate L2 output the signal O complementary to the signal Q delivered by the logic gate L1, and an inverter receiving the digital signal Uc for switching control.
Le point commun aux résistances R3 et R4 est relie à la base d'Lin transistor 13 de type npn dont 7 collecteur est relie à la grille du transistor T1 et dont l'émetteur est relié, par l'intermédiaire d'une résisitance
R5 au point commun â la résistance R4 et au transistor T4.The point common to resistors R3 and R4 is connected to the base of Lin transistor 13 of the npn type, of which 7 collector is connected to the gate of transistor T1 and of which the emitter is connected, by means of a resisitance
R5 in common with resistor R4 and transistor T4.
Le transistor T2 fonctionne en générateur de courant commande par le potentiel du drain d du transistor
T1, pour alimenter en courant supplémentaire la capacité Cr
Le transistor T3 fonctionne en miroir de courant par rapport au transistor T2. c'est-à-dire en générateur d'un courant de sens inverse.The transistor T2 operates as a current generator controlled by the potential of the drain d of the transistor
T1, to supply additional current to the capacity Cr
The transistor T3 operates as a current mirror with respect to the transistor T2. that is to say in the generator of a current of opposite direction.
Le fonctionnement du circuit s'analyse de la manière suivante. The operation of the circuit can be analyzed as follows.
Au début du processus de fonctionnement. on suppose que le signal de commande Uc est égal à O. At the start of the operating process. it is assumed that the control signal Uc is equal to O.
Le potentiel Ug de la grille g du transistor T1 est nul et le transistor T1 est bloqué. Le potentiel Ud du drain du tansistor T1 est alors pratiquement égal au potentiel de la ligne d'alimentation (+), et la capacité Cr est chargé Le Le transistor 14 est e n e t a t de 8 a t U r a t 1 on comandé par le signal Q. Cet état correspond au palier 1 de la Figure 2
Lorsque le signal de commande Uc devient égal à 1, le transistor T4 se bloque, et un courant passe dans 1a résistance R1 vers la capacité Or qui a tendance à se décharger.The potential Ug of the gate g of the transistor T1 is zero and the transistor T1 is blocked. The potential Ud of the drain of the tansistor T1 is then practically equal to the potential of the supply line (+), and the capacitance Cr is charged. The transistor 14 is in the state of 8 at t U rat 1 is controlled by the signal Q. This state corresponds to level 1 of Figure 2
When the control signal Uc becomes equal to 1, the transistor T4 is blocked, and a current flows through the resistor R1 towards the capacitor Or which tends to discharge.
Le potentiel Ug de Ta grille du transistor augmente et le transisitor T1 commence à conduire. Le potentiel Ud du drain a tendance a baisser, et en l'absence d'autres éléments du circuit, la capacité Cr constitue une boucle de réaction sur la grille du transistor T1 et le transistor
T1 conduit, faisant ainsi baisser le potentiel Ub avec une pente définie par la constante de temps (R1. Cr), ce qui correspond au segment 2 de la Figure 1 pour les circuits de type connu
Selon l invention on utilise le transistor 12 pour amener à la grille g, un courant suplémentaire Ig, de façon à accélérer le porcessus de conductiondu transisitor
T1.Le transistor T1 conduit donc de plus en plus, jusqu'à ce que l'entrée en conduction de la Ta diode Dz entraine une limitation du courant supplémentaire Ig.The potential Ug of the gate of the transistor increases and the transisitor T1 begins to drive. The potential Ud of the drain tends to decrease, and in the absence of other elements of the circuit, the capacitance Cr constitutes a feedback loop on the gate of the transistor T1 and the transistor
T1 leads, thus lowering the potential Ub with a slope defined by the time constant (R1. Cr), which corresponds to segment 2 of Figure 1 for circuits of known type
According to the invention, the transistor 12 is used to bring to the gate g, an additional current Ig, so as to accelerate the conduction of the transisitor.
T1. The transistor T1 therefore conducts more and more, until the entry into conduction of the Ta diode Dz leads to a limitation of the additional current Ig.
La mise en conduction du transistor T2 est assurée par l'intermédiaire de la résistance Rp qui applique a la base du u transistor 12 le potentiel Ud du drain du transistor T1. Le courant Ig qui traverse Te transistor T2, traverse églaement la résistance Rg, 1a résistance R3, et la jonction pn base-collecteur du transistor T3, pour aboutir à la capacité Cr et à la grille g. The conduction of the transistor T2 is ensured by means of the resistor Rp which applies to the base of the transistor 12 the potential Ud of the drain of the transistor T1. The current Ig which crosses the transistor T2, also crosses the resistor Rg, the resistor R3, and the base-collector pn junction of the transistor T3, to arrive at the capacitance Cr and at the gate g.
Selon l'invention, la résistance R1 est forte (56 K Q) de façon à donner une très faible pente au départ du premier coude 3 de la courbe de la Figure 2. De ce fait, le potentiel Ud baisse avec une pente très douce au départ, et cette pente est accélérée par l'apport de courant Ig du transistor T2, qui fonctionne en générateur de courant commandé par le potentiel Ud du drain du transistor I1. According to the invention, the resistance R1 is strong (56 KQ) so as to give a very slight slope at the start of the first bend 3 of the curve in Figure 2. As a result, the potential Ud decreases with a very gentle slope at departure, and this slope is accelerated by the supply of current Ig from transistor T2, which operates as a current generator controlled by the potential Ud of the drain of transistor I1.
L'accélération de la pente se poursuit jusqu'à ce que la diode Dz se mette à conduire et stabilise la pente, selon le segment 4 de la courbe de la Figure 2. Ce segment 4 est rectiligue et correspond au segment 2 de la figure 1,
Lorsque le transistor T1 arrive à saturation. on se trouve au deuxième coude 5 de la courbe de la FI Fige e 2
Lorsque 7e transistor T1 est proche de 1 saturation, le potentiel Ud du drain est relativement faible. Pour éviter un coude brutal comme celui de la
Figure 1 pour les dispositifs connus, on dérive le courant
Ig du transistor T2 vers le drain du transistor T1 au soyen de la du ode D4. Le seuil de conduction de Ta diode i4 est atteint Tarsque le potentiel Ud du drain devient inférieur à la somme (Ig.R3 # Ugs) dans laquele Ugs est le potentiel de grille au seuil de conduction de D4.The acceleration of the slope continues until the diode Dz starts to conduct and stabilizes the slope, according to segment 4 of the curve of Figure 2. This segment 4 is rectilinear and corresponds to segment 2 of the figure 1,
When the transistor T1 reaches saturation. we are at the second bend 5 of the curve of the FI Fige e 2
When 7th transistor T1 is close to 1 saturation, the potential Ud of the drain is relatively low. To avoid a brutal bend like that of the
Figure 1 for known devices, the current is derived
Ig from transistor T2 to the drain of transistor T1 to the silk of ode D4. The conduction threshold of Ta diode i4 is reached When the potential Ud of the drain becomes less than the sum (Ig.R3 # Ugs) in which Ugs is the gate potential at the conduction threshold of D4.
A partir de la mise en conduction de la diode D4, le couramt Ig est dérivé gers le drain du transistor T1 et la décharge de la capacité Cr n'est plus assurée que par Te courant traversant la séstitance R1, Cette dérivation se rait progressivement au fur et i mesure que le potentiel U d diminue, et on a un ralentissement de la descente d@ potentiel Ud sur la Figure 3. Le deuxièse coude 5 de la courbe représentative de Ud présente donc, lui aussi. une forme arrondie. Le point de départ 6 de catte forme arrondie est déterminé par les valeure de Rg et RS, et de la teneion de conduction de la dîode Dz. As soon as the diode D4 is put into conduction, the couramt Ig is derived from the drain of the transistor T1 and the discharge of the capacitance Cr is no longer ensured except by Te current passing through the substance R1, This derivation occurs gradually at As the potential U d decreases, and there is a slowing down of the descent of @ potential Ud in Figure 3. The second bend 5 of the curve representative of Ud therefore also presents. a rounded shape. The starting point 6 of the rounded shape catte is determined by the values of Rg and RS, and of the conduction voltage of the diode Dz.
La disposition et la valeur da la résistance R3 permettent de faire commancer l'arrondi assez töt avant d'atteindre la saturation du transistor T1. Cette saturation correspond au palier horizontal 7 de la courbe de la Figure 2. The arrangement and the value of the resistor R3 make it possible to start the rounding fairly early before reaching the saturation of the transistor T1. This saturation corresponds to the horizontal plateau 7 of the curve in Figure 2.
Lorsque le signal de commande Uc revient à D, pour assurwer le blocage du transitor T1, l'invention prévoit l'utilisation d'un deuxième générateur de courant (T3), qui fonctianne en miroir de courant par rapport au premier générateur de courant (T2) et qui est déclenché par le signal numèrique de commande Uc. When the control signal Uc returns to D, to ensure the blocking of the transitor T1, the invention provides for the use of a second current generator (T3), which operates in current mirror with respect to the first current generator ( T2) and which is triggered by the digital control signal Uc.
Lorsque le signal de commande Uc revient à O, la sortie de la porte logique L1 passe & l'état Q=D, mais la sortie de le porte logique L2 pesse à l'érat Q = I. De ce fait, le transistor I4 devient conducteur. Le courent dans
La résistance R3 étant sul, la charge de la capacité Cr est assurée à travers la résietance R1 de façon lente, et le potentiel Ud du drain remante avec une pente très faible.When the control signal Uc returns to O, the output of the logic gate L1 goes to the state Q = D, but the output of the logic gate L2 weighs in the state Q = I. Therefore, the transistor I4 becomes a driver. Run it in
The resistance R3 being sul, the charge of the capacitance Cr is ensured through the resistor R1 in a slow fashion, and the potential Ud of the drain remant with a very slight slope.
Au fur et à mesue que le potentiel Ud remonte, la diode D4 conduit de moins en moins et du courent passe de plus en plus par la résistance R3, la résistance R4 et le ransistor T4. Le trnasistor T3 devient conducteur et se comporte en générateur de courant. Il génère un courant de même vlaeur que selui qui traverse R3, mais qui est de sens inverse en ce qui concerne la capacité Cr qui se charge rapidement. ce qui entraîne une accélération du passage du ransistor T1 vers l'état bloqué. Le transistor T1 condait de moins en moins et le sotentîel Ud remante de plus en plus. Ce phénomène d'accélération correspond au troisième coude arrondi 8 de la courbe de T1 Figure 2.As the potential Ud rises, the diode D4 conducts less and less and current flows more and more through the resistor R3, the resistor R4 and the ransistor T4. The T3 trasistor becomes conductive and behaves as a current generator. It generates a current of the same value as selui which crosses R3, but which is in the opposite direction with regard to the capacity Cr which charges rapidly. which results in an acceleration of the passage of the ransistor T1 towards the blocked state. The transistor T1 was driving less and less and the potential Ud was moving more and more. This acceleration phenomenon corresponds to the third rounded elbow 8 of the curve of T1 Figure 2.
Lorsque le potentiel Ud atteint la valeur carrespondant au point 9 de la courbe de la Figure 2. Ta diode D4 ne conduit plus et la montée du potentiel Ud se fait à vitesse consiante, avec la même pente sur le sagment 10 de la courbe de la Figure 2 que celle du segment 4, mais de sens opposé. When the potential Ud reaches the value corresponding to point 9 of the curve in Figure 2. Your diode D4 no longer drives and the rise of the potential Ud takes place at constant speed, with the same slope on the segment 10 of the curve of the Figure 2 as that of segment 4, but in opposite directions.
Lorsque la valeur du petentiel Dd du drain atteint la valeur correspendant au blocage de la diode Dz. on se correspondant à la fin du premier coude errondi 3. A partir de ce moment. le courant dans le transistor T2 va diminuer jusqu'à s'arréter, avec la même courbe que celle du pemier coude 3. En effet, le courant Ig dans le transister T2 est asservi au potentiel Ud du drain du trensistor T1 et on réalise ainsi le quatriéme coude T2 de la courbe de la
Figure 2.When the value of the drain potential Dd reaches the value corresponding to the blocking of the diode Dz. we correspond to the end of the first erroneous elbow 3. From this moment. the current in the transistor T2 will decrease until stopping, with the same curve as that of the first bend 3. Indeed, the current Ig in the transistor T2 is controlled by the potential Ud of the drain of the trensistor T1 and one thus realizes the fourth bend T2 of the curve of the
Figure 2.
Le courant le dieinue jusqu'a s'annuler dans le transistor T2 fce qui entraine l'annulation du courant dans le trnsistor T3,
La charge de la capacit6 Or se fait alors à travers la seule résistence Ri, avec une consiante du temps R1.Cr et une pente très falèle puique la valeur de R1 est 6levée. On arrive einsi au bionage du traneistor T1. qui correspond au palier horizontal @@ sur la courbe de la
Figure 2, et on se trouve ramené aux conditions initiales.The current continues until it is canceled in the transistor T2 fce which causes the cancellation of the current in the trnsistor T3,
The charge of the capacitance Or is then made through the only resistance Ri, with a time constant R1.Cr and a very falele slope since the value of R1 is high. We thus arrive at the bioning of the T1 traneistor. which corresponds to the horizontal level @@ on the curve of the
Figure 2, and we are brought back to the initial conditions.
Avec le circuit l'invention. la commutation est progressive et les angles de la conrbe representative sont arrondis. De ce fait une grande partie du spectre des parasties se trouve 6liminée. With the circuit the invention. the switching is progressive and the angles of the representative curve are rounded. As a result, a large part of the spectrum of parastias is eliminated.
L'effet des capacités parasites de bobinage de l'apparel (contacteur ou relais) se trouve sensiblement diminué, ainsi qui la fatigue du transistor T1. The effect of the parasitic winding capacities of the device (contactor or relay) is significantly reduced, as well as the fatigue of the transistor T1.
Ces avantages sont obtenus sel on i 'invention, par l'utilisation d'une réaction non linéarie commandée par le potentiel Ud du drain du transistor T1 qui assure 1a commutation. These advantages are obtained according to the invention, by the use of a non-linear reaction controlled by the potential Ud of the drain of the transistor T1 which ensures the switching.
Le choix de la valeur élevée de la résistance R1 permet de partir avec une pente très faible. La disposition du générateur r de courant (transistor T2) commande par 7 e potentiel Ud du drain du transistor des commutation T1 permet d'accélérer le processus de conduction du transistor
T1 selon un angle arrondi, jusqu'au sgment rectiligne correspondent à la pente maximale admise.The choice of the high value of the resistance R1 makes it possible to start with a very slight slope. The arrangement of the current generator r (transistor T2) controls by 7 th potential Ud of the drain of the switching transistor T1 makes it possible to accelerate the conduction process of the transistor
T1 at a rounded angle, up to the rectilinear segment correspond to the maximum allowed slope.
La dérivation par la droite D4 du courant en provenance du transistor T2 permet d'etteindre. par un angle arrondi, la saturation du transitor de commutation
T1. La mise en service, par le transistor T4. du deuxième générateur de courant (transistor T3) fonctionnant en miroir de courant permet d'assurer, par un angle arrondi, le démarrage de la phase dc coupure du transistor de commutation T1, jusqu'au segment rectiligne pentu.The derivation by the line D4 of the current coming from the transistor T2 makes it possible to switch off. by a rounded angle, the saturation of the switching transitor
T1. Commissioning, by transistor T4. of the second current generator (transistor T3) operating as a current mirror makes it possible to ensure, by a rounded angle, the start of the phase dc breaking of the switching transistor T1, up to the straight rectilinear segment.
Enfin la remontee du potentiel Ud du drain permetS par un angle arrondi, d'assurer la fin de la conductiond u transistor de commutation par l'arrêt des deux générateurs de courant (12 et T3). A Ainsi, la disposition de deux générateurs de courant (T2 et T3) dont 1e fonctionnement est commande par les variations du potentIel Ud du drain du transistor de commutation T1, assure une commutation avec des angles arrondis, ce qui diminue sensiblement la puissance et le spectre des harmoniques rayonnés et renvoyés sur l'alimentation, c'est-à-dire la puissance et le specre des parastites généres par la commutation. Finally, the rise of the potential Ud of the drain allows, by a rounded angle, to ensure the end of the conduction of the switching transistor by stopping the two current generators (12 and T3). A Thus, the arrangement of two current generators (T2 and T3) whose operation is controlled by the variations of the potential Ud of the drain of the switching transistor T1, ensures switching with rounded angles, which significantly reduces the power and the spectrum of the harmonics radiated and returned to the power supply, that is to say the power and the spectrum of the parastites generated by the switching.
Le gain les boucles d'asservissement (Ud#Ig) étant relativement faible et la réponse des générateurs de courant très rapide, le système de commutation progressive selon l'invention ne présente pas de risque d'oscillation. The gain of the control loops (Ud # Ig) being relatively low and the response of the current generators very rapid, the progressive switching system according to the invention does not present any risk of oscillation.
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-
1990
- 1990-09-12 FR FR9011259A patent/FR2666683B1/en not_active Expired - Fee Related
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| CN107958811B (en) * | 2017-12-28 | 2020-12-15 | 东风商用车有限公司 | Controller board-mounted relay large-current control system and use method |
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