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FR1377330A - Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés - Google Patents

Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés

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Publication number
FR1377330A
FR1377330A FR942896A FR942896A FR1377330A FR 1377330 A FR1377330 A FR 1377330A FR 942896 A FR942896 A FR 942896A FR 942896 A FR942896 A FR 942896A FR 1377330 A FR1377330 A FR 1377330A
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FR
France
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semiconductor devices
effect semiconductor
integrated multichannel
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Expired
Application number
FR942896A
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Inventor
Stanislas Teszner
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Publication date
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Priority to GB30972/64A priority patent/GB1045314A/en
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DET26654A DE1293900B (de) 1963-07-26 1964-07-23 Feldeffekt-Halbleiterbauelement
NL646408428A NL143734B (nl) 1963-07-26 1964-07-23 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
CH970464A CH414872A (fr) 1963-07-26 1964-07-24 Dispositif semi-conducteur à effet de champ à canaux multiples intégrés
US385023A US3372316A (en) 1963-07-26 1964-07-24 Integral grid and multichannel field effect devices
GB30972/64A GB1045314A (en) 1963-07-26 1964-08-04 Improvements relating to semiconductor devices
FR6722A FR87873E (fr) 1963-07-26 1965-02-23 Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés
CH231666A CH429953A (fr) 1963-07-26 1966-02-17 Dispositif semiconducteur
US528896A US3407342A (en) 1963-07-26 1966-02-21 Integral grid and multichannel field effect devices
GB7612/66A GB1090696A (en) 1963-07-26 1966-02-22 Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1514932A DE1514932C3 (de) 1963-07-26 1966-02-23 Halbleiterbauelement mit Feldeffekt
NL666602337A NL152119B (nl) 1963-07-26 1966-02-23 Veldeffecttransistor waarbij het stuurgebied door een p-n-overgang van het kanaal is gescheiden.

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NL (2) NL143734B (fr)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
EP0167814A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance à double empilement
EP0167810A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance comportant plusieurs pincements latéraux
EP0167811A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance comportant une rangée scindée
US4670764A (en) * 1984-06-08 1987-06-02 Eaton Corporation Multi-channel power JFET with buried field shaping regions
US6020607A (en) * 1995-02-21 2000-02-01 Nec Corporation Semiconductor device having junction field effect transistors

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1377330A (fr) * 1963-07-26 1964-11-06 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés
US3443172A (en) * 1965-11-16 1969-05-06 Monsanto Co Low capacitance field effect transistor
NL7303347A (fr) * 1972-03-10 1973-09-12
JPS5017771A (fr) * 1973-06-15 1975-02-25
US4959697A (en) * 1988-07-20 1990-09-25 Vtc Incorporated Short channel junction field effect transistor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1080696B (de) * 1956-12-10 1960-04-28 Stanislas Teszner Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung
FR1210880A (fr) * 1958-08-29 1960-03-11 Perfectionnements aux transistors à effet de champ
GB912114A (en) * 1960-09-26 1962-12-05 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices
FR1317256A (fr) * 1961-12-16 1963-02-08 Teszner Stanislas Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs dits tecnetrons multibâtonnets
FR1329626A (fr) * 1962-04-04 1963-06-14 Europ Des Semi Conducteurs Soc Perfectionnements aux transistors à effet de champ, de hautes performances
US3268374A (en) * 1963-04-24 1966-08-23 Texas Instruments Inc Method of producing a field-effect transistor
FR1377330A (fr) * 1963-07-26 1964-11-06 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
EP0167814A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance à double empilement
EP0167810A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance comportant plusieurs pincements latéraux
EP0167811A1 (fr) * 1984-06-08 1986-01-15 Eaton Corporation JFET de puissance comportant une rangée scindée
US4633281A (en) * 1984-06-08 1986-12-30 Eaton Corporation Dual stack power JFET with buried field shaping depletion regions
US4635084A (en) * 1984-06-08 1987-01-06 Eaton Corporation Split row power JFET
US4670764A (en) * 1984-06-08 1987-06-02 Eaton Corporation Multi-channel power JFET with buried field shaping regions
US6020607A (en) * 1995-02-21 2000-02-01 Nec Corporation Semiconductor device having junction field effect transistors

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Publication number Publication date
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DE1514932C3 (de) 1975-01-30
CH429953A (fr) 1967-02-15
DE1293900B (de) 1969-04-30
NL152119B (nl) 1977-01-17
FR87873E (fr) 1966-07-08
CH414872A (fr) 1966-06-15
GB1090696A (en) 1967-11-15
GB1045314A (en) 1966-10-12
DE1514932B2 (de) 1974-06-12

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