FI93059C - Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi - Google Patents
Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI93059C FI93059C FI933124A FI933124A FI93059C FI 93059 C FI93059 C FI 93059C FI 933124 A FI933124 A FI 933124A FI 933124 A FI933124 A FI 933124A FI 93059 C FI93059 C FI 93059C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- electrode
- space
- sensor
- silicon
- pressure sensor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
93059
Kapasitiivinen paineantuhrakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi
Keksintö koskee patenttivaatimuksen 1 johdannon mukaista kapasitiivistä paineanturi-5 rakennetta.
Keksintö koskee myös menetelmää kapasitiivisen paineanturirakenteen valmistamiseksi.
10 Seuraaviin julkaisuihin viitataan tekniikan tason kuvaamiseksi: USA:n patentit [1] U.S. Pat. No. 4 386 453 (Gianchino et ai.) 15 [2] U.S. Pat. No. 4 257 274 (Shimada et ai.) [3] U.S. Pat. No. 4 332 000 (Petersen) [4] U.S. Pat. No. 4 390 925 (Freud) [5] U.S. Pat. No. 3 397 278 (Pomerantz) [6] U.S. Pat. No. 4 589 054 (Kuisma) 20 [7] U.S. Pat. No. 4 628 403 (Kuisma) [8] U.S. Pat. No. 4 594 639 (Kuisma) : [9] U.S. Pat. No. 3 288 656 (Nakamura)
Julkaisut [l]-[5] koskevat kapasitiivista paineanturirakennetta, jossa toisena elektrodina 25 toimiva piikalvo taipuu kohti liikkumatonta metallielektrodia siten, että paineen sumentuessa elektrodit lähenevät toisiaan. Elektrodien liike toistensa suhteen on verrannollinen paineeseen. Julkaisuissa [6], [7] ja [8] esitetään kapasitiivinen paineanturi-rakenne, jossa toisena elektrodina toimiva piikalvo taipuu kauemmaksi liikkumattomasta metallielektrodista paineen kasvaessa. Julkaisussa [9] esitetään ensimmäisen kerran 30 menetelmä kahden piikiekon yhteenliittämisestä eli fuusiobondauksesta.
Aikaisemmin esitetyt kapasitiiviset paineanturirakenteet, jotka toimivat siten, että 2 95059 matalissa paineissa elektrodit ovat lähimpänä toisiaan, on esitetty julkaisuissa [6], [7] ja [8]. Esitetyn kaltaisen paineanturirakenteen painealue on hyvin laaja. Anturiraken-teen kapasitanssin herkkyys paineen suhteen on suurin pienissä paineissa elektrodien ollessa hyvin lähellä toisiaan, joten on mahdollista mitata painetta erittäin tarkasti 5 myös pienissä paineissa. Tyhjökammion läpi ei tarvitse tehdä johtimien läpivientiä, mikä edesauttaa stabiilin tyhjön aikaansaamista. Tyhjökammio on suljettu lasilevyllä tai piikiekolla, jonka päällä on lasikerros. Anturin toiseksi kondensaattorilevyksi on siis muodostunut kartiomaisen tyhjökammion pinta-alastaan pienempi pää. Toisin sanoen tyhjön muodostava kartio aukeaa poispäin anturikalvosta.
10
Tunnetun tekniikan mukaisten rakenteiden haittoja ovat: 1. Piin ja lasin erilaisten lämpölaajenemiskertoimien vuoksi taipuvaan kalvoon kohdistuu jännityksiä, jotka aiheuttavat anturiin merkittävää lämpötilariippuvuutta.
15 2. Tyhjökammion jäännöskaasut aiheuttavat epästabiilisuutta pitkällä aikavälillä.
3. Anturin koko on ollut liian suuri halpaa massatuotetta ajatellen. Anturien lukumäärä kiekkoa kohti on ollut liian pieni.
20 4. Anturirakenteet ovat olleet monimutkaisia vaatien useita litografiaprosesseja. Jotta « « 1 anturin saannosta saataisiin hyvä, tulisi rakenteen ja prosessin olla mahdollisimman yksinkertainen.
25 5. Koska anturielementtinä toimiva kalvo on kartiomaisen tyhjökammion pienempi pääty, on toinen, pinta-alaltaan suurempi pääty ollut anturielementin kokoa kasvattava tekijä. Toisin sanoen tavoiteltaessa tiettyä anturikalvon pinta-alaa, on käytössä olevan anturitekniikan vuoksi tyhjökammion toisen pään koko vähentänyt piikiekolle mahtuvien anturien lukumäärää.
30 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ,, ja aikaansaada aivan uudentyyppinen kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä 3 93059 sen valmistamiseksi.
Keksintö perustuu siihen, että 5 1) Anturirakenteen tyhjökammio suljetaan fuusiobondaamalla kaksi piipintaa yhteen.
2) Taipuvaksi tarkoitettu piikalvo ohennetaan kammion sulkemisen jälkeen.
10 Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle kapasitiiviselle paineanturille on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle puolestaan on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 5 tunnusmerkkiosassa.
15
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
Valmistusprosessi ja anturirakenne ovat erittäin yksinkertaiset. Anturirakenne saadaan erittäin pieneksi jahalvaksi. Anturi toimii laajalla painealueella. Minimoimalla anturin 20 koko voidaan päästä mahdollisimman halpaan anturirakenteeseen. Yksinkertaisen prosessin avulla «m mahdollista päästä hyvään saantoon ja minimoida valmistuskustannukset.
Eräs keksinnön eduista on mahdollisuus tehdä tyhjökammion tilavuudesta suuri 25 säilyttäen kuitenkin anturin pinta-ala mahdollisimman pienenä. Tyhjökammion jäännöskaasut aiheuttavat nollapisteen lämpötilariippuvuutta, jota voidaan vähentää mahdollisimman suurella tyhjökammion tilavuudella. Tässä keksinnössä on esitetty ensimmäisen kerran anturirakenne, jonka tyhjökammiossa ei ole mitään muuta materiaalia kuin piitä. Tiedetään, että rakenteissa, joissa tyhjökammio on suljettu lasin 30 avulla lasiin imeytyy helposti kaasuja, jotka vapautuessaan aiheuttavat epästabiilisuutta pitkällä aikavälillä. Anturin pinta-ala on mahdollisimman pieni, koska tyhjökammion valmistuksessa ei menetetä pinta-alaa tyhjökammion viistoihin seinämiin kuten 4 93059 rakenteissa, jotka on julkaistu aiemmin [6], [7].
Tämän keksinnön etu on myös se, että hermeettinen liitos on tehty pii/pii-rajapinnal-le, jolloin hermeettisyys voidaan aikaansaada helposti tunnetulla menetelmällä 5 tavanomaisia pintakäsittelyjä hyväksikäyttäen [9]. Anodisesti bondatulla lasi/pii-raja-pinnalla ei esitetyssä rakenteessa ole hermeettisyysvaatimusta.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
10
Kuvio 1 esittää sivukuvantona yhtä keksinnön mukaista kapasitiivista paineanturia.
Kuvio 2 esittää sivukuvantona toista keksinnön mukaista kapasitiivista paineanturia.
15 Kuvio 3 esittää sivukuvantona kolmatta keksinnön mukaista kapasitiivista paineanturia.
Kuvio 4 esittää sivukuvantona neljättä keksinnön mukaista kapasitiivista paineanturia. 20 Kuvio 5 esittää yläkuvantona kuvion 4 mukaisen ratkaisun pii/lasirajapintaa.
• · · ‘. Kuviot 6a - 6g esittävät sivukuvantoina keksinnön mukaisen menetelmän eri vaiheita.
Kuvio 7 esittää sivukuvantona keksinnön mukaista ylipainesuojalla varustettua 25 kapasitiivista paineanturia.
Kuvio 8 esittää sivukuvantona keksinnön mukaista kapasitiivista paine-eroanturia.
Kuvissa 1, 2, 3 ja 4 on esitetty esimerkkejä tämän keksinnön mukaisista paineanturira-30 kenteista, joissa piikalvo taipuu kauemmas metallielektrodista paineen kasvaessa ja joissa tyhjökammio on suljettu piilevyllä. Anturirakenteet on kuvattu yksittäisinä : * antureina. Valmistusteknisesti anturit valmistetaan kuitenkin matriisina kiekkomaisille li 5 93059 levyille, joista yksittäiset anturielementit sahataan irti. Keksinnön edullisessa rakenteessa tyhjökammio on valmistettu piihin tavanomaisin mikromekaniikan menetelmin paksuun piikiekkoon ja suljettu kammio ohuemmalla piikiekolla, jota on ohennettu edelleen piikiekkojen liittämisen jälkeen. Kuvioissa 6a - 6g on havainnollis-5 tettu tämän keksinnön mukainen valmistusmenetelmä.
Kuviossa 1 esitetyssä anturiversiossa paksuun piikiekkoon 1 on valmistettu tavanomaisin mikromekaniikan menetelmin tyhjökammio 21, jonka viistot seinämät 11 eivät vie ylimääräistä pinta-alaa pieneen anturikokoon pyrittäessä. Keksinnön mukaisesti 10 piikalvoon 2 muodostetun, anturikondensaattorin toisena elektrodina toimivan kalvon 4 ja seinämän 11 välinen kulma a on pienempi tai yhtä suuri kuin 90°. Kulma a määritellään kulmaksi, joka muodostuu kalvon 4 ollessa jännityksettömässä tilassa. Tyhjökammion 21 leveys määrää taipuvan kalvon 4 leveyden, joka on tärkeimpiä anturin dimensioita tiettyyn sovellutukseen pyrittäessä. Tyhjökammion 21 sisältävään 15 kiekkoon 2 on liitetty fuusiobondaamalla ohut piikiekko 2. Tasaiset piipinnat on käsitelty tavanomaisin piipintojen pesumenetelmin ja asetettu päällekkäin tyhjössä sekä vahvistettu liitos lämpökäsittelyllä. Kuviossa 1 ohennettu piikiekko 2 muodostaa taipuneen kalvon 4 sekä peruskapasitanssin määräävän ilmaraon 23. Tyhjökammion 21 syvyyttä rajoittaa käytetyn piikiekon paksuus, joka on tyypillisesti 500 - 1500 /im. 20 Kalvo 4 tai ainakin sen alapinta seostetaan johtavaksi. Tyypillinen seostus on 1018 epäpuhtausatomia/ cm3 •
Ohut, taipunut kalvo 4 on koko prosessoinnin ajan paksuun piikiekkoon 1 liitettynä, mikä on olennaista hyvään saantoon pyrittäessä, jottei kalvo rikkoonnu prosessoinnis-25 sa. Taipuvan kalvon 4 paksuus on tiedettävä anturin paineherkkyyden määrittämiseksi, mutta koska kalvo 4 on kiinni paksussa kiekossa sen paksuutta ei voida mitata tavanomaisin menetelmin. On kuitenkin mahdollista mitata kalvon 4 taipumaprofiili optisesti ja laskea kalvon paksuus taipumasta. Ohennettuun, tasaiseen piipintaan liitetään metallielektrodin 5 tukilevy 3 esimerkiksi anodisesti bondaamalla perusmateri-30 aalina olevan lasin toimiessa eristeenä.
: Kuviossa 2 on esitetty edellisen kaltainen anturirakenne, joka kuitenkin eroaa 6 93059 ilmaraon 23 paikan suhteen kuvion 1 rakenteesta. Ilmarako 23 on valmistettu lasiin 3 kun se kuvion 1 rakenteessa oli piikiekon 2 piissä. Anturin kriittisin dimensio on ilmaraon syvyys ja sen valmistaminen on hallitumpaa homogeeniseen lasiin kuin piihin, jossa piin syövytysnopeuteen vaikuttaa mm. piikiekon resistiivisyys.
5
Kuviossa 3 on esitetty rakenne, jossa metallielektrodin 5 tukilevynä on piikiekko 3, jonka päällä on ohut lasikerros 6 kuten viitteessä [6]. Ilmarako 23 on syövytetty levyn 2 piihin.
10 Kuviossa 4 on esitetty rakenne, jossa ilmarako ja kiekon 2 sähköinen eristys elektrodista 5 on aikaansaatu ohuella lasikerroksella 6. Kuvion leikkaustaso on ulkoisen paineyhteen kohdalla.
Kuviossa 5 on esitetty rakenne ylhäältä katsottuna metallielektrodia 5 tukevan levyn 15 3 ja ohennetun piikiekon rajapinnalta. Pii/lasi-liitospintaa on kuvattu viitenumerolla 15. Ulkoinen paineyhde 13 on muodostettu toisen kondensaattorilevyn metalloinnin 5 kohdalle.
Kuvioiden 6a - 6g mukaisesti anturi valmistetaan seuraavasti: 20 a) Valmistetaan tyypillisesti 500-1500 /im paksuun piikiekkoon 1 tavanomaisin ’/ litografiamenetelmin tyhjökammio 21, jonka syvyys on 100-1000 /im. Piin syövytys tapahtuu esimerkiksi 3 - 50 %:n kaliumhydroksidiliuoksella syövytysnopeuden ollessa tyypillisesti 0,5 - 1 μπι/min. Normaalikiekolla kammion 23 sivut muodostuvat 25 viistoiksi siten, että kammiosta 23 muodostuu kartiomainen.
b - c) Liitetään tyhjökammiot sisältävään piikiekkoon 1 fuusiobondaamalla toinen piikiekko 2, jonka paksuus on tyypillisesti 200 - 400 μιη. Ennen fuusiobondausta piipinnat käsitellään esimerkiksi kuumalla typpihapolla, RCA-pesulla tai H2S04/H202-30 pesulla.
.. d - e) Ohennetaan kalvo 2 erittäin ohueksi 1-100 μπι kalvon paksuuden ollessa
II
93059 7 tyypillisesti 20 μτη. Ohennettu kalvo 2 on koko prosessoinnin ajan tuettuna paksuun kalvoon. Tarvittaessa ohennetaan kalvoa 2 edelleen onkalon 21 kohdalta, jotta anturikalvon 4 alapuolelle saataisiin muodostettua ilmaväli toiseen elektrodiin nähden.
5 f - g) Liitetään taipuvan kalvon 4 sisältävät yhdistetyt piikiekot metallielektrodin 5 eristävään tukilevyyn 3.
Kuviossa 7 on esitetty kuviossa 1 esitetyn kaltainen rakenne, joka sisältää yli-painesuojan 17. Ylipainesuoja 17 saadaan, jos osa kammion pohjasta syövytetään 10 syvyyteen, joka vastaa haluttua kalvon 4 suurinta taipumaa. Anturi voidaan altistaa myös hyvin suurille paineille, koska kalvo taipuu ylipainesuojaa 17 vastaan rikkoutumatta.
Kuviossa 8 on esitetty paine-eroanturi, jossa kammioon on porattu tai syövytetty 15 reikä 19 ulkoisen paineen päästämiseksi tilaan 23.
Kontaktit anturin kondensaattorielektrodeihin voidaan tehdä myös lasialustan 3 läpi tehtyjen läpivientien kautta. Läpiviennit voidaan toteuttaa joko mekaanisesti tai kemiallisesti. Läpiviennit sputteroidaan sopivalla metallilla sähköisten kontaktien 20 muodostamiseksi. Tällä ratkaisulla voidaan piikiekolle mahtuvien anturien määrää kasvattaa.
«
Claims (8)
1. Kapasitiivinen paineanturirakenne, joka käsittää 5. yhtenäisen kaivorakenteen (2), josta ainakin osa on sähköä johtava anturina toimivan kondensaattorin ensimmäisen elektrodin (4) muodostamiseksi, - kaivorakenteen (2) ensimmäiselle pinnalle kiinteästi yhdistetyn tukilevyn (3), joka käsittää 10 - kondensaattorin toisen elektrodin (5) välimatkan päässä ensimmäisestä elektrodista (4) ja oleellisesti tämän kohdalla, ja - kaivorakenteen (2) toiselle pinnalle kiinteästi yhdistetyn piirakenteen (1), joka 15 on varustettu tilalla (21) ensimmäisen elektrodin (4) taipumisen mahdollistami seksi, tunnettu siitä, että 20. tilan (21) pystyseinämien (11) ja ensimmäisen elektrodin (4) välinen kulma a on pienempi tai yhtä suuri kuin 90°, ja • · f - tilaa (21) ympäröivä materiaali on piitä tai seostettua piitä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kapasitiivinen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että tilan (21) sisälle on muodostettu ensimmäisen elektrodin (4) liikettä rajoittava uloke (17).
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kapasitiivinen paineanturirakenne, tunnettu 30 siitä, että tila (21) on tyhjökammio.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kapasitiivinen paineanturirakenne, tunnettu 93059 siitä, että tila (21) on kanavalla (19) yhdistetty anturin ulkopuolelle.
5. Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi, jossa menetelmässä muodostetaan anturi rakenne, joka käsittää 5 - yhtenäisen kaivorakenteen (2), josta ainakin osa on sähköä johtava anturina toimivan kondensaattorin ensimmäisen elektrodin (4) muodostamiseksi, - kaivorakenteen (2) ensimmäiselle pinnalle kiinteästi yhdistetyn tukilevyn (3), 10 joka käsittää - kondensaattorin toisen elektrodin (5) välimatkan päässä ensimmäisestä elektrodista (4) ja oleellisesti tämän kohdalla, ja 15. kaivorakenteen (2) toiselle pinnalle kiinteästi yhdistetyn piirakenteen (1), joka on varustettu tilalla (21) ensimmäisen elektrodin (4) taipumisen mahdollistamiseksi, tunnettu siitä, että 20 - piirakenteessa (1) olevan tilan (21) päälle yhdistetään oleellisesti tyhjöolosuh- : teissä fuusiobondaamalla piimateriaalia oleva levyrakenne (2), - levyrakennetta (2) ohennetaan piimikromekaanisin menetelmin ensimmäisen 25 elektrodin (4) muodostamiseksi ja - ensimmäisen elektrodin (4) sisältävä piirakenne (1) yhdistetään toisen elektrodin (5) sisältävään tukilevyyn (3).
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tilan (21) sisälle muodostetaan ensimmäisen elektrodin (4) liikettä rajoittava uloke (17). 93059
7. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tila (21) muodostetaan tyhjökammioksi.
8. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tila (21) 5 yhdistetään kanavalla (19) anturin ulkopuolelle. • · 9όϋ59 Paten tkrav:
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI933124A FI93059C (fi) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
| EP94304740A EP0633459B1 (en) | 1993-07-07 | 1994-06-29 | Capacitive pressure transducer structure and method for manufacturing the same |
| DE69403395T DE69403395T2 (de) | 1993-07-07 | 1994-06-29 | Kapazitiver Druckwandler und Herstellungsverfahren dazu |
| JP15557794A JP3428729B2 (ja) | 1993-07-07 | 1994-07-07 | 容量式圧力変換器 |
| US08/641,264 US5656781A (en) | 1993-07-07 | 1996-04-30 | Capacitive pressure transducer structure with a sealed vacuum chamber formed by two bonded silicon wafers |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI933124 | 1993-07-07 | ||
| FI933124A FI93059C (fi) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI933124A0 FI933124A0 (fi) | 1993-07-07 |
| FI93059B FI93059B (fi) | 1994-10-31 |
| FI93059C true FI93059C (fi) | 1995-02-10 |
Family
ID=8538294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI933124A FI93059C (fi) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5656781A (fi) |
| EP (1) | EP0633459B1 (fi) |
| JP (1) | JP3428729B2 (fi) |
| DE (1) | DE69403395T2 (fi) |
| FI (1) | FI93059C (fi) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000002611A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
| DE69911218D1 (de) * | 1998-07-07 | 2003-10-16 | Goodyear Tire & Rubber | Kapazitive auswerteschaltung mit zwei ausgängen |
| US6780830B1 (en) * | 2000-05-19 | 2004-08-24 | Huish Detergents, Incorporated | Post-added α-sulfofatty acid ester compositions and methods of making and using the same |
| US6445053B1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-09-03 | Abbott Laboratories | Micro-machined absolute pressure sensor |
| US6662663B2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-12-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pressure sensor with two membranes forming a capacitor |
| US6958255B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-10-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Micromachined ultrasonic transducers and method of fabrication |
| FR2859281B1 (fr) * | 2003-09-02 | 2005-12-23 | Auxitrol Sa | Protection d'une membrane deformable contre de fortes deformations dans une structure micromecanique |
| US7214324B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-08 | Delphi Technologies, Inc. | Technique for manufacturing micro-electro mechanical structures |
| JP4585426B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-11-24 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
| US7345867B2 (en) * | 2005-11-18 | 2008-03-18 | Alps Electric Co., Ltd | Capacitive pressure sensor and method of manufacturing the same |
| JP2010169665A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Canon Anelva Corp | 静電容量型隔膜真空計、真空装置 |
| JP5714648B2 (ja) | 2012-11-16 | 2015-05-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 力学量memsセンサ及び力学量memsセンサシステム |
| EP2871456B1 (en) | 2013-11-06 | 2018-10-10 | Invensense, Inc. | Pressure sensor and method for manufacturing a pressure sensor |
| EP2871455B1 (en) | 2013-11-06 | 2020-03-04 | Invensense, Inc. | Pressure sensor |
| DE102014200500A1 (de) * | 2014-01-14 | 2015-07-16 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| TWI550261B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-09-21 | 立錡科技股份有限公司 | 微機電壓力計以及其製作方法 |
| US20170328800A1 (en) * | 2014-07-11 | 2017-11-16 | Richtek Technology Corporation | Combo micro-electro-mechanical system device and manufacturing method thereof |
| EP3614115B1 (en) | 2015-04-02 | 2024-09-11 | InvenSense, Inc. | Pressure sensor |
| EP3106426B1 (en) * | 2015-06-19 | 2019-11-06 | Invensense, Inc. | Pressure sensor |
| US11225409B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-01-18 | Invensense, Inc. | Sensor with integrated heater |
| CN113785178B (zh) | 2019-05-17 | 2024-12-17 | 应美盛股份有限公司 | 气密性改进的压力传感器 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3288656A (en) * | 1961-07-26 | 1966-11-29 | Nippon Electric Co | Semiconductor device |
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| JPS5516228A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
| US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
| US4332000A (en) * | 1980-10-03 | 1982-05-25 | International Business Machines Corporation | Capacitive pressure transducer |
| US4390925A (en) * | 1981-08-26 | 1983-06-28 | Leeds & Northrup Company | Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer |
| FI71015C (fi) * | 1984-02-21 | 1986-10-27 | Vaisala Oy | Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare |
| FI74350C (fi) * | 1984-02-21 | 1988-01-11 | Vaisala Oy | Kapacitiv absoluttryckgivare. |
| FI69211C (fi) * | 1984-02-21 | 1985-12-10 | Vaisala Oy | Kapacitiv styckgivare |
| US4625561A (en) * | 1984-12-06 | 1986-12-02 | Ford Motor Company | Silicon capacitive pressure sensor and method of making |
| EP0339981A3 (en) * | 1988-04-29 | 1991-10-09 | Schlumberger Industries, Inc. | Laminated semiconductor sensor with overpressure protection |
| US4951174A (en) * | 1988-12-30 | 1990-08-21 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure sensor with third encircling plate |
| DE4115420A1 (de) * | 1991-05-10 | 1992-11-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Drucksensor |
| JP2896725B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| DE4206677C1 (fi) * | 1992-02-28 | 1993-09-02 | Siemens Ag, 80333 Muenchen, De |
-
1993
- 1993-07-07 FI FI933124A patent/FI93059C/fi active
-
1994
- 1994-06-29 EP EP94304740A patent/EP0633459B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-29 DE DE69403395T patent/DE69403395T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-07 JP JP15557794A patent/JP3428729B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-30 US US08/641,264 patent/US5656781A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI933124A0 (fi) | 1993-07-07 |
| FI93059B (fi) | 1994-10-31 |
| EP0633459A2 (en) | 1995-01-11 |
| EP0633459B1 (en) | 1997-05-28 |
| US5656781A (en) | 1997-08-12 |
| JP3428729B2 (ja) | 2003-07-22 |
| DE69403395T2 (de) | 1997-11-06 |
| DE69403395D1 (de) | 1997-07-03 |
| EP0633459A3 (en) | 1995-02-08 |
| JPH0755617A (ja) | 1995-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI93059C (fi) | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi | |
| US4384899A (en) | Bonding method adaptable for manufacturing capacitive pressure sensing elements | |
| US5349492A (en) | Capacitive pressure sensor | |
| US5801313A (en) | Capacitive sensor | |
| US4625561A (en) | Silicon capacitive pressure sensor and method of making | |
| US5323656A (en) | Overpressure-protected, polysilicon, capacitive differential pressure sensor and method of making the same | |
| US6450039B1 (en) | Pressure sensor and method of manufacturing the same | |
| KR0137965B1 (ko) | 최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기 | |
| FR2571855A1 (fr) | Transducteur de pression absolue | |
| JPH0750789B2 (ja) | 半導体圧力変換装置の製造方法 | |
| FI69211B (fi) | Kapacitiv tryckgivare | |
| EP0090845A4 (en) | CAPACITIVE PRESSURE TRANSDUCER WITH SILICON-GLASS-SILICON. | |
| JP2000214035A (ja) | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 | |
| CA3021078C (en) | Pressure sensors with tensioned membranes | |
| US8148792B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing the pressure sensor | |
| WO1995020754A1 (en) | A capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer | |
| EP2873958B1 (en) | Capacitive pressure sensors for high temperature applications | |
| US5440931A (en) | Reference element for high accuracy silicon capacitive pressure sensor | |
| JP3328710B2 (ja) | 半導体静電容量型センサ | |
| US5375034A (en) | Silicon capacitive pressure sensor having a glass dielectric deposited using ion milling | |
| JPH05231975A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| US7398694B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor | |
| JPH07280684A (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
| JPH06294695A (ja) | 静電容量型半導体圧力センサ | |
| KR20010070294A (ko) | 개선된 미세-전기기계장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BB | Publication of examined application |