FI82989C - Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. - Google Patents
Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. Download PDFInfo
- Publication number
- FI82989C FI82989C FI891767A FI891767A FI82989C FI 82989 C FI82989 C FI 82989C FI 891767 A FI891767 A FI 891767A FI 891767 A FI891767 A FI 891767A FI 82989 C FI82989 C FI 82989C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- glass substrate
- mask
- ion exchange
- ions
- film
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- -1 Cs * Chemical class 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- NLSCHDZTHVNDCP-UHFFFAOYSA-N caesium nitrate Inorganic materials [Cs+].[O-][N+]([O-])=O NLSCHDZTHVNDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
i 82989
Menetelmä valoaaltojohteiden valmistamiseksi
Keksinnön kohteena on menetelmä valoaaltojohteiden valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla lasisubstraatille, 5 jossa menetelmässä ionivaihto ionilähteen ja lasisubstraa-tin pinnan välillä tapahtuu niillä lasisubstraatin pinnan alueilla, joilla ei ole ionivaihtomaskia.
Ionivaihtotekniikalla lasisubstraatille valmistetut valoaaltojohdekomponentit ovat lupaavia ehdokkaita käytet-10 täväksi optisissa signaalikäsittelysovelluksissa optisessa tiedonsiirrossa, antureissa ja muilla vastaavilla alueilla.
Ionivaihtomenetelmässä valojohteet muodostuvat la-sisubstraattiin, kun lasisubstraatin taitekerrointa pai-15 kallisesti muutetaan (kasvatetaan) diffusoimalla lasissa alunperin olevien ionien (esim. Natrium- eli Na*-ionien) tilalle ulkopuolisesta ionilähteestä muita ioneja, kuten Cs* , Rb* , Li* , K* , Ag* tai Tl* . Ionilähteenä käytetään yleensä joko suolasulatetta tai lasin pintaan kasvatettua 20 hopeakalvoa. Ionivaihtomenetelmän perusteiden osalta viitataan artikkeliin: "Ion-Exchanged Glass Waveguides: A review", R.V.
Ramaswamy, Journal of Lightwave Technology, Vol. 6, No. 6, June 1988.
25 Perinteisesti lasisubstraatin pintaan kasvatetaan maskikerrokseksi metallikalvo, johon sitten kuvioidaan litografiatekniikalla valoaaltojohteita vastaavat aukot tai ikkunat, joiden kautta ionit pääsevät kohotetussa lämpötilassa diffusoitumaan lasiin. Tällöin lasisubstraatin 30 taitekerroin ionivaihdon seurauksena kasvaa maskissa olevien aukkojen kohdalla, jolloin lasiin muodostuu valojoh-teita tai -kanavia.
Kun ionilähteenä on suolasulate, ohutkalvomaskeina käytetään nykyisin yleensä kaksikerrosmaskeja (esim. 35 A1/A1203), jotta estetään pin-hole:t eli pistemäiset lä- 2 82989 pisyöpymiset. Yleensä suolasulatteet kuitenkin syövyttävät kalkkia metallimaskeja niin paljon, että pitkiä diffusoin-tiaikoja vaativia syviä valokanavia on vaikea valmistaa. Esimerkkejä maskien käytöstä suolasulatteiden yhteydessä 5 on esitetty artikkeleissa: [2] "Index profiles of multimode optical strip waveguides by field-enhanced ion exchange in glasses", H.J. Lilienhof, optics commnunications, Volume 35, No. 1, October 1980.
10 [3] "Planar gradient-index glass waveguide and its applications to a 4-port branched circuit and star coupler", Eiji Okuda, Applied Optics, Vol. 23, No. 11, June 1984.
Vaihtoehtoina suolasulatelähteille voidaan käyttää 15 hopeaohutkalvoja. Hopeaohutkalvo (Ag) höyrystetään lasi- substraatin pinnalle, jolloin ionivaihto tapahtuu hopea-kalvon ja substraatin vastakkaisella pinnalla olevan ka-todikalvon välille kytketyn sähkökentän alaisena. Valoka-navien valmistamiseksi anodipuoli (hopeakalvon puoli) täy-20 tyy olla kuvioitu. Kuviointi voidaan tehdä suoraan hopea-kalvoon. Hieman helpompaa on käyttää kuvioitua alumiini-maskikalvoa lasin ja hopeakalvon välissä, koska litogra-fiatekniikan soveltaminen alumiiniin hallitaan paremmin. Litografiavaiheet voidaan kokonaan välttää käyttämällä 25 kaupallisia Cr-maskilaseja, joissa on kromimaskikalvot korkealaatuisella lasisubstraateilla. Valmistaja kuvioi kromikalvot mikropiirivalmistuksessa käytetyllä litogra-fiatekniikalla hyvin suurella tarkkuudella ja luotettavuudella. Näitä kromimaskeja ei voida käyttää suolasulattei-30 den kanssa, koska suolasulatteet syövyttävät kromia. Esimerkkejä maskien käytöstä hopeakalvojen yhteydessä on esitetty artikkeleissa: [4] "Ion exchange process for fabrication of waveguide couplers for fiber optic sensor applications", S. 35 Honkanen, Journal of Applied Physics 61, s. 52-56, January 1987.
3 82989 [5] "Ion-exchange processes in glass for fabrication of waveguide couplers", A. Tervonen, SPIE V01. 862-optical interconnections (1987), s. 32-39.
Koska hopeakalvon on tarkoitus koskettaa lasisub-5 straattia maskikalvossa olevien aukkojen kautta, häiritsee maskissa oleva porras ionivaihdon kontrollointia muodostettaessa syviä valokanavia ja käytettäessä paksuja hopea-kalvoja. Viitteessä [5] on esitetty menetelmä, jossa me-tallikalvon sijasta käytetään lasin pintaan muodostettuja 10 kaliumpitoisia vyöhykkeitä, jolloin saadaan tasainen pin ta, jolle hopeakalvo muodostetaan. Tämän menetelmän ongelmana on, että vaikka maskialueiden kalium-ioneilla on prosessointi lämpötilassa (n. 200°C) pieni liikkuvuus, osa ka-liumioneista kuitenkin korvautuu hopeaioneilla muuttaen 15 taitekerrointa myös maskialueilla. Tästä johtuen kaliumpi-toiset vyöhykkeet eivät toimi riittävän tehokkaasti maskina tehtäessä pitkiä diffusointiaikoja vaativia syviä valokanavia. Tämä voi lisäksi aiheuttaa tietyissä sovelluksissa ylikuulumista eri valokanavien välillä.
20 Keksinnön päämääränä on aikaansaada uusi valoaal to johteiden valmistusmenetelmä, jolla voitetaan edellä esitetyt ongelmat.
Tämä saavutetaan johdannossa esitetyn tyyppisellä menetelmällä, jolle on tunnusomaista, että ionivaihtomas-25 kina käytetään lasisubstraatin pintaan muodostettuja tyh-j ennysalueita.
Keksinnön perusajatuksena on, että lasisubstraatil-le pinnalle muodostetun metallikalvomaskin (anodi) ja vastakkaiselle pinnalle muodostetun metallikalvon (katodi) 30 väliin kytketään kohotetussa lämpötilassa sähkökenttä, jolloin metallikalvon alla olevat positiiviset ionit (esim. natriumionit) liikkuvat pois pinnan läheisyydestä ja muodostuu ns. tyhjennysalueita. Tyhjennysalueella tarkoitetaan tässä yhteydessä sellaisia lasisubstraatin alu-35 eitä, joissa on hyvin vähän tai ei lainkaan natrium-ione- 4 82989 ja. Metallimaskin poistamisen jälkeen lasisubstraattiin jää tyhjennysaluekuvio, joka on maskikuvion "kopio". Tämän jälkeen suoritetaan hopeakalvoa tai suolasulatetta ioni-lähteenä käyttäen tavanomainen ionivaihtoprosessi, jossa 5 ionivaihto tapahtuu vain tyhjennysalueiden välisillä alueilla (alkuperäisen metallimaskin aukkojen kohdalla).
Keksinnön mukaisella menetelmällä on mm. seuraavia etuja - alkuperäisessä metallimaskissa olevat pin-holet 10 "kuroutuvat tyhjennusalueessa umpeen, mikä on tärkeää pitkissä ionivaihtoprosesseissa, joissa käytetään apuna sähkökenttää - suolasulatteet eivät pitkänkään prosessin aikana kuluta tai syövytä tyhjennysaluemaskia kuten metallimas- 15 kej a - tyhjennysaluemaski voidaan saattaa ulottumaan suhteellisen syvälle lasisubstraattiin rajoittaen sivu-suuntaista ionivaihtoa substraatin pinnan suunnassa. Tämä mahdollistaa hyvin symmetristen yksimuotovaloaaltojohtei- 20 den valmistamisen. Lisäksi voidaan aikaansaada jopa kapeampia valokanavia kuin alkuperäisessä metallimaskissa olevat aukot, mikä lieventää litografialle asetettavia vaatimuksia - mahdollistaa kaupallisten Cr-maskilasien käytön 25 suoraan substraatteina suolasulatteiden yhteydessä - saavutetaan täysin planaari pinta, joka helpottaa pitkien ionivaihtojen tekemistä paksuista hopeakalvoista. Jos ionivaihto tehdään tyhjössä hopeakalvon höyrystyksen aikana, hopeakalvot pysyvät paremmin lasissa kiinni kuin 30 käytettäessä pintaan kuvioitua maskia.
Keksintöä selitetään nyt yksityiskohtaisemmin suo-ritusesimerkkien avulla viitaten piirrokseen, jossa kuviot 1-5 havainnollistavat keksinnön mukaisen menetelmän eri vaiheita.
35 Keksinnön mukaisessa menetelmässä lasisubstraatin I: 5 82989 1, joka on edullisesti levymäinen, toiselle tasopinnalle kasvatetaan, esim. sputteroimalla metalliohutkalvo 2, johon kuvioidaan litografiatekniikalla aukot 4, kuten kuviossa 1 on havainnollistettu. Keksinnössä käytetty ohutkal-5 vomaski muodostaa ns. positiivisen maskikuvion, jossa aukot 4 vastaavat haluttuja valojohteita ja metallikalvo-osuudet 2 vastaavat alueita, joilla ionivaihdon ja sitä kautta valojohteiden muodostamisen ei haluta tapahtuvan.
Vaihtoehtoisesti voidaan käyttää myös edellä mai-10 nitussa artikkelissa [5] kuvattuja kaupallisia maskilevy-jä, joissa maskina on lasisubstraatille muodostettu kro-miohutkalvo.
Menetelmän toisessa vaiheessa lasisubstraatin 1 lämpötilaa nostetaan (esim. 350°C) ja maskikalvon 2Ά, 2B 15 ja lasisubstraatin 1 vastakkaiselle puolelle muodostetun metallikalvon 3 välille muodostetaan sähkökenttä kytkemällä jännitelähteen positiivisempi napa maskikalvoon 2A, 2B ja negatiivisempi napa metallikalvoon 3. Sähkökentän vaikutuksesta lasisubstraatin 1 pinnassa maskikalvojen 2A ja 20 2B alapuolella olevat natrium- eli Na*-ionit liikkuvat kohti metallikalvoa 3 (katodi) pois pinnan läheisyydestä, jolloin maskikalvojen 2A ja 2B (anodi) alapuolelle muodostuvat tietylle syvyydelle lasisubstraatin 1 sisään ulottuvat ns. tyhjennysalueet 5A ja 5B, joissa on hyvin vähän 25 tai ei lainkaan natrium-ioneja, kuten kuviossa 2 on havainnollistettu. Maskikalvossa 4 olevien aukkojen 4 kohdalla ei natrium-ionien poissiirtymistä tapahdu, joten aukkojen 4 kohdalle lasisubstraatin 1 pintaan jää alueita 6, joissa on tavanomainen määrä natrium-ioneja.
30 Seuraavaksi metallikalvot 2A, 2B ja 3 poistetaan kuvion 3A mukaisesti, jolloin edellä muodostetut tyhjen-nusalueet 5A ja 5B jäävät pysyvästi lasisubstraatin 1 pintaan muodostaen alkuperäisen maskikuvion "kopion", jossa tyhjennysalueet vastaavat aikaisemmin metallimaskin peit-35 tämiä alueita.
Tyhjennysalueiden 5A ja 5B muodostuessa niiden vä- 6 82939 linen alue 6 edullisesti kuroutuu hieman kapeammaksi kuin alkuperäinen metallikalvossa 2 oleva aukko 4. Tämä helpottaa litografiatekniikalle asetettuja vaatimuksia.
Keksinnön mukaisesti tyhjennysalueilla maskattua 5 lasisubstraattia voidaan nyt sellaisenaan käyttää tavanomaisten ionivaihtotekniikkojen yhteydessä.
Esimerkiksi kuviossa 4A annetaan ionilähteenä toimivan esim. AgNOj-suolasulatteen vaikuttaa nostetussa lämpötilassa (esim. 250*C) lasisubstraatin 1 maskattuun pin-10 taan. Käytännössä lasisubstraatti upotetaan suolasulattee-seen. Ionivaihto suolasulatteen AgN03 ja lasin välillä tapahtuu ainoastaan natrium-ioneja sisältävillä maskaamat-tomilla alueilla 6, mutta ei maskatuilla tyhjennysalueilla 5A ja 5B, koska niillä ei ole natrium-ioneja, jotka voi-15 sivat korvautua Ag*-ioneilla. Kun ionivaihto jatkuu riittävän pitkään kerääntyy alueelle 6 paljon Ag*-ioneja, jotka kasvattavat lasin taitekerrointa tällä alueella muodostaen valojohteen 6,8, kuten kuviossa 5 on esitetty. Muita yleisesti käytettyjä suolasulatteita ovat mm. KN03, CsN03, 20 T1N03 ja NaN03 .
Tyhjennysalueiden 5A ja 5B ja alueen 6 välillä ei voi tapahtua lateraalista ionivaihtoa, mikä mahdollistaa symmetrisempien yksimuotovalojohteiden valmistuksen.
Vaihtoehtoisesti voidaan tyhjennysalueiden 5A ja 25 5B muodostamisen jälkeen poistaa alkuperäinen maskikalvo 2 ja muodostaa suoraan lasisubstraatin pinnalle hopeakalvo 7, joka toimii ionolähteenä. Hopeakalvon 7 ja substraatin 1 vastakkaisella puolella olevan metallikalvon 3 välille kytketään kohotetussa lämpötilassa sähkökenttä, jolloin 30 ionivaihto tapahtuu vain aiemmin maskaamattomilla alueilla 6 samalla tavoin kuin kuvion 4A yhteydessä selitettiin antaen tuloksena kuvion 5 mukaisen valoaaltojohteen.
Kuviot ja niihin liittyvä selitys on tarkoitettu vain havainnollistamaan keksintöä. Yksityiskohdiltaan kek-35 sinnön mukainen menetelmä voi vaihdella oheisten patenttivaatimusten puitteissa.
i
Claims (5)
1. Menetelmä valoaaltojohteiden valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla lasisubstraatille, jossa menetelmäs-5 sä ionivaihto ionilähteen ja lasisubstraatin pinnan välillä tapahtuu niillä lasisubstraatin pinnan alueilla, joilla ei ole ionivaihtomaskia, tunnettu siitä, että ionivaihtomaskina käytetään lasisubstraatin pintaan muodostettuja tyhjennysalueita.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tyhjennysalueet muodostetaan kasvattamalla lasisubstraatin pintaan metallikalvo, poistamalla metallikalvo niiltä alueilta, joille valojohteet halutaan muodostaa, 15 kasvattamalla lasisubstraatin vastakkaiselle pin nalle toinen metallikalvo, kytkemällä ensimmäisen ja toisen metallikalvon välille sähkökenttä siten, että lasisubstraatin pinnassa ensimmäisen metallikalvon alla olevat ionit liikkuvat pois 20 pinnan läheisyydestä ja pintaan muodostuu tyhjennysalue, ja poistamalla mainitut metallikalvot.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ionit ovat natriumioneja.
4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen menetel mä, tunnettu siitä, että ionilähteenä käytetään suolasulatetta.
5. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ionilähteenä käytetään 30 suoraan lasisubstraatin pinnalle muodostettua hopeakalvoa. 8 82989
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI891767A FI82989C (fi) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. |
| ES90106599T ES2055820T3 (es) | 1989-04-13 | 1990-04-06 | Un metodo de produccion de guias de ondas opticas. |
| DE69010249T DE69010249T2 (de) | 1989-04-13 | 1990-04-06 | Verfahren zur Herstellung optischer Wellenleiter. |
| EP90106599A EP0392375B1 (en) | 1989-04-13 | 1990-04-06 | A method of producing optical waveguides |
| JP2094900A JPH02293351A (ja) | 1989-04-13 | 1990-04-10 | 光導波路の製造法とそれに使用するイオン交換マスク |
| US07/507,781 US5035734A (en) | 1989-04-13 | 1990-04-12 | Method of producing optical waveguides |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI891767A FI82989C (fi) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. |
| FI891767 | 1989-04-13 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI891767A0 FI891767A0 (fi) | 1989-04-13 |
| FI891767L FI891767L (fi) | 1990-10-14 |
| FI82989B FI82989B (fi) | 1991-01-31 |
| FI82989C true FI82989C (fi) | 1991-05-10 |
Family
ID=8528244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI891767A FI82989C (fi) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5035734A (fi) |
| EP (1) | EP0392375B1 (fi) |
| JP (1) | JPH02293351A (fi) |
| DE (1) | DE69010249T2 (fi) |
| ES (1) | ES2055820T3 (fi) |
| FI (1) | FI82989C (fi) |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1240198B (it) * | 1990-04-19 | 1993-11-27 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Metodo per la realizzazione di dispositivi ottici integrati ottenuti per scambio ionico favorito da campo elettrico. |
| FI86226C (fi) * | 1990-07-10 | 1992-07-27 | Nokia Oy Ab | Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat. |
| IT1245420B (it) * | 1991-02-27 | 1994-09-20 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la fabbricazione di guide ottiche integrate in vetro |
| DE4427523C1 (de) * | 1994-08-03 | 1996-01-11 | Iot Integrierte Optik Gmbh | Asymmetrisches integriert-optisches Mach-Zehnder-Interferometer |
| US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
| KR100415625B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-01-24 | 한국전자통신연구원 | 이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법 |
| FR2836558B1 (fr) * | 2002-02-22 | 2004-10-29 | Teem Photonics | Masque permettant la fabrication d'un guide optique a enterrage variable et procede d'utilisation dudit masque pour obtenir le guide a enterrage variable |
| DE10339837B4 (de) * | 2003-08-29 | 2008-10-02 | Schott Ag | Feldunterstützter Ionenaustausch aus kontinuierlich aufgebrachten Metallfilmen auf Glassubstraten |
| GB0718706D0 (en) | 2007-09-25 | 2007-11-07 | Creative Physics Ltd | Method and apparatus for reducing laser speckle |
| CN100412583C (zh) * | 2006-05-08 | 2008-08-20 | 浙江南方通信集团股份有限公司 | 单侧熔盐电场辅助离子交换制备掩埋式玻璃光波导的方法 |
| US11726332B2 (en) | 2009-04-27 | 2023-08-15 | Digilens Inc. | Diffractive projection apparatus |
| US9335604B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-05-10 | Milan Momcilo Popovich | Holographic waveguide display |
| US11300795B1 (en) | 2009-09-30 | 2022-04-12 | Digilens Inc. | Systems for and methods of using fold gratings coordinated with output couplers for dual axis expansion |
| US10795160B1 (en) | 2014-09-25 | 2020-10-06 | Rockwell Collins, Inc. | Systems for and methods of using fold gratings for dual axis expansion |
| US11320571B2 (en) | 2012-11-16 | 2022-05-03 | Rockwell Collins, Inc. | Transparent waveguide display providing upper and lower fields of view with uniform light extraction |
| US8233204B1 (en) | 2009-09-30 | 2012-07-31 | Rockwell Collins, Inc. | Optical displays |
| US8659826B1 (en) | 2010-02-04 | 2014-02-25 | Rockwell Collins, Inc. | Worn display system and method without requiring real time tracking for boresight precision |
| WO2012136970A1 (en) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Milan Momcilo Popovich | Laser despeckler based on angular diversity |
| US10670876B2 (en) | 2011-08-24 | 2020-06-02 | Digilens Inc. | Waveguide laser illuminator incorporating a despeckler |
| WO2016020630A2 (en) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Milan Momcilo Popovich | Waveguide laser illuminator incorporating a despeckler |
| EP2995986B1 (en) | 2011-08-24 | 2017-04-12 | Rockwell Collins, Inc. | Data display |
| US9715067B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-07-25 | Rockwell Collins, Inc. | Ultra-compact HUD utilizing waveguide pupil expander with surface relief gratings in high refractive index materials |
| US9366864B1 (en) | 2011-09-30 | 2016-06-14 | Rockwell Collins, Inc. | System for and method of displaying information without need for a combiner alignment detector |
| US8634139B1 (en) | 2011-09-30 | 2014-01-21 | Rockwell Collins, Inc. | System for and method of catadioptric collimation in a compact head up display (HUD) |
| US9507150B1 (en) | 2011-09-30 | 2016-11-29 | Rockwell Collins, Inc. | Head up display (HUD) using a bent waveguide assembly |
| US20150010265A1 (en) | 2012-01-06 | 2015-01-08 | Milan, Momcilo POPOVICH | Contact image sensor using switchable bragg gratings |
| US9523852B1 (en) | 2012-03-28 | 2016-12-20 | Rockwell Collins, Inc. | Micro collimator system and method for a head up display (HUD) |
| EP2842003B1 (en) | 2012-04-25 | 2019-02-27 | Rockwell Collins, Inc. | Holographic wide angle display |
| US9952719B2 (en) | 2012-05-24 | 2018-04-24 | Corning Incorporated | Waveguide-based touch system employing interference effects |
| US9134842B2 (en) * | 2012-10-04 | 2015-09-15 | Corning Incorporated | Pressure sensing touch systems and methods |
| US20140210770A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-07-31 | Corning Incorporated | Pressure sensing touch systems and methods |
| US9933684B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-04-03 | Rockwell Collins, Inc. | Transparent waveguide display providing upper and lower fields of view having a specific light output aperture configuration |
| US9674413B1 (en) | 2013-04-17 | 2017-06-06 | Rockwell Collins, Inc. | Vision system and method having improved performance and solar mitigation |
| US9727772B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-08-08 | Digilens, Inc. | Method and apparatus for contact image sensing |
| JP6172667B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-08-02 | 国立大学法人東京工業大学 | 両面化学強化ガラスの製造方法 |
| US9244281B1 (en) | 2013-09-26 | 2016-01-26 | Rockwell Collins, Inc. | Display system and method using a detached combiner |
| US10732407B1 (en) | 2014-01-10 | 2020-08-04 | Rockwell Collins, Inc. | Near eye head up display system and method with fixed combiner |
| US9519089B1 (en) | 2014-01-30 | 2016-12-13 | Rockwell Collins, Inc. | High performance volume phase gratings |
| US9244280B1 (en) | 2014-03-25 | 2016-01-26 | Rockwell Collins, Inc. | Near eye display system and method for display enhancement or redundancy |
| WO2016020632A1 (en) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Milan Momcilo Popovich | Method for holographic mastering and replication |
| US10241330B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-03-26 | Digilens, Inc. | Method and apparatus for generating input images for holographic waveguide displays |
| US9715110B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-07-25 | Rockwell Collins, Inc. | Automotive head up display (HUD) |
| US10088675B1 (en) | 2015-05-18 | 2018-10-02 | Rockwell Collins, Inc. | Turning light pipe for a pupil expansion system and method |
| WO2016113534A1 (en) | 2015-01-12 | 2016-07-21 | Milan Momcilo Popovich | Environmentally isolated waveguide display |
| US9632226B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-04-25 | Digilens Inc. | Waveguide grating device |
| CN106291816B (zh) * | 2015-05-12 | 2019-07-26 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法 |
| US10126552B2 (en) | 2015-05-18 | 2018-11-13 | Rockwell Collins, Inc. | Micro collimator system and method for a head up display (HUD) |
| US11366316B2 (en) | 2015-05-18 | 2022-06-21 | Rockwell Collins, Inc. | Head up display (HUD) using a light pipe |
| US10247943B1 (en) | 2015-05-18 | 2019-04-02 | Rockwell Collins, Inc. | Head up display (HUD) using a light pipe |
| US10108010B2 (en) | 2015-06-29 | 2018-10-23 | Rockwell Collins, Inc. | System for and method of integrating head up displays and head down displays |
| EP3359999A1 (en) | 2015-10-05 | 2018-08-15 | Popovich, Milan Momcilo | Waveguide display |
| US10598932B1 (en) | 2016-01-06 | 2020-03-24 | Rockwell Collins, Inc. | Head up display for integrating views of conformally mapped symbols and a fixed image source |
| EP3433659B1 (en) | 2016-03-24 | 2024-10-23 | DigiLens, Inc. | Method and apparatus for providing a polarization selective holographic waveguide device |
| US10890707B2 (en) | 2016-04-11 | 2021-01-12 | Digilens Inc. | Holographic waveguide apparatus for structured light projection |
| US11513350B2 (en) | 2016-12-02 | 2022-11-29 | Digilens Inc. | Waveguide device with uniform output illumination |
| WO2018129398A1 (en) | 2017-01-05 | 2018-07-12 | Digilens, Inc. | Wearable heads up displays |
| US10295824B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-05-21 | Rockwell Collins, Inc. | Head up display with an angled light pipe |
| JP7399084B2 (ja) | 2017-10-16 | 2023-12-15 | ディジレンズ インコーポレイテッド | ピクセル化されたディスプレイの画像分解能を倍増させるためのシステムおよび方法 |
| WO2019136476A1 (en) | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Digilens, Inc. | Waveguide architectures and related methods of manufacturing |
| KR102768598B1 (ko) | 2018-01-08 | 2025-02-13 | 디지렌즈 인코포레이티드. | 도파관 셀 내의 홀로그래픽 격자의 높은 처리능력의 레코딩을 위한 시스템 및 방법 |
| WO2019136473A1 (en) | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Digilens, Inc. | Methods for fabricating optical waveguides |
| KR102819207B1 (ko) | 2018-01-08 | 2025-06-11 | 디지렌즈 인코포레이티드. | 도파관 셀을 제조하기 위한 시스템 및 방법 |
| EP3740796A1 (en) | 2018-01-18 | 2020-11-25 | Corning Incorporated | Low-loss waveguides formed in high-transmission glass using ag-na ion exchange |
| US10690858B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Evanescent optical couplers employing polymer-clad fibers and tapered ion-exchanged optical waveguides |
| WO2020023779A1 (en) | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Digilens Inc. | Systems and methods for fabricating a multilayer optical structure |
| US10585242B1 (en) | 2018-09-28 | 2020-03-10 | Corning Research & Development Corporation | Channel waveguides with bend compensation for low-loss optical transmission |
| WO2020149956A1 (en) | 2019-01-14 | 2020-07-23 | Digilens Inc. | Holographic waveguide display with light control layer |
| WO2020163524A1 (en) | 2019-02-05 | 2020-08-13 | Digilens Inc. | Methods for compensating for optical surface nonuniformity |
| US20220283377A1 (en) | 2019-02-15 | 2022-09-08 | Digilens Inc. | Wide Angle Waveguide Display |
| EP3924759B1 (en) | 2019-02-15 | 2025-07-30 | Digilens Inc. | Methods and apparatuses for providing a holographic waveguide display using integrated gratings |
| US20200292745A1 (en) | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Digilens Inc. | Holographic Waveguide Backlight and Related Methods of Manufacturing |
| CN114207492A (zh) | 2019-06-07 | 2022-03-18 | 迪吉伦斯公司 | 带透射光栅和反射光栅的波导及其生产方法 |
| JP7401886B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-12-20 | 国立大学法人東京工業大学 | 両面化学強化ガラス板、その製造方法、並びに両面化学強化ガラス板を含む製品 |
| CN114341729A (zh) | 2019-07-29 | 2022-04-12 | 迪吉伦斯公司 | 用于使像素化显示器的图像分辨率和视场倍增的方法和设备 |
| KR102775783B1 (ko) | 2019-08-29 | 2025-02-28 | 디지렌즈 인코포레이티드. | 진공 격자 및 이의 제조 방법 |
| WO2022150841A1 (en) | 2021-01-07 | 2022-07-14 | Digilens Inc. | Grating structures for color waveguides |
| JP2024508926A (ja) | 2021-03-05 | 2024-02-28 | ディジレンズ インコーポレイテッド | 真空周期的構造体および製造の方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5038342B2 (fi) * | 1971-12-01 | 1975-12-09 | ||
| US3879183A (en) * | 1973-08-15 | 1975-04-22 | Rca Corp | Corona discharge method of depleting mobile ions from a glass region |
| JPS58118610A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | Nec Corp | テ−パ状光導波路の製造方法 |
| JPS6066210A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-16 | Shimadzu Corp | 光導波路の製造方法 |
| US4711514A (en) * | 1985-01-11 | 1987-12-08 | Hughes Aircraft Company | Product of and process for forming tapered waveguides |
| US4842629A (en) * | 1986-12-01 | 1989-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing buried regions of raised refractive index in a glass member by ion exchange |
-
1989
- 1989-04-13 FI FI891767A patent/FI82989C/fi not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-04-06 DE DE69010249T patent/DE69010249T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-06 EP EP90106599A patent/EP0392375B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-06 ES ES90106599T patent/ES2055820T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-10 JP JP2094900A patent/JPH02293351A/ja active Pending
- 1990-04-12 US US07/507,781 patent/US5035734A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0392375A2 (en) | 1990-10-17 |
| JPH02293351A (ja) | 1990-12-04 |
| FI891767L (fi) | 1990-10-14 |
| DE69010249D1 (de) | 1994-08-04 |
| FI891767A0 (fi) | 1989-04-13 |
| DE69010249T2 (de) | 1994-10-20 |
| FI82989B (fi) | 1991-01-31 |
| EP0392375B1 (en) | 1994-06-29 |
| ES2055820T3 (es) | 1994-09-01 |
| EP0392375A3 (en) | 1991-10-23 |
| US5035734A (en) | 1991-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI82989C (fi) | Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare. | |
| US5160523A (en) | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate | |
| RU2151412C1 (ru) | Способ изготовления оптического волноводного устройства | |
| FI86225B (fi) | Anpassningselement foer sammankoppling av olika ljusvaogsledare och framstaellningsfoerfarande foer detsamma. | |
| US6393180B1 (en) | Providing a refractive index change in an ion diffused material | |
| US3880630A (en) | Method for forming optical waveguides | |
| US4375312A (en) | Graded index waveguide structure and process for forming same | |
| KR930006185A (ko) | 전기화학적 발색용액, 이것의 제조 및 사용방법 그리고 이것으로 제조한 장치 | |
| IT9067288A1 (it) | Metodo per la realizzazione di dispositivi ottici integrati ottenuti per scambio ionico favorito da campo elettrico. | |
| CN109690373B (zh) | 具有层叠结构的光波导制品及其形成方法 | |
| US3864130A (en) | Integrated optical circuits | |
| JPH0341406A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH0462644B2 (fi) | ||
| US4820323A (en) | Method of fabricating optical waveguides for the midinfrared portion of the spectrum | |
| JPS62133403A (ja) | ホログラムレンズ | |
| FI79910C (fi) | Foerfarande foer tillverkning av en vaogledarkomponent foer formfaeltstransformerande integrerad optik. | |
| JPH02262110A (ja) | 埋込型光導波路の製造方法 | |
| JPH01187507A (ja) | 光導波路型光デバイスの製造方法 | |
| KR960008362A (ko) | 고분자 grin 도파로의 제조방법 | |
| JPH01261243A (ja) | 光導波路製造方法 | |
| HONKANEN | Ion exchange processes for fabrication of integrated optical waveguide structures into glass substrates(Ph. D. Thesis- Helsinki University of Technology) | |
| Li et al. | Buried-glass waveguides by ion exchange through ionic barrier | |
| JPS6066210A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH05313031A (ja) | 導波路の製造方法 | |
| Xiang et al. | Fabrication of a multimode-interference-based multimode power splitter in glass |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: OY NOKIA AB |